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• Capacité
exprimée en Bit, ou octets, Ko, Mo, Go. C’est le nombre
(quantité) d’informations qu’on peut mémoriser dans la mémoire.
• Temps d ’accès
Exprimé en ns. C’est le temps nécessaire pour effectuer une opération de lecture ou d’écriture.
Il renseigne sur la vitesse de la mémoire; plus ce temps est faible plus la vitesse est grande. Le
temps d’accès est un critère important pour déterminer les performances d’une mémoire ainsi
que les performances d’une machine.
• Format de son bus de donnée
les valeurs courantes sont des puissances de 2
(8, 16, 32 bits,...).
21/04/2019 • Consommation
Pr Ait Laasri Hassan 73
Mémoires à semi-conducteurs
La RAM est utilisée pour le stockage de données temporaires. ( résultats de calculs, etc.)
Un mot
mémoire
Un mot
mémoire
N= 2k
C = N n bits
16 bits d ’adresse.
Dans une mémoire morte ROM on ne peut pas écrire, on ne peut que lire.
Ces mémoires ont été écrites une fois en usine par le fabricant. On peut lire les
informations contenues mais on ne peut pas les modifier.
0 1 1
Le
temps d’accèsunà 1,
Pour former la on
ROM relieest
unede
l’ordre de 150 ns.
ligne d'entrée avecCeune
de ligne
la RAM est
de sortie
d’environ 10une
en utilisant ns. diode.
Pour accélérer le
traitement des informations,
Pour former un 0, on ne met les pas
données
de diodestockées dans sont
(les 2 lignes la ROM sont
généralement
indépendantes).copiées dans la RAM
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avant d’être traitées.
Les mémoires à semi-conducteur
D’autres types de ROM:
Avec l'évolution des technologies, la définition du terme ROM a été élargie pour inclure des
mémoires non volatiles dont le contenu peut être modifiée un certain nombre de fois.
PROM (Programmable ROM): programmable par l’utilisateur, mais une seule fois.
EPROM (Erasable PROM) : effaçable et programmable par l’utilisateur plusieurs fois.
Elle est effaçable en la mettant dans une chambre à ultraviolet plusieurs minutes.
EEPROM ( Electrically Erasable PROM) : effaçables et programmables par l’utilisateur.
Plusieurs fois. Elle est plus facile et rapide (quelques millisecondes) à effacer que
les EPROM car elles sont effaçables électriquement donc sans manipulations physiques. Elles
sont utilisées dans les mémoires SD, USB.
les PROM sont constituées par un réseau de fusibles en série avec les
diodes. La programmation est réalisée en détruisant certains fusibles
du réseau en appliquant une tension de 10-15 V à l’adresse désirée
pendant une centaine de ms. Pour ce faire, on utilise le
programmateur ci-dessous:
Programmateur PROM
Ces mémoires sont livrées non enregistrées par le fabricant. Une fois programmées, on
ne peut plus modifier leur contenu. le contenu peut être modifié une seule fois
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Les mémoires à semi-conducteur
PROM : Programmable ROM.
EPROM FLASH
Effaçable électriquement.
Les mémoires FLASH sont des EEPROM spéciales, qui sont donc naturellement basées
sur des transistors à grille flottante. La reprogrammation et l'effacement de ces
cellules demande de placer les bonnes tensions sur la grille, le drain et la source.