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COURS DE L'ELECRONIQUE 6ème ETRO '
COURS DE L'ELECRONIQUE 6ème ETRO '
CHAPITRE PREMIER
LE TRANSISTOR EN COMMUTATION
I.1. INTRODUCTION
Un composant fonctionnant en commutation présente deux états (exemple, Interrupteur : état ouvert
et état fermé, Diode : état passant et état bloqué, Transistor : état saturé et état bloqué).
En commutation, la nature des signaux utilisés est Impulsionnelle ; c’est pourquoi nous parlons du
régime Impulsionnel. Ce mode de fonctionnement (commutation) est aussi appelé « Tout ou rien »,
« Numérique » ou « Digital » ou encore « Binaire ».
I.2.1. Définition
Il est utilisé afin d’ouvrir ou fermé un circuit. Ainsi il peut commander une diode électroluminescente
(Diode LED), un relais, un moteur etc.… On assimile généralement le circuit de sortie du transistor à
un interrupteur (non parfait) qui est commandé.
Circuit
B commuté
Circuit de commande
E
Le mode normale ;
Le mode inverse ;
Le mode bloqué ;
Le mode saturé.
C’est le mode de fonctionnement exploité dans l’étude de l’amplification. Dans ce cas, la diode
d’émetteur (jonction base-émetteur) est polarisée en directe et la diode du collecteur (jonction base-
collecteur) en inverse. Le point de repos se situe au milieu de la droite de charge.
R1 Rc
C1 Vs
Vcc
Rg
R2 RE CE
eg
I C =β I B + I CEO ; or I CEO ≅ 0
I C =β I B
V CE >0
I E =β I B
V CE <0
Rc
Ic
RB IB
Vcc
VCE
K VBE
VBB
Nous remarquons que l’interrupteur K est ouvert; donc il n’y a aucun courant qui circule entre la base
et l’émetteur. La jonction base-émetteur est par conséquent bloquée et le courant I B sera égale à 0.
V CC −RC I C −V CE =0 si I C =0
V CC =V CE =V S
Rc
Icsat
RB IB
Vcc
VCE
K VBE
VBB
Lorsqu’on ferme l’interrupteur K, il y aura naissance d’un courant I B suffisament important. Nous
remarquons que la base devient positive par rapport à l’émetteur.
( I CSat=
V CC
RC ). On dit que le transistor est saturé.
−V CC + R C I Csat +V CE =0 si V CE =0
−V CC + R C I Csat +0=0
V CC =RC I Csat
V CC
I Csat =
RC
IC Point de saturation
Q1
ICmax
Droite de charge
Point de blocage
Q2
VCE
VCESat VCE0 = VCC
Fonctionnement
Polarisation Normal Inverse Bloqué Saturé
Jonction B-E Directe Inverse Inverse Directe
Jonction B-C Inverse Directe Inverse Directe
IB≠0 IB≠0 I B=0 IB≠0
Résultats I C =β I B I E =β I B I C =I CE0 =0 I C =I CSat
V CE >0 V CE <0 V CE ≅ V CC V CE ≅ 0
NB : Dans le régime « tout ou rien », la puissance ( P=V CE . I C ) dissipée dans le transistor est toujours
faible.
A. Facteur de saturation
Nous avons vu que, lorsque le transistor entre en commutation, son intensité collecteur est :
V CC −V CE V CC
I CSat= ≅
RC RC
Il faut pour cela, que l’intensité de base atteigne la valeur dite de «Juste saturation » :
I CSat V CC
I BJS =I min = =
β β RC
IB
Le rapport : s’appelle Facteur de saturation (Fs)
I BJS
Fs : facteur de saturation ou coefficient de saturation (varie entre 2 à 10 donc I B=2 I BJS à 10 I BJS).
Note : Pour calculer I B, on tient compte du coefficient d’amplification en courant ( β=h 21e ) et pour
calculer I C, on tient compte de la tension de saturation (V CESat ) ; elle varie entre 0,3 à 1V en pratique.
B. Facteur de blocage
Lorsqu’un transistor est saturé, sa jonction base-émetteur se comporte comme une diode passante ;
donc la répartition de la charge de cette jonction est analogue à celle d’un condensateur.
Si à partir de cet état, on souhaite bloquer le transistor, la réorganisation des charges au niveau de la
jonction base-émetteur va provoquer un courant inverse dit courant inverse de blocage ( I BBL ¿ . La
valeur de ce courant dépend de la rapidité avec laquelle le condensateur base-émetteur peut se
décharger. Il sera faible, comme le montre la figure a. ci-dessous. La jonction se décharge par ses
propres moyens. Il peut être élevé, si on accélère le processus à l’aide d’un générateur externe (cas
de la figure b).
+ +
+ +
IBBL IBBL
+
Fig. a Fig. b
I BBL
¿ rapport S’appelle facteur de blocage (Fb)
I BJS
Il s’écoule un certain temps entre le moment où on injecte dans la base d’un transistor un courant
suffisant pour le saturer et le moment où le courant de collecteur atteint effectivement l’intensité de
saturation. Il s’écoule de même un certain temps entre le moment où l’on établit le courant inverse de
blocage entre l’émetteur et la base et le moment où le blocage devient effectif, c’est-à-dire que le
courant de collecteur s’annule.
R2
+ IC IB
1 R1 IB IBSS
2
t
0
+
0V -IBBL
IC
ICSA
9T0%
10%
0 t
td tS
tr tf
ton toff
Il a été convenu de prendre pour repères les points où le signal atteint les 10% et 90% de la valeur
maximale. C’est à partir de ces repères qu’on définit les six temps de commutation :
t d , t r , t on , t s ,t f , t off .
1. Temps de délai ou temps de retard (Delay time)
Lors de l’application de l’impulsion à l’entrée, le transistor conduit, mais le collecteur ne prend pas
instantanément sa valeur normale IC. Par conséquent, le temps de délai (td) est le temps qui s’écoule
lorsque IC passe de 0 à 10% de IC.
Le temps de monté (tr) est le temps qui s’écoule lorsque IC passe de 10 à 90% de IC.
Le temps de descente est le temps qui d’écoule lorsque IC passe de 90 à 10% de IC et est noté : tf.
Note :
La somme de ces deux temps précédents, c.à.d. td et tr forment le temps de fermeture appelé
aussi le temps de conduction ou encore le temps total d’établissement et est noté par : ton (on-
time).
t on =t d +t r
t off =t s +t f
I.2.7.1. Schémas
Rc Rc
RL C Vcc Ic
VCE RB IB
E Vcc
VCE
K VBE
K
VBB VBB
Il est évident que la base du transistor est comparable à la bobine du relais, tandis que l’émetteur et le
collecteur du transistor est comparable au contact du relais.
Lorsque K ouvert : la charge R est traversée par un faible courant et nous pouvons admettre
qu’elle n’est pas alimentée ; pratiquement toute la tension Vcc est appliquée entre les bornes
C et E du transistor à l’état bloqué.
Lorsque K ferme : le courant IC passe dans la charge, la chute de tension entre les bornes
collecteur-émetteur est faible et la presque totalité de la tension VCC est appliquée à la
charge. Le transistor est alors à l’état saturé.
c. Conclusion
Lorsque l’interrupteur K est ouvert, le courant dans la charge est strictement nul avec le relais
électromagnétique alors que le transistor laisse passer le courant résiduel I CE0. Et lorsque K est fermé,
la tension entre le collecteur et l’émetteur du relais est nulle alors que la tension V CE entre le collecteur
et l’émetteur du transistor ne l’est pas (varie entre 0,3 à 1V). Par conclusion, nous dirons que le
transistor est un interrupteur imparfait ; et en contre partie, le relais est un interrupteur parfait.
1. Avantages
2. Inconvénients
EXERCICES
01. Concernant le mode de fonctionnement normal d’un transistor, nous pouvons affirmer que la
diode base-émetteur est toujours :
04. Soit le montage ci-dessous représentant une polarisation directe ; déterminer le courant de
collecteur à la saturation.
+12 V
12KΩ 10KΩ
0,3 V
0,7 V
4,5 KΩ
Donne l’écart de la valeur que peut avoir I Bpour assurer la saturation de transistor.
RESOLUTION
06.Dans ce montage de la fig. ci-dessous la tension aux bornes de chaque diode électroluminescente
est de 1,6 V le courant qui le traverse est de 15mA . La V CE est de 0,4V.
a) Déterminer le courant Ic et la résistance R.
b) Calculer la puissance absorbée par le transistor.
12V
Calcul de Ic
Ic=I 1 + I 2 + I 3∨I 1=I 2 =I 3 =15 mA
−3
Ic=15 mA +15 mA +15 mA =45 mA =45.10 A
Calcul de R
V CC −V d 1−V d 2−V d 3−R . Ic−Vce=0∨V d 1=V d 2 =V d 3=1,6 V
12−1,6−1,6−1,6−0,4
R= −3
=¿
45. 10
07. Proposer un montage « commande électronique d’une DEL (Vd = 2V, I max = 10mA) » ; dont Va =
12V et β = 200. Calculer aussi la valeur de la résistance atténuatrice en série avec la DEL et la
résistance de la base pour une polarisation fixe lorsque le transistor(NPN) est saturé.
CHAPITRE DEUXIÈME
APPLICATIONS D’UN TRANSISTOR EN COMMUTATION
Signalons que dans ce présent chapitre, nous n’allons étudier que les deux dernières applications
citées ci-haut.
II.0. CHARGE ET DÉCHARGE D’UN CONDENSATEUR
=E ( 1−e )
−t
τ
UC
2. Décharge d’un condensateur
a. Montage
R
C
UR Uc~E
K
b. Analyse
A l’instant t0, U C ≅ E , U R ≅ 0
A l’instant t0 à t1 (t≠0), le condensateur commence à se décharger à travers la résistance R et
UC diminue suivant la même loi exponentielle ; si U ∞ =0 ;U 0=E , l’expression de UC pendant
la décharge sera :
−t
τ
U C =E .e
II.1.1. Définition
Le relais simple ;
Le relais temporisé.
a. Montage
Vcc
RL
DRL
Ic
RB
IB
VCE
VBE
K
VBB
DRL : Diode à roue libre elle sert à protéger le transistor contre les sur tension et les
sur intensités produites par la bobine du relais au moment du blocage. La série
standard utilisée pour cette diode est le 1N 4148.
b. Fonctionnement
Lorsque l’interrupteur K est ouvert, aucun courant ne traverse la bobine du relais et on dit que le relais
est désexcité, son contact garde encore sa fonction ou sa position initiale et il y a aucun changement
au niveau de la charge.
Par contre, lorsqu’on ferme l’interrupteur K, il y a naissance d’un courant de base, celui-ci crée un
grand courant au niveau du collecteur qui traverse la bobine du relais et transistor devient saturé, le
relais excité, il attire son contact et il y a un changement au niveau de la charge.
NB : DRL : « Diode à Roue libre » (la diode en parallèle inverse). Elle sert à protéger le transistor au
moment de blocage contre les surintensités produites par la bobine du relais. Elle se branche toujours
en inverse.
Ce sont les montages dans lesquels on utilise les éléments optoélectroniques : photodiode, photo
résistance, photo coupleur, photo transistor, photo triac, etc.…
Vcc
Vcc
RL
RL DRL
DRL
R1
PD
PD
R1
1. Détecteur de la lumière
Dès la présence de la lumière, la photo diode présente une faible résistance (quelques ohms) il ya
naissance d’un courant IB issu de la source VCC à travers R de la diode qui commande le transistor,
et celui-ci devient saturé, le potentiel de la masse se ramène au collecteur, le relais dévient excité,
attire son contact et il ya un changement au niveau de la charge.
2. Détecteur d’obscurité
Pendant la lumière, l’élément optoélectronique présente une faible résistance. Il ya naissance d’un
courant IB issu de la source Vcc à travers R 1. Tellement que la photodiode (PD) présente une
résistance faible, Le potentiel de la masse atteint la base et annule le courant IB ; le transistor bloqué
et le relais reste désexcité.
Pendant l’obscurité, la photodiode (PD) présente une très grande résistance de l’ordre de MΩ. La
base isolée de la masse, ce qui entraine la saturation du transistor. En ce moment, le relais devient
excité et attire le contact.
Par définition, un temporisateur est un circuit qui introduit un retard à la mise en marche ou à l’arrêt
d’un système. On distingue deux types de temporisateurs à savoir :
Temporisateur à contact ;
Temporisateur à commande à distance.
1. Temporisateur à contact
a. Montage Vcc
RL
DRL
R1
DZ
C
R2
b. Fonctionnement
V CC
t=R1 .C ln
V CC −V Z −V BE
a. Montage DRL
RL
R1
DZ
LDR C
Détecteur de l’obscurité
b. Fonctionnement
Quand la photo résistance devient éclairée, elle présente une résistance faible ; ce qui va faire en
sorte que le condensateur se retrouve en court-circuit. La cathode de la diode zener est attaquée par
le potentiel de la masse. Le courant I B devient égal à zéro (IB=0), et le transistor se retrouve à l’état
bloqué. Conséquence, le relais reste désexcité.
Pendant l’obscurité, la LDR présente une résistance élevée. Le condensateur n’est plus court-circuité.
A l’instant t0, Uc=0 et IB=0 ; le transistor garde toujours son état. A l’instant t≠0, le condensateur
commence à se charger et Uc augmente. Dès qu’elle atteint la tension de seuil (VZ+VBE), le transistor
se sature et entraine le relais à l’excitation.
II.2.1. Introduction
énéralement les multivibrateurs sont des générateurs des signaux rectangulaires ou carrés
(non sinusoïdaux).
A transistors ;
A portes logiques ;
A ampli opérationnel ;
A circuits intégrés.
Notons que le présent chapitre est seulement consacré aux multivibrateurs à transistors. Un
multivibrateur à transistor, est un circuit constitué de deux transistors capables de délivrer un signal
rectangulaire, dont chaque transistor passe alternativement à l’état saturé ou à l’état bloqué. L’effet
multivibrateur s’obtient en reliant la sortie d’un transistor à l’entrée de l’autre.
Le multivibrateur astable ;
Le multivibrateur monostable ;
Le multivibrateur bistable ;
Le multivibrateur à seuil.
Tout multivibrateur transistor est constitué de deux étapes à transistor à charge résistive. Les 2
étapes sont reliées par une liaison alternative (par condensateur) ou par liaison continue (par
résistance) selon le type.
Pour obtenir l’effet de multivibrateur, il faut relier la sortie du 1 èr étage à l’entre du 2ème étage à l’entrée
de la première étage. (Liaison croisée)
E1 S1 E2 S2
1ier ETAPE T1 2e ETAPE T1
NB : Tous les multivibrateurs cités ci-haut peuvent être classés en deux catégories à savoir :
2. Les multivibrateurs commandés : sont ceux qui ont besoin d’impulsion de commande extérieure
pour démarrer et les maintenir en fonctionnement (multivibrateur monostable, bistable et à seuil).
II.2.2.1. Définition
L’astable est une bascule qui n’a pas l’état stable. Elle change l’état spontanément sans qu’il soit
nécessaire de lui appliquer une impulsion de commande extérieure.
ASTABLE
Vcc
RC1 RB2 RB1 RC2
+ - - +
C1 C2
T1 T2
II.2.2.4. Fonctionnement
Supposons que les deux transistors sont symétriques, c'est-à-dire que T1 et T2 sont identiques (même
types de transistors). Lorsqu’on ferme l’interrupteur K, on applique la tension d’alimentation aux deux
transistors. Étant donné qu’il est impensable que les deux transistors arrivent à la saturation au même
moment. Supposons que le transistor T1 se sature en premier. Le potentiel de la masse atteint le
collecteur de T1 qui le rend un peu plus négatif. Cette variation de tension négative de T 1 sera
transmise à la base de T2 par C1, réduisant ainsi le courant IB du T2. Par conséquence T2 devient
bloqué.
- VCC + VBE
UB2
VCC
- VCC + VBE
VBE T
UC2 t1 t2
VCC
t
UC1
VCC
Pour calculer la période d’un astable, on tient compte de la loi exponentielle de charge et décharge
d’un condensateur :
−t
τ
U C =U ∞−( U ∞−U 0 ) .e
Or nous avons deux cellules RC ; donc la période T sera égale à :
T =t 1+ t 2
Calcul de t1
Calcul de t2
t 2=¿0,7. R B 1 . C2
T =0,7. RB 1 . C2 +¿0,7. R B 2 . C1
T =0 , 7 ( R B 1 . C2 + R B 2 . C 1)
T =0,7 ( R B .C + RB . C )
T =0,7 ( 2 R B . C )
T =1 , 4 R B .C
tH t
D= = H ∗100 en pourcentage (% )
T t 1 +t 2
II.2.3.1. Définition
Le monostable est un circuit qui n’à qu’un seul état stable. Celui-ci étant à l’état stable, une impulsion
de commande ou de déclenchement le fait passer à l’état instable après un laps de temps bien
déterminé. La durée de cet état instable est indépendante de la forme et de l’intensité de l’impulsion
de commande mais dépend plutôt d’un réseau RC.
Le monostable réalise une fonction de temporisation utilisée chaque fois que l’on souhaite déclencher
un dispositif avec retardement.
Suivant les besoin des temporisations, la temporisation peut aller de quelques microns second à
quelques heures, voir même quelques jours. Il présente semblablement la même structure que le
multivibrateur astable. Il y a simplement remplacement d’une liaison capacitive par une liaison
résistive.
K
II.2.3.2. Montage K
Vcc Vcc
RC1 RB2 RC2 RC1 RB2 RC2
RB1 RB1
+ - + -
C1 C1
T1 T2 T1 T2
CL CL
Fig.a Fig.b
II.2.3.3. Fonctionnement
En effet, C tend à se chargé en sens inverse jusqu’à atteindre la tension V BE (0,7V) de T2 , celui-ci se
sature est T1 devient de nouveau bloqué.
Un calcul semblable à celui qui a été effectué pour le multivibrateur astable montre que la période
d’un monostable est égale à une demi période d’un astable :
T =0,7 R B 2 . C
Pour que le système fonctionne ainsi, il est nécessaire que la période T soit inferieur à la durée de la
demi-période du signal de commande. Quand cette condition n’est pas réalisée, la tension de sortie
reproduit les variations de la tension de commande.
Impulsion de commande
t
UC2
VCC
t
T
UC1 t1 t2
VCC
t
UB2
VCC
- VCC + VBE
NB : On peut varier la durée de temporisation d’un monostable en plaçant une résistance de base R B2
ajustable (variable).
Vcc
RC1 RB2 RC2
RB1
+ -
C1
T1 T2
CL
II.2.4.1. Introduction
Le bistable est un circuit qui possède deux états stables (statiques). Il faut une intervention extérieure
pour changer l’état. Il est également connu sous le nom de : montage à Eccles-Jordan ou encore
montage Flip-Flop.
II.2.4.2. Montage
K K
Vcc Vcc
RC1 RC2 RC1 RC2
RB2 RB1 R3 R4
T1 T2 T1 T2
D1 D2
CL D1 D2
CL RE
Fig. a R1 R2
C
Fig. b
II.2.4.3. Fonctionnement
Nous remarquons que les deux transistors sont polarisés de la même manière. Dès que nous
fermons l’interrupteur K, supposons que T 1 se sature en premier, le potentiel de la masse se retrouve
à la base de T2 et celui-ci devient bloqué. Cette situation arrive avant d’appliquer l’impulsion de
commande.
Lorsqu’on applique l’impulsion : au front descendent, T1 devient bloque et cette impulsion négative
n’aura aucun effet sur T2 qui est déjà bloqué. Quand T1 est bloqué, la base de T2 est libérée de la
masse et devient en suite saturé.
Il faut encore appliquer une autre impulsion pour bloquer T2 qui est saturé et ainsi de suite.
Les deux diodes du circuit d’entrée bloquent les signaux positifs. Le condensateur de découplage C
(Fig. b) permet de maintenir constant les transistors.
Pour améliorer la vitesse du basculement, on place les condensateurs en parallèle sur RB1 et RB2.
C2 C3 Vcc
RC1 RC2
RB2 RB1
T1 T2
D1 D2
CL
Quand on applique à l’entrée, le signal issu d’un dérivateur commandé par un signal rectangulaire,
seules les fronts descendent provoquent le basculement du circuit. Le potentiel de chaque collecteur
va devoir engendrer un signal rectangulaire ayant une période double de celle du signal appliqué à
l’entrée (impulsion de commande).
C’est pourquoi, un multivibrateur bistable est dit multiplicateur de période d’entrée par deux et aussi
diviseur de fréquence d’entrée par deux.
NB : Un bistable conserve l’information qui lui à été appliquée à l’entrée, par conséquent, il constitue
donc une cellule mémoire.
Te
Tension au C de
t
Ts
Tension au C de
t
a. Calcul de la période et de la fréquence
En observant les oscillogrammes, nous remarquons que :
1 1 1
Ts=2 Te ( 1 )Or T = (2 ) → Ts= ( 2 ) Te= (3)
F Fs Fe
( 2 ) , ( 3 ) et (1)
1 1
→ =2 . →2 Fs=Fe
Fs Fe
II.2.5.1. Définition
C’est une bascule qui change d’état lorsque la tension de commande atteint ou traverse une certaine
valeur dite « tension de seuil ou seuil de basculement »
La bascule à seuil dérive de la bascule bistable tout en gardant seulement une liaison résistive. Le
modèle le plus utilisé est le Trigger de Schmitt.
Seule l’entrée du second étage est couplée à la sortie du premier, qui reçoit les signaux de
commande. Elle fourni des signaux rectangulaires à partir de n’importe quelle forme du signal
appliqué à l’entrée.
II.2.5.2. Montage
VCC VCC
T1 T1
T2 T2
VBE VBE
VS VS
V1 < V0 + VBE RE V0=VE V1 > V0 + VBE
R2 RE R2 V0=VE
Fig. a Fig. b
II.2.5.3. Fonctionnement
Tant qu’on a encore rien appliqué à l’entrée V1 (tension V1), le transistor T1 est bloqué. Les valeurs
des RC1, RC2 et RE sont choisies pour que T2 soit saturé à fonction ou à partie du pont diviseur
constitué par R1 et R2.
VCC
R1
R2 VB2
V CC . R2
V B 2=
R2 + R 1
Donc à l’état initial du système, le transistor T1 est bloqué et T2 est saturé. Dans cet état, la tension de
sortie de T2 saturé sera égale à V0 = VE
D’où :
V B 2−V BE −V 0=0
V CC . R2
V 0=V B 2−V BE∨V B 2=
R 2+ R 1
V CC . R2
V S =V 0= −V BE
R2 + R1
Quand la tension V1 dépasse la tension de seuil V0 + VBE, le transistor T1 se met à conduire (se
sature) ; le potentiel de la base de T2 diminue et T2 devient bloqué.
II.2.5.4. Hystérésis
En réalité, ce basculement se produit pour un seuil inférieur à celui pour lequel on avait obtenu le
basculement initial.
En effet, T2 étant fortement saturé, il ne se bloque pas tout de suite dès que T1 commence à conduire.
Lorsque le collecteur de T1, atteint une tension assez basse, T2 est brusquement bloqué.
V1
Hystérésis
V0 + VBE
C2
II.2.5.5. Utilisation
EXERCICES
EX1 : concevoir une commande d’une lampe de 22OV /100 W à partir d’une source de tension
continue de 12V en utilisant un transistor 2N3020, h FE=β=40 I C sat =200 mA . Proposer le montage et
faire le choix des éléments non identifiés.
RESOLUTION
Montage
+Va PH N
K
RB
CHOIX DE COMPOSANTS
V CC−V BE Ic 200. 10
−3
R B= ∨I B= = =5 mA
IB β 40
12−0 , 7 11 ,3 . 103
R B= −3
= =2 ,26 K Ω
5 . 10 5
V CC 12
RRC= = =60 K Ω
I C sat 200 . 10−3
PL 100
I encL= = =0 , 454 A V N I enCL=1 A
UL 200
R1
Ra
R2
0V
RESOLUTION
En passant par R1
V CC −R1 ( I P + I B )−V BE=0
V CC −V BE I c sat 10 . 10−3 −4
R 1= ∨I B = = =10 A
I P+ I B β 100
24−0 , 7 11 ,3
R1= −4 −4
= −4
=21 K Ω VN =22 K Ω
10 .10 +10 11. 10
En passent par R2
V BE −R2 I P=0
V BE 0 , 7
R2 = = =700 Ω V NR2=820Ω
I P 10−3
V −V d 24−1 , 6
Ra = CC = =4 , 48 K ΩV NRa=4 , 7 K Ω
IP 5 . 10
−3
EX3.On donne un montage ci-dessous ; ce montage est alimenté à 10V avec une période de 2ms et
un rapport cyclique de 40% c.à.dt 2> t 1 . on donne encore :
ICSat =800mA ; β=75, VBE=0,7.
Calculer tous les éléments ( Rc1 =Rc 2 , Rb1=Rb2 , c 1 , c 2 ,t 1 , t 2 , f ¿ .
Vcc
RC1 RB2 RB1 RC2
+ - - +
C1 C2
T1 T2
Vcc
R1 R2 R3 R4
+ - - +
C1 C2
T1 T2
D1 D2
Vcc
R1 R2 R3 R4
L1 + - - + L2
C1 C2
T1 T2
EX7. Soit un monostable présentant les caractéristiques suivantes : VCC=12V, VBE=0,7V, t=1000µs,
β=20 et VCESat= 0,2V, IC2=100mA. On choisit arbitrairement RC1=RC2=RC et IB2=5% de la valeur de IC2
On demande :
1. Donner le schéma du montage ;
2. Calculer la valeur de RC et RB ;
3. Déterminer la capacité du condensateur ;
4. Comment peut-on varier la durée de temporisation d’un monostable ? proposer un schéma.
EX8. avec 2N1711, une diode zener de 5V6, pour un relais de 12V, on vous demande de concevoir
un temporisateur à transistor si la capacité du condo est de 100 μF/25 , la polarisation est par I B , Ic =
10 mA , β=100
+ 12V
Dz
C Vz
Vcc−Vz−V BE 0V
Vcc
T =R B C ln =¿ R B =
Vcc−Vz−V BE IB
I C 10 .10 −3
−5 −4
et I B= = =10 .10 =10 A
β 100
12−5 , 6−0 ,7
R B= −¿ 4
10 =57 K Ω ¿
12
d ' OU T =57 .10 3 . 100 .10−6 ln =4 Sec
5,7
EXEMPLE 9. a résoudre
+ 12V
L1
Fiston MALUDI Ingénieur En génie électrique : Electronique Appliquée
L2
Page 31
R
C
Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017
0V
Ex10 : soit le montage permettant de coller le relais R, lorsque la photorésistance P est éclairée les
conditions d’éclairement qui doivent déclencher le dispositif sont :
Rmax ( P−R )=100 K Ω(à l ' obscurit é )
Rmax ( P−R )=(à la lumi è ℜ)
Déterminer la marge de choix de la résistance RV pourque le relais soit maitenu collé. On donne
Vz=6 , 2V , V BE =0 , 7 V ,V CC =12 V
I B ≪ I P . à la lumiere P = 100 KΩ , à l’obscurité P = 2 KΩ
+Vcc = 12V
R
Vz
0V
RESOLUTION
RV 1
¿ V B =+V CC .
R V 1+ R max
RV 1
D’où V CC . <V BE +V Z
R V 1+ R max
RV 1
12 . 5
< 0,7+6,2
RV 1+10
12 . RV 1< 6,9 ( RV 1 +105 )
12 . RV 1< 6,2 RV 1+6 ,9 . 105
5
12 . RV 1−6 , 9 RV 1 <6,9. 10
RV 1 ( 12−6 , 9 )< 6,9.105
5
RV 1 . 5 ,1<6,9. 10
6 , 9 .10 5 5
RV 1 < =1 , 35 .10 Ω
5,1
RV 1 <135 K Ω
T1 T2
II. Réaliser un montage d’une bascule astable, câbler à un oscilloscope à double trace relevé des
signaux aux collecteurs des transistors.
a) Donner le schéma du montage
b) Quel est le comportement de deux transistors lorsque la tension à la base de T 1 est à
0,7 V
c) Calculer la durée de blocage et de saturation lorsque les résistances de base et les
condos sont identiques Rb =16 K Ω , C=1 μF
d) Calculer la fréquence d’oscillation
e) Quel est le rapport cyclique du signal de sortie de ce montage
EX12. Propose un montage ≪ clignttant à LED ≫ on vous propose : 2≤D (
V d =2 V , I d =10 mA ,V cc =12V , 2transistors NPN avec h21=100. Prévoir une résistance atténuatrice
de la diode LED et déterminer sa valeur calculer la résistance de base pour saturer le ts avec un
coefficient de saturation égal a 6. Déterminer la valeur de R atténuatice en série avec 2 LED
EX13. Soit le montage ci-dessous :
T1 T2
15
Calculer R1 , R 2 , R3 et R 4 ,C 2= μF
3
NB : le temps mis par L1 et deux fois plus important que mis par L2 pour s’allumer la période entière
est à une seconde
EX14. proposer un clignotant à lampes de 220V avec les éléments ci-dessous :
2 TsT si h21=150
2 relais 300 Ω/12V
2 diodes 1 N 4007
2 condos électrolytiques 47 μF /220 V
Une source de tension continue 12 V
2 résistances de valeur inconnues
II.3.1. Généralités
e signal en dent de scie est l’un des signaux les plus importants de l’électronique.
Il est très largement utilisé dans les bases de temps d’oscilloscope, dans les indicateurs de
radar et d’innombrables autres applications.
La figure ci-dessous représente un signal qui varie périodiquement et linéairement avec le temps. La
tension augmente depuis zéro jusqu’à une valeur V en t 1 seconde et décroit de V à zéro en t 2
seconde ; En suite le cycle recommence.
V
t1 t1 t1 t2
t
0
Montée Descente
À cause de la forme du signal qui ressemble aux dents d’une scie, il est appelé « signal en dent de
scie »
II.3.1.2. Caractéristiques
La notion de variation linéaire est très importante en électronique et de ce fait, voyons plus
précisément ce qu’elle signifie. Comme exemple, considérons une voiture qui roule à la vitesse
constante de 50 km/h. en une heure, cette automobile aura parcouru une distance (d) de 50 km ; en
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Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017
deux heures, elle aura couvert 100 km ; etc. La formule qui relie la distance, la vitesse ;et le temps est
donnée par la relation :
d = V.t
La figure ci-dessous est la courbe représentative de la relation décrit ci-haut.
d
150
100
50
t
1 2 3
La courbe représentative de cette équation est donc une ligne droite et on peut dire qu’il y a une
relation linéaire entre la distance (d) et le temps (t). Dans ce cas, une relation linéaire entre d et t
signifie simplement qu’à des accroissements égaux du temps (t) correspondent des accroissements
égaux de la distance (d).
Il est évident que dans l’intervalle de temps (t 1), appelé aussi temps de montée, la tension augmente
linéairement avec le temps de telle sorte que des accroissements égaux de tension correspondent à
des accroissements égaux de temps. Dans l’intervalle de temps (t 2), la tension chute de sa valeur
maximale V à zéro et il est évident que le temps de descente (t 2) est plus court que le temps de
montée (t1).
Un signal en dent de scie peut être généré par la charge et la décharge d’un condensateur avec une
constante de temps correcte. Un générateur de dent de scie s’appelle aussi quelques fois
« générateur de fonction rampe ».
R1 R2
C1
Vcc
C2
Vs
Ve
Dans ce circuit, le transistor NPN amplificateur est très conductance en absence de signal d’entrée
(Ve).
Ve t1 t1
t2 t2
t
Vs
t
0
On constate qu’il y a une grande constante de temps de charge, R 2.C2 et une courte constante de
temps de décharge ; il résulte un signal en dent de scie.
R2
RC1 RB2 RB1 RC2
C3
+ - - + Vcc
C2 C4
C1
Vs
T1 T2 R1
A B
A : Multivibrateur astable
B : Générateur en dent de scie.
TROISIEME CHAPITRE
LE Transistor unijonction (TUJ ou UJT en anglais)
a. Définition
Le TUJ est un dispositif semi-conducteur à une seule jonction. Il est constitué d’un barreau de silicium
de type N terminé à ses deux extrémités par deux contacts B 1 et B2 appelés les bases. Ce barreau a
une résistance inter base comprise entre 5 et 10 kΩ environ.
Cette jonction PN a été diffusée en un point intermédiaire entre B 1 et B2 ; et est accessible par la
troisième électrode appelée émetteur (E).
b. Description
B2
R2
E
B2
N
E
P R1
VB
N
B1
B1
Le transistor unijonction contient trois électrodes dont : L’émetteur, la base 1 et la base 2. C’est
pourquoi on l’appelle tantôt Diode à double base.
c. Symbole
B2
E
d. Fonctionnement B1
IB2
VD R2
IE
VBB
R1
U P=U D + .U
R1 + R2 BB
Avec :
U D: Seuil de la diode
U BB: Tension inter base ou intrinsèque
U P=0,7 +η .U BB
R1
Avec : η= : rapport intrinsèque. Il est généralement compris entre 0,5 et 0,8.
R1 + R2
Mais dès que la tension U P est atteinte, un phénomène d’avalanche fait que la résistance R 1 tombe
soudainement à une valeur presque nulle.
Tant que la tension VE reste inférieure à UP (tension PIC), le dipôle EB1, peut être considéré
comme un dipôle ouvert (une grande résistance) ;
Lorsque la tension VE atteint la tension pic (UP) le dipôle EB1 peut alors être considéré comme
une diode passante (résistance très faible).
e. Courbe caractéristique
Courant IE extrêmement faible pour VE<UP ;
Brusque augmentation du courant IE pour VE = UP accompagnée par une chute brusque de cette
même tension VE vers la valeur minimale dite de Vallée.
f. Sens des courants et des tensions
IB2
B2
E IE
VBB
VE
B1
VA
R RB2
B2
E
B1 VB2
C
RB1 VB1
Fonctionnement
Lorsque la tension VA est appliquée au circuit, le condensateur C se charge à travers R. dès que la
tension aux bornes de C atteint la valeur PIC, le TUJ laisse passer le courant et le condensateur C se
décharge brusquement dans RB1. Ainsi produisant une impulsion positive à la base B1 et une
impulsion négative de plus faible amplitude est produit simultanément à la base B2.
h. Calcul de la période
T =RC ln ( 1−η
1
)
Dans le cas d’une valeur typique de η=0,64 :
T =RC
+VA
R1 R3 R4
TR
TUJ
R2
C
R5
Dans ce montage, le condensateur est chargé à courant constant par le transistor monté en
générateur de courant fixe.
Dans ce type de générateur, c’est le courant qui varie linéairement en fonction du temps. Dans le cas
du tube à rayon cathodique à déviation électromagnétique, le champ magnétique doit varier
linéairement avec le temps. Il est nécessaire d’appliquer aux bobines de déviation un courant qui
varie linéairement en fonction du temps.
CHAPITRE QUATRIEME
IV.1 : LE THYRISTOR
IV.1.1. Généralités
Il est actuellement utilisé dans tous les domaines de l’électronique pour commuter, contrôler,
transformer, etc. d’une manière efficace, économique et viable des puissances en courant continue et
en courant alternatif
IV.1.2. Constitution
Le thyristor est un élément semi-conducteur constitué par une succession de quatre couches P et N.
Trois électrodes métalliques réalisent les liaisons vers l’extérieur. Il s’agit de l’anode «A», en contact
avec une couche P, de la cathode «K», en contact avec une couche N et de la gâchette «G, en
anglais Gâte », en contact avec une couche P.
A K
P N P N
N
L’ensemble semi-conducteur est ensuite « encapsulé » dans différents types de boîtiers selon qu’il
s’agit de thyristor à faible, moyenne ou forte puissance.
Les thyristors à faible courant (pouvant fournir des courants inférieur à 1 ampère) ;
Les thyristors à fort courant (pouvant fournir des courants qui peuvent atteindre une centaine
d’ampères).
Comme la diode, le thyristor laisse passer le courant électrique dans un seul sens ; mais bien qu’il soit
polarisé dans le sens passant, il ne laissera pas circuler un courant tant qu’on n’injectera pas un
courant minimal au niveau de la gâchette.
JA JC JK
A K
P N P N
N
En regardant la figure ci-dessus, les couches portent les noms suivant de gauche à droite :
Ayant quatre couches, nous pouvons déduire qu’il y a trois jonctions. Une jonction d’anode (JA), une
jonction de cathode (JK) et une jonction de commande ou centrale (JC).
1. La jonction d’anode (JA) : située entre la couche d’anode et de blocage. Elle laisse passer un faible
courant inverse et supporte une tension inverse élevée.
2. La jonction de commande (JC) : située entre la couche de blocage et celle de commande. Avant
l’amorçage, elle supporte toute la tension d’alimentation.
G
K
R2
A
TH
R1 K VAK
K
VG
Pour que le thyristor puisse conduire, il faut polariser l’anode positivement par rapport à la cathode
(VA>VK) puis appliquer un signal de commande (impulsion) à la gâchette.
1. Polarisation inverse
TH VAK
K
G
2. Polarisation directe
Pour expliquer son fonctionnement, on peut associer deux transistors imbriqués qui donne aussi un
circuit équivalent d’un thyristor :
IA
IB1
T1 (PNP)
IC2
IC1
IG
G T2 (NPN)
IB2
Remarquons que les deux transistors sont reliés de telle manière que le courant collecteur-émetteur
de chacun d’eux est le courant de base de l’autre.
Puisque IG = 0, la base de T2 n’est pas alimentée et par conséquent, il ne circule aucun courant de
collecteur dans les deux transistors ; donc les deux transistors sont alors à l’état bloqué. Mais si on
augmente progressivement la tension appliquée à l’anode jusqu’à une valeur critique appelée
TENSION DE RETOURNEMENT (VB0), un phénomène d’avalanche se produit dans la jonction de
commande ; la barrière de potentielle de la jonction de commande s’effonde et le thyristor devient
conducteur.
Le courant de gâchette IG correspond au courant de base de T2. Quand il est appliqué, le courant du
collecteur à la sortie est :
Ic 2=β 2 . I B 2=β 2 . I G
IC2 sert de courant de base de T1; par conséquent, T1 devient saturé et le courant au collecteur IC1
devient :
I C 1=β 1 . β 2 . I G
I C 1 vient s’ajouter au IG, ainsi IG est alors amplifié successivement par T1 et T2 jusqu'au moment où
les deux transistors entrent en saturation. A ce moment le thyristor est amorcé et sa résistance
interne devient nulle. L’impulsion de commande (IG) ayant cessé, le thyristor reste conducteur et peut
livrer passage à des courants très importants sans dissiper en eux-mêmes une puissance aussi forte
que ne le ferait un transistor saturé dans les mêmes conditions.
Malheureusement, ce courant ne peut pas être annulé aussi facilement qu’il a été établi. Pour ce faire,
il faut pratiquement désamorcer le thyristor.
Faire chuter fortement la tension anode-cathode; Dès que le courant descend en dessous du
courant minimal appelé Courant de maintien (IH : Hold currunt), le thyristor se désamorce ou
ne conduit plus ;
Soit supprimer ou inverser la tension directe appliquée au thyristor.
La figure ci-dessous, montre l’allure du réseau IA/UAK. Cette caractéristique UD = f(ID), comprend
trois zones :
ZONE OA : Le thyristor est sous tension directe et reste bloqué si UD < UBO0. Le courant ID est très
faible;
ZONE BC : Le thyristor est conducteur et se comporte comme une diode passante. Le point de
fonctionnement se trouve sur la droite BC.
(A)
ID
uc
In ti
o
st o
n
d
a n
C
bl
e
bl
o
q
u
é
IG
2
IG
1
=0
IG
B
de
ne
en
U.
ur
to
re
t
UD
(V)
0
UB
UB
O0
UB
B3
20
10
U
0
invers
claqu
e de
age
U.
Il existe de très nommbreux dispositifs permettant de produire des impulsions de gâchette aptes à
declencher le thyristor. Le plus employé met en œuvre un transistor unijonction.
Montage
RC
RV
D1 D3 RB
2 A
DZ
Secteur 220 V TH
G K
D2 D4 C
RB
1
1. Si on alimente l’anode et la gâchette d’un thyristor avec une tension de polarité positive, on obtient :
Fig.1
(voir fig.1)
Lorsqu’on appuie sur le bouton P1, une impulsion positive arrive sur la gâchette, ce qui
provoque la conduction du thyristor qui fait alors allumer l’ampoule reliée sur son anode (A). Si
on relâche le poussoir P, l’ampoule ne s’éteindra pas (B). Pour l’éteindre, il faut retirer la
tension d’alimentation de son anode par l’intermédiaire de l’interrupteur S1 (C).
Si on ferme à nouveau l’interrupteur S1, l’ampoule reste éteinte car le thyristor pour redevenir
conducteur doit recevoir de nouveau la tension positive nécessaire à la gâchette.
2. Si on applique une tension polarité négative sur la gâchette (voir fig.2), et que l’on appuie ensuite
sur le bouton P1, le thyristor ne sera pas excité même si l’anode est alimentée avec une tension
positive. Il se produit la même chose si on relie le négatif à l’anode (voir fig.3) et le positif sur
la gâchette :
Fig. 2 Fig. 3
1. Si on alimente l’anode et la gâchette d’un thyristor avec une tension alternative, comme sur les
figures ci-dessous :
Fig. 4
Si on appuie sur le bouton P1 placé sur la gâchette, m’ampoule s’allume parce que les demi-
ondes positives de la tension alternative nous permet d’avoir le même résultat que celui
illustré sur la figure 1.
Dès que l’on relâche le poussoir, elle s’éteint immédiatement.
2. Si on alimente seulement la gâchette avec une tension alternative et l’anode avec une tension
continue, on obtient :
En appuyant sur P1, l’ampoule s’allume mais ne s’éteint pas si on relâche le poussoir. Pour pouvoir
éteindre l’ampoule, il faudra ouvrir l’interrupteur S1.
En appuyant sur P1, l’ampoule s’allume mais dès que l’on relâche le poussoir, elle s’éteint.
Pour pouvoir toujours maintenir allumée l’ampoule reliée à un thyristor alimenté avec une tension
alternative, on devra toujours garder le bouton poussoir P1 enfoncé.
Comme les thyristors ne deviennent conducteurs que lorsque la demi-onde (période) positive se
trouve à leur anode, l’ampoule ne recevra que la moitié de la tension d’alimentation.
Exemple : si on relie une ampoule de 12 V à l’anode du thyristor et que l’on alimente le circuit avec
une tension alternative de 12 V, l’ampoule ne recevra qu’une tension de 6 V. Donc pour allumer une
ampoule de 12 V, on doit appliquer une tension d’alimentation (alternative) de 24 V sur l’anode.
Ceci étant posé, vous comprenez maintenant que pour exciter un thyristor, il est indispensable que se
soit une tension positive qui soit appliquée sur son anode et que se soit une impulsion positive qui soit
appliquée sur la gâchette.
Comme dans les montages redresseurs à diodes, on trouve souvent des assemblages de thyristors
reliés ensemble par leur cathode ou reliés ensemble par leur anode. Ces assemblages obéissent à
des règles de fonctionnement simple dont la connaissance nous aidera beaucoup pour l’étude des
ponts redresseurs qui vont suivre.
Un assemblage de n thyristors reliés par leur cathode est dit « Association de thyristors à cathode
commune » TH1
TH2
2°. Si plusieurs thyristors sont commandés simultanément, seul celui dont le potentiel d’anode est le
plus élevé peut s’amorcer (si les conditions ci-haut sont remplies).
Un assemblage de n thyristors reliés par leur anode est dit « Association de thyristors à anode
commune ».
Juste avant son amorçage, son potentiel de cathode doit être inférieur à Vs (plus négatif)
Il doit être commandé par la gâchette.
2°. Si plusieurs, thyristors sont commandés simultanément, seul celui dont le potentiel de cathode est
le plus faible peut s’amorcer si les conditions ci-haut sont remplies).
IV.2.1. LE TRIAC
IV.2.1.1. Généralités
puisqu’il ne peut être traversé par le courant que dans un seul sens. Pour y arriver, on fait appel
à un autre composant électronique appelé : Triac.
IV.2.1.2. Symbole
On peut le comparer par l'équivalent de deux thyristors montés tête-bêche. Mais comme le triac peut
conduire dans les deux sens, son utilisation en alternatif est évidente, puisqu'elle permet d'exploiter
les deux alternances.
Sachant cela, il reste à connaitre les points suivants pour comprendre comment un triac peut être
amorcé.
L'état passant du triac persiste tant que le courant circulant entre les Anodes A1 et A2 ne descend
pas en dessous d'une certaine limite appelée courant de maintien (ou courant hypostatique). Il est
intéressant de constater qu'une fois le triac amorcé, le courant qui le traverse ne dépend pas du
signal appliqué sur la gâchette. En d'autres termes, si la tension de commande disparait (de façon
volontaire pour économiser sur la consommation, par exemple), le triac reste amorcé (conducteur)
jusqu'à ce qu’on inverse la tension ou le courant de passage entre A1 et A2 redescende en
dessous de la valeur du courant de maintien.
La sensibilité du triac dépend du quadrant dans lequel on le fait fonctionner.
Le quadrant 4 n'est quasiment jamais utilisé du fait qu'il nécessite un courant de gâchette important
(d'au moins 100 mA pour les triacs de type BTAxx-600), à moins de compenser la faible sensibilité par
l'emploi d'un transformateur d'impulsion. La plus grande sensibilité de déclenchement est obtenue
avec les quadrants 1 et 3.
L'application d'un courant continu pour la commande (sur la Gâchette) est bien souvent préféré en vue
de la simplification du montage mais ne produit pas toujours les meilleurs résultats, et une commande
Impulsionnelle est parfois préférée. La commande par une tension alternative est également possible,
le triac est alors inclus dans un système dit d'auto déclenchement.
Certains triacs bon marché (standards) peuvent nécessiter un courant de gâchette de plusieurs
dizaines de mA, alors que d'autres, parfois appelés "triacs sensibles" se contentent de quelques mA,
voire moins de 1 mA.
IL
I
H
Tension de retournement
(Breakover voltage)
Contrairement au thyristor, on voit que le triac peut conduire dans le deux sens de polarisation.
IV.2.2. LE DIAC
IV.2.2.1. Généralité
Le Diac est une diode bidirectionnelle: elle peut être passante ou bloquée dans les deux sens, selon
le sens du courant alternatif. Son rôle essentiel est de servir au déclenchement d'un triac.
IV.2.2.2. Symbole
ou
IV.2.2.3. Fonctionnement
Lorsqu’on augmente la tension aux bornes du Diac, il ne laisse passer qu’un très faible courant (une
dizaine de micro ampère).
Le Diac ne conduit pas le courant suffisant, tant que sa tension nominale (tension de seuil) n'est pas
atteinte. Cette tension (breakover voltage, en anglais) se situe, suivant le modèle, vers 32 ou 40 V
environ. Lorsque cette tension est atteinte, le Diac devient très conducteur et la tension de seuil du
composant chute aux alentours de 5 V (valeur typique).
Pour que le Diac soit à nouveau bloqué, il suffit que la tension à ses bornes soit supprimée ou
inversée (elle passe alors par zéro).
L
P R
Diac
UA Triac
N
C
Admettons la chose suivante : le générateur de courant continu produit une tension d'environ 35
Volts. Donc, UPN = 35 V. La résistance R permet deux choses :
Réduire la tension, car sinon, le Diac serait tout de suite passant; On utilise d'ailleurs plus
souvent un pont diviseur de tension, plutôt qu'une résistance seule.
Permettre au condensateur de se charger plus lentement, et, de ce fait, avoir une
Temporisation.
Au fur et à mesure que le condensateur se charge, la tension à ses bornes augmente. Lorsque celle-
ci atteint la tension de seuil du Diac, celui-ci laisse passer le courant. Le condensateur se décharge
donc à travers lui, et la tension à ses bornes diminue Lorsque U AN <32 V, le Diac ne laisse plus passer
le courant. Mais pendant le très court instant où le courant est passé, le triac, qui peut être remplacé
par un thyristor si le courant est continu, à été amorcé. Le courant passe donc et allume la lampe, qui
ne s'éteindra que si on ouvre l'interrupteur.
Le condensateur peut se charger plus ou moins lentement, selon la valeur de la résistance: on a une
temporisation.
NB : Le modèle de Diac le plus connu est le Diac 32 V ou le DB3 (28 à 36V typique ; tension
d’amorçage). Le DB4 s’amorce à 40 V (35 V à 45 V typique).
On peut récupérer des Diac dans les culots des lampes fluocompactes basse consommation HS. Ce
sont souvent des petits composants bleus avec un trait noir au milieu. On trouve aussi des Diacs dans
les transformateurs électroniques 12 V pour lampes halogène : le Diac sert à l’amorçage d’un
transistor de l’alimentation électronique.
IV.2.2.7. Exemple pratique d’un variateur de lumière simple (pour ampoule 220 Volts)
luminosité des ampoules, souvent placées dans des chambres à coucher ou qui son
destinées à maintenir un certain éclairage pendant que l’on regarde la télévision.
Pour réduire la luminosité d’une ampoule, il faut seulement abaisser la valeur de la tension
d’alimentation, c’est-à-dire la faire descendre des 220 Volts fourni par le secteur à des valeurs
inférieures, telles que 160, 110, 80 ou 40 Volts.
Le potentiomètre R1 est utilisé pour charger le condensateur C1 avec un retard qui pourra varier en
modifiant la valeur ohmique du potentiomètre.
Le composant VK1est un bobinage antiparasite, enroulé sur un noyau en ferrite qui, associé à R3 et
C3 sert à éliminer tous les parasites générés chaque fois que le triac est excité ou désexcité.
Sans ce filtre antiparasite, chaque radio, chaque télévision et chaque amplificateur se trouvant dans
le voisinage, pourrait capter les parasites identiques à ceux générées par l’allumage ou l’extinction
d’une ampoule ou de n’importe quel appareil électrique.
CINQUIEME CHAPITRE
L’AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL
V.1. INTRODUCTION
L’amplificateur opérationnel doit son nom au fait qu’à l’origine, il était très souvent employé
dans les calculateurs analogiques pour effectuer des opérations : addition, soustraction, dérivation,
intégration ou pour élaborer des fonctions telles que les fonctions logarithmiques, quadratiques, sinus,
etc…
Fig. 4.1.
Sur la figure 3.1 supprimons une sortie, soit S2. Il ne reste qu’une sortie S=S 1 dont la tension
de sortie se mesure entre cette sortie et la masse.
La tension d’entrée V e 1 est inversement proportionnelle à celle de sortie ; en effet :
si V e 1 augmente, I B 1 augmente et I C 1 augmente aussi ce qui fait que V S =V S 1 diminue ; donc
V e 1 et V S sont inversement proportionnels. L’entrée e 1 est donc appelée entrée inverseuseou
simplement l’entrée – (moins).
Faisons remarque ici que, par définition, la résistance R E est traversée par un courant
constant I 0.
Très souvent on se contente d’une seule sortie, celle prise sur le collecteur de T 1, la tension
de sortie V S 1=V S s’y mesure par rapport à la masse. Dans ces conditions le circuit (fig. 3.1) est
équivalent à un tripôle avec deux tensions d’entrée V e 1 et V e 2 et une tension de sortie V S (fig. 3.2).
- Signal de mode commun : sont le signal commun obtenu en reliant 2 signaux d’entrée (fig.3.3)
Fig. 4.3
En réalité, la sortie ne s’annule pas car un amplificateur différentiel réel ne saurait être décrit
par l’équation ci-dessus. En effet, la sortie ne dépend pas seulement de la différence des signaux
V ed =V e 1−V e2entre V e 1 et V e2 , mais aussi d’un signal de mode communV ec défini comme étant la
tension moyenne des signaux V e 1 et V e2 .
1
V e = ( V e 1 +V e2 )
2
Il en est ainsi du fait de la très grande difficulté d’obtenir deux transistors de paramètres
rigoureusement identiques. D’une façon générale nous écrivons :
V s =A d ( V e 1−V e2 ) + A c (V e1 +V e 2
2 )
Fiston MALUDI Ingénieur En génie électrique : Electronique Appliquée Page 64
Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017
Avec
Ac = ( 2Vs
V e1 +V e 2)lorsqueV e 1 ¿ V e 2
Un amplificateur différentiel s’approchera d’autant mieux du cas idéal que Ac sera faible
devant Ad .
Ac ≪ A d
Un bon amplificateur différentiel est celui qui possède un grand gain Ad et un gain Ac nul en
mode commun. On caractérise la performance d’un amplificateur différentiel par son taux de rejection
en mode commun défini par le facteur de mérite.
| A d|
CMRR= p=
| Ac|
| Ad|
Ou CMRR=20 log en dB
| A c|
Nous pouvons écrire :
(
V s =A d V d + A c V c = A d V d 1+
Ac V c
AdV d )
Donc :
( 1 Vc
V s =A d V d 1+ .
p Vd )
Vc
On doit donc concevoir l’amplificateur différentiel tel que p ≫
Vd
En régime dynamique, le circuit équivalent du circuit de la figure 2.1 est celui de la figure 3.4.
Chaque transistor est défini par ses paramètres hybrides en émetteur-commun.
h11 et h21 pour T 1 et T 2 ( transistors identiques )
Nous supposons, par approximation, h12 et h22 nuls. Nous négligeons R1 de valeur suffisamment
grande donc parcourue par un courant négligeable.
*
Ce point à lecture libre
Fig. 3.4
Une disposition plus pratique du schéma équivalent est celle de la figure 3.5.
Fig. 3.5.
CALCUL DE V s (fig. 3.5)
i e =( h21 +1 ) ib1 + ( h21+1 ) ib 2=( h 2+1 ) ( ib 1 +ib 2) (1)
V e 1=[ h11 + R E ( h21+ 1 ) ] i b 1 + R E ( h21 +1 ) i b 2 (2)
V e 2=[ h11 + R E ( h21+ 1 ) ] ib 2 + R E ( h21 +1 ) ib 1 (3)
Soit encore
V e 1=[ h11 + R E ( h21+ 1 ) ] i b 1 + R E ( h21 +1 ) i b 2 (4)
V e 2=[ h11 + R E ( h21+ 1 ) ] ib 2 + R E ( h21 +1 ) ib 1 (5)
Pour simplifier l’écriture posons :
Il vient :
V e 1=( h11 + R ) i b 1+ R ib2 (7)
V e 2=( h11 + R ) i b 2+ R ib1 (8)
Par application de la loi d’Ohm à la résistance Rc , nous écrivons pour la tension de sortie :
V s =−Rc h21 i b 2 (9)
Du système (7), (8) i b 2 en y éliminant i b 1
De (8) :
V e2 −( h11 + R ) ib 2
i b 1= (10)
R
Soit :
2 2
R . V e1=( h11+ R ) V e2−( h11+ R ) i b 2 + R i b 2
Ou encore :
[ 2 2
]
V e 1−( h11 + R ) V e 2= R −( h11 + R ) i b 2=−( 2 h11 R+h11 ) i b 2
2
−R ( V e1 −V e2 ) −h11 V e2
i b 2= 2 (11)
2h 11 R+h11
Posons :
Rc h 21
Ad =
h11
ATTENTION
D’où : V c 2 c1 =A d ( V e 1−V e 2 )
Ve
V e 1=−V e 2=
2
V s −1 Rc h 21
Ad = = . (16)
Ve 2 h11
Dans ce cas, le schéma qui nous permet de calculer Ac est celui représenté sur la figure 3.7.
Vs −R c h21
Ac = = (17)
V e h11+ R E ( h21 +1 )
CMMR=
|A d|
Ac
=
2 [
1 R E ( h21 +1 )
h11
+1
] (18)
On déduit que pour avoir un très bon CMRR, on a intérêt à prendre R E aussi grand que
possible. A la limite, si R E ⟶ ∞, CMRR∞. En pratique, on est limité par les valeurs de R E qu’on ne
peut prendre très grandes. En effet, dans ce cas, la chute de tension aux bornes de R E devient
importante.
La valeur de la tensionV EE doit être plus grande pour maintenir le courant de polarisation à
sa valeur initiale. De plus, on doit garder en tête que l’équation donnant A c n’est qu’une solution
approchée.
On peut montrer qu’en prenant des valeurs importantes de R E, l’approximation n’est plus justifiée.
En résumé, on ne peut en aucun cas atteindre la valeur idéale par le taux de rejection en
mode commun que les contraintes pratiques tendent toujours à limiter.
Fig. 3.12 : Défaut relatifs à l’impédance et aux courants d’entrée diminuer par les étages Darlington
En se reportant au schéma de la figure 3.12, on peut noter que :
- la chute de tension aux bornes de RE5 étant assez faible, manière à conserver une tension de
mode commun élevée, la diode D assure une compensation des variations des tensions de la
tension base-émetteur du transistor T5 ;
- les résistance RE3- RE4 de fortes valeurs (supérieures à l’impédance d’entrée de T1-T2) sont
destinées à éliminer les charges emmagasinées dans les capacités d’entrée de T1 et T2. Elles
sont particulièrement utiles pour maintenir un fort niveau de sortie aux fréquences élevées,
surtout lorsqu’il est nécessaire d’exploiter au mieux le mode commun de l’amplificateur ;
- la tension différentielle d’entrée de l’étage doit être très faible, et les courants d’entrée
identiques ; à cet effet, les transistors T1-T2, T3 et T4 sont appariés deux à deux en tension
base-émetteur et en gain en courant, et ce, dans la gamme de température d’utilisation (deux
transistors dans le même boitier).
Définissons ci-dessous les caractéristiques de performance qui sont les qualités
fondamentales d’un amplificateur opérationnel.
V.3.2. Définitions des caractéristiques
Un amplificateur opérationnel polyvalent possède deux entrées et deux sorties (fig. 3.13).
V s 1 , V s 2 sont des tensions de phases opposées dont les valeurs sont soit positives, soit
négatives par rapport au potentiel commun aux deux sources de tension d’alimentation+V cc et−V EE.
On doit avoir |+V cc|=|−V EE| ou sensiblement égaux pour que les valeurs maximales
positives ou négatives des tensions de sortie soient aussi sensiblement égales.
Notons que la plupart des amplificateurs commercialisés (circuit intégrés) ne possèdent
qu’une sortie (fig. 3.14) ; toutefois, la seconde est exploitable moyennant l’adjonction de quelques
composants.
On notera également que V s 1 et V s 2 sont en phase et en opposition de phase avec V s 2, inversement
pour V s 2 .
Pour plus de simplicité, les tensions d’alimentation +V cc et−V EE ainsi que la masse ne sont
pas figurées sur les schémas symboliques.
Les qualités fondamentales d’un amplificateur opérationnel sont ci-bas citées :
- une très faible impédance de sortie ;
Pour améliorer les qualités d’un amplificateur opérationnel et de le faire tendre vers un cas
idéal, des ajouts sont portés sur le simple étage différentiel d’entrée. Nous avons déjà dit que l’emploi
d’un montage Darlington comme étage différentiel d’entrée augmente l’impédance d’entrée, est qui
est une amélioration car pour un amplificateur opérationnel idéal, l’impédance d’entrée est infinie.
Dans le but d’améliorer les qualités de l’amplificateur opérationnel, entre autre, on ajoute à
l’étage d’entrée, des étages et des circuits utilisables pour en corriger les performances.
Fig. 3.15.
Normalement, les charges Rc6 et Rc7 ainsi que RE doivent être déterminées lorsque la tension
appliquée aux entrées est nulle ( V e 1 ,V e 2 ), pour obtenir des tensions de sortie V s 1 et V s 2 également
nulle (point de repos). On admet dans ces conditions que les tensions différentielles d’entrée des
transistors sont nulles.
Si les courants IB6 et IB7 sont faibles devant les courants collecteurs Ic1 et Ic2 imposés, les
tensions de base T6 et T7 sont connues et il est alors facile de déterminer la valeur de RE, valeur qui
fixe la somme des courants collecteurs Ic6-Ic7.
Les résistances RE6 et RE7 permettent, tout en symétrisant les transistors T 6-T7 d’augmenter leurs
impédances d’entrée qui sont en parallèles sur les charges R c1 et Rc2 et d’amener le gain en tension
du second étage différentiel à la valeur souhaitée.
On notera que la valeur des capacités parasites collecteurs-base (C cb) de T6 et T2 vues des
charges Rc1 et Rc2 est multipliée par le gain en tension de l’étage (effet Miller).
Ainsi, pour une capacité parasite donnée, toute augmentation du gain en tension du second
étage aura pour effet de réduire la bande passante du premier étage.
Pour un amplificateur à large bande, il est possible d’atténuer sensiblement cet inconvénient
en insérant un transistor monté en collecteur commun dans chacune des liaisons entre les deux
étages (forte impédance d’entrée, faible impédance de sortie).
La valeur des courants collecteurs de T6 et T7 doit être suffisamment importante pour assurer
la charge et la décharge des capacités parasites des collecteurs aux fréquences élevées, en effet, le
second étage doit délivrer des tensions de sortie Vs1 et Vs2 de grande amplitude.
Soit Av1 et Av2 les gains en tension des deux étages, on a :
V s1 −V s 2 V −V s 2
De même : = A v 2 ⇒V c 1−V c 2= s 1
V c1 −V c2 A v2
Ce qui montre que les variations des tensions collecteurs de T 1 et de T2 sont Av2 fois plus faibles que
les variations des tensions de sorties. En conséquence, il sera logique à capacités parasites égales
sur les deux étages, que les courants collecteurs du second étage soient A v2 fois ceux du premier
étage.
b) ETAGE DE SORTIE DE L’AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL
Le ou les étages de sortie sont destinés essentiellement à assurer une transformation
d’impédance, ils doivent avoir :
- une impédance d’entrée grande devant Rc6-Rc7 ;
- une impédance de sortie la plus faible possible compte tenu de la charge extérieure et ses
tensions de sortie souhaitées.
De nombreux montages sont utilisables pour réaliser les étages de sortie ; un exemple
simple en est donné sur le schéma général de la figure 3.16 sur lequel une seule sortie est
représentée. Cet étage de sortie est un push-pull complémentaire
Donnons ci-dessous, à titre indicatif, quelques-unes des principales caractéristiques que
pourrait avoir un amplificateur réalisé selon le schéma de la figure 2.16. Il est évident que ces
caractéristiques dépendent, dans une grande mesure du choix des transistors et des valeurs
adoptées pour les différentes résistances.
Alimentation : +V cc =12V
− V EE=−12 V
Gain en tension : A v ≥ 72dB
Impédance d’entrée : Zi ≥ 1 MΩ
Impédance de sortie : Z s ≤ 200 Ω
Faux zéro : D . I .V . O≤ 20 mV
Bande passante à 3dB : B ≥1 OOkHz
Tension de sortie :V s ≤ ±7 V sur Z u=10 KΩ
Ve1
−V EE
+
+
+
S ++
S
-
- --
A. REGIME LINEAIRE
Le régime de fonctionnement est linéaire quand la tension de sortie est directement proportionnelle à
la tension d’entrée (Ve = Vd)
V S= A . V e
−¿ ¿
+¿−Ve ¿
V S = Ad . V d ∨V d =Ve
V s =A d ¿
Fiston MALUDI Ingénieur En génie électrique : Electronique Appliquée Page 78
Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017
Ad : gain differentielle
V d :tension differentielle (de difference)
Les amplificateurs opérationnels fonctionnent en comparateur, lorsqu’ils sont montés comme des
amplificateurs à boucle ouverte (pas d’élément de réaction) ils fonctionnent en régime non linéaire
Exemple d’un Montage comparateur simple
V +
+
S
-
-
En comparaison
−¿> 0 ,V s =¿ ¿
0V
Si V d =Ve +¿−Ve ¿
+V sat =+V cc ¿
−¿< 0 , V s =−V sat=−V cc ¿¿
+¿−Ve ¿
V d =Ve
2 KΩ
Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017
On demande
1°) d’exprimer Ve−¿¿ en fonction de R1 et R2
2°) calculer la valeur de V s
RESOLUTION
1° Ve−¿¿ Théorème de millman
V2 Vm V2
+ +0
R1 R2 R1
−¿= = ¿
1 1 R 2+ R 1
+
R1 R 2 R1 .R 2
Ve
R2
−¿=V 2 . ¿
R1 +R2
Ve
THEOREME DE SUPERPOSITION
R2 R1
−¿=V 2 . +V m . ¿
R1 +R2 R1 +R2
Ve
Or V m =0
R2
D’où Ve−¿=V 2
.
R1 +R2
¿
2°) V s =? V d =?
+ ¿=6V ¿
−¿∨Ve ¿
+¿−Ve ¿
V d =Ve
R2 3 6 3
−¿=V 2 . =3. = = =1,5 V ¿
R1 +R2 2 +2 4 2
Ve
V S =+V cc =+ 12V
+ 6V
Fiston MALUDI Ingénieur + 10V
En génie électrique : Electronique Appliquée Page 80
6 + 4 +
2 - 10 -
Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017
+ 5V + 15V
-4 + -0 +
-1 - 4 -
- 5V 0V
COMPARATEUR A FENETRE
Un comparateur à fenêtre est constitué par deux ampli OP dont l’entrée et du premier et reliée à
l’entrée e−¿¿ du second
-
Si e 1> V ref , S1=V sat =+V cc =1
e 1< V ref , S1=−V sat =−V cc =0
e 2 >V ref , S2 =−V sat =−V cc =0
e 2 <V ref , S2 =+ V sat =+V cc =1
R
6V +
R A
-
R
2V +
R
Fiston MALUDI Ingénieur En génie électrique- : ElectroniqueBAppliquée Page 81
R
10V +
R
-
Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017
−¿=1 V ¿
V d =3−1=2 ,V d >0
A=1
−¿=5 V ¿
V d =1−5=−4 V ,V d <0
B=0
−¿=3 V ¿
V d =5−3=2 V ,V d >0
C=1
Rep/ A=1, B=0 ,C=1
Dans ce cas les amplificateurs opérationnels seront montés en boucle fermé. Notons que
tous les systèmes bouclés peuvent se faire :
Soit par réaction positive
Soit par la réaction négative
Note : pour un fonctionnement linéaire, K bouclage doit se faire impérativement sur l’entrée inverseur
(-) de l’ampli OP
Posons
Vd ≅0¿
−¿ ¿
+¿−Ve ¿
¿ V d =Ve
−¿ ¿
0=Ve+¿−Ve ¿
+ ¿=V e ¿
V s =Ve+¿∨Ve ¿
V s =V e
Vs Vs
G= = =1
Ve V s
EX : proposer un schéma de montage utilisant un étage suiveur de tension permettant d’obtenir une
tension de +4,5 V à partir d’alimentation unique de +9V
9V
R
+ = 4,5V
R
-
+
-
R1 -
+
R2
+ ¿=0¿
−¿∨Ve ¿
V d =Ve+¿−Ve ¿
−¿¿
V d =−Ve
R1
R2 −¿=V .
R +R
s
¿
−¿=V e . +Ve ¿1 2
R1 +R2
Ve
R2 R1
V d =−(V ¿ ¿ e . +V s . )¿
R 1+ R 2 R1 + R2
+ ¿=0 ¿
R2 R1
0=−(V ¿ ¿ e . +V s . )¿
R1 + R 2 R1 + R2
R2 R1
0=−(V ¿ ¿ e . −V s . )¿
R1 + R 2 R 1+ R 2
R1 R2
Vs. =−V e .
R1 + R2 R1 + R2
V s . R1=−V e . R 2
−R 2
V s= .V e
R1
Exemple
Soit le circuit ci-dessous déterminer la tension V s
6V -+
+-
0V
A.N
−R 2
V s= .V e
R1
−10
V s= .6
5
V s =−2 X 6V
V s =−12V
- -
+ +
−¿ ¿
+ ¿= Ve ¿
+¿−Ve−¿∨Ve ¿
¿
V d =Ve
0 Vs
+
R1 R2
−¿= ¿
1 1
+
R1 R2
Ve
(V s=
R1 + R2
R1
Ve )
( )
V s = 1+
R2
R1
V e ad =Av=1+
R2
R1
Exemple : proposer un amplificateur de tension non inverseur de telle sorte que R2 soit 4 fois celle de
R1 avec R1=5 KΩ et déterminer le gain du montage et de tension V s lorsque V e est de 2V
RESOLUTION
Schéma de montage
R2 45
AV =1+ =1+
R1 5
EXERCICES
A. Soit le circuit de figure ci-dessous ou l’A. OP est parfait, polariser entre ± 10V et fonctionne en
régime non linéaire
+
6V
3V
+
T t
-
-6V
-
Fig. b
Fig. a
+ 15V
33 KΩ
+ 15V
+
4,7 KΩ
-
- 15V
+ + 15V
-
- 15V
33 KΩ
2R
R A R
+ S
B
-
R R
R
1 2
RESOLUTION
+
6V
3V
+
T t
-
-6V
-
Fig. b
Fig. a
1°) V −¿ ¿ en fonction de E1 , E2
R1 R2
−¿= E2 . −E 1. ¿
R 1 + R2 R1 +R 2 Théorème de superposition
Ve
6V
=3V
-6V
10V
-10V
Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017
V
Or −¿=E 1
R1
R 1+ R 2
− E1
R2
R 1+ R 2
¿
Or E2= E1=E=10V
V R1 R2
−¿=E 1 − E1 ¿
R 1+ R 2 R 1+ R 2
V
−¿=E
( R1−R2
R1 +R 2
¿
)
Calcul de α
V
−¿=E
( R1−R2
R1 +R 2 )
(1)¿
Or R1=αR( 2)
R1 + R2=R (3)
De (3) R2=R−R1
R2=R−αR ( 4)
(2), (3) et (4) → (1)
V
−¿=E
[ αR−(R−αR )
R
¿
]
V
−¿=E ( αR−RR+ αR )¿
V
−¿=E ( 2 αR−R
R )
¿
V
−¿=E R
[( 2 α−R
R
¿ )]
V −¿=E .(2 α −1)¿
On remplace
3 = 10(2 α −1)
3
=2 α −1
10
3
+1=2 α
10
+ 15V
+ 15V
+
-
- 15V
+ + 15V
-
- 15V
Calculons d’abord
- 15VE1 E1
+
R R1 + R2
V +1= 1
1 1
+
R 1 R1 + R2
E1 E1
+
R 1 R1 + R2
V +1=
R1 + R 2 + R2
R 1(R 1+ R 2)
E1 E1
+
R 1 R1 + R2
V +1=
2 R 1+ R 2
R 1(R 1+ R 2)
V +1= ( E1
+
E1
R1 R1 + R2
.)R1 ( R1 + R2 )
2 R1 + R 2
E1 R 1 (R1 + R2) E2 R (R + R )
V +1= . + . 1 1 2
R1 2 R1 + R 2 R 1+ R 2 2 R 1 + R2
V +1=15
( R1 + R2
−
R1
2 R1 + R2 2 R1 + R2 )
V +1=15 ( R 1+ R 2−R1
2 R 1 + R2 )
R2
V +1=15.
2 R1 + R 2
4,7 70,5
V +1=15. = =0,999≃ 1 V
66+4,7 70,7
E2 E1
+
R R 1+ R 2
V −2= 1
1 1
+
R1 R1 + R2
E2 E1
+
R R 1+ R 2
V −2= 1
R1+ R2+ R2
R1 (R1 + R2 )
E 2 R1 ( R1 + R2 ) E1 R (R +R )
V −2= . + . 1 1 2
R 1 2 R1 + R 2 R 1 + R2 2 R 1+ R 2
R 1 + R2 R1
V −2=E2 + E1.
2 R 1 + R2 2 R1 + R2
On a défini deux seuils V+1 et V-2 qui délimitent les plages de fonctionnement du comparateur :
V +1=1 V
V −2=−1 V
Pour V e >V +1 , S1 =−15V
V e >V −2 , S 2=15 V
R0 R −15 15
V S =−15. + 15. 0 = + =0 V
2 R0 2 R0 2 2
R0 R 0 15 15
V S =15. +15. = + =15 V
2 R0 2 R0 2 2
Pour V e <V +1 ,Vs 1=15V
V e <V −2 , Vs2=−15 V
R0 R 0 15 15
V S =15. +15. = − =0 V
2 R0 2 R0 2 2
10V
1V
-1V
-10V
15V
15V
I
Rom = ?
15
I=
Ro
15
⟶ >1 m A
Ro
15. 103> Ro
15 K Ω> Ro → Rom< 15 K Ω
II.
2R
R A R
- S
B
+
R R
R
1 2
2R
R
- S
+
R R
R
M
−¿¿
M
V d =Ve+¿−Ve ¿
2R R
−¿=0. +V s ¿
3R 3R
¿ Ve
R
−¿=V s ¿
3R
Ve
R 2R
+¿=V e . +0. ¿
3R 3R
et Ve
R
Ve+ ¿=V ¿.
e
3R
R R
V d =V e . −V s ∨V d =0
3R 3R
+ ¿=0 ¿
−¿=0 ,Ie ¿
car Ie
1 1
0=V e . −V s .
3 3
1 1
V e . =V s .
3 3
V s =V e , V s =V e > 0
2R
R R
- S
+
R
R
−¿¿
V d =Ve+¿−Ve ¿
R R
+ ¿=0. +0. =0 ¿
2R 2R
¿ Ve
2R 2R
−¿=V e . +V s . ¿
4R 4R
Ve
Ve Vs
−¿= + ∨V d=0 ¿
2R 2R
Ve
0=−(
2 R 2 R)
V V e s
+
−V e V s
0= −
2 R 2R
Ve V s
=
2R 2R
V s =−V e ∨V e <0
- Vs
R +
Déterminons V s =?
+¿=0→ V =0 ¿
d
−¿ =Ie ¿
+¿−Ve−¿∨Ie ¿
¿
V d =Ve
−¿ ¿
0=Ve+¿−Ve ¿
+ ¿=0 ¿
¿ Ve
V s V 1 V2
+ +
R R1 R 2
−¿= ¿
1 1 1
+ +
R R1 R 2
Ve
Vs V1 V 2
+ +
R R 1 R2
−¿= ¿
R 1 + R 2+ R . R 2 + R . R 1
R .R 1. R 2
Ve
Ve
−¿=
( Vs V1 V2
+ +
R R1 R 2 )( R 1 +R 2+ R . R2+ R . R1
R . R1 . R 2
¿
)
V s . R1 . R 2 V 1 . R . R2 V 2. R . R1
0= + +
R 1 . R 2 + R 1 . R 2 + R . R 1 R 1 . R 2 + R . R 2 + R . R 1 R 1 . R 2+ R . R 2 + R . R 1
0=0−
( V s . R 1 . R2 +V 1 . R . R 2+V 2 . R . R1
R 1 . R2 + R1 . R2 + R . R 1 )
0=− ( V s . R1 . R2 +V 1 . R . R2 +V 2 . R . R1
R 1 . R 2 + R 1 . R 2+ R . R 1 )
0. ( R1 . R2 + R1 . R 2+ R . R1 ) =−( V s . R 1 . R2 +V 1 . R . R2+ V 2 . R . R 1)
V s . R1 . R2=−( V 1 . R . R 2+V 2 . R . R1 )
V s =− V 1 ( R
R1
+V 2
R
R2 )
V s =−R ( V1 V2
+
R1 R2 )
NB : pour n entrées on aura
V s =−R
( V1 V2 V3 Vn
+ + +
R1 R2 R3 Rn )
Si R1=R 2=R3=R n
V s =−R
( V1 V2 V3 Vn
+ + +
R1 R2 R3 Rn )
V s =−( V 1 +V 2 +V 3 +… V n )
¿ V s =−R
( V1 V2 V3
+ +
R1 R 2 R 3 )
Avec R=100 KΩ , R 1=R2=R 3=10 KΩ
V s =−120
R4
R3 - Vs
R1 +
R2
R1
R2 + Vs
R4
-
R3
DETERMINONS V S
−¿ ¿
¿ V d =Ve+¿−Ve ¿
V d =0 car Ie−¿= Ie + ¿=0¿ ¿
R2 R1
Ve
+ ¿=V 1 .
R 1+ R 2
+V2.
R 1 + R2
¿
d’après le Théorème de superposition
R4 R3
Ve
−¿=0.
R3 + R 4
+V s .
R 3+ R 4
¿
d’après le Théorème de superposition
On aura
R3 R2 R1
Vs. =V 1 . +V 2 .
R3 + R 4 R1 + R 2 R1 + R2
V s=
R 3+ R 4
R3 (
V 1.
R2
R 1+ R 2
+V 2 .
R1
R1 + R 2 )
R1=R 2=R3=R 4=R
V s=
R+ R
R (
V 1.
R
R+ R
+V 2 .
R
R+ R )
V s=
2R
R
V1. (R
2R
+V 2 .
R
2R )
V s =2. ( V1 V 2
2
+.
2 )
V s =2. ( V 1+V 2
2 )
V s =V 1+ V 2
10 KΩ
6V
++
10 KΩ
2V
--
50 KΩ 100 KΩ
RESOLUTION
V s=
R 3+ R 4
R3
V1
(R2
R1 + R2
+V 2
R1
R 1+ R 2 )
R1=10 KΩ , R 2=10 KΩ, R3=50 KΩ , R 4=100 KΩ
V 1=6 V , V 2=2 V
V s=
50+100
50
6.
10
10+10 (
+ 2.
10
10+10 )
V s=
150
50
10
6. +2.
20 (10
20 )
V s =3 ( 3+1 )
V s =3.4
V s =12V
1.3.2 SOUSTRACTEUR
R4
R1
- Vs
R2 +
R3
Déterminons V s
−¿ ¿
¿ V d =Ve+¿−Ve ¿
V d =0
R2 R3 R3
+ ¿=0 +V . =V 2. ¿
R 2+R 3 2 R2 +R3 R2 +R 3
Ve
R4 R1
−¿=V 1 . +V s . ¿
R1 +R 4 R1+ R4
Ve
On aura
0=V 2 .
R3
R 2+ R 3
− V1.
(
R4
R1 + R 4
+V s .
R1
R 1+ R 4 )
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Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017
R3 R4 R1
0=V 2 . −V 1 . −V s .
R 2+ R 3 R 1+ R 4 R1 + R 4
R1 R3 R4
Vs. =V 2 . −V 1 .
R1 + R 4 R2 + R 3 R 1+ R 4
V s=
R 1+ R 4
R1 (
V 2.
R3
R 2+ R 3
−V 1 .
R4
R 1+ R 4 )
SI R1=R 2=R3=R 4=R
V s=
2R
R
V2. (R
2R
−V 1 .
R
2R )
V s =2 ( V2 V1
2
−
2 )
V s =2 ( V 2−V 1
2 )
V s =V 2−V 1
R1
- Vs
R2
+
R3
RESOLUTION
V s=
R 1+ R 4
R1 (
V 2.
R3
R 2+ R 3
−V 1 .
R4
R 1+ R 4 )
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Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017
¿ R1=R 1 , R4 =R2 , R2 =R 1 , R 3=R2 ' '
'
¿ R2=3 R1 , R 2 =3 R 1 '
( )
R 1+3 R1 R2 R2 '
V s= V2 −V 1
R1 R1 + R 2 R1 + R2 ' '
( )
R 1+3 R1 3 R1 3 R1 '
V s= V2. −V 1
R1 R1 +3 R1 R1 +3 R 1
' '
V s =R1 .
( 1+ 3 )
R1 [V2.
3 R1
R1 + 3 R 1
−V 1
3 R1
R1 +3 R1
'
'
' ]
3
[
V s =4 V 2 . −V 2
4
3
4 ]
V s =4
[ 3
( V −V 1 )
4 2 ]
12
V s=
4
( V 2−V 1 )
V s =3(6−3)
V s =9 V
1. RESEAUX DIFFERENTIATATEUR ET INTEGRATEUR
1.4.1 Différentiateur (dérivateur)
R
C Vs= ?
-
Déterminons V s
Considérons le nœud ie−¿ ¿
ie−¿=i +i ¿
e s
¿ ie−¿=0 ¿
i e =i c =?
¿ Q=i . t et Q=C . U
C .U
C . U =i. t →i=
t
❑dve
ie=ic=C
dt
Vs
is=
R
d ve V s
0=C +
dt R
−V s d ve
=C
R dt
Vs d
=−C ve
R dt
d ve
V s =−RC
dt
NB : la tension de sortie est donc proportionnelle à la dérivée de la tension d’entrée, le coefficient de
proportionnalité est −RC
Exemple : soit le circuit ci-dessous
R
C Vs= ?
-
+
Fiston MALUDI Ingénieur En génie électrique : Electronique Appliquée Page 101
Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017
d ve
Calculer V s =−RC
dt
d (3 t)
¿−10.103 . 10−6
dt
d (3t )
¿−104 . 10−6
dt
dt
¿−10−2 .3
dt
−2
V s =−10 .3
V s =−0,03 V
1.4.2 INTEGRATEUR
C
R Vs= ?
-
Déterminons V s
Considérons le nœud ie−¿ ¿
ie−¿ ¿=i e +i s∨ie−¿=0 ¿
Ve d vs
ie= et i s=C
R dt
On aura
Ve d vs
0= +C
R dt
d vs V e
C =
dt R
d vs V e
=
dt R
−1
∫ d vs=∫ RC V e dt
−1
RC ∫ e
Vs= V dt
-+
+-
On donne
V e =5 V
R=150 KΩ
C=1000 µF
Résolution
−1
Vs=
RC
∫ V e dt
−1 −1 5
−3 ∫ e
.5∫ dt =¿−
150 ∫
Vs= V dt= dt ¿
4
15. 10 . 10 150
−1
Vs= t
30
−−t
Vs= ⟶ Vs=−0,033 t( V )
30
- Vs
+ +
- R2
R1
B. Fonctionnement
A la mise sous tension, on peut considérer que le condensateur C est complètement décharge (
V
Uc=0). En effet Uc=0, +¿=
R1
V =a V s ¿¿
R1 + R 2 s
=). Supposons que V s est positif, alors l’écart entre
V +¿ et V ¿ fait de telle sorte que la sortie est en saturation positive, ( V s =+V sat =+ V cc ¿ , car
−¿¿
V −¿=V <V
c ¿ . Le condensateur se charge à travers R sous tensionV sat , Uc tend vers la tensionV sat ,
+¿=a sat¿
jusqu’à ce que la tension à ses bornes atteigne et dépasse le seuil a V sat du basculement. A cet
instant la sortie passe en saturation négative, (V s =−V sat =−V cc ¿.
V
V =−a V ¿Et C se décharge par R vers la tension −V cc
−R 1
+¿= cc cc
R1+ R2
d. calcule de la période
¿ T =t d +t c
Rappel
−t
τ
Uc=U ∞−( U ∞−Uo ) e , t=?
−t
τ
Uc−U ∞=−( U ∞−Uo ) e
X (−1 ) X (−1)
−t
Uc−U ∞=( U ∞−Uo ) e τ
−t
U ∞−Uc
eτ=
U ∞−Uo
−t
τ U ∞−Uc
ln e =ln( )
U ∞−Uo
−t U ∞−Uc
ln e=ln ( )
τ U ∞−Uo
−t U ∞−Uc
=ln( )
τ U ∞−Uo
t U ∞−Uc −1
=ln ( )
τ U ∞−Uo
t U ∞−Uc U ∞−Uc
=ln → t=τ ln
τ U ∞−Uo U ∞−Uo
Pour t d
t=t d
τ =τd=RC
U ∞=−V cc
Uo=aV cc
Uo=−aV cc
−V cc−a V cc
Alors td =RC ln
−V cc −(−a V cc )
−V cc −aV cc
¿ RC ln ¿
−V cc+ a V cc ¿
−V c c (1+a)
¿ RC ln
−V cc (1−a)
1+a
=?
1−a
R1
¿ a=
R 1+ R 2
R1 R 1 + R2 + R1
1+
R 1 + R2 R 1+ R 2
→ =
R1 R1 + R2−R1
1−
R1 + R2 R 1+ R 2
1+a 2 R1+ R 2
=
1−a R2
2 R1 R 2 2 R1 2 R1
¿ + + + 1=1+
R 2 R 2 R2 R2
alors td=RC ln 1+
( 2 R1
R2 )
Pour tc
t=t c
τ =τc=RC
U ∞=+V cc
Uo=−aV cc
Uc=a V cc
V cc −(−aV cc)
Alors tc=RC ln ¿
V cc −a V cc ¿
V cc + aV cc
¿ RC ln ¿
V cc −a V cc ¿
V cc (1+a)
¿ RC ln
V cc (1−a)
1+ a
¿ RC ln
1−a
¿ tc=td
(
d ' ou tc=RC ln 1+
2 R1
R2 ) Période d’un astable à A.OP
- Vs
+
C
R2=82KΩ
R1=18KΩ
L’alimentation du montage est telle que V sat =+10V ,−V sat =−10 V
1°) déterminer par les calculs les seuils de basculements
2°) fixer R=1 KΩ? Pour C=0,01 µF calculer la période du signal à la sortie
RESOLUTION
1°) si ¿ a V cc si=−a V cc
R1 18 18
¿ a= = = =0,18
R 1+ R 2 18+82 100
S 1=0,18.10=1,8 V
S 2=−0,18.10=−1,8 V
(
2°) T =2 RC ln 1+
2 R1
R2 )
( )
3
3 −7 2.18 . 10
T =2. 10 .10 ln 1+ 3
82. 10
−4
T =2. 10 . ln 1+ ( 36. 103
82. 103 )
−4
¿ 2. 10 . ln 1+ ( 3682 )
. ln (
82 )
−4 82+36
¿ 2. 10
¿ 2. 10−4 . ln ( 118
82 )
−4
¿ 2. 10 . ln 1,4
−4
¿ 2. 10 .0,3
−4 −1
¿ 2.3 . 10 . 10
R1
+Vcc
E - Vs
R2 +
-Vcc
- +
R3
b. FONCTIONNEMENT
Pour un fonctionnement en monostable, il faut que R2 soit inferieure ( R2 > R1 ) de sorte que
V −¿=f (R , R )¿ . Soit inferieure à V +¿¿ de la mise sous tension du montage, ceci donne alors a la sortie
1 2
C. Calcule de période
Uo=+V cc
U ∞=−V cc
−V cc −V cc
T =R3 C2 . ln
R1
−V cc +V cc
R1+ R 2
−2V cc
T =R3 C2 . ln
R1
−V cc (1− )
R 1+ R 2
2
T =R3 C2 . ln
R1
1−
R1 + R 2
2
T =R3 C2 . ln
R2 + R1−R 1
1−
R1 + R2
2(R 2+ R 1)
T =R3 C2 . ln
R2
2 R 1 2 R1
T =R3 C2 . ln( + )
R2 R2
2 R1
T =R3 C 2 . ln (2+ )
R2
Exemple
Proposer un circuit tempo à ampli opérationnel, et déterminer la valeur à donner à la résistance de la
R1
charge du condensateur C=470 µF R2= pour une temporisation de 5 secondes
5
Schéma
R1
+Vcc
E - Vs
R2 +
-Vcc
- +
R3
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Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017
Calcul de R3
2 R1
T =R3 C 2 . ln (2+ )
R2
−6 2 R1
5=R 3 .470 . 10 . ln (2+ )
R1
5
5
5=R 3 .47 . 10−5 . ln (2+2 R1 )
R1
−5
5=R 3 .47 . 10 . ln 12∨ln 12=2,48
−5
5=R 3 .47 . 10 . 2,48
−7
5=R 3 .47 . 2,48.10
−7
5=R 3 .11656 . 10
−7
5 5.10
R3= = =42,89.10 2
11656. 10−7
11656
C +Vcc
- Vs
R1 +
-Vcc
R3
R2
FONCTIONNEMENT
V
On suppose que V s =+Vcc (saturation positive) des la mise sous tension, alors +¿=V cc .
R2
R2 +R3
¿ , on
remarque que V +¿>V ¿ , le montage sera toujours à +Vcc à la sortie tant il ya aucune impulsion
−¿¿
R2
R1
V R1
+¿=Vs ¿
R 1 + R2
siV s=V cc , V R1
+¿=Vcc =aVcc ¿
R1 +R2
siVs=−Vcc , V R1
+¿=−Vcc =−a V cc ¿
R 1+ R 2
B. Hystérésis
L’hyterisis représente l’écart entre 2 seuils. Pour une bascule de schmitt, le basculement d’état de la
sortie se produit :
Pour une valeur donnée l’orsque la tension d’entrée augmente
Pour une autre valeur souvent opposé l’orsque la tension d’entrée diminue
La figure ci-dessous représente son hysteresis
C. Fonctionnement
En supposant la sortie est en saturation positive (V S=V sat =Vcc) , cet état est stable tant que V e est
R1
inferieurV +¿¿ , soit V e <Vcc ( aVcc)
R 1+ R 2
La tension d’entrée augmente, si V e atteint et dépasseV +¿(aVcc )¿, la sortie passe en saturation négative
(V S =V sat =Vcc ¿. On peut continuer à augmenter V e , mais c’est état reste stable tant que V −¿ ¿
restera supérieur àV +¿¿ . Pour retrouverV S =+Vcc , il faut que V e franchisse un niveau inferieur à
V +¿(−aVcc )¿, c.à.d. V e dimunie et devient inferieur à V +¿¿ , il ya basculement et V s revient à V cc
(V-)
Fiston MALUDI Ingénieur
Vcc En génie électrique : Electronique Appliquée Page 114
-Vcc
Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017
Vcc
-Vcc
Exemple
Représente la forme du signal du montage ci-dessous, l’orsqu’on applique à son entrée une tension
sinusoïdale d’amplitude de 8 V
+10V
Ve - Vs
Fiston MALUDI Ingénieur En génie électrique : Electronique Appliquée Page 115
+
-10V
R2
Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017
RESOLUTION
Seuils de basculement
R .10 10 R
si SH=aVcc= = =5 V
R+ R 2 R
−R −10 R
SB=aVcc= .10= =5 V
R+ R 2R
10V
-10V
On réalise les filtres actifs avec réseaux R C placés dans la boucle de contre réaction (réaction
négative) de l’ampli opérationnel, ils présent l’intérêt du pouvoir permettre des filtrages à des très
basse fréquences plus faciles qu’avec des filtres passifs. On utilise un amplificateur opérationnel
monté en inverseur pour réaliser un filtre actif
Z2
Fiston MALUDI Ingénieur En génieZ1
électrique : Electronique Appliquée Page 116
Ve - Vs
+
Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017
Z2. I 2 −Z 2 . I 2
alors T = =
Z 1 .(−I 2) Z 1 . I 2
−Z 2
T=
Z1
Notons qu’il existe des filtres actif du 1 ordre (à 3 dB ) et les filtres du 2e ordre (à 12 dB )
ier
C
Ve Z1 - Vs
¿ Z1 =R 1
Z2 =R2 /¿ C
1 1 1
= +
Z 2 R 2 Xc
1 1 1
= +
Z2 R2 1
jcω
1 1 −Z 2
= + jcω∨T = division≤N te D par Z 2
Z2 R2 Z1
−1 1
T= =
Z2 1
Z1.
Z1 Z2
1 1
avec = + jcωet Z 1=R1
Z2 Z2
−1
T=
1
R 1 ( + jcω)
R2
−1
T=
R1
(1+ j R2 cω)
R2
1 1
ou encore ωo= → R 2 c=
R2 c ωo
−R2 1
AlorsT = .
R1 jω
(1+ )
ωo
−R2 1
en module T =
R1 √ 1+ ¿ ¿ ¿
R =10 KΩ
C
Ve R - Vs C = 10ƞF
RESOLUTION
3
−10.10 1
T= 3
. −2
10.10 15. 10
1+ j( −2
)
59. 10
1
¿
15
1+( )
19
−1
T=
1+ j 0,094
−1
T=
1+ j 0,094
−R2 1
2.b T =
R1 √ 1+¿ ¿ ¿
1
T=
√1+¿ ¿ ¿
1
¿− T =−1
1
B. Filtre passe haut
B.1 montage R2
C
Ve R1 - Vs
B3. Transmittance (T ¿
−Z 2
¿T= ( jω ) (1)
Z1
avec Z 1=R 1 en serie C=R1 + Xc
1
Z1 =R 1+ (2)
jcω
Z2 =R2 ( 2 ) et ( 3 ) dans(1)
−R 2 −R 2
T= →T=
1 1 R1 cω+1
R 1+
jcω jcω
−R 2 jcω
T=
1 R1 cω+ 1
−R 2
T=
1
R 1+
jcω
Division le numérateur et le dénominateur par R1
R2 R2
− −
R1 R1
T= →T=
R1 1 1
+ 1+
R1 j R1 cω j R1 cω
−R2 1
T=
R1 1
1+
j R1 cω
1 1
¿ ωo= → R1 c=
R1 c ωo
−R2 1
T= .
R1 1
1+
jω
ωo
C
Ve R1 - Vs
R3
RESOLUTION
1
R1=?∨fo=
2 π R1 c
4 3 1
1 1 1 10 10 .10
R1= = = = =
4
10 .6,28 . 10−6
6,28.10−2
628. 10−4
628 628
1
R1=1,59. 10 =15,9 Ω
C. Filtre passe bande
C.1 Montage
Ve R -
Vs
C
+
1
2 π f 1=
R1c1
R2
1+ R2 c 2 ω
T=
j R1 c 1 ω+1
R1( )
j R1 c1 ω
−R2 j R1 c 1 ω
T= .
1+ R 2 c 2 ω R1 ( j R1 c 1 ω)
−R2 j R 1c1 ω
T= .
R1 ( 1+ R 2 c 2 ω ) (1+ j R 1 c 1 ω)
1 1
avec ω1 = → R 1 c 1= .ω
R1 c 1 ω1
1 1
ω 2= → R2 c2 =
R2 c2 ω2
ω
j
−R2 ω1
T= .
( )
R1 ω ω
1+ j (1+ j )
ω2 ω2
f
j
−R2 f1
T= .
( )
R1 f f
1+ j (1+ j )
f2 f2
C
Exemple : calculez la bande passante du filtre ci-dessous
On donne
R1=10 KΩ ,C 1=1 µf
R2=1 KΩ ,C 2=100 µf
B p=?∨B p =f 1=f 2
1 1
f 2= et f 1=
2 π R2 C 2 2 π R1 C 1
A.N
1 1 106 3
f 2= = = =1,59. 10 =1590 Hz
3
6,28.10 . 10 −7
628.10 −6
6,28
4
1 1 10 3
f 1= = = =1,59.10 =15,9 Hz=16 Hz
3
6,28.10 .10
−7
628.10
−4
6,28
B p=1590−16=1574 Hz
D. Filtre coupe bande (a rejecteur)
Eliminateur de bande
D.1 Montage :
la réalisation d’un filtre coupe de bande du 1ier ordre est très complexe. Mais il peut être obtenu par
oscillation des différentes types de filtres l’exemple ci-dessous montre qu’on peut réaliser le type de
filtre a partir d’un filtre passe bande
invers
C2
R4
R2
R1 C1
Ve -
R3 -
+ Vs
+
D3. TRANSMITTANCE
Pour simplifier les calculs, prenons le cas à toutes les résistances sont identiques
R1=R 2=R3=R 4=R5 =R
Avec C 1=C2 =C
'
− jRcω VS
T= ∨T =
(1+ JRcω) Ve
jRcω
V S =IF . P B V e=V e
¿¿
VS
Ve '
V S =−R( ) +
R R
V S =−V S +V e
'
−V e jRcω
V S= ¿¿
V S =−V e ¿
V S =−V e ¿
−V S −( jRcω+1 )
T= =
Ve ¿¿
2C 2R
+
R R
Ve
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1
F=
1−2 ¿ ¿
1
|T |=
√ 1+¿ ¿ ¿
Vs
Ve
1
T=
1
1− ¿
2¿ ¿
1
|T |=
√ 1+¿ ¿ ¿
+
Ve Vs
1
T=
[
1+ j R1 cω−
1 R1 + R2
(
2 cω R1 . R2
)
]
D. FILTRE COUPE BANDE (Filtre réjecteur)
ωo=
1
.
√R1 + R2
CR 1 R 1 . R2
D.1 Montage
C C
2R
-
2C
+
Vs
Ve
1 1
ωo= ∆ ∞=
RC RC
0 dB
3 dB
A=1
PARTIE 2
MONTAGE A REGIME LINEAIRE DEPENDANTS DE LA FREQUENCE
SIMULATEURS D’IMPEDANCE
CORRECTEURS
FILTRES ACTIFS
SIMULATEURS DE CAPACITE
R2
C R1
i
Ve -
+
Vs
A retenir :
l’impédance totale du montage est telle que la capacité vue est égale à la capacité réelle C
multipliée par un gain
On parle d’effet Miller
SIMULATEUR DE CAPACITE
I’
C
R2
- R1
i
+
-
V1
Ve
+
Vs
R1 non représentée
AOP suppose idéal, alimentation
C eq=C (1+ )
R2
A retenir :
L’impédance totale du montage est telle que la capacité totale vue est égale à la capacité
réelle C multipliée par un gain
SIMULATEUR D’INDUCTANCE
R2
C
i R1
Ve -
+
Vs
Ve
R1
C -
Ve
- +
I’
R2
+
V2
R3
Ve
I’’
R4
R 1 R2 R 4 C
Leq =
R3
A retenir :
Ce montage simule l’effet d’une self en régime alternatif
CORECTEUR P.I
C
R
R2
R
- R1
-
Ve +
+
V Vs
CORRECTEUR PD
C
R
-
Ve V +
R1 R Vs
R1
1+ RCp
C( p) =
R R1
1+ Cp
R+ R1
A retenir :
Gain A=1
Constante de temps numérateur : τ d=RC
R R1
Constante de temps dénominateur : τ =
R+ R 1
R2
C1 R4
C2 C3
C4
R1
- R3
-
Fiston +
MALUDI Ingénieur En génie électrique : Electronique Appliquée Page 131
Ve
+
V
Vs
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( 1+ τ c1 p ) ( 1+τ c 2 p )
C ( p ) =A
( 1+τ d 1 p )( 1+ τ d 2 p )
A retenir :
R2 R4
Gain A=
R 1 R3
Il faut que : C ( p ) =R2 C 2 ≪ R1 C 1 < R3 C 3 ≪ R 4 C 4
R1
- R2
-
+
Ve
+
V
Vs
R2
R1
-
Ve +
Vs
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AOP suppose idéal, alimentation non représentée
R2 1
H ( jω )=
R 1+ j R2 Cω
R2
Gain : A=
R
1
Fréquence de coupure : f c = 2 π R C
2
R
-
Ve C R1 Vs
R2
R1 1
H ( jω )=(1+ )
R 2 1+ jRCω
R1
Gain : A=(1+ )
R2
1
Fréquence de coupure : f c =
2 πRC
Attention, la BP de l’AOP est limitée en pratique
CORRECTEUR PD
C
R
-
+
V
Ve
Fiston MALUDI Ingénieur En génie électrique : Electronique Appliquée Page 133
R1 R Vs
R1
AOP suppose idéal, alimentation non représentée
Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017
1+ RCp
C ( p) =
R R1
1+ Cp
R+ R 1
A retenir :
Gain : A=1
Constante de temps numérateur : τ d=RC
R2
R C
-
+
Ve Vs
− j R Cω
2
AOP suppose
H ( jωidéal,
)= alimentation non représentée
1+ jRCω
Gain : A=−1
1
Fréquence de coupure si R=R 2 : f c =
2 πRC
Attention, la BP de l’AOP est limitée en pratique
Ve R R1 Vs
R2
R V- R
Ve -
R V+
+
Vs
C
1− jRCω
H ( jω )=
1+ jRCω
A retenir :
Module : |H ( jω)|=1 ∀ ω
Déphasage : φ ( jω )=−2 arctan (RCω)
R C
-
+
Ve
Vs
− jRCω
H ( jω )=
¿¿
STRUCTURE DE RAUCH
Y4 Y5
Y1 Y3
-
Ve Y2 Vs
VS Y 1Y 2
=
V e Y 3 Y 4 +Y 5 (Y 1 +Y 2 +Y 3 +Y 4 )
R3 C2
R1 R2
-
Ve C1 Vs
−1
H ( jω )=
1+3 jR C2 ω+¿ ¿
Gain : A=−1
1
Fréquence de coupure : f c =
2 πR √ C 1 C 2
Coefficient d’amortissement : m=
3 C2
2 C1√
CELLULE DE RAUCH PASSE HAUT
C3 R2
C1 C2
-
Ve R1 Vs
H ( jω )=¿ ¿
Gain : A=−1
1
Fréquence de coupure : f c =
2 πC √ R1 R 2
Coefficient d’amortissement : m=
√
3 C2
2 C1
C3 R2
C1 C2
-
Ve R1 Vs
Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017
H ( jω )=¿ ¿
Gain : A=−1
1
Fréquence de coupure : f c =
2 πC √ R1 R 2
Coefficient d’amortissement : m=
√
3 C2
2 C1
C3 R3
C2
R1
-
Ve R2 Vs
R1 R2
2 jω C
R3 R 1 + R2
H ( jω )=
2 R1 R 1 R2
1+2 jω C +¿ ¿
R 1 + R2
−R 3
Gain : A=
2 R1
Coefficient d’amortissement : m=
√ R1 R 2
(R1 + R2 )R3
Y2
Y1 Y3 V2
+
V1
-
Ve Y4
R1 Vs
R2
VAOP
s
suppose idéal, alimentation
Y 1Y 2 non représentée
=K A
Vc ( Y 1 +Y 2 ) ( Y 3 +Y 4 ) +Y 3 (Y 4 −Y 2 K A )
R 1+ R 3
Avec : K A =
R2
A retenir :
Existe également sans les résistances dans la boucle de contre réaction. On a alors :
Y2
Y1 Y3 V2
+
V1
-
Ve Y4 Vs
Vs Y1Y2
=K A
Ve ( Y 1 +Y 2 ) ( Y 3 +Y 4 )+ Y 3 (Y 4 −Y 2)
Y1 Y3 V2
+
V1
-
Ve C Vs
R1
R2
Gain : A=1
1
Fréquence de coupure : fc=
2 π √ R 1 R 2 C1 C2
Coefficient d’amortissement : m=¿ ¿ ¿
R
Fiston MALUDI IngénieurCEn génie électrique
C : Electronique Appliquée Page 140
V2
+
V1
-
Ve R Vs
R1
R2
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H ( jω)=K A ¿ ¿
R 1+ R 2
Gain : K A =
R2
1
Fréquence de coupure : fc=
2 πRC
R1
Coefficient d’amortissement : m=1−
2 R2
Existe également sans les résistances dans la boucle de contre réaction. On alors :
R1
C C
V2
+
V1
-
Ve R2 Vs
Gain : A=1
1
Fréquence de coupure : fc=
2 π √ C 1 C 2 R 1 R2
C 2 ( R1 + R2 )
Coefficient d’amortissement : m=
2 √ C 1 C 2 R 1 R2
R
R C
V1 V2
+
Ve C 2R
R1 Vs
R2
KA ( 3−K A ) jRCω
H ( jω )=
3−K A 1+ ( 3−K A ) jRCω+ ¿ ¿
R 1 + R2
Gain : A=
2 R2 + R1
1
Fréquence de coupure : fc=
2 πRC
R1
Coefficient d’amortissement : m=1−
2 R2
Existe également sans les résistances dans la boucle de contre réaction. On a alors :
R
R C
V1 V2
+
Ve C R2 Vs
1
Gain : A=
3
√
Fréquence de coupure : fc= (1+
R
)
1
R3 2 π (RC )
Coefficient d’amortissement : m=
3
√ R3
2 R + R3