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ECOLE DOCTORALE DEVELOPPEMENT DURABLE ET SOCIETE (ED2DS)
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DOMAINE SCIENCE ET TECHNOLOGIE (SET)
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Année xxxx -N° d’ordre xxxx
THESE DE DOCTORAT UNIQUE EN PHYSIQUE
Présenté par :
M. Mamadou Sall
Maître ès Sciences
POUR OBTENIR LE GRADE DE DOCTEUR
Option : Energie solaire
Etude de la photopile bifaciale (n+/p/p+) au silicium sous

éclairement monochromatique en modulation de fréquence par
face arrière (p+): détermination de l’épaisseur optimum de la base
(p) et des paramètres électriques
Soutenu publiquement le……devant le jury composé de :
Président Grégoire SISSOKO Professeur Titulaire FST/UCAD
Habiboula Lemrabott Maitre de conférences ESMT/DAKAR

Rapporteurs
Alassane DIENE Maitre de conférences EPT
Ousmane Sow Maitre de conférences IUT/UIDT/THIES
Moustapha THIAME Maitre de conférences UASZ

Examinateurs
Gora Diop Dr Assistant Vac FST/UCAD
Youssou TRAORE Dr Assistant IUT/UIDT/THIES
Directeur de thèse Mamadou Wade Professeur Titulaire EPT/THIES

DEDICACES
A ma chère et tendre mère OUMOUHANY SY pour avoir toujours été à mes côtés pour me
soutenir, pour tout l’amour que vous me portez, pour avoir tout donné et tout sacrifié pour vos
enfants. Puisse DIEU vous garder longtemps en vie et vous accorder une santé de fer. Je vous
aime de tout mon cœur maman et suis fière d’être votre fils.
A mon cher père BOUBACAR SALL. Depuis ma tendre enfance, tu es mon plus fort repère.
Un être unique et magnifique, le meilleur des pères. Ton amour pour moi a été une force qui
donne confiance en soi. . Merci pour ce que tu as été pour moi, un chemin de sérénité. Merci à
toi Grand Homme, le bonheur dans ma vie tu as semé. Jamais je ne pourrais oublier votre
rigueur que vous nous avez inculqué, malgré que vous soyez un illettré vous avez que nous ne
soyons pas des illettrés. Merci pour tout papa, on vous aime pour cela.
A ma femme AISSATA SALL pour votre soutien et votre compréhension. Que le bonne Dieu
veille sur toi. Je t’aime de tout mon cœur. Tu es ma vie et resteras dans mon cœur pour
l’éternité.
A ma femme FATOU NDACK THIAW pour votre soutien et votre compréhension. Que le
bonne Dieu veille sur toi. Je t’aime de tout mon cœur. Tu es ma vie et resteras dans mon cœur
pour l’éternité.
A mes filles aînées OUMOUHANY SALL, AISSATA SALL. Que le bon Dieu VOUS
protègent et vous accordent santé.
A mes garçons : Elhadj Boubacar, Taha et Ibrahima SALL

A mes frères: Amadou, Atick ,Hamath, Abdoulaye, Hamidou
A mes sœurs : Fatimata, Faba, Aissata, Oumou, Kourssoum
En témoignage de mon profond amour et respect, je vous souhaite le succès dans toutes vos
entreprises et une santé de fer. Puisse DIEU nous aider à rester toujours unis dans l’amour.
A mes oncles et tantes.
A mes ami(e)s : Merci de Votre Soutien, Votre Amitié, vous êtes mes frères et sœurs de cœur
A ma belle-sœur et ses enfants.
A mon beau-frère et sa famille.
A mes cousins et cousines.
A mes belles-familles pour leur confiance envers ma personne. Que le bon Dieu vous accorde
la santé et une longue vie.
A tous mes collègues du centre d’enseignement technique et de formation professionnelle cfpt
Sénégal-japon
A l’administration du centre, le directeur Babacar SECK et tous ces collaborateurs, à tous mes
paires formateurs je dédie ce travail merci à tout le monde.
A Tous (tes) ceux (celles) que j’aime, qui m’aiment et me sont chers. Je vous dédie ce travail
étant le fruit de vos sacrifices, de vos aides et surtout de vos motivations qui m’ont soutenu
tout au long de mes études.
Hommage à Diaguina Diarisso et à Ibrahima Ly, une pensée pieuse à ses
illustres professeurs.
J’ais sentis un grand vide avec votre la disparition, vous qui étaient des exemples des
références dans le cadre du travail. Que dieu vous accueille dans son illustre paradis .je vous
associe dans mes prières a chaque fois.
i
REMERCIEMENTS
Je tiens à remercier :
Mr Grégoire Sissoko, Professeur Titulaire à la Faculté des Sciences et Techniques de l’Université

Cheikh Anta DIOP de Dakar (UCAD). Je tiens à exprimer ma profonde gratitude pour votre
encadrement sans faille, votre soutien financier et moral, vos conseils et votre grande disponibilité.
Merci de nous offrir une seconde famille dans votre équipe de recherche, le GIREER. Merci de m’avoir
appris à faire la recherche, à rédiger des articles. Merci de m’avoir inoculé l’amour du travail, l’amour
du travail bien fait. Merci de m’éduquer tous les jours par vos conseils. Merci pour tout ce que vous
avez fait pour moi et pour ma famille, je suis très reconnaissant. Merci pour votre grande générosité.
Puisse Dieu le tout puissant vous rétribuer au centuple tout le bonheur que vous donnez autour de
vous. Que Dieu vous garde, vous donne une très longue vie accompagnée d’une santé de fer. Qu’Allah
vous bénisse, vous protège et répande toute sa miséricorde sur vous et votre famille. AMEN !
Mr M. Mamadou Wade : Professeur titulaire à l’Ecole Polytechnique de Thiès (EPT),

pour sa disponibilité, son sens de l’écoute et ses qualités humaines. Vous avez co-encadré ce travail.
Vous m’avez toujours poussé à donner le meilleur de moi pour finir à temps cette thèse. Je vous en
suis très reconnaissant, merci pour l’accompagnement professeur.
Mr M. Ousmane Sow : Maître de conférences à l’Institut Universitaire de Thiès IUT,

pour ses conseils et orientations qui m’ont servi à poursuivre les études. Je vous renouvelle toute ma
gratitude.
Mr M. Habiboula Lemrabott : Maître de conférences ESMT DAKAR, pour sa participation

dans le jury. Je vous renouvelle toute ma gratitude.
Mr M. Alassane Diene : Maître de conférences à l’école polytechnique de Thiès, pour ses

conseils et orientations qui m’ont servi à poursuivre les études, ce qui me marque le plus chez ce
grand monsieur c’est sa simplicité et sa courtoisie. Je vous renouvelle toute ma gratitude.
Mr, YOUSSOU TRAORE : DR Assistant à l’Institut Universitaire de Thiès IUT, d’avoir accepté
d’examiner ce travail.
Mr, GORA DIOP : DR Assistant vaccataire à la Faculté des Sciences et Techniques de

l’Université Cheikh Anta DIOP de Dakar (UCAD), grand merci à vous d’avoir accepté d’examiner ce
travail.
Ce travail a été effectué au sein du Groupe International de Recherche en Energie Renouvelable

(GIRER) dirigé par monsieur Grégoire Sissoko, professeur titulaire de classe exceptionnelle au
département de physique (FST – UCAD) Chevalier dans l’ordre national du lion.
ii
Résumé
Une étude théorique d'une photopile bifaciale éclairée par la face arrière, en régime fréquentiel et
sous éclairement monochromatique est présentée. Une étude bibliographique est présentée pour la
compréhension des résultats présentés dans ce travail. Sont rappelés des travaux effectués par
divers chercheurs sur différentes photopiles soumises à des paramètres physiques extérieurs.
L’expression de la densité de porteurs minoritaires de charge en excès dans la base de la photopile

est déterminée en résolvant l’équation de continuité traduisant les phénomènes de génération, de
diffusion et de recombinaison au sein de la photopile sous éclairement monochromatique en régime
fréquentiel. L’étude de cette dernière a permis de déterminer quelques grandeurs électriques de la
photopile : la densité de photocourant, la phototension, la caractéristique courant-tension.
L’expression des vitesses de recombinaison à la face arrière est déterminée en dérivant l’expression
de la densité de photocourant pour les grandes valeurs de la vitesse de recombinaison à la jonction.
En appliquant la technique de l’intersection des courbes de ces dernières ainsi obtenues, l’épaisseur
optimum correspondante à une fréquence donnée est déterminée. Cette optimisation a pour intérêt
d’avoir de photopiles à haut rendement et à bon prix. Les effets de la fréquence et de l’épaisseur
optimum sur la puissance maximale et le rendement de la photopile pour des faibles et grands
coefficients d’absorption.
Et pour des faibles et grands coefficients d’absorption, les paramètres électriques macroscopiques
sont étudiés sous l’influence de la fréquence et de l’épaisseur optimum.
Mots clés : Photopile bifaciale au silicium, vitesse de recombinaison, épaisseur optimum, coefficient
d’absorption, régime fréquentiel.
iii
TABLE DES MATIERES
Dédicaces.....................................................................................................................................i
Remerciements..........................................................................................................................ii
Résumé......................................................................................................................................iii
Table des matières...................................................................................................................iv
Nomenclature.........................................................................................................................viii
Liste des figures........................................................................................................................ix
Liste des tableaux...................................................................................................................xiii
Introduction générale...............................................................................................................1
Chapitre 1: Etude bibliographique.........................................................................................4
1.1 Introduction...............................................................................................................4
1.2 Etude bibliographique sur la caractérisation des photopiles.......................................4
1.2.1 Electric equivalent models of intrinsic recombination velocities of a bifacial silicon
solar cell under frequency modulation and magnetic field effect [15]...............................4
1.2.2 Three-dimensional study of a polycrystalline silicon solar cell: the influence of the
applied magnetic field on the electrical parameters [16]...................................................7
1.2.3 Capacitance of Vertical Parallel Junction Silicon Solar Cell under Monochromatic
Modulated Illumination [17].............................................................................................10
1.2.4 External Electric Field Influence on Series and Shunt Resistance Bifacial Silicon
Solar Cell [17]...................................................................................................................12
1.2.5 Determination of the Recombination and Electrical Parameters of a Vertical
Multijunction Silicon Solar Cell [18]................................................................................13
1.2.6 Influence of Magnetic Field on the Capacitance of a Vertical Junction Parallel
Solar Cell in Static Regime, Under Multispectral Illumination [19]................................14
1.2.7 Studies on the temperature dependence of I–V and C–V characteristics of electron
irradiated silicon photo-detectors [20].............................................................................16
1.2.8 Silicon solar cell capacitance: influence of both temperature and wavelength [21]
...........................................................................................................................................17
1.2.9 Influence d’une onde électromagnétique sur une photopile au silicium sous
éclairement multi spectral en régime statique [22]...........................................................18
1.2.10 Study of base doping rate effect on parallel vertical junction silicon solar cell
under magnetic field [23]..................................................................................................20
1.2.11 Junction Recombination Velocity Induced Open Circuit Voltage for A Silicon
Solar Cell under External Electric Field [24]...................................................................22
1.2.12 Back Surface Recombination Velocity Dependent of Absorption Coefficient as
Applied to Determine Base Optimum Thickness of an n/p/p+ Silicon Solar Cell [25].....23
1.2.13 n+-p-p+ Silicon Solar Cell Base Optimum Thickness Determination under
Magnetic Field [26]...........................................................................................................26
TABLE DES MATIERES
1.2.14 Surface Recombination Concept as Applied to Determinate Silicon Solar Cell

Base Optimum hickness with Doping Level Effect [27]....................................................31
1.2.15 Technique de détermination de l'épaisseur optimum de la base appliquée à une
photopile n+ /p / p + au silicium sous éclairement monochromatique de courtes
longueurs d'onde [28].......................................................................................................33
1.2.16 Base Thickness Optimization of a (n+-p-p+) Silicon Solar Cell in Static Mode
under Irradiation of Charged Particles [29]....................................................................36
1.2.17 Electrical Parameters Determination from Base Thickness Optimization in a Solar
Cell under Influence of the Irradiation Energy Flow of Charged Particles [30].............44
1.2.18 Ac Recombination Velocity as Applied to Determine n+/p/p+ Silicon Solar Cell
Base Optimum Thickness [31]...........................................................................................51
1.2.19 Experimental determination of minority carrier lifetime in solar cell using
transient measurement [18]...............................................................................................53
1.2.20 Influence of Both Magnetic Field and Temperature on Silicon Solar Cell Base
Optimum Thickness Determination [32]...........................................................................53
1.2.21 Base thickness optimization of a vertical series junction silicon solar cell under
magnetic field by the concept of back surface recombination velocity of minority carrier
[33]....................................................................................................................................56
1.2.22 Lamella Silicon Solar Cell under Both Temperature and Magnetic Field: Width
Optimum Determination [34]............................................................................................59
1.2.23 Surface recombination velocity concept as applied to determinate back surface
illuminated silicon solar cell base optimum thickness, under temperature and external
magnetic field effects [35].................................................................................................62
Conclusion.....................................................................................................................64
Chapitre 2 : Etude de la densité de porteurs minoritaires en excès...................................65
2.1. Introduction............................................................................................................65
2.2. Présentation de la photopile...................................................................................65
2.4. Solution de l’équation de continuité.......................................................................67
2.4.1. Equation sans second membre................................................................................68
2.4.2. Equation avec second membre................................................................................68
2.7. Densité de photocourant........................................................................................70
2.7.1. Expression...............................................................................................................70
2.7.2. Influence de la fréquence sur la densité de photocourant.......................................71
2.7.2.1. Pour un coefficient d’absorption faible................................................................71
2.7.2.2. Pour un coefficient d’absorption grand.............................................................72
2.7.3. Influence de l’épaisseur de la base sur la densité de photocourant........................73
2.7.3.2. Pour un coefficient d’absorption grand...............................................................74
2.8.2. Pour un coefficient d’absorption grand..................................................................78
TABLE DES MATIERES
Chapitre 3 : Détermination des caractéristiques I-V, P-V, FF et η sous l’influence de

l’épaisseur optimum................................................................................................................82
3.1. Introduction............................................................................................................82
3.2. Phototension..........................................................................................................82
3.2.1. Expression de la phototension.................................................................................82
3.2.2. Influence de la fréquence et de l’épaisseur optimum de la base sur la phototension
pour un coefficient d’absorption respectivement faible et grand......................................82
3.3. Influence de la fréquence et de l’épaisseur optimum de la base sur la caractéristique
I-V..................................................................................................................................86
3.3.1. Pour un coefficient d’absorption faible...................................................................86
3.3.2. Pour un coefficient d’absorption grand..................................................................88
3.4. Etude de la puissance..............................................................................................91
3.4.1 Expression de la puissance.......................................................................................91
3.4.2. Influence de la fréquence et de l’épaisseur optimale de la base sur la phototension
pour un coefficient d’absorption respectivement faible et grand......................................92
3.5. Facteur de forme....................................................................................................98
3.5.1. Expression...............................................................................................................98
3.5.2. Influence de la fréquence et de l’épaisseur optimale de la base sur le facteur de
forme..................................................................................................................................99
3.6. Rendement de conversion photovoltaïque............................................................100
3.6.1. Expression.............................................................................................................100
3.6.2. Influence de la fréquence et de l’épaisseur optimale sur le rendement................100
3.6.2.1. Pour un coefficient d’absorption faible..............................................................100
Conclusion...................................................................................................................101
Chapitre 4 : Détermination de paramètres électriques macroscopiques.........................101
4.1. Introduction..........................................................................................................101
4.2. Résistance série....................................................................................................101
4.2.1. Expression.............................................................................................................101
4.2.2. Influence de la fréquence et de l’épaisseur optimale............................................103
TABLE DES MATIERES

4.3. Résistance shunt...................................................................................................106
4.3.1. Expression.............................................................................................................106
4.3.2. Influence de la fréquence et de l’épaisseur optimale............................................108
4.4. Capacité................................................................................................................111
4.4.1. Expression.............................................................................................................111
4.4.2. Influence de la fréquence et de l’épaisseur optimale sur la capacité...................112
4.4.3. Influence de la fréquence et de l’épaisseur optimale sur la capacité sous obscurité
.........................................................................................................................................113
4.4.3.1.Pour un coefficient d’absorption faible...............................................................114
Conclusion...................................................................................................................116
Conclusion générale..............................................................................................................117
Références bibliographiques................................................................................................119
NOMENCLATURE
Symbole Définition Unité

α (ʎ ) Coefficient d’absorption du matériau semi-conducteur cm-1
C Capacité de la photopile F
Coefficient de diffusion des porteurs minoritaires dans la
D0 2
cm . s
−1
base sans champ magnétique

Coefficient de diffusion complexe des porteurs de charge 2 −1
D ( ω) cm . s
minoritaires en excès dans la base
−3
δ ( x ,t) Densité des porteurs minoritaires en excès dans la base cm
G(x ) Taux de génération s
−1
H Epaisseur de la base de la photopile cm

Id Courant de diode A
J ph Densité de photocourant A . cm−2
K Constante de Boltzmann J .T
−1
Longueur de diffusion complexe des porteurs de charge

L(ω) cm
minoritaires en excès dans la base
ɳ Rendement de conversion de la photopile
P Puissance électrique de la photopile W . cm

−2
q Charge électrique élémentaire C

Rs Résistance série Ω
R sh Résistance shunt Ω
Sb Vitesse de recombinaison à la face arrière cm . s
−1
Sf Vitesse de recombinaison à la jonction cm . s

−1
τ Durée de vie des porteurs minoritaires s

V ph Phototension aux bornes de la photopile V
Vco Phototension de circuit ouvert V
VT Tension thermique V
x Epaisseur de la base à partir de la jonction cm
viii
LISTE DES FIGURES
Figure 1.1: Circuit électrique équivalent de Sfo1 sans champ magnétique appliqué................5
Figure 1.2 : Circuit électrique équivalent de Sfo1 avec champ magnétique appliqué...............5
Figure 1.3 : Circuit électrique équivalent de Sbo1 sans champ magnétique appliqué..............6
Figure 1.4 : Circuit électrique équivalent de Sbo1 sans champ magnétique appliqué..............6
Figure 1.5 : Modèle tridimensionnel du grain de silicium polycristallin...................................7
Figure 1.6 : Module du coefficient de diffusion en fonction de la fréquence angulaire et du
champ magnétique......................................................................................................................8
Figure 1.7 : Courant de la diode en fonction du logarithme de Sfj............................................9
Figure 1.8 : Capacité en fonction du logarithme de la fréquence pour différentes longueurs
d’onde.......................................................................................................................................10
Figure 1.9 : (a) Im(Coc) en fonction de Re(Coc) pour différentes longueur d’onde en circuit
ouvert........................................................................................................................................11
Figure 1.10 : (a) Im(Csc) en fonction de Re(Csc) pour différentes longueurs d’onde en court-
circuit Sf = 6.106 cm/s, H = 0.03 cm, Lo = 0.02 cm, Do = 26 cm2/s, z = 0.0001 cm. 1: λ =
0.44 μm; 2: λ = 0.46 μm; λ = 0.48 μm; λ = 0.50 μm (b) Im (Csc) en fonction de Re(Csc) )
pour différentes longueurs d’onde en court-circuit Sf = 6.106 cm/s, H = 0.03 cm, Lo = 0.02
cm, Do = 26 cm²/s, z = 0.0001 cm. 1: λ = 0.58 μm; 2: λ = 0.62 μm; λ = 0.66 μm; λ = 0.70...12
Figure 1.11 : Circuit équivalent de la cellule solaire en circuit ouvert...................................13
Figure 1.12 : Résistance de shunt par rapport à la vitesse de recombinaison de jonction : Ln:
0,01 cm; w1: 0,03 cm; Dn: 26cm2.s-1: z: 0.02cm....................................................................14
Figure 1.13 : Profil de la capacité en fonction de la vitesse de recombinaison de la jonction et
du champ magnétique...............................................................................................................16
Figure 1.14 : Variation de la capacité avec la température d’un photodétecteur de silicium
(a) non irradié et (b) est irradié avec des électrons de dose de 350 kGy.................................17
Figure 1.15 : Capacité en fonction de la température pour différentes longueurs d'onde.......18
Figure 1.16 : Photopile monofaciale au silicium sous éclairement et soumise à l’action d’une
OEM..........................................................................................................................................19
Figure 1.17 : Schéma de la photopile à jonction verticale parallèle sous champ magnétique 20
Figure 1.18 : Profil du coefficient de diffusion en fonction du champ magnétique B et du taux
de dopage Nb: µ=1350cm².V.s-1, D=35cm².s-1.........................................................................21
Figure 1.19 : Cellule solaire de type n+pp+ sous lumière polychromatique et champ
électrique de polarisation.........................................................................................................22
Figure 1.20 : Phototension de circuit ouvert et vitesse de recombinaison à la jonction limitant
le circuit ouvert en fonction du champ électrique....................................................................23
Figure 1.21 : Photopile monofaciale........................................................................................24
Figure 1. 22 : Vitesses de Recombinaison à la face arrière en fonction de l’épaisseur de
l’épaisseur de la base pour différentes valeurs du coefficient d’absorption............................25
Figure 1. 23 : Epaisseur optimum en fonction du coefficient d’absorption.............................26
Figure 1. 24 : Photopile monofaciale.......................................................................................27
Figure 1.25 : Densité de photocourant pour différentes valeurs du champ magnétique en
fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction..............................................................27
Figure 1.26 : Vitesses de Recombinaison à la face arrière en fonction de l’épaisseur de
l’épaisseur de la base pour différentes valeurs du champ magnétique....................................29
Figure 1. 27 : L’épaisseur optimum de la base en fonction du champ magnétique.................29
Figure 1. 28 : Vitesses de Recombinaison à la face arrière en fonction de l’épaisseur de la
base pour différentes valeurs du champ magnétique................................................................30
Figure 1.29 : L’épaisseur optimum de la base en fonction du champ magnétique..................31
ix
LISTE DES FIGURES
Figure 1.30 : Structure d'une cellule solaire de type n+-p-p+ éclairée son émetteur.............32
Figure 1.31 : Vitesse de recombinaison à la surface arrière en fonction de l'épaisseur de la
base de la photopile..................................................................................................................32
Figure 1.32 : Profondeur H en fonction du coefficient de diffusion D.....................................33
Figure 1.33: Photopile n+-p-p+ au silicium..............................................................................34
Figure 1.34 : Vitesse de recombinaison à la face arrière en fonction de l’épaisseur de la base
pour différentes grandes valeurs du coefficient d’absorption. L=0.01 cm et D=35 cm2/s.......35
Figure 1.35 : Epaisseur optimum en fonction du coefficient d’absorption..............................36
Figure 1.36 : Structure de la photopile (n+-p-p+).....................................................................37
Figure 1.37 : Photocourant en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction pour
différentes valeurs d’énergie d’irradiation...............................................................................39
différentes valeurs du coefficient de dommage.........................................................................39
différentes valeurs de l’épaisseur de la base............................................................................40
Figure 1.40 : Profil des vitesses de recombinaison à la face arrière en fonction de l’épaisseur
de la base pour différentes valeurs de l’énergie d’irradiation.................................................41
Figure 1.42 : Vitesse de recombinaison à la face arrière en fonction de l’épaisseur de la base
pour différentes valeurs du coefficient de dommage................................................................43
Figure 1.43 : Epaisseur optimale de la base en fonction du coefficient de dommage.............44
Figure 1.44 : Structure de la photopile monofaciale (n+-p-p+) sous irradiation......................45
Figure 1.45 : Profil des vitesses de recombinaison en fonction de l’épaisseur.......................46
Figure 1.46 : Puissance en fonction de l’énergie d’irradiation...............................................47
Figure 1.47 : Puissance en fonction de l’épaisseur optimale...................................................48
Figure 1.48 : Rendement en fonction de l’épaisseur optimale.................................................49
Figure 1.49 : Représentation de l’équation transcendante......................................................50
Figure 1.50 : Sfmax en fonction de l’épaisseur optimale.........................................................51
Figure 1.51: Sb1 et Sb2 en fonction de l’épaisseur de la base pour différentes valeurs de
fréquence (B = 0 T; D = 35 cm; α = 6.2 cm-1)..............................................................52
Figure 1.52 : Profil de l’épaisseur optimale en fonction de la fréquence................................53
Figure 1. 53 : Structure de la photopile de type n+-p-p+ type, sous champ magnétique et sous
température...............................................................................................................................54
Figure 1. 54: Back surface recombination velocity curves versus solar cell base thickness...55
Figure 1. 55: Base depth H as function of logarithm of diffusion coefficient..........................56
Figure 1. 56: Base depth H as function of diffusion coefficient...............................................56
Figure 1. 57 : Photopile à jonction verticale série de type n+-p-p+ sous champ magnétique et
sous éclairement monochromatique.........................................................................................57
Figure 1.58: Vitesse de recombinaison à la face arrière Sb1 et Sb2 en fonction de l’épaisseur
de la base..................................................................................................................................58
Figure 1.59 : Epaisseur optimum de la base en fonction du coefficient de diffusion...............58
Figure 1. 60 : Epaisseur optimum de la base en fonction du champ magnétique....................59
Figure 1.61 : Photopile à jonction verticale connectée en série..............................................59
Figure 1.62 : Cellule de la photopile (n+/p/p+) sous illumination et sous champ magnétique
externe.......................................................................................................................................60
Figure 1.63: Back surface recombination velocity Sb1 and Sb2 of excess minority carries
versus solar cell base thickness for different maximum diffusion coefficient values................61
Figure 1.64 : Profil de l’épaisseur optimale en fonction du coefficient de diffusion maximal 62
x
LISTE DES FIGURES
Figure 1.65 : Photopile bifaciale sous champ magnétique et sous température......................62

Figure 1.66 : Détermination de l’épaisseur optimale..............................................................63
Figure 1.66 : Profil de l’épaisseur optimale en fonction du coefficient de diffusion...............64
Figure 2.1 : Structure de la photopile......................................................................................65
Figure 2.2: Module of excess minority carriers density versus base thickness (D0 = 35 cm2/s;
α = 21000 cm-1).......................................................................................................................70
Figure 2.3: Module de la densité de photocourant en fonction de la vitesse de recombinaison
à la jonction pour différentes fréquences (D0 = 35cm2/s; α = 6.2 cm-1)...................................71
Figure 2.4: Module of photocurrent density versus recombination velocity for different
frequency (D0 = 35cm2/s; α = 21000 cm-1)...............................................................................72
à la jonction pour différentes valeurs de l’épaisseur de la base (D0 = 35cm2/s; ω=105rad/s; α
= 6.2 cm-1).................................................................................................................................73
à la jonction pour différentes valeurs de l’épaisseur de la base (D = 35cm2/s; ω=105rad/s; α
= 21000 cm-1)............................................................................................................................74
Figure 2.8: Sb1 et Sb2 en fonction de l’épaisseur de la base pour différentes fréquences (D0 =
35cm2/s; α = 6.2 cm-1)...............................................................................................................76
Figure 2.9: Epaisseur optimale en fonction de la fréquence....................................................77
Figure 2.10: Epaisseur optimale en fonction du coefficient de diffusion.................................78
Figure 2.11: Sb1 et Sb2 en fonction de l’épaisseur de la base pour différentes fréquence pour
un grand coefficient d’absorption (D0 = 35cm2/s; α = 21000 cm-1).........................................79
Figure 2.12: Epaisseur optimale en fonction de la fréquence..................................................80
Figure 2.13: Epaisseur optimum en fonction du coefficient de diffusion.................................81
Figure 3.1: Module de la phototension en fonction de la vitesse de recombinaison à la
jonction (D0 = 35cm2/s; α = 6.2 cm-1).......................................................................................83
Figure 3.2: Profil de la phototension de circuit ouvert en fonction de l’épaisseur optimum...84
Figure 3.3: Module de la phototension en fonction de la vitesse de recombinaison à la
jonction (D0 = 35cm2/s; α = 21000 cm-1)..................................................................................85
Figure 3.4: Profil de la phototension de circuit ouvert en fonction de l’épaisseur optimum...86
Figure 3.5 : Caractéristique I-V (D0 = 35cm2/s; α = 6.2 cm-1)................................................87
Figure 3.6: Profil du photocourant de court-circuit en fonction de l’épaisseur optimum.......88
Figure 3.7: Caractéristique I-V (D = 35cm2/s; α = 21000 cm-1)..............................................89
Figure 3.8: Profil du photocourant de court-circuit en fonction de l’épaisseur optimale.......91
Figure 3.9: Modèle électrique équivalent de la photopile sous éclairement............................91
Figure 3.10: Module de la puissance en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction
(D = 35cm2/s; α = 6.2 cm-1)......................................................................................................93
Figure 3.11: Module de la puissance en fonction du module de la phototension (D = 35cm2/s;
α = 6.2 cm-1)............................................................................................................................94
Figure 3.12: Profil de la puissance maximale en fonction de l’épaisseur optimale................95
Figure 3.13: Module de la puissance en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction
(D = 35cm2/s; α = 21000 cm-1).................................................................................................96
Figure 3.14: Module de la puissance en fonction du module de la phototension (D = 35cm2/s;
α = 21000 cm-1).........................................................................................................................97
Figure 3.15: Profil de la puissance maximale en fonction de l’épaisseur optimale................98
Figure 4.1: Détermination de la résistance série à partir de la caractéristique I-V au
voisinage du circuit ouvert......................................................................................................102
xi
LISTE DES FIGURES
Figure 4.2: Schéma électrique équivalent de la photopile comme un réel générateur de

tension.....................................................................................................................................102
Figure 4.3: Module de la résistance série en fonction de la vitesse de recombinaison à la
jonction (D = 35cm2 /s; α = 6.2 cm-1)...................................................................................103
Figure 4.4: Profil du photocourant de court-circuit en fonction de l’épaisseur optimale.....104
Figure 4.5: Module de la résistance série en fonction de la vitesse de recombinaison à la
jonction (D = 35cm2 /s; α = 21000 cm-1)..............................................................................105
Figure 4.6: Profil de la résistance série en fonction de l’épaisseur optimale........................106
Figure 4.7: Détermination de la résistance shunt à partir de la caractéristique I-V.............107
Figure 4.8: Circuit électrique équivalent de la photopile fonctionnant en court-circuit.......107
Figure 4.9: Module de la résistance shunt en fonction de la vitesse de recombinaison à la
jonction (D = 35cm2 /s; α = 6.2 cm-1)...................................................................................108
Figure 4.10: Profil du photocourant de court-circuit en fonction de l’épaisseur optimale...109
Figure 4.11: Module de la résistance shunt en fonction de la vitesse de recombinaison à la
jonction (D = 35cm2 /s; α = 21000 cm-1)..............................................................................110
Figure 4.12: Profil du photocourant de court-circuit en fonction de l’épaisseur optimale...111
Figure 4.13: Module de la capacité en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction
(D = 35cm2 /s; α = 6.2 cm-1).................................................................................................112
Figure 4.14: Module de la capacité en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction
(D = 35cm2 /s; α = 21000 cm-1)............................................................................................113
Figure 4.15: Logarithme de la capacité en fonction de la phototension (D = 35cm2 /s; α = 6.2
cm-1).......................................................................................................................................115
Figure 4.16: Logarithme de la capacité en fonction de la phototension (D = 35 cm2 /s; α =
21000.......................................................................................................................................116
cm-1)........................................................................................................................................116
xii
LISTE DES TABLEAUX
Tableau 1. 1: Epaisseur de la photopile pour différent coefficient de diffusion.......................25

Tableau 1. 2: Epaisseur optimum (Hopt) pour différentes valeurs du champ magnétique (B)29
Tableau 1. 3: Epaisseur optimum (Hopt) pour différentes valeurs du champ magnétique (B)30
Tableau 1.4 : L'épaisseur de la photopile pour différentes valeurs de coefficient de diffusion
...................................................................................................................................................33
Tableau 1.5 : Valeurs de l’épaisseur optimum (Hopt) en fonction du coefficient d’absorption 35
Tableau 1.6 : Valeurs de l’épaisseur optimale de la base H, du coefficient de diffusion D, des
courants de court-circuit Jsc0 et Jsc1 correspondant à Sb0 et Sb1 pour différentes valeurs de
l’énergie d’irradiation..............................................................................................................41
Figure 1.41 : Epaisseur optimale de la base en fonction de l’énergie d’irradiation...............42
Tableau 1.7 : Valeurs de l’épaisseur optimale de la base H, du coefficient de diffusion D, des
courants de court-circuit Jsc0 et Jsc1 correspondant à Sb0 et Sb1 pour différentes valeurs du
coefficient de dommage.............................................................................................................43
Tableau 1.8 : Les valeurs de l’épaisseur optimale obtenue pour différentes énergie
d’irradiation..............................................................................................................................46
Tableau 1.9 : Paramètres conduisant au facteur de forme et au rendement correspondant à
l’épaisseur optimale pour différentes énergies d’irradiation...................................................47
Tableau 1.10 : Sfmax pour différentes valeurs de l’énergie d’irradiation et de l’épaisseur
optimale.....................................................................................................................................51
Tableau 1.11 : L’épaisseur optimum correspondant à une fréquence donnée.........................52
Tableau 1.12: Base optimum thickness Value (H) for different diffusion coefficients Dmax
(B,Topt )....................................................................................................................................55
Tableau 1.13: Base optimum thickness (Hopt) for different magnetic field B and optimum
temperature values....................................................................................................................61
Tableau 1.14 : Valeurs de l’épaisseur optimum pour différentes valeurs du coefficient de
diffusion.....................................................................................................................................63
Tableau 2.1: Détermination de l’épaisseur optimum de la base en fonction de la fréquence
pour un coefficient d’absorption faible.....................................................................................76
Tableau 2.2: Epaisseur optimum de la base en fonction de la fréquence pour un coefficient
d’absorption grand...................................................................................................................79
Tableau 3.1: Vco en fonction de la fréquence et de l’épaisseur optimum de la base pour un
coefficient d’absorption faible..................................................................................................83
Tableau 3.2: Vco en fonction de la fréquence et de l’épaisseur optimum de la base pour un
coefficient d’absorption grand..................................................................................................85
Tableau 3. 3: Valeurs Jphcc et Vco en fonction de la fréquence et de Hop.............................87
Tableau 3.7: Valeurs du courant de court-circuit et de la phototension de circuit ouvert en
fonction de la profondeur de la base de la photopile...............................................................90
Tableau 3.8: Valeurs de Pmax et de la phototension maximale en fonction du champ
magnétique................................................................................................................................94
Tableau 3.9: Valeurs de Pmax et de la phototension maximale en fonction de la profondeur 97
Tableau 3.10: Valeurs du facteur de forme en fonction du champ magnétique et de Hop......99
Tableau 3.11: Valeurs du facteur de forme en fonction du champ magnétique et de Hop......99
Tableau 3.12: Valeurs de la fréquence en fonction du rendement et de Hop........................100
Tableau 3.13: Valeurs de la fréquence en fonction du rendement et de Hop........................100
Tableau 4.1: Valeurs de la résistance série en fonction du champ B et Hop.........................104
INTRODUCTION GENERALE
Introduction générale
Parmi les énergies primaires, nous pouvons distinguer les énergies épuisables (fossiles,
uranium) et les énergies inépuisables (énergies éolienne, solaire, géothermique, marémotrice,
hydroélectrique, bioénergies, …). L’énergie primaire consommée à l’heure actuelle est liée,
aujourd’hui à l’échelle mondiale, à l’utilisation des ressources fossiles carbonées. Face aux
enjeux majeurs de notre société telle que la raréfaction des gisements fossiles et la nécessité
de lutter contre le changement climatique, les recherches en énergies renouvelables sont
primordiales pour répondre à ce défi. Dans ce contexte, l’énergie solaire photovoltaïque
occupe une place très importante.
L’effet photovoltaïque traduit le phénomène de conversion directe de l’énergie lumineuse des
rayons solaires en énergie électrique. Le dispositif permettant cette conversion d’énergie est
une diode semi-conductrice (généralement au silicium) à grande surface appelée cellule
solaire photovoltaïque ou photopile.
Historiquement, l’un des précurseurs de l’effet photovoltaïque est le français Edmond
Becquerel en 1839 [1]. En 1905, Albert Einstein en propose une explication théorique avec le
concept de ''quanta d'énergie'' portés par des particules de lumières, baptisées plus tard
photons. En 1954, les premières cellules photovoltaïques apparaissent dans les laboratoires
Bell aux États-Unis avec un rendement de 4% [1]. Quatre ans plus tard, elles sont utilisées
pour alimenter un des deux émetteurs de Vanguard I le deuxième satellite américain lancé
avec succès. Depuis, l'usage spatial de modules photovoltaïques, dotés des technologies les
plus performantes, s'est imposé. Leur prix élevé est contrebalancé par des avantages
indéniables : autonomie, efficacité et longévité. C’est en 1973, après le premier choc pétrolier,
que la production à grande échelle d'électricité par des cellules photovoltaïques est envisagée
comme une alternative à l'épuisement programmé des ressources fossiles. Les recherches se
multiplient alors, avec pour objectifs d'augmenter le rendement des cellules et de faire baisser
leur prix. Dans ce contexte les chercheurs proposent de nouvelles structures de la cellule
solaire : bifaciale [2][3][4][5],jonction verticale [6][7][8][9], triple jonction [10] ou en
améliorant des structures existantes grâce à la passivation [11[12][13], à l’effet BSF (Back
Surface Field) [14], etc.
Les différents processus de recombinaison des porteurs minoritaires en excès photo générés
dans la photopile sont essentiellement les causes principales des faibles rendements, il s’agit
notamment des recombinaisons en volumes Shockey-Read-Hall [1][12], des recombinaisons
1
Auger radiatives [13][14] ainsi que des recombinaisons en surface elles-mêmes liés aux
imperfections du réseau cristallin.
Dans les différentes techniques de caractérisation, les paramètres les plus importants sont : le
coefficient de diffusion D, la longueur de diffusion des porteurs de charges L (c’est la
distance moyenne parcourue par les porteurs de charges avant de succomber à un processus
de recombinaison), les vitesses de recombinaison à la jonction Sf et à la durée de vie τ.
Par ailleurs, l’épaisseur (H) de la base de la photopile est un paramètre géométrique important
à tenir en compte afin de mieux collecter les porteurs de charges photogénérées.
L’objectif de cette étude est d’améliorer le rendement de la photopile bifaciale sous
éclairement monochromatique par la face arrière, en régime fréquentiel en réduisant au
maximum les pertes par recombinaison à la face arrière. Pour cela, nous optimisons
l’épaisseur de la base par la méthode de l’intersection des courbes des vitesses de
recombinaison à la face arrière sans altérer à l’efficacité de la photopile.
Dans le premier chapitre, une étude bibliographique portant sur la caractérisation des
photopiles sera présentée.
Dans le second chapitre, une étude de la densité des porteurs minoritaires de charge en excès
dans la base de la photopile sera menée.
Au troisième chapitre, une détermination des paramètres électriques phénoménologiques sera
faite.
Enfin, dans le quatrième chapitre, nous étudierons les paramètres électriques macroscopiques
et des perspectives de poursuite de ce travail seront proposées en conclusion générale.
2
CHAPITRE 1
Chapitre 1: Etude bibliographique

1.1 Introduction
La conversion photovoltaïque est assurée par une photopile dont le rendement de conversion dépend
de la nature et de la structure du semi-conducteur, de sa technique de fabrication et de ses points de
fonctionnement.
Pour améliorer le rendement des systèmes photovoltaïques et suivant leur utilisation, les chercheurs
ont conçu de nouveaux types de cellules photovoltaïques mais aussi élaboré plusieurs techniques de
caractérisation.
Dans ce chapitre, nous présentons en premier lieu un certain nombre d’articles relatifs aux méthodes
de détermination des structures des photopiles à jonction verticale ensuite les techniques de
caractérisation des photopiles en régime statique et dynamique.
1.2 Etude bibliographique sur la caractérisation des photopiles

1.2.1 Electric equivalent models of intrinsic recombination velocities of a
bifacial silicon solar cell under frequency modulation and magnetic field
effect [15]
Dans ce travail, les auteurs ont étudié une cellule solaire photovoltaïque au silicium cristallin n +/p/p+
sous éclairage polychromatique en modulation de fréquence et sous champ magnétique. En
résolvant l'équation de continuité des porteurs minoritaires de charge, ils ont étudié la dépendance
du coefficient de diffusion et de la densité du photocourant. Ensuite, ils ont étudié les vitesses de
recombinaison intrinsèques à la jonction Sfo1 et à l'arrière Sbo1 de la photopile et donné leur
modèle électrique équivalent.
Le stockage, les pertes et la réduction de la recombinaison des porteurs minoritaires en excès à

l'interface émetteur-base, peuvent être respectivement modélisés électriquement par une capacité,
une perte de résistance et une résistance série. Dans le cas d’absence de champ magnétique, la
courbe de variation de la partie imaginaire de la vitesse de recombinaison de jonction intrinsèque en
fonction de sa partie réelle peut être traduite dans un schéma électrique tel que proposé sur la figure
1.1.
4
CHAPITRE 1
Figure 1.1: Circuit électrique équivalent de Sfo1 sans champ magnétique appliqué
Dans ce modèle, C caractérise l'effet de capacité de la vitesse de recombinaison de jonction

intrinsèque (phase négative); Rp est une résistance parallèle qui caractérise les pertes du porteur
dans l'interface émetteur-base et R une résistance caractérisant le ralentissement du porteur
minoritaire dans l'interface émetteur-base.
Quand on applique un champ magnétique, en plus des paramètres électriques ci-dessus, il apparaît
un effet inductif (phase positive) de la vitesse de recombinaison de jonction intrinsèque que nous
caractérisons par une inductance L. Le schéma électrique de la vitesse de recombinaison de jonction
est donné par la figure 1.2.
Figure 1.2 : Circuit électrique équivalent de Sfo1 avec champ magnétique appliqué.
Dans ce modèle, l'inductance L caractérise la capacité de l'interface émetteur-base pour recombiner

les porteurs minoritaires en excès.
La zone arrière de la cellule solaire photovoltaïque constitue une zone de forte recombinaison des
porteurs minoritaires en excès. Les auteurs proposent également un modèle électrique de la vitesse
5
CHAPITRE 1
intrinsèque de recombinaison de la surface arrière. Ainsi, quand on n'applique pas de champ

magnétique, le circuit électrique est donné par la figure 1.3.
Figure 1.3 : Circuit électrique équivalent de Sbo1 sans champ magnétique appliqué.
Où C’est une capacité de recombinaison dans la zone arrière ; Rp est une résistance de vol des
transporteurs parallèles à l'interface de contact base-arrière et R une résistance qui matérialise les
porteurs minoritaires en excès qui ralentissent à cette interface.
Tout en appliquant un champ magnétique, un schéma électrique tenant compte de l'inductance L
(phase positive) est donné sur la figure 1.4.
Figure 1.4 : Circuit électrique équivalent de Sbo1 sans champ magnétique appliqué.
6
CHAPITRE 1
1.2.2 Three-dimensional study of a polycrystalline silicon solar cell: the

influence of the applied magnetic field on the electrical parameters [16]
Dans cet article, est faite une étude théorique en 3D d'une photopile au silicium polycristallin en
modulation de fréquence sous illumination polychromatique et champ magnétique appliqué.
L'influence du champ magnétique appliqué sur le courant de diode et les caractéristiques puissance-
phototension et photocourant-phototension est étudiée. Le diagramme de Nyquist a permis aux
auteurs de déterminer les paramètres électriques tels que la résistance série Rs et résistance
équivalente en parallèle Rp de la photopile. Le diagramme de bode est utilisé pour calculer la
fréquence de coupure, la capacité C et l'inductance L.
Cette étude est basée sur la modélisation suivante du grain de silicium polycristallin.
Figure 1.5 : Modèle tridimensionnel du grain de silicium polycristallin.
Pour cela, ils ont considéré que :
1. Les grains ont une section carrée et leurs propriétés électriques sont homogènes. Ainsi,
nous pouvons utiliser les coordonnées cartésiennes.
2. L'éclairage est uniforme, donc le taux de génération dépend uniquement de la
profondeur dans la base z.
3. Les joints de grains sont perpendiculaires à la jonction et leurs vitesses de
recombinaison sont indépendantes du taux de génération sous un éclairage AM1.5.
Alors les conditions aux limites sont linéaires.
4. La contribution de l'émetteur et du SCR est négligée, donc cette analyse est effectuée
uniquement dans la base de la cellule.
Le confinement optique n'est pas pris en compte
7
CHAPITRE 1
Les auteurs ont retrouvé l’équation du coefficient de diffusion en présence de champs magnétique
sous la forme suivante :
Dn =
¿ [1+( ω +ω ) . τ ² ]. D
2
p
2
+
[ ]
iωτ (ω 2p −ω 2 ) . τ 2 −1 . D
[ 1+(ω −ω ) . τ + 4 ω τ ] [1+( ω −ω ) . τ ] +4 ω τ
2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2
p p (1.1)
Où ωp est la fréquence de l'électron sur son orbite en présence d'un champ magnétique. Cette
équation leur a permis de représenter la figure suivante.
Figure 1.6 : Module du coefficient de diffusion en fonction de la fréquence angulaire et du champ

magnétique
Ils observent sur cette figure 1.6 que la constante de diffusion diminue avec la fréquence de
modulation pour différentes valeurs du champ magnétique et l'existence des pics de résonance pour
les intensités de champ magnétique supérieures à 10 -7 T.
Ils distinguent aussi deux zones pour des champs magnétiques très faibles.
5. Une première zone (1 rad/s ; 104 rad/s) où la diffusion reste pratiquement constante
(mode quasi-statique).
8
CHAPITRE 1
6. Une seconde zone (104 rad/s ; 107 rad/s) où la constante de diffusion décroît de façon
notable (forte dépendance à la fréquence angulaire).
L'application d'un champ magnétique révèle une troisième zone où l'on obtient un pic de résonance.
Ce phénomène de résonance est obtenu lorsque la fréquence de modulation est égale à la fréquence
du cyclotron. Le champ magnétique appliqué à la photopile a tendance à ralentir les électrons

provenant de la base vers la jonction, ce qui les fait dévier de leurs trajectoires d’origine.
Le courant de diode de la photopile en fonction de la vitesse de recombinaison (échelle semi-

logarithmique) pour différentes valeurs du champ magnétique est présenté (figure 1.7).
Figure 1.7 : Courant de la diode en fonction du logarithme de Sfj.
Ils distinguent deux zones :
7. Une première zone (de Sfj= 1 à 103 cm/s) où le courant de diode reste pratiquement
Constant;
8. Une deuxième zone (de Sfj = 103 à 106 cm/s) où le courant de diode diminue de façon
notable. Si Sfj ≥ 106 cm/s, il n'y a pratiquement pas de courant.
Ils notent que le courant de diode diminue avec l'augmentation de la fréquence de modulation et le
champ magnétique à la résonance.
En modulation de fréquence, pour une valeur donnée du champ magnétique, nous nous plaçons à la
fréquence cyclotronique pour optimiser la réponse de la photopile.
Les auteurs ont montré que le photocourant diminue avec l'augmentation du champ magnétique.
9
CHAPITRE 1
1.2.3 Capacitance of Vertical Parallel Junction Silicon Solar Cell under

Monochromatic Modulated Illumination [17]
Dans cet article, les auteurs ont pour but de montrer l'influence de la longueur d'onde sur les
paramètres électriques d'une photopile au silicium à jonction verticale parallèle en utilisant la
technique de la spectroscopie d'impédance. Les diagrammes de Bode de la capacité de diffusion sont
présentés pour différentes longueurs d'onde. Le diagramme de Nyquist de la capacité de diffusion a
montré l’extension de la zone de charge d’espace pour différentes longueurs d’onde.
Pour déterminer l’effet de la longueur d’onde sur la capacité de la photopile en circuit ouvert les
auteurs ont représenté les profils du module et de la phase de la capacité en circuit ouvert en
fonction du logarithme de la fréquence pour différentes longueurs d'onde, aux figures 1.8 (a) à (c).
Figure 1.8 : Capacité en fonction du logarithme de la fréquence pour différentes longueurs d’onde
Les auteurs ont trouvé que l'amplitude de la capacité augmente dans l’intervalle de longueur d’onde
[0,44 µm; 0,50 µm], et décroît dans l'intervalle de longueur d'onde [0,58 µm; 0,7 µm].
10
CHAPITRE 1
Ils ont montré que lorsque la fréquence est à l'intérieur de la coupure, la photopile fonctionne en
régime quasi statique et reste insensible à la fréquence. Et elle diminue pour celles supérieures à la
fréquence de coupure.
Le diagramme de Nyquist de la capacité de la photopile en situation de circuit ouvert est représenté
par les auteurs à la figure 1.9.
Figure 1.9 : (a) Im(Coc) en fonction de Re(Coc) pour différentes longueur d’onde en circuit ouvert
Lorsque la fréquence angulaire tend vers zéro, la partie imaginaire de la capacité est nulle alors que
sa partie réelle est égale à sa valeur de circuit ouvert en régime quasi statique : elle aura un grand
stockage de porteurs minoritaires à proximité de la jonction. Par contre, lorsque la fréquence
angulaire se rapproche de l'infini, les parties imaginaire et réelle sont presque nulles : il n'y a plus de
stockage donc de porteurs minoritaires photo-générés à la jonction. Par ceci, nous adaptons la
capacité de la cellule solaire au diamètre d’un demi-cercle obtenu pour une profondeur donnée
entre les deux plages de fréquences angulaires (zéro à l’infini). Lorsque la profondeur augmente, les
courbes sont des demi-cercles de diamètres décroissants car il y a une diminution du nombre de
porteuses minoritaires photos générées à la base de la cellule solaire et stockés à proximité de la
jonction.
Les auteurs ont représenté le diagramme de Nyquist de la capacité de la cellule solaire en

fonctionnement en court-circuit à la figure 1.10.
11
CHAPITRE 1
Figure 1.10 : (a) Im(Csc) en fonction de Re(Csc) pour différentes longueurs d’onde en court-circuit Sf =
6.106 cm/s, H = 0.03 cm, Lo = 0.02 cm, Do = 26 cm2/s, z = 0.0001 cm. 1: λ = 0.44 μm; 2: λ = 0.46 μm; λ
= 0.48 μm; λ = 0.50 μm (b) Im (Csc) en fonction de Re(Csc) ) pour différentes longueurs d’onde en
court-circuit Sf = 6.106 cm/s, H = 0.03 cm, Lo = 0.02 cm, Do = 26 cm²/s, z = 0.0001 cm. 1: λ = 0.58 μm;
2: λ = 0.62 μm; λ = 0.66 μm; λ = 0.70
Dans l'intervalle de longueur d'onde [0,44 µm; 0,50 µm], les «pseudo-diamètres» liés à la capacité de
court-circuit augmentent, diminue dans le domaine de longueur d'onde [0,58 µm; 0,7 µm].
1.2.4 External Electric Field Influence on Series and Shunt Resistance Bifacial
Silicon Solar Cell [17]
Une étude de l’effet d’un champ électrique de polarisation sur les paramètres électriques résistance
série et résistance shunt est proposée. L’étude est faite sur une photopile bifaciale éclairée
seulement par sa face avant. Le taux de génération est donc de la forme :
3
G( x )=∑ ai . e
−b i . x
i=1
(1.2)
En traçant la caractéristique I-V, les auteurs montrent que le photocourant de court-circuit augmente
avec le champ électrique alors que la phototension de circuit ouvert quant à elle diminue.
Les paramètres électriques sont déterminés à partir de la caractéristique I-V. Elle permet de donner
les circuits électriques équivalents de la photopile en situation de circuit ouvert et en situation de
court-circuit. Et à partir des circuits électriques équivalents, les expressions des résistances série et
shunt sont déduites.
12
CHAPITRE 1
Les profils des résistances série et shunt sont enfin tracés en fonction de la vitesse de recombinaison
à la jonction pour différentes valeurs du champ électrique.
Les résultats suivants sont obtenus :
9. Une diminution de la résistance série avec le champ électrique et par conséquent une
chute ohmique.
10. La résistance shunt augmente avec le champ électrique.
1.2.5 Determination of the Recombination and Electrical Parameters of a

Vertical Multijunction Silicon Solar Cell [18]
Dans cet article, une étude théorique d'une photopile à jonction verticale parallèle sous éclairement
multispectrale constante a été réalisée par les auteurs. En utilisant une nouvelle approche du taux de
génération de porteurs, ils ont déterminé les paramètres électriques. La densité de photocourant Jph
est présentée comme une fonction dépendante de la longueur de diffusion.
Les auteurs ont traité ce modèle en utilisant les hypothèses suivantes
11. L'éclairage est uniforme. Nous avons alors un taux de génération dépendant
uniquement de la profondeur dans la base.
12. La face avant qui reçoit le rayonnement est couvert avec un revêtement antireflet
13. La contribution de l'émetteur et de la zone de charge d’espace est négligée, donc cette
analyse est seulement développée dans la région de base et nous pouvons alors utiliser
les coordonnées cartésiennes.
A la figure 1.11, les auteurs proposent un modèle électrique équivalent de la photopile comme un
générateur de courant en parallèle avec la résistance shunt.
Figure 1.11 : Circuit équivalent de la cellule solaire en circuit ouvert.
13
CHAPITRE 1
En utilisant ce circuit, l'expression des résistances de shunt peut être écrite :
Vph( Sf )
Rsh (Sf )=
J sc −J ph ( Sf ) (1.3)
La résistance de shunt expérimentale est obtenue en résolvant l’équation ci-dessous:

Jph (Sf) - Jsc = 0 (1.4)
Sa détermination graphique est illustrée à la figure 1.12.
Figure 1.12 : Résistance de shunt par rapport à la vitesse de recombinaison de jonction :

Ln: 0,01 cm; w1: 0,03 cm; Dn: 26cm2.s-1: z: 0.02cm
La valeur expérimentale de la résistance shunt est déterminée lorsque la vitesse de recombinaison à

la jonction intercepte la courbe de la résistance shunt Rsh.
1.2.6 Influence of Magnetic Field on the Capacitance of a Vertical Junction

Parallel Solar Cell in Static Regime, Under Multispectral Illumination [19]
L’étude de cet article porte sur l'influence du champ magnétique sur la capacité de la photopile à
jonction verticale parallèle en régime statique et sous illumination multispectrale. L'équation de
continuité liée à la densité des porteurs est résolue. A partir de l'expression de la densité du porteur
minoritaire, celles du photocourant, de la phototension et de la capacité de diffusion sont déduites.
Les phénomènes de génération, de diffusion et de recombinaison des porteurs minoritaires dans la
base sont régis par l'équation de continuité :
14
CHAPITRE 1
2
∂ δ ( x) δ ( x ) G ( z )
− =− ¿
∂ x 2 L¿ 2 D∗¿ (1.5)
G (z) est le taux de génération de porteurs pour l'illumination polychromatique et dont l'expression
est donnée par l'équation suivante :
3
G( z )=n ∑ ai e
−bi z
i=1 (1.6)
La solution de l'équation de continuité peut s’écrire :
3
x x
)+∑ K i e i ¿¿
−b z
δ ( x ;z ; B , Sf )= A cosh( )+E sinh (
L∗¿ L∗¿ i=1 (1.7)
Les coefficients A et E sont déterminés par les conditions limites :
14. En (x = 0) à la jonction émetteur-base :

∂δ (x ) Sf
|x=0 = δ( x )|x=0 ¿
∂x D∗¿ (1.8)
15. En (x = H / 2), Au milieu de la base le gradient de densité du porteur est resté nul :
∂δ (x )
| =0
∂ x x= H2
(1.9)
L’expression de la capacité est donnée sous la forme :
qδ(O ,z ,B)
C=
V ph (1.10)
Avec
V ph=
KT
q [ Nb
ln 1+ 2 δ( x=0 , z)
No ] (1.11)
La courbe de capacitance en fonction de la vitesse de recombinaison de jonction Sf et du champ

magnétique est représentée sur la figure 1.13 :
15
CHAPITRE 1
Figure 1.13 : Profil de la capacité en fonction de la vitesse de recombinaison de la jonction et du

champ magnétique.
La capacité diminue avec la vitesse de recombinaison de jonction. La capacité augmente avec le

champ magnétique. Plus le champ magnétique est intense, plus les porteurs minoritaires sont quasi-
statiques près de la jonction, correspondant à un rétrécissement de la zone de charge d'espace.
1.2.7 Studies on the temperature dependence of I–V and C–V characteristics

of electron irradiated silicon photo-detectors [20]
Dans cet article les mécanismes de transport actuels des photodétecteurs de silicium n +/ p (Si) dans
différentes régions de température et de polarisation avant et après irradiation avec une dose de 350
kGy ont été étudiés et présentés par les auteurs. Des études courant-tension d'obscurité dépendant
de la température (I-V) en polarisation directe et inverse ont été réalisées.
L’expression de la capacité de la jonction est donnée par :
(1.12)
Où A est l'aire effective de la diode, N D la concentration de porteurs, ε r la constante diélectrique du

silicium, ε 0 la permittivité du vide et Vbi le potentiel intégré.
Les auteurs ont montré que, après irradiation, une légère déviation de la linéarité est
observéé. Ceux-ci indiquent qu’un nombre considérable de niveaux de profondeur n’est pas formé
dans le dispositif même après irradiation.
16
CHAPITRE 1
Figure 1.14 : Variation de la capacité avec la température d’un photodétecteur de silicium (a) non
irradié et (b) est irradié avec des électrons de dose de 350 kGy.
1.2.8 Silicon solar cell capacitance: influence of both temperature and

wavelength [21]
Dans cet article, les auteurs ont étudié l’effet de la température sur la capacité d’une photopile au
silicium en régime statique sous éclairement monochromatique. L’expression de la capacité est:
2
q(ni (T )) qδ( x=0 , Sf , λ ,T )
C(T , λ , Sf )= +
Nb V T VT
(1.13)
C ( T , λ , Sf )=C 0 (T )+C d (T , λ , Sf )
Posons (1.14)
2
q (n (T )) qδ( x=0 , Sf , λ ,T )
C0 (T )= i C d (T , λ , Sf )=
N bV T VT
Ou et
C0(T) est la capacité de la photopile lorsqu’elle fonctionne en court-circuit
Cd(T,,Sf) est la capacité de diffusion de la photopile à la température T, sous éclairement  en un

point de fonctionnement donné par Sf.
La figure 1.15 présente le profil de la capacité de la photopile en court-circuit en fonction de la

température pour différentes valeurs de la longueur d’onde.
17
CHAPITRE 1
Figure 1.15 : Capacité en fonction de la température pour différentes longueurs d'onde
La capacité de la photopile diminue avec la température jusqu’à une valeur minimale Xcc(Topt,
) d’abscisse Topt(). Puis, pour les températures supérieures à Topt (), la capacité augmente
Pour une longueur d’onde donnée, la température optimale T opt () est obtenue en projetant le point
d’intersection des deux tangentes à la courbes sur l’axe des températures.
La température optimale correspond à une condition de fonctionnement de la photopile donnant un

meilleur rendement de la capacité pour la longueur d’onde donnée.
1.2.9 Influence d’une onde électromagnétique sur une photopile au silicium

sous éclairement multi spectral en régime statique [22]
Dans cet article, les auteurs étudient l’influence d’une onde électromagnétique produite par
une source de télécommunication (antenne émettrice) de puissance donnée sur le
comportement d’une photopile en régime statique, éclairée par une lumière blanche et
placée à une certaine distance de l’antenne.
La photopile est au silicium polycristallin à champ arrière de structure n +-p-p+. Les auteurs
supposent comme l’indique la figure 1.16 que la photopile est soumise à l’action d’une onde
18
CHAPITRE 1
plane progressive monochromatique polarisée rectilignement :
Figure 1.16 : Photopile monofaciale au silicium sous éclairement et soumise à l’action d’une OEM
Les auteurs ont étudié l’influence du champ électromagnétique sur la densité des porteurs
minoritaires de charge, la densité de photocourant, la vitesse de recombinaison à la face
arrière et la phototension à partir de la variation de distance séparant la photopile de la
source de production des ondes électromagnétiques. Leur étude montre que :
16. L’influence du champ magnétique de l’onde électromagnétique est négligeable et

que c’est la composante électrique du champ électromagnétique qui influence la
photopile ;
17. L’influence du champ électromagnétique de l’onde électromagnétique dépend de la

distance qui sépare la photopile de la source de télécommunication (antenne
émettrice) : au-delà d’une distance de 500 m entre l’antenne et la position de la
photopile, l’effet du champ électromagnétique est négligeable ;
18. le champ électromagnétique réduit les pertes de porteurs à la face arrière de la base
et améliore le mouvement des porteurs grâce au phénomène de migration. Ce
phénomène conduit à une augmentation du courant de court-circuit et à une baisse
de la tension de circuit ouvert ;
Ils ont aussi étudié l’influence du champ électromagnétique sur la puissance électrique
délivrée par la base de la photopile au circuit de charge extérieur et ont pu en déduire le
rendement de photoconversion de la photopile ; une étude qui montre que pour une
distance entre l’antenne et la position de la photopile inférieure à 500 m, la puissance
19
CHAPITRE 1
Électrique et le rendement de conversion sont d’autant meilleur que la photopile est proche
de l’antenne.
1.2.10 Study of base doping rate effect on parallel vertical junction silicon
solar cell under magnetic field [23]
Dans cet article, les influences d’un champ magnétique constant et du taux de dopage de la base sur
une photopile au silicium sous éclairement multispectral en régime statique sont étudiées.
L’étude est faite sur une photopile à jonction verticale parallèle de type n +- p dont le schéma est
donné à la figure suivante:
Figure 1.17 : Schéma de la photopile à jonction verticale parallèle sous champ magnétique
Une étude sur le coefficient et la longueur de diffusion en fonction du champ magnétique B et du

taux de dopage Nb est faite.
Le profil du coefficient de diffusion en fonction du champ magnétique et du taux de dopage de la

base est donné à la figure 1.18.
20
CHAPITRE 1
Figure 1.18 : Profil du coefficient de diffusion en fonction du champ magnétique B et du taux de

dopage Nb: µ=1350cm².V.s-1, D=35cm².s-1
L’équation de continuité relative aux porteurs minoritaires de charge en excès dans la base de la
photopile est résolue en utilisant les conditions aux limites à la jonction et au milieu de la base. Les
densités de porteurs minoritaires de charge sont étudiées en fonction de la profondeur dans la base,
pour différentes valeurs du champ magnétique et du taux de dopage. Les densités de photocourant,
les phototensions, les capacités de la zone de charge d’espace en fonction de la vitesse de
recombinaison et les logarithmes de la capacité en fonction de la phototension pour différentes
valeurs du champ magnétiques et du taux de dopage sont présentées.
Les auteurs ont obtenu les résultats suivants :
19. La densité du photocourant diminue avec le champ magnétique et le taux de dopage.

20. La phototension diminue lorsque le champ magnétique augmente, par contre elle
augmente avec le taux de dopage.
21. La capacité diminue avec le champ magnétique et le taux de dopage de la base.
La capacité intrinsèque dépend du taux du dopage, elle ne dépend pas du champ magnétique.
21
CHAPITRE 1
1.2.11 Junction Recombination Velocity Induced Open Circuit Voltage for A

Silicon Solar Cell under External Electric Field [24]
L’influence d’un champ électrique sur la vitesse de recombinaison à la jonction pour une cellule
solaire au silicium en situation de circuit ouvert est étudiée.
Dans l’étude, une cellule solaire de type n +pp+ est considérée. La cellule est placée sous une lumière
polychromatique et un champ électrique externe de polarisation.
Figure 1.19 : Cellule solaire de type n+pp+ sous lumière polychromatique et champ électrique de
polarisation
L’équation de continuité des porteurs minoritaires en excès dans la base sous l’influence du champ
électrique est de la forme :
2
∂ δ( x ) μ . E ∂ δ( x ) G(x ) δ ( x )
+ . + − 2 =0
∂ x2 D ∂x D L
(1.15)
δ (x )
est la densité des porteurs minoritaires dans la base en fonction de la profondeur x dans la
base. D et L sont respectivement le coefficient de diffusion et la longueur de diffusion. µ est la
mobilité des porteurs et E est l’intensité du champ électrique.
La résolution de cette équation de continuité a permis aux auteurs de déterminer la densité des
porteurs minoritaires dans la base et de tracer son profil en fonction de la profondeur dans la base
22
CHAPITRE 1
pour différentes valeurs du champ électrique. Pour ensuite en déduire la phototension dont le profil
est donné en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction. Ils ont enfin étudié l’influence
champ électrique sur la vitesse de recombinaison à la jonction limitant le circuit ouvert. En traçant le
profil de la vitesse de recombinaison à la jonction limitant le circuit ouvert et la phototension de
circuit ouvert en fonction du champ électrique :
Figure 1.20 : Phototension de circuit ouvert et vitesse de recombinaison à la jonction limitant le

circuit ouvert en fonction du champ électrique
Ils montrent que l’application du champ électrique diminue la phototension de circuit ouvert mais
augmente la vitesse de recombinaison à la jonction limitant le circuit ouvert. Ainsi le champ
électrique augmente le passage des porteurs minoritaires de charge à travers la jonction. A
l’intersection des deux courbes, la valeur du champ électrique limitant le circuit ouvert est obtenue
et elle est égale à 3,7 V/cm.
1.2.12 Back Surface Recombination Velocity Dependent of Absorption

Coefficient as Applied to Determine Base Optimum Thickness of an n/p/p+
Silicon Solar Cell [25]
Dans ce travail, les auteurs proposent une technique de détermination de l’épaisseur optimum de la
base d’une photopile monofaciale en fonction de faibles valeurs du coefficient d’absorption. L’intérêt
de ce travail est de proposer une méthode d’optimisation de l’épaisseur de la base de la photopile
afin de produire plus de courant. En utilisant les expressions de la vitesse de recombinaison à la face,
23
CHAPITRE 1
α
dépendant de l’épaisseur de la base (H) et du coefficient d’absorption ( λ ), ils ont tracé les
intersections des courbes des vitesses de recombinaisons à la face arrière pour différentes valeurs du
coefficient d’absorption. Ils en ont déduit l’épaisseur optimum en projetant l’intersection des
courbes des vitesses de recombinaison à la face arrière sur l’axe commun dépendant de l’épaisseur
de la base.
Les auteurs ont présenté la photopile (figure 1.21), établi et résolu l’équation de continuité régissant
les phénomènes de génération, de diffusion et de recombinaison.
Figure 1.21 : Photopile monofaciale
En utilisant la loi de Fick, ils ont déterminé l’expression de la densité de photocourant donnée par:
Jph ( Sf , α λ )) =q×D× [ B ( Sf , α λ )
L
−K ( α λ )×α λ ]
(1.16)
Ils ont déterminé les expressions des vitesses de recombinaison à la jonction en résolvant l’équation
(1.17) :
∂Jph ( Sf ,α λ )
|Sf ≥5×105 cm⋅s−1=0
∂ Sf
(1.17)
Les expressions des vitesses de recombinaison à la face arrière obtenues sont :
24
CHAPITRE 1
D
Sb 1 ( H , D )=− . tanh
L
H
L( )
(1.18)
Sb 2 ( H , α λ ) =D×
( ( )
α λ× ch
H
L )
1
−exp ( −α λ⋅H ) − ×sh
L
H
L ( )
ch ( HL )−α ×L×sh( HL )−exp (−α ⋅H )
λ λ
(1.19)
Ils ont tracé la figure 1.22 pour déterminer l’épaisseur optimum de la base de la photopile
correspondant à chaque coefficient d’absorption en projetant les points d’intersection des courbes
des vitesses de recombinaison à la face arrière en fonction de l’épaisseur de la base.
Figure 1. 22 : Vitesses de Recombinaison à la face arrière en fonction de l’épaisseur de l’épaisseur de

la base pour différentes valeurs du coefficient d’absorption
25
CHAPITRE 1
Le tableau 1.1 donne le résumé des résultats obtenus:
Tableau 1. 1: Epaisseur de la photopile pour différent coefficient de diffusion
Ces résultats ont permis aux auteurs de représenter la variation de l’épaisseur optimum en fonction
du coefficient d’absorption (figure 1.23).
Figure 1. 23 : Epaisseur optimum en fonction du coefficient d’absorption
Cette étude montre qu’un éclairement monochromatique de grande longueur d’onde nécessite une
épaisseur de base de la photopile importante et génère plus de porteurs minoritaires de charge à
être collectés pour un meilleur rendement de la cellule solaire photovoltaïque.
1.2.13 n+-p-p+ Silicon Solar Cell Base Optimum Thickness Determination

under Magnetic Field [26]
Dans cet article, les aureurs ont déterminé l’épaisseur optimum de la base de la photopile bifaciale
éclairée par la face avant en utilisant le concept des vitesses de recombinaison à la jonction et à la
face arrière sous l’influence du champ magnétique et en régime statique.
Après avoir présenté la photopile à la figure 1.24, ils ont déterminé l’expression de la densité
des porteurs minoritaire en excès dans la base, à partir de l’équation de magnéto transport et des
conditions aux limites.
26
CHAPITRE 1
Figure 1. 24 : Photopile monofaciale
Ensuite, l’expression de la densité de photocourant est déterminée en résolvant l’équation 1.20.
Jph ( Sf , B )=q×D ( B )× [ ∂ δ ( x , B)
∂x ] x=0
(1.20)
A partir de cette équation 1.20, les auteurs ont représenté le profil de la densité de photocourant en
fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction définissant le point de fonctionnement de la
photopile pour différentes valeurs du champ magnétique.
27
CHAPITRE 1
Figure 1.25 : Densité de photocourant pour différentes valeurs du champ magnétique en fonction de
la vitesse de recombinaison à la jonction
Cette figure 1.25 montre que la densité de photocourant de court-circuit, correspondant aux grandes
valeurs de la vitesse de recombinaison à la jonction, diminue lorsque l’intensité du champ
magnétique augmente. En effet, la force de Lorentz déviant les porteurs minoritaires de leur
trajectoire augmente avec l’intensité du champ magnétique.
Les expressions des vitesses de recombinaison à la face arrière sont obtenues en dérivant
l’expression de la densité de photocourant pour les grandes valeurs de la vitesse de recombinaison à
la jonction correspondant au photocourant de court-circuit Jsc (B, H).
[ ∂ Jph( Sf , B )
∂ Sf ] 4 −1
Sf ≥10 cm . s
=0
(1.21)
Les expressions des vitesses de recombinaison à la face arrière Sb1 et Sb2 obtenues en résolvant
l’équation (1.21) sont:
Sb 1 ( H , B ) =−
D ( B)
L( B)
. tanh
( )
H
L (B ) (1.22)
28
CHAPITRE 1
[ ( ( L( B ) ) ) ( L (B) )
]
H H
L ( B )⋅bi exp (−bi⋅H ) −cosh −sinh
3
D ( B)
Sb 2 ( H , B ) = .∑
L ( B ) i=1
L ( B )⋅bi⋅sinh
( L(HB) )+ cosh ( LH( B ) )−exp (−bi⋅H ) (1.23)
A la figure 1.26, ils ont représenté le profil des deux vitesses de recombinaison à la face arrière Sb1 et
−3 .75 −3 .55
10 ≤B≤10 T
Sb2 en fonction de l’épaisseur de la base pour les faibles valeurs du champ B :
. Pour chacune des valeurs du champ magnétique, l’épaisseur optimum est déterminée en projetant
sur l’axe des abscisses l’intersection des cournes de Sb1 et Sb2.
Figure 1.26 : Vitesses de Recombinaison à la face arrière en fonction de l’épaisseur de l’épaisseur de

la base pour différentes valeurs du champ magnétique
Les différentes valeurs de l’épaisseur optimum sont représentées au tableau 1.2 et la figure 1.27
représente l’épaisseur optimum en fonction du champ magnétique.
Tableau 1. 2: Epaisseur optimum (Hopt) pour différentes valeurs du champ magnétique (B)
29
CHAPITRE 1
Figure 1. 27 : L’épaisseur optimum de la base en fonction du champ magnétique
Une corrélation mathématique entre l’épaisseur optimum et le champ magnétique est établie :
Hop ( cm )=u×B+ y (1.24)
Avec : u=−1. 9508 cm. T

−1
et y=0.0634cm
A la figure 1.28, ils ont représenté le profil des deux vitesses de recombinaison à la face arrière Sb1 et
Sb2 en fonction de l’épaisseur de la base pour de grandes valeurs du champ B :
10−3 . 45≤B≤10−3 . 25 T . Pour chacune des valeurs du champ magnétique, l’épaisseur optimum est
déterminée en projetant sur l’axe des abscisses l’intersection des cournes de Sb1 et Sb2.
30
CHAPITRE 1
Figure 1. 28 : Vitesses de Recombinaison à la face arrière en fonction de l’épaisseur de la base pour

différentes valeurs du champ magnétique
Les différentes valeurs de l’épaisseur optimum sont représentées au tableau 1.3 et la figure 1.29
représente l’épaisseur optimum en fonction du champ magnétique.
Tableau 1. 3: Epaisseur optimum (Hopt) pour différentes valeurs du champ magnétique (B)
Figure 1.29 : L’épaisseur optimum de la base en fonction du champ magnétique
Une corrélation mathématique entre l’épaisseur optimum et le champ magnétique est établie :
Hop ( cm )=γ×B+ψ (1.25)
Avec : u=−0 .581 cm.T

−1
et y=0 .0343cm
Les résultats obtenus en appliquant la technique de détermination de l’épaisseur optimum montrent

que l’épaisseur décroît avec le champ magnétique avec les deux intervalles de valeurs du champ
magnétique utilisés. Cela signifie que la force de Lorentz croît avec le champ magnétique imposant
une faible épaisseur pour permettre aux porteurs minoritaires de charges de traverser la jonction et
de participer au photocourant produit par la photopile.
31
CHAPITRE 1
1.2.14 Surface Recombination Concept as Applied to Determinate Silicon

Solar Cell Base Optimum hickness with Doping Level Effect [27]
Dans cette étude, de nouvelles expressions de recombinaison de surface arrière de porteurs

minoritaires en excès dans la base de silicium solaire sont exprimées en fonction à la fois de
l'épaisseur et du coefficient de diffusion qui est en relation avec le taux de dopage. Les auteurs ont
aussi déterminé l’épaisseur optimale à partir de la base de la cellule solaire ce qui leurs a permis
d'économiser de la quantité matière nécessaire à sa fabrication sans réduire son efficacité.
Figure 1.30 : Structure d'une cellule solaire de type n+-p-p+ éclairée son émetteur
À partir des deux expressions des vitesses de recombinaison à la base S b1 et Sb2, ils ont tracé leurs
profils respectifs sur le même graph et ont déterminé différentes valeurs de d’épaisseurs optimum.
(I.26)
(I.27)
32
CHAPITRE 1
Figure 1.31 : Vitesse de recombinaison à la surface arrière en fonction de l'épaisseur de la base de la

photopile
Les auteurs ont montré par la figure 1.32, la représentation de l'épaisseur de la base de la photopile
nécessaire pour chaque cas du coefficient de diffusion.
Figure 1.32 : Profondeur H en fonction du coefficient de diffusion D
Les auteurs ont résumé dans le tableau 1.4, la variation de l'épaisseur de la base des cellules solaires
pour chaque coefficient de diffusion et les courants de court-circuit respectifs Jsc1 et Jsc2 qui restent
maximaux et constants.
Tableau 1.4 : L'épaisseur de la photopile pour différentes valeurs de coefficient de diffusion
33
CHAPITRE 1
1.2.15 Technique de détermination de l'épaisseur optimum de la base

appliquée à une photopile n+ /p / p + au silicium sous éclairement
monochromatique de courtes longueurs d'onde [28]
L’étude porte sur une photopile de type n+-p-p+ éclairée par la face avant par une lumière
monochromatique, représentée par la figure 1.33.
Figure 1.33: Photopile n+-p-p+ au silicium
Sb 1 ( H )=
−D
L
×th ( )
H
L
(1.28)
Sb 2 ( H , α )=D ×
( L
αλ× ch( H
) λ)L L
−exp (−α ⋅ H ) − × s h ( )
1 H
c h ( )−α × L × s h ( )−exp (−α ⋅ H )

λ
H H
λ λ
L L
(1.29)
34
CHAPITRE 1
À partir des deux expressions des vitesses de recombinaison à la base S b1 et Sb2, ils ont tracé leurs
profils respectifs sur le même graphique et ont déterminé différentes valeurs de d’épaisseurs
optimum.
1 1
Sb1
 =8800 cm^-1
 =7050 cm^-1
 =5780 cm^-1
 =4880 cm^-1
0.9  =4140 cm^-1 0.9
 =3520 cm^-1
Sb1 relative
Sb2 relative
 =3040 cm^-1
 =2580 cm^-1
 =2210 cm^-1
0.8 0.8
0.7 0.7
0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
Epaisseur de la base (cm)
Figure 1.34 : Vitesse de recombinaison à la face arrière en fonction de l’épaisseur de la base pour
différentes grandes valeurs du coefficient d’absorption. L=0.01 cm et D=35 cm2/s
Le tableau 1.5 ci-dessous présente les valeurs de l’épaisseur optimum de la base obtenues pour
différentes valeurs du coefficient d’absorption, à partir de la figure 1.34 .
Tableau 1.5 : Valeurs de l’épaisseur optimum (Hopt) en fonction du coefficient d’absorption

α
8800 7050 5780 4880 4140 3520 3040 2580 2210
-1
(cm )
Hopt (µm) 128.82 128.96 129.14 129.29 129.47 129.73 129.87 130.2 130.56
La figure 1.35, ci-dessous matérialise le profil de l’épaisseur optimum en fonction du coefficient

d’absorption.
35
CHAPITRE 1
131
130.5
f(x) = 4.78748633955397E-08 x² − 0.00076027467529695 x
Epaisseur optimum (µm)

130 + 131.85959865505
R² = 0.978539782219924
129.5
129
128.5
128
127.5
2000 3000 4000 5000 6000 7000 8000 9000
Coefficient d'absorption α (cm-1)
Figure 1.35 : Epaisseur optimum en fonction du coefficient d’absorption
La corrélation obtenue entre l’épaisseur optimum et le coefficient d’absorption est définie par la
relation (1.30) suivante :
2
Hopt ( cm )= χ∗α λ −β∗α λ + γ (1.30)
−8
χ =5∗1 0 cm3 β=0.0008 cm2 γ=131.86 cm
La figure 1.35 montre que l’épaisseur optimum diminue très légèrement avec l’augmentation du
coefficient d’absorption. Ce qui corrobore que les épaisseurs minces sont utilisées pour les fortes
absorptions. Ceci permettrait de choisir une épaisseur optimum adéquate pour une photopile à partir
d’un coefficient d’absorption donné, d’économiser de la matière (Si) pour la fabrication de photopiles
et minimiser le coût de fabrication et de revente.
1.2.16 Base Thickness Optimization of a (n+-p-p+) Silicon Solar Cell in Static

Mode under Irradiation of Charged Particles [29]
[51] Ba, M.L., Thiam, N., Thiame, M., Traore, Y., Diop, M.S., Ba, M., Sarr, C.T., Wade, M. and Sissoko,
G. (2019). Base Thickness Optimization of a (n +-p-p+) Silicon Solar Cell in Static Mode under Irradiation
of Charged Particles. Journal of Electromagnetic Analysis and Applications, 11, 173-185.
Dans ce travail, une méthode de détermination de l’épaisseur optimale d’une photopile monofaciale
sous irradiation est proposée par les auteurs. Après avoir présenté la photopile à la figure 1.36, les
auteurs ont présenté l’équation de continuité régissant les phénomènes de génération, de
36
CHAPITRE 1
recombinaison et de diffusion de porteurs minoritaires en excès photogénérés dans la base sous

éclairement polychromatique.
Figure 1.36 : Structure de la photopile (n+-p-p+)
2
∂ δ ( x , kl , φ p ) δ ( x , kl , φ p )
D ( kl , φ p ) − +G ( x )=0
∂x 2 τ (1.31)
Où :
kl : Coefficient de dommage ;
φ p : Energie d’irradiation ;
L’expression de la densité des porteurs minoritaires en excès dans la base est obtenue par les
auteurs en résolvant cette équation :
δ ( x , kl , φ p )= A⋅cosh
[ x
L ( kl , φ p ) ] [
+B⋅sinh
x
L ( kl , φ p ) ] −b ⋅x
−∑ K i⋅e i
(1.32)
Avec :
2
ai⋅[ L ( kl , φ p ) ] ⋅n
K i=−
[ ] ( L (kl , φ ) ⋅bi 2≠1 )
2 2
D ( kl , φ p ) L ( kl , φ p ) ⋅b 2 −1 p
i
Les coefficients A et B sont déterminés à partir des conditions aux limites :
1. A la jonction émetteur-base (x = 0)
37
CHAPITRE 1
∂ δ ( x , kl , φ p )
D ( kl , φ p ) |x =0 =S f⋅δ ( 0 , kl, φ p )
∂x
(1.33)
Sf : est la vitesse de recombinaison des porteurs de charges à la jonction imposée par la charge
extérieure. Elle caractérise le point de fonctionnement choisi et varie de la position nulle (circuit
ouvert) à l’infini (court – circuit).
2. A la face arrière (x = H)
∂ δ ( x , kl , φ p )
D ( kl ,φ p ) |x =H =−Sb⋅δ ( H , kl ,φ p )
∂x
(1.34)
Sb : est la vitesse de recombinaison des porteurs minoritaire en excès à la face arrière.
Elle est la conséquence du champ électrique produit par la jonction p/p+ et caractérise le
comportement de la densité des porteurs de charges au niveau de cette interface. H est l’épaisseur
de la base de la photopile.
La détermination de l’expression de la densité des porteurs minoritaires en excès dans la base a

permis aux auteurs d’établir celle de la densité de photocourant en résolvant l’équation :
Jph=q . D ( kl , φ p ) . [ ∂ δ ( x , kl , φ p )
∂x ] x =0 (1.35)
De cette expression, les auteurs ont représenté les profils de la densité de photocourant en fonction
de la vitesse de recombinaison à la jonction pour différentes valeurs de l’énergie d’irradiation, du
coefficient de dommage et de l’épaisseur de la base.
38
CHAPITRE 1
Figure 1.37 : Photocourant en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction pour différentes

valeurs d’énergie d’irradiation

valeurs du coefficient de dommage.
39
CHAPITRE 1

valeurs de l’épaisseur de la base
Ensuite, ils ont déterminé les expressions des vitesses de recombinaison à la face arrière en résolvant
l’équation :
[ ∂ Jph( Sf , kl, φ p )
∂ Sf ] Sf ≻4×10 4 cm . s−1
=0
(1.36)
La résolution de cette équation donne les expressions suivantes :
D ( kl , φ p )
Sb 0 ( H , kl , φ p ) =−
L ( kl , φ p )
. tanh
( H
L ( kl , φ p ) )
(1.37)
Sb ( H ,kl , φ ) =
D (kl ,φ )
.∑
p
3 (
L(kl , φ p ).b i e
H
(
L( kl, φ ) ) ) bi. H
−sinh
( L(kl , φ ) )
H
−cosh
p p
( L(klH, φ ) )+cosh ( L( kl,H φ ) )−e

p
L(kl , φ ) p i=1 bi . H
−L( kl, φ ).b . sinh p i
p p
(1.38)
40
CHAPITRE 1
A la figure 1.40, les auteurs ont déterminé l’épaisseur optimale de la base tributaire de la variation de
l’énergie d’irradiation, en projetant l’intersection des courbes des vitesses de recombinaison à la face
arrière.
Figure 1.40 : Profil des vitesses de recombinaison à la face arrière en fonction de l’épaisseur de la

base pour différentes valeurs de l’énergie d’irradiation
Ils ont résumé les variations de l’épaisseur optimale avec l’énergie d’irradiation, au tableau,
conduisant aux différentes valeurs précises du coefficient de diffusion, du courant de court-circuit
Jsc0 et Jsc1 correspondant à Sb0 et Sb1.
Tableau 1.6 : Valeurs de l’épaisseur optimale de la base H, du coefficient de diffusion D, des courants

de court-circuit Jsc0 et Jsc1 correspondant à Sb0 et Sb1 pour différentes valeurs de l’énergie
d’irradiation.
Ce tableau 1.6 a permis aux auteurs de représenter la variation de l’épaisseur optimale avec l’énergie
d’irradiation à la figure 1.41.
41
CHAPITRE 1
Figure 1.41 : Epaisseur optimale de la base en fonction de l’énergie d’irradiation

Une corrélation entre l’épaisseur optimale de la base et l’énergie d’irradiation est établie par les
auteurs à partir de cette figure 1.41.
H ( cm )=a×φ 2 −b×φ p +c
p
(1.39)
a=2×10−8 cm/Mev b=2×10−5 cm/Mev

Avec: , ,
A la figure 1.42, les auteurs ont déterminé l’épaisseur optimale de la base tributaire de la variation du
coefficient de dommage lors de l’interaction des particules avec la photopile, en projetant
l’intersection des courbes des vitesses de recombinaison à la face arrière.
42
CHAPITRE 1
Figure 1.42 : Vitesse de recombinaison à la face arrière en fonction de l’épaisseur de la base pour

différentes valeurs du coefficient de dommage
Ils ont résumé les variations de l’épaisseur optimale avec le coefficient de dommage, au tableau,
conduisant aux différentes valeurs précises du coefficient de diffusion, du courant de court-circuit
Jsc0 et Jsc1 correspondant à Sb0 et Sb1.
Tableau 1.7 : Valeurs de l’épaisseur optimale de la base H, du coefficient de diffusion D, des courants

de court-circuit Jsc0 et Jsc1 correspondant à Sb0 et Sb1 pour différentes valeurs du coefficient de
dommage
Ce tableau 1.7 a permis aux auteurs de représenter la variation de l’épaisseur optimale avec l’énergie
d’irradiation à la figure 1.43.
43
CHAPITRE 1
Figure 1.43 : Epaisseur optimale de la base en fonction du coefficient de dommage
Une corrélation entre l’épaisseur optimale de la base et le coefficient de dommage est établie par les
auteurs, à partir de cette figure 1.43.
H ( cm )=a×φ 2 −b×φ p +c
p
(1.40)
a=6×10−6 Mev .cm/cm−2 b=3×10−4 Mev . cm/cm−2 c=0,014 cm

Avec: , ,
1.2.17 Electrical Parameters Determination from Base Thickness Optimization

in a Solar Cell under Influence of the Irradiation Energy Flow of Charged
Particles [30]
Dans ce travail, les caractéristiques I-V et P-V d’une photopile de même que le facteur, la puissance
électrique correspondant à l’épaisseur optimale de la base obtenue sous irradiation et la vitesse de
recombinaison à la jonction correspondant au point de puissance maximale sont étudiées par les
auteurs. Ils ont d’abord donné la représentation de la photopile sous irradiation. Ensuite, l’équation
de continuité régissant les phénomènes de génération, de diffusion et de recombinaison, dans la
base de la photopile, est établie, puis résolue à une dimension. L’expression de la densité de
photocourant est établie en utilisant la loi de Fick donnée par l’équation 1.41.
44
CHAPITRE 1
Figure 1.44 : Structure de la photopile monofaciale (n +-p-p+) sous irradiation
Jph ( Sf , H , kl , φ p ) =q . D ( kl , φ p ) . [ ∂ δ ( Sf , x , H , kl , φ p )
∂x ] x=0 (1.41)
De cette expression de la densité de photocourant, aux grandes valeurs de la vitesse de

recombinaison à la jonction, les auteurs ont déterminé les expressions des vitesses de recombinaison
à la jonction ont en résolvant l’équation:
∂Jph ( Sf , H ,kl , φ p )
=0
∂ Sf (1.42)
Les expressions des vitesses de recombinaison à la face arrière obtenues, après résolution, sont :
D ( kl , φ p )
Sb 0 ( H , kl , φ p ) =−
L ( kl , φ p )
. tanh
( H
L ( kl , φ p ) )
(1.43)
Lorsque H>>L, cette vitesse intrinsèque devient une vitesse de diffusion.
[ ( ()) ( )
]
H H
L ( kl , φ p )⋅bi exp (−bi⋅H )−cosh −sinh
D ( kl , φ p ) 3 L ( kl , φ p ) L ( kl ,φ p )
Sb 2 ( H , kl , φ p )= .∑
( )) ( ( ))
L ( kl , φ p ) i =1 H H
L ( kl , φ p )⋅bi⋅sinh +cosh −exp (−bi⋅H )
L ( kl , φ p L kl , φ p
(1.44)
De ces dernières, à la figure 1.45, les auteurs ont déterminé l’épaisseur optimale correspondant à
une irradiation donnée en appliquant la technique de l’intersection des courbes de Sb0 et Sb1.
45
CHAPITRE 1
Figure 1.45 : Profil des vitesses de recombinaison en fonction de l’épaisseur.
Les valeurs de l’épaisseur optimale correspondant à chaque valeur de l’énergie d’irradiation sont
présentées au tableau 1.8.
Tableau 1.8 : Les valeurs de l’épaisseur optimale obtenue pour différentes énergie d’irradiation
Pour la caractérisation de la photopile sous irradiation à travers la détermination de la densité de

photocourant, la phototension et le rendement, les auteurs considèrent ces résultats décisifs.
L’expression de la phototension est déterminée par l’application de la loi de Boltzmann.
Puis, la caractéristique Jph (Sf, 𝜙p, Hop) - V (Sf, 𝜙p, Hop) pour différentes valeurs d’énergie d’irradiation
et de l’épaisseur optimale tracée. Il en est déduit qu’une augmentation de l’énergie d’irradiation
entraîne une diminution de la densité de photocourant et une légère augmentation de la
phototension.
A partir du schéma électrique équivalent de la photopile, l’expression de la puissance électrique est

établie. Cela les a permis de tracer la caractéristique P (Sf, 𝜙p, Hop) - V (Sf, 𝜙p, Hop). Les auteurs en ont
déduit une diminution de la puissance électrique avec l’augmentation de l’énergie d’irradiation
correspondant à une épaisseur optimale de la base de la photopile monofaciale. Les expressions du
facteur de forme et du rendement de conversion de la
46
CHAPITRE 1
Photopile sont déterminées. Pour différentes valeurs de l’énergie d’irradiation, les résultats obtenus
sont donnés au tableau…
Tableau 1.9 : Paramètres conduisant au facteur de forme et au rendement correspondant à

l’épaisseur optimale pour différentes énergies d’irradiation
A partir de ce tableau 1.9, les auteurs ont représenté à la figure le profil de la puissance en fonction
de l’énergie d’irradiation, à la figure 1.46 et à la figure 1.47, les profils de la puissance et du
rendement en fonction de l’épaisseur optimale de la base.
Figure 1.46 : Puissance en
fonction de l’énergie d’irradiation
De cette figure 1.46 de la

puissance en fonction de
l’énergie d’irradiation, les auteurs
ont établi l’équation donnée par la
relation :
2
Pmax =u×φp −w×φp+z
(1.45)
2
Avec : u=4×10−7 W . cm−2 / Mev , w=10− 4 W . cm−2 /Mev , z=0,0247 W /cm
47
CHAPITRE 1
Figure 1.47 : Puissance en fonction de l’épaisseur optimale
De cette figure 1.47 de la puissance en fonction de l’épaisseur optimale de la base, ils ont établi
l’équation donnée par la relation :
2
Pmax =α×H −β×H +v
(1.46)
4 3 2
Avec : α=1140 ,6W /cm , w=23,709W /cm , v=0,1346W /cm
48
CHAPITRE 1
Figure 1.48 : Rendement en fonction de l’épaisseur optimale
De cette figure 1.48 du rendement en fonction de l’épaisseur optimale de la base, ils ont établi
l’équation donnée par la relation :
2
ηmax =m×H −n×H +k
(1.47)
m=10 cm
6 −2
n=24038 cm
−1
v=136,58
Avec : , ,
Enfin, l’expression de la vitesse Sfmax à la jonction correspondant à la puissance maximale est

déterminée en résolvant l’équation :
∂P
=0
∂Sf (1.48)
La résolution de l’équation a permis d’obtenir l’équation transcendante dépendante de la vitesse de

recombinaison des porteurs de charges à la jonction donnée par:
M ( Sf , kl, φp )=
1
Sf max L( kl, φp) [
⋅ 1−
Sf max L( kl, φp)
Y 1 . D( kl , φp)+Sf max L(kl , φp) ] (1.49)
[( ][ ( ]
Γ max (0,kl,φp) 1
N ( Sf ,kl,φp )= ×
) )
2
ni Nb.Γ max (0,kl,φp)
Γ max (0,kl,φp)+ . ( Sf max .L(kl,φp )+Y 1 .D(kl,φp)) log +1
Nb ni2
(1.50)
Гmax (0,kl,ϕp) est la densité des porteurs de charges minoritaires en excès au point de puissance
maximum, son expression est donnée par la relation suivante :
Γ max( 0 , kl , φp)=K . D (kl , φp) .

[ Y 2 +Y 1−bi . L( kl , φp)
Sf max . L( kl , φp )+Y 1 . D ( kl , φp) ] (1.51)
n. a i . L( kl , φp )2
K=
D ( kl , φp) .( L ( kl , φp) 2 . b2i +1 )
(1.52)
49
CHAPITRE 1
Y 1=
D(kl , φp)
L( kl, φp )
.sinh
( H
L(kl , φp ) )
+Sb. cosh
H
(
L(kl , φp) )
D(kl , φp)
L( kl, φp )
.cosh
( H
L(kl , φp ) )+Sb . sinh
( L(kl , φp) )
H
(1.53)
( D( kl , φp) . bi−Sb ) . exp (−bi . H )

Y 2=
( ) ( )
D( kl , φp ) H H
.cosh + Sb . sinh
L( kl, φp ) L( kl , φp ) L( kl , φp) (1.54)
La résolution graphique de cette équation transcendante en fonction de la vitesse de recombinaison

des porteurs de charges à la jonction, pour différentes valeurs de l’énergie d’irradiation et
d’épaisseur optimale, permet d’obtenir les valeurs de SFmax par l’intersection des deux courbes
représentées par la figure 1.49.
Figure 1.49 : Représentation de l’équation transcendante
Les résultats obtenus de cette figure 1.49 correspondant aux valeurs numériques de Sfmax sont
donnés au tableau.
Tableau 1.10 : Sfmax pour différentes valeurs de l’énergie d’irradiation et de l’épaisseur optimale
50
CHAPITRE 1
Les auteurs ont conclu que Sfmax augmente avec l’épaisseur optimale de la base de la photopile,
après avoir représenté le profil de Sfmax en fonction de ce dernier.
Figure 1.50 : Sfmax en fonction de l’épaisseur optimale
1.2.18 Ac Recombination Velocity as Applied to Determine n+/p/p+ Silicon

Solar Cell Base Optimum Thickness [31]
Dans cet article, les auteurs déterminent l’épaisseur optimum de la base d’une photopile n +/p/p+
sous éclairement monochromatique en modulation de fréquence. Après avoir résolu l’équation de
continuité, l’expression de la densité de photocourant est établie. Les expressions de la vitesse de
recombinaison à la face arrière sont données par les équations ci-dessous :
Sb 1 ( ω )=−
D(ω)
L ( ω) ( )
. tanh
H
L ( ω)
(1.55)
51
CHAPITRE 1
(1.56)
L’épaisseur optimum est déterminée en utilisant la technique d’intersection des courbes des vitesses
de recombinaison par la face arrière (figure 1.51).
Figure 1.51: Sb1 et Sb2 en fonction de l’épaisseur de la base pour différentes valeurs de fréquence
(B = 0 T; D = 35 cm; α = 6.2 cm-1)
Le tableau 1.11 représente l’épaisseur optimum correspondant à une fréquence donnée.
Tableau 1.11 : L’épaisseur optimum correspondant à une fréquence donnée
Ce tableau 1.11 les a permis de représenter l’épaisseur optimum en fonction de la fréquence, à la

figure 1.52.
52
CHAPITRE 1
Figure 1.52 : Profil de l’épaisseur optimale en fonction de la fréquence
1.2.19 Experimental determination of minority carrier lifetime in solar cell

using transient measurement [18]
Dans cet article, les auteurs s'intéressent à la détermination de la durée de vie des porteurs
minoritaires dans les cellules solaires. Ils ont étudié une modélisation permettant de discuter de
l'influence de la longueur de diffusion des porteurs et de l'épaisseur de la base.
Cette étude a conduit à un énoncé des conditions permettant une détermination correcte de la
durée de vie à partir des mesures transitoires de tension en circuit ouvert et de courant de court-
circuit.
1.2.20 Influence of Both Magnetic Field and Temperature on Silicon Solar Cell
Base Optimum Thickness Determination [32]
Dans ce travail la vitesse de recombinaison des porteurs minoritaires la surface arrière de la

base d'épaisseur (H) est étudiée pour la modélisation et la détermination de l'épaisseur
optimale H, de la base de la cellule solaire en silicium, placée sous champ magnétique B et
avec variation de la température T (figure 1.53).
53
CHAPITRE 1
Cette étude prend en compte le procédé Umklapp (agitation thermique) et l'effet de Lorentz
(défection) sur les porteurs minoritaires photogénérées dans la base.
Figure 1. 53 : Structure de la photopile de type n+-p-p+ type, sous champ magnétique et sous
température.
[ ∂ Jph( Sf ,n , H , T , B )
∂ Sf
=0 ]
(1.57)
Sb 1 ( H ,T , B ) =∑
3 [(
D(T , B ). b i cosh ( H
L(T , B) )
b .H
−e i −
1
)
L(T , B )
.sinh
H
L(T , B ) ( )]
i=1
cosh ( L(TH, B ) )−ebi . H
−L(T , B). bi . sinh ( L(TH, B) )+
(1.58)
Sb2 ( H ,T , B ) =−
D (T , B)
L ( T ,B )
×tanh
(
H
L(T , B) )
(1.59)
La figure 1.54 donne le profil des vitesses de recombinaison des porteurs minoritaires à la face
arrière en fonction de l'épaisseur de la base de la cellule pour différentes valeurs du coefficient de
diffusion D max (B, T) des porteurs minoritaires dans la base subissant l'Umklapp et processus de
Lorent.
54
CHAPITRE 1
Figure 1. 54: Back surface recombination velocity curves versus solar cell base thickness
L'intersection des courbes Sb1 et Sb2, a pour abscisse, l'épaisseur optimale de la base de la cellule
photovoltaïque pour chaque coefficient de diffusion D max (B, Topt).
Le tableau 1.12 résume la variation de l'épaisseur optimale de la base de la cellule solaire pour
chaque coefficient de diffusion (D max (B, Topt)) et les courants de court-circuit respectifs Jsc1 et Jsc2
qui restent maximaux et constants.
Tableau 1.12: Base optimum thickness Value (H) for different diffusion coefficients Dmax (B,Topt )
Les figures ci-dessous donnent la représentation de l'épaisseur de la base de la cellule

photovoltaïque nécessaire pour chaque cas du coefficient de diffusion. La corrélation entre le
coefficient de diffusion Dmax (T, B) et l'épaisseur de base optimale est ainsi établie.
55
CHAPITRE 1
Figure 1. 55: Base depth H as function of logarithm of diffusion coefficient
Figure 1. 56: Base depth H as function of diffusion coefficient
1.2.21 Base thickness optimization of a vertical series junction silicon solar

cell under magnetic field by the concept of back surface recombination
velocity of minority carrier [33]
56
CHAPITRE 1
Dans ce travail, les auteurs ont proposé une méthode de détermination de l’épaisseur optimum de la
base d’une photopile au silicium à jonction verticale série (figure 1.57) à partir de l’intersection des
courbes de vitesse de recombinaison à la face arrière Sb1(H, B) et Sb2(H, B) définies aux équations
(I.32) et (I.33). Ils étudièrent cette photopile sous champ magnétique influençant le coefficient de
diffusion D(B) dont sont rattachées les deux vitesses obtenues par le dérivé de la densité de
photocourant Jph par rapport à la vitesse de recombinaison à la jonction (Sf) donnée à l’équation
(I.31).
Figure 1. 57 : Photopile à jonction verticale série de type n+-p-p+ sous champ magnétique et sous
éclairement monochromatique
∂Jph (Sf , Sb , z , B , λ )
|Sf ≥105 cm. s−1=0
∂Sf
(1.60)
Sb 1 ( H , B )=−
D ( B ) ×sh
( LH( B ) )
[(
L ( B )× ch
H
L ( kl ,φ p ))−1
]
(I.61)
Sb 2 ( H , B )=−
D (B )
L ( B)
×th
( )
H
L( B)
(1.62)
Ils tracèrent les profils de Sb1(H, B) et Sb2(H, B) sur un biaxes (figure I.27) en fonction de l’épaisseur
de la base pour différentes valeurs du champ magnétique (B) et obtinrent des points d’intersection
des deux courbes leur permettant de déterminer en abscisse l’épaisseur optimum de la base (Hop).
Ensuite les auteurs établissent une équation de corrélation (I.34) entre l’épaisseur optimum et le
57
CHAPITRE 1
coefficient de diffusion et une autre (I.35) entre l’épaisseur optimum et le champ magnétique à partir
des figures I.28 et I.29.
Figure 1.58: Vitesse de recombinaison à la face arrière Sb1 et Sb2 en fonction de l’épaisseur de la
base
Figure 1.59 : Epaisseur optimum de la base en fonction du coefficient de diffusion
L’expression de l’épaisseur optimum de la base en fonction du coefficient de diffusion est donnée par
l’équation (1.63)
−4
H ( cm )=1. 2×10 ×D+0 . 011 (1.63)
58
CHAPITRE 1
Figure 1. 60 : Epaisseur optimum de la base en fonction du champ magnétique
La relation entre l’épaisseur optimum de la base et le champ magnétique est donnée par l’équation
1.64.
3 3 2 2
H ( cm )=−6 . 8×10 ×B +5 .1×10 ×B −1 . 9×B ( T ) +0 . 015
(1.64)
1.2.22 Lamella Silicon Solar Cell under Both Temperature and Magnetic Field:
Width Optimum Determination [34]
Ce travail porte sur la détermination de l'épaisseur optimale de la plaquette lamellaire de cellule

solaire en silicium d’une photopile à jonctions multiples verticales (VMJ) qui sont connectées en série
sous éclairage polychromatique (figure 1.61).
Figure 1.61 : Photopile à jonction verticale connectée en série
59
CHAPITRE 1
Figure 1.62 : Cellule de la photopile (n+/p/p+) sous illumination et sous champ magnétique externe.
La détermination de l'épaisseur de la plaquette prend en compte les phénomènes physiques internes

de génération-diffusion-recombinaison des porteurs minoritaires en excès dans la base. Ces
phénomènes sont étudiés sous influence des facteurs externes tels que la température et le champ
magnétique. Ensuit à partir de l’expression photocourant (équation 1.65), les expressions (équations
1.66 et 1.67) de la vitesse de recombinaison à la face arrière sont dérivées, ainsi que le coefficient de
diffusion maximal et l'épaisseur correspondante.
∂Jph (Sf , H , z , B , T , Sb )
|Sf ≥105 cm . s−1 =0
∂ Sf
(1.65)
Sb ( H , B , T ) =−
( L( B , T ) )
D ( B , T )×sh
H
[ L( BH, T ) )−1]
1
L ( B ,T )× ch (
(1.66)
Sb 2 ( H , B ,T )=−
D (B , T )
L ( B ,T )
×th
( H
L (B , T ) )
(1.67)
Les valeurs maximales du coefficient de diffusion en fonction de la température optimale pour

différentes valeurs de champ magnétique ont été déterminées selon la relation :
−1, 58
Dmax ( B ) =2,1⋅105 ( T opt ( B ) )
(1.68)
Sur la figure 1.63, les auteurs ont représenté les profils de deux vitesses de recombinaison de surface
arrière de porteurs minoritaires en excès en fonction de l'épaisseur de la base de la cellule pour
60
CHAPITRE 1
différentes valeurs maximales de coefficient de diffusion. Ces profils montrent un point

d'interception, qui donne l'épaisseur optimale de la base de la cellule.
Figure 1.63: Back surface recombination velocity Sb1 and Sb2 of excess minority carries versus solar
cell base thickness for different maximum diffusion coefficient values.
Le tableau 1.13 résume la variation de l'épaisseur optimale Hopt de la base pour des valeurs du
coefficient de diffusion maximal Dmax et la température optimale pour différentes valeurs du champ
magnétique.
Tableau 1.13: Base optimum thickness (Hopt) for different magnetic field B and optimum
temperature values.
61
CHAPITRE 1
Figure 1.64 : Profil de l’épaisseur optimale en fonction du coefficient de diffusion maximal
1.2.23 Surface recombination velocity concept as applied to determinate back

surface illuminated silicon solar cell base optimum thickness, under
temperature and external magnetic field effects [35]
L’étude porte sur une photopile de type n+-p-p+ éclairée par la face avant par une lumière
monochromatique, représentée par la figure 1.65.
Figure 1.65 : Photopile bifaciale sous champ magnétique et sous température
Les auteurs ont déterminé l’expression de la densité de photocourant. De cette dernière, ils ont
déterminé les deux expressions des vitesses de recombinaison à la face arrière.
62
CHAPITRE 1
À partir des deux expressions des vitesses de recombinaison à la base Sb 1 et Sb2, ils ont tracé leurs
profils respectifs et ont déterminé différentes valeurs d’épaisseurs optimales.
Figure 1.66 : Détermination de l’épaisseur optimale
Le tableau 1.14 résume la variation de l’épaisseur optimum de la base de la photopile éclairée par la
face arrière sous champ magnétique et température.
Tableau 1.14 : Valeurs de l’épaisseur optimum pour différentes valeurs du coefficient de diffusion
63
CHAPITRE 1
La figure 1.66 représente la variation de l’épaisseur optimum pour chaque coefficient de diffusion.
Figure 1.66 : Profil de l’épaisseur optimale en fonction du coefficient de diffusion
Conclusion
Dans cette étude bibliographique, nous avons fait une présentation des premières structures de
cellules solaires à jonction vertical. Ensuite des travaux d’article sur les effets des paramètres
extérieurs (température, longueur d’onde, champ magnétique), sur les paramètres
phénoménologiques (Vitesse de recombinaison intrinsèque Sf) et les paramètres électriques
(résistance série, résistance shunt, courant de diode, la puissance de la photopile et la capacité) sont
réalisés. L’innovation que nous comptons apporter à cette étude est de proposer deux méthodes de
détermination du choix de ses paramètres (température, fréquence et champ magnétique) pour
avoir une réponse optimale de la photopile.
64
CHAPITRE 2
Chapitre 2 : Etude de la densité de porteurs minoritaires en excès

2.1. Introduction
La production de photocourant par la photopile est gouvernée par la densité des porteurs
minoritaires photogénérés, c’est un paramètre important à tenir en compte afin d’assurer un
meilleur rendement de la photopile à jonction verticale série. Ainsi, dans ce chapitre 2, nous allons
étudier la densité des porteurs minoritaires en excès dans la base de la photopile bifaciale sous
éclairement monochromatique par la face arrière, en régime fréquentiel, en résolvant l’équation de
continuité régissant les phénomènes de génération, de diffusion et de recombinaison. Ensuite, une
étude sur la densité photocourant sera présentée. Enfin, une technique de détermination de
l’épaisseur optimum par la technique de l’intersection des courbes des vitesses de recombinaison à
la face arrière sous l’influence de la fréquence.
2.2. Présentation de la photopile

La structure de la photopile bifaciale de type n +-p-p+ éclairée par la face arrière [1] avec une lumière
monochromatique en modulation de fréquence [2] est représentée par la figure 2.1.
Figure 2.1 : Structure de la photopile
Cette structure de la photopile est composée principalement de :
22. L’émetteur de type n+ :
L’épaisseur est faible (0,5 à 1µm), fortement dopé (10 17 à 1019 atomes par cm3) en atomes donneurs
(atomes de phosphore : 5 électrons de valence) et recouverte d’une grille métallique qui permet de
collecter les charges électriques photocréés. Cette partie de la cellule est aussi appelée face avant de
la photopile et peut recevoir de la lumière incidente;
65
CHAPITRE 2
2. La base de type p :
Cette partie est relativement peu dopée (1015 à 1017 atomes par cm3) en atomes accepteurs
(atomes de bore ayant 3 électrons de valence). Mais, son épaisseur est beaucoup plus
importante que celle de l’émetteur. Elle peut s’élever jusqu’à 400m. Etant de type p, cette
partie de la structure présente un défaut d’électrons (porteurs minoritaires). L’étude
caractéristique de la cellule portera essentiellement sur cette partie qui est la zone de
prédominance des phénomènes d’absorption, de génération, de recombinaison et de diffusion.
3. La Zone de Charge d’Espace (ZCE) :
Entre les deux zones du semi-conducteur dopés différemment (émetteur de type n et la base
de type p), il existe une jonction où règne un champ électrique très intense. Ce champ permet
la séparation des paires électron-trou qui arrivent à la jonction.
Ainsi, un rayon lumineux qui frappe la cellule peut pénétrer dans le cristal à travers la grille
collectrice et provoquer l’apparition d’une tension électrique autour de la jonction, si le rayon
possède une énergie suffisante.
4. Le BSF (Back Surface Field) de type p+ :
C’est la zone située en face arrière de la base, elle est surdopée en atomes accepteurs (1017 à
1019 atomes par cm3) par rapport à la base. Cela induit l’existence d’un champ électrique
arrière qui permet de renvoyer vers l’interface émetteur-base les porteurs minoritaires générés
près de la face arrière. Pour relier la cellule à une charge extérieure c’est-à-dire pour la
collecte du courant résultant de l’absorption de la lumière (des photons), des électrodes sous
forme de grilles métalliques sont déposées par sérigraphie sur la face avant servant de
contacts électriques. Pour améliorer les performances de la cellule solaire photovoltaïque, les
grilles doivent laisser passer le maximum de flux lumineux incident. C’est la cause pour
laquelle une couche d’antireflet est déposée sur les électrodes pour augmenter la quantité de
lumière absorbée.
2.3. Equation de continuité
L’équation de continuité [3][4][5][6] régissant les phénomènes de génération, de diffusion et
de recombinaison des porteurs minoritaires de charges en excès dans la base de la photopile
bifacial éclairée par la face arrière, sous éclairement monochromatique, en modulation de
fréquence, est donnée par :
2
∂ δ ( x ,t ) δ ( x ,t ) ∂ δ ( x, t )
D ( ω )× − =−G ( x , ω, t ) +
∂ x2 τ ∂t
(2.1)
- La densité des porteurs de charge minoritaire photogénérées dans la base à l’abscisse x et à

l’instant t est :
− jωt
δ ( x ,t )=δ ( x )⋅e
(2.2)
66
CHAPITRE 2
D ( ω)
- est le coefficient de diffusion complexe des porteurs de charge minoritaires en excès dans la
base :
D ( ω )=D 0 ×
( 1− j. ω 2 . τ 2
1+ ( ωτ )2 )
(2.3)
- G ( x ,t ) est le taux de génération, il s’écrit sous la forme :

− jωt
G ( x ,t ) =g ( x )⋅e
(2.4)
Où :
−α⋅( λ ) . ( H −x )
g ( x ) =α ( λ )⋅I 0 ( λ )⋅( 1−R ( λ ) )⋅e
(2.5)
- α ( λ ) : coefficient d’absorption optique du matériau (cm-1)
- I 0 ( λ ) : flux de photons incidents pour une radiation monochromatique (W)
- R ( λ ) : coefficient de réflexion monochromatique à la surface de la base
- x est l’épaisseur de la base de la photopile
- τ durée de vie des porteurs de charges minoritaires dans la base définie par la relation Einstein
suivante :
2
L (ω)
τ=
D (ω )
(2.6)
En remplaçant les équations (2.2), (2.4) et (2.6) dans l’équation (2.1), l’expression de l’équation de
continuité devient:
2
∂ δ ( x , ω ) δ ( x , ω) g(x)
− 2 =−
∂x 2
L ( ω) D ( ω)
(2.7)
67
CHAPITRE 2
L ( ω)
- :longueur de diffusion complexe des porteurs minoritaires en excès dans la base. Elle
représente aussi la distance moyenne parcourue par les porteurs minoritaires avant leur
recombinaison dans la base sous irradiation. Son expression est donnée par l’équation :
L ( ω )=
√ D (ω )τ
1+ j ωτ
(2.8)
2.4. Solution de l’équation de continuité

La solution générale de l’équation de continuité s’écrit sous la forme :
δ (x )=δ 1 ( x )+δ 2 ( x )
(2.9)
23. δ 1 ( x ) est la solution particulière de l’équation sans second membre;
24. δ 2 ( x) la solution générale de l’équation avec second membre.
2.4.1. Equation sans second membre
L’équation de continuité sans second membre s’écrit :
2
∂ δ 1 ( x ,ω , λ ) δ 1 ( x ,ω , λ )
2
− 2
=0
∂x L ( ω) (2.10)
La solution de l’équation (2.10) est donnée par l’équation (2.11):
δ 1 ( x )= A cosh
( L x(ω) )+B sinh ( L x( ω) )
(2.11)
2.4.2. Equation avec second membre
L’équation avec second membre s’écrit:
2
∂ δ2 ( x ) δ2 ( x ) g(x)
2
− 2
+ =0
∂ x L ( ω) D ( ω) (2.12)
68
CHAPITRE 2
La solution particulière est de la forme :
δ 2 ( x)=K .e−α ( λ )⋅( H −x)

(2.13)
En remplaçant (2.13) dans (2.12), l’expression de la constante K est déterminée :
2
α ( λ )⋅I 0 ( λ )⋅( 1−R ( λ ) )⋅L ( ω )
K =−
D ( ω ) ( L ( ω ) ⋅α ( λ ) −1 )
2 2
(2.14)
25. Solution générale de l’équation de continuité
L’expression de la densité des porteurs est donnée par :
δ ( x , ω , λ )= A⋅cosh
( )
x
L(ω )
+B⋅sinh
x
( )
L ( ω)
+ K⋅e−α⋅( H −x )
(2.15)
Les coefficients A et B sont déterminés à partir des conditions aux limites.
2.5. Conditions aux limites

26. A la jonction (x = 0)
∂δ ( x , λ ,ω ) δ ( x , λ,ω )
|x=0=Sf⋅ |
∂x D ( ω ) x=0 (2.16)
27. A la face arrière (x = H)
∂δ ( x , λ,ω ) δ ( x , λ,ω)
|x=H =−Sb⋅ |
∂x D ( ω ) x=H (2.17)
- Sf est la vitesse de recombinaison à la jonction des porteurs minoritaires en excès dans la base et
indique aussi le point de fonctionnement de la photopile [7][8].
- Sb est la vitesse de recombinaison à la face arrière des porteurs minoritaires excédentaires [9][8].
69
CHAPITRE 2
2.6. Densité des porteurs minoritaires

2.6.1. Influence de la fréquence sur la densité des porteurs en excès
2.6.1.1. Pour un coefficient d’absorption faible
La figure 2.3 représente l’influence de la fréquence de l’onde excitatrice sur la densité des porteurs
minoritaires en excès dans la base, en situation de court-circuit, pour un coefficient d’absorption
grand.
Figure 2.2: Module of excess minority carriers density versus base thickness (D0 = 35 cm2/s; α =
21000 cm-1)
Cette figure 2.2 montre que la densité des porteurs minoritaires de charge en excès dans la base
augmente avec l’épaisseur de la base de la photopile bifaciale éclairée par la face arrière.
A la jonction, la figure 2.2 montre un gradient positif de la densité des porteurs traduisant que les
porteurs minoritaires de charge en excès traversent la jonction pour participer au photocourant.
2.7. Densité de photocourant

2.7.1. Expression
70
CHAPITRE 2
Le photocourant est dû à la diffusion de porteurs minoritaires de charges à la jonction. Connaissant

l’expression de la densité de porteurs minoritaires, nous pouvons déterminer l’expression de la
densité du photocourant en utilisant la loi de Fick. Elle est donnée par la relation 2.18 :
∂ δ ( x ,λ ,ω )
J ph ( Sf ,ω, λ )=qD ( ω ) |x =0
∂x (2.18)
Où q est la charge électrique de l’électron.
2.7.2. Influence de la fréquence sur la densité de photocourant
La figure 2.3 représente l’influence de la fréquence de l’onde excitatrice sur la densité de

photocourant pour un coefficient d’absorption faible.
Figure 2.3: Module de la densité de photocourant en fonction de la vitesse de recombinaison à la

jonction pour différentes fréquences (D0 = 35cm2/s; α = 6.2 cm-1)
Cette figure 2.3 montre différentes parties du profil de la densité de photocourant :
71
CHAPITRE 2
1. Pour les faibles valeurs de la vitesse de recombinaison à la jonction (Sf<102 cm.s-1), la

densité de photocourant est nulle correspondant au fonctionnement circuit ouvert de la photopile.
2. Pour les valeurs de la vitesse de recombinaison comprises entre 102 et 104, la densité de
photocourant augmente rapidement.
3. Pour les grandes valeurs de la vitesse de recombinaison à la jonction (Sf > 105 cm.s-1), la
densité de photocourant présente un plateau correspondant au courant de court-circuit.
Au voisinage du circuit ouvert, la fréquence n’influe pratiquement pas sur le photocourant.

Contrairement en situation de court-circuit, la densité du photocourant diminue. En effet,
l’augmentation de la fréquence de l’éclairement constitue un blocage pour les porteurs minoritaires
photogénérés dans la base car la photopile n’a pas le temps de se relaxer et il y a peu de charge qui
vont franchir la jonction pour participer au photocourant.
2.7.2.2. Pour un coefficient d’absorption grand
La figure 2.5 représente l’influence de la fréquence de l’onde excitatrice sur la densité de

photocourant pour un coefficient d’absorption grand.
Figure 2.4: Module of photocurrent density versus recombination velocity for different frequency (D 0
= 35cm2/s; α = 21000 cm-1)
La densité de photocourant est presque nulle pour les faibles valeurs de la vitesse de recombinaison
à la jonction traduisant le fonctionnement de la photopile en circuit ouvert. La diffusion des porteurs
minoritaires est ralentie par les recombinaisons interfaciales émetteur-base et les électrons n’ont pas
72
CHAPITRE 2
suffisamment d’énergie leur permettant de franchir la barrière de potentiel de la photopile. Lorsque

la vitesse de recombinaison à la jonction devient grande la densité de photocourant augmente
progressivement jusqu’à une valeur maximale correspondant au photocourant de court-circuit. Or,
avec ces grandes vitesses de recombinaison à la jonction, tous les porteurs photogénérés ou
renvoyés vers la jonction ont de très grandes chances de la traverser pour participer au
photocourant. Ceci va permettre une récupération maximale de courant. On note également que
lorsque la fréquence de l’onde excitatrice augmente, le photocourant decourt-circuit diminue.
2.7.3. Influence de l’épaisseur de la base sur la densité de photocourant

La figure 2.6 représente l’influence de l’épaisseur de la base de la photopile éclairée par la face
arrière sur la densité de photocourant pour un coefficient d’absorption faible.

jonction pour différentes valeurs de l’épaisseur de la base (D0 = 35cm2/s; ω=105rad/s; α = 6.2 cm-1)
Cette figure 2.5, représentant la densité de photocourant en fonction de la vitesse de recombinaison

à la jonction, présente trois parties dont deux paliers : l’un des paliers correspond aux faibles valeurs
73
CHAPITRE 2
de la vitesse de recombinaison à la jonction où la densité de photocourant est presque nulle et la

deuxième partie où la densité de photocourant augmente jusqu’à une valeur constante qui
correspond au second palier avec les grandes valeurs de la vitesse de recombinaison à la jonction.
Cette valeur constante de la densité de photocourant correspond à la valeur du photocourant de
court-circuit.
Le photocourant de court-court augmente avec l’augmentation de l’épaisseur de la base.
La figure 2.6 représente l’influence de l’épaisseur de la base de la photopile éclairée par la face
arrière sur la densité de photocourant pour un coefficient d’absorption grand.

jonction pour différentes valeurs de l’épaisseur de la base (D = 35cm2/s; ω=105rad/s; α = 21000 cm-1)
Cette figure 2.7, représentant la densité de photocourant en fonction de la vitesse de recombinaison

à la jonction, présente trois parties dont deux paliers :
74
CHAPITRE 2
- l’un des paliers correspond aux faibles valeurs de la vitesse de recombinaison à la jonction où la
densité de photocourant est presque nulle ;
- la deuxième partie où la densité de photocourant augmente jusqu’à une valeur constante qui
correspond au second palier avec les grandes valeurs de la vitesse de recombinaison à la jonction.
Cette valeur constante de la densité de photocourant correspond à la valeur du photocourant de
court-circuit.
Le photocourant de court-court croît avec l’augmentation de l’épaisseur de la base.
2.8. Détermination de l’épaisseur optimum de la base sous l’influence de la

fréquence par la technique de l’intersection des courbes des vitesses de
recombinaison à la face arrière
Cette technique de détermination de l’épaisseur de la base par la technique de l’intersection des

courbes de vitesses de recombinaison à la face arrière permet d’optimiser l’épaisseur de la base de la
photopile. La détermination de l’épaisseur optimum permet de réduire la quantité de matériau
utilisé sans altérer l’efficacité de la photopile.
Aux grandes vitesses de recombinaison des porteurs de charges à la jonction (Sf), la densité de
photocourant est constante et correspond au photocourant de court-circuit (Jphcc). Ceci permet
d’obtenir l’équation ci-dessous [8]:
∂J ph ( Sf ,ω, λ )
|Sf ≥105 cm .s−1 =0
∂ Sf
(2.19)
La résolution de l’équation permet d’obtenir deux expressions de la vitesse de recombinaison à la

face arrière [11][12] données par les équations (2.20) et (2.21).
Sb 1 ( H , ω )=−
D ( ω)
L(ω )
. tanh
H
( )
L(ω )
(2.20)
75
CHAPITRE 2
[ ( ( ) ( L ( ω ) ))
]
H H −α ( λ )⋅H
L ( ω )⋅α ( λ )− L ( ω )⋅α ( λ )⋅ch + sh e
D(ω) L ( ω)
Sb 2 ( H , λ , ω )= ⋅
( L (ω ) L ( ω ) ))
L ( ω)
ch
( H
)+ L ( ω )⋅α ( λ )⋅sh
( H −α ( λ )⋅H
e −1
(2.21)
2.8.1. Pour un coefficient d’absorption faible base
La figure 2.8 matérialise la technique de détermination de l’épaisseur optimum de la base en

fonction de la fréquence à travers les expressions de la vitesse de recombinaison à la face arrière
pour un coefficient d’absorption faible.
Figure 2.8: Sb1 et Sb2 en fonction de l’épaisseur de la base pour différentes fréquences (D0 =
35cm2/s; α = 6.2 cm-1)
Le tableau 2.1 représente l’évolution de l’épaisseur optimum de la base de la photopile éclairée par
la face arrière en fonction de la fréquence pour un coefficient d’absorption faible.
Tableau 2.1: Détermination de l’épaisseur optimum de la base en fonction de la fréquence pour un

coefficient d’absorption faible
ω(rad.s-1) 102 103 104 2.104 3.104 4.104 5.104 6.104 7.104 8.104 9.104 105
76
CHAPITRE 2
D(cm/s2) 35 34.9983 34.8263 34.3203 33.5239 32.4967 31.3050 30.0123 28.6731 273305 26.0131 24.7487
Hop (cm) 0.0117 0.0117 0.0116 0.0114 0.0111 0.0106 0.0102 0.0096 0.0091 0.0086 0.0081 0.0077
Ce tableau 2.1 nous a permis de tracer la figure 2.9 donnant le profil de l’épaisseur optimum en
fonction de la fréquence pour un coefficient d’absorption faible.
Figure 2.9: Epaisseur optimale en fonction de la fréquence
Nous remarquons, à lla figure 2.9, une valeur importante de l’épaisseur optimum pour les faibles
valeurs de la fréquence. Contrairement pour les grandes valeurs de la fréquence, l’épaisseur
optimum est faible car le temps de relaxation est faible [1][13][14].
77
CHAPITRE 2
Cette figure 2.9 nous a permis d’établir une équation de corrélation entre l’épaisseur optimum et la
fréquence donnée par:
−13 2 −8
Hop=−2⋅10 ×ω −2.3⋅10 ×ω+0 .012 (2.22)
Ce tableau 2.2 nous a permis, aussi, de tracer la figure 2.10 représentant le profil de l’épaisseur
optimum en fonction du coefficient de diffusion pour un coefficient d’absorption faible.
Figure 2.10: Epaisseur optimale en fonction du coefficient de diffusion
Cette figure 2.10 permet d’établir une équation de corrélation entre l’épaisseur optimum et le
coefficient de diffusion donnée par:
78
CHAPITRE 2
−4 −3
Hop=4⋅10 ×D−2.2⋅10
2.8.2. Pour un coefficient d’absorption grand
La figure 2.10 matérialise la technique de détermination de l’épaisseur optimum de la base en

fonction de la fréquence à travers les expressions de la vitesse de recombinaison à la face arrière
pour un coefficient d’absorption grand.
Figure 2.11: Sb1 et Sb2 en fonction de l’épaisseur de la base pour différentes fréquence pour un
grand coefficient d’absorption (D0 = 35cm2/s; α = 21000 cm-1)
79
CHAPITRE 2
Le tableau 2.2 représente l’évolution de l’épaisseur optimale de la base de la photopile éclairée par la
face arrière en fonction de la fréquence pour un coefficient d’absorption grand.
Tableau 2.2: Epaisseur optimum de la base en fonction de la fréquence pour un coefficient

d’absorption grand
ω(rad.s-1) 102 103 104 2.104 3.104 4.104 5.104 6.104 7.104 8.104 9.104 105
D(cm/s2) 35 34.9983 34.8263 34.3203 33.5239 32.4967 31.3050 30.0123 28.6731 273305 26.0131 24.7487
Hop (cm) 0.0086 0.0086 0.0084 0.0079 0.0073 0.0065 0.0056 0.0048 0.004 0.0033 0.0026 0.002
Ce tableau 2.2 nous a permis de tracer la figure 2.11 représentant le profil de l’épaisseur optimum en
fonction de la fréquence pour un grand coefficient d’absorption.
Figure 2.12: Epaisseur optimale en fonction de la fréquence
80
CHAPITRE 2
La figure 2.12 montre que l’épaisseur optimum de la photopile diminue en fonction de l’intensité de
la fréquence.
Cette figure 2.12 nous a permis d’établir une équation de corrélation entre l’épaisseur optimum et la
fréquence donnée par :
Hop ( cm )=−6. 9⋅10−8 ×ω ( rad⋅s−1 ) +0 .0089 (2.23)
Ce tableau 2.2 nous a permis, aussi, de tracer la figure 2.13 représentant le profil de l’épaisseur
optimale en fonction du coefficient de diffusion pour un grand coefficient d’absorption.
Figure 2.13: Epaisseur optimum en fonction du coefficient de diffusion
81
CHAPITRE 2
Cette figure 2.13 permet d’établir une équation de corrélation entre l’épaisseur optimum et le
coefficient de diffusion donnée par:
Conclusion
Dans ce chapitre 2, nous avons fait d’abord une résolution de l’équation de continuité des
porteurs minoritaires de charge dans la base de la photopile bifaciale au silicium sous
éclairement monochromatique par la face arrière en régime dynamique fréquentiel.
La résolution de l’équation de continuité nous a permis de déterminer les expressions de la
densité des porteurs minoritaires en excès dans la base et du photocourant. Ensuite, nous
avons analysé l’influence de la fréquence, et de l’épaisseur de la base sur ces différents
paramètres.
Ces études nous ont permis de tirer les résultats suivants :
1. Diminution du module de la densité des porteurs de charges minoritaires dans la
base lorsqu’augmente la fréquence de l’onde excitatrice.
2. Diminution de la densité de photocourant du courant de court-circuit
lorsqu’augmente la fréquence de l’onde excitatrice.
3. Diminution de l’épaisseur optimum lorsque la fréquence augmente.
82
CHAPITRE 3
Chapitre 3 : Détermination des caractéristiques I-V, P-V, FF et η sous

l’influence de l’épaisseur optimum
3.1. Introduction
Dans ce chapitre 3, l’accent est mis en premier lieu sur la caractéristique photocourant -
phototension. Ensuite, la puissance et le facteur de forme sont déterminés ; puis étudiés pour
différentes valeurs de la fréquence. Nous terminerons par faire l’étude du rendement de la
photopile.
3.2. Phototension
3.2.1. Expression de la phototension
L’expression de la tension est obtenue par la relation de Boltzmann donnée par l’équation (3.1) :
Vph(Sf , ω , λ )=V T . ln
( Nb
n2i
. δ( x=0 ,ω , λ )+1
) (3.1)
VT est la tension thermique, cette tension est définie par :
Kb
V T= T
q (3.2)
ni est la concentration intrinsèque
: Taux de dopage en atomes accepteurs dans la base
Kb: la constante de Boltzmann
T : la température absolue
q : charge élémentaire de l’électron
3.2.2. Influence de la fréquence et de l’épaisseur optimum de la base sur la

phototension pour un coefficient d’absorption respectivement faible et grand
Le profil de la phototension sous l’influence de la fréquence et de l’épaisseur optimum de la base sur

la phototension pour un coefficient d’absorption faible, est représenté à la figure 3.1.
82
CHAPITRE 3
Figure 3.1: Module de la phototension en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction (D0 =

35cm2/s; α = 6.2 cm-1)
Cette figure 3.1 nous montre que pour les faibles valeurs de la vitesse de recombinaison à la jonction,
la phototension est constante et maximale ; la photopile est en situation de circuit-ouvert : les
porteurs minoritaires de charge sont bloqués au voisinage de la jonction. Cela entraîne, de ce fait,
une phototension importante.
Par contre, lorsque la vitesse de recombinaison à la jonction augmente, la phototension diminue et

devient presque nulle en situation de court-circuit. En effet, en situation de court-circuit, les porteurs
minoritaires de charge en excès traversent la jonction pour participer au photocourant. Ce qui
entraîne une diminution de la phototension.
En utilisant les différentes valeurs de la fréquence de l’éclairement et de l’épaisseur optimum

correspondante, nous avons déterminé les valeurs de la phototension de circuit ouvert au tableau
3.1 de la photopile éclairée par la face arrière pour un coefficient d’absorption faible.
Tableau 3.1: Vco en fonction de la fréquence et de l’épaisseur optimum de la base pour un coefficient
d’absorption faible
ω(rad.s-1) 102 103 104 2.104 3.104 4.104 5.104 6.104 7.104 8.104 9.104 105
Hop (cm) 0.0117 0.0117 0.0116 0.0114 0.0111 0.0106 0.0102 0.0096 0.0091 0.0086 0.0081 0.0077
Vco 0.507 0.507 0.5068 0.5063 0.5056 0.5045 0.5033 0.5019 0.5004 0.4988 0.4972 0.4956
Ce tableau 3.1 nous a permis de tracer la figure 3.2 représentant le profil de la phototension de
circuit-ouvert en fonction de l’épaisseur optimum de la base pour un coefficient d’absorption faible.
83
CHAPITRE 3
Figure 3.2: Profil de la phototension de circuit ouvert en fonction de l’épaisseur optimum
Equation de corrélation mathématique :
Vco ( V )=2 .8×Hop ( cm) +0. 47 (3.3)
La figure 3.3 représente l’influence de la fréquence et de l’épaisseur optimum de la base sur la

phototension pour un coefficient d’absorption grand.
84
CHAPITRE 3
Figure 3.3: Module de la phototension en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction (D 0 =

35cm2/s; α = 21000 cm-1)
La phototension est maximale, pour les faibles valeurs de la vitesse de recombinaison à la jonction, et
correspond à la phototension de circuit ouvert. Cependant, lorsque la vitesse de recombinaison à la
jonction croît, la phototension diminue progressivement pour tendre vers une valeur nulle. La
phototension diminue avec la profondeur de la base de la photopile.
Le tableau 3.2 représente l’évolution de la phototension de circuit-ouvert (Vco) en fonction de la

fréquence et de l’épaisseur optimum de la base de la photopile éclairée par la face arrière pour un
coefficient d’absorption grand.
Tableau 3.2: Vco en fonction de la fréquence et de l’épaisseur optimum de la base pour un coefficient
d’absorption grand
ω(rad.s-1) 102 103 104 2.104 3.104 4.104 5.104 6.104 7.104 8.104 9.104 105
Hop (cm) 0.0086 0.0086 0.0084 0.0079 0.0073 0.0065 0.0056 0.0048 0.004 0.0033 0.0026 0.002
Vco 0.5685 0.5685 0.5686 0.5688 0.5691 0.5697 0.57 0.5708 0.5712 0.5717 0.5722 0.5724
Ce tableau 3.2 nous a permis de tracer la figure 3.4 représentant le profil de la phototension de
circuit-ouvert en fonction de l’épaisseur optimum de la base pour un coefficient d’absorption grand.
85
CHAPITRE 3
Figure 3.4: Profil de la phototension de circuit ouvert en fonction de l’épaisseur optimum
Cette figure 3.4 nous a permis d’établir une corrélation mathématique entre la phototension en
circuit ouvert et la profondeur de la base de la photopile.
Vco ( V )=−0 . 62×Hop ( cm )+0. 57

(3.4)
3.3. Influence de la fréquence et de l’épaisseur optimum de la base sur la

caractéristique I-V
Précédemment, la densité de photocourant et la phototension sont déterminées. L’influence de
certains paramètres sur ces dernières a été étudiée. A partir de ces résultats obtenus, la
caractéristique courant-tension est étudiée .
3.3.1. Pour un coefficient d’absorption faible
La figure 3.5 représente l’influence de la fréquence et de l’épaisseur optimum de la base sur la

caractéristique I-V pour un coefficient d’absorption faible.
86
CHAPITRE 3
Figure 3.5 : Caractéristique I-V (D0 = 35cm2/s; α = 6.2 cm-1)
La figure 3.5 représente la variation de la densité de photocourant en fonction de la phototension

pour différentes valeurs de la fréquence et de l’épaisseur optimum de la base correspondante. La
densité de photocourant est maximale et constante aux faibles valeurs de la phototension et
correspond à la densité de photocourant de court-circuit. Puis, elle diminue rapidement avant de
s’annuler lorsque la phototension est maximale correspondant à la phototension de circuit ouvert.
En outre, lorsque la fréquence augmente, la densité de photocourant de court-circuit diminue et la

phototension de circuit ouvert diminue légèrement.
Cette figure 3.5 permet de dresser le tableau 3.3 de valeurs du courant de court-circuit et de la
phototension de circuit ouvert en fonction de la fréquence et de l’épaisseur optimum.
Tableau 3. 3: Valeurs Jphcc et Vco en fonction de la fréquence et de Hop

ω(rad.s-1) 102 103 104 2.104 3.104 4.104 5.104 6.104 7.104 8.104 9.104 105
Hop(cm) 0.0117 0.0117 0.0116 0.0114 0.0111 0.0106 0.0102 0.0096 0.0091 0.0086 0.0081 0.0077
Vco(V) 0.507 0.507 0.5068 0.5063 0.5056 0.5045 0.5033 0.5019 0.5004 0.4988 0.4972 0.4956
Jphcc(mA/cm2) 1.974 1.974 1.964 1.943 1.911 1.857 1.814 1.746 1.689 1.631 1.572 1.524
Ces valeurs obtenues confirment les résultats obtenus précédemment
Ce tableau 3.3 nous a permis de représenter la variation du photocourant de court-circuit en fonction

de l’épaisseur optimum de la base, à la figure 3.6.
87
CHAPITRE 3
Figure 3.6: Profil du photocourant de court-circuit en fonction de l’épaisseur optimum
Cette figure 3.6 nous a permis d’établir une corrélation mathématique entre le photocourant de
court- circuit et l’épaisseur optimum de la base de la photopile.
Jphcc ( A . cm−2 )=0 . 11×Hop ( cm )+6 .7⋅10−4 (3.5)
3.3.2. Pour un coefficient d’absorption grand
La figure 3.7 représente l’influence de la fréquence et de l’épaisseur optimale de la base sur la

caractéristique I-V pour un coefficient d’absorption grand.
88
CHAPITRE 3
Figure 3.7: Caractéristique I-V (D = 35cm 2/s; α = 21000 cm-1)
Cette figure 3.7 comparative des caractéristiques I-V obtenues permet d’affirmer que pour une
fréquence et un coefficient d’absorption grand d’une photopile éclairée par la face arrière en régime
dynamique fréquentiel sous éclairement monochromatique, montre une valeur importante du
courant et augmente lorsque la fréquence augmente, tandis que la tension est faible mais augmente
faiblement au cours du temps.
D’une autre part on note aussi une diminution légère de l’épaisseur optimale entraine aussi une
faible augmentation de la tension et une augmentation du courant.
Donc on peut tirer comme conclusion l’augmentation de la fréquence et la diminution de l’épaisseur

optimale de la base augmente le courant et la tension lorsque le coefficient de d’absorption est
grand.
Cette figure 3.7 nous a permis de dresser le tableau de valeurs du photocourant de court-circuit et de
la phototension de circuit ouvert en fonction de la profondeur de la base de la photopile.
89
CHAPITRE 3
Tableau 3.7: Valeurs du courant de court-circuit et de la phototension de circuit ouvert en fonction

de la profondeur de la base de la photopile
ω(rad.s-1) 102 103 104 2.104 3.104 4.104 5.104 6.104 7.104 8.104 9.104 105
Hop (cm) 0.0086 0.0086 0.0084 0.0079 0.0073 0.0065 0.0056 0.0048 0.004 0.0033 0.0026 0.002
Vco 0.5685 0.5685 0.5686 0.5688 0.5691 0.5697 0.57 0.5708 0.5712 0.5717 0.5722 0.5724
Jphcc(mA/cm2) 21.27 21.27 21.41 21.73 22.23 23.06 23.81 24.94 26 27.14 28.36 29.48
Ces valeurs obtenues confirment les résultats obtenus précédemment : l’augmentation de la

profondeur de la base entraîne une diminution du photocourant de court-circuit (Jphcc) et de la
phototension de circuit ouvert (Vco) de la photopile à jonction verticale série.
Ce tableau 3.7 nous a permis de tracer la figure 3.8.
Figure 3.8: Profil du photocourant de court-circuit en fonction de l’épaisseur optimale
90
CHAPITRE 3
Cette figure 3.8 nous a permis d’établir une corrélation mathématique entre la phototension en
circuit ouvert et la profondeur de la base de la photopile.
Jphcc ( A/cm 2 ) =2.7⋅10 3 ×Hop3 +62×Hop 2 −2. 2×Hop ( cm )+3.4⋅10−2 [7] (3.6)
3.4. Etude de la puissance

La puissance est un paramètre électrique indispensable pour caractériser une photopile. Elle indique
la capacité de la photopile à fournir de l’électricité à la charge extérieure branchée à ses bornes. Plus
elle est grande, plus la photopile est de meilleure qualité.
3.4.1 Expression de la puissance
A partir des expressions de la densité de photocourant et de la phototension, est déduite

l’expression de la puissance électrique de la photopile pour un éclairement monochromatique. Une
cellule photovoltaïque peut être représentée par son modèle électrique à la figure 3.9 [8]:
Figure 3.9: Modèle électrique équivalent de la photopile sous éclairement
La loi d’ohm, appliquée à la figure 3.9, permet d’avoir l’expression de la puissance électrique de la
photopile donnée par:
P ( Sf , B , λ )=V ph ( Sf , B , λ ) . I
(3.7)
En appliquant la première loi de Kirchhoff au circuit de la figure, le courant I fourni à la charge est
donné par la relation suivante [20]:
91
CHAPITRE 3
I=J ph ( Sf , ω, λ ) −I d ( Sf , ω, λ )−I sh ( Sf , ω, λ )
(3.8)
I sh ( Sf , B , λ ) est le courant shunt et dans le cas d’un générateur idéal de courant Rsh tend vers
I ( Sf , B , λ ) =0.
l’infini et sh
( )
2
ni Vph ( Sf ,ω ,λ )
Id ( Sf ,ω, λ )=q×Sf 0 × ×exp
Nb VT
(3.9)
Sf 0 définit la vitesse de recombinaison associée aux pertes de porteurs de charges induites par la
résistance shunt ; elle caractérise la bonne qualité de la photopile.[10]
3.4.2. Influence de la fréquence et de l’épaisseur optimale de la base sur la

phototension pour un coefficient d’absorption respectivement faible et grand

phototension pour un coefficient d’absorption faible.
Le profil de la puissance électrique délivrée par la photopile en fonction de la vitesse de

recombinaison à la jonction est représenté à la figure suivente pour différentes valeurs de la
fréquence cyclotronique, du champ magnétique et de la température.
92
CHAPITRE 3
Figure 3.10: Module de la puissance en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction (D =

35cm2/s; α = 6.2 cm-1)
La figure 3.10 montre que la puissance augmente avec la vitesse de recombinaison à la jonction
jusqu’à une valeur maximale appelée point de puissance maximale (MPP). Puis, elle décroît
progressivement jusqu’à s’annuler. En effet, pour les faibles valeurs de la vitesse de recombinaison à
la jonction (circuit ouvert), la puissance délivrée est nulle car le courant photogénéré est presque nul.
Et lorsque la vitesse de recombinaison à la jonction augmente, le courant augmente lentement
engendrant une augmentation de la puissance jusqu’à sa valeur maximale. Cependant, avec les
grandes valeurs de la vitesse de recombinaison à la jonction (fonctionnement de la photopile en
court-circuit), la phototension tend à s’annuler. Cela provoque une diminution de la puissance.
Nous observons également que la puissance maximale décroît avec l’intensité du champ magnétique
augmente et rapproche le point de fonctionnement de la photopile vers celui du circuit ouvert.
93
CHAPITRE 3
La figure 3.11 présente l'évolution de la puissance en fonction de la phototension pour différentes

valeurs du champ magnétique.
Figure 3.11: Module de la puissance en fonction du module de la phototension (D = 35cm2/s; α = 6.2

cm-1)
Cette figure 3.11 montre que la puissance augmente linéairement avec la phototension jusqu’à
atteindre sa valeur maximale, puis décroît. La linéarité de la variation de la puissance de la photopile
en fonction de la phototension jusqu’à sa valeur maximale peut être expliquée par le fait qu’au
voisinage du fonctionnement de la photopile en situation de court-circuit, le photocourant est
pratiquement constant ; cependant, dès qu’on n’est pas dans cette situation de fonctionnement de la
photopile (vers le circuit ouvert) la puissance diminue jusqu’à s’annuler lorsque la phototension tend
vers sa valeur du circuit ouvert. La puissance maximale décroît avec l’intensité du champ
magnétique. En effet, le champ magnétique favorise la recombinaison des porteurs dans la base en
réduisant leur mobilité et le coefficient de diffusion.
L’application du champ magnétique entraîne un déplacement du point de fonctionnement de la

photopile vers celui du court-circuit et une entraîne une diminution de la puissance.
Les valeurs de la puissance maximale sont données aux tableaux 3.8.
Tableau 3.8: Valeurs de Pmax et de la phototension maximale en fonction du champ magnétique

ω(rad.s-1) 102 103 104 2.104 3.104 4.104 5.104 6.104 7.104 8.104 9.104 105
Hop (cm) 0.0117 0.0117 0.0116 0.0114 0.0111 0.0106 0.0102 0.0096 0.0091 0.0086 0.0081 0.0077
Pmax(mW) 0.8055 0.8055 0.801 0.7917 0.7775 0.7539 0.7344 0.7053 0.6803 0.6548 0.6290 0.6079
94
CHAPITRE 3
Figure 3.12: Profil de la puissance maximale en fonction de l’épaisseur optimale
La puissance maximale diminue quand l’intensité du champ magnétique augmente. Une diminution
du rendement de conversion de la photopile avec la présence du champ magnétique est attendue.
P max ( W .cm−2 )=4 . 9⋅10−2 ×Hop ( cm) +2 . 4⋅10−4 [11] (3.10)

phototension pour un coefficient d’absorption grand.
95
CHAPITRE 3
Figure 3.13: Module de la puissance en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction (D =

35cm2/s; α = 21000 cm-1)
96
CHAPITRE 3
Figure 3.14: Module de la puissance en fonction du module de la phototension (D = 35cm2/s; α =

21000 cm-1)
La figure 3.14 montre que la puissance électrique augmente avec la phototension jusqu’à Vphmax
qui correspond à la phototension donnant la puissance maximale; pour décroître jusqu’à s’annuler,
ensuite. Les valeurs de la puissance maximale et de la phototension correspondantes sont données
au tableau 3.9.
Tableau 3.9: Valeurs de Pmax et de la phototension maximale en fonction de la profondeur

ω(rad.s-1) 102 103 104 2.104 3.104 4.104 5.104 6.104 7.104 8.104 9.104 105
Hop (cm) 0.0086 0.0086 0.0084 0.0079 0.0073 0.0065 0.0056 0.0048 0.004 0.0033 0.0026 0.002
Pmax(mW) 9.919 9.919 9.991 10.14 10.38 10.79 11.15 11.7 12.22 12.77 13.36 13.9
Sur ce graphe on constate que la puissance maximale diminue lorsque la fréquence augmente et
l’épaisseur optimale de la base diminue quand le coefficient d’absorption est faible.
Donc on peut dire que la puissance est faible et diminue quand le coefficient d’absorption est faible.
Figure 3.15: Profil de la puissance maximale en fonction de l’épaisseur optimale
97
CHAPITRE 3
Equation de corrélation mathématique :[14]
P max ( W .cm−2 )=51×Hop 2 −1. 1⋅10−2 ×Hop ( cm )+1 . 6⋅10−2

(3.11)
3.5. Facteur de forme

3.5.1. Expression
Le facteur de forme permet de relier la caractéristique I-V de la photopile réelle à celle d’une
photopile idéale qui serait un rectangle de surface Icc.Vco. Il représente l’incurvation de la courbe
courant-tension. Il représente aussi la fraction de la puissance perdue dans le matériau semi-
conducteur soit par effet de résistance soit par phénomènes de recombinaison des porteurs de
charge photo générés. Pour un facteur de forme tendant vers l'unité, la caractéristique I-V tend à
adopter une forme rectangulaire. Son expression est obtenue en faisant le rapport entre la puissance
maximale et le produit du courant de court-circuit par la phototension de circuit ouvert :
P max
FF=
Vco×Jphcc
(3.12)
3.5.2. Influence de la fréquence et de l’épaisseur optimale de la base sur le

facteur de forme
Avec la caractéristique I-V, les valeurs de la phototension de circuit ouvert (Vco) et de la densité de
photocourant de court-circuit Jphcc sont déterminées. Et cela permet de donner la valeur du facteur
de forme en fonction de l’intensité du champ magnétique au tableau 3.4.
Tableau 3.10: Valeurs du facteur de forme en fonction du champ magnétique et de Hop

ω(rad.s-1) 102 103 104 2.104 3.104 4.104 5.104 6.104 7.104 8.104 9.104 105
Hop(cm) 0.0117 0.0117 0.0116 0.0114 0.0111 0.0106 0.0102 0.0096 0.0091 0.0086 0.0081 0.0077
Pmax(mW) 0.8055 0.8055 0.801 0.7917 0.7775 0.7539 0.7344 0.7053 0.6803 0.6548 0.6290 0.6079
Vco(V) 0.507 0.507 0.5068 0.5063 0.5056 0.5045 0.5033 0.5019 0.5004 0.4988 0.4972 0.4956
98
CHAPITRE 3
Jphcc(mA.cm2) 1.974 1.974 1.964 1.943 1.911 1.857 1.814 1.746 1.689 1.631 1.572 1.524
FF 0.805 0.805 0.805 0.805 0.805 0.805 0.805 0.805 0.805 0.805 0.805 0.805
Ce tableau 3.10 montre que l’augmentation de l’intensité du champ magnétique augmente entraîne
l’accroissement du facteur de forme et nous a permis de tracer la figure 3.15.
Avec la caractéristique I-V, les valeurs de la phototension de circuit ouvert (Vco) et de la densité de
photocourant de court-circuit Jphcc sont déterminées. Et cela permet de donner la valeur du facteur
de forme en fonction de l’intensité du champ magnétique au tableau 3.15.
Tableau 3.11: Valeurs du facteur de forme en fonction du champ magnétique et de Hop

ω(rad.s-1) 102 103 104 2.104 3.104 4.104 5.104 6.104 7.104 8.104 9.104 105
Hop (cm) 0.0086 0.0086 0.0084 0.0079 0.0073 0.0065 0.0056 0.0048 0.004 0.0033 0.0026 0.002
Pmax(mW) 9.919 9.919 9.991 10.14 10.38 10.79 11.15 11.7 12.22 12.77 13.36 13.9
Vco 0.5685 0.5685 0.5686 0.5688 0.5691 0.5697 0.57 0.5708 0.5712 0.5717 0.5722 0.5724
Jphcc(mA/cm2) 21.27 21.27 21.41 21.73 22.23 23.06 23.81 24.94 26 27.14 28.36 29.48
FF 0.8203 0.8203 0.8207 0.8204 0.8205 0.8213 0.8216 0.8218 0.8228 0.8230 0.8232 0.8237
Ce tableau 3.11 montre que l’augmentation de l’intensité du champ magnétique augmente entraîne
l’accroissement du facteur de forme et nous a permis de tracer la figure 3.15.
3.6. Rendement de conversion photovoltaïque

3.6.1. Expression
Le rendement de conversion d’une cellule photovoltaïque est le rapport entre la puissance maximale
fournie par la photopile et la puissance lumineuse incidente absorbée, il s’écrit comme suit :
P max
η=
Pincidente
(3.13)
99
CHAPITRE 3
Pincidente: est la puissance de la lumière incidente absorbée par le générateur photovoltaïque avec

Pincidente = 100 mW.cm-2, dans les conditions standards AM 1.5.
3.6.2. Influence de la fréquence et de l’épaisseur optimale sur le rendement
Tableau 3.12: Valeurs de la fréquence en fonction du rendement et de Hop

ω(rad.s-1) 102 103 104 2.104 3.104 4.104 5.104 6.104 7.104 8.104 9.104 105
Hop(cm) 0.0117 0.0117 0.0116 0.0114 0.0111 0.0106 0.0102 0.0096 0.0091 0.0086 0.0081 0.0077
Pmax(mW) 0.8055 0.8055 0.801 0.7917 0.7775 0.7539 0.7344 0.7053 0.6803 0.6548 0.6290 0.6079
Pinc(mW) 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100
ɳ(%) 0.8055 0.8055 0.801 0.7917 0.7775 0.7539 0.7344 0.7053 0.6803 0.6548 0.6290 0.6079
Tableau 3.13: Valeurs de la fréquence en fonction du rendement et de Hop

ω(rad.s-1) 102 103 104 2.104 3.104 4.104 5.104 6.104 7.104 8.104 9.104 105
Hop (cm) 0.0086 0.0086 0.0084 0.0079 0.0073 0.0065 0.0056 0.0048 0.004 0.0033 0.0026 0.002
Pmax(mW) 9.919 9.919 9.991 10.14 10.38 10.79 11.15 11.7 12.22 12.77 13.36 13.9
Pinc(mW) 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100
ɳ(%) 9.919 9.919 9.991 10.14 10.38 10.79 11.15 11.7 12.22 12.77 13.36 13.9
Conclusion
Dans ce chapitre, une étude des paramètres électriques phénoménologiques de la photopile à
jonction verticale série sous éclairement monochromatique et sous champ magnétique a été
présentée. Il en ressort une diminution de la densité de photocourant de court-circuit avec le champ
100
CHAPITRE 3
magnétique. Cependant, la présence du champ magnétique augmente la phototension de circuit

ouvert. De plus, la présence du champ magnétique engendre une diminue de la puissance électrique
délivrée et du rendement de conversion de la photopile à jonction verticale série. Par contre, le
facteur de forme augmente avec le champ magnétique. L’étude a montré que l’épaisseur de la base,
la profondeur de la base et la longueur d’onde excitatrice influent sur les paramètres
phénoménologiques.
101
Chapitre 4
Chapitre 4 : Détermination de paramètres électriques macroscopiques

4.1. Introduction
Les paramètres électriques macroscopiques comme les paramètres phénoménologiques sont des
éléments importants dans le fonctionnement d’une cellule solaire photovoltaïque.
Dans ce chapitre 4, sont déterminés les résistances série et shunt de la photopile à jonction verticale
série sous champ magnétique. Leur profil en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction
pour différentes valeurs de l’épaisseur optimum, de la profondeur de la base de la photopile et de la
longueur d’onde optique excitatrice est étudié. Enfin, est étudiée la capacité de la zone de charge
d’espace de la photopile en fonction de ces derniers.
4.2. Résistance série

C’est un paramètre électrique macroscopique important dans la caractérisation de la photopile. La
résistance série d'une photopile dépend des effets conjugués de la résistivité du matériau
semiconducteur, des contacts métalliques constituants les électrodes et la grille de collecte des
porteurs minoritaires de charge en excès dans la base. Elle est souvent très faible pour les photopiles
de bonne qualité.
La résistance série(Rs)joue un rôle déterminant sur la qualité de la photopile.Elle modélise les pertes
résistives au sein de la photopile (les métallisations) et est liée à l’impédance des électrodes et du
matériau. C’est un paramètre fondamental dépendant de la nature du substrat, de la température et
de la technologie utilisée. Plus cette résistance série est petite, plus la photopile est performante.[1] .
[2] .[10]
4.2.1. Expression
Sur la caractéristique I-V de la photopile, deux situations de fonctionnement caractéristiques sont

distinguées. Il s’agit du fonctionnement en mode circuit ouvert où la phototension est maximale(le
photocourant presque nulle) et en mode court-circuit où le photocourant est maximal (la
phototension presque nulle). En situation de circuit-ouvert, la caractéristique est une droite
oblique permettant la modélisation de la photopile comme une source de tension idéale. La situation
de fonctionnement de la photopile en circuit ouvert est montrée à la figure 4.1.
102
Chapitre 4
Figure 4.1: Détermination de la résistance série à partir de la caractéristique I-V au voisinage du

circuit ouvert.
La zone encerclée correspond à la partie de la caractéristique I-V qui est presque verticale et peu
dépendante de la densité de photocourant. La photopile se présente comme une source de tension
débitant une tension électrique constante quelle que soit la valeur du courant. Cette tension débitée
correspond à la phototension de circuit ouvert de la photopile. Puisqu’une photopile réelle n’est pas
idéale, elle présentera donc des fuites de tension. Ces fuites de tension, faibles pour les photopiles
de bonne qualité, se caractérisent par la présence, dans le circuit équivalent électrique, d’une
résistance montée en série, appelée résistance série, avec la source de tension de force
électromotrice égale à la phototension de circuit ouvert de la photopile. Ainsi, selon le théorème de
Thévénin, la cellule photovoltaïque peut être modélisée comme l’indique la figure 4.2 :
Figure 4.2: Schéma électrique équivalent de la photopile comme un réel générateur de tension
En appliquant la loi des mailles au circuit de la figure 4.2, on trouve l’expression de la résistance
série de la photopile:
103
Chapitre 4
Vco ( ω, λ )−Vph(Sf ,ω, λ )

Rs(Sf , λ, ω)=
Jph(Sf ,ω, λ)
(4.1)
Ainsi, la résistance série dépend de Vco, Vph et Jph lorsque la photopile est en mode circuit ouvert.
4.2.2. Influence de la fréquence et de l’épaisseur optimale
La figure 4. 3 représente la variation de la résistance série en fonction de la vitesse de recombinaison

à la jonction pour différentes valeurs de l’intensité de champ magnétique.
Figure 4.3: Module de la résistance série en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction (D =

35cm2 /s; α = 6.2 cm-1)
La figure 4.3 montre que la résistance série dépend de la vitesse de recombinaison à la jonction et
augmente avec cette dernière. L’augmentation de la vitesse de recombinaison à la jonction
correspond à une augmentation du nombre d’électrons traversant la jonction conduisant à
l’échauffement du métal conducteur de la photopile.
Une augmentation de la résistance série avec l’intensité du champ magnétique est constatée. Cette
figure 4.3 permet de dresser le tableau 4.1 ci-dessous.
104
Chapitre 4
Tableau 4.1: Valeurs de la résistance série en fonction du champ B et Hop

ω(rad.s-1) 102 103 104 2.104 3.104 4.104 5.104 6.104 7.104 8.104 9.104 105
Hop (cm) 0.0117 0.0117 0.0116 0.0114 0.0111 0.0106 0.0102 0.0096 0.0091 0.0086 0.0081 0.0077
Rs(Ω/cm2) 13.11 13.11 13.18 13.32 13.54 13.94 14.27 14.82 15.32 15.87 16.47 16.98
Ce tableau 4.1 nous a permis de tracer les figures 4.4.
Figure 4.4: Profil du photocourant de court-circuit en fonction de l’épaisseur optimale.
On constate que quand la résistance série augmente l’épaisseur optimale dimunie
Rs ( Ω. cm−2 ) =7 . 9⋅10 4 ×Hop 2 −2 .5⋅103 ×Hop ( cm ) +32 (4.2)
105
Chapitre 4
Figure 4.5: Module de la résistance série en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction (D =

35cm2 /s; α = 21000 cm-1)
Pour différentes valeurs décroissante de la fréquence quand la vitesse de recombinaison augmente

la valeur de la résistance shunt augmente aussi.
ω(rad.s-1) 102 103 104 2.104 3.104 4.104 5.104 6.104 7.104 8.104 9.104 105
Hop (cm) 0.0086 0.0086 0.0084 0.0079 0.0073 0.0065 0.0056 0.0048 0.004 0.0033 0.0026 0.002
Rs(Ω/cm2) 1.217 1.217 1.209 1.191 1.165 1.123 1.087 1.038 0.9953 0.9535 0.9125 0.8779
Pour différente valeur de fréquence, pour des valeurs décroissantes de la résistance shunt
on constate que l’épaisseur optimale décroit aussi
106
Chapitre 4
Figure 4.6: Profil de la résistance série en fonction de l’épaisseur optimale
Pour des valeurs croissante de l’épaisseur optimale, la valeur de la résistance série augmente
Rs ( Ω/cm2 ) =52×Hop ( cm) +0 . 79

(4.3)
4.3. Résistance shunt

C’est un paramètre électrique macroscopique important dans la caractérisation de la photopile à
jonction verticale série, sous champ magnétique. Elle est due au courant de fuite au niveau de la
jonction émetteur-base de la photopile. La résistance shunt représente l’ensemble des courants de
fuites au sein de la photopile. Elle modélise les imperfections dans la zone de charge d’espace et au
bord de la photopile. La résistance shunt est très élevée au sein des photopiles de bonne qualité [3].
[4]. [5].
4.3.1. Expression
Pour déterminer la résistance shunt de la photopile à jonction verticale série, les faibles valeurs de la
phototension de la caractéristique I-V sont considérées. Cette partie de la courbe correspond à la
situation de court-circuit. Les caractéristiques que la photopile présente dans ces circonstances
correspondent à celles d’une source de courant débitant un courant électrique constant quelle que
107
Chapitre 4
soit la valeur de la tension. Ce courant débité correspond à la densité de photocourant de court-

circuit de notre photopile à jonction verticale série. Et comme une photopile n’est pas idéale, elle
présentera donc des fuites de courant. Ces courants de fuite, généralement faibles pour les
photopiles de bonne qualité, se caractérisent par la présence d’une charge interne dans la photopile
qu’on appelle résistance de fuite ou résistance shunt [6] [7]..
Figure 4.7: Détermination de la résistance shunt à partir de la caractéristique I-V
La figure 4.8 représente le schéma électrique équivalent de la photopile en mode court-circuit :
Figure 4.8: Circuit électrique équivalent de la photopile fonctionnant en court-circuit
En appliquant la loi des nœuds au circuit électrique équivalent de la photopile fonctionnant en court-
circuit, nous obtenons l’expression de la résistance shunt par l’équation :
108
Chapitre 4
Vph(Sf ,ω, λ)
Rsh( Sf , ω, λ)=
Jphcc ( ω,λ ) −Jph(Sf ,ω, λ)
(4.4)
La résistance shunt RSh dépend de la phototension (Vph), du photocourant (Jph) et du courant de

court-circuit pour Sf>105 cm/s correspondant au mode de fonctionnementcourt-circuit.
4.3.2. Influence de la fréquence et de l’épaisseur optimale
La figure 4.13 présente les effets du champ magnétique sur la variation de la résistance shunt de la
photopile à jonction verticale série en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction.
Figure 4.9: Module de la résistance shunt en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction (D

= 35cm2 /s; α = 6.2 cm-1)
Une augmentation de la résistance shunt avec l’intensité du champ magnétique est constatée, à la
figure 4.9. En effet, lorsque le champ magnétique augmente, la mobilité des porteurs minoritaires de
charge diminue. Ce phénomène réduit la production de photocourant. De ce fait, une réduction des
courants de fuites est constatée. Par conséquent, la résistance shunt augmente.
109
Chapitre 4
Une augmentation de la résistance shunt avec la vitesse de recombinaison à la jonction est, aussi,
constatée sur cette figure 4.9. En effet, la vitesse de recombinaison à la jonction caractérise le flux de
porteurs minoritaires de charge à travers la jonction et le courant disponible pour la charge externe.
L’augmentation de cette dernière favorise l’activité des porteurs minoritaires et accentue, ainsi, les
courants de fuites au sein de la photopile ; d’où cette augmentation de la résistance shunt avec la
vitesse de recombinaison à la jonction.
ω(rad.s-1) 102 103 104 2.104 3.104 4.104 5.104 6.104 7.104 8.104 9.104 105
Hop (cm) 0.0117 0.0117 0.0116 0.0114 0.0111 0.0106 0.0102 0.0096 0.0091 0.0086 0.0081 0.0077
Rsh(Ω/cm2) 934.1 934.1 941.9 966.4 1007 1061 1132 1214 1311 1419 1537 1668
Rsh ( Ω /cm2 )=2 . 4⋅107 ×Hop 2 −6 . 4⋅105 ×Hop ( cm )+5. 2⋅103 (4.5)
110
Chapitre 4
Figure 4.11: Module de la résistance shunt en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction (D

= 35cm2 /s; α = 21000 cm-1)
La figure 4.11 montre que la résistance shunt augmente lorsque la vitesse de recombinaison à la
jonction. En effet, la vitesse de recombinaison à la jonction caractérise le flux de porteurs
minoritaires de charge à travers la jonction et le courant disponible pour la charge externe.
L’augmentation de cette dernière favorise l’activité des porteurs minoritaires et accentue, ainsi, les
courants de fuites au sein de la photopile; d’où cette augmentation de la résistance shunt avec la
vitesse de recombinaison à la jonction. En outre, est remarquée une augmentation de la résistance
shunt avec la profondeur de la base. Cette augmentation de la profondeur traduit une diminution du
taux de génération de paires électron-trou d’après la loi de Beer-Lambert et une probabilité de
présence de défauts dans matériau semi-conducteur.
ω(rad.s-1) 102 103 104 2.104 3.104 4.104 5.104 6.104 7.104 8.104 9.104 105
111
Chapitre 4
Hop (cm) 0.0086 0.0086 0.0084 0.0079 0.0073 0.0065 0.0056 0.0048 0.004 0.0033 0.0026 0.002
Rsh(106 Ω/cm2) 5.422 5.422 5.38 5.267 5.094 4.864 4.617 4.347 4.082 3.824 3.581 3.35
Rsh ( Ω /cm2 )=3 . 1⋅108 ×Hop ( cm )+2 . 8⋅106 [12] (4.6)
4.4. Capacité
4.4.1. Expression
La capacité est définie par le rapport de la charge totale traversant la jonction par la phototension
aux bornes de la photopile. Son expression est donnée par l’équation:
dQ
C=
dV ph (4.7)
112
Chapitre 4
Avec la charge totale Q=q⋅δ ( 0 , ω, λ ) (4.8)
Où δ ( 0 , ω, λ ) est la densité des porteurs minoritaires de charge en excès dans la base à la jonction,
q est la charge élémentaire.
Compte tenu de l'expression de la phototension, la capacitépeut être réécrite comme:
( )
n q . n2i δ(0 , ω , λ )
q i2
C= +δ ( 0 , ω , λ ) = +q
V T Nb Nb. V T VT
(4.9)
4.4.2. Influence de la fréquence et de l’épaisseur optimale sur la capacité
Figure 4.13: Module de la capacité en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction (D =

35cm2 /s; α = 6.2 cm-1)
Cette figure 4.13 montre que la capacité diminue avec la vitesse de recombinaison à la jonction,
déterminant le mode de fonctionnement de la photopile et présente deux paliers :
113
Chapitre 4
- l’un avec les faibles valeurs de la vitesse de recombinaison à la jonction (Sf < 10 2 cm.s-1)
correspondant au mode de fonctionnement circuit ouvert de la photopile. La capacité est maximale
et constante. Ceci est dû au stockage des porteurs de charge minoritaires en excès dans la base près
de la jonction émetteur-base qui augmente, ainsi, de la capacité: rétrécissement de la zone de charge
d’espace (ZCE) ;
- l’autre palier, avec les grandes valeurs de la vitesse de recombinaison (Sf > 105 cm.s-1), correspond
au mode de fonctionnement en court-circuit de la photopile. La capacité y est faible car un grand
nombre de porteurs de charge minoritaires en excès dans la base de la photopile ont traversé la
jonction émetteur-base pour participer au photocourant diminuant donc leur densité au voisinage de
la jonction: élargissement de la zone de charge d’espace (ZCE).
La capacité de circuit ouvert augmente avec l’intensité du champ magnétique appliquée. Cet
accroissement est lié à l’augmentation de la densité des porteurs minoritaires en excès dans la base.
Figure 4.14: Module de la capacité en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction (D =

35cm2 /s; α = 21000 cm-1)
4.4.3. Influence de la fréquence et de l’épaisseur optimale sur la capacité sous

obscurité
114
Chapitre 4
Nous savons que l’expression de la capacité s’écrit :
δ (0 , ω , λ)
C=Co+q⋅
VT
(4.13)
q⋅n 2
i
Co=
Nb. V T
Avec (4.14)
Où Co est la capacité sous obscurité de la photopile.
L’équation (4.16) peut être réécrite de la forme :
C=Co⋅exp
( )
V ph
VT
(4.15)
Avecla fonction logarithme, nous réécrivons l’équation (4.18) comme suit :
V ph
ln C−ln Co=
VT
(4.16)
L’équation (4.19) peut être exprimée comme suit :
1
ln C= ⋅V + ln Co
V T ph
(4.17)
Ainsi, le logarithme de la capacité en fonction de la phototension est une droite de pente 1/V T dont
l’ordonnée à l’origine correspond à la valeur ln(C 0) permettant la détermination de la capacité sous
obscurité (Co) de la photopile.
4.4.3.1.Pour un coefficient d’absorption faible
La figure 4.30 représente le profil du logarithme de la capacité en fonction de la phototension pour
différentes valeurs du champ magnétique.
115
Chapitre 4
Figure 4.15: Logarithme de la capacité en fonction de la phototension (D = 35cm2 /s; α = 6.2 cm-1)
Le logarithme de la capacité en fonction de la phototension en fonction du champ magnétique est

une droite de pente 1/VT. Le point d’intersection avec l’axe de la capacité correspond à la valeur de la
capacité sous obscurité C0 [8] [10]. [13]..
D’après ces valeurs du tableau 4.10, le constat est que le champ magnétique n’a pas d’influence sur
la capacité sous obscurité de la photopile à jonction verticale série [14].
Co=5 . 1⋅10−10 F /cm 2 (4.18)
116
Chapitre 4
Figure 4.16: Logarithme de la capacité en fonction de la phototension (D = 35 cm2 /s; α = 21000

cm-1)
−10 2
Co=5 . 1⋅10 F /cm (4.19)[19]
Conclusion
Dans ce chapitre, une étude des paramètres électriques macroscopiques de la photopile bifaciale
éclairée par la face arrière, en régime fréquentiel a été présentée. L’étude montre que la capacité de
la photopile augmente avec la fréquence, en circuit ouvert. En fonction de la vitesse de
recombinaison à la jonction, nous avons constaté une décroissance de la capacité de diffusion. Cette
étude montre que la capacité sous obscurité, déterminée à partir du logarithme népérien de la
capacité de diffusion en fonction de la phototension aux bornes de la photopile, est indépendante de
la fréquence.
En ce qui concerne la résistance série de la photopile, elle augmente. Cela reflète un accroissement
de la résistivité du matériau semi-conducteur constituant la cellule photovoltaïque.
Quant à la résistance shunt, elle diminue en fonction de la fréquence.
117
Conclusion générale
Dans ce travail, une étude théorique d'une photopile bifaciale au silicium monocristallin en régime
statique, sous éclairement monochromatique par la face arrière est présentée. Après avoir rappelé
un certain nombre de techniques de caractérisation des photopiles sous différents régimes, une
étude théorique sur la densité des porteurs minoritaires de charge en excès dans la base de la
photopile est faite en résolvant l’équation de continuité régissant les phénomènes de génération, de
diffusion et de recombinaison.
La variation de la densité des porteurs minoritaires, en fonction de l’épaisseur de la base pour

différentes valeurs de la fréquence est étudiée. Ainsi, l’augmentation de ce dernier engendre une
augmentation de la densité des porteurs minoritaires en excès dans la base à la jonction en circuit
ouvert et en volume en court-circuit.
L’expression de la densité des porteurs minoritaires en excès dans la base a permis la détermination
de paramètres électriques phénoménologiques. L’application de la loi de Fick a donné l’expression de
la densité de photocourant. Il ressort de cette étude que le photocourant est presque nul pour les
faibles valeurs de la vitesse de recombinaison à la jonction ; et est maximale, correspondant au
photocourant de court-circuit, pour les grandes valeurs de la vitesse de recombinaison à la face
jonction.
Une technique d’optimisation de l’épaisseur de la base de la photopile, à partir de l’intersection des

courbes de vitesses de recombinaison à la face arrière obtenues en dérivant par rapport à la vitesse
de recombinaison à la jonction la densité de photocourant, est faite. Cette optimisation permet de
réduire les pertes de porteurs photogénérées dans la base sans altérer le rendement de la photopile
et le coût de fabrication de cellules solaires photovoltaïques.
Après cela, à partir de la relation de Boltzmann, nous avons établi l’expression de la phototension.
L’étude nous a montré que la phototension est maximale pour les faibles valeurs de la vitesse de
recombinaison à la jonction et est presque nulle pour les grandes valeurs de cette dernière.
L’expression de la puissance électrique est déterminée à partir du circuit électrique équivalent de la

photopile. L’étude a montré que le point de puissance maximale décroît avec la fréquence. Après
avoir déterminé la puissance, le facteur de forme dépendant de la puissance maximale et du
photocourant de court-circuit et de la phototension de circuit ouvert est déterminé.
La dernière partie de cette étude porte sur la détermination des paramètres électriques
macroscopiques comme la résistance série, la résistance shunt et la capacité de la photopile.
117
A partir du photocourant et de la phototension, la caractéristique courant-tension (I-V) a été tracée.

Deux situations de fonctionnement caractéristiques sont distinguées sur cette caractéristique I-V. En
situation de circuit ouvert, elle présente une droite oblique permettant de modéliser la photopile
comme une source de tension idéale. Cependant, la photopile réelle n’étant pas idéale, elle présente
donc des fuites de tension, faibles pour photopile de qualité, caractérisées par la présence d’une
résistance montée en série dans le circuit électrique équivalent. L’application de la loi des mailles
nous a permis d’établir l’expression de la résistance série de la photopile. L’étude nous a montré que
la résistivité du matériau semi-conducteur constituant la photopile augmente avec la fréquence.
L’expression de la résistance shunt, en considérant la caractéristique I-V en situation de court-circuit

où la phototension est faible, est établie. Dans ce cas, la photopile est une source de courant
débitant un courant constant quelle que soit la valeur de la tension. Et comme la photopile n’est pas
idéale, elle présente alors des fuites de courant caractérisant la présence d’une résistance de charge
appelée résistance de fuite ou résistance shunt. L’étude nous a montré que la présence de la
fréquence et l’épaisseur optimum augmente la résistance shunt. Enfin, l’expression de la capacité de
la photopile est établie. La capacité est maximale en situation de circuit ouvert et presque nulle en
situation de court-circuit. L’influence de la fréquence et de l’épaisseur optimum sur la capacité est
plus remarquée en situation de circuit ouvert. Le logarithme népérien de la capacité est une fonction
linéaire de la phototension aux bornes de la photopile donnant la valeur de la capacité sous
obscurité. L’étude a montré que la fréquence et l’épaisseur optimum n’influe pas sur la valeur de la
capacité sous obscurité.
Comme perspective, ce travail pourrait être conduit sur une photopile en :
1. Régime statique sous éclairement polychromatique G (ai, bi, z) ;

2. Régime dynamique :
1. Fréquentiel sous éclairement polychromatique
1. Transitoire sous éclairement constant ou pulsé, monochromatique ou
multispectral ;
1. En trois dimensions.
118
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Etude de la photopile bifaciale (n+/p/p+) au silicium sous

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Président Grégoire SISSOKO Professeur Titulaire FST/UCAD

Habiboula Lemrabott Maitre de conférences ESMT/DAKAR

Ousmane Sow Maitre de conférences IUT/UIDT/THIES

Moustapha THIAME Maitre de conférences UASZ

Directeur de thèse Mamadou Wade Professeur Titulaire EPT/THIES

A mes garçons : Elhadj Boubacar, Taha et Ibrahima SALL

Mr Grégoire Sissoko, Professeur Titulaire à la Faculté des Sciences et Techniques de l’Université

Mr M. Mamadou Wade : Professeur titulaire à l’Ecole Polytechnique de Thiès (EPT),

Mr M. Ousmane Sow : Maître de conférences à l’Institut Universitaire de Thiès IUT,

Mr M. Habiboula Lemrabott : Maître de conférences ESMT DAKAR, pour sa participation

Mr M. Alassane Diene : Maître de conférences à l’école polytechnique de Thiès, pour ses

Mr, GORA DIOP : DR Assistant vaccataire à la Faculté des Sciences et Techniques de

Ce travail a été effectué au sein du Groupe International de Recherche en Energie Renouvelable

L’expression de la densité de porteurs minoritaires de charge en excès dans la base de la photopile

1.2.14 Surface Recombination Concept as Applied to Determinate Silicon Solar Cell

Chapitre 3 : Détermination des caractéristiques I-V, P-V, FF et η sous l’influence de

4.2.2.1. Pour un coefficient d’absorption faible..............................................................103

Symbole Définition Unité

base sans champ magnétique

H Epaisseur de la base de la photopile cm

Longueur de diffusion complexe des porteurs de charge

P Puissance électrique de la photopile W . cm

q Charge électrique élémentaire C

Sf Vitesse de recombinaison à la jonction cm . s

τ Durée de vie des porteurs minoritaires s

Figure 1.65 : Photopile bifaciale sous champ magnétique et sous température......................62

Figure 4.2: Schéma électrique équivalent de la photopile comme un réel générateur de

Tableau 1. 1: Epaisseur de la photopile pour différent coefficient de diffusion.......................25

Chapitre 1: Etude bibliographique

1.2 Etude bibliographique sur la caractérisation des photopiles

Le stockage, les pertes et la réduction de la recombinaison des porteurs minoritaires en excès à

Dans ce modèle, C caractérise l'effet de capacité de la vitesse de recombinaison de jonction

Dans ce modèle, l'inductance L caractérise la capacité de l'interface émetteur-base pour recombiner

intrinsèque de recombinaison de la surface arrière. Ainsi, quand on n'applique pas de champ

1.2.2 Three-dimensional study of a polycrystalline silicon solar cell: the

Figure 1.5 : Modèle tridimensionnel du grain de silicium polycristallin.

Pour cela, ils ont considéré que :

Figure 1.6 : Module du coefficient de diffusion en fonction de la fréquence angulaire et du champ

du cyclotron. Le champ magnétique appliqué à la photopile a tendance à ralentir les électrons

Le courant de diode de la photopile en fonction de la vitesse de recombinaison (échelle semi-

Figure 1.7 : Courant de la diode en fonction du logarithme de Sfj.

Ils distinguent deux zones :

1.2.3 Capacitance of Vertical Parallel Junction Silicon Solar Cell under

Les auteurs ont représenté le diagramme de Nyquist de la capacité de la cellule solaire en

Les résultats suivants sont obtenus :

1.2.5 Determination of the Recombination and Electrical Parameters of a

Les auteurs ont traité ce modèle en utilisant les hypothèses suivantes

Figure 1.11 : Circuit équivalent de la cellule solaire en circuit ouvert.

En utilisant ce circuit, l'expression des résistances de shunt peut être écrite :

La résistance de shunt expérimentale est obtenue en résolvant l’équation ci-dessous:

Sa détermination graphique est illustrée à la figure 1.12.

Figure 1.12 : Résistance de shunt par rapport à la vitesse de recombinaison de jonction :

La valeur expérimentale de la résistance shunt est déterminée lorsque la vitesse de recombinaison à

1.2.6 Influence of Magnetic Field on the Capacitance of a Vertical Junction

La solution de l'équation de continuité peut s’écrire :

Les coefficients A et E sont déterminés par les conditions limites :

14. En (x = 0) à la jonction émetteur-base :