1

Conception des amplificateurs

Annick PENARIER
Master 2 EEA PHYS
2023-2024
 2

PLAN
 Introduction

 Schéma et paramètres de base des amplificateurs

 Polarisation d’un transistor en RF

 La stabilité des transistors

 Adaptation

 Adaptation et stabilité

 Gains

 Bruit de l’amplificateur

 Exemples de conception d’amplificateurs

 Ampli large bande

 Ampli de puissance
 3

Introduction
 Composant le plus utilisé en HF
 Emetteurs
 Récepteurs

 Quadripôle actif à base de transistors

 Conception en HF basée sur la connaissance des paramètres

 But : concevoir circuits d’entrée et de sortie pour obtenir les

paramètres souhaités.
 4

Schéma et paramètres de base

 Grandeurs caractéristiques
 Bande passante
 Gain : gain maximum disponible (exprimé en dB)
 Facteur de bruit
 Puissance consommée
 Puissance maximale de sortie définie par le point de compression à 1dB
 5

Schéma et paramètres de base

 Point d’interception d’ordre 3
 2 signaux de fréquences F1 et F2 proches en entrée, en sortie :
 Ampli parfaitement linéaire : 2 signaux de fréquences F1 et F2
 Ampli non parfait: présence d’autres fréquences : nF1+mF2

Ve(t) Vs(t)
Ve(t) = A.cos(ω1t) + B.cos(ω2t) G Vs(t) = a1.Ve(t) + a2.Ve2(t) + a3.Ve3(t) + …

1 1 3 3
Vs (t) = a 2 .A 2 + a 2 .B 2 + (a1 .A + a 3 .A 3 + a 3 .AB 2 )cos(ω1 t)
2 2 4 2
3 3 1 1
+(a1 .B + a 3 .B 3 + a 3 .A 2 .B)cos(ω 2 t) + a 2 .A 2 cos(2ω1 t) + a 2 .B 2 cos(2ω 2 t)
4 2 2 2
1 1 3
+ a 3 .A 3 cos(3ω1 t) + a 3 .B 3 cos(3ω 2 t) + a 3 .A 2 .B.[cos(2ω1 + ω 2 )t + cos(2ω1 − ω 2 )t ]
4 4 4
3
+ a 3 .A.B 2 .[cos(2ω 2 + ω1 )t + cos(2ω 2 − ω1 )t ]
4

F2-F1 2F1-F2 F1 F2 2F2-F1 2F1 2F2 3F1 3F2

F1+F2 2F1+F2 2F2+F1
 6

Schéma et paramètres de base

 Pour faire un ampli il faut un transistor :
 Fréquence de transition : fT
 Fréquence pour laquelle le gain en courant dynamique est égal à 1
 caractéristique de sa vitesse de fonctionnement
 Fréquence maximale d’oscillation fmax
 Fréquence maximale pour laquelle le gain en puissance maximum
disponible est égal à 1.
 Facteur de bruit
 Puissance consommée
 Type de boîtier
7
 8

Schéma et paramètres de base

 Transistor + 2 charges

 Notations
 En regardant le transistor  En tournant le dos au transistor
 Impédance d’entrée Zin Γin  Impédance de source ZS ΓS
V1− Z − Z0 V1+ ZS − Z0
Γin = = in ΓS = =
V1+ Z in + Z 0 V1− ZS + Z0

 Impédance de sortie Zout Γout  Impédance de charge ZL ΓL

V2− Z − Z0 V2+ ZL − Z0
Γout = = out ΓL = =
V2+ Z out + Z 0 V2− ZL + Z0
 9

Schéma et paramètres de base

 On exprime Γin et Γout en fonction des paramètres S et de ΓL et ΓS
 On a V1− = S11V1+ + S12V2+ = S11V1+ + S12ΓL V2−

V2− = S 21V1+ + S 22V2+ = S 21V1+ + S 22ΓL V2−

 On obtient alors
S 21 S12ΓL S 21 S12ΓS
Γin = S11 + Γout = S 22 +
1− S 22ΓL 1− S11ΓS
 10

Polarisation du transistor
 Montage
 Bipolaire : émetteur commun
 FET : source commune
 Inductances : isolent le continu
 Capacités :
 court-circuit pour l’alternatif
 Circuit ouvert pour le continu
 11

Polarisation du transistor
 Transistor unilatéral
 S21  gain
 S12  Contre-réaction
 Pour ampli : S12 aussi faible que possible pour éviter contre réaction sortie
vers entrée
 Un procédé simple d'unilatéralisation consiste à "neutrodyner" le transistor.
On ajoute un circuit Cn Rn dit de neutrodynation destiné à compenser la
réaction interne du transistor (dont on sait qu'elle est responsable du risque
d'oscillation spontanée).
 12

Stabilité
 Critères de stabilité
 Amplificateur ne doit pas osciller  stabilité
 Oscillation : signal incontrôlé
 Oscillation se créée sans signal sinusoïdal en entrée
 Circuit oscille si :
 Γin >1 ou Γout >1
 Donc stabilité dépend de ΓS et ΓL
 ZS et ZL : circuits passifs donc ΓS ≤ 1 et ΓL ≤1
 Conditions de stabilité dépendantes des fréquences
 Stabilité
 Conditionnelle : les coefficients de réflexion Γin et Γout sont inférieurs à 1
pour une gamme de charges passives et d'impédance de source
 Inconditionnelle : les coefficients de réflexion Γin et Γout sont inférieurs à 1
pour toute charge passive et toute impédance de source (aucune
condition sur ZL et ZS).
 13

Stabilité
 Etude de la stabilité
S 21 S12ΓL
 Conditions : Γin = S11 + <1
1− S 22ΓL
S 21 S12ΓS
Γout = S 22 + <1
1− S11ΓS
S 21 S12ΓL
 On part de S11 + =1
1− S 22ΓL

 En développant on obtient : S11 (1− ΓL S 22 ) + S 21 S12ΓL = 1− ΓL S 22

 Avec : ∆ = S11 S 22 − S12 S 21
 on a S11 − ∆ΓL = 1− S 22ΓL

 En élevant au carré :
S11
2
+ ∆ ΓL
2 2
( *
− ∆ΓL S11 )
+ ∆*ΓL* S11 = 1 + S 22 ΓL
2 2
(
* *
− S 22 ΓL + S 22ΓL )
 On arrange l’expression

(S 22
2
−∆
2
)Γ
L
2
( *
− S 22 − ∆S11 ( *
ΓL − S 22 )
− ∆* S11 ΓL* = S11 ) 2
−1

ΓL
2
−
( *
S 22 − ∆S11 )Γ + (S − ∆ S )Γ
L
*
22
*
11
*
L
=
S11
2
−1

(S 22
2
−∆
2
) (S 22
2
−∆
2
)
 14

Stabilité
( 2 2
)
2
 En ajoutant à droite et à gauche : *
S 22 − ∆S11 S 22
2
−∆
2
(S22 − )
* * * 2
∆S11 2 S 22 − ∆S11
S11 −1
ΓL − = +
(S 22
2
−∆
2
) (S 22
2
−∆
2
) (S 22
2
−∆
2 2
)
 Finalement :
( )
* *
S 22 − ∆S11 S12 S 21
ΓL − =
(S 22
2
−∆
2
) S 22
2
−∆
2

 Equation de la forme : ;R
Γ−C = cercle de rayon R de centre C
 Cercle de stabilité en sortie : ( ) et
* *
S 22 − ∆S11 S12 S 21
C SL = R SL = 2 2
S 22
2
−∆
2 S 22 −∆

 Cercle de stabilité en entrée : ( *

S11 − ∆S 22 ) et *
S12 S 21
C SS = R SS = 2 2
S11
2
−∆
2 S11 −∆
 15

Stabilité
 Utilisation
 A partir des paramètres S  tracés des cercles de stabilité sur l’abaque
 Ces cercles définissent :
 les lieux des valeurs de ΓL et ΓS vérifiant les égalités suivantes : |Γin| = 1
et |Γout| = 1
 D'un côté du cercle de stabilité en entrée |Γout| < 1 et de l'autre côté
|Γout| > 1. Il en est de même pour le cercle de stabilité en sortie.
 Pour déterminer où se trouve les zones telles que |Γin| < 1et |Γin| > 1, à
savoir l'intérieur ou l'extérieur du cercle de stabilité en sortie,
 on prend ZL = Z0, ce qui entraîne ΓL = 0 (centre de l'abaque de Smith).
 Il vient Γin = S11

 Si |S11| < 1  centre de l'abaque de Smith appartient à la zone de

stabilité
 Si|S11| > 1  centre de l'abaque de Smith appartient à la zone
d'instabilité.
 16

Stabilité
 Exemple
 |S11| < 1

 |S11| > 1
 17

Stabilité
 Stabilité inconditionnelle
 Cas où |S11| < 1
 Si le cercle de stabilité en sortie ne contient pas le centre de
l’abaque (|∆| < |S22|), il faut que le cercle soit en dehors de
l’abaque
C SL − RSL > 1
 Si Si le cercle de stabilité en sortie ne contient pas le centre de
l’abaque (|∆| > |S22|), il faut que le cercle recouvre tout
l’abaque
RSL − C SL > 1
 18

Stabilité
 Ces deux conditions donnent :
RSL − C SL > 1

 De même on obtient :
RSS − C SS > 1

 On obtient alors le critère de stabilité :

  K > 1 et |∆| < 1
 Avec K : facteur de Rollet
2 2 2
1 + ∆ − S11 − S 22
K=
2 S12 S 21

 EXERCICE
 19

Adaptation
 BUT : ampli dans une gamme de fréquence donnée avec des
paramètres spécifiques : gain, bruit

 De façon générale :
 Adaptation : passer d’une impédance du circuit à une impédance de 50Ω
 Pour ampli utilisant le gain maximum possible du transistor : adaptation
classique
 Source fournit une puissance maxi : Zin du transistor chargé par ZL égale à
ZS* (Γin = ΓS*)
 La charge doit recevoir une puissance maxi : Zout du transistor chargé par
ZS égale à ZL* (Γout = ΓL*)
 20

Adaptation
 Transistor dispositif bidirectionnel : Adaptation entrée affecte
adaptation sortie et vice-versa
 Pour avoir adaptation simultanée en entrée et sortie, on montre que :
 Expressions des coefficients de réflexion
2
B1 ± B12 − 4 C1
ΓS =
2C1
2
B 2 ± B 22 − 4 C 2
ΓL =
2C 2
2 2 2
 avec B1 = 1 + S11 − S 22 −∆

2 2 2
B 2 = 1 + S 22 − S11 −∆

*
C1 = S11 − ∆S 22

*
C 2 = S 22 − ∆S11

 2 solutions  les 2 ne sont pas réalisables

 Si conception d’ampli plus faible gain ou faible bruit  pas adaptation
classique donc pas Γin = ΓS* et Γout = ΓL*  vu plus loin
 21

Adaptation et stabilité
 Adaptation simultanée entrée – sortie en fonction de K
 Conditions d’adaptation : Γin = ΓS* et Γout = ΓL*
 Conditions de stabilité : |Γout| < 1 et |Γin| < 1
 Ce qui donne : |ΓL| < 1 et |ΓS| < 1
 Si |K|>1
 Si K> 1 et |∆|<1  stabilité inconditionnelle : B1 >0 et B2 >0 donc –

 Si K> 1 et |∆|>1  stabilité conditionnelle: B1 < 0 et B2 < 0 donc +

S 21 2
 Dans ces 2 cas : T max S K  K −1
G = avec - pour ∆<1 et + pour ∆>1
 12

 Si K<-1 : les solutions sont croisées  transistor non adaptable, donc

inutilisable pour ampli
 Si |K|<1, Ampli conditionnellement stable  cercles de stabilité
 22

Gains des amplificateurs

 Formule de la puissance
+ 2
1V0
P=
2 Z0
(1− Γ )
2

 Gain en puissance : rapport entre puissance moyenne à la sortie

du quadripôle et la puissance moyenne à l’entrée du quadripôle,
indépendant de ZS
PL
GP =
PIN
 23

Gains des amplificateurs

 Gain en puissance disponible (gain d’insertion) : rapport
de la puissance que délivre le quadripôle à la charge
par la puissance que fournirait le générateur s’il était
directement connecté à la charge, fonction de ZS mais
pas de ZL
P
G A = AVN
PAVS
 Gain de transfert en puissance
 Gain transducique
 Rapport entre puissance dissipée dans ZL à la puissance
disponible à la source.
 Dépend de ZS et de ZL
PL
 GT =
PAVS
 24

Gains des amplificateurs

PL
 Calcul du gain de transfert GT : GT =
Pavs
 Puissance dissipée dans la charge
−2
1 V2
PL =
2 Z0
(
1 − ΓL
2
)
 On a V2− = S 21V1+ + S 22V2+ = S 21V1+ + S 22 ΓL V2−
S 21
V2− = V1+
1 − S 22 ΓL
Z in
 De plus V1 = VS = V1+ + V1− = V1+ (1 + Γin )
Z S + Z in
VS 1− ΓS
 On obtient V1+ =
2 1− ΓinΓS

 On a alors

PL =
VS
2 2
S 21 1− ΓS
2
(
1− ΓL
2
)
8Z 0 1− S 22ΓL 2 1− ΓinΓS 2
 25

Gains des amplificateurs

 Puissance dissipée dans la source :
2 1 − ΓS 2 1 − Γin 2  VS 2 1 − ΓS 2
V   Pavs = Pin =
Pin = S Γin =ΓS* 8Z 0  2
8Z 0 2 1 − ΓS 
1 − Γin ΓS  

 Gain de transfert s’écrit alors :

GT =
S 21
2
(
1− ΓS
2
)(
1− ΓL
2
)= S 21
2
(
1− ΓS
2
)(
1− ΓL
2
)
2 2 2
1− ΓS Γin 1− S 22ΓL (1− S22ΓL )(1− S11ΓS ) − ΓL ΓS S12 S21

 Gain de transfert maximum ou gain disponible

 Amplificateur adapté en entrée et en sortie.
 "Gain Maximum disponible" ou "Available Maximum Gain", MAG.
 On note ce gain GA ou GTmax.

GA = GT ΓL =Γout
*
 26

Gain des amplificateurs

 Calcul :
 On rappelle
S 21 S12ΓL S 21 S12ΓS
Γin = S11 + Γout = S 22 +
1− S 22ΓL 1− S11ΓS
 On montre
2 22
1 − S11ΓS 1 − Γout
2
1 − ΓS Γin * =
ΓL = Γout * 2
1 − S 22Γout

 Donc

GT max = GA =
S 21
2
(
1− ΓS
2
)
1− S11ΓS
2
( 1− ΓL
2
)
 Ou

GT max = G A =
2
S 21 1 − ΓL( 2
)
1 − S 22 ΓL
2
(
1 − ΓS
2
)
 27

Gain des amplificateurs

 Gain de transfert unilatéralisé maximum
 Transistor unilatéral
 Si pas de contre réaction sortie vers entrée
 S12 proche de 0 ou très faible
 N’existe pas
 Il faut évaluer l’erreur faite en supposant T unilatéral
 Paramètre de l’unilatéralité
S11 S12 S 21 S 22
U=
(1− S )(1− S )
11
2
22
2 U Bornes d’erreur
(dB)
 On calcule l’erreur faite par l’approximation 0,01 -0,09 0,09
1 G 1 0,02 -0,17 0,18
< T <
0,05 -0,42 0,45
(1 +U )2 GTU (1−U )2
0,1 -0,83 0,91
 Transistor adapté en entrée et en sortie
0,2 -1,58 1,94
0,5 -3,52 6,02
0,9 -5,58 20,00
0,95 -5,80 26,02
 28

Gain des amplificateurs

 Gain de transfert unilatéralisé :

GTu =
S 21
2
(
1− ΓS
2
)( 1− ΓL
2
)
2 2
(1− S22ΓL ) (1− S11ΓS )
 Gain du transistor intrinsèque
2
S 21
 Gain du quadripôle d’entrée

GS =
(1− Γ )S
2

2
(1− S11ΓS )
 Gain du quadripôle de sortie

GL =
(
1− ΓL
2
)
2
(1− S22ΓL )
 29

Gain des amplificateurs

* *
 Gain maximum quand ΓS = S11 et ΓL = S 22
 On a alors :
2
S 21
GTu max =
2 2
1− S11 1− S 22

 Décomposition en 3 termes
(GTU max )dB = (GS max )dB + (Gtransisto int rinseque )dB + (GL max )dB
1
 Entrée GS max = 2
1 − S11

1
 Sortie GL max = 2
1 − S 22
 30

Gain des amplificateurs

 Cercles de gain constant
 Lieu de ΓS ou ΓL pour avoir certaine valeur de GS ou GL
 Quand gain non maximum
 Calcul de GS constant
 Soit gS, facteur de gain normalisé
2
GS 1− ΓS
gS = =
GS max 1− S11ΓS 2 (1− S )
11
2

 ΓS solutions sont sur des cercles

 Rayon

RS =
(
1− g S 1− S11
2
)
2
1− (1− g S ) S11
 Centre *
g S S11
CS = 2
1− (1− g S ) S11
 31

Gain des amplificateurs

 Calcul de GL constant
 Soit gL, facteur de gain normalisé
2
1 − ΓL
gL =
GL
=
GL max 1 − S 22 ΓL 2 (1 − S )
22
2

 ΓL solutions sont sur des cercles

 Centre
*
g L S 22
CL = 2
1− (1− g L ) S 22
 Rayon

RL =
(
1− g L 1− S 22
2
)
2
1− (1− g L ) S 22

 EXERCICE
 32

Bruit de l’amplificateur
 Facteur de bruit : Caractérise la dégradation du rapport signal sur
bruit entre l’entrée et la sortie du quadripôle

 Facteur de bruit
 On considère un quadripôle Q.
 Se puissance du signal à l'entrée
 Ss puissance du signal à la sortie
 Ne la puissance de bruit à l'entrée
 Ns la puissance de bruit à la sortie
 Soit le rapport signal sur bruit σ = S N
 On a alors
σ e Se N s S e N s
F= = =
σ s N e Ss Ss N e
 De plus
Ss
G=
Se
 Donc
Ns
F=
GN e
 33

Bruit de l’amplificateur
 On a aussi N s = GN e + N Q
 avec NQ la puissance de bruit produite par le quadripôle
 D’où
NQ
F =1+
GN e

 NQ/G désigne la puissance de bruit interne du quadripôle

ramenée en entrée, on la note Nr
 D’où
Nr
F =1+
Ne
 Ne est une source de bruit de référence, Ne = k.T0.∆f
 Soit Tr la température de bruit du quadripôle ramenée en entrée,
on a alors : Nr = k.Tr.∆f
 Donc
Tr
F =1+
T0
 34

Bruit de l’amplificateur
 Facteur de bruit de quadripôle en cascade
 Exemple : chaîne de 3 quadripôles

 Chaque quadripôle a
 NQi la puissance de bruit délivrée par le quadripôle
 Une température de bruit Ti
 Une température de bruit ramenée en entrée Tri=Ti/Gi
 Un gain en puissance Gi
 Soit GT, le gain total de la chaîne
 Soit FT, le facteur de bruit de la chaîne
 On a
 Ns = N2G3+NQ3
 N2 = N1G2+NQ2
 N1 = NeG1+NQ1
 35

Bruit de l’amplificateur
 Donc : Ns = G1G2 G3Ne+ G2 G3NQ1+G3NQ2+NQ3

 Ns = G1G2 G3k.T0.∆f + G2 G3k.T1.∆f +G3k.T2.∆f +k.T3.∆f

 On met GT en facteur
 T1 T2 T3 
N s = GT N e 1 + + + 
 G1T0 G1G2T0 G1G2 G3T0 
 Calculons le facteur de bruit
Se N s  1   T1 T2 T3 
FT = =  GT 1 + + + 
S s N e  GT   G1T0 G1G2T0 G1G2 G3T0 
Tr1 Tr 2 Tr 3
FT = 1 + + +
T0 G1T0 G1G2T0
 En identifiant avec
T
FT = 1 + r
T0
 On a
T T
Tr = Tr1 + r 2 + r 3
G1 G1G2
 36

Bruit de l’amplificateur
 De plus
Tr1 Tr 2 Tr 3 F −1 F3 −1
FT = 1 + + + = F1 + 2 +
T0 G1T0 G1G2T0 G1 G1G2
 Cas général :
 On a :
F2 −1 F3 −1 Fn −1
FT = F1 + + + .... +
G1 G1G2 G1G2 ...Gn−1

Pour diminuer le bruit d’une chaîne de quadripôle il faut que le

premier quadripôle ait :
 Un gain le plus grand possible
 Un facteur de bruit le plus petit possible
 Pour un élément passif F=atténuation=1/G
 37

Bruit de l’amplificateur
 Facteur de bruit caractérisé par 4 paramètres
 le facteur de bruit minimum Fmin,
 la résistance équivalente de bruit Rn,
 la partie réelle et imaginaire de l'admittance optimale de source Yopt (Yopt
= Gopt+jBopt).
Rn 2
F = Fmin + Ys − Yopt
Gs

 Ys est l'admittance du dispositif présentée à l'entrée du composant, Gs

étant sa partie réelle
 Fmin est obtenu lorsque Ys = Yopt.
 Rn : sensibilité du dispositif lorsque l'admittance de source s'écarte de sa
valeur optimale
 On écrit aussi
gn 2
F = Fmin + Zs − Zopt
Rs
 38

Bruit de l’amplificateur
 L’expression précédente peut s’écrire
2
4 Rn ΓS − Γopt
F = F min +
(
Z0 1 − Γ 2 1 + Γ
S )
opt
2

 On définit N
2
ΓS − Γopt F − Fmin 2
N= 2
= 1 + Γopt
1 − ΓS 4 Rn Y 0

 Pour un facteur de bruit F, N est constant

 Les solutions de ΓS permettant d’avoir N sont sur un cercle :
Γopt
CF =
N +1
 2
N N +1− Γopt 
 
RF =
N +1
 39

Cercles de bruit et de gain

Exercices
 40

Ampli de puissance
 Problématique
 Un seul transistor : limite 10W = 40dBm
 P1dB

 Différentes structures:
 A structure arborescente
 Diviseurs de puissance en entrée
 Additionneurs en sortie
 Avec coupleurs en quadratique
 Adaptations de chacune des voies séparées
 Entrée et sortie : toute réflexion dans chacune des voies se recombine
en opposition de phase et donc s’annule, ce qui améliore le paramètre
S11 de cette structure.
 200 MHz à 100 GHz.
 Limite 50dBm = 100W
 >100W : autres technologies