Electro Mesure Module 5

ELECTRICITE - MESURES
L'ELECTRONIQUE DU MONTEUR CABLEUR

SOMMAIRE
1. LES SEMI-CONDUCTEURS ........................................................................... 3 1.1. LES SEMI-CONDUCTEURS PURS OU INTRINSEQUES ............................................ 3 1.2. LES SEMI-CONDUCTEURS IMPURS OU EXTRINSEQUES OU DOPES ........................ 4 1.2.1. Dopage d'un semi-conducteur ................................................................... 4 1.2.2. Les semi-conducteurs extrinsques de type N .......................................... 4 1.2.3. Les semi-conducteurs extrinsques de type P .......................................... 4 1.3. APPLICATIONS ................................................................................................. 5 1.3.1. Thermistance Coefficient de Temprature Ngatif - CTN ....................... 5 1.3.2. Rsistor Dpendant de la Tension - R D T ou VDR ................................... 5 1.4. PHOTORESISTANCE OU LDR ............................................................................ 5 2. LA DIODE ........................................................................................................ 6 2.1. DIODE A JONCTION .......................................................................................... 6 2.2. DESCRIPTION .................................................................................................. 8 2.2.1. Fonctionnement .......................................................................................... 8 2.2.2. Symbole ..................................................................................................... 8 2.2.3. Polarisation en direct .................................................................................. 8 2.2.4. Polarisation en inverse ............................................................................... 8 2.2.5. Applications ................................................................................................ 9 2.2.6. Contrle de la polarit d'une diode ........................................................... 10 2.3. LE REDRESSEMENT........................................................................................ 13 2.3.1. Dfinition................................................................................................... 13 2.3.2. Redressement monophas simple alternance. ........................................ 13 2.3.3. Redressement monophas double alternance......................................... 13 2.3.4. Redressement triphas simple alternance. .............................................. 15
Electrotechnique niveau V / 06-99
SCH
ELECTRICITE - MESURES
2.3.5. Redressement triphas double alternance............................................... 15 2.3.6. Manipulation ............................................................................................. 16 3. LE FILTRAGE ................................................................................................ 17 3.1. PRINCIPE DU FILTRAGE PAR CONDENSATEUR .................................................. 17 4. DIODE ZENER ............................................................................................... 18 4.1. CARACTERISTIQUE COURANT-TENSION ........................................................... 18 4.2. STABILISATION .............................................................................................. 18 4.2.1. Prsentation ............................................................................................. 18 4.3. SCHEMA ET OSCILLOGRAMME D'UNE STABILISATION PAR DIODE ZENER ............ 19 4.4. MANIPULATION .............................................................................................. 20 5. LES REGULATEURS DE TENSION INTEGRES.......................................... 21 5.1. MISE EN UVRE D'UN REGULATEUR L7812 EN TENSION DE SORTIE FIXE .......... 23 6. LE TRANSISTOR BIPOLAIRE ...................................................................... 26 6.1. PRESENTATION.............................................................................................. 26 6.1.1. Constitution .............................................................................................. 26 6.1.2. Symboles .................................................................................................. 26 6.1.3. L'effet transistor ........................................................................................ 26 6.1.4. Etablissement des courants dans le transistor ......................................... 28 6.1.5. Puissance dissipe dans le transistor ...................................................... 28 6.1.6. Caractristiques du transistor en rgime statique .................................... 29 6.2. MANIPULATION .............................................................................................. 30 6.3. UTILISATION DU TRANSISTOR EN COMMUTATION .............................................. 33 6.3.1. Description du fonctionnement ................................................................. 33 6.3.2. Fonctionnement en tat bloqu ................................................................ 33 6.3.3. Fonctionnement en tat satur................................................................. 33 6.3.4. Application : Dtecteur de lumire ........................................................... 34
SCH
LES SEMI-CONDUCTEURS
1.
1.1.
Les semi-conducteurs purs ou intrinsques
Un semi-conducteur est un corps la fois mauvais conducteur et mauvais isolant. Sa rsistivit est intermdiaire entre celle des isolants et celle des conducteurs. Les semi-conducteurs usuels, le Germanium (Ge) et le Silicium (Si) sont des corps simples dont les atomes ont 4 lectrons priphriques.
Electrons Noyau
Orbite Ils sont trs sensibles la chaleur. Llvation de temprature constitue un apport dnergie qui permet aux lectrons de se librer : e
Temprature 0 Kelvin : le semi-conducteur est un isolant
Temprature ambiante : le semi-conducteur est encore trs peu conducteur
Temprature de fusion : le semi-conducteur est assez bon conducteur Plus la temprature est grande,trs plus le nombre dlectrons libres est important, et donc, plus la peu conducteur conductivit du semi-conducteur augmente, alors que sa rsistivit diminue : le coefficient de temprature des semi-conducteurs est donc ngatif.
1.2.
Les semi-conducteurs impurs ou extrinsques ou dops
1.2.1. Dopage d'un semi-conducteur Le dopage est lintroduction dun corps tranger dans un semi-conducteur intrinsque. Ce corps tranger est appel dopeur Le semi-conducteur est dit dop. Aprs dopage, le semi-conducteur dop est galement dit extrinsque . 1.2.2. Les semi-conducteurs extrinsques de type N Le dopeur : son atome, comme tous les atomes est lectriquement neutre ; il possde 5 lectrons priphriques, alors que latome de Si ou de Ge nen possde que 4. Lorsquil sintgre dans le cristal du semi-conducteur, son 5me lectron est en excs :il ny a pas de place pour lui. Cet lectron excdentaire est donc disponible : on dit que le dopeur introduit dans le semi-conducteur des niveaux donneurs . Le dopeur a donc fourni un lectron libre Ngatif : il est appel doNneur (sous entendu donneur dlectrons). DoNneur = N
1.2.3. Les semi-conducteurs extrinsques de type P Le dopeur : son atome, comme tous les atomes est lectriquement neutre ; il possde 3 lectrons priphriques, alors que latome de Si ou de Ge en possde 4. Lorsquil sintgre dans le cristal du semi-conducteur, une place dlectron est donc inoccupe ce qui provoque un trou disponible. Ce trou disponible est donc en excs et susceptible de recevoir un lectron : on dit que le dopeur introduit dans le semi-conducteur des niveaux accepteurs . Le dopeur a donc provoqu une conduction de type P (positif) : il est appel accePteur (sous entendu accepteurs dlectrons). accePteur = P
Nota : Trou : on donne le nom de trou la charge positive libre par rupture dune liaison covalente. Liaison covalente : dans un cristal de SI (ou de Ge) par exemple, chaque atome met en commun ses 4 lectrons priphriques avec 4 atomes de Si (ou de Ge) voisins. Il prend 4 liaisons covalentes.
1.3.
Applications
1.3.1. Thermistance Coefficient de Temprature Ngatif - CTN Une thermistance C.T.N est un rsistor thermosensible (capteur de temprature) caractris par un coefficient de temprature ngatif : quand la temprature augmente . la conductivit augmente . la rsistivit et la rsistance diminuent Symbole : -T
1.3.2. Rsistor Dpendant de la Tension - R D T ou VDR Un rsistor est dit dpendant de la tension si, temprature constante, sa rsistance diminue quand la tension qui lui est applique augmente. Les RDT ou VDR ont un coefficient de temprature ngatif. Symbole : U
1.4.
Photorsistance ou LDR
Une photorsistance galement appele LDR (light dependant rsistor) est un rsistor dont la rsistance varie avec lclairement. La cellule est place dans un circuit aliment par une source de tension continue : lorsque la surface sensible est masque (clairement nul), le courant est de quelques A quand elle est claire le courant est de quelques mA La rsistance diminue donc beaucoup quand lclairement augmente .
Symbole :
LA DIODE
2.
2.1.
LA DIODE
Diode jonction
Une diode jonction est un cristal monobloc dans lequel sont ralises 2 couches, de dopages diffrents qui forment dans la partie centrale une jonction "P-N".
Phnomnes d'une jonction : a) Caractristique directe Correspond l'application d'une tension directe : "P" est au + du gnrateur "N" est au - du gnrateur
E
+ +
RC
P -
+ - + - - + + + - + -
+ N +
+ -
- La tension du gnrateur cre un champ extrieur E qui s'oppose au champ interne , celui-ci est considrablement rduit, d'o : rduction de la barrire de potentiel. - La jonction est dite passante ou conductrice. - La rsistance directe est trs faible.
Jonction
b) Caractristique inverse "P" est au - du gnrateur "N" est au + du gnrateur

E
+ -
+ P +
- -+ + - -+ + - -++
N -
+ +
Jonction
- Le champ externe E du gnrateur est de mme sens que celui-de la jonction . Ces deux champs s'additionnent, d'o : lvation de la barrire de potentiel - L'effet de blocage est accentu. - La conduction de la Jonction est trs faible. - La rsistance Inverse de la jonction est trs grande.
RC
+ E
LA DIODE
c) Caractristique complte
Claquage d'une diode : c'est l'augmentation brutale de son courant inverse
3 causes possibles :
- effet thermique (emballement thermique) - effet d'avalanche (vitesse choc effet cumulatif) - effet de champ ou "Zener" (surtension inverse).
LA DIODE
2.2.
Description
2.2.1. Fonctionnement Il s'agit d'un composant ralis partir de semi-conducteurs formant une jonction P-N. L'tat lectrique de la diode est modifi suivant les polarits qui lui sont appliques et peut s'assimiler soit un conducteur soit un isolant. La diode se comporte donc vis--vis du courant lectrique l'image d'un clapet anti-retour. 2.2.2. Symbole A = Anode K = Cathode
2.2.3. Polarisation en direct En appliquant une polarit positive sur l'anode et une polarit ngative sur la cathode, la diode est polarise en direct. Aprs avoir dpass la tension de seuil (0,4 V pour les diodes au germanium et 0,7 V pour les diodes au silicium) la rsistance de la diode devient faible et le courant (If) peut circuler librement. Il est ncessaire de veiller ce que l'intensit du circuit soit acceptable par la diode.
2.2.4. Polarisation en inverse Si on applique une polarit ngative sur l'anode par rapport la cathode, la diode est bloque. Elle se comporte comme un interrupteur ouvert et le courant ne peut pas passer. La tension du gnrateur se reportant aux bornes de la diode, il faut rester dans le domaine de fonctionnement de la diode (VRM) sous peine de claquage de la jonction et risque de destruction.
LA DIODE
2.2.5. Applications Fonction test-lampes Dans un automatisme, 6 informations sont signales par 6 voyants aliments en 24 V continu. Pour pouvoir vrifier le bon fonctionnement des ampoules, on dispose d'un bouton poussoir ayant la fonction test-lampes. Raliser le schma du circuit de signalisation.
chma??du??circuit??de??signa
hma
Diode de roue libre La coupure d'un circuit inductif aliment en courant continu provoque une surtension parasite (loi de Lenz). On peut annuler ces effets nfastes en plaant en parallle avec ce circuit une diode dite "de roue libre" (D.R.L.) qui, la coupure, permet au courant de continuer de circuler et d'vacuer ainsi l'nergie emmagasine dans l'inductance.
LA DIODE
2.2.6. Contrle de la polarit d'une diode Si l'on ne connat pas la polarit des raccordements, on peut la dterminer avec un ohmmtre. On se sert galement de cette mthode pour contrler le fonctionnement de la diode. Contrle du ple positif de la diode (anode) avec l'ohmmtre, partir de la borne + . Cas 1 Faible rsistance La diode est dans le sens passant, l'anode correspond au + de l'ohmmtre A C C A Cas 2
Haute rsistance La diode est dans le sens de blocage. L'anode correspond au - de l'ohmmtre
10
LA DIODE
11
LA DIODE
12
LA DIODE
2.3.
Le redressement
2.3.1. Dfinition On appelle redressement la transformation d'un signal alternatif (tantt positif, tantt ngatif) en un signal unidirectionnel, c'est--dire toujours du mme signe. Trois grandeurs sont caractristiques des systmes redresseurs : la valeur maximale (mesure sur l'oscilloscope), la valeur efficace (lue sur un appareil ferromagntique) et la valeur moyenne (lue sur un appareil magntolectrique). 2.3.2. Redressement monophas simple alternance. a) Principe U UD
T 2
UR
UR
T 2
tt
b) Valeurs remarquables :
UR =
U max 2
UR moy =
U max
2.3.3. Redressement monophas double alternance 2.3.3.1. Transformateur point milieu : Le secondaire constitue 2 gnrateurs qui grce aux diodes sont mis en service l'un aprs l'autre suivant la polarit de la tension alternative. a) Principe D1
T 2
t
T 2
t D2
13
LA DIODE
UC =
U max 2
U C m oy =
2U m ax
N.B. : Ce montage ncessite un transformateur point milieu plus onreux. D'autre part, lorsqu'une diode conduit l'autre est bloque. La tension ses bornes est alors celle des 2 enroulements : VRMAX = 2 UMAX 2.3.3.2. Pont de Gratz Le branchement de la charge s'effectue par un pont de 4 diodes qui permettent de croiser les connexions par rapport au gnrateur en fonction de polarit de la tension alternative. a) Principe
T 2
+ t
UC =
U max 2
U C m oy =
2U m ax
14
LA DIODE
2.3.4. Redressement triphas simple alternance. a) Principe
D1 V1 V2 V3
D2
D3
UC = 0,841 Vmax
Umoy = 0,827 Vmax
2.3.5. Redressement triphas double alternance a) Principe
D1 V1 V2 V3
D2
D3
D4
D5
D6
UC = 0,956 Vmax
Umoy = 0,955 Vmax
15
LA DIODE
2.3.6. Manipulation
Redressement triphas double alternance
1 - Quel Couplage des enroulements primaires faut-il raliser pour raccorder ce transformateur au rseau? Dessiner ce couplage sur le schma ci-dessus. 2 - Quel couplage des enroulements secondaires faut-il raliser pour obtenir 42V entre phases? Dessiner ce couplage sur le schma ci dessus. 3 - Complter le schma du pont de diodes afin d'obtenir un redressement double alternance en respectant les polarits. 4 - A l'aide d'un multimtrenumrique, montrer l'examinateur comment vrifier l'tat d'une diode. 5 - Sachant que Uc = 1,35xU, calculer Uc prvisible ainsi que la valeur de rglage du rhostat de charge pour obtenir un courant Ic de 0,8A. 6 - Placer sur le schma les appareils ncessaires aux mesures : - de la puissance absorbe par le transformateur (mthode de votre choix) - de la tension secondaire U - de la tension Uc et du courant Ic dans la charge. 7 - Raliser le cblage du montage ci-dessus. Raccorder un oscilloscope pour visualiser Uc. 8 - En prsence du formateur, mettre le montage sous tension et rgler Rc pour obtenir Ic =0,8A Relever l'Oscillogramme de Uc et les valeurs de U, Uc et Ic. Vrifier, l'aide de vos mesures, l'exactitude de la relation donne la question 5. 9 - Calculer la puissance dissipe par la charge ainsi que le rendement de l'ensemble transformateur redresseur 10 - En prsence du formateur, relever l'oscilloscope la forme de la tension aux bornes d'une diode. Mesurer la tension inverse maximale supporte par une diode.
16
LE FILTRAGE
3.
LE FILTRAGE
Par dfinition, l'opration de filtrage consiste laisser passer uniquement les frquences qui nous intressent. Aprs redressement d'une tension alternative, le filtrage a pour but d'attnuer l'ondulation du signal pour tendre vers une valeur continue.
3.1.
Principe du filtrage par condensateur
Le condensateur se charge lorsque la tension du rseau est suprieure la tension qu'il a ses bornes puis restitue son nergie lorsque la tension d'alimentation dcrot. Le temps de dcharge est d'autant plus long que la capacit du condensateur est leve et que le rcepteur une grande rsistance au passage du courant. En pratique on peut prvoir 1000 F par Ampre.
17
DIODE ZENER
4.
DIODE ZENER
4.1.
Caractristique courant-tension
Sens direct : la diode Zner se comporte comme une diode redresseuse normale. Sens inverse : elle devient subitement conductrice lorsqu'on atteint une tension dfinie, appele tension de Zner Uz.
4.2.
Stabilisation
4.2.1. Prsentation Aprs filtrage, il reste une petite ondulation qui peut pratiquement disparatre par une opration de stabilisation. L'lment de base de la stabilisation est la diode Zner dont la caractristique en inverse a une tension d'avalanche (tension de Zner) plus faible. Ainsi, si on applique cette diode une tension inverse, celle-ci se met brusquement conduire partir du moment o la tension devient suprieure sa tension de Zner. Cette tension reste peu prs stable dans toute la zone de conduction inverse de la diode permettant d'obtenir ses bornes une tension pratiquement continue. Il faut toutefois videmment s'assurer que le courant qui la traverse soit acceptable.
18
DIODE ZENER
4.3.
Schma et oscillogramme d'une stabilisation par diode Zner
19
DIODE ZENER
4.4.
Manipulation
DIODE ZENER
1 - Donner l'allure gnrale de la caractristique I=f(U) d'une diode Zner de 5,6V, en direct et en inverse. Situer et chiffrer sur le graphique les valeurs Uo (tension de seuil) et Uz (tension de Zner). 2 - Quelle intensit peut supporter une Zner 5,6V / 1W? 3 - Quelle doit tre la valeur de la rsistance de protection (Rp) de cette Zner si la source stabiliser est de 19V ? Choisir la rsistance dans la srie E12 et dfinir sa puissance. Srie E12: 10 12 15 18 22 27 33 39 47 56 68 82. (1/4, 1/2, 1, 3W) 4 - Faire le schma ci-dessous en compltant le pont redresseur et en plaant les appareils pour mesurer Ue, Us, Ie, Iz et Is. . Reprsenter l'oscilloscope pour visualiser Ue et Us en double trace.
5 6
Effectuer le cblage ; laisser l'interrupteur K ouvert. Aprs avoir fait vrifier le montage, mettre sous tension et relever les mesures sans charge, puis avec une rsistance de charge Rc de 220 puis enfin une rsistance Rc de 100 . Comparer les valeurs de Ie, Iz et Is dans, les trois cas. Commenter les volutions de ces courants. Avec Rc=100 relever les oscillogrammes de Ue et de Us. Dbrancher le condensateur de filtrage. Relever les tensions, les courants, les oscillogrammes et commenter. Pourrait-on, sur ce montage, utiliser une charge Rc=10 ? Justifier votre rponse.
10 Avec Rp=120 et Rc=150 quelle serait la valeur de Us si Ue = 9V? (avec cette Zner de 5,6V) Quelle doit tre la valeur minimale de Ue pour obtenir Us=5,6V?
20
REGULATEUR DE TENSION
5.
LES REGULATEURS DE TENSION INTEGRES
De nombreux circuits lectriques ou lectroniques ont besoin d'une tension stable pour que leur fonctionnement soit le plus prcis possible. Parmi les mthodes de stabilisation de tension, nous avons dj vu et utilis la diode Zner. Il existe bien d'autres mthodes pour obtenir une tension stable mais les constructeurs de composants sont capables de fournir des circuits spcialiss stabilisateurs de tension une valeur prdtermine ou alors ajustable grce des branchements spciaux. Parmi ces circuits spcialiss, nous trouvons le circuit L78xx, les xx correspondants la valeur de la tension stabiliser. Ainsi le circuit L7812 est un rgulateur de tension de 12 V. L'intrt d'utiliser de tels circuits, est tout d'abord la facilit de mise en oeuvre, l'efficacit de la stabilit des tensions, le choix des tensions, la scurit dans l'utilisation puisque de nombreuses protections y sont incorpores et enfin pour les non initis, une notice d'utilisation et de mise en oeuvre est fournie avec le composant indiquant les formules appliquer et les valeurs des composants supplmentaires pour obtenir des amliorations de fonctionnement. (Voir notice constructeur page suivante) Ne pas oublier que trs souvent le circuit avant d'tre stabilis est pris sur le rseau et qu'il faut donc prvoir, le transformateur pour abaisser la tension, le pont redresseur pour modifier le courant alternatif en courant unidirectionnel, le condensateur de filtrage pour rendre ce nouveau rseau pratiquement continu. Le rseau d'alimentation n'tant pas parfaitement constant, les modifications qu'il subit, se rpercute alors sur le nouveau circuit cr. C'est pourquoi il faut le stabiliser et pour cela, la tension avant le stabilisateur doit toujours tre suprieure la valeur stabilise obtenir. En ralit le surplus d'nergie fournie par le rseau filtr est dissip par chauffement par le circuit stabilisateur. Il devra donc dans la plupart des cas tre mont sur un radiateur.
21
22
5.1.
Mise en uvre d'un rgulateur L7812 en tension de sortie fixe
Principe de fonctionnement : Le fil central du rgulateur vient chercher sa rfrence sur le moins du circuit. Le rgulateur ci dessus est prvu pour rguler une tension de 12 V par rapport la rfrence qu'il s'est fix. Si entre l'entre du circuit et le moins la tension est intrieure 12 V, la tension entre la sortie et le moins sera gale la tension d'entre. Si entre l'entre du circuit et le moins la tension est suprieure 12 V, la tension entre la sortie et le moins sera ramene automatiquement 12 V. Les 2 condensateurs sont l pour viter la dstabilisation du rgulateur. Il est prfrable de les prvoir dans les montages.
23
TRANSISTOR BIPOLAIRE
24
FONCTIONNEMENT : ANALOGIE A UN CIRCUIT HYDRAULIQUE
25
6.
LE TRANSISTOR BIPOLAIRE
6.1.
Prsentation
6.1.1. Constitution Le transistor jonctions bipolaire est compos de 3 couches de semi-conducteurs dops N ou P entrecroises. On obtient ainsi 2 types de transistors : les transistors N-P-N et les P-N-P. Chaque couche correspond une broche : la base tant la couche centrale (faible paisseur, peu dope), les deux autres portant le non d'metteur (fortement dope) et de collecteur (moyennement dope). La construction fait apparatre deux jonctions comparables celle d'une diode. 6.1.2. Symboles
Remarques : Quel que soit le type de transistor sur les schmas, l'metteur est indiqu par la flche. Suivant le botier, les constructeurs le repre parfois par un ergot ou un point. Sur les botiers mtalliques, le collecteur est en gnral raccord celui-ci pour permettre une meilleure dissipation de la chaleur. Les schmas quivalents des deux types de transistors mettent en vidence les deux jonctions, qui peuvent donc tre contrles de la mme faon qu'une diode, permettent de reprer la base (borne commune aux 2 jonctions) et de dterminer le type de transistor. En outre quel que soit le transistor, l'ohmmtre ne doit jamais indiquer de passage du courant entre les bornes metteur et collecteur. 6.1.3. L'effet transistor En polarisant la jonction B-E en direct, un courant Ib circule. Ce courant modifie progressivement la structure interne du transistor et permet le passage d'un courant Ic, entre le collecteur et l'metteur dans le sens de la flche du symbole du transistor. Dans la zone de fonctionnement du transistor, on peut considrer que ce courant Ic est proportionnel au courant IB. Ce coefficient d'amplification est appel gain du transistor et se dsigne par la lettre . IC = IB 20 < < 600
26
27
6.1.4. Etablissement des courants dans le transistor
EMETTEUR
BASE
COLLECTEUR
IC IE
IB
Quel que soit le type de transistor, le courant traversant l'metteur provient de la somme du courant dans la base et du courant dans le collecteur.
IE = IC + IB
6.1.5. Puissance dissipe dans le transistor Comme tout lment, le transistor est limit par la puissance qu'il peut dissiper. L'chauffement du transistor provient des courants IB tabli entre B - E et surtout IC entre C - E. La puissance peut donc s'exprimer :
P = VCE IC
28
6.1.6. Caractristiques du transistor en rgime statique
29
6.2.
Manipulation
Alimentation 24 V CC avec transistor "ballast"
A1 0,47 A Ve 31,5 V
V1 230 V Vz 24,7 V
A2 2,3 A Vbe 0,7 V
V2 24 V Vce 7,5 V Ib 13 mA Ir 31 mA
2 TABLEAU DE MESURE WATTMETRE Echelle 120 cal. U cal. I lecture valeur 240 V 1A 49
1 - Complter le schma en reprsentant le montage redresseur double alternance avec filtrage par condensateur chimique. 2 - Quelle est la puissance mesure par le wattmtre? (complter le tableau de mesure). 3 - Quelle est la puissance dissipe par la charge? 4 - Quel est le rendement global du systme de conversion 230 V alternatif / 24 V continu? 5 - Quelle est la puissance apparente au primaire du transformateur? 6 - Quel est le facteur de puissance de l'installation? 7 - Quelle est la puissance dissipe par le transistor? 8 - Flcher sur le schma les courants Ir, Ib et Iz. Donner l'quation des courants au noeud N. Calculer Iz. 9 - Quelle est la puissance dissipe par la diode Zner? Faut-il utiliser une Zner de 0,4 W ou de 1,3 W?
30
10 On dsire remplacer le montage stabilisateur par un rgulateur de tension intgr. La charge ne change pas. Lequel faut-il choisir ? Justifie votre rponse.
Type UA7824 LM317 UA350KC VR300
Rgulateurs de tension intgrs (question 10) Tension de sortie Intensit fixe 24V ajustable de 1,2 37 V ajustable de 1,2 33 V ajustable de 2,9 28 V 1,5 A 1,5 A 3A 2A
31
CORRECTION MANIPULATION
TABLEAU DE MESURE WATTMETRE Echelle 120 cal. U cal. I lecture valeur 240 V 1A 49 98 W
3 . P = VZ x IZ = 24 x 2,3 = 55,2 W 4. =
Pu 55,2 = = 0,563 Pa 98
5. S = U x I = 230 x 0,47 = 108,1 VA 6. cos =
P 98 = = 0,906 S 108,1
7. PT = Vce x I = 7,5 x 2,3 = 17,25 W 8. Ir = Ib + Iz
Iz = Ir Ib Iz = 31 13 = 18 mA
9. Pz = Uz x Iz = 24,7 x 0,018 = 0,444 W Il faut une Zner de 1,3 W 10. UA350KC 1,2 33V / 3A donc ajustable 24 V et capable de dbiter 2,3A.
32
6.3.
Utilisation du transistor en commutation
6.3.1. Description du fonctionnement Le transistor fonctionne en tout ou rien (T.O.R.) c'est dire qu'il est soit bloqu soit satur. On peut le considrer comme un contacteur.
6.3.2. Fonctionnement en tat bloqu La base n'est parcourue par aucun courant, le courant Ic , est donc lui aussi nul. La liaison C-E s'assimile un contact ouvert, toute la tension du gnrateur (Vcc.) se reportant ses bornes <=> Vce = Vcc et Ic = 0. 6.3.3. Fonctionnement en tat satur La jonction B-E est polarise en direct, avec un courant Ib tel que l'effet transistor ne peut exister. On dit que le transistor est satur. En pratique, on dtermine Ib en fonction du courant Ic et du gain du transistor en fonctionnement normal ; puis on applique un coefficient de saturation (2 < k < 10). La liaison C-E du transistor se comporte alors comme un contact ferm, le courant Ic est directement fonction de la tension du gnrateur (Vcc) et de la rsistance de charge (Rc) place sur le collecteur. D'o : Vce Sat 0,1 V => Ic Vcc / Rc
33
: 6.3.4. Application : Dtecteur de lumire On veut alimenter un relais dont la bobine a pour caractristiques 12 V / IC = 120 mA partir du montage transistor propos.
a. b.
Quel est le type du transistor ? La cellule photo-rsistante "L.D.R." a une rsistance trs importante lorsqu'elle n'est pas claire, inversement sa valeur devient trs faible lorsqu'elle est soumise la lumire. Calculer R1 pour que le transistor puisse se saturer lorsque la L.D.R. est teinte( IL.D.R. = 0). On prendra = 100 avec un coefficient de saturation k = 2,5. Choisir R1 dans la srie E12 : 10 12 15 18 22 27 33 39 47 56 68 82. Que se passe-t-il au niveau du transistor et du relais si on claire la cellule. Expliquer. Prvoir la protection du transistor contre l'effet de self de la bobine du relais.
c. d.
34

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L'ELECTRONIQUE DU MONTEUR CABLEUR

Electrotechnique niveau V / 06-99

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Les semi-conducteurs purs ou intrinsques

Temprature 0 Kelvin : le semi-conducteur est un isolant

Temprature ambiante : le semi-conducteur est encore trs peu conducteur

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Les semi-conducteurs impurs ou extrinsques ou dops

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b) Caractristique inverse "P" est au - du gnrateur "N" est au + du gnrateur

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Claquage d'une diode : c'est l'augmentation brutale de son courant inverse

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2.3.4. Redressement triphas simple alternance. a) Principe

Umoy = 0,827 Vmax

2.3.5. Redressement triphas double alternance a) Principe

Umoy = 0,955 Vmax

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Redressement triphas double alternance

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Principe du filtrage par condensateur

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Schma et oscillogramme d'une stabilisation par diode Zner

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LES REGULATEURS DE TENSION INTEGRES

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Mise en uvre d'un rgulateur L7812 en tension de sortie fixe

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