These Finale Ziani Zakarya

REPUBLIQUE ALGERIENNE DEMOCRATIQUE ET POPULAIRE
Ministre de lEnseignement Suprieur et de la Recherche Scientifique

Universit Abou-Bakr Belkaid Tlemcen
Facult des Sciences
Dpartement de Physique
Unit de Recherche Matriaux & Energies Renouvelables
En Physique Energtique et Matriaux
Prsente par
ZIANI Zakarya
Etude des Proprits Physiques et Optiques des Couches Minces et des

Nanomatriaux pour les Matriaux IV-IV.
Application aux Cellules Solaires de Troisime Gnration
Soutenue en ..
Devant le jury compos de :
Prsident Mr. N.E.D CHABANE SARI Professeur Universit de Tlemcen

Directeur de thse Mr. A. BENMANSOUR Professeur Universit de Tlemcen
Examinateurs Mr. A. KADOUN Professeur Universit de Sidi Bel Abbs
Mr. M. TIOURSI Professeur USTO M.Boudiaf dOran
Mr. K. GHAFFOUR Professeur Universit de Tlemcen
Mr. M. BEGHDAD Matre de Confrences A Universit de Mostaganem
Anne Universitaire 20122013

A Mes parents
Toute la famille Ziani
Tous (tes) ceux (celles) qui me sont
chers (es)
Remerciements
Tout d'abord, je tiens remercier le directeur Mr BENYOUCEF B. directeur de
lUnit de Recherche Matriaux et Energies renouvelables pour m'avoir accueillie au sein de
lUnit, pendant ces annes de travail.
Je tiens exprimer ma profonde gratitude Mr Abdelhalim. BENMANSOUR

Professeur lUniversit de Tlemcen, qui par ses enseignements et ses conseils ma t un
guide prcieux dans laboutissement de mes travaux de recherche de thse de Doctorat et
dans llaboration de ce modeste manuscrit, et pour la manire dont il a encadr mes
travaux, avec bonne humeur, rigueur scientifique et enthousiasme. Jai eu beaucoup de
chance de travailler avec lui. Je lui suis sincrement reconnaissant pour son soutien constant
et pour lintrt quil a port ce travail. Sa disponibilit, sa modestie et ses comptences
mont t trs prcieuses.
Je remercie trs chaleureusement Mr Nasr Eddine CHABANE SARI Professeur

luniversit de Tlemcen pour mavoir fait lhonneur de prsider ce jury.
Mes remerciements les plus logieux :
Mr Abdedaiem KADOUN, Professeur luniversit de Sidi Bel Abbes,

Mr Mustapha TIOURSI, Professeur lUSTO Oran,
Mr Mohammed BEGHDAD, Matre e Confrences A LUniversit de Mostaganen
Mr Kheir Eddine GHAFFOUR, Professeur luniversit de Tlemcen,
Je tiens remercier, par ailleurs tous ceux et celles qui mont aid de loin ou de prs
dans la ralisation de ce travail.
Je tiens prsenter mes chaleureux remerciements Mme Nassera GHELLAI,
Professeur luniversit de Tlemcen, qui ma beaucoup aid dans mes travaux de recherche.
Enfin, je tiens remercier tous mes enseignants du primaire lUniversitaire, en

passant par le moyen et le secondaire qui mont donn lducation et les enseignements
adquats pour aboutir au Doctorat.
Aussi, je tiens remercier tous les enseignants du centre Universitaire de Nama
principalement le directeur du centre Mr K. Bouchrit
Merci pour tout ce que vous avez fait et tout ce que vous faites chers professeurs.
Sommaire
Sommaire
Introduction Gnrale 1
Les Cellules Photovoltaques

I - Etude Bibliographique -
I.1. Introduction. 5
I.2. La conversion photovoltaque. 6
2.1. Principe de la conversion Photolectrique. 6
2.2. Modlisation lectrique dune cellule photovoltaque. 11
I.3. Les diffrentes filires photovoltaques. 14
3.1. La filire base de Silicium Cristallin. 14
3.2. Les cellules multi-jonctions haut rendement. 18
3.3. Nouvelles technologies photovoltaques. 21
3.4. Technologie couche-mince. 24
3.4.1. Introduction. 24
3.4.2. Silicium couche-mince. 24
3.4. 3. Les filires non silicium. 29
3.4.4. Les multi-jonctions en couche mince. 32
1.4 Conclusion 34
Les nanomatriaux et les nanotechnologies

- Etude Bibliographique -
II
II.1 Les nanomatriaux et les nanotechnologies 39
II.2 Intrt des nanofils : 43
II.2.1 Intrt des nanofils pour la thermolectricit : 43
II.2.2 Intrt des nano fils de Si/SiGe en thermolectricit : 49
II.2.3 Intrt des nanofils pour le photovoltaque : 54
II.2.4 Intrt des nanofils pour l'lectronique : 56
II.3 La croissance des nanofils 61
II.3.1 Types de nanofils 61
II.3.2 Les stratgies de croissance 62
II.3.2.1 Croissance de nanofils en solution 64
II.3.2.2 Croissance de nanofils en phase gazeuse 68
II.3.3 Les nanofils htrostructurs Si/SiGe 70
II.4 Conclusion 71
Universit Abou Baker Belkaid Tlemcen

Les Cellules Solaires
III de 1re et 2me Gnration
III. 1 Introduction 77
III.2 Logiciel de simulation PC1D 77
III.3 Principe de la simulation numrique 79
III.4 Simulation des cellules solaires de premire Gnration 79
III.5 Simulation des cellules solaires de deuxime Gnration 82
III.5.1 structures et paramtres 82
III.5.2 Rsultats de Simulation: 84
III.5.2.1 Cas dune cellule solaire de type Si/Si/Si 84
III.5.2.2 Cas dune cellule solaire de type Si/Si1-xGex/Si 90
III.5.2.3 Cas dune cellule solaire de type Si0.71Ge0.29/Si1-xGex/Si 92
III.5.2.4 Cas dune cellule solaire avec la structure suivante Si0.70Ge0.29/Si1-xGex/Ge100
III.4 Conclusion 102
Les Cellules Solaires

IV de 3me Gnration
IV-1. Introduction 106
IV-2. Simulation numrique sous SILVACO-ATLAS 107
IV-2-1. Structure simuler 107
IVI-2-2. Paramtre de la structure simule 107
IV-3. Prsentation du package des programmes SILVACO 107
IV-3-1. Les outils de simulation 111
IV-3-2. Les outils interactifs 112
IV-4. Prsentation dATLAS 113
IV-4-1. Entres et sorties dATLAS 113
IV-4-2. Commandes dans un programme ATLAS 114
IV-5.Rsultats de la simulation 117
IV-5-1. Longueur des nanofils 117
IV-5-1-2. Influence de la longueur des nanofils 118
IV-5-2. Influence du dopage 121
IV-5-2-1. Dopage du substrat 121
IV-5-2-2. Dopage de lmetteur 122
IV-5-3. Rendement quantique externe 124
IV-5-3-1. Etude de la vitesse de recombinaison 124
IV-5-3-2. Influence du type du substrat sur la vitesse de recombinaison 126
IV-5-3-3. Influence des couches SiO2 SiN 127
IV-5-3-4. Utilisation dune double couche 128
IV-6. Croissance des nanofils Si / SiGe 130
IV-6-1. Comparaison des deux structures nanofils Si/Si et Si/SiGe 131
IV-6-2. Le rendement quantique des cellules SiGe 133
IV-6-3. Le rendement lectriques des cellules 134
Conclusion Gnrale 137
Universit Abou Baker Belkaid Tlemcen

Liste des Figures
Chapitre I
Figure I. 1 Normes de mesures du spectre denergie lumineuse emis par le soleil, notion de la convention Am 7
Figure I. 2. Spectres solaires releves dans plusieurs conditions selon la convention Am. 8
Figure I. 3. Schema de principe de la conversion photoelectrique 9
Figure I. 4. Caracteristiques I(V) dune cellule photovoltaque soumise a differents eclairements 10
Figure I. 5. Schema electrique equivalent dune cellule en silicium cristallin. 12
Figure I. 6 Caracteristique courant-tension I(V) dune cellule en silicium multi-cristallin. 13
Figure I. 7. Notion de facteur de forme FF pour une cellule photoelectrique. 13
Figure I. 8. Schema electrique equivalent dune cellule solaire en silicium sous environnement PSIM. 14
Figure I. 9. Schema de principe dune cellule a base de silicium cristallin. 15
Figure I. 10. Exemple de chaine de production de cellules photovoltaques en silicium. 16
Figure I. 11. Evolution de la taille des cellules silicium photovoltaques ces dernieres annes. 17
Figure I. 12. Principe de la cellule a heterojonction. 19
Figure I. 13. Schema de principe dun concentrateur photovoltaque. 21
Figure I. 14. Schema de principe dune cellule organique. 22
Figure I. 15. Cellule solaire tout organique sur substrat souple. 23
Figure I. 16. Procede technologique de depot chimique nomme PECVD. 25
Figure I. 17. Schema de principe dune cellule a base a-si et c-si 26
Figure I. 18. Schema simplifie dun module a-si en couche mince 27
Figure I. 19. Caracteristique courant-tension dune cellule en silicium amorphe. 28
Figure I. 20. Schema de principe dune cellule a base de CIGS. 30
Figure I. 21. Caracteristique courant-tension dune cellule CIGS. 31
Figure I. 22. Cellule tandem a-si/c-si & spectre solaire et spectres dabsorption. 32
Figure I. 23. Caracteristique courant-tension dune cellule tandem a-si/c-si. 33
Universit Abou Baker Belkaid Tlemcen i

Chapitre II
Figure II. 1. Principaux nano-objets 1d : les nanofils, les nanotubes, les nano batonnets et les nanorubans. 42
Figure II. 2. Schema de l'effet seebeck. 45
Figure II. 3. A) Jonction N-P Fonctionnant En Generateur Electrique, 47
Figure II. 4. Evolution thorique et exprimentale de ZT. 48
Figure II. 5. Evolution de la conductivite thermique en fonction de la temperature. 52
Figure II. 6. Image meb du dispositif de mesures thermoelectriques d'un fil reporte entre deux electrodes. 53
Figure II. 7. Dispositif photovoltaque a base d'un nanofil coaxial P-I-N. Schema 56
Figure II. 8. Configurations electroniques discretes illustrees schematiquement dans les nano cristaux, les
nanofils, les couches minces et elargissement des ecarts de bande. 58
Figure II. 9. (A-b) schema d'interconnexions paralleles de nanofils de si sans tri. 60
Figure II. 10. Diagramme illustrant le procede de fabrication du tft a nanofils. 61
Figure II. 11. Schema de quatre strategies de croissance qui ont ete demontrees experimentalement. 63
Figure II. 12. Schema du mecanisme sls de croissance de nanofils, qui a de nombreuses similitudes avec vls 64
Figure II. 13 Schema De La Formation De Nanofils A Partir De Molecules De Surfactant. 66
Figure II. 14. Schema et image met d'une membrane d'alumine nanoporeuse 67
Figure II. 15 (A) Schema Du Montage Experimental. 70
Chapitre III
Figure III. 1. Logiciel PC1D en cours dexcution 78
Figure III. 2. Caractristiques I=f (V) pour np, n+p et n+pp+. 81
Figure III. 3. Rponses spectrales pour np, n+p et n+pp+. 81
Figure III. 4. Structure N1 84
Figure III. 8. Schmatisation de la cellule solaire de rfrence, de type SI/SI/SI 84
Universit Abou Baker Belkaid Tlemcen ii

Figure III. 9. La caractristique I=f(V) pour le cas dune cellule 85
Figure III. 10. La variation du rendement quantique en fonction de la longueur donde 86
Figure III. 11. La variation du rendement en fonction de lpaisseur de lmetteur 87
Figure III. 12. Linfluence de lpaisseur de la cellule solaire sur le rendement 88
Figure III. 13. Variation du rendement quantique en fonction de la longueur donde pour diffrentes valeurs de
lpaisseur e de lmetteur 89
Figure III. 14. Schmatisation de la cellule solaire de rfrence, de type SI/SI/SI 90
Figure III. 15. La variation du rendement lectrique en fonction du coefficient x 90
Figure III. 16. La variation de du rendement quantique en fonction du coefficient x 91
Figure III. 17. Schmatisation de la cellule solaire dtude, de type SI0.71GE0.29/SI1-XGEX/SI 92
Figure III. 18. La caracteristique I=f(V), pour le cas dune cellule solaire a de sige ou x=0 93
Figure III. 19. La caracteristique I=f(V), cas dune cellule solaire a sige ou x=0.06 93
Figure III. 20. La caracteristique I=f(V) pour le cas dune cellule solaire 94
Figure III. 21. La variation du rendement en fonction du coefficient stchiometrique x 95
Figure III. 23. Variation de la tension du circuit ouvert en fonction coefficient x 96
Figure III. 24. Variation du rendement en fonction de lepaisseur du substrat 97
Figure III. 25. La variation du rendement en fonction de lepaisseur de la base 98
Figure III. 26. La variation du rendement en fonction de lepaisseur de lemetteur 99
Figure III. 27. La variation du rendement en fonction de lepaisseur de lemetteur 99
Figure III. 28. La variation de la largeur de la bande interdite en fonction du coefficient x 100
Figure III. 29. Schematisation de la Cellule Solaire dtude, de Type Si0.71GE0.29/Si1-xGEx/GE 100
Figure III. 30. La variation de du rendement electrique en fonction du coefficient x. 101
Figure III. 31. La Variation De Du Rendement Quantique En Fonction Du Coefficient X 101
Chapitre IV
Figure IV- 1 structure de la cellule de reference simulee sous silvaco/atlas 109

Figure IV- 2. Organigramme de la structure VWF 110
Figure IV- 3. Entrees et sorties datlas 112
Figure IV- 4. Les commandes fondamentales dans un programme atlas 113
Universit Abou Baker Belkaid Tlemcen iii

Figure IV- 5. Evolution du rendement de la cellule en fonction les longueurs nanofils pour differentes distances
entre lemetteur et la base. 115
Figure IV- 6 evolution du courant de court-circuit (a), de la tension de circuit ouvert (b) et du rendement de la
cellule (c) en fonction du rapport aux longueurs nanofils pour differentes longueurs dondes 117
Figure IV- 7. Resultats de simulation pour la structure irc avec differentes longueurs de diffusions. 120
Figure IV- 8. Evolution de la caracteristique i-v en fonction de la longueur de diffusion 124
Figure IV-9. Evolution du rendement de la cellule en fonction du dopage du substrat pour la cellule de reference
deux diamtres et des longueurs nanofils differentes. 125
Figure IV- 10. Evolution du courant de court-circuit (a), le rendement de la cellule (b) en fonction du dopage de
lemetteur pour la cellule de reference et pour deux diamtres et des longueurs nanofils differentes 127
Figure IV- 11. Rendement quantique externe de la structure nanofils si 128
Figure IV- 12. Evolution du courant de court-circuit (a), de la tension de circuit ouvert (b) et du rendement de la
cellule (c) la vitesse de recombinaison pour differentes longueurs dondes 128
Figure IV- 13. Comparaison du rendement de conversion de la cellule en fonction de la vitesse de
recombinaison en 129
Figure IV- 14. Linfluence de couche SiN SiO2 sur le rendement des cellules nanofils du si 131
Figure IV- 15 technique de croissance nanofils Si et SiGe 132
Figure IV- 16. Evolution du rendement de la cellule en fonction deux diamtres et des longueurs nanofils pour
les deux structures. 132
Figure IV- 17. Rendement quantique du nanofils SIGe 133
Figure IV- 18. Rendement lectrique des diffrent structure 134
Universit Abou Baker Belkaid Tlemcen iv

Liste des Tableaux
Tableau 1-1 Performance de la filire Silicium simple jonction 28

Tableau III.1 : Paramtres de la structure utilise 80
Tableau III.2 : Rsultats de simulations 80
Tableau III .3 : Tableau des paramtres utiliss dans la simulation 84
Tableau IV- 1. : Paramtres de la structure 109

Tableau IV- 2 Paramtres de Croissances 130
Tableau IV- 3Variation du rendement des trois structures nanofils pour deux paisseurs du substrat 134
Introduction Gnrale
Introduction gnrale
L'augmentation croissante de la population mondiale et l'explosion du dveloppement

industriel des pays dvelopps dbouche sur une croissance exponentielle des besoins
nergtiques. A l'chelle mondiale, la production actuelle en nergie est essentiellement base
sur des ressources fossiles ou "non renouvelables" (le ptrole, le gaz naturel, le charbon ou
encore l'uranium). Une fois ces ressources puises, l'homme sera condamn trouver
d'autres alternatives pour produire cette nergie dont il s'est rendu entirement dpendant. En
plus de leur caractre puisable, les ressources non renouvelables ont des effets nuisibles sur
notre environnement et notre plante : manations de CO2, rchauffement climatique,
pollutions radioactives, catastrophes nuclaires, etc.
On distingue actuellement plusieurs types de sources d'nergies renouvelables:

l'nergie hydrolectrique, l'nergie gothermique, l'nergie olienne, l'nergie de la biomasse
et l'nergie photovoltaque. Ces sources d'nergies proviennent directement ou indirectement
du Soleil. Elles sont donc disponibles indfiniment tant que celui-ci brillera. Les tudes
indiquent galement que l'utilisation de seulement 0,1 % de d'nergie solaire incidente sur la
surface de la terre est suffisante pour satisfaire la demande actuelle de l'nergie dans le monde
entier. Le dispositif qui se base sur cette technologie de production de puissance se nomme
cellule photovoltaque ou pile solaire.
Aujourd'hui, les cellules photovoltaques standards, mises sur le march, ont un

rendement lectrique qui avoisine les 17%. Ceci en considrant que l'nergie de la lumire du
soleil est convertie totalement en lectricit.
Nous distinguons trois classes de cellules solaires, les cellules de premire, deuxime et
troisime gnration. Celles-ci diffrent les unes par rapport aux autres par :
leur cot de production,
leurs dimensions,
leur rendement lectrique et quantique,
leur structure.
Universit Abou Beker Belkaid 2

Les cellules de premire gnration sont composes de cristaux simples de silice et sont trs
chres produire. Alors que la production de cellules de deuxime gnration ncessite un
cot plus faible, mais restent limite dans la miniaturisation par les lois de Moore.
Les cellules solaires de troisime gnration possdent le meilleur rendement de conversion
(environ 40%) et la miniaturisation optimale. Cette dernire a t rsolue par lintroduction
des nanofils, des nanostructures et des nanomatriaux dans les matrices photovoltaques. Les
proprits remarquables des nanostructures leur permettront dtre les lments de choix des
systmes photovoltaques pour la leve des verrous technologiques.
Llaboration et la dtermination des proprits des nanomatriaux son encore

ltude. En effet, il sagit dobjets dcouverts rcemment. Les nanotubes de carbone ont t
synthtiss pour la premire fois par Iijima en 1991. De plus, lobservation et la manipulation
de ces objets ne sont pas aises et ncessitent lutilisation dappareils danalyse et de
caractrisation de haute technologie comme le microscope lectronique balayage, le SIMS,
la PL, etc.
Parmi les nanomatriaux dvelopps et raliss par les laboratoires de recherche et les
industriels, les nanofils de Si et de Si/SiGe sont parmi les plus avantageux pour la seule et
bonne raison de la disponibilit du silicium, sa non toxicit et son faible cot. Ce sont des
matriaux raliss par des procds technologiques sophistiqus du Silicium. De ce fait, ils
sont facilement intgrables dans le monde de lindustrie et de la recherche.
En raison des avantages des nanofils au silicium (Si et Si/Ge) et de leurs diffrentes
applications possibles dans le domaine optolectronique et photovoltaque, beaucoup de
laboratoires de recherche de par le monde se lancent dans ce domaine davenir. La stratgie
nergtique rcente de notre pays tant lintgration des nergies renouvelables, a pouss
notre unit de recherche (URMER), dvelopper cette thmatique ; do lobjet de nos
travaux de thse de doctorat.
Notre travail sinscrit dans le cadre du Projet National de Recherche (PNR) dans le domaine
photovoltaque 10/u13/206 dirig par Mr BENMANSOUR Abdelhalim mon directeur de
Thse.
Dans le premiers chapitre un rappel gnral dtaill sur les cellules photovoltaques et leurs
classifications (avantages, rendement, cot, etc.) a t dvelopp.

Dans le deuxime chapitre il a t tudi les nanomatriaux unidimensionnels (nanofils,
nanoparticules et nanostructures). Il a aussi t tudi lintroduction de ces nanomatriaux et
leurs avantages et inconvnients dans diffrentes applications (thermolectricit,
photovoltaque et optolectronique.).
Ltude thorique et technologique, de la croissance des couches minces (Si et Si/Ge),

aborde dans le troisime chapitre reprsente le cur de notre travail de recherche. Les
notions de base de la simulation des couches graduelles de Si et de Si/SiGe, ainsi que le
mcanisme de ralisation ont t dveloppes dans celui-ci. Par ailleurs, vu limportance des
couche SiGe dans le processus quantique du gap et la gnration lectron trous, celui-ci a t
dcrit en dtail.
Le quatrime chapitre, reprsente les rsultats et les interprtations de nos simulations

effectues sur les structures de troisime gnration base des nanofils de Si et Si/Ge sous
environnement Silvaco (Licence 2011 de lUnit de Recherche Matriaux et Energies
Renouvelables URMER SLIVACO.). Afin doptimiser les rendements quantiques et
lectrique il a t procd aux variations des paramtres physiques (dopage, concentration
lectronique, champ lectrique, etc.) et dimensionnels (paisseurs des diffrentes structures)
pour un chantillon de 1cm2. Des mesures systmatiques des diamtres et de la vitesse de
croissance et le rendement de conversion des diffrentes structures proposes ont t
effectues par simulation.

Chapitre I : Les cellules photovoltaques - Etude Bibliographique -
Chapitre I
Les Cellules Photovoltaques
Etude bibliographique
Sommaire
I.1. Introduction. 5
I.2. La conversion photovoltaque. 6
I.2.1. Principe de la conversion Photolectrique. 6

I.2.2. Modlisation lectrique dune cellule photovoltaque. 11
I.3. Les diffrentes filires photovoltaques. 14
I.3.1. La filire base de Silicium Cristallin. 14

I.3.2. Les cellules multi-jonctions haut rendement. 18
I.3.3. Nouvelles technologies photovoltaques. 21
I.3.4. Technologie couche-mince. 24
I.3.4.1. Introduction. 24
I.3.4.2. Silicium couche-mince. 24
I.3.4. 3. Les filires non silicium. 29
I.3.4.4. Les multi-jonctions en couche mince. 32
I.1.4 Conclusion 34
Universit Abou Baker Belkaid Tlemcen 4

I.1 Introduction.
Le soleil dcharge continuellement une norme quantit dnergie radiante dans le systme
solaire, dans le contexte global damlioration des performances dun systme photovoltaque
(PV), nous allons commencer cette thse par un bilan, par filire technologique, des
principaux axes de dveloppement des cellules photovoltaques. Ceci nous permettrait de
mieux apprhender les potentialits des technologies couramment utilises, de comprendre
les proprits de conversion de chaque solution technologique et de recenser les limites de
chacune dentre elles. Nous proposons de partager cette vision globale des avances
technologiques avec le lecteur afin de pouvoir anticiper les besoins futurs et que chacun
puisse avoir son propre avis sur le dveloppement photovoltaque du futur [22].
Nous rappelons brivement le principe de la conversion de lnergie solaire en nergie

lectrique reposant sur leffet photolectrique cest--dire, la capacit des photons crer
des porteurs de charge (lectrons et trous) dans un matriau. Le domaine Gnie lectrique
tant la spcialit aborde, nous nous sommes attachs utiliser des modles lectriques
simplifis pour dcrire le comportement des diffrentes cellules rencontres tout au long de
notre travail. La technologie photovoltaque la plus utilise depuis la cration des premires
cellules correspond la filire silicium de type cristallin qui reprsente actuellement 90% de
la production mondiale pour les applications terrestres. Ceci peut sexpliquer par le fait que
lindustrie photovoltaque profite rgulirement du dveloppement de lindustrie des semi-
conducteurs base de silicium, o les processus de fabrication sont totalement maitriss et qui
est capable de fournir une matire premire dexcellente qualit pour les panneaux
solaires [22].
Les performances des cellules photovoltaques (CP) pour les diffrentes qualits et
prsentation du silicium. Par la suite le principe de fabrication des cellules multi-jonctions
haut rendement dont le dveloppement a t motiv en priorit par les applications spatiales,
o les performances de la cellule priment sur le cot de fabrication. Nous prsenterons ensuite
une nouvelle gnration de cellules solaires, qui utilise des matriaux organiques [22]. Ces
nouveaux composs, en particulier les polymres, pourraient rvolutionner le march du
photovoltaque grce leur faible cot de fabrication et leur facilit dutilisation (flexibilit,
lgret). La recherche dans ce domaine est extrmement active depuis plusieurs annes et les
avances sont rapides. Nous abordons enfin le large domaine des cellules photovoltaques

couches minces Thin-Film qui constitue ce que certains appellent les cellules de seconde
gnration car historiquement elles viennent aprs les cellules en silicium cristallin qui sont
dites : de premire gnration. Leur principal atout vient de la faible quantit de matriaux
ncessaire la fabrication dune cellule comparativement aux cellules classiques (premire
gnration). Les cellules couches minces les plus dveloppes utilisent comme matriau de
base le silicium amorphe, le diSlniure de Cuivre Indium Galium (CIGS), le Tellurure de
Cadmium CdTe). Ces cellules sont bases sur des multi-jonctions ce qui amliore les
performances de cette filire [22].
Pour conclure cet tat de lart, nous introduirons les travaux engags par notre quipe
lUnit de Recherche Matriaux et Energies Renouvelables, qui sinscrivent dans le cadre du
Projet National de Recherche (PNR) et faisant partie intgrante de cette thse. Ce projet a
pour objectif de dvelopper une nouvelle filire de cellules photovoltaques tandem en
couches minces de silicium, partir de solutions de type tandem innovantes lectrodes
intermdiaires et ayant leur propre systme de conversion et doptimisation associ au plus
prs de chaque type de matriau[22].
I.2. La conversion photovoltaque.
I.2.1. Principe de la conversion Photolectrique.
Le rayonnement solaire est constitu de photons dont la longueur donde stend de

lultraviolet (0.2m) linfrarouge lointain (2.5m). On utilise la notion AM (Air Mass)
pour caractriser le spectre solaire en termes dnergie mise [1,2]. Lnergie totale
transporte par le rayonnement solaire sur une distance soleil-terre est de lordre de
1350W/m (AM0) dans lespace hors atmosphre terrestre (Figure 2-1). Lorsque le
rayonnement solaire traverse latmosphre, il subit une attnuation et une modification de son
spectre, suite des phnomnes dabsorption et de diffusion dans les gaz, leau et les
poussires. Ainsi, la couche dozone absorbe une partie du spectre lumineux provenant du
soleil, et en particulier une partie des ultraviolets dangereux pour la sant. Le rayonnement
solaire direct reu au niveau du sol ( 90 dinclinaison) atteint 1000W/m du fait de
labsorption dans latmosphre (AM1). Cette valeur change en fonction de linclinaison des
rayons lumineux par rapport au sol. Plus langle de pntration est faible, plus lpaisseur
atmosphrique que les rayons auront traverser sera grande, do une perte dnergie

consquente. Par exemple, lnergie directe transporte par le rayonnement solaire atteignant
le sol avec un angle de 48 avoisine les 833W/m (AM1.5).
Pour connatre le rayonnement global reu au sol, il faut ajouter ce dernier le rayonnement
diffus. Le rayonnement diffus concerne tout le rayonnement dont la trajectoire entre le soleil
et le point d'observation n'est pas gomtriquement rectiligne et qui est dispers ou rflchi
par l'atmosphre ou bien le sol. En considrant ceci, on obtient une rfrence du spectre
global note (AM1.5) avec une puissance de 1000W/m, la Figure I-2 correspondant nos
latitudes.
Figure I. 1 Normes de mesures du spectre dnergie lumineuse mis par le soleil, notion de la convention AM
[14].
Le scientifique franais, Edmond Becquerel, fut le premier dcouvrir en 1839 leffet

photolectrique [3]. Il a trouv que certains matriaux pouvaient produire une petite quantit
de courant sous leffet de la lumire. Par la suite, Albert Einstein a dcouvert, en travaillant
sur leffet photolectrique, que la lumire navait pas seulement un caractre ondulatoire,
mais que son nergie tait porte par des particules, les photons. Lnergie dun photon est
donne par la relation :
(1.1)
O h est la constante de Planck, c la vitesse de la lumire et sa longueur donde. Ainsi, plus

la longueur donde est courte, plus lnergie du photon est grande. Cette dcouverte value
Albert Einstein le prix Nobel en 1905.

Figure I. 2. Spectres Solaires relevs dans plusieurs conditions

selon la convention AM. [Source NREL solar spectrum]
La conversion photovoltaque aujourdhui largement utilise peut tre simplement dfinie

comme la transformation de lnergie des photons en nergie lectrique grce au processus
dabsorption de la lumire par la matire. Lorsquun photon est absorb par le matriau, il
cde une partie de son nergie par collision un lectron larrachant littralement de la
matire. Ce dernier tant prcdemment un niveau dnergie infrieur o il tait dans un tat
stable passe alors vers un niveau dnergie suprieur, crant un dsquilibre lectrique au sein
de la matire se traduisant par une paire lectron-trou, de mme nergie lectrique [22].
Gnralement, la paire lectron-trou revient rapidement lquilibre en transformant son

nergie lectrique en nergie thermique. De mme, toute lnergie des photons narrivant pas
se transformer en lectricit est absorbe par le matriau sous forme thermique. Le matriau
constituant les capteurs photovoltaques a alors sa temprature interne qui augmente
proportionnellement lnergie solaire reue. Le taux de conversion photon-lectron est
faible car un certain nombre de conditions doivent tre runies pour que ce phnomne se
produise. Leffet thermique est donc prpondrant sur la plupart des capteurs dtriorant ainsi
les performances de ces derniers [4].
Mme si le phnomne lectrique est secondaire devant le phnomne thermique, rcuprer

tout ou une partie de lnergie lectrique est le premier objectif des capteurs photovoltaques
sous forme de cellules ou de gnrateurs [22]. Cela est possible grce par exemple des
cellules solaires ralises en associant un matriau semi-conducteur dop N3 un autre semi-

conducteur dop P4, Figure I-3. Lnergie produite par labsorption dun photon dans un
matriau se traduit du point de vue lectrique par la cration dune paire lectron-trou. Cette
raction entraine une diffrence de rpartition des charges crant ainsi une diffrence de
potentiel lectrique : cest leffet photovoltaque. Le fait davoir associer deux types de
matriaux pour crer une jonction permet de pouvoir rcuprer les charges avant que ces
dernires ne se soient recombines dans le matriau qui redevient alors neutre. La prsence de
la jonction PN permet ainsi de maintenir une circulation de courant jusqu ses bornes. Le
nombre de photons par unit de longueur donde est une donne importante connatre pour
les applications photovoltaques. Elle nous permet destimer lnergie totale disponible. La
longueur donde correspondant au maximum de photons est de lordre de 650-670nm.
Figure I. 3. Schma de principe de la conversion photolectrique [26].
La plupart des cellules photovoltaques utilisent des semi-conducteurs pour rcolter les paires
lectron-trou cres par la collision des photons dans le matriau. Cependant, le nombre de
photons utiles (qui peuvent tre absorbs) diffre selon le matriau utilis. En effet, chaque
matriau possde son propre gap nergtique (bande dnergie interdite). Tout photon
possdant une nergie infrieure ce gap et arrivant la surface du matriau naura pas assez
dnergie pour arracher un lectron au matriau, mme sil entre en collision avec celui-ci.
Le courant produit par un capteur photovoltaque est donc beaucoup plus faible que la
quantit de photons arrivant sur le matriau car plusieurs conditions doivent tre runies pour
que rellement lnergie dun photon se traduise en courant (compatibilit du matriau avec
les longueurs dondes du spectre solaire, nergie des photons leur arrive sur le matriau,
probabilit de rencontre dun photon avec un lectron, incidence du rayonnement, paisseur
du matriau, ). De plus, un autre compromis doit tre pris en compte par le concepteur de
capteurs photovoltaques :

Si le gap du matriau est grand, peu de photons auront assez dnergie pour crer du
courant mais aux bornes de la cellule, la tension en circuit ouvert sera grande et facilitera
dautant plus lexploitation de lnergie lectrique.
A linverse, un matriau avec un faible gap absorbe plus de photons mais prsente une
tension plus faible ses bornes.
Ainsi, le maximum thorique pour une simple jonction Si est denviron 29%. La diffrence de
potentiel prsente aux bornes dune jonction PN soumise un clairement est galement
mesurable entre les bornes de la cellule PV. Typiquement, la tension maximale dune cellule
(PN) est denviron 0.5 0.8V. Elle peut tre directement mesure ses bornes sans charge
(circuit ouvert). Cette tension est nomme tension de circuit ouvert (Voc). Lorsque les bornes
dune cellule sont court-circuites, on peut mesurer le courant maximal produit par la cellule
PV et on le nomme communment courant de court-circuit (Icc). Ces valeurs peuvent changer
fortement en fonction du matriau utilis, de la temprature et de lensoleillement. La Figure
I-4 reprsente les caractristiques typiques mesurables Icell=f(Vcell) dune jonction PN soumise
un flux lumineux constant et dans lobscurit [6].
Figure I. 4 Caractristiques I(V) dune cellule photovoltaque soumise diffrents

clairements [12].
On parle souvent de rendement de conversion pour des cellules photovoltaques, ce terme

correspond la capacit de la cellule transformer lnergie des photons qui la percutent.

Ces mesures sont aujourdhui normalises. Les cellules solaires sont donc testes par les
constructeurs sous un spectre lumineux artificiel correspondant un spectre solaire typique
AM1.5 (soit lirradiance totale reue sur le sol terrestre une altitude de 0 avec un angle de
48) sous une temprature fixe de 25C. Pour simplifier, cette convention a permis de
normaliser les rendements donns dans les notices des capteurs afin de pouvoir les comparer.
La puissance moyenne totale reue lors des tests par les cellules assembles en module PV est
de 1000W/m sous 25C.
De nombreux scientifiques travaillent sur laugmentation des rendements de conversion des

cellules photovoltaques. Actuellement, les panneaux commercialiss ont pour la plupart
dentre eux, un rendement denviron 14%. Ceci peut se traduire par la production de 140W
crtes pour un module PV qui reoit 1000W/m2. Les recherches sur les matriaux constituant
les cellules sont en plein essor de mme que celles sur loptimisation de fabrication de
cellules et de panneaux PV. Pour mieux situer nos travaux sur les systmes de conversion
juste la sortie des cellules et des panneaux, il nous a sembl important de faire une synthse
des avances actuelles accomplies sur la production de lnergie PV. Les sections suivantes
de ce chapitre exposent ainsi les avancs et les innovations majeures apportes aux matriaux
photovoltaques dans la course au rendement nergtique.
Auparavant, nous rappelons brivement les modlisations lectriques que nous utilisons et les
principales dfinitions en vigueur.
I.2.2. Modlisation lectrique dune cellule photovoltaque.
Lorsquune jonction PN ralise partir de matriaux sensibles la lumire est claire, elle
prsente la particularit de pouvoir fonctionner en gnrateur dnergie. Ce comportement en
statique peut tre dcrit par lquation lectrique dfinissant le comportement dune diode
classique. Ainsi, le rgime lectrique statique dune cellule photovoltaque constitue dune
jonction PN en silicium peut tre dcrit par lquation suivante [22] :
(1.2)

O, : le potentiel thermodynamique,
Isat : le courant de saturation de la jonction,

K : la constante de Boltzman (1.381 10-23 Joules/Kelvin),
T : la temprature de la cellule en Kelvin,
E : la charge dun lectron,
N : le facteur de non idalit de la jonction,
ICELL : le courant fourni par la cellule,
VCELL : la tension aux bornes de la cellule,
ICC : le courant produit par la cellule lorsquelle est mise en court-circuit,
Rshunt : la rsistance modlisant les courants de fuites de la jonction,
Rserie : la rsistance srie caractrisant les diverses rsistances de contacts et de connexions.
La Figure I-5 reprsente avec des composants lectriques, le comportement lectrique

quivalent dduit de lquation (2-2).
Figure I. 5. Schma lectrique quivalent dune cellule en silicium cristallin [11].
La courbe prsente en Figure I-6 (a) reprsente la caractristique courant-tension normalise

note I(V) dune cellule solaire en silicium multi-cristallin ayant un rendement de 19.8%. La
densit de courant dlivre par la cellule, ici note J, est exprime en ampre par unit de
surface (A/cm). La tension prsente aux bornes de la cellule est exprime en volt et ne
dpend pas de la surface de la cellule. Le courant de court-circuit de la cellule est de
38.1mA/cm (not dans les notices des constructeurs Icc ou alors Isc pour la terminologie
anglaise signifiant Short-Circuit Current) et la tension de circuit ouvert slve 654mV
(Voc, pour Open Circuit Voltage).

Figure I. 6 Caractristique courant-tension I(V) dune cellule en silicium multi-cristallin.

(a) Courbe relle mesure par le constructeur [14]
(b) Courbe simule
Un paramtre important est souvent utilis partir de la caractristique I(V) pour qualifier la
qualit dune cellule ou dun gnrateur PV : cest le facteur de forme, en anglais full factor
(FF). Il est illustr sur la Figure I-7. Ce coefficient reprsente le rapport entre la puissance
maximale que peut dlivrer la cellule note Pmax et la puissance forme par le rectangle
Icc*Voc. Plus la valeur de ce facteur sera grande, plus la puissance exploitable le sera
galement.
Figure I. 7. Notion de facteur de forme FF pour une cellule photolectrique [22].
Le modle lectrique de la Figure I-5 est facilement adaptable tout logiciel de type circuit.
Nous lavons utilis pour modliser par exemple la caractristique dune cellule en silicium
multi-cristallin laide du logiciel de simulation lectrique PSIM. Nous retrouvons sur la
Figure I-8, les lments du schma lectrique quivalent prsent prcdemment. La

rsistance non-linaire nous a servi reproduire la caractristique relle dune diode

jonction PN [22,23].
Figure I. 8. Schma lectrique quivalent dune cellule solaire en silicium sous environnement PSIM [22].
Grce ce montage simplifi, nous pouvons simuler les caractristiques statiques dune
cellule photovoltaque soumise un ensoleillement et une temprature constante donns,
quelle que soit sa technologie. Il suffit simplement de modifier les paramtres du modle pour
avoir les bonnes caractristiques.
I.3. Les diffrentes filires photovoltaques.
I.3.1. La filire base de Silicium Cristallin.
Les modules photovoltaques base de silicium cristallin dominent depuis toujours le march
avec plus de 90% des ventes. Les cellules partir de plaquettes de silicium cristallis (c-Si) se
divisent en deux catgories distinctes ; celles partir de silicium monocristallin (mc- Si) et
celles partir de silicium poly-cristallin (pc-Si). Le silicium monocristallin permet dobtenir
le rendement le plus lev, avec prs de 24.7% contre 19.8%. Ce rendement record a t
obtenu sur une petite cellule en laboratoire [7, 8], mais il est plus cher que le silicium multi-
cristallin.

Figure I. 9. Schma de principe dune cellule

base de silicium cristallin [16].
Les modules en silicium cristallin sont fabriqus industriellement. Toutes les tapes du
processus de fabrication ne cessent de progresser rgulirement afin de viser le plus possible
les rendements thoriques calculs tout en vitant daugmenter le prix des modules.
La premire tape consiste fabriquer des lingots base de silicium pur par diffrents
processus de fusion et de cristallisation du silicium. Le matriau suprieur est le silicium
monocristallin, typiquement produit par la mthode de Czochralski. Celle-ci consiste
introduire un germe prform monocristallin dans le lingot de silicium en fusion [9]. Le
silicium se solidifie sur ce germe et garde la mme organisation cristalline que celui-ci. Le
matriau infrieur est le silicium poly-cristallin, produit en lingots par le biais de diffrents
procds de fusion et de solidification du silicium. Sa cristallisation est assure par un
contrle drastique de la temprature de solidification.
Au fur et mesure, les dimensions des lingots ont volu avec la technologie passant de 30kg
100kg pour le monocristallin et de 150kg 250kg pour le multi-cristallin. Des amliorations
ont galement t faites pour lautomatisation des processus et pour la gestion de la
consommation dnergie [10]. Un problme reste cependant persistant : il sagit de la dcoupe
des lingots en lamelles (wafers en anglais), qui entrane une perte importante de matire. En
effet, aprs la solidification, les lingots sont dcoups en fine couche denviron 300m
dpaisseur grce un fils de diamant abrasif de 150m de diamtre [11].

Actuellement, les wafers ont une taille de 125x125mm pour une paisseur de 330m. Obtenir
des wafers plus fins est lobjectif principal, vient sajouter cela le dfi de rduire les pertes
lies au sciage afin dconomiser le silicium. Les industriels du photovoltaque dveloppent
des wafers de nouvelle gnration de 210x210mm et plus large encore, tout en rduisant leur
paisseur pour arriver un objectif de 100m, (Figure 2-11) [12]. Laugmentation de la taille
de ces cellules implique donc une augmentation de la puissance produite et donc du courant.
Les cellules les plus performantes peuvent dj fournir des courants de plus de 10A sous une
tension de 0.6V.
Figure I. 10. Exemple de chane de production de cellules

photovoltaques en silicium. [22]
Une troisime technologie utilise directement le tirage de rubans partir de bains fondus [13].
Un ruban servant de substrat passe travers un bain de silicium en fusion, une fine couche de
silicium se dpose alors sur le substrat. Cette technique permet de raliser des wafers plus
minces (150m) et vite les pertes lies au sciage. Malgr la lenteur de dposition (quelques
cm/min), la technologie ruban est un candidat prometteur la rduction du prix du watt crte
photovoltaque.
Les wafers sont ensuite traits pour tre dops par diffusion dans le matriau mme afin de
constituer des jonctions PN. Lajout dune couche antireflet et la ralisation des contacts
lectriques en face arrire et en face avant (rainurage pour faciliter la collecte des porteurs)
termine le processus de fabrication des cellules. Les cellules photovoltaques ainsi finies sont
assembles entres elles (en srie et/ou en parallle) et encapsules pour devenir un module
solaire photovoltaque pouvant fonctionner pendant plus de vingt ans.

En fonction de lagencement des cellules dans le module, on obtient la puissance dsire pour
une tension de sortie optimale correspondant au point de puissance maximum de lensemble
(12, 24, 48V). La grande majorit des panneaux actuels peuvent dlivrer une puissance de
50 200Wc.
Figure I. 11. volution de la taille des cellules silicium photovoltaques ces dernires annes [19]
Les analyses les plus rcentes estiment quune installation solaire photovoltaque rembourse
en quelques annes lnergie ncessaire sa fabrication et son installation. Selon une tude
de lagence internationale de lnergie, le temps de retour nergtique dun systme
photovoltaque est de 1,6 4,7ans en France suivant lirradiation solaire ainsi que le site et
lorientation. Pour le moment, aucune loi noblige les fabricants rcuprer ou traiter les
panneaux solaires en fin de vie. Cependant, avec la croissance fulgurante du march, certains
fabricants ainsi que des organismes de recherche se sont associs pour donner naissance une
association PV Cycle ayant pour objectif de recycler des dchets lis aux photovoltaques.
Ainsi, le processus de dmantlement des modules prconis fait dabord intervenir un

traitement thermique, qui permet de sparer le verre des cellules. Une fois ces lments
dtachs, les cellules sont dcapes chimiquement pour ter les contacts, la couche antireflet
et la couche dopante. Une fois ces oprations termines, laluminium, le verre et les mtaux
pourront facilement tre recycls alors que les wafers intacts pourront tre rutiliss
lintrieur dun module comme nouveaux wafers. En effet, mme aprs 20 30ans de service,
la qualit dun wafer en silicium reste identique.

Par contre, les wafers casss peuvent tre refondus pour produire nouveau des lingots de
silicium, qui serviront fabriquer de nouveaux modules. Le financement actuel dune telle
opration de recyclage est estim environ 20 40 centimes deuros par Wc (daprs PV
Cycle Deutsche Solar) [14].
La filire silicium a connu initialement un grand essor grce lexprience des industries des
semi-conducteurs qui utilisent depuis longtemps dj les proprits lectriques du silicium. Il
est galement intressant de noter que lindustrie photovoltaque, qui utilisait comme source
de silicium les rejets de lindustrie lectronique, doit maintenant faire face une pnurie
croissante de matire premire de silicium de qualit solaire du fait de laccroissement de la
demande. Cette situation entrane donc une mutation industrielle avec la mise en place
progressive de nouvelles filires spcifiques de production de silicium photovoltaque
marquant une nouvelle phase de dveloppement. Les modules photovoltaques du commerce
ont aujourdhui un rendement de 15 19.6% pour les cellules les plus performantes
(SunPower). Le prix de revient dun module en silicium cristallin devrait passer sous la barre
de 1/Wc ds 2013. On prvoit mme 0.75/Wc en 2020 [15]. A long terme, la technologie
silicium a encore un grand rle jouer dans le dveloppement photovoltaque.
Cependant, elle ne sera pas la seule technologie employe. En effet, pour baisser les prix et
rendre abordable cette nergie, plusieurs tentatives de nouveaux dveloppements
technologiques existent actuellement. Nous prsentons dans la suite de ce mmoire ceux qui
nous semblent les plus prometteurs.
I.3.2. Les cellules multi-jonctions haut rendement.
Aujourd'hui, la plupart des cellules photovoltaques inorganiques sont constitues dune

simple jonction PN. Dans cette jonction, seuls les photons dont l'nergie est gale ou
suprieure la bande interdite du matriau (note Eg en eV) sont capables de crer des paires
lectron-trou. En d'autres termes, la rponse photovoltaque dune cellule simple jonction est
limite. Seule la proportion du spectre solaire dont lnergie des photons est suprieure au gap
dabsorption du matriau est utilisable.

Dautre part, mme si lnergie des photons est suffisante, la probabilit de rencontrer un
lectron est faible. Ainsi, la plupart des photons traversent le matriau sans avoir transfrer
leur nergie. Une premire rponse pour limiter les pertes est connue depuis longtemps. Du
point de vue technologique, il suffit dutiliser des systmes plusieurs niveaux, en empilant
des jonctions possdant des gaps dcroissants, (Figure 2-12). Ainsi il est possible dexploiter
le spectre solaire dans sa quasi-totalit avec des rendements de conversion trs importants.
Figure I. 12. Principe de la cellule htrojonction [16]
Des cellules PV multi-jonctions base dassociations de matriaux semi-conducteurs II-V

(GaAs, AlGaAs, InGaAs, etc) ont ainsi t mises au point depuis les annes 60 prsentant des
rendements trs levs suprieurs parfois 40%. Elles ne sont pas connues du grand public
cause de leur cot de fabrication, de loin, les plus levs actuellement (fabrication sous ultra
vide, croissance trs lente, problme de casses et de dfauts aux interfaces) [22,23].
Le dveloppement des cellules haut rendement a t motiv en priorit par les applications
spatiales. En effet, dans ce domaine, le critre principal nest pas le prix par watt crte (/Wc)
mais plutt le nombre de watts par kilogramme (Wc/kg). Il faut savoir quenvoyer un satellite
dans lespace cote entre 3.000 et 30.000 par kilogramme (le prix dpend de laltitude de
mise en orbite).
Ds lors, il est comprhensible quon utilise les technologies photovoltaques les plus
performantes afin doptimiser le poids de lensemble et faire en sorte quil soit le plus
longtemps possible autonome. Un dernier avantage signaler pour ces cellules est leur

robustesse vis--vis des radiations et des impacts. Au cours du temps, ces cellules ont
dmontr quil tait possible davoir des gnrateurs dnergie qui vieillissent trs bien et qui
peuvent produire de lnergie mme en ayant subi quelques dtriorations. Le rendement des
modules commercialiss contenant des cellules multi-jonction actuellement avoisine les 30%
pour un spectre AM0 [22,23]. Certaines recherches se concentrent sur lamlioration des
technologies de fabrication pour en baisser le cot et les adapter aux besoins terrestres. Ils
saffrontent principalement aux problmes dinterfaces et de passage de petits volumes de
fabrication des grandes quantits. Aujourdhui, les vhicules de courses terrestres et/ou
maritimes en utilisent pour assurer leur autonomie. Mais cela reste des cellules beaucoup trop
chres pour des applications domestiques.
En utilisant des concentrateurs solaires, certains pensent pouvoir baisser les prix (moins de
surface de cellule utilise) et prendre une place dans le march conventionnel terrestre. Ainsi,
si on compare le meilleur rendement sans concentrateur dune triple jonction GaInP/GaAs/Ge
atteignant les 32%, cette mme cellule arriverait 40.7% avec concentrateur [16, 17]. On peut
mme envisager des rendements encore plus importants avec des cellules complexes de 4 6
jonctions voir plus [18]. Lide basique du concentrateur photovoltaque (CPV) est de rduire
le prix de revient dun systme PV en focalisant les rayons lumineux sur une cellule solaire de
surface Fc par le biais dune lentille optique de surface Fo. Le ratio de concentration C est
approximativement C=Fo/Fc comme indiqu en Figure I-13.
La rduction de la surface des cellules permet dutiliser des cellules plus performantes qui
taient encore trop chres pour tre utilises sur de grandes surfaces de modules PV. En
pratique, la plus grande diffrence noter entre un GPV compos de modules PV classiques
et un CPV est la ncessit dajuster pour ce dernier lorientation du systme pour suivre la
course du soleil. En effet, un mauvais angle de pntration de la lumire pourrait priver
compltement les cellules de lumire, dautant plus que ces capteurs ne peuvent utiliser que le
rayonnement direct du spectre solaire.

Figure I. 13. Schma de principe dun concentrateur

photovoltaque [7].
Cette fonction, ralise par un systme suiveur ou tracker, doit tre prise en compte dans le
prix global du CPV et reprsente une part non ngligeable de linvestissement rendant en fin
de compte ce systme encore trop coteux pour le grand public. Le nombre dexemples de
centrales solaires concentration montrent cependant bien lintrt de ces systmes et leur
viabilit [19,20]. Ils sont aujourdhui destins aux trs grandes centrales nergtiques
dpassant la centaine de kW. Des problmes thermiques lis la concentration des rayons sur
les cellules ncessitent un dispositif de dissipation thermique performant. Une technique
intressante permet dallier la production solaire photovoltaque la production solaire
thermique, en rcuprant la chaleur mise, par le biais dun liquide caloporteur, et ainsi crer
galement un chauffe-eau solaire.
I.3.3. Nouvelles technologies photovoltaques.
On utilise de plus en plus de matriaux organiques dans le domaine de loptolectronique,

avec des perspectives dlectronique organique voire molculaire, pour lclairage laide de
diodes lectroluminescentes organiques (OLED : Organic Light- Emitting Diode). Bien que
les optimisations des matriaux mettre en uvre ne soient pas les mmes, le domaine du
photovoltaque bnficie depuis quelques annes des avances technologiques de
loptolectronique. Ainsi, bien que cette filire soit vraiment rcente, les progrs annuels sont
spectaculaires. Les matriaux organiques, molculaires ou polymriques, base de carbone,
dhydrogne et dazote, sont particulirement intressants en termes dabondance, de cot, de
poids et de mise en uvre.

Comme les semi-conducteurs, ils possdent des niveaux dnergies susceptibles dabsorber
les photons en crant des paires lectron-trou utilisables grce des transitions entre les
niveaux dits HOMO (Hightest occupied molecular orbital) et des niveaux dits LUMO
(Lowest unoccupied molecular orbital). En labsence de sparation, les paires lectron-trou
peuvent se recombiner en mettant des photons de la longueur donde correspondante
(fluorescence, luminescence) plutt que se convertir en chaleur comme vu prcdemment
pour les filires inorganiques. La sparation des charges reste encore aujourdhui un des
points bloquants (Verrou) pour tre effectue efficacement. Si elles peuvent tre spares et
transportes vers un circuit extrieur grce deux phases adjacentes, on obtient alors des
cellules photovoltaques dun nouveau type tel que celle prsente en Figure I-14.
Figure I. 14. Schma de principe dune cellule organique [23]
Pour en faire des cellules organiques PV part entire dans le futur, il faut amliorer les
proprits de cration de paires lectron-trou dans des molcules organiques ou des polymres
mais galement dvelopper des mthodes de sparation des paires (e-t) en associant un
matriau accepteur et un matriau donneur, grce des positions diffrentes des bandes
nergtiques. On parle dans ce contexte de matriaux LUMO et HOMO. Un des points les
plus difficiles est la sparation de ces deux phases qui ont tendance se mlanger car les
matriaux sont solubles lun avec lautre. Cependant une avance importante a permis de
sparer spontanment les donneurs et les accepteurs en rendant les matriaux non solubles
[21, 22]. Dans le cas des polymres, tout se passe comme si on avait deux catgories de fibres
intimement mlanges, lune conduisant les lectrons et lautre les trous [23].

Dautres recherches se sont orientes vers un modle de cellule photovoltaque la fois

organique et inorganique (cellules hybrides) qui offre de nombreux avantages par rapport aux
cellules traditionnelles. Ainsi, il a t labor une cellule nanocristalline qui imite la
photosynthse des plantes. Utilises depuis longtemps dans les lasers colorants ou les
matriaux pour loptique, lutilisation efficace des molcules de colorants organiques dans le
domaine du photovoltaque, fut dcouvert en 1991 par Michael Graetzel. Des molcules
organiques pigmentes (colorant), absorbent la lumire et librent ainsi des lectrons. Les
lectrons sont vhiculs vers lanode par une couche poreuse de dioxyde de titane (TiO2), un
matriau semi-conducteur inorganique. A lanode, les lectrons sont dirigs vers un circuit
externe o leur passage produit de lnergie lectrique [24, 25].
Le rendement de ces cellules solaires organiques est encore infrieur 3% cause justement
de la nature du mlange et des problmes de recombinaisons lectroniques [26].
Loxydation de la cellule est encore un autre problme auquel il faut se pencher en recherche
pour trouver des solutions viables long terme. Malgr tous ces inconvnients, le
dveloppement de ces cellules est prometteur lavenir car elles prsentent une grande
facilit de fabrication. En effet, les matriaux actifs peuvent staler sur de grandes surfaces.
Comme ces cellules peuvent facilement se dvelopper sur matriaux souples, leur flexibilit
quasi naturelle comme le montre la Figure I-15 est galement un atout. Le cot de ces cellules
organiques est infrieur celui des cellules colorants et elles peuvent mme tre
biodgradables. Les cellules solaires organiques avec leurs faibles cots de matire premire,
leurs faibles besoins nergtiques de production et leurs capacits tre fabriques grande
chelle sont des candidates srieuses fort potentiel de dveloppement photovoltaque long
terme [22].
Figure I. 15. Cellule solaire tout

organique sur substrat souple [14].

I.3.4. Technologie couche-mince.
I.3.4.1. Introduction.
Les cellules PV dites couche mince (Thin-film) constituent ce que certains appellent les
cellules de seconde gnration car elles viennent historiquement juste aprs les cellules en
silicium cristallin relativement paisses. Lintrt de la technologie couche mince vient de la
faible quantit de matriaux ncessaire la fabrication dune cellule comparativement aux
cellules classiques. Contrairement aux cellules silicium cristallin de premire gnration, on
ne dpose que la quantit de matriau photosensible efficace pour absorber lessentiel du
rayonnement solaire (quelques microns dpaisseurs suffisent). Par ailleurs, on utilise des
mthodes de fabrication moins coteuses des cellules qui permettent une intgration
totale [22].
Les trois technologies mergentes sont aujourdhui :

- le Silicium amorphe et microcristallin not TFSi (Thin-Film Silicon).
- Le Semi-conducteur Poly-cristallin CdTe (Tellurure de Cadmium).
- Lalliage Cu(In,Ga)Se2 ( Cuivre-Indium/Gallium-Slnium) not dans la littrature CIGS.
I.3.4.2. Silicium couche-mince.
Dans la technologie TFSi base sur le silicium non cristallis, le silicium amorphe (not a-Si)
peut tre directement dpos sur un substrat de verre basse temprature par un procd de
dpt chimique en phase vapeur assist par plasma (PECVD pour Plasma-Enhanced
Chemical Vapor Deposition) (Figure I-16) [27]. On dpose dabord, sur le verre, une couche
doxyde transparente conductrice dune paisseur de 0,5m (TCO pour Transparent
Conductive Oxide). Cette tape est suivie par les tapes de dpt suivantes : une couche de a-
Si de type N, puis une couche a-Si semi-isolante (1m au total) et enfin une couche de a-Si
dope P [22].Une dernire couche mtallique arrire base dargent assure la connectique
(Figure I-17). Le processus de fabrication de ces cellules permet dabaisser significativement
les cots de productions. En effet, le cycle de production ne ncessite que trs peu dnergie
et le processus peut gnrer de grandes surfaces unitaires, de lordre du mtre carr, en un
seul tenant. Pour fabriquer un module, il suffit dajouter au processus une dposition de
matriau conducteur entre les cellules servant dinterconnexion entres elles (Figure 2-18).

Ainsi, grce cette souplesse de fabrication, il est possible de fabriquer simplement des
panneaux de nimporte quelle puissance et tension en fonction de la demande et de
lapplication [22].
Figure I. 16. Procd technologique de dpt chimique

nomm PECVD [23].
Malgr des rendements de conversion faibles de 6% 7% (limits par le taux de

recombinaisons trs lev), cette filire tend se dvelopper car le prix est faible par rapport
au cot actuel des cellules Si de premire gnration. Le silicium amorphe, possdant un fort
coefficient dabsorption, na besoin que dune trs faible paisseur de silicium, de lordre du
micron, rduisant par consquent considrablement les cots de matire premire et le risque
de pnurie lie au manque de silicium.
Plusieurs possibilits existent pour amliorer le rendement de ces cellules dites simple
jonction. De nos jours, des matriaux constituant des jonctions microcristallines (c-Si)
peuvent tre ajouts ou bien des alliages base de SiGe peuvent tre crs. Lintroduction de
ces matriaux innovants est prometteuse long terme pour la technologie TFSi. Cependant,
ces technologies restent encore du domaine de la recherche en passe de sortir des laboratoires
et subir plusieurs modifications pour sadapter correctement la production industrielle. Reste
galement savoir comment ces cellules vont se comporter en vieillissant [22].
Les plus avances du point de vue technologique ont une dure de vie infrieure 10 ans et ne
peuvent donc pas tre utilises en toiture ou dans des accs difficiles du point de vue
maintenance.

Figure I. 17. -Schma de principe dune cellule base de silicium amorphe et comparaison une cellule en
silicium cristallin [17].
Une tude [28] affirme quun module en a-Si produit plus dnergie sur une anne quun
module en silicium cristallin (pour une mme puissance crte installe) sur une mme priode
et sur un mme site. Ceci sexplique par un phnomne physique li la temprature.
En effet, le silicium cristallin perd de ses capacits de production au fur et mesure que la
temprature augmente lintrieur du module. Cette dpendance rduit fortement le
rendement des modules en t par exemple au plus fort de lapport nergtique solaire. Un
module en silicium cristallin perd environ 0,45 % de sa puissance lorsque sa temprature
augmente dun degr Celsius ( partir des conditions standard 25C, AM1.5) alors que,
loppos, le a-Si affiche un gain de 0,175%/C [29,30]. De plus, le silicium amorphe reste
relativement stable et peut produire de lnergie mme sous ensoleillement diffus et sous
faible clairement (et artificiel). Par contre les modules en silicium amorphe ont une dure de
vie plus courte par rapport aux modules en silicium cristallin (>10 ans contre >20 ans). En
effet, leur taux de dgradation est presque trois fois suprieur celui des panneaux en silicium
cristallin et en particulier les premiers six mois de fonctionnement [11].
Cependant, les recherches dans ce domaine sont extrmement actives depuis plusieurs annes
et les avances sont rapides. Parmi les recherches poursuivies, on notera ltude sur la
mtastabilit du silicium amorphe [12]. Il sagit en fait de comprendre leffet Straebler-
Wronski relatif la dgradation des performances des cellules sous leffet de la lumire. Une

cellule neuve voit ses performances baisser denviron 10% avant de se stabiliser. Les
mcanismes entrant en jeu sont encore mal connus.
Figure I. 18. Schma simplifi dun module a-Si en couche mince [15]
On peut trouver en Figure I-19, les caractristiques lectriques relles et simules dune
cellule en silicium amorphe dveloppe en laboratoire [19]. Cette cellule montre un
rendement record de 8.5% pour une simple jonction amorphe avec un facteur de forme de
0,719. On peut remarquer lexistante dune diffrence importante des performances entre les
diffrentes technologies silicium. La cellule amorphe produit 22.5mA/cm contre 38.1mA/cm
pour une multi-cristalline avec des tensions de circuit-ouvert de 0.524V contre 0.654V.
Ces diffrences lectriques qui aboutissent sur une diffrence significative de rendement ont
t la base de la mise lcart de la technologie amorphe la fin des annes 90 par les plus
grands constructeurs mondiaux. Mais les recherches qui ont continu aussi bien dans les
matriaux que dans les processus de fabrication en font aujourdhui un matriau prometteur
prt concurrencer le silicium cristallin dans un avenir proche si leur bas prix compense la
baisse importante des performances des caractristiques I(V) au cours du temps.
Des analyses suggrent que dici deux trois ans le prix de production devrait atteindre 1.3
1.6/Wc pour les modules a-Si (avec des rendements de 6.5% 7.5%), et c-Si (avec des
rendements de 8 9%) grce lutilisation dquipements rcemment disponibles pour
lindustrialisation.

Figure I. 19. Caractristique courant-tension dune cellule en silicium amorphe.

(a) Courbe relle, (b) Courbe simule [24]
On peut voir dans le Tableau I-1 un rcapitulatif des diffrentes filires silicium prsentes
actuellement sur le march. Ce bilan rappelle les avantages et les inconvnients de chacune
des technologies qui doivent tre pris en compte dans la ralisation dun projet
photovoltaque. Lentreprise Sanyo propose mme actuellement une nouvelle technologie de
cellules htrojonction en alliant le silicium amorphe et le monocristallin.
Cette association permet dobtenir des rendements de plus 16% mme haute temprature
avec une dure de vie suprieur 20 ans (80% de la puissance au bout de 20 ans). La filire
silicium, cristallin comme amorphe, a donc encore un rle prpondrant dans le
dveloppement photovoltaque du futur.
Tableau 1-1 Performance de la filire Silicium simple jonction [13]

Technologie Rendement Influence de Taux de Prix dun module
typique Temprature dgradation (2008)
Monocristallin 12 16% -0.442% par C -0.38% par an 3.13/Wc
Polycristallin 11 14% -0.416 par C -0.35% par an 2.95 /Wc
Amorphe 6 7% +0.175 par C -1.15% par an 2.35 /Wc

I.3.4. 3. Les filires non silicium.
Les recherches actuelles sur les matriaux PV portent galement sur dautres matriaux que le
silicium, mieux adapts une utilisation en couches minces et dlivrant de hauts rendements
des cots relativement bas. Deux filires semblent simposer progressivement, lune base sur
le tellurure de cadmium (note CdTe) et lautre sur les alliages Cuivre-indium/gallium-
Slnium (not CIGS) [22].
Les cellules CGIS sont constitues par empilement. Tout dabord, une couche mtallique de
molybdne de 0.5m dpaisseur est dpose sur du verre de vitre pour raliser le contact
arrire. Puis on vient dposer une couche CIGS de type P, denviron 1.5m. Suit une couche
de CdS ou de ZnS (pour Sulfure de Cadmium et Zinc Sulfur) denviron 50nm, et enfin une
couche de ZnO (Oxyde de Zinc) de type N, de 1m, servant de contact avant conducteur et
transparent. Finalement, la cellule est encapsule par couverture par une vitre [22, 24].
Dans le cas du CdTe, une couche de CdS de type N est dpose sur du verre, puis une couche
de CdTe de type P, denviron 2m, et une couche conductrice de carbone servant de
deuxime contact [22].
La technologie CIGS prsente actuellement le meilleur rendement de production pour une

cellule et pour des modules par rapport toutes les technologies couches minces inorganiques
avec des cellules pouvant atteindre 19.9% en laboratoire [22,26] et des modules commerciaux
de 12%. Cependant, il reste un grand nombre de points amliorer afin de rduire le prix de
ces cellules. Le principal challenge de la technologie CIGS couche mince est la rduction du
prix des matriaux.
Diverses pistes existent pour essayer de remplacer les matriaux chers comme lInGa par de
lAl. De plus, il est ncessaire galement de trouver des solutions pour moins gaspiller la
matire premire active pendant la fabrication. Une dernire piste consiste rduire tout
simplement lpaisseur de la couche active.

Figure I. 20. Schma de principe dune cellule

base de CIGS [22].
La simplicit chimique du matriau base de tellurure de cadmium - (CdTe) et sa stabilit en

font de celui-ci un matriau attractif. Ses proprits thermo-physiques et ses caractristiques
chimiques permettent de fabriquer des cellules simplement et faible cot. Le rendement des
cellules en CdTe dpend fortement de la manire dont les couches actives sont dposes
(temprature de dpt, vitesse et nature du substrat). Compar aux autres technologies couche
mince, le CdTe est plus facile dposer et donc plus appropri la production de module PV
de surface importante. Linconvnient majeur actuel repose sur la toxicit reconnue du
Cadmium bien quil a t dmontr que les risques environnementaux lis aux cellules PV en
CdTe sont minimes [27].
En effet, les modules en CdTe ne prsenteraient pas de risques sanitaires et

environnementaux, et un simple recyclage des modules en fin de vie rsoudrait dfinitivement
le problme de pollution. Lutilisation de CdTe dans les modules photovoltaques est en fait
beaucoup moins inquitante que dautres utilisations du cadmium, comme par exemple dans
les batteries Ni-Cd. Le fabricant amricain de panneaux CdTe First Solar est lun des
premiers industriels proposer un recyclage de ses propres produits. En effet, lentreprise est
soucieuse de rcuprer le cadmium pour des raisons environnementales et de cots.
Contrairement aux wafers de siliciums, les cellules ne peuvent pas tre extraites et rutilises
presque telles quelles. Elles doivent imprativement repasser par une tape mtallurgique.
First Solar estime que ce traitement pourrait galement convenir aux cellules de type CIS
(Cuivre-Indium-Slnium). Dautres fabricants, comme Wrth Solar, travaillent plus
spcifiquement sur cette question.

Dun point de vue rendement nergtique, la filire CdTe, prsente des rendements de cellules
record de 16.5% en laboratoire [22] et des modules commerciaux prs de 10.7% [29].
LEurope et les USA produisent dj des panneaux en couches minces CdTe. Leurs
rendements avoisinent les 9% et les cots de fabrication semblent tre comptitifs avec la
filire c-Si. Les recherches montrent que le CdTe pourrait atteindre un rendement de 15%
pour un prix de 0.5/Wc moyen terme.
Figure I. 21. Caractristique courant-tension dune cellule CIGS [30].
On peut trouver en Figure I-21 les caractristiques I(V) relle et simule dune cellule CIGS
ralise en laboratoire avec un rendement de 17.5% pour un ensoleillement AM1.5. Ces
rsultats remarquables, positionnent le CIGS comme le CdTe au-dessus des cellules silicium
en termes de compromis cot-rendement. Bien que moins dveloppes jusqu prsent que les
filires silicium, celles-ci montent nanmoins en puissance avec un fort potentiel de
dveloppement en termes de cot de production. La squence de fabrication des modules en
couches minces a-Si, CdTe et CIGS diffre compltement de celle des modules classiques au
silicium. Elle est base sur le principe dinterconnexion monolithique o les cellules sont des
bandes isoles par gravure et connectes en srie entre elles par dpt de contacts.
Bien que la majeure partie de la production de cellules solaires soit faite sur des substrats de
verre, on voit apparatre progressivement de nouveaux substrats souples compatibles avec la
filire couche mince. Ces nouveaux substrats (mtal ou plastique) prsentent les avantages
dtre plus lgers que le verre, plus faciles mettre en uvre et surtout moins coteux. Ces
caractristiques font deux des supports de choix pour le futur.

I.3.4.4. Les multi-jonctions en couche mince.
Pour amliorer les performances des cellules couche-mince, des architectures double et triple
jonctions ont t dveloppes. Elles sont inspires des cellules multi-jonction dveloppes
initialement pour le spatial pour bnficier au maximum du spectre solaire. Elles prsentent
nanmoins une mise en uvre plus simple et mieux maitrise aujourdhui pour le march
terrestre.
Nous pouvons citer par exemple les cellules tandem base de silicium la fois amorphe et
polycristallin (a-Si/c-Si) [22,21]. Les meilleurs rendements stabiliss en laboratoire sont de
lordre de 12% pour ces cellules. Il sagit comme pour les multi-jonctions dempiler deux
cellules photovoltaques qui absorbent des photons de longueurs donde diffrentes. Par ce
mcanisme, lensemble tandem compos de lassociation de deux cellules, permet dabsorber
un plus large spectre lumineux et ainsi produire plus dnergie quune cellule simple jonction.
La premire couche en silicium amorphe absorbe une partie du spectre alors que lautre
partie, qui la traverse, est absorbe par la seconde couche en silicium microcristallin. Le
procd de fabrication est le mme que pour les couches minces, les diffrentes couches qui
composent la cellule sont dposes par plasma (PECVD) sur un substrat de verre [22].
Figure I. 22. Cellule Tandem a-Si/c-Si & spectre solaire et spectres dabsorption [23].
On peut observer en Figure I-23 les caractristiques lectriques relles et simules dune
cellule tandem a-Si/c-Si. Contrairement aux autres cellules simple jonction, la tension de
circuit ouvert de cette cellule slve 1.39V. Cette hausse de tension sexplique par
larchitecture tandem quivalente la mise en srie de deux cellules. Par consquent, les
tensions Voc de la cellule a-Si et de la cellule c-Si sadditionnent. Cette configuration lie

cependant lectriquement les deux cellules. Ainsi, le courant produit par cette association
dpend de la cellule produisant le plus faible courant. Gnralement, on optimise
conjointement les deux cellules afin doptimiser la puissance fournie par lensemble tandem.
Figure I. 23. Caractristique courant-tension dune cellule Tandem a-Si/c-Si [19].

(a) Courbe relle,
(b) Courbe simule.
Une triple jonction particulirement prometteuse, base de silicium amorphe a t

dveloppe au NREL (National Renewable Energy Laboratory) au Colorado, en association
avec United Solar Systems Corp. Cette nouvelle structure se compose de trois couches qui
capturent diffrentes longueurs d'onde, doublant les rendements par rapport la limite
thorique des jonctions simples [22,23]. La premire cellule, qui capte les photons bleus, fait
appel un matriau a-Si disposant dun gap de 1.8eV. La cellule centrale en silicium amorphe
et germanium (10 15% de concentration en Ge) dispose dun gap de 1.6eV qui permet
dabsorber les photons verts. La cellule arrire, en aSi-Ge (40 50% de Ge), capte les photons
rouges et infrarouges (Gap de 1.4eV). Des modules commerciaux triple-jonction en support
souple sont dj disponibles avec des rendements avoisinant les 7% pour des films solaires de
1m. Le meilleur rendement de cellule triple-jonction a-Si/a-SiGe/a-SiGe slve 13% en
laboratoire. Maintenant, le passage lchelle industrielle et la production de modules
multi-jonction performants sont les principaux dfis auxquels doit faire face cette technologie
afin davoir un dveloppement complet.

I.4 Conclusion
Les aspects technologiques et lectriques ont t abords afin de mieux comprendre

lensemble des mcanismes de l a conversion photovoltaque. Les possibilits
dinnovation sont trs grandes et sont portes par le bouillonnement des recherches en
vue damliorer les filires existantes mais surtout den trouver des nouvelles et de
prparer les prochaines ruptures, autant technologiques notamment dans les matriaux et
les rendements que conceptuelles par des approches conjointes matriaux-systme.
Un lment cl dans ces recherches est la capacit de conversion
photovoltaque, il nous faut donc parler du graal des recherches dans le domaine du
photovoltaque qui est lobtention de rendements trs levs. Ces recherches sappuient sur
lanalyse thorique de la conversion photon-lectron adapte lensemble du spectre
solaire. Celles-ci montrent que le rendement maximum thorique serait alors denviron
85% [27]. On est loin de ces rendements. Le chemin parcourir par rapport aux valeurs
actuelles laisse un potentiel dau moins 30% damlioration par rapport des cellules
classiques. La Figure I-26 montre lvolution des rendements record des principales
filires photovoltaques actuelles. On y retrouve les diffrentes cellules au silicium
monocristallin et poly-cristallin, les cellules au silicium amorphe, les cellules en alliage
de diSlniure de Cuivre Indium Galium (not CIGS), au tellurure de cadmium (CdTe),
mais aussi les cellules base de composs III-V qui appartiennent la catgorie des
cellules multi-jonctions. A ct des filires bien tablies, sont apparues de nouvelles
filires, bases sur lutilisation de colorants ou de matriaux organiques, qui nen sont
qu leurs balbutiements.

Bibliographie Chapitre I
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Chapitre II : Les nanomatriaux et les nanotechnologies - Etude Bibliographique -
Chapitre II
Les nanomatriaux et les nanotechnologies
Etude bibliographique
Sommaire
II.1 Les nanomatriaux et les nanotechnologies 39
II.2 Intrt des nanofils : 43
II.2.1 Intrt des nanofils pour la thermolectricit : 44

II.2.2 Intrt des nano fils de Si/SiGe en thermolectricit : 49
II.2.3 Intrt des nanofils pour le photovoltaque : 54
II.2.4 Intrt des nanofils pour l'lectronique : 57
II.3 La croissance des nanofils 62
II.3.1 Types de nanofils 62

II.3.2 Les stratgies de croissance 62
II.3.2.1 Croissance de nanofils en solution 64

II.3.2.2 Croissance de nanofils en phase gazeuse 68
II.3.3 Les nanofils htrostructurs Si/SiGe 70
II.4 Conclusion 72

Dans ce chapitre on va traiter le contexte actuel des recherches dans le domaine des
nanotechnologies ainsi que les nanofils de silicium. Celles abordes sont les nanostructures
unidimensionnelles existantes.
1. La premire partie est introductive au monde du nanomtre.

2. Le deuxime partie prsente l'intrt du dveloppement des nanostructures et surtout
des nanofils dans trois domaines d'applications : la thermolectricit, le photovoltaque
et l'lectronique.
3. La derniere partie traitera de la croissance des nanofils, quelle que soit leur
composition et surtout de la croissance des nanofils de silicium, de ses multiples
paramtres et, enfin, des structures particulires que sont les nanofils htrostructurs
silicium-alliage silicium germanium (Si/SiGe) [1].
II.1 Les nanomatriaux et les nanotechnologies :
Les nanotechnologies ont vu le jour dans le prolongement de la course la

miniaturisation. Cependant, les nanotechnologies ne sont pas une nime avance dans le
domaine de l'lectronique mais ouvrent rellement une voie nouvelle d'exploration en
sciences et de nouvelles possibilits d'applications. En effet, pour la premire fois dans
l'histoire humaine, l'homme peut [1] :
(1) changer les proprits fondamentales de la matire (comme les carts de bande et la
luminescence) ;
(2) observer et manipuler des objets l'chelle micromtrique (comme des ensembles
d'atomes et de molcules) ;
(3) fabriquer et construire des nano-systmes avec un nanofil ou nanotube permettant le
passage d'un unique lectron ou photon.
La premire caractristique dcoule du changement d'chelle de macroscopique

nanoscopique qui entrane un changement des proprits physiques de la matire. Les lois
observes cette chelle contredisent souvent de manire radicale celles de la physique dite
classique. La seconde caractristique est devenue possible par l'invention de la microscopie
lectronique en transmission haute rsolution (HR-MET), de la microscopie balayage
(MEB) (incluant la microscopie effet tunnel) et de la microscopie force atomique (AFM)
[1].

La troisime caractristique est le rsultat du dveloppement des techniques de nano

fabrication varies (comme la lithographie utilisant des faisceaux d'lectrons ou des rayons X)
autant que du phnomne physique de confinement quantique [1].
Les scientifiques ne sont pas encore unanimes quant la dfinition des nanotechnologies.
En voici une rgulirement employe : les nanotechnologies sont l'ensemble des thories et
techniques permettant de produire et manipuler des objets minuscules l'chelle du
milliardime de mtre (le nanomtre). C'est une technologie qui demande des outils de trs
haute prcision pour dplacer les atomes un un et visualiser ce qui se passe une chelle
aussi petite. Avec les nanotechnologies, sont nes les nanosciences qui ont pour rle d'tudier
les phnomnes se produisant aux chelles atomique, molculaire et macromolculaire et de
manipuler les matriaux ces mmes chelles. Les nanomatriaux sont les briques de base de
ces systmes et sont au centre des nanosciences [1]
L'histoire scientifique des nanomatriaux a commenc en 1959 lorsque R. Feynman voqua

les potentialits des toutes petites particules de matire condense : Je suis certain que si
nous matrisons la structure de la matire petite chelle, nous accderons un plus grand
nombre de proprits de la matire . Ds le dbut des annes 60, des confirmations
thoriques de cette intuition apparurent. R. Kubo (Universit de Tokyo) dtermina le
comportement quantique de petits agrgats d'atomes. Ce modle permettait de pressentir que
lorsque la taille des grains lmentaires devient infrieure la longueur critique associe
une proprit donne, cette dernire devient ajustable. En 1986, Eric Drexler publie un
ouvrage sur l'avenir des nanotechnologies, Engines of Creation : the coming area of
nanotechnology , dans lequel il dlivre sa vision des progrs possibles avec l'essor des
nanotechnologies [2]. Il dcrit l'ide de crer un assembleur, savoir une nano machine
consistant en un bras reli un ordinateur qui pourrait tre programm pour construire
dautres nano machines. Ide qu'il ne pourra pas mettre en application en raison des difficults
pratiques crer des machines de manipulation lchelle atomique.
Par la suite, les nanotechnologies ont pu se dvelopper grce l'invention de deux instruments
permettant d'observer et d'interagir avec la matire une chelle atomique ou subatomique : le
microscope effet tunnel (Scanning Tunnel Microscopy, STM) et le microscope force
atomique (AtomicForce Microscopy, AFM)[1].

La mise au point de ces techniques ont valu un prix Nobel Binning et Rohrer du laboratoire
d'IBM de Zurich en 1986 [3, 4].
Plusieurs avantages des nanomatriaux peuvent tre souligns. Ces matriaux, du fait de leurs
dimensions, possdent un nombre important d'atomes de surface par rapport aux atomes de
volume ce qui donne une importance majeure aux phnomnes de surface et qui va engendrer
des proprits physico-chimiques nouvelles. D'autre part, ces matriaux ont un paramtre
dimensionnel de l'ordre de la longueur d'onde des particules, elle-mme implique dans un
grand nombre de phnomnes physiques. Des phnomnes de confinement quantique
apparaissent. En raison de ce ratio surface/volume lev et de leurs dimensions, les
nanomatriaux sont particulirement intressants du fait qu'ils peuvent prsenter des
proprits anisotropes ou variables selon leurs dimensions, lesquelles sont des attributs
importants dans les applications de type nano systmes. La consquence est que ces
nanomatriaux ne respectent pas forcment les lois de la physique macroscopique et que
l'interprtation de leur comportement peut tre extrmement complexe [1].
Enfin, leurs faibles dimensions rpondent galement aux exigences de taille de la course la
miniaturisation notamment en microlectronique et pour les micros sources d'nergie. Ainsi,
les proprits exceptionnelles qui peuvent dcouler de ces assemblages nanomtriques
permettent d'envisager de dpasser le simple cadre de la miniaturisation des dispositifs pour
aller vers des applications nouvelles et innovantes [5, 6].
En principe, il y a deux approches de la nanotechnologie : Lapproche descendante (en

anglais top-down ) et la stratgie montante (en anglais Bottom-up ). L'approche
montante vise construire des nano systmes partir des lments atomiques et molculaires.
L'approche descendante cherche fabriquer des nano dispositifs en usinant la matire avec
des machines trs prcises comme le faisceau d'lectrons, l'ultraviolet extrme ou la
lithographie de rayons X [1]. Quelle que soit l'approche employe, les premires tapes
raliser sont la synthse et la caractrisation des nanomatriaux ainsi que l'tude de leurs
proprits physiques et chimiques.
Les nanomatriaux sont, par dfinition, des matriaux dont au moins une des dimensions est
nanomtrique, i.e. de l'ordre de 109 mtre.

On distingue arbitrairement trois catgories de nanomatriaux :
Les nano-objets 0D : nanoparticules (agrgats, collodes, cristaux) composes de

quelques dizaines quelques milliers d'atomes,
Les nano-objets 1D : nanotubes, nanofils, etc. dont la dimension nanomtrique
concerne le seul diamtre.
Figure II. 1. Principaux nano-objets 1D : les nanofils, les nanotubes, les nano btonnets et les nanorubans [6].
Les objets 2D : couches nanomtriques ou couches minces de quelques nanomtres

d'paisseur gnralement dposes sur un matriau massif.
Il existe des nano-objets 1D de morphologies et structures diffrentes, nous en dcrivons

rapidement les principaux (cf. figure II.1) :
Les nanofils ou nanofibres : cylindres pleins de quelques nanomtres de diamtre (1-

100 nm) avec une longueur qui peut aller jusqu' plusieurs centaines de microns,
Les nanotubes : structures filaires creuses. Un nanotube est un ensemble de un ou

plusieurs feuillets atomiques enrouls de faon concentrique. Les nanotubes de
carbone sont les plus courants en raison de la structure planaire du carbone sous forme
graphitique,

Les nanobtonnets (nanorods) : quivalentes aux nanofils mais avec une longueur
bien infrieure, de quelques microns seulement,
Les nanorubans (nanobelts ou nanoribbons) : structures pleines de longueur

quivalente celle des nanofils mais prsentant une section rectangulaire ou
trapzodale dont un des cts est plusieurs fois suprieur l'autre. Forme qui fait
penser des rubans,
Les nanocbles ou nanofils radiaux : structure avec un cur de type nanofil et des
couches coaxiales qui entourent ce cur.
Les whiskers, quant eux, peuvent tre prsents comme les anctres des nanofils. Ils ont la
mme forme mais une chelle de taille suprieure avec des diamtres suprieurs au micron
et des longueurs de plusieurs centaines de microns [1].
Comme nous l'avons dj mentionn prcdemment, nous nous intresserons, dans ce travail
de thse, qu'aux nano-objets 1D et en particulier aux nanofils.
II.2 Intrt des nanofils :
Les premires nanostructures 1D avoir t synthtises sont les nanotubes de carbone,

dcouverts par Iijima en 1991 [7]. Suite cette premire dcouverte, les chercheurs se sont
intresss la synthse et caractrisation d'autres structures 1D, qui incluent les nanofils, les
nano btonnets et les nano rubans. Les nanofils inorganiques peuvent jouer le rle de
composants actifs dans les systmes lectroniques, comme l'ont mis en vidence des tudes
rcentes [8]. Comme nous l'avons dj mentionn, les proprits modulables et hors du
commun de ces nanostructures permettent de les intgrer dans des domaines d'applications
vastes tels que l'lectronique, l'optique, la thermo lectricit, le photovoltaque, la biologie, la
chimie, la mcanique, etc. Nous nous intressons plus particulirement aux applications en
micro sources d'nergie, en thermolectricit et en photovoltaque, ainsi qu'aux applications
en lectronique.

II.2.1 Intrt des nanofils pour la thermolectricit :
Les systmes de rfrigration classiques utilisant des cycles de compression-dtente

comportent des pices mobiles, sources de vibration et de bruit. Au contraire, la
thermolectricit se base sur la conversion directe de l'nergie thermique en nergie lectrique
via des phnomnes de physique du solide. Les convertisseurs thermolectriques ne possdent
pas de pices en mouvement. L'absence de vibration permet d'envisager leur utilisation pour
des applications o les vibrations sont considrablement gnantes comme dans les systmes
de guidage laser ou les circuits intgrs. Leur utilisation est plus simple et ils sont plus
compacts. Cependant, les rendements des convertisseurs commercialiss actuellement sont de
l'ordre de 10% ce qui reste faible par rapport aux 30% des rfrigrateurs par compression de
vapeur. La fabrication de ces nouveaux convertisseurs thermolectriques de petite taille aidera
refroidir les appareils lectroniques, mais permettra aussi de produire de l'lectricit partir
d'nergie perdue par effet joule. L'intgration de nanostructures comme les nanofils dans ces
convertisseurs permettra une augmentation sans prcdent du rendement [9].
Nous citerons deux applications :

a) La rfrigration thermolectrique : il s'agit de la cration d'un flux de chaleur qui
s'oppose la diffusion thermique, lorsqu'un matriau soumis un gradient thermique
est parcouru par un courant I [10].
b) La gnration lectrique : il s'agit de la conversion d'un flux de chaleur en courant

lectrique. L'apport de chaleur peut notamment se faire partir de sources de chaleur
perdue comme dans les pots d'chappement des automobiles, les chemines
d'incinrateurs, les circuits de refroidissement des centrales nuclaires.
Trois effets thermolectriques ont t observs sur un matriau : l'eet Seebeck , l'eet
Peltier et l'eet Thomson . Il s'agit d'effets de volume, non de surface [11]. Ces trois effets
sont relis par des relations simples dcrites par les quations d'Onsager du nom du physicien
qui les a explicites. A chaque eet est associ un coefficient qui lui est propre. Ainsi la
connaissance de l'volution d'un seul de ces coefficients en fonction de la temprature, T,
permet d'en dduire les deux autres [12].

Figure II. 2. Schma de l'effet Seebeck [11].
L'effet Seebeck : L'effet Seebeck a t dcouvert en 1821 par Thomas Johann Seebeck.
Lorsqu'une jonction de deux matriaux distincts A et B est soumise un gradient de
temprature T, il en rsulte aux bornes de cette mme jonction l'apparition d'une force
lectromotrice (f.e.m.), comme schmatis sur la figure II.2. Physiquement, l'eet Seebeck
peut s'expliquer par la polarisation de tout lment conducteur plac dans une zone de
temprature o le gradient est non nul. On observe une diffusion des lectrons de conduction
de l'extrmit la plus chaude vers l'extrmit la plus froide. Leur vitesse dpend de la
temprature. Les lectrons chauds tant plus rapides que les lectrons froids, l'extrmit
chaude se charge positivement et l'extrmit froide ngativement. Un champ lectrique va
natre et ce dernier, selon la loi d'Heinrich Lenz, s'oppose au mouvement lectronique qui lui
donne naissance. Ce champ, qui va dpendre des caractristiques des matriaux et,
particulirement, du pouvoir thermolectrique, est l'origine de la tension dite tension
Seebeck. Les lectrons chauds sont alors ralentis par le champ lectrique interne cr et les
lectrons froids sont acclrs. Un quilibre dynamique s'tablit : la diffusion des lectrons
chauds se trouve compense par la diffusion des lectrons froids. Un lment de matriau
conducteur d'une certaine longueur peut, par consquent, tre assimil un gnrateur de
tension lmentaire [11].

L'effet Peltier : L'effet Peltier est le dgagement ou l'absorption de chaleur, autre que l'effet
Joule, provoqu par le passage d'un courant lectrique travers les jonctions de deux
conducteurs A et B ports la mme temprature.
Cet effet dcouvert en 1834 par Jean-Charles Athanase Peltier entrane un change de
quantits de chaleur trs petites. Cet change est proportionnel l'intensit du courant
lectrique (I) dans le circuit et dpend de la temprature laquelle se trouve le systme [11].
L'effet Thomson : Le physicien anglais William Thomson (Lord Kelvin) montra en 1851 que
les effets Seebeck et Peltier sont lis. L'eet Thomson apparat ainsi comme un eet Peltier
continu au sein du matriau. Il peut tre mis en vidence pour un seul matriau. L'eet
Thomson est le dgagement ou l'absorption de chaleur, autre que l'eet Joule, qui accompagne
le passage d'un courant lectrique travers un conducteur homogne dont la temprature n'est
pas uniforme. Une absorption de chaleur est observe lorsque le courant circule dans le sens
inverse du gradient de temprature, et inversement un dgagement de chaleur lorsque le
courant est dans le sens du gradient de temprature (dans le cas o le coefficient Thomson est
positif) [11].
Relations entre les coefficients de Seebeck, Thomson et Peltier : Thomson a tabli deux
relations qui lient les trois coefficients et les a vrifies exprimentalement [11].
(II.1)
Et
(II.2)
SA : Coefficient Seebeck du conducteur A dans le cas o A un conducteur homogne

SB : Coefficient Seebeck du conducteur B dans le cas o B un conducteur homogne
: Coefficient Peltier entre deux conducteurs de nature diffrente A et B
: Coefficient Thomson du conducteur A

: Coefficient Thomson du conducteur B

Le rendement d'un convertisseur thermolectrique : Un convertisseur thermolectrique

classique comporte une jonction de matriaux conducteurs dont l'un est dop p, c'est--dire
contenant des porteurs de charges positives (trous), et l'autre est dop n, c'est--dire contenant
des porteurs de charges ngatives (lectrons) (cf. figure II.3) [9].
Figure II. 3. a) Jonction n-p fonctionnant en gnrateur lectrique,

b) jonction n-p fonctionnant en rfrigration [13].
Le rendement d'un gnrateur thermolectrique est donn selon la formule suivante :

(II.3)
: Rendement du gnrateur thermolectrique

: Temprature froide ( > )
: Temprature chaude
ZT : facteur de mrite
Le rendement peut tre dcompos en deux parties :
Un premier terme : correspondant au rendement de Carnot donn par la
physique thorique. Il s'agit du rendement maximum que l'on peut obtenir

thoriquement, c'est--dire sans introduire de pertes dans le systme.

Un deuxime terme : relatif aux caractristiques du matriau. Il dpend
de ZT appel facteur de mrite.
C'est ce facteur que l'on va chercher augmenter pour amliorer le rendement du

convertisseur thermolectrique.
Le facteur de mrite : L'optimisation de matriaux pour une utilisation en conversion

thermolectrique passe ncessairement par l'optimisation de leurs proprits de transport
lectrique et thermique de manire optimiser le facteur de mrite :
: Facteur de puissance
S : Coefficient Seebeck
: Conductivit lectrique du matriau
: Conductivit thermique du matriau
: Temprature absolue
Figure II. 4. Evolution thorique et exprimentale de ZT [13].

Un bon matriau thermolectrique possdera simultanment un coefficient Seebeck lev, une

bonne conductivit lectrique, se comportera comme un verre vis vis des phonons et un
cristal vis vis des lectrons. Les meilleurs matriaux thermolectriques disponibles
aujourd'hui et utiliss temprature ambiante, ont un ZT d'environ 1 [1]. Cette valeur a t
amliore de seulement quelques dizaines de pourcent depuis les annes 50. Ces matriaux
sont l'antimoine et le tellure de bismuth avec des traces d'autres lments pour doper les semi-
conducteurs. Les refroidisseurs thermolectriques avec un ZT de 1 ont un rendement de
seulement 10% de celui de Carnot. Dans la thorie, lorsque ZT tend vers l'infini, le rendement
pourrait atteindre le rendement de Carnot. Avec un ZT de 4, le rendement des rfrigrateurs
par compression de vapeur dee 30% sera quasiment atteint [9].
Jusqu' aujourd'hui la thermolectricit a t utilise seulement pour des applications niches

du fait du rendement limit des convertisseurs. En effet, augmenter ZT est un vrai dfi, bien
souvent, lorsqu'un paramtre physique est optimis, cela affecte un autre paramtre de faon
inverse [14]. Cependant, les matriaux semi-conducteurs ont une densit de porteurs faible, ce
qui donne des valeurs de coefficient Seebeck plus leves et une valeur de conductivit
thermique domine par les phonons, ce qui conduit, en quelque sorte, un dcouplage des
conductivits thermiques et lectriques [15]. C'est prioritairement la diminution de la
conductivit thermique et l'augmentation du ZT qui vont tre recherches en introduisant de
nouveaux nanomatriaux aux convertisseurs thermolectriques.
II.2.2 Intrt des nano fils de Si/SiGe en thermolectricit :
Comme mentionn prcdemment, les nanostructures possdent des proprits assez

diffrentes du matriau massif de mme composition. Dans le domaine de la
thermolectricit, le but recherch en technologie est double : chercher amliorer le
rendement de conversion en utilisant des structures de basses dimensionnalits, tout en
bnficiant des systmes de fabrication en grande srie. L'tude des structures de basses
dimensionnalits est devenue trs importante depuis que des amliorations notables du facteur
de mrite ZT ont t prdites thoriquement puis observes exprimentalement [1].
L'optimisation de la dynamique des phonons et de la physique du transport de chaleur dans les

systmes nanostructurs a donn des rsultats prometteurs [16,18].

Les nanostructures doivent tre prpares avec une ou plusieurs dimensions infrieures au
libre parcours moyen des phonons et suprieures celui des lectrons et des trous. Cela
rduirait potentiellement la conductivit thermique sans diminuer la conductivit lectrique
[19]. La figure II.4 illustre schmatiquement la diminution du ZT lorsque la dimension se
rduit et que la nano-structuration augmente.
Deux effets principaux influent sur les proprits thermolectriques du matriau lorsque celui-
ci est nano-structur :
Le premier est une forte diffusion des phonons par les joints de grains (frontires entre les
diffrents grains constituant le matriau) et par les effets de bords (rugosit de surface du
matriau) induisant une diminution de la conductivit thermique de rseau.
Le second apparat sous forme d'effets de confinement (phnomne de type quantique) des
porteurs de charge qui modifient fortement les proprits de transport lectrique
(conductivit lectrique et coefficient Seebeck).
Des valeurs trs leves du facteur de mrite ZT, de l'ordre de 2,5 la temprature ambiante,
ont ainsi t observes en laboratoire dans des structures d'empilements de couches minces
d'ordre nanomtrique. A l'heure actuelle, ces structures sont principalement envisages pour
des applications des tempratures basses ou moyennes (<150-200C). Une des principales
difficults est, en effet, d'obtenir des couches minces thermolectriques dont les proprits ne
se dgradent pas lorsque la temprature augmente [10].
Le matriau thermolectrique le plus utilis est le tellure de bismuth Bi2Te3 et ses alliages
avec l'antimoine Sb et le slnium Se, entre autres, ils ont un ZT proche de 1. Il est difficile de
transfrer le Bi2Te3 massif pour la conversion d'nergie grande chelle. De plus, fabriquer
des nanostructures dans ce but est d'autant plus difficile. Ces matriaux prsentent aussi
l'inconvnient d'tre trs toxiques pour l'environnement [1].
Le silicium est le semi-conducteur le plus abondant sur terre et largement exploit dans
l'industrie de la microlectronique [1].

Cependant, le silicium massif a une conductivit thermique leve (150 W.m1.K1

temprature ambiante [20]) ce qui donne un ZT proche 0,01 300K [21]. tant donn que la
structure cristalline des nanofils de silicium est analogue celle du silicium massif, il est
ncessaire que les modifications induites par la taille des nanofils aient une forte influence sur
la physique des phonons et la conductivit thermique afin d'amliorer la valeur du ZT
La physique des phonons est importante pour les nanofils de silicium dans lesquels la
structure du silicium est analogue celle du matriau massif [14]. La distribution spectrale
des phonons contribuant la conductivit thermique est relativement large. Il faut distinguer
les phonons de faibles, moyennes et hautes frquences. Les dfauts ponctuels entranent
principalement la diffusion des phonons de hautes frquences.
La diffusion Umklapp permet celles des moyennes frquences. En effet, la diffusion par
mcanisme Umklapp phonon-phonon est proportionnelle , o est la frquence des
phonons, donc elle reste faible tant que la frquence des phonons reste faible. Ce sont les
phonons acoustiques de basse frquence qui contribuent significativement la conduction de
chaleur et donc la valeur de ZT haute temprature [22, 25]. Les phonons basses
frquences sont principalement affects par la diffusion aux interfaces d'o l'intrt de la nano
structuration.
Une autre mthode employe pour diminuer la conductivit thermique est l'incorporation
rationnelle d'lments diffusant les phonons diffrentes chelles de longueurs d'ondes. Grce
ces diffrents moyens d'action, la conductivit thermique devrait dcrotre de faon
considrable [1].
Depuis 2000, il a t obtenu des valeurs exprimentales de ZT allant jusqu' 2,4 avec des
supers-rseaux [16]. Lors d'une utilisation en refroidisseur, une tude a dmontr qu'un
matriau labor en super-rseau (ex. Si/SiGe) permet d'obtenir une diffrence de temprature
plus grande que le matriau alli de mme nature (ex. SiGe). Le ZT, estim thoriquement
2, a t mesur dans la plage 1,3-1,6. Cette amlioration par rapport au facteur de mrite
obtenu avec des matriaux massifs est attribue en grande partie la structuration du matriau
[17].

Figure II. 5: Evolution de la conductivit thermique en fonction de la temprature [10,26]

a) pour des diamtres diffrents de nanofils de silicium monocristallins.
b) pour des supers-rseaux Si/SiG et pour deux nanofils Si/SiGe
Des mesures de conductivit thermique ont t effectues sur des supers-rseaux et sur des
nanofils isols [10,26]. D'aprs la littrature, seulement une unique mesure de conductivit
thermique sur nanofils Si/SiGe a t publie [28]. Comme le dmontre la figure II.5a, les
nanofils de silicium monocristallin ont une conductivit thermique qui varie en fonction du
diamtre du nanofil. Plus le diamtre sera faible, plus la conductivit thermique sera, elle
aussi, faible. Un fil de 115 nm de diamtre a une conductivit thermique qui se situe
45W/m.K temprature ambiante (273K), alors qu'un fil de 22nm a une conductivit
thermique de 5 W/m.K, ce qui est neuf fois plus faible [1].
Pour cette raison, un des objectifs de la thse sera de synthtiser des nanofils de faible
diamtre. Les nanofils htro structurs Si/SiGe sont trs intressants pour la thermolectricit
en raison de leur faible conductivit thermique.

Figure II. 6 . a) Image MEB du dispositif de mesures thermolectriques d'un fil report entre deux lectrodes.[27].
b-c) Comparaison des valeurs de k pour des nanofils obtenus par VLS ou par gravure avec des substrats de rsistivits
variables.
d) S et pour un nanofil de 48 nm de diamtre.
e)Kbulk/Knw avec un nanofil de 50 nm de diamtre. f) S2/ avec le nanofil de 52 nm de diamtre prsent en graphe c).

La figure II.5b montre que les nanofils htro-structurs Si/SiGe possdent une conductivit
thermique infrieure celle des supers-rseaux Si/SiGe. Pour des diamtres quivalents, ils
ont galement une conductivit thermique infrieure celle des nanofils de silicium simples.
La conductivit thermique d'un nanofil de silicium de 115nm de diamtre est de 45W/m.K,
soit trois fois plus leve que celle d'un super-rseau Si/Si0.7Ge0.3 qui a une conductivit
thermique de 14W/m.K. Alors que celle d'un nanofil Si/SiGe de 83nm de diamtre est de
7W/m.K, soit deux fois plus petite que celle du super-rseau Si/Si0.7Ge0.3 [1].
Pour un mme diamtre de nanofil (56 nm sur la figure 1.5a et 58 nm sur la figure 1.5b), un
nanofil htro structur Si/SixGe1-x a une conductivit thermique (6W/m.K) cinq fois plus
faible que celle d'un nanofil simple (30W/m.K), ce qui prouve bien l'effet de la structuration
sur la diminution de la conductivit thermique. D'aprs la littrature, il n'a pas t publi de
mesures pour des nanofils Si/SiGe de diamtre plus faible que 58nm.
En revanche, une tude rcente a t mene sur des nanofils raliss par CVD et par gravure
lectrochimique prsentant une forte rugosit de surface. Il a t montr que la conductivit
thermique peut tre diminue jusqu' 1,6W/m.K avec une contribution des phonons, proche
de celle de la limite du matriau amorphe. Ainsi un ZT=0,6 temprature ambiante a t
obtenu sans modifier significativement le facteur de puissance S2/ (rappelons que =1/ )
[27]. La figure II.6 prsente le systme de mesure d'un nanofil ainsi que les diffrents tracs
obtenus de k pour diffrents diamtres de nanofils et les tracs de , S, kbulk/knw,
(S2/ )bulk/(S2/ )nw,S2/ et en ZT [1].
II.2.3 Intrt des nanofils pour le photovoltaque :
Les cellules solaires sont des systmes prometteurs pour gnrer de l'nergie propre et
renouvelable.
Avec la miniaturisation, les cellules solaires pourront galement tre intgres en tant que
micro sources d'nergie dans les systmes nanolectroniques. L'utilisation de nanostructures
ou de matriaux nanostructurs reprsente une approche gnrale pour rduire, la fois, le
cot et la taille et pour amliorer le rendement photovoltaque [30].

Pour tre efficaces, les cellules solaires doivent rpondre deux critres. Premirement, elles
doivent absorber la lumire, donc elles ont besoin d'un matriau actif suffisamment pais pour
avoir une absorption maximale. Elles ont galement besoin de collecter les lectrons issus des
paires lectron-trou cres par les photons absorbs. Un matriau fin est gnralement
meilleur car il limite le pigeage des lectrons dans le matriau. Une des solutions pour
concilier ces contraintes est de faire des couches relativement minces et d'utiliser des
matriaux extrmement purs et cristallins ce qui permet d'liminer les impurets et les dfauts
susceptibles de piger les lectrons. De tels matriaux donnent de bons rsultats mais sont trs
chers ce qui rend le prix des panneaux solaires excessivement lev [1, 2,7].
Les nanofils offrent une alternative intressante. D'une part, les nanofils peuvent absorber sur
leur longueur de grandes quantits de lumire. D'autre part, l'intrt des nanofils est de
diminuer la distance qui existe entre la jonction n-p et le collecteur d'lectrons. Quelques
dispositifs ont t mis au point [30- 33] et deux configurations principales ont vu le jour.
La premire configuration est de synthtiser le dispositif complet autour du nanofil grce

des couches radiales comme cela est prsent sur la figure II.8 [30]. Ainsi, les lectrons
parcourent une trs petite distance avant d'tre collects simplement en traversant la couche
dite coquille. Comme les couches sont minces, les risques que les lectrons soient pigs sont
faibles, ainsi, il est possible d'utiliser des matriaux moins chers avec plus de dfauts [34]. La
seconde configuration consiste utiliser comme base une fort de nanofils.
La jonction n-p est obtenue de deux faons : soit le substrat est dop p et les nanofils dops n
[32], soit les nanofils qui sont de type p sont recouverts d'un dpt conforme de silicium
amorphe de type n [31] comme le montre la figure II.8, ce qui donne dans les deux cas une
jonction n-p.

Figure II. 7. (a-d) Dispositif photovoltaque base d'un nanofil coaxial p-i-n. Schma
(a-b) MET (c-d) du dispositif et de la structure du nanofil [30].
(e) Dispositif base d'une fort de nanofils recouverts de silicium amorphe et
image MEB du tapis de nanofils vu de dessus, en coupe et en zoom [31].
La production d'lectricit partir de ces cellules a t valide mais un long chemin reste
parcourir avant la commercialisation. Pour des applications grande chelle, il est ncessaire
de faire crotre des forts denses de nanofils. Et la plus grande limitation actuelle est le faible
rendement de ces cellules photovoltaques. Par exemple, sur un fil unique, il a t obtenu un
rendement de seulement 3,9% de la lumire incidente en lectricit. Ce qui est encore loin des
20% obtenus avec les panneaux solaires conventionnels. L'objectif pour augmenter le
rendement de ces cellules solaires est d'obtenir des tapis de nanofils plus denses, de rduire les

rsistances de contact, de minimiser la diffusion, d'optimiser la gomtrie des nanofils

(distribution des diamtres, proprits d'orientation) et d'amliorer la qualit de la jonction
n-p [31,34].
II.2.4 Intrt des nanofils pour l'lectronique :
Les nouvelles proprits des nanomatriaux et en particulier les proprits lectroniques ont
permis aux nanomatriaux de devenir des candidats de choix en tant qu'lments des systmes
dits nanolectroniques. Comme mentionn en introduction. Une des consquences est
l'apparition de nouvelles caractristiques des structures lectroniques. Par exemple, les
structures lectroniques de nano-cristaux mtalliques ou semi-conducteurs diffrent de celle
du matriau massif et des atomes isols [36]. Quand la taille d'un nano-cristal est plus petite
que la longueur d'onde de Broglie, les lectrons et les trous sont confins spatialement, des
diples lectriques sont forms et un niveau d'nergie lectronique discret sera cr quelque
soit le matriau, c'est--dire que les tats d'nergie disponibles sont moins nombreux [1-5].
De mme qu'une particule dans une bote, la sparation entre deux niveaux d'nergie
adjacents augmente lorsque les dimensions diminuent. La figure II.9 illustre schmatiquement
les configurations lectroniques discrtes dans les couches minces, les nanofils et les nano-
cristaux [35]. Le confinement des porteurs lorsque les dimensions de la structure diminuent
est vident. L'effet de confinement quantique est plus prononc pour les nanoparticules semi-
conductrices.
La figure II.10 montre l'cart de bande de nanofils de silicium en fonction de leurs diamtres
en se basant sur des donnes exprimentales et thoriques [35]. Quand la taille diminue, un
dcalage entre les bandes vers les plus hautes frquences apparat, alors l'cart de bande
augmente.

Figure II. 8. Configurations lectroniques discrtes illustres schmatiquement dans les nano
cristaux, les nanofils, les couches minces et largissement des carts de bande [35].
Depuis l'invention de la modulation du dopage et de transistors plus haute mobilit

lectronique [37], le contrle de la composition dans les semi-conducteurs est un paramtre
critique des systmes en lectronique 2D et en photonique. Un premier avantage de la
rduction de taille est la rduction des taux de diffusion des porteurs de charge en raison de la
diminution des points de l'espace rciproque accessible aux porteurs. En gnral, la mobilit
lectronique est affecte par la diffusion des porteurs de nombreuses faons : diffusion par les
autres porteurs, par les surfaces, par la rugosit de surface, par les phonons acoustiques, par
les phonons optiques, par les impurets [36].
Les nanofils forment un lien important entre le matriau massif et molculaire. Un contrle
systmatique du diamtre du nanofil permet une tude systmatique des effets de la
dimensionnalit sur le transport. En gnral, le diamtre, partir duquel les proprits de
transport sont modifies, est li au degr de confinement des porteurs et des excitons, de la
longueur d'onde de Fermi et des interactions de Coulomb. Les nanofils de diamtres
suprieurs peuvent cependant affecter le transport lectronique grce la diffusion de surface
en raison de leur ratio surface/volume [36].

Parmi les nombreuses applications des nanofils, celles en lectronique ont intress beaucoup
de chercheurs. C'est ainsi que les lments de base que sont les nanofils semi-conducteurs ont
t utiliss en tant qu'lments de dispositif ou fort d'lments [8]. En effet, la
nanolectronique est le domaine d'applications le plus attractif des nanotechnologies, en
particulier du fait que les techniques de la microlectronique classique (approche top-
down ) ont quasiment atteint leur limite.
Pour poursuivre la miniaturisation des lments des circuits jusqu' l'chelle nanomtrique,
peut- tre mme jusqu'au niveau molculaire, de nouveaux systmes lectroniques de taille
nanomtrique devront tre fabriqus. Cependant, l'inverse des transistors actuels qui oprent
sur la base de mouvements de masses d'lectrons dans la matire, les nouveaux systmes
tireront profit du phnomne de mcanique quantique, incluant l'effet de confinement
quantique, de discrtisation des lectrons, de confinement de charge, de blocage de Coulomb,
etc. Des systmes un nanofil, un nano plot ou un lectron deviennent possibles. Ces
systmes nanolectroniques, en comprenant les systmes un lectron et les systmes
lectroniques molculaires, ont donn lieu de nombreuses publications dans la littrature
[1].
Rcemment, des nanofils de silicium ont t utiliss pour raliser des dispositifs
nanolectroniques dont des transistors effet de champ [38, 39, 41, 49], des portes logiques
[45], des interrupteurs [45]. Plusieurs prototypes de transistors eet de champ nanofil de
silicium sont prsents en figure II.11. Il a t montr qu'un dispositif nanofil dop p au bore
[38,45] ou dop n au phosphore [45] peut se comporter comme un excellent transistor eet de
champ et, de plus, les mobilits de charges sont comparables voir excdent les meilleurs
rsultats obtenus pour du silicium planaire. Des transistors grille coaxiale ont t dvelopps
avec des structures composes d'un cur de silicium de type p avec des couches radiales
successives de germanium intrinsque, de SiOx et de germanium de type p [40]. Des
rsonateurs base de nanofils de silicium et de rhodium ont galement t raliss [45].
L'alignement et l'intgration de nanofils dans des circuits planaires densit leve de
transistors engendrent un surcot de temps et d'nergie [2, 7].

Figure II. 9. (a-b) Schma d'interconnexions parallles de nanofils de Si sans tri.

(c-f) Images du systme complet et des interconnexions nanofils-
lectrodes. Barres d'chelle : (c) 1 mm, (d) 40 m, (d') 3 m,
(e-f) 300 mm [38].
(g-h) Schma d'un SiNF FET [39].
(h) Barre d'chelle : 500 nm. (i-j) Transistor nanofil pont radialement.
(j) Barre d'chelle : 500 nm. [40]
Intrt du silicium et du silicium-germanium : Le silicium et le germanium sont tous les

deux des semi-conducteurs gap indirect. Ils ont des paramtres de maille voisins, de 5,43
pour Si et de 5,65 pour Ge, ce qui rend possible la formation du compos SiGe. De plus, ils
possdent tous les deux une valeur d'cart de bande (ou largeur de bande interdite)

relativement faible, de 1,11eV pour Si et 0,67eV pour Ge 300K, ce qui permet d'obtenir une
conduction avec un faible dopage.
Figure II. 10 Diagramme illustrant le procd de

fabrication du TFT nanofils [45].
Les proprits semi-conductrices du silicium ont permis la cration de la deuxime gnration

de transistors et des circuits intgrs.
Les nanofils de silicium sont importants en nanotechnologie car les systmes
nanolectroniques en silicium sont compatibles avec la microlectronique, elle aussi base de
silicium. Les nanofils de silicium, grce leurs effets de confinement quantique, joueront
probablement un rle cl en tant qu'interconnexion ou que composant fonctionnel dans les
futurs dispositifs nanomtriques lectroniques et optiques. Il a t suggr que des fils semi-
conducteurs plus fins que 100nm de diamtre pourront tre utiliss pour dvelopper des
transistors effet de champ nanofil et des metteurs de lumire avec une consommation
nergtique extrmement faible [1].
Il est abord par la suite les diffrentes techniques utilises pour la croissance de nanofils.

II.3 La croissance des nanofils
II.3.1 Types de nanofils
Depuis le dbut des annes 2000, des nanofils de matriaux inorganiques varis ont t
synthtiss et caractriss. Rappelons que lorsque l'on parle de nanofils, il s'agit de cylindres
pleins de dizaines de nanomtres de diamtre (typiquement de 1-100nm) et de longueur qui
peut aller jusqu' plusieurs centaines de microns. Les nanofils peuvent tre organiques,
mtalliques ou inorganiques (oxydes ou non oxydes), mono ou poly-cristallins. Ainsi, des
nanofils d'lments simples (Si, Ge, SiGe, Si/SiGe), d'oxydes (TiO2), de nitrures (BN), de
carbures (SiC) et de chalcognures (CdSe) ont t raliss. Un des facteurs cruciaux dans la
croissance de nanofils est le contrle de la composition, de la gomtrie et de la cristallinit
[8].
II.3.2 Les stratgies de croissance
La littrature qui traite de la synthse et de l'tude des proprits physico-chimiques de

nanostructures et en particulier de nanofils est riche et abondante. Un grand nombre de
techniques de croissance sont rfrences. Cependant, il y a souvent confusion entre le
mcanisme de croissance (VLS, SLS, VS. . .) et le procd exprimental de la synthse (CVD,
ablation laser, etc.). Dans de nombreux cas, le mcanisme de croissance n'a pas t encore
clairement tabli. Et nombreuses sont les contradictions qui peuvent apparatre dans les
rsultats et/ou leurs interprtations.
Les mthodes de synthse peuvent tre classifies de deux faons. La premire consiste
sparer les mthodes dites physiques des mthodes dites chimiques. Les mthodes physiques
concernent les techniques par motifs (patterning), par lithographie, par moules (templates) et
par lectro filage. La lithographie et les techniques par motifs sont des approches top-
down alors que l'lectro filage et les techniques par moules sont des approches bottom-
up . Les mthodes chimiques comprennent la dcomposition de prcurseurs (LS, SLS, VS et
VLS), la croissance assiste par oxyde, les mthodes solvothermique, hydrothermique,
carbothermique et lectrochimique.

La seconde classification, celle que nous suivrons, spare les techniques en phase vapeur des
techniques en solution. Certaines techniques chimiques ne seront possibles que s'il y a
solubilit voire eutectique entre le catalyseur et le matriau du nanofil. Ceci est le cas pour le
procd vapeur-liquide-solide (VLS) qui, de ce fait, ne pourra pas tre appliqu tous les
matriaux [8].
Figure II. 11. Schma de quatre stratgies de croissance qui ontt dmontres
exprimentalement [12].
Tableau I.1 les techniques et changement de phase
Techniques Phase portant les prcurseurs

Liquide-Solide (LS) Solution
Solide-Liquide-Solide (SLS) Solution
Ractions solvothermique Solution
A partir d'un moule (template) Solution
Assiste par oxyde Gazeuse
Vapeur-Solide (VS) Gazeuse
Ractions carbothermique Gazeuse
Vapeur-Liquide-Solide (VLS) Gazeuse
Le tableau ci-dessus cite les techniques prsentes dans la suite du paragraphe.

On parle de croissance spontane lorsque la croissance est gnre par une raction chimique.
La croissance spontane est dirige par la diminution de l'nergie libre de Gibbs ou du
potentiel chimique [1, 2].

La diminution de l'nergie libre de Gibbs est gnralement ralise par une transformation de
phase, une raction chimique ou la relaxation d'une contrainte. Pour la formation de nanofils,
la croissance anisotropique est ncessaire, c'est--dire que le cristal crot plus rapidement
selon une certaine direction que selon les autres. En croissance spontane, pour un matriau
donn et des conditions de croissances fixes, les dfauts et les impurets sur la surface de
croissance peuvent avoir un rle significatif sur la morphologie du produit final [35].
Avant d'obtenir une croissance de nanostructure, il est ncessaire d'amorcer cette croissance
par une nuclation. La nuclation doit tre matrise avant de crer des germes nanomtriques
partir d'une phase fluide (vapeur ou liquide). Quand la concentration en briques
lmentaires (atomes, ions ou molcules) est suffisamment leve, elles s'agrgent entre
elles pour former des nuclei.
Figure II. 12. Schma du mcanisme SLS de croissance de nanofils [127], qui a de
nombreuses similitudes avec le mcanisme VLS.
Si le systme est encore aliment en prcurseurs et que le dbit de prcurseurs est contrl, la
formation de structures plus grandes peut avoir lieu. Pour la synthse de nanofils, le dfi est
de contrler simultanment les dimensions et la morphologie des cristaux lors de la croissance
[6, 8].
II.3.2.1 Croissance de nanofils en solution
Le mcanisme Liquide-Solide (LS) : La croissance par mcanisme LS est possible pour les
matriaux qui prsentent une forte anisotropie des liaisons, qui favorise la cristallisation selon
l'axe c. C'est le cas pour le polynitrure de sulfure, (SN)x, le slnium [13], le tellure [14] et les
chalcognures de molybdne [15, 16]. Cette technique permet la croissance slective de
nanofils avec une trs faible densit de dfauts structuraux et une grande puret mais prsente
l'inconvnient d'une croissance non localise [12].

Le mcanisme solide-liquide-solide (SLS) : Les mcanismes solide-liquide-solide (SLS) et

vapeur-liquide-solide (VLS) sont des mcanismes de croissance catalytique. Bas sur une
analogie avec le mcanisme VLS, le mcanisme SLS a t mis au point afin de raliser des
croissances plus rapides qu'avec le mcanisme VLS et pour des tempratures plus basses [17].
Par cette mthode, il a t ralis des nanofils cristallins semi-conducteurs du groupe III-V [9,
18, 19].
Le schma en figure II.14 montre clairement la croissance de nanofils ou de nanowhiskers par

la mthode SLS. Les produits obtenus sont gnralement monocristallins avec des dimensions
de 10 150nm de diamtre et de longueur suprieure plusieurs microns. La mthode fluide
supercritique-liquide-solide (SFLS), o un fluide supercritique remplace le solvant, a t
utilise pour gnrer de grandes quantits de nanofils de silicium et de germanium sans dfaut
et monocristallins [11, 13]. Des nanofils de 4-5nm de diamtre et de longueur suprieure
plusieurs microns ont t synthtiss.
La cl de cette synthse est l'utilisation de nanocristaux d'or, mono disperss et encapsuls

dans un alcanethiol, qui servent de germes pour une croissance directe et confine crant des
nanofils de silicium avec une troite distribution de taille. Dans une procdure classique, les
nano-cristaux d'or stabiliss striquement et le prcurseur de Si, le diphnylsilane, sont co-
disperss dans de l'hexane qui est chauff et mis sous pression au-del de son point critique.
Dans ces conditions, le diphnylsilane peut se dcomposer pour former des atomes de Si. Le
diagramme de phase de l'Au-Si indique que le silicium et l'or peuvent former un alliage en
quilibre avec le silicium pur quand la concentration de silicium par rapport l'or est
suprieure 18,6mol-% et que la temprature est suprieure 363C [1].
Ainsi, les atomes de Si se dissolvent dans les nano cristaux d'or jusqu' saturation. A ce
moment-l, les atomes sont rejets de l'alliage et forment un nanofil uniforme. Ce mcanisme
se rapproche sur de nombreux points du mcanisme SLS. Le fluide supercritique est
ncessaire pour tre dans les conditions qui vont permettre la dissolution et la cristallisation
du silicium. Plus intressant, l'orientation des nanofils de Si peut tre contrle en ajustant la
pression [6, 8, 12].

Les ractions solvothermiques : La voie solvothermique est beaucoup employe pour

raliser des nanofils semi-conducteurs. L'avantage majeur de cette approche est que la plupart
des matriaux peuvent tre solubles dans un solvant appropri en chauffant et pressurisant le
systme ferm jusqu' quasiment son point critique. Ainsi, cette approche est disponible pour
beaucoup de matriaux solides. Cette mthode est versatile et a permis la croissance de divers
nanofils semi-conducteurs [7, 12], de nanotubes [13-15] et de whiskers [16, 17]. Cependant,
les produits sont caractriss par un bas rendement, une faible puret et une pauvre uniformit
en taille et morphologie [8, 12].
Croissance partir d'un moule (template) : Il existe deux types de techniques de moulage
(templating) : le moulage chimique et le moulage physique. Le moulage chimique peut avoir
pour base un moule dur (hard templating) ou un moule mou , c'est--dire en solution
(softtemplating), alors que le moulage physique a toujours pour base un moule dur. La
croissance par template est une mthode aise et flexible pour gnrer des nanostructures 1D.
Le nanomatriau va tre ralis autour ou l'intrieur du moule : il y a une corrlation directe
entre la morphologie du moule et celui des nanostructures [1].
Nous prsentons seulement un type de moulage chimique et un type de moulage physique.
Figure II. 13 Schma de la formation de nanofils partir de molcules de surfactant.

a) formation de la micelle cylindrique,
b) formation de la nanostructure dsire,
c) retrait du surfactant avec un solvant ou par calcination pour
obtenir les nanofils individuels [12].

Moule chimique en solution (soft templating) : Les structures auto-assembles partir de

surfactants (figure 1.16) apportent une classe de moules utiles et flexibles pour la gnration
de nanostructures 1D en grande quantit. Au-dessus de la concentration micellairecritique, les
molcules de surfactant s'organisent spontanment en micelles ayant des formes de baguettes
[122, 138]. Bass sur cette mthode, des nanofils de CuS, CuSe, CdS, CdSe, ZnS etZnSe ont
t raliss en utilisant des surfactants comme le Na-AOT (sodium dis2-ethyl-
hexylsulfosuccinate) ou le Tritonr X-100 [11, 19].
Figure II. 14. Schma et image MET d'une membrane d'alumine nanoporeuse [14] et principe
gnral du templating physique partir du rseau de pores d'une membrane [6].
Moule physique partir d'une membrane poreuse : Les moules peuvent tre des canaux
nanomtriques avec des matriaux msoporeux, de l'alumine poreuse ou des membranes en
polycarbonate [14,13]. Les canaux nanomtriques sont remplis l'aide d'une solution, d'un
sol-gel ou d'une mthode lectrochimique. Les nanofils ainsi produits sont spars du moule
en retirant ce dernier. Deux types de membranes poreuses sont frquemment utiliss :
polycarbonate et alumine. Pour les membranes de polycarbonate, une couche de polymre (6-
20mm) est irradie par des ions lourds pour induire des trous sur la surface de la couche. Ces
trous sont ensuite dvelopps par des attaques chimiques pour gnrer des pores cylindriques
uniformes traversant la couche de polymre. Les pores fabriqus en utilisant cette mthode
sont souvent distribus de faon alatoire la surface de la membrane de polymre. Ils
peuvent aussi tre inclins de plus de 34 par rapport la surface [14].

Contrairement aux membranes polymres fabriques par attaque chimique, la membrane

d'alumine est prpare par anodisation d'une feuille d'aluminium dans un acide moyen (figure
1.16) [15]. De nombreux matriaux ont t synthtiss sous forme de nanofils en utilisant des
membranes d'alumine poreuse en tant que moule : Si [16], Au, Ag, Pt, TiO2, MnO2, ZnO,
SnO2, In2O3, CdS, CdSe, CdTe, des polymres conducteurs comme le polypyrole, le poly (3-
methylthiophne) et la polyaniline et aussi des nanotubes de carbone. A l'inverse des
membranes polymres, les pores de la membrane d'alumine ne sont que trs lgrement ou
pas du tout inclins par rapport la surface de la membrane et leur densit est beaucoup plus
leve.
Il faut, en gnral, coupler cette mthode avec une autre, quelle soit chimique
(lectrodposition [17, 18], sol-gel) ou physique (dpt de catalyseur au fond puis CVD [19,
15], par exemple) pour dposer le catalyseur au fond des trous. De plus, il est difficile
d'obtenir des matriaux monocristallins par cette mthode. Les avantages du moulage
physique est de pouvoir raliser des nanostructures ayant des phases complexes ou amorphes
et d'avoir un contrle de la gomtrie des structures par l'intermdiaire de celle du moule. Le
cot de fabrication par ce procd est plus comptitif que celui dcrit prcdemment, utilisant
des nanofils ou nanotubes comme moule.
Un autre avantage de ce procd est qu'il est possible d'obtenir des rseaux de
nanostructures1D aligns, ce qui peut tre trs intressant pour certaines applications [6, 8].
II.3.2.2 Croissance de nanofils en phase gazeuse
La croissance de nanofils partir de la phase gazeuse est probablement l'approche la plus

explore pour la synthse des whiskers et des nanofils. Elle comprend les techniques
suivantes : lvaporation dans une atmosphre adapte pour produire des nanofils
lmentaires ou d'oxydes, la technique vapeur-liquide-solide (VLS) et la technique vapeur-
solide (VS) [8, 12].
Croissance assiste par oxyde : Parmi les mcanismes de croissance de nanofils, il a t

propos le mcanisme de croissance assiste par oxyde. Il n'y a pas besoin de catalyseur
mtallique pour ce type de croissance. La croissance des nanofils de silicium est possible

grce des cibles constitues de poudre de silicium contenant de la silice [11-15]. Les
quantits obtenues sont de l'ordre de quelques milligrammes ce qui est bien suprieur ce qui
est obtenu par CVD (quelques microgrammes). Dans ce cas, la vapeur de SixO gnre par
vaporation thermique ou par ablation laser a un rle cl dans la croissance assiste par
oxyde. La nuclation qui a lieu sur le substrat se produit selon les ractions suivantes :
(II.4)
(II.5)
Les nanofils dops sont gnralement caractriss par des mesures lectriques de type I(V).
Les caractristiques I(V) globalement observes sont de type :
- rsistance en raison de la dgnrescence des tats d'nergie lie un fort dopage

[23,25]. Dans le silicium massif, cela correspond un dopage de 1020 at/cm3 pour le
type n et de 1019 at/cm3 pour le type p.
- diode lorsqu'une jonction n-p est forme [44],
- transistor lorsque le courant entre la source et le drain varie en fonction de la tension

de grille [44, 45].
Des mesures par microscopie force lectrostatique (EFM pour Electrostatic Force
Microscopy) ont t ralises sur un nanofil report entre deux lectrodes comportant une
zone dope p, une zone intrinsque et une zone dope n [45]. Ces mesures ont permis de
mettre en vidence la diffrence de dopage entre la zone dope p et la zone dope n ainsi que
la transition entre les deux au niveau de la zone intrinsque

Figure II. 15 (a) Schma du montage exprimental [15]

(b) du mcanisme de croissance VLS squentiel comprenant les diffrentes
tapes de croissance des nanofils Si/SiGe :
(1) la formation de l'alliage Au-Si,
(2) la croissance d'un bloc de Si pur,
(3) la croissance de l'alliage SiGe quand le laser est en marche,
(4) la croissance de l'htrostructure Si/SiGe en allumant
priodiquement le laser.
II.3.3 Les Nanofils htrostructurs Si/SiGe
Le succs des circuits intgrs a t largement d la capacit faire des htrostructures

avec un dopage et des interfaces contrls. En fait, l'interface est omniprsent dans les
systmes optolectroniques comme les LEDs, les diodes laser et les transistors. Pour les
nanostructures 1D, la capacit raliser des htrostructures va tre aussi trs importante pour
les applications comme les dispositifs thermolectriques ou les metteurs de lumire. Alors
qu'il existe un certain nombre de techniques bien dveloppes pour obtenir des super-rseaux
en couches minces, un procd bien tabli pour raliser des htrostructures dans les nano-
objets 1D, avec des interfaces franches, n'a t dmontr que trs rcemment [40].

Les tudes prcdentes se sont surtout intresses aux systmes homognes. Parmi les
premires tudes, la croissance de nanofils de Si/SiGe a t effectue par une mthode
hybride d'ablation laser et de CVD (PLA-CVD) [165]. Le procd d'ablation laser permet la
croissance du nanofil (bloc-par-bloc) avec un profil bien dfini et modul le long de l'axe du
figl. Comme reprsent sur le schma de la figure 1.36, le laser permet d'exciter une cible de
germanium afin de crer un mlange gazeux comportant du silicium et du germanium
atomique. Ainsi, la couche obtenue est du SiGe. En rglant le laser selon des pulsations
prcises, le contrle de l'paisseur des couches est ralis. La puissance du laser est de
10J/cm2. Des nanofils monocristallins avec une structure axiale Si/SiGe de type super-rseau.
Trs rcemment, il a t ralis des nanofils Si/Si1-xGex avec un procd CVD utilisant
uniquement des prcurseurs gazeux, donc similaire notre procd [23]. Il a t mis en
vidence une relation entre le diamtre et les deux lments suivants : la nettet de l'interface
et la vitesse de croissance. Les nanofils htrostructurs ont t raliss 500C et 13Torr
dans un racteur de CVD basse pression (LPCVD) sur des plaques de Si oxydes recouvertes
d'un film d'or infrieur 2nm. Lors de la croissance, il est inject 10% de silane et 2% de
germane dilus dans de l'hydrogne. Chaque segment de Si ou de Si1-xGex correspond une
injection de 18 secondes. Le segment de Si1-xGex est plus court que le segment de Si, ce qui
montre que le Si1-xGex a une vitesse de croissance infrieure celle du silicium (6nm/sec
pour Si1-xGex contre 12nm/sec pour Si pour un fil de 20nm de diamtre).
Les interfaces entre les segments ne sont pas nettes. Qu'il s'agisse de l'interface d'attaque du
segment de Si1-xGex ou de l'interface arrire, dans les deux cas, la zone de transition entre les
deux segments Si et Si1-xGex est de l'ordre du diamtre du fil. La ncessit de stabiliser une
autre fois la composition du catalyseur liquide expliquerait cette interface diffuse. Une voie
possible suggre pour diminuer l'largissement des interfaces est l'utilisation d'un catalyseur
ayant une solubilit du germanium plus faible. Les fronts d'attaque et les fronts arrire des
segments de Si1-xGex sont paraboliques ce qui donne une forme de capsule au segment de
Si1-xGex.
Par la suite, lorsque nous parlerons d'htrostructures par dfaut il s'agira de nanofils
htrostructurs. Lorsque nous parlerons d'htrostructures diffrentes comme les super-
rseaux 2D, cela sera explicitement mentionn.

II.4 Conclusion
Nous avons dmontr dans un premier temps, l'intrt des nanofils, et en particulier l'intrt
des nanofils de Si/SiGe pour des applications en thermolectricit, en photovoltaque et en
lectronique. Il a notamment t mentionn que la faible dimensionnalit et la prsence
d'interfaces influent sur les proprits thermiques et lectroniques du matriau. Dans un
second temps, le panel des nanofils existants a t prsent, ainsi que les mthodes de
synthse employes aujourd'hui.
On sest bas sur la synthse bibliographique des nanofils de silicium et de Si/SiGe. Le

procd de croissance vapeur-liquide-solide a t dtaill [27]. Ltude de la littrature
ralise propos des diffrents aspects de la croissance (morphologie, orientation cristalline et
structure), des gaz prcurseurs et des gaz dopants va nous permettre de mener nos travaux de
simulation.

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Chapitre III : Rsultats et Discussions - les Cellules Solaires de 1re et 2me Gnration -
Chapitre III
Rsultats et Discussions
Les cellules solaires de 1re et 2me Gnration
base htrostructures SiGe et de SixGe1-x Graduel
Sommaire
III. 1 Introduction 77
III.2 Logiciel de simulation PC1D 77
III.3 Principe de la simulation numrique 79
III.4 Simulation des cellules solaires de premire Gnration 79
III.5 Simulation des cellules solaires de deuxime Gnration 82
III.5.1 structures et paramtres 82
III.5.2 Rsultats de Simulation: 84
III.5.2.1 Cas dune cellule solaire de type Si/Si/Si 84
III.5.2.2 Cas dune cellule solaire de type Si/Si1-xGex/Si 90
III.5.2.3 Cas dune cellule solaire de type Si0.71Ge0.29/Si1-xGex/Si 92
III.5.2.4 Cas dune cellule solaire avec la structure suivante Si0.70Ge0.29/Si1-xGex/Ge 100
III.4 Conclusion : 102

III. 1 Introduction
Aprs avoir prsent les gnralits indispensables ltude des cellules
photovoltaques et les verrous de la technologie de fabrication des cellules solaire base des
nanomatriaux nous allons maintenant dterminer les caractristiques de ces cellules base de
diffrents types de Structures proposes. La rsolution des trois quations fondamentales qui
rgissent le comportement des porteurs de charges et les lois de la mcanique quantique, nous
permettent de calculer la caractristique I(V) dune cellule solaire, ainsi que dautres
paramtres physiques, tels que le champ E et le potentiel V, qui nous fournissent les
renseignements utiles des performances dune cellule solaire. La rsolution analytique tant
pratiquement impossible, dans notre tude nous allons modliser deux grandes familles de
cellules solaires ; 1re et 2me gnration. Pour chaque famille dtude nous nous sommes bass
sur des chantillons de rfrence, tirs de la littrature, afin de concevoir, modliser et simuler
les structures les plus adquates et celles qui nous donnent le rendement le plus lev et le
spectre le plus large. Notre simulation est faite sous environnement PC1D 5.0, dans le but
doptimiser les cellules de 1re et 2me gnration en premier lieu par rapport leurs
rendements et leur efficacit[14].
III.2 Logiciel de simulation PC1D :

Le logiciel utilis dans notre modlisation porte les caractristiques suivantes
PC1D Version 5.0
Copyright 1997 University of New South Wales
Le logiciel de simulation numrique des cellules solaires PC1D a une rputation
internationale dans le domaine du photovoltaque. Il a t dvelopp luniversit New South
Wales de Sydney en Australie qui est lune des pionnires dans ce domaine. Son utilisation
est simple, pratique et conviviale. Il permet de simuler nimporte quelle structure
photovoltaque en fonction des matriaux utiliss, tout en jouant sur les paramtres (paisseur,
surface, dopage, etc.) des chantillons. [1]

Figure III. 1. Logiciel PC1D en cours dexcution
Le logiciel PC1D est trs performant et ces rsultats de simulation sont souvent trs proches
des rsultats exprimentaux. Il est donc trs intressant de simuler une ide avant de la
raliser, cela permettra un gain de temps et dargent.
Le logiciel se divise en quatre parties :
les trois premires sont destines la programmation : o il faut introduire les
paramtres des dispositifs, des rgions et dexcitation[13].
La quatrime partie est utilise pour les rsultats de la simulation.
Dans le cas de nos structures dtudes bases sur trois matriaux diffrents, le Si, le Ge
et le SiGe, nous avons utilis la mthode manuelle dans la conception, la modlisation des
chantillons et lintroduction des paramtres.
La figure III.1 reprsente lenvironnement de travail PC1D version 5.0.

III.3 Principe de la simulation numrique

Ltude de la plupart des dispositifs semi-conducteurs consiste rsoudre le systme
dquations suivant :
Equati ons des courants

J n ne n E e Dn gradn
J p ne p E e D p gradp

Equati ons de conti nui te

n 1
G U n div( J n ) III.1
t e
p 1
G U p div( J p )
t e

Equati on de Poi sson

N d N a p n
e

Avec :
G est le taux gnration des paires lectrons- trous en volume due labsorption de la lumire
(la photo-gnration).
Un, Up sont les taux net de recombinaison en volume, respectivement des lectrons et des
trous.
est le potentiel lectrostatique.
III.4 Simulation des cellules solaires de premire Gnration

Avant de commencer notre simulation, on va tudier linfluence du dopage de
lmetteur et de lajout du substrat. Cette tude a t faite au sein de notre unit de recherche
URMER.
Les hypothses choisies dans notre simulation sont les suivantes[2] :
Une surface de captage de 1cm2. Celle-ci est neutre et les rflectances externe et
interne sont nulles,
Les contacts sont entre lmetteur et la base,
Lclairage est la seule source dexcitation,
La face avant de type n, avec le rayonnement solaire daire masse 1.5, de
constante solaire 0.1W/cm2,
La temprature est ambiante 25 C.

Les paramtres de notre simulation sont rsums dans le tableau III.1 suivant :
Tableau III.1 : Paramtres de la structure utilise.

profondeur de lmetteur (m) 1
profondeur de la base (m) 100
dopage de lmetteur (cm-3) 1018
dopage de la base (cm-3) 1016
recombinaison en volume (s) n= p= 1000
recombinaison en surface (cm/s) Sn= 1012, Sp= 104
Influence du dopage de lmetteur et de lajout du substrat
Dans cette partie nous simulons la cellule solaire avec le PC1D. Nous tudions
qualitativement la ncessit du substrat dans la fabrication dune cellule photovoltaque, de la
surface texture, du dopage de lmetteur et de la base sur la caractristique I (V) et sur la
rponse spectrale. Pour cela, nous utilisons trois structures : np, n+p et n+pp+.
Les rsultats de notre simulation sont reprsents dans le tableau III.2 et les figures III.2 et
III.3 suivants.
Tableau III.2 : Rsultats de simulations[1]
Structures Np n+p n+pp+
rendement lectrique (%) 16.3 17.4 19.8
rendement quantique (%) 92.92 95.48 98.06

np
0,01
+
np
+ +
0,00 n pp
courant I (A)
-0,01
-0,02
-0,03
-0,04
-0,2 -0,1 0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7
tension V (V)
Figure III. 2. Caractristiques I=f (V) pour np, n+p et n+pp+[1]
100
80
rendement quantique (%)
60
40
20 np
+
np
0 + +
n pp
200 400 600 800 1000 1200
longueur d'onde (m)
Figure III. 3. Rponses spectrales pour np, n+p et n+pp+ [1]
Nous pouvons interprter nos rsultats en deux phases : La premire consiste comparer les
performances dune structure photovoltaque simple de type np, une autre structure plus
labore de type n+p ; la deuxime consiste voire leffet dun champ de surface arrire dans
les performances dune structure photovoltaque.

Sur la figure III.2, reprsentant la caractristique I(V), nous remarquons une augmentation
considrable du photocourant par rapport la structure np, tandis que la tension du circuit
ouvert na pratiquement pas chang. Cette augmentation du photocourant est due
laugmentation de la rponse spectrale, comme le montre la figure III.3. En effet, puisque les
photons pntrent peu dans le matriau, les paires lectrons-trous cres par ces mmes
photons sont loin de la zone de charge despace, donc peu de porteurs contribueront au
photocourant. Effectivement, une bonne partie dentre eux se recombineraient en surface
avant dtre capts par le champ de rtention[12].
Pour cela la technologie des cellules solaires a favoris les structures n+p. Son fort dopage a
pour but de crer un champ de surface avant qui sajouterait au champ de rtention. En effet
un gradient de dopage donne naissance un champ lectrique dans la direction des faibles
dopages. Ce champ se rvle ncessaire pour la rcolte des porteurs crs, car il propulse les
porteurs crs la surface vers la zone de dpltion, donc ils contribueront au photocourant.
Ce qui augmenterait la rponse spectrale et du mme coup le photocourant.
En effet, lorsque nous avons introduit une troisime couche de type p+ en arrire, la largeur de
la cellule augmente, ce qui favorise labsorption des photons et par consquent, il y a plus de
porteurs gnrs, donc plus de photocourant[6]. Laugmentation de la tension en circuit
ouvert est due au champ de surface arrire cr par le gradient de dopage. En effet le champ
cr joue un rle de barrire de potentiel supplmentaire qui empche les porteurs de se
recombiner en surface arrire, par consquent il y a plus de porteurs accumuls, donc plus de
tension en circuit ouvert.
III.5 Simulation des cellules solaires de deuxime gnrations
III.5.1 structures et paramtres
Nous avons simul une cellule de type n+pp+ de surface 1cm2 avec une texturation la surface
avant. Pour optimiser le captage du rayonnement, un metteur dop de 1019 cm-3 avec une
paisseur faible Ee=0.01m, et la base de la cellule solaire est dope par 1018cm-3 avec une
paisseur Eb 70 m.

Notre tude est faite sur quatre structures diffrentes de cellules solaires. Cette tude pour
but de faire des simulations des paramtres physiques et optiques pour obtenir le rendement
optimal et par consquent la structure la plus adaptes pour la fabrication des cellules
photovoltaques.
Nos quatre structures sont reprsentes par les figures suivantes III.4, III.5, III.6 et III.7 :
Si
Si
Si Si1-x Gex
Si Si
Figure III. 4. Structure N1

Figure III. 5 Structure N2
Si0.71 Ge0.29 Si0.71 Ge0.29
Si1-x Gex Si1-x Gex
Si Ge
Figure III. 6. Structure N3 Figure III. 7. Structure N4
La Figure III.4 reprsente lchantillon de rfrence (Si/Si/Si). Nous avons choisie

cette structure comme rfrence car le Si donne de bons rsultats, selon des tudes
faites dans les chapitres prcdents.
La Figure III.5 reprsente lchantillon htostructur dtude (Si/Si1-xGex/Si). On
garde lmetteur avec du silicium, et on introduit une couche mince tampon de la
forme Si1-x Gex graduelle pour voir quel est sont influence sur la cellule solaire.
La Figure III.6 reprsente le troisime chantillon dtude (Si0.71Ge0.29/ Si1-xGex/Si).
On remplace Si par une htrostructure de la forme Si0.71 Ge0.29 dans lmetteur, tout

en laissant Si la base, afin de voir linfluence de lmetteur sur le rendement de notre

cellule solaire.
La Figure III.7 reprsente le quatrime chantillon dtude (Si0.71Ge0.29/ Si1-xGex/Ge).
On utilise du Germanium dans la base de notre 4me structure au lieu de Silicium ceci
pour voir linfluence de la base sur la cellule solaire.
Ces quatre chantillons ont tait choisi de telle sorte mener une tude exhaustive sur tous les
paramtres qui influent sur rendement [14].
Le tableau III.3 prsente les diffrents paramtres utiliss dans notre simulation :
Tableau III .3 : Tableau des paramtres utiliss dans la simulation
Epaisseur de lmetteur 0.01 m
Epaisseur de la base 70 m
Epaisseur du substrat 0.2 m
Dopage de lmetteur 1018 cm-3
Dopage de la base 1016 cm-3
Dopage du substrat 1018 cm-3
Vitesse de recombinaison 1000s
III.5.2 Rsultats de Simulation:

III.5.2.1 Cas dune cellule solaire de type Si/Si/Si
Ee = 0.01m Si N+
Emetteur
Eb = 70m
Si P
Base
Es = 0.2m Si P+
Substrat
Figure III. 4. Schmatisation de la cellule solaire de rfrence, de type Si/Si/Si

Caractristique I=f(V) :
Les rsultats obtenus par simulation dans cette premire structure sont les suivants :
I cc 344mA

Vco 617.4mA m 17.62%
P 176mW
max
II
III
Figure III. 5. La caractristique I=f(V) pour le cas dune cellule
La caractristique I=f(V) de notre cellule prsente 3 rgions. Dans la zone I la cellule solaire
se comporte comme un gnrateur de tension. Mais dans la zone III la cellule solaire se
comporte comme un gnrateur de courant. La zone II le comportement de la cellule solaire
est alatoire (comportement mixte).

I II III
Figure III. 6. La variation du rendement quantique en fonction de la longueur

donde
a. Rendement quantique :
La rponse spectrale dune cellule photovoltaque est le rapport entre le courant gnr par la
cellule et la puissance lumineuse incidente (pour diffrentes longueurs donde formant le
rayonnement incident).
La figure III.10 reprsente la variation du rendement quantique en fonction de la longueur

donde. On distingue 3 zones :
La zone I o le rendement quantique reste constant en fonction de la variation

de la variation de la longueur donde,
La zone II o le rendement quantique dcrot rapidement dans une gamme de
longueur donde compris entre [800, 1000nm].
La zone III o le rendement quantique devient constant partir du 1000nm
pour une valeur moins que 0.2% pour le rendement quantique.
On peut conclure que la gamme du spectre utilis pour gnrer les pairs lecrtron-trou se situe
dans lintervalle [350 600nm].

b. Influence de lpaisseur de lmetteur sur le rendement lectrique :
Figure III. 7. La variation du rendement en fonction de lpaisseur de lmetteur
Ltude de la variation du rendement lectrique en fonction de lpaisseur de lmetteur donne

les rsultats reprsents sur la figure III.11.
Celle-ci nous montre, que la variation du rendement lectrique passe par deux tapes. Une
diminution rapide du rendement avec laugmentation de lpaisseur de lmetteur, puis une
saturation. Le premier contact entre les photons et une cellule solaire, est lmetteur, la
variation de son paisseur influe sur la cration des paires lectron-trou. Donc une
augmentation de celle-ci implique une diminution du rendement.

c. Influence de lpaisseur de la cellule solaire sur le rendement lectrique :
d.
e.
I II
Figure III. 8. Linfluence de lpaisseur de la cellule solaire sur le rendement
La figure III.12 reprsente linfluence de lpaisseur de la cellule solaire sur le rendement

lectrique. Nous distinguons deux zones principales dans cette figure :
La zone I, o le rendement augmente linairement de 14.5% jusqu 17.76%.
la zone II, o il y a saturation et le rendement reste constant aux alentours de 18%.
Par consquent lpaisseur de la cellule solaire joue un rle important dans la variation du
rendement lectrique [6].
d. Influence de lpaisseur de lmetteur sur le rendement quantique :
Linfluence de lpaisseur de lmetteur sur la rponse spectrale, est reprsente sur la figure
III.14. Nous remarquons lexistence de trois zones sur celle-ci :

Zone I : Le rendement est constant pour les quatre valeurs des paisseurs de
lmetteur choisies et a une valeur de 100%. Par consquent, la longueur donde et
lpaisseur de lmetteur ninfluent pas sur le rendement quantique dans la plage des
longueurs donde du visible.
Zone II : Le rendement quantique dcrot avec la variation de la longueur donde, la

pente de la courbe change avec le changement de lpaisseur de lmetteur. On
remarque par ailleurs, un grand dcalage de la courbe (rouge) pour lpaisseur
Ee=10m, par rapport celles dont les paisseurs sont 40, 70 et 140m.
Zone III : Le rendement se sature et redevient constant mais avec une valeur nulle.
II
III
Figure III. 9. Variation du rendement quantique en fonction de la longueur

donde pour diffrentes valeurs de lpaisseur e de lmetteur

III.5.2.2 Cas dune cellule solaire de type Si/Si1-xGex/Si
Ee = 0.01m Si N+
Emetteur
Eb = 70m
Si1-xGex P
Base
Es = 0.2m Si P+
Substrat
Figure III. 10. Schmatisation de la cellule solaire de rfrence, de type Si/Si/Si
La variation du rendement lectrique en fonction du taux de Ge :
Figure III. 11. La variation du rendement lectrique en fonction du coefficient x

On remarque sur la figure III.16 une diminution du rendement lectrique avec le taux
de germanium. Ceci sexplique par le fait que lmetteur possde une nergie de Gap plus
leve que celle de la base. A chaque fois que lon change le taux de Germanium dans la
structure, lnergie du gap de la base de la cellule diminue. Lnergie du gap de lmetteur
reste toujours plus grande que celle de la base. Il y a donc formation dun puits quantique et
pigeage des lectrons dans celui-ci [15].
a. La variation du rendement quantique en fonction du taux de Ge :

La figure III.17 montre que le rendement quantique croit avec la croissance du taux de
Germanium mais contrairement au premier cas il ny a pas de saturation. Par contre, il ya
un point singulier o le rendement est maximum aux alentours de x=0.08.
Figure III. 12. La variation de du rendement quantique en fonction du coefficient x
Cette structure na pas donn les rsultats escompts lectriques et quantiques pour une
cellule solaire. Nous navons, donc, pas continu nos simulations pour les autres paramtres.

III.5.2.3 Cas dune cellule solaire de type Si0.71Ge0.29/Si1-xGex/Si
Ee = 0.01m Si 0.71Ge0.29 N
Emetteur
Si1-xGex P
Eb = 70m
Base
Es = 0.2m Si P+
Substrat
Figure III. 13. Schmatisation de la cellule solaire dtude, de type Si0.71Ge0.29/Si1-xGex/Si
a. Caractristique I=f(V) :
Nous allons faire varier la stchiomtrie de la couche tampon Si1-xGex pour voir
quelle est son influence sur notre cellule solaire propose. Dans un premier temps,
pour voir si la couche mettrice de type Si0.71Ge0.29 [1] influe sur le rendement, nous
allons prendre deux valeurs de X : X=0 et X=0.06. Dans une deuxime tape nous
allons tudier linfluence du taux de germanium de la couche tampon sur les diffrents
paramtres de notre cellule solaire.
a) X=0 Si 0.71Ge0.29 / Si /Si
Les rsultats obtenus par la simulation pour le coefficient stchiomtrique X=0 sont :
I cc 344mA

Vco 617.4mA m 17.62%
P 176mW
max

Figure III. 14. La caractristique I=f(V) pour le cas dune cellule solaire de
SiGe o x=0
b) X=0.06 Si 0.71Ge0.29 / Si0.94Ge0.06 / Si

Les rsultats obtenus par la simulation pour le coefficient stchiomtrique x=0.06 sont :
I cc 350mA

Vco 616.7mA m 17.85%
P 179mW
max
Figure III. 15. La caractristique I=f(V), cas dune cellule solaire SiGe o
x=0.06

Nous remarquons que le rendement a augment de 17.62 17.85% avec la variation du taux
de germanium dans la structure. Ce changement est d la Puissance du flux capt par notre
cellule. Nous pouvons donc commencer notre tude.
b. Caractristique I(V) pour le cas dune cellule solaire couche graduelle pour
diffrentes valeurs du taux de Germanium :
Figure III. 16. La caractristique I=f(V) pour le cas dune cellule solaire
La pente de la caractristique I=f(V) change en fonction du changement du taux de

germanium introduit dans lalliage. Une telle prsentation nest pas trs significative, mais le
calcul des pentes des diffrentes courbes au point dinflexion pourraient enlever cette
ambigit [13].

c. Influence du taux de germanium sur le rendement lectrique :
Figure III. 17. La variation du rendement en fonction du coefficient stchiomtrique x
La figure III.22 reprsente la variation du rendement lectrique en fonction du coefficient

stchiomtrique. Celle-ci montre lutilit de lintroduction des htrostructures Si1-xGex dans
notre cellule solaire. En effet le rendement croit avec laugmentation du taux du Germanium
jusqu une valeur XM maximale o le rendement commence diminuer.
Par ailleurs, on remarque une anomalie dans la lallure de la courbe simule. Celle-ci t
dcele prcdemment dans dautres travaux [2]. Lorigine de cette anomalie reste
indtermine ce jour[14].

d. Linfluence du taux de Germanium sur la tension du circuit ouvert
Figure III. 18. Variation de la tension du circuit ouvert en fonction coefficient x
La tension du circuit diminue lorsque le taux Ge augmente (forme parabolique). Ceci est d
laugmentation du courant de saturation. En effet, il savre que la diminution de la bande
interdite augmente le courant de saturation,
Le taux de germanium influe sur la largeur de la bande interdite totale de lalliage. En effet la
largeur de la bande interdite est donne par la formule suivante [5] :
Eg Si (1 x )Gex (1 x) Eg x xEgGe III.1
Puisque EgGe Eg Si , lorsque x augmente, EgSi(1-x)Gex diminue donc le courant de saturation

augmente puisque ce dernier est li la tension du circuit ouvert par la relation suivante :
kT I
Vco log1 cc III.2
q I0
Nous pouvons constater que lorsque le taux de germanium augmente beaucoup la tension
du circuit ouvert diminue dune quantit apprciable par rapport laugmentation du photo-
courant [7].

e. Influence de lpaisseur du substrat sur le rendement lectrique pour des valeurs

discrtes du taux de Germanium :
I II
Figure III. 19. Variation du rendement en fonction de lpaisseur du substrat
Sur la figure III.24, nous avons deux zones :
La Zone I o le rendement dcroit linairement en fonction de lpaisseur du substrat.
La Zone II o le rendement est pratiquement constant.
Par ailleurs les meilleurs rendements lectriques sont obtenu pour 0.11<X<0.15 et
0.02<Es<0.06m.

f. Influence de lpaisseur de la base sur le rendement lectrique pour des valeurs

discrtes du taux de Germanium :
I III
II
Figure III. 20. La variation du rendement en fonction de lpaisseur de

la base
La figure III.25 reprsente la variation du rendement lectrique en fonction de lpaisseur de

la base de notre cellule pour diffrents taux de Ge. Nous remarquons sur cette figure une
courbe croissante et lexistence de trois zones (I, II et III) :
Zone I : Une croissance rapide du rendement avec laugmentation de lpaisseur de la base.
Zone II : Une croissance moins rapide du rendement avec laugmentation de lpaisseur de

la base.
Zone III : Une saturation de la courbe.
Les meilleurs rendements lectriques sont obtenu pour des paisseurs de la base
40m<Eb<70m (Zone III) et pour des taux de Ge 0.06<X<0.15.

g. Influence de lpaisseur de lmetteur sur le rendement lectrique pour des

valeurs discrtes du taux de Germanium :
I II III
Figure III. 21. La variation du rendement en fonction de lpaisseur

de lmetteur
La figure III.26 reprsente la variation du rendement lectrique en fonction de lpaisseur de

lmetteur de notre cellule pour diffrents taux de Ge. Nous remarquons sur cette figure une
courbe dcroissante et lexistence de trois zones (I, II et III) :
Zone I : 0.01<Ee<0.03m, une pente abrupte de la courbe.
Zone II : 0.03<Ee<0.08m, une pente moins abrupte, que la prcdente, de la courbe.
Zone III : 0.08<Ee<0.11m, une pente douce de la courbe puis une saturation de celle-ci.
h. Influence du taux de Ge sur le rendement quantique :
I II
Figure III. 22. La variation du rendement en fonction de lpaisseur de lmetteur

La figure III.27 reprsente la variation du rendement quantique en fonction du coefficient

stchiomtrique de Ge. Nous remarquons sur cette figure une courbe croissante et lexistence
de deux zones (I et II), une croissance linaire jusqu X=0.11 puis une saturation.
i. Influence du taux de Ge sur la largeur de la bande interdite :
Figure III. 23. La variation de la largeur de la bande

interdite en fonction du coefficient x
On remarque dans la figure III.28 que la variation de la largeur de la bande interdite ou le Gap
est dcroissante linairement en fonction du taux de germanium. Do lintrt dutiliser les
couches minces graduelles.
III.5.2.4 Cas dune cellule solaire avec la structure suivante Si0.70Ge0.29/Si1-xGex/Ge
Ee = 0.01m Si0.71 Ge0.29 N
Emetteur
Eb = 70m
Si1-xGex P
Base
Es = 0.2m Ge P+
Substrat
Figure III. 24. Schmatisation de la cellule solaire dtude, de type Si0.71Ge0.29/Si1-xGex/Ge

a. Variation du rendement lectrique en fonction du taux de Ge :
Figure III. 25. La variation de du rendement lectrique en fonction du coefficient x.
La valeur du rendement dcrot avec laugmentation du taux de Germanium dans la structure

avec une allure parabolique. Contrairement au 3ieme cas o lallure de la diminution est une
droite.
Le rendement est maximal pour une valeur de 17.10% avec un taux de Ge de 0% et minimal,
16.06% pour un taux de Ge de 29%.
Variation du rendement quantique en fonction du taux de Ge :
II
Figure III. 26. La variation de du rendement quantique en fonction du coefficient x

La figure III.31 reprsente la variation du rendement quantique en fonction du taux de Ge.

Nous remarquons sur cette figure une courbe croissante et lexistence de deux zones (I et II),
une croissance linaire jusqu X=0.17 puis une saturation.
III.4 Conclusion :
Suite aux diffrentes tudes et simulation que nous avons faites dans ce chapitre, nous
sommes arrivs concevoir la structure optimale de notre cellule solaire. Il sagit de la cellule
solaire base de couches graduelles Si0.71Ge0.29/Si1-xGex/Si qui nous a donn un rendement de
17,85% avec : 0.11<X<0.15, 0.01<Ee<0.03m, 40<Eb<70m et 0.02<Es<0.06m ;
O
X est le taux de Ge,
Ee est lpaisseur de lmetteur,
Eb est lpaisseur de la base,
Es est lpaisseur du substrat.

Bibliographie Chapitre III
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Chapitre IV : Rsultats et Discussions - les Cellules Solaires de 3me Gnration -
Chapitre IV
Simulation par Silvaco 2012 des Nanofils du Si
et du SiGe graduels
Sommaire
IV-1. Introduction 106

IV-2. Simulation numrique sous SILVACO-ATLAS 107
IV-2-1. Structure simuler 107
IVI-2-2. Paramtre de la structure simule 107
IV-3. Prsentation du package des programmes SILVACO 107
IV-3-1. Les outils de simulation 111
IV-3-2. Les outils interactifs 112
IV-4. Prsentation dATLAS 113
IV-4-1. Entres et sorties dATLAS 113
IV-4-2. Commandes dans un programme ATLAS 114
IV-5.Rsultats de la simulation 117
IV-5-1. Longueur des nanofils 117
IV-5-1-2. Influence de la longueur des nanofils 118
IV-5-2. Influence du dopage 121
IV-5-2-1. Dopage du substrat 121
IV-5-2-2. Dopage de lmetteur 122
IV-5-3. Rendement quantique externe 124
IV-5-3-1. Etude de la vitesse de recombinaison 124
IV-5-3-2. Influence du type du substrat sur la vitesse de recombinaison 126
IV-5-3-3. Influence des couches SiO2 SiN 127
IV-5-3-4. Utilisation dune double couche 128
IV-6. Croissance des nanofils Si / SiGe 130
IV-6-1. Comparaison des deux structures nanofils Si/Si et Si/SiGe 131
IV-6-2. Le rendement quantique des cellules SiGe 133
IV-6-3. Le rendement lectriques des cellules 134
IV-7 Conclusion 135

IV-1. Introduction
Dans ce chapitre, nous prsentons ltude de la cellule solaire bas de Nanofils. Deux sortes
de structures sont tudies : Si/Nanofils-Si Cristallin orient (100)/Or et Si/Nanofils-
SiGe graduel/Or. Nous commenons, dans un premier temps, par dfinir la structure
simuler et les paramtres utiliss dans notre tude ainsi que notre outil de simulation le
SILVACO/ATLAS. Les paramtres tudis sont choisis par rapport leurs proprits et aux
moyens technologiques utiliss dans la ralisation des cellules photovoltaques base des
nanofils [1].
Dans une seconde phase, nous dcrivons notre simulation deux dimensions effectues sous
environnement SILVACO/ATLAS.
Dans notre simulation nous avons fait varier un certain nombre de paramtres dans les deux
structures dtude (la longueur de diffusion, la gomtrie des rgions dopes n+ et p+ de la
cellule, les recombinaisons sur la face avant, lpaisseur du substrat, le dopage) pour tudier
leur influence sur les performances des cellules solaires.
Par ailleurs, nous avons tudi linfluence de la double couche. Cette dernire tant
constitue de deux couches dposes successivement sur le substrat (SiN et SiO2). Celle-ci a
t choisie daprs la littrature [13], car son introduction permet dobtenir des rendements de
conversion suprieurs ceux de la simple couche (SiN).
IV-2. Simulation numrique sous SILVACO-ATLAS
De nombreux travaux sont consacrs la simulation des cellules nanofils. En rfrence

[1], P. Verlinder et al., utilisent un modle analytique pour calculer lpaisseur optimale du
substrat en fonction de La longueur des nanofils et la vitesse de recombinaison. Dautres
groupes ont dvelopp des procds adapts cette structure dont lInstitut National des
Sciences Appliques de Lyon pour le substrat mince [2].
Plus rcemment, en rfrence [3], S.M Yang et al., ont prsent une analyse dtaille sur les
diffrentes contributions la rsistance srie dune cellule solaire contacts arrire base de
silicium cristallin.
En rfrence [4] [5], Martinuzzi et Sven Kluska ont dvelopp des cellules jonction en
utilisant du silicium de type n. Dans celui-ci, la dure de vie des porteurs minoritaires ainsi que

La longueur des nanofilssont plus grandes que dans le silicium de type p.
Aussi, dans les travaux publis par Tucci et Diouf [6] [7], des tentatives dutilisation de la
technologie de lhtrojonction base de silicium amorphe/silicium cristallin et aussi SiGe
ont t mises en uvre. La structure nanofils graduel du SiGe un rendement suprieur car
elle permet la rduction des pertes optiques tout en diminuant les recombinaisons. I. Jozwik et
al. [8] utilisent une double couche (SiN et SiO2) dposes sur le substrat. Cette structure
prsente une rflectivit plus faible que celle obtenue avec une simple couche de SiN.
IV-2-1. Structure simuler
La simulation numrique de la structure photovoltaque a t effectue en utilisant le

logiciel SILVACO/ATLAS. Les paramtres sont choisis selon les moyens technologiques
utiliss dans la ralisation des cellules photovoltaques de 3ime gnration.
Pour simuler linfluence des diffrents paramtres de notre structure, nous dfinissons
une cellule solaire de rfrence avec un ensemble de paramtres fixs, puis nous varions les
paramtres afin danalyser leur influence sur le rendement de la cellule solaire.
La simulation numrique par SILVACO [9] est base sur la rsolution numrique
des trois quations fondamentales de transport de charges dans les semi-conducteurs qui sont
respectivement lquation de Poisson et lquation de continuit pour les lectrons et les trous.
Aprs le maillage de la structure tudie, le simulateur value numriquement la rsolution de
ces quations chaque nud du maillage.
Cependant, la caractristique courant-tension (I-V) est simule sous les conditions

standards dclairement (AM1.5G).
En raison de la structure priodique des cellules nanomtriques, nous simulons

uniquement une partie lmentaire de la cellule. La figure IV-1 reprsente la structure et les
paramtres de la cellule de rfrence utilise pendant la simulation. Les distances fixes
sont conformes aux spcificits technologiques lies essentiellement la srigraphie.

La fabriquer des nanofils en silicium par mthode descendante (top-down) cest--dire par
nano-usinage de surface. Cette mthode permet de bien contrler la position des nanofils sur le
substrat et ainsi de dobtenir un bon alignement vis--vis de la connectique. Dans ce cas, le
nanofil est grav dans une des couches dun substrat. Les nanofils nanostructurs peuvent tre
soit des nanofils horizontaux ou plus rarement verticaux dans ce dernier cas ils sont plutt
nomms nanopiliers La structuration verticale est, par exemple, utilise dans le domaine
photovoltaque. Les nanofils horizontaux en silicium monocristallin, sont typiquement
fabriqus partir de substrat SOI, o la couche de silicium superficiel fixe leur paisseur
prsente une description simplifie dun procd de fabrication typique de nanofils top-down.
Afin de garantir une bonne nanostructuration horizontale, un processus comprenant des tapes
de lithographie lectronique et de gravure RIE est typiquement utilis. Un dopage ventuel de
la couche de silicium superficielle peut tre ralis par implantation ionique. Il est possible de
finaliser la prparation de nanofils top-down par une tape doxydation qui permet de diminuer
encore la taille du nanofil. Cest grce cette dernire tape que des nanofils top-down avec
des diamtres infrieurs 10 nm ont t fabriqus. Pour les applications CMOS et pour certains
capteurs, les nanofils top-down ne sont pas librs. Avec une tape supplmentaire de gravure
de libration, souvent en vapeur HF, il est possible de suspendre les nanofils. Les nanofils
suspendus trouvent leurs intrts dans le domaine des NEM Comme la mthode de fabrication
top-down fait appel des techniques bien matrises issues de lindustrie microlectronique,
elle permet la fabrication en masse de dispositifs nanofils sur des grandes surfaces.
a)

AlSi
Rsistance de Contact
Si Nanofil
Si O2
Si Porte Echantillon
L= 120 nm Si (Nanofils) N+ couche
W= 20m
= 80nm, 40nm
Si (P) Substrat
Figure IV- 1 Figure IV-1: Structure de la cellule de rfrence simule sous SILVACO/ATLAS
IVI-2-2. Paramtre de la structure simule
Les paramtres de la cellule sont donns dans le tableau 1 :
Tableau IV- 1. : Paramtres de la structure contacts arrire inter digits
Substrat
Epaisseur W = 200m
Dopage Uniforme
Dopage N = 1017cm-3
SiO2
Epaisseur W = 0.5 nm
Nanofils

Epaisseur W = 0.2nm
Diamtre Initial d = 80nm
Longueur du nanofils aprs 60min L = 120nm
Dopage N = 1019cm-3
IV-3. Prsentation du package des programmes SILVACO

SILVACO est une socit internationale Amricaine, ayant son sige Santa Clara en
Californie. Elle est un des principaux fournisseurs de chanes professionnelles de logiciels de
simulation par lments finis et de conception assiste par ordinateur pour les technologies de
llectronique TCAD (Technology Computer Aided Design). Ces outils sont employs par les
compagnies de microlectronique dans le domaine de la recherche, du dveloppement et de la
conception de dispositifs.
SILVACO prsente un ensemble des outils de simulation interactifs permettant la
conception et lanalyse de la plus part des dispositifs semiconducteurs VWF (Virtual Wafer
Fab) [10]. Les composants de base de VWF (Figure III-2) sont :
1. Les outils de simulation (VWF CORE TOOLS). Ces outils simulent soit leurs
processus de fabrication ou soit leurs comportements lectriques. Les outils de simulation
sont ATHENA, ATLAS et SDUPEM3.
2. Les outils interactifs (VWF INTERAVTIVE TOOLS). Ces outils sont dsigns pour tre
utiliss en mode interactif dans la construction dun seul fichier dentre. En tant bas sur
une interface utilisateur qui est graphique (Graphical User Interface, GUI). Ainsi le travail
de construction du fichier dentre devient plus efficace. Les outils interactifs peuvent
tre utiliss soit en relation avec un ensemble de fichiers, ou comme des composants
intgrs dans lenvironnement des outils dautomatisation.
3. Les outils dautomatisation (VWF AUTOMATION TOOLS). Ces outils permettent
lutilisateur dexcuter sur une grande chelle des tudes exprimentales afin de crer des
rsultats pour lanalyse statistique suivante.
Les outils automatiques se servent de la technologie de base de donnes rparties et des
mthodes de logiciels de dveloppement dinterprocessus.
IV-3-1. Les outils de simulation
ATLAS : simulateur physique de dispositifs semi-conducteurs 2D ou 3D qui permet de

simuler le comportement lectrique de structures spcifies des dispositifs semi-conducteurs.

ATHENA : simulateur 2D de procds technologiques qui permet de dvelopper et
optimiser des processus de fabrication de semi-conducteurs (les diffrentes tapes effectues
en Salle Blanche). Il fournit une plate-forme pour simuler l'implantation ionique, la diffusion,
gravure l'eau-forte, le dpt, la lithographie, l'oxydation, et la silicidation des matriaux semi-
conducteurs. Il remplace des expriences coteuses par des simulations.
SSUPEMS3 : simulateur de procd 1D avec prolongements simples de simulations
des dispositifs.
TonyPlot DevEdit
Graphique Interactive De matriel Editeur
Animation et De Dopage Editeur
Visualisation Scientifique DeckBuild
De maillage
Impression sur papier Invocation doutil
Commande dexcution
Interactive Optimiser
Manager
Interface automatique de
simulation SPDB
MaskViews
Interface de plateforme Base de donnes de processus
Disposition de circuit Intgrs dentre conduite par GUI
Editeur Commande doutil de GUI
Outils de Simulation
SSUPREMS3, ATHENA, ATLAS

Outils automatique VWF
Figure IV- 2. Organigramme de la structure VWF
IV-3-2. Les outils interactifs
DECKBUILD : environnement o est dfini le programme de simulation. DeckBuild offre

une aide et une prise en charge qui permet dviter lapprentissage dune syntaxe de
commande gnralement trs complexe. Il permet aussi une excution automatique et trs
pratique des programmes et des sauvegardes systmatiques des tapes intermdiaires
dexcution.
TONYPLOT : environnement o sont visualiss les rsultats des simulations (structure

du composant, distribution de grandeurs divers dans celui-ci, caractristiques lectriques).
DEVEDIT : environnement o est destine la structure. On peut crer des nouvelles

structures ou mme modifier des structures existantes. On peut aussi dfinir des maillages ou
raffiner les maillages existants.
MASKVIEWS : outil de dessin des masques (diteur de layout).
OPTIMIZER : optimise les paramtres de la structure de faon obtenir en final la valeur
du paramtre que nous lui avons dfinie au pralable.
MANAGER : outil de gestion des fichiers utiliss et crs par VWF.
SPDB : (Semiconductor Process Data Base), cest un produit spar, il nest pas un
outil interactif, mais il peut tre utilis avec DeckBuild. Il a t conu pour stocker un grand
nombre de profils de dopage mesurs exprimentalement ainsi que les donnes qui
dcrivent les conditions des expriences.
Le projet ralis dans le cadre de ce travail de thse, a t bas principalement sur loutil de
simulation Atlas et sur lenvironnement o est dfini le programme de simulation
DeckBuild . Une fois la simulation effectue sous ATLAS , la visualisation des
rsultats se fait via le logiciel TonyPlot .
Par la suite nous allons dvelopper la prsentation de loutil de simulation ATLAS que
nous avons utilis principalement pour effectuer la simulation de notre structure.
IV-4. Prsentation dATLAS
ATLAS est un simulateur physique 2D ou 3D des dispositifs bass sur la physique de

semiconducteur. Il prdit le comportement lectrique des structures semiconductrices
spcifies et fournit des aperus de mcanismes physiques internes associs au fonctionnement
des dispositifs. Atlas peut tre utilis autonome ou comme un outil noyau dans le
milieu de simulation VWF de SILVACO.
Ce simulateur est compos de deux parties :

- une partie de traitement numrique (mthode dintgration, de discrtisation)
- une partie forme des modles physiques des composants semiconducteurs (modles
de recombinaisons, de mobilits, ).

IV-4-1. Entres et sorties dATLAS
La figure IV-3 montre les entres et sorties datlas. La plupart des simulations ralises par
ATLAS utilisent deux fichiers dentre. Le premier est reprsent par Fichier de
commande , cest un fichier script contenant les commandes pour quATLAS sexcute.
Le second fichier est un Fichier de structure qui dfinit la structure simuler.
A la sortie dAtlas, nous avons trois types de fichier. Le premier de ces fichiers est la sortie
Runtime qui donne la progression, les erreurs et les messages d'avertissements pendant la
simulation. Le deuxime type de fichier est le fichier log qui stocke toutes les valeurs de
tensions et des courants provenant de lanalyse du dispositif simul. Le troisime fichier de
sortie est le fichier de solution , ce fichier stocke les donnes 2D ou 3D concernant les
valeurs des variables solutions dans le dispositif en un point donn. Les deux derniers
fichiers sont traits par loutil de visualisation
TonyPlot .
DevEdit
Fichier Runtime
Fichier de structure
ATHENA
ATLAS Fichier log TonyPlot
Fichier de Commande Fichier de solution
DeckBuild
Figure IV- 3. Entres et sorties dATLAS
IV-4-2. Commandes dans un programme ATLAS

Nous allons maintenant prsenter lordre des commandes fondamentales dans un
programme ATLAS (Figure III-4). Ainsi il existe cinq groupes de commandes, ces
groupes doivent tre organiss correctement. Si lordre nest pas respect, un message derreur
apparat et le programme ne sexcute pas dune faon correcte.

Groupe MESH
REGION
1. Spcification de la structure
ELECTRODE
DOPING
MATERIAL
2. Spcification des modles de couches MODELS
CONTACT
INTERFACE
3. Slection de la mthode numrique METHOD
LOG
SOLVE
4. Spcification des solutions
LOAD
SAVE
5. Analyse des rsultats EXTRACT

TONYPLOT
Figure IV- 4. Les commandes fondamentales dans un programme ATLAS
Les commandes fondamentales sont :
1. Spcification de la structure
Il sagit de dfinir la structure la plus raliste. La construction de la structure consiste en quatre
tapes : dfinition du maillage, dfinition des rgions, dfinition des lectrodes et dfinition
des dopages.
MESH (dfinition du maillage) : Le maillage divise la structure simule en petites cellules
pour pouvoir rsoudre les quations fondamentales numriquement. Llment de maille
utilis est le triangle. Pour assurer une bonne prcision lors de la simulation, il faut avoir le
maillage le plus fin possible. Par contre si le maillage est trs fin, le temps de calcul est trs
lev, car il y a plus dlments calculer. Il est donc ncessaire de trouver un
compromis entre le temps et la prcision de calcul.
REGION (dfinition des rgions) : Aprs avoir dfini le maillage, il est ncessaire de dfinir
les rgions. Dans cette partie nous dfinissons des rgions rectangulaires, par exemple la
rgion n1 est dfinie comme un matriau de type silicium et la rgion n 2 comme de loxyde
(SiO2), etc.. . Ainsi que les diffrentes dimensions sont dfinies en micromtre.

ELECTRODE (dfinition des lectrodes) : La dfinition des lectrodes permet de raliser

les contacts Grille, Anode et Cathode.
DOPING (dfinition des dopages) : Le dernier aspect de la construction de la structure est

le dopage. Le dopage peut tre de type n ou p, aussi la distribution peut tre uniforme,
gaussien, etc
2. Spcification des modles physiques

Aprs la construction de la structure, il est ncessaire de prciser les modles physiques et de
dfinir les matriaux. La spcification de modles et matriaux comporte quatre tapes:
MATERIAL : associe des paramtres physiques aux matriaux dans la maille. Le logiciel a
des paramtres de matriau dfinis par dfaut pour les semiconducteurs standard.
MODELS : Ils indiquent les inclusions de diffrents mcanismes physiques

(recombinaison, mobilit, etc). Le choix du modle dpend des matriaux choisis pour la
simulation. CONTACT : indique les attributs physiques dune lectrode (rsistivit, travail de
sortie,).
INTERFACE : indique les paramtres dinterface aux frontires des semiconducteurs ou

des isolants. Tous les paramtres sappliquent seulement aux nuds de frontire excepts la
o ils sont dj indiqus.
3. Slection de la mthode numrique
METHOD : Dans ATLAS, il existe essentiellement deux mthodes numriques pour

la rsolution des quations : les mthodes dites de Newton et de Gummel. La mthode de
Newton correspond la rsolution itrative d'un systme regroupant les trois quations
diffrentielles rgissant le fonctionnement de la structure. La mthode de Gummel consiste
dcoupler en trois sous-systmes le systme global dcrit prcdemment : les trois quations
sont rsolues itrativement les unes aprs les autres jusqu' atteindre la convergence globale
des solutions. L'intrt potentiel de cet algorithme par rapport celui de Newton rside dans la
rduction des dimensions des systmes matriciels rsoudre, ce qui permet a priori de
diminuer le temps de calcul.

4. Spcification des solutions
Aprs avoir slectionn la mthode numrique il est ncessaire de dterminer les solutions. La
spcification de solution est donne par les dclarations : LOG, SOLVE, LOAD, et SAVE.
LOG : permet toutes les caractristiques finales de simulation dtre sauves dans un
fichier (ouvre un fichier de type log). Notons que log en minuscule veut dire le type de
fichier et LOG en majuscule veut dire la commande dans le programme. Les informations
sauves sont de type lectrique. Aussi nimporte quel paramtre spcifi par la commande
PROBRE1 est stock dans le fichier de type log. Si dans le programme, il y a plusieurs
commandes LOG, chaque fois le fichier log qui a t ouvert avant est ferm et un nouveau
fichier log est ouvert.
SOLVE : La dclaration SOLVE fait suite la dclaration LOG. SOLVE effectue une
solution pour un ou plusieurs points de polarisation.
LOAD : charge des solutions prcdentes partir de fichiers en tant que conjectures initiales
dautres points de polarisation.
SAVE : sauve toutes les informations dun point nud du maillage dans un fichier de sortie
(les fichiers de sortie sont de type structure). Les informations sauves correspondent un tat
lectrique bien prcis.
5. Analyse des rsultats
Une fois la solution a t trouve pour un problme de dispositif semiconducteurs, les

informations peuvent tre affiches graphiquement.
EXTRACT : les commandes de ce type sont utilises pour extraire les valeurs bien prcises
des paramtres des deux types des fichiers log ou structure.
TONYPLOT : dmarre le programme TonyPlot permettant une reprsentation

graphique des donnes.

Une autre commande importante est BEAM, sa position est au niveau 4 des groupes de
commande. BEAM indique un signal dentre optique sous forme dun faisceau de
lumire (mono ou multi-spectrale). Le faisceau ainsi dclar est allum et utilis par la
commande SOLVE, dans ce cas le module luminous2 est activ. Donc BEAM est utilis
pour simuler des courants sous lumire ou des rponses spectrales.
IV-5.Rsultats de la simulation
IV-5-1. Longueur des nanofils
La dtermination des paramtres limitatifs du rendement lchelle nanomtrique est

complique car elle dpend des paramtres suivants :
- la longueur des nanofils

- la largeur des nanofils
- la direction des nanofils
A partir dune approche thorique et une tude de simulation avec le logiciel SILVACO, il est
possible de comprendre linfluence de ces paramtres pour valuer la gomtrie optimale de la
structure nanofils du Si.
Dans cette tude nous considrons un niveau de dopage du substrat de 1017cm-3 .
II
I
Figure IV- 5. Evolution du rendement de la cellule en fonction la longueur des nanfils pour diamtre

On remarque dans la figure IV-5 une dcroissance du rendement pour une augmentation de
l'espacement. Ce rpercute sur la gnration de recombinaison plus importante. On constate
aussi, que le rendement de conversion augmente jusqu un rapport gal 18, puis la
courbe commence saturer (pour des valeurs suprieur 17), Donc il est prfrable
daugmenter la largeur de jonction pour augmenter le photocourant de la cellule.
IV-5-1-2. Influence de la longueur des nanofils
Dans cette tude, nous considrons les trois paramtres de la structure nanofils du Si (le
courant de court-circuit, la tension de circuit ouvert et le rendement de conversion).
La figure (VI-6) montre linfluence de la longueur des nanofils sur les trois paramtres de la
structure. Sur ces figures, nous considrons deux largeur de nanofil dtermin partir du
germe de croissance (d=80nm et d=40nm) et un intervalle de longueur des nanofils
(0<L=55m), afin de comprendre linfluence de la longueur sur lefficacit de la structure
nanofils du Silicium.
II
I
a)

b)
C)
II
Figure IV- 6 Evolution du courant de court-circuit (a), de la tension de circuit

ouvert (b) et du rendement de la cellule (c) en fonction les longueurs des nanofils
A partir de cette figure, nous observons que pour des valeurs de longueur L des nanofils
simuls moins que 10 le rendement est denviron [6% - 11%] et [8% - 12%] pour les deux
types de nanofils proposs. Et pour les longueurs suprieures L= 10m, le rendement ce
sature entre 14% et 12%.
On remarque alors, que la longueur des nanofils est un paramtre dterminant du

rendement des cellules solaires base des nanomatriaux. En effet, pour assurer une
collecte satisfaisante des porteurs il faut avoir une distance minimal pour

cre la jonction nanofils Sur la figure IV-7 nous reprsentons lvolution de la

caractristique I-V en fonction de des longueurs de diffusion
Figure IV- 7. Evolution de la caractristique I-V en fonction de la largeur

nanofils
Sur les figures IV.7 nous remarquons que laugmentation de la largeur des nanofils permet
une amlioration des trois paramtres de la structure nanofils du Si. En effet, la largeur des
nanofils est lie avec la dure de vie des porteurs minoritaires, de ce fait quand la largeur
augmente la dure de vie des porteurs minoritaires augmente.
IV-5-2. Influence du dopage
IV-5-2-1. Dopage du substrat
La figure IV-8 illustre leffet du niveau de dopage du substrat sur le rendement de

conversion de la structure des nanofils du Si en fonction de d = 40nm et 80nm et la
longueur des nanofils.
On constate sur la figure que laugmentation du niveau de dopage du substrat permet une
amlioration remarquable du rendement de conversion de la structure. Cette amlioration est
dautant plus importante que si la longueur des nanofils et grande. En effet, avec
laugmentation du niveau de dopage du substrat, la dure de vie des porteurs minoritaires et
la mobilit augmentent aussi.

Ceci permet de compenser les pertes des porteurs recombins dans les joins de grains. Si
le taux de recombinaison augmente, la dure de vie des porteurs et la mobilit se dgradent.
Cela entrane une dcroissance importante du rendement dans le cas de substrat fortement
dop cause des recombinaisons Auger.
Si le substrat est faiblement dop (infrieur 1016), la hauteur de la barrire de potentiel de la

jonction p-n est rduite. Dans ce cas, le champ lectrique de la jonction p-n est moins fort
et les conditions de collecte des porteurs sont insuffisantes. Ainsi, loptimisation du
dopage du substrat ne peut tre faite simultanment afin davoir un maximum de rendement.
II
I
III
Figure IV-8. Evolution du rendement de la cellule en fonction du dopage du substrat

pour la cellule de rfrence et pour deux diamtres
Dans la figure IV-8 nous reprsentons les caractristiques du rendement lectrique en

fonction du dopage pour largeur de nanofils (d= 80 et 400nm) et la variation de la longueur
des nanofils. Nous remarquons dans celle-ci lexistence de trois zones :
Dans la premire zone (I) : il ya une augmentation proportionnelle du rendement avec le
dopage, ce phnomne est d laugmentation des paires lectrons-trous.
Dans la deuxime zone (II) : il ya saturation du rendement en fonction de la variation du
dopage. Il ya donc assez de paires e-t pour assurer le dplacement lectronique.
Et dans la dernire zone (III) : il ya une diminution du rendement. Ceci est d
laugmentation des impurets dans le rseau du silicium.

IV-5-2-2. Dopage de lmetteur
La figure IV.9 reprsente la simulation de lvolution du rendement de la cellule en

fonction du dopage de lmetteur pour la cellule de rfrence.
a)
b)
Figure IV- 9. Evolution du courant de court-circuit (a), le rendement de la cellule

(b) en fonction du dopage de lmetteur pour la cellule de rfrence et pour deux
diamtres et des longueurs de diffusions diffrentes.

Dans cette figure, nous remarquons que le courant de court-circuit (ICC) ne varie pas
en fonction du dopage de lmetteur. Par contre la tension du circuit ouvert (VCO) augmente
avec lvolution du niveau de dopage de lmetteur, ainsi que le rendement de conversion.
En effet, pour les cellules base des nanofils, lmetteur se trouve sur la face avant de la
cellule. Lpaisseur de ce dernier est trs faible par rapport lpaisseur de la cellule
(0.5nm200nm), la recombinaison est pratiquement ngligeable dans lmetteur. Dans ce
cas le courant de court- circuit ne varie pratiquement pas en fonction du dopage de
lmetteur. Si lmetteur est fortement dop (suprieur 1e20cm-3) la hauteur de la barrire
de potentiel de la jonction p-n augmente et la tension du circuit ouvert augmente aussi. Ainsi,
le niveau du dopage de lmetteur doit tre lev pour obtenir un bon contact lectrique
avec le mtal. Par contre nous avons une limitation et une saturation du courant de
lmetteur si nous augmentons trop le dopage [11].
Les calculs du courant de saturation en fonction de la profondeur de jonction sont
disponibles dans des travaux prcdents [12]. Les rsultats de cette thse montre quil est
souhaitable de former des jonctions profondes afin de rduire le courant de saturation,
si la vitesse de recombinaison en surface est leve (106cm/s). Ce qui est le cas pour nos
simulations.
IV-5-3. Rendement quantique externe

La figure IV-10 montre leffet de La longueur des nanofils sur les rendements
quantiques des cellules avec des paisseurs de substrat respectivement de 120nm et de
200nm
Visible
Figure IV- 10. Rendement quantique externe de la structure Nanofils Si

Le rendement quantique externe est dtermin non seulement par les paisseurs
du substrat mais aussi par un paramtre important qui est la longueur des nanofils. En effet, le
rendement quantique externe est suprieur 80% pour une longueur des nanofils gale
400nm.
La cellule solaire absorbe des photons sur une large gamme de longueur donde. Sa rponse
spectrale est un moyen de mesure pour caractriser ses performances. Le rendement
quantique externe est dfini comme le rapport entre le nombre de paires lectrons-trous
collectes par les contacts sur le nombre de photons incidents. Le silicium prsente un
coefficient dabsorption variable en fonction de la longueur donde.
En effet, partir de la figure IV-11 nous constatons que la gnration des paires lectrons-
trous est gnre sur une plus grande profondeur du silicium partir dune longueur
donde suprieur 0.5 m. Pour les longueurs dondes suprieur 1m le coefficient
dabsorption diminue. En outre, les photons dnergie infrieure au gap ne permettent
aucune transition et aucune gnration de paires lectron-trou.
IV-5-3-1. Etude de la vitesse de recombinaison

Nous prsentons dans la figure IV-11 lvolution des paramtres de la structure base
de nanofils du silicium sous clairement en fonction de la vitesse de recombinaison en face
avant (metteur). A partir de cette figure nous remarquons que pour des vitesses de
recombinaisons suprieures 103cm/s, le courant de court-circuit et le rendement de
conversion chutent fortement. Par contre, si la vitesse de recombinaison est infrieure
103cm/s, elle na pas dinfluence sur la caractristique I-V de la cellule.
a)
I
II

b)
I
II
c)
Figure IV- 11. Evolution du courant de court-circuit (a), de la tension de

circuit ouvert (b) et du rendement de la cellule (c) la vitesse de
recombinaison.
Ltude de cette simulation montre que les performances de la cellule

dpendent fortement de la passivation. On remarque deux zones la premire une saturation du
rendement avec laugmentation de la vitesse de recombinaison et une deuxime zone o le
rendement chute. Ceci est d au claquage du circuit de la cellule solaire

IV-5-3-2. Influence du type du substrat sur la vitesse de recombinaison
La figure IV-12, illustre leffet du type du substrat du silicium amorphe ou cristallin

sur le rendement et sur la vitesse de recombinaison. Dans cette tude, afin de limiter les
recombinaisons de type Auger et une concentration de surface gale 1019cm-3.
Figure IV- 12. Comparaison du rendement de conversion de la

cellule en fonction de la vitesse de recombinaison en
Nous remarquons sur cette figure, le cas dun substrat a-Si amorphe limite, la vitesse de
recombinaison devient extrmement critique sur le rendement de conversion ds que sa
valeur dpasse les 100cm/s. La prsence de ce dernier dans la structure nanomtrique,
limite linfluence de la vitesse de recombinaison. Ltude de cette simulation, permet de
mettre en vidence les paramtres principaux influents sur les performances de la cellule avec
des nanofils.
IV-5-3-3. Influence des couches SiO2 SiN
Comme nous avons vu dans la premire partie de ce chapitre, les cellules solaires
nanofils de Si sont des structures intressantes sur substrat fin. La diminution de
lpaisseur diminue labsorption de la lumire. Par consquent, il est ncessaire damliorer le
rendement des cellules solaires en utilisant les bonnes conditions.
Pour minimiser la rflexion la surface de la cellule, on cherche capter la plus grande partie
des photons par un traitement chimique [13] ou par dpt de couche SiN et SiO2 avec un
indice de rflexion adapt celui du silicium (pour la longueur donde laquelle on dsire
obtenir une rflexion minimale). La passivation partir de couches dilectriques semble tre
actuellement la voie la plus prometteuse. Les couches dposes sur silicium cristallin ont un

indice de rfraction qui varie entre 1.5 et 2.3 [14]. Les plus adapts dans lindustrie sont le
nitrure de silicium SiNx:H souvent crit en abrg SiN et le dioxyde de Silicium SiO2.
Les tudes bibliographiques montrent que la meilleure passivation est obtenue par un oxyde
de silicium recouvert dun dpt de nitrure de silicium quelle que soit la surface passiver.
a) Le nitrure de silicium SiN
Le nitrure de silicium SiN peut servir la fois comme couche peu couteuse et plus efficace que
loxyde de silicium. Il peut galement assurer une passivation des liaisons pendantes la
surface du silicium
Dans lindustrie photovoltaque, la technique la plus rpandue pour laborer les couches
minces de nitrure de silicium est le dpt chimique en phase vapeur (CVD Chemical Vapor
Deposition) assiste par plasma (PECVD Plasma Enhanced Vapor Deposition)
partir des gaz prcurseurs silane (SiH4) et amoniac (NH3).
Cette technologie permet de raliser des dpts basse temprature (500C). Le dpt assist
par plasma t invent en 1965 par Sterling et al. [18] et initialement utilis dans le domaine
de la microlectronique.
La technique PECVD fut ensuite pour la premire fois mentionne pour une application
photovoltaque en 1981 par Hezel et al. [19]. Elle permet dobtenir une excellente qualit de
passivation sur surface de type p et amliore galement les surface fortement dopes de type n+.
b) Le dioxyde de silicium SiO2
Un moyen largement utilis pour passiver efficacement les surfaces des cellules solaires base
de silicium est loxydation thermique obtenue haute temprature ( 1000C). Les qualits
de passivation obtenues par cette mthode sont excellentes. Des vitesses de recombinaisons
aux environs de 10cm/s sont gnralement atteintes sur surface p ou n de haute rsistivit
[15]. Malgr ces nombreux avantages, le dioxyde de silicium thermique (SiO2) est rendu
indsirable pour une industrialisation cause des hautes tempratures et des temps
dlaboration relativement longs. De plus, la dure de vie des porteurs minoritaires dans le
volume de la cellule est dgrade par les tempratures trop leves [20] [21] et ncessite un
important budget thermique.

IV-5-3-4. Utilisation dune double couche
Notre simulation a t faite sur deux cas :

Dans le premier cas, nous utilisons une simple couche de nitrure de silicium SiN ayant
un indice de rfraction gal 2.05
Dans le deuxime cas, nous utilisons une double SiN/SiO2 dpose successivement sur
le substrat et o lindice de rfraction de SiO2 est de 1.52.
Les rsultats de notre simulation reports sur la figure (IV-13) nous permettent de dire que
les cellules avec une simple couche SiN prsentent un courant de court-circuit plus faible
que celui des cellules avec une double couche SiN/SiO2.
Par contre, la tension du circuit ouvert varie trs peu. En effet, comme nous avons vu lors
des simulations prcdentes prsentes en figure IV-11, la vitesse de recombinaison en
face avant influe beaucoup sur le courant de court-circuit des cellules puisquune part
importante de gnration des porteurs a lieu dans cette rgion de la cellule., ceci limitera le
dplacement en surface des paires e-t qui doivent parcourir un chemin plus long pour arriver
en surface.

Figure IV- 13. Linfluence du double couche sur Icc et le rendement des cellules nanofils du Si
On constate par ailleurs, que la double couche permet dobtenir les meilleurs rsultats
du rendement de conversion sous clairement. Cependant, dans le cas des cellules avec une
simple couche est plus faible et la passivation de surface est lgrement augmente. Cela
entrane une diminution de la vitesse de recombinaison en face avant de la cellule.

IV-6. Croissance des nanofils Si / SiGe
Figure IV- 14 Technique de croissance nanofils Si et SiGe [12]
Tableau IV- 2 Paramtres de Croissances [22]
Monde du jardinage Monde des nanotechnologies

Graine plante Catalyseur = particule dOr
Plante Jaune Nanofil de Silicium
Plante raye jaune et verte Nanofil de Si/Ge
Soleil Chauffage du four
Eau Hydrogne, Gaz diluant ou gaz vecteur
Elments essentiels Gaz ractifs = SiH4, mlange SiH4 + GeH4
Engrais Elments dopants : B2H6, PH3 (Modification des
proprits lectronique

IV-6-1. Comparaison des deux structures nanofils Si/Si et Si/SiGe

IV-6-1-1 : Sans couches SiN/ SiO2
La figure (IV-15) montre lvolution du rendement de la cellule en fonction de la
longueur des nanofils pour la structure de rfrence Si/Si et la structure Si/SiGe toutes deux
nanofils.
Dans cette tude, nous avons utilis une structure ayant les paramtres optimums daprs nos
simulations prcdentes :
- Un niveau de dopage du substrat de 1017cm-3,
- largeur 80nm des nanofils.
Figure IV- 7. Evolution du rendement de la cellule en fonction des longueurs nanofils pour les
structures.
Nous constatons sur la figure IV-15 que pour les deux structures lallure du rendement
en fonction de longueur des nanofils est la mme avec une augmentation du rendement pour la
structure de SiGe Nanofils.
Ceci sexplique par le procd technologique de ralisation des cellules solaires nanofils par
diffusion, qui introduit des sous-niveaux quantique dans le diagramme de bande, ce qui permet
la rduction du nombre dtapes de dplacement des lectrons grce aux effets quantiques
introduits par la matrice des nanofils.

IV-6-1-2 : Avec couches SiN/SiO2

Nous reprsentons sur la figure (IV-16) la variation du rendement de conversion en
fonction du rapport longueur des nanofils sur paisseur du substrat pour trois structures
diffrentes avec les mmes paramtres physiques : Si/Si, Si/Si (avec couche SiN/SiO2) et
Si/SiGe graduel.
Figure IV- 16. Linfluence du rapport de la longueur des nanofils sur

lpaisseur du substrat sur le rendement des cellules solaire proposes.
Nous constatons sur cette figure, que le rapport entre La longueur des nanofils et
lpaisseur du substrat est un paramtre primordial de conception des cellules solaires
nanomtrique. Ce concept, ncessite une grande longueur de diffusion des porteurs. En
effet, les porteurs photo-gnrs doivent traverser lpaisseur du substrat pour atteindre la
jonction sur la face arrire.
Ces rsultats montrent aussi, que le rendement des cellules nanofils Si/SiGe et celles des
structures SiN/Si/Si avec couches SiN/SiO2 ne chute pas au-del de 2 pour le rapport L/W .
Par ailleurs, cette tude nous montre que la structure Si/SiGe reste la plus performante des
structures tudies. En effet, la rduction des phnomnes de recombinaison au niveau de la
face avant se fait en neutralisant les liaisons pendantes la surface (Si-Si, Si-N, Si-H, Si-Ge)
du silicium. Le SiN contient une forte quantit dhydrogne, sous forme de Si-H et N-H.
Effectivement, la prsence de llment Si-H et N-H semble intressante pour obtenir une
faible densit dtats dinterface [16], mais na pas dinfluence sur le rendement daprs notre
tude (Fig. IV-16).

IV-6-2. Le rendement quantique des cellules SiGe

Dans cette tude nous simulons la variation du rendement quantique en fonction de la
longueur donde pour des L (Longueur) diffrent et un d (diamtre)
Figure IV- 17. Rendement quantique externe de la structure Nanofils SiGe
Le rendement quantique externe est dfini comme le rapport entre le nombre de paires
lectrons-trous collectes par les contacts sur le nombre de photons incidents. Le silicium
prsente un coefficient dabsorption variable en fonction de la longueur donde. La figure
(VI-17) reprsente le rendement quantique pour la cellule solaire base des nanofils de SiGe
on remarque un largissement du spectre pour les longueurs dondes suprieure 300nm. Les
proprits dabsorptions du SiGe nous permet dexplique ce phnomne.

IV-6-3. Le rendement lectriques des cellules
Figure IV- 18. Rendement lectrique de diffrentes structures
Tableau IV- 3Variation du rendement des trois structures nanofils pour deux paisseurs du substrat.
W paisseur
120nm 200nm
Structures
Structure Si/Si Nanofils 16.5% 16.8%
Structure SiN/Si/Si Nanofils 19,3% 17.6%
Structure Si/Ge Nanofils 23,5% 18,26%
On remarque que les nanofils de SiGe donne un rendement meilleur pour un diamtre de 120nm
par contre les autres structures ce paramtre ninflue pas sur le rendement surtout pour les
structure base du Si nanofils

IV-7 Conclusion
Les rsultats obtenus nous montre quavec lintgration des nanofils de SiGe graduel il ya
une augmentation apprciable du rendement lectrique, ainsi que llargissement du spectre de
raction de ces cellules donc une augmentation du rendement quantique avec la variation du taux
de Ge. Ce qui transforme les longueurs donde de linfrarouge incidentes des longueurs donde
plus ou moins proche du visible. Il y a donc une augmentation des photons incidents et par la suite
une augmentation du rendement. Le rendement obtenu pour ces structures est de lordre de 22%.
Il est donc nettement suprieur ceux de premire et deuxime gnration.

Bibliographie Chapitre IV
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Performance Nanowire Electronics and Photonics on Glass and Plastic Substrates. Nano
Letters, 3(11)

Conclusion Gnrale
CONCLUSION GENERALE
ET PERSPECTIVES
La consommation dnergie ne cesse daugmenter. Les nergies conventionnelles vont en
diminuant sans cesse et les nergies non conventionnelles prsentent beaucoup de risques. Malgr
leurs caractristiques polluantes et puisables, les nergies fossiles sont surexploites.
Lnergie tant lun des moteurs de dveloppement des pays, les partis politiques verts et les
scientifiques, ayant pris de lampleur dans les socits volues, essayent de promouvoir les nergies
propres et renouvelables. De ce fait la recherche sintensifie dans les nergies de substitution dites
renouvelables.
Les nergies renouvelables en gnral et lnergie photovoltaque en particulier apparaissent
dans ce contexte comme une alternative intressante pour prserver la fois le confort des tres
humains et la qualit de lenvironnement.
Le but de notre thse de doctorat et de montrer lintrt de lintgration des nanofils IV/IV
SiGe graduels dans les structures des cellules solaires de premires et deuxime gnration. Pour ce
fait, nous avons fait une tude thorique en se basant sur la modlisation et la simulation par Silcavo
et PC1D. Les structures utilises dans nos travaux sont : Si/Si (cellules de premire gnration) et a-
Si:H/a-SiGe:H (cellules de deuxime gnration dites tandem) auxquelles nous avons intgr des
nanofils SiGe graduels pour obtenir des cellules de troisimes gnrations.
Ltude que nous avons mene, nous a permis de comprendre linfluence des diffrentes grandeurs
physiques comme le dopage, lpaisseur de lchantillon, et le paramtre stchiomtrique des
nouvelles structures modlises.
Afin de comparer les rsultats pour trouver lequel de ces chantillons et le bon pour une utilisation et
une fabrication de panneaux photovoltaques, nous avons montr dans un premier temps que
lexistence dun metteur fortement dop et dun substrat (n+pp+) implique une augmentation de la
tension du circuit et entrane laugmentation du rendement.
Les rsultats de la simulation du rendement, de la gamme de longueur donde et de la puissance, pour
les diffrents chantillons modliss et tudis, nous ont permis de conclure que :
Pour les cellules de premire gnration Si/Si, de type n+p, np+ et n+pp+, il y a une
augmentation de la tension VCO et une diminution du courant ICC, ce qui nous permet de dire
que ce type de cellule fonctionne comme des gnrateurs de tension. Le rendement maximal a
t obtenu pour la structure n+pp+ (17,62%).
Pour les cellules de deuxime gnration a-Si:H/a-SiGe:H, nous avons pris le type n+pp+ qui
nous a donn le rendement maximal dans la premire gnration et nous lavons introduit dans
la deuxime gnration pour chercher notre rendement optimal. Pour ce fait nous avons fait

varier la stchiomtrie du Ge (XGe) entre 0 et 0.9. Le rendement diminue avec le taux de Ge et
augmente proportionnellement avec la diminution de lpaisseur. Dans cette gnration nous
somme limit par la loi de Moore et celle du confinement quantique. Le rendement optimal de
la cellule solaire obtenu pour la structure tudie est de 17, 85% pour une paisseur denviron
15m.
Par ailleurs, si nous diminuons lpaisseur de notre structure au-del de 15m notre structure
ne jouera plus son rle de cellule solaire, par contre on pourra lutiliser comme dtecteur de
temprature ou de lumire.
Pour les cellules de troisime gnration, de type SiGe nanofils : nous avons pris la structure
optimale de la deuxime gnration laquelle nous avons rajout des nanofils SiGe graduels.
Le paramtre prpondrant dans cette structure est le coefficient stchiomtrique. Nous
avons, alors, fait varier XGe de 0 0.8 tout en gardant tous les autres paramtres constants.
Les rsultats obtenus nous ont montr une augmentation aprciable du rendement lectrique
avec la variation du taux de Ge, ainsi quune augmentation du rendement quantique do un
largissement du spectre de raction de ces cellules. Ceci est d lintgration des nanofils de
SiGe graduel qui transforment les longueurs donde de linfrarouge incident des longueurs
donde plus ou moins proche du visible. Il y a donc une augmentation des photons incidents et
par la suite une augmentation du rendement. Le rendement obtenu pour ces structures est de
lordre de 23%. Il est donc nettement suprieur ceux de premire et deuxime gnration.
En conclusion, nous pouvons dire que sur les trois types de cellules (premire, deuxime et troisime
gnration), auxquelles nous avons rajout des nanofils SiGe graduels, celles de troisime gnration
sont les plus performantes avec un rendement lectrique de lordre de 23%.
Comme perspective, nous souhaiterions dvelopper ce travail en utilisant des cellules solaires de
troisime gnration base dautres structures (nanoparticules dans lmetteur) et dautres matriaux
plus performants (CdTe, INGAs) afin daugmenter au maximum rendement de celles-ci, de
diminuer les dimensions tout en tenant compte du rapport prix/rendement.
La technologie des cellules photovoltaques est un immense domaine de recherche. Chaque petite
contribution apportera, sans doute un plus pour les besoins nergtiques du futur.

Rsum :
Nos travaux consistent tudier, modliser et simuler des dispositifs photovoltaques de troisime gnration
par le logiciel de simulation SILVACO, tout en se basant sur les hypothses fondamentales de la physique des
nanomatriaux. Nous avons conu de nouvelles cellules solaires o nous avons introduit des nanofils simples Si,
SiGe et leurs htrostructures (Si/Si, Si/SiGe, etc.) dans la matrice substrat de Si (100).
Les nanofils sont des matriaux promoteurs pour leurs proprits macro-gnratrices photovoltaques dune
part, et dautre part en tant que brique de base des systmes nanolectroniques. Ils rpondent aux exigences
de miniaturisation physique, de confinement quantique ainsi qu dautres aspects limitatifs.
Les diffrentes structures conues et modlises par simulation (structure simple, tandem, htrostructures,
couches minces et nanofils) nous ont permis davoir une vision globale sur les cellules solaires en gnral et en
particulier sur celles dites de deuxime et troisime gnration. Lintroduction par simulation, dans notre
structure, des nanofils Si et SiGe raliss par la technologie VLS partir dun catalyseur, nous a permis de
prdire des amliorations considrables des performances optolectroniques des cellules photovoltaques. Les
rendements lectriques thoriques obtenus sont de lordre de 23%.
Abstract :
The nanowires are materials developers, firstly as part of macro-generators, photovoltaic, secondly as a basic
building block of nanoelectronics system. They meet the requirements of miniaturization and the physical
quantum confinement and other limiting aspect. This thesis has been to study modeling and simulation of
devices produced by simulation software SILVACO under license from Research Unit Materials and Renewable
Energies URMER 2011 with the proposed structures in order to obtain a direct application of concepts
theoretical bases of the nanowires of the Si / SiGe heterojunction simple and introduced into the matrix
substrate of Si These structures performed by simulation under different condition (simple structure, tandem
and hetero structures and finally thin films and nanowires) allows us gave a comprehensive view of the solar
cells, and especially cells called second and third generation because of performance and improvements made
to the effectiveness of the latter, the more their behavior with the incident light and the solar spectrum was
improved mainly due to SiGe nanowires added to the original matrix Si (substrate) These nanowires of Si and
SiGe cross method VLS (Vapor-Liquid-Solid) from a catalyst simulated by SILVACO they give better yields and
reacts with a broadband spectrum, and further study simulation and there will be a day of solar cell efficiency
of 50% and even more with these nanowires 23%
SILVACO
SiGe Si .
.)011( Si ) . SiGe / Si Si / Si(
. .
) (
SiGe .
.23 . VLS

These Finale Ziani Zakarya

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REPUBLIQUE ALGERIENNE DEMOCRATIQUE ET POPULAIRE

Ministre de lEnseignement Suprieur et de la Recherche Scientifique

En Physique Energtique et Matriaux

Etude des Proprits Physiques et Optiques des Couches Minces et des

Devant le jury compos de :

Prsident Mr. N.E.D CHABANE SARI Professeur Universit de Tlemcen

Anne Universitaire 20122013

Je tiens exprimer ma profonde gratitude Mr Abdelhalim. BENMANSOUR

Je remercie trs chaleureusement Mr Nasr Eddine CHABANE SARI Professeur

Mr Abdedaiem KADOUN, Professeur luniversit de Sidi Bel Abbes,

Enfin, je tiens remercier tous mes enseignants du primaire lUniversitaire, en

Les Cellules Photovoltaques

Les nanomatriaux et les nanotechnologies

Universit Abou Baker Belkaid Tlemcen

Les Cellules Solaires

Conclusion Gnrale 137

Universit Abou Baker Belkaid Tlemcen

Figure I. 3. Schema de principe de la conversion photoelectrique 9

Figure I. 4. Caracteristiques I(V) dune cellule photovoltaque soumise a differents eclairements 10

Figure I. 5. Schema electrique equivalent dune cellule en silicium cristallin. 12

Figure I. 6 Caracteristique courant-tension I(V) dune cellule en silicium multi-cristallin. 13

Figure I. 7. Notion de facteur de forme FF pour une cellule photoelectrique. 13

Figure I. 9. Schema de principe dune cellule a base de silicium cristallin. 15

Figure I. 10. Exemple de chaine de production de cellules photovoltaques en silicium. 16

Figure I. 12. Principe de la cellule a heterojonction. 19

Figure I. 13. Schema de principe dun concentrateur photovoltaque. 21

Figure I. 14. Schema de principe dune cellule organique. 22

Figure I. 15. Cellule solaire tout organique sur substrat souple. 23

Figure I. 16. Procede technologique de depot chimique nomme PECVD. 25

Figure I. 17. Schema de principe dune cellule a base a-si et c-si 26

Figure I. 18. Schema simplifie dun module a-si en couche mince 27

Figure I. 19. Caracteristique courant-tension dune cellule en silicium amorphe. 28

Figure I. 20. Schema de principe dune cellule a base de CIGS. 30

Figure I. 21. Caracteristique courant-tension dune cellule CIGS. 31

Figure I. 23. Caracteristique courant-tension dune cellule tandem a-si/c-si. 33

Universit Abou Baker Belkaid Tlemcen i

Figure II. 2. Schema de l'effet seebeck. 45

Figure II. 3. A) Jonction N-P Fonctionnant En Generateur Electrique, 47

Figure II. 4. Evolution thorique et exprimentale de ZT. 48

Figure II. 5. Evolution de la conductivite thermique en fonction de la temperature. 52

nanofils, les couches minces et elargissement des ecarts de bande. 58

Figure II. 9. (A-b) schema d'interconnexions paralleles de nanofils de si sans tri. 60

Figure II. 10. Diagramme illustrant le procede de fabrication du tft a nanofils. 61

Figure II. 13 Schema De La Formation De Nanofils A Partir De Molecules De Surfactant. 66

Figure II. 15 (A) Schema Du Montage Experimental. 70

Figure III. 1. Logiciel PC1D en cours dexcution 78

Figure III. 2. Caractristiques I=f (V) pour np, n+p et n+pp+. 81

Figure III. 3. Rponses spectrales pour np, n+p et n+pp+. 81

Figure III. 4. Structure N1 84

Figure III. 5. Structure N2 84

Figure III. 6. Structure N3 84

Figure III. 7. Structure N4 84

Figure III. 8. Schmatisation de la cellule solaire de rfrence, de type SI/SI/SI 84

Universit Abou Baker Belkaid Tlemcen ii

Figure III. 10. La variation du rendement quantique en fonction de la longueur donde 86

Figure III. 11. La variation du rendement en fonction de lpaisseur de lmetteur 87

Figure III. 12. Linfluence de lpaisseur de la cellule solaire sur le rendement 88

Figure III. 14. Schmatisation de la cellule solaire de rfrence, de type SI/SI/SI 90

Figure III. 15. La variation du rendement lectrique en fonction du coefficient x 90

Figure III. 16. La variation de du rendement quantique en fonction du coefficient x 91

Figure III. 17. Schmatisation de la cellule solaire dtude, de type SI0.71GE0.29/SI1-XGEX/SI 92

Figure III. 21. La variation du rendement en fonction du coefficient stchiometrique x 95

Figure III. 23. Variation de la tension du circuit ouvert en fonction coefficient x 96

Figure III. 24. Variation du rendement en fonction de lepaisseur du substrat 97