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16/01/2016
Département de Physique
SMP – S5
Exercice 1 :
Soit un transistor à effet de champ (JFET) dont le réseau de caractéristiques est le suivant :
I D ( mA)
4 VGS = 0V
− 0,2 V
3
B − 0,5V
2
− 0,8V
1 − 1V
− 1,2V
VGS ( V ) VDS ( V )
−2 −1 5 10
RD
VDD
RG RS
Figure 1
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Faculté des Sciences
16/01/2016
Département de Physique
SMP – S5
R RU
vE RG RS
vS
eg
Figure 2
VDD
RD
C2
C1
R RU
vE RG RS vS
eg CS v
2
Figure 3
13)- Donner l’expression du gain en tension AV 2 = v2 vE en faisant apparaître la forme d’un filtre
et donner son type.
14)- Donner l’expression de la fréquence de coupure du filtre.
15)- Calculer la valeur minimale qu’il faut donner à la capacité CS pour qu’elle découple RS aux
fréquences de travail (entre 100 Hz et 20kHz ).
16)- Déduire dans ces conditions, ce que devient le gain en tension du montage AV = vS vE .
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SMP – S5
Exercice 2 :
R3
On donne le montage suivant où l’amplificateur
opérationnel est supposé idéal : C
1)- Donner l’expression de l’impédance d’entrée
Z E = v E iE . iE R2
−
vE +
vS
2)- Montrer que cet impédance est équivalente à une inductance L0 en parallèle avec une
résistance R0 . Donner L0 et R0 en fonction de R2 , R3 et C .
jω iE
vE ωC R1
3)- Montrer que H 0 = =A en identifiant
v0 jω RG
1+
ωC v0 vE L0 R0
les expressions de A et ωC . eG
4)- Tracer l’allure du diagramme de bode concernant
le module de H 0 , et déduire le type de filtre.
R3
iE 2 R
C
R2
iE +
−
R1 −
RG +
vE 2 R′
v0 vE vS
eG R′
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