REPUBLIQUE DU SENEGAL

Ministère de L’enseignement Supérieure, de la Recherche et de l’Innovation

UNIVERSITE DE THIES
ECOLE DOCTORALE DEVELOPPEMENT DURABLE ET SOCIETE (ED2DS)

THÈSE DE DOCTORAT UNIQUE EN PHYSIQUE ET APPLICATION

Pour obtenir le Grade de: Docteur en Physique

Formation doctorale: Sciences et Technologie
Option: Energie Solaire
Sujet de Thèse:

SUJET: ETUDE DE LA PHOTOPILE BIFACIALE(n+/P/P+)AU SILICIUM SOUS

ECLAIREMENT MONOCHROMATIQUE EN MODULATION DE FREQUENCE
PAR FACE ARRIERE (p+): DETERMINATION DE L’EPAISSEUR OPTIMUM DE
LA BASE (p) ET DES PARAMETRS ELECTRIQUES

Directeur de Thèse: Doctorant: Mamadou SALL

 PLAN
I. Etude théorique de la photopile
 Présentation de la photopile
 Etude du coefficient de diffusion des porteurs minoritaires
 Equation de continuité
 Etude de la densité des porteurs minoritaires
 Etude de la densité de photocourant
 Etude de la phototension
 Détermination optimal de l’épaisseur de base

II. Détermination des paramètres électriques de la photopile

 Etude de la résistance série
 Etude de la résistance shunt
1
III. Etude de la capacité de la photopile
IV. Conclusion et perspectives
1
 INTRODUCTION

Conversion photovoltaïque

Insuffisance quantitative et qualitative de l’énergie

• Solaire photovoltaïque
• Eolienne
• Biomasse
Energies Renouvelables :
• Hydraulique
• Solaire thermique
• Biogaz…
2
 INTRODUCTION

• La densité des porteurs minoritaires de charges

• Le photocourant

• La vitesse de recombinaison en face arrière

Solaire photovoltaïque : • Technique de détermination de l’épaisseur
optimum de la base, à partir de l’étude de la
vitesse de recombinaison en face arrière de la
base de la photopile.

3
Etude théorique de la photopile

 Présentation de la photopile

Figure 1: Structure de la photopile

24
 I. Etude théorique de la photopile à jonction verticale parallèle

 Équation de continuité

 2  x, t    x, t    x, t 
D    2
  G  x,  , t   (1)
x  t

 x, t    x  e  jt (2)

G x , t   g  x   e  j t
(3)

g x       I 0    1  R   e   .H  x  (4)

55
 I. Etude théorique de la photopile
 Solution de l’équation de continuité

 x   x 
 x,  ,    A  cosh    B  sinh    K  e    H  x  (5)

 L   L 
 CONDITIONS AUX LIMITES

  x,  ,     x,  ,  
En x=0, à la jonction émetteur-base D    Sf  (6)
x x 0
D   x 0

  x,  ,     x,  ,  
En x = H, à la face arrière de la base D     Sb  (7)
x xH
D   x  H

46
 Densité des porteurs minoritaires

 Influence de la fréquence sur la densité des porteurs en excès

Pour un coefficient d’absorption faible

Figure 2: Module de densité de porteurs minoritaires en excès en fonction de l'épaisseur de base pour différentes
fréquences (D = 35 cm2/s ; α = 6,2 cm-1)

7
 Densité des porteurs minoritaires

 Pour un coefficient d’absorption grand

Figure 3: Module de densité excédentaire de porteurs minoritaires en fonction de

l'épaisseur de la base (D = 35 cm2/s ; = 21000 cm-1)

8
Influence de l’épaisseur de la base sur la densité de photocourant
 Pour un coefficient d’absorption faible

Figure 4: Module de la densité de photocourant en fonction de la vitesse de

recombinaison à la jonction pour différentes valeurs de l’épaisseur de la base
(D = 35cm2/s; ω=105rad/s; α = 6.2 cm-1)
9
Influence de l’épaisseur de la base sur la densité de photocourant

 Pour un coefficient d’absorption grand

Figure 5: Module de la densité de photocourant en fonction de la vitesse de

recombinaison à la jonction pour différentes valeurs de l’épaisseur de la base
(D = 35cm2/s; ω=105rad/s; α = 21000 cm-1)
10
 Détermination de l’épaisseur optimale de la base sous l’influence
de la fréquence par la technique de l’intersection des courbes des
vitesses de recombinaison à la face arrière

(8)

La résolution de l’équation permet d’obtenir deux expressions de la vitesse de recombinaison à la face

arrière (et) données par les équations (9) et (10).

D   H  (9)
Sb1H ,     . tanh  
L   L  
   H   H      H 
 L         L         ch    sh    e 
D    
  L     L     (10)
Sb2  H ,  ,     
L      H   H      H 
  ch    L         sh    e 1



  L     L     

11
Détermination de l’épaisseur optimum de la base sous l’influence de la
fréquence par la technique de l’intersection des courbes des vitesses de
recombinaison à la face arrière
 Pour un coefficient d’absorption faible base

Figure 6: Sb1 et Sb2 en fonction de l’épaisseur de la base pour différentes fréquences

(D = 35cm2/s; α = 6.2 cm-1)
12
 Détermination de l’épaisseur optimum de la base sous
l’influence de la fréquence par la technique de l’intersection des
courbes des vitesses de recombinaison à la face arrière

 Tableau 1: Détermination de l’épaisseur optimale de la base en fonction de la fréquence pour

un coefficient d’absorption faible

ω(rad.s-1) 102 103 104 2.104 3.104 4.104 5.104 6.104 7.104 8.104 9.104 105

D(cm/s2) 35 34.9983 34.8263 34.3203 33.5239 32.4967 31.3050 30.0123 28.6731 273305 26.0131 24.7487

Hop (cm) 0.0117 0.0117 0.0116 0.0114 0.0111 0.0106 0.0102 0.0096 0.0091 0.0086 0.0081 0.0077

13
Détermination de l’épaisseur optimum de la base sous l’influence
de la fréquence par la technique de l’intersection des courbes des
vitesses de recombinaison à la face arrière
donnant le profil de l’épaisseur optimum en fonction de la fréquence pour un coefficient
d’absorption faible.

Figure 7: Epaisseur optimale en fonction de la fréquence

14
 Détermination de l’épaisseur optimum de la base sous l’influence
de la fréquence par la technique de l’intersection des courbes des
vitesses de recombinaison à la face arrière

Figure 8: Epaisseur optimale en fonction du

coefficient de diffusion
 

Cette figure 8 permet d’établir une équation de corrélation entre

l’épaisseur optimum et le coefficient de diffusion donnée par:

Hop  4  10 4  D  2.2  10 3

15
 Détermination de l’épaisseur optimum de la base sous l’influence
de la fréquence par la technique de l’intersection des courbes des
vitesses de recombinaison à la face arrière

 Pour un coefficient d’absorption grand

Figure 9: Sb1 et Sb2 en fonction de l'épaisseur de la base pour différentes fréquence pour un grand
coefficient d’absorption (D0 = 35cm2/s; α = 21000 cm-1)

16
 Détermination de l’épaisseur optimum de la base sous
l’influence de la fréquence par la technique de l’intersection des
courbes des vitesses de recombinaison à la face arrière

Figure 10: Epaisseur optimale en fonction de la fréquence

17
 Détermination de l’épaisseur optimum de la base sous
l’influence de la fréquence par la technique de l’intersection des
courbes des vitesses de recombinaison à la face arrière

Cette figure 11 permet d’établir une équation de

corrélation entre l’épaisseur optimum et le coefficient de
diffusion donnée par:

Hopcm   6.5  10 4  Dcm / s 2   1.4  10 2

Figure 11: Epaisseur optimale en fonction du coefficient de diffusion

18
17
 Détermination de l’épaisseur optimum de la base sous
l’influence de la fréquence par la technique de l’intersection des
courbes des vitesses de recombinaison à la face arrière

Conclusion sur la détermination de Hop

Ainsi la technique d’optimisation de la base ici présentée prenant en compte la profondeur de pénétration
(courtes
longueurs d’onde), permettrait de réduire la quantité de matériau (Si) nécessaire à la fabrication des photopiles
cristallines
dédiées à une application spécifique d’éclairement et réduirait aussi le coût de fabrication et le prix de revente.

Notre travail, utilisant des paramètres optoélectroniques électroniques, y compris la surface arrière les vitesses de
recombinaison par ses composantes intrinsèques (diffusion) et de génération (absorption α(λ)),
nous avons déterminé l'épaisseur optimale de la base de la cellule solaire éclairée par sa face arrière par une lumière
monochromatique en modulation de fréquence. Une modélisation de l'épaisseur optimale de la base est ainsi obtenue
et peut conduire à la réduction de l'épaisseur du matériau lors de l'élaboration de la cellule solaire en silicium. 19
 Détermination des caractéristiques I-V, P-V, FF et η
sous l’influence de l’épaisseur optimum

Figure 13: Profil de la phototension de circuit ouvert en fonction de l’épaisseur optimum

21
 Détermination des caractéristiques I-V, P-V, FF et η
sous l’influence de l’épaisseur optimum
Influence de la fréquence et de l’épaisseur optimum de la base sur la phototension pour un coefficient
d’absorption respectivement faible

Figure 12: Module de la phototension en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction (D 0 = 35cm2/s;

α = 6.2 cm-1) 20
 Détermination des caractéristiques I-V, P-V, FF et η
sous l’influence de l’épaisseur optimum

 Pour un coefficient d’absorption grand

Figure 14: Module de la phototension en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction (D 0 = 35cm2/s;

α = 21000 cm-1)
22
 Détermination des caractéristiques I-V, P-V, FF et η
sous l’influence de l’épaisseur optimum

Figure 15: Profil de la phototension de circuit ouvert en fonction de l’épaisseur optimum

23
Influence de la fréquence et de l’épaisseur optimum de la base sur
la caractéristique I-V
 Pour un coefficient d’absorption faible

Figure 16: Caractéristique I-V (D0 = 35cm2/s; α = 6.2 cm-1)

24
Influence de la fréquence et de l’épaisseur optimum de la base sur
la caractéristique I-V

Figure 17: Profil du photocourant de court-circuit en fonction de l’épaisseur optimum

25
Influence de la fréquence et de l’épaisseur optimum de la base sur
la caractéristique I-V
 Pour un coefficient d’absorption grand

Figure 18: Caractéristique I-V (D = 35cm2/s; α = 21000 cm-1)

26
Influence de la fréquence et de l’épaisseur optimum de la base sur
la caractéristique I-V

Figure 19: Profil du photocourant de court-circuit en fonction de l’épaisseur optimale

27
 Influence de la fréquence et de l’épaisseur optimale de la base
sur la phototension pour un coefficient d’absorption
respectivement faible

Figure 20: Module de la puissance en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction

(D = 35cm2/s; α = 6.2 cm-1)
28
Influence de la fréquence et de l’épaisseur optimale de la base
sur la phototension pour un coefficient d’absorption
respectivement faible

Figure 21: Module de la puissance en fonction du module de la phototension

(D = 35cm2/s; α = 6.2 cm-1)

29
Influence de la fréquence et de l’épaisseur optimale de la base
sur la phototension pour un coefficient d’absorption
respectivement faible

Figure 22: Profil de la puissance maximale en fonction de l’épaisseur optimale

30
Influence de la fréquence et de l’épaisseur optimale de la base sur la
phototension pour un coefficient d’absorption respectivement faible

 Pour un coefficient d’absorption grand

Figure 23: Module de la puissance en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction

(D = 35cm2/s; α = 21000 cm-1)
  31
Influence de la fréquence et de l’épaisseur optimale de la base
sur la phototension pour un coefficient d’absorption
respectivement faible

Figure 24: Module de la puissance en fonction du module de la phototension

(D = 35cm2/s; α = 21000 cm-1)

32
 Rendement de conversion photovoltaïque

 Pour un coefficient d’absorption faible

Tableau 3.6: Valeurs de la fréquence en fonction du rendement et de Hop

ω(rad.s-1) 102 103 104 2.104 3.104 4.104 5.104 6.104 7.104 8.104 9.104 105

Hop(cm) 0.0117 0.0117 0.0116 0.0114 0.0111 0.0106 0.0102 0.0096 0.0091 0.0086 0.0081 0.0077

Pmax(mW) 0.8055 0.8055 0.801 0.7917 0.7775 0.7539 0.7344 0.7053 0.6803 0.6548 0.6290 0.6079

Pinc(mW) 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100

ɳ(%) 0.8055 0.8055 0.801 0.7917 0.7775 0.7539 0.7344 0.7053 0.6803 0.6548 0.6290 0.6079

 Pour un coefficient d’absorption grand

Tableau 3.7: Valeurs de la fréquence en fonction du rendement et de Hop

ω(rad.s-1) 102 103 104 2.104 3.104 4.104 5.104 6.104 7.104 8.104 9.104 105

Hop (cm) 0.0086 0.0086 0.0084 0.0079 0.0073 0.0065 0.0056 0.0048 0.004 0.0033 0.0026 0.002

Pmax(mW) 9.919 9.919 9.991 10.14 10.38 10.79 11.15 11.7 12.22 12.77 13.36 13.9

Pinc(mW) 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100

ɳ(%) 9.919 9.919 9.991 10.14 10.38 10.79 11.15 11.7 12.22 12.77 13.36 13.9
33
 Détermination de paramètres électriques macroscopiques

Vco ,    Vph( Sf ,  ,  ) (11)

Rs ( Sf ,  ,  ) 
Jph( Sf ,  ,  )

Figure 25: Détermination de la résistance série à partir de la caractéristique I-V au voisinage du circuit ouvert

34
 Influence de la fréquence et de l’épaisseur optimale

 Pour un coefficient d’absorption faible

Figure 26: Module de la résistance série en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction

(D = 35cm2 /s; α = 6.2 cm-1)
35
 Influence de la fréquence et de l’épaisseur optimale

Figure 27: Profil du photocourant de court-circuit en fonction de l’épaisseur optimale

36
 Influence de la fréquence et de l’épaisseur optimale

 Pour un coefficient d’absorption grand

Figure 28: Module de la résistance série en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction

(D = 35cm2 /s; α = 21000 cm-1)
37
Influence de la fréquence et de l’épaisseur optimale

 
Rs  / cm 2  52  Hopcm   0.79 (12)

Figure 29: Profil de la résistance série en fonction de l’épaisseur optimale

38
 Résistance shunt

Figure 33 : Circuit électrique équivalent de la photopile fonctionnant en

court-circuit
Vph( Sf ,  ,  )
Rsh ( Sf ,  ,  )  (13)
Jphcc ,    Jph( Sf ,  ,  )

Figure 30: Détermination de la résistance shunt à partir de la caractéristique I-V

39
 Influence de la fréquence et de l’épaisseur optimale

 Pour un coefficient d’absorption faible

Figure 31: Module de la résistance shunt en fonction de la vitesse de recombinaison à la

jonction (D = 35cm2 /s; α = 6.2 cm-1)
40
 Influence de la fréquence et de l’épaisseur optimale

 Pour un coefficient d’absorption grand

Figure 32: Module de la résistance shunt en fonction de la vitesse de recombinaison à la

jonction (D = 35cm2 /s; α = 21000 cm-1)
  41
 Influence de la fréquence et de l’épaisseur optimale sur la
capacité

 Pour un coefficient d’absorption faible

Figure 33: Module de la capacité en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction

(D = 35cm2 /s; α = 6.2 cm-1) 42
 Influence de la fréquence et de l’épaisseur optimale sur la
capacité

 Pour un coefficient d’absorption grand

Figure 34: Module de la capacité en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction

(D = 35cm2 /s; α = 21000 cm-1)
43
 IV. Conclusion et perspectives

Une technique d’optimisation de l’épaisseur de la base de la

photopile, à partir de l’intersection des courbes de vitesses de
recombinaison à la face arrière obtenues en dérivant par
rapport à la vitesse de recombinaison à la jonction la densité de
photocourant, est faite. Cette optimisation permet de réduire
les pertes de porteurs photogénérées dans la base sans altérer le
rendement de la photopile et le coût de fabrication de cellules
solaires photovoltaïques.

44
 Publications
 
1)Mamadou Sall, Dianguina Diarisso, Mame Faty Mbaye Fall, Gora Diop, Mor Ndiaye, Khady Loum,
Gregoire Sissoko (2021)  Back Illuminated N/P/P+ Bifacial Silicon SolarCell under Modulated Short-
Wavelength: Determination of Base Optimum Thickness Energy and Power Engineering, 2021, 13, 207-
220 https://www.scirp.org/journal/epe

 
2) Mamadou SALL, Mame Faty Mbaye FALL, Ousmane DIASSE, Gora DIOP, Ibrahima DIATTA, Oumar
DIA, Khady LOUM, Mamadou WADE et Grégoire SISSOKO.(2022) Détermination de l'épaisseur optimum
de la base de la photopile n+/p / p + au silicium, éclairée par la face arrière par une lumière
monochromatique de grande longueur d'onde en modulation de fréquence. Journal of Chemical, Biological
and Physical Sciences. JCBPS; Section C; August 2021 –October 2021, Vol. 11, No. 4; 0078-091. DOI:
10.24214/jcbps.C.11.4.07891.

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