République Algérienne Démocratique et Populaire

Ministère de l'Enseignement Supérieur et de la Recherche Scientifique

Université des Sciences et de la Technologie d'Oran
Mohamed Boudiaf (USTO-MB)

Faculté de Génie Electrique

Département d’Automatique

Electronique de Puissance
Notes de Cours
Destiné aux étudiants en Licence 3 Electromécanique

Réalisé par : Pr. ZEMALACHE MEGUENNI kadda

Année universitaire 2020/2021

1
 Sommaire

Sommaire
Introduction
Premier chapitre : Elément semi-conducteur en électronique de puissance
Exercices du premier chapitre
Deuxième chapitre : Redresseur
Exercices du deuxième chapitre
Troisième chapitre : Hacheur
Exercices du troisième chapitre
Quatrième chapitre : Onduleur
Exercices du quatrième chapitre
Cinquième chapitre : Gradateur
Exercices du Cinquième chapitre
Conclusion
Références

2
 CHAPITRE I
Elément semi-conducteur en électronique de puissance

1. Généralités : Les dispositifs de l’électronique de puissance ont en général non

seulement la tache de contrôler la fluence de l’énergie, mais ils doivent souvent convertir le
genre de courant (alternatif en continu ou vice-versa). Puisque cette conversion se fait par des
moyens statiques, on parle de convertisseurs statiques.

La figure 1 montre schématiquement l’emplacement des dispositifs appartement à

l’électronique de puissance dans un système automatique.
Réseau d’énergie
électrique
Grandeur Signal de commande
de consigne G. à régler

Organe de Régulateur Etape Etape Système à

consigne préamplificateur amplificateur régler

G. de commande

Organe de commande

Grandeur
de mesure

Electronique de réglage et de commande Electronique de puissance Processus

Fig. 1.1: Représentation schématique d’un système automatique

L’électronique de puissance et l’électronique de réglage et de commande peuvent aussi être

classées selon les puissances qui entrent en jeu comme le montre la figure 2.

Electronique de puissance

Electronique de réglage et de commande

Fig. 1.2: La plage de variation de la puissance

3
 1.2. Elément semi-conducteur de puissance
Le principe des convertisseurs statiques est basé sur la commutation de courants entre
les mailles d’un circuit électrique de puissance. Ces commutations sont réalisées au moyen
d’éléments semi-conducteurs de puissance fonctionnant comme interrupteur.

~ ~
~ ~

Fig. 1.3: Commutation du courant d’une maille à l’autre d’un circuit électrique

1.3. Classification selon le mode de conversion

Tension Tension Tension

Continue Redresseur Alternative Gradateur Alternative

, ,

Cyclo
Hacheur Onduleur convertisseur

Tension Tension

Continue Alternative

Fig. 1.4 : Classification selon le mode de conversion

4
 1.3.1. Convertisseur Alternatif-Continu (Redresseur)
Ce convertisseur de l´électronique de puissance est capable de transformer la nature
d´un courant alternatif en un courant continu.

≠0 =0
=

Application :

- Alimentation à courant continue (chargeur de batterie).

- Commande des moteurs à courant continue.
- Transport de l’énergie électrique à très haute tension.
1.3.2. Convertisseur Continu-Alternatif (Onduleur)
Un onduleur est un convertisseur statique assurant la conversion d’énergie électrique
de la forme continue (DC) à la forme alternative (AC).

=0 ~
≠0

Application :

- Commande des moteurs à courant alternatif.

- Alimentation secours (Hôpital, Ordinateur, Aéroport).

Remarque :

- Les onduleurs sont dites autonomes s’ils alimentent un réseau indépendant dont il
impose la fréquence.
- Ils sont dites non-autonomes (ou assisté) s’ils alimentent un réseau qui impose sa
fréquence.

5
 1.3.3. Convertisseur Continu-Continu (Hacheur)
On faisant varie le signal de commande , il est possible de varié la tension de sortie de 0 à
la tension d’entrée.

=0 =
=0

Application :

- Commande des moteurs à courant continue.

- Chargeur de batterie.
- Soudage.
1.3.4. Convertisseur Alternatif- Alternatif (Gradateur)
On appelé gradateur (ou variateur de tension) un dispositif qui à l’entrée est alimenté
par une tension alternatif, il permit d’obtenir à la sortie une autre tension alternatif.

≠0 ~ ≠0
=

Application :

- Commande des moteurs à courant alternatif.

- Chauffage électrique.
- Variation d’intensité d’éclairage.

1.4. Commutation des interrupteurs de puissance

Convertisseur statique constitue de semi-conducteur de puissance fonctionnant en
commutation donc soit 0 ou 1 donc on peut les considérés comme des interrupteurs.

Commande

, ℎ

Fig. 1.5 : Convertisseur statique d’énergie

6
 C.S.P. Interrupteurs

Fabriqué en silicium

Avec le silicium on le dope (dopage) de type ! ou de type " à l’aide de l’épitaxie.

Plus la puissance #!$ augmente plus la quantité de silicium augmente aussi.

Exemple :

Une diode de 500 %, 100 &

Une diode de 2000 %, 100 &

on

Il y’a deux états soit ouvert ou fermé

off

Donc nous pouvons dire que l’électronique de puissance est une électronique de commutation.

on
Fermé, passant

∆ ( 0 # ℎ)* + * ,-./,$ , ≠ 0
∆

Ouvert, bloqué

∆ ≠0, ( 0 #0/) ,* + ).* $

off

Fig. 1.6 : Puissance dissipée dans un composant de puissance

7
 U, i U, i

U
U

i i

t t

#Fermeture, mise en conduction$ #Ouverture, Blocage$

Fig. 1.7: Commutation d’un interrupteur

Pour la fermeture : c’est une commutation de l’état bloqué à l’état fermé.

Pour l’ouverture : c’est une commutation de l’état fermé à l’état bloqué.

Il existe :

Les pertes par conduction due à la chute de tension et le passage de courant.

Les pertes à l’état ouvert due au courant de fuite (inverse) et de la présence de tension.

Pour une période :

1 12
!12 = 4 . +* = 12 =
3 3
1
!155 = 4 . +* = 155
3

: Energie

!12 : Perte de commutation à la fermeture.

!155 : Perte de commutation à l’ouverture.

Pour réduire les pertes, on utilise le circuit d’aide à la commutation.

L’interrupteur est appelé évidement à fonctionner en commutation qui peut durée à des
intervalles bien définis (période de fonctionnement ou fréquence de fonctionnement).

1.5. Les différents composants

- Diode
- Thyristor
- Transistor
- MOSFET
8
- IGBT
- GTO
- Triac

1.6. Type de commutation

2. Commutation Naturelle (par le réseau) (redresseur)
3. Commutation Forcée (Hacheur, Onduleur)
4. Commutation par la charge (résonnance)

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1.7. Les éléments semi conducteurs
1.7.1. La diode
IJ

A : Anode & ! " &

K: Cathode Jonction .

(a) (b)

Fig. 1.8: Symbole de la diode

1.7.1.2. Etat passant (sens direct)

Diode : C’est un interrupteur non commandable ni à la fermeture ni à l’ouverture.

Interrupteur
& ⇔ & IJ K0
L
Ω(0

Lorsque le courant passe de l’anode vers la cathode, on dit que la diode est
conductrice ou passante avec une chute de tension ∆ ( 0.
Une diode se met à conduire dés que IJ K 0.

1.7.1.3. Etat bloqué (sens inverse)

L =0

& ⇔ &

La tension anode et cathode est négatif par conséquent la diode oppose le passage du
courant.
Une diode cesse de conduire dés que L s’annule.

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1.7.2. Caractéristique statique de la diode
1.7.2.1. Diode idéale

1 Etat passant

O2P
2 L

Sens inverse

O2P

1.7.2.2. Diode réelle

Courant Max à l’état passant

L Q&R

Chute de tension directe ou

à l’état passant

Courant de fuite
(Inverse)
O2P L

Zone de claquage

O2P Max

O2P QS&R

11
 1.7.2.3. Caractéristique à l’état passant

La tension de seuil : C’est la tension minimale à partir de la quel la diode devient

passante, (0.6 par exemple).

L Q&R

V : Tension de seuil
L ]^
∆ L
XV =
∆ L
∆ L

L ]^ XV :Resistance dynamique
2
∆ L
L
V

L = V + XV 55

&

!Y12L : Pertes par conduction (pertes à l’état passant)

!Y12L = V L 1Z + XV 55

Si dans un montage nous avons diodes : !Y12L = !Y12L⁄[2 LO1L

. .

IJ IJ

0 0
Amorçage spontané
Blocage spontané
(Fermeture)

12
Exemple :

g ), .
Yi #*$
Yi
.Yi

)#*$ ~ X *
0 π 2π

)#*$

)#*$ = ) ]^ sin * (V)

)#*$ : Tension d’alimentation

[bcd
0` *`* ⇒ .#*$ = sin * (A)
e

En redressent la diode ne présente aucune particularité, car les temps mis en jeux lors des
commutations sont très grandes, ce qui donne le temps nécessaire de blocage de la diode (cas
des diodes lents).
Un exemple pour l’utilisation de la diode (diode rapide) ⇒ diode de roue libre.

Yi #*$

L
h
)#*$ ~ g g

Lorsque la diode cesse de conduire une charge reste stockée dans la diode, dont une partie
disparait par recombinaison (liée à la durée de la vie des porteurs) et l’autre est évacuée sous
forme de courant inverse.

Charge recombinée

Charge stockée #f $
Charge évacuée

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1.7.2. Le thyristor

1.7.2.1. Définition: Un thyristor est un semi conducteur unidirectionnel contrôlable

(interrupteur commandable uniquement à la fermeture).
L

& ! " ! " ⇔ &

.j
G
G
(a) (b)

Fig. 1.9: Symbole de thyristor

A : Anode
K: Cathode
G: Gâchette (électrode de commande)

1.7.2.2. Fonctionnement
a) Fermeture :

Le thyristor devient passant (amorçage) que si en envoie une impulsion positif à la

gâchette et au borne anode-cathode se trouve une tension positif. Si l’une des deux conditions
n’est pas vérifier, le thyristor reste bloqué.

K0
⇒
IJ Amorçage
j K0

La vitesse de croissance de .j (Amplitude et la durée)

.k R

Dés que . k l .m , on peut annuler .j .

X, n

Après un certain temps .j peut être annulé.

.m : Courant de maintien.

.j #X, n$
.m
0 *

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 b) L’ouverture

Pour ouvrir un thyristor, il faudrait annuler son courant ensuite lui appliquer une tension
négatif (inverse) pendant une certaine durée.

L’annulation se fait avec deux moyens :

Par commutation naturelle (redresseur, gradateur) l’alimentation est à C. A.

Par commutation forcée (Hacheur, Onduleur) l’alimentation est à C.C.

1.7.2.3. Caractéristique statique

L Q&R
L ]^
O2P Max

.j K .j K .jp o
Courant de fuite

O2P
LQ %R
L L Lp

m: /) ,* + .,*. ,

o : n * ,-./, + */) , ,*

O2P QS&R

&
Yi #*$
.j
G Charge
)#*$ ~ X
RL

Si on applique une tension négative entre anode-cathode, la caractéristique est

semblable à seul d’une diode à l’état bloquée.

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 Si on applique une tension positive entre anode-cathode et si en dépasse la valeur
o , il se produit un phénomène d’avalanche, le thyristor devient par conséquent
passant sans qu’il y est de courant positif sur la gâchette (cas à éviter).
Si o K 0 et .j K 0 ⇒ Amorçage de thyristor et la caractéristique est presque
identique à celle d’une diode à l’état passant.
Si le thyristor est déjà amorcé par un courant .j , on peut l’interrompre et le thyristor
restera toujours amorcé tandis que le courant L est plus grand que le courant de
maintien .m .

& s ⇒
L m m se désamorce

L K m ⇒ m
.j L
s’amorce

Exemple :
&

.j
G
C.C. X e

IJ

0 *
* * *p *q *r

.j

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 1.7.2.4. Amorçage et blocage des thyristors
Amorçage : il existe plusieurs méthodes pour l’amorçage d’un thyristor,

Amorçage par courant de gâchette. (il faut utiliser)

Amorçage par l’anode ( o , .j = 0). (cas à éviter)
Amorçage par l’accroissement rapide de la tension directe.
Amorçage par l’élévation de la température.

Blocage : on peut bloquer un thyristor de différente manière :

Par réduction du courant d’anode
Par inversion de la tension appliquer au thyristor (plus utiliser)

1.7.2.5. Thyristor spéciaux

Photothyristor : les propriétés semblable au thyristor classique à l’exception à leur amorçage
qui est déclenché par une impulsion lumineuse au niveau de la gâchette au lieu de l’impulsion
électrique.

1.7.3. Transistor bipolaire de puissance

1.7.3.1. Définition : c’est un interrupteur commandable à la fermeture et l’ouverture.

h
" ! " ⇒

B
(a) #w$

Fig. 1.10: Symbole de transistor de puissance.

Pour la fermeture : il faut que % t K 0 et %ut K 0 (avec u ≠ 0 mais supérieur à zéro).

Appliquer %ut K 0 doit être maintenu (c.à.d. u maintenu) pendant toute la phase de
conduction.

Pour l’ouverture : il faut que %ut s 0 (avec u ≠ 0 mais inferieur à zéro).

Appliquer %ut s 0 pour extraire les charges stockées.

La chute de tension dépend de v. Avec v = ⁄ u.

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 1.7.4. Le Mosfet de puissance (MosFet)
1.7.4.1. Définition : c’est un interrupteur commandable à la fermeture et l’ouverture. Le
MosFet possède une impédance d’entrée très grande. C’est un composant qui est commandé
en tension (faible consommation de courant).

g Drain

Grille | Source

Fig. 1.11: Symbole du MosFet.

Il existe deux technologies
- TTL (x15) commandé en courant ⇒ donc consommation d’énergie.
- CMOS (x15) commandé en tension ⇒ faible courant.

Pour la fermeture : il faut que %z{ K 0 ⇒ le MosFet devient passant.

Appliquer %z{ K 0 qui doit être maintenu pendant toute la phase de conduction.

Pour l’ouverture : il faut que %z{ ` 0.

Remarque : Le MosFet de puissance à une structure multicellulaire et il est équivalent à une

résistance appelé Xo{ .

1.7.5. Thyristor Ouvrable par la Gâchette ou Gate Turn Off (GTO)

1.7.5.1. Définition : c’est un interrupteur commandable à la fermeture et l’ouverture. Il
combine les avantages du thyristor (montée en puissance) et du transistor (commandabilité).

IJ

! &
" ⇒
!
G
&

# $ #w$

Fig. 1.12: Symbole de GTO.

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Pour la fermeture : il faut que il faut que %zJ K 0, ( z K 0) pendant toute la phase de
conduction.

Pour l’ouverture : il faut que %zJ s 0, ( z s 0) pour l’extraction de charge.

1.7.6. Transistor à graille isolée (IGBT)

1.7.6.1. Symbole d’un IGBT

L’IGBT est constitué de trois bornes dont (C) est le collecteur, (E) l’émetteur et (G) la
grille (figure 1.13).
C

E
Fig .1.13: Symbole d’un IGBT

1.7.6.2.Structure physique d’un IGBT

Dans la structure intégrée de ce composant, on peut distinguer deux transistors bipolaires

et un MOSFET figure (1.14).
C

ic
PNP
VCE
D

G NPN
R
S
VGE

Fig. 1.14: Structure de base de l’IGBT

19
 G

n+ n+
P

n-
n+
P+

Fig .1.15: Coupe transversale d’un l’IGBT

Le MOSFET apparaît dans la disposition des zones p et n, situées au dessus de la

couche p+, le transistor NPN est inhérent à cette disposition. Le transistor PNP apparaît
dans la succession des trois zones trouvées en allant du collecteur C à l’émetteur E, la
résistance R correspond à la zone p encadrée par des flots de type n en contact avec une même
métallisation d’émetteur. tous les émetteurs élémentaires sont reliés à la borne E de l’IGBT .

La commande par grille isolée permet de bénéficier de la grande impédance d’entrée du

MOSFET.

1.7.6.3.Amorçage en conduction

La tension VCE étant positive lorsque la tension VGE devient supérieure à la tension de
seuil VT, les canaux apparaissent; à travers ces canaux des électrons, sont injectés dans la
couche n- dont le potentiel diminue. La jonction p+ n- devient conductrice et le composant est
passant.

La résistivité de la zone n-, qui reçoit des électrons de l’émetteur et des trous du
collecteur, décroît et sa résistance apparente devient inférieure à celle d’un MOSFET dont la
zone n- ne bénéficie pas de cette injection de trous.

Les caractéristiques statiques ic = f (VCE) sont représentées sur la figure (1.16).

20
 ic
VCE5>VCE4

VCE3>VCE2

VCE2>VCE1

VCE1>VCE

VCE
VT
Fig. 1.16: Le courant du collecteur en fonction de la tension VCE

Le courant ic ne s’écarte de zéro que lorsque VCE a dépassé la tension de seuil de la

jonction p+ n -.
La résistance à l’état saturé est plus faible.

1.7.6.4.Extinction

La conduction par porteurs minoritaires, si elle présente l’avantage de réduire la chute de

tension à l’état passant, présente l’inconvénient d’accroître le temps d’extinction ce qui limite
la fréquence d’utilisation possible de l’IGBT.

Quand on supprime le signal de commande sur la grille, l’extinction se fait en deux

temps ;

Les canaux disparaissent et le MOSFET se bloque rapidement, ce qui entraîne une

première diminution de ic (t1), ensuite, les porteurs excédentaires de la zone n- se combinent
progressivement et la diminution de ic devient assez lente la caractéristique du transistor
bipolaire (t2).

21
 VCE ic

t t
t1 t2

Fig .1.17: VCE en fonction de t Fig .1.18: ic en fonction de t

Remarque :

L’IGBT est similaire au MOSFET, qui a une impédance de gâchette, exigeant une petite
énergie pour sa fermeture, une faible chute de tension (caractéristique de BJT ) et un blocage
des tensions négatives (caractéristique de GTO), donc, l’IGBT regroupe presque toutes les
avantages du MOSFET et de BJT.

1.8. Le choix des interrupteurs

Le développement des semi-conducteurs a permit à l’électronique de puissance d’évoluer

et se s’établir dans le domaine industriel. La technologie à aussi permit la fabrication des
composants qui tendent à remplacer d’autres, tout pour le coût économique que par leurs
efficacités qui ne cessent de s’améliorer. Le plus souvent, l’utilisateur des semi-conducteurs
en commutation, se trouve face à un problème complexe qui est le choix du composant le plus
adapté à une application donnée.

Les semi-conducteurs de puissance sont choisis selon la puissance, la fréquence de

fonctionnement, le coût ainsi que l’influence de la température.

La demande de convertisseurs statiques d’énergie de plus en plus rapides et puissantes

oblige les constructeurs sans cesse la caractéristique des semi-conducteurs de puissance à
savoir :

22
 Diode,
Thyristor,
Transistor bipolaire de puissance,
Thyristor ouvrable par la gâchette (GTO),
Transistor MOS de puissance,
Transistor bipolaire à graille isolée (IGBT).

La figure (1.19) donne le domaine d’utilisation des composants en puissance et en

fréquence.

S (VA)
GTO
107
BJT
106
IGBT
105
104
103
MOSFET

103 104 105 fr (Hz)

Fig. 1.19: Domaine d’utilisation des composants de puissance

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Département d’Automatique
3ème année Licence (Electromécanique)
Module : Electronique de Puissance

Fiche de Travaux Dirigés N°1

Exercice 1

#*$

]^
73 113
12 12
*
3 53
12 12
− ]^

Calculer la valeur moyenne et efficace du courant #*$.

Exercice 2

Soit le courant qui traverse une diode est :

#*$

*
0 π 2π 3π

i#t$ = 200 sin ωt (A)

1. Calculer la puissance perdue par conduction sachant que, V = 0.65 % , XV = 0.05 Ω.

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