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1

Conception des amplificateurs


Annick PENARIER
Master 1 EEA
2009-2010
2

PLAN
 Introduction

 Schéma et paramètres de base des amplificateurs

 Polarisation d’un transistor en RF

 La stabilité des transistors


 Critères de stabilité
 Etude de la stabilité
 Stabilité inconditionnelle

 Adaptation

 Adaptation et stabilité

 Gains
 Différents gains
 Gain de transfert maximum
 Gain de transfert unilatéralisé maximum
 Cercles de gain constant

 Bruit de l’amplificateur
 Notion de bruit HF
 Cercle de bruit constant

 Exemples de conception d’amplificateurs


3

Introduction
 Composant le plus utilisé en HF
 Emetteurs
 Récepteurs

 Quadripôle actif à base de transistors

 Conception basé en HF basée sur la


connaissance des paramètres

 But : concevoir circuits d’entrée et de sortie pour


obtenir les paramètres souhaités.
4

Schéma et paramètres de base


 Grandeurs caractéristiques
 Bande passante
 Gain : gain maximum disponible (exprimé en dB)
 Puissance maximale de sortie définie par le point de
compression à 1dB
5

Schéma et paramètres de base


 Point d’interception d’ordre 3
 2 signaux de fréquences F1 et F2 proches en
entrée, en sortie :
 Ampli parfaitement linéaire : 2 signaux de
fréquences F1 et F2
 Ampli non parfait: présence d’autres fréquences
 F1-F2, F1+F2, 2F1-F2,…
 De façon générale : nF1+mF2

Ve(t) = A.cos(ω1t) + B.cos(ω2t) Vs(t) = a1.Ve(t) + a2.Ve2(t) + a3.Ve3(t) + …


1 1 3 3
Vs (t) = a 2 .A 2 + a 2 .B 2 + (a1 .A + a 3 .A 3 + a 3 .AB 2 )cos(ω1 t)
2 2 4 2
3 3 1 1
+(a1 .B + a 3 .B 3 + a 3 .A 2 .B)cos(ω 2 t) + a 2 .A 2 cos(2ω1 t) + a 2 .B 2 cos(2ω 2 t)
4 2 2 2
1 1 3
+ a 3 .A 3 cos(3ω1 t) + a 3 .B 3 cos(3ω 2 t) + a 3 .A 2 .B.[cos(2ω1 + ω 2 )t + cos(2ω1 − ω 2 )t ]
4 4 4
3
+ a 3 .A.B 2 .[cos(2ω 2 + ω1 )t + cos(2ω 2 − ω1 )t ]
4
6

Point d’interception d’ordre 3


Ve(t) Vs(t)
Ve(t) = A.cos(ω1t) + B.cos(ω2t) G Vs(t) = a1.Ve(t) + a2.Ve2(t) + a3.Ve3(t) + …

a2 2
(A + B 2 )
2
 3 3 
Aa1 + a 3 .A 2 + a 3 .B 2  cos(ω1 t)
Composantes fondamentales  4 2 
Fréquences ω1, ω2  3 3 
Ba1 + a 3 .B 2 + a 3 .A 2  cos(ω 2 t)
 4 2 

Produits d'intermodulations
a 2 AB.cos(ω1 + ω 2 )t + a 2 AB.cos(ω1 − ω 2 )t
ω1 ± ω2

3.a 3 2
2.ω1 ± ω2 A .B.[cos(2ω1 + ω 2 )t + cos(2ω1 − ω 2 )t ]
4
3.a 3
2ω2 ± ω1 A.B 2 .[cos(2ω 2 + ω1 )t + cos(2ω 2 − ω1 )t ]
4
7

Point d’interception d’ordre 3


Illustration du spectre du signal de sortie Les produits d'intermodulation traduisent la
répartition des puissances sur les différentes
fréquences
On distingue différents types de distorsion:
- Les harmoniques (pas gênantes car en général hors bande passante)
- Les produits d'intermodulation (échange de puissance entre les porteuses)

IMR3 (dBc) dBc : dB par rapport à la porteuse

F2-F1 2F1-F2 F1 F2 2F2-F1 2F1 2F2 3F1 3F2


2F1+F2 2F2+F1
F1+F2

Produits d'intermodulation du second ordre F1 + F2 et F2 – F1

Produits d'intermodulation du troisième ordre 2F1 + F2 , 2F1 – F2 , 2F2 + F1 , 2F2 - F1


(intermodulation d'ordre 3)

Produits gênants si la différence ω1 et ω2 faible: 2F1 – F2 , 2F2 - F1


8

Point d’interception d’ordre 3


Formule de l'IMP cascadée

Indices se rapportant à la numérotation des étages


Gains et IMP exprimés en linéaire

Lorsque plusieurs étages sont utilisés en cascade, on constate que les contributions à
l'intermodulation sont apportées essentiellement par les derniers étages.
9

Schéma et paramètres de base


 Facteur de bruit
 Puissance consommée

 Pour choisir le bon transistor :


 Fréquence de transition : fT
 Fréquence pour laquelle le gain en courant
dynamique est égal à 1
 caractéristique de sa vitesse de fonctionnement
 Fréquence maximale d’oscillation fmax
 Fréquence maximale pour laquelle le gain en
puissance maximum disponible est égal à 1.
 Facteur de bruit
 Puissance consommée
 Type de boîtier
10
11

Schéma et paramètres de base


 Notations

 En regardant le transistor
 Impédance d’entrée Zin Γin
V1− Z in − Z 0
Γin = =
V1+ Z in + Z 0

 Impédance de sortie Zout Γout


V2− Z out − Z 0
Γout = =
V2+ Z out + Z 0
12

Schéma et paramètres de base


 En tournant le dos au transistor
 Impédance de source ZS ΓS
V1+ ZS − Z0
ΓS = =
V1− ZS + Z0

 Impédance de charge ZL ΓL


V2+ ZL − Z0
ΓL = =
V2− ZL + Z0

 On exprime Γin et Γout en fonction des paramètres S


et de ΓL et ΓS
 On a
V1− = S11V1+ + S12V2+ = S11V1+ + S12ΓL V2−

V2− = S 21V1+ + S 22V2+ = S 21V1+ + S 22ΓL V2−

 On obtient alors
S S Γ S 21 S12ΓS
Γin = S11 + 21 12 L Γout = S 22 +
1− S 22ΓL 1− S11ΓS
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Polarisation d’un amplificateur


 Montage
 Bipolaire : émetteur commun
 FET : source commune
 Inductances : isolent le continu
 Capacités :
 court-circuit pour l’alternatif
 Circuit ouvert pour le continu
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Polarisation du transistor
 Transistor unilatéral
 S21  gain
 S12  Contre-réaction
 Pour ampli : S12 aussi faible que possible pour éviter
contre réaction sortie vers entrée
 Un procédé simple d'unilatéralisation consiste à
"neutrodyner" le transistor. On ajoute un circuit Cn Rn
dit de neutrodynation destiné à compenser la
réaction interne du transistor (dont on sait qu'elle est
responsable du risque d'oscillation spontanée).
15

Stabilité
 Critères de stabilité
 Amplificateur ne doit pas osciller  stabilité
 Oscillation : signal incontrôlé
 Oscillation se créée sans signal sinusoïdal en entrée
 Circuit oscille si :
 Γin >1 ou Γout >1
 Donc stabilité dépend de ΓS et ΓL
 ZS et ZL : circuits passifs donc ΓS ≤ 1 et ΓL ≤1
 Conditions de stabilité dépendantes des fréquences
 Stabilité
 Conditionnelle : les coefficients de réflexion Γin et Γout sont inférieurs à 1
pour une gamme de charges passives et d'impédance de source
 Inconditionnelle : les coefficients de réflexion Γin et Γout sont inférieurs à 1
pour toute charge passive et toute impédance de source (aucune
condition sur ZL et ZS).
16

Stabilité
 Etude de la stabilité
S 21 S12ΓL
 Conditions : Γin = S11 +
1− S 22ΓL
<1

S 21 S12ΓS
Γout = S 22 + <1
1− S11ΓS
S 21 S12ΓL
 On part de S11 + =1
1− S 22ΓL

 En développant on obtient : S11 (1− ΓL S 22 ) + S 21 S12ΓL = 1− ΓL S 22

 Avec : Δ = S11 S 22 − S12 S 21

 on a S11 − ΔΓL = 1− S 22ΓL

 En élevant au carré :
S11
2
+ Δ ΓL
2 2
( *
− ΔΓL S11 )
+ Δ*ΓL* S11 = 1 + S 22 ΓL
2 2
(
* *
− S 22 ΓL + S 22ΓL )
 On arrange l’expression

(S 22
2
−Δ
2

L
2
( *
− S 22 − ΔS11 *
ΓL − S 22) (
− Δ* S11 ΓL* = S11 ) 2
−1

ΓL
2

( S 22 − ΔS *
11 )ΓL + ( S *
22 − Δ*
S11 )ΓL
*

=
S11
2
−1

(S 22
2
−Δ
2
) (S 22
2
−Δ
2
)
17

Stabilité
2 2 2
 En ajoutant à droite et à gauche : *
S 22 − ΔS11 ( S 22
2
−Δ )
2 2
* *
ΓL −
( S 22 − ΔS11 ) =
S11
2
−1
+
*
S 22 − ΔS11

(S 22
2
−Δ
2
) (S 22
2
−Δ
2
) (S 22
2
−Δ
2 2
)
 Finalement :
*

ΓL −
( *
S 22 − ΔS11 ) =
S12 S 21

(S 22
2
−Δ
2
) S 22
2
−Δ
2

 Equation de la forme : Γ−C = R ; cercle de rayon R


de centre C *

 Cercle de stabilité en sortie : C SL =


( *
S 22 − ΔS11 ) et R SL =
S12 S 21
2 2 2 2
S 22 −Δ S 22 −Δ
*
( *
S11 − ΔS 22 ) S12 S 21
 Cercle de stabilité en entrée : C SS = 2 2 et R SS = 2 2
S11 −Δ S11 −Δ
18

Stabilité
 Utilisation
 A partir des paramètres S  tracés des cercles de stabilité sur l’abaque
 Ces cercles définissent :
 les lieux des valeurs de ΓL et ΓS vérifiant les égalités suivantes : |Γin| = 1 et
|Γout| = 1
 D'un côté du cercle de stabilité en sortie |Γout| < 1 et de l'autre côté |
Γout| > 1. Il en est de même pour le cercle de stabilité en entrée.
 Pour déterminer où se trouve les zones telles que |Γin| < 1et |Γin| > 1, à
savoir l'intérieur ou l'extérieur du cercle de stabilité en entrée,
 on prend ZL = Z0, ce qui entraîne ΓL = 0 (centre de l'abaque de Smith).
 Il vient Γin = S11

 Si |S11| < 1  centre de l'abaque de Smith appartient à la zone de


stabilité
 Si|S11| > 1  centre de l'abaque de Smith appartient à la zone
d'instabilité.
19

Stabilité
 Exemple
 |S11| < 1

 |S11| > 1
20

Stabilité
 Stabilité inconditionnelle
 Cas où |S11| < 1
 Si le cercle de stabilité en sortie ne contient pas le centre de
l’abaque (|Δ| < |S22|), il faut que le cercle soit en dehors de
l’abaque
C SL − RSL > 1
 Si Si le cercle de stabilité en sortie ne contient pas le centre de
l’abaque (|Δ| > |S22|), il faut que le cercle recouvre tout
l’abaque
RSL − C SL > 1
21

Stabilité
 Ces deux conditions donnent :
RSL − C SL > 1

 De même on obtient :
RSS − C SS > 1

 On obtient alors le critère de stabilité :


  K > 1 et |Δ| < 1
 Avec K : facteur de Rollet
2 2 2
1 + Δ − S11 − S 22
K=
2 S12 S 21

 EXERCICE
22

Adaptation
 BUT : ampli dans une gamme de fréquence donnée avec des
paramètres spécifiques : gain, bruit

 De façon générale :
 Adaptation : passer d’une impédance du circuit à une impédance de 50Ω
 Pour ampli utilisant le gain maximum possible du transistor : adaptation
classique
 Source fournit une puissance maxi : Zin du transistor chargé par ZL égale à
ZS* (Γin = ΓS*)
 La charge doit recevoir une puissance maxi : Zout du transistor chargé par
ZS égale à ZL* (Γout = ΓL*)
23

Adaptation
 Transistor dispositif bidirectionnel : Adaptation entrée affecte
adaptation sortie et vice-versa
 Pour avoir adaptation simultanée en entrée et sortie, on montre que :
 Expressions des coefficients de réflexion
2
B1 ± B12 − 4 C1
ΓS =
2C1
2
B 2 ± B 22 − 4 C 2
ΓL =
2C 2
2 2 2
 avec B1 = 1 + S11 − S 22 −Δ

2 2 2
B 2 = 1 + S 22 − S11 −Δ

*
C1 = S11 − ΔS 22

*
C 2 = S 22 − ΔS11

 2 solutions  les 2 ne sont pas réalisables


 Si conception d’ampli plus faible gain ou faible bruit  pas adaptation
classique donc pas Γin = ΓS* et Γout = ΓL*  vu plus loin
24

Adaptation et stabilité
 Adaptation simultanée entrée – sortie en fonction de K
 Conditions d’adaptation : Γin = ΓS* et Γout = ΓL*
 Conditions de stabilité : |Γout| < 1 et |Γin| < 1
 Ce qui donne : |ΓL| < 1 et |ΓS| < 1
 Si |K|>1
 Si K> 1 et |Δ|<1  stabilité inconditionnelle
 B1 >0 et B2 >0 donc +
2 2
B1 − B12 − 4 C1 B 2 − B 22 − 4 C 2
 ΓS = ΓL =
2C 2
2C1

 Si K> 1 et |Δ|>1  stabilité conditionnelle


 B1 >0 et B2 >0 donc
2 2
B1 + B12 − 4 C1 B 2 + B 22 − 4 C 2
 ΓS = ΓL =
2C1 2C 2

S 21
 Dans ces 2 cas : GT max = K  K 2 −1 avec - pour Δ<1 et + pour Δ>1
S12
25

Adaptation et stabilité
 Si K<-1 : les solutions sont croisées  transistor non adaptable,
donc inutilisable pour ampli
 Si |K|<1,
 Racine d’un terme négatif
 On montre que ΓS = ΓL = 1
 Ampli conditionnellement stable  cercles de stabilité
26

Gains des amplificateurs


 Formule de la puissance
+ 2
1V0
P=
2 Z0
(1− Γ )
2

 Gain en puissance : rapport entre puissance moyenne à la sortie


du quadripôle et la puissance moyenne à l’entrée du quadripôle,
indépendant de ZS

 Gain en puissance disponible (gain d’insertion) : rapport de la


puissance que délivre le quadripôle à la charge par la puissance
que fournirait le générateur s’il était directement connecté à la
charge, fonction de ZS mais pas de ZL

 Gain de transfert en puissance


 Gain transducique
 Rapport entre puissance dissipée dans ZS à la puissance disponible à la
source.
 Dépend de ZS et de ZL
27

Gains des amplificateurs


PL
 Calcul du gain de transfert GT : GT =
Pavs
 Puissance dissipée dans la charge
2

1 V2
PL =
2 Z0
(
1 − ΓL
2
)
 On a V2− = S 21V1+ + S 22V2+ = S 21V1+ + S 22 ΓLV2−
S 21
V2− = V1+
1 − S 22 ΓL
Z in
 De plus V1 = VS = V1+ + V1− = V1+ (1 + Γin )
Z S + Z in
VS 1− ΓS
 On obtient V1+ =
2 1− ΓinΓS

 On a alors

PL =
VS
2 2
S 21 1− ΓS
2
(1− Γ )
L
2

8Z 0 1− S 22ΓL 2 1− ΓinΓS 2
28

Gains des amplificateurs


 Puissance dissipée dans la source :
2 2
VS 1− ΓS
Pavs = PL Γin =ΓS* =
8Z 0 1− Γ
(
S
2
)
 Gain de transfert s’écrit alors :

GT =
S 21
2
(
1− ΓS
2
)(
1− ΓL
2
)= S 21
2
(
1− ΓS
2
)(
1− ΓL
2
)
2 2 2
1− ΓS Γin 1− S 22ΓL (1− S22ΓL )(1− S11ΓS ) − ΓL ΓS S12 S21

 Gain de transfert maximum ou gain disponible


 Amplificateur adapté en entrée et en sortie.
 "Gain Maximum disponible" ou "Available Maximum Gain", MAG.
 On note ce gain GA ou GTmax.

GA = GT *
ΓL =Γout
29

Gain des amplificateurs


 Calcul :
 On rappelle
S 21 S12ΓL S 21 S12ΓS
Γin = S11 + Γout = S 22 +
1− S 22ΓL 1− S11ΓS
 On montre
2 2
1− S11ΓS 1− Γout
2
1− ΓS Γin *
ΓL =Γout = 2
*
1− S 22Γout

 Donc

GT max = GA =
S 21 (1− Γ )
2
S
2

Γ (1− Γ )
2 2
1− S11 S L
 Ou

GT max = G A =
2
S 21 1 − ΓL ( 2
)
1 − S 22 ΓL
2
(
1 − ΓS
2
)
30

Gain des amplificateurs


 Gain de transfert unilatéralisé maximum
 Transistor unilatéral
 Transistor adapté en entrée et en sortie
 Gain de transfert unilatéralisé :

GTu =
S 21
2
(
1− ΓS
2
)( 1− ΓL
2
)
2 2
(1− S22ΓL ) (1− S11ΓS )
 Gain du transistor intrinsèque
2
S 21
 Gain du quadripôle d’entrée

GS =
(
1− ΓS
2
)
2
(1− S11ΓS )
 Gain du quadripôle de sortie

GL =
(1− Γ )
L
2

2
(1− S22ΓL )
31

Gain des amplificateurs


* *
 Gain maximum quand ΓS = S11 et ΓL = S 22
 On a alors :
2
S 21
GTu max =
2 2
1− S11 1− S 22

 Décomposition en 3 termes
(GTU max ) dB = (GS max ) dB + (Gtransisto int rinseque ) dB + (GL max ) dB
1
 Entrée GS max = 2
1 − S11

1
 Sortie GL max = 2
1 − S 22
32

Gain des amplificateurs


 Transistor unilatéral ?
 Paramètre de l’unilatéralité
S11 S12 S 21 S 22
U=
(1− S )(1− S )
11
2
22
2

 On calcule l’erreur faite par l’approximation


1 GT 1
< <
(1 +U ) 2 GTU (1−U ) 2

 Exemples

Transistor A Transistor B
S11 = 0,45∠150° S12 = 0,01∠ −10° S11 = 0,641∠ −171,3° S12 = 0,057∠16,3°
S 21 = 2,05∠10° S 22 = 0,4∠ −150° S 21 = 2,058∠28,5° S 22 = 0,572∠ − 95,7°
33

Gain des amplificateurs


 Cercles de gain constant
 Lieu de ΓS ou ΓL pour avoir certaine valeur de GS ou GL
 Quand gain non maximum
 Calcul de GS constant
 Soit gS, facteur de gain normalisé
2
GS 1− ΓS
gS = =
GS max 1− S11ΓS 2 (
1− S11
2
)
 ΓS solutions sont sur des cercles
 Rayon

RS =
(
1− g S 1− S11
2
)
2
1− (1− g S ) S11
 Centre *
g S S11
CS = 2
1− (1− g S ) S11
34

Gain des amplificateurs


 Calcul de GL constant
 Soit gL, facteur de gain normalisé
2
GL 1 − ΓL
gL = =
GL max 1 − S 22 ΓL 2 (1 − S )
22
2

 ΓS solutions sont sur des cercles


 Rayon
*
g L S 22
CL = 2
1− (1− g L ) S 22
 Centre

RL =
(
1− g L 1− S 22
2
)
2
1− (1− g L ) S 22

 EXERCICE
35

Bruit de l’amplificateur
 Facteur de bruit : Caractérise la dégradation du rapport signal sur
bruit entre l’entrée et la sortie du quadripôle

 Température de bruit :
 Dans une bande de fréquence Δf , un corps noir à la température T
produit une puissance de bruit : N = k T Δf , où k = 1,38 10−23 JK−1 est la
constante de Boltzmann.
 Température de Bruit d’un objet hyperfréquence quelconque est la
température produisant la même puissance de bruit N. Cette
température est différente de la température thermodynamique
ambiante.
 Si TA est la température d’une résistance, la puissance de bruit qu’elle
introduira à l’entrée du récepteur sera kB TA ∆ f .
 Si TR est la température de bruit du récepteur, cela signifie qu’il ramène
à son entrée une puissance de bruit équivalente kB TR ∆ f
 Puissance de bruit totale à prendre en compte à l’entrée du récepteur
sera kB (TA + TR ) ∆ f .
36

Bruit de l’amplificateur
 Facteur de bruit
 On considère un quadripôle Q.
 Se puissance du signal à l'entrée
 Ss puissance du signal à la sortie
 Ne la puissance de bruit à l'entrée
 Ns la puissance de bruit à la sortie
 Soit le rapport signal sur bruit σ = S N
 On a alors
σ e Se N s Se N s
F= = =
σ s N e Ss Ss N e

 De plus
Ss
G=
Se
 Donc
Ns
F=
GN e
37

Bruit de l’amplificateur
 On a aussi N s = GN e + N Q
 avec NQ la puissance de bruit produite par le quadripôle
 D’où
NQ
F =1+
GN e

 NQ/G désigne la puissance de bruit interne du quadripôle


ramenée en entrée, on la note Nr
 D’où N
F =1+ r
Ne
 Ne est une source de bruit de référence, Ne = k.T0.Δf
 Soit Tr la température de bruit du quadripôle ramenée en entrée,
on a alors : Nr = k.Tr.Δf
 Donc
T
F =1+ r
T0
38

Bruit de l’amplificateur
 Facteur de bruit de quadripôle en cascade
 Exemple : chaîne de 3 quadripôles

 Chaque quadripôle a
 NQi la puissance de bruit délivrée par le quadripôle
 Une température de bruit Ti
 Une température de bruit ramenée en entrée Tri=Ti/Gi
 Un gain en puissance Gi
 Soit GT, le gain total de la chaîne
 Soit FT, le facteur de bruit de la chaîne
 On a
 Ns = N2G3+NQ3
 N2 = N1G2+NQ2
 N1 = NeG1+NQ1
39

Bruit de l’amplificateur
 Donc : Ns = G1G2 G3Ne+ G2 G3NQ1+G3NQ2+NQ3

 Ns = G1G2 G3k.T0.Δf + G2 G3k.T1.Δf +G3k.T2.Δf +k.T3.Δf


 On met GT en facteur
 T1 T2 T3 
N s = GT N e 1 + + + 
 G T
1 0 G G T
1 2 0 G1G2 G3T0 
 Calculons le facteur de bruit
Se N s  1   T1 T2 T3 
FT = =  GT 1 + + + 
S s N e  GT   G1T0 G1G2T0 G1G2 G3T0 
Tr1 Tr 2 Tr 3
FT = 1 + + +
T0 G1T0 G1G2T0
 En identifiant avec
T
FT = 1 + r
T0
 On a
T T
Tr = Tr1 + r 2 + r 3
G1 G1G2
40

Bruit de l’amplificateur
 De plus
Tr1 Tr 2 Tr 3 F −1 F3 −1
FT = 1 + + + = F1 + 2 +
T0 G1T0 G1G2T0 G1 G1G2
 Cas général :
 On a :
F2 −1 F3 −1 Fn −1
FT = F1 + + + .... +
G1 G1G2 G1G2 ...Gn−1

Pour diminuer le bruit d’une chaîne de quadripôle il faut que le


premier quadripôle ait :
 Un gain le plus grand possible
 Un facteur de bruit le plus petit possible
 Pour un élément passif F=atténuation=1/G
41

Bruit de l’amplificateur
 Facteur de bruit caractérisé par 4 paramètres
 le facteur de bruit minimum Fmin,
 la résistance équivalente de bruit Rn,
 la partie réelle et imaginaire de l'admittance optimale de source Yopt (Yopt
= Gopt+jBopt).

Rn 2
F = Fmin + Ys − Yopt
Gs

 Ys est l'admittance du dispositif présentée à l'entrée du composant, Gs


étant sa partie réelle
 Fmin est obtenu lorsque Ys = Yopt.
 Rn : sensibilité du dispositif lorsque l'admittance de source s'écarte de sa
valeur optimale
42

Bruit de l’amplificateur
 L’expression précédente peut s’écrire
2
4Rn ΓS − Γopt
F = F min+ 2
(
Z 0 1− Γ
S
2
) 1 + Γopt
 On définit N
2
ΓS − Γopt F − Fmin 2
N= 2
= 1 + Γopt
1 − ΓS 4 Rn Y 0

 Pour un facteur de bruit F, N est constant


 Les solutions de ΓS permettant d’avoir N sont sur un cercle :
Γopt
CF =
N +1
 2
N  N +1− Γopt 
 
RF =
N +1
43

Bruit de l’amplificateur
 Exercices :
 Soit un amplificateur ayant un gain de 20dB, un
facteur de bruit de 3,5dB et un point de compression
à 1dB en sortie de 10dBm. Quelle est la dynamique
de fonctionnement de cet amplificateur.
 Une antenne est connectée à un amplificateur
faible bruit à l’aide d’un câble coaxial.
L’amplificateur a un gain de 15dB, une bande
passante de 100MHz et une température de bruit
égale à 150K. L’atténuation du câble coaxial est de
2dB.
 Quel est le facteur de bruit de l’ensemble câble-
amplificateur ?
 Quel est le facteur de bruit si l’amplificateur est
directement connecté à l’antenne?

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