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Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017

CHAPITRE PREMIER

LE TRANSISTOR EN COMMUTATION

I.1. INTRODUCTION

a commutation est le changement rapide d’état de fonctionnement des


composants électroniques. C'est-à-dire, le passage de l’état de fonctionnement
(conduction) à l’état de non fonctionnement (non conduction) et vice-versa.

Un composant fonctionnant en commutation présente deux états (exemple, Interrupteur : état ouvert
et état fermé, Diode : état passant et état bloqué, Transistor : état saturé et état bloqué).

En commutation, la nature des signaux utilisés est Impulsionnelle ; c’est pourquoi nous parlons du
régime Impulsionnel. Ce mode de fonctionnement (commutation) est aussi appelé « Tout ou rien »,
« Numérique » ou « Digital » ou encore « Binaire ».

I.2. LE TRANSISTOR EN COMMUTATION

I.2.1. Définition

n dit qu’un transistor fonctionne en commutation, lorsqu’il n’est en état


d’équilibre durable. C'est-à-dire il passe de l’état bloqué à l’état saturé et de l’état saturé à
l’état bloqué.

Il est utilisé afin d’ouvrir ou fermé un circuit. Ainsi il peut commander une diode électroluminescente
(Diode LED), un relais, un moteur etc.… On assimile généralement le circuit de sortie du transistor à
un interrupteur (non parfait) qui est commandé.

Le montage d’un transistor en commutation peut être décomposé en deux circuits :

 Circuit de commande ou circuit d’entrée ;


 Circuit commuté ou circuit de sortie.

Circuit
B commuté

Circuit de commande
E

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I.2.2. Divers modes de fonctionnement du transistor

On distingue quatre modes de fonctionnements d’un transistor à savoir :

 Le mode normale ;
 Le mode inverse ;
 Le mode bloqué ;
 Le mode saturé.

a. Fonctionnement en mode normale (linéaire)

C’est le mode de fonctionnement exploité dans l’étude de l’amplification. Dans ce cas, la diode
d’émetteur (jonction base-émetteur) est polarisée en directe et la diode du collecteur (jonction base-
collecteur) en inverse. Le point de repos se situe au milieu de la droite de charge.

R1 Rc

C1 Vs

Vcc

Rg
R2 RE CE
eg

I C =β I B + I CEO ; or I CEO ≅ 0
I C =β I B
V CE >0

b. Fonctionnement en mode inverse

Dans ce mode de fonctionnement, l’émetteur joue le rôle du collecteur et le collecteur celui de


l’émetteur. Dans ce cas, la jonction base-émetteur est polarisée en inverse et la jonction base-
collecteur en directe.

I E =β I B
V CE <0

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c. Fonctionnement en mode bloqué

Considerons le montage ci-dessous :

Rc
Ic
RB IB
Vcc
VCE

K VBE

VBB

Nous remarquons que l’interrupteur K est ouvert; donc il n’y a aucun courant qui circule entre la base
et l’émetteur. La jonction base-émetteur est par conséquent bloquée et le courant I B sera égale à 0.

Dans ce cas : I C =β I B +I CEO or I B=0


I C =I CEO ≅ 0
I C =0

En exploitant la loi de maille dans le circuit de sortie nous aurons :

V CC −RC I C −V CE =0 si I C =0
V CC =V CE =V S

Dans ces conditions, nous dirons que le transistor est bloqué.

NB : On peut aussi bloquer le transistor en polarisant la base en inverse. C'est-à-dire, I B <0 ou en


polarisant les deux jonctions en inverse.

d. Fonctionnement en mode saturé

Considerons le montage suivant :

Rc
Icsat
RB IB
Vcc
VCE
K VBE
VBB

Lorsqu’on ferme l’interrupteur K, il y aura naissance d’un courant I B suffisament important. Nous
remarquons que la base devient positive par rapport à l’émetteur.

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La jonction base-émetteur devient passante et le courant I C dévient différent de zéro ( I C =I CSat =I Cmax
). Dans ce cas, le transistor se comporte comme un interrupteur férmé (court-circuit) entre l’émetteur
et le collecteur. Le potentiel de la masse se retrouve au collecteur et à la sortie une tension V CE ≅ 0

( I CSat=
V CC
RC ). On dit que le transistor est saturé.

−V CC + R C I Csat +V CE =0 si V CE =0
−V CC + R C I Csat +0=0
V CC =RC I Csat

V CC
I Csat =
RC

NB : Dans ce mode de fonctionnement, les deux jonctions sont polarisées en directe.

I.2.3. Courbe caractéristique et droite de charge

IC Point de saturation

Q1
ICmax
Droite de charge

Point de blocage
Q2
VCE
VCESat VCE0 = VCC

Avec : Q1 : point de repos du transistor à I B ≠ 0;


Q2 : point de repos du transistor à I B=0.

I.2.4. Tableau résumant les quatre modes de fonctionnement


d’un transistor

Fonctionnement
Polarisation Normal Inverse Bloqué Saturé
Jonction B-E Directe Inverse Inverse Directe
Jonction B-C Inverse Directe Inverse Directe
IB≠0 IB≠0 I B=0 IB≠0
Résultats I C =β I B I E =β I B I C =I CE0 =0 I C =I CSat
V CE >0 V CE <0 V CE ≅ V CC V CE ≅ 0

NB : Dans le régime « tout ou rien », la puissance ( P=V CE . I C ) dissipée dans le transistor est toujours
faible.

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I.2.5. Étude plus approfondie de la commutation

A. Facteur de saturation

Nous avons vu que, lorsque le transistor entre en commutation, son intensité collecteur est :

V CC −V CE V CC
I CSat= ≅
RC RC

Il faut pour cela, que l’intensité de base atteigne la valeur dite de «Juste saturation » :

I CSat V CC
I BJS =I min = =
β β RC

En diminuant la résistance d’alimentation de la base, on peut augmenter I B au-delà de la valeur I BJS


c'est-à-dire, I B=I BSurSat ( I BSS ). Cela ne changera rien à l’état de saturation du transistor.

IB
Le rapport : s’appelle Facteur de saturation (Fs)
I BJS

Fs : facteur de saturation ou coefficient de saturation (varie entre 2 à 10 donc I B=2 I BJS à 10 I BJS).

Note : Pour calculer I B, on tient compte du coefficient d’amplification en courant ( β=h 21e ) et pour
calculer I C, on tient compte de la tension de saturation (V CESat ) ; elle varie entre 0,3 à 1V en pratique.

B. Facteur de blocage

Lorsqu’un transistor est saturé, sa jonction base-émetteur se comporte comme une diode passante ;
donc la répartition de la charge de cette jonction est analogue à celle d’un condensateur.

Si à partir de cet état, on souhaite bloquer le transistor, la réorganisation des charges au niveau de la
jonction base-émetteur va provoquer un courant inverse dit courant inverse de blocage ( I BBL ¿ . La
valeur de ce courant dépend de la rapidité avec laquelle le condensateur base-émetteur peut se
décharger. Il sera faible, comme le montre la figure a. ci-dessous. La jonction se décharge par ses
propres moyens. Il peut être élevé, si on accélère le processus à l’aide d’un générateur externe (cas
de la figure b).
+ +
+ +
IBBL IBBL
+

Fig. a Fig. b

Dans tous les cas :

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I BBL
¿ rapport S’appelle facteur de blocage (Fb)
I BJS

I.2.6. Temps de commutation

Il s’écoule un certain temps entre le moment où on injecte dans la base d’un transistor un courant
suffisant pour le saturer et le moment où le courant de collecteur atteint effectivement l’intensité de
saturation. Il s’écoule de même un certain temps entre le moment où l’on établit le courant inverse de
blocage entre l’émetteur et la base et le moment où le blocage devient effectif, c’est-à-dire que le
courant de collecteur s’annule.

Soit le montage suivant :


UA

R2

+ IC IB

1 R1 IB IBSS
2
t
0
+
0V -IBBL
IC
ICSA
9T0%

10%
0 t
td tS
tr tf
ton toff

Il a été convenu de prendre pour repères les points où le signal atteint les 10% et 90% de la valeur
maximale. C’est à partir de ces repères qu’on définit les six temps de commutation :
t d , t r , t on , t s ,t f , t off .
1. Temps de délai ou temps de retard (Delay time)

Lors de l’application de l’impulsion à l’entrée, le transistor conduit, mais le collecteur ne prend pas
instantanément sa valeur normale IC. Par conséquent, le temps de délai (td) est le temps qui s’écoule
lorsque IC passe de 0 à 10% de IC.

2. Temps de monté (Rise time)

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Le temps de monté (tr) est le temps qui s’écoule lorsque IC passe de 10 à 90% de IC.

3. Temps de stockage (Storage time)

A la suppression de l’impulsion de courant de base, le transistor ne passe pas instantanément de


l’état saturé à l’état bloqué. Le temps qui s’écoule lors de cette suppression de l’impulsion à l’instant
où le courant collecteur vaut 90% de IC est appelé temps de stockage (ts).

4. Temps de descente (Fall time)

Le temps de descente est le temps qui d’écoule lorsque IC passe de 90 à 10% de IC et est noté : tf.

Note :
 La somme de ces deux temps précédents, c.à.d. td et tr forment le temps de fermeture appelé
aussi le temps de conduction ou encore le temps total d’établissement et est noté par : ton (on-
time).

t on =t d +t r

 Et la somme de ts et tf donne le temps d’ouverture aussi appelé le temps total de coupure ou


encore temps de blocage et est noté par : toff (off-time).

t off =t s +t f

I.2.7. Comparaison d’un transistor à un relais électromagnétique

I.2.7.1. Schémas

Rc Rc
RL C Vcc Ic
VCE RB IB
E Vcc
VCE
K VBE
K
VBB VBB

Il est évident que la base du transistor est comparable à la bobine du relais, tandis que l’émetteur et le
collecteur du transistor est comparable au contact du relais.

I.2.7.2. Analyse de la comparaison

a. Montage avec relais

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 Lorsque K ouvert : le courant dans la charge R est nul et toute la tension Vcc est appliquée
entre les bornes C et E du relais (VCE ≅ VCC).
 Lorsque K fermé : le courant Ic passe dans la charge, la chute de tension entre les bornes C
et E du relais est nulle (VCE = 0) et la tension Vcc est appliquée à la charge R.

b. Montage avec transistor

 Lorsque K ouvert : la charge R est traversée par un faible courant et nous pouvons admettre
qu’elle n’est pas alimentée ; pratiquement toute la tension Vcc est appliquée entre les bornes
C et E du transistor à l’état bloqué.
 Lorsque K ferme : le courant IC passe dans la charge, la chute de tension entre les bornes
collecteur-émetteur est faible et la presque totalité de la tension VCC est appliquée à la
charge. Le transistor est alors à l’état saturé.

c. Conclusion

Lorsque l’interrupteur K est ouvert, le courant dans la charge est strictement nul avec le relais
électromagnétique alors que le transistor laisse passer le courant résiduel I CE0. Et lorsque K est fermé,
la tension entre le collecteur et l’émetteur du relais est nulle alors que la tension V CE entre le collecteur
et l’émetteur du transistor ne l’est pas (varie entre 0,3 à 1V). Par conclusion, nous dirons que le
transistor est un interrupteur imparfait ; et en contre partie, le relais est un interrupteur parfait.

I.2.7.3. Avantages et inconvénients d’un transistor par rapport à un relais

1. Avantages

Comme avantages nous pouvons citer :

 Temps de réponse plus faible ;


 Possibilité de fonctionner à des fréquences plus élevées ;
 Encombrement beaucoup plus faible ;
 Robustesse et durée de vie beaucoup plus grandes ;
 La réponse plus rapide.

2. Inconvénients

Les inconvénients viennent d’être signalés :

 Courant résiduel à l’état bloqué ;


 Légère chute de tension à l’état de saturation.

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EXERCICES

01. Concernant le mode de fonctionnement normal d’un transistor, nous pouvons affirmer que la
diode base-émetteur est toujours :

1. Saturé 2. Polarisée en inverse 3. De forte résistance


4. polarisée en directe 5. Bloquée

02. Concernant le transistor bipolaire, nous pouvons affirmer qu’à la saturation :

1. La jonction B-E est bloquée et B-C est saturée ;


2. Les deux jonctions sont conductrices ;
3. Les deux jonctions sont bloquées ;
4. La tension VCE = VCC ;
5. La jonction B-E saturée et B-C est bloquée

03. Soit un montage qui illustre une commande d’une lampe :


+12 V Déterminer le courant de base de la
10KΩ RL saturation, si RL = 5,5KΩ, β = 70, RB = 10
KΩ, VBE = 0,7, VCE = 0,5
0,5 V
0,7 V

04. Soit le montage ci-dessous représentant une polarisation directe ; déterminer le courant de
collecteur à la saturation.

+12 V
12KΩ 10KΩ

0,3 V
0,7 V

05.Le transistor ci-dessous fonctionne en commutation


Ua= 4 ,5V

4,5 KΩ

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Donne l’écart de la valeur que peut avoir I Bpour assurer la saturation de transistor.

RESOLUTION

I B=2. I Bjs à 10 . I Bjs


I C sat
I Bjs = ∨I c sat =?
β
Vcc 4 ,5 −3
I c sat = = =10 A
Rc 4 ,5 . 103
10−3
I Bjs = =10−5 A
100
I B=2. 10−5 à 10 .10−5 A
−5 −4
I B=2. 10 à 10 A

06.Dans ce montage de la fig. ci-dessous la tension aux bornes de chaque diode électroluminescente
est de 1,6 V le courant qui le traverse est de 15mA . La V CE est de 0,4V.
a) Déterminer le courant Ic et la résistance R.
b) Calculer la puissance absorbée par le transistor.

12V

 Calcul de Ic
Ic=I 1 + I 2 + I 3∨I 1=I 2 =I 3 =15 mA
−3
Ic=15 mA +15 mA +15 mA =45 mA =45.10 A

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 Calcul de R
V CC −V d 1−V d 2−V d 3−R . Ic−Vce=0∨V d 1=V d 2 =V d 3=1,6 V
12−1,6−1,6−1,6−0,4
R= −3
=¿
45. 10

07. Proposer un montage « commande électronique d’une DEL (Vd = 2V, I max = 10mA) » ; dont Va =
12V et β = 200. Calculer aussi la valeur de la résistance atténuatrice en série avec la DEL et la
résistance de la base pour une polarisation fixe lorsque le transistor(NPN) est saturé.

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CHAPITRE DEUXIÈME
APPLICATIONS D’UN TRANSISTOR EN COMMUTATION

es transistors sont généralement utilisés en commutation; particulièrement dans :

 Les convertisseurs des tensions ;


 Les circuits séparateurs d’impulsion ;
 Les alimentations à découpages ;
 Les circuits logiques (Automation) ;
 Les relais de commande ;
 Les multivibrateurs (Bascules).

Signalons que dans ce présent chapitre, nous n’allons étudier que les deux dernières applications
citées ci-haut.
II.0. CHARGE ET DÉCHARGE D’UN CONDENSATEUR

ans ce point, nous nous proposons d’étudier en détail le comportement du


condensateur dans la configuration charge et décharge à travers une résistance par un
générateur de tension constante.

Le condensateur se charge et se décharge


exponentiellement suivant la loi :
−t
τ
U C =U ∞−( U ∞−U 0 ) .e

U C : Tension aux bornes du condensateur pendant la charge ou décharge ;


U ∞ : Tension que doit atteindre le condensateur après le processus charge ou décharge ;
U 0 : Tension initiale aux bornes du condensateur avant le processus charge ou décharge ;
e : Nombre népérien (e = 2,7);
τ : La constante du temps : τ =θ=R . C

1. Charge d’un condensateur


K R
a. Montage
C
E UR Uc

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b. Analyse

Le condensateur C est préalablement court-circuité plusieurs fois pour le décharger complètement.

1ère cas : K ouvert ; E≠0, I=0, UR=0 et UC=0

2ème cas : K fermé

 A l’instant t0, UC = 0, le condensateur transmet le front ; toute la tension se retrouve aux


bornes de la résistance R. En exploitant la loi de maille de la figure ci-dessus, nous aurons :

−E+U R +U C =0 ⟹ E−U R−U C =0 or U C =0


E=U R =R . I

 A l’instant t0 à t1 (t≠0), le condensateur commence à se charger à travers la résistance R, UC


augmente et UR diminue.

Cette variation se fait suivant la loi exponentielle :


−t
τ
U C =U ∞−( U ∞−U 0 ) .e

Si U ∞ =E ; U 0=0, UC aura comme expression :

=E ( 1−e )
−t
τ
UC
2. Décharge d’un condensateur
a. Montage
R
C
UR Uc~E
K

b. Analyse

On considère que le condensateur est complètement chargé (U C ≅ E ).

1ère cas : K ouvert ;U C ≅ E , U R ≅ 0

2ème cas : K fermé

 A l’instant t0, U C ≅ E , U R ≅ 0
 A l’instant t0 à t1 (t≠0), le condensateur commence à se décharger à travers la résistance R et
UC diminue suivant la même loi exponentielle ; si U ∞ =0 ;U 0=E , l’expression de UC pendant
la décharge sera :
−t
τ
U C =E .e

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II.1. LE RELAIS DE COMMANDE

II.1.1. Définition

n relais est un organe électrotechnique permettant la commutation de liaisons

électriques. Il est chargé de transmettre un ordre de la partie commande à la partie puissance


d'un appareil électrique. On peut voir le relais comme un interrupteur commandé électriquement.

II.1.2. Sortes de relais de commande

On distingue deux types de relais de commande à savoir :

 Le relais simple ;
 Le relais temporisé.

II.1.2.1. Relais simple

a. Montage
Vcc

RL
DRL

Ic
RB
IB
VCE
VBE
K
VBB

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 DRL : Diode à roue libre elle sert à protéger le transistor contre les sur tension et les
sur intensités produites par la bobine du relais au moment du blocage. La série
standard utilisée pour cette diode est le 1N 4148.
b. Fonctionnement

Lorsque l’interrupteur K est ouvert, aucun courant ne traverse la bobine du relais et on dit que le relais
est désexcité, son contact garde encore sa fonction ou sa position initiale et il y a aucun changement
au niveau de la charge.
Par contre, lorsqu’on ferme l’interrupteur K, il y a naissance d’un courant de base, celui-ci crée un
grand courant au niveau du collecteur qui traverse la bobine du relais et transistor devient saturé, le
relais excité, il attire son contact et il y a un changement au niveau de la charge.

NB : DRL : « Diode à Roue libre » (la diode en parallèle inverse). Elle sert à protéger le transistor au
moment de blocage contre les surintensités produites par la bobine du relais. Elle se branche toujours
en inverse.

C. DIMENSIONNEMENT DU MONTAGE (CHOIX DES ELEMENTS)


V BB−V BE V CC−V BE
R B= , R B=
IB IB
 CHOIX DU RELAIS
URL=? , RRL=I cont =I encL=?
V CC −V RL −V CE sat =0
V CC −V CE sat =VRL∨V CE sat ≅ 0
VRL ≅ VCC
U CC−V CE sat
RRL=
I C sat
Ucharge Pcharge
I enCL=Icharge= =
Rcharge Ucharge

c. Relais simple à commande à distance

Ce sont les montages dans lesquels on utilise les éléments optoélectroniques : photodiode, photo
résistance, photo coupleur, photo transistor, photo triac, etc.…
Vcc
Vcc
RL
RL DRL
DRL
R1
PD

PD
R1

Fig. (b) : Détecteur de l’obscurité


Fig. (a) : Détecteur de la lumière
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(Montage En
du génie
jour) électrique : Electronique Appliquée
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 Fonctionnement des relais simples à commande à distance

1. Détecteur de la lumière

Lorsque le montage est alimenté ; En absence de la lumière (pendant l’obscurité), l’élément


optoélectronique présente une grande résistance. La base du transistor est isolée de la source V CC, et
il ya aucun courant de commande (IB =O). Le transistor est alors bloqué et ne permet pas le relais
d’être désexcité. On ne retrouve en suite aucun changement du côté du circuit commandé (charge).

Dès la présence de la lumière, la photo diode présente une faible résistance (quelques ohms) il ya
naissance d’un courant IB issu de la source VCC à travers R de la diode qui commande le transistor,
et celui-ci devient saturé, le potentiel de la masse se ramène au collecteur, le relais dévient excité,
attire son contact et il ya un changement au niveau de la charge.

2. Détecteur d’obscurité

Pendant la lumière, l’élément optoélectronique présente une faible résistance. Il ya naissance d’un
courant IB issu de la source Vcc à travers R 1. Tellement que la photodiode (PD) présente une
résistance faible, Le potentiel de la masse atteint la base et annule le courant IB ; le transistor bloqué
et le relais reste désexcité.

Pendant l’obscurité, la photodiode (PD) présente une très grande résistance de l’ordre de MΩ. La
base isolée de la masse, ce qui entraine la saturation du transistor. En ce moment, le relais devient
excité et attire le contact.

II.1.2.2. Relais temporisé

Par définition, un temporisateur est un circuit qui introduit un retard à la mise en marche ou à l’arrêt
d’un système. On distingue deux types de temporisateurs à savoir :

 Temporisateur à contact ;
 Temporisateur à commande à distance.

1. Temporisateur à contact

a. Montage Vcc

RL
DRL

R1
DZ

C
R2

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b. Fonctionnement

 A l’instant t0, Uc = 0, IB=0 ; le transistor est bloqué, le relais reste désexcité ;


 A l’instant t ≠ 0, le condensateur commence à se charger et La tension Uc augmente. Dès qu’elle
atteint la somme de tensions VZ + VBE (Uc =VZ + VBE), la diode zener conduise et donne
naissance à un courant IB et IZ . Le transistor devient alors saturé puis excite le relais et le contact
s’attire.

 Calcul de la durée de temporisation


Ce calcul est rendu possible grâce à la formule exponentielle de la charge et décharge d’un
−t
condensateur :U C =U ∞−( U ∞−U 0 ) .e τ

Si U C =V Z +V BE , U ∞ =U CC , U 0=0 , τ=R .C , le temps de temporisation d’un circuit à un seul


transistor sera :

V CC
t=R1 .C ln
V CC −V Z −V BE

2. Temporisateur à commande à distance Vcc

a. Montage DRL
RL

R1
DZ

LDR C

Détecteur de l’obscurité

b. Fonctionnement

Quand la photo résistance devient éclairée, elle présente une résistance faible ; ce qui va faire en
sorte que le condensateur se retrouve en court-circuit. La cathode de la diode zener est attaquée par
le potentiel de la masse. Le courant I B devient égal à zéro (IB=0), et le transistor se retrouve à l’état
bloqué. Conséquence, le relais reste désexcité.

Pendant l’obscurité, la LDR présente une résistance élevée. Le condensateur n’est plus court-circuité.
A l’instant t0, Uc=0 et IB=0 ; le transistor garde toujours son état. A l’instant t≠0, le condensateur
commence à se charger et Uc augmente. Dès qu’elle atteint la tension de seuil (VZ+VBE), le transistor
se sature et entraine le relais à l’excitation.

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II.2. LES MULTIVIBRATEURS

II.2.1. Introduction

énéralement les multivibrateurs sont des générateurs des signaux rectangulaires ou carrés
(non sinusoïdaux).

Du point de vue constitution, on distingue des multivibrateurs :

 A transistors ;
 A portes logiques ;
 A ampli opérationnel ;
 A circuits intégrés.

Notons que le présent chapitre est seulement consacré aux multivibrateurs à transistors. Un
multivibrateur à transistor, est un circuit constitué de deux transistors capables de délivrer un signal
rectangulaire, dont chaque transistor passe alternativement à l’état saturé ou à l’état bloqué. L’effet
multivibrateur s’obtient en reliant la sortie d’un transistor à l’entrée de l’autre.

Selon leur principe de fonctionnement nous distinguons :

 Le multivibrateur astable ;
 Le multivibrateur monostable ;
 Le multivibrateur bistable ;
 Le multivibrateur à seuil.

D’une manière particulière :


 Le nom de multivibrateur est réservé à l’astable
 Le nom de univibrateur (temporisateur) est réservé au monostable
 Le terme au monostable
 Le terme bascule (mémoire) est réservé au bistable
 Le nom de trigger de schmitt est réservé au type de seuil

Tout multivibrateur transistor est constitué de deux étapes à transistor à charge résistive. Les 2
étapes sont reliées par une liaison alternative (par condensateur) ou par liaison continue (par
résistance) selon le type.
Pour obtenir l’effet de multivibrateur, il faut relier la sortie du 1 èr étage à l’entre du 2ème étage à l’entrée
de la première étage. (Liaison croisée)

E1 S1 E2 S2
1ier ETAPE T1 2e ETAPE T1

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NB : Tous les multivibrateurs cités ci-haut peuvent être classés en deux catégories à savoir :

1. Le multivibrateur non commandé aussi appelé « auto-excité » ou encore « multivibrateur libre » :


sont ceux qui n’on pas besoin d’une excitation extérieure lors de leurs fonctionnement. (Multivibrateur
astable).

2. Les multivibrateurs commandés : sont ceux qui ont besoin d’impulsion de commande extérieure
pour démarrer et les maintenir en fonctionnement (multivibrateur monostable, bistable et à seuil).

II.2.2. Le multivibrateur Astable

II.2.2.1. Définition

L’astable est une bascule qui n’a pas l’état stable. Elle change l’état spontanément sans qu’il soit
nécessaire de lui appliquer une impulsion de commande extérieure.

II.2.2.2. Schéma bloc

ASTABLE

II.2.2.3. Schéma détaillé


K

Vcc
RC1 RB2 RB1 RC2

+ - - +
C1 C2
T1 T2

II.2.2.4. Fonctionnement

Supposons que les deux transistors sont symétriques, c'est-à-dire que T1 et T2 sont identiques (même
types de transistors). Lorsqu’on ferme l’interrupteur K, on applique la tension d’alimentation aux deux
transistors. Étant donné qu’il est impensable que les deux transistors arrivent à la saturation au même
moment. Supposons que le transistor T1 se sature en premier. Le potentiel de la masse atteint le
collecteur de T1 qui le rend un peu plus négatif. Cette variation de tension négative de T 1 sera
transmise à la base de T2 par C1, réduisant ainsi le courant IB du T2. Par conséquence T2 devient
bloqué.

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Le condensateur C1 attaque la jonction B-E du T2 en inverse et qui maintient son blocage. C 1
commence à se charger en inverse par RB2 jusqu’à atteindre la tension de seuil de 0,7V, il sature T2.
C2 va alors bloquer T1 et C1 se charge très rapidement à Vcc - V BE par RC1. Pendent ce temps, C2
commence à se charger en inverse par RB1 . Dès qu’il atteint 0,7, il sature T1 et le cycle recommence.

II.2.2.5. Diagramme de temps, des tensions des collecteurs


et des bases
UB1
VCC
VBE
t

- VCC + VBE

UB2
VCC

- VCC + VBE
VBE T
UC2 t1 t2
VCC

t
UC1
VCC

II.2.2.6. Calcul de la période et du rapport cyclique

1. Calcul de la période (T)

Pour calculer la période d’un astable, on tient compte de la loi exponentielle de charge et décharge
d’un condensateur :
−t
τ
U C =U ∞−( U ∞−U 0 ) .e
Or nous avons deux cellules RC ; donc la période T sera égale à :

T =t 1+ t 2

 Calcul de t1

Si : U C =V BE ,U ∞=V CC ,U 0=−V CC +V BE , τ=R B 1 . C 2 , t=t 1 , l’expression de t1 sera :


t 1=¿0,7. R B 2 . C1

 Calcul de t2

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Si U C =V BE ,U ∞=V CC ,U 0=−V CC +V BE , τ=R B 2 . C 1 , t=t 2 , l’expression de t2 sera :

t 2=¿0,7. R B 1 . C2

D’où la période T nous donne :

T =0,7. RB 1 . C2 +¿0,7. R B 2 . C1

T =0 , 7 ( R B 1 . C2 + R B 2 . C 1)

Si R B 1=RB 2 =RB et C 1=C 2=C ,la p é riode devient :

T =0,7 ( R B .C + RB . C )

T =0,7 ( 2 R B . C )

T =1 , 4 R B .C

2. Calcul du rapport cyclique

tH t
D= = H ∗100 en pourcentage (% )
T t 1 +t 2

II.2.3. Le multivibrateur Monostable

II.2.3.1. Définition

Le monostable est un circuit qui n’à qu’un seul état stable. Celui-ci étant à l’état stable, une impulsion
de commande ou de déclenchement le fait passer à l’état instable après un laps de temps bien
déterminé. La durée de cet état instable est indépendante de la forme et de l’intensité de l’impulsion
de commande mais dépend plutôt d’un réseau RC.

Le monostable réalise une fonction de temporisation utilisée chaque fois que l’on souhaite déclencher
un dispositif avec retardement.

Suivant les besoin des temporisations, la temporisation peut aller de quelques microns second à
quelques heures, voir même quelques jours. Il présente semblablement la même structure que le
multivibrateur astable. Il y a simplement remplacement d’une liaison capacitive par une liaison
résistive.

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K
II.2.3.2. Montage K

Vcc Vcc
RC1 RB2 RC2 RC1 RB2 RC2
RB1 RB1
+ - + -
C1 C1
T1 T2 T1 T2

CL CL
Fig.a Fig.b

II.2.3.3. Fonctionnement

En fermant l’interrupteur K, le transistor T 2 se sature en premier lieu (Fig.a) car, la résistance R B2 a


été calculée de manière que le transistor T 2 soit saturé en premier. Son collecteur est mis à la masse,
entrainant ainsi le blocage de T1. Le condensateur C se charge rapidement à travers R C1 à une valeur
VCC – VBE.

Lorsqu’on applique une impulsion de commande ou de déclenchement d’amplitude suffisante à la


base de T1, ce transistor se sature. Le potentiel négatif de la masse arrive alors à la base de T 2 via le
condensateur C provoquant ainsi un brusque blocage de T2. L’armature positive de C est
brusquement ramenée à la masse. Celui-ci se comporte comme un générateur attaquant la jonction
B-E de T2 en inverse.

En effet, C tend à se chargé en sens inverse jusqu’à atteindre la tension V BE (0,7V) de T2 , celui-ci se
sature est T1 devient de nouveau bloqué.

N.B. : Le blocage de T2 maintient la saturation de T1 même après disparition de l’impulsion de


commande.

II.2.3.4. Calcul de la période

Un calcul semblable à celui qui a été effectué pour le multivibrateur astable montre que la période
d’un monostable est égale à une demi période d’un astable :

T =0,7 R B 2 . C

Pour que le système fonctionne ainsi, il est nécessaire que la période T soit inferieur à la durée de la
demi-période du signal de commande. Quand cette condition n’est pas réalisée, la tension de sortie
reproduit les variations de la tension de commande.

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II.2.3.5. Temps de recouvrement

Le temps qui sépare le basculement au rétablissement complet de la charge de C s’appelle Temps de


recouvrement. Si une impulsion arrive pendant le temps de recouvrement, la durée de la
temporisation est perturbée. Il faut donc réduire au minimum le temps de recouvrement du
monostable pour n’est pas perturber sa durée de temporisation.

II.2.3.6. Forme de signaux

Impulsion de commande

t
UC2
VCC

t
T
UC1 t1 t2
VCC

t
UB2
VCC

- VCC + VBE

NB : On peut varier la durée de temporisation d’un monostable en plaçant une résistance de base R B2
ajustable (variable).

Vcc
RC1 RB2 RC2
RB1
+ -
C1
T1 T2

CL

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Les temps de commutation des transistors et le temps de recouvrement (environ 5 fois R C1.C) limitent
notre bascule en rapidité.

II.2.4. Le multivibrateur Bistable

II.2.4.1. Introduction

Le bistable est un circuit qui possède deux états stables (statiques). Il faut une intervention extérieure
pour changer l’état. Il est également connu sous le nom de : montage à Eccles-Jordan ou encore
montage Flip-Flop.

II.2.4.2. Montage
K K

Vcc Vcc
RC1 RC2 RC1 RC2
RB2 RB1 R3 R4

T1 T2 T1 T2
D1 D2
CL D1 D2

CL RE
Fig. a R1 R2
C

Fig. b
II.2.4.3. Fonctionnement

Nous remarquons que les deux transistors sont polarisés de la même manière. Dès que nous
fermons l’interrupteur K, supposons que T 1 se sature en premier, le potentiel de la masse se retrouve
à la base de T2 et celui-ci devient bloqué. Cette situation arrive avant d’appliquer l’impulsion de
commande.
Lorsqu’on applique l’impulsion : au front descendent, T1 devient bloque et cette impulsion négative
n’aura aucun effet sur T2 qui est déjà bloqué. Quand T1 est bloqué, la base de T2 est libérée de la
masse et devient en suite saturé.

Il faut encore appliquer une autre impulsion pour bloquer T2 qui est saturé et ainsi de suite.

Les deux diodes du circuit d’entrée bloquent les signaux positifs. Le condensateur de découplage C
(Fig. b) permet de maintenir constant les transistors.

Pour améliorer la vitesse du basculement, on place les condensateurs en parallèle sur RB1 et RB2.

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K

C2 C3 Vcc
RC1 RC2
RB2 RB1

T1 T2
D1 D2

CL

Quand on applique à l’entrée, le signal issu d’un dérivateur commandé par un signal rectangulaire,
seules les fronts descendent provoquent le basculement du circuit. Le potentiel de chaque collecteur
va devoir engendrer un signal rectangulaire ayant une période double de celle du signal appliqué à
l’entrée (impulsion de commande).
C’est pourquoi, un multivibrateur bistable est dit multiplicateur de période d’entrée par deux et aussi
diviseur de fréquence d’entrée par deux.
NB : Un bistable conserve l’information qui lui à été appliquée à l’entrée, par conséquent, il constitue
donc une cellule mémoire.

II.2.4.4. Forme des signaux

Te

Tension au C de
t
Ts

Tension au C de
t
a. Calcul de la période et de la fréquence
En observant les oscillogrammes, nous remarquons que :
1 1 1
Ts=2 Te ( 1 )Or T = (2 ) → Ts= ( 2 ) Te= (3)
F Fs Fe
( 2 ) , ( 3 ) et (1)
1 1
→ =2 . →2 Fs=Fe
Fs Fe

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Fe
Fs=
2
II.2.5. Le multivibrateur à seuil ou bascule à seuil

II.2.5.1. Définition

C’est une bascule qui change d’état lorsque la tension de commande atteint ou traverse une certaine
valeur dite « tension de seuil ou seuil de basculement »

La bascule à seuil dérive de la bascule bistable tout en gardant seulement une liaison résistive. Le
modèle le plus utilisé est le Trigger de Schmitt.

Seule l’entrée du second étage est couplée à la sortie du premier, qui reçoit les signaux de
commande. Elle fourni des signaux rectangulaires à partir de n’importe quelle forme du signal
appliqué à l’entrée.

II.2.5.2. Montage

VCC VCC

RC1 RC2 RC1 RC2


R1 R1

T1 T1
T2 T2
VBE VBE
VS VS
V1 < V0 + VBE RE V0=VE V1 > V0 + VBE
R2 RE R2 V0=VE

Fig. a Fig. b
II.2.5.3. Fonctionnement

Tant qu’on a encore rien appliqué à l’entrée V1 (tension V1), le transistor T1 est bloqué. Les valeurs
des RC1, RC2 et RE sont choisies pour que T2 soit saturé à fonction ou à partie du pont diviseur
constitué par R1 et R2.

VCC

R1

R2 VB2

En exploitant le théorème de Millman, VB2 aura comme expression:

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V CC 0 V CC V CC
+ ∗R1 . R2
R 1 R2 R1 R1
= =
1 1 R 2+ R 1 R 2+ R 1
+
R 1 R2 R 1 . R2

V CC . R2
V B 2=
R2 + R 1

Donc à l’état initial du système, le transistor T1 est bloqué et T2 est saturé. Dans cet état, la tension de
sortie de T2 saturé sera égale à V0 = VE

D’où :
V B 2−V BE −V 0=0
V CC . R2
V 0=V B 2−V BE∨V B 2=
R 2+ R 1
V CC . R2
V S =V 0= −V BE
R2 + R1

Quand la tension V1 dépasse la tension de seuil V0 + VBE, le transistor T1 se met à conduire (se
sature) ; le potentiel de la base de T2 diminue et T2 devient bloqué.

La diminution de la tension d’entée V1 en dessous de la tension de seuil V0 + VBE, rétablira la situation


initiale.

II.2.5.4. Hystérésis
En réalité, ce basculement se produit pour un seuil inférieur à celui pour lequel on avait obtenu le
basculement initial.

En effet, T2 étant fortement saturé, il ne se bloque pas tout de suite dès que T1 commence à conduire.

Lorsque le collecteur de T1, atteint une tension assez basse, T2 est brusquement bloqué.
V1
Hystérésis

V0 + VBE

C2

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II.2.5.5. Utilisation

La bascule à seuil est souvent utilisée :

 Dans le comptage numérique ;


 Dans la télématique ;
 Comme circuit qui permet la mise en forme d’un signal quelconque en un signal rectangulaire.

EXERCICES

EX1 : concevoir une commande d’une lampe de 22OV /100 W à partir d’une source de tension
continue de 12V en utilisant un transistor 2N3020, h FE=β=40 I C sat =200 mA . Proposer le montage et
faire le choix des éléments non identifiés.

RESOLUTION
Montage
+Va PH N
K

RB

 CHOIX DE COMPOSANTS

V CC−V BE Ic 200. 10
−3
R B= ∨I B= = =5 mA
IB β 40
12−0 , 7 11 ,3 . 103
R B= −3
= =2 ,26 K Ω
5 . 10 5
V CC 12
RRC= = =60 K Ω
I C sat 200 . 10−3
PL 100
I encL= = =0 , 454 A V N I enCL=1 A
UL 200

Exemple 2. Soit le montage de la fig. ci-dessous

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+12V ou 24V

R1
Ra

R2

0V

On donne : β=100 , I c sat =10 mA , LED ¿


Calculer R1 , R 2 et R a

RESOLUTION
 En passant par R1
V CC −R1 ( I P + I B )−V BE=0
V CC −V BE I c sat 10 . 10−3 −4
R 1= ∨I B = = =10 A
I P+ I B β 100
24−0 , 7 11 ,3
R1= −4 −4
= −4
=21 K Ω VN =22 K Ω
10 .10 +10 11. 10

 En passent par R2
V BE −R2 I P=0
V BE 0 , 7
R2 = = =700 Ω V NR2=820Ω
I P 10−3
V −V d 24−1 , 6
Ra = CC = =4 , 48 K ΩV NRa=4 , 7 K Ω
IP 5 . 10
−3

EX3.On donne un montage ci-dessous ; ce montage est alimenté à 10V avec une période de 2ms et
un rapport cyclique de 40% c.à.dt 2> t 1 . on donne encore :
ICSat =800mA ; β=75, VBE=0,7.
Calculer tous les éléments ( Rc1 =Rc 2 , Rb1=Rb2 , c 1 , c 2 ,t 1 , t 2 , f ¿ .

Vcc
RC1 RB2 RB1 RC2

+ - - +
C1 C2
T1 T2

EX4. indiquer la proposition fausse : le multivibrateur est utilisé comme :

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1. montage qui sert à retarder les impulsions ;


2. base de temps de balayage TV ;
3. générateur de signaux sonores ;
4. clignotant ;
5. élément de base de comptage logique.

EX5. Soit le montage ci-dessous :

Vcc
R1 R2 R3 R4

+ - - +
C1 C2
T1 T2
D1 D2

On utilise deux transistors 2N2218, la période (trame) est de 1,5ms.


Les conditions à respecter sont : Vcc=10V, VCESat=0,3V, VBE=0,7V, IB=4mA, VD1=VD2=0,7V,
R1=R2=4,7KΩ.

 Si C1=C2=0,1µF, déterminer R3 et R2 pour la période imposée ;


 Quel est le rôle de D1 et D2.

EX6. Soit le montage ci-dessous :

Vcc
R1 R2 R3 R4

L1 + - - + L2
C1 C2
T1 T2

On donne : VCC=12V, L1=L2=2V, C1=2C2=10µF et IC=20mA


On peut affirmer que la valeur de R1, R2, R3 sont respectivement :

1. 500Ω, 92Ω et 90Ω ;


2. 510Ω ; 90Ω et 90Ω ;
3. 500Ω, 90Ω et 90Ω ;
4. 90Ω, 500Ω et 510Ω ;
5. 90Ω, 90Ω et 500Ω.

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N.B : Le temps mis par L1 est 2 fois plus important que celui mis par L2.

EX7. Soit un monostable présentant les caractéristiques suivantes : VCC=12V, VBE=0,7V, t=1000µs,
β=20 et VCESat= 0,2V, IC2=100mA. On choisit arbitrairement RC1=RC2=RC et IB2=5% de la valeur de IC2

On demande :
1. Donner le schéma du montage ;
2. Calculer la valeur de RC et RB ;
3. Déterminer la capacité du condensateur ;
4. Comment peut-on varier la durée de temporisation d’un monostable ? proposer un schéma.
EX8. avec 2N1711, une diode zener de 5V6, pour un relais de 12V, on vous demande de concevoir
un temporisateur à transistor si la capacité du condo est de 100 μF/25 , la polarisation est par I B , Ic =
10 mA , β=100

+ 12V

Dz

C Vz

Vcc−Vz−V BE 0V
Vcc
T =R B C ln =¿ R B =
Vcc−Vz−V BE IB
I C 10 .10 −3
−5 −4
et I B= = =10 .10 =10 A
β 100
12−5 , 6−0 ,7
R B= −¿ 4
10 =57 K Ω ¿
12
d ' OU T =57 .10 3 . 100 .10−6 ln =4 Sec
5,7

EXEMPLE 9. a résoudre

. En considérant le montage temporisateur ci-dessous

+ 12V
L1
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L2
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R
C
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0V

On donne : Vz=5 , 6 V , R 1=4 , 7 K Ω , P=10 K Ω , C 1=4700 µ F , V BE =0 , 7 V


Ip=5 . I B , ln 2 , 1=0 , 7
On vous demande :
1) Calculer la durée maximale de la temporisation
2) Calculer la durée maximale de la temporisation
3) Calculer la résistance R2

Ex10 : soit le montage permettant de coller le relais R, lorsque la photorésistance P est éclairée les
conditions d’éclairement qui doivent déclencher le dispositif sont :
Rmax ( P−R )=100 K Ω(à l ' obscurit é )
Rmax ( P−R )=(à la lumi è ℜ)

Déterminer la marge de choix de la résistance RV pourque le relais soit maitenu collé. On donne
Vz=6 , 2V , V BE =0 , 7 V ,V CC =12 V
I B ≪ I P . à la lumiere P = 100 KΩ , à l’obscurité P = 2 KΩ

+Vcc = 12V

R
Vz
0V

RESOLUTION

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Marge de RV= ? Rmin < RV < Rmax


Alors pour bloqué le transistor il faut :
U B <V BE +V Z donc Rmin< Rmax

RV 1
¿ V B =+V CC .
R V 1+ R max
RV 1
D’où V CC . <V BE +V Z
R V 1+ R max
RV 1
12 . 5
< 0,7+6,2
RV 1+10
12 . RV 1< 6,9 ( RV 1 +105 )
12 . RV 1< 6,2 RV 1+6 ,9 . 105
5
12 . RV 1−6 , 9 RV 1 <6,9. 10
RV 1 ( 12−6 , 9 )< 6,9.105
5
RV 1 . 5 ,1<6,9. 10
6 , 9 .10 5 5
RV 1 < =1 , 35 .10 Ω
5,1
RV 1 <135 K Ω

Pour que le transistor se sature il faut que :


 V B > V B +V Z donc RV2 ¿ Rmin
 P=R min
RV 2
V CC . 3
>6,9
R V 2+ 2. 10
12 . RV 2> 6,9¿
3
12 . RV 2> 6,9 R V 2+ 6 , 9 .2 . 10
RV 2 >2,7 K Ω
RV =¿ 2 ,7 , 135 ¿
EX11. calculer la période de sortie de l’oscillateur ci-dessous :

T1 T2

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II. Réaliser un montage d’une bascule astable, câbler à un oscilloscope à double trace relevé des
signaux aux collecteurs des transistors.
a) Donner le schéma du montage
b) Quel est le comportement de deux transistors lorsque la tension à la base de T 1 est à
0,7 V
c) Calculer la durée de blocage et de saturation lorsque les résistances de base et les
condos sont identiques Rb =16 K Ω , C=1 μF
d) Calculer la fréquence d’oscillation
e) Quel est le rapport cyclique du signal de sortie de ce montage
EX12. Propose un montage ≪ clignttant à LED ≫ on vous propose : 2≤D (
V d =2 V , I d =10 mA ,V cc =12V , 2transistors NPN avec h21=100. Prévoir une résistance atténuatrice
de la diode LED et déterminer sa valeur calculer la résistance de base pour saturer le ts avec un
coefficient de saturation égal a 6. Déterminer la valeur de R atténuatice en série avec 2 LED
EX13. Soit le montage ci-dessous :

T1 T2

On donne les caractéristiques :


V CC =12V , L1=L2 , ( V L =2 , I F =20 mA ) , T 1=T 2 , β=200 , C1=3C 2=15 μF

15
Calculer R1 , R 2 , R3 et R 4 ,C 2= μF
3
NB : le temps mis par L1 et deux fois plus important que mis par L2 pour s’allumer la période entière
est à une seconde
EX14. proposer un clignotant à lampes de 220V avec les éléments ci-dessous :
 2 TsT si h21=150
 2 relais 300 Ω/12V
 2 diodes 1 N 4007
 2 condos électrolytiques 47 μF /220 V
 Une source de tension continue 12 V
 2 résistances de valeur inconnues

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On demande aussi de déterminer les valeurs de deux résistances inconnues, si on désire saturer les
2 Ts avec un facteur de 7.

II.3. LES GÉNÉRATEURS DE SIGNAUX EN DENT DE SCIE

II.3.1. Généralités

II.3.1.1. Le signal en dent de scie

e signal en dent de scie est l’un des signaux les plus importants de l’électronique.
Il est très largement utilisé dans les bases de temps d’oscilloscope, dans les indicateurs de
radar et d’innombrables autres applications.

La figure ci-dessous représente un signal qui varie périodiquement et linéairement avec le temps. La
tension augmente depuis zéro jusqu’à une valeur V en t 1 seconde et décroit de V à zéro en t 2
seconde ; En suite le cycle recommence.

V
t1 t1 t1 t2

t
0
Montée Descente

t1 : temps de montée (TM).


t2 : temps de descente (TD).

À cause de la forme du signal qui ressemble aux dents d’une scie, il est appelé « signal en dent de
scie »

II.3.1.2. Caractéristiques

Le signal en dent de scie présente les caractéristiques suivantes :

 Une bonne linéarité pendant l’aller ;


 Un retour rapide ;
 Une bonne stabilité en fréquence ;
 Une bonne stabilité en amplitude.

II.3.1.3. Processus de la linéarité

La notion de variation linéaire est très importante en électronique et de ce fait, voyons plus
précisément ce qu’elle signifie. Comme exemple, considérons une voiture qui roule à la vitesse
constante de 50 km/h. en une heure, cette automobile aura parcouru une distance (d) de 50 km ; en
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deux heures, elle aura couvert 100 km ; etc. La formule qui relie la distance, la vitesse ;et le temps est
donnée par la relation :

d = V.t
La figure ci-dessous est la courbe représentative de la relation décrit ci-haut.
d

150

100
50

t
1 2 3

La courbe représentative de cette équation est donc une ligne droite et on peut dire qu’il y a une
relation linéaire entre la distance (d) et le temps (t). Dans ce cas, une relation linéaire entre d et t
signifie simplement qu’à des accroissements égaux du temps (t) correspondent des accroissements
égaux de la distance (d).

Il est évident que dans l’intervalle de temps (t 1), appelé aussi temps de montée, la tension augmente
linéairement avec le temps de telle sorte que des accroissements égaux de tension correspondent à
des accroissements égaux de temps. Dans l’intervalle de temps (t 2), la tension chute de sa valeur
maximale V à zéro et il est évident que le temps de descente (t 2) est plus court que le temps de
montée (t1).

II.3.2. Générateurs en dent de scie

Un signal en dent de scie peut être généré par la charge et la décharge d’un condensateur avec une
constante de temps correcte. Un générateur de dent de scie s’appelle aussi quelques fois
« générateur de fonction rampe ».

R1 R2

C1
Vcc
C2
Vs
Ve

Dans ce circuit, le transistor NPN amplificateur est très conductance en absence de signal d’entrée
(Ve).

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Lorsqu’on applique le signal d’entrée (à la base du transistor), pendant l’alternance négative, la base
est rendue négative par rapport à l’émetteur, le transistor est bloqué, il n’y a pas de courant de base
ni de collecteur. La tension de collecteur commence à croitre pour atteindre la tension +Vcc et le
condensateur aussi commence à se charger.
Pendant l’intervalle de temps t2, la partie positive du signal d’entrée (Ve) est appliquée à la base du
transistor, rendant celui-ci très conducteur. Un courant circule dans le circuit du collecteur
déchargeant ainsi le condensateur C2 et entrainant une diminution de la tension de collecteur vers
zéro.

Ceci est expliqué à la figure ci-dessous :

Ve t1 t1

t2 t2
t
Vs

t
0

On constate qu’il y a une grande constante de temps de charge, R 2.C2 et une courte constante de
temps de décharge ; il résulte un signal en dent de scie.

L’impulsion rectangulaire nécessaire à la commande du transistor peut être délivrée par un


multivibrateur.

R2
RC1 RB2 RB1 RC2
C3
+ - - + Vcc
C2 C4
C1
Vs
T1 T2 R1

A B
A : Multivibrateur astable
B : Générateur en dent de scie.

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TROISIEME CHAPITRE
LE Transistor unijonction (TUJ ou UJT en anglais)

a. Définition

Le TUJ est un dispositif semi-conducteur à une seule jonction. Il est constitué d’un barreau de silicium
de type N terminé à ses deux extrémités par deux contacts B 1 et B2 appelés les bases. Ce barreau a
une résistance inter base comprise entre 5 et 10 kΩ environ.

Cette jonction PN a été diffusée en un point intermédiaire entre B 1 et B2 ; et est accessible par la
troisième électrode appelée émetteur (E).

b. Description
B2

R2
E
B2
N
E
P R1
VB
N
B1
B1

Le transistor unijonction contient trois électrodes dont : L’émetteur, la base 1 et la base 2. C’est
pourquoi on l’appelle tantôt Diode à double base.

c. Symbole
B2
E

d. Fonctionnement B1

IB2

VD R2
IE
VBB

L’ensemble équivaut à une diode VE aboutissantIB1au point


R1 commun de deux résistances R 1 et R2. Pour
que cette diode conduise il suffit d’appliquer sur son anode (qui n’est rien d’autre que l’émetteur) un
potentiel UP (tension PIC) telle que :
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R1
U P=U D + .U
R1 + R2 BB

Avec :

U D: Seuil de la diode
U BB: Tension inter base ou intrinsèque

La tension UP peut aussi être déterminée par l’expression :

U P=0,7 +η .U BB

R1
Avec : η= : rapport intrinsèque. Il est généralement compris entre 0,5 et 0,8.
R1 + R2

Mais dès que la tension U P est atteinte, un phénomène d’avalanche fait que la résistance R 1 tombe
soudainement à une valeur presque nulle.

Pour résumer le comportement du TUJ, nous dirons que :

 Tant que la tension VE reste inférieure à UP (tension PIC), le dipôle EB1, peut être considéré
comme un dipôle ouvert (une grande résistance) ;
 Lorsque la tension VE atteint la tension pic (UP) le dipôle EB1 peut alors être considéré comme
une diode passante (résistance très faible).

e. Courbe caractéristique

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Courant IE extrêmement faible pour VE<UP ;
 Brusque augmentation du courant IE pour VE = UP accompagnée par une chute brusque de cette
même tension VE vers la valeur minimale dite de Vallée.
f. Sens des courants et des tensions

IB2

B2
E IE
VBB
VE
B1

g. Générateur d’impulsion à TUJ ou Oscillateur relaxateur à TUJ

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VA

R RB2

B2
E
B1 VB2
C
RB1 VB1

 Fonctionnement
Lorsque la tension VA est appliquée au circuit, le condensateur C se charge à travers R. dès que la
tension aux bornes de C atteint la valeur PIC, le TUJ laisse passer le courant et le condensateur C se
décharge brusquement dans RB1. Ainsi produisant une impulsion positive à la base B1 et une
impulsion négative de plus faible amplitude est produit simultanément à la base B2.

Lorsque UC atteint la valeur de la tension vallée (≅ 2 V ), le TUJ se bloque et le cycle recommence.

h. Calcul de la période

la période des impulsions T dépend des valeurs de R, C et η.

T =RC ln ( 1−η
1
)
Dans le cas d’une valeur typique de η=0,64 :

T =RC

Note : - RB1 : a pour rôle de limiter le courant de charge de C ;

- RB2 : sert à compasser l’influence de la température.

III.1 Générateur en dent de scie à TUJ

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+VA
R1 R3 R4
TR
TUJ
R2
C
R5

Dans ce montage, le condensateur est chargé à courant constant par le transistor monté en
générateur de courant fixe.

III.1.1. Générateur de rampe de courant

Dans ce type de générateur, c’est le courant qui varie linéairement en fonction du temps. Dans le cas
du tube à rayon cathodique à déviation électromagnétique, le champ magnétique doit varier
linéairement avec le temps. Il est nécessaire d’appliquer aux bobines de déviation un courant qui
varie linéairement en fonction du temps.

CHAPITRE QUATRIEME

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LES ÉLÉMENTS A PLUSIEURS COUCHES

IV.1 : LE THYRISTOR

IV.1.1. Généralités

e thyristor est un composant de l’électronique de puissance inventé en 1957.

Il est actuellement utilisé dans tous les domaines de l’électronique pour commuter, contrôler,
transformer, etc. d’une manière efficace, économique et viable des puissances en courant continue et
en courant alternatif

IV.1.2. Constitution

Le thyristor est un élément semi-conducteur constitué par une succession de quatre couches P et N.

Trois électrodes métalliques réalisent les liaisons vers l’extérieur. Il s’agit de l’anode «A», en contact
avec une couche P, de la cathode «K», en contact avec une couche N et de la gâchette «G, en
anglais Gâte », en contact avec une couche P.

A K
P N P N
N

L’ensemble semi-conducteur est ensuite « encapsulé » dans différents types de boîtiers selon qu’il
s’agit de thyristor à faible, moyenne ou forte puissance.

De nos jours on fabrique des thyristors de diverses tailles :

 Les thyristors à faible courant (pouvant fournir des courants inférieur à 1 ampère) ;
 Les thyristors à fort courant (pouvant fournir des courants qui peuvent atteindre une centaine
d’ampères).

Comme la diode, le thyristor laisse passer le courant électrique dans un seul sens ; mais bien qu’il soit
polarisé dans le sens passant, il ne laissera pas circuler un courant tant qu’on n’injectera pas un
courant minimal au niveau de la gâchette.

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C’est donc une diode commandée et plus spécifiquement un redresseur commandé d’où son nom
anglais « Silicon controlled rectifier » (SCR) ce qui signifie« Redresseur commandé au Silicium ». Il
est aussi connu sous le nom de Triode à blocage inverse.

a. Différentes couches d’un thyristor

Comme nous l’avons évoqué, le thyristor comporte quatre couches PNPN :

JA JC JK

A K
P N P N
N

En regardant la figure ci-dessus, les couches portent les noms suivant de gauche à droite :

 Couche d’anode (type P)


 Couche de blocage (type N)
 Couche de commande (type P)
 Couche de cathode (type N)

Ayant quatre couches, nous pouvons déduire qu’il y a trois jonctions. Une jonction d’anode (JA), une
jonction de cathode (JK) et une jonction de commande ou centrale (JC).

1. La jonction d’anode (JA) : située entre la couche d’anode et de blocage. Elle laisse passer un faible
courant inverse et supporte une tension inverse élevée.

2. La jonction de commande (JC) : située entre la couche de blocage et celle de commande. Avant
l’amorçage, elle supporte toute la tension d’alimentation.

2. La jonction de cathode (JK) : située entre la couche de commande et la couche de


cathode. Elle possède un courant inverse élevé mais ne supporte qu’une faible tension
inverse.

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b. Symbole

G
K

Thyristor de puissance, utilisé dans le

IV.1.3. Principe de fonctionnement

Considérons le montage ci-dessous :

R2

A
TH
R1 K VAK
K
VG

Pour que le thyristor puisse conduire, il faut polariser l’anode positivement par rapport à la cathode
(VA>VK) puis appliquer un signal de commande (impulsion) à la gâchette.

1. Polarisation inverse

TH VAK
K
G

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Nous remarquons que VA<VK ; dans cette condition, le thyristor se comporte comme une diode à
l’état bloqué. Si la tension augmente au-delà d’une certaine valeur pouvant varier entre 50 V et 3000
V selon le type du thyristor, le courant de fuite augmente brusquement et provoquant ainsi la
destruction du thyristor.

2. Polarisation directe

Dans la polarisation directe, VA>VK ; on fait allusion à la conduction normale du thyristor.

IV.1.4. Processus d’amorçage d’un thyristor

Il existe deux principaux procédés pour amorcer un thyristor :

1. Amorçage par la tension directe (IG = 0)

Pour expliquer son fonctionnement, on peut associer deux transistors imbriqués qui donne aussi un
circuit équivalent d’un thyristor :

IA
IB1
T1 (PNP)
IC2
IC1
IG
G T2 (NPN)
IB2

Remarquons que les deux transistors sont reliés de telle manière que le courant collecteur-émetteur
de chacun d’eux est le courant de base de l’autre.

Puisque IG = 0, la base de T2 n’est pas alimentée et par conséquent, il ne circule aucun courant de
collecteur dans les deux transistors ; donc les deux transistors sont alors à l’état bloqué. Mais si on
augmente progressivement la tension appliquée à l’anode jusqu’à une valeur critique appelée
TENSION DE RETOURNEMENT (VB0), un phénomène d’avalanche se produit dans la jonction de
commande ; la barrière de potentielle de la jonction de commande s’effonde et le thyristor devient
conducteur.

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2. Amorçage par courant de gâchette

Le courant de gâchette IG correspond au courant de base de T2. Quand il est appliqué, le courant du
collecteur à la sortie est :
Ic 2=β 2 . I B 2=β 2 . I G

IC2 sert de courant de base de T1; par conséquent, T1 devient saturé et le courant au collecteur IC1
devient :

I C 1=β 1 . I B 1 or I B 1=I C 2=β 2 . I G

I C 1=β 1 . β 2 . I G

I C 1 vient s’ajouter au IG, ainsi IG est alors amplifié successivement par T1 et T2 jusqu'au moment où
les deux transistors entrent en saturation. A ce moment le thyristor est amorcé et sa résistance
interne devient nulle. L’impulsion de commande (IG) ayant cessé, le thyristor reste conducteur et peut
livrer passage à des courants très importants sans dissiper en eux-mêmes une puissance aussi forte
que ne le ferait un transistor saturé dans les mêmes conditions.

Malheureusement, ce courant ne peut pas être annulé aussi facilement qu’il a été établi. Pour ce faire,
il faut pratiquement désamorcer le thyristor.

III.1.5. Processus de désamorçage d’un thyristor

Pour désamorcé un thyristor, il faut :

 Faire chuter fortement la tension anode-cathode; Dès que le courant descend en dessous du
courant minimal appelé Courant de maintien (IH : Hold currunt), le thyristor se désamorce ou
ne conduit plus ;
 Soit supprimer ou inverser la tension directe appliquée au thyristor.

III.1.6. Réseaux caractéristiques d’un transistor

La figure ci-dessous, montre l’allure du réseau IA/UAK. Cette caractéristique UD = f(ID), comprend
trois zones :

ZONE OA : Le thyristor est sous tension directe et reste bloqué si UD < UBO0. Le courant ID est très
faible;

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ZONE AB : C’est une zone transitoire où le thyristor est instable. Le fonctionnement normal ne se fait
jamais dans cette zone;

ZONE BC : Le thyristor est conducteur et se comporte comme une diode passante. Le point de
fonctionnement se trouve sur la droite BC.

(A)
ID

uc
In ti
o

st o
n
d

a n
C

bl
e
bl
o
q
u
é
IG
2
IG
1

=0
IG
B

de

ne

en
U.

ur
to
re

t
UD
(V)
0
UB

UB
O0
UB
B3

20

10
U

0
invers

claqu
e de

age
U.

IV.1.7. Commande d’un thyristor à l’aide d’un transistor Unijonction

Il existe de très nommbreux dispositifs permettant de produire des impulsions de gâchette aptes à
declencher le thyristor. Le plus employé met en œuvre un transistor unijonction.

 Montage

RC
RV
D1 D3 RB
2 A
DZ
Secteur 220 V TH
G K
D2 D4 C
RB
1

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IV.1.8. Alimentation d’un thyristor en continu et en alternatif

IV.1.8.1. Alimentation en tension continue

1. Si on alimente l’anode et la gâchette d’un thyristor avec une tension de polarité positive, on obtient :

Fig.1

(voir fig.1)

 Lorsqu’on appuie sur le bouton P1, une impulsion positive arrive sur la gâchette, ce qui
provoque la conduction du thyristor qui fait alors allumer l’ampoule reliée sur son anode (A). Si
on relâche le poussoir P, l’ampoule ne s’éteindra pas (B). Pour l’éteindre, il faut retirer la
tension d’alimentation de son anode par l’intermédiaire de l’interrupteur S1 (C).
 Si on ferme à nouveau l’interrupteur S1, l’ampoule reste éteinte car le thyristor pour redevenir
conducteur doit recevoir de nouveau la tension positive nécessaire à la gâchette.

2. Si on applique une tension polarité négative sur la gâchette (voir fig.2), et que l’on appuie ensuite
sur le bouton P1, le thyristor ne sera pas excité même si l’anode est alimentée avec une tension
positive. Il se produit la même chose si on relie le négatif à l’anode (voir fig.3) et le positif sur
la gâchette :

Fig. 2 Fig. 3

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IV.1.8.2. Alimentation en tension alternative

1. Si on alimente l’anode et la gâchette d’un thyristor avec une tension alternative, comme sur les
figures ci-dessous :

Fig. 4

 Si on appuie sur le bouton P1 placé sur la gâchette, m’ampoule s’allume parce que les demi-
ondes positives de la tension alternative nous permet d’avoir le même résultat que celui
illustré sur la figure 1.
 Dès que l’on relâche le poussoir, elle s’éteint immédiatement.

2. Si on alimente seulement la gâchette avec une tension alternative et l’anode avec une tension
continue, on obtient :

En appuyant sur P1, l’ampoule s’allume mais ne s’éteint pas si on relâche le poussoir. Pour pouvoir
éteindre l’ampoule, il faudra ouvrir l’interrupteur S1.

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3. Si on alimente l’anode avec une tension alternative et la gâchette avec une tension continue
positive, on obtient :

En appuyant sur P1, l’ampoule s’allume mais dès que l’on relâche le poussoir, elle s’éteint.

Pour pouvoir toujours maintenir allumée l’ampoule reliée à un thyristor alimenté avec une tension
alternative, on devra toujours garder le bouton poussoir P1 enfoncé.

Comme les thyristors ne deviennent conducteurs que lorsque la demi-onde (période) positive se
trouve à leur anode, l’ampoule ne recevra que la moitié de la tension d’alimentation.

Exemple : si on relie une ampoule de 12 V à l’anode du thyristor et que l’on alimente le circuit avec
une tension alternative de 12 V, l’ampoule ne recevra qu’une tension de 6 V. Donc pour allumer une
ampoule de 12 V, on doit appliquer une tension d’alimentation (alternative) de 24 V sur l’anode.

Ceci étant posé, vous comprenez maintenant que pour exciter un thyristor, il est indispensable que se
soit une tension positive qui soit appliquée sur son anode et que se soit une impulsion positive qui soit
appliquée sur la gâchette.

IV.1.9. Règles d’association des thyristors

Comme dans les montages redresseurs à diodes, on trouve souvent des assemblages de thyristors
reliés ensemble par leur cathode ou reliés ensemble par leur anode. Ces assemblages obéissent à
des règles de fonctionnement simple dont la connaissance nous aidera beaucoup pour l’étude des
ponts redresseurs qui vont suivre.

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IV.1.9.1. Association de thyristor à cathode commune

Un assemblage de n thyristors reliés par leur cathode est dit « Association de thyristors à cathode
commune » TH1

TH2

V1 TH3 Supposons qu’à un instant t 0 donné i s (t 0 )> 0. Cela


V2 VS signifie qu’au moins un thyristor est passant.
V3

En résumé, dans cette association :

1°. Pour qu’un thyristor s’amorce, il faut, juste avant


son amorçage, la tension VA soit supérieure à zéro
c’est-à-dire, la jonction anode cathode soit polarisée
en directe et doit être commandé.

2°. Si plusieurs thyristors sont commandés simultanément, seul celui dont le potentiel d’anode est le
plus élevé peut s’amorcer (si les conditions ci-haut sont remplies).

3°. Un thyristor peut se bloqué de deux façons :

 Si is (t )> 0, un thyristor se bloque, si dans la même association, un autre thyristor dont le


potentiel d’anode est supérieur, est commandé (et devient donc conducteur).
 Si i s (t ) devient nul, le thyristor, préalablement conducteur, se bloque de lui-même.

III.1.9.2. Association de thyristor à anode commune

Un assemblage de n thyristors reliés par leur anode est dit « Association de thyristors à anode
commune ».

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TH1 On peut utiliser le même raisonnement que pour


l’association de thyristor à cathode commune.
TH2

TH3 En résumé, dans cette association :


V3
V2 VS
V1
1°. Pour qu’un thyristor s’amorce, il faut remplir les
conditions suivantes :

 Juste avant son amorçage, son potentiel de cathode doit être inférieur à Vs (plus négatif)
 Il doit être commandé par la gâchette.

2°. Si plusieurs, thyristors sont commandés simultanément, seul celui dont le potentiel de cathode est
le plus faible peut s’amorcer si les conditions ci-haut sont remplies).

3°. Un thyristor peut se bloquer de deux manières :

 Si i s (t )> 0, un thyristor se bloque, si dans la même association, un autre thyristor, dont le


potentiel de cathode est inférieur est commandé(et devient donc conducteur).
 Si !le courant i s (t ) devient nul, le thyristor préalablement conducteur, se bloque de lui-même.

IV.2. LE TRIAC ET LE DIAC

IV.2.1. LE TRIAC

IV.2.1.1. Généralités

orsqu’on souhaite contrôler un courant alternatif, un seul thyristor ne suffit pas

puisqu’il ne peut être traversé par le courant que dans un seul sens. Pour y arriver, on fait appel
à un autre composant électronique appelé : Triac.

Le Triac (Triode Alternating Current) également appelé Thyristors bidirectionnels ou Redresseur


contrôlé, est apparu sur le marché en 1964. C'est un élément semi conducteur bidirectionnel, qui peut
passer d’un l’état bloqué à un régime conducteur dans le deux sens de pilarisation. Et comme le
thyristor, ce composant possède trois électrodes : deux électrodes principales appelées A1 et A2
(pour Anode 1 et Anode 2) ou MT1 et MT2 (pour Main Terminal 1 et Main Terminal 2, Main Terminal
signifiant ici Terminaison principale), et une électrode de commande G (pour Gâchette) qui permet

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d'amorcer (de déclencher) plus facilement la conduction du courant entre les deux électrodes
principales Anode 1 (A1) et Anode 2 (A2).

IV.2.1.2. Symbole

Le triac est donc une version bidirectionnelle du thyristor.

On peut le comparer par l'équivalent de deux thyristors montés tête-bêche. Mais comme le triac peut
conduire dans les deux sens, son utilisation en alternatif est évidente, puisqu'elle permet d'exploiter
les deux alternances.

IV.2.1.3. Modes de déclenchement d’un triac

On distingue quatre modes de déclenchement possible (parfois appelés modes 1 à 4 ou 4 quadrants)


dans lesquels le triac peut être utilisé, selon les sens relatifs des courants de gâchette et du courant
principal(A1,A2).

Sachant cela, il reste à connaitre les points suivants pour comprendre comment un triac peut être
amorcé.

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 Le triac s'amorce (devient passant) quand la tension entre les anodes A1 et A2 dépasse une
certaine valeur appelée tension d'amorçage. La valeur de cette tension d'amorçage est fortement
réduite quand une tension est appliquée sur la gâchette. Et cela quelque soit la polarité de la
tension appliquée entre A1 et A2, et quelque soit la polarité de la tension appliquée sur la gâchette.
C'est précisément grâce à cette caractéristique que le triac peut être utilisé en alternatif.

 L'état passant du triac persiste tant que le courant circulant entre les Anodes A1 et A2 ne descend
pas en dessous d'une certaine limite appelée courant de maintien (ou courant hypostatique). Il est
intéressant de constater qu'une fois le triac amorcé, le courant qui le traverse ne dépend pas du
signal appliqué sur la gâchette. En d'autres termes, si la tension de commande disparait (de façon
volontaire pour économiser sur la consommation, par exemple), le triac reste amorcé (conducteur)
jusqu'à ce qu’on inverse la tension ou le courant de passage entre A1 et A2 redescende en
dessous de la valeur du courant de maintien.
 La sensibilité du triac dépend du quadrant dans lequel on le fait fonctionner.

Le quadrant 4 n'est quasiment jamais utilisé du fait qu'il nécessite un courant de gâchette important
(d'au moins 100 mA pour les triacs de type BTAxx-600), à moins de compenser la faible sensibilité par
l'emploi d'un transformateur d'impulsion. La plus grande sensibilité de déclenchement est obtenue
avec les quadrants 1 et 3.
L'application d'un courant continu pour la commande (sur la Gâchette) est bien souvent préféré en vue
de la simplification du montage mais ne produit pas toujours les meilleurs résultats, et une commande
Impulsionnelle est parfois préférée. La commande par une tension alternative est également possible,
le triac est alors inclus dans un système dit d'auto déclenchement.

Certains triacs bon marché (standards) peuvent nécessiter un courant de gâchette de plusieurs
dizaines de mA, alors que d'autres, parfois appelés "triacs sensibles" se contentent de quelques mA,
voire moins de 1 mA.

IV.2.1.4. Courbe caractéristique

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IL
I
H

Tension de retournement
(Breakover voltage)

Contrairement au thyristor, on voit que le triac peut conduire dans le deux sens de polarisation.

IV.2.1.5. Usage principal du Triac


Le Triac est principalement utilisé :

 Dans les gradateurs de lumière ou modulateurs de lumière;


 Comme un "simple" interrupteur (relais électronique);
 Dans un programmateur électronique;
 Dans une minuterie ou dans un clignotant.

IV.2.2. LE DIAC

IV.2.2.1. Généralité

e nom de Diac provient de la contraction d’une expression anglo-saxonne : Diode Alternative


Current signifiant diode pour courant alternatif.

Le Diac est une diode bidirectionnelle: elle peut être passante ou bloquée dans les deux sens, selon
le sens du courant alternatif. Son rôle essentiel est de servir au déclenchement d'un triac.

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Bien qu’il ressemble physiquement à une diode zener, sa constitution et son fonctionnement sont
différents.

IV.2.2.2. Symbole

ou

IV.2.2.3. Fonctionnement

Lorsqu’on augmente la tension aux bornes du Diac, il ne laisse passer qu’un très faible courant (une
dizaine de micro ampère).

Le Diac ne conduit pas le courant suffisant, tant que sa tension nominale (tension de seuil) n'est pas
atteinte. Cette tension (breakover voltage, en anglais) se situe, suivant le modèle, vers 32 ou 40 V
environ. Lorsque cette tension est atteinte, le Diac devient très conducteur et la tension de seuil du
composant chute aux alentours de 5 V (valeur typique).

Pour que le Diac soit à nouveau bloqué, il suffit que la tension à ses bornes soit supprimée ou
inversée (elle passe alors par zéro).

IV.2.2.4. Courbe caractéristique

La caractéristique de Dac est symétrique.

IV.2.2.5. Application du Diac

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Le Diac est beaucoup plus utilisé pour commander le Triac. (Exemple : dans les variateurs de lumière
et variateur de vitesse).

IV.2.2.6. Schéma de variateur à Triac et Diac

L
P R
Diac
UA Triac

N
C

Admettons la chose suivante : le générateur de courant continu produit une tension d'environ 35
Volts. Donc, UPN = 35 V. La résistance R permet deux choses :

 Réduire la tension, car sinon, le Diac serait tout de suite passant; On utilise d'ailleurs plus
souvent un pont diviseur de tension, plutôt qu'une résistance seule.
 Permettre au condensateur de se charger plus lentement, et, de ce fait, avoir une
Temporisation.
Au fur et à mesure que le condensateur se charge, la tension à ses bornes augmente. Lorsque celle-
ci atteint la tension de seuil du Diac, celui-ci laisse passer le courant. Le condensateur se décharge
donc à travers lui, et la tension à ses bornes diminue Lorsque U AN <32 V, le Diac ne laisse plus passer
le courant. Mais pendant le très court instant où le courant est passé, le triac, qui peut être remplacé
par un thyristor si le courant est continu, à été amorcé. Le courant passe donc et allume la lampe, qui
ne s'éteindra que si on ouvre l'interrupteur.

Le condensateur peut se charger plus ou moins lentement, selon la valeur de la résistance: on a une
temporisation.

NB : Le modèle de Diac le plus connu est le Diac 32 V ou le DB3 (28 à 36V typique ; tension
d’amorçage). Le DB4 s’amorce à 40 V (35 V à 45 V typique).

On peut récupérer des Diac dans les culots des lampes fluocompactes basse consommation HS. Ce
sont souvent des petits composants bleus avec un trait noir au milieu. On trouve aussi des Diacs dans
les transformateurs électroniques 12 V pour lampes halogène : le Diac sert à l’amorçage d’un
transistor de l’alimentation électronique.

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IV.2.2.7. Exemple pratique d’un variateur de lumière simple (pour ampoule 220 Volts)

n variateur de lumière est généralement utilisé pour réduire la

luminosité des ampoules, souvent placées dans des chambres à coucher ou qui son
destinées à maintenir un certain éclairage pendant que l’on regarde la télévision.

Pour réduire la luminosité d’une ampoule, il faut seulement abaisser la valeur de la tension
d’alimentation, c’est-à-dire la faire descendre des 220 Volts fourni par le secteur à des valeurs
inférieures, telles que 160, 110, 80 ou 40 Volts.

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Le boitier du variateur fermé

 Schéma électrique de réalisation

Le potentiomètre R1 est utilisé pour charger le condensateur C1 avec un retard qui pourra varier en
modifiant la valeur ohmique du potentiomètre.

Si on règle le potentiomètre sur sa valeur de résistance minimale, le condensateur se chargera très


rapidement, les impulsions d’excitations atteindront alors la gâchette du triac sans aucun retard.

Si on règle le potentiomètre sur sa valeur de résistance maximale, le condensateur se chargera


beaucoup plus lentement, les impulsions d’excitations atteindront alors la gâchette du triac en retard.

Le composant VK1est un bobinage antiparasite, enroulé sur un noyau en ferrite qui, associé à R3 et
C3 sert à éliminer tous les parasites générés chaque fois que le triac est excité ou désexcité.

Sans ce filtre antiparasite, chaque radio, chaque télévision et chaque amplificateur se trouvant dans
le voisinage, pourrait capter les parasites identiques à ceux générées par l’allumage ou l’extinction
d’une ampoule ou de n’importe quel appareil électrique.

 Liste des composants

N° Composants valeurs N° composants valeurs


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01 R1 470 KΩ 06 C3 100 nF/400 V


02 R2 5,6 KΩ 07 VK1 Self antiparasite
03 R3 100 Ω 08 DIAC Diac
04 C1 47 nF/400 V 09 TRC Triac 500 V/ 5 A
05 C2 47 nF/400 V

CINQUIEME CHAPITRE

L’AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL

V.1. INTRODUCTION

L’amplificateur opérationnel doit son nom au fait qu’à l’origine, il était très souvent employé
dans les calculateurs analogiques pour effectuer des opérations : addition, soustraction, dérivation,
intégration ou pour élaborer des fonctions telles que les fonctions logarithmiques, quadratiques, sinus,
etc…

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Depuis les applications de l’amplificateur opérationnel se sont étendues à des nombreuses
autres fonctions.
De sa constitution, l’amplificateur opérationnel est bien défini par un ensemble d’étage
amplificateurs dont l’étage d’entrée, essentiellement fait d’un montage différentiel est le cerveau de ce
dernier. Un générateur de courant constant dessert l’étage différentiel pour son comportement
meilleur.
C’est pratiquement dans le but d’augmenter les performances de l’amplificateur que l’on
ajoute à la suite de l’étage différentiel bien d’autres étages comme nous allons le découvrir dans la
suite.
En ce qui nous concerne dans le présent chapitre, nous allons donner un résumé succinct
sur l’étage différentiel et sur le service de courant constant en premier lieu. Quant au corps du
chapitre, nous parlerons de ce qui suit :
- Conception de l’amplificateur opérationnel ;
- Mesures sur l’amplificateur opérationnel ;
- Emploi de l’amplificateur opérationnel ;
- Applicateurs typiques ;
- Eléments de calcul opérationnel ;
- Les circuits correcteurs.
V.2. L’AMPLIFICATEUR DIFFERENTIEL ET LA SOURCE DE COURANT CONSTANT

V.2.1. L’amplificateur différentiel

V.2.1.1. Définition et organisation

Un amplificateur différentiel est un amplificateur symétrique à deux transistors, donc à deux


entrées sur les bases permettant d’amplifier la différence entre deux signaux. Il dispose ainsi de deux
sorties sur ses deux collecteurs où se mesure une tension proportionnelle à la différence des deux
tensions d’entrées ; (fig. 4.1).
Plus précisément, la sortie de l’amplificateur est soit égal à la différence des sorties des
transistors T 1 et T 2 (on parle alors d’une sortie différentielle), soit prise seulement au collecteur de
transistor T 2 (configuration la plus fréquente).

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Fig. 4.1.

L’amplificateur différentiel comporte deux transistors identiques T 1 et T 2 de paramètres


hybrides identiques et qui sont polarisés au même point de repos. Les émetteurs de deux transistors
sont reliés à la masse par l’intermédiaire d’une résistance R E.
V.2.1.2. Caractérisation des entrées e 1 et e 2 vis-à-vis d’une sortie S=S 2

Sur la figure 3.1 supprimons une sortie, soit S2. Il ne reste qu’une sortie S=S 1 dont la tension
de sortie se mesure entre cette sortie et la masse.
La tension d’entrée V e 1 est inversement proportionnelle à celle de sortie ; en effet :
 si V e 1 augmente, I B 1 augmente et I C 1 augmente aussi ce qui fait que V S =V S 1 diminue ; donc
V e 1 et V S sont inversement proportionnels. L’entrée e 1 est donc appelée entrée inverseuseou
simplement l’entrée – (moins).
Faisons remarque ici que, par définition, la résistance R E est traversée par un courant
constant I 0.

 si V e 2 augmente, I B 2 augmente, I C 2 augmente ; I C 1diminue car


V I C 1 + I C 2=I 0 V −¿Ve Cte dansV S =V S 1 augmente. V S 2etV S sont proportionnels. L’entrée e 2
est donc une entrée non inverseuse ou simplement l’entrée + (plus).

V.2.1.3. Précision sur les signaux du montage

Très souvent on se contente d’une seule sortie, celle prise sur le collecteur de T 1, la tension
de sortie V S 1=V S s’y mesure par rapport à la masse. Dans ces conditions le circuit (fig. 3.1) est
équivalent à un tripôle avec deux tensions d’entrée V e 1 et V e 2 et une tension de sortie V S (fig. 3.2).

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Fig. 3.2 : e1 (-)entrée inverseuse


1 e2 (+) entrée non inverseuse
La tension différentielle d’entrée est la différence de signaux d’entrée :
V d =V e 1−V e 2

Elle donne un signal unique de sortie


- Le gain en tension différentielle noté « Ad » de l’amplificateur différentiel est :
Vs
Ad =
V e1 −V e 2

- Signal de mode commun : sont le signal commun obtenu en reliant 2 signaux d’entrée (fig.3.3)

Fig. 4.3

Logiquement, en appliquant à l’entrée un signal de mode commun V e la sortie V s devrait


être nulle, par :
V s =A d ( V e 1−V e2 )avecV e 1 ¿ V e 2

En réalité, la sortie ne s’annule pas car un amplificateur différentiel réel ne saurait être décrit
par l’équation ci-dessus. En effet, la sortie ne dépend pas seulement de la différence des signaux
V ed =V e 1−V e2entre V e 1 et V e2 , mais aussi d’un signal de mode communV ec défini comme étant la
tension moyenne des signaux V e 1 et V e2 .
1
V e = ( V e 1 +V e2 )
2

Il en est ainsi du fait de la très grande difficulté d’obtenir deux transistors de paramètres
rigoureusement identiques. D’une façon générale nous écrivons :

V s =A d ( V e 1−V e2 ) + A c (V e1 +V e 2
2 )
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Avec

Ac = ( 2Vs
V e1 +V e 2)lorsqueV e 1 ¿ V e 2

Ac est le gain en tension en mode commun.

Un amplificateur différentiel s’approchera d’autant mieux du cas idéal que Ac sera faible
devant Ad .
Ac ≪ A d

V.2.1.4. Taux de rejection de mode commun

Un bon amplificateur différentiel est celui qui possède un grand gain Ad et un gain Ac nul en
mode commun. On caractérise la performance d’un amplificateur différentiel par son taux de rejection
en mode commun défini par le facteur de mérite.
| A d|
CMRR= p=
| Ac|
| Ad|
Ou CMRR=20 log en dB
| A c|
Nous pouvons écrire :

(
V s =A d V d + A c V c = A d V d 1+
Ac V c
AdV d )
Donc :
( 1 Vc
V s =A d V d 1+ .
p Vd )
Vc
On doit donc concevoir l’amplificateur différentiel tel que p ≫
Vd

V.2.1.5. Analyse de l’amplificateur différentiel*

En régime dynamique, le circuit équivalent du circuit de la figure 2.1 est celui de la figure 3.4.
Chaque transistor est défini par ses paramètres hybrides en émetteur-commun.
h11 et h21 pour T 1 et T 2 ( transistors identiques )

Nous supposons, par approximation, h12 et h22 nuls. Nous négligeons R1 de valeur suffisamment
grande donc parcourue par un courant négligeable.

*
Ce point à lecture libre

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Fig. 3.4
Une disposition plus pratique du schéma équivalent est celle de la figure 3.5.

Fig. 3.5.
CALCUL DE V s (fig. 3.5)
i e =( h21 +1 ) ib1 + ( h21+1 ) ib 2=( h 2+1 ) ( ib 1 +ib 2) (1)
V e 1=[ h11 + R E ( h21+ 1 ) ] i b 1 + R E ( h21 +1 ) i b 2 (2)
V e 2=[ h11 + R E ( h21+ 1 ) ] ib 2 + R E ( h21 +1 ) ib 1 (3)
Soit encore
V e 1=[ h11 + R E ( h21+ 1 ) ] i b 1 + R E ( h21 +1 ) i b 2 (4)
V e 2=[ h11 + R E ( h21+ 1 ) ] ib 2 + R E ( h21 +1 ) ib 1 (5)
Pour simplifier l’écriture posons :

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R=R E ( h 21+1 ) (6)

Il vient :
V e 1=( h11 + R ) i b 1+ R ib2 (7)
V e 2=( h11 + R ) i b 2+ R ib1 (8)
Par application de la loi d’Ohm à la résistance Rc , nous écrivons pour la tension de sortie :
V s =−Rc h21 i b 2 (9)
Du système (7), (8) i b 2 en y éliminant i b 1
De (8) :
V e2 −( h11 + R ) ib 2
i b 1= (10)
R

(10) dans (7) donne :


V e2−( h11+ R ) i b 2
V e 1=( h11 + R ) + Rib 2
R

Soit :
2 2
R . V e1=( h11+ R ) V e2−( h11+ R ) i b 2 + R i b 2

Ou encore :

[ 2 2
]
V e 1−( h11 + R ) V e 2= R −( h11 + R ) i b 2=−( 2 h11 R+h11 ) i b 2
2

−R ( V e1 −V e2 ) −h11 V e2
i b 2= 2 (11)
2h 11 R+h11

Avec (11), (9) devient donc :


R ( V e1−V e2 )−h11 V e 2
V s 2=−Rc h 21 i b 2=Rc h21 2 (12)
2h11 R +h11

CALCULONS V s 1 SUR LE COLLECTEUR T 1

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Tension V s 1 s’obtient par un calcul identique au précédent en permutant V e 1et V e 2. Nous
écrivons donc immédiatement :
R ( V e1−V e 2 )−h11 V e 1
V s 1=−R c h 21 2 (13)
2 h11 R+ h11

CALCULONS LA TENSION DIFFERENTIELLE DE SORTIE


R c h21 ( 2 R+ h11) ( V e1−V e 2 )
V c 2 c1 =V s−V s 1=
2h 11 R+h211

Ou encore après simplification :


Rc h21
V c 2 c1 = 2 ( V e 1−V e 2 ) (14)
h11

Posons :
Rc h 21
Ad =
h11

ATTENTION
D’où : V c 2 c1 =A d ( V e 1−V e 2 )

Du fait de la très grande difficulté d’obtenir deux transistors de paramètres rigoureusement


identiques (comme déjà signalé), la tension différentielle de sortie est en fait aussi dépendante de la
somme V e 1+V e2, (valeur moyenne).
D’une façon générale, nous écrirons :
( V e1 +V e 2 ) (15)
V c 2 c1 =A 1 ( V e1−V e2 ) + Ac
2

où Ad est l’amplification en tension différentielle et Ac l’amplification en tension en mode commun.


V.2.1.6. Calcul des Ad et Ac

a) Le gain en mode différentiel ‘’ Ad ’’


Dans la condition de mesure de Ad posons :
V d =V e : la tension différentielle

Ve
V e 1=−V e 2=
2

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A cause de la symétrie du circuit, si V e 1=−V e 2, alors i c 1=−ic2 et i e =i c1 +i c 2=0. Autrement dit, la
chute de tension aux bornes de R E est nulle ; les émetteurs sont donc électriquement confondus à la
masse (fig. 3.4).
Le gain en mode différentiel Ad peut être facilement obtenu à partir du schéma équivalent de la figure
3.6.

Fig. 3.6 : Calcul de Ad


Ve
=h11 i b 1 ⟹ V e =2 h11 i b 1
2
V s =−Rc h21 i b 2
On déduit que :

V s −1 Rc h 21
Ad = = . (16)
Ve 2 h11

b) Le gain en mode commun ‘’ Ac ’’


Nous avons déjà posé que la tension VC de mode commun a pour expression :
1
V c = ( V e 1 +V e2 )
2

Si V e 1=V e 2=V e alors V d =0 et V c =V e

Dans ce cas, le schéma qui nous permet de calculer Ac est celui représenté sur la figure 3.7.

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Fig. 3.7 :Calcul de Ac

Nous pouvons écrire :


V e =h 11 i b 2+ R E ( h21 +1 ) i b 2
V s =−Rc h21 i b 2
On déduit que :

Vs −R c h21
Ac = = (17)
V e h11+ R E ( h21 +1 )

V.2.1.7. Calcul du taux de rejection en mode commun ‘’CMRR’’

CMMR=
|A d|
Ac
=
2 [
1 R E ( h21 +1 )
h11
+1
] (18)

On déduit que pour avoir un très bon CMRR, on a intérêt à prendre R E aussi grand que
possible. A la limite, si R E ⟶ ∞, CMRR∞. En pratique, on est limité par les valeurs de R E qu’on ne
peut prendre très grandes. En effet, dans ce cas, la chute de tension aux bornes de R E devient
importante.
La valeur de la tensionV EE doit être plus grande pour maintenir le courant de polarisation à
sa valeur initiale. De plus, on doit garder en tête que l’équation donnant A c n’est qu’une solution
approchée.
On peut montrer qu’en prenant des valeurs importantes de R E, l’approximation n’est plus justifiée.
En résumé, on ne peut en aucun cas atteindre la valeur idéale par le taux de rejection en
mode commun que les contraintes pratiques tendent toujours à limiter.

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Fréquemment pour améliorer CMRR d’un amplificateur différentiel, on remplace R E par une
source de courant constant, qui présente une très grande résistance interne (elle est infinie pour une
source de courant idéale).
V.3. CONCEPTION DE L’AMPLICATEUR OPERATIONNEL

V.3.3.1. Structure de base

Un amplificateur opérationnel est constitué d’un certain nombre d’étages amplificateurs. Ce


nombre d’étages est justifié par l’amélioration des performances de ce dernier. L’étage d’entrée qui
est un amplificateur différentiel constitue la base même de l’amplificateur opérationnel. Ce premier
étage différentiel doit avoir des courants collecteurs imposés par l’emploi d’une source de courant
constant afin que le taux de réjection en mode commun soit important (fig. 2.10) du paragraphe
précédent.
On remarquera sur ce schéma, la présence de deux sources de tension continue +V cc et V EE
; le point de référence de mesure des tensions est la masse.
Afin que la bande passante de l’amplificateur soit importante, il faut nécessairement utiliser
des transistors :
- de fréquence de transition élevée
- de faibles capacités d’entrée et de sortie ;

- dont les charges collecteurs sont peu importantes ( Rc 1 , R c2 ).


Pour que l’amplitude maximale des tensions de sortie V s 1 , V s 2, reste importante jusqu’à des
fréquences élevées, le courant collecteur des transistors T1 et T2 doit être relativement élevé, c’est en
effet ce courant qui charge et décharge les capacités parasites liées au collecteur. Par suite,
l’impédance d’entrée de l’étage est faible en alternatif et les courants d’entrée i b 1 , ib 2 sont importants.
Dans ces conditions, le bruit de l’étage qui est proportionnel au courant collecteur n’est pas minimum.
Les défauts relatifs à l’impédance et aux courants d’entrée seront éliminés par l’emploi d’un étage
‘’Darlington’’ (fig. 3.12).

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Fig. 3.12 : Défaut relatifs à l’impédance et aux courants d’entrée diminuer par les étages Darlington
En se reportant au schéma de la figure 3.12, on peut noter que :
- la chute de tension aux bornes de RE5 étant assez faible, manière à conserver une tension de
mode commun élevée, la diode D assure une compensation des variations des tensions de la
tension base-émetteur du transistor T5 ;
- les résistance RE3- RE4 de fortes valeurs (supérieures à l’impédance d’entrée de T1-T2) sont
destinées à éliminer les charges emmagasinées dans les capacités d’entrée de T1 et T2. Elles
sont particulièrement utiles pour maintenir un fort niveau de sortie aux fréquences élevées,
surtout lorsqu’il est nécessaire d’exploiter au mieux le mode commun de l’amplificateur ;

- la tension différentielle d’entrée de l’étage doit être très faible, et les courants d’entrée
identiques ; à cet effet, les transistors T1-T2, T3 et T4 sont appariés deux à deux en tension
base-émetteur et en gain en courant, et ce, dans la gamme de température d’utilisation (deux
transistors dans le même boitier).
Définissons ci-dessous les caractéristiques de performance qui sont les qualités
fondamentales d’un amplificateur opérationnel.
V.3.2. Définitions des caractéristiques

Un amplificateur opérationnel polyvalent possède deux entrées et deux sorties (fig. 3.13).

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Fig. 3.13 : Symbole de l’amplificateur opérationnel polyvant

V s 1 , V s 2 sont des tensions de phases opposées dont les valeurs sont soit positives, soit
négatives par rapport au potentiel commun aux deux sources de tension d’alimentation+V cc et−V EE.
On doit avoir |+V cc|=|−V EE| ou sensiblement égaux pour que les valeurs maximales
positives ou négatives des tensions de sortie soient aussi sensiblement égales.
Notons que la plupart des amplificateurs commercialisés (circuit intégrés) ne possèdent
qu’une sortie (fig. 3.14) ; toutefois, la seconde est exploitable moyennant l’adjonction de quelques
composants.
On notera également que V s 1 et V s 2 sont en phase et en opposition de phase avec V s 2, inversement
pour V s 2 .

Fig. 3.14 : e 1:(-) entrée inverseuse


e 2:(+) entrée non inverseuse

Pour plus de simplicité, les tensions d’alimentation +V cc et−V EE ainsi que la masse ne sont
pas figurées sur les schémas symboliques.
Les qualités fondamentales d’un amplificateur opérationnel sont ci-bas citées :
- une très faible impédance de sortie ;

- une très grande impédance d’entrée ;


- un très grand gain en tension s’il est utilisé avec rétro-action (R-A) ;

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- une large bande passante (depuis le continu) ;
- un faux zéro continu d’entrée très faible (pour une tension différentielle d’entrée D.I.V.O) ;
- une forte excursion des tensions de sortie jusqu’à des fréquences élevées ;
- un faible bruit ;
- des faibles dérives en particulier du gain et du faux zéro d’entrée en fonction du temps et de la
température ;
- des faibles dispersions (bonne reproduction), etc…
V.3.3. Structure aux performances améliorées

Pour améliorer les qualités d’un amplificateur opérationnel et de le faire tendre vers un cas
idéal, des ajouts sont portés sur le simple étage différentiel d’entrée. Nous avons déjà dit que l’emploi
d’un montage Darlington comme étage différentiel d’entrée augmente l’impédance d’entrée, est qui
est une amélioration car pour un amplificateur opérationnel idéal, l’impédance d’entrée est infinie.
Dans le but d’améliorer les qualités de l’amplificateur opérationnel, entre autre, on ajoute à
l’étage d’entrée, des étages et des circuits utilisables pour en corriger les performances.

a) Deuxième étage de l’amplificateur opérationnel


Le deuxième étage peut être également différentiel, cependant, il n’est pas nécessaire que
son taux de réjection en mode commun soit important, le premier étage ayant éliminé la tension
commune appliquée aux deux entrées.
De même les transistors utilisés pour le réaliser peuvent ne pas être appariés puisque l’erreur due à
sa tension différentielle d’entrée non nulle, ramenée à l’entrée du premier étage est divisée par le gain
en tension de celui-ci.
Pour réaliser une liaison directe entre les deux étages différentiels, le second doit être
équipé de transistors complémentaires de ceux du premier étage, ici des PNP (fig. 3.15).

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Fig. 3.15.
Normalement, les charges Rc6 et Rc7 ainsi que RE doivent être déterminées lorsque la tension
appliquée aux entrées est nulle ( V e 1 ,V e 2 ), pour obtenir des tensions de sortie V s 1 et V s 2 également
nulle (point de repos). On admet dans ces conditions que les tensions différentielles d’entrée des
transistors sont nulles.
Si les courants IB6 et IB7 sont faibles devant les courants collecteurs Ic1 et Ic2 imposés, les
tensions de base T6 et T7 sont connues et il est alors facile de déterminer la valeur de RE, valeur qui
fixe la somme des courants collecteurs Ic6-Ic7.

Les résistances RE6 et RE7 permettent, tout en symétrisant les transistors T 6-T7 d’augmenter leurs
impédances d’entrée qui sont en parallèles sur les charges R c1 et Rc2 et d’amener le gain en tension
du second étage différentiel à la valeur souhaitée.
On notera que la valeur des capacités parasites collecteurs-base (C cb) de T6 et T2 vues des
charges Rc1 et Rc2 est multipliée par le gain en tension de l’étage (effet Miller).
Ainsi, pour une capacité parasite donnée, toute augmentation du gain en tension du second
étage aura pour effet de réduire la bande passante du premier étage.
Pour un amplificateur à large bande, il est possible d’atténuer sensiblement cet inconvénient
en insérant un transistor monté en collecteur commun dans chacune des liaisons entre les deux
étages (forte impédance d’entrée, faible impédance de sortie).
La valeur des courants collecteurs de T6 et T7 doit être suffisamment importante pour assurer
la charge et la décharge des capacités parasites des collecteurs aux fréquences élevées, en effet, le
second étage doit délivrer des tensions de sortie Vs1 et Vs2 de grande amplitude.
Soit Av1 et Av2 les gains en tension des deux étages, on a :

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V s 1−V s 2
= A v1 . A v 2
V e1−V e2

V s1 −V s 2 V −V s 2
De même : = A v 2 ⇒V c 1−V c 2= s 1
V c1 −V c2 A v2

Ce qui montre que les variations des tensions collecteurs de T 1 et de T2 sont Av2 fois plus faibles que
les variations des tensions de sorties. En conséquence, il sera logique à capacités parasites égales
sur les deux étages, que les courants collecteurs du second étage soient A v2 fois ceux du premier
étage.
b) ETAGE DE SORTIE DE L’AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL
Le ou les étages de sortie sont destinés essentiellement à assurer une transformation
d’impédance, ils doivent avoir :
- une impédance d’entrée grande devant Rc6-Rc7 ;
- une impédance de sortie la plus faible possible compte tenu de la charge extérieure et ses
tensions de sortie souhaitées.
De nombreux montages sont utilisables pour réaliser les étages de sortie ; un exemple
simple en est donné sur le schéma général de la figure 3.16 sur lequel une seule sortie est
représentée. Cet étage de sortie est un push-pull complémentaire
Donnons ci-dessous, à titre indicatif, quelques-unes des principales caractéristiques que
pourrait avoir un amplificateur réalisé selon le schéma de la figure 2.16. Il est évident que ces
caractéristiques dépendent, dans une grande mesure du choix des transistors et des valeurs
adoptées pour les différentes résistances.
 Alimentation : +V cc =12V
− V EE=−12 V
 Gain en tension : A v ≥ 72dB
 Impédance d’entrée : Zi ≥ 1 MΩ
 Impédance de sortie : Z s ≤ 200 Ω
 Faux zéro : D . I .V . O≤ 20 mV
 Bande passante à 3dB : B ≥1 OOkHz
 Tension de sortie :V s ≤ ±7 V sur Z u=10 KΩ

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Ve1

−V EE

Fig. 3.16 : Exemple de schéma d’un amplificateur opérationnel


Les réalisations pratiques des amplificateurs opérationnels sont actuellement en circuits
intégrés avec des schémas internes très diversifiés et très complexes avec utilisation de la
technologie à transistors bipolaires, TEC-MOS ou mixte.
Principalement, on rencontre sur le marché des amplificateurs de tension A vmais des
amplificateurs des types de transimpédance Az, de transadmittance Ay et de courant Ai sont
réalisables mais ne sont pas de publication.
De nombreux amplificateurs opérationnels modernes à hautes performances existent
actuellement, certains de leurs caractéristiques sont nettement améliorés.
Il existe des amplificateurs standards à emplois multiples et des amplificateurs à emploi
spécialisé, ainsi une société comme National Semiconductor propose, dans son catalogue, plus de
150 modèles différents d’amplificateur.
A titre d’exemple, l’amplificateur LF 157 A de National Semiconductor présente les
principales caractéristiques suivantes :
V cc =+ 22V
V EE=−22 V
A v ≥ 50.000
D . I .V . O≤ 1 mV
V s ≤ ±12 V sur Ru=10 KΩ
S L ≥ 40 V / μs ( Slew rate )
ST à 0,01 % ≈ 1,5 μS ( Settlingtime )
C . M . R . R ≈100 dB ( Common mode rejection ratio ) protection permanente contre les
courts-circuits en sortie.

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V.4. APPLICATION DES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS
V.4.I. INTRODUCTION
Il mérite le nom de l’amplificateur opérationnel du fait qu’a l’origine. Il fut utilise pour la toute première
fois pour effectuer les opérations mathématiques dans les calculateurs analogiques, on les appelle
aussi « Ampli à circuit intègre linéaire : « A.C.I.L »
Dés nos jours ces amplificateurs opérationnels trouvent une application dans divers domaine
électronique, d’où ce champ de leur utilisation et devenu très rependu dans montages tels que ;
 Comparateurs
 Amplificateurs de tension
 Additionneurs et soustracteurs
 Réseau intégrateur et différentiateur
 Oscillateurs (multivibrateur)
 Amplificateurs sélectifs (filtres actifs)
On les représente comme suit :

+
+
+
S ++
S
-
- --

N américaine symbole utilisé ou ancien -


Norme française
−¿¿
 L’entrée négative (e ) ; entrée inverseuse (E.I)
 L’entrée positive (e +¿¿) ; entrée non inverseuse (E.N.I)
 S ; sortie amplificateur
 ± Vcc : la tension d’alimentation symétrique elle a comme référence la masse
NB : symbole ∞ (N.F) : veut dire tout simplement l’ampli à un coefficient d’amplification infinie.

Notons que l’amplificateur opérationnel fonctionne en deux régimes :


 Le Régime linéaire (ou amplificateur)
 Le Régime non linéaire (de saturation)

A. REGIME LINEAIRE
Le régime de fonctionnement est linéaire quand la tension de sortie est directement proportionnelle à
la tension d’entrée (Ve = Vd)
V S= A . V e
−¿ ¿
+¿−Ve ¿
V S = Ad . V d ∨V d =Ve
V s =A d ¿
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Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017
Ad : gain differentielle
V d :tension differentielle (de difference)

B. REGIME NON LINEAIRE (OU DE SATURATION)


Le régime de fonctionnement est non linéaire quand la tension de sortie est constante, cette tension
de sortie dépend plus du signe de la tension d’entrée
Si [ V s ] = V sat dans cette condition
Si V d > 0 ,V s=+V sat =+V cc ¿
V d < 0 ,V s=−V sat =−V cc ¿

1.2 MONTAGE COMPARATEURS

Les amplificateurs opérationnels fonctionnent en comparateur, lorsqu’ils sont montés comme des
amplificateurs à boucle ouverte (pas d’élément de réaction) ils fonctionnent en régime non linéaire
Exemple d’un Montage comparateur simple
V +
+
S

-
-

En comparaison
−¿> 0 ,V s =¿ ¿
0V
Si V d =Ve +¿−Ve ¿
+V sat =+V cc ¿
−¿< 0 , V s =−V sat=−V cc ¿¿
+¿−Ve ¿
V d =Ve

E X 1 . Soit le circuit ci-dessous


+ 12
= 6V +

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- 12V Appliquée Page 79
2 KΩ

2 KΩ
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On demande
1°) d’exprimer Ve−¿¿ en fonction de R1 et R2
2°) calculer la valeur de V s

RESOLUTION
1° Ve−¿¿ Théorème de millman
V2 Vm V2
+ +0
R1 R2 R1
−¿= = ¿
1 1 R 2+ R 1
+
R1 R 2 R1 .R 2
Ve
R2
−¿=V 2 . ¿
R1 +R2
Ve

THEOREME DE SUPERPOSITION

R2 R1
−¿=V 2 . +V m . ¿
R1 +R2 R1 +R2
Ve
Or V m =0
R2
D’où Ve−¿=V 2
.
R1 +R2
¿

2°) V s =? V d =?
+ ¿=6V ¿
−¿∨Ve ¿
+¿−Ve ¿
V d =Ve

R2 3 6 3
−¿=V 2 . =3. = = =1,5 V ¿
R1 +R2 2 +2 4 2
Ve

V d =6−1,5=4,5V comme V d >0

V S =+V cc =+ 12V

EX.2 déterminer V s pour un cas suivant.

+ 6V
Fiston MALUDI Ingénieur + 10V
En génie électrique : Electronique Appliquée Page 80
6 + 4 +

2 - 10 -
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+ 5V + 15V
-4 + -0 +

-1 - 4 -

- 5V 0V

COMPARATEUR A FENETRE
Un comparateur à fenêtre est constitué par deux ampli OP dont l’entrée et du premier et reliée à
l’entrée e−¿¿ du second

-
Si e 1> V ref , S1=V sat =+V cc =1
e 1< V ref , S1=−V sat =−V cc =0
e 2 >V ref , S2 =−V sat =−V cc =0
e 2 <V ref , S2 =+ V sat =+V cc =1

EX.1 déterminer les états logique de sortie A,B, et C du circuit ci-dessous

R
6V +
R A
-
R
2V +
R
Fiston MALUDI Ingénieur En génie électrique- : ElectroniqueBAppliquée Page 81

R
10V +
R
-

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−¿=1 V ¿

A. A .0 .1→ Ve+¿=3 V ,Ve ¿

V d =3−1=2 ,V d >0
A=1

−¿=5 V ¿

B. A .0 .2→ Ve+¿=1V ,Ve ¿

V d =1−5=−4 V ,V d <0
B=0
−¿=3 V ¿

C. A .0 .3→ Ve+ ¿=5 V ,Ve ¿

V d =5−3=2 V ,V d >0
C=1
Rep/ A=1, B=0 ,C=1

1.2. AMPLIFICATEUR DE TENSION

Dans ce cas les amplificateurs opérationnels seront montés en boucle fermé. Notons que
tous les systèmes bouclés peuvent se faire :
 Soit par réaction positive
 Soit par la réaction négative
Note : pour un fonctionnement linéaire, K bouclage doit se faire impérativement sur l’entrée inverseur
(-) de l’ampli OP

1.2.1 AMPLI A GAIN UNITE (SUIVEUR OU ADAPTATEUR OU BUFFER)

Posons
Vd ≅0¿
−¿ ¿
+¿−Ve ¿
¿ V d =Ve
−¿ ¿

0=Ve+¿−Ve ¿

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+ ¿−V s ¿
¿ Ve
+¿−V ¿
0=Ve s

+ ¿=V e ¿

V s =Ve+¿∨Ve ¿
V s =V e
Vs Vs
G= = =1
Ve V s
EX : proposer un schéma de montage utilisant un étage suiveur de tension permettant d’obtenir une
tension de +4,5 V à partir d’alimentation unique de +9V

9V
R
+ = 4,5V
R
-

1.2.2 MONTAGE AMPLIFICATEUR INVERSEUR

+
-
R1 -
+
R2

+ ¿=0¿
−¿∨Ve ¿

V d =Ve+¿−Ve ¿

−¿¿
V d =−Ve
R1
R2 −¿=V .
R +R
s
¿
−¿=V e . +Ve ¿1 2

R1 +R2
Ve
R2 R1
V d =−(V ¿ ¿ e . +V s . )¿
R 1+ R 2 R1 + R2

+ ¿=0 ¿

De même on pose : V d =0 , car Ie−¿= Ie ¿

R2 R1
0=−(V ¿ ¿ e . +V s . )¿
R1 + R 2 R1 + R2

R2 R1
0=−(V ¿ ¿ e . −V s . )¿
R1 + R 2 R 1+ R 2

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R1 R2
Vs. =−V e .
R1 + R2 R1 + R2

V s . R1=−V e . R 2

−R 2
V s= .V e
R1
Exemple
Soit le circuit ci-dessous déterminer la tension V s

6V -+

+-

0V
A.N

−R 2
V s= .V e
R1
−10
V s= .6
5
V s =−2 X 6V
V s =−12V

1.2.3 MONTAGE AMPLIFICATEUR NON INVERSEUR

- -

+ +

−¿ ¿
+ ¿= Ve ¿

+¿−Ve−¿∨Ve ¿
¿
V d =Ve
0 Vs
+
R1 R2
−¿= ¿
1 1
+
R1 R2
Ve

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Théorème de Millman
Vs
R2
−¿= ¿
R2+ R1
R 1 . R2
Ve
V s R 2 + R1 R1
−¿= . =V s . ¿
R 2 R1 . R2 R 1+R 2
Ve
R1
V d =Ve❑−V s . ∨V d ≈ 0
R1 + R2
R1
0=Ve❑−V s .
R1 + R2
R1
Vs. =V e
R1 + R2
R1+ R2
V s =V e
R1
R 1+ R 2 R1 + R2
V s= V e avec =ad
R1 R1

(V s=
R1 + R2
R1
Ve )
( )
V s = 1+
R2
R1
V e ad =Av=1+
R2
R1
Exemple : proposer un amplificateur de tension non inverseur de telle sorte que R2 soit 4 fois celle de
R1 avec R1=5 KΩ et déterminer le gain du montage et de tension V s lorsque V e est de 2V

RESOLUTION
Schéma de montage

1. AO : μ A 741 ,lm 324 ,TL 081 ….


R1=5 KΩ
R2=9. R2 =45 KΩ
Calculer AV et V S (V e =2 V ¿

R2 45
AV =1+ =1+
R1 5

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AV =1+9=10
V S = AV . V e =10.2=20 V

EXERCICES
A. Soit le circuit de figure ci-dessous ou l’A. OP est parfait, polariser entre ± 10V et fonctionne en
régime non linéaire

+
6V

3V
+
T t
-

-6V
-
Fig. b
Fig. a

1°. Calculer V −¿ ¿ en fonction de E2 et E1 et donne les valeurs de V S en fonction de V e


2°. Donner l’allure du signal de sortie quand le signal d’entrée est celui de la figure b
3°. E2= E1=E=10V Et on réalise R1et R2 avec un potentiomètre R1=10 KΩ . donner l’expression
de V −¿ ¿ si on pose R1=αR et calculer α dans le cas de la question N°2
B. Le circuit de la figure ci-dessous utilise deux A.OP parfaits fonctionnant en régime non linéaire,
V e est un signal sinusoïdal d’amplitude V = 10V et de période T. donner l’allure au signal de
sortie V S sachant que R1= 33 KΩ et R2=4,7 KΩ.
Calculez la valeur minimal de R0 sachant que recourant de sortie d’un A.OP ne doit pas
dépasser 1m A et en déduire une application de ce circuit

+ 15V

33 KΩ
+ 15V
+
4,7 KΩ
-
- 15V

+ + 15V

-
- 15V
33 KΩ

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- 15Vélectrique : Electronique Appliquée Page 86
Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017

II. A.OP en régime linéaire


A. Dans le montage de la figure ci-dessous l’A.OP est parfait est fonctionne en régime linéaire
1°. Quand V e est positive le commutateur est position 1, calculez alors V S en fonction de V e
2°. Quand V e est négative le commutateur est en position 2, calculez V S en fonction de V e

2R

R A R
+ S
B
-
R R
R

1 2

RESOLUTION

+
6V

3V
+
T t
-

-6V
-
Fig. b
Fig. a
1°) V −¿ ¿ en fonction de E1 , E2
R1 R2
−¿= E2 . −E 1. ¿
R 1 + R2 R1 +R 2 Théorème de superposition
Ve

6V

=3V

-6V

10V

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t

-10V
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3°) E2= E1=E=10V , R1 + R2=R=10 KΩ


V −¿ ¿ si on pose R1=∝ R ,∝=?

V
Or −¿=E 1
R1
R 1+ R 2
− E1
R2
R 1+ R 2
¿

Or E2= E1=E=10V
V R1 R2
−¿=E 1 − E1 ¿
R 1+ R 2 R 1+ R 2

V
−¿=E
( R1−R2
R1 +R 2
¿
)
Calcul de α
V
−¿=E
( R1−R2
R1 +R 2 )
(1)¿

Or R1=αR( 2)
R1 + R2=R (3)
De (3) R2=R−R1
R2=R−αR ( 4)
(2), (3) et (4) → (1)
V
−¿=E
[ αR−(R−αR )
R
¿
]
V
−¿=E ( αR−RR+ αR )¿
V
−¿=E ( 2 αR−R
R )
¿

V
−¿=E R
[( 2 α−R
R
¿ )]
V −¿=E .(2 α −1)¿
On remplace
3 = 10(2 α −1)
3
=2 α −1
10
3
+1=2 α
10

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13
=2 α
10
10.2 α =13
13
α = =0,65
20

+ 15V

+ 15V
+

-
- 15V

+ + 15V

-
- 15V

Calculons d’abord
- 15VE1 E1
+
R R1 + R2
V +1= 1
1 1
+
R 1 R1 + R2

E1 E1
+
R 1 R1 + R2
V +1=
R1 + R 2 + R2
R 1(R 1+ R 2)

E1 E1
+
R 1 R1 + R2
V +1=
2 R 1+ R 2
R 1(R 1+ R 2)

V +1= ( E1
+
E1
R1 R1 + R2
.)R1 ( R1 + R2 )
2 R1 + R 2

E1 R 1 (R1 + R2) E2 R (R + R )
V +1= . + . 1 1 2
R1 2 R1 + R 2 R 1+ R 2 2 R 1 + R2

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R 1+ R 2 R1
V +1=E 1 + E2 .
2 R 1+ R 2 2 R 1+ R 2

V +1=15
( R1 + R2

R1
2 R1 + R2 2 R1 + R2 )
V +1=15 ( R 1+ R 2−R1
2 R 1 + R2 )
R2
V +1=15.
2 R1 + R 2

4,7 70,5
V +1=15. = =0,999≃ 1 V
66+4,7 70,7

E2 E1
+
R R 1+ R 2
V −2= 1
1 1
+
R1 R1 + R2

E2 E1
+
R R 1+ R 2
V −2= 1
R1+ R2+ R2
R1 (R1 + R2 )

E 2 R1 ( R1 + R2 ) E1 R (R +R )
V −2= . + . 1 1 2
R 1 2 R1 + R 2 R 1 + R2 2 R 1+ R 2

R 1 + R2 R1
V −2=E2 + E1.
2 R 1 + R2 2 R1 + R2

On a défini deux seuils V+1 et V-2 qui délimitent les plages de fonctionnement du comparateur :
V +1=1 V
V −2=−1 V
Pour V e >V +1 , S1 =−15V

V e >V −2 , S 2=15 V

R0 R −15 15
V S =−15. + 15. 0 = + =0 V
2 R0 2 R0 2 2

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Pour V −2< V e <V +1


V S 1=+15 V , V S 2=+15 V

R0 R 0 15 15
V S =15. +15. = + =15 V
2 R0 2 R0 2 2
Pour V e <V +1 ,Vs 1=15V
V e <V −2 , Vs2=−15 V

R0 R 0 15 15
V S =15. +15. = − =0 V
2 R0 2 R0 2 2

10V

1V

-1V

-10V

15V

15V
I

Rom = ?

15
I=
Ro
15
⟶ >1 m A
Ro

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15
=Ro
Ro

15. 103> Ro

15 K Ω> Ro → Rom< 15 K Ω

II.
2R

R A R
- S
B
+
R R
R

1 2

1°) V e >0 , 1→ V s=f ( V e )=?

2R

R
- S

+
R R
R
M
−¿¿
M
V d =Ve+¿−Ve ¿

2R R
−¿=0. +V s ¿
3R 3R
¿ Ve

R
−¿=V s ¿
3R
Ve

R 2R
+¿=V e . +0. ¿
3R 3R
et Ve
R
Ve+ ¿=V ¿.
e

3R
R R
V d =V e . −V s ∨V d =0
3R 3R

+ ¿=0 ¿
−¿=0 ,Ie ¿
car Ie

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1 1
0=V e . −V s .
3 3

1 1
V e . =V s .
3 3

V s =V e , V s =V e > 0

2°) V e <0 , V s=f ( V e )

2R

R R
- S

+
R
R

−¿¿

V d =Ve+¿−Ve ¿

R R
+ ¿=0. +0. =0 ¿
2R 2R
¿ Ve

2R 2R
−¿=V e . +V s . ¿
4R 4R
Ve

Ve Vs
−¿= + ∨V d=0 ¿
2R 2R
Ve

0=0−( 2VR + 2VR ) e s

0=−(
2 R 2 R)
V V e s
+

−V e V s
0= −
2 R 2R

Ve V s
=
2R 2R

V s =−V e ∨V e <0

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V s =−(−V e )
V s =V e > 0

1.3 ADDITIONNEUR ET SOUSTRACTEUR DE TENSION


1.3.1 ADDITIONNEUR (sommateur)
A. ADDITIONNEUR INVERSEUR
Montage
2R
R

- Vs
R +

Déterminons V s =?

+¿=0→ V =0 ¿
d
−¿ =Ie ¿
+¿−Ve−¿∨Ie ¿
¿
V d =Ve
−¿ ¿

0=Ve+¿−Ve ¿

+ ¿=0 ¿
¿ Ve

V s V 1 V2
+ +
R R1 R 2
−¿= ¿
1 1 1
+ +
R R1 R 2
Ve

Vs V1 V 2
+ +
R R 1 R2
−¿= ¿
R 1 + R 2+ R . R 2 + R . R 1
R .R 1. R 2
Ve

Ve
−¿=
( Vs V1 V2
+ +
R R1 R 2 )( R 1 +R 2+ R . R2+ R . R1
R . R1 . R 2
¿
)

V s . R1 . R 2 V 1 . R . R2 V 2. R . R1
0= + +
R 1 . R 2 + R 1 . R 2 + R . R 1 R 1 . R 2 + R . R 2 + R . R 1 R 1 . R 2+ R . R 2 + R . R 1

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0=0−
( V s . R 1 . R2 +V 1 . R . R 2+V 2 . R . R1
R 1 . R2 + R1 . R2 + R . R 1 )
0=− ( V s . R1 . R2 +V 1 . R . R2 +V 2 . R . R1
R 1 . R 2 + R 1 . R 2+ R . R 1 )
0. ( R1 . R2 + R1 . R 2+ R . R1 ) =−( V s . R 1 . R2 +V 1 . R . R2+ V 2 . R . R 1)

V s . R1 . R2=−( V 1 . R . R 2+V 2 . R . R1 )

V s =− V 1 ( R
R1
+V 2
R
R2 )
V s =−R ( V1 V2
+
R1 R2 )
NB : pour n entrées on aura

V s =−R
( V1 V2 V3 Vn
+ + +
R1 R2 R3 Rn )
Si R1=R 2=R3=R n

V s =−R
( V1 V2 V3 Vn
+ + +
R1 R2 R3 Rn )
V s =−( V 1 +V 2 +V 3 +… V n )

Exemple : calculer V s pour le montage ci-dessous


R1
10KΩ 100KΩ
R2
10KΩ
=2V R3 - Vs
10KΩ
=2V
+

¿ V s =−R
( V1 V2 V3
+ +
R1 R 2 R 3 )
Avec R=100 KΩ , R 1=R2=R 3=10 KΩ

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V 1=8 V , V 2=2 V ,V 3 =2V

V s =−100 ( 108 + 102 + 102 )


V s =−100 ( 8+2+2
10 )

V s =−120

b. Sommateur non inverseur

R4
R3 - Vs
R1 +

R2

R1

R2 + Vs
R4
-

R3

DETERMINONS V S
−¿ ¿

¿ V d =Ve+¿−Ve ¿
V d =0 car Ie−¿= Ie + ¿=0¿ ¿

R2 R1

Ve
+ ¿=V 1 .
R 1+ R 2
+V2.
R 1 + R2
¿
d’après le Théorème de superposition

R4 R3

Ve
−¿=0.
R3 + R 4
+V s .
R 3+ R 4
¿
d’après le Théorème de superposition

On aura

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R2 R1 R3
0=V 1 . +V 2 . −V s .
R 1+ R 2 R1 + R2 R3 + R 4

R3 R2 R1
Vs. =V 1 . +V 2 .
R3 + R 4 R1 + R 2 R1 + R2

V s=
R 3+ R 4
R3 (
V 1.
R2
R 1+ R 2
+V 2 .
R1
R1 + R 2 )
R1=R 2=R3=R 4=R

V s=
R+ R
R (
V 1.
R
R+ R
+V 2 .
R
R+ R )
V s=
2R
R
V1. (R
2R
+V 2 .
R
2R )
V s =2. ( V1 V 2
2
+.
2 )
V s =2. ( V 1+V 2
2 )
V s =V 1+ V 2

NB : la tension de sortie est proportionnelle à la somme des tensions V 1 +V 2 , le signal de V s est le


même à celui de cette somme, raison pour la quelle le montage est appelé sommateur non inverseur

10 KΩ
6V
++
10 KΩ
2V
--

50 KΩ 100 KΩ

RESOLUTION

Fiston MALUDI Ingénieur En génie électrique : Electronique Appliquée Page 97


Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017

V s=
R 3+ R 4
R3
V1
(R2
R1 + R2
+V 2
R1
R 1+ R 2 )
R1=10 KΩ , R 2=10 KΩ, R3=50 KΩ , R 4=100 KΩ

V 1=6 V , V 2=2 V

V s=
50+100
50
6.
10
10+10 (
+ 2.
10
10+10 )
V s=
150
50
10
6. +2.
20 (10
20 )
V s =3 ( 3+1 )

V s =3.4

V s =12V

1.3.2 SOUSTRACTEUR
R4

R1

- Vs

R2 +
R3

Déterminons V s
−¿ ¿

¿ V d =Ve+¿−Ve ¿

V d =0
R2 R3 R3
+ ¿=0 +V . =V 2. ¿
R 2+R 3 2 R2 +R3 R2 +R 3
Ve

R4 R1
−¿=V 1 . +V s . ¿
R1 +R 4 R1+ R4
Ve
On aura
0=V 2 .
R3
R 2+ R 3
− V1.
(
R4
R1 + R 4
+V s .
R1
R 1+ R 4 )
Fiston MALUDI Ingénieur En génie électrique : Electronique Appliquée Page 98
Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017

R3 R4 R1
0=V 2 . −V 1 . −V s .
R 2+ R 3 R 1+ R 4 R1 + R 4

R1 R3 R4
Vs. =V 2 . −V 1 .
R1 + R 4 R2 + R 3 R 1+ R 4

V s=
R 1+ R 4
R1 (
V 2.
R3
R 2+ R 3
−V 1 .
R4
R 1+ R 4 )
SI R1=R 2=R3=R 4=R
V s=
2R
R
V2. (R
2R
−V 1 .
R
2R )
V s =2 ( V2 V1
2

2 )
V s =2 ( V 2−V 1
2 )
V s =V 2−V 1

NB : la tension de sortie est proportionnelle à la différence des tensions d’entrées V 2 etV 1. Le


montage est un amplificateur ou en encore un amplificateur de différence.
Exemple : calculer V s pour l’amplificateur de différence ci-dessous.
R4

R1
- Vs
R2
+
R3

RESOLUTION

V s=
R 1+ R 4
R1 (
V 2.
R3
R 2+ R 3
−V 1 .
R4
R 1+ R 4 )
Fiston MALUDI Ingénieur En génie électrique : Electronique Appliquée Page 99
Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017
¿ R1=R 1 , R4 =R2 , R2 =R 1 , R 3=R2 ' '

'
¿ R2=3 R1 , R 2 =3 R 1 '

( )
R 1+3 R1 R2 R2 '

V s= V2 −V 1
R1 R1 + R 2 R1 + R2 ' '

¿ R2=3 R1 , R 2 =3 R 1 ' '

( )
R 1+3 R1 3 R1 3 R1 '

V s= V2. −V 1
R1 R1 +3 R1 R1 +3 R 1
' '

V s =R1 .
( 1+ 3 )
R1 [V2.
3 R1
R1 + 3 R 1
−V 1
3 R1
R1 +3 R1
'
'

' ]
3
[
V s =4 V 2 . −V 2
4
3
4 ]
V s =4
[ 3
( V −V 1 )
4 2 ]
12
V s=
4
( V 2−V 1 )

V s =3 ( V 2−V 1 )∨V 2=6 V ,V 1 =3V

V s =3(6−3)

V s =9 V
1. RESEAUX DIFFERENTIATATEUR ET INTEGRATEUR
1.4.1 Différentiateur (dérivateur)

R
C Vs= ?
-

Fiston MALUDI Ingénieur En génie électrique : Electronique Appliquée Page 100


Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017

Déterminons V s
Considérons le nœud ie−¿ ¿

ie−¿=i +i ¿
e s

¿ ie−¿=0 ¿
i e =i c =?

¿ Q=i . t et Q=C . U

C .U
C . U =i. t →i=
t

❑dve
ie=ic=C
dt
Vs
is=
R

d ve V s
0=C +
dt R

−V s d ve
=C
R dt

Vs d
=−C ve
R dt

d ve
V s =−RC
dt
NB : la tension de sortie est donc proportionnelle à la dérivée de la tension d’entrée, le coefficient de
proportionnalité est −RC
Exemple : soit le circuit ci-dessous

R
C Vs= ?
-

+
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Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017

d ve
Calculer V s =−RC
dt

d (3 t)
¿−10.103 . 10−6
dt

d (3t )
¿−104 . 10−6
dt

dt
¿−10−2 .3
dt

−2
V s =−10 .3

V s =−0,03 V
1.4.2 INTEGRATEUR
C

R Vs= ?
-

Déterminons V s
Considérons le nœud ie−¿ ¿
ie−¿ ¿=i e +i s∨ie−¿=0 ¿

Ve d vs
ie= et i s=C
R dt
On aura
Ve d vs
0= +C
R dt

d vs V e
C =
dt R

d vs V e
=
dt R

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Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017
−V e
d vs = dt
R

−1
∫ d vs=∫ RC V e dt

−1
RC ∫ e
Vs= V dt

NB : la tension de sortie est donc proportionnelle à l’intégrale de la tension d’entrée

Exemple : soit le circuit ci-dessous, calculer V s

-+

+-

On donne
V e =5 V
R=150 KΩ
C=1000 µF

Résolution
−1
Vs=
RC
∫ V e dt

−1 −1 5
−3 ∫ e
.5∫ dt =¿−
150 ∫
Vs= V dt= dt ¿
4
15. 10 . 10 150

−1
Vs= t
30
−−t
Vs= ⟶ Vs=−0,033 t( V )
30

1.5 MULTIVIBRATEUR (BASCULE)

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Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017
Les multivibrateurs sont des opérateurs des signaux rectangulaires. Notons que les amplis
opérationnels montés en multivibrateurs fonctionnent en régime non linéaire c.à.d. si
V d =V e >0 ,+V sat =+ V cc , si V d =V e <0 , V s=−V sat =−V sat

1.5.1 BASCULE ASTABLE


A. Schéma du montage
R

- Vs
+ +
- R2
R1

B. Fonctionnement
A la mise sous tension, on peut considérer que le condensateur C est complètement décharge (
V
Uc=0). En effet Uc=0, +¿=
R1
V =a V s ¿¿
R1 + R 2 s
=). Supposons que V s est positif, alors l’écart entre
V +¿ et V ¿ fait de telle sorte que la sortie est en saturation positive, ( V s =+V sat =+ V cc ¿ , car
−¿¿

V −¿=V <V
c ¿ . Le condensateur se charge à travers R sous tensionV sat , Uc tend vers la tensionV sat ,
+¿=a sat¿

jusqu’à ce que la tension à ses bornes atteigne et dépasse le seuil a V sat du basculement. A cet
instant la sortie passe en saturation négative, (V s =−V sat =−V cc ¿.
V
V =−a V ¿Et C se décharge par R vers la tension −V cc
−R 1
+¿= cc cc
R1+ R2

Lorsque Uc atteint l’autre seuil de basculement(−aV cc ), en nouveau basculement sera observé, la


tension de sortie reprend la valeur V sat et le cycle se recommence.
C. OSCILLOGRAMME (forme de signaux)

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t
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d. calcule de la période
¿ T =t d +t c

Rappel
−t
τ
Uc=U ∞−( U ∞−Uo ) e , t=?

−t
τ
Uc−U ∞=−( U ∞−Uo ) e

X (−1 ) X (−1)
−t
Uc−U ∞=( U ∞−Uo ) e τ

−t
U ∞−Uc
eτ=
U ∞−Uo

−t
τ U ∞−Uc
ln e =ln( )
U ∞−Uo

−t U ∞−Uc
ln e=ln ( )
τ U ∞−Uo

−t U ∞−Uc
=ln( )
τ U ∞−Uo

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Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017
t U ∞−Uc
=−ln ( )
τ U ∞−Uo

t U ∞−Uc −1
=ln ( )
τ U ∞−Uo
t U ∞−Uc U ∞−Uc
=ln → t=τ ln
τ U ∞−Uo U ∞−Uo
Pour t d
t=t d
τ =τd=RC

U ∞=−V cc

Uo=aV cc

Uo=−aV cc

−V cc−a V cc
Alors td =RC ln
−V cc −(−a V cc )

−V cc −aV cc
¿ RC ln ¿
−V cc+ a V cc ¿

−V c c (1+a)
¿ RC ln
−V cc (1−a)

1+a
=?
1−a
R1
¿ a=
R 1+ R 2

R1 R 1 + R2 + R1
1+
R 1 + R2 R 1+ R 2
→ =
R1 R1 + R2−R1
1−
R1 + R2 R 1+ R 2

1+a 2 R1+ R 2
=
1−a R2

2 R1 R 2 2 R1 2 R1
¿ + + + 1=1+
R 2 R 2 R2 R2

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Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017

alors td=RC ln 1+
( 2 R1
R2 )
Pour tc
t=t c
τ =τc=RC

U ∞=+V cc
Uo=−aV cc
Uc=a V cc

V cc −(−aV cc)
Alors tc=RC ln ¿
V cc −a V cc ¿

V cc + aV cc
¿ RC ln ¿
V cc −a V cc ¿

V cc (1+a)
¿ RC ln
V cc (1−a)

1+ a
¿ RC ln
1−a

¿ tc=td

(
d ' ou tc=RC ln 1+
2 R1
R2 ) Période d’un astable à A.OP

EXEMPLE : soit la figure ci-dessous

- Vs
+
C
R2=82KΩ

R1=18KΩ

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Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017

L’alimentation du montage est telle que V sat =+10V ,−V sat =−10 V
1°) déterminer par les calculs les seuils de basculements
2°) fixer R=1 KΩ? Pour C=0,01 µF calculer la période du signal à la sortie

RESOLUTION

1°) si ¿ a V cc si=−a V cc

R1 18 18
¿ a= = = =0,18
R 1+ R 2 18+82 100

S 1=0,18.10=1,8 V

S 2=−0,18.10=−1,8 V

(
2°) T =2 RC ln 1+
2 R1
R2 )
( )
3
3 −7 2.18 . 10
T =2. 10 .10 ln 1+ 3
82. 10

−4
T =2. 10 . ln 1+ ( 36. 103
82. 103 )
−4
¿ 2. 10 . ln 1+ ( 3682 )
. ln (
82 )
−4 82+36
¿ 2. 10

¿ 2. 10−4 . ln ( 118
82 )

−4
¿ 2. 10 . ln 1,4

−4
¿ 2. 10 .0,3

−4 −1
¿ 2.3 . 10 . 10

T =6. 10−5 Sec

Fiston MALUDI Ingénieur En génie électrique : Electronique Appliquée Page 108


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1.5.2 BASCULE MONOSTABLE (temporiser)


a. Schéma du montage

R1
+Vcc
E - Vs

R2 +
-Vcc
- +

R3

b. FONCTIONNEMENT
Pour un fonctionnement en monostable, il faut que R2 soit inferieure ( R2 > R1 ) de sorte que
V −¿=f (R , R )¿ . Soit inferieure à V +¿¿ de la mise sous tension du montage, ceci donne alors a la sortie
1 2

V S =¿+V cc . Le condensateur C 2 se met à se charge à travers la résistance, R3 jusqu’à ce que la


charge devienne effectuée (c.à.d.Vc ≅Vcc ). Cet état est alors maintenu tant que rien n’est encore
appliqué à l’entrée. Cette durée est dite temps stable (le montage est à l’état stable et reste dans cet
état indéfiniment). Appliquons une impulsion positive à l’entrée E du monostable, cette impulsion doit
être de sorte à basculer le montage, c.à.d. à faire passer la sortie au second niveau, donc V s passe à
la valeur minimale (V s =−V cc ). L’entrée V +¿¿ va se trouver momentanément au potentiel −V cc −V cc
très négatif, car avant cette impulsion Uc étant égal à Vcc cependant C 2 se décharge par R3 portant
de la valeur positive +Vcc et allant vers la valeur négative – Vcc . L’entrée V +¿¿ finira par atteindre puis
V
dépasser la tension négative de V −¿ ¿ (c.à.d. +¿≤−Vcc
R2
R1+ R2
¿ et il y aura ré basculement spontané à la
situation initiale

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Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017

C. Calcule de période

Notons que la période d’un monostable et la durée instable.


Donc T =td
T =t=td
R1
U c =−V cc
R1 + R 2
τ =τd=R3 C 2

Uo=+V cc

U ∞=−V cc

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−V cc −(+V cc )
t=T =R3 C2 . ln
R1
−V cc−(−V cc )
R1 + R2

−V cc −V cc
T =R3 C2 . ln
R1
−V cc +V cc
R1+ R 2

−2V cc
T =R3 C2 . ln
R1
−V cc (1− )
R 1+ R 2

2
T =R3 C2 . ln
R1
1−
R1 + R 2

2
T =R3 C2 . ln
R2 + R1−R 1
1−
R1 + R2

2(R 2+ R 1)
T =R3 C2 . ln
R2

2 R 1 2 R1
T =R3 C2 . ln( + )
R2 R2

2 R1
T =R3 C 2 . ln (2+ )
R2

Exemple
Proposer un circuit tempo à ampli opérationnel, et déterminer la valeur à donner à la résistance de la
R1
charge du condensateur C=470 µF R2= pour une temporisation de 5 secondes
5
Schéma

R1
+Vcc
E - Vs

R2 +
-Vcc
- +

R3
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Calcul de R3

2 R1
T =R3 C 2 . ln (2+ )
R2

−6 2 R1
5=R 3 .470 . 10 . ln (2+ )
R1
5

5
5=R 3 .47 . 10−5 . ln (2+2 R1 )
R1

5=R 3 .47 . 10−5 . ln (2+10)

−5
5=R 3 .47 . 10 . ln 12∨ln 12=2,48

−5
5=R 3 .47 . 10 . 2,48
−7
5=R 3 .47 . 2,48.10
−7
5=R 3 .11656 . 10

−7
5 5.10
R3= = =42,89.10 2
11656. 10−7
11656

¿ 4289 Ω , soit R3 =4,2 KΩ

1.5.3 BASCULE BISTABLE

C +Vcc
- Vs

R1 +
-Vcc

R3
R2

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Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017

FONCTIONNEMENT
V
On suppose que V s =+Vcc (saturation positive) des la mise sous tension, alors +¿=V cc .
R2
R2 +R3
¿ , on
remarque que V +¿>V ¿ , le montage sera toujours à +Vcc à la sortie tant il ya aucune impulsion
−¿¿

appliquée à l’entrée. Si on appliquée une impulsion positive à l’entrée in verseuse ¿ suffisante, V −¿ ¿


R2
devient supérieur à V +¿¿ , la sortie passe à −Vcc et V +¿¿ devient égale à −Vcc . =−a . Vcc
R 2+ R 3
Si on applique une autre impulsion très négative à l’entrée, V −¿ ¿ devient ¿ à V +¿ ,¿la sortie revient à
+Vcc
D. Oscillogramme

1.5.4 BASCULE TRIGGER DE SCHMITT (bascule T)


a. Définition
La bascule de schmitt aussi appelé Trigger ou comparateur à seuils ou encore un comparateur à
seuils ou encore un conformateur ou circuit de mise en forme un signal d’entrée périodique de forme
quelconque d’amplitude variant entre deux niveaux et fournit à la sortie un signal rectangulaire
b. Montage Ve - Vs

R2
R1

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Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017

V R1
+¿=Vs ¿
R 1 + R2

siV s=V cc , V R1
+¿=Vcc =aVcc ¿
R1 +R2

siVs=−Vcc , V R1
+¿=−Vcc =−a V cc ¿
R 1+ R 2

B. Hystérésis
L’hyterisis représente l’écart entre 2 seuils. Pour une bascule de schmitt, le basculement d’état de la
sortie se produit :
 Pour une valeur donnée l’orsque la tension d’entrée augmente
 Pour une autre valeur souvent opposé l’orsque la tension d’entrée diminue
La figure ci-dessous représente son hysteresis

C. Fonctionnement
En supposant la sortie est en saturation positive (V S=V sat =Vcc) , cet état est stable tant que V e est
R1
inferieurV +¿¿ , soit V e <Vcc ( aVcc)
R 1+ R 2
La tension d’entrée augmente, si V e atteint et dépasseV +¿(aVcc )¿, la sortie passe en saturation négative
(V S =V sat =Vcc ¿. On peut continuer à augmenter V e , mais c’est état reste stable tant que V −¿ ¿
restera supérieur àV +¿¿ . Pour retrouverV S =+Vcc , il faut que V e franchisse un niveau inferieur à
V +¿(−aVcc )¿, c.à.d. V e dimunie et devient inferieur à V +¿¿ , il ya basculement et V s revient à V cc

(V-)
Fiston MALUDI Ingénieur
Vcc En génie électrique : Electronique Appliquée Page 114
-Vcc
Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017
Vcc

-Vcc

Exemple
Représente la forme du signal du montage ci-dessous, l’orsqu’on applique à son entrée une tension
sinusoïdale d’amplitude de 8 V

+10V
Ve - Vs
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+
-10V

R2
Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017

RESOLUTION
Seuils de basculement
R .10 10 R
si SH=aVcc= = =5 V
R+ R 2 R

−R −10 R
SB=aVcc= .10= =5 V
R+ R 2R

10V

-10V

1.6 FILTRE ACTIF


1.6.1 Principe au filtre actif

On réalise les filtres actifs avec réseaux R C placés dans la boucle de contre réaction (réaction
négative) de l’ampli opérationnel, ils présent l’intérêt du pouvoir permettre des filtrages à des très
basse fréquences plus faciles qu’avec des filtres passifs. On utilise un amplificateur opérationnel
monté en inverseur pour réaliser un filtre actif

Z2
Fiston MALUDI Ingénieur En génieZ1
électrique : Electronique Appliquée Page 116
Ve - Vs

+
Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017

Fig. schéma de principe d’un filtre l’amplificateur en tension représentée


par la transmittance I est donné par la relation :
Vs
Av=I ( jw ) = (1)
Ve
¿ V s =Z 2 . I 2 (2)
¿ V e =Z 1 . I 1 (3)
( 2 ) et ( 3 ) dans (1)
Z2 . I 2 −¿ ¿
T= ∨¿= I 1+ I 2=Ie
Z1 . I 1
= I 1+ I 2=0
I 1=−I 2

Z2. I 2 −Z 2 . I 2
alors T = =
Z 1 .(−I 2) Z 1 . I 2

−Z 2
T=
Z1
Notons qu’il existe des filtres actif du 1 ordre (à 3 dB ) et les filtres du 2e ordre (à 12 dB )
ier

1.6.2 LES FILTRES DU 1er ORDRE (à3 dB )


A. Filtre passe bas
A.1 schéma du montage Z2

C
Ve Z1 - Vs

A2. Fréquence de coupure (Fo)

Fiston MALUDI Ingénieur En génie électrique : Electronique Appliquée Page 117


Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017
1
Pour que le filtre fonctionnement à Fo, il faut que : R2= Xc∨Xc=

1
R2=

1 1
ω= → ω=
R2 c R2 c
1
2 πFo=
R2c
1
Fo=
2 πR 2 c
A3. Transmittance (I)
−Z 2
¿T=
Z1

¿ Z1 =R 1
Z2 =R2 /¿ C

1 1 1
= +
Z 2 R 2 Xc

1 1 1
= +
Z2 R2 1
jcω

1 1 −Z 2
= + jcω∨T = division≤N te D par Z 2
Z2 R2 Z1

−1 1
T= =
Z2 1
Z1.
Z1 Z2

1 1
avec = + jcωet Z 1=R1
Z2 Z2

−1
T=
1
R 1 ( + jcω)
R2

−1
T=
R1
(1+ j R2 cω)
R2

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Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017
−R2
T=
R 1 (1+ j R2 cω)
−R2 1
T= .
R1 (1+ j R2 cω)

1 1
ou encore ωo= → R 2 c=
R2 c ωo

−R2 1
AlorsT = .
R1 jω
(1+ )
ωo

avec ω=2 πF et ωo=2 πFo


−R2 1
T= .
On trouve R1 f
(1+ j )
fo

−R2 1
en module T =
R1 √ 1+ ¿ ¿ ¿

Exemple pour la figure ci-dessous

R =10 KΩ
C
Ve R - Vs C = 10ƞF

1°) calcule la fréquence de coupure fo


2°) Exprimer en complexe et calculer en module la transmittance à une fréquence de 0,15 KHz

RESOLUTION

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Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017

1°) R=10 KΩ=10.103 =104


−9 −8
C=10 ƞf =10. 10 =10 F
A.N
−6
1 1 1 10
fo= = = =
4
2.3,14 .10 .10 −8
6,28. 10−4
628. 10−6
628
1000000
¿ =1,59 KHz
628
fo=1,59 KHz
−R2 1
I= .
2°) R1 f
1+ j ( )
fo

3
−10.10 1
T= 3
. −2
10.10 15. 10
1+ j( −2
)
59. 10
1
¿
15
1+( )
19
−1
T=
1+ j 0,094

−1
T=
1+ j 0,094
−R2 1
2.b T =
R1 √ 1+¿ ¿ ¿
1
T=
√1+¿ ¿ ¿
1
¿− T =−1
1
B. Filtre passe haut
B.1 montage R2

C
Ve R1 - Vs

B2. Fréquence de coupure


Conditions : R1= Xc
1 1
R1= , R1 Cω=1 , ω=
Cω R1 C

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Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017
1 1
ωo= 2 πFo=
R1 C R1C
1
fo=
2 πR1 C

B3. Transmittance (T ¿
−Z 2
¿T= ( jω ) (1)
Z1
avec Z 1=R 1 en serie C=R1 + Xc
1
Z1 =R 1+ (2)
jcω
Z2 =R2 ( 2 ) et ( 3 ) dans(1)

−R 2 −R 2
T= →T=
1 1 R1 cω+1
R 1+
jcω jcω

−R 2 jcω
T=
1 R1 cω+ 1

−R 2
T=
1
R 1+
jcω
Division le numérateur et le dénominateur par R1

R2 R2
− −
R1 R1
T= →T=
R1 1 1
+ 1+
R1 j R1 cω j R1 cω

−R2 1
T=
R1 1
1+
j R1 cω
1 1
¿ ωo= → R1 c=
R1 c ωo

−R2 1
T= .
R1 1
1+

ωo

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Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017
−R2 1
T= .
R1 1
1+
jf
fo
Exemple : calculer de la résistance du filtre haut de la figure ci-dessous si la fréquence de coupure est
10 KHz
R2

C
Ve R1 - Vs

R3

RESOLUTION
1
R1=?∨fo=
2 π R1 c
4 3 1
1 1 1 10 10 .10
R1= = = = =
4
10 .6,28 . 10−6
6,28.10−2
628. 10−4
628 628
1
R1=1,59. 10 =15,9 Ω
C. Filtre passe bande
C.1 Montage

Ve R -
Vs
C
+

C2. Fréquence de coupure


Le filtre bande a deux fréquence de coupure (soit f 1 et f 2 ¿
Calcul f 1
1
Il faut que R1= X c1 → R 1=

1 1
R1 cω=1 ,ω= , ω1=
R1 c1 R1 c1

1
2 π f 1=
R1c1

Fiston MALUDI Ingénieur En génie électrique : Electronique Appliquée Page 122


Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017
1
f 1=
2 π R1c1
Calcul de f 2
1 1
R2= X c2 → R 2= → f 2=
c2 ω 2 π R2 c 2
C3. Transmittance T
Z2 R2
Or T = avec Z 2=
Z1 1+ R2 c 2 ω
1
Z1 =R 1 (1+ )
j R1 c 1 ω
R2
1+ R2 c 2 ω
T=
1
R 1 (1+ )
j R1 c 1 ω

R2
1+ R2 c 2 ω
T=
j R1 c 1 ω+1
R1( )
j R1 c1 ω
−R2 j R1 c 1 ω
T= .
1+ R 2 c 2 ω R1 ( j R1 c 1 ω)

−R2 j R 1c1 ω
T= .
R1 ( 1+ R 2 c 2 ω ) (1+ j R 1 c 1 ω)

1 1
avec ω1 = → R 1 c 1= .ω
R1 c 1 ω1

1 1
ω 2= → R2 c2 =
R2 c2 ω2
ω
j
−R2 ω1
T= .
( )
R1 ω ω
1+ j (1+ j )
ω2 ω2
f
j
−R2 f1
T= .
( )
R1 f f
1+ j (1+ j )
f2 f2
C
Exemple : calculez la bande passante du filtre ci-dessous

Fiston MALUDI IngénieurVe -


En génieRélectrique : Electronique Appliquée Page 123
C Vs
+
Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017

On donne
R1=10 KΩ ,C 1=1 µf
R2=1 KΩ ,C 2=100 µf
B p=?∨B p =f 1=f 2
1 1
f 2= et f 1=
2 π R2 C 2 2 π R1 C 1
A.N

1 1 106 3
f 2= = = =1,59. 10 =1590 Hz
3
6,28.10 . 10 −7
628.10 −6
6,28
4
1 1 10 3
f 1= = = =1,59.10 =15,9 Hz=16 Hz
3
6,28.10 .10
−7
628.10
−4
6,28
B p=1590−16=1574 Hz
D. Filtre coupe bande (a rejecteur)
Eliminateur de bande
D.1 Montage :
la réalisation d’un filtre coupe de bande du 1ier ordre est très complexe. Mais il peut être obtenu par
oscillation des différentes types de filtres l’exemple ci-dessous montre qu’on peut réaliser le type de
filtre a partir d’un filtre passe bande

invers

C2

R4
R2
R1 C1
Ve -
R3 -
+ Vs
+

Fiston MALUDI Ingénieur En génie électrique : Electronique Appliquée Page 124


Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017

D2. Fréquence de coupure


Les fréquences sont fixée par le filtre passe bande
1 1
f 1= et f 1=
2 π R1C1 2 π R2 C 2

D3. TRANSMITTANCE
Pour simplifier les calculs, prenons le cas à toutes les résistances sont identiques
R1=R 2=R3=R 4=R5 =R
Avec C 1=C2 =C
'
− jRcω VS
T= ∨T =
(1+ JRcω) Ve
jRcω
V S =IF . P B V e=V e
¿¿

VS
Ve '

V S =−R( ) +
R R
V S =−V S +V e
'

−V e jRcω
V S= ¿¿

V S =−V e ¿

V S =−V e ¿

−V S −( jRcω+1 )
T= =
Ve ¿¿

1.6.3 FILTRE ACTIFS DU 2ème ORDRE


Il existe de très nombreux types de filtre actif d’ordre 2 e, on se limite a la présentation de ces
principaux filtres
A. FILTRE PASSE BAS DU DEUXIEME ORDRE (12 dB par octave)
A.1 Schéma du montage

2C 2R

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-

+
R R
Ve

Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017

1
F=
1−2 ¿ ¿
1
|T |=
√ 1+¿ ¿ ¿

B. FILTRE PASSE HAUT


B.1 Montage

Vs
Ve

1
T=
1
1− ¿
2¿ ¿
1
|T |=
√ 1+¿ ¿ ¿

Fiston MALUDI Ingénieur En génie électrique : Electronique Appliquée Page 126


Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017

C. FILTRE PASSE BANDE


C.1 Montage

+
Ve Vs

1
T=

[
1+ j R1 cω−
1 R1 + R2
(
2 cω R1 . R2
)
]
D. FILTRE COUPE BANDE (Filtre réjecteur)
ωo=
1
.
√R1 + R2
CR 1 R 1 . R2

D.1 Montage

C C

2R

-
2C
+

Vs
Ve
1 1
ωo= ∆ ∞=
RC RC

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Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017

0 dB

3 dB

A=1

PARTIE 2
MONTAGE A REGIME LINEAIRE DEPENDANTS DE LA FREQUENCE
SIMULATEURS D’IMPEDANCE
CORRECTEURS
FILTRES ACTIFS

SIMULATEURS DE CAPACITE

R2

C R1
i

Ve -

+
Vs

AOP suppose, alimentation non


R1 représente
C eq=C (1+ )
R2

A retenir :
 l’impédance totale du montage est telle que la capacité vue est égale à la capacité réelle C
multipliée par un gain
 On parle d’effet Miller

Fiston MALUDI Ingénieur En génie électrique : Electronique Appliquée Page 128


Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017

SIMULATEUR DE CAPACITE

I’

C
R2

- R1
i
+
-
V1
Ve
+
Vs

R1 non représentée
AOP suppose idéal, alimentation
C eq=C (1+ )
R2
A retenir :
 L’impédance totale du montage est telle que la capacité totale vue est égale à la capacité
réelle C multipliée par un gain

SIMULATEUR D’INDUCTANCE
R2

C
i R1

Ve -

+
Vs

AOP suppose idéal, alimentation non représentée


Leq =C R1 R 2
A retenir :
 Ce montage simule l’effet d’une self en régime alternatif

Fiston MALUDI Ingénieur En génie électrique : Electronique Appliquée Page 129


Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017

SIMULATEUR D’INDUCTANCE AVEC DEUX AMPLI OP


i

Ve
R1

C -
Ve
- +
I’
R2
+
V2

R3

Ve
I’’
R4

AOP suppose idéal, alimentation non représentée

R 1 R2 R 4 C
Leq =
R3
A retenir :
 Ce montage simule l’effet d’une self en régime alternatif

CORECTEUR P.I

C
R

R2
R
- R1
-
Ve +
+
V Vs

AOP suppose idéal, alimentation non représentée

Fiston MALUDI Ingénieur En génie électrique : Electronique Appliquée Page 130


Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017
R2 1+ RCp
C( p) =
R1 RCp
A retenir :
R1
 Gain A=
R2
 Constante de temps τ =RC
 Le premier étage fait office de filtre passe bas

CORRECTEUR PD
C

R
-

Ve V +
R1 R Vs

R1
1+ RCp
C( p) =
R R1
1+ Cp
R+ R1
A retenir :
 Gain A=1
 Constante de temps numérateur : τ d=RC
R R1
 Constante de temps dénominateur : τ =
R+ R 1

R2
C1 R4
C2 C3
C4
R1
- R3
-
Fiston +
MALUDI Ingénieur En génie électrique : Electronique Appliquée Page 131
Ve
+
V
Vs
Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017

AOP suppose idéal, alimentation non représentée


R2 R4 ( 1+ R1 C1 p ) (1+ R3 C3 p)
C ( p)=
R 1 R3 ( 1+ R2 C2 p ) ¿ ¿

( 1+ τ c1 p ) ( 1+τ c 2 p )
C ( p ) =A
( 1+τ d 1 p )( 1+ τ d 2 p )
A retenir :
R2 R4
 Gain A=
R 1 R3
 Il faut que : C ( p ) =R2 C 2 ≪ R1 C 1 < R3 C 3 ≪ R 4 C 4

CORRECTEUR A AVANCE/RETARD DE PHASE


R2
C1 R1
C2

R1
- R2
-
+
Ve
+
V
Vs

AOP suppose idéal, alimentation non représentée


1+ R1 C1 p
C ( p) =
1+ R2 C2 p
A retenir :
R1
 Gain : A=
R2
 « Avance de phase » si R1 C1 > R2 C2
 « Retard de phase » si R2 C2 > R1 C1

FILTRE PASSE BAS 1ier ORDRE

R2

Fiston MALUDI Ingénieur En génie électrique :CElectronique Appliquée Page 132

R1
-
Ve +
Vs

Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017
AOP suppose idéal, alimentation non représentée

R2 1
H ( jω )=
R 1+ j R2 Cω
R2
 Gain : A=
R
1
 Fréquence de coupure : f c = 2 π R C
2

 Attention, la BP de l’AOP est limitée en pratique


FILTRE PASSE BAS 2eme ORDRE

R
-

Ve C R1 Vs
R2

R1 1
H ( jω )=(1+ )
R 2 1+ jRCω
R1
 Gain : A=(1+ )
R2
1
 Fréquence de coupure : f c =
2 πRC
 Attention, la BP de l’AOP est limitée en pratique

CORRECTEUR PD
C

R
-

+
V
Ve
Fiston MALUDI Ingénieur En génie électrique : Electronique Appliquée Page 133
R1 R Vs
R1
AOP suppose idéal, alimentation non représentée

Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017

1+ RCp
C ( p) =
R R1
1+ Cp
R+ R 1
A retenir :
 Gain : A=1
 Constante de temps numérateur : τ d=RC

FILTRE PASSE HAUT 1er ORDRE

R2

R C
-

+
Ve Vs

− j R Cω
2
AOP suppose
H ( jωidéal,
)= alimentation non représentée
1+ jRCω
 Gain : A=−1
1
 Fréquence de coupure si R=R 2 : f c =
2 πRC
 Attention, la BP de l’AOP est limitée en pratique

FILTRE PASSE HAUT 2eme ORDRE


C
-

Ve R R1 Vs
R2

AOP suppose idéal, alimentation non représentée


Fiston MALUDI Ingénieur En génie électrique : Electronique Appliquée Page 134
Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017
R 1 jRCω
H ( jω )=(1+ )
R 2 1+ jRCω
R1
 Gain : A=(1+ )
R2
1
 Fréquence de coupure : f c =
2 πRC
 Attention, la BP est limitée en pratique

FILTRE PASSE TOUT (DEPHASEUR)

R V- R

Ve -
R V+
+
Vs
C

1− jRCω
H ( jω )=
1+ jRCω

A retenir :
 Module : |H ( jω)|=1 ∀ ω
 Déphasage : φ ( jω )=−2 arctan ⁡(RCω)

FILTRE PASSE BANDE


R

R C
-

+
Ve
Vs

AOP suppose idéal, alimentation non représentée


Fiston MALUDI Ingénieur En génie électrique : Electronique Appliquée Page 135
Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017

− jRCω
H ( jω )=
¿¿

STRUCTURE DE RAUCH

Y4 Y5
Y1 Y3
-

Ve Y2 Vs

AOP suppose idéal, alimentation non représentée

VS Y 1Y 2
=
V e Y 3 Y 4 +Y 5 (Y 1 +Y 2 +Y 3 +Y 4 )

CELLULE DE RAUCH PASSE BAS

R3 C2

R1 R2
-

Ve C1 Vs

Fiston MALUDI Ingénieur En génie électrique : Electronique Appliquée Page 136

AOP suppose idéal, alimentation non représentée


Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017

−1
H ( jω )=
1+3 jR C2 ω+¿ ¿
 Gain : A=−1
1
 Fréquence de coupure : f c =
2 πR √ C 1 C 2

 Coefficient d’amortissement : m=
3 C2
2 C1√
CELLULE DE RAUCH PASSE HAUT

C3 R2
C1 C2
-

Ve R1 Vs

AOP suppose idéal, alimentation non représentée

H ( jω )=¿ ¿
 Gain : A=−1
1
 Fréquence de coupure : f c =
2 πC √ R1 R 2

 Coefficient d’amortissement : m=

3 C2
2 C1

CELLULE DE RAUCH PASSE HAUT

C3 R2
C1 C2
-

Fiston MALUDI Ingénieur En génie électrique : Electronique


+ Appliquée Page 137

Ve R1 Vs
Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017

H ( jω )=¿ ¿

 Gain : A=−1
1
 Fréquence de coupure : f c =
2 πC √ R1 R 2

 Coefficient d’amortissement : m=

3 C2
2 C1

CELLULE DE RAUCH PASSE BANDE

C3 R3
C2
R1
-

Ve R2 Vs

AOP suppose idéal, alimentation non représentée

R1 R2
2 jω C
R3 R 1 + R2
H ( jω )=
2 R1 R 1 R2
1+2 jω C +¿ ¿
R 1 + R2

−R 3
 Gain : A=
2 R1

Fiston MALUDI Ingénieur En génie électrique : Electronique Appliquée Page 138


Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017

 Fréquence de coupure : fc=


1
2 πC √ R 1+ R 2
R 1 R2 R 3

 Coefficient d’amortissement : m=
√ R1 R 2
(R1 + R2 )R3

STRUCTURE DE SALLEN & KEY

Y2

Y1 Y3 V2
+
V1
-

Ve Y4
R1 Vs
R2

VAOP
s
suppose idéal, alimentation
Y 1Y 2 non représentée
=K A
Vc ( Y 1 +Y 2 ) ( Y 3 +Y 4 ) +Y 3 (Y 4 −Y 2 K A )
R 1+ R 3
Avec : K A =
R2

A retenir :

 Existe également sans les résistances dans la boucle de contre réaction. On a alors :

Fiston MALUDI Ingénieur En génie électrique : Electronique Appliquée Page 139


Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017

Y2

Y1 Y3 V2
+
V1
-

Ve Y4 Vs

AOP suppose idéal, alimentation non représentée

Vs Y1Y2
=K A
Ve ( Y 1 +Y 2 ) ( Y 3 +Y 4 )+ Y 3 (Y 4 −Y 2)

Y1 Y3 V2
+
V1
-

Ve C Vs
R1
R2

AOP suppose idéal, alimentation


1 non représentée
H ( jω)=K A
1+ ( 3+ K 4 ) jRCω+¿ ¿

 Gain : A=1
1
 Fréquence de coupure : fc=
2 π √ R 1 R 2 C1 C2
 Coefficient d’amortissement : m=¿ ¿ ¿

CELLULE DE SALLEN & KEY PASSE HAUT

R
Fiston MALUDI IngénieurCEn génie électrique
C : Electronique Appliquée Page 140
V2
+
V1
-
Ve R Vs
R1
R2
Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017

AOP suppose idéal, alimentation non représentée

H ( jω)=K A ¿ ¿

R 1+ R 2
 Gain : K A =
R2
1
 Fréquence de coupure : fc=
2 πRC
R1
 Coefficient d’amortissement : m=1−
2 R2
 Existe également sans les résistances dans la boucle de contre réaction. On alors :

R1
C C
V2
+
V1
-

Ve R2 Vs

AOP suppose idéal, alimentation non représentée


H ( j ω)=K A ¿ ¿

 Gain : A=1
1
 Fréquence de coupure : fc=
2 π √ C 1 C 2 R 1 R2
C 2 ( R1 + R2 )
 Coefficient d’amortissement : m=
2 √ C 1 C 2 R 1 R2

Fiston MALUDI Ingénieur En génie électrique : Electronique Appliquée Page 141


Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017
CELLULE DE SALLEN & KEY PASSE BANDE

R
R C
V1 V2
+

Ve C 2R
R1 Vs
R2

AOP suppose idéal, alimentation non représentée

KA ( 3−K A ) jRCω
H ( jω )=
3−K A 1+ ( 3−K A ) jRCω+ ¿ ¿

R 1 + R2
 Gain : A=
2 R2 + R1
1
 Fréquence de coupure : fc=
2 πRC
R1
 Coefficient d’amortissement : m=1−
2 R2
 Existe également sans les résistances dans la boucle de contre réaction. On a alors :

R
R C
V1 V2
+

Ve C R2 Vs

AOP suppose idéal, alimentation non représentée

Fiston MALUDI Ingénieur En génie électrique : Electronique Appliquée Page 142


Cours de l’électronique Analogique (Niveau BAC) Electronique Indus & télécom 2017
R3
3 RCjω
1 R+ R3
H ( jω )=
3 R3 R3
1+3 RCjω+ ¿¿
R+ R 3 R+ R 3

1
 Gain : A=
3


 Fréquence de coupure : fc= (1+
R
)
1
R3 2 π (RC )

 Coefficient d’amortissement : m=
3
√ R3
2 R + R3

Fiston MALUDI Ingénieur En génie électrique : Electronique Appliquée Page 143

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