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LP203 – Correction du CC du 12/11/2008

Exercice 1
1.1 Symétries de la distribution de charges – Direction de E

Tout plan passant par O est plan de symétrie de la distribution de charge.


Comme le champ E appartient à l’intersection de 2 plans de symétrie, on en déduit

O que le champ est radial : E(r) = E(r,ϕ,θ) er



→ →

Par symétrie sphérique, il est évident que E ne dépend pas de ϕ et θ. E(r,ϕ,θ) = E(r) er
→ →

E(r)

1.2 Champ E en tout point de l’espace


On applique le théorème de Gauss sur une sphère de rayon r centrée sur 0.


• À l’intérieur de la sphère : r < R
x
⌠ Q ρr
⎮E . dS = εint
→ →
⇔ Eint(r) 4π r2 = ρ 4/3 π r3 ⇒ Eint(r) = 3 ε0
⌡ x
0

• À l’extérieur de la sphère : r > R


x
⌠ Q ρ R3
⎮E . dS = εint
→ →
⇔ Eext(r) 4π r2 = ρ 4/3 π R3 ⇒ Eext(r) = 3 ε0 r2
⌡ x
0

1.3 Potentiel électrostatique : on applique la relation E = – ∇V


→ ⎯→

• À l’extérieur de la sphère : r > R


x

Vext(r) = – ⎮Eext(r) dr + Cte
⌡ x
E(r)
ρ R3
avec Vext(∞) = 0 ⇒ Vext(r) = 3 ε0 r
• À l’intérieur de la sphère : r < R
V(r)
x
⌠ ρ r2
Vint(r) = –⎮Eint(r) dr + Cte = – 6 ε0 + Cte
⌡ x
ρ R2 ρ R2 r2
avec Vint(R) = Vext(R) = 3 ε0 ⇒ Vint(r) = ε0 [ 2 –6 ] R
r
r !

1.4 Énergie potentielle de la sphère chargée


Plusieurs méthodes sont possibles
R R
x x x
1⌠ ρ ⌠ 2πρ2 ⌠ R2 r2 r4 4 π ρ2 R5
⎮

3
• On calcule simplement Ep = 2 ρ(r) Vint(r) d r = 2
x
⌡ x
⌡ x
[
⎮Vint(r) 4πr2dr = ε0 ⎮ 2 – 6 dr = 15 ε0 ]
V 0 0

• On calcule le travail effectué pour amener les charges depuis l’infini en O :

À chaque étape, on amène une couche d’épaisseur dr correspondant à la quantité de charge dq.
Le travail nécessaire pour amener cette couche de charges d’épaisseur dr depuis l’infini sur la
petite sphère de rayon r est donnée par :
r ρ r2
dW = dq [V(r) – V(∞)] = ρ 4π r2 dr 3 ε0
R
où V(r) est le potentiel à la surface de la sphère de rayon r uniformément chargée en volume
R
⌠ x 4π ρ2 ⌠ x 4 π ρ2 R5
Ep = ⎮dW = 3 ε0 ⎮r4dr = 15 ε0
⌡ x ⌡ x
0
R ∞
2 2
⌠ε0 E2 x ⌠ε0 Eint x ⌠ε0 Eext x
• On pouvait aussi calculer Ep = ⎮ 2 dV = ⎮ 2 dV + ⎮ 2 dV
⌡ x
⌡ x
⌡ x
0 R

R ∞
x
⌠ε0 ⎛ ρr ⎞2 ⌠ε0 ⎛ ρR3 ⎞2 2 x 4 π ρ2 R5
Ep = ⎮ 2 ⎝ ⎠ 4πr2dr + ⎮ 2 ⎝ 4πr dr = 15 ε0
⌡ 3ε0 x
⌡ 3ε0 r2⎠ x
0 R

Exercice 2
2.1 Symétries de la distribution de charges – Direction de E

Tout plan passant par l’axe de disque est plan de symétrie de la distribution de charges. Comme le champ E appartient à

l’intersection de 2 plans de symétrie, on en déduit que le champ est vertical: E(r) = E(r,ϕ,z) ez

→ →

Par symétrie de rotation, il est évident que E(0,ϕ,z) ne dépend pas de ϕ. E(0,ϕ,z) = E(z) ez
→ →

z• 2.2 Champ E(z)


La quantité de charge dq localisée en P et correspondant à un élément de surface dS = rdϕdr


crée en un point M situé sur l’axe le champ élémentaire :
dE

dq PM σ rdϕdr PM ⎯→ ⎯→

M• dEdS = 4πε PM2 xPMx = 4πε PM2 xPMx


0 0

θ z Pour une couronne de rayons r et r+dr, on obtient la somme des projections des champs
élémentaires dE sur l’axe :

P • σ 2π rdr PM ⎯→
σ rdr σ rdr z
r dEcour = 4πε PM2 xPMx. ez →
= 2 cos θ = 2 1/2
0 2ε0 (r2 + z2) 2ε0 (r2 + z2) (r2 + z2)

Le champ créé en M par tout le disque s’obtient par intégration :


R R
σz ⌠ r dr x σ z ⎡ – 1 ⎤ σ z σ |z|
E(z) = 2ε0 ⎮ 2 2 3/2 = 2ε0 ⎣ 2 2 1/2⎦ = 2ε0 ⎡⎣1 – 2 2 1/2⎤⎦ = 2ε0 ⎡⎣1 – 2 2 1/2⎤⎦
⌡(r + z ) x (r + z ) 0 (R + z ) (R + z )
0

x
⌠ dq
2.3 Potentiel V(z) sur l’axe : Le potentiel s’obtient à partir de la relation : V(z) =⎮ 4πε PM avec dq = σ 2π r dr,
⌡ 0 x
S

R R
σ ⌠ r dr x x
σ
V(z) = 2ε0 ⎮ 2 2 1/2 = 2ε0 (r2 + z2)
⌡(r + z )
1/2
[ ] 0
σ 1/2 σ 1/2
= 2ε0 [(r2 + z2) – z] = 2ε0 [(r2 + z2) – |z|]
x
0

Remarque : dans les expressions finales de E(z) et V(z), |z| est nécessaire pour une relation cohérente avec les valeurs
négatives de z. Ceci est dû au fait que ez change de sens quand on passe de z > 0 à z < 0.

2.4 On vérifie sans problème que E = – ∇V


→ ⎯→

V(Z)
2.5 Courbes représentatives
E(z)

2.6 E(z) pour z << R :


σ z
on retrouve l’expression connue E(z) = 2ε0 du champ créé par un
plan infini. C’est normal ! si on est très proche du disque, on "voit"
celui-ci comme infini.
E(z) pour z >> R :
z R2
En effectuant le développement limité classique 1/2 ≈ 1 – 2 z2 (valable pour z >> R),
(r2 + z2)
σ R2 σ π R2 1 Q 1
on retrouve l’expression connue E(z) = 4 ε0d z2 = 4 π ε0 z2 = 4 π ε0 z2 οù le disque est "vu" comme une charge ponctuelle.

Remarque : la plupart des questions posées avaient une réponse à l’adresse suivante :
http://fr.wikiversity.org/wiki/Champ_électrostatique,_potentiel/Calculs_classiques

2.7 Direction du champ E


Les propriétés de symétrie sont les mêmes que dans le cas du disque, E(z) est donc selon ez.

2.8 E(z)

Cette distribution de charge peut-être considérée comme équivalente à la somme d’un plan infini chargé (+ σ) et d’un
disque de rayon R chargé (– σ).
σ
• Pour un plan infini chargé positivement : E1(z) = 2ε0 ez.

σ ⎡ |z| ⎤
• Pour le disque chargé négativement : E2(z) = – 2ε0 ⎣1 – 1/2 ez.

(R + z2) ⎦

σ |z|
d’où le champ résultant : Etot(z) = 2ε0 1/2 ez.

(R2 + z2)

2.9 V(z)
On applique le même raisonnement :

σ |z|
• Pour un plan infini : V1(z) = – 2ε0 + Cte V(0) = 0 (arbitraire)
σ 1/2
• Pour le disque chargé négativement :V2(z) = – 2ε0 [(r2 + z2) – |z|]
σ 1/2
d’où le potentiel résultant : Vtot(z) = 2ε0 (r2 + z2)

V(Z)

E(z) z

Les lignes en pointillés rappellent les valeurs des potentiel et champ dans le cas du plan infini.