Rappel sur les Diode

Condition de conduction pour une diode:

Pour qu’une diode soit conductrice il faut que les deux conditions soient remplies sinon
bloquée:
a) Ud >0 : c-à-d que le potentiel de l’anode doit être supérieur à celui de la cathode VA>VK ,
b) et (i >0): le courant qui la traverse dans le sens indiqué, par la flèche, sur la figure soit
positif.

Symbole de la Diode à jonction:

ud
A K
i  I S (e VT
 1) VA i VK
ud
ud
( )
Si ud VT  i  I S e VT
:le courant predominant est celui des majoritaires,
Si ud VT  i   I S :le courant predominant est celui des minoritaires.
Intensité : I S typiquement de l ' ordre de 108 à 1014
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 Caractéristique I-V :
Si u d  E 0  I  0 (diode bloquée),
Si u d  E 0  I  0 (diode passante).
I(A)
Caractéristique réelle
d’une diode à jonction

A i K Caractéristique d’une diode

1/rd à jonction (Modélisation)

ud

E0 ud (V)
Modélisation de la diode à jonction
E0
I  E0 : seuil de la diode
rd avec : 
A K rd : résistance dynamique
uPr.
d ABBOUD FSTS_2023
  E0  0
Si :   Diode réelle
rd  0

 E0  0
Si :   Diode parfaite
rd  0

 E0  0
Si :   Diode idéale
rd  0

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 Série 2
Exercice 1:
La caractéristique simplifiée d'une diode est donnée par la
figure 1.

1/rd

E0

Déterminer les caractéristiques des circuits des figures 1

(a) i

ud Pr. ABBOUD FSTS_2023

(a) A K
ud
E01 E02
i E
r1 r2 r
A1 K1A2 K2 A K
ud1 ud2 ud

ud  ud 1  ud 2   E01  r1i    E02  r2i 

ud  ( E01  E02 )  (r1  r2 )i  E  ri
 E  2 E0
Diodes identiques Diode équivalente : 
E1=E2 et r1=r2 r  2rd
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(b) A B A B
ud
ud
Comme les diodes sont en // alors:
I1 E01
(ud  E1 ) (ud  E2 )
r1 I  I1  I 2  
A I B
r1 r2
(r2ud  r2 E1 ) (r1ud  r1 E2 )
I 
I2 E02 r1r2 r1r2
r2 (r2ud  r2 E1 ) (r1ud  r1 E2 )
I 
r1r2 r1r2
ud 
 d 
(r2 E1  r1 E2 
(r1  r2 )  ud  E
u
I  
r1r2 r
E (r1  r2 )
A r B
Diodes identiques  E  E0

Diode équivalente :  rd
ud E1=E2 et r1=r2  r 
2
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(c)
(E0 , rd E0
R+rd
R A B
ud ud

 E  E0
Diode équivalente : 
r  R  rd

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 (c) suite: 
 d 
(r2 E1  r1 E2 
(r1  r2 )  ud  E
u
I  
En utilisant le résultat de la question (b) on a:
r1r2 r
(r1  r2 )
Résultat de (b)

 E1  E0  E2  E0
avec :  et 
r1  R  r d r2  rd
Résultat de (c)

 (rd E0  ( R  rd ) E0  (R  2rd ) E0
 d
u   u 
 d
(R  2rd )
I 
(R 2 rd )
( R  rd )rd ( R  rd )rd
(R  2rd ) (R  2rd )
ud  E0 u  E0
I  d  E  E0
( R  rd )rd réquivalent Diode équivalente : 
(R  2rd ) réquivalent  ( R  rd ) / / rd

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 (E1,r1)  (r2 E1  r1 E2 
 d 
(r1  r2 )  ud  E
u
I  
(d) r1r2 r
(E2,r2) (r1  r2 )

En utilisant toujours le résultat de la question (b) tant qu’il s'agit de branches parallèles:
 E1  2 E0  E2  E0
avec :  et 
r1  2rd r2  rd

 (r2 E1  r1 E2 
ud  ( r  r ) 
I 1 2   ud  E
r1r2 r
(r1  r2 )

 (rd 2 E0  2rd E0  
ud 
4
 ud 
4 E0
 E  E0
 3rd  ud  Eeq 3
I  3  Diode équivalente : 
(2rd )rd 2rd req r  2 r
 d
(2rd  rd ) 3
3
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Les caractéristiques des figures (a), (b), (c), (d) sont regroupées sur le graphe suivant:

I (mA) 3/2r

1/(R+r)//r

2/r
1/r
1/2r

(1/3)E0 E0 (4/3)E0 2 E0 ud

Pr. ABBOUD FSTS_2023

Exercice 2:
Déterminer les courants traversant les diodes identiques D1, D2 et D3 dans le
montage de la figure 2. Les diodes sont réelles (E0 = 0.7V, rd = 20).
On donne R1 = 2K et E = 5V
A

(E0 , rd )
(E0 , rd )
R1
ud ud

D1
(E0 , rd )
B
R2
D2 D3 E

(E0 , rd ) (E0 , rd )

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 E 2 E0

R1 (3rd / 2)
u
1 1 1
  E0
R1 (3rd / 2) R2

3 rd
 u  2 E 0  rd I 1  0 u R1
2 R2 I1
E0
u  2 E0 E
I1  𝑟𝑑/2
3
rd
2
Comme les diodes sont identiques alors

I1
I2  I3 
2
Pr. ABBOUD FSTS_2023
 Exercice 3:

a) Calculer la tension moyenne VRmoy redressée .

b) Calculer la tension efficace VReff aux bornes de la résistance R.

D4 D1

Ve
D3
D2
VR

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Le redressement est la conversion d’une tension
alternative en une tension continue.

0 0

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 DIFFERENTES METHODES SONT UTILISEES POUR REDRESSER LE
COURANT ALTERNATIF:
REDRESSEMENT MONOALTERNANCE

T=T’

T’

La période de la tension redressée mono-alternance (T’) est la même que celle de

la tension d’entrée (T) .

Pr. ABBOUD FSTS_2023

 REDRESSEMENT DOUBLE ALTERNANCE
Ve
D4 D1 T

Ve(t) t
VR
D3 D2

VR T’

La période de la tension redressée

double alternance est la moitie de la
période de la tension sinusoïdale
(signal d’entré):
T
T'
Pr. ABBOUD FSTS_2023 2
 ÉTUDE DU FONCTIONNEMENT DU PONT DE GRAËTZ
 Si Ve>0 Les diodes D2 et D4 sont bloquées mais D1 et D3 peuvent conduire
i+ A

D4 D1

B
F
Ve ~ 12V

D2
D3 VR
R
i+ A D1 B
C

Ve R
VR
C D3 F
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 i+ A D1 B -Ve  2 E0  2ri  Ri  0
Ve  2 E0
i  0
2r  R
Ve  R VR Ve  2 E0
donc pour que les diodes D1 et D3 conduisent
il faut que la tension d’entrée Ve soit
C D3 F supérieur à 2 fois le seuil de la diode.

i+ A E0 B
rd

ud1
Ve  R VR

E0
C F
rd
Pr. ABBOUD FSTS_2023 ud3
 Si Ve<0: Les diodes D1 et D3 sont bloquées mais D2 et D4 peuvent conduire
A

0
D4 D1

B
F
Ve 0 11,3
~
D3 D2 R
12 VR
C

Pr. ABBOUD FSTS_2023

 i- A

D4 D1

B
F
-12V ~ Ve

D2
D3 VR
i- R

C
A D4 F

Ve R VR
C D2 B
Pr. ABBOUD FSTS_2023
i-
 D4 F
A
-Ve  2 E0  2ri  Ri  0
-Ve  2 E0
i  0 Ve  2 E0
2r  R
Ve  R VR
donc pour que les diodes D2 et
D4 conduisent il faut que la tension d’entrée
Ve soit inferieur à deux fois l’opposé du
C D2 B seuil de la diode

i- A E0 F
rd

ud4
Ve  R VR

i- E0
C B
rd
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ud2
 2
En résumé: e(t )  V 2.sin(.t )  VM sin( .t )
T
- VM -2E0 0 +2E0 +VM

e
(D2 et D4 conduisent)
(Les 4 diodes sont bloquées)

(D1 et D3 conduisent)

t
 Pour l’alternance positive :
e  2 E0 R
i  0 e  2 E0 VR   Ri  VM sin(t )  2E0 
2r  R (2r  R)
 Pour l’alternance négative:
-e  2 E0 R
i  0 e  2 E0 VR   Ri   VM sin(t )  2E0 
2r  R (2r  R)
 Pour 2 E0  e(t)  2 E0 V  0 (Les 4 diodes sont bloquées)
R
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 D4 D1 Connaissons les expressions de VR pour
les 2 alternances alors pour pouvoir
e calculer la moyenne et la valeur efficace
VR de VR il faut trouver sa période.
En simplifiant les choses avec l’utilisation
D3 D2 de l’hypothèse que les diodes sont
supposées idéals.
e
 Si e  0  V R  e  VM sin(t )
  
0
Si e  0  V
 R  e   VM sin(t )  
T
Conclusion:
la période de VR est donc la moitié de la
VR
période du signale d’entré: T’=T/2 
0 T’
π 2π
Remarque:

T T T
T' or T  2 T '    
2 2 2 Pr. ABBOUD FSTS_2023
 Redressement double alternance
a) Calculer la valeur moyenne de VR sur une période:
Cas réel: diodes réelles)  R
 Si : Ve  2 E  V  Ri  ( )(Ve  2 E0 )
Calcul de la valeur moyenne de VR : 2r  R
0 R

1
T'
2
T /2  R
 Si : Ve  2 E0  VR  Ri  ( )(-Ve  2 E0 )
VRmoy   VR (t)dt  V R (t)dt  2 r  R
T'0 T 0  Si :  2 E0  Ve  2 E0  VR  0

Changement de variable:=t  Signal Ve
 1 2 
or V R ( )d   VR ( )d   VR ( )d   VR ( )d
0 0 1 2 V R ( )
Signal VR
Mais VR  0 entre 0,1  et  2 ,  
2E0

0
1 2 π 
2 2 
1 R 1
VRmoy   VR ( )d  ( )  V 2 sin(t )  2 E0  d
 1  2r  R 1

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b) Calculer la valeur efficace de VR sur une période:

T'  
1 1 1
        R ( ) d
2 2 2 2
VRe ff V (t) dt V ( ) d ou V V
T'0
R
 0 R Re ff
 0
2 2
1 1
R 2  2
V 2
  V R ( )d  (
2
)  V 2 sin(t )  2 E0  d
Re ff
 1  2r  R 1
2
A2
VRe2 ff         d  ........
2 2 2
2V sin ( t ) 4 E 4VE 2 sin( t )
 1  0 0 

c) Calculer les facteurs de forme:

F=(tension efficace)/(tension moyenne)=……………………………

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Exercice 5:
Redressement et filtrage

Un adaptateur secteur est constitué d'un transformateur qui abaisse la

tension alternative, suivi d'un pont de diodes qui redresse cette tension
et d'un condensateur qui lisse la tension redressée

 Lorsque la tension augmente, le condensateur se charge.

 Lorsque la tension à la sortie tend à diminuer, le condensateur se
décharge ce qui réduit fortement la chute de la tension.
 Si le condensateur a une capacité suffisante, les variations de la tension
peuvent être négligeables, la tension est quasiment continue.

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Exercice 5:
Un redresseur de résistance interne négligeable est alimenté par la tension e(t)= E.sint .
Le condensateur de filtrage C de forte valeur est placé en parallèle sur la résistance R.
On pose: tg = -RC
a) déterminer l'expression de VR au cours de la charge et la décharge de la capacité, ainsi que
les courants i et ic
b) Tracer la courbe VR = f(t)

 la tension e(t) est sinusoïdale;

K fermé K ouvert
 Diode: peut être conductrice ou bloquée; Ou

i i
 Condensateur peut être en charge ou en décharge. Ou C
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Pendant la charge du condensateur: (diode idéal)
i 
i  iR  iC 
E
R
sin(t )  EC cos(t )

iC iR 
iC  C
dVS
 EC cos(t )
 dt
 V E
iR  R  sin(t )
 R R
VR  e(t )  E sin(t )



Pendant la décharge du condensateur: i  0

i=0 
iC  C
dVR V
et iR  R  iC
iR  dt R
i'C 
i  i   C
dVR VR



C R
dt R
dVR VR dV dt
C   R  avec   RC (1)
dt R VR 
Par intégration de l’équation (1) on trouve :
t
t V t ( )
ln(VR )    ln B  ln( R )  
 B 
VR  Be 

avec B constante d'intégration

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 VR (décharge) VR (charge)
Sans
Condensateur

𝒕
−𝝉
VR=e 𝑽𝑹 = 𝑩𝒆
VR=e

𝝅 Τ𝟐 
0 1 π 2π 2
Signal
d’entrée(t)

Charge Décharge Charge

i Remarque: lorsque la diode est bloquée, le circuit RC est laissé à

lui-même avec une tension initiale proche de E puis VR évolue selon
la loi exponentielle.
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 t

Détermination de la constante B: VR  Be 
avec B constante d'intégration
VR étant une fonction continue: à l’instant t1 on peut écrire que
t1 t1

VR (charge à t  t1 )  VR (déch arg e à t  t1 )

-
Esin( t1 )  Be t
 B=Esin( t1 )e t

( t t1 )
i  0

Finalement : VS  Esin( t1 )e 


 ( t t1 )
t1
VR  E sin(t1 )e  Charge Décharge
 ( t t1 )
iC  C dV E 1
R
 iR  sin(t1 )e 
 dt R
𝜋/𝟐 tg

De même i ou bien iC sont continues en t1 et on a

π 0

ic (ch arg e a t1 )  ic (dech arg e a t1 )

i (charge à t1 )  i (décharge à t1 ) 
  E
 EC  cos(  t )   sin(t1 )
E 1
R
 sin(t1 )  EC cos(t1 )  0
R
𝒕𝒈 𝝎𝒕𝟏 = 𝐭𝐠(𝟏 ) = −𝑹𝑪𝝎 Soit 𝟏 = −𝐀𝐫𝐜𝐭𝐠(𝑹𝑪𝝎)

=RC : étant généralement élevée, le temps 𝒕𝟏 ou (𝟏) correspond à un point situé un peut après T/4 (ou 𝝅Τ𝟐)
Pr. ABBOUD FSTS_2023
 Traçage de VR et i et iC: 𝟏 = −𝐀𝐫𝐜𝐭𝐠(𝑹𝑪𝝎)

VR (charge) VR (décharge)
𝜋/2 π 2π
0 1 2 3

charge : iC  EC cos(t )

 E 
( t t1 )

décharge : iC   sin( t1 )e

 R
 E
charge : i  sin(t )  EC cos(t )
 R
décharge : i  0

0
Charge Décharge Charge
ud

Pr. ABBOUD FSTS_2023

 T

Charge Décharge Charge

Pr. ABBOUD FSTS_2023
 La conception de régulateur I

IZ IL

 Les variables de conception sont: Vi VZ

 La source de tension non régulée Vi peut varier entre Vmax et Vmin,
 La charge peut varier entre RLmax et RLmin (exemple: RLmax= ),
 La diode Zener est limitée par IZmax (limite supérieur) et est fonctionnelle pour un
courant supérieur à IZmin (limite inférieur) avec sa tension VZ pour la régulation.
 IZmax est pour s’assurer que la diode ne se détériore pas,
 IZmin est pour s’assurer que la diode fonctionne dans la zone de régulation,
 Pzmax= IZmax VZ et IZmin =10% de IZmax (certains concepteurs utilisent le
facteur empirique IZmin =10% de IZmax ).
 Une résistance R est ajoutée entre la source de tension et la diode Zener pour
-Vz
assurer que la diode fonctionne entre IZmax et IZmin .
-Imin
Après le choix de la diode Zener, il faut déterminer R.

Pr. ABBOUD FSTS_2023 -Imax

Source régulée à plusieurs tensions de sortie

Pr. ABBOUD FSTS_2023

 Exercice 5: Etude d'un stabilisateur de tension avec la diode zener
a) déterminer les valeurs u0 de u et i0 de i pour e = e0 =12V et RC = RC0=200
b) pour des variations e = ±3V autour de eo = 12V (RC0=200),
déterminer les variations u de u.
En déduire le facteur de régulation F= e/u.
c) pour des variations Rc = ± 100 autour de RC0=200 (e0 =12V),
Déterminer les variations u de u.
En déduire la résistance interne R0 =u/i.

iZ R

RC u
e

1/rZ

Pr. ABBOUD FSTS_2023

Si la tension inverse (tension -VD) aux bornes de la diode devient trop importante, il
y a un risque de destruction de la diode par échauffement de la jonction PN. Les
constructeurs précisent la tension de claquage inverse VC; elle correspond à la
tension maximum que peut supporter une diode en polarisation inverse.

Pr. ABBOUD FSTS_2023

Exercice 5: Etude d'un stabilisateur de tension avec la diode zener
a) déterminer les valeurs u0 de u et i0 de i
pour e = e0 =12V et RC = RC0=200
-Relever VZ0 et rZ à partir de la caractéristique inverse de la DZ,
-Remplacer la DZ par son schéma équivalent,
-Utilisant le théorème de Millman pour trouver u:

e VZ 0
 u
u
R rZ i 
1 1 1 RC
 
R rZ RC
On remarque que u est une fonction qui dépend de e et R C : u  f (e, RC )
e0 VZ 0
 R
R rZ
u0 
1 1 1
  VZ0
R rZ RC0
RC u
e
r
u
i0 
RC 0
Pr. ABBOUD FSTS_2023
b) Pour des variations e = ±3V autour de eo = 12V (RC0=200), déterminer les variations
u de u.
En déduire le facteur de régulation F= e/u. e VZ 0

R rZ
Comme u  f (e, RC ) on fixe une seule variable  u  1 1 1
 
R rZ RC 0

e2=15 V u2
e u
e0=12 V u0
e u
e1=9 V u1
Pour e2=15 V, en utilisant l’expression de u ci-dessus on trouve u2=………..
Pour e0=12 V  u(eo , RC0)=u0
Pour e1=9 V, en utilisant l’expression de u ci-dessus on trouve u1=………..
En déduit u=(u2-u1)/2=………., on constate que pour une variation de ±3V à l’entrée du
montage, on a seulement ±(…….) à la sortie du montage ce qui permet de dire que la diode
zener sert effectivement à stabiliser la tension aux bornes de la charge RC.

facteur de régulation F= e/u=……………………….

Pr. ABBOUD FSTS_2023
c) pour des variations Rc = ± 100 autour de RC0=200 (e0 =12V), Déterminer les
variations u de u.
En déduire la résistance interne R0 =u/i. e0 VZ 0

R rZ
Comme u  f (e, RC ) on fixe une seule variable  u  1 1 1
 
R rZ RC

RC2=300 Ω u2
RC u
RC0=200 Ω u0
RC u
RC1=100 Ω u1

Pour RC2=300 Ω, en utilisant l’expression de u ci-dessus on trouve u2=……………….

Pour RC0=200 Ω  u(eo , RC0)=u0 =……………………
Pour RC1=100 Ω, en utilisant l’expression de u ci-dessus on trouve u1=……………………..
En déduit u=(u2-u1)/2=………., on constate que pour une variation de la charge de ±200 Ω , on
a seulement ±(valeur de u ) à la sortie du montage ce qui permet de dire que la diode Zener
sert effectivement à stabiliser la tension aux bornes de la charge RC.

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