UTE C 80-810

Juillet 2000

UNION TECHNIQUE DE L'ELECTRICITE

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RECUEIL DE DONNEES DE FIABILITE : RDF 2000.

Modèle universel pour le calcul de la fiabilité prévisionnelle
des composants, cartes et équipements électroniques

RDF 2000 : Reliability Data Handbook

A universal model for reliability prediction of
Electronics components, PCBs and equipments

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 AVANT-PROPOS

Le présent recueil donne les éléments pour calculer les taux de défaillance des composants
électroniques reportés sur une carte électronique.

Il facilite l'étude d'optimisation de la fiabilité d'un équipement, grâce à l'introduction de facteurs

d'influence.

Ce document annule et remplace le document UTE C 80-810 (juin 1997).

Le présent guide a été adopté par le Conseil d’Administration de l’UTE le 3 Juillet 2000.

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UTE C 80-810 2
 SOMMAIRE

Pages

AVANT-PROPOS 2

AVERTISSEMENT 5

CONDITIONS D'EMPLOI DES DONNEES 5 à 10

INFLUENCE DE L'ENVIRONNEMENT 11 à 20
Les profils de mission 17 à 20

CARTES IMPRIMEES EQUIPEES, CIRCUITS HYBRIDES 21 à 23

Cartes électroniques 22
Circuits hybrides 23

CIRCUITS INTEGRES 24 à 32
Domaine de validité 25
Evaluation de la température de jonction 25 à 28
Circuits intégrés MOS (silicium) numérique, mixte, linéaire 29 à 32
Mémoires MOS (silicium) 29 à 32
Circuits intégrés MOS (silicium) : circuits à la demande 29 à 32
Circuits intégrés bipolaires (silicium) 29 à 32
Circuits intégrés BICMOS (silicium) 29 à 32
Circuits intégrés (arséniure de gallium) 29 à 32

DIODES ET THYRISTORS, TRANSISTORS, PHOTOCOUPLEURS 33 à 46

Evaluation de la température de jonction 34 à 35
Diodes, thyristors et triacs de faible puissance 36 à 37
Diodes, thyristors et triacs de puissance 38 à 39
Transistors de faible puissance 40 à 41
Transistors de puissance 42 à 43
Photocoupleurs 44 à 45

OPTOELECTRONIQUE 47 à 53
Modules à diodes électroluminescentes (datacom) 48 à 49
Modules à diodes LASER 50 à 51
Diodes et modules de réception (pour télécommunication) 52
Composants optiques passifs 53
Composants optiques divers 53

CONDENSATEURS ET THERMISTANCE (CTN) 54 à 64

Condensateurs au papier, ou au plastique 55
Condensateurs en céramique type I 56
Condensateurs en céramique type II 57
Condensateurs au tantale 58
Condensateurs à l’aluminium (électrolyte liquide) 59 à 60
Condensateurs à l’aluminium (électrolyte solide) 61
Condensateurs à l’aluminium (électrolyte polymère) 62
Condensateurs variables 63
Thermistances (CTN) 64

RESISTANCES ET POTENTIOMETRES 65 à 73
Résistances fixes à couche à faible dissipation 66
Résistances fixes agglomérées 67
Résistances fixes à couche à forte dissipation 68
Résistances fixes bobinées de précision à faible dissipation 69
Résistances fixes bobinées à forte dissipation 70
Résistances fixes ou réseaux résistifs en pavé à faible dissipation pour CMS 71
Potentiomètres non bobinés (CERMET) 72 à 73

INDUCTANCES ET TRANSFORMATEURS 74 à 75
Inductances et transformateurs 75

3 UTE C 80-810
 Pages

COMPOSANTS PASSIFS POUR MICROONDES,

COMPOSANTS PIEZOELECTRIQUES ET ONDE DE SURFACE 76 à 77
Composants passifs pour microonde 77
Composants piézoélectriques 77
Filtres à onde de surface 77

RELAIS 78 à 89
Evaluation de la tension et du courant en régime transitoire 79 à 81
Relais à lames mouillées au mercure, pour basse puissance 82 à 83
Relais à lames souples 84 à 85
Relais électromécanique, relais à retard thermique 86 à 87
Relais industriels, haute tension ou de puissance 88 à 89

COMMUTATEURS ET CLAVIERS 90 à 91
Commutateurs et claviers 91

CONNECTEURS 92 à 93
Connecteurs circulaires et rectangulaires 93
Connecteurs coaxiaux 93
Connecteurs pour circuits imprimés (et assimilés) 93
Supports de composants 93

AFFICHEURS ET VOYANTS 94 à 95
Afficheur LCD ≤ 10 caractères 95
Ecran CRT 95
Ecran LCD 95
Voyants à diode électroluminescente 95

COMPOSANTS DE PROTECTION 96 à 97
Thermistances (CTP) 97
Varistances 97
Fusibles 97
Parasurtenseurs 97

COMPOSANTS D’ENERGIE, DE MANAGEMENT THERMIQUE, DISQUES DURS 98 à 99

Piles 99
Accumulateurs 99
Ventilateurs 99
Peltiers 99
Convertisseurs 99
Disques durs 99

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 AVERTISSEMENT
Ce guide de calcul de la fiabilité des cartes électroniques et optiques constitue un progrès important par rapport aux
anciens guides. En effet, les modèles de calculs utilisés traitent directement l’influence de l’environnement, par la prise en
compte du cyclage thermique vu par les cartes en fonction des profils de missions subis par l’équipement, et non plus par
un facteur d’environnement difficile à apprécier. Ces modèles peuvent s’appliquer au fonctionnement permanent, au
cyclage marche/arrêt, et au stockage. D’autre part, les taux de défaillances liés au report des composants (soudures) sont
désormais inclus dans les taux de défaillance des composants.

CONDITIONS D'EMPLOI DES DONNEES

1. - INTRODUCTION

1.1. Principes d'une prévision de fiabilité

Le calcul de prévision de fiabilité d'un équipement sans redondance est la première étape de toute étude complète de
fiabilité de cet équipement et de toute étude de fiabilité, disponibilité ou de sécurité d'un système.

Une prévision de fiabilité repose sur de nombreuses hypothèses qui sont à vérifier, (choix des familles de composants par
exemple).

Une étude de fiabilité d'un équipement simple comprend non seulement cette vérification mais aussi l'optimisation de sa
fiabilité (qualification des composants et des procédés de report, minimisation des risques de défaillances externes ... ).

Une prévision de fiabilité est indispensable, mais la recherche de la fiabilité la meilleure possible au moindre coût est
également indispensable.

Le présent recueil donne les éléments pour calculer les taux de défaillance des composants électroniques reportés sur une
carte électronique : les taux de défaillances donnés incluent l’aspect report des composants.

1.2. Constitution du recueil

Le présent recueil a justement été conçu pour faciliter l'étude d'optimisation de la fiabilité d'un équipement et pour apporter
de l'aide lors de la conception de cet équipement, grâce à l'introduction de certains facteurs d'influence (et selon 3.1.). Pour
que cet objectif soit tenu, il faut donc qu'une prévision de fiabilité soit commencée dès le début de la conception (puis être
retouchée selon 5.4). De même, le choix des valeurs des facteurs d'influence ne doit pas être automatique.

1.3. Origine des données

Les données de fiabilité de ce recueil résultent principalement du retour d'expérience provenant de l'exploitation
d'équipements électroniques fonctionnant dans quatre types d'environnement :

- L'environnement "sol ; fixe ; protégé" (c'est-à-dire : utilisation au sol ; à poste fixe ; matériel protégé contre les intempéries
avec un fonctionnement permanent ou non).

Les matériels correspondants sont essentiellement des équipements de télécommunications et d'informatique.

- L'environnement "sol ; fixe ; non protégé" (c'est-à-dire : utilisation au sol à poste fixe ; matériel non protégé contre les
intempéries).

Les matériels correspondants sont des Publiphones et des bornes GSM.

- L’environnement “ avion ; favorable ” (c’est-à-dire : utilisation dans un avion ; conditions d’utilisation favorable).

Les matériels correspondants sont des calculateurs embarqués sur avions commerciaux

- L'environnement "sol ; mobile ; favorable" (c'est-à-dire : utilisation au sol matériel mobile ; conditions d'utilisation
favorables).

Les matériels correspondants sont essentiellement des équipements du secteur automobiles et de radio mobile.

5 UTE C 80-810
 Les traitements des résultats bruts obtenus (traitements statistiques, résultats en fonction de la répartition géographique,
selon les types d'équipements ... ) ont permis de tenir compte de quelques facteurs d'influence et d'éliminer les principales
valeurs aberrantes. D'autres facteurs d'influence résultent de l'expérience d'experts (analyses de défaillances, analyses de
construction, résultats d'essais d'endurance).
Les valeurs retenues constituent les valeurs les plus vraisemblables du moment (1992-1998).

Ce recueil ne donne pas de valeurs simplifiées car celles-ci correspondent souvent à des conditions trop éloignées de la
réalité.

2. - HYPOTHESES ADOPTEES DANS LE RECUEIL UTEC 80810.

2.1. Nature des données

2.1.1. Les données de fiabilité du présent recueil sont des taux de défaillance et, pour quelques familles de composants
(très peu nombreuses) des durées de vie.

On a supposé que les taux de défaillance sont constants soit pendant une durée de fonctionnement illimitée (cas général)
soit pendant des durées limitées : dans ces cas particuliers on n'a donc pas retenu de lois d'apparition du taux de
défaillance en fonction du temps, ceci dans un but de simplification.

Sauf exceptions (2.1.3) la période d'usure n'est jamais atteinte par les composants électroniques et on a admis, sauf
exceptions également (2.1.2) que l'on pouvait ne pas tenir compte des risques accrus de défaillance pendant les premiers
mois de fonctionnement.

2.1.2. La période de défaillances précoce des composants n'a pas été prise en compte, dans ce recueil.

En effet, l'accroissement du risque de défaillance pendant les premiers mois de fonctionnement peut être négligé, compte
tenu des diverses sources de fluctuation ou d'incertitude du taux de défaillance. Cette hypothèse simplificatrice est en fait
très réaliste. Elle est confirmée par le retour d'expérience provenant de l'exploitation d'équipements dont la conception a été
soignée, dont les composants ont été bien choisis (compatibilité avec l'utilisation) et qui ont une production correctement
maîtrisée : c'est le cas général des composants pris en compte dans ce recueil.

2.1.3. La période d'usure

Pour la très grande majorité des composants la période dite "d'usure" (au cours de laquelle les défaillances prennent un
caractère systématique) est très loin des périodes d'utilisation (celles-ci étant de 3 à 20 ans).

Il existe toutefois deux cas où l'on doit tenir compte de l'apparition de défaillances d'usure (dont le taux augmente avec le
temps).

a) Pour certaines familles, des mécanismes de dégradation risquent, si on n'y prend pas garde, de donner lieu à des
défaillances systématiques au bout d'un temps qui n'est pas suffisamment grand : par exemple l'électromigration des
métallisations des composants actifs.

Ce risque doit être éliminé par une bonne conception du produit et on doit s'en assurer par les essais de qualification.
Autrement dit un tel risque ne doit pas être pris en compte pour une prévision ; il doit être éliminé par la qualification et par
l'évaluation technique qui ont de ce fait une importance primordiale.

b) Pour quelques familles de composants (peu nombreuses), la période d'usure n'est pas infiniment loin.

Dans le présent recueil on a donné pour ces familles l'expression de la durée pendant laquelle le taux de défaillance peut
être considéré comme constant. Cette durée de vie est donnée en fonction des contraintes d'influence.
Ces familles sont les relais, les condensateurs à l'aluminium (électrolyte liquide), les diodes LASER, les photocoupleurs, les
transistors de puissance en fonctionnement cyclique, les connecteurs et les commutateurs et claviers.

Pour ces familles de composants il faut vérifier que la durée de vie donnée par le recueil est compatible avec l'utilisation.
Dans le cas contraire la marge de manoeuvre n'est pas très grande : on peut réduire des contraintes, changer de famille de
composant (ou de sous famille : pour les condensateurs à l'aluminium à électrolyte liquide, il existe plusieurs types
caractérisés par des essais de qualification différents).

On peut aussi prévoir de la maintenance préventive.

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Remarque : comme précédemment et dans un but de simplification, on n'a pas donné de loi d'apparition des défaillances
d'usure (dont le taux augmenterait en fonction du temps), mais une durée pendant laquelle le taux peut être considéré
comme constant (c'est quelquefois la durée à 10% de taux cumulé).

2.2. Nature des défaillances prises en compte

2.2.1. - Les données de ce recueil correspondent à des défaillances intrinsèques (à quelques exceptions près 2.2.2)

Les défaillances prises en compte dans ce recueil sont des défaillances intrinsèques. En effet (voir 1.3) on a traité les
résultats bruts de fiabilité afin d'éliminer les défaillances non intrinsèques des composants.

2.2.2. - Cas particulier des défaillances résiduelles non intrinsèques, dues à des surcharges électriques.

En pratique, il subsiste forcément une petite proportion de défaillances non intrinsèques dans les données car il n'est pas
possible de déceler la totalité des défaillances non intrinsèques lorsqu'elles sont résiduelles.

On constate par exemple que la fiabilité des composants des équipements situés "au coeur" d'un système est nettement
meilleure que celle des composants des équipements placés à la périphérie, (c'est-à-dire qui sont en interface avec
l'extérieur). Il est entendu qu'il s'agit de surcharges résiduelles, les équipements étant convenablement protégés par
hypothèse.

On a donc pris en compte dans ce recueil, par l'intermédiaire d'un facteur d'utilisation en interface, les défaillances
résiduelles non intrinsèques dues à l'environnement électrique dans le cas des composants actifs.

2.2.3. - Autres défaillances non intrinsèques

Les autres défaillances non intrinsèques (qui seraient dues à des erreurs de conception, de choix, d'utilisation) sont exclues
du présent recueil.

De telles erreurs ne sont d'ailleurs pas à prévoir mais à éviter et elles sont largement indépendantes des familles de
composants.

Toutefois pour quelques objectifs particuliers comme le calcul des stocks de rechange, il peut être utile de prendre en
compte les risques de défaillances résiduelles non intrinsèques dues à des erreurs de conception : des indications sont
données en 4.3.

2.3. Influence de la date de fabrication du circuit intégré à forte densité d’intégration.

On constate grâce aux retours d’expérience des années 90, que la fiabilité des composants ne s’améliore plus comme dans
les années 70 à 80. Ceci est particulièrement vrai pour les circuits intégrés, et peut être imputé à la généralisation des
passivations à base de nitrure, la généralisation de la gravure sèche, et le meilleur contrôle de la planarisation. Cependant,
la densité d’intégration des circuits intégrés continue de croître au même rythme que par le passé, à fiabilité constante.
C’est la raison pour laquelle le modèle de calcul de fiabilité prévisionnelle prend en compte la loi de MOORE et nécessite la
connaissance de l’année de fabrication du circuit intégré.

3. - LES FACTEURS D'INFLUENCE

3.1. Le taux de défaillance des composants dépend d'un certain nombre de contraintes de fonctionnement et
d'environnement.

C'est pourquoi, pour chaque famille de composants le recueil donne une valeur de base d'un taux de défaillance (en
général une valeur correspondant à la température interne la plus courante, prise comme référence) multipliée par plusieurs
facteurs d'influence. Cette expression empirique et simplifiée permet de tenir compte des facteurs d'influence les plus
importants dans le domaine des conditions d'emploi.

7 UTE C 80-810
 On a ainsi retenu les principaux facteurs suivants :

a) Des facteurs donnant l'influence de la température ( π t , π W )

On admet généralement désormais que l'effet de la température sur la fiabilité des composants est modéré. Cet effet est
par contre important pour les condensateurs à l'aluminium à électrolyte liquide. Les lois mathématiques retenues
correspondent à l'influence de la température sur les mécanismes de défaillances prépondérants (qui ne sont pas les
mécanismes "d'usure" en général).

Pour les semi-conducteurs on a pris une loi d'Arrhenius avec une énergie d'activation de 0,3 à 0,4 électron volt.

Pour les composants passifs on a également pris une loi d’Arrhénius avec une énergie d’activation de 0,15 à 0,4 électron
volt.

Le facteur π W des potentiomètres traduit en fait l'élévation de température due à la résistance de charge.

Dans le cas des composants qui dissipent de l'énergie, on a donné la résistance thermique (semi-conducteurs) ou la
formule donnant la température interne en fonction de la température ambiante (résistances).

b) Des facteurs donnant l'influence de contraintes particulières d'utilisation :

Le facteur d'utilisation π U des thyristors, diodes Zener (fonctionnement sous tension permanente ou non).

Le facteur π A des condensateurs Aluminium à électrolyte liquide traduisant l'effet des impulsions de courant.

Le facteur π Y des relais (fréquence des manoeuvres).

Le facteur π i des connecteurs (intensité de courant).

c) Des facteurs donnant l'influence de la tension appliquée ( π S )

L'influence de la tension appliquée est prise en compte pour les transistors et les photocoupleurs (tension appliquée entre
l'entrée et la sortie).

3.2. La durée de vie, lorsqu'elle est limitée, est également influencée par certains facteurs (courant de fonctionnement des
photocoupleurs ; température des condensateurs à l'aluminium, à électrolyte liquide ; courant de contact pour les relais).

La durée de vie peut être exprimée en nombre de cycles (transistors de puissance, commutateurs).

4. - CONDITIONS D'UTILISATION DES DONNEES

4.1. Mode de calcul

Les taux de défaillance des composants étant supposés constants, le taux de défaillance d'un équipement sans
redondance s'obtient en additionnant les taux de ses composants. Dans ce recueil, les taux de défaillance des composants
incluent les défaillances qui peuvent être induites par le report sur la carte imprimée, mais on doit ajouter le taux de
défaillance lié à la carte nue ou à l’hybride nu.

Les pages 21 et 22 de ce recueil donnent la méthode pour calculer le taux de défaillance d'une carte électronique nue et
des circuits hybrides nus.

4.2. Résultats d'une prévision de fiabilité

Les résultats d'une prévision de fiabilité sont multiples et ne sont pas limités au taux de défaillance : on obtient les
renseignements suivants :

- Le taux de défaillance proprement dit (de composants ou d'un matériel)

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- Le choix de techniques de constitution de certains composants (choix de familles de composants)

- Le choix de conditions d'utilisation.

4.3. Le taux de défaillance est utilisable directement si l'objectif est de connaître une référence à tenir. C'est le cas pour
un grand nombre d'objectifs décrits en 5.

Par contre si l'on souhaite avoir une bonne estimation de stocks de rechange il est nécessaire de majorer le résultat pour
tenir compte de défaillances non intrinsèques aux composants :

- phénomène de défaillances non confirmées (matériel, sous-ensemble, désignés comme défectueux et trouvés bons en
réparation).

- utilisations incorrectes de composants, mauvais choix de composants pendant les premiers mois de fabrication d'un
matériel de conception nouvelle (période d'amélioration de fiabilité).

- maintenance incorrecte, utilisation non prévue, erreurs humaines, aggravation de l'environnement.

- facteur d'apprentissage pour le processus de production (méthode de report de composants... )

Les facteurs de majoration correspondants ne peuvent être donnés dans ce recueil : ils dépendent des expériences
antérieures d'une entreprise, du degré de nouveauté de la production de l'équipement (par exemple pour les défaillances
non confirmées, la majoration va de 10% à plus de 100% selon la nouveauté).

4.4. Dans le cas où des conditions ne seraient pas encore connues, on pourra prendre des conditions par défaut.

En effet (5.1) les calculs d'une prévision de fiabilité doivent être commencés le plus tôt possible, au début de la conception
d'un équipement, alors que l'on ne connaît pas encore toutes les conditions : on utilise provisoirement des valeurs par
défaut, ce qui aide à déterminer ces conditions encore inconnues. Ces valeurs par défaut sont progressivement
abandonnées lorsque les conditions définitives sont connues.

Cette méthode est nettement préférable à celle des calculs simplifiés (pour lesquels toutes les valeurs sont alors
remplacées par des valeurs par défaut, y compris celles qui sont déjà connues).

Les calculs doivent donc être préparés de façon à permettre facilement les modifications des valeurs.

5. - UTILITE ET OBJECTIFS D'UNE PREVISION DE FIABILITE

5.1. Une prévision de fiabilité apporte une aide lors de la conception d'un matériel

L'objectif le plus intéressant d'une prévision de fiabilité est l'aide qu'elle apporte aux auteurs de la conception d'un matériel.

Cette aide résulte de la détermination des contraintes et des facteurs qui influencent la fiabilité de chaque composant
(température, tension appliquée, constitution technique des composants... ).

Pour que cet objectif important soit assuré, il faut donc qu'une prévision de fiabilité soit commencée dès le début de la
conception, par les auteurs de conception, puis reprise plusieurs fois. Le travail doit être fait en liaison étroite avec les
experts en qualité de composants de l'entreprise.

5.2. Une prévision de fiabilité permet d'estimer les possibilités d'un matériel nouveau

On peut en effet comparer la fiabilité prévue aux objectifs de fiabilité ou aux besoins exprimés.

5.3. Les valeurs prévues de fiabilité servent à établir des valeurs contractuelles de fiabilité

La valeur contractuelle d'un taux de défaillance doit être déterminée à partir de la valeur prévue ; ces deux valeurs ne sont
pas forcément égales : on peut en effet prendre plusieurs valeurs contractuelles selon la période d'observation ou modifier
certaines données à condition de les justifier. Mais dans tous les cas la valeur prévue doit être prise comme base.

5.4. Associés à d'autres caractéristiques d'un projet (caractéristiques électriques, masse... ), les résultats d'une prévision de
fiabilité permettent de comparer des solutions différentes d'un projet. C'est le cas de réponses à un appel d'offres. Une telle
comparaison n'est possible que si les données utilisées sont les mêmes : c'est le rôle d'un recueil de données de fiabilité.

9 UTE C 80-810
 5.5. Les taux de défaillance prévus des équipements élémentaires d'un système constituent les données indispensables au
calcul de sûreté de fonctionnement des systèmes, ainsi qu'au calcul d'aptitude aux réparations.

5.6. Les prévisions de fiabilité permettent d'évaluer les stocks de matériels et de composants de rechange nécessaires pour
la maintenance. (Mais il faut alors tenir compte des défaillances non intrinsèques probables comme il a été expliqué en
4.3). Le but d'une telle étude est d'optimiser les stocks de rechange (éviter les ruptures de stock mais aussi éviter des
stocks trop abondants et coûteux).

5.7. Les prévisions de fiabilité constituent une référence qui permet de juger des résultats observés en exploitation. En effet
il n'est pas possible d'apprécier les résultats observés en l'absence de référence : une fiabilité médiocre serait considérée
comme normale et aucune amélioration ne serait tentée.

Il est clair que l'on ne doit pas s'attendre à observer exactement la fiabilité prévue, ceci pour plusieurs raisons :

- Les prévisions ne tiennent compte que de la fiabilité intrinsèque des composants : elles ne tiennent donc pas compte des
surcharges externes. (Mais, selon 2.2, elles tiennent compte des surcharges résiduelles).
- Les prévisions ne tiennent pas compte des erreurs de conception, des mauvaises utilisations des composants.
- Les prévisions ne tiennent pas compte des risques d'utilisation de lots de composants à mauvaise fiabilité.

Ces divergences avec la réalité, loin d'être un handicap sont en fait un avantage : en effet, par différence on peut relever les
anomalies de fiabilité et, après analyse, y porter remède. Ce processus très important d'amélioration de fiabilité est
indispensable pour abréger la période de défaillances précoces et pour corriger les erreurs de conception des équipements.

UTE C 80-810 10
 INFLUENCE DE L'ENVIRONNEMENT
1. - GENERALITES

L'expérience montre que la fiabilité des composants est influencée par les conditions d'environnement mécanique,
climatique ainsi que par les conditions d'environnement électrique (surcharges résiduelles).

On a donc tenu compte de cette influence dans ce recueil d'après des observations et d'après les valeurs publiées : pour
simplifier, les conditions d'environnement climatique et mécanique ont été classées en une dizaine de types
d'environnements. Cependant, on doit tenir compte du profil de mission (voir paragraphe 11) pour déterminer les taux de
défaillances prévisionnels des composants dans l’environnement considéré.

2. - DEFINITION DES TYPES D'ENVIRONNEMENT RETENUS

Les types d'environnement ont été définis, après simplifications, à partir de la publication CEI 721-3 ("classification des
groupements des agents d'environnement et de leur sévérité") et de la spécification ETS 300 019 (spécification ETSI :
conditions d'environnement pour les équipements de télécommunications).

Le tableau 1 donne, pour les types d'environnement retenus dans ce recueil, les renseignements suivants :

- la désignation abrégée adoptée dans le recueil.

- la désignation complète (en général d'après la publication CEI 721-3).

- la nature des principales contraintes.

- quelques exemples d'applications.

Le tableau 2 donne les ordres de grandeur des contraintes mécaniques (chocs et vibrations) pour les types
d'environnement principaux.

Les tableaux 3 définissent les conditions d'environnement selon l'existence et l'activité de substances chimiques (définitions
données dans le tableau 3-b à partir des conventions données par les deux tableaux 3-a).

11 UTE C 80-810
 Tableau 1 : Description et exemples d'application des types d'environnement les plus courants

Désignation de l'environnement Description de Applications

Désignation abrégée Désignation complète l'environnement
(adoptée dans le recueil)
Utilisation au soi; à poste fixe Température et humidité pilotées Équipements placés dans des
Sol ; fixe ; protégé Matériel protégé contre les Faibles contraintes locaux climatisés
intempéries Bonne maintenance
Utilisation au sol ; à poste fixe Quelques contraintes mécaniques Equipements placés dans
Matériel non protégé contre les et climatiques (modérées) des locaux peu ou pas
intempéries Maintenance de qualité moyenne climatisés :
Sol ; fixe ; non protégé Remarque importante : la désignation "non protégé contre les postes téléphoniques,
intempéries" (selon CEI 721.3) correspond au matériel et non équipements dans des
aux composants. locaux publics,
En ce qui concerne les composants (qui sont protégés contre équipements sur la voie
les intempéries) la principale différence avec le type "soi; fixe publique, gares
protégés" provient de l'absence de pilotage des conditions équipement en milieu
climatiques (humidité, température) Industriel.
Utilisation au sol ; matériel mobile Contraintes mécaniques plus sévères Radiotéléphone
Sol ; mobile ; favorable Conditions d'utilisation favorables que pour "sol ; fixe ; non protégé" Equipements portables sur
Maintenance parfois difficile. Véhicules terrestres
Utilisation au sol ; matériel mobile Comme le précédent "sol ; mobile ;
Sol ; mobile ; défavorable Conditions d'utilisation défavorables favorable" ; mais avec des
contraintes
mécaniques plus sévères
Satellite sur orbite Utilisation à bord d'un satellite sur Très peu de contraintes mécaniques
orbite
Utilisation à bord d'un satellite Chocs de sévérité
Satellite ; lancement pendant son lancement Vibrations de grande amplitude et de
fréquences élevées jusqu'à 2000 Hz)
Conditions proches de celles de "sol
Avion favorable ... favorables mobile favorable" mais vibrations plus
intenses, jusqu'à 2000 Hz

Utilisation
Avion légèrement dans un ... légèrement
défavorable un avion défavorables
dans des Les qualificatifs "légèrement
conditions… défavorable",
"défavorable", "très défavorable",
sont définis dans le tableau 2 ; ils D'autres applications (autres
Avion ;défavorable ... défavorables correspondent à des contraintes que "avion", "bateau" sont
mécaniques croissantes possibles pourvu que les
contraintes soient voisines
Avion ; très défavorable ...très défavorables

Conditions proches de celles du

Bateau ; favorable Utilisation à favorables fixe ; non protégé ” mais avec des
chocs
Bord d’un et des vibrations plus accentuées.
bateau Les qualificatifs “ favorables ”,
Bateau ; dans des défavorables “ défavorables ”, correspondent aux
défavorable Conditions… Contraintes mécaniques, selon
le tableau 2.

UTE C 80-810 12
 VIBRATIONS CHOCS

Accélérations Fréquences Amplitude Durée

2
m/s ms
2
m/s Quelques Hz 50 100 200 200 300 300 500 1000 2000
jusqu'à la
fréquence
indiquée.
(Hz) 22 11 6 11 6 11 2,3 6 0,5

1 200 Sol ; fixe

protégé
10 200 Sol; fixe
non
protégé

20 200 Bateau ; favorable

13

20 500 Sol; mobile; favorable

20 2000 Avion;
favorable

30 500 Sol; mobile; défavorable

30 2000 Avion;
légèrement
défavorable

50 200 Bateau défavorable

80 2000 Avion;
défavorable
150 2000 Avion Satellite
très lancement
défavorable
UTE C 80-810

Tableau 2 : Conditions mécaniques selon l’environnement : chocs et vibrations caractéristiques

 Tableaux 3-a : Définition des qualificatifs utilisés dans le tableau 3b : sévérité des environnements selon la teneur en
substances à activité mécanique ou chimique.

Tableau 3-a-1 : Substances à activité mécanique

Qualificatifs utilisés Sable Poussières Exemples

dans le tableau 3b d'environnement
(Mg/M3) (Mg/M3) (Mg/M2 h)
très faible 0 0,01 0,4 Bateau ; favorable
Faible 30 0,2 1,5 Sol protégé
Modéré 300 0,4 1,5 Sol non protégé
Sévère 3000 4 40 Sol mobile ; défavorable

Tableau 3-a-2 : Substances à activité chimique

Qualificatifs utilisés Brouillard S02 H2S Cl N02 Exemples

dans le tableau 3b salin d'environnement
-
(proportion en 10 9)
Faible (faible)* 30 7 7 50 Sol ; protégé
Modéré (modéré)* 100 70 70 300 Sol ; non protégé
Sévère (sévère)* 400 400 70 500 Bateau ; défavorable
*Il n'existe pas de chiffre

Tableau 3-b : Caractéristiques typiques des différents environnements retenus (substances à activités mécanique et
chimique, et conditions climatiques).

Importance de l'activité des substances

de J'environnement
Taux d'humidité Température Variations rapides
Substances à Substances à activité chimique relative % moyenne de température
activité mécanique
Substances Substances °C
gazeuses fluides
(importance selon (importance selon (pas de critère
le tableau 3-a-1) le tableau 3-a-2) précis de l'importance)

Sol fixe protégé faible faible très faible 40 à 70 +5 à +45 très faibles
Sol fixe non protégé modérée modérée très faible 5 à 100 -40 à +45 faibles
Sol mobile ; favorable modérée modérée très faible 5 à 100* -40 à +45 faibles
Avion favorable faible faible très faible 5 à 100 -40 à +45 faibles
Avion légèrement défavorable faible faible très faible 5 à 100 -40 à +45 faibles
Bateau ; favorable très faible faible très faible 5 à 100 -40 à +45 faibles
Sol ; mobile ; défavorable sévère modérée faible 5 à 100 -40 à +70 modérées
Avion ; défavorable sévère modérée sévère 5 à 100 -65 à +85 sévères
Bateau ; défavorable modérée sévère sévère 10 à 100 -40 à +70 sévères
Avion ; très défavorable sévère modérée sévère 5 à 100 -65 à +85 sévères
Satellite ; lancement faible modérée faible 0 à 50 -40 à +20 sévères
Satellite ; Orbite très faible modéré faible 0 -40 à +65 modérées
* 40 à 70 pour l'environnement ferroviaire

UTE C 80-810 14
3. - LES CONDITIONS D'ENVIRONNEMENT ELECTRIQUE

La fiabilité dépend également beaucoup des conditions d'environnement électrique (surcharges de tension ou surcharges
d'intensité).
C'est notamment le cas des composants montés en interface (liaison) entre deux cartes électroniques distantes reliées
entre elles par un conducteur soumis à des perturbateurs électriques ( foudre, secteur, etc..)

Il convient, avant tout de protéger convenablement les composants exposés (par un réseau de protection comprenant des
composants conçus pour résister aux surcharges). Mais on constate souvent que la fiabilité des composants exposés et
protégés, n'est pas aussi bonne que la fiabilité des composants placés "au coeur" d'un matériel. On a donc tenu compte
des conditions d'environnement électrique pour les composants actifs (sachant qu'il s'agit de l'effet de surcharges
résiduelles après un réseau de protection).
On pourra également tenir compte de l'influence de l'environnement électrique pour d'autres familles (certains composants
passifs).

4 - VALIDITE DES MODELES EN FONCTION DE L’ENVIRONNEMENT

Les analyses de défaillances effectuées sur les composants en retour d’exploitation, sur la période 92 à 98, ont montré
que :
- Pour l’environnement sol fixe protégé, il n’y a de défaut lié à l’encapsulation ni au report des composants.
- Pour les environnements sol fixe non protégés, sol mobile défavorable et avion défavorable, les principaux défauts sont
dus aux contraintes thermomécaniques exercées sur les composants reportés sur la carte imprimée. Le taux de défaillance
lié à l’humidité est insignifiant (pour les composants actifs, surtout depuis la généralisation des passivations à base de
nitrure de silicium). Par ailleurs, dans ces environnements étudiés, aucun défaut lié aux chocs mécaniques, aux vibrations
et aux contaminations chimiques n’a été observé. En conséquence, ces mécanismes de défaillances n’ont pas été pris en
compte dans les modèles.

Il est donc nécessaire, pour utiliser ce modèle de s’assurer par l’intermédiaire d’essais de qualifications appropriés du bien
fondé de ces hypothèses. Les composants actifs encapsulés en plastique sont dans la plupart des environnements décrits
dans ce document insensibles aux chocs et vibrations.

Par ailleurs, pour l’environnement sol fixe non protégé, il faut s’assurer qu’il n’y a pas de condensation sur les parties froide
de l’équipement (en particulier pour les équipements qui ont un mode de fonctionnement en veille), et qu’il n’y a pas de
ruissellement sur l’équipement lui-même ; ceci afin de ne pas avoir de phénomène de corrosion.

5 - CHOIX DES COMPOSANTS

Il est de la responsabilité de l’équipementier de garantir que les composants qu’il utilise dans ses matériels, sont
compatibles avec l’environnement et la durée de vie spécifiés par l’utilisateur final. Il ne doit donc pas y avoir de
phénomènes d’usure prématurée pendant la période de vie utile de l’équipement dans les conditions normales d’utilisation
prescrites par l’utilisateur final (cf. g 2.1.3).
Il peut cependant y avoir quelques composants à durée de vie limitée, mais une maintenance préventive doit être indiquée
à l’utilisateur final (cf. g 2.1.3).

Il est de la responsabilité du fabricant de composants de fournir à l’équipementier les résultats de qualification et

d’évaluations des mécanismes de dégradation permettant d’assurer que l’apparition des mécanismes d’usure sera reportée
au-delà de la période de vie utile de l’équipement dans les conditions normales d’utilisation prescrites par l’utilisateur final.

En conséquence, l’équipementier doit choisir des fabricants de composants qui ont la meilleure “ pratique commerciale ” en
matière de qualité, qui sont certifiés ISO 9000, qui pratiquent le contrôle statistique de fabrication, qui sont sous agrément
de savoir-faire ou ligne de fabrication qualifiée (ou susceptibles de l’être).

Dans ces conditions, il n’y a plus de facteur de qualité à prendre en considération, et la période de défaillance
précoce liée aux nouvelles technologies de composants est négligée, car l’on ne considère que des productions
qualifiées et stabilisées.

Au cas ou l’équipementier utilise une nouvelle technologie de composant, et que le fabricant de ce composant n’a pas pu
justifier la durée de vie dans les conditions d’utilisation normale, c’est à l’équipementier d’entreprendre les essais
permettant de justifier la durée de vie de ce composant à l’utilisateur final.

15 UTE C 80-810
 6 - APPRENTISSAGE LORS DU DEPLOIEMENT D’UN NOUVEL EQUIPEMENT

Les modèles retenus dans ce document permettent de calculer un objectif de fiabilité à atteindre pour une carte
électronique dans sa phase de production stabilisée. Cependant, le suivi de la fiabilité opérationnelle d’une carte
électronique, nouvellement développée, en fonction de son déploiement sur le terrain montre qu’il y a une
période d’apprentissage plus ou moins longue en fonction de l’amélioration de l’implantation des composants sur
la carte et de la rectification du choix des composants posant problème en exploitation (voir figure ci dessous).

Chaque équipementier doit étalonner sa période d’apprentissage en fonction de son expérience. Cependant
expérimentalement, sur de nombreuses cartes électroniques et plusieurs équipementiers, on constate que le
ratio entre le taux de défaillance dans la période de démarrage du déploiement et celui dans la période stabilisée
se situe autour de 3.

En conséquence, dès que le taux de défaillance observé ( hors cartes démontées à tort : RAS) au démarrage du
déploiement d’une carte électronique dépasse trois fois la valeur prévisionnelle calculée, il y a lieu de déclencher
une action correctrice sur celle ci.

Evolution du taux de défaillance d'une nouvelle carte électronique en

fonction du temps

λ1

λ1
≈2à3
λ2

λ2 Temps

UTE C 80-810 16
7. - LE PROFIL DE MISSION

Le calcul de fiabilité prévisionnelle d’un équipement doit se faire en fonction de ses conditions d’utilisation en exploitation
qui sont définies par son profil de mission.

Un profil de mission doit être décomposé en plusieurs phases de fonctionnements homogènes ramenés à une année
d’utilisation typique. On copnsidèrera les phases suivantes:
- Phases de fonctionnement on/off avec des températures moyennes extérieures à l’équipement, différentes.
- Phases de fonctionnement permanent avec des variations moyennes de températures extérieures à l’équipement
différentes.
-Phases de stockage ou en mode dormant avec des variations moyennes de températures extérieures à l’équipement,
différentes.

Le temps à prendre en compte pour un calcul de fiabilité pour un retour d’expérience sur un parc d’équipement est donc le
temps d’heures calendaires installé du parc de cet équipement incluant les heures de fonctionnement ainsi que le mode
stockage ou dormant.

Les paramètres à connaître pour définir le profil de mission d’un équipement sont les suivants :

- (tae)i :température ambiante moyenne extérieure à l’équipement lors de la ième phase du profil de mission.
- (tac)i :température ambiante moyenne au voisinage des composants, là ou le gradient de température s’annule, (ou
du composant considéré s’il est critique en terme de fiabilité) lors de la ième phase du profil de mission.
- τ i : pourcentage annuel du temps de fonctionnement à la température (tac)i
y
- τ on : pourcentage annuel total des temps de fonctionnements sous tension (on a : τ on = ∑τ
i =1
i ).

- τ off : pourcentage annuel total du temps de non fonctionnement en mode stockage ou

dormant (on a : τ on + τ off = 1 ).
- ni : nombre de cycles thermiques annuel vu par l’équipement d’amplitude ∆Ti , correspondant à la ième phase du
profil de mission.
- ∆Ti :amplitude de la variation thermique vu par le composant lors de la ième phase du profil de mission.
 ∆T j 
Pour une phase on-off on a la relation : ∆Ti =  + (t ac )i  − (t ae )i
 3 
avec ∆T j : augmentation par rapport à tac de la température interne du composant lors d’une phase τ on (C’est
l’augmentation de la température de jonction pour un circuit intégré ou un discret actif, c’est la température de
surface pour un condensateur ou une résistance). On ne prend en compte que le tiers de cette valeur dans le
calcul de ∆Ti pour tenir compte du fait que que les contraintes thermo-mécaniques induisent des défauts au
niveau des joints de soudures et des thermo-compressions des fils sur la puce. La tmpérature à prendre en
compte est donc un compromis sur la plage de l’augmentation interne de température du composants. Des
simulations thermiques ont montré qu’un tiers de cette valeur semble un bon compromis.

(tae)i Pout le sol fixe non protégé, prendre 11°C pour le climat français et 14°C pour le climat mondial.
(tac)i est obtenu en prenant la moyenne des augmentations de températures internes mesurées auprès des
composants de la carte considérée de l’équipement par rapport à la température extérieure de l’équipement lors
de cette mesure, et en ajoutant la valeur de (tae)i pour la phase considérée.

tac=Augmentation moyenne de la température autour de la carte + tae

.Pour une phase de stockage, ou fonctionnement permanent on a : ∆Ti = moyenne de la différence entre la
température maximale et la température minimale par cycle vu par les composants de l’équipement sur la phase
considérée. Si cette valeur est inférieure à 3°C/cycle, on prendra ∆Ti =0 pour tenir compte du fait que dans ces
conditions, on reste dans la zone de contraintes mécanique indépendante de la température dans la relation de
COFFIN-MANSON.

17 UTE C 80-810
 Dans la majorité des applications, un cycle correspond à un jour et ∆Ti correspond à la moyenne journalière
annuelle de l’écart jour/nuit vu par le parc d’équipement dans le climat considéré. Pour le climat français, ∆Ti =8°C.
Pour le climat mondial, ∆Ti =10°C .

Une variation journalière de température se superpose toujours à une phase de fonctionnement permanent en
fonction de l’environnement climatique de l’équipement. Pour un fonctionnement on/off cette variation journalière est
également appliquée à l’équipement, cependant on ne prendra en compte que la variation de température la plus
forte par cycle on/off, car c’est elle qui compte pour la fiabilité de l’encapsulation et du report des composants.

Tableau des climats

Type de climat tae pour la nuit tae pour le jour tae moyen jour/nuit ∆Ti entre jour et nuit
mondial 5°C 15°C 14°C 10°C
France 6°C 14°C 11°C 8°C

8 - EXEMPLES DE PROFILS DE MISSION

Les profils de mission décrits ci-après sont donnés à titre d’exemples.

Télécommunications :

Il n’y a qu’une seule phase de fonctionnement annuelle à considérer pour un fonctionnement permanent.
Le tableau 1 ci-dessous est donné pour un fonctionnement permanent. Les valeurs pour le sol fixe non protégé sont données
pour le climat français.

Type d’environnement Type d’équipement (tae)i (tac)i τ1 τ on τ off n1 ∆T1

°C °C cycles/an °C/cycle
Sol fixe protégé : (GB) Commutation 20 30 1 1 0 365 0
Sol fixe protégé : (GB) Transmission 20 40 1 1 0 365 0
Sol fixe non protégé : Transmission et 11 31 1 1 0 365 8
(GF) distribution
Tableau 4

Avionique civile et militaire:

Les profils de missions décrits ci dessous correspondent à l’environnement Avion favorable.

Plusieurs phases de fonctionnement sont considérées :

- Le taux de fonctionnement ne considère en général qu’une seule température de fonctionnement interne à l’équipement, et
prend en compte son nombre total d’heures de fonctionnement annuel.

- Trois phases de cyclage thermiques sont prises en compte :

ère
. Phase 1 : 1 mise sous tension journalière
. Phase 2 : coupures d’alimentation de l’équipement entre deux vols, alors que la climatisation de l’avion fonctionne.
. Phase 3 : avion au sol en non fonctionnement

Pour des profils de missions plus complexes, on prendra en compte tous les gradients des différents cycles de
fonctionnements et de stockage.

UTE C 80-810 18
 Phases du profil de Taux de Première mise sous Arrêt de Au sol et non
mission fonctionnement tension journalière l’équipement entre 2 fonctionnement
annuel de vols
l’équipement
Type d’avion (tac)1 τ1 τ on τ off n1 ∆T1 n2 ∆T 2 n3 ∆T3
°C
cycles/an °C/cycle cycles/an °C/cycle cycles/an °C/cycle
A340 40 0,61 0,61 0,39 330 ∆Tj 330 ∆Tj 35 10
+30 +15
3 3

A330 40 0,54 0,54 0,46 330 ∆Tj 660 ∆Tj 35 10

+30 +15
3 3

A320 40 0,58 0,58 0,42 330 ∆Tj 1155 ∆Tj 35 10

+30 +15
3 3

Avion Régional 40 0,61 0,61 0,39 330 ∆Tj 2970 ∆Tj 35 10

+30 +15
3 3

Avion d’affaire 40 0,22 0,22 0,78 300 ∆Tj 300 ∆Tj 65 10

+30 +30
3 3

Avion d’armes 60 0,05 0,05 0,95 200 ∆Tj 0 0 165 10

+50
3

Cargo militaire 50 0,05 0,05 0,95 250 ∆Tj 0 0 115 10

+40
3

Patrouilleur 50 0.09 0,09 0,91 300 ∆Tj 0 0 65 10

+40
3

Hélicoptère 50 0,06 0,06 0,94 300 ∆Tj 0 0 65 10

+40
3

Tableau 5

Automobile :

Les profils de missions décrits ci dessous correspondent à l’environnement sol mobile favorable.

Plusieurs phases de fonctionnement sont considérées :

- Le taux de fonctionnement considère trois températures de fonctionnement interne de l’équipement, et prend
en compte son nombre total d’heures de fonctionnement annuel à ces températures. Le fonctionnement annuel
est estimé à 500 heures.
- Deux phases de cyclage thermiques sont prises en compte :
Phase 1 : 2 démarrages journaliers de nuit.
Phase 2 : 4 démarrages journaliers de jour.
Phase 3 : Voiture non utilisée, en mode dormant 30 jours par an.

Phases du profil Temp. 1 Temp. 2 Temp. 3 Ratios on/off 2 démarrages de 4 démarrages Non utilisation
de mission nuit de jour du véhicule
Type (tac)1 τ1 (tac)2 τ2 (tac)3 τ3 τ on τ off n1 ∆T1 n2 ∆T 2 n3 ∆T3
d’application °C °C °C
cycles/ °C/cycle cycles/ °C/cycle cycles/ °C/cycle
an an an
Contrôle moteur 32 0,020 60 0,015 85 0,023 0,058 0,942 670 ∆Tj 1340 ∆Tj 30 10
+55 +45
3 3

habitacle 27 0,006 30 0,046 85 0,006 0,058 0,942 670 ∆Tj 1340 ∆Tj 30 10
+30 +20
3 3

Tableau 6

19 UTE C 80-810
 Spatial :

Les profils de missions décrits ci dessous correspondent à l’environnement Satellite sur Orbite.

Une seule phase de fonctionnement est prise en compte durant chaque révolution orbitale (LEO), ou
terrestre (GEO)

(tac)1 τ1 τ on τ off n1 ∆T1

Type d’application °C
cycles/an °C/orbite
Orbite basse (LEO) avec cyclage On/Off 40 0,15 0,15 0,85 5256 ∆Tjc
+7
3

Orbite basse (LEO) fonctionnement permanent 40 1 1 0 5256 3

Orbite géostationnaire (GEO) Fonctionnement permanent 40 1 1 0 365 8
Tableau 7
Militaire :

Les profils de missions décrits ci dessous correspondent à l’environnement sol mobile favorable.

Deux phases de fonctionnement sont prises en compte :

Phase 1 : 36 mises en fonctionnement annuelles
Phase 2 : 365 jours de mode dormant
Fonctionnement 1% du temps à 26°C d’ambiante composant sur une année.

(tac)1 τ1 τ on τ off n1 ∆T1 n2 ∆T2

Type d’application °C
cycles/an °C/cycle cycles/an °C/cycle
Radio portable 26 0,01 0,01 0,99 36 ∆Tj 365 8
3 +15
Tableau 8

UTE C 80-810 20
CARTES IMPRIMÉES ÉQUIPÉES
CIRCUITS HYBRIDES

21 UTE C 80-810
 CALCUL DU TAUX DE DÉFAILLANCE
D’UNE CARTE ÉLECTRONIQUE (carte imprimée équipée)

Taux de défaillance d’une carte équipée : (A + B) x 10 −9 / heure , avec : A = composants et connexions ; B = support

  j 
A = ∑λs + ∑λ f ∑
+ 1 + 3.10 −3 ×  (π n )i × (∆Ti )   ×

0, 68
∑λ
 
d
  i =1
Composants montés en surface + Composants à piquer + Connexions diverses

λ S : taux de défaillance de chaque composant Expression mathématique ni ≤ 8760 Cycles/an (πn )i = ni0,76
du
(π n )i
monté en surface (avec ses facteurs d’influence),
taux exprimé en 10 −9 /heure.
facteur d’influence ni > 8760 Cycles/an (πn )i = 1,7 × ni0,60
ni : Nombre de cycles annuels d’amplitude ∆Ti

λ f : taux de défaillance de chaque composant à Pour une phase on/off ∆Ti = (t ac )i − (t ae )i

piquer (à fils)(avec ses facteurs d’influence), Pour une phase fonctionnement ∆Ti =moyenne par cycle de la
−9 permanent, stockage ou dormant
taux exprimé en 10 /heure *. variation de (tae)i de la ième phase du
profil de mission.
* si le taux vaut 3.10 -9 / h , prendre λS (ou λf ) = 3

Connexions diverses λd
(tae)i: température ambiante moyenne extérieure à l’équipement lors de la ième phase du profil de mission.
FIT
(tac)i: température ambiante moyenne au voisinage des composants, là où le gradient de température s’annule.
Brasure manuelle
Connexion à déplacement d’isolant
0,5
0,5 (π n )i : i ème
facteur d’influence lié au nombre de cycles annuels de variation thermique vu par la carte,
Sertissage 0,3 d’amplitude ∆Ti .
Connexion enroulée 0,01
Connexion insérée à force 0,006 ∆Ti : ième amplitude de variation thermique du profil de mission.

 1 + 0,1 S    j 
∑
.π L  × 1 + 3.10−3 ×  (πn )i × (∆Ti )  
Nt
B= 5.10−3.πt .πc  Nt 1+ + N p.

0 , 68

 S 3    i =1  

πt
10 N t = nombre total de trous
(pour les composants à piquer et pour les
liaisons entre couches)

S = Surface du support (carte) (cm2 )

0,1
0 10 20 30 40 50 60 70 t°C Np = nombre de pistes
Température ambiante Valeur par défaut :
Np =
(nombre total de connexions ) = ∑ N S + ∑ N f
2 2
Expression mathématique de π t N S : nombre de broches pour montage en surface.
 1 1 
 −  N f : nombre de broches pour montage à piquer.
π t = e1740 303 273+ t A  avec t A : température ambiante

Influence de la largeur des pistes

Largeur
Influence du nombre de couches
dominante des 0,56 0,35 0,23 0,15 0,10 0,08
Nombre de couches πC pistes (mm)
≤2 1
πL 1 2 3 4 5 6
>2 0,7 ( nombre de couches)

UTE C 80-810 22
 Spécification
CEI 60748
CIRCUITS HYBRIDES
Taux de défaillance d’un circuit hybride :

( )
A + B x 10 −9 / heure A = composants reportés et boîtier ; B = support et composants déposés

( )1,68 )×  2,7.10−3 × ∑ (πn )i × (∆Ti )0,68   × 0,2.π p .D1,57

  j 
A= ∑λ S (
+ 0,023 × α S − α C
  i =1  
= Composants reportés + boitier

λ S : taux de défaillance de chaque composant Expression mathématique ni ≤ 8760 (πn )i = ni0,76

du
reporté, exprimé en 10 −9 /heure, (avec ses facteurs Type de brochage πp Cycles/an
d’influence)*
Simple en ligne 1
facteur d’influence (π n )i ni > 8760 (π n )i = 1,7 × ni0,60
* si le taux vaut 3.10 _ 9 / h , prendre λS = 3 Double en ligne
Cycles/an
2
D :diagonale du circuit hybride, ou distance entre périphérique 4 ni : Nombre de cycles annuels d’amplitude ∆Ti
les broches les plus éloignées en millimètres. Pour une phase on/off ∆Ti = (t ac )i − (t ae )i
Pour une phase ∆Ti =moyenne par cycle de
fonctionnement permanent, la variation de (tae)i de la
αS Coefficient de dilatation linéique du support
stockage ou dormant ième phase du profil de
de report de l’hybride en ppm/°C
mission.
αC Coefficient de dilatation linéique du substrat
de l’hybride en ppm/°C

   
 
[∑ (0,01.R + 0,04.R ).πi + 0,1.C ] × 1 + 2,7.10−3 × ∑ (πn )i × (∆Ti )0,68  
 j
Nt 1 + 0,1 S
B= 5.10−3.πc  Nt 1+ + N p. .π L + 0,8 N x  + πt e m
  S 3     i =1  

interrconnexions, croisements composants déposés

πt
C : Nombre de condensateurs déposés
10 R e : Nombre de résistances à couche
épaisse ayant un même facteur π i *
R m : Nombre de résistances à couche
1
mince ayant un même facteur π i *

0,1
0 10 20 30 40 50 60 70 t°C Facteur de précision * πi
Température ambiante Tolérance de plus de 5% 1
Tolérance de 1 à 5% 1,5
Tolérance de moins de 1% 2
Expression mathématique de π t
* : compter séparément les résistances, selon π i
 1 1 
 − 
πt = e1740 303 273+ t A  avec t A : température ambiante

Np = nombre de pistes
(nombre de connexions de composants)
Valeur par défaut : =
2

Influence du nombre de couches

Nombre de couches πC
≤2 1
>2 0,7 ( nombre de couches) Nx : nombre de croisements

Influence de la largeur des pistes

Largeur
S = Surface du support ( cm2 ) dominante (mm)
0,56 0,35 0,23 0,15 0,10 0,08

N t = nombre de trous pour les interconnexions πL 1 2 3 4 5 6

23 UTE C 80-810
 CIRCUITS INTÉGRÉS

UTE C 80-810 24
 CIRCUITS INTÉGRÉS

DOMAINE DE VALIDITÉ

On a supposé que la période d’usure des circuits intégrés est rejetée loin de la période d’utilisation.
Ceci doit être vérifié par une qualification préalable.

Les principaux mécanismes d’usure a vérifier sont les suivants :

- Pour les technologies Silicium :

- Electromigration
- vieillissement des oxydes
- électrons chauds
- perte de charges et gains de charges (pour le cyclage écriture- effacement des différentes catégories de
mémoires programmables).

- Pour les technologies AsGa :

- Enterrement de la grille
- Dégradation des contacts ohmiques
- Commutation deux temps de la grille et du drain.
- Electromigration.

- Boîtiers :
- fatigue thermique
- Peste pourpre.

Les prévisions de données ne sont valables que pour des températures supérieures à la température du point de
rosée sur la partie la plus froide de la carte considérée.
Le modèle ne prend pas en compte le taux de défaillance dû à des défauts fugitifs * provoqués par la création de paire
électron-trou, lors du passage d’une particule alpha émise par les matériaux constituant le boîtier . Ce taux de
défaillance dû à des défauts “ recouvrables ”, peut être du même ordre de grandeur que le taux de défaillance
intrinsèque (défauts permanents), en particulier pour les mémoires dynamiques .
Pour les circuits d’interface, on prend en compte un taux de défaillance considéré comme constant, et provoqué par
des agressions électriques externes . Ce taux de défaillance dépend de l’environnement électrique des équipements,
étant entendu que ces derniers disposent de protections primaires ou secondaires, selon l’état de l’art de la période
observée . (On appelle ici circuits d’interface les circuits qui sont en liaison avec l’extérieur d’un équipement) .

* Lorsque la fonction est complément recouvrable spontanément.

ÉVALUATION DE LA TEMPÉRATURE DE JONCTION D’UN CIRCUIT INTEGRÉ

1.MÉTHODE PRÉFÉRÉE

- Pour évaluer la température de jonction d’un circuit intégré, la méthode à préférer est le calcul à partir de modèles de
réseaux résistifs thermiques définis dans UTEC 96024.

2.MÉTHODE PAR DÉFAUT

- Par défaut, on utilisera la méthode simplifiée suivante:

2.1 On admet que la température de jonction est donnée en fonction de la puissance moyenne dissipée
dans le circuit intégré par l’une ou l’autre des formules suivantes :

t j = t a + P × R ja
t j = t c + P × R jc
où :
ta = température ambiante autour du circuit intégré (°C)
tc = température du boîtier du circuit intégré
tj = température de jonction du circuit intégré
R ja = résistance thermique jonction-ambiante du circuit intégré (°C/W)
R jc = résistance thermique jonction-boîtier du circuit intégré (°C/W)
P = puissance moyenne dissipée par le circuit intégré ( en watt)

25 UTE C 80-810
 CIRCUITS INTÉGRÉS

à noter : la relation suivante:

Résistance thermique (jonction - ambiante) = résistance thermique(jonction - boîtier) + résistance thermique(boîtier - ambiante)

2.2. Evaluation des résistances thermiques

2.2.1 .Méthode préférée

On prendra de préférence les valeurs des résistances thermiques spécifiées ou publiées par les
fabricants.

2.2.2. Méthode par défaut

A défaut, on prendra les valeurs données dans le tableau 1 en fonction de S et de K avec :

S : nombre de broches du boîtier.

K : est le facteur de ventilation qui est donné en fonction de la vitesse de l’air V en m/s, par la
formule suivante :
0,59 V + 111
,
K=
V + 0,7

Des valeurs pratiques de K sont données dans le tableau 2

Tableau 9 : Résistance thermique de boîtiers de circuits intégrés en fonction du nombre S de broches et du facteur de
ventilation K .

Résistance thermique de boîtiers de circuits intégrés

en fonction de
S: nombre de fils de sorties
K: facteur de ventilation (selon tableau 10)

Résistance thermique Résistance thermique

jonction-boîtier jonction-ambiante
R jc (°C/W) R ja (°C/W)
 1520 
(0,23 + 0,66K) 10 +
1520 
Boîtiers de type DIL, en céramique 0,23  10 +  
 S + 3 S + 3
 1520 
(0,23 + 0,66K) 10 +
1520 
Boîtiers de type DIL, en plastique 0,33  10 +  
 S + 3 S + 3
 1600 
(0,28 + 0,72 K) 10 +
1600 
Boîtiers de type PLCC, en plastique 0,28  15 +  
 S + 3 S + 3
 1760 
(0,28 + 0,72 K) 10 +
1760 
Boîtiers de type SOJ, et SOL, en 0,28  15 +  
 S + 3 S + 3
plastique
 2500   2500 
Boîtiers TSOP en plastique 0,4  20 +  (0,4 + 0,6 K ) 20 + 
 S +3  S +3
 1440 
(0,33 + 0,66K) 10 +
1440 
Boîtiers de type PGA, en céramique 0,33  10 +  
 S + 3 S + 3

(0,4 + 0,6K)  27 +

 2260  2260 
Boîtiers de type QFP, en plastique 0,4  27 +  
 S + 3 S + 3
 1,1 × 106   1,1 × 106 
Boîtiers de type BGA, en plastique 0,4 6,6 + (0,4 + 0,6 K ) 6,6 +
 S 2   S 2 
 

UTE C 80-810 26
 CIRCUITS INTÉGRÉS

Tableau 10 : Valeurs pratiques de la vitesse de l’air V et du facteur K

.

V (m/s) K

Convection naturelle 0,15 1,4

Faible ventilation 0,5 1,2

Ventilation moyenne 1 1

Forte ventilation 4 0,7

2.3.Evaluation de la puissance moyenne dissipée par le circuit intégré P (en watt)

2.3.1. On prendra de préférence la puissance moyenne dissipée par le circuit intégré.

2.3.2 A défaut, on utilisera la méthode suivante:

2.3.2.1 .Cas de la famille CMOS

2.3.2.1.1 Circuits numériques CMOS, autres que les mémoires et la famille 74 ACT

On prendra:

P1 ( P1 + 3,5)
P=
3P1 + 5

La valeur de P1 se calcule à partir de l’une ou de l’autre des formules suivantes:

a) si on spécifie la valeur de la capacité équivalente :

( )[ ]
P1 = Vcc × f Cpd (nombre de fonctions élémentaires) + C L (nombre de sorties) × 10 −6
2

b) l’on spécifie la valeur du courant consommé IS à une fréquence spécifiée fS (en Mhz):

P1 = Vcc .Is . f + V 2cc .f.CL. . (nombre de sorties) × 10 −6

fs
où
P1 = puissance maximale (en watt)
Vcc = tension d’alimentation (en volts)
f = fréquence de travail (en Mhz)
C pd = capacité équivalente pour le calcul de puissance dissipée, par fonction élémentaire, en pF
C L = capacité de charges sur les sorties, par sortie, en pF
IS = valeur du courant consommé à une fréquence spécifiée, lorsque les sorties ne sont pas chargées
fS = valeur de la fréquence spécifiée (pour la consommation)

notes : 1) dans ce cas b, le nombre de fonctions élémentaires a disparu, car on ne spécifie la valeur du courant
consommé que pour des circuits qui n’ont qu’une fonction élémentaire, mais complexe.
2) il peut arriver que la fréquence de travail f soit confondue avec la fréquence fS

Le nombre de fonctions élémentaires vaut 1 sauf pour les circuits ayant plusieurs fonctions dans le même boîtier (par
exemple le 74 HC 00, quadruple porte NON-ET).

27 UTE C 80-810
 CIRCUITS INTÉGRÉS

Si les valeurs réelles de ces grandeurs ne sont pas encore connues, on prendra les valeurs suivantes par défaut:
Vcc = 5 volts
C L = 50 pF
f = fréquence d’horloge ou 30 Mhz pour la famille HC et 50 Mhz pour la famille AC

2.3.2.1.2 Circuits numériques CMOS, de la famille 74 ACT

On prendra:

P1(P1 + 3,5)
P=
3P1 + 5
avec

[
P1 = 1,6.10 −3 × Vcc × (nombre d'entrées) + Vcc × f × 10 −6 Cpd × (nombre de fonctions élémentaires) + CL × (nombre de sorties)
2
]
Les valeurs par défaut de Vcc , CL , Cpd, f, sont les suivantes :

Vcc = 5 volts
C L = 50 pF
C pd = selon la spécification ou le catalogue
f = 50 Mhz

2.3.2.2. Circuits numériques NMOS, bipolaires, Arséniure de Gallium

On prendra:

PM (PM + 3,5)
P=
3PM + 5

où PM = puissance maximale continue = Vcc nominale × I cc maximal

2.3.2.3. Circuits ayant un mode de repos : par exemple les mémoires MOS

On prendra:

d  d 
P = Pp + Pr ×  1 − 
100  100 
où

d = taux d’activation en pourcentage

Pp = pire cas de consommation (spécifiée ou publiée)
Pr = puissance consommée au repos : Pr = (Vccnominale) × (I ccau repos)
LE MODÈLE DE FIABILITE

1. FORME GÉNÉRALE DU MODÈLE ET DÉFINITIONS

• Pour un composant actif, le taux de défaillance noté λ se décompose en :

λ = λpuce + λboitier

avec

λpuce = λeffets thermiques + λeffets EOS

et

λboitier = λeffets thermomécaniques

UTE C 80-810 28
 CIRCUITS INTÉGRÉS Spécification : CEI 60748

MODELE MATHEMATHIQUE :
 
 
  y
   
 ∑ (π t )i ×τ i       
λ = {λ1 × N × e −0,35×a + λ2 }×  i =1
   z
  
 + 2,75.10 ×π α ×  ∑ (π n )i × (∆Ti )  × λ3  + π$!
0, 68
I × λEOS  ×10
−3 −9
/h
 τ + τ
 on off  $!!!!!!! i =1   
# ! "

!#!!!!!!!! "  λsurcharges 
    λboitier  
 $!!!!!!!#!!!!!!! " 
 λ puce 

RENSEIGNEMENTS NECESSAIRES :
(tae)i : température ambiante moyenne extérieure à l’équipement lors de la ième phase du profil de mission.
(tac)i : température ambiante moyenne au voisinage des composants, là où le gradient de température s’annule.
λ1 : taux de défaillance de base par transistor de la famille du circuit intégré. Voir table
λ2 : taux de défaillance lié à la maîtrise de la technologie du circuit intégré. Voir table
N : nombre de transistors du circuit intégré.
a : année de fabrication - 1998.
(π t )i : ième facteur de température lié à la ième température de jonction du profil de mission du circuit intégré.
τi : ième pourcentage du temps de fonctionnement du circuit intégré à la ième température de jonction du profil de mission.
y
τ on : pourcentage du temps total de fonctionnement du circuit intégré. On a τ o n = ∑ τi
i=1
τ off : pourcentage du temps ou le circuit intégré est en stockage (ou en mode dormant). On a τ on + τ off =1
π α : facteur d’influence lié aux différences de coefficients de dilatation entre le substrat de report et le matériau du corps du boîtier.
(π n )i : ième facteur d’influence lié au nombre de cycles annuels de variation thermique vu par le boîtier, d’amplitude ∆Ti .
∆Ti : ième amplitude de variation thermique du profil de mission.
λ3 : taux de défaillance de base du boîtier du circuit intégré. Voir table

πI : facteur d’influence lié à l’utilisation du circuit intégré (interface ou non).

λEOS : taux de défaillance dû aux surcharges électriques dans l’application considéré.

Structure technologique
Facteur de température πt Circuits d’interface
Valeurs typiques calculées λEOS πI
  1 1  FIT
MOS  A − 
  328 273+ t j   Fonction Environnement électrique
BiCMOS (basse tension) e
Informatique 10 1
A=3480 ; (Ea=0,3 eV)
commutation 15 1
  1 1 
Bipolaire  A − 
  328 273+ t j   Télécommunication
transmission, 40 1
BiCMOS (haute tension) e Interfaces distribution,
A=4640 ; (Ea=0,4 eV) cartes d’abonnés
  1 1  équipements 70 1
AsGa Numérique  A −  clients
  373 273+ t j  
e Ferroviaire, publiphone 100 1
A=3480 ; (Ea=0,3 eV) Avionique civile (calculateurs de bord) 20 1
  1 1  Alimentations, convertisseurs 40 1
AsGa MMIC  A −  Tout environnement électrique - 0
  373 273+ t j  
Non
e Interfaces
A=4640 ; (Ea=0,4 eV)
t j = température de jonction en °C . Expression mathématique du ni ≤ 8760 (π n )i = ni0,76
Cycles/an
facteur d’influence (π n )i ni > 8760 (π n )i = 1,7 × ni0, 60
π α = 0,06 × (α S − α C )
Expression mathématique 1, 68 Cycles/an
du facteur d’influence
ni : Nombre de cycles annuels d’amplitude ∆Ti
Πα
 ∆Tj 
désaccord des coefficients α S − αC ∆Ti =  + (t ac )i  − (t ae )i
de dilatation linéique entre Pour une phase on/off :  3 
substrat et boîtier
Pour une phase fonctionnement ∆Ti =moyenne par cycle de la
αS Voir tableau 11
permanent, stockage ou dormant variation de (tae)ide la ième phase du
αC Voir tableau 11 profil de mission.

29 UTE C 80-810
 CIRCUITS INTÉGRÉS
VALEURS DES COEFFICIENTS DE DILATATION α S ET α C .

Coefficient de dilatation linéique Nature du matériau Valeur en ppm/°C

Verre Epoxy (FR4, G-10) 16
α S (Substrat) Verre PTFE (polytetrafluoroethylene) 20
Support souple (Polyimide Aramid) 6,5
Cu/Invar/Cu (20/60/20) 5,4
Epoxy (Boîtiers Plastiques) 21,5
α C (Composant) Alumine (Boîtiers Céramiques) 6,5
Kovar (Boîtiers Métalliques) 5
Tableau 11
REPARTITION DES DEFAUTS

- Pour les circuits autres que les circuits d’interfaces

Type d’environnement Collage à Valim en % Collage à la masse en % Circuit ouvert en %

Sol fixe protégé 50 50 0
Sol fixe non protégé 5 5 90
Sol mobile
Tableau 12
- Pour les circuits d’interfaces, la quasi totalisé se trouvent en circuit ouvert.

EXEMPLE DE CALCUL :

On veut calculer le taux de défaillance pour un profil de mission “ habitacle ” d’un microprocesseur dont les
caractéristique sont les suivantes :
Année de fabrication : 1999 a=1999-1998=1 (voir rubrique renseignements nécessaires)
Technologie : CMOS numérique λ1=3,4.10-6 et λ2=1,7 ( voir tableau 13)
Nombre de transistors 1,5.106
Puissance dissipée par le composant : 0,5 W
Boîtier PQFP 80 broches αC=21,5 (voir tableau 11)
Support de report FR4 αS=16 (voir tableau 11) Donc πα=1
Le circuit n’est pas utilisé comme interface donc π I =0.
L’augmentation de température lié au fonctionnement du circuit est donné par la formule suivante en convection
naturelle (donc K=1,4) . La résistance thermique jonction ambiante du boîtier PQFP est donnée par :
 2260 
RTH ja = (0,4 + 0,6 × 1,4 ) ×  27 +  = 67°C / W donc ΔTj= 67x0,5= 34°C
 80 + 3
Le profil de mission déduit du chapitre 11 est le suivant :
  1 1 
3480 −  

(tj)1= 27+34 = 61°C d’où (π t )1 = e   328 273 + 61  

= 1,21
  1 1 
 3480  −  
(tj)2= 30+34 = 64°C d’où (π t )2 = e   328 273 + 64  
= 1,33
  1 1 
 3480 −  
(tj)3= 85+34 = 118°C d’où (π t )3 = e
  328 273+118  
= 5,5

La (tae)1 est de 14°C pour le climat mondial

0,006 × 27 + 0,046 × 30 + 0,006 × 85
La (tac)1 moyenne lors des phases de fonctionnements est : = 35°C
0,058
Pour la phase de démarrage de nuit, tae est pris égal à 5°C ; pour la phase de démarrage de jour tae est pris égal à 15°C, d’où :
 34   34 
∆T1 =  + 35 − 5 = 41 ∆T2 =  + 35 − 15 = 31 ∆T3 = 10
 3   3 
 
 
  

{
λ =  3,4.10 ×1,5.10 × e

−6 6 − 0,35×1
} 1,21× 0,006+ 1,33× 0,046+ 5,5 × 0,006 
+ 3,4 × 
 0,058+ 0,942
 + 2$ ( −3 0,76 0,68

  !!!!!!!!!!!!!!!!#!!!!!!!!!!!!!!!!
0,76 0,68 0,76 0,68
"
 
)
$!#! " 

,75.10 ×1× (670) × (41) + (1340) × (31) + (30) × (10) ×11,5 +  0 × λEOS  ×10−9 / h
λ boitier
 λ 
 $!!!!!!!!!!!!!!! !#!!!!!!!!!!!!!!!! "    surcharges
 λ puce 
 
Le taux de défaillance de ce composant serait de 136 FIT pour ce profil de mission.

UTE C 80-810 30
 CIRCUITS INTÉGRÉS

VALEURS DE λ 1
ET DE λ 2
POUR LES CIRCUITS INTÉGRÉS

CALCUL DE N : λ1 λ2
SIGLE TYPE nombre de
en en
transistors à
retenir
FIT FIT

SILICIUM MOS : CIRCUITS SUR CATALOGUE (3)

Circuits numériques, Micros, DSP 4 par porte 3,4.10-6 1,7

Circuits linéaires Nombre réel 1,0.10-2 4,2
Circuits mixtes (TELECOM,CAN,CNA,RAMDAC,...) Nombre réel 2,7.10-4 20
MEMOIRES:
ROM Mémoire morte, lecture seule, aléatoire 1 par él. Bin 1,7.10-7 8,8
DRAM/VidéoRAM/AudioRAM Volatile; rafraichissement dynamique, lecture, écriture aléatoire 1 par él. Bin 1,0.10-7 5,6
SRAM rapide,FIFO Volatile; statique, lecture, écriture aléatoire, rapide(“ mixed MOS ”) 4 par él. Bin 1,7.10-7 8,8
SRAM faible consommation. Volatile; statique, lecture, écriture aléatoire, faible consommation(CMOS) 6 par él. Bin 1,7.10-7 8,8
SRAM double accès Volatile; statique, lecture, écriture aléatoire, double accès 8 par él. Bin. 1,7.10-7 8,8
EPROM,UVPROM,REPROM Non volatile; lecture seule, effaçage par ultra-violets, programmable 
OTP électriquement 1 / point programmable  2,6.10-7 34
FLASH Non volatile; lecture seule, programmable électriquement une fois 
EEPROM, flash EEPROM Non volatile; lecture seule, programmable, effaçable électriquement (blocs)(1) 2 / point programmable 6,5.10-7 16
Non volatile;lecture ou lecture-écriture, programmable, effaçable
électriquement(2)

(1)Effaçable sur l’ensemble du plan mémoire (2)Effaçable par mots ou par blocs (3) MOS comprend les technomogies CMOS,HCMOS, NMOS

SILICIUM MOS : CIRCUITS A LA DEMANDE

Précaractérisés (Standard Cell), Full Custom 4 par porte 1,2.10-5 10

Prédiffusés (Gate Arrays) 4 par porte 2,0.10-5 10
PROGRAMMABLES PAR L’UTILISATEUR
LCA (RAM) Réseau reconfigurable électriquement (par mémoire externe) 40 par porte(1) 4,0.10-5 8,8
PLD (GAL, PAL) (2) Programmable, électriquement (par réseaux intégrés ET ou ET/OU) 3 par point du rés. 1,2.10-3 16
CPLD (EPLD, MAX, FLEX, FPGA, Programmable électriquement (réseau de macrocellules interconnectées) 100 par porte 2,0.10-5 34
etc...) (2)

(1) ou 4000 par macrocellule ; (2) technologie : EEPROM, EPROM ou Anti-fusible

SILICIUM CIRCUITS BIPOLAIRES (1)

Circuits numériques 3 par porte 6,0.10-4 1,7

Circuits linéaires(FET, autres) Nombre réel 2,2.10-2 3,3
MMIC Nombre réel 1,0 3,3
Circuits mixtes basse tension (<30 volts) Nombre réel 2,7.10-3 20
Circuits mixtes haute tension (=30 volts) Nombre réel 2,7.10-2 20
MEMOIRES - PROGRAMMABLES - PREDIFFUSES:
SRAM Volatile, statique, lecture, écriture aléatoire 2,5 par él. Bin 3,0.10-4 1,7
PROM, Non volatile; à lecture seule, programmable électriquement 1,2 par eb programmable 1,5.10-4 32
1,6 par point du réseau.
PLD (PAL) Circuit logique programmable électriquement une fois ( réseau ET ou ET/OU) 1,5.10-4 32
3 par porte 1,0.10-3 10
Prédiffusés (Gate Arrays)

(1) Bipolaire comprend les technologies : TTL, MTTL, LSTTL, FET, JFET ; ECL ; etc…

SILICIUM CIRCUITS BIPOLAIRES ET MOS ( BICMOS )

Circuits numériques 4 par porte 1,0.10-6 1,7

Circuits mixtes basse tension (<6 volts) Nombre réel 2,7.10-4 20
Circuits mixtes haute tension (=6 volts) et Smart Power Nombre réel 2,7.10-3 20
SRAM Mémoire volatile, statique, lecture, écriture aléatoire 4 par él. Bin 6,8.10-7 8,8
Prédiffusés (Gate Arrays) 4 par porte 6,4.10-5 10

ARSÉNIURE DE GALLIUM

Numériques Avec seulement des transistors normalement passants. 5 par porte 2,5 25
Numériques Avec des transistors normalement bloqués et normalement passant. 3 par porte 4,5.10-4 16
MMIC Circuits pour hyperfréquences : faible bruit ou puissance = ou < 100mW. Nombre réel 2,0 20
MMIC Circuits pour hyperfréquences : puissance > 100mW. Nombre réel 4,0 40

tableau 13

31 UTE C 80-810
 CIRCUITS INTÉGRÉS

VALEURS DE λ3 POUR LES BOÎTIERS DE CIRCUITS INTÉGRÉS

Nature Nombre de λ3
Désignation courante du Description broches :
en FIT
matériau S
SO ,SOP Epoxy Plastic Small Outline, L lead 4 à 32 = 0,042 × S1,5
Power SO Epoxy idem SO with heat sink idem SO
SOJ Epoxy Plastic Small Outline, J Lead 16 à 24 = 0,023 × S 1,57
VSOP Epoxy Very Small Outline, L Lead 40 à 56 = 0,012 × S 1,65
SSOP Epoxy Shrink Small Outline, L Lead 4 à 56 = 0,011 × S 1,6
TSSOP Epoxy Thin Srink Small Outline, L Lead 4 à 56 = 0,011 × S 1,6
TSOP I au pas de 0,65 mm Epoxy Thin Small Outline, L Lead on small edge 18 à 24 = 0,011 × S 3,2
TSOP I au pas de 0,5 mm Epoxy Thin Small Outline, L Lead on small edge 18 à 32 = 0,023 × S 3,1
TSOP II au pas de 0,8 mm Epoxy Thin Small Outline, L Lead on long edge. 28 à 54 = 0,043 × S 1, 7
TSOP II au pas de 0,65 mm Epoxy Thin Small Outline, L Lead on long edge. 14 à 32 = 0,011 × S 1,6
TSOP II au pas de 0,5 mm Epoxy Thin Small Outline, L Lead on long edge. 34 à 60 = 0,023 × S 1,57
TSOP II au pas de 0,4 mm Epoxy Thin Small Outline, L Lead on long edge. 34 à 60 = 0,043 × S 1,64
PLCC Epoxy Plastic Leaded Chip Carrier, J Lead 20 à 84 = 0,023 × S 1,57
CLCC Alumine Ceramic Leadless (and Leaded) Chip Carrier idem PLCC
MQUAD Kovar Métallic Quad Flat Package (PLCC footprint) idem PLCC
32 à 40 1,4
40 à 60 2,6
60 à 68 4,5
PQFP, TQFP Epoxy Plastic (Thin) Quad Flatpack, L Lead 68 à 110 11,5
110 à 225 26
225 à 280 32,5
280 à 304 47,3
ED QUAD, Power QUAD Epoxy idem PQFP with heat sink (exposed slug) idem PQFP
CQFP, CERQUAD Alumine Ceramic Quad Flat pack idem PQFP
MQFP, MQUAD Kovar Metallic Quad Flat pack idem PQFP
64 à 80 12
PBGA Epoxy Plastic Ball Grid Array- pas >1mm 80 à 160 17,3
160 à 280 27,7
280 à 400 53,3
2
SBGA Epoxy Shrink BGA-pas 1mm-Corps 42,5x42,5 mm 580 74
2
SBGA Epoxy Shrink BGA-pas 1mm-Corps 27x27 mm 672 34,5
CBGA Alumine Ceramic idem PBGA
PDIL Epoxy Palstic Dual In Line 8 à 64 = 9 + 0,09 × S
CDIL, CERDIP Alumine Ceramic Dual In Line 8 à 64 = 9 + 0,09 × S
PPGA Epoxy Plastic Pin Grid Array 40 à 160 = 9 + 0,09 × S
CPGA Alumine Ceramic Pin Grid Array 40 à 160 = 9 + 0,09 × S

Tableau 14

UTE C 80-810 32
 DIODES ET THYRISTORS,
TRANSISTORS, PHOTOCOUPLEURS

33 UTE C 80-810
 DISCRETS ACTIFS

ÉVALUATION DE LA TEMPÉRATURE DE JONCTION DES DIODES ET DES TRANSISTORS

Pour évaluer la température de jonction d’un transistor ou d’une diode, la méthode à préférer dans les cas
critiques, est la mesure ou le calcul à partir des réseaux résistifs thermiques définis dans UTE C 96024 .

Par défaut, on utilisera la méthode simplifiée suivante :

On admet que la température de jonction est donnée en fonction de la puissance moyenne dissipée, par l’une
ou l’autre des formules suivantes :

t j = t a + P × R ja
t j = t c + P × R jc
Avec :
t a = température ambiante autour du boîtier (°C)
t c = température du boîtier (ou de l’embase) (°C)
t j = température de jonction (°C)
R ja = résistance thermique (jonction-ambiante) du composant (°C/W)
R jc = résistance thermique (jonction-boîtier ou embase )(°C/W)
P = puissance moyenne dissipée ( en watt)
Le tableau 15 suivant donne quelques valeurs de résistances thermiques .

La première colonne donne des valeurs de résistances thermiques (jonction-boîtier) R jc pour les composants
de puissance ou certaines applications (comme l’emploi d’un radiateur ou l’insertion dans un support) .

la deuxième colonne donne des valeurs de résistance thermiques (jonction-ambiante) R ja pour des
composants utilisés dans des conditions de refroidissement naturelles, sans radiateur additionnel.

La troisième colonne donne des valeurs de résistance thermiques (jonction-ambiante) pour des composants
reportés par soudure dans des filières dites de “ report à plat ”.

La valeur de ces résistances thermiques dépend beaucoup du type de boîtier, mais elle dépend aussi de la taille
du cristal, ainsi que de son mode de fixation interne (collage, soudure dure, soudure tendre) : les valeurs
proposées correspondent à des cas réalistes.

A noter la relation :

Résistance thermique (jonction - ambiante) = résistance thermique (jonction - boîtier) + résistance

thermique (boîtier - ambiante)

UTE C 80-810 34
 DISCRETS ACTIFS
VALEURS DE λ B
ET DES RÉSISTANCES DE JONCTION POUR LES CIRCUITS ACTIFS DISCRETS

Type de boîtier Rjc Rja Rja CMS monté λB

°C/W °C/W °C/W FIT
TO-18 130 450 1
TO-39 35 200 2,0
TO-92 100 300 1
SOT-23 400 1,0
SOT-143 400 1,0
SOT-223 85 3,4
SOT-323 600 0,8
SOT-343 600 0,8
SOT-346 500 1
SOT-363 600 0,8
SOT-457 350 1,1
SOT-89 125 2,0
SOT-32 (TO-126) 10 100 5,3
SOT-82 10 100 5,3
DPACK (SOT428) 30 5,1
D2PACK 15 5,7
TO-220 3 5,7
TO-218 (SOT-93) 1,5 6,9
TO-247 1 6,9
ISOTOP 0,25 20,0
SOT-90B (photocoupleur) 250 4,1
SO-8 (photocoupleur) 300 4,5
DO-34 (DO-204AG) 500 2,5
DO-35 (DO-204AH) 400 2,5
DO-41 (DO-204AL) (verre) 150 2,5
DO-41 (DO-204AL) (plastique) 100 1
F 126 70 1
micromelf 600 2,5
SOD-80 (minimelf) 600 2,5
melf 450 5,0
SOD-110 350 0,8
SOD-123 600 1,0
SOD-323 600 0,7
SOD-523 100 0,5
SMA 600 1,8
SMB (DO-214) 75 2,4
SMC (DO-215) 25 5,1
DO-220 3 5,7
SOD-15 20 5,1

Tableau15
Tableau 15

35 UTE C 80-810
 DIODES DE FAIBLE PUISSANCE Spécification : CEI 60747

Au Silicium : diodes de signal, PIN, SCHOTTKY, diodes de redressement, lentes, rapides, SCHOTTKY, jusqu’à 3A
Thyristors, triacs jusqu’à 3A
Diodes Zener jusqu’à 1,5W
Diodes de protection, jusqu’à 5 kW (en crête, 10µs/1000µs)
Diodes à l’arséniure de Gallium, jusqu’à 0,1

MODELE MATHEMATIQUE
 
 
  y   




 ∑ (π t )i ×τ i  
  z 

 
 


∑
  i =1      
λ =  {π U × λ0 }×  −3
 +  2,75.10 × (π n )i × (∆Ti )0,68  × λ B  + π$I!×#λ EOS × 10 − 9 / h
!"  
  τ on + τ off       
  
  $!!!!!!! i =1
!#!!!!!!!!  "  λ surch arg es 
    λ boitier  
 $!!!!! #!!!!! "  
 λ 
 puce 

RENSEIGNEMENTS NECESSAIRES :*
(tae)i : température ambiante moyenne extérieure à l’équipement lors de la ième phase du profil de mission.
(tac)i : température ambiante moyenne au voisinage des composants, là où le gradient de température s’annule.
πU : facteur d’utilisation (permanent ou non)
λ0 : taux de défaillance de base de la puce. Voir table

(π t )i : ième facteur de température lié à la ième température de jonction du profil de mission de la diode.
τi : ième pourcentage du temps de fonctionnement de la diode à la ième température de jonction du profil de mission.
y
τ on : pourcentage du temps total de fonctionnement de la diode. On a τ o n = ∑i=1
τi

τ off : pourcentage du temps ou la diode est en stockage (ou en mode dormant).

(π n )i : i ème
facteur d’influence lié au nombre de cycles annuels de variation thermique vu par le boîtier, d’amplitude ∆Ti .
∆Ti :i ème
amplitude de variation thermique du profil de mission.
λB : taux de défaillance de base du boîtier de la diode. Voir table

πI : facteur d’influence lié à l’utilisation de la diode (protection en interface ou non).

λEOS : taux de défaillance dû aux surcharges électriques dans l’application considéré.

Limite pour les thyristors et les triacs : 100°C Diodes de protection en interface
valeurs typiques calculées
λEOS πI
FIT
π t 100
Fonction Environnement électrique
Informatique 10 1
commutation 15 1
10
transmission
Télécom. distribution, 40 1
Interfaces cartes d’abonnés
1 équipements clients 70 1
Ferroviaire, publiphone 100 1
Avionique civile (calculateurs de 20 1
0,1 bord)
0 20 40 60 80 100 120 140 t j °C Alimentations, convertisseurs 40 1
Température de jonction Non interfaces Tout environnement électrique 0

Pour les diodes de protection tj = température ambiante

Taux de défaillance à tj=40°C
Autres diodes tj = temp.ambiante+( Rth × P )
(exprimé en FIT) λ0
Diodes de signal (<1A) 0,07
de redressement 1A à 3A 0,1
au de régulation zéner ≤ 1,5 watt 0,4
Expression mathématique de πt écrêtage 2,3
1 1 Silicium de protection déclenchement 2
4640 ( − )
313 t j + 273 Diodes à l’arséniure de Gallium ( ≤ 0,1 w ) 0,3
πt = e (0,4 électron - volt) Thyristors, triacs ( ≤ 3A) 1

UTE C 80-810 36
 DIODES DE FAIBLE PUISSANCE Spécification : CEI 60747

Expression mathématique du ni ≤ 8760 (π n )i = ni0,76

Nature de l’utilisation πU
Cycles/an Usage permanent *
(π n )i
Thyristors et 10
facteur d’influence ni > 8760 (π n )i = 1,7 × ni0, 60 Usage occasionnel*
1
Cycles/an triacs (périodes hors tension au moins
ni : Nombre de cycles annuels d’amplitude ∆Ti égales aux périodes sous tension)

 ∆Tj  Autres diodes 1

∆Ti =  + (t ac )i  − (t ae )i
Pour une phase on/off :  3 
* : l’expression “ usage ” correspond ici à un régime de commutation, le
Pour une phase fonctionnement ∆Ti =moyenne par cycle de la composant étant bloqué pendant une partie du temps . Dans le cas où le
permanent, stockage ou dormant variation de (tae)ide la ième phase du composant conduit en permanence, il faut prendre Π U =1
profil de mission.

Répartition des défauts

Diodes Zéner Thyristors Autres
Courts circuits 70% 20% 80%
Circuits ouverts 20% 20% 20%
Dérive de la tension Zener 10%
Dérive du courant Id 60%

Avertissement 1 : pour les diodes Schottky, on ne peut obtenir ces valeurs qu’en utilisant des diodes de structure Platine-Nickel

Avertissement 2 Les diodes utilisées comme fonction protection doivent être spécifiée pour cette application (écrêtage). Dans le cas contraire,
le taux de défaillance λEOS spécifié pour l’environnement électrique peut être largement dépassé.

37 UTE C 80-810
 DIODES DE PUISSANCE Spécification : CEI 60747

Au Silicium : diodes de signal, diodes de redressement, lentes, rapides, SCHOTTKY, de plus de 3A 

Thyristors, triacs de plus de 3A  hors modules
Diodes Zener de plus de 1,5W 
Diodes de protection, de plus de 5 kW (en crête, 10µs/1000µs)
Diodes à l’arséniure de Gallium, de plus de 0,1W

MODELE MATHEMATIQUE
 
 
  y   




 ∑ 
(π t )i × τ i  
 z 
 





∑
 

λ =  {π U × λ0 }×  i =1
  −3
 +  2,75.10 × (π n )i × (∆Ti )0,68  × λ B  + π$I!×#λ EOS
!"  × 10 − 9 / h
  τ on + τ off       
 $!!!!!i! !#!!!!!!!!
=1! λ
  "   surch arg es  
    λ boitier  
 $!!!!!#!!!!!  "  
 λ puce 
 

RENSEIGNEMENTS NECESSAIRES :
(tae)i : température ambiante moyenne extérieure à l’équipement lors de la ième phase du profil de mission.
(tac)i : température ambiante moyenne au voisinage des composants, là où le gradient de température s’annule.
πU : facteur d’utilisation (permanent ou non)

λ0 : taux de défaillance de base de la puce. Voir table

(π t )i : ième facteur de température lié à la ième température de jonction du profil de mission de la diode.
τi : ième pourcentage du temps de fonctionnement de la diode à la ième température de jonction du profil de mission.
y
τ on : pourcentage du temps total de fonctionnement de la diode. On a τ o n = ∑ τi
i=1
τ off : pourcentage du temps ou la diode est en stockage (ou en mode dormant).

(π n )i : i ème
facteur d’influence lié au nombre de cycles annuels de variation thermique vu par le boîtier, d’amplitude ∆Ti .
∆Ti : ième amplitude de variation thermique du profil de mission.
λB : taux de défaillance de base du boîtier de la diode. Voir table

πI : facteur d’influence lié à l’utilisation de la diode (protection en interface ou non).

λEOS : taux de défaillance dû aux surcharges électriques dans l’application considéré.

Limite pour les thyristors et les triacs : 100°C

πt
Diodes de protection en interface
valeurs typiques calculées
λEOS πI
FIT
100
Fonction Environnement électrique
Informatique 10 1
10 commutation 15 1
transmission
Télécom. distribution, 40 1
Interfaces cartes d’abonnés
1
équipements clients 70 1
Ferroviaire, publiphone 100 1
Avionique civile (calculateurs de 20 1
0,1 bord)
0 20 40 60 80 100 120 140 t j °C
Alimentations, convertisseurs 40 1
Température de jonction Non interfaces Tout environnement électrique 0

Pour les diodes de protection tj = température ambiante

Autres diodes tj = temp.ambiante+( Rth × P )
Taux de défaillance à tj=40°C
(exprimé en FIT) λ0
Diodes de redressement (>3A) 0,7
Expression mathématique de πt au de régulation zéner >1,5 watt
écrêtage
0,7
0,7
1 1 Silicium de protection déclenchement 3
4640 ( − )
313 t j + 273
πt = e (0,4 électron - volt)
Diodes à l’arséniure de Gallium (>0,1 w )
Thyristors, triacs (>3A)
1
3

UTE C 80-810 38
 DIODES DE PUISSANCE Spécification : CEI 60747

Expression mathématique
du
ni ≤ 8760 (π n )i = ni0,76 Nature de l’utilisation πU
Cycles/an
Usage permanent *
facteur d’influence (π n )i ni > 8760 (π n )i = 1,7 × ni0, 60
Thyristors et
Usage occasionnel*
10
Cycles/an 1
triacs (périodes hors tension au moins
ni : Nombre de cycles annuels d’amplitude ∆Ti égales aux périodes sous tension)
 ∆Tj 
∆Ti =  + (t ac )i  − (t ae )i Autres diodes 1
Pour une phase on/off :  3 
Pour une phase ∆Ti =moyenne par cycle de la variation de * : l’expression “ usage ” correspond ici à un régime de commutation, le
fonctionnement permanent, composant étant bloqué pendant une partie du temps . Dans le cas où le
(tae)i de la ième phase
stockage ou dormant du profil de mission. composant conduit en permanence, il faut prendre Π U =1

Répartition des défauts

Diodes Zéner Thyristors Autres
Courts circuits 70% 20% 80%
Circuits ouverts 20% 20% 20%
Dérive de la tension Zener 10%
Dérive du courant Id 60%

Avertissement 1 : pour les diodes Schottky, on ne peut obtenir ces valeurs qu’en utilisant des diodes de structure Platine-Nickel

Avertissement 2 Les diodes utilisées comme fonction protection doivent être spécifiée pour cette application (écrêtage). Dans le cas
contraire, le taux de défaillance λEOS spécifié pour l’environnement électrique peut être largement dépassé.

39 UTE C 80-810
 TRANSISTORS DE FAIBLE PUISSANCE Spécification : CEI 60747

Silicium, jonctions, effet de champ (FET), MOS :moins de 5 watts

Arséniure de Gallium : moins de 1 watt.

MODELE MATHEMATIQUE
 
 
  y   




 ∑(π t )i ×τ i  
   z 

 
 


∑
  i =1       
λ =  {π S × λ0 }×  −3
 +  2,75.10 ×  (π n )i × (∆Ti )0,68  × λ B  + π$I!×#λ EOS × 10 − 9 / h
!"  
  τ on + τ off        
    $!!!!!!!  i = 1
!#!!!!!!!!  "  λ surch arg es 
    λ boitier  
 $!!!!! #!!!!! "  
 λ 
 puce 

RENSEIGNEMENTS NECESSAIRES :
(tae)i : température ambiante moyenne extérieure à l’équipement lors de la ième phase du profil de mission.
(tac)i : température ambiante moyenne au voisinage des composants, là où le gradient de température s’annule.
πS : facteur de charge.
λ0 : taux de défaillance de base de la puce. Voir table

(π t )i : ième facteur de température lié à la ième température de jonction du profil de mission du transistor.
τi : ième pourcentage du temps de fonctionnement du transistor à la ième température de jonction du profil de mission.
y
τ on : pourcentage du temps total de fonctionnement du transistor. On a τ o n = ∑ τi
i=1
τ off : pourcentage du temps ou le transistor est en stockage (ou en mode dormant).

(π n )i : i ème
facteur d’influence lié au nombre de cycles annuels de variation thermique vu par le boîtier, d’amplitude ∆Ti .
∆Ti :i ème
amplitude de variation thermique du profil de mission.
λB : taux de défaillance de base du boîtier du transistor. Voir table

πI : facteur d’influence lié à l’utilisation du transistor (protection en interface ou non).

λEOS : taux de défaillance dû aux surcharges électriques dans l’application considéré.

πt Bipolaire-GaAs Transistor en interface

valeurs typiques calculées
λEOS πI
100 FIT
Fonction Environnement électrique
Informatique 10 1
MOS, commutation 15 1
10
IGBT
transmission
Télécom. distribution, 40 1
Interfaces cartes d’abonnés
1 équipements clients 70 1
Ferroviaire, publiphone 100 1
Avionique civile (calculateurs de 20 1
0,1
t j°C bord)
Alimentations, convertisseurs 40 1
0 20 40 60 80 100 120 140 160
Non interfaces Tout environnement électrique 0

Taux de défaillance à tj=40°C

(exprimé en FIT) λ0
Expressions mathématiques de π t et de π S Transistors au Silicium
• Bipolaires npn; pnp 0,75
1 1
Bipolaires 4640( − ) • MOS p, n ; FET
313 t j + 273
πt πt = e Transistors à l’Arséniure de Gallium 0,3
AsGa
(énergie d' activation : 0,4 ev)
1 1
Expression mathématique
du
ni ≤ 8760 (π n )i = ni0,76
3480( − ) Cycles/an
(π n )i (π n )i
313 t j + 273
MOS πt = e facteur d’influence ni > 8760 = 1,7 × ni0, 60
IGBT Cycles/an
(énergie d' activation : 0,3 ev)
ni : Nombre de cycles annuels d’amplitude ∆Ti
FET,MOS π S 1 = 0,22e1,7 S1  ∆T j 
∆Ti =  + (t ac )i  − (t ae )i
Pour une phase on/off
πS π S 2 = 0,22e  3 
IGBT 3S 2

Pour une phase fonctionnement ∆Ti =moyenne par cycle de la

Bipolaires π S = 0,22e1, 7 S permanent, stockage ou dormant variation de (tae)i de la ième
phase du profil de mission.

UTE C 80-810 40
 TRANSISTORS DE FAIBLE PUISSANCE

Limite à ne pas dépasser

π S1
10

FET, MOS :
πS = πS1 . πS2
1

0,1
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1 1,1 S1

Tension VDS maximale répétitive appliquée

S1 =
Tension VDS minimale spécifiée
π S2

10 • La valeur S2 =1 est admise, car pour les transistors MOS,

la valeur de la tension de destruction de l’oxyde de grille
doit être supérieure à 3 fois la limite autorisée de la tension
VGS :
• On doit s’assurer de cette valeur en qualification
1 • Par exemple, pour une valeur limite autorisée de 20 volts,
la tension de destruction de l’oxyde de grille doit être
supérieure à 60 volts (en pratique comprise entre 60 volts
et 80 volts)

0,1
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1 1,1 S2

Tension VGS maximale répétitive appliquée

S2 =
Limite autorisée de la tension VGS

πS
Limite à ne pas dépasser
10

1
BIPOLAIRES

Tension VCE maximale répétitive appliquée

0,1
S=
S Tension VCE de claquage minimale spécifiée
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1 1,1

Structures fragiles :
1 - Boîtiers à cavité (de plus de 0 ,1g)
2 - Boîtiers(de plus de 0 ,1g) maintenus par les connexions (de
plus de 2mm)
Répartition des défauts %
Structures peu fragiles :
1 - Composants enrobés (connexions de moins de 2mm) ou de Silicium Courts-circuits 85
type DIL, ou pour montage en surface (CMS) Circuits ouverts 15
2 - Boîtiers maintenus rigidement (par vis, clips, colle) Arséniure de Courts-circuits 95
3 - Composants de moins de 0,1g Gallium Circuits ouverts 5

41 UTE C 80-810
 TRANSISTORS DE PUISSANCE Spécification : CEI 60747

!ATTENTION !
Silicium : 5 watts ou plus  Sauf modules Dans le cas de fonctionnement cyclique la durée de vie est limitée !
Arséniure de Gallium : 1 watt. ou plus 

MODELE MATHEMATIQUE
 
 
  y   




 ∑ (π )
t i × τ 
i 
 z 


 


∑
 

λ =  {π S × λ0 }×  i =1
  −3
 +  2,75.10 × (π n )i × (∆Ti )0,68  × λ B  + π$I!×#λ EOS
!"
−9
  × 10 / h
  onτ + τ off       λ 
   $!!!!!!! i = 1 !#!!!!!!!! "   surch arg es  
    λ boitier  
 $!!!!!#!!!!!  " 
 λ puce 
 

RENSEIGNEMENTS NECESSAIRES :
(tae)i : température ambiante moyenne extérieure à l’équipement lors de la ième phase du profil de mission.
(tac)i : température ambiante moyenne au voisinage des composants, là où le gradient de température s’annule.
πS : facteur de charge.
λ0 : taux de défaillance de base de la puce. Voir table

(π t )i : ième facteur de température lié à la ième température de jonction du profil de mission du transistor.
τi : ième pourcentage du temps de fonctionnement du transistor à la ième température de jonction du profil de mission.
y
τ on : pourcentage du temps total de fonctionnement du transistor. On a τ o n = ∑ τi
i=1
τ off : pourcentage du temps ou le transistor est en stockage (ou en mode dormant).

(π n )i : i ème
facteur d’influence lié au nombre de cycles annuels de variation thermique vu par le boîtier, d’amplitude ∆Ti .
∆Ti :i ème
amplitude de variation thermique du profil de mission.
λB : taux de défaillance de base du boîtier du transistor. Voir table

πI : facteur d’influence lié à l’utilisation du transistor (protection en interface ou non).

λEOS : taux de défaillance dû aux surcharges électriques dans l’application considéré.

πt Bipolaire-GaAs
transistor en interface
valeurs typiques calculées
λEOS πI
FIT
10
Fonction Environnement électrique
Informatique 10 1
commutation 15 1
MOS, transmission
IGBT Télécom. distribution, 40 1
1
Interfaces cartes d’abonnés
équipements clients 70 1
Ferroviaire, publiphone 100 1
Avionique civile (calculateurs de 20 1
bord)
0,1 Alimentations, convertisseurs 40 1
0 20 40 60 80 100 120 140 160
t j°C Non interfaces Tout environnement électrique 0

Taux de défaillance à tj=100°C

(exprimé en FIT) λ0
Expressions mathématiques de π t et de π S Transistors au Silicium
2
1 1
• Bipolaires npn; pnp
4640( − ) • MOS p, n
Bipolaire 373 t j + 273
πt πt = e Transistors à l’Arséniure de Gallium 1
AsGa
(π n )i
(énergie d'activation : 0,4 ev) Expression mathématique ni ≤ 8760 = ni0,76
1 1 du
MOS 3480( − ) Cycles/an
373 t j + 273
πt = e (π n )i
IGBT facteur d’influence ni > 8760 (π n )i = 1,7 × ni0, 60
(énergie d'activation : 0,3 ev) Cycles/an
ni : Nombre de cycles annuels d’amplitude ∆Ti
FET,MOS π S 1 = 0,22e1, 7 S1  ∆T j 
∆Ti =  + (t ac )i  − (t ae )i
πS IGBT π S 2 = 0,22e3 S 2 Pour une phase on/off  3 

Pour une phase fonctionnement ∆Ti =moyenne par cycle de la

Bipolaire π S = 0,22e1, 7 S
permanent, stockage ou dormant variation de (tae)ide la ième
phase du profil de mission.

UTE C 80-810 42
 TRANSISTORS DE PUISSANCE

Limite à ne pas dépasser Durée de vie

Dans le cas de fonctionnement cyclique, le nombre de cycles
π S1
est limité à :
−0 , 05 ∆t j
N = 10 7 . e
10

∆t j : excursion de température de jonction

1
FET, MOS :
πS = πS1 . πS2

0,1
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1 1,1
S1

Tension VDS maximale répétitive appliquée

S1 =
Tension VDS minimale spécifiée
π S2

10 • La valeur S2 =1 est admise, car pour les transistors MOS,

la valeur de la tension de destruction de l’oxyde de grille
doit être supérieure à 3 fois la limite autorisée de la tension
VGS :
• On doit s’assurer de cette valeur en qualification
1 • Par exemple, pour une valeur limite autorisée de 20 volts,
la tension de destruction de l’oxyde de grille doit être
supérieure à 60 volts (en pratique comprise entre 60 volts
et 80 volts)

0,1
S2
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1 1,1

Tension VGS maximale répétitive appliquée

S2 =
Limite autorisée de la tension VGS

πS
Limite à ne pas dépasser
10

1
BIPOLAIRES

Tension VCE maximale répétitive appliquée

0,1
S=
Tension VCE de claquage minimale spécifiée
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1 1,1 S

Structures fragiles :
1 - Boîtiers à cavité Répartition des défauts %
2 - Boîtiers maintenus par les connexions (de plus de 2mm)
Silicium Courts-circuits 85
Structures peu fragiles :
1 - Composants enrobés (connexions de moins de 2mm) ou de type DIL, Circuits ouverts 15
ou pour montage en surface (CMS) Arséniure de Courts-circuits 95
2 - Boîtiers maintenus rigidement (par vis, clips, colle) Gallium Circuits ouverts 5

43 UTE C 80-810
 PHOTOCOUPLEURS
Durée de vie
Le taux de défaillance λ n’est utilisable que pendant une
durée de fonctionnement inférieure à θ

renseignements nécessaires pour

Température de jonction tj θ0
θ = θ0 .κ 0 .κ 1.κ 2 .κ 3 heures
Pour les photocoupleurs Courant d ‘entrée (d’utilisation, de κ0 , κ2
enrobés, la température mesure)
de jonction doit être κ1
limitée à 90°C rapport de transfert (initial, final)

50
κ0 =
courant d' entrée (fonctionnement, mA)
θ0 10 7

10
κ1

106

105
m
0,1
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1

104
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120

10
Durée de vie =f(température de jonction t j )
tj κ2

Durée de vie θ0 d’un photocoupleur en fonction de la

température de jonction , avec le critère de défaillance
suivant : 1 I F en mA
1 10 100
• condition de mesure du rapport de transfert
VCE = 5 volts IF = 2mA
Rapport de transfert final
=m=0,5 κ 2 selon la valeur I F du courant de mesure du rapport de transfert
Rapport de transfert initial
• pour un courant d’utilisation de 50 mA
Note : La durée de vie est estimée ici pour une 10
proportion de défaillances cumulées de 10% κ3

Durée de vie θ 0 1
4640
t j + 273
0,4.e

0,1 %
1 10 30 50 70 90 99

κ 3
pour un pourcentage de pièces défectueuses différent de 10%

UTE C 80-810 44
 Spécification : CEI 60747 PHOTOCOUPLEURS
Taux de défaillance

MODELE MATHEMATIQUE
  !ATTENTION !
 
  y    la durée de vie est limitée !




∑ (π t )i × τ i  
 z 
 




∑
 

λ =  {2,2 × π S }×  i =1
  −3
 +  2,75.10 × (π n )i × (∆Ti )0,68  × λ B  + π$I!×#λ EOS
!"  
× 10 − 9 / h
  τ on + τ off       
 $!!!!!i! !#!!!!!!!!
=1! λ
  "   surch arg es  
    λ boitier  
 $!!!!!#!!!!!  "  
 λ puce 
 

RENSEIGNEMENTS NECESSAIRES :
(tae)i : température ambiante moyenne extérieure à l’équipement lors de la ième phase du profil de mission.
(tac)i : température ambiante moyenne au voisinage des composants, là où le gradient de température s’annule.
πS : facteur de charge.

(π t )i : ième facteur de température lié à la ième température de jonction du profil de mission du photocoupleur.
τi : ième pourcentage du temps de fonctionnement du photocoupleur à la ième température de jonction du profil de mission.
y
τ on : pourcentage du temps total de fonctionnement du photocoupleur. On a τ o n = ∑ τi
i=1
τ off : pourcentage du temps ou le photocoupleur est en stockage (ou en mode dormant).

(π n )i : i ème
facteur d’influence lié au nombre de cycles annuels de variation thermique vu par le boîtier, d’amplitude ∆Ti .
∆Ti :i ème
amplitude de variation thermique du profil de mission.
λB : taux de défaillance de base du boîtier du photocoupleur. Voir table

πI : facteur d’influence lié à l’utilisation du photocoupleur (protection en interface ou non).

λEOS : taux de défaillance dû aux surcharges électriques dans l’application considéré.

Limite pour les

photocoupleurs enrobés
Diodes de protection en interface
valeurs typiques calculées
λEOS πI
(90°C)
πt FIT
100 Fonction Environnement électrique
Informatique 10 1
commutation 15 1
10 transmission
Télécom. distribution, 40 1
Interfaces cartes d’abonnés
1 équipements clients 70 1
Ferroviaire, publiphone 100 1
Avionique civile (calculateurs de 20 1
0,1
bord)
0 20 40 60 80 100 120 140 tj Alimentations, convertisseurs 40 1
Température de jonction Non interfaces Tout environnement électrique 0
t j = température ambiante + (puissance dissipée totale*) x R ja
* émetteur + récepteur
πS
100

Vio tension permanente appliquée (entrée / sortie) *

VioRM tension d' isolement de pointe, répétitive
* en l’absence de décharges partielles

10
Répartition des défauts
Circuits ouverts 50%
Courts-circuits 10%
Dérives 40%

Expression mathématique de π t 1 Vio

1 1 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 V
4640( − ) ioRM
313 t j + 273
πt = e (énergie d' activation : 0,4 ev)
Influence de la tension appliquée entre l’entrée et la sortie

45 UTE C 80-810
 PHOTOCOUPLEURS
Taux de défaillance

Expression mathématique
du
ni ≤ 8760 (π n )i = ni0,76
Cycles/an
facteur d’influence (π n )i ni > 8760 (π n )i = 1,7 × ni0, 60
Cycles/an
ni : Nombre de cycles annuels d’amplitude ∆Ti
 ∆T j 
∆Ti =  + (t ac )i  − (t ae )i
Pour une phase on/off  3 
Pour une phase fonctionnement ∆Ti =moyenne par cycle de la
permanent, stockage ou dormant variation de (tae)ide la ième
phase du profil de mission.

UTE C 80-810 46
 OPTOÉLECTRONIQUE

AVERTISSEMENT :
Les taux de défaillances pour la section composants optiques de ce recueil sont donnés uniquement pour l’environnement sol fixe
protégé, avec profil de mission correspondant à un fonctionnement permanent, et un cyclage thermique jour nuit inférieur à 3°C

47 UTE C 80-810
 DIODE ELECTROLUMINESCENTE
Durée de vie
Le taux de défaillances λ n’est utilisable que pendant une durée
θ = θ0 .κ 0 .κ 1.κ 2 .κ 3 heures de fonctionnement inférieure à θ

renseignements nécessaires pour

θ 0 heures Température de jonction tj θ0
Diodes à 1,3 µm κ0
Courant d’utilisation
10 8
κ2
Courant de mesure de flux

107 100
κ0 =
courant d'entrée (fonctionnement, mA)
κ1 10
10 6

105 Diodes à 0,85 µm

1
4
10
tJ ° C
0 20 40 60 80 100 120

Température de jonction en °C
m
0,1
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1

κ 1 selon le critère de défaillance choisi

Durée de vie θ 0 d’une diode électroluminescente en avec m=
Flux final d' énergie
Flux initial d' énergie
fonction de la température de jonction t j
• pour un courant d’utilisation de 100mA
• pour le critère de défaillance suivant : κ2
1
flux final d' énergie
m= = 0,5
flux initial d' énergie
(avec un courant de mesure de flux égal à 100 mA)
Note : La durée de vie θ 0 est estimée ici pour une
proportion de défaillances cumulées de 10%

0,1
I F en mA
1 10 100

κ 2 selon la valeur IF du courant de mesure du

rapport de dérive de flux d’énergie
Type de Durée de vie θ 0
diodes κ3
 1 10
Diodes à  1 
−
0,85 µm 2,3.105.e 7000 t j + 273 343  (0,6 électron-volt)
Diodes à  1 1 
 −
1,3 µm 8,7.10 6.e 7000 t j + 273 343  (0,6 électron-volt)
1

0,1 %
1 10 30 50 70 90 99

κ 3
pour un pourcentage de pièces
défectueuses différent de 10%

UTE C 80-810 48
 MODULES A DIODES
Spécifications :
ELECTROLUMINESCENTES CEI 60747
(pour datacom.) CEI 62007
Taux de défaillance

MODÈLE MATHÉMATIQUE
!ATTENTION !
λ = λ 0 .π t .10 −9 /h la durée de vie est limitée !

10

Renseignements nécessaires pour

Température de jonction tj πt

π1 t Type de module λ0

0,1
0 20 40 60 80 100 120
t j °C
Température de jonction en °C

Type de module λ0
FIT
Influence de la température Module d’émission élémentaire : DEL fibrée sans 100
électronique
Module d’émission DEL fibrée avec driver de DEL. 130
Module d’émission / réception avec DEL fibrée +PIN 180
+ électronique avec ou sans récupération d’horloge.
Module d’émission / réception avec DEL fibrée +APD 200
t j = t c + R th × P + électronique avec ou sans récupération d’horloge
P = puissance appliquée
t c = température de boitier
R th = résistance thermique (jonction / boitier)
• mesurée
• ou, à défaut, spécifiée
• à défaut, prendre 150°C/W

Expression mathématique de πt Répartition des défauts selon le Boîtier Boîtier

boîtier
4060(
1
−
1
)
TO à fibre
343 t j + 273 Court-circuit (dégradation en 70% 40%
πt = e (énergie d' activation : 0,35eV)
direct) 10% 10%
Ouverture 20% 50%
Couplage optique, ou fibre

49 UTE C 80-810
 MODULES A DIODES LASER
Durée de vie

θ = θ0 .κ1.κ 2 en heures
κ1 est fonction du critère de défaillance : la dérive du courant On admet que le taux de défaillances λ est constant (après la
période de jeunesse), mais ceci n’est vrai que pour une durée de
∆I fonctionnement inférieure à θ .Au delà de cette durée, on pourra
de fonctionnement à puissance optique constante en %
I
prendre un taux plus fort.
- Pour les lasers d’émission de systèmes numériques et
les lasers de pompe, prendre 50%
- Pour les lasers d’émission de systèmes analogiques et
WDM, prendre 10% κ1
κ 2 est fonction du pourcentage de défaillance en fin de vie.
9
- En général prendre 10%
8

θ0 en heures) 7
6
5
4
3
2
∆I
1 en %
10 20 30 40 50 60 70 80 90 I

106

κ2
10 5
InGaAS/GaAs 10
0,98µm

InGaASP/InP
1,3µm ou 1,55µm
4
1
10
GaAs/GaAlAs
0,78µm à 0,85µm

0,1
1 10 30 50 70 90 99 %
10 3
0 20 40 60 80

Température de jonction en °C

Note : les diodes laser sont sensibles aux décharges

Type de diodes Durée de vie θ0 électrostatiques, en conséquence, leur fiabilité peut être
Diodes GaAs/GaAlAs 
amoindrie après une faible décharge.
 1 1 
(0,78m ; 0,85µm) −
4.103.e 7000 t j + 273 318 

(0,6 électron-volt)
Diodes InGaAsP/InP  1 1 
 −
(1,2µm ; 1,6µm)
1,5.105.e 7000 t j + 273 303 

(0,6 électron-volt)
Diodes InGaAs/GaAs  1 
 1
−
(0,98µm)
1,5.105.e3500 t j + 273 303 

(0,3 électron-volt)

UTE C 80-810 50
 MODULES A DIODES LASER
Taux de défaillance

MODÈLE MATHÉMATIQUE !ATTENTION !

λ = λ 0 .π t .10 −9 /h la durée de vie est limitée !

GaAs/GaAlAs
Renseignements nécessaires pour
• guidage par le gain (transmissions ; 0,84µm)
• guidage par l’indice (disques compacts ; Température de jonction tj πt
0,8µm ; à fenêtre)
Type : matériau, structure interne πt ; λ 0
InGaAs/InP Type de module λ0
Hétérostructure enterrée ; Pérot-Fabry ou
distribuée (DFB) 1,3µm ou 1,55µm
InGaAs/GaAs
Hétérostructure enterrée
πt
10 Matériau Fenêtre Type de module λ0
FIT
GaAs/GaAlAs 0,8µm Module d’émission élémentaire * 3000
InGaAs/InP 1,2 à 1,6µm Module d’émission élémentaire* sans 40
1
électronique
InGaAs/InP 1,2 à 1,6µm Module d’émission avec électronique. 60
Module d’émission / réception avec
InGaAs/InP 1,2 à 1,6µm Laser, PIN et électronique avec ou sans 80
0,1
t j
récupération d’horloge.(sans le quartz)
InGaAs/InP 1,2 à 1,6µm Module Laser Modulateur Intégré 100
5 25 45 65 85 InGaAs/InP 1,48 µm Module Laser de pompe 200
Température de jonction Puissance <= 100mW
InGaAs/InP 1,48 µm Module Laser de pompe 850**
Puissance >100mW.
Influence de la température InGaAs/GaAs 0,98µm Module Laser de pompe 1000

tj = ( température de boitier ou d ' embase) + R th × ( Pe − P0 ) • * Un module d’émission élémentaire comprend en général, la photodiode
d’asservissement, la diode LASER, le boîtier et éventuellement un élément de
R th = résistance thermique (jonction/boîtier ou couplage . Pour les structures plus complexes, les taux de défaillances indiqués
jonction/embase) dans le tableau incluent tous les éléments, sauf le peltier et la thermistance
Pe = puissance électrique appliquée • ** Démarrage de production.
Pe = puissance optique totale (deux faces)
Répartition des défauts selon le type de module.
défaut de • spectre dégradé
Expressions mathématiques de π t diodes • forte augmentation de 10%
modules courant
 1 1 
4060 − à 1,3µm/1,55µm défaut de • forte baisse de la
 318 t j + 273  90%
πt =e   ( fibresmono mod e9 / 125) couplage puissance émise
GAAs/GaAlAs
défaut de • forte augmentation de
Modules laser de diode courant 90%

 1 Pompe (0,98 1,48µm) Défaut de • forte baisse de la

1 
4060
10%
− couplage puissance émise
 303 t j + 273 
πt =e   • pas d’émission stimulée modules disques
InGaAsP/InP défaut de
• spectre dégradé compacts
diode transmission)
• forte augmentation du
100%
 1 modules à courant 80%
1 
4060 − 0,85µm défaut de • forte baisse de la
 303 t j + 273  10% 0%
πt =e   ( fibresmono mod e9 / 125) couplage puissance émise
InGaAs/GaAs
fibre • pas de puissance émise
cassée 10% 0%

51 UTE C 80-810
 DIODES ET MODULES DE RECEPTION
pour télécommunications Spécification : CEI 60747-12

MODÈLE MATHÉMATIQUE Renseignements nécessaires pour

πt
λ = λ0 .π t .10 −9 /h Température de jonction tj
Type (silicium, GaAlAs, PIN , APD, module) λ0

πt

100

10
Type λ0
FIT
1 Diodes PIN Silicium (fenêtre 0,7-1,1µm) 5
InGaAs (fenêtre1,2-1,6µm) 10
Silicium 20
0,1 Diodes APD (à avalanche)
0 20 40 60 80 100 120 Germanium 40
InGaAs 80
Température de jonction en °C Module PIN + électronique avec ou sans récupération d’horloge 30
Module APD + électronique avec ou sans récupération d’horloge 100
On admet que la température de jonction tj est égale à
la température ambiante t

Influence de la température

Expressions mathématiques de πt
Répartition des défauts boîtier boîtier
 1 1  selon le boîtier TO à fibre
4060 −
 303 t j + 273  Court-circuit (dégradation en inverse) 80% 40%
πt = e  
Ouverture 20% 10%
0,35 électron − volt Couplage 0% 50%

UTE C 80-810 52
 COMPOSANTS OPTIQUES PASSIFS

MODÈLE MATHÉMATIQUE Spécification : CEI 61300

λ = λ 0 .10 −9 /h

Note :
L’influence de la température sur ces composants étant mal connue, les valeurs de ?0 sont données pour un fonctionnement
permanent dans l’environnement “ sol fixe protégé ”, et pour une température de fonctionnement constante comprise entre 20°C et
40°C.

Type de composant λ0 en FIT

Atténuateurs Bulk 2
Epissure par fusion (atténuation <= 10db) 2
Epissure par fusion (atténuation > 10db) 10
Epissure collée 10
Coupleurs à fusion - étirage 1 vers 2 25
1vers n avec n <= 5 50
Coupleur optique intégré 1 vers n 60
Multiplexeur / Démultiplexeur Fusion étirage 1 vers 2 25
Fusion étirage 1 vers n 50
Micro-optique 60
Connecteur 1 contact optique 5
Cordon 2 contacts optiques et fibre 10
Fibre optique (câblée) Pour100 km ou par section (quelle que soit la longueur) 500
Fibre optique dopée à matrice Si (5à30m) Par section quelle que soit la longueur 1

COMPOSANTS OPTIQUES DIVERS

MODÈLE MATHÉMATIQUE
λ = λ 0 .10 −9 /h

Note :
L’influence de la température sur ces composants étant mal connue, les valeurs de λ0 sont données pour un fonctionnement
permanent dans l’environnement “ sol fixe protégé ”, et pour une température de fonctionnement constante comprise entre 20°C et
40°C.

Type de composants λ0 en FIT

Modulateur LiNbO3 1000
Isolateur 10
Filtre accordable 330*
Réseau de Bragg 15
Commutateur optique Electromécanique à miroir 200
Intégré à prisme 200
VCSEL à 840 nm 300*
Photodiode à réception par la tranche tbd
Phaseur tbd
Duplexeur monolithique tbd
Peltier 20
Thermistance 0,34

*Valeur donnée pour un démarrage de production

53 UTE C 80-810
 CONDENSATEURS ET THERMISTANCE (CTN)

UTE C 80-810 54
Spécifications CEI 60 384 (384 -2, 384-6, 384-14)

CONDENSATEURS AU PAPIER, AU PLASTIQUE

condensateurs d’antiparasitage au papier, au plastique

MODÈLE MATHÉMATIQUE
 y  
 


∑ (π t )i ×τ i   j 


λ = 0,1×   i =1
  τ on + τ off 

 + 1, 4. 10 −3 
×


∑ (π )
n i × (∆Ti )0,68 


 × 10 − 9 / h
  i= 1 

   
  

RENSEIGNEMENTS NECESSAIRES :
(tae)i : température ambiante moyenne extérieure à l’équipement lors de la ième phase du profil de mission.
(tac)i : température ambiante moyenne au voisinage des composants, là où le gradient de température s’annule.
(π t ) i : ième facteur de température lié à la ième température de couche du profil de mission du condensateur.
τi : ième pourcentage du temps de fonctionnement du condensateur à la ième température de couche du profil de mission.
y
τ on : pourcentage du temps total de fonctionnement du condensateur. On a τ o n = ∑i=1
τi

τ off : pourcentage du temps ou le condensateur est en stockage (ou en mode dormant).

(π n )i : i ème
facteur d’influence lié au nombre de cycles annuels de variation thermique vu par le condensateur, d’amplitude ∆Ti .
∆Ti : ième amplitude de variation thermique du profil de mission.
Tension continue appliquée au condensateur Voir note*
Valeur de crête de la tension alternative appliquée au condensateur Voir note*
Tension nominale du condensateur. Voir note*

πt 10

Répartition des défauts

Courts circuits 10%
1 Circuits ouverts 90%

t A °C
0,1
0 10 20 30 40 50 60
Expression mathématique
du
ni ≤ 8760 (π n )i = ni0,76
Température ambiante Cycles/an
facteur d’influence (π n )i ni > 8760 (π n )i = 1,7 × ni0, 60
Facteur de température πt Cycles/an
ni : Nombre de cycles annuels d’amplitude ∆Ti
Pour une phase on/off ∆Ti = (t ac )i − (t ae )i
Pour une phase fonctionnement ∆Ti =moyenne par cycle de la
permanent, stockage ou dormant variation de (tae)i de la ième
Expression mathématique de π t phase du profil de mission.

 1 1 
2900 − 
 303 273+ t A 
πt = e avec t A : température ambiante

* NOTE : pour obtenir en exploitation des valeurs conformes aux taux de défaillances calculés avec ces formules, il faut avoir :
tension de crete
• pour les condensateurs spécifiés en antiparasitage, le rapport : inférieur ou égal à 0,8
tension nominale
• pour les autres condensateurs non spécifiés en antiparasitage, ce même rapport doit être inférieur ou égal à 0,2

avec : tension de crête = tension continue + valeur de crête de la tension alternative

55 UTE C 80-810
Spécification :CEI 60384

CONDENSATEURS EN CERAMIQUE
à coefficient de température défini - TYPE I

MODÈLE MATHÉMATIQUE
 y  
 


∑ (π t )i ×τ i   j 


λ = 0,05 ×   i =1
  τ on + τ off 

 + 3,3 .10 −3 
×


∑ (π )
n i × (∆Ti )0,68 


 × 10 − 9 / h
  i =1 

   
  

RENSEIGNEMENTS NECESSAIRES :
(tae)i : température ambiante moyenne extérieure à l’équipement lors de la ième phase du profil de mission.
(tac)i : température ambiante moyenne au voisinage des composants, là où le gradient de température s’annule.
(π t ) i : ième facteur de température lié à la ième température de couche du profil de mission du condensateur.
τi : ième pourcentage du temps de fonctionnement du condensateur à la ième température de couche du profil de mission.
y
τ on : pourcentage du temps total de fonctionnement du condensateur. On a τ o n = ∑i=1
τi

τ off : pourcentage du temps ou le condensateur est en stockage (ou en mode dormant).

(π n )i : i ème
facteur d’influence lié au nombre de cycles annuels de variation thermique vu par le condensateur, d’amplitude ∆Ti .
∆Ti :i ème
amplitude de variation thermique du profil de mission.
Tension continue appliquée au condensateur Voir note*
Valeur de crête de la tension alternative appliquée au condensateur Voir note*
Tension nominale du condensateur. Voir note*

πt
10
Répartition des défauts
Courts circuits 70%
Circuits ouverts 10%
Dérives 20%
1

Expression mathématique
du
ni ≤ 8760 (π n )i = ni0,76
0,1 Cycles/an
0 10 20 30 40 50 60 70 t A °C facteur d’influence (π n )i ni > 8760 (π n )i = 1,7 × ni0, 60
Température ambiante Cycles/an
ni : Nombre de cycles annuels d’amplitude ∆Ti
Facteur de température πt Pour une phase on/off ∆Ti = (t ac )i − (t ae )i
Pour une phase fonctionnement ∆Ti =moyenne par cycle de la
permanent, stockage ou dormant variation de (tae)i de la ième
Expression mathématique de π t phase du profil de mission.
 1 1 
1160 − 
 303 273+ t A 
πt = e avec t A : température ambiante

* NOTE : pour obtenir en exploitation des valeurs conformes aux taux de défaillances calculés avec ces formules, il faut avoir :
tension de crete
le rapport : inférieur ou égal à 0,5
tension nominale
avec : tension de crête = tension continue + valeur de crête de la tension alternative

UTE C 80-810 56
Spécification : CEI 60384-14

CONDENSATEURS EN CERAMIQUE
à coefficient de température non défini - TYPE II
CONDENSATEURS D’ANTIPARASITAGE (en céramique type II)

MODÈLE MATHÉMATIQUE
 y  
 

 1
∑ (π t )i ×τ i   j 


λ = 0,15 ×   i =
  τ on + τ off 

∑
−3 
 + 3,3.10 × 
 i =1
(π n )i × (∆Ti )   ×10 −9 / h
0,68 

 
 
   
 

RENSEIGNEMENTS NECESSAIRES :
(tae)i : température ambiante moyenne extérieure à l’équipement lors de la ième phase du profil de mission.
(tac)i : température ambiante moyenne au voisinage des composants, là où le gradient de température s’annule.
(π t ) i : ième facteur de température lié à la ième température de couche du profil de mission du condensateur.
τi : ième pourcentage du temps de fonctionnement du condensateur à la ième température de couche du profil de mission.
y
τ on : pourcentage du temps total de fonctionnement du condensateur. On a τ o n = ∑
i=1
τi

τ off : pourcentage du temps ou le condensateur est en stockage (ou en mode dormant).

(π n )i : i ème
facteur d’influence lié au nombre de cycles annuels de variation thermique vu par le condensateur, d’amplitude ∆Ti .
∆Ti : ième amplitude de variation thermique du profil de mission.
Tension continue appliquée au condensateur Voir note*
Valeur de crête de la tension alternative appliquée au condensateur Voir note*
Tension nominale du condensateur. Voir note*

πt 10
Répartition des Autres Condensateurs pour
défauts condensateurs en antiparasitage
céramique, type II
Courts circuits 90% 70%
1
Circuits ouverts 10% 30%

t A °C
0,1
0 10 20 30 40 50 60 70
Température ambiante
Expression mathématique ni ≤ 8760 (π n )i = ni0,76
πt
du
Facteur de température Cycles/an
facteur d’influence (π n )i ni > 8760 (π n )i = 1,7 × ni0, 60
Cycles/an
ni : Nombre de cycles annuels d’amplitude ∆Ti
Expression mathématique de π t Pour une phase on/off ∆Ti = (t ac )i − (t ae )i
 1
1160 −
1 

Pour une phase fonctionnement ∆Ti =moyenne par cycle de la
 303 273+ t A  permanent, stockage ou dormant variation de (tae)i de la ième
πt = e avec t A : température ambiante
phase du profil de mission.

* NOTE : pour obtenir en exploitation des valeurs conformes aux taux de défaillances calculés avec ces formules, il faut avoir :
tension de crete
• pour les condensateurs spécifiés en antiparasitage, le rapport : inférieur ou égal à 0,8
tension nominale
• pour les autres condensateurs non spécifiés en antiparasitage, ce même rapport doit être inférieur ou égal à 0,5

avec : tension de crête = tension continue + valeur de crête de la tension alternative

57 UTE C 80-810
 Spécification : CEI 60384

CONDENSATEURS AU TANTALE
ELECTROLYTE SOLIDE

MODÈLE MATHÉMATIQUE
 y  
 

 1
∑ (π t )i ×τ i   j 


λ = 0,4 ×   i =
  τ on + τ off 

 + 3,8.10 × ∑
−3 

 i =1
(π n )i × (∆Ti )   ×10− 9 / h
0,68 

 
 
   
 

RENSEIGNEMENTS NECESSAIRES :
(tae)i : température ambiante moyenne extérieure à l’équipement lors de la ième phase du profil de mission.
(tac)i : température ambiante moyenne au voisinage des composants, là où le gradient de température s’annule.
(π t ) i : ième facteur de température lié à la ième température de couche du profil de mission du condensateur.

τi : ième pourcentage du temps de fonctionnement du condensateur à la ième température de couche du profil de mission.
y
τ on : pourcentage du temps total de fonctionnement du condensateur. On a τ o n = ∑i=1
τi

τ off : pourcentage du temps ou le condensateur est en stockage (ou en mode dormant).

(π n )i : i ème
facteur d’influence lié au nombre de cycles annuels de variation thermique vu par le condensateur, d’amplitude ∆Ti .
∆Ti :i ème
amplitude de variation thermique du profil de mission.
Tension continue appliquée au condensateur Voir note 1
Valeur de crête de la tension alternative appliquée au condensateur Voir note 1
Tension nominale du condensateur. Voir note 1
Emplacement du condensateur Voir note 2

10
πt Courts circuits
Répartition des défauts
80%
Circuits ouverts 20%

t A °C
0,1
0 10 20 30 40 50 60 70
Température ambiante
Expression mathématique
du
ni ≤ 8760 (π n )i = ni0,76
Cycles/an
facteur d’influence (π n )i ni > 8760 (π n )i = 1,7 × ni0, 60
Facteur de température πt Cycles/an
ni : Nombre de cycles annuels d’amplitude ∆Ti
Pour une phase on/off ∆Ti = (t ac )i − (t ae )i
Expression mathématique de π t
 1 1  Pour une phase fonctionnement ∆Ti =moyenne par cycle de la
 − 
πt = e1740 303 273+ t A  avec t A : température ambiante permanent, stockage ou dormant variation de (tae)i de la ième
phase du profil de mission.

* NOTE 1 : pour obtenir en exploitation des valeurs conformes aux taux de défaillances calculés avec ces formules, il faut avoir :
tension de crete
le rapport : inférieur ou égal à 0,5
tension nominale
avec : tension de crête = tension continue + valeur de crête de la tension alternative

*NOTE 2 : Attention aux risques d’incendie, si le courant n’est pas limité (il est recommandé de mettre un fusible à l’intérieur d’une des branches
entre lesquelles le condensateur est positionné) .

UTE C 80-810 58
 CONDENSATEURS À L’ALUMINIUM
(ELECTROLYTE LIQUIDE)
DURÉE DE VIE

Le taux de défaillance des condensateurs électrolytiques à l’aluminium

ne peut être considéré comme constant que pendant une durée de
fonctionnement inférieure à la durée indiquée

Essais 1 2 345 6

1000000

Durée de vie Conditions de qualification (durée, température)

(heures) selon les types de condensateurs)
20 ans essai durée (heures) température (°C)
100000 1000 85
10 ans
1
5 ans 2 2000 85
3 5000 85
4 2000 105
10000 1 an 10 000 85
5
6 2000 125

t C °C
1000
0 20 40 60 80 100 120 140

Durée de vie en fonction du type d’essai

de qualification du condensateur

Avec : t C : température du condensateur, ou à défaut prendre

t C = t ambiante + 5° C

*NOTE 1 : La durée de vie dépend de la température de fonctionnement et des conditions de qualification (c’est à dire du type
de constitution technique)

*NOTE 2 : La température ambiante pour les condensateurs à l’aluminium liquide est celle qui règne dans un environnement
immédiat (on prendra en compte l’échauffement lié aux autres composants environnants)

Expression mathématique de la durée de vie

 (TM + 5) − TC 
 
 
 10 
Durée de vie (heures) = durée de l' essai de qualification × 2
avec TM : température maximale de la catégorie climatique

59 UTE C 80-810
 CONDENSATEURS À L’ALUMINIUM
ELECTROLYTE LIQUIDE Spécification : CEI 60384

MODÈLE MATHÉMATIQUE
 y  
 

 1
∑ (π t )i ×τ i   j 


λ = 1,3 ×   i =
  τ on + τ off 

 × π A + 1,4.10 ×∑
−3 

(π n )i × (∆Ti )   ×10− 9 / h
0,68 

  i =1  

   
 

RENSEIGNEMENTS NECESSAIRES :
(tae)i : température ambiante moyenne extérieure à l’équipement lors de la ième phase du profil de mission.
(tac)i : température ambiante moyenne au voisinage des composants, là où le gradient de température s’annule.
(π t ) i : ième facteur de température lié à la ième température de couche du profil de mission du condensateur.

τi : ième pourcentage du temps de fonctionnement du condensateur à la ième température de couche du profil de mission.
y
τ on : pourcentage du temps total de fonctionnement du condensateur. On a τ o n = ∑i=1
τi

τ off : pourcentage du temps ou le condensateur est en stockage (ou en mode dormant).

π A :facteur lié à l’auto-échauffement

(π n )i : ième facteur d’influence lié au nombre de cycles annuels de variation thermique vu par le condensateur, d’amplitude ∆Ti .
∆Ti :i ème
amplitude de variation thermique du profil de mission.
Tension continue appliquée au condensateur Voir note 1
Tension nominale du condensateur. Voir note 1
Valeur de crête des impulsions appliquée au condensateur
Valeur efficace maximale du courant sinusoïdal spécifié.

Attention !
La durée de vie des condensateurs à l’aluminium (liquide) est limitée
et très sensible à la température
πt
10

Répartition des défauts

Selon la tension nominale < 350 v ≥350 v
Courts circuits 30% 50%
1 Circuits ouverts 30% 0%
Dérives 40% 50%

Expression mathématique
du
ni ≤ 8760 (π n )i = ni0,76
Cycles/an
(π n )i (π n )i
0,1
t c °C
facteur d’influence ni > 8760 = 1,7 × ni0, 60
0 10 20 30 40 50 60 70 80
Température du boîtier Cycles/an
ni : Nombre de cycles annuels d’amplitude ∆Ti
 t 
Facteur de température πt Pour une phase on/off ∆Ti = (t ac )i + R  − (t ae )i
 3
Expression mathématique de π t
Pour une phase fonctionnement ∆Ti =moyenne par cycle de la
 1 1  permanent, stockage ou dormant variation de (tae)i de la ième
 − 
πt = e 4640 313 273+ t R  avec t R : température du composant phase du profil de mission.

Valeur de crête des impulsions πA

(régime en impulsions)
Température du condensateur t R °C:
Rapport ≤ 1,5 1
ATTENTION !
La température du condensateur peut être différente de la valeur de crete desimpusions 1,5 à 2 3
température ambiante si le condensateur est traversé par du courant valeur efficace maximale du courant sinusoidal
(en impulsions notamment)) ou s’il est chauffé par un composant 2à3 10
voisin dissipant de l’énergie :
• Mesurer la température du boîtier
• A défaut * NOTE 1 : pour obtenir en exploitation des valeurs conformes aux
! tenir compte de la dissipation des composants voisins taux de défaillances calculés avec ces formules, il faut avoir :
! tenir compte de l’élévation de température ∆t due au le rapport :
tension de crete
inférieur ou égal à 0,5
tension nominale
courant le traversant avec :
2
avec : tension de crête = tension continue + valeur de crête de la
 valeur efficace réelle du courant  tension alternative
 
 valeur efficace maximale du courant sinusoidall 
∆t = 20

UTE C 80-810 60
Spécification : CEI 60384

CONDENSATEURS À L’ALUMINIUM
(ELECTROLYTE SOLIDE)

MODÈLE MATHÉMATIQUE
 y  
 
 ∑
 1
(π t )i ×τ i   j 


λ = 2,4 ×   i =
τ +
  on off  τ
 −3 
 + 1,4.10 ×  ∑ (π n )i × (∆Ti )   ×10− 9 / h
0,68 

  i =1  

   
 

RENSEIGNEMENTS NECESSAIRES :
(tae)i : température ambiante moyenne extérieure à l’équipement lors de la ième phase du profil de mission.
(tac)i : température ambiante moyenne au voisinage des composants, là où le gradient de température s’annule.
(π t ) i : ième facteur de température lié à la ième température de couche du profil de mission du condensateur.
τi : ième pourcentage du temps de fonctionnement du condensateur à la ième température de couche du profil de mission.
y
τ on : pourcentage du temps total de fonctionnement du condensateur. On a τ o n = ∑i=1
τi

τ off : pourcentage du temps ou le condensateur est en stockage (ou en mode dormant).

(π n )i : i ème
facteur d’influence lié au nombre de cycles annuels de variation thermique vu par le condensateur, d’amplitude ∆Ti .
∆Ti :i ème
amplitude de variation thermique du profil de mission.
Tension continue appliquée au condensateur Voir note*
Valeur de crête de la tension alternative appliquée au condensateur Voir note*
Tension nominale du condensateur. Voir note*

πt 10
Répartition des défauts
Courts circuits 10%
Circuits ouverts 90%
1

0,1 t c °C

0 10 20 30 40 50 60 70 80
Température ambiante Expression mathématique
du
ni ≤ 8760 (π n )i = ni0,76
Cycles/an

Facteur de température πt facteur d’influence (π n )i ni > 8760 (π n )i = 1,7 × ni0, 60

Cycles/an
ni : Nombre de cycles annuels d’amplitude ∆Ti
Pour une phase on/off ∆Ti = (t ac )i − (t ae )i
Expression mathématique de π t
Pour une phase fonctionnement ∆Ti =moyenne par cycle de la
 1 1 
 −  permanent, stockage ou dormant variation de (tae)i de la ième
π t = e1740 313 273+ t A  avec t A : température ambiante phase du profil de mission.

* NOTE : pour obtenir en exploitation des valeurs conformes aux taux de défaillances calculés avec ces formules, il faut avoir :
tension de crete
le rapport : inférieur ou égal à 0,8
tension nominale
avec : tension de crête = tension continue + valeur de crête de la tension alternative

61 UTE C 80-810
Spécification : CEI 60384

CONDENSATEURS À L’ALUMINIUM
(ELECTROLYTE POLYMÈRE)

MODÈLE MATHÉMATIQUE
 y  
 
 ∑
 1
(π t )i × τ i   j 


λ = 0,6 ×   i =
τ +
  on off  τ

∑
−3 
 + 1,4.10 ×  (π n )i × (∆Ti )   ×10− 9 / h
0,68 

  i =1  

   
 

RENSEIGNEMENTS NECESSAIRES :
(tae)i : température ambiante moyenne extérieure à l’équipement lors de la ième phase du profil de mission.
(tac)i : température ambiante moyenne au voisinage des composants, là où le gradient de température s’annule.
(π t ) i : ième facteur de température lié à la ième température de couche du profil de mission du condensateur.
τi : ième pourcentage du temps de fonctionnement du condensateur à la ième température de couche du profil de mission.
y
τ on : pourcentage du temps total de fonctionnement du condensateur. On a τ o n = ∑i=1
τi

τ off : pourcentage du temps ou le condensateur est en stockage (ou en mode dormant).

(π n )i : i ème
facteur d’influence lié au nombre de cycles annuels de variation thermique vu par le condensateur, d’amplitude ∆Ti .
∆Ti :i ème
amplitude de variation thermique du profil de mission.
Tension continue appliquée au condensateur Voir note*
Valeur de crête de la tension alternative appliquée au condensateur Voir note*
Tension nominale du condensateur. Voir note*

10
πt
Répartition des défauts
Courts circuits 10%
Circuits ouverts 90%
1

t c °C
0,1
0 10 20 30 40 50 60 70 80
Température ambiante
Expression mathématique
du
ni ≤ 8760 (π n )i = ni0,76
Facteur de température πt Cycles/an
facteur d’influence (π n )i ni > 8760 (π n )i = 1,7 × ni0, 60
Cycles/an
ni : Nombre de cycles annuels d’amplitude ∆Ti
Pour une phase on/off ∆Ti = (t ac )i − (t ae )i
Expression mathématique de π t
 1 1  Pour une phase fonctionnement ∆Ti =moyenne par cycle de la
 − 
π t = e1740 313 273+ t A  avec t A : température ambiante permanent, stockage ou dormant variation de (tae)i de la ième
phase du profil de mission.

* NOTE : pour obtenir en exploitation des valeurs conformes aux taux de défaillances calculés avec ces formules, il faut avoir :
tension de crete
le rapport : inférieur ou égal à 0,8
tension nominale
avec : tension de crête = tension continue + valeur de crête de la tension alternative

UTE C 80-810 62
Spécification : CEI 60384

CONDENSATEURS VARIABLES
DISQUES (DIÉLECTRIQUES :CÉRAMIQUES)

MODÈLE MATHÉMATIQUE
 y  
 
 ∑
 1
(π t )i ×τ i   j 

λ = 0,16 ×   i =
  τ on + τ off 

∑
−3 
 + 3,3.10 × 
 i =1
(π n )i × (∆Ti )   ×10− 9 / h
0,68 

 
 
   
 

RENSEIGNEMENTS NECESSAIRES :
(tae)i : température ambiante moyenne extérieure à l’équipement lors de la ième phase du profil de mission.
(tac)i : température ambiante moyenne au voisinage des composants, là où le gradient de température s’annule.
(π t ) i : ième facteur de température lié à la ième température de couche du profil de mission du condensateur.

τi : ième pourcentage du temps de fonctionnement du condensateur à la ième température de couche du profil de mission.
y
τ on : pourcentage du temps total de fonctionnement du condensateur. On a τ o n = ∑i=1
τi

τ off : pourcentage du temps ou le condensateur est en stockage (ou en mode dormant).

(π n )i : i ème
facteur d’influence lié au nombre de cycles annuels de variation thermique vu par le condensateur, d’amplitude ∆Ti .
∆Ti :i ème
amplitude de variation thermique du profil de mission.
Tension continue appliquée au condensateur Voir note*
Valeur de crête de la tension alternative appliquée au condensateur Voir note*
Tension nominale du condensateur. Voir note*

πt 10

Répartition des défauts

Courts circuits 40%
1 Circuits ouverts 10%
Dérives 50%

0,1 t c °C
0 10 20 30 40 50 60 70
ni ≤ 8760 (π n )i
Température ambiante
Facteur de température πt
Expression mathématique
du = ni0,76
Cycles/an
facteur d’influence (π n )i ni > 8760 (π n )i = 1,7 × ni0, 60
Cycles/an
ni : Nombre de cycles annuels d’amplitude ∆Ti
Pour une phase on/off ∆Ti = (t ac )i − (t ae )i
Expression mathématique de π t
Pour une phase fonctionnement ∆Ti =moyenne par cycle de la
 1 1 
 −  permanent, stockage ou dormant variation de (tae)i de la ième
π t = e1740 303 273+ t A  avec t A : température ambiante phase du profil de mission.

* NOTE : pour obtenir en exploitation des valeurs conformes aux taux de défaillances calculés avec ces formules, il faut avoir :
tension de crete
le rapport : inférieur ou égal à 0,5
tension nominale
avec : tension de crête = tension continue + valeur de crête de la tension alternative

63 UTE C 80-810
Spécification : CEI 60539

THERMISTANCE
à coefficient de température négatif (CTN)

MODÈLE MATHÉMATIQUE
 y  
  ∑ (π t )i ×τ i   
0,68 
j
λ = 3 ×   i =1  + 2, 7.10 −3 ×  ∑ (π n )i × ( ∆Ti )   ×10 −9 / h
  τ on + τ off   i =1 
  
  

RENSEIGNEMENTS NECESSAIRES :
(tae)i : température ambiante moyenne extérieure à l’équipement lors de la ième phase du profil de mission.
(tac)i : température ambiante moyenne au voisinage des composants, là où le gradient de température s’annule.
(π t ) i : ième facteur de température lié à la ième température de couche du profil de mission de la thermistance.
τi : ième pourcentage du temps de fonctionnement de la thermistance à la ième température de couche du profil de mission.
y
τ on : pourcentage du temps total de fonctionnement de la thermistance. On a τ o n = ∑i=1
τi

τ off : pourcentage du temps ou la thermistance est en stockage (ou en mode dormant).

(π n )i : i ème
facteur d’influence lié au nombre de cycles annuels de variation thermique vu par la thermistance, d’amplitude ∆Ti .
∆Ti :i ème
amplitude de variation thermique du profil de mission.

πt Répartition des défauts

10 Courts circuits 70%
Circuits ouverts 10%
Dérives 20%

0,1
0 10 20 30 40 50 60 70 t A °C
Expression mathématique
du
ni ≤ 8760 (π n )i = ni0,76
Cycles/an
Température ambiante
facteur d’influence (π n )i ni > 8760 (π n )i = 1,7 × ni0, 60
πt
Cycles/an
Facteur de température
ni : Nombre de cycles annuels d’amplitude ∆Ti
Expression mathématique de π t Pour une phase on/off ∆Ti = (t ac )i − (t ae )i
 1 1  Pour une phase fonctionnement ∆Ti =moyenne par cycle de la
1160 − 
πt = e  303 273+ t A 
avec t A : température ambiante permanent, stockage ou dormant variation de (tae)i de la ième
phase du profil de mission.

UTE C 80-810 64
RÉSISTANCES ET
POTENTIOMÈTRES

65 UTE C 80-810
Spécification : CEI 60115

RÉSISTANCES FIXES À COUCHE À FAIBLE DISSIPATION

HAUTE STABILITÉ (RS), D’EMPLOI COURANT (RC), “ MINIMELF ”

MODÈLE MATHÉMATIQUE
 y  
 


∑ (π )
t i × τ 
i  j 
0,68  

λ = 0,1 ×   i =1
  τ on + τ off 
 + 1,4.10− 3 × 
  ∑
 i =1
(π )
n i × (∆Ti ) 
 × 10 − / h
 
9

 
  
 

RENSEIGNEMENTS NECESSAIRES :
(tae)i : température ambiante moyenne extérieure à l’équipement lors de la ième phase du profil de mission.
(tac)i : température ambiante moyenne au voisinage des composants, là où le gradient de température s’annule.
(π t ) i : ième facteur de température lié à la ième température de couche du profil de mission de la résistance.

τi : ième pourcentage du temps de fonctionnement de la résistance à la ième température de couche du profil de mission.
y
τ on : pourcentage du temps total de fonctionnement de la résistance. On a τ o n = ∑
i=1
τi

τ off : pourcentage du temps ou la résistance est en stockage (ou en mode dormant).

(π n )i : i ème
facteur d’influence lié au nombre de cycles annuels de variation thermique vu par de la résistance, d’amplitude ∆Ti .
∆Ti :i ème
amplitude de variation thermique du profil de mission.
Puissance appliquée à la résistance.
Puissance nominale de la résistance.

πt

10
Répartition des défauts
Circuits ouverts 40%
Dérives 60%
1

0,1 t R (° C )
0 20 40 60 80 100 120 140 160

Température de la résistance
Pour information :
Puissance appliquée à ne pas dépasser (puissance maximale)

Expression mathématique de π t
Puissance maximale
 1 1  avec Rapport :
 −  Puissance nominale
πt = e1740 303 273+ t R  t R = température de la résistance
t R = température ambiante
1
Puissance appliquée
t R = t A + 85 ×
Puissance no min ale

Expression mathématique
du
ni ≤ 8760 (π n )i = ni0,76
Cycles/an
facteur d’influence (π n )i ni > 8760 (π n )i = 1,7 × ni0, 60
Cycles/an
ni : Nombre de cycles annuels d’amplitude ∆Ti 0
Pour une phase on/off ∆Ti = (t ac )i − (t ae )i
0 70 155 t A °C
Pour une phase fonctionnement ∆Ti =moyenne par cycle de la Température ambiante
permanent, stockage ou dormant variation de (tae)i de la ième
phase du profil de mission.

UTE C 80-810 66
Spécification : CEI 60115

RÉSISTANCES FIXES AGGLOMEREES

MODÈLE MATHÉMATIQUE
 y  
 


∑ (πt )i × τi   j 
0,68  

λ = 0,5 ×   i =1
  τon + τoff 
 + 1,4.10− 3 × 
 

∑ (π )
n i × (∆ Ti )  

× 10−9 / h
  i =1 

  
  

RENSEIGNEMENTS NECESSAIRES :
(tae)i : température ambiante moyenne extérieure à l’équipement lors de la ième phase du profil de mission.
(tac)i : température ambiante moyenne au voisinage des composants, là où le gradient de température s’annule.
(π t ) i : ième facteur de température lié à la ième température de couche du profil de mission de la résistance.
τi : ième pourcentage du temps de fonctionnement de la résistance à la ième température de couche du profil de mission.
y
τ on : pourcentage du temps total de fonctionnement de la résistance. On a τ o n = ∑ i=1
τi

τ off : pourcentage du temps ou la résistance est en stockage (ou en mode dormant).

(π n )i : i ème
facteur d’influence lié au nombre de cycles annuels de variation thermique vu par de la résistance, d’amplitude ∆Ti .
∆Ti :i ème
amplitude de variation thermique du profil de mission.
Puissance appliquée à la résistance.
Puissance nominale de la résistance.

πt
10

Répartition des défauts

1 Court circuits 0%
Circuits ouverts 100%

0,1 tR (°C)
0 20 40 60 80 100 120 140 160

Température de la résistance

Expression mathématique de π t
avec
t R = température de la résistance
 1 1 
 − 
πt = e1740 303 273+ t R  t A = température ambiante Pour information :
Puissance appliquée à ne pas dépasser (puissance maximale)
t M = température de la catégorie climatique ,
pour t M = 130°C
Puissance maximale
Puissance appliquée Rapport :
t R = t A + 60 × Puissance nominale
Puissance nominale
pour t M = 150°C
1
Puissance appliquée
t R = t A + 80 ×
Puissance no min ale

Expression mathématique
du
ni ≤ 8760 (π n )i = ni0,76
Cycles/an
facteur d’influence (π n )i ni > 8760 (π n )i = 1,7 × ni0, 60
Cycles/an
t M = 150°C
ni : Nombre de cycles annuels d’amplitude ∆Ti
Pour une phase on/off ∆Ti = (t ac )i − (t ae )i 0 t M = 130°C t A °C
Pour une phase fonctionnement ∆Ti =moyenne par cycle de la 0 70 130 150
permanent, stockage ou dormant variation de (tae)i de la ième
phase du profil de mission. Température ambiante

67 UTE C 80-810
 Spécification : CEI 60115

RÉSISTANCES FIXES À COUCHE À FORTE DISSIPATION

MODÈLE MATHÉMATIQUE
 y  
 
 ∑
 i 1
(π t )i × τ i   j 
0,68  

λ = 0,4 ×   =
  τ on + τ off 
 −3 
 + 1,4.10 ×  ∑ (π n )i × (∆Ti )   × 10−9 / h

  i =1  

  
 

RENSEIGNEMENTS NECESSAIRES :
(tae)i : température ambiante moyenne extérieure à l’équipement lors de la ième phase du profil de mission.
(tac)i : température ambiante moyenne au voisinage des composants, là où le gradient de température s’annule.
(π t ) i : ième facteur de température lié à la ième température de couche du profil de mission de la résistance.
τi : ième pourcentage du temps de fonctionnement de la résistance à la ième température de couche du profil de mission.
y
τ on : pourcentage du temps total de fonctionnement de la résistance. On a τ o n = ∑
i=1
τi

τ off : pourcentage du temps ou la résistance est en stockage (ou en mode dormant).

(π n )i : i ème
facteur d’influence lié au nombre de cycles annuels de variation thermique vu par de la résistance, d’amplitude ∆Ti .
∆Ti :i ème
amplitude de variation thermique du profil de mission.
Puissance appliquée à la résistance.
Puissance nominale de la résistance.

πt
10

Répartition des défauts

Courts-circuits 0%
Circuits ouverts 100%
1

t R ( ° C)
0,1
0 20 40 60 80 100 120 140 160

Température de la résistance

Pour information :
Puissance appliquée à ne pas dépasser (puissance maximale)
Expression mathématique de π t
avec Puissance maximale
Rapport :
t R = température de la résistance Puissance nominale
 1 1 
 − 
π t = e1740 303 273+ t R  t A = température ambiante 1
Puissance appliquée
t R = t A + 130 ×
Puissance no min ale

Expression mathématique
du
ni ≤ 8760 (π n )i = ni0,76
Cycles/an
facteur d’influence (π n )i ni > 8760 (π n )i = 1,7 × ni0, 60
Cycles/an
ni : Nombre de cycles annuels d’amplitude ∆Ti 0

 t 
Pour une phase on/off ∆Ti = (t ac )i + R  − (t ae )i 0 70 200
 3
Température ambiante t A °C
Pour une phase fonctionnement ∆Ti =moyenne par cycle de la
permanent, stockage ou dormant variation de (tae)i de la ième
phase du profil de mission.

UTE C 80-810 68
Spécification : CEI 60115

RÉSISTANCES FIXES BOBINÉES DE PRÉCISION

FAIBLE DISSIPATION
MODÈLE MATHÉMATIQUE
 y  
 
 ∑
  i =1
(π t )i × τ i   j 

λ = 0,3 ×  
  τ on + τ off 
 −3 
 + 1,4.10 × ∑
 i =1
(π n )i × (∆Ti )   × 10−9 / h
0,68 

 
 
 
  

RENSEIGNEMENTS NECESSAIRES :
(tae)i : température ambiante moyenne extérieure à l’équipement lors de la ième phase du profil de mission.
(tac)i : température ambiante moyenne au voisinage des composants, là où le gradient de température s’annule.
(π t ) i : ième facteur de température lié à la ième température de couche du profil de mission de la résistance.
τi : ième pourcentage du temps de fonctionnement de la résistance à la ième température de couche du profil de mission.
y
τ on : pourcentage du temps total de fonctionnement de la résistance. On a τ o n = ∑
i=1
τi

τ off : pourcentage du temps ou la résistance est en stockage (ou en mode dormant).

(π n )i : i ème
facteur d’influence lié au nombre de cycles annuels de variation thermique vu par de la résistance, d’amplitude ∆Ti .
∆Ti :i ème
amplitude de variation thermique du profil de mission.
Puissance appliquée à la résistance.
Puissance nominale de la résistance.

πt
10
Répartition des défauts
Courts-circuits 0%
Circuits ouverts 100%

t R ( ° C)
0,1
0 20 40 60 80 100 120 140 160

Température de la résistance Pour information :

Puissance appliquée à ne pas dépasser (puissance maximale)
Puissance maximale
Rapport :
Expression mathématique de π t Puissance nominale

avec
t R = température de la résistance
 1 1 
 −  1
πt = e1740 303 273+ t R  t A = température ambiante
Puissance appliquée
t R = t A + 30 ×
Puissance no min ale

Expression mathématique
du
ni ≤ 8760 (π n )i = ni0,76
Cycles/an
facteur d’influence (π n )i ni > 8760 (π n )i = 1,7 × ni0, 60
Cycles/an
ni : Nombre de cycles annuels d’amplitude ∆Ti 0

Pour une phase on/off ∆Ti = (t ac )i − (t ae )i 0 125 155

Pour une phase fonctionnement ∆Ti =moyenne par cycle de la Température ambiante t A °C
permanent, stockage ou dormant variation de (tae)i de la ième
phase du profil de mission.

69 UTE C 80-810
Spécification : CEI 60115

RÉSISTANCES FIXES BOBINÉES À FORTE DISSIPATION

MODÈLE MATHÉMATIQUE
 y  
 

 i 1
∑ (π t )i × τ i   j 
0,68  

λ = 0,4 ×   =
  τ on + τ off 
 −3 
 + 1,4.10 ×  ∑
(π n )i × (∆Ti )   × 10−9 / h

  i =1  

  
 

RENSEIGNEMENTS NECESSAIRES :
(tae)i : température ambiante moyenne extérieure à l’équipement lors de la ième phase du profil de mission.
(tac)i : température ambiante moyenne au voisinage des composants, là où le gradient de température s’annule.
(π t ) i : ième facteur de température lié à la ième température de couche du profil de mission de la résistance.
τi : ième pourcentage du temps de fonctionnement de la résistance à la ième température de couche du profil de mission.
y
τ on : pourcentage du temps total de fonctionnement de la résistance. On a τ o n = ∑i=1
τi

τ off : pourcentage du temps ou la résistance est en stockage (ou en mode dormant).

(π n )i : i ème
facteur d’influence lié au nombre de cycles annuels de variation thermique vu par de la résistance, d’amplitude ∆Ti .
∆Ti :i ème
amplitude de variation thermique du profil de mission.
Puissance appliquée à la résistance.
Puissance nominale de la résistance.

π t
10

Répartition des défauts

Courts-circuits 0%
1 Circuits ouverts 100%

t R ( ° C)
0,1
0 20 40 60 80 100 120 140 160

Température de la résistance
Pour information :
Puissance appliquée à ne pas dépasser (puissance maximale)
Expression mathématique de π t
avec Puissance maximale
Rapport :
t R = température de la résistance Puissance nominale
 1 1 
 − 
π t = e1740 303 273+ t R  t A = température ambiante
Puissance appliquée 1
t R = t A + 130 ×
Puissance no min ale

Expression mathématique
du
ni ≤ 8760 (π n )i = ni0,76
Cycles/an
facteur d’influence (π n )i ni > 8760 (π n )i = 1,7 × ni0, 60
Cycles/an
ni : Nombre de cycles annuels d’amplitude ∆Ti
0
 t 
Pour une phase on/off ∆Ti = (t ac )i + R  − (t ae )i 0
70 200
 3 t A °C
Température ambiante
Pour une phase fonctionnement ∆Ti =moyenne par cycle de la
permanent, stockage ou dormant variation de (tae)i de la ième
phase du profil de mission.

UTE C 80-810 70
Spécification : CEI 60115

RÉSISTANCES FIXES OU RÉSEAUX RÉSISTIFS EN PAVÉS À

FAIBLE DISSIPATION POUR MONTAGE EN SURFACE
MODÈLE MATHÉMATIQUE
 y  
 

  i =1
∑(π )
t i × τ 
i  j  
λ = 0,01 ×  
  τ on + τ off 
 × N + 3,3.10−3 × 
  ∑
 i =1
(π n )i × (∆Ti )0,68   × 10−9 / h
 
 
 
  

RENSEIGNEMENTS NECESSAIRES :
(tae)i : température ambiante moyenne extérieure à l’équipement lors de la ième phase du profil de mission.
(tac)i : température ambiante moyenne au voisinage des composants, là où le gradient de température s’annule.
(π t ) i : ième facteur de température lié à la ième température de couche du profil de mission de la résistance.
τi : ième pourcentage du temps de fonctionnement de la résistance à la ième température de couche du profil de mission.
y
τ on : pourcentage du temps total de fonctionnement de la résistance. On a τ o n = ∑i=1
τi

τ off : pourcentage du temps ou la résistance est en stockage (ou en mode dormant).

N : nombre de résistances du réseau résistif.
(π n )i : i ème
facteur d’influence lié au nombre de cycles annuels de variation thermique vu par de la résistance, d’amplitude ∆Ti .
∆Ti :i ème
amplitude de variation thermique du profil de mission.
Puissance appliquée à la résistance.
Puissance nominale de la résistance.

πt Expression mathématique ni ≤ 8760 (π n )i = ni0,76

du
10 Cycles/an
facteur d’influence (π n )i ni > 8760 (π n )i = 1,7 × ni0, 60
Cycles/an
ni : Nombre de cycles annuels d’amplitude ∆Ti
1 Pour une phase on/off ∆Ti = (t ac )i − (t ae )i
Pour une phase fonctionnement ∆Ti =moyenne par cycle de la
permanent, stockage ou dormant variation de (tae)i de la ième
phase du profil de mission.
0,1 t R (°C )
0 20 40 60 80 100 120 140 160
Température de la résistance

Pour information :
Expression mathématique de π t Puissance appliquée à ne pas dépasser (puissance maximale)
avec
t R = température de la résistance Puissance maximale
 1 1  Rapport :
 −  Puissance nominale
πt = e1740 303 273+ t R  t A = température ambiante

t M = température de la catégorie climatique , 1

pour t M = 125° C
Puissance appliquée
t R = t A + 55 ×
Puissance no min ale
pour t M = 155° C
Puissance appliquée
t R = t A + 85 ×
Puissance no min ale

tM = 155° C

tM = 125° C t A °C
0
Répartition des défauts
Dérives 60% 0 70 125 155
Circuits ouverts 40%
Température ambiante

71 UTE C 80-810
Spécification : CEI 60393

POTENTIOMÈTRES NON BOBINÉS (“ CERMET ”)

(UN OU PLUSIEURS TOURS)

MODÈLE MATHÉMATIQUE
 y  
 ∑
  (π ) × τ 
t i i
  j 


λ = 0,3 ×   i =1
  τ on + τ off 
 ∑
× π Y + 1,2.10 −3 ×  (π n )i × (∆Ti )0,68   × 10− 9 / h
 i =1  
  
 
  

RENSEIGNEMENTS NECESSAIRES :
(tae)i : température ambiante moyenne extérieure à l’équipement lors de la ième phase du profil de mission.
(tac)i : température ambiante moyenne au voisinage des composants, là où le gradient de température s’annule.
(π t ) i : ième facteur de température lié à la ième température de couche du profil de mission de la résistance.
τi : ième pourcentage du temps de fonctionnement de la résistance à la ième température de couche du profil de mission.
y
τ on : pourcentage du temps total de fonctionnement de la résistance. On a τ o n = ∑ i=1
τi

τ off : pourcentage du temps ou la résistance est en stockage (ou en mode dormant).

πY : facteur lié au nombre de manœuvres annuelle.

(π n )i : i ème
facteur d’influence lié au nombre de cycles annuels de variation thermique vu par de la résistance, d’amplitude ∆Ti .
∆Ti :i ème
amplitude de variation thermique du profil de mission.

RL et RP pour le calcul de πW
Puissance appliquée à la résistance.
Puissance nominale de la résistance.

Répartition des défauts

Circuits ouverts 80%
Dérives 20%
πt 10
Nombrede manoeuvres par an πY
≤ 10 0,2
> 10 1
1
πW 12
10
8
0,1 t R ( ° C)
6
0 20 40 60 80 100 120 140 160 V RP RL
4
Température de la résistance
2
0 RP/RL
0,1 1 10

Expressions mathématiques de π t , et de π Pour information :

W Puissance appliquée à ne pas dépasser (puissance maximale)
avec Puissance maximale
t R = température de la résistance Rapport :
 1 1  Puissance nominale
 − 
πt = e1740 303 273+ t R  t A = température ambiante
tM = 125° C
1
t M = température de la catégorie climatique ,
pour t M = 125° C
et tM = 155° C
Pour information : V2
× πW
Rp
t R = t A + 55 ×
1  RP2 R  Puissance nominale
πW = 1 +  + P
2  4 R L 2 R L  pour t M = 155° C
V2
× πW 0
Rp 0 t A °C
t R = t A + 70 × 70 80 125 155
Puissance nominale

UTE C 80-810 72
Spécification : CEI 60393

POTENTIOMÈTRES NON BOBINÉS (“ CERMET ”)

(UN OU PLUSIEURS TOURS) - suite

Expression mathématique
du
ni ≤ 8760 (π n )i = ni0,76
Cycles/an
facteur d’influence (π n )i ni > 8760 (π n )i = 1,7 × ni0, 60
Cycles/an
ni : Nombre de cycles annuels d’amplitude ∆Ti
Pour une phase on/off ∆Ti = (t ac )i − (t ae )i
Pour une phase fonctionnement ∆Ti =moyenne par cycle de la
permanent, stockage ou dormant variation de (tae)i de la ième
phase du profil de mission.

73 UTE C 80-810
 INDUCTANCES ET TRANSFORMATEURS

UTE C 80-810 74
Spécification : CEI 61248

INDUCTANCES ET TRANSFORMATEURS
MODÈLE MATHÉMATIQUE
 y  

 ∑ (π t )i × τ i  
 + 7.10 −3 ×  (π ) × (∆T )0, 68   × 10 −9 / h
j

λ = λ 0 ×   i =1
  τ on + τ off
 ∑

 i =1
n i i 
 

  
 

RENSEIGNEMENTS NECESSAIRES :
(tae)i : température ambiante moyenne extérieure à l’équipement lors de la ième phase du profil de mission.
(tac)i : température ambiante moyenne au voisinage des composants, là où le gradient de température s’annule.
(π t ) i : ième facteur de température lié à la ième température de couche du profil de mission du composant.
τi : ième pourcentage du temps de fonctionnement du composant à la ième température de couche du profil de mission.
y
τ on : pourcentage du temps total de fonctionnement du composant. On a τ on = ∑i=1
τi

τ off : pourcentage du temps ou le composant est en stockage (ou en mode dormant).

(π n )i : i ème
facteur d’influence lié au nombre de cycles annuels de variation thermique vu par le composant, d’amplitude ∆Ti .
∆Ti :i ème
amplitude de variation thermique du profil de mission.
Puissance dissipée par le composant.
Surface de dissipation du composant.

πt
Expression mathématique
du
ni ≤ 8760 (π n )i = ni0,76
Cycles/an
facteur d’influence (π n )i ni > 8760 (π n )i = 1,7 × ni0, 60
10 Cycles/an
ni : Nombre de cycles annuels d’amplitude ∆Ti
Pour une phase on/off, d’une inductance ∆Ti = (t ac )i − (t ae )i
à faible courant
1 Pour une phase on/off, d’une inductance  t 
à fort courant ∆Ti = (tac )i + R  − (tae )i
 3
Pour une phase fonctionnement ∆Ti =moyenne par cycle de la
permanent, stockage ou dormant variation de (tae)i de la ième
0,1
0 20 40 60 80 100 120 140 160 tR (°C) phase du profil de mission.
Température de la résistance

Taux de défaillance à faible température en FIT λ0

fixe 0,2
pour courants
faibles
Inductance variable 0,4

pour courants forts 0,6

(50 Hz, découpage,filtrage)
Expression mathématique de π t
pour petits signaux 1,5
 1 1  avec : Transformateur de puissance 3
 − 
πt = e1740 303 273+ t R  t R = températur e du composant
t A = température ambiante autour du composan
Répartition des défauts
Puissance dissipée Courts-circuits 20%
t R = t A + 8,2 × Circuits ouverts 80%
Surface de dissipation (dm 2 )

75 UTE C 80-810
 COMPOSANTS PASSIFS POUR MICROONDES
COMPOSANTS PIEZOELECTRIQUES
COMPOSANTS A ONDE DE SURFACE

UTE C 80-810 76
Spécifications : CEI 61261 – CEI 61019 – CEI 60368

COMPOSANTS PASSIFS POUR MICROONDES

COMPOSANTS PIEZOELECTRIQUES ET ONDE DE SURFACE

MODÈLE MATHÉMATIQUE
 τ   j 
λ = λ 0 ×   on
  τ on + τ off 
∑
 + 3.10 ×  (π n )i × (∆Ti )
−3
 i =1
0,68  
 
×10 −9 / h
  

RENSEIGNEMENTS NECESSAIRES :
(tae)i : température ambiante moyenne extérieure à l’équipement lors de la ième phase du profil de mission.
(tac)i : température ambiante moyenne au voisinage des composants, là où le gradient de température s’annule.
τi : ième pourcentage du temps de fonctionnement du composant à la ième température de couche du profil de mission.
y
τ on : pourcentage du temps total de fonctionnement du composant. On a τ on = ∑
i=1
τi

τ off : pourcentage du temps ou le composant est en stockage (ou en mode dormant).

(π n )i : i ème
facteur d’influence lié au nombre de cycles annuels de variation thermique vu par le composant, d’amplitude ∆Ti .
∆Ti :i ème
amplitude de variation thermique du profil de mission.

λ0
Expression mathématique
du
ni ≤ 8760 (π n )i = ni0,76
Type de composants Cycles/an

Composants passifs fixes

FIT
2
facteur d’influence (π n )i ni > 8760 (π n )i = 1,7 × ni0, 60
Cycles/an
pour variables 4
microondes avec ferrites 4 ni : Nombre de cycles annuels d’amplitude ∆Ti
Pour une phase on/off, d’un composant
∆Ti = (t ac )i − (t ae )i
Résonateurs et filtres à quartz ou
céramique 5 passif micronde, pézoélectrique ou onde
Composants
de surface
piézoélectriques Oscillateurs : XO, PXO 10
Oscillateurs : VCXO, TCXO 15
Pour une phase fonctionnement ∆Ti =moyenne par cycle de la
permanent, stockage ou dormant
Oscillateurs : OCXO 30 variation de (tae)i de la ième
Filtres à onde de surface 15 phase du profil de mission.

77 UTE C 80-810
-

RELAIS

UTE C 80-810 78
-

RELAIS

ÉVALUATION DE LA TENSION Vt ET DU COURANT It, EN RÉGIME TRANSITOIRE

(TENSION AUX BORNES D’UN CONTACT ET COURANT TRAVERSANT LE CONTACT)

1. MÉTHODE A PREFERER

La méthode à préférer est la mesure Vt, It, en régime transitoire, ou leur évaluation à partir de l’analyse du schéma réel.

2. MÉTHODE PAR DEFAUT

A défaut, on adoptera les méthodes suivantes (selon le degré de connaissances que l’on a sur le circuit).

2.1 Calculer ou mesurer la tension et le courant V, I en régime établi (Tension aux bornes, Courant traversant
le contact).
2.2 Déterminer le schéma équivalent de la figure 1, à partir du schéma réel.

R1 L R2

Lp
Cp (protection)

C
Contact

Figure 1 : schéma équivalent du circuit d’un contact de relais

2.2.1 L’inductance L a pour valeur la somme des valeurs de toutes les inductances en série dans le circuit
réel du contact (on ne retient que les inductances de plus de 100µH et on ne tient pas compte de
l’inductance de protection L p )
2.2.2 Le condensateur C a pour valeur de capacité la somme des capacités des condensateurs qui se
trouvent aux bornes du contact dans le circuit réel : on ne retient que les condensateurs de plus de
100pf et situés dans la zone délimitée par le contact et la première inductance de plus de 100µH du
circuit réel (figure 2). On tient compte de la capacité de la ligne (100pf par mètre).(On ne tient pas
compte du condensateur de protection C p ).

>100µH <100µH

Contact

Zone délimitant
l'emplacement des
condensateurs à retenir
(schéma réel)

Figure 2 : emplacement des condensateurs du schéma réel dont la valeur doit être comptée dans celle de C

2.2.3 Les résistances R1 et R2 ont pour valeurs respectivement la somme des résistances trouvées dans
le schéma réel, d’une part dans la zone de la figure 2 et en dehors de cette autre zone d’autre part (on
ne tient pas compte de la résistance du circuit de protection).
2.2.4 L’inductance Lp et le condensateur Cp sont respectivement l’inductance de protection et le
condensateur de protection (On n’en tient pas compte pour le calcul de L, ni de C).
Note : on ne tient pas compte, non plus, des diodes de protection qui peuvent exister ( ni de la résistance
de protection associée, ainsi qu’il a été indiqué en 2.2.3).

2.3 Calculer la tension Vt et le courant It en régime transitoire.

Vt
2.3.1 Les tableaux des figures suivantes 4, 5, 6 donnent les rapports et It I (V, I en régime établi ;
V
Vt , I t en régime transitoire), selon le degré de connaissance que l’on a du circuit du contact.

Pour plus de clarté, on a présenté les tableaux, selon le type de circuit (résistif, capacitif, inductif,
inductif et capacitif) de façon synthétique illustrée par la figure 3, c’est à dire dans les quatre régions du
plan défini par les valeurs des inductances L et des capacités C . Les quatre régions sont délimitées par
les valeurs caractéristiques de L (100 µH) et de C (1 nF).

79 UTE C 80-810
 -

Valeurs de C Inductif et
Capacitif
capacitif

1 nF

Résistif Inductif

Valeurs de L
100 µH

Figure 3 : Les région du plan retenues dans les figures 4, 5, 6

2.3.2 Présentation des résultats

A .Premier cas : on connaît les valeurs de L, C et de R (respectivement en mH, nF et kΩ), avec R = R1 + R2

Les formules donnant les valeurs transitoires Vt , I t de la tension et du courant, valeurs nécessaires pour le calcul de la
durée de vie θ et du facteur de pollution π p , sont données dans les tableaux de la figure 4 en fonction des valeurs de
L, C, R ( R = R1 + R2 ),
Vt It
Cp , L p supposées connues (En fait, on donne les rapports V et I , I et V étant les valeurs en régime établi de la
tension aux bornes du contact ouvert et du courant traversant le contact).
Valeurs de C

Vt It
Vt It V I
V I
Il y a un circuit de protection : 1+
1 L 1+ R C L
Il y a un circuit de protection : 1+ R C L • Cp , L p connues R Cp p
• Cp , L p connues p

• Cp , L p inconnues 1+
0,3
L 1+ R C
• Cp , L p inconnues 1 1+ R C R
Pas de circuit de protection 1+
1
L 1 + 3R C
Pas de circuit de protection 1 + 3R C R
Circuit capacitif Circuit inductif et capacitif
1 nF
Vt It Vt It
V I V I
Il y a un circuit de protection : 1+
1 L
• Cp , L p connues R Cp

(circuit de protection inutile) 1 1 • Cp , L p inconnues 0,3 1

1+ L
R
Pas de circuit de protection 1+
1
L
R
Circuit résistif Circuit inductif

100µH Valeurs de L
Figure 4 : Evaluation des rapports Vt
V et It
I en fonction de R = R1 + R2 , C, L, et de Cp , L p
( R en kΩ, C, Cp en nF ; L , L p en mH)

UTE C 80-810 80
 -

B . Deuxième cas : on ne connaît pas les valeurs le L, C, R, mais le schéma équivalent a été reconstitué, et on sait si
le circuit est capacitif, résistif, inductif, ou inductif et capacitif
Valeurs de C
Vt It Vt It
V I V I
pour le calcul de pour le calcul de pour le calcul de
Il y a un circuit de protection θb πb
Il y a un circuit de protection θb πb θb πb

• Cp , L p connues 5 2 • Cp , L p connues 3 2 5 2

• Cp , L p inconnues 1 20 2 • Cp , L p inconnues 10 2 20 2

Pas de circuit de protection 20 3 Pas de circuit de protection 10 3 20 3

Circuit capacitif Circuit inductif et capacitif

1 nF
Vt It Vt It
V I V I
pour le calcul de
Il y a un circuit de protection θb πb

(circuit de protection inutile) 1 1 • Cp , L p connues 3 2

• Cp , L p inconnues 10 2 1

Pas de circuit de protection 10 3

Circuit résistif
Circuit inductif

100µH
V I Valeurs de L
Figure 5 : Evaluation des rapports t et t
V I
lorsqu’on ne connaît pas ni C, ni L

C . Troisième cas : on ne connaît rien sur le circuit électrique du contact, le tableau de la figure 6 donne les valeurs
par défaut des rapports Vt V et It I (selon que l’on calcule la durée θb , ou le taux de défaillance (facteur π p ))

Valeurs de C

Vt It
V I
pour le calcul de pour le calcul de
Protection inconnue θb πb θb πb

10 2 20 2

Valeurs de L
Vt It
Figure 5 : Valeurs par défaut de V
et
I
lorsqu’on ne connaît rien sur le circuit électrique du contact

81 UTE C 80-810
Spécification : CEI 60255

RELAIS A LAMES MOUILLÉES, AU MERCURE POUR

BASSE PUISSANCE
MONOSTABLES - BISTABLES VERROUILLÉS
(puissances limitées à 250 W)

DUREE DE VIE θ DES RELAIS

1
θ = θb h
π t .N

Dans cette zone, le taux

• Prendre les facteurs correspondants donnés pour le taux de défaillance peut être
λ (page suivante) considéré comme constant
• N : nombre de manoeuvres par heure mais seulement pendant une
durée limitée à θ
Limite de validité
Vt (V )
des calculs

Expression mathématique de θb 1000

100
2.108
θb = VI=250W
 Vt . I t 
4
10
1+  
 25  1 Zone
d’emploi
0,1 non prévu
Tension Vt en
régime transitoire
0,01

θb I t (A)
9
10
0,001
0 0,01 0,1 1 10 100 1000
10
8 Zones d’emploi
V t = 10v

7 Dans cette zone, le taux de défaillance peut être considéré

10 comme constant pendant une durée illimitée
V t = 2 5v

6
10
Vt = 50v

Vt = 100v
Le calcul de la tension Vt et du courant
5
10
Vt = 200v
I t en régime transitoire est donné aux
pages 78 à 80 (prendre les valeurs pour la
4
Vt = 500v durée θ b )
10
0,01 0,1 1 10 I t (A)
Courant (régime transitoire)

θ b en fonction de la tension Vt et du courant I t en régime transitoire (voir

pages 78 à 80)

UTE C 80-810 82
Spécification : CEI 60255

RELAIS A LAMES MOUILLÉES, AU MERCURE POUR

BASSE PUISSANCE
MONOSTABLES - BISTABLES VERROUILLÉS
(puissances limitées à 250 W)

MODÈLE MATHÉMATIQUE
  j  !ATTENTION !
0 , 68 
λ = 0,3.π t .π T .π Y .π C .1 + 2,7.10 −3 ×  (π n )i × (∆Ti )   × 10 − 9 / h
∑ la durée de vie peut être limitée !
 
  i =1 
avec π C = π C1 ou π C 2

πt
10

Renseignements nécessaires pour

1 Intensité, tension établie θ

Nature du circuit de charge θ
Nombre de contacts actifs (interrupteurs et inverseurs) πC

Nombre moyen de manoeuvres par heure N πy

0,1
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 t°C Température ambiante tA πt
Tem pérature am biante
Type de relais πT

Type de relais πT
Expression mathématique ni ≤ 8760 (πn )i = ni0,76
du
Cycles/an
Monostable
Bistable verrouillé
1
5 facteur d’influence (π n )i ni > 8760 (π n )i = 1,7 × ni0,60
Cycles/an

ni : Nombre de cycles annuels d’amplitude ∆Ti

Pour une phase on/off ∆Ti = (t ac )i − (t ae )i
Pour une phase ∆Ti =moyenne par cycle de
Nombre moyen N de πy
manoeuvres par heure fonctionnement permanent, la variation de (tae)i de la
1 stockage ou dormant ième phase du profil de
N≤10
mission.
N>10 N
10
Nombre de contacts actifs π C1
“ repos ” ou “ travail ” (interrupteurs)
Pas de contact de ce type 0
1 1
2 1,5
3 2
Expression mathématique de π t
4 2,5
 1 1 
 − 
πt = e1740 303 273+ t A  avec t A : température ambiante

Nombre de contacts actifs π C2

“ repos ” et “ travail ” (inverseurs)
Pas de contact de ce type 0
1 1,8
2 3
Répartition des défauts
3 4,3
Courts-circuits 50%
4 5,5
Circuits ouverts 50% 6 8

83 UTE C 80-810
Spécification :CEI 60255

RELAIS A LAMES SOUPLES

MONOSTABLES - BISTABLES VERROUILLÉS
(puissances limitées à 150 W)

DUREE DE VIE θ DES RELAIS

1
θ = θb h
π t .N

Dans cette zone, le taux

• Prendre les facteurs correspondants donnés pour le taux de défaillance peut être
λ (page suivante) considéré comme constant
mais seulement pendant une
• N : nombre de manoeuvres par heure durée limitée à θ Limite de validité
des calculs

Expression mathématique de θb Vt (V ) 1000

100
. 8
1,810
θb = VI=150W
 Vt   I t 
4
10
1 +   . 
 2   0,2  1 Zone
d’emploi
0,1 non prévu
Tension Vt en
régime transitoire 0,01
θb
0,001
I t ( A)
9
10
0 0,01 0,1 1 10 100 1000

8
10 Zones d’emploi
7 Dans cette zone, le taux de défaillance peut être considéré
10
comme constant pendant une durée illimitée

6
10

Vt = 10v
5
10 V t = 2 5v
Vt = 50v
Le calcul de la tension Vt et du courant
4
10 V t = 100 v I t en régime transitoire est donné aux
Vt = 20 0 v
pages 78 à 80 (prendre les valeurs pour la

10
3
Vt = 50 0 v
I t (A) durée θ b )
0,01 0,1 1 10
Courant (régime transitoire)

θ b en fonction de la tension Vt et du courant I t en régime transitoire (voir pages 78 à 80)

UTE C 80-810 84
Spécification :CEI 60255

RELAIS A LAMES SOUPLES

MONOSTABLES - BISTABLES VERROUILLÉS
(puissances limitées à 150 W)

MODÈLE MATHÉMATIQUE
  j 0, 68 
 !ATTENTION !
λ = 0,75.π t .π T .π p .π Y .π C .1 + 2,7.10 − 3 × ∑ (π n )i × (∆Ti )   × 10 − 9 / h la durée de vie peut être limitée !
 
  i =1 
avec π C = π C1 ou π C 2

Renseignements nécessaires pour

πt
Intensité, tension établie θ
10
Nature du circuit de charge θ
Nombre de contacts actifs (interrupteurs et inverseurs) πC

Nombre moyen de manoeuvres par heure N π y , Fy

1
Température ambiante tA πt
Type de relais πT

0,1
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 t°C
Tem pérature am biante Nombre de contacts actifs π C1
“ repos ” ou “ travail ” (interrupteurs)
Type de relais πT Pas de contact de ce type 0
1 1
Monostable 1
2 1,5
Bistable verrouillé 5
3 2
4 2,5
Nombre moyen de πy
manoeuvres N par heure
N≤10 1

N>10 N Nombre de contacts actifs π C2

“ repos ” et “ travail ” (inverseurs)
10 Pas de contact de ce type 0
1 1,8
2 3
Expression mathématique de π t 3 4,3
 1 1  4 5,5
 − 
π t = e1740 303 273+ t A  avec t A : température ambiante 6 8

Facteur de pollution π p selon la fréquence des manoeuvres,

Répartition des défauts
la tension, le courant en régime transitoire Courts-circuits 50%
Circuits ouverts 50%
Nombre moyen N de Fy
manoeuvres par heure
N<0,1 0,1 Fy
Expression mathématique ni ≤ 8760 (πn )i = ni0,76
du
0,1≤N<1 N Influence de la pollution πp Cycles/an
N>1 1 selon le produit
Vt . I t . Fy facteur d’influence (π n )i ni > 8760 (π n )i = 1,7 × ni0,60
Cycles/an
Vt . I t . Fy ≤ 1 2
ni : Nombre de cycles annuels d’amplitude ∆Ti
Vt . I t . Fy ≥ 1 1
Pour une phase on/off ∆Ti = (t ac )i − (t ae )i
Le calcul de la tension Vt et du
Pour une phase ∆Ti =moyenne par cycle de
courant I t est donné aux pages - Vt , I t fonctionnement permanent, la variation de (tae)i de la
78 à 80 (prendre les valeurs pour stockage ou dormant ième phase du profil de
le facteur π p )
mission.

85 UTE C 80-810
 RELAIS ÉLECTROMÉCANIQUES
Miniatures ou carte - Type “ européen ”
RELAIS À RETARD THERMIQUE
(puissances limitées à 500 W)
Spécification : CEI 60255

DUREE DE VIE θ DES RELAIS Dans cette zone, le taux

1 de défaillance peut être
θ = θb h considéré comme
π t .N constant mais seulement
pendant une durée limitée
à θ

• Prendre le facteur π t donné pour le taux λ (page

suivante) Vt (V) Limite de validité
des calculs
• N : nombre de manoeuvres par heure
1000

100
Expression mathématique de θb
10 VI=500W
10 8
θb = 1
I 
4
Zone
1 + 2 Vt .  t  d’emploi
 0,5 0,1 non prévu

0,01
Tension Vt en
régime transitoire It (A)
0,001
0 0,01 0,1 1 10 100 1000
Zones d’emploi
9
10
θb Dans cette zone, le taux de défaillance peut être considéré
8
comme constant pendant une durée illimitée
10

7
10 Le calcul de la tension Vt et du courant I t en régime
transitoire est donné aux pages 78 à 80 (prendre les
valeurs pour la durée θ b )
6
10 Vt = 10v

V t = 25v

5 Vt = 50v
10
V t = 100 v
Vt = 200v
4 Vt = 500v
10
0,01 0,1 1 10 I t (A)
Courant (régime transitoire)
θ b en fonction de la tension Vt et du courant I t en régime transitoire (voir pages 78 à 80)

Facteur de pollution π p selon la fréquence des manoeuvres, l’environnement gazeux, la tension, le courant en régime transitoire

Nombre moyen N de manœuvres Fy Influence de la pollution πp

par heure
Fy • selon le produit Vt . I t . Fy Vt .It.Fy ≤ 10 Vt .It . Fy ≥ 10
N<0,1 0,1
0,1≤N<1 N • selon l’environnement Importance de la pollution Tous
N≥1 1 gazeux
• selon le type de relais faible* modérée* sévère* environnements
Relais hermétique 2 2 2 1
Le calcul de la tension Vt et du courant I t est Relais étanche 2,5 3 10 1
Vt,It Protégé des poussières 3 5 20 1
donné aux pages 78 à 80 (prendre les valeurs
Relais ouvert 5 10 40 1
pour le facteur π p )
selon le tableau 3-b, page 13

UTE C 80-810 86
 RELAIS ÉLECTROMÉCANIQUES
Miniatures ou carte - Type “ européen ”
RELAIS À RETARD THERMIQUE
(puissances limitées à 500 W)
Spécification : CEI 60255

MODÈLE MATHÉMATIQUE
!ATTENTION !
  j 0,68  
λ = 1,5.π t .π T .π p .π Y .π C . 1 + 2, 7.10 ×  ∑ (π n )i × ( ∆Ti )   × 10−9 / h
−3 la durée de vie peut être limitée !

  i =1 
avec π C = π C1 ou π C 2

Renseignements nécessaires pour

πt Intensité, tension établie θ

Nature du circuit de charge θ
10
Nombre de contacts actifs (interrupteurs et inverseurs) πC

Nombre moyen de manoeuvres par heure N π y , Fy

Température ambiante t πt
1 πT
Type de relais
Environnement πp

0,1
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 t°C
Tem pérature am biante

Nombre de contacts actifs π C1

“ repos ” ou “ travail ” (interrupteurs)
Pas de contact de ce type 0
Expression mathématique de π t
1 1
 1 1  2 1,5
 − 
π t = e1740 303 273+ t A  avec t A : température ambiante 3 2
4 2,5

Nombre de contacts actifs π C2

Type de relais
Electromécaniques (miniatures et européens)
Relais à retard thermique
“ repos ” et “ travail ” (inverseurs)
πT Pas de contact de ce type 0
1 1,8
1 2 3
10 3 4,3
4 5,5
6 8

Nombre moyen de πy
manoeuvres N par heure
N≤10 1

N>10 N
Expression mathématique ni ≤ 8760 (πn )i = ni0,76
du
Cycles/an
(π n )i
10
facteur d’influence ni > 8760 (π n )i = 1,7 × ni0,60
Cycles/an

ni : Nombre de cycles annuels d’amplitude ∆Ti

Pour une phase on/off ∆Ti = (t ac )i − (t ae )i
Répartition des défauts Pour une phase ∆Ti =moyenne par cycle de
Courts-circuits 20% fonctionnement permanent, la variation de (tae)i de la
stockage ou dormant ième phase du profil de
Circuits ouverts 80%
mission.

87 UTE C 80-810
 RELAIS INDUSTRIELS OU AUXILIAIRES DE COMMANDE
(électromécaniques)
RELAIS POUR HAUTE TENSION SOUS-VIDE
RELAIS DE PUISSANCE À CONTACTS MOUILLÉS AU MERCURE
A courant continu (moins de 5 kW) et à courant alternatif (moins de 5 kVA)
Spécification : CEI 60255

DUREE DE VIE θ DES RELAIS Dans cette zone, le taux de

défaillance peut être considéré
Vt (V) Limite de validité des
1 calculs
θ = θb h comme constant pendant une 1000
π t .N durée limitée à θ
100

• Prendre le facteur correspondant donné πt pour le taux 10

λ (page suivante) VI=5kVA
• N : nombre de manoeuvres par heure 1
Dans cette zone, le taux
de défaillance peut être
0,1
considéré comme constant Zone d'emploi
Expression mathématique de θ b
pendant une durée illimitée non prévu
0,01
Relais à courant continu Relais à courant alternatif
108 108
θb = θb = 0,001
1,5 I 1,3 0,5 I
 Vt   t   V 
1 + 100  .  1 + 100 t  . t 0 0,01 0,1 1 10 100 1000
 50   2   220  3
I t (A )

θ b 108 θb 10
8

7
10
7 10

6
10 10
6
Vt = 10v
Vt = 10v
V t = 2 5v

V t = 2 5v Vt = 50v
5 5
10 10 V t = 100 v
Vt = 50v
Vt = 200v
V t = 100 v
Vt = 500v Vt = 500 v
Vt = 200v 4
4
10 10
0,001 0,01 0,1 1 10 100 I t (A) 0,001 0,01 0,1 1 10 100 I t (A)
Courant (régime transitoire) Courant (régime transitoire)
θb en régime transitoire pour les relais à courant continu (figure de gauche), et à courant alternatif (figure de droite)
Le calcul de la tension Vt et du courant I t en régime transitoire est donné dans les premières pages des relais (prendre les valeurs pour la durée)

Facteur de pollution π p selon la fréquence des manoeuvres, l’environnement gazeux, la tension, le courant en régime
Influence de la pollution π p pour relais à courant continu Influence de la pollution π p pour relais à courant alternatif
• selon le produit Vt . I t . Fy t t .Fy ≤ 50
V.I V.I
t t .Fy >50
• selon le produit Vt . I t . Fy t t .Fy ≤ 300
V.I t t .Fy > 300
V.I
• selon l’environnement • selon l’environnement
Tous Tous
gazeux Importance de la pollution gazeux Importance de la pollution
• selon le type de relais faible* modérée* sévère* environnements • selon le type de relais faible* modérée* sévère* environnements

Relais au mercure 1 1 1 1 Relais au mercure 1 1 1 1

Relais hermétique 2 2 2 1 Relais hermétique 2 2 2 1
Relais étanche 2,5 3 10 1 Relais étanche 2,5 3 10 1
Protégé des poussières 3 5 20 1 Protégé des poussières 3 5 20 1
Relais ouvert 5 10 40 1 Relais ouvert 5 10 40 1
* selon le tableau 3-b, page 13 * selon le tableau 3-b, page 13

Vt , I t Vt , I t Fy

Le calcul de la tension Vt et du courant I t en régime Nombre moyen N de manoeuvres par Fy

transitoire est donné aux pages 78 à 80 (prendre les heure
valeurs pour la durée θ b ) N<0,1 0,1
0,1≤N<1 N
Fy N>1 1

UTE C 80-810 88
 RELAIS INDUSTRIELS OU AUXILIAIRES DE COMMANDE
(électromécaniques)
RELAIS POUR HAUTE TENSION SOUS-VIDE
RELAIS DE PUISSANCE À CONTACTS MOUILLÉS AU MERCURE
A courant continu (moins de 5 kW) et à courant alternatif (moins de 5 kVA)
Spécification : CEI 60255

MODÈLE MATHÉMATIQUE
  j 0,68  
!ATTENTION !
λ = 0, 5.πt .πT .πp .πY .πC . 1 + 2, 7.10−3 ×  ∑ ( πn )i × ( ∆Ti )   × 10−9 / h la durée de vie peut être limitée !
  i =1 
avec π C = π C1 ou π C 2

πt
10 Renseignements nécessaires pour
Intensité, tension établie θ
Nature du circuit de charge θ
1 Nombre de contacts actifs (interrupteurs et inverseurs) πC

Nombre moyen de manoeuvres par heure N π y , Fy

Température ambiante t πt
Type de relais πT
0,1
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 t°C Environnement πp
Tem pérature am biante

Expression mathématique de π t Nombre de contacts actifs π C1

“ repos ” ou “ travail ” (interrupteurs)
 1 1 
 −  Pas de contact de ce type 0
πt = e1740 303 273+ t A  avec t A : température ambiante 1 1
2 1,5
3 2
4 2,5

Type de relais πT
Nombre de contacts actifs π C2
Relais industriels ou auxiliaires de commande 2,5 “ repos ” et “ travail ” (inverseurs)
Relais pour haute tension sous-vide 2,5 Pas de contact de ce type 0
Relais de puissance à contacts mouillés au 1 1 1,8
mercure 2 3
3 4,3
4 5,5
6 8

Nombre moyen de πy
manoeuvres N par heure
N≤10 1
Expression mathématique ni ≤ 8760 (πn )i = ni0,76
du
Cycles/an
N>10 N
10
facteur d’influence (π n )i ni > 8760 (π n )i = 1,7 × ni0,60
Cycles/an

ni : Nombre de cycles annuels d’amplitude ∆Ti

Pour une phase on/off ∆Ti = (t ac )i − (t ae )i
Pour une phase ∆Ti =moyenne par cycle de
Répartition des défauts fonctionnement permanent, la variation de (tae)i de la
Courts-circuits 20% stockage ou dormant ième phase du profil de
Circuits ouverts 80% mission.

89 UTE C 80-810
 COMMUTATEURS
ET
CLAVIERS

UTE C 80-810 90
Spécifications : CEI 60132
CEI 60948

COMMUTATEURS ET CLAVIERS

MODÈLE MATHÉMATIQUE
!ATTENTION !
  j 0,68  
λ = λ 0 .N.  1 + 2, 7.10−3 ×  ∑ ( πn )i × ( ∆Ti )   × 10−9 / h
la durée de vie est limitée !

  i =1 

Taux de base en FIT λ0

Commutateurs à bascule
Commutateurs à bouton poussoir 1,5
Claviers
Commutateurs rotatifs 2,5
Renseignements nécessaires pour
Type de commutateur λ 0 ,N
Nombre de contacts N
πE
Environnement

Type N
Commutateur à bascule
ou à bouton poussoir de N=2x (nombre de contacts« repos-travail »)
type inverseur
Autres commutateurs N=nombre de contacts
Claviers N=nombre de touches

Expression mathématique ni ≤ 8760 (πn )i = ni0,76

du
Cycles/an
Limitation de la durée de vie facteur d’influence (π n )i ni > 8760 (π n )i = 1,7 × ni0,60
Les taux de défaillance donnés ici ne sont utilisables que pour un Cycles/an
nombre de manoeuvres inférieur au nombre indiqué dans la
ni : Nombre de cycles annuels d’amplitude ∆Ti
spécification.
A titre indicatif : Pour une phase on/off ∆Ti = (t ac )i − (t ae )i
• pour les commutateur à bascule ou à bouton poussoir : Pour une phase ∆Ti =moyenne par cycle de
20 000 ou 100 000 (commutateurs sensibles) fonctionnement permanent, la variation de (tae)i de la
• pour les commutateurs rotatifs : 20 000 stockage ou dormant ième phase du profil de
• pour les claviers : 500 000 à 1 000 000
mission.

91 UTE C 80-810
 CONNECTEURS

UTE C 80-810 92
Spécification : CEI 60130
CEI 60603

CONNECTEURS
CIRCULAIRES ET RECTANGULAIRES COAXIAUX POUR CIRCUITS IMPRIMÉS
ET SUPPORTS DE COMPOSANTS

!ATTENTION !
MODÈLE MATHÉMATIQUE la durée de vie est limitée au nombre
  j 0,68   d’enfichages donné dans la
λ = λ 0 .πt .πC .πM .πi .  1 + 2, 7.10−3 ×  ∑ ( πn )i × ( ∆Ti )   × 10 −9 / h spécification ou à défaut dans le
  i =1  catalogue (quelques dizaines à
quelques centaines)

Taux de base en FIT λ0 Renseignements nécessaires pour

(ces valeurs sont données pour un couple de
contacts) Type du connecteur λ0
Connecteurs circulaires et rectangulaires 0,5 Nature de la zone de contact πM
Connecteurs coaxiaux 0,7 πC
Connecteurs pour circuits imprimés (et assimilés) 1 Nombre de contacts actifs (interrupteurs et inverseurs)
πi
Supports de composants 1 Intensité par contact
Intensité nominale πi

Température ambiante πt

πt

10
Association (couples de contacts) πM
et nature de la zone de contact
Doré/Doré 1
Argent/Argent 2
1 Etamé/Etamé 3
Autres (dont encartable) 8

0,1
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 t°C Intensité du courant de contact πi
Tem pérature am biante ≤ 0,5 1
Intensité
Rapport
Intensité no min ale
> 0,5 2

Expression mathématique de π t
 1 
ni ≤ 8760 (πn )i = ni0,76
1
 −  Expression mathématique
πt = e1740 303 273+ t A  avec t A : température ambiante du
Cycles/an
facteur d’influence (π n )i ni > 8760 (π n )i = 1,7 × ni0,60
Cycles/an

ni : Nombre de cycles annuels d’amplitude ∆Ti

Pour une phase on/off ∆Ti = (t ac )i − (t ae )i
Influence du nombre de contacts N πC Pour une phase ∆Ti =moyenne par cycle de
Connecteurs coaxiaux 1 fonctionnement permanent, la variation de (tae)i de la
Autres stockage ou dormant ième phase du profil de
N
mission.

93 UTE C 80-810
 AFFICHEURS, VOYANTS

UTE C 80-810 94
 AFFICHEURS
Spécification : CEI61747

MODÈLE MATHÉMATIQUE
  j 0,68  
λ = λ 0 . 1 + 2,5.10−2 ×  ∑ ( πn )i × ( ∆Ti )   × 10−9 / h
  i =1 

RENSEIGNEMENTS NECESSAIRES :
Type d’afficheur

Expression mathématique ni ≤ 8760 (πn )i = ni0,76

du
Cycles/an

λ0
facteur d’influence (π n )i ni > 8760 (π n )i = 1,7 × ni0,60
Type d’afficheurs : valeurs en FIT Cycles/an
LCD ≤ 10 caractères 50 ni : Nombre de cycles annuels d’amplitude ∆Ti
Ecrans CRT 10 pouces avec électronique de commande 2500
Ecrans LCD 10 pouces avec électronique de commande 1900 Pour une phase on/off ∆Ti = (t ac )i − (t ae )i
Pour une phase ∆Ti =moyenne par cycle de
fonctionnement permanent, la variation de (tae)i de la
stockage ou dormant ième phase du profil de
mission.

VOYANTS A DIODES ELECTROLUMINESCENTES

Spécification : CEI60747

MODÈLE MATHÉMATIQUE
  j 0,68  
λ = 2 ×  1 + 2, 7.10 −3 ×  ∑ ( πn )i × ( ∆Ti )   × 10 −9 / h
  i =1 

Expression mathématique ni ≤ 8760 (πn )i = ni0,76

du
Cycles/an
facteur d’influence (π n )i ni > 8760 (π n )i = 1,7 × ni0,60
Cycles/an

ni : Nombre de cycles annuels d’amplitude ∆Ti

Pour une phase on/off
Pour une phase
fonctionnement permanent,
stockage ou dormant
∆Ti = (t ac )i − (t ae )i
∆Ti =moyenne par cycle de
la variation de (tae)i de la
ième phase du profil de
mission.

95 UTE C 80-810
 COMPOSANTS DE PROTECTION

UTE C 80-810 96
 COMPOSANTS DE PROTECTION et THERMISTANCES (CTP)
Spécifications : CEI 60099
CEI 60269
CEI 60738
CEI 61051

MODÈLE MATHÉMATIQUE
λ = ( λ0 + π I × λEOS ) × 10−9 / h

RENSEIGNEMENTS NECESSAIRES :
Type de composant

Type de composants λ 0 en FIT πI

A écrêtage Voir pages diodes 1
Diodes
A déclenchement Voir pages diodes 1
Thermistances (CTP) 5 1
Varistances 1 1
Fusibles 10 0
Solide (100A - onde 10/1000) 100 0
Parasurtenseurs
A gaz (≥5KA – onde 8/20) 6000 0

Environnement électrique λEOS

FIT
Informatique 10
commutation 15
transmission
Télécom. distribution, 40
cartes d’abonnés
équipements clients 70
Ferroviaire, publiphone 100
Avionique civile (calculateurs de bord) 20
Alimentations, convertisseurs 40

97 UTE C 80-810
 COMPOSANTS D’ENERGIE
MANAGEMENT THERMIQUE

UTE C 80-810 98
 PILES – ACCUMULATEURS – VENTILATEURS – PELTIERS
DISQUES DURS
Spécifications : CEI 60086 – CEI 60285 – CEI 60535 – CEI 60879 – CEI 61436 – CEI 61440.

MODÈLE MATHÉMATIQUE
λ = λ 0 ×10 −9 / h

RENSEIGNEMENTS NECESSAIRES :
Type de composant

Type de composants λ 0 en FIT

Piles 20
Ni-Cd 100
Accumulateur
Li-Ion 150
Ventilateur pour CI (CPU)* 500
Ventilateurs à roulement à billes* 1500
Ventilateurs à palier* 2500
Peltiers 20
Disques durs longue durée 2800
* attention, la durée de vie des ventilateurs est limitée

CONVERTISSEURS
Spécification : CEI 60146

MODÈLE MATHÉMATIQUE
  j 

∑
λ = λ 0 × 1 + 3.10 −3 ×  (π n )i × (∆Ti )0,68   × 10 −9 / h
 i =1 
  

RENSEIGNEMENTS NECESSAIRES :
Type de composant

Expression mathématique
du
ni ≤ 8760 (π n )i = ni0,76
Cycles/an
facteur d’influence (π n )i ni > 8760 (π n )i = 1,7 × ni0, 60
Type de composants λ 0 en FIT Cycles/an
Convertisseurs < 10W 100 ni : Nombre de cycles annuels d’amplitude ∆Ti
Convertisseurs entre 10 et 30W 130 Pour une phase on/off ∆Ti = (t ac )i − (t ae )i
Pour une phase fonctionnement ∆Ti =moyenne par cycle de la
permanent, stockage ou dormant
variation de (tae)i de la ième
phase du profil de mission.

99 UTE C 80-810