M.

SABIH

Chapitre I : le thyristor :
1- Redresseur contrôlé au silicium (SCR) :
1.1- Définition :
- Le thyristor est un composant semi-conducteur, il est utilisé partout ou le
contrôle de puissance dans une charge est nécessaire, que ce soit en régime
continu ou en régime alternatif.
- Le SCR est un dispositif que ne conduit que dans un seul sens comme la diode
que vous connaissez déjà.
1.2- Structure et symbole :
Le SCR est composé de quatre couches semi-conductrices PNPN

1.3- Principe de fonctionnement :

Le thyristor est un dispositif unidirectionnel bistable, nous en étudierons le
fonctionnement dans le cas de la polarisation inverse et de la polarisation directe.

1.3.1- polarisation inverse :

Lorsqu’une tenson positive par rapport à l’anode est appliquée à la cathode, les
jonctions internes d’anode JA et de cathode JK sont polarisées en sens inverse, le
thyristor se comporte alors comme une diode bloquée et il ne laisse passer qu’un très
faible courant de fuite (de quelque mA), si la tension augmente au-delà d’une certain
valeur pouvant varier de 50 et 3000V selon le type de thyristor, le courant de fuite
augmente brusquement, provoquant ainsi la destruction du thyristor.

1.3.2- polarisation directe :

1
M17 : dépannage des circuits de puissances
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On peut réaliser un circuit dont le fonctionnement et analogue à celui d’un thyristor,

en associant deux transistors complémentaire selon le montage suivant :

- Si on polarise SCR en direct, et IG=0, la base de Q2 n’est pas alimenté, et par

conséquent il ne circule aucun courant de collecteur dans le transistor Q1 etQ2,
le thyristor est alors est dans un état non-conducteur, même en polarisation
directe.
Remarque :

Si on augment progressivement la tension appliquée à l’anode jusqu’à une valeur

critique, appelée tension de retournement(VB0), un phénomène d’avalanche se
produit dans la jonction de commande, donc le thyristor devient conducteur.

- Une tension directe est appliquée au thyristor, et une impulsion positive de

courant est envoyée dans la gâchette, donc IG=IB2

Alors IC2=β2∙IB2= β2∙IG

Le courant de collecteur de Q2 est de courant de base au Q1 qui est amplifiée à

son tour.

IC1=β1∙IC2=β1∙β2∙IG

Ou β1∙β2>>1, jusqu’au la saturation des deux transistors, dans ce cas le thyristor est
amorcé (état passant) est sa résistance interne devient pratiquement nulle
(phénomène de régénération).

2
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- Sion supprime l’impulsion de la gâchette, le thyristor reste amorçer, à condition

que le courant principal IT se maintienne au-dessus d’une certaine valeur
appelée courant d’accrochage IL.

1.3.3- les caractéristiques courant-tension d’un SCR :

IA
PREMIERQUADRANT
A
IA ITM
+
G VA
-
K RÉGION DE
CONDUCTION
(ON-STATE)
IT
VT
SCR
T= 25OC
IG2 > IG1 > IG0 IGO = 0
K AG IH
IBO
VBR(R)

VTM VB0 V
A
IBR(R)

RÉGION DE BLOCAGE RÉGION DE BLOCAGE

EN INVERSE EN DIRECT
(REVERSE BLOCKING) (OFF-STATE)
IR ID
VR VD

TROISIÈME QUADRANT

Définition :

1- Courant d’accrochage(IL) : valeur du courant principal nécessaire pour

enclencher le phénomène de régénération.

2- Courant de maintien (IH) : valeur du courant principal pour garder le SCR

amorcer, le circuit de gâchette étant ouvert.

3
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1.3.4- les caractéristiques de gâchette :

La caractéristique de gâchette décrit l’ensemble des conditions de tension et de
courant nécessaire pour assurer un amorçage adéquat du SCR.

1.4- Méthode d’amorçage par gâchette :

L’amorçage d’un SCR consiste à le rendre conducteur, il se fait normalement par la
gâchette, on peut y arriver par :

- Un courant continu de gâchette.

- Une impulsion de courant de gâchette.

- Un train d’impulsion de courant de gâchette.

4
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1.4.1- Amorçage résistif en régime continu :

La fiche technique du SCR, fournie les données suivantes :

IGT=200µA ; VGT=0,8V ; ITmax=3A ; IH=6mA ; VAK(ou VTM)=1,6V.

Pour que le SCR puisse d’amorçer, il faut que le courant de gâchette IGT qui circule à
travers RG, soit égal à 200µA, de plus il faut que le courant principal qui traverse SCR
soit supérieur au courant d’accrochage IL, pour permettre le phénomène de
régénération. En pratique :

5
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1.4.2- Amorçage résistif en régime alternatif :

Remarque :
Théoriquement la valeur de l’angle d’amorçage et entre 0 et 90°, plus RG et augmente
plus α se rapproche à 90° et inversement.

NB : pour assurer le bon fonctionnement d’un SCR en régime alternatif, il est

nécessaire d’inclure une diode et une résistance, dans le circuit de Gâchette du SCR.

- Le rôle de la diode : pour protéger la jonction gâchette- cathode contre les

surtensions en polarisation inverse.

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- Le rôle de la résistance : pour désensibiliser le SCR en dérivant une partie du

courant du collecteur du PNP interne autour de la jonction base-émetteur de
NPN.

1.4.3- Amorçage d’un SCR par circuit RC :

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Remarque :
Il existe des autres méthodes d’amorçage :

- Amorçage par impulsion électrique

- Amorçage par un amplificateur magnétique

- …

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1.5- Amorçages indésirables :

L’amorçage indésirable c’est amorçage d’un SCR, qui risquant ainsi d’entrainer sa
destruction du SCR, les amorçages indésirables sont :

1) Amorçage par tension de retournement : pour protéger le SCR il faut choisir un

SCR à une tension de retournement est double de la tension maximum appliquée
entre l’anode et la cathode.

2) Amorçage par température trop élevée : si VAK proche de la tension de

retournement spécifiée par le fabricant, donc l’augmentation de la température
ambiante provoque l’amorçage de SCR.

Pour protéger le SCR il faut soit :

- Installer un dissipateur de chaleur.

- Choisir un SCR à VB0 très élevée.

3) Amorçage par radiations électromagnétique : pour protéger le SCR contre les

radiations électromagnétique on ajoute la résistance gâchette-cathode, pour
minimiser ou bien annuler le courant de parasite.

4) Amorçage par dU/dt : pour protéger le SCR il faut soit :

- Choisir un SCR adaptable avec la variation brusque de la tension.

- Ou prévoir un dispositif d’alimentation qui pourrait empêcher l’occurrence de ce

phénomène.

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1.6- Méthode de blocage d’un SCR :

Le blocage ou désamorçage d’un SCR a lieu dés que le courant IT devient inférieur au
courant de maintien IH ou dés que la tension d’anode est supprimée ou inversée, il
existe deux types de blocages.

- Blocage par commutation naturelle.

- Blocage par commutation forcée.

1.6.1- blocage par commutation naturelle :

• Dans les circuits à courant alternatif, le courant passe naturellement par la
valeur Zéro, à tous les demi-cycles, à cet instant, la valeur de courant entre
l’anode et la cathode devient inférieur au courant de maintient du SCR et cela
provoque naturellement le blocage du SCR durant l’alternance, d’où le nom de
blocage par commutation naturelle ou commutation douce (soft switching).

• Le blocage d’un SCR par commutation naturelle peut également des faire dans le
cas des circuits à courant continu, à l’aide d’un circuit oscillant LC.

✓ Expliquer le principe de fonctionnement du montage ?

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1.6.2- blocage par commutation forcée :

Le principe de commutation forcée pour blocage d’un thyristor consiste à décroit le
courant principale, on peut réaliser cela, soit en dérivant le courant dans un circuit
extérieur, soit en diminuant le courant de charge jusqu’à une valeur nulle.

Il existe autre méthode consiste à ajouter une source de tension auxiliaire pour
appliquer une impulsion négative à l’anode, e produit un blocage plus rapide de
thyristor.

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Remarque :
Le commutateur SW2, peut remplacer par un transistor, dans lequel on applique un
signal de blocage dans la base du transistor.

1.7- Différents types de SCR:

Les types de SCR que l’on peut rencontrer sur le marché dépendent de l’application
dans laquelle ils sont utilisés. On distingue:
SCR standard : sert principalement au redressement des tensions alternatives en
tensions continues pulsatives. Il est conçu pour des fréquences ne dépassant pas 1 kHz
et des puissances dépassant plusieurs kilo-watts.

SCR sensible : appelé aussi le darlistor, tient son nom du fait qu’il s’amorce très
Facilement comparativement au SCR standard (le courant de gâchette est au dessous
du milliampère). Il se trouve généralement dans des circuits électroniques de basse
puissance.

SCR rapide : se différencie des autres SCR par sa fréquence d’utilisation qui peut
atteindre 10 kHz. Il est caractérisé par un très faible temps de désamorçage qui ne
dépasse pas 5 µs et des tensions de blocage pouvant atteindre les 700 V. On le
retrouve surtout dans les premiers convertisseurs de puissance.

SCR asymétrique : sa particularité vient du fait que sa tension de blocage en

Polarisation inverse est très faible par rapport aux autres types de SCR, ce qui se
traduit par un temps de désamorçage parmi les plus faibles qui puissent être. Conçu
pour des applications à puissance élevée et à des fréquences qui peuvent atteindre les
50 kHz. Il remplace le SCR rapide dans la nouvelle génération de convertisseurs de
puissance plus compacte et plus légère.

Conclusion :
Le thyristor est un redresseur commandé qui possède une vitesse de réponse élevée.
Il utilise comme :

• Commutateur statique (fonctionnement TOR).

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• Elément de réglage de phase qui permet d’obtenir des tensions continu

réglables (redresseur contrôlée) et des puissances alternatives réglables
(gradateur).

Chapitre II : Les thyristors unidirectionnels

spéciaux
1- Thyristor blocable par gâchette – GTO :
1 .1- Structure et symbole :
La structure de GTO est la même que SCR, Elle est composée de quatre couches semi-
conducteurs PNPN.

1 .2- Fonctionnement :
Le fonctionnement du GTO est très similaire à celui du SCR, sauf en ce qui a trait à
l’amorçage. Dans le cas d’un GTO, l’amorçage et le blocage se font par la gâchette.
- Une impulsion positive à la gâchette amorce le GTO. La partie SCR et le transistor
Q3 conduisent alors le courant principal du GTO.
- Une impulsion négative appliquée à la gâchette du GTO a donc comme effet
l’extinction du transistor Q3 et, par conséquent, le blocage du GTO.

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2- Thyristor à double gâchette SCS :

2 .1- Structure et symbole :

Il est constitué de quatre couches semi-conductrices PNPN. Par contre, les deux
gâchettes le différencient des autres thyristors unidirectionnels. Il possède quatre
électrodes qui sont : l’anode, la cathode, la gâchette d’anode Ga et la gâchette de
cathode Gk.

2 .2- Fonctionnement :
Le fonctionnement d’un SCS est similaire à celui de deux transistors connectés en
mode de régénération

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3- Photothyristor -LASCR:
Le photothyristor est dérivé directement du SCR. Il est souvent désigné par son
abréviation LASCR qui signifie en anglais Light Activated SCR. C’est ni plus ni moins un
SCR qui peut être amorcé par lumière.

3 .1- Structure et symbole :

Le circuit équivalent d’un LASCR. C’est un composant à trois électrodes. Il peut être
amorcé soit par la lumière, soit par une impulsion électrique à la gâchette.

3 .2- Fonctionnement :
La lumière qui atteint la photodiode crée un courant entre les deux électrodes de base
des transistors. Si l’énergie lumineuse est suffisante, la photodiode génère le courant
de gâchette nécessaire pour amorcer le LASCR.

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Chapitre III : Dispositifs de déclenchement

1- Introduction:
La plupart des générateurs d’impulsion utilisée pour l’amorçage des thyristors sont
constitués par circuit RC, et un composant semi-conducteur formant, un oscillateur à
relaxation.

+ V -
+ COMPOSANT +
R1 D'AMORÇAGE
Ecc C1 I up
R2
- -

On distingue :

- Les dispositifs unidirectionnels : UJT ; CUJT ; PUT ; SUS ; diode shockley…

- Les dispositifs bidirectionnels : DIAC ; SBS

2- Transistor unijonction (UJT) :

2 .1- Structure et symbole :

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2 .2- principe de Fonctionnement :

Pour analyser le fonctionnement du UJT, nous utilisons le circuit suivant :

Lorsqu’on applique la tension EBB entre B1 et B2, la tension VA est égale à :

17
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Remarque : la résistance interne RBB, dont la valeur est comprise entre 3K et 10K,
est appelée résistance interbase.

- Tant que VE<VA, la diode et polariser en inverse c.-à-d. IB1=IB2

- Si on augmente progressivement la tension VE, n’est rien a changé, dés que VE

dépasse la valeur VA+VD appelée tension de PIC (VP), la jonction commence à
laisser passer le courant, il se produit alors un effet de résistance négative, IE
croît très rapidement et la tension VEB1 décroît jusqu’à un minimum, appelé
tension de vallée (Vv).

2 .3- les caractéristiques tension- courant d’émetteur :

IE
IEB1(SAT)
RÉGION
DE
SATURATION

IV

RÉGION
DE
RÉSISTANCE
NÉGATIVE

RÉGION
IP DE
BLOCAGE
VP
Uv UEB1(SAT) UE

La tension de PIC est déterminée à partir de la relation :

2 .4- oscillateur à relaxation à UJT :

18
M17 : dépannage des circuits de puissances
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L’oscillateur à relaxation est un circuit élémentaire fréquemment utilisé pour le

déclenchement de thyristor, car il est simple et peu coûteux.

✓ Expliquer le principe de fonctionnement du montage ?

19
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Remarque :
Cette constante de temps est très courte, de l’ordre de (quelque µS), lorsque l’UJT à
l’état bloqué.

- La tension aux bornes B1 est : VB1= R1×I1=

20
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- La tension aux bornes B2 est : VB2= (R1+RBB) ×I1=

Pour que l’UJT oscille, il faut que la zone de la résistance négative comprise entre Vv
et Vpic donc il faut que :

2 .5- amorçage du thyristor par UJT :

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M17 : dépannage des circuits de puissances
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✓ Expliquer le principe de fonctionnement du montage ?

- Le temps de retard à l’amorçage est égal :

- La résistance R1 doit être suffisamment

faible, donc il faut choisir R1 tel que : R1max ≤ Vgtmin/IBB avec IBB=
VBB/ (R1+R2+RBB)
Et puisque RBB>>R1+R2, nous obtenons :

R1max ≤ (Vgtmin×RBB)/VBB

3- Transistor unijonction programmable (PUT) :

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M17 : dépannage des circuits de puissances
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3 .1- Structure et symbole :

3 .2- principe de Fonctionnement :

• La gâchette d’anode est polarisée à la tension VG par l’intermédiaire du pont de
résistance constitué par R1 et R2. Lorsque la tension VA est inférieure à la
tension VG, la diode anode-gâchette d’anode est polarisée en inverse et le PUT
n’est traversé que par un très faible courant de fuite.
• Lorsque la tension d’anode VA devient supérieure à la tension de gâchette VG,
d’une valeur égale à environ 0.5 V, un courant circule dans l’anode et la gâchette
et déclenche brusquement le thyristor cela a pour effet de réduire la résistance
entre la gâchette et la cathode à une très faible valeur (de l’ordre de 10 Ω). Il se
produit un effet de résistance négative c'est-à-dire que le courant d’anode IA
augmente alors que la tension d’anode VA diminue jusqu’à une valeur minimale
appelée tension de vallée.
Le courant d’anode nécessaire au déclenchement est le courant de pic Ip ; ce
courant est d’autant plus faible que la résistance RG est grande.
A l’état passant, la source de tension Vs fournit, à travers Rg, un courant égal à :

Ce courant qui circuler en sens inverse du courant de déclenchement, est un courant

de blocage du thyristor.
En résumé, le PUT laisse passer le courant, lorsque :

VA= VG+ VD
La tension de pic du PUT est donnée par :

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M17 : dépannage des circuits de puissances
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Le rapport intrinsèque du PUT est :

Ainsi en réglant les valeurs des résistances externes R1 et R2, on peut

contrôler les valeurs de η, Ip et Iv.

Oscillateur relaxation PUT :

Dans l’oscillateur relaxation à PUT de la figure 2-8.a, la tension de cachette
est fixée par l’intermédiaire du diviseur de tension constitué par R1 et R2.
Cette tension de cachette détermine la tension de pic. Lorsque la tension aux
bornes du condensateur C atteint la valeur e pic, le PUT laisse passer le
courant, le condensateur se décharge brusquement et une impulsion apparaît
aux bornes de Rk. Lorsque la tension Vc atteint la valeur de vallée, le PUT
se bloque et le cycle recommence

La période de l’oscillation dépend des valeurs de R, C, R1 et R2 ; elle est

déterminée par la relation :

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M17 : dépannage des circuits de puissances
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La valeur de R doit être comprise entre les limites suivantes :

4- Diode SHOCKLEY

4 .1- Structure et symbole :

La diode Shockley, appelée aussi diode à quatre couches, est un dispositif
semi-conducteurs à quatre couches PNPN et à deux électrodes de sortie :
anode et cathode. Elle peut se comparer à l’association de deux transistors.

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4 .2- principe de Fonctionnement

La diode Shockley présente deux états stables : l’état passant l’état bloqué.
La figure représente la caractéristique courant-tension de la diode Shockley.
Lorsque la tension appliquée aux bornes est inférieure à un certain seuil, Vs,
appelé aussi tension de déclenchement ou tension de retournement (VBR), la
diode est à l’état bloquée. Lorsque la tension anode-cathode atteint la valeur
de la tension de déclenchement VBR, la résistance de la diode s’effondre très
rapidement et celle-
ci laisse passer le
courant.

Le reblocage de la diode s’effectue par la réduction soit du courant d’anode à

une valeur inférieure au courant de maintien IH, soit de la tension anode-
cathode au- dessous de la valeur VH.
5- Commutateur Unilatéral – SUS

5.1- Structure et Symbole :

Le commutateur unilatéral SUS est un dispositif constitué par un thyristor
miniature à cachette d’anode, auquel est associée une diode à avalanche à
basse tension. Il comporte trois électrodes qui sont l’anode, la cathode et la
gâchette

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M17 : dépannage des circuits de puissances
 M. SABIH

5 .2- principe de Fonctionnement

Applications :
Le SUS est utilisé dans les oscillateurs relaxateurs pouvant fournir des
impulsions de sortie capables de déclencher la plupart des thyristors.

Dans le circuit de la figure 2-15.b, la cachette du SUS est reliée à la branche

supérieure de l’alimentation, ce qui permet de le déclencher à chaque
alternance négative. Le condensateur C se décharge durant l’alternance
négative et se charge à partir d’un certain niveau de tension fixe, lors des
alternances positives.

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M17 : dépannage des circuits de puissances
 M. SABIH

6- Thyristors de déclenchement bidirectionnels

6.1- Commutateur Bilatéral – SBS :
6.1.1- Structure et Symbole :
Le commutateur bilatéral SBS est un dispositif bidirectionnel à trois
électrodes de sortie : l’anode 1, l’anode 2 et la gâchette Il est constitué de
deux commutateurs unilatéraux (SUS) identiques montés en parallèle-inverse
Sa courbe caractéristique courant-tension est parfaitement symétrique et ses
caractéristiques, lorsque la gâchette n’est pas utilisée, sont semblables à
celles du SUS, sauf que la tension inverse Vr n’existe pas.

L’électrode de la gâchette du SBS sert à programmer le seuil de tension de

retournement Vs du SBS dans les deux sens.

6.1.2- Fonctionnement :

Le fonctionnement du SBS est similaire à celui du SUS. Il est amorcé dans

les deux sens par une tension de retournement adéquate. Il demeure
conducteur tant que le courant du SBS ne tombe pas sous le courant de
maintien IH du SBS

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M17 : dépannage des circuits de puissances
 M. SABIH

6.2- Diac :
6.2.1- Structure et Symbole :

Le DIAC est un dispositif bidirectionnel comprenant trois couches PNP et

deux électrodes de sortie: anode 1 et anode 2.

6.2.2- Fonctionnement :
Le Diac se comporte comme un commutateur dont l’état (bloqué ou saturé)
dépend de la tension appliquée a ses bornes :

Le fonctionnement du Diac est similaire à celui de deux diodes Zeners

montées tête- bêche. Quand la tension aux bornes du Diac atteint la valeur de
retournement, le Diac devient conducteur ou amorcé. La tension à ses bornes
est alors de 1 à 2V.

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 M. SABIH

6. 3- Triac :
6.3.1- Structure et Symbole :

Les thyristors ne fonctionnent en courant alternatif que durant une seule

alternance par période. Pour pallier cet inconvénient et obtenir un contrôle de
puissance en courant alternatif, on a alors utilisé un montage tête-bêche de
deux thyristors. Ce dispositif, appelé TRIAC, qui peut laisser passer ou
bloquer le courant dans les deux sens, est adapté à la commande de charges
de puissance sur les réseaux alternatifs.

Le triac est un élément semi-conducteur bidirectionnel de la famille des

thyristors. Il est composé de cinq couches semi-conductrices NPNPN. Il
comporte trois électrodes de sortie: la gâchette et deux bornes principales B1
et B2. Le triac est l’équivalent de deux thyristors associés en parallèle -
inverse et diffusés sur le même cristal.

6.3.2- Fonctionnement :

Le triac est à l’état bloqué dans les deux sens lorsque aucun signal n’est
appliqué à la gâchette, soit lorsque IG est égal à 0. Comme il n’existe qu’une
électrode de commande, le déclenchement est effectué par des impulsions de
gâchette positives et négatives à faible énergie dans le quadrant I (B2
positive par rapport à B1) ou le quadrant II (B1 positive par rapport à B2).

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M17 : dépannage des circuits de puissances
 M. SABIH

6.3.3- Mode d’amorçage du Triac :

6.3.4- Caractéristique courant-tension

La caractéristique typique courant tension du triac, est symétrique. Le
premier quadrant, où B2 est positive par rapport à B1, correspond au
fonctionnement du thyristor P1N1P2N2. Le troisième quadrant, où B2 est
négative par rapport à B1, correspond au fonctionnement du thyristor
P2N1P1N4 disposé en parallèle-inverse avec le thyristor précédent.

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M17 : dépannage des circuits de puissances
 M. SABIH

- On définit, comme dans le cas du thyristor, une tension critique de

claquage Vbo (tension de retournement) dans les deux sens pour un
courant de gâchette Ig nul. Cette tension doit être supérieure à la valeur
maximale de la tension alternative d’alimentation appliquée, pour que
le triac puise rester à l’état bloqué dans les deux sens et qu’il puisse
garder son effet de contrôle par la gâchette Les définitions des courants
de maintien (Ih) et d’accrochage (IL) sont identique à celles données
pour les thyristors.

6.3.5- Amorçage d’un triac par un diac :

Le circuit suivant représente le montage le plus simple et le plus connu. Il

est utilisé dans les variateurs de lumière. Au départ, la tension entre la
gâchette et la borne B1 est nulle. Dès que la tension est appliquée, le
condensateur C commence à se charger à travers la résistance Rprot et le
Potentiomètre Rv.
Lorsque la tension à ses bornes atteint la tension de retournement du diac,
positive ou négative, le diac laisse passer brusquement le courant, ce qui
provoque la décharge partielle de C dans le circuit de gâchette du triac qui
est alors amorcé.

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M17 : dépannage des circuits de puissances
 M. SABIH

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M17 : dépannage des circuits de puissances
 M. SABIH

L’angle φ2 correspond au temps de charge nécessaire pour que la tension Vc

aux bornes du condensateur atteigne la valeur de tension Vbo du diac :

Au moment de l’amorçage du triac, par déclenchement du diac, l’amplitude

du courant I qui circule dans le circuit RtC est :

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NB : protection du triac :

- Pour protéger le Triac contre les variations de la tension dv/dt( dans le

cas s’une charge inductive) par un circuit de protection RC est monté
en parallèle avec le triac.
- Et pour protéger contre les parasites on ajoute un filtre LC à l’entrée
d’alimentation.

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