Circuits en régime sinusoïdal III

‹ Source avec impédance interne

‹ Réseaux d’impédances
– Impédances en série
– Impédance en parallèle
‹ Diagramme de phaseur et d’impédance
‹ Diviseurs de tension et de courant
‹ Théorèmes de Thévenin et de Norton en régime sinusoïdal
‹ Exemples
‹ Inductance avec pertes
‹ Capacité avec pertes
‹ Circuit résonant série
‹ Circuit résonant parallèle
‹ Lieu complexe

Electrotechnique II - Régime sinusoïdal III 1

Source avec impédance interne
‹ Généralisation de la notion de résistance
interne: impédance interne Z i = Ri + jX i

U = U o − Zi I

Electrotechnique II - Régime sinusoïdal III 2

Source avec impédance interne
‹ Représentation équivalente en terme de
source de courant

Y i = 1/ Z i

I = I o − Y iU

Electrotechnique II - Régime sinusoïdal III 3

Equivalence sources de tension/courant

U o = Zi Io
Uo
I o = Y iU o =
Zi

Electrotechnique II - Régime sinusoïdal III 4

Mise en série d’impédances (d’admittances)

n
Zs = ∑Zk
k =1
1 1 1
Ys = = =
Zs n n
∑Zk ∑1 / Y k
k =1 k =1

Electrotechnique II - Régime sinusoïdal III 5

Mise en parallèle d’impédances (d’admittances)

n
Y p = ∑Y k
k =1
1 1 1
Zp = = =
Yp n n
∑Y k ∑1 / Z k
k =1 k =1
Electrotechnique II - Régime sinusoïdal III 6
Bipôles composites élémentaires
Circuit Impédance Admittance
R − jω L
R + j ωL
R 2 + ω 2 L2
1 R ω 2 C 2 + jω C
R+
jω C 1 + ω 2 R 2C 2
1 ωC
j (ω L − ) j
ωC 1 − ω 2 LC
1 R − j (ω L − 1 / ω C )
R + j (ω L − )
ωC R 2 + (ω L − 1 / ω C ) 2

R ω 2 L2 + j ω LR 2 1 1
− j
2
Electrotechnique II
2 2
+ ωsinusoïdal
R- Régime L III R ωL 7
Bipôles composites élémentaires (suite)
Circuit Impédance Admittance

R − j ω CR 2 1
+ jω C
1 + ω 2 R 2C 2 R

ωL 1
j j (ω C − )
1 − ω 2 LC ωL

R − jR 2 ( ω C − 1 / ω L ) 1 1
− j (ω C − )
1 + R 2 (ω C − 1 / ω L )2 R ωL
Electrotechnique II - Régime sinusoïdal III 8
Diagramme d’impédance
Résistance Inductance
Im Im

jωL
R
Re Re
Im

Re
Capacité
−j
ωC

Electrotechnique II - Régime sinusoïdal III 9

Diagramme d’impédance
Circuit RLC série
Im

1
ωL <
ωC
jωL
R
−j Re
ϕ
ωC
Z

Electrotechnique II - Régime sinusoïdal III 10

Diagramme d’impédance
Circuit RLC série
Im

1
ωL >
ωC
−j
jωL ωC

Z
ϕ
Re
R

Electrotechnique II - Régime sinusoïdal III 11

Diagramme de phaseur
I
Circuit RLC série

Im U

U R = RI Donnée: le courant I I = Ie jβ
UL
Problème: calculer U
U L = jωL I UC
I
1 UR
UC = I U
jωC β α
Re

U =U R +U L +UC

Electrotechnique II - Régime sinusoïdal III 12

Diagramme de phaseur: circuit série-parallèle

Donnée: le courant I1
Problème: calculer U= U1+U3
Im

I1 R1 I 1
0 U3
I 1 / jωC1
I U1

I 2 = U 1 / jωL2 U
R3 I
jωL3 I

Electrotechnique II - Régime sinusoïdal III 13

Tripôles équivalents

Z1Z 2 + Z 2 Z 3 + Z 3 Z1 Z 12 Z 31
Z 12 = Z1 =
Z3 Z 12 + Z 23 + Z 31
Z 12 Z 23
Z1 Z 2 + Z 2 Z 3 + Z 3 Z1 Z2 =
Z 23 = Z 12 + Z 23 + Z 31
Z1
Z 23 Z 31
Z1Z 2 + Z 2 Z 3 + Z 3 Z1 Z3 =
Z 31 = Z 12 + Z 23 + Z 31
Z2
Electrotechnique II - Régime sinusoïdal III 14
Diviseurs de tension et de courant

Z1
U1 = U
Z1 + Z 2

Z2
U2 = U
Z1 + Z 2

Z2
I1 = I
Z1 + Z 2
Z1
I2 = I
Z1 + Z 2

Electrotechnique II - Régime sinusoïdal III 15

Théorème de Thévenin en régime sinusoïdal
Zi
I
I
uj a
Lm

ik U ab ≡ U U ab
o
Ri
Cn b

Toutes les sources ont la même fréquence

U o = U ab Z i = Z ab
I =0 u j = 0, ik =0
Electrotechnique II - Régime sinusoïdal III 16
Théorème de Norton en régime sinusoïdal

I I
uj a
Lm Io
ik U ab ≡ Z i U ab
Ri
Cn b

Toutes les sources ont la même fréquence

Io = I Z i = Z ab
U ab =0 u j = 0, ik =0
Electrotechnique II - Régime sinusoïdal III 17
Exemple 1: Circuit RL série
I R

UR
U L UL

U = Ue jθ
Déterminer I, UR et UL

Electrotechnique II - Régime sinusoïdal III 18

Exemple 2: Circuit RC série
I R

UR R =5Ω
U C UC Z C = − j8.66 Ω

j 45o
U = 20e
Déterminer I, UR et UC

Electrotechnique II - Régime sinusoïdal III 19

Exemple 3: Circuit RLC
I R
j15o
U = 10e , ω = 500 rad/s
L C R = 2Ω
L = 2 mH
U
R1 R2 C = 1000 μF
R1 = R2 = 1Ω

Déterminer le courant i(t)

Electrotechnique II - Régime sinusoïdal III 20

Exemple 4: Théorème de Thévenin

L C
C

R1 R2 U R

U1 U2

Déterminer la tension U

Electrotechnique II - Régime sinusoïdal III 21

 Inductance avec pertes

Une inductance réelle comporte des pertes qui peuvent être

introduites dans le modèle par une résistance en série avec
l’inductance.
On définit alors le facteur de qualité Q de l’inductance comme le
rapport
réactance ωLs
Q= =
résistance Rs

Rs Ls
Z s = Rs + jωLs

Electrotechnique II - Régime sinusoïdal III 22

 Inductance avec pertes

On peut aussi utiliser une représentation équivalente avec un

schéma en parallèle:
Rp

Lp

jωL p R p
Zp =
R p + jωL p

Electrotechnique II - Régime sinusoïdal III 23

Inductance avec pertes
Rp
Rs Ls

Lp

Pour que les deux modèles soient équivalents, il faut avoir

Zs = Z p

jωL p R p
Rs + jωLs =
R p + jωL p

Electrotechnique II - Régime sinusoïdal III 24

Inductance avec pertes
Rp
Rs Ls

Lp
jωL p R p
Rs + jωLs =
R p + jωL p

jωL p R p ( R p − jωL p )
Rs + jωLs =
R 2p + (ωL p )2

Electrotechnique II - Régime sinusoïdal III 25

Inductance avec pertes
Rp
Rs Ls

Lp

En égalisant les parties réelles et imaginaires:

ω2 L2p R p ωL p R 2p
Rs = ωLs =
R 2p + (ωL p )2 R 2p + (ωL p )2

Electrotechnique II - Régime sinusoïdal III 26

Inductance avec pertes
ω2 L2p R p ωL p R 2p
Rs = (a) ωLs = (b)
R 2p + (ωL p ) 2 R 2p + (ωL p )2

En divisant (b) par (a), on obtient:

ωLs Rp
Q= =
Rs ωL p

Electrotechnique II - Régime sinusoïdal III 27

Inductance avec pertes

On peut aussi exprimer (a) et (b) en fonction de Q:

Rp Rp Rp
Rs = = ≅ Q 2 >> 1
R 2p Q2 + 1 Q2
+1
(ωL p ) 2

ωL p ωL p
ωLs = = ≅ ωL p Q 2 >> 1
(ωL p ) 2 1
1+
1+ Q2
Rp2

Electrotechnique II - Régime sinusoïdal III 28

Inductance avec pertes
Rp
Rs Ls

Lp

En résumé, lorsque Q 2 >> 1 , on a

Ls = L p R p = Q 2 Rs

Electrotechnique II - Régime sinusoïdal III 29

 Capacité avec pertes
Rp
Rs Cs

Cp
Modèle parallèle Modèle série

De la même manière, on peut définir le facteur de qualité Q:

réactance 1 / ωCs
Q= =
résistance série Rs
Rp ⎛ résistanc e parallèle ⎞
= ⎜= ⎟
1 / ωC p ⎝ réactance ⎠
Electrotechnique II - Régime sinusoïdal III 30
Capacité avec pertes
Rp
Rs Cs

Cp
Modèle parallèle Modèle série

Cs = C p R p = Q 2 Rs Q 2 >> 1

Electrotechnique II - Régime sinusoïdal III 31

Circuit résonant série
Inductance

L RL

RS RC

V C

Générateur Capacité
sinusoïdal de
fréquence f

R=RS+RL+RC

≡ V
L

Electrotechnique II - Régime sinusoïdal III 32

 Circuit résonant série
1
L’impédance du circuit: Z = R + j (ωL − )
ωC
Le courant dans le circuit est alors donné par:
V
I=
1
R + j (ωL − )
ωC
L’amplitude et la phase du courant:
⎡ 1 ⎤
V ⎢ ( ωL − )⎥
I= φ = − tan −1 ⎢ ωC
⎥
2 1 2 ⎢ R ⎥
R + (ωL − )
ωC ⎢⎣ ⎥⎦

Electrotechnique II - Régime sinusoïdal III 33

 Circuit résonant série
1
L’impédance du circuit: Z = R + j (ωL − )
ωC

1 ωL
Pour ω = ωo = ,

inductif
LC
Le circuit se comporte comme 1
(ωL − )
Réactance
une pure résistance et le courant ωC
passe par une valeur maximale:
ωo ω
V
Io =
1
capacitif

R
ωC

Electrotechnique II - Régime sinusoïdal III 34

 Circuit résonant série
Le facteur de qualité Qo du circuit complet est défini par:
ωo L 1
Qo = ≡
R ωoCR
ωo L 1 / ωoC
= = Rs

Rs + RL + RC Rs + RL + RC
1 Rs RL RC 1 1 1
Et alors = + + = + +
Qo ωo L ωo L 1 / ωoC Qs QL QC

où Qs = ωo L / Rs et QL et QC sont respectivement les facteurs

de qualité de l’inductance et de la capacité à la fréquence de
résonnance.
Electrotechnique II - Régime sinusoïdal III 35
Circuit résonant série
I

Io
2

ω1 ωo ω2
φ
π/ 2

π/ 4
ω2
ω
ω1
−π / 4

−π / 2
Electrotechnique II - Régime sinusoïdal III 36
Circuit résonant série
On peut facilement démontrer que:
R R ω
ω2 − ω1 = = ωo = o
L ωo L Qo

ω
En définissant fo = o
2π

La bande passante B du circuit est définie par

fo
B=
Qo

Electrotechnique II - Régime sinusoïdal III 37

Importance du facteur de qualité

‹ Cette relation montre qu’un circuit avec un grand facteur de qualité a

une petite bande passante et vice-versa.
‹ La sélectivité en fréquence et les propriétés d’amplification de circuits
résonants jouent un grand rôle dans les équipements de
télécommunication. Nous avons vu que ces propriétés peuvent se
décrire à l’aide du facteur de qualité.
‹ Par exemple, lorsqu’un circuit résonant est utilisé dans un récepteur
radio pour sélectionner une station parmi d’autres, il est important
d’utiliser un circuit avec un grand facteur de qualité pour éviter de
recevoir les signaux d’une station adjacente. Cette situation est
illustrée à la figure suivante.

Electrotechnique II - Régime sinusoïdal III 38

 Importance du facteur de qualité
Station 2
Amplitude du signal

Station 3
Station 1

ω
Δω1 Δω2 Δω3

High-Q
Réponse du récepteur

Low-Q

Electrotechnique II - Régime sinusoïdal III ω 39

Importance du facteur de qualité

‹ Il est aussi important de réaliser qu’un facteur de qualité

trop grand (courbe bleue en pointillé) n’est pas non plus
désirable car les composantes fréquentielles du signal
sélectionné seront atténuées.
‹ Il faut aussi mentionner que la situation illustrée par la
figure précédente est hautement simplifiée; en pratique,
plusieurs circuits résonants sont utilisés dans un récepteur,
chacun accordé à une fréquence légèrement différente
pour atteindre la réponse désirée.

Electrotechnique II - Régime sinusoïdal III 40

Exemple

‹ Une bobine d’inductance et une capacité variable sont connectées à

une source de tension pour former un circuit résonant série. La bobine
a une inductance de 0.2 mH et un facteur de qualité de 150. La
capacité a une résistance interne série de 0.502 Ω. Le générateur est
réglé sur une fréquence de 1 MHz, une tension à vide de 2 V et sa
résistance interne est de 2 Ω. Calculer (a) la valeur de la capacité pour
accorder le circuit, (b) la résistance totale et le facteur de qualité total
du circuit, (c) le courant complexe à la fréquence de résonnance et à
10 kHz au-dessus de la fréquence de résonnance.

Electrotechnique II - Régime sinusoïdal III 41

 Lieu complexe

Le lieu complexe relatif à une grandeur complexe est le lieu décrit

par l’extrémité du vecteur représentant cette grandeur lorsqu’on fait
varier un paramètre, généralement la pulsation ω.

Exemple: circuit résonnant RLC série

1
Z = R + j (ωL − )
ωC

Electrotechnique II - Régime sinusoïdal III 42

Lieu complexe: circuit résonnant série

Lieu de Z
Im 1
Z = R + j (ωL − )
ω > ωo ωC

ωo = 1 / LC
Re
R

ω < ωo

Electrotechnique II - Régime sinusoïdal III 43

Lieu complexe: circuit résonnant parallèle
Lieu de Y
Im

ω > ωo 1 1
Y = + j (ωC − )
R ωL
ωo = 1 / LC
Re
1/R

ω < ωo
R=infini: circuit bouchon

Electrotechnique II - Régime sinusoïdal III 44