Contribution des impuretes aux coefficients de transport des superreseaux, en absence de champ

magnetique
D. AIT EL HABTI,P. VASILOPOULOS,
ET J. F. CURRIE
De'purtement de ge'nie physique, ~ c o l Polytechnique,
e C. P . 6079, Succursale A , Montre'al (Que'bec), Canada H3C 3A7
Recu le 14 aoDt 1990

En utilisant la rnethode de la rnatrice de transfert, nous avons calcult les fonctions d'onde exactes (norrntes) et la structure
de bandes pour un electron dans un superrCseau, dans le cadre de I'approxirnation de la rnasse effective avec un potentiel
rectangulaire ptriodique (Modkle de Kronig-Penney). Nous avons aussi ttudit I'effet de la non parabolicit6 pour la bande de
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conduction. Les corrections apporttes a la structure de bandes, pour un superrCseau GaAs-GaAIAs sont nkgligeables. Nous
avons utilist ces fonctions d'onde exactes pour le calcul des coefficients de transport, dans le cadre de la rtponse lintaire et
I'approxirnation du temps de relaxation (collisions tlectron-irnpurett). A trks basses ternpkratures, les conductivitCs parallkles
(a,,) et perpendiculaire (u,~,,)ne varient pas avec la ternptrature, rnais augrnentent avec la concentration Clectronique. Les
pouvoirs therrnotlectriques (Q,,, Qzz)augrnentent avec la ternptrature et dCcroissent avec la densit6 tlectronique. Les conduc-
tivitts therrniques (K,,, K,,) augrnentent avec la ternpkrature et la densit6 d'Clectrons. Ces rtsultats traduisent le cornporternent
diffusif des coefficients de transport. a;; et Kzz augrnentent avec la largeur de la prernikre rninibande. Les coefficients de
transport parallkle sont plus petits que ceux du perpendiculaire, traduisant I'anisotropie du superrCseau.

Using the transfer matrix method, effective mass approximation, and a Kronig-Penney potential, we have claculated the
analytical normalized wave functions and the band structure of a superlattice. We have also studied the nonparabolicity effect
for the conduction band. This latter effect was negligible for a GaAs-GaAIAs superlattice. We have used these wave functions
to calculate the transport coefficients of superlattices. The linear response theory and the relaxation time (electron-impurity
collisions) approximation were used. At very low temperatures the parallel (a:;) and perpendicular (a,,) conductivities do not
vary with temperature, but increase with the electron concentration. The thermoelectric power (QZ,, Q,,) increases with tern-
perature and decreases with the electron concentration. The thermal conductivities (KT_,K,,) increase with both temperature
and electron density. These results are in agreement with the diffusive behavior of the transport coefficients. a,, and KT:
increase with the width of the rniniband. The perpendicular transport coefficients are larger than the parallel ones, verifying
For personal use only.

the anisotropy of the superlattice.

Can. J. Phys. 69, 465 (1991)

1. Introduction supprimant ainsi les oscillations de Bloch, et favorisent la loca-

GCnCralement la majorit6 des anciens dispositifs a semi-
conducteurs sCparCs par des interfaces Ctait basee sur leurs jonc-
tions avec des dopages diffkrents, alors que la generation des
dispositifs modernes semble dependre pratiquement des inter-
faces elles m&mes (1). D'autre part avec les succks des tech-
niques de croissance, et notamment celle de 1'Cpitaxie molC-
culaire, on peut contr6ler la composition, 1'Cpaisseur des
couches et la structure du matCriau souhait6 (2). Ainsi les hCtC-
\ ,
rojonctions, puits quantiques multiples et superrCseaux peuvent
&tre utilisCs, dans des dispositifs tels les transistors de haute
mobilitC Clectronique et les lasers, pour l'amplification des
ondes ClectromagnCtiques et comme photodCtecteurs (1, 3, 4).
GCnCralement un superrCseau consiste en une rCpCtition pCrio-
dique de puits quantiques sCparCs par des barrikres. Les Ctats
associCs aux porteurs de charge sont des Ctats (Ctendus) de
Bloch, et en principe le transport dans la direction du super-
rCseau (bande de conduction) est possible si le libre parcours
moyen de 1'Clectron est supCrieur a la pCriode du superrCseau.
Des calculs numCriques de la densite d'Ctats et la structure de
bandes (B partir d'un hamiltonien associC B N puits, dans l'ap-
proximation des liaisons fortes) pour deux modCles de super-
rCseaux, selon la sequence de deux puits ou bien celle de deux
barrikres. montrent la structure auasi-bidimensionnelle de la
densite diCtats et les gaps d3Cnerg;e traduisant la pCriodicitC du
potentiel du superrCseau (5). Dans les superrCseaux (GaAs-
GaAlAs) fortement dCsordonnCs, les puits de largeurs diffC-
rentes causent une destruction des Ctats Ctendus et favorisent la
creation des Ctats 1ocalisCs et il en rCsulte une diminution du
transport vertical (qui peut &treactivC thermiquement en aug-
mentant la tempkrature) (6). Les champs Clectriques forts cau-
sent des transitions par effet tunnel aux minibandes supkrieures,
lisation des fonctions d'onde dans les puits individuels. On parle
de l'effet Wannier-Stark (dans ce regime la conduction dans
la direction du superrCseau, peut se faire par <<hoping,,d'un
puits a l'ature) (7), observC par des mesures d'absorption
optique (8). L'effet tunnel rCsonnant est, aussi, l'un des aspects
importants des puits quantiques multiples et des superrCseaux.
I1 est nCcessaire pour les propriCtCs de transport non linCaire
(caractCristiques I-V) (9). L'analyse de la durCe de vie dans
l'effet tunnel resonnant p o y les deux structures, a double bar-
rikres et une barrikre avec & dopage delta, prCvoit une densit6
de courant plus ClevCe pour la dernikre structure (10). Dans le
cas du dopage modulC, la mobilitC des Clectrons (de la bande
de conduction (B.C.)) peut &treaugmentCe par un dopage uni-
forme dans les barrikres (1 1); les impuretCs dans les puits jouent
un r61e important pour le transport, puisqu'elles ne sont pas
sCparCes des porteurs de charge (dans les puits). L'Ctude de
l'influence des fonctions d'onde (puits infini, puits triangulaire,
puits fini) sur la conduction (par sauts) assistCe par les phonons
optiques polaires dans les structures a puits quantiques mul-
tiples (InGaAs-AlAs), montre que l'amplitude du courant
depend fortement du choix des fonctions d'onde (12). D'autre
part, dans la 1ittCrature les fonctions d'onde des superrCseaux
sont donnCes dans des cas limites correspondant aux bords de
bandes (13). Dans d'autres applications, elles sont approchCes
par celles des puits fini (14) ou infini (15), ou encore calculCes
par mCthode variationnelle (16). La connaissance des propriCtCs
de transport dans les superrCseaux nCcessite une Ctude de leurs
propriCtCs thermodynamiques. Dans cette partie nous prCsen-
tons les rCsultats de calcul de la contribution des impuretCs aux
coefficients de transport des superrCseaux, en absence de champ
magnktique, en utilisant les fonctions d'onde exactes.
 466 C A N . J . PHYS. VOL. 69. 1991

2. Coefficients de transport tions alCatoires entre les Ctats de HOet -AF(t) traduit l'effet
2.1. E,xpressions ge'ne'rales rles poltvoir thermoe'lectrique et du champ externe (F(t)) avec I'opCrateur A (conjuguk de F) qui
conductivite' therrnique caractkrise le systeme. Nous utilisons la reprksentation propre
En generalisant les travaux (en absence de champ magnt- de HO(dans laquelle il est diagonal), indiquCe par l'indice d.
tique) de Chester et Thellung (17), Smicka et Stieda (18) ont 2.2.1. Conductivite' totale
dCrivC des formules dCcrivant et reliant les coefficients de trans- Pour les probl6mes de conductivite,
port, en presence d'un champ Clectrique et d'un gradient de
iempCrature, a partir du tenseur de conductivitC Cl&trique. Ce
dernier est CvaluC dans le cadre de la rtponse lineaire de Kubo
(19, 20) (en absence ou en prCsence d'un champ magnCtique).
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Dans ce formalisme les particules sont traitCes comme indC-

pendantes et subissent des collisions Clastiques. D'apres la
production locale d'entropie, les courants Clectriques ( j ) et
thermique (W) sont relies lineairement aux champs Clectrochi-
miques-(e) et gradient temperature (V T), qui leur donnent nais-
sance (21) :
q est la charge des porteurs (electrons), E est le champ Clec-
trique, (r,),, et r, sont les positions des porteurs avant et apres
l'application du champ Clectrique. Dans l'approximation de
Born et la thCorie de la rCponse IinCaire, la valeur moyenne de
la partie diagonale de I'opCrateur densit6 de courant est donnCe
par (23) :

Les quantitCs Ljj sont calculCes a partir de la conductivitC Clec-

trique U(E)a T = 0 K.
En posant :
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avec R le volume du systeme.

oh 15 > est I'Ctat propre de I'hamiltonien a une particule hO

~ ( 2 '
L,,-- = -
e ~ '
avec f (E, T ) la distribution de Fermi-Dirac et k le niveau de
Fermi.
I1 est noter que pour un milieu anisotrope ou isotrope (en
prCsence d'un champ magnCtique B), les L,, deviennent des ten-
seurs, obkissant aux relations d'onsager : L,, (B) = L,, ( - B).
L'expression [ l ] peut &treobtenue, aussi i partir des dCfinitions
standards de j et w, en utilisant I'approximation du temps de
relaxation (22) pour la fonction de distribution des porteurs de
charge.
Le pouvoir thermoelectrique (Q) et la conductivitC thermique
(K) sont donnCes respectivement par :
(HO = C hO);<n5>, est la moyenne de l'occupation de I'Ctat
< n >, est 13intCgralede collision de I1Cquation
15 > et
quantique de Boltzmann pour les collisions (entre particules) a
un corps (23) ou deux corps (24). Le second terme de [51 est
le courant pondCromoteur usuel. Le premier terme n'a pas
d'kquivalent d a q un traitement semi-classique. I1 reprCsente le
courant collisio~nel.,La partie non diagonale de I'opCrateur
densite de courant donne une expression u';fI (rCf. 23, Cquation
[3.21]), indkpendante de la nature de I'interaction. La conduc-
tivitC totale est donnC par :
2.2.2. Collision a un corps
S'il existe uniquement le courant pondCromoteur, le tenseur
de conductivitC Clectrique (DC), ad,,.correspondant [5] est don-
nCe par (23) :

2.2. Conductivite Plectrique (formalisme)

L'hamiltonien associC a un systeme 2 plusieurs particules,
soumis 2 un champ externe F(t) est :
Avec V,< ,= &, ( € 0 et 7(t5) le temps de relaxation qui depend
de I'Cnerg~ede la particule dans I'Ctat
HOdCcrit I'hamiltonien du mouvement propre (diagonalisable),
AV reprCsente les interactions (faibles) qui causent les transi-
 AIT EL HABTI ET AL. 467

I1 peut Etre calculC A partir de I'Cquation :

16" 15
V5 = c 5'
W5,. (V, - V,.) - -
v5
~(~51

avec WC5.le taux de transition microscopique entre les deux

etats 15 > et 15' >. 40
S'il existe uniquement le courant collisionnel, le tenseur de
conductivite (DC) est donne (pour = v) par (23) :
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171 opY= c< ti 5>,q(l - < >,,q)

.4 VP)
15'
\pin
-2 30. --- - V
0
x wgl (aYS
-
-E

Avec p = Ilk,T, k, est la constante de Boltzmann. La relation -

w m* m*
w W b
1601 est valable pour des collisions Clastiques ou presque elas- (Z
tiques, alors que [7] reste valable m&me pour les collisions w
inelastiques. ,"z 20- >
Pour des Clectrons interagissant avec des impuretes distri- -a o a a +2b z
buees aleatoirement et supposees fixes :
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Avec N, la concentration des impuretes, u ( q ) est la transformee

de Fourrier du potentiel d'interaction U (r - R). r et R dC-
signent les positions, respectives, de I'Clectron et de l'impurete.
3. Fonctions d'onde analytiques des superreseaux
Nous considerons un electron dans un superreseau (B.C.),
dont le potentiel est une rCpCtition periodique de puits iden-
tique5 (GaAs) de largeur 26, sCparCs par des barrieres iden- FIG. I . Relation de dispersion pour les deux premieres minibandes.
tiques (GaAIAs) de largeur 2a et de hauteur V,. En adoptant Le panneau au milieu rappelle le modele du potentiel et les parametres
I'approximation de la masse effective, nous avons calcule les pour le superrCseau GaAs-GaAIAs. (voir le texte pour la signification
fonctions exactes normees et la structure de bandes (25). Nous des symboles).
avons aussi CtudiC I'effet de la non parabolicit6 de la bande de
conduction (26). Les corrections apportees a la structure de
bandes pour un superreseau GaAs-GaA1As (semi-conducteur de longueur 1 = 2a +
2bkcorrespondant a I'hamiltonien dans
2 gap direct) sont faibles. la direction du superresea$, dans les puits (4;) et les barri6res
Les fonctions d'onde analytiques (normCes dans une periode ($?), sont donnees par (25) :

a , $,:(zl=exP(-y) {
exp ( 5 ink;/) bz exp ik z [ ( - -- :)I 1

+ P z e x p -ik [r - - i ) l ] } ~ (n 1)'l + a < z < tzl a

(ti
w' - -

1961 $,:(z) = exp ( ): - exp ( ? ink))

{ p? cosh [ p b - nl+ a)] + q + sinh [p(z - ni +a)]},
fl
- a < < nl + a

avec :
h'k' = 2m:g,, E , h2p2 = 2mt ( V , - E), 6, = K - sinh (2pa) e2""
 CAN. J . PHYS. VOL. 69. 1991

a, + ib, = [cosh (2pa) + i k sinh (2pa)l e""'"

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N' est le facteur de norrnalisation qui dCpend de la relation de dispersion de E (Cnergies propres) avec k, (vecteur d'onde) via la
relation :

1101 cos (k,l) = cosh (2pa) cos (2bk) + K- sinh (2pa) sin (2bk)

Ces fonctions obCissent au thCorkme de Bloch, et reproduisent les Ctats stationnaires correspondant aux bords de bandes (k,l-,
m ~ )en, accord avec la rCf. 13 et le cas de puits infini. Elles gCnCralisent celles donnCes dans les puits (27) (avec m;*, = m; =
la masse de 1'Clectron libre). Elles s'annulent au milieu des barrikres pour 2pa + 1, traduisant le cas d'un puits isolC (cot (2bk)
- -K-). Par un calcul perturbatif, nous avons dCrivC a partir de ref. 10, la relation de dispersion dans la limite des liaisons
fortes (cot(2k,b) = - K;) :

[Ill E,(k,)=E;? i4t?)

- {2bpo + I
I + Api
+ Alp; e-2poa cos (kzr)= Ey + (-)Ii );(
I cos (k,l)

avec po = p, / k,,, E ; 1'Cnergie du niveau (j)d'un puits isolC, qui se scinde en une sous-bande d'tnergie (de largeur A,) quand
les puits se couplent.
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4. Conductivites electriques, coefficients de transport perpendiculaire et parallele a la direction du superreseau

Les Ctats et les Cnergies propres de l'hamiltonien j. un Clectron, dans l'approximation de la masse effective sont donnCes par :

avec Kf = + q,S la surface perpendiculaire. Les fonctions et les Cnergies propres (hamiltonien dans la direction du superrCseau)
(z), El (k,) sont donnCes par les relations 191 et 1101. Dans la suite nous supposons uniquement occupCe la prernikre sous-bande
( j-= 1 ) et que les Clectrons subissent des collisions Clastiques par des irnpuretkes alCatoires, dans les puits oh se trouvent la
majorite des Clectrons. g
Pour les calculs, le potentiel de llimpuretC U(r - R), oh r et R sont les positions2e 1'~lectronet de I'impuretC (supposCe fixe),
sera rernplacC par une serie de Fourrier :

Cornme chaque puits est quasi-bidimensionnel, nous remplagons U, par sa cornposante bidirnensionnelle U(11. Nous utilisons
cornme modkle pour l'interaction Clectron-irnpuretC : '

avec E la constante dielectrique, k, l'inverse de la longueur d'Ccrantage

4.1. Tenzps de relaxation

Les relations [8], [9], [12] et [I 31 permettent d'Ccrire pour le taux de transition rnicroscopique :

(') (F) +
2
2v N,
1401 Wee, = y Kt I(kzl
(k, k=)
- k;)' 8(Ec - Ei)

1. Le cas des impuretes delta est reproduit dans la limite des forts Ccrantages.
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avec :

La combinaison des expressions [6b] et [I41 donne les temps de relaxation perpendiculaire (7,) et parallele (T//) :'
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avec :

NI h'k,' A
= --
, el = E,F, = E,F, = - [COS(k,l) - cos (kl,l)]
h E, 2

B(x) est la fonction de Heaviside.

Pour des puits finis ou infinis (A + O), T// devient infini alors que :
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Pour le transport perpendiculaire, avec I(k,, k',) = !(ktl = k,)

A':

Pour un ecrantage faible, T, -

E,, en accord avec les modkles strictement bidimensionnel (28) et quasi-bidimensionnel (29),
utilisant I'approche de Stem et Howard (30). Pour un Ccrantage fort T// et T, ne dCpendent pas de E, (cas des impuretCs delta).
T, devient proportionnel i l'energie d'ecrantage E,, en accord avec le modkle de la fonction de forme delta (DFM) (29).

4.2. Coefficients de transport

Connaissant les temps de relaxations (relations [IS]), les ccfonctions generatricesn des coeff-rcients de transport perpendiculaire
=i
et parallele (d'aprks les expressions [6a], [2] et 131) sont donnees par :

[17b] L!;) ( T , F ) =
(g)' :I da, dz T// sin' (z)

Dans ces expressions, le spin est inclus, la sommation sur k, a 5. Resultats des calculs et discussion
CtC remplacee par une integration sur la premiere zone de Noys copsidCrons le superrkseau QaAs-GaAlAs avec 2b =
Brillouin. 188 A (1 A = lo-'' m), 2a = 28 A , V , = 134 meV, rn: =
L'expression [ 17a] gCnCralise la contribution des impuretCs, 0,067 m,, E = 12,8 et rnz = 0,092 m, . rn, est la masse habi-
aux coefficients de transport dans le cas des structures de puits tuelle de l'ilectron.
finis ou infinis (A = 0). La relation de dispersion (figure 1) le long du superreseau :
E = E(k,), montre la dependance des deux premieres mini-
A bandes avec kZ. Ceci est bien justifiC par la transparence des
2. Nous avons considtrt : E ( k ) = - - cos (k-1)
2 barrieres comme le montre la densit6 de probabilite (figure 2),
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FIG.2. Densite de probabilite dans le superreseau [9]. + + + correspond a V,, = 400 meV et k,1 = IT; 888 correspond a V , = 134 meV
et k,1 = IT; et (A, A) correspond a V,, = 134 meV et k, = 0 , (A = I , X # I ) .
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Frc. 3. DCpendance des facteurs de transition 114bl dans la direction

du superrCseau, avec k,. 88correspond B I (kjL= kj) &A correspond
C
a ~ ( k jk, z ) .
h:

associCe a la prernikre rninibande du superreseau. Les energies

avec des masses Cgales (A = 1) sont Clevees par rapport ii celles
calculCes avec des masses differentes (A # 1). Les calculs
exacts avec parabolicite A f 1) ou sans parabolicit6 (A # 1,
np) concordent avec celui des liaisons fortes (LF) (A # 1, LF).
La non parabolicite est pratiquernent sans effet pour les m a t 6
riaux 2 gap direct, ce qui n'est pas le cas des rnatCriaux 2 faible
gap d1Cnergieou les superreseaux dont la croissance se fait dans
des directions autres que [loo] (3 1). Pour les pararnktres consi-
dCres, les largeurs (A) de la premiere rninibande sont :
A(A f 1, LF) = 1.8rneV
D'une rnaniere gCnCrale, quand la premikre rninibande presente
une faible dispersion avec k,, le superreseau se comporte comme
un quasi-bidimensionnel (puits isolt).
Frc. 4 . Variation des temps de relaxation (pour k; = 0 ) avec E,,
pour deux valeurs de I'ecrantage approprie (k,) et une concentration
des impuretes Cgale a 101%m' (dans les puits). T,, T,, et i, corres-
pondent respectivement aux [15a],[15b].et [16b].
La figure 2 illustre la gCnCralitC des fonctions d'onde ana-
lytiques du superrkseau, via la densite de probabiliti pour des
masses Cgales ou diffkrentes (k; = 0, V , = 134 rneV, A = I,
A # 1). La situation des puits finis (k=l = T ,Vo = 134 meV)
et infini (k,l = T ,V = 400 rneV) est bien reproduite (densite
de probabilite au milieu de la barrikre devient nulle, traduisant
les Ctats stationnaires pour k,l+ m ~ ) .
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FIG.5. Pouvoirs thermoClectriques perpendiculaire (Q,,) et paral-
Iele (Q,,) a la direction du superrCseau, en fonction de la tempCrature
(0, pour deux valeurs de la densite Clectronique (niveau de Fermi),
avec une concentration des irnpuretCs Cgale a 4,5 x 10'' m-' et un
Ccrantage k , = 2 x 10"-'. ( A ) correspond E,; - li?: = 8 meV
et (B) correspond BE, - li?; = 16.4 meV.
La figure 3 montre que, pour le transport perpendiculaire,
z
h
I
- (k,, K:) peut Ctre approche par I(kL = k,). La paritC par
z
rapport a kz est bien reflCtCe numeriquement (rksultat connu a
l'avance d'apres la relation [14b]). Dans ces calculs nous avons
approximC C,= par
I1 est a noter que dans le cas d'un puits infini
zkz
~(k=
l K,) + 1,5 (1 + 2b)
Avec le parametre d'kcrantage appropriC, k, --, 2 x 10' m - '
(pris le mCme dans les puits et les barrieres), les temps de
relaxation perpendiculaire et parallele augmentent avec llCner-
gie (el), comme le justifie la figure 4.
Le temps de relaxation parallele augmente avec la largeur de
bande. Son calcul unidimensionnel (E, = 0) est presque la
moitiC de celui estimC pour une Cnergie perpendiculaire de
47 1
FIG. 6. ConductivitCs thermiques perpendiculaire (K,,) et parallele
(K,,), en fonction de la temperature (parametres des figures 1 et 5).
16,4 meV. La figure 4 montre que les temps de relaxation aug-
mentent avec I'ecrantage (k,). I1 est a noter que le modele du
potentiel unidimensionnel pCriodique (Kronig-Penney), peut
Ctre corrigC en tenant c o m e e des effets de la non homogCnCitC
de la distribution de charge (calcul self consistent dans l'ap-
proximation de Hartree) le long de la direction du superrCseau
(32).
Nous avons calculC les coefficients de transport pour des
concentrations dont le niveau de Fermi est compris entre 5 et
20 meV (par rapport au bas de la premiere minibande). Ceci
justifie I'oc,cupation unique de la premiere minibande (voir la
figure 1). A trks basses temperatures, les conductivitCs Clec-
triques perpendiculaires ( a , ) et parallele (a--) ne varient pas
beaucoup avec la tempkrature, mais - augmentent avec la
concentration Clectronique. Pour E,-q '= 16,4 meV et une
concentration des im~uretCsde 4.5 X lOI4 mp2. la conducti-
vitC Clectrique perpendiculaire a, est la mCme que celle mesu-
rCe par Stormer et al. (20). La figure 5, montre que les pouvoirs
thermoClectriques perpendiculaire (Q,) et parallele (Q,:) aug-
mentent avec la tempCrature et dCcroissent avec la densit6 Clec-
tronique. Les conductivitCs thermiques (K,,, K.-) augmentent
avec l a temperature et la densit6 d'klectrons (figure 6). Ces
resultats traduisent le comportement diffusif des coefficients de
transport. Les figures 7, donnent les conductivitks paralleles
Clectrique et thermique (a,,, K,,) T = 4 K. Elles augmentent
avec la largeur de bande, d'une manikre parabolique.
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FIG.7. Dependance des conductivites Clectrique (cr,,) et thermique (K2:),avec la largeur de la premikre minibande du superreseau 2 T = 4K
(paramktres des figures 1 et 5).

Les coefficients de transport perpendiculaire sont plus grands Remerciements

que ceux du parallkle, traduisant l'anisotropie du superrCseau. Les auteurs rernercient le Professeur A. Yelon pour les dis-
A notre connaissance, il n'y a pas de rCsultats expkrimentaux cussions concernant ce sujet. Ce travail a bCnCficiC des sub-
donnant le pouvoir therrnoClectrique et la conductivitC ther- ventions de recherche nos URF0035154 et OGP0003435 du
rnique, pour un superrCseau (GaAs-GaAlAs), en absence de Conseil de recherches en sciences naturelles et en genie du
champ magnCtique. Canada. Un p a 4 nous (D.A.) rernercie le groupe des couches
Nos resultats de calcul pour un puits isolC, montre que la minces pour le ~ p p o financier
o B travers le programme des
contribution des irnpuretCs (dans le puits) aux coefficients de actions structurantes du QuCbec (Ministkre de 1'Enseignement
transport est faible par rapport aux rnesures expCrirnentales. SupCrieur et de la Science).
Ces dernieres sont expliqukes experirnentalement et thCorique-
ment par l'effet de phonon drag (33, 34).
1. R. DINGLE. Semiconductors and semintals. Applications of mul-
6. Conclusion tiquantum wells, selective dopings, and superlattices. Vol. 24.
Academic Press. Inc., New York. 1987.
Les fonctions d'onde analytiques ont CtC utilisees pour 1'Ctude 2. L. ESAKI. J. Cryst. Growth, 52, 227 (1981).
de la contribution des irnpuretCs aux coefficients de transport, 3. C. T. FOXON. Interfaces, quantum wells, and superlattices. SCrie
dans le cadre de la rCponse linCaire et I'approxirnation de la B: Physics. Vol. 179. Editeurs: C. R. Leavens and R. Taylor.
masse effective. Les rCsultats de nos calculs traduisent le New York et London. 1987. :
cornportement diffusif des coefficients de transport et I'aniso- 4. R. F. KARINOV et R. A. SURIS.SOV.Phys. Semicond. 5, 707
tropie du superrCseau (GaAs-GaAlAs). A notre connaissance, (1971).
il n'y a pas de rksultats expkrirnentaux donnant le pouvoir ther- 5. T. ODAGAKI et L. FRIEDMAN. Solid State Commun. 57, 915
rnotlectrique et la conductivitC thermique, pour un superriseau (1986).
(GaAs-GaAlAs), en absence ou en presence d'un champ 6. A. CHOMETTE, B. DEVAUD et A. REGRENY. Phys. Rev. Lett. 57,
rnagnetique. La contribution des irnpuretts au pouvoir ther- 1464 (1986).
7. B. MOVAGHAR. Semicond. Sci. Technol. 2, 185 (1987).
moClectrique, pour un puits isolC, est faible par rapport aux 8. E. MENDEZ,F. AGULLO-RUEDA et J. M. HONG.Phys. Rev. Lett.
mesures expkrimentales expliquCes par l'effet de phonon drag. 60, 2426 (1988).
Nous allons utiliser, aussi, les fonctions d'onde exactes pour 9. A. A. LAKHANI, R. C. POTTER,D. BEYA,H. H. HIER,E.
Ctudier la contribution des impuretCs aux coefficients de trans- HEMPLING, L. AINAet J. M. O'CONNOR. Electron. Lett. 24, 153
port d'un champ rnagnktique. (1988).
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