TD : Circuits Electriques et Electroniques

Chapitre 4 : Diode à jonction

Série N°4
Pr. DOUIRI MIPC (S2)

Exercice 1
Pour quelle valeur de la tension inverse, le courant inverse d’une diode à jonction atteint-il 90% de sa valeur de
saturation à la température de 27°C.
On donne : charge de l’électron q=1.6.10-19C, constante de Boltzmann K=1.38.10-23J/°K.

Exercice 2
Dans chaque circuit représenté sur la Fig. 1, déterminer l’état (passant ou bloqué) de la diode. Dans le cas où la diode
est passante, déterminer le courant I qui la traverse. On supposera que la diode est parfaite et possède une tension de
seuil égale à 0,7 V.

R1 R1 R3 B A
R
E A E E1
B A
R2 E2
R2 R4
C
E  10V , R1  100, R2  200, E1  10V , E2  10, R  200
E  10V , R1  40, R2  100
(c )
(a) R3  200, R4  80
(b)
Fig.1

Exercice 3
Soit D une diode à jonction PN au silicium. Sa caractéristique peut être approchée par la courbe de Fig.2(a).
1. La diode D est utilisée dans le circuit Fig.2(b)
- Ecrire l’équation de la droite de charge de la diode et la tracer dans le plan (i, v).
- Déterminer graphiquement le point de polarisation P de la diode. On donne R1=400Ω, R2=100Ω, E=12V.
2. La diode est utilisée dans le circuit Fig.2(c). R3=820Ω, R4=82Ω, R5=25.45Ω, E=8Ω
- En utilisant sa caractéristique, déterminer les éléments du schéma équivalent de la diode dans les deux sens.
- Calculer les valeurs eth, Rth du générateur de Thévenin alimentant la diode D et la résistance d’utilisation Ru.
On donne: e(t)=150sin(ωt).
- Pour la diode passante, représenter le schéma équivalent du circuit. Exprimer s et Id en fonction de eth.
- A quelle condition Id s’annule t-il ? donner le circuit équivalent dans ce cas.
- Trouver la nouvelle expression de s en fonction de eth.
I (mA) R3 R5
R1 D
D
20 E R2 e(t ) R4 Ru s(t )
E

0.2 0.8 v(V)

(a) (b) (c)
Fig.2
Exercice 4
Soit les montages de la Fig.3. Nous supposons que la tension d’entrée est de forme triangulaire et de grande amplitude
E. Expliquer le fonctionnement des montages et représenter les tensions de sortie Vd et VS en fonction du temps.
Application numérique. E = 10 V, U0 = 5 V et U’0 = 5 V.

R R R R
e(t ) D Vd e(t ) D Vd e(t ) U0 Vs e(t ) U 0' Vs
D D
(a) (b) (c ) (d )
Fig.3

MIPC-FST-Marrakech 1/2
TD (Série 4) : Diode à jonction

Exercice 5
On considère le montage (pont de Graetz) de la Fig.4 avec e(t) = E0 sinωt, E0 = 50 V et ω = 2π×50 rad/s. Les diodes
sont supposées idéales.
1. Déterminer et tracer les variations de la tension s(t) lorsque e(t) > 0.
2. Déterminer et tracer les variations de la tension s(t) lorsque e(t) < 0.
3. Tracer les variations de s(t) dans le cas général et calculer la valeur moyenne de la tension s(t).
A
D1 D2
i (t )
e(t ) X
Y
D3 D4 R s (t )
B
Fig.4

Exercice 6
Soit le montage de la Fig.5. Il s’agit de la régulation par diode Zener, de la tension de sortie aux bornes de la
résistance d’utilisation RU.
1. On suppose que la diode est idéale, avec : VZ = 10 V et rZ = 0, La tension d’entrée est une tension continue qui varie
entre 15 et 20 V, la résistance d’utilisation RU est une résistance fixe de 200 Ω.
Le courant dans la diode Zener doit être d’intensité supérieure ou égale à 5 mA. Calculer la valeur de la résistance
série RS.
2. On garde la valeur de RS et on suppose maintenant que RU est une résistance qui varie de 200 Ω à 2 kΩ.
Calculer les valeurs limites du courant I et du courant IZ. En déduire les puissances dissipées dans la diode Zener et
dans RS.
3. La diode Zener possède maintenant une résistance dynamique rz = 20 Ω et une tension Zener de 10 V.
- Donner le schéma équivalent du circuit et calculer les coefficients de régulation amont α et aval λ.
U u U u
 ; 
E IU Cte IU E Cte

I Iz Iu

E Ru

Fig.5

MIPC-FST-Marrakech 2/2