ALGUERROUI - SARA - F5 - Sciences de La Matière - Physique de La Matière Condensée

République Algérienne Démocratique et Populaire
Ministére de l’Enseignement Supérieur et de la Recherche Scientifique

Université 8 Mai 1945-Guelma
Faculté des Mathématique, d’Informatique et des Sciences de la Matiére

Département : Sciences de la Matiére
Spécialité : Physique
MEMOIRE
Pour obtenir le diplome de
Master
Option :Physique de la matiére condensée
Présenté et soutenu par

Elgueroui Sara
Etude des propriétés structurales,éléctroniques
et magnétiques des semi-conducteurs
magnétiques dilués à base de
Carbure de Silicium SiC
Dirigé par :
Dr. Bourouis Chahrazed
Présenté et soutenu devant la commission d’examen

juillet 2021.
Remerciements
Ce travail a été effectué au Laboratoire de physique des matériaux
(L2PM) Département de science de la Matiére,Faculté de Mathématique, de
l’Informatique et des sciences de la Matiére , Université 8 Mai 1945 – Guelma .
Je tiens tout d’abord à remercier particulièrement mon encadreur le Dr

Bourouis Chahrazed qui m’a encadré tout au long de cette thème et qui m’a fait
partager ses nombreuses connaissances. Qu’elle soit aussi remercié pour sa
gentillesse, sa disponibilité permanente et pour les nombreux encouragements
qu’elle m’a prodigués.
Je tiens à remercier les membres du jury de thème pour le temps consacré à la

lecture de cette thème, et pour les suggestions et les remarques judicieuses qu’il
m’a indiquées.
Je ne saurais finir mes remerciements sans avoir une pensée spéciale pour ma
famille pour leur soutien tout au long de mes études.
I
Résumé
Dans ce travail, nous avons effectué des calculs ab-initio en utilisant la méthode des
ondes planes augmentées linéarisées à potentiel total (FP-LAPW) basée sur la théorie de la
fonctionnelle de la densité (DFT) et implémentée dans le code WIEN2K, pour déterminer les
propriétés structurales, électroniques et magnétiques du composé binaire SiC et des semi-
conducteurs magnétiques dilués à base de Carbure de Silicium SiC : 𝑆𝑖0.75 𝑀𝑇0.25 𝐶 (MT= V
et Ni ).
On a utilisé pour cela l’approximation du gradient généralisé (WC-GGA) pour le terme du
potentiel d’échange et de corrélation.
Les résultats obtenus montrent que le SiC est un semi-condicteur à gap indirect et 𝑆𝑖0.75 𝑉0.25 𝐶
est un demi-métal.
Mots clés :
calcul ab-initio, DFT, GGA, Semiconducteurs magnétiques dilués (DMS), propriétés
structurales , demi- métallique, SiC.
Summary
In this work, we performed ab-initio calculations using the method of plane waves full
potential linearized augmented (FP- LAPW) based on the theory of density functional theory
(DFT) to determine the structural, electronic and magnetic properties of the binary composite
SiC and diluted magnetic semiconductors based on Silicon Carbide SiC : 𝑆𝑖0.75 𝑀𝑇0.25 𝐶
(MT= V et Ni ).
We used the generalized gradient approximation (WC-GGA) to treat the term of the exchange
and correlation potential.
The results showed that SiC is semiconductor an indirect gap and 𝑆𝑖0.75 𝑉0.25 𝐶 is half-metal .
Keywords :
ab-initio calculation, DFT, GGA, Diluted magnetic semiconductors (DMS) , structural
properties. semi-metallic, SiC
II
‫الملخص ‪:‬‬
‫في هذا العمل أجرينا حسابات ‪ ab-initio‬بإستخدام طريقة تقريب األمواج المستوية الخطية )‪(FP-LAPW‬‬
‫التي تندرج ضمن نظرية تابعية الكثافة )‪ (DFT‬بهدف تحديد الخصائص البنيوية ‪ ،‬اإللكترونية و المغناطيسية للمركب‬
‫الثنائي ‪ SiC‬و أشباه النواقل المغناطيسية المخففة (‪ ) DMS‬للمركبات 𝐶 ‪ 𝑆𝑖0.75 𝑀𝑇0.25‬حيث ( ‪.(MT= V et Ni‬‬
‫استخدمنا في هذه الدراسة التقريب ‪ WC-GGA‬لإليجاد كمون التبادل و اإلرتباط ‪.‬‬
‫النتائج التي تم الحصول عليها تشير إلى أن ‪ SiC‬شبه ناقل يملك فجوة غير مباشرة في حين 𝐶 ‪ 𝑆𝑖0.75 𝑉0.25‬يندرج‬
‫ضمن مجموعة أنصاف المعادن ‪.‬‬
‫الكلمات المفتاحية ‪:‬‬
‫حساب ‪ , DFT, GGA ، ab-initio‬أشباه النواقل المغناطيسية المخففة ‪،‬الخواص البنيوية ‪ ،‬أنصاف المعادن ‪. SiC ،‬‬
‫‪III‬‬
Sommaire
Introduction générale……………………….…………… ..…………………………………01
Chapitre I : Spintronique et semi-conducteurs magnétiques

dilués .
I.1. L’électronique de spin......................................................................................................02
I.1.1. Une brève histoire des magnétorésistances……………………….……………………02

I.1.1.1 La magnétorésistance géante (GMR)............................................................................02
I.1.1.2. La magnétorésistance tunnel (TMR)............................................................................04
I.1.1.3. Mémoires Magnétiques à Accès Aléatoires (MRAM).................................................06
I.2. L’intégration de semi-conducteurs dans la spintronique ………………………...….08
I.3. Les semi-conducteurs magnétiques dilués (DMS) à base de Carbure de Silicium SiC
I.3.1 Définition d’un semiconducteur…………………………………………………....…...10
I.3.2 Bandes d’énergie……………………………………………………….……..………...10
I. 3.3 Familles de semi-conducteurs magnétiques ...................................................................11
I.3.3.1 Semi-conducteurs où les éléments magnétiques forment un réseau périodiqe…….….11
I.3.3.2 Semi-conducteurs où les éléments magnétiques substituent aléatoirement les cations

(DMS) ……………………………………………………………………………...…………12
I.3.3.3. Les avantages des DMSs à base de semi-conducteurs III-V et II-VI………………...12
I.4.Generalités sur SiC............................................................................................................13
I.4.1 Historique.........................................................................................................................13
I.4.2 Cristallographie du SiC ....................................................................................................14
I.4.3 Aspects structuraux..........................................................................................................16
I.4.3.1 Propriétes physiques et électroniques du SiC................................................................16
I.4.3.1.1 Propriétés physiques...................................................................................................18
I.4.3.1.2 Propriétés électroniques .............................................................................................19
I.4.4 Corrélation entre structures et propriétés magnétiques ...................................................21
I.4.5 Comparaison du SiC avec d’autres semiconducteurs.......................................................23
I.5. conclusion..........................................................................................................................24
Chapitre II : Formalismes et méthodes de calculs.

II.Théorie de la Fonctionnelle de la densité..…………………………………….…..……….29
II.1 Introduction…………………………………………………………………………...….29
IV
Sommaire
II.2 Equation de Schrödinger…………………………………………………….…………...29

II.3 Approximation de Born-Oppenheimer….……………………………………..…………30
II.4 Approximation de Hartree…….………………………………………………..………...30
II.5 Approximation de Hartree-Fock………………….…………..………………………….31
II.6 Fondements de la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT)………………..…….. 31
II.6.1 Théorèmes de Hohenberg et Kohn……………………………………………..………31
II.6.1.1 Premier théorème de Hohenberg et Kohn……..……………………………..………32
II.6.1.2 Deuxième théorème de Hohenberg et Kohn…..…………………………………..….32
II.6.2 Approche de Khon et Sham…………………………………………………………….34
II.6.3 Fonctionnelles d’échange-corrélation……………………………………….…………34
II.7 Approximations utilisées en DFT………………………………………………..……….34
II.7.1 Approximation de la densité locale (LDA)….………………………….……………...34
II.7.2 Approximation du gradient généralisé (GGA)…………………………..……………..35

II.7.3 Résolution des équations de Kohn-Sham….………………………………..………….36
II.8 Méthode des Ondes Planes Linéarisées Augmentées (FP-LAPW).………………..…….37
II.8.1 Introduction..…………………………………………………………………….……..37
II.8.2 La méthode des ondes planes augmentées (APW)..………………………………..…..38
II.8.3 La méthode des ondes planes augmentées linéarisées (FP-LAPW)..………………..…40
II.8.4 Le concept de la méthode FP-LAPW……………………………………………..……41
II.9 Le code Wien2k……………………………………………………………………..……42
II.10 Conclusion……………………………………..……………………..…………………44
CHAPITRE III : Résultats et Discussions.

III.1 Introduction ……………………………………………………………..........................46
III.2 Etude du composé binaire SiC ……………………………………………………….....46
III.2.1 Calcul numérique sur SiC pur ………………………………………………………...46
III.2.2 Propriétés Structurales . …………………………………………………………..…..49
III.2.3 Propriétés électroniques…..………………………………………………………..….51

III.2.3.1Structure de bandes d’énergie…..……………………………………………………51
III.2.3.2 Densité d’états électronique (DOS) . …………………………………………….…53
III.3 Etude des semiconducteurs magnétiques dilués 𝑆𝑖1−𝑋 𝑀𝑇𝑋 𝐶(MT = V et Ni)…………..55
III.3.1 Détails de calcul…..………………………………………………………………..….55
III.3.2 Propriétés structurales ………………………...…………………………………....…56
III.3.3 Propriétés électroniques .…………………………………………………………..….58
III.3.3.1 Structure de bandes d’énergie….………………………………………………..…..58
III.3.4 Propriétés magnétiques . …………………………………………………………..….60
III.4 Conclusion………………………….………………..………………………………….61
Conclusion générale……………………………………………………………..……………62
V
Liste des figures
Chapitre I
Fig I.1:Premières observations de la magnétorésistance géante.
A gauche, courbe de P.Grünberg et collaborateurs ; à droite, courbe obtenue par A. Fert et
collaborateurs, montrant la magnétorésistance en fonction du champ magnétique, pour
différentes épaisseurs de Cr.
Fig I.2 : Principe de fonctionnement de la magnétorésistance géante.
(a) Magnétisation parallèle et (b) Magnétisation antiparallèle.

Fig I.3 : Evolution, au cours du temps, de la magnétorésistance tunnel rapportée par différents
laboratoires de par le monde.
Fig I.4 : Effet tunnel entre deux couches ferromagnétiques F1 et F2 séparées par une barrière
isolante I du potentiel rectangulaire déformée par l’application d’une tension V.
Fig I.5 : architecture d’une mémoire MRAM constituée d’une matrice de jonctionstunnels
magnétiques.
Fig I.6 : Représentation schématique du SpinFET.
Fig I.7 :Diode électroluminescente SpinLED (Spin Light Emitting Diode) .
Fig I.8 Diagramme des bandes d'énergie des semiconducteurs.

Fig I.9 : a. Semiconducteurs où les éléments magnétiques forment un réseau périodique.
b. Semiconducteurs traditionnels sans éléments magnétiques
c. Semiconducteurs magnétiques dilués où les éléments magnétiques sont répartis
d’une manière aléatoire.
Fig I.10 : Les découvreurs de SiC : J. J. Berzelius (à droite) et F. H. Moissan (à gauche).
Fig I.11 :Tétraèdres réguliers dans lesquels chaque atome de Si (C) est lié à 4 atomes de C
(Si).
Fig I.12 : Séquences d’empilements des principaux poly-types de SiC.
Fig I.13 : Différents poly-types du SiC (en rouge représentant les atomes de Si et en bleu les
atomes de C) .
Fig I.14 : Environnement tétraédrique d’un atome de carbone entouré de ses plus proches
voisins.
Fig I.15 : Représentation dans le plan (1120) du motif de base des polytypes 3C, 4H et 6H-
SiC.
Fig I.16 : Structures de bandes des polytypes 3C et 4H-SIC calculées en utilisant la théorie de
la fonctionnelle de la densité dans l’approximation de la densité locale [25].
Fig I.17 : Diagramme de phase binaire partiel Fe-Si [35].
Fig I.18 : Structure des phases FeSi, FeSi2 et Fe3Si

Fig I.19 : Cycles d’hystérésis mesurés sous champ appliqué dans le plan et perpendiculaire de
l’échantillon de la phase Fe3Si épitaxiée sur GaAs [ 42]
Chapitre II
Fig II.1 Cycle auto cohérent de la théorie de la fonctionnelle de la densité(DFT).
Fig II.2 Répartition de la cellule unitaire, une région interstitielle et des régions sphériques
VI
Liste des figures
Fig II.3 Organigramme du programme WIEN2K.
Chapitre III
Fig III.1 (A) Structure cristalline du SiC montrant les liaisons tétraédriques. (B) Positions
atomiques dans la maille du SiC par projection sur une face .
Fig III.2 :Première zone de Brillouin de la structure zinc blende avec la représentation des
points et lignes de hautes symétrie
Fig III.3 la courbes de variations de l’énergie totale du composé binaire SiC en fonction du
volume dans la phase zinc blende.
Fig III.4 Transitions électroniques entre les extrémums des bandes de valence et de
conduction:
a) Semiconducteur à gap direct, (les transitions sont verticales radiatives).
b) Semiconducteur à gap indirect, les transitions sont obliques (non radiatives).
Fig III.5 : Structure de bandes d’énergie du SiC dans la phase zinc-blende, calculée par GGA-
WC
Fig III.6 : Courbes de densités d’états électroniques totale et partielle du SiC dans la phase
zinc-blende, obtenues par GGA-WC.
Fig III.7 – Structures cristallines des composés : 𝑆𝑖0.75 𝑉0.25 𝐶 et 𝑆𝑖0.75 𝑁𝑖0.25 𝐶 .
Fig III.8 : Variation de l’énergie totale en fonction du volume du composé 𝑆𝑖0.75 𝑉0.25 𝐶 et
𝑆𝑖0.75 𝑁𝑖0.25 𝐶 .
Fig III.9 : Structure de bandes d’énergies polarisées en spin du composé 𝑆𝑖0.75 𝑉0.25 𝐶
Fig III.10 : Structure de bandes d’énergies polarisées en spin du composé 𝑆𝑖0.75 𝑁𝑖0.25 𝐶
VII
Liste des tableaux.
Chapitre I
Tab I.1 Tableau 1-1. Propriétés physiques à température ambiante des principaux poly-types
du SiC comparées à celles de Si, GaAs, GaN, ZnO et du diamant [32].
Tab I.2 : Propriétés de quelques semiconducteurs à grand gap [23,28–32]. Si et GaAs sont
inclus pour comparaison.
Chapitre III
Tab III.1 : Caractéristiques de structures cristalline utilisée.
Tab III.2 : les Configurations électroniques et paramètres physiques des éléments.
Tab III.3 : les valeurs des rayons muffin-tin utilisées

Tab III.4 : les valeurs du Paramètre du réseau a0 (Å), du module de compression B(GPa),de
sa dérivée B′ et de l’énergie totale minimale Emin (Ry) du SiC dans la phase zincblende,
calculées par différents proximations.
Tab III.5 : Valeurs du gap énergétique Eg du SiC
Tab III.6 : les valeurs du paramètre de réseau (a) et du module de compressibilité (B) des
alliages 𝑆𝑖0.75 𝑀𝑇0.25 𝐶(MT = V et Ni) calculées par GGA-WC.
Tab III.7 : Valeurs calculées du gap (Eg) dans la direction spin down pour les deux alliages
𝑆𝑖0.75 𝑀𝑇0.25 𝐶 (MT = V et Ni).
Tab III.8 : Valeurs calculées des moments magnétiques totaux et locaux des composés
𝑆𝑖0.75 𝑀𝑇0.25 𝐶 (MT = V et Ni).
IX
Introduction générale
Cette étude s’inscrit dans le cadre de l’étude des semiconducteurs magnétiques dilués
DMS (Diluted Magnetic Semiconductors), plus spécifiquement les semi-conducteurs
magnétiques dilués (DMS) à base de Carbure de Silicium SiC 𝑆𝑖0.75 𝑀𝑇0.25 𝐶 (MT= V et
Ni).
.
Les DMS ont été employés à partir des années soixante lorsque ces semiconducteurs
présentaient une phase magnétique.
Les DMS sont des alliages semiconducteurs obtenus par substitution d’un élément
métallique par un élément de transition, et présentant un comportement ferromagnétique à
basse température. Les DMS ont commencé à voir le jour dans les années 70 avec
l’introduction d’impuretés magnétiques (Co, Fe, Mn) dans une matrice de semiconducteur à
base de II-VI [ 1].
Les semiconducteurs magnétiques dilués (DMS) jouent un rôle important car ils permettraient
d'intégrer certains composants de la spintronique dans les technologies de la
microélectronique classique.
L’objectif de notre travail est l’étude des propriétés structurales, électroniques et

magnétiques des semi-conducteurs magnétiques dilués à base de Carbure de Silicium SiC.
Plusieurs méthodes théoriques peuvent être utilisées pour calculer les propriétés structurales,
électroniques et magnétiques de la matière. Nous avons utilisé la méthode ab-initio [14] qui
permet de décrire les propriétés physico-chimiques à l’état fondamental. Elle donne des
résultats fiables en les comparants avec les mesures expérimentales.
Parmi ces méthodes ab-initio, la méthode des ondes planes augmentées linéarisées (FP-
LAPW) [15] est l’une des plus précises pour calculer la structure électronique des solides
dans le cadre de la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT) implémentée dans le code
WIEN2k [16], qui vise à rendre compte de l’état fondamental d’un système, et dont
l’application numérique a été rendue possible par Hohenberg, Kohn et Sham dans les années
60 et 70.
La rédaction de ce mémoire s’articule autour de trois chapitres :

Dans le premier chapitre nous donnons une généralité sur les semiconducteurs en
situant quelques propriétés physiques et électroniques du SiC .
Dans le second chapitre nous présentons la théorie de la fonctionnelle de la densité
(DFT) ainsi que le principe de la méthode des ondes planes augmentée et linéarisées (FP-
LAPW), avec une petite description du code WIEN2K.
Dans le troisième chapitre on présente nos résultats obtenus avec les interprétations
relatifs aux propriétés structurales, électroniques et magnétiques des semi-conducteurs
magnétiques dilués à base de Carbure de Silicium SiC 𝑆𝑖0.75 𝑀𝑇0.25 𝐶 (MT= V et Ni ).
1
Chapitre I : Spintronique et semi-conducteurs magnétiques
dilués .
Ce chapitre a pour but d'introduire les différentes familles de semi-
conducteur magnétiques et une genéralités sur SiC et leur propriétés
physiques et électroniques .
Chapitre I : Spintronique et semi-conducteurs magnétiques dilués.
I.1. L’électronique de spin......................................................................................................02
I.1.1. Une brève histoire des magnétorésistances……………………….……………………02

I.1.1.1 La magnétorésistance géante (GMR)............................................................................02
I.1.1.2. La magnétorésistance tunnel (TMR)............................................................................04
I.1.1.3. Mémoires Magnétiques à Accès Aléatoires (MRAM).................................................06
I.2. L’intégration de semi-conducteurs dans la spintronique ………………………...….08
I.3. Les semi-conducteurs magnétiques dilués (DMS) à base de Carbure de Silicium SiC
I.3.1 Définition d’un semiconducteur…………………………………………………....…...10
I.3.2 Bandes d’énergie……………………………………………………….……..………...10
I. 3.3 Familles de semi-conducteurs magnétiques ...................................................................11
I.3.3.1 Semi-conducteurs où les éléments magnétiques forment un réseau périodiq…..…….11
I.3.3.2 Semi-conducteurs où les éléments magnétiques substituent aléatoirement les cations

(DMS) ……………………………………………………………………………...…………12
I.3.3.3. Les avantages des DMSs à base de semi-conducteurs III-V et II-VI………………...12
I.4.Generalités sur SiC............................................................................................................13
I.4.1 Historique.........................................................................................................................13
I.4.2 Cristallographie du SiC ....................................................................................................14
I.4.3 Aspects structuraux..........................................................................................................16
I.4.3.1 Propriétes physiques et électroniques du SiC................................................................16
I.4.3.1.1 Propriétés physiques...................................................................................................18
I.4.3.1.2 Propriétés électroniques .............................................................................................19
I.4.4 Corrélation entre structures et propriétés magnétiques ...................................................21
I.4.5 Comparaison du SiC avec d’autres semiconducteurs.......................................................23
I.5. conclusion..........................................................................................................................24
1
I.1. L’électronique de spin ( La spintronique) .

La spintronique ou électronique de spin est une thématque de recherche récente. En
effet l’éléctronique classique est basée sur le contrôle des porteurs , mais dans La spintronique
on utilise une caractérisation quantique des éléctrons (spin) quantifiés selon deux valeurs
1 1
opposées, spin up↑ (2) et de spin down↓(− 2) ainsi la combinaison de la charge éléctrique et
du spin de l’éléctron donne un nouveau degré de liberté, qui est la base de la La
spintronique .cette derniére propose d'utiliser non seulement la charge mais aussi le spin de
l'électron pour coder l'information. En effet, celui-ci influe sur la mobilité des électrons dans
les matériaux ferromagnétiques. Cette influence, d’abord suggérée par Mott en 1936[17] a été
ensuite observée expérimentalement et décrite théoriquement par Albert. Fert .
Dans un matériau non magnétique, qu’il soit métallique, isolant ou semi-conducteur, le

nombre d’électrons de spin up↑ et de spin down↓ est le même.
Dans un matériau magnétique, par contre, le nombre d’électrons de spin up et de spin down
est différent, c’est justement cette différence qui donne lieu à l’apparition d’un moment
magnétique macroscopique non nul.
La magnétorésistance géante (Giant Magneto-Resistance ou GMR) découverte par Albert Fert

[1] et P. Grunberg [2] (co-Nobel de physique, 2007), et la magnétorésistance tunnel, sont les
premières manifestations de la spintronique. Cette découverte a entraîné un bouleversement
technologique majeur dans le secteur de la microinformatique.
Aujourd'hui, l'électronique de spin est à la recherche de nouveaux matériaux permettant

de répondre à un certain nombre de défis technologiques qui conditionnent la réalisation de
nouveaux dispositifs. Parmi eux, les semi-conducteurs magnétiques dilués font désormais
l'objet de nombreuses études.
I .1.Une brève histoire des magnétorésistances .

Cette histoire a commencé en 1922 quant Otto Stern et Walther Gerlach ont découvert
le spin de l’électron [1],et ont démontré que l'électron avait une propriété physique autre que
la charge électrique : le spin.
En effet, tout se passe comme si chaque électron portait un moment magnétique que
l’on peut manipuler en le soumettant, par exemple, à un champ magnétique externe. Cette
découverte aura d’importantes conséquences en physique, notamment pour la compréhension
du magnétisme et des phénomènes associés.
Du côté des applications pratiques, les décennies qui suivirent furent très prolifiques
pour la physique des solides. Le spin fut toutefois quelque peu laissé à l’écart de ce
développement, ainsi que de celui de l’électronique dans les années 60 et 70. Il fallut attendre
1988, avec la découverte de la magnétorésistance géante (GMR).
I.1.1.1. La magnétorésistance géante (GMR).

La GMR a été découverte dans des multicouches composées d’un empilement alterné
de couches de fer et de chrome[3]. C’est un aspect typique des phénomènes de l’électronique
de spin : ils apparaissent au-dessous d’une longueur d’échelle caractéristique et donc dans des
structures artificielles dont une ou plusieurs dimensions sont réduites.
2
Fig. I.1 – Premières observations de la magnétorésistance géante.

A gauche, courbe de P.Grünberg et collaborateurs ; à droite, courbe obtenue par A. Fert et
collaborateurs, montrant la magnétorésistance en fonction du champ magnétique, pour
différentes épaisseurs de Cr. Courbes issues de [3] et [2].
Afin d’illustrer le principe de fonctionnement de l’effet GMR, on considère deux

configurations caractérisées par un empilement de deux couches ferromagnétiques à
magnétisation parallèle (fig. I.2.a) et antiparallèle (fig. I.2.b) séparées par une couche
conductrice non-magnétique [3].
Les trajectoires des électrons sont déterminées par leur spin car les phénomènes de
diffusion sont forts dans le cas d’un spin opposé à la magnétisation et plus faible dans le cas
contraire. Les électrons qui participent à la conduction électrique peuvent avoir un spin
parallèle (majoritaire ↑) ou opposé (minoritaire ↓) par rapport à l’aimantation des couches
Dans la configuration avec des couches à magnétisation parallèle les électrons de spin
majoritaire (eup) passent à travers la structure presque sans diffusion (flèche verte), tandis que
les électrons de spin minoritaire (edown) sont plus fortement diffusés (flèche rouge).
Dans la configuration antiparallèle, les électrons sont tous diffusés et donc larésistance
de la structure est plus élevée.
Dans le cas d’absence de champ magnétique extérieur, les axes d’aimantation des
couches ferromagnétiques successives sont opposés et la résistance est maximale alors qu’en
présence d’un champ magnétique, les axes d’aimantation des couches ferromagnétiques
s’alignent progressivement dans l’axe du champ magnétique appliqué et la résistance
électrique de la structure diminue.
3
a b
Fig I.2 : Principe de fonctionnement de la magnétorésistance géante.

(a) Magnétisation parallèle et (b) Magnétisation antiparallèle.
I.1.1.2. La magnétorésistance tunnel (TMR).

La TMR a été observé dans des systèmes constitués de deux électrodes
ferromagnétiques (couche libre et couche piégée) séparées par une fine couche isolante
(appelée barrière tunnel) dont l’épaisseur est de l’ordre du nanomètre. La couche piégée joue
le rôle de couche de référence, son aimantation étant figée soit par couplage avec une couche
fortement antiferromagnétique, soit du fait de son caractère magnétique plus dur (champ
coercitif plus élevé).
L’autre couche ferromagnétique conserve la possibilité de changer son orientation selon celle
du champ magnétique appliqué[4].
Fig. I.3 – Evolution, au cours du temps, de la magnétorésistance tunnel rapportée par

différents laboratoires de par le monde. Extrait de [7].
4
En 1975, après les premières expériences de Tedrow et al. sur le transport tunnel
dépendant du spin [4], Jullière [5] observe la magnétorésistance tunnel dans une tricouche
Fe/GeOx/Co (GeOx; oxyde de germanium amorphe) à basse température. L’effet disparaît par
application d’une faible tension ou par élévation de la température.
Jullière a développé un modèle basé sur deux hypothèses pour rendre compte de cette
TMR. La première hypothèse est que le spin de l’électron est conservé lors du transport
tunnel. La seconde est que la probabilité de transmission des électrons à travers la barrière est
proportionnelle à la densité d’états au niveau de Fermi dans l’électrode réceptrice. Le nombre
d’électrons candidats au passage est proportionnel à la densité d’états au niveau de Fermi dans
l’électrode émettrice. Le courant pour chaque canal de spin est donc proportionnel au produit
des densités d’états au niveau de Fermi des deux électrodes.
Fig I.4 : Effet tunnel entre deux couches ferromagnétiques F1 et F2 séparées par une barrière
isolante I du potentiel rectangulaire déformée par l’application d’une tension V.
les densités d’états des électrons de spins majoritaire et minoritaire (𝑛↑ et 𝑛↓ ) sont
représentées par des paraboles décalées en énergie. Ce décalage en énergie induit ce que
Jullière définit comme la polarisation P des matériaux ferromagnétiques :
𝒏↑ −𝒏↓
𝑷= I.1
𝒏↑ +𝒏↓
Dans une configuration parallèle des aimantations des deux matériaux

ferromagnétiques, la densité d’état au niveau de Fermi des électrons de spin majoritaire est
5
importante dans l’électrode émettrice F1 et dans l’électrode réceptrice F2. La résistance

correspondante est donc faible r↑ pour ce canal de spin, alors que la densité d’état au niveau
de Fermi des électrons de spin minoritaire est faible dans les deux électrodes, la résistance
tunnel R↓ dans ce cas est importante. Par conséquent, le courant est principalement dû au
canal de spin majoritaire. La résistance globale de la jonction tunnel magnétique dans l’état
parallèle est donnée par :
𝒓↓∙ 𝑹↑
𝑹↑↑ = I.2
𝒓↓ +𝑹↑
Dans la configuration d’aimantations antiparallèles, la densité d’état au niveau de Fermi des

électrons de spin majoritaire ou minoritaire est faible soit dans l’électrode émettrice F1 soit
dans l’électrode réceptrice F2. Les deux canaux conduisent de façon équivalente et
globalement plus faible que dans le cas d’aimantations parallèles. Par conséquent, les
résistances tunnel des électrons de spins majoritaires R↑ et spins minoritaires R↓ sont
moyennes. La résistance totale de la jonction tunnel magnétique dans l’état antiparallèle est :
𝑅↓ 𝑅↑
𝑅↓↑ = I.3
𝑅↓ +𝑅↑
La faible résistance r↑ rend R↑↑ plus faible que R↑↓. Un changement de configuration des
aimantations d’un état parallèle vers un état antiparallèle entraine donc un changement de
courant électrique à travers la barrière tunnel.
La magnétorésistance tunnel est définie comme la variation relative de la résistance du

système entre ses deux valeurs extrêmes :
𝑅↑↓ −𝑅↑↑ 𝐺𝑃 −𝐺𝐴𝑃 (𝑛1↑ 𝑛2↑ +𝑛1↓ 𝑛2↓ )−(𝑛1↑ 𝑛2↓ +𝑛1↓ 𝑛2↑ ) 2𝑃1 𝑃2
𝑇𝑀𝑅 = = = = I.4
𝑅↑↑ 𝐺𝐴𝑃 𝑛1↑ 𝑛2↓ +𝑛1↓ 𝑛2↑ 1−𝑃1 𝑃2
Où G est la conduction électrique de la jonction (GP : configuration d’aimantations

parallèle et GAP : configuration d’aimantations antiparallèle), 𝑛𝑖↑ et 𝑛𝑖↓ avec i = 1 ou 2
représentent les densités d’états des électrons de spin majoritaire et minoritaire dans chaque
électrode et Pj avec j = 1 ou 2 est la polarisation du courant dans chacune des électrodes au
niveau de Fermi. Cette quantité est sans dimension et s’exprime couramment en %.
Après plusieurs tentatives, ce n’est que vingt ans plus tard, en 1995 que Moodera et al.
[6] ont pu observer une TMR conséquente à température ambiante mesurée sur une jonction
de type CoFe/Al2O3/Co ou NiFe/Al2O3/Co. La TMR atteinte est 11.8% à 295 K.
I.1.1.3. Mémoires Magnétiques à Accès Aléatoires (MRAM).

La magnétorésistance tunnel a rapidement trouvé des applications dans le stockage
magnétique. Il est possible de fabriquer des matrices de jonctions (TMR) de
taillesubmicronique pour coder l'information par une série de 0 et de 1 : état « 0 » correspond
6
à la configuration parallèle (résistance faible) et état « 1 » correspond à la configuration

antiparallèle (résistance forte). En pratique, plus la différence entre les deux niveaux de
résistance est élevée, plus la lecture de l’état est rapide. La non-volatilité de ces systèmes
magnétiques et la démonstration d’écriture sub-nanoseconde permettent d’envisager leur
utilisation en tant que mémoire de stockage d’une grande fiabilité et de support pour le
traitement de données logiques. De tels systèmes sont appelés MRAM.
La figure I.5 représente l'architecture des MRAM : une jonction tunnel magnétique
connectée en série avec un transistor de sélection, une ligne de bit et une ligne de mot.
L'écriture est effectuée en fermant le transistor et en faisant passer des courants à
travers la ligne de bit et la ligne de mot qui se croisent au niveau du point mémoire adressé.
On crée
ainsi deux champs magnétiques orthogonaux au niveau de la jonction. Ces deux champs sont
suffisants pour changer l'orientation de la couche libre. Chaque champ magnétique pris
indépendamment ne permet pas le renversement de l’aimantation de la couche libre car le
champ magnétique créé à l’intersection des deux courants doit être supérieur au champ
coercitif de la couche libre.
Fig I.5 : architecture d’une mémoire MRAM constituée d’une matrice de jonctionstunnels
magnétiques [7].
Le principe de lecture d’un bit est de faire circuler un courant entre une ligne de mot et une
ligne de bit. La mesure de la résistance ainsi obtenue correspond à l’état de résistance faible
ou fort. Cependant, en appliquant une tension entre deux lignes, un ensemble de chemins
possibles pour le courant traversant une ou plusieurs jonctions tunnel magnétiques se
superposent. Pour éviter ce problème de lecture, un transistor en série a été ajouté avec chaque
cellule pour pouvoir les adresser chacune individuellement lors de la lecture.
Ainsi, plus de 20 ans après les premières découvertes, l’électronique de spin n’a
toujours pas perdu de son importance ; au contraire, des recherches se poursuivent sur des
sujets exploratoires comme la spintronique moléculaire, le contrôle en courant du moment
magnétique d’un objet unique, avec à la clé des applications prometteuses dans le domaine
7
des capteurs, des mémoires informatiques, des oscillateurs haute fréquence ou encore de la
biomédecine. Le contrôle du spin des électrons apparaît donc comme un enjeu important.
I.2. L’intégration de semi-conducteurs dans la spintronique .

De nombreux chercheurs voient dans l’extension de la spintronique au domaine des
semi-conducteurs un potentiel de développement encore plus prometteur. En effet,
l’exploitation du spin de l’électron dans des structures hybrides métal/semi-conducteur ouvre
un champ d’application totalement nouveau.
La spintronique dans les semi-conducteurs a plusieurs intérêts :

- une longueur de cohérence de spin plus élevée par rapport aux métaux et en plus un
seul composant pourrait combiner la détection de l’information (stockage dans une
mémoire MRAM), son traitement (par manipulation des spins) et sa transmission (du
magnétique vers optique).
Il s’ouvrira alors un vaste champ de possibilités, comme :
1- la réalisation d’un transistor de spin à effet de champ (SpinFET : Spin Field Effect
Transistor), (fig. I.6) comme décrit par Datta et Das [8].
La proposition théorique du composant SpinFET, ou Spin Field Effect Transistor nécessite
d’injecter des porteurs de charge spinpolarisés dans des nano-structures semi-conductrices
(figure 1.4). Le SpinFET est constitué d’une source et d’un drain en matériau ferromagnétique
de moments magnétiques paralléles. Ils sont séparés par un canal constitué d’une hétéro-
structure semi-conductrice formant un gaz d’électrons libres bidimensionnel. La grille
métallique est isolée du canal par une couche de matériau isolant. La source (injecteur de
spin) injecte des électrons spin-polarisés dans le canal vers le drain (détecteur de spin). Une
tension de grille crée dans le canal un champ électrique qui va provoquer ou non la rotation
des spins électroniques par le phénoméne de précession de Rashba. Ainsi, si les spins des
porteurs injectés restent orientés dans le sens de l’aimantation de la source et du drain, le
courant passe, le transistor est ON alors que dans le cas contraire le courant ne passe pas (pour
simplifier, en réalité la résistance à l’interface augmente) le transistor est OFF.
Un tel dispositif n’a pas encore été réalisé expérimentalement et reste un des principaux
challenges de la recherche en spintronique.
Fig I.6 :A- Représentation schématique du SpinFET.

8
B- Représentation schématique du SpinFET (Spin Field Effect Transistor), [6]
Le transistor à spin, quoiqu’assez intéressant sur le plan théorique, pose de nombreux

problèmes en terme de réalisation. L'un des obstacles et non des moindres est le problème de
l'injection de spin dans le canal de conduction car il est extrêmement difficile d'injecter
efficacement des courants polarisés en spin dans un semi-conducteur à partir d'un métal
ferromagnétique. Les problèmes liés à l'injection de spin sont cruciaux pour la fabrication de
dispositifs pour la spintronique basée sur les semi-conducteurs.
2 - SpinLED
L’un des exemples d’injection et de détection de spin est la Spin LED constituée d’un
injecteur en matériau ferromagnétique qui injecte des porteurs polarisés en spin dans un puits
quantique. La recombinaison radiative de ces porteurs induit l’émission de lumiére polarisée
circulairement. L’injecteur de spin peut etre réalisé en semi-conducteur magnétique dilué. La
figure 1.2 montre le schéma d’un tel dispositif [4]. Des trous spin-polarisés sont injectés via
un semiconducteur magnétique GaMnAs. Un courant spin-polarisé est véhiculé dans la
couche non-magnétique GaAs jusqu’au puits quantique InGaAs ou les trous polarisés se
recombinent avec les électrons de méme spin provoquant l’émission de photons polarisés
circulairement. Le fonctionnement de ce type de structure marche en l’absence de champ
magnétique pour des températures inférieures à 110 K qui est la température de Curie de
GaMnAs. D’autres types de dispositifs ont aussi été réalisés avec un semi-conducteur II-VI tel
que ZnMnSe sous champ .
9
Fig. I.7 – Diode électroluminescente SpinLED (Spin Light Emitting Diode) [45]
I.3. Les semi-conducteurs magnétiques dilués (DMS) à base de Carbure de

Silicium SiC .
I.3.1 Définition d’un semi-conducteur.
Les semiconducteurs sont des matériaux qui ont les caractéristiques électriques des
isolants, tels qu’on peut introduire des électrons dans la bande de conduction (ou des trous
dans la bande de valence), en densité suffisante pour leur conférer une conductivité
raisonnable, mais suffisamment faible pour qu’ils n’écrantent pas irrémédiablement tout
champ électrique appliqué. C’est ce qu’on appelle le dopage du semi-conducteur : on utilise
pour cela des impuretés qui apportent plus ou moins d’électrons que les atomes qu’ils
remplacent.
Les semiconducteurs sont principalement les éléments de la colonne IV du tableau de

classification des éléments (Si, Ge) mais aussi des composés III-V (GaAs, GaN,AlAs,AlP,
InP) ou II-VI (ZnS, CdS, CdSe,CdTe).
Le silicium est le matériau semiconducteur le plus utilisé commercialement, du fait de
ses bonnes propriétés, et de son abondance naturelle même s'il existe également des dizaines
d'autres semiconducteurs utilisés, comme le germanium, l'arséniure de gallium ou le carbure
de silicium.
I.3.2 Bandes d’énergie .

Bien que les électrons d'un atome isolé aient des niveaux d'énergie permis bien définis,
le comportement de ces électrons dans un réseau cristallin périodique est différent. Si la
distance entre les atomes est suffisamment petite, comme dans le cas du réseau cristallin du
silicium, la présence des atomes voisins génère une sorte d'interférence entre les niveaux
permis de chaque atome. Cela entraîne une multitude quasi continue d'états autour de chaque
niveau permis de l'atome individuel. Cet ensemble d'états, très proches entre eux, est plutôt
considéré alors comme une bande d'énergie permise, avec une densité d'états associée.
10
Les niveaux d'énergie des électrons de valence et le niveau d'énergie d'ionisation

génèrent ainsi deux bandes d’énergies permises particulièrement intéressantes, la bande de
valence et la bande de conduction, séparées par une bande dépourvue de niveaux
permis,nommée bande interdite (Figure I.8). La particularité de ces bandes permises tient au
fait que les électrons peuvent circuler librement dans toute la maille cristalline et ainsi générer
des courants de conduction électrique (s'agissant d'électrons partagés par les atomes du réseau
cristallin) [16].
Fig I.8 Diagramme des bandes d'énergie des semiconducteurs.
I. 3.2 Familles de semi-conducteurs magnétiques

Les semiconducteurs "magnétiques" peuvent être divisés en deux familles distinctes :
I.3.2.1 Semi-conducteurs où les éléments magnétiques forment un réseau périodique .

Les différentes familles de semiconducteurs où les éléments magnétiques forment un
réseau périodique (Figure I.9.a) sont par exemple les chalcogénures à base de chrome ou
d’europium et les manganites. Les chalcogénures à base de chrome (ACr2X4, A=Zn, Cd et
X=S ou Se par exemple) de structure spinelle ont été étudiés au début des années 50 et plus
récemment en couches minces (par exemple le composé ferromagnétique CdCr2Se4 [19] ou le
FeCr2S4 ferrimagnétique [15]).
11
Fig I.9 : a. Semiconducteurs où les éléments magnétiques forment un réseau périodique.

b. Semiconducteurs traditionnels sans éléments magnétiques
c. Semiconducteurs magnétiques dilués où leséléments magnétiques sont répartis
d’une manière aléatoire.
I.3.2.2 Semi-conducteurs où les éléments magnétiques substituent aléatoirement les

cations (DMS) .
Un semi-conducteur magnétique dilué est un semi-conducteur dans lequel une certaine
quantité d’atomes du semi-conducteur hôte est substitué par des atomes portant un moment
magnétique. La combinaison des propriétés électroniques et optiques des semi-conducteurs
avec les propriétés magnétiques d’un matériau ferromagnétique donne naissance à la

possibilité d’intégrer dans un seul dispositif des fonctionnalités optiques, électroniques et
magnétiques. C’est une des thématiques en plein essor dans le domaine de l’électronique de
spin.
En fonction de la matrice semiconductrice hôte, nous distinguerons plusieurs types des
semiconducteurs magnétiques dilués DMS (diluted magnetic semiconductors) (Figure I.9.c).
- le type III-V où l’on trouve entre autre le GaMnAs et l'InMnAs.
- le type IV à base de Si ou de Ge dopés au Cr, Mn, Ni ou Fe.
- le type IV-VI comme le Pb1-x-ySnxMnyTe.
- le type II-VI comme le ZnTMO et le CdTMTe (TM = ion de la série des métaux de
transition).
- Les oxydes semi-conducteurs tels que le TiO2, SnO2 et HfO2.
I.3.2.3. Les avantages des DMSs à base de semi-conducteurs III-V et II-VI

 grands temps de vie (jusqu’à 100 ns) des porteurs polarisés permettant leur transport
sur plusieurs centaines de nanomètres
 forte efficacité dans la polarisation et l’injection de spins
 localisation des porteurs au sein d’hétérostructures dans des puits quantiques ou des
boites quantiques
 Ajoutons à cela toutes les possibilités qu’ouvre l’ingénierie de bande sur ces matériaux
: ajustement du gap, du paramètre de maille et des contraintes, en fonction des besoins.
12
 Ces matériaux ont également quelques propriétés magnétiques intéressantes :

 l’existence, au-delà de la température ambiante d’une phase ferromagnétique.
 l’importance de leur facteur de Landé, qui quantifie le couplage entre les
propriétés de
Spin et le champ magnétique extérieur, assure un splitting Zeeman conséquent. Les propriétés
dépendantes du spin, telles que la rotation de faraday géante sont ainsi amplifiées et un champ
magnétique assez faible peut suffire pour polariser totalement les porteurs au niveau de Fermi.
I.4.Generalites sur SiC .

I.4.1 Historique .
Sur Terre, le carbure de silicium n’a quasiment pas d’existence naturelle. Pendant plus
d’un siècle , le SiC n’a été connu du grand public que sous le nom de « Carborundum ». Ses
applications industrielles étaient alors limitées à l’exploitation des propriétés mécaniques
exceptionnelles (dureté proche de celle du diamant) pour la réalisation de poudres abrasives et
à l’exploitation de sa résistance à la température et aux agents chimiques corrosifs pour la
réalisation de céramiques de revêtement.
Le SiC est observé dés 1824 par le scientifique suédois Jöns J. Berzelius (Fig. I.10)
alors qu’il tente d’obtenir artificiellement du diamant [18]. La production industrielle du
carbure de silicium sous forme de poudre abrasive, appelé carborundum, débute en
Pennsylvanie à partir de 1891 grace au procédé d’Eugéne G. Acheson [19]. Aussi, pendant de
nombreuses années, les applications de SiC se limitent-t-elles à l’exploitation de ses
propriétés mécaniques exceptionnelles ainsi que de sa résistance à la température et aux
agents chimiques corrosifs pour la réalisation de céramiques de revetement.
Il est connu en gemmologie sous le nom de moissanite en l’hommage au prix Nobel

francais Ferdinand H.Moissan (Fig. I.10) qui, en 1905, le découvre le premier à l’état
naturel dans un fragment de météorite tombée en Arizona [17].
Dés 1907, l’ingénieur Henri J. Round remarque les propriétés électroluminescentes de

SiC[15]. Le besoin de réaliser des composants à base de SiC conduit, trés rapidement, de
nombreux utilisateurs potentiels à intensifier leurs efforts pour essayer de produire des
substrats de qualité satisfaisante. C’est Joseph A. Lely qui propose, en 1955, la premiére
méthode de croissance de monocristaux de SiC de pureté électronique [16]. Néanmoins, le
manque de reproductibilité du procédé, la taille réduite des cristaux obtenus et l’impossibilité
de controler efficacement le dopage résiduel limitent fortement les possibilités d’applications.
Des progrés réellement significatifs ne sont réalisés qu’à partir de 1978. L’idée initiale est
simple et le mérite de sa mise en oeuvre en revient à Yu. M. Tairov et V. F. Tsvetkov [20].
Ces auteurs introduisent un germe dans le procédé Lely permettant ainsi l’obtention de
substrats de bonne qualité et de taille plus importante. En utilisant cette méthode, dite
méthode de Lely modifiée (LML), il devient alors possible de faire croıtre de véritables
monocristaux, de facon controlée.
Depuis, d’autres techniques de croissance, plus performantes, ont été élaborées de sorte
que dans le court terme, une production à l’échelle industrielle de composants électroniques
basés sur SiC puisse etre envisagée.
13
Fig.I.10 – Les découvreurs de SiC : J. J. Berzelius (à droite) et F. H. Moissan (à gauche).

Le SiC fait partie de la catégorie des matériaux semi-conducteurs à grand gap.
En microélectronique, ce matériau suscite de l’intérêt pour ses propriétés intrinsèques

telles que son énergie de bande interdite (3,2 eV pour le poly-type 4H), la vitesse de
saturation des électrons (2x107cm/s pour le poly-type 6H), son fort champ de claquage
(2,5x106 Vcm-1 pour le poly-type 6H) et sa conductivité thermique (4,9 Wcm-1K-1 pour le
poly-type 6H). Ces propriétés lui confèrent des qualités nettement supérieures aux matériaux
microélectroniques (Si, GaAs) pour des applications dans des conditions extrêmes telles des
applications à haute température, pour l’électronique de puissance et pour les
hyperfréquences.
I.4.2 Cristallographie du SiC .

Le SiC ne se forme pas spontanément dans la nature mais peut cependant être
synthétisé. Il peut alors cristalliser selon plusieurs structures appelées des poly-types. Le
carbone et le silicium étant des éléments de la colonne IV du tableau périodique, forment
entre eux des liaisons covalentes sous formes de tétraèdres (comme montré à la figure I-11).
14
Fig I-11 :Tétraèdres réguliers dans lesquels chaque atome de Si (C) est lié à 4 atomes de C
(Si).
Les poly-types sont diffèrent les uns par rapport aux autres par les séquences d’empilement
des tétraèdres de base qui peuvent se superposer de façon symétrique ou antisymétrique
comme représentés aux figures (I-12 et I-13).
La séquence d’empilement des doubles couches peut donc varier considérablement et
créer une infinité de combinaisons.
Jusqu’à présent plus de 250 poly-types ont été observés. Dans la notation de Ramsdell,
une lettre (C, H, R) indique la nature du réseau cristallin (Cubique, Hexagonal, ou
Rhomboédrique) et un chiffre le nombre de bicouches dans la séquence d’empilements
élémentaires.
Fig I-12 : Séquences d’empilements des principaux poly-types de SiC.
15
Fig I-13 : Différents poly-types du SiC (en rouge représentant les atomes de Si et en bleu les
atomes de C) [31]
I.4.3 Aspects structuraux .

On ne fait pas référence à une forme cristallographique unique parfaitement identifiée
comme pour Si ou GaAs mais à une famille de cristaux : ils sont tous différents mais
partagent cependant certaines propri étés physiques fondamentales. Cette multitude de
structures constitue l’ensemble des variétés allotropiques ou polytypes recensés de SiC.
La littérature en rapporte aujourd’hui prés de 200 se répartissant dans les géométries

cubique, hexagonales et rhomboédriques [21].
chaque atome de silicium se lie à 4 atomes de carbone selon des liaisons sp3 pour former des
tétraédres au sein desquels un atome de carbone est entouré de 4 atomes de silicium (Fig.
I.14)
L’environnement des atomes vis à vis de leurs premiers voisins est donc identique dans toute
la structure cristalline de SiC. Les tétraédres sont arrangés de telle sorte que les atomes se
situent dans des plans parallèles contenant des noeuds d’hexagones réguliers.
Les polytypes différent alors seulement par une séquence et une période d’empilement
de ces plans ou bicouches silicium-carbone.
16
Fig. I.14 – Environnement tétraédrique d’un atome de carbone entouré de ses plus proches
voisins.
En notation de Ramsdell [22], on nomme le polytype nX-SiC ou n désigne la période

élémentaire constituant le cristal et X la structure cristallographique : C pour cubique, H pour
hexagonale et R pour rhomboédrique.
L’unique forme cubique, aussi appelée β, est à faces centrées.
Les phases rhomboédriques et hexagonales sont regroupées sous le nom générique α. La

structure du polytype 2H est de type wurtzite tandis que celle de 3C-SiC tient à celui de la
blende de zinc.
Les autres variétés cristallines melent les structures précitées, les plus populaires étant 4H et
6H-SiC. La représentation dans le plan (1120), perpendiculaire au plan des bicouches (Fig.
I.15), permet de visualiser aisément les trois types de position des atomes Si et C notés
arbitrairement A, B et C pour quelques polytypes parmi les plus courants. Elle est trés usitée
car elle schématise précisément les séquences de superposition de chacun d’eux.
17
Fig. I.15 – Représentation dans le plan (1120) du motif de base des polytypes 3C, 4H et 6H-
SiC.
I.4.4 Proprietes physiques et électroniques du SiC .

I.4.4.1 Propriétés physiques.
Afin d'évaluer l'utilité du SiC en micro-électronique, nous le comparons avec les semi-
conducteurs les plus courants en Si et GaAs. Les propriétés des matériaux semi-conducteurs à
grand gap en cours de développement, comme le GaN, ou encore en phase de laboratoire,
comme le diamant ou le ZnO, sont également données à titre d'indicateur dans le tableau I-1.
3C- 6H- Si GaAs GaN ZnO Diamant

SiC SiC
GAP (eV) 2,4 (i) 3,0 (i) 1,1 (i) 1,42 (d) 3,4 (d) 3,4 (d) 5,5 (i)
i (indirect),
d (direct)
Point de fusion (°C) 2830 2830 1414 1237 2500 1975 3200
Champ de claquage 106 2,12 2,5 0,25 0,4 5 ? 10
Vcm-1
Mobilité électronique 1000 800 1500 8500 900 200 2200

2 -1 -1
Cm V s
Vitesse de saturation des 2,5 2,0 1,12 2 2,7 3,0 2,7
7 -1
e-10 cms
Conductivité thermique 5,0 4,9 1,5 0,5 1,3 1,3 20
-1 -1
Wcm K
Mobilité des trous cm2V- 40 90 600 400 150 5-50 1600
-1
1s
Tableau 1-1. Propriétés physiques à température ambiante des principaux poly-types du SiC
comparées à celles de Si, GaAs, GaN, ZnO et du diamant [32].
18
 La nature des liaisons Si-C est essentiellement covalente avec une contribution
ionique de 12 % [30]. En effet, le carbone est légérement polarisé négativement.
L’ionicité peut étre mise en évidence par la piézoélectricité. Le SiC étant un
composé polaire, la constante de couplage
piézoélectrique est relativement importante.
 Le carbure de silicium fait partie des matériaux réfractaires à grand gap. De ce

fait, il est très peu influencé par la température et peut opérer au-delà de 500˚C
alors que le silicium reste limité à 300˚C. Il ne fond pas en-dessous de 35
atmosphéres [30] mais se sublime à haute température.Bozack et al
 Une excellente conductivité thermique caractérise le carbure de silicium.
 SiC est chimiquement inerte, seules quelques bases concentrées portées à haute
température, tel que KOH en fusion, peuvent l’attaquer. Il est peu sensible aux
radiations et posséde une dureté trois fois supérieure à celle du silicium.
I.4.4.2 Propriétés électroniques .

Les propriétés électroniques du SiC sont fortement liées au polytype et spécialement à
la structure de bande. Toutes ses variétés allotropiques sont des matériaux à bande indirecte
de sorte que les transitions de la bande de valence à la bande de conduction soient
accompagnées d’un changement de vecteur d’onde et donc de pertes énergétiques par
émission de phonons. Ceci n’en fait pas un bon candidat pour les applications optroniques.
Par contre, SiC est largement utilisé comme support pour la croissance de GaN pour diodes
électroluminescentes.
La structure de bande est fortement dépendante de la maille cristalline. La Fig. I.16 montre
que pour le 3C-SiC, le minimum de la bande de conduction se situe autour du point X tandis
qu’il est au voisinage du point M pour le polytype 4H et, plus généralement, pour les
structures hexagonales [25].
Fig. I.16 – Structures de bandes des polytypes 3C et 4H-SIC calculées en utilisant la théorie
de la fonctionnelle de la densité dans l’approximation de la densité locale [25].
19
De façon rigoureuse, la bande interdite est dépendante de la température considérée. Ainsi

existe-t-il une faible variation de la bande interdite Eg avec la température T. L’équation de
Goldberg et al. [23], déduite de l’expérience, en donne une expression pour le 3C-SiC :
6,0×10−4 𝑇 2
𝐸𝑔 (𝑇) = 𝐸𝑔 (0) − (𝑇+1200)
I .5
avec Eg(0) =2,396 eV. La valeur du gap diminue donc lorsque la température augmente.
Les densités d’état, quant à elles, sont liées à la masse effective des porteurs dans le matériau
et donc à la structure de bande. La masse effective m∗ est inversement proportionnelle à la
courbure de bande :
1
𝑚∗ = 𝜕2 𝐸
I.6
( ⁄ 2)
𝜕𝐾
E étant l’énergie de l’électron dans la bande de conduction et k, le vecteur d’onde.

Les masses effectives sont différentes suivant la direction considérée de sorte qu’il faille, en
toute rigueur, introduire un tenseur de masse effective. En pratique, seules les masses
transverses et longitudinales sont utilisées. Une expérience de résonance cyclotronique permet
d’accéder à la forme des surfaces d’énergie des bandes de conduction et de valence, prés des
limites de bande, ce qui revient à déterminer le tenseur de masse effective. Il est alors possible
de déterminer les densités d’état dans la bande de conduction nC(T ) et dans la bande de
valence nV (T) :
2𝜋𝑚𝑑𝑒 𝑘𝐵 𝑇 3⁄2 2𝜋𝑚𝑑𝑒 𝑘𝐵 𝑇 3⁄2

𝑛𝐶 (𝑇) = 2𝑀𝐶 ( ) 𝑒𝑡 𝑛𝑉 (𝑇) = 2 ( ) I.7
ℎ2 ℎ2
MC étant le nombre de minima dans la bande de conduction et mde, la masse effective de

densité d’états.
La masse effective des trous est encore mal connue dans le SiC. On l’estime toutefois
voisine de la masse de l’électron libre. De ces valeurs de masses effectives et de densités
d’état, la concentration en porteurs intrinséques ni(T) peut étre déduite :
−𝐸𝑔 (𝑇)
𝑛𝑖 (𝑇) = √𝑛𝐶 (𝑇)𝑛𝑉 (𝑇)𝑒𝑥𝑝 ( ) I.8
2𝐾𝐵 𝑇
En adoptant la valeur de masse effective de densité d’état déterminée récemment par mesure
de résonance cyclotronique [27], la concentration intrinséque de 3C-SiC peut alors étre
obtenue en fonction de la température. Pour un dopage équivalent, la température intrinséque2
20
du carbure de silicium est plus élevée que celle du silicium. Ceci explique que les
températures de fonctionnement des dispositifs sur SiC soient bien supérieures que sur Si.
I.4.5 Corrélation entre structures et propriétés magnétiques .

L’introduction de Fe dans SiC à haute température (380 °C/550 °C) suivie d’un recuit
thermique peut a priori générer des siliciures et des carbures de Fe. Dans le système SiC:Fe
implanté, on observe généralement des siliciures plutôt que des carbures, comme il sera
montré ultérieurement dans l’étude nano-structurale par sonde atomique tomographique.
Le diagramme de phase Fe-Si est complexe, d’autant plus qu’il comporte toute une
variété de phases allotropiques (figure I-17) (chacune de ces phases pouvant avoir différentes
structures cristallographiques). Ce système montre plusieurs structures stables en fonction de
la stoechiométrie et de la température [33] telles que ε-FeSi, β-FeSi2 qui sont stables à 700 °C,
et la phase α-FeSi2 qui est stable à 937 °C. La phase Fe3Si existe sur une large plage de
compositions (température). De structure DO3 elle est ferromagnétique au-delà de la
température ambiante. La phase Fe5Si3 est métastable ainsi que la phase Fe2Si qui se
décompose en Fe3Si + ε-FeSi en dessous de 800 °C[34][35]Ces phases sont très intéressantes
du point de vue des applications dans les domaines de l’optique et de la spintronique. On va
donc en donner leurs structures et quelques domaines d’applications.
Figure I-17. Diagramme de phase binaire partiel Fe-Si [35].
21
- La phase stable ε-FeSi est de structure tétragonale (il s’agit alors d’un semi-conducteur
à faible gap d’environ 0,85 eV) mais la phase FeSi métastable existe elle aussi, elle est alors
métallique de structure cubique simple de type 𝐼𝑚3𝑚 (représentée ordonnée de type CsCl sur
la figure I-18 (a) mais que l’on peut aussi trouver désordonnée) et de paramètre de maille a =
0,2835 nm [36] .
Fig I-18 : Structure des phases FeSi, FeSi2 et Fe3Si[36]
- La phase FeSi2 cristallise en deux structures (figure 1-18 (b)), la phase α- FeSi2 qui
est stable au-dessus de 1213 °C et la phase β- FeSi2 qui est stable à température ambiante 49.
La phase α-FeSi2 a une structure tétragonale de paramètre de maille a = 0,2695 nm et c =
0,509 nm (Fig. 1-18 b). La cellule primitive contient un atome de Fe et deux atomes de Si.
Chaque atome de Fe dispose de 8 atomes de Si en premiers voisins situés à une distance de
0,235 nm et de 4 atomes de Fe en deuxième voisin à une distance de 0,2695 nm, tandis que
chaque atome de Si a 4 atomes de Fe comme premiers voisins 50. La phase β-FeSi2 cristallise
dans une structure orthorhombique de paramètres de maille a = 0,7791 nm, b = 0,7833 nm
et c = 0,9863 nm.
La cellule unité comporte 16 atomes de Fe et 32 atomes de Si, soit 48 atomes en tout. La

cellule comporte 2 sites de Fe (FeI et FeII) d’égale occupation51. La phase β-FeSi2 est un
semi-conducteur à petit gap (largeur de la bande interdite 0,85 eV) qui présente un fort
potentiel comme matériau photovoltaïque.
- La phase Fe5Si3 présente différents types de structures, on peut la trouver sur une base
quadratique ou une base hexagonale de type Mn5Si3. Cette structure dispose de deux sites
inéquivalents de FeI et FeII. Chaque cellule unitaire de Fe5Si3 a quatre atomes FeI, six atomes
FeII et six atomes Si. Ce composé est ferromagnétique à la température ambiante et sa
température de Curie est de 100°C[37]. Les moments magnétiques de Fe dans les sites FeI et
FeII sont respectivement 1,05 et 1,55 μB d’après Johson et al[34]. Des résultats similaires ont
été rapportés par Shinjo et al[37].
- La phase Fe2Si cristallise dans une structure hexagonale. Cette structure présente 4
atomes de Fe et 2 atomes de Si pour former une cellule primitive. Elle est composée d'un
sous-réseau irrégulier composé de Fe et Si et d'un sous-réseau hexagonal similaire à la
22
structure Ni2In. Les paramètres de maille sont a=b= 0,4052 nm et c= 0,5086 nm [38]. Les
propriétés magnétiques de Fe2Si sont similaires à celles des matériaux de structure Ni2In. La
phase Fe2Si présente un ferromagnétisme, comme les phases MnRhAs et MnCoAs[39].
- La phase Fe3Si cristallise dans une structure cubique DO3 et présente deux sites de Fe
(FeI et FeII)[55]. C’est une structure parfaitement ordonnée et connue pour être un bon
candidat comme électrode ferromagnétique dans les dispositifs spintroniques incluant des
jonctions tunnel magnétiques [41]. Ce composé est ferromagnétique à température ambiante
comme le montre (la figure 1-18)[42]. D’après Niculescu et al.[43], ce composé reste
ferromagnétique jusqu’à la température de 840 K.
Fig I-19. Cycles d’hystérésis mesurés sous champ appliqué dans le plan et perpendiculaire de
l’échantillon de la phase Fe3Si épitaxiée sur GaAs [ 42]
Si on se réfère à la figure 1-18 (c) on note que la structure DO3 est un réseau de type
CsCl (B2) constitué de deux sous réseaux simples. Un des sous réseaux est occupé
uniquement d’atomes de FeII et le second est constitué pour moitié d’atomes de Si et de Fe
(FeI). Un ordre local DO3 signifie que le premier sous réseau est occupé uniquement par Fe
(FeII) et que les atomes de Fe (FeI) et de Si occupent aléatoirement le second sous réseau. Les
2 types différents de Fe présents dans la cellule unité possèdent des moments magnétiques de
2,15 μB/Fe et 1,15 μB/Fe [37]. Ces valeurs sont en accord avec celles trouvées dans les
travaux de D. Berling et al [44].
I.4.6 Comparaison du SiC avec d’autres semiconducteurs.

Il est intéressant de comparer les propriétés du SiC avec celles d’autres
semiconducteurs à grand gap (Tab. 1.2). Le fait que SiC surclasse Si pour les applications en
environnement sévére, apparait évident à presque tous les stades. La question de l’intérét du
carbure de silicium par rapport au diamant reste toutefois posée puisque ce dernier est, sur de
nombreux points, supérieur à tous les polytypes. Le choix du SiC repose tout simplement sur
23
le fait que la technologie permettant d’obtenir de grandes surfaces de diamant monocristallin

est balbutiante [22] tandis que celle du SiC est déjà plus mature [26, 27].
Propriétés Si GaAs 3C-SiC 4H-SiC 6H-SiC 2H-GaN Diamant

Gap à 300K (eV) 1,11 1,43 2,36 3,26 3,02 3,39 5,45
Paramétre de 5,43 5,65 a=4,36 a=3,08 a=3,08 a=3,19 3,56
maille (˚A) c=10,08 c=15,12 c=5,18
Densité 2,328 5,320 3,210 3,211 3,210 6,150 3,515
Temp. max. 600 760 1200 1720 1580 1930 2800
d’opération (˚C)
Température de 1420 1238 2830 2830 2830 >2500 4000
fusion (˚C)
Vitesse de dérive
des électrons 1000 800 2500 2000 2000 1500 2700
(104m/s)
Mobilité des
électrons 1100 6000 1000 800 370 900 2200
(10−4m2/V.s)
Champ de
claquage 0,3 0,3 1 2,2 2,5 3,3 10
(108V/m)
Conductivité
thermique 150 54 360 370 490 130 2000
(W/m.K)
Constante 11,8 12,8 9,72 9,7 9,66 9 5,5
diélectrique
Tab. I.2 – Propriétés de quelques semiconducteurs à grand gap [23,28–32]. Si et GaAs sont
inclus pour comparaison.
I.5. conclusion.
Dans ce chapitre nous présentons les propriétés générales de semiconducteurs
magnétiques dulié que nous allons étudier. Dans un premier temps, nous faisons un rappel
d’ordre général sur les semiconducteurs et leurs différentes familles. Dans un deuxième
temps, nous présentons les propriétes physiques et électroniques du SiC .
L’objectif de rappels sur la spintronique était de montrer les perspectives d’ouverture de
cette nouvelle voie de l’électronique. Tout en soulignant la grosse tâche à mettre en oeuvre
par les chercheurs pour arriver à l’intégrer dans l’électronique traditionnelle. Ainsi, une
famille de nouveaux matériaux magnétiques est née : il s’agit des semi-conducteurs
magnétiques dilués (DMS). Après un bref historique, on a exposé la réalisation de ces
nouveaux composants, aussi proches que possible des semi-conducteurs usuels et présentant
des propriétés magnétiques très couplées aux propriétés électroniques. Un état de l’art du SiC
est ensuite présenté du point de vue expérimental et théorique.
24
Références:
[1] M.N. Baibich, J. M. Broto , A. Fert , F. N.Van dau, F. Petroff, P. Etienne, G. Creuzet
A.Friederich, J. Chazelas, “Giant magnetoresistance of (001)fe/(001)Cr magnetic
superlattices”,Phys. Rev. Lett. 61 21 (1988), 2472-2475.
[2] G. Binasch, P. Grünberg, F. Saurenbach, W. Zinn, “Enhanced magnetoresistance in

layered magnetic structures with antiferromagnetic interlayer exchange”. Phys. Rev. B 39
7(1989), 4828-4830.
[3] Maria marins de castro suza, “Commutation précessionelle de mémoire magnétique avec
polariseur à anisotropie perpendiculaire”, Thèse de doctorat, Université de Gronoble (2011).
[4] P.M. Tedrow, R. Meservey, “Spin-dependent tunnelling into ferromagnetic nickel”,

Phys.Rev. Lett. 26 (1971), 192-195.
[5] M. Julliere. “Tunneling between ferromagnetic films”, Phys. Lett. A, 54 3 (1975), 225-
226.
[6] J.S. Moodera, L. R. Kinder, T. M. Wong, R. Meservey, “Large magnetoresistance at room

temperature in ferromagnetic thin film tunnel junctions”, Phys. Rev. Lett.74 (1995), 3273-
3276.
[7] W.J. Gallagher and S. P. P. Parkin, “Development of the magnetic tunnel junction MRAM
at IBM: From first junctions to a 16-Mb MRAM demonstrator chip”, IBM J. Res. & Dev. 50
(2006), 1-5.
[8] S. Datta, B. Das, “Electronic analog of the electro-optic modulator”, App. Phys. Lett. 56
(1990), 665-667.
[9] Y. D. Park, A. T. Hanbicki, J. E. Mattson and B. T. Jonker, Appl. Phys. Lett 81, 1471
(2002).
[10] A. Nath, Z. Klencsar, E. Kuzmann, Z. Homonnay, A. Vertes, A. Simopoulos, E. Devlin,
[11] B. Benabdallah Nadia, Thèse de magister,université Abou BakrBelkaid – Tlemcen

(2006)
[12] F. H. Moissan. Compt. Rend. Acad. Scie. Paris, 140 (1905), p. 405.
[13] J. J. Berzelius. Ann. Phys. Lpz., 1 (1824), p. 169.
[14] E. G. Acheson. Engl. Patent, (1892), p. 17911.

[15] N. J. Round. Electrical World, 30 (1907), p. 309.
[16] J. A. Lely. Bericht. Detuschen Keram. Ges., 32 (1955), p. 229.

25
[17] Y. M. Tairov and V. F. Tsvetkov. Investigations of growth processes of ingots of silicon

carbide single crystal. J. Cryst. Growth, 43 (1978), p. 209.
[18] W. R. L. Lambrecht, S. Limpijumnong, S. N. Rashkeev, and B. Segall. Electronic Band

Structure of SiC Polytypes : A discussion of Theory and Experiment. Phys. Stat. Sol.B, 202
(1997), p. 5.
[19] L. S. Ramsdell. Am. Mineralogist, 32 (1947), p. 64.
[20] Gmelin Handbook of Inorganic Chemistry, Silicon Carbide, B2.
[21] M. J. Bozack. Surface studies on SiC as related to contacts. Phys. Stat. Sol. B, 202
(1997),p. 549.
[22] C. Persson and U. Linderfelt. Relativistic band structure calculation of cubic and
hexagonal SiC polytypes. J. Appl. Phys., 82 (1997), p. 11.
[23] Y. Goldberg, M. Levinshtein, and S. Rumyantsev. Properties of Advanced

Semiconductor Materials GaN, AlN, SiC, BN, SiGe. Eds. Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L.,
Shur M.S., John Wiley and Sons, Inc., New York, (2001), p. 93.
[24] W. M. Chen, N. T. Son, E. Janzen, D. M. Hofmann, and B. K. Meyer. Effective masses

in SiC determined by cyclotron resonance experiments. Phys. Stat. Sol., 162 (1997),p. 79.
[25] M. N. Yoder, P. K. Bachmann, H. Matsunami, and H. Morkoc. Substrate issues for wide
bandgap semiconductors. Mat. Res. Soc. Proc., 339 (1994), p. 3.
[26] C. Zorman, A. Fleichman, A. Dewa, M. Mehregany, C. Jacob, S. Nishino, and P. Pirouz.

Epitaxial growth of 3C-SiC on 4 in. diameter (100) silicon wafers by APCVD. J. Appl. Phys.,
78 (1995), p. 5136.
[27] Y. Yamagushi, H. Nagasawa, T. Shoki, and N. Annaka. Properties of heteroepitaxial 3C-

SiC films grown by LPCVD. Tech. Dig, 8 th, Int. Conf. On Solid State Sensors and Actuators,
and Eurosensors IX, Stokholm, Sweden, 2 (1995), p. 190.
[28] M. Bhatnagar and B. J. Baliga. Comparison of 6H-SiC, 3C-SiC and Si for power devices.
IEEE trans. on Electron Devices, 40 (1993), p. 645.
[29] Mott, N. F. Note on the contact between a metal and an insulator or semi-conductor.
Mathematical Proceedings of the Cambridge Philosophical Society 34, 568-572 (1938).
[30] Datta, S. & Das, B. Electronic analog of the electro‐optic modulator. Applied Physics
Letters 56, 665–667 (1990).
26
[31] Bechstedt, F. & Belabbes, A. Structure, energetics, and electronic states of III–V
compound polytypes. Journal of Physics: Condensed Matter 25, 273201 (2013).
[32] Ferro, G. Croissance épitaxiale du carbure de silicium à basse température Université

Claude Bernard Lyon 1, HDR (2006). Tableau
[33] Hansen, M., Anderko, K. & Salzberg, H. W. Constitution of Binary Alloys. Journal of
The Electrochemical Society 105, 260C (1958).
[34] Johnson, V., Weiher, J. F., Frederick, C. G. & Rogers, D. B. Magnetic and Mössbauer
effect studies of Mn5Si3:Fe5Si3 solid solutions. Journal of Solid State Chemistry 4, 311–323
(1972).
[35] Lacaze, J. & Sundman, B. An assessment of the Fe-C-Si system. Metallurgical

Transactions A 22, 2211–2223 (1991).
[36] Von Känel, H., Mäder, K. A., Müller, E., Onda, N. & Sirringhaus, H. Structural and
electronic properties of metastable epitaxial FeSi 1 + x films on Si(111). Physical Review B
45, 13807–13810 (1992).
[37] Shinjo, T., Nakamura, Y. & Shikazono, N. Magnetic Study of Fe 3 Si and Fe 5 Si 3 by

Mössbauer Effect. Journal of the Physical Society of Japan 18, 797–801 (1963).
[38] Chen, W., Li, R. & Liu, Y. Effect of (0001) Strain on the Electronic and Magnetic
Properties of the Half-Metallic Ferromagnet Fe 2 Si. Advances in Materials Science and
Engineering 2017, 1–7 (2017).
[39] Zach, R., Toboła, J., Chajec, W., Fruchart, D. & Ono, F. Magnetic Properties of MM’X
(M= Mn, M’= 3d or 4d Metal, X = P, As, Si, Ge) Compounds with Hexagonal or
Orthorhombic Crystal Structure. Solid State Phenomena 194, 98–103 (2012).
[40] Lin, F., Jiang, D., Ma, X. & Shi, W. Structural order and magnetic properties of
Fe3Si/Si(100) heterostructures grown by pulsed-laser deposition. Thin Solid Films 515, 5353–
5356 (2007).
[41] Mantovan, R. et al. Synthesis and characterization of Fe 3 Si/SiO 2 structures for

spintronics. physica status solidi (a) 205, 1753–1757 (2008).
[42] Vinzelberg, H., Schumann, J., Elefant, D., Arushanov, E. & Schmidt, O. G. Transport
and magnetic properties of Fe3Si epitaxial films. Journal of Applied Physics 104, 093707
(2008).
[43] Niculescu, V. A., Burch, T. J. & Budnick, J. I. A local environment description of

hyperfine fields and atomic moments in Fe3−xTxSi alloys. Journal of Magnetism and
Magnetic Materials 39, 223–267 (1983).
[44] Berling, D. et al. Magnetic properties of epitaxial Fe(Si1−xFex) films grown on Si(111).
Journal of Magnetism and Magnetic Materials 191, 331–338 (1999).
27
[45] Y. Ohno, D. K. Young, B. Beschoten, F. Matsukura, H. Ohno, D. D. Awschalom, Nature

402, 790 (1999).
28
Chapitre II : Formalismes et méthodes de calculs
Dans ce chapitre,. Nous donnerons les principes de base des
calculs de premier principe puis nous présenterons les méthodes
d'approximation utilisées. Après, on présente la méthode des ondes planes
augmentés linearisées FP-LAPW et Le concept de cette méthode.
Nous présenterons enfin une brève description du code WIEN2K.
27
II.Théorie de la Fonctionnelle de la densité..…………………………………….…..……….29

II.1 Introduction…………………………………………………………………………...….29
II.2 Equation de Schrödinger…………………………………………………….…………...29
II.3 Approximation de Born-Oppenheimer….……………………………………..…………30
II.4 Approximation de Hartree…….………………………………………………..………...30
II.5 Approximation de Hartree-Fock………………….…………..………………………….31
II.6 Fondements de la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT)………………..…….. 31
II.6.1 Théorèmes de Hohenberg et Kohn……………………………………………..………31
II.6.1.1 Premier théorème de Hohenberg et Kohn……..……………………………..………32
II.6.1.2 Deuxième théorème de Hohenberg et Kohn…..……………………………….....….32
II.6.2 Approche de Khon et Sham…………………………………………………………….34
II.6.3 Fonctionnelles d’échange-corrélation……………………………………….…………34
II.7 Approximations utilisées en DFT………………………………………………..……….34
II.7.1 Approximation de la densité locale (LDA)….………………………….……………...34
II.7.2 Approximation du gradient généralisé (GGA)…………………………..……………..35

II.7.3 Résolution des équations de Kohn-Sham….………………………………..………….36
II.8 Méthode des Ondes Planes Linéarisées Augmentées (FP-LAPW).………………..…….37
II.8.1 Introduction..…………………………………………………………………….……..37
II.8.2 La méthode des ondes planes augmentées (APW)..………………………………..…..38
II.8.3 La méthode des ondes planes augmentées linéarisées (FP-LAPW)..………………..…39
II.8.4 Le concept de la méthode FP-LAPW……………………………………………..……41
II.9 Le code Wien2k……………………………………………………………………..……42
II.10 Conclusion……………………………………..……………………..…………………44
28
II.Théorie de la Fonctionnelle de la densité .

II.1 Introduction.
La théorie de la fonctionnelle de la densité (Density Functional Theory, DFT) est
utilisée comme un outil mathématique pour la résolution des problèmes à plusieurs corps, du
type de ceux rencontrés dans les études des systèmes polyélectroniques corrélés, en général, et
des solides cristallins, en particulier. La Théorie de la Fonctionnel de la Densité (DFT) s’est
donné pour but de déterminer, à l’aide de la seule connaissance de la densité électronique, les
propriétés de l’état fondamental d’un système composé d’un nombre fixe d’électrons, en
interaction coulombienne avec des noyaux ponctuels. Elle repose sur un certain nombre de
résultats formels, essentiellement les théorèmes de Hohenberg et Kohn (HK) et Khon-Sham
(KS).
Pour décrire l’évolution de cette méthode qui a commencé au début par l’approximation
de Born-Oppenheimer ou l’approximation adiabatique, qui se base sur la séparation du
mouvement des électrons de celui des noyaux à cause de leur différence de masses.
Le premier théorème de Hohenberg et Kohn consiste à remplacer le nombre
d’Avogadro NA qui est un nombre très élève (~1023) pour résoudre le système, car à chaque
particule on associe un état quantique.
Le deuxième théorème de Hohenberg-Kohn permet d’affirmer que la résolution de
l’équation de la densité électronique peut être remplacée par la recherche du minimum de
l’énergie ou l’état fondamentale.
Le dernier théorème est celle de Kohn-Sham. Cette approximation consiste à résoudre
l’équation de Schrödinger de particules sans interaction électroniques et qui donne la même
densité que celle d’un système de particules avec interaction. Donc il ne reste qu’à déterminer
l’état fondamental ou le minimum d’énergie.
II.2 Equation de Schrödinger .

La mécanique quantique est basée essentiellement sur les méthodes basées sur la
résolution de l’équation de Schrödinger [1], qui décrit le mouvement d’un système constitué
par une association de particules élémentaires : Les ions et les électrons.
Cette équation dans le cas stationnaire indépendante du temps s’écrit :
̂ 𝝍 = 𝑬𝝍
𝑯 II.1
Où H est l’opérateur hamiltonien non relativiste du système .
Ψ est la fonction d’onde (fonction propre) du système.
E est l’énergie totale du système.
Cette équation de base, permet de trouver les énergies et les fonctions d’ondes associées aux
régimes stationnaires pour les systèmes simples. La description de systèmes plus complexes
nécessite la mise en oeuvre d’un certain nombre d’approximations [2].
L’hamiltonien total pour un système de N noyaux et n électrons, s’écrit:
29
̂𝑇𝑜𝑡𝑎𝑙 = 𝑇̂𝑛 + 𝑉̂𝑛−𝑛 + 𝑉̂𝑛−𝑒 + 𝑉̂𝑒−𝑒 + 𝑇̂𝑒

𝐻 II.2
Où :
ℏ 2 ∇ 𝑅 2⃗
𝑇̂𝑛 = − 2 ∑𝑖 𝑀 𝑖 :est l’énergie cinétique des noyaux II.3
𝑛
ℏ 2 ∇ 𝑅 2⃗
𝑇̂𝑒 = − 2 ∑𝑖 𝑚 𝑖 : est l’énergie cinétique des électrons. II.4
𝑒
1 e 𝑍 2
𝑉̂𝑛−𝑒 = − 4𝜋𝜀 ∑𝑖,𝑗 |𝑅⃗ −𝑟𝑖 | : est l’énergie potentielle d’interaction noyaux-électrons. II.5
0 𝑖 𝑗
1 e 2
𝑉̂𝑒−𝑒 = 8𝜋𝜀 ∑𝑖≠𝑗 |𝑟 −𝑟 est l’énergie potentielle de répulsion entre les électrons. II.6
0 𝑖 𝑗|
e 𝑍𝑖 𝑍𝑗 2
1
𝑉̂𝑛−𝑛 = 8𝜋𝜀 ∑𝑖≠𝑗 |𝑅⃗ −𝑅⃗ |
est l’énergie potentielle d’interaction entre les noyaux II.7
0 𝑖 𝑗
𝑅⃗𝑖 , 𝑀𝑛 la position et la masse du noyau.

𝑟𝑗 , 𝑚𝑒 la position et la masse de l’électron.
Pour trouver une solution de l’équation de Schrödinger (II.1) d’un système de

particules se trouvant en interaction, trois approximations sont utilisées.
II.3 L’approximation de Born-Oppenheimer.

L’approximation de Born-Oppenheimer (Born-Oppenheimer Approximation, BOA)
(1927) [3] est basée sur le fait que les électrons dont la masse est beaucoup plus faible que
celle des noyaux. Cette approximation tient compte du fait que le mouvement des particules
légères (électrons) et lourdes (noyaux) est fort différent. Pour cette raison, le mouvement des
noyaux par rapport aux électrons peut être négligé, c’est-à-dire que les noyaux seront
considérés comme figés. Dans ce contexte, l'énergie cinétique des noyaux est nulle (Tnoy= 0)
et l'énergie coulombienne (Vnoy-noy) due à la répulsion entre noyaux devient constante.
L’équation de Schrödinger correspondante peut être écrite sous la forme :
̂𝑇𝑜𝑡𝑎𝑙 = 𝑉̂𝑛−𝑒 + 𝑉̂𝑒−𝑒 + 𝑇̂𝑒

𝐻 II.8
II.4 Approximation de Hartree.

L’approximation orbitélaire, introduite par Hartree en 1928 [4], consiste à chercher les
fonctions d’onde sous forme de produit de spin-orbitales monoélectroniques supposées
normalisées :
𝜓𝑖 (𝑟𝑖 ) = 𝜓1 (𝑟1 ) ∙ 𝜓2 (𝑟2 ) ∙∙∙ 𝜓𝑁 (𝑟𝑁 ) II.9
30
Cette approximation est basée sur l'hypothèse d'électrons libres ce qui revient à ne pas
tenir compte des interactions entre les électrons et des états de spin.
II.5 Approximation de Hartree-Fock.

Cette approximation a été généralisée par Hartree et Fock (HF) [5] en écrivant la
fonction d’onde sous forme d’un déterminant de Slater (II.10) construit sur la base des
fonctions d’onde de chaque électron pour satisfaire le principe de Pauli [6].
Il est possible, dans ce cas, d’évaluer la meilleure fonction d’onde, pour un tel système
en minimisant, l’énergie à l’aide du principe variationnel.
𝜓1 (1) 𝜓2 (1) ⋯ 𝜓𝑛𝑒 (1)

1
𝜓𝑖 (𝑟𝑖 ) = | 𝜓1 (2) 𝜓2 (2) ⋯ 𝜓𝑛𝑒 (2) | II.10
√𝑛𝑒 !
𝜓1 (𝑛𝑒 ) 𝜓2 (𝑛𝑒 ) … 𝜓𝑛𝑒 (𝑛𝑒 )
1
Où est le facteur de normalisation
√𝑛𝑒 !
Malgré les résultats très satisfaisants obtenus, cette approche négligeant le terme de
corrélation, présente une limitation majeure : elle surestime la distance moyenne entre les
électrons puisque l’on suppose que chaque électron se trouve dans un champ moyen créé par
tous les autres sans tenir compte des interactions interélectroniques et elle surestime l’énergie
de répulsion électronique. Pour décrire correctement le système, Löwdin [7] a défini l’énergie
de corrélation Ecorr comme étant la différence entre l’énergie définie par la méthode Hartree-
Fock (𝐸𝐻𝐹 ) et l’énergie exacte non relativiste du système.
𝐸𝑐𝑜𝑟𝑟 = 𝐸𝑒𝑥𝑎𝑐𝑡𝑒 − 𝐸𝐻𝐹 II.11
La résolution des équations d’HF donne une fonction d'onde de référence sous la forme
d'un déterminant de Slater [16]. Cependant, ces méthodes sont très faramineuses en terme de
temps et en puissance de calculs et ne sont, par conséquent, applicables que pour de petits
systèmes [17].
II.6 Fondements de la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT)

La théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT) a été introduite à l’origine par
Thomas [18] et Fermi [19] en 1927 qui ont tenté d’exprimer l’énergie totale d’un système en
fonction de sa densité électronique en représentant son énergie cinétique selon une
fonctionnelle de cette grandeur.
En 1930, Dirac [20] a amélioré cette théorie, en introduisant une fonctionnelle
d’échange. Mais le terme de corrélation électronique est toujours absent dans cette nouvelle
approche.
II.6.1 Théorèmes de Hohenberg et Kohn.

Deux théorèmes attribués à Hohenberg et Kohn [3] sont les fondements de la DFT :
31
II.6.1.1 Premier théorème de Hohenberg et Kohn.

Hohenberg et Kohn ont montré qu’il existe une correspondance biunivoque entre le
potentiel extérieur et la densité électronique ρ(r) permettant de représenter le premier comme
une fonctionnelle de l’état fondamental de la deuxième. Par conséquent, l’énergie totale du
système à l’état fondamental est également une fonctionnelle unique universelle de la densité
électronique, soit:
𝐸 = 𝐸[𝜌(𝑟)] II.12
Ce théorème est à la base de la théorie de la fonctionnelle de la densité et explique

l’appellation qui lui a été donnée. Ceci diffère de la méthode Hartree-Fock, dans laquelle
l’énergie totale du système est fonctionnelle de la fonction d’onde.
II.6.1.2 Deuxième théorème de Hohenberg et Kohn.

Hohenberg et Kohn ont montré que l'énergie totale de l'état fondamental est minimale
pour la densité d'état fondamental ρ0 par rapport à toutes les densités conduisant au nombre
correct d'électrons.
𝐸(𝜌0 ) = 𝑚𝑖𝑛 𝐸(𝜌) II.13
ρ0: la densité de l’état fondamental.
Ce second théorème équivaut à un principe de minimisation qui peut être utilisé pour
déterminer la densité fondamentale. Si la forme de la fonctionnelle énergie est connue, la
densité peut être déterminée en utilisant le second théorème.
La fonctionnelle de l’énergie totale de l’état fondamental s’écrit comme suit:
𝐸𝑉𝑒𝑥𝑡 [𝜌] =< 𝜓|𝑇̂ + 𝑉̂ |𝜓 > +< 𝜓|𝑉̂𝑒𝑥𝑡 |𝜓 > II.14
𝐸𝑉𝑒𝑥𝑡 [𝜌] = 𝐹𝐻𝐹 [𝜌] + ∫ 𝜌(𝑟)𝑉̂𝑒𝑥𝑡 (𝑟̂ ) 𝑑𝑟̂ II.15
Avec : < 𝜓|𝑇̂ + 𝑉̂ |𝜓 >= 𝐹𝐻𝐾 [𝜌]
Le fonctionnel 𝐹𝐻𝐾 [𝜌] est universel pour n'importe quel système d’électrons .
II.6.2 Approche de Khon et Sham.

Les théorèmes de Hohenberg et Kohn ne donnent pas une procédure pour calculer
l’énergie de l’état fondamental 𝐸0 a partir de la densité électronique 𝜌 , ni comment
déterminer 𝜌 sans déterminer, au préalable, la fonction d’onde. C’est Kohn et Sham, en 1965,
qui ont élaboré une méthode pratique pour calculer 𝐸0 à partir de 𝜌0 [22].
32
Ils ont considéré un système à plusieurs particules en utilisant des méthodes à particules
indépendantes. L’approche de Kohn et Sham remplace le système réel interactif par un
système fictif non interactif. Cette approche réalise une correspondance exacte entre la densité
électronique, l’énergie de l’état fondamental d’un système fictif placé dans un potentiel
effectif 𝑉̂𝑒𝑓𝑓 et le système réel à plusieurs particules. Dans ce cas la densité électronique et
l’énergie du système réel sont conservées dans ce système fictif.
Pour le système fictif, les théorèmes de Hohenberg et Kohn s’appliquent également.
Pour le système réel la fonctionnelle de la densité électronique 𝐹[𝜌(𝑟)] est donnée par
l’expression :
𝐹[𝜌(𝑟)] = 𝑇𝑆 [𝜌(𝑟)] + 𝐸𝐻 [𝜌(𝑟)] + 𝐸𝑋𝐶 [𝜌(𝑟)] + 𝑉𝑒𝑥𝑡 [𝜌(𝑟)] II.16
Où 𝑻𝑺 [𝝆(𝒓)] représente l’énergie cinétique de n électrons non interagissant avec la même

densité que le système réel.
𝑬𝑯 [𝝆(𝒓)] désigne le terme de Hartree ou l’énergie d’interaction de coulomb entre les
électrons décrite à travers leur densité de charge défini par :
𝑒2 𝜌(𝑟)𝜌(𝑟 ′ )
𝐸𝐻 [𝜌(𝑟)] = ∫ |𝑟−𝑟 ′ |
𝑑 3 𝑟𝑑 3 𝑟 ′ II.17
2
𝑉𝑒𝑥𝑡 [𝜌(𝑟)] : inclut l’interaction coulombienne électrons-noyaux, soit du potentiel externe.
𝐸𝑋𝐶 [𝜌(𝑟)] : représente l’énergie d’échange et de corrélation électronique.
L’équation de Schrödinger à résoudre par l’approche de Kohn et Sham s’écrit :
1
(− 2 ∇2 + 𝑉𝑒𝑓𝑓 (𝑟)) ∅𝑖 (𝑟) = 𝜀𝑖 ∅𝑖 (𝑟) II.18
Où 𝑉𝑒𝑓𝑓 (𝑟) représente le potentiel effectif, il est donné par :
𝜌(𝑟 ) ′
𝑉̂𝑒𝑓𝑓 = 𝑉̂𝑒𝑥𝑡 + ∫ |𝑟−𝑟 ′| 𝑑𝑟 ′ + 𝑉̂𝑥𝑐 II.19
Tel que 𝑉̂𝑋𝐶 représente le potentiel d’échange et corrélation. Il est défini comme la dérivée
fonctionnelle de 𝐸𝑋𝐶 [𝜌(𝑟)] en fonction de la densité électronique:
𝛿𝐸 [𝜌(𝑟)]
𝑉̂𝑋𝐶 (𝑟) = 𝑋𝐶 II.20
𝛿𝜌(𝑟)
La densité électronique en tout point de l’espace est donnée par une somme sur l’ensemble
des orbitales occupées :
33
𝜌(𝑟) = ∑𝑁
𝑖=1|𝜑𝑖 (𝑟)|
2
II .21
Le problème pour trouver 𝜌(𝑟) est toujours présent avec les équations de Kohn-Sham,
la fonctionnelle 𝐸𝐾𝑆 (𝜌) exacte n'est pas connue, notamment la partie dite d'échange et de
corrélation. Cela signifie qu'une fonctionnelle approchée doit être utilisée dans les calculs
moléculaires, comme celle décrite par Dirac pour un gaz homogène d'électrons.
II.6.3 Fonctionnelles d’échange-corrélation.

La fonctionnelle d’échange-corrélation se doit de tenir compte, en plus du calcul auto
cohérent, de la différence d’énergie cinétique entre le système fictif non interactif et le
système réel.
Généralement la fonctionnelle d’échange-corrélation s’écrit comme la somme d’une
fonctionnelle d’échange et une fonctionnelle de corrélation :
𝐸𝑋𝐶 [𝜌(𝑟)] = 𝐸𝑋 [𝜌(𝑟)] + 𝐸𝐶 [𝜌(𝑟)] II.22
Avec la fonctionnelle d’échange :
1 𝜌1 (𝑟1 )𝜌𝑋 (𝑟1 ,𝑟2 )

𝐸𝑋 [𝜌(𝑟)] = ∬ 𝑑𝑟1 𝑟2 II .23
2 𝑟12
Et la fonctionnelle de corrélation :
1 𝜌1 (𝑟1 )𝜌𝐶 (𝑟1 ,𝑟2 )

𝐸𝐶 [𝜌(𝑟)] = ∬ 𝑑𝑟1 𝑟2 II .24
2 𝑟12
Le calcul de l’énergie et du potentiel d’échange-corrélation repose sur un certain nombre

d’approximations on peut citer la LDA et la GGA.
II.7 Approximations utilisées en DFT.

La théorie DFT est, au stade des équations de Kohn-Sham, une théorie parfaitement
exacte (mises à part l'approximation de Born-Oppenheimer et les approches numériques
discutées précédemment) dans la mesure où la densité électronique qui minimise l'énergie
totale est exactement la densité du système de N électrons en interaction. Cependant, la DFT
reste inapplicable car le potentiel d'échange-corrélation reste inconnu. Il est donc nécessaire
d'approximer ce potentiel d'échange-corrélation.
Plusieurs types d'approximations existent à savoir : l'approximation de la densité locale
ou LDA et l'approximation du gradient généralisé ou GGA ainsi que les méthodes dérivées
qui se fondent sur une approche non locale.
II.7.1 Approximation de la densité locale (LDA).

L'approximation LDA est la plus simple et consiste à considérer la densité électronique
comme étant équivalente à celle d'un gaz d'électrons uniforme.
34
L'énergie d'échange et de corrélation 𝐸𝑋𝐶 [𝜌]est écrite avec l'approximation de la

densité locale (LDA) sous la forme :
𝐿𝐷𝐴 [𝜌(𝑟)] 𝐿𝐷𝐴 [𝜌(𝑟)]𝑑 3

𝐸𝑋𝐶 = ∫ 𝜌(𝑟) 𝜀𝑋𝐶 𝑟 II.25
𝐿𝐷𝐴 [𝜌(𝑟)]représente
Où 𝜀𝑋𝐶 l’énergie d’échange-corrélation pour un gaz uniforme d’électrons
de densité 𝜌(𝑟) .
La fonctionnelle d'échange et de corrélation peut être divisée en un terme relatif à l'échange et
un terme relatif à la corrélation
𝐿𝐷𝐴 [𝜌(𝑟)]
𝐸𝑋𝐶 = 𝐸𝑋𝐿𝐷𝐴 [𝜌(𝑟)] + 𝐸𝐶𝐿𝐷𝐴 [𝜌(𝑟)] II.26
1⁄3
3 3
Avec 𝐸𝑋𝐿𝐷𝐴 [𝜌(𝑟)] = − 4 (𝜋 𝜌(𝑟)) d’après la fonctionnelle d’échange de Dirac [2]
Les calculs Monte-Carlo quantiques de Ceperley et Alder [6] ont par ailleurs permis
𝐿𝐷𝐴 [𝜌(𝑟 )]
d’obtenir des valeurs précises du 𝐸𝑋𝐶 . Ces valeurs ont été ensuite interpolées par
Vosko, Wilk et Nusair (VWN) [7] et par Perdew et Zunger [8] pour aboutir à une forme
analytique de 𝐸𝐶𝐿𝐷𝐴 [𝜌(𝑟)].
Rappelons que la LDA permet de décrire seulement l’état fondamental des systèmes
électroniques mais pas les états excités. Les largeurs de bande d’énergies interdites des
semiconducteurs et des isolants sont sous-estimées dans cette approximation. Pour certains
systèmes à forts effets de corrélations (bandes f ou d étroites), l’approximation LDA ne
permet pas de décrire correctement les propriétés du système. En particulier, les composés de
métaux de transition de type isolants de Mott-Hubbard ou isolants à transfert de charge sont
prédits métalliques.
II.7.2 Approximation du gradient généralisé (GGA)

L’approximation du gradient généralisé (GGA :Generalized Gradient Approximations) [9-
10] apporte une amélioration par rapport à la LDA. Dans l’approximation locale, le potentiel
d’échange et de corrélation ne dépend que de la densité 𝜌(𝑟) alors que dans l’approximation
GGA, le potentiel s’exprime en fonction de la densité électronique locale 𝜌(𝑟) et de son
gradient ∇𝜌(𝑟)
𝐺𝐺𝐴 [𝜌(𝑟 )]
𝐸𝑋𝐶 = ∫ 𝜌(𝑟) 𝑓[𝜌(𝑟), ∇𝜌(𝑟)]𝑑𝜌(𝑟) II.27
𝑓[𝜌(𝑟), ∇𝜌(𝑟)] étant la fonction d’échange et de corrélation dépendante de la densité

électronique et de son gradient.
Il existe plusieurs versions de la GGA les plus fréquemment utilisées sont celles
introduites par Perdew et Wang (PW91) [11-12] et Perdew, Burke et Ernzerhof [13-14].
Dans de nombreux cas, l’approximation GGA permet d’obtenir de meilleurs résultats
que la LDA pour les énergies totales, les énergies de cohésion, les volumes à l’équilibre et les
35
modules d’incompressibilité. Toutefois, les largeurs de bandes interdites des isolants et des
semi-conducteurs restent beaucoup trop faibles. Les systèmes à fortes corrélations (bandes d
ou f étroites) sont mal décrits.
II.7.3 Résolution des équations de Kohn-Sham

Pour résoudre les équations de Kohn-Sham, il faut choisir une base pour représenter la
densité électronique ρ(r), le potentiel V(r) et les orbitales de Kohn-Sham 𝜑𝑖 .
La résolution se fait d’une manière itérative en utilisant un cycle d’itérations auto
cohérent. Ceci est réalisé en injectant la densité de charge initiale 𝜌𝑖𝑛 pour diagonaliser
l’équation séculaire :
(𝐻 − 𝜀𝑖 𝑆) = 0 II.28
Où H représente la matrice hamiltonienne et S la matrice de recouvrement.

Ensuite, la nouvelle densité de charge 𝜌𝑜𝑢𝑡 est construite avec les vecteurs propres de
cette équation séculaire en utilisant la densité de charge totale qui peut être obtenue par une
sommation sur toutes les orbitales occupées.
Si l’on n’obtient pas la convergence des calculs, on mélange les densités de charges 𝜌𝑖𝑛
et 𝜌𝑜𝑢𝑡 de la manière suivante :
𝑖+1 𝑖 𝑖
𝜌𝑖𝑛 = (1 − 𝛼)𝜌𝑖𝑛 + 𝛼𝜌𝑜𝑢𝑡 II.29
i représente la ième itération et α un paramètre de mixage. Ainsi la procédure itérative peut

être poursuivie jusqu’à ce que la convergence soit réalisée (tests de convergence sur l’énergie
et/ou les charges). Lorsque la convergence est atteinte, on accède à l’énergie de l’état
fondamental du système. L’ensemble de cette procédure est représentée sur la figure II.1.
36
Fig II.1 Cycle auto cohérent de la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT).
II.8 Méthode des Ondes Planes Linéarisées Augmentées (FP-LAPW).

II.8.1 Introduction.
L’étude des différentes propriétés de la physique de la matière condensée, comme la
détermination des structures de bandes, l’énergie de cohésion, la densité de charge, ...etc., est
l'un des problèmes les plus difficiles que préoccupe les scientifiques.
Cependant, Il existe plusieurs méthodes de calculs des structures de bandes, qui sont
classées en trois principaux types selon qu’ils nécessitent des résultats expérimentaux ou des
données fondamentales :
 Les méthodes « empiriques » pour lesquelles les calculs nécessitent des résultats
expérimentaux.
 Les méthodes « semi-empiriques » pour lesquelles les calculs nécessitant à la fois des
résultats expérimentaux et des données fondamentales.
 Les méthodes « ab-initio » pour lesquelles les calculs nécessitent seulement les
données fondamentales.
Ces dernières années, les chercheurs ont développé des méthodes basées sur des concepts
théoriques appelées les méthodes de premier principe, parmi lesquelles on peut citer trois
groupes de méthodes pour la résolution de l’équation de Schrödinger et basées sur la théorie
de la fonctionnelle de la densité (DFT) :
37
 La méthode des liaisons fortes (LCAO) (combinaison linéaire des orbitales atomiques)
[23], utilisables où les orbitales atomiques sont exprimées comme le produit de
fonctions propres du moment angulaire et d'orbitales radiales.
 La méthode des ondes planes orthogonalisées (OPW) mise en oeuvre par Herring
[34], qui est fondée sur la séparation des potentiels du coeur ionique et du potentiel
cristallin au delà du coeur ionique. Elle est basée sur le principe d’orthogonalisation
tiré du théorème d’annulation de Phillips (1958) [25].
 La méthode des ondes planes augmentées (APW) et la méthode de la fonction de
Green de Korringa, Kohn et Rostoker (KKR) [26,27], applicables à une plus grande
variété de matériaux.
Les méthodes ayant émergées de l’approche (APW) sont : la méthode linéaire des ondes
planes augmentées (LAPW) et la méthode linéaire des orbitales Muffin-Tin (LMTO).
Dans le premier cas, la base est constituée d'ondes planes augmentées linéarisées, alors
que dans le second cas la base est uniquement constituée de fonctions radiales.
II.8.2 La méthode des ondes planes augmentées (APW).

La méthode des ondes planes augmentées APW (Augmented Plane Wave) a été
développée par Slater en 1937 [28]. Slater a stipulé que la solution de l’équation de
Schrödinger pour un potentiel constant est une onde plane, tandis que pour un potentiel
sphérique c’est une fonction radiale.
Au voisinage du noyau atomique, le potentiel et les fonctions d’onde sont de la forme
«Muffin-Tin » (MT) présentant une symétrie sphérique à l’intérieur de la sphère MT de rayon
. Entre les atomes le potentiel et les fonctions d’onde peuvent être considérés comme étant
lisses. Selon cette approximation (MT), la cellule unitaire est divisée en deux régions (voir la
figure II.2). La première région décrit les sphères centrées sur les sites atomiques dans
lesquels les solutions radiales de l’équation de Schrödinger sont employées. La seconde décrit
la région interstitielle restante avec l’expansion de base d’ondes planes.
Les deux régions sphériques et interstitielles sont définies par les fonctions
d’ondes ∅𝑆 (𝑟) 𝑒𝑡 ∅1 (𝑟)
∅𝑆 (𝑟) = ∑𝑛𝑙𝑚 𝐴𝑙𝑚 𝑈𝑙𝛼 (𝑟) 𝑌𝑙𝑚 (𝑟) 𝑟 < 𝑅𝛼

∅(𝑟) = { 1 II.30
∅𝐼 (𝑟) = ∑𝑛𝐺 𝐶𝐺 𝑒 −𝑖(𝐺 +𝐾⃗)𝑟 𝑟 > 𝑅𝛼
√Ω
38
𝑺𝒑𝒉é𝒓𝒆𝒔 𝜶 𝑺𝒑𝒉é𝒓𝒆𝒔 𝜷
𝑹𝜷
𝑹𝜶
Région interstitielle
Fig II.2 Répartition de la cellule unitaire, une région interstitielle et des régions
sphériques : sphères 𝛼 et 𝛽 de rayons « Muffin-Tin » (MT) 𝑅𝛼 et 𝑅𝛽 , respectivement.
𝑅𝛼 et 𝑅𝛽 : le rayon de la sphère MT 𝛼 et 𝛽 .
Ω : le volume de la cellule unitaire de simulation.
𝐶𝐺 et 𝐴𝑙𝑚 : les coefficients du développement.
𝑌𝑙𝑚 : l’harmonique sphérique.
r : la position en coordonnées polaires à l’intérieur de la sphère.
⃗ : le vecteur d’onde dans la zone de Brillouin irréductible (IBZ).
𝑘
𝐺 : le vecteur de l’espace réciproque.
𝑈𝑙𝛼 la solution numérique de la partie radiale de l’équation de Schrödinger qui s’écrit sous la
forme :
𝑑2 𝑙(𝑙+1)
{− 𝑑𝑟 2 + + 𝑉 𝛼 (𝑟) − 𝐸𝑙 } 𝑟𝑈𝑙 (𝑟) = 0 II.31
𝑟2
𝐸𝑙 représente l’énergie de linéarisation et V (r) la composante sphérique du potentiel.

L’équation précédente définit la fonction radiale orthogonale à n’importe quel état propre du
même Hamiltonien. Cette orthogonalité disparaît en limite de sphère [29] comme le montre
l'équation suivante :
𝑑 2 𝑟𝑈1 𝑑 2 𝑟𝑈2
(𝐸1 − 𝐸2 )𝑟𝑈1 𝑈2 = 𝑈2 − 𝑈1 II.32
𝑑𝑟 2 𝑑𝑟 2
U1 et U2 sont les solutions radiales aux énergies E1 et E2 respectivement. Slater

introduit une modification à ce choix particulier présentant les ondes planes comme solutions
de l’équation de Schrödinger dans un potentiel constant. Quant aux fonctions radiales, elles
sont des solutions dans le cas d’un potentiel sphérique, lorsque 𝐸𝑙 est une valeur propre.
39
L’approximation «Muffin-Tin » (MT) est très bonne pour les matériaux à structure cubique à
faces centrées, et de moins en moins satisfaisante avec la diminution de symétrie du matériau.
Pour assurer la continuité de la fonction 𝜙(𝑟) à la surface de la sphère MT, les
coefficients Alm doivent être définis en fonction des coefficients CG et complètement
déterminé par les coefficients des ondes planes existantes dans les régions interstitielles.
Ces coefficients sont ainsi exprimés par l’expression suivante :
4𝜋𝑖 𝑙 ∗
𝐴𝑙𝑚 = ∑𝐺 𝐶𝐺 𝐽𝑙 (|𝐾 + 𝑔|𝑅𝛼 ) 𝑌𝑙𝑚 (𝐾 + 𝐺) II.33
√Ω𝑈𝑙 (𝑅𝛼 )
𝐽𝑙 représente la fonction de Bessel.
L'origine est prise au centre de la sphère et les coefficients Alm sont déterminés à partir
de ceux des ondes planes CG . Les paramètres d'énergie 𝐸𝑙 sont appelés les coefficients
variationnels de la méthode APW. Les fonctions individuelles, indiquées par G deviennent
ainsi compatibles avec les fonctions radiales dans les sphères, et on obtient alors des ondes
planes augmentées (APWs).
Les fonctions APWs sont des solutions de l'équation de Schrödinger dans les
sphères, mais seulement pour l’énergie 𝐸𝑙 . En conséquence, l’énergie 𝐸𝑙 doit être égale à
celle de la bande d’indice G.
La méthode APW, ainsi construite, présente quelques difficultés liées à la fonction

𝑈𝑙 (𝑅𝛼 ) qui apparaît au dénominateur de l’équation (II.36). la valeur de 𝐸𝑙 , 𝑈𝑙 (𝑅𝛼 ) peut
devenir nulle à la surface de la sphère MT, entraînant une séparation des fonctions radiales par
rapport aux fonctions d’onde plane. Afin de surmonter ce problème plusieurs modifications à
la méthode APW ont été apportées, notamment celles proposées par Koelling [30] et
Andersen [31]. La modification consiste à représenter la fonction d’onde 𝜙(𝑟) à l’intérieur
des sphères par une combinaison linéaire des fonctions radiales 𝑈𝑙 (𝑟) et de leurs dérivées par
rapport à l’énergie 𝑈̇𝑙 (𝑟) , donnant ainsi naissance à la méthode FP-LAPW.
II.8.3 La méthode des ondes planes augmentées linéarisées (FP-LAPW).

En 1975, Anderson a proposé la méthode des ondes planes augmentées et linéarisées
(LAPW) dans laquelle les fonctions de base et leurs dérivées sont continués en les égalisant
pour une énergie fixe. Ce choix résout les problèmes rencontrés dans la méthode APW.
La méthode LAPW fournit une base plus flexible et plus précise pour le calcul de
structure de bandes des réseaux cristallins. Cette procédure reprend la partition de l’espace en
deux zones. L’amélioration apportée dans ce formalisme comparativement à la méthode APW
concerne le fait que les fonctions de base dans les sphères MT sont des combinaisons linéaires
des fonctions radiales multipliées par des harmoniques sphériques 𝑈𝑙 (𝑟, 𝐸)𝑌𝑙𝑚 (𝑟) et de leurs
Dérivées 𝑈̇𝑙 (𝑟, 𝐸)𝑌𝑙𝑚 (𝑟) , par rapport à l’énergie.
Les fonctions 𝑈𝑙 (𝑟, 𝐸) sont définies comme dans la méthode APW et la fonction
𝑈̇𝑙 (𝑟, 𝐸)𝑌𝑙𝑚 (𝑟) doit satisfaire la condition suivante [7]:
40
𝑑 𝑙(𝑙+1)
{− 𝑑𝑟 2 + + 𝑉(𝑟) − 𝐸𝑙 } 𝑟𝑈̇𝑙 (𝑟) = 𝑟𝑈𝑙 (𝑟) II.34
𝑟2
Dans un traitement non-relativiste, les fonctions radiales U1 et U2 assurent, à la surface

de la sphère MT, la continuité avec les ondes planes. Les fonctions d’onde ainsi augmentées
constituent les fonctions de base de la méthode LAPW :
1
∑𝐺 𝐶𝐺 𝑒 𝑖(𝐺+𝐾⃗)𝑟 𝑟 > 𝑅𝛼 (𝑖 ∙ 𝑒𝑟𝜖𝐼𝐼)
∅(𝑟, 𝐸) = { Ω1⁄2 II .35
𝛼 ̇
∑𝑙𝑚[𝐴𝛼𝑙𝑚 𝑈𝑙 (𝑟) + 𝐵𝑙𝑚 𝑈𝑙 (𝑟)]𝑌𝑙𝑚 (𝑟) 𝑟 < 𝑅𝛼 (𝑖 ∙ 𝑒𝑟𝜖𝐼)
Où 𝐵𝑙𝑚𝛼
sont les coefficients correspondant à la fonction 𝑈̇𝑙 et sont de même nature que
les Coefficients 𝐴𝛼𝑙𝑚 . Les coefficients 𝐴𝛼𝑙𝑚 et 𝐵𝑙𝑚
𝛼
sont détermines de sorte que chaque
fonction de base et sa dérivée soient continues au niveau du passage sphères Muffin-Tin
/région interstitielle.
Les fonctions LAPW sont des ondes planes uniquement dans les zones interstitielles
comme dans la méthode APW. En effet, si 𝐸𝑙 diffère un peu de l’énergie de bande E une
combinaison linéaire de 𝑈𝑙 et 𝑈̇𝑙 reproduira mieux la fonction radiale que les fonctions APW
constituées d’une seule fonction radiale. Par conséquent, la fonction 𝑈𝑙 peut être développée
en fonction de sa dérivée 𝑈̇𝑙 de l’énergie 𝐸𝑙 .
𝑈𝑙 (𝐸, 𝑟) = 𝑈𝑙 (𝐸𝑙 , 𝑟) + (𝐸 − 𝐸𝑙 )𝑈̇𝑙 (𝐸, 𝑟) + 𝑂((𝐸 − 𝐸𝐿 )2 ) II.36
Où 𝑂((𝐸 − 𝐸𝐿 )2 ) représente l’erreur quadratique énergétique.

La précision dans la méthode LAPW est contrôlée par deux paramètres :𝑅𝛼𝑚𝑖𝑛 𝐾𝑚𝑎𝑥 𝑒𝑡 𝐼𝑚𝑎𝑥
𝑅𝛼𝑚𝑖𝑛 : Représente le plus petit rayon des sphères Muffin-tin.
𝐾𝑚𝑎𝑥 : La coupure des ondes planes dans la région interstitielle.
𝐼𝑚𝑎𝑥 : La coupure du moment angulaire dans les sphères Muffin-tin.
Une stratégie raisonnable consiste à choisir ces coupures, tels que 𝑅𝛼𝑚𝑖𝑛 𝐾𝑚𝑎𝑥 = 𝐼𝑚𝑎𝑥
En pratique 𝐼𝑚𝑎𝑥 est fixé à 10 et 𝑅𝛼𝑚𝑖𝑛 𝐾𝑚𝑎𝑥 est compris entre 7-10
II.8.4 Le concept de la méthode FP-LAPW.

Dans la méthode des ondes planes augmentées linéarisées à potentiel total (Full
Potential Linearized Augmented Plane Waves : FP-LAPW) [32] aucune approximation n’est
faite pour la forme du potentiel ni de la densité de charge. Ils sont plutôt développés en
harmoniques du réseau à l’intérieur de chaque sphère atomique, et en séries de Fourrier dans
les régions interstitielles. Ce qui est à l’origine du nom « Full-Potential ».
Cette méthode assure donc la continuité du potentiel à la surface de la sphère MT et le
développe sous la forme suivante :
∑ 𝑉 𝑒 𝑖𝑘𝑟 𝑟 > 𝑅𝛼
𝑉(𝑟) = { 𝑘 𝑘 II.37
∑𝑙𝑚 𝑉𝑙𝑚 (𝑟)𝑌𝑙𝑚 (𝑟) 𝑟 < 𝑅𝛼
41
De la même manière, la densité de charge est développée sous la forme :

∑ 𝜌 𝑒 𝑖𝑘𝑟 𝑟 > 𝑅𝛼
𝜌(𝑟) = { 𝑘 𝑘 II.38
∑𝑙𝑚 𝜌𝑙𝑚 (𝑟)𝑌𝑙𝑚 (𝑟) 𝑟 < 𝑅𝛼
II.9 Le code WIEN2k

Ce code est réalisé par une équipe de l’institut de Chimie des matériaux Schwarz, et P.
Sorantin [54]. Ce code a été distribué pour la première fois en 1990.
Tous les calculs dans ce mèmoire sont effectués avec le code WIEN2K[18]. Le code
WIEN2K consiste en différents programmes indépendants qui sont liés par le C-SHELL
SCRIPT. L’usage des différents programmes est illustré dans la figure (I.6). L’initialisation
consiste à exécuter des programmes auxiliaires qui génèrent :
NN : un programme qui donne les distances entre plus proches voisins, et qui aide à
déterminer le rayon atomique de la sphère.
SGROUP : détermine le groupe d’espace de la structure définie dans le fichier case.struct.
SYMMETRY : il génère les opérations de symétrie du groupe spatial, détermine le groupe
ponctuel des sites atomiques individuels, génère l’expansion LM pour les harmoniques du
réseau et détermine les matrices de rotation locale.
LSTART : un programme qui génère les densités atomiques et, détermine comment les
différentes orbitales sont traitées dans le calcul de la structure de bande, comme des états du
coeur avec ou sans orbitales locales.
KGEN : il génère une maille k dans la zone de Brouillin.
DSTART : il génère une densité de départ pour le cycle SCF (Self Consistent Field), par la
superposition des densités atomiques générées dans LSTART.
Alors un cycle auto cohérent est initialisé et répété jusqu'à ce que le critère de convergence
soit atteint. Ce cycle s’inscrit dans les étapes suivantes :
LAPW0 : génère le potentiel pour la densité.
LAPW1 : calcule les bandes de valence, les valeurs propres et les vecteurs propres.
LAPW2 : calcule les densités de valence pour les vecteurs propres.
LCORE : calcule les états du coeur et les densités.
MIXER : mélange les densités d’entrée et de sortie.
42
Fig II.3 Organigramme du programme WIEN2K
43
II.8 Conclusion.
Ce chapitre présente les principaux fondements de la théorie de la fonctionnelle de la
densité et les différentes approximations utilisées pour le calcul de l’énergie et du potentiel
d’échange-corrélation
La DFT utilise les équations de la mécanique quantique pour développer un modèle
auto cohérent de résolution de l’équation de Schrödinger à l’état fondamental.
Nous avons présenté aussi la méthodologie qui nous servira tout au long de ce travail. Il
s’agit d’une méthode de calcul de structure électronique axée sur le formalisme de la théorie
de la fonctionnelle de la densité.
Sa mise en oeuvre est faite à l’aide du code de calcul WIEN2K.

Comme nous l’avons vu dans l’exposé de ce chapitre, cette méthode nécessite un
certain nombre d’approximations pour la rendre pratique dans la majeure partie des
simulations.
Certaines de ces approximations sont peu contrôlables durant les calculs comme le
maillage de la première zone de Brillouin ou la taille de la base d’onde.
44
REFERENCES .
[1] E. Schrödinger, Ann. Phys, 1926, 79, 361.
[2] T. Epstein, The Variation Method in Quantum Chemistry, Academic Press: New-
York,1974.
[3] M. Born, J. Oppenheimer, Ann. Phys, 1927, 84, 361.
[4] D. R. Hartree, Proc. Cambridge Phil. Soc. 1928, 24, 426.
[5] V. Z. Fock, Z. Phys. 1930, 61, 126.
[6] J. L. Rivail, Eléments de chimie quantique à l’usage des chimistes, Inter Editions/Editions
du CNRS: Paris, 1989 et références citées.
[7] P.-O. Löwdin, Advan. Chem. Phys. 1959, 2, 207.
[8] S. F. Boys, Proc. Roy. Soc. (London) A 1950, 201, 125.
[9] J. A. Pople, J. S. Binkley and R. Seeger, Int. J. Quant. Chem. Symp. 1976, 10, 1.
[10] A. Sinanoglu, K. A. Brueckner, Three Approches to Electron Correlation in Atoms ;New
Haven, Connectcut : Yale-University Press, 1970.
[11] A. Szabo, N. S. Ostlund, Modern Quantum Chemistry, Introduction to Advanced
Electronic Structure Theory ; Macmillan : New-York, 1982.
[12] C. Møller, M. S. Plesset, Phys. Rev. 1934, 46, 61.
[13] F. Coester, H. Kummel, Nucl. Phys. 1960, 17, 477.
[14] J. Cizek, J. Chem. Phys. 1966, 45, 4256.
[15] G. D. Purvis, R. J. Barlett, J. Chem. Phys. 1978, 68, 2114
[16] M. Hafied. « Etude des aspects théoriques de la conversion des petits hydrocarbures en
milieu acide : Corrélation entre hydroisomérisation, hydrocraquage et hydrotraitement
».Thèse de Doctorat en Sciences (2012).
[17] N.Nebbache. « Analyse de la structure électronique et du mode de liaison dans des
clusters octaédriques de métaux de transition à l’aide de calculs quantiques ».Thèse de
Doctorat en Sciences (2013).
[18] L. H. Thomas, Proc. Cambridge Phil. Soc. 1927, 23, 713.
[19] E. Fermi, AttidellaAcademiaNazionale dei Lincei, Classe di ScienzeFisiche,
MatematicheeNaturali, Rendiconti, 1927, 6, 602.
[20] P. A. M. Dirac, Proc. Cambridge Phil. Soc. 1930, 26, 376.
[21] P. Hohenberg and W. Kohn, Phys. Rev. 136, B864 (1964).
[22] W. Kohn, L. J. Sham, «Self-consistent equations including exchange and correlation
effects,” Phys. Rev. A140 1133, 1965.[23] F. Bloch, Z. Phys. 52, (1928) 555.
[24] C. Herring, Phys. Rev. 57, (1940) 1169.
[25] J. C. Phillips and L. Kleinman, Phys. Rev. Lett. 116, 287 (1959).
[26] J. Korringa, Physica 13, (1947) 392.
[27] F.S. Ham, B. Segall, Phys. Rev. 124, (1961) 1786.

[28] C. Slater, The Self-Consistent Field for S. Molecules and Solids (McGraw-Hill,
NewYork, 1974).
[29] T.L. Loucks, « The Augmented Plane Wave Method », Benjamin, New York (1967).
[30] D. D. Koelling and G. O. Arbman, J. Phys. F 5, 2041 (1975).
[31] O. K. Andersen, Phys. Rev. B 12, 3060 (1975).[32] D. R Hamann, Phys. Rev. Lett. 212,
(1979) 662.
[33] P. Blaha, K. Schwarz, and J. Luitz, WIEN97. Technical University, Vienna, (1997).
45
CHAPITRE III : Résultats et Discussions
Dans ce chapitre nous présentons les résultats de calcul des propriétés
structurales, électroniques et magnétiques des composés 𝑆𝑖0.75 𝑀𝑇0.25 𝐶 (MT= V
et Ni ).
Chapitre III : Résultats et Discussions
III.1 Introduction ……………………………………………………………..........................46

III.2 Etude du composé binaire SiC ……………………………………………………….....46
III.2.1 Calcul numérique sur SiC pur ………………………………………………………...46
III.2.2 Propriétés Structurales . …………………………………………………………..…..49
III.2.3 Propriétés électroniques…..………………………………………………………..….51

III.2.3.1Structure de bandes d’énergie…..……………………………………………………51
III.2.3.2 Densité d’états électronique (DOS) . …………………………………………….…53
III.3 Etude des semiconducteurs magnétiques dilués 𝑆𝑖1−𝑋 𝑀𝑇𝑋 𝐶(MT = V et Ni)…………..55
III.3.1 Détails de calcul…..………………………………………………………………..….55
III.3.2 Propriétés structurales ………………………...…………………………………....…56
III.3.3 Propriétés électroniques .…………………………………………………………..….58
III.3.3.1 Structure de bandes d’énergie….………………………………………………..…..58
III.3.4 Propriétés magnétiques . …………………………………………………………..….60
III.4 Conclusion………………………….………………..………………………………….61
45
III.1 Introduction
Dans ce chapitre, nous présentons les différents résultats issus de nos calculs. La
première partie du chapitre consiste à étudier les propriétés structurale et électronique du
Carbure de Silicium ( SiC) pur.
La seconde partie, consiste à étudier le dopage de ce semi-conducteur SiC par deux métaux
de transition MT ( MT = V et Ni).
III.2 Etude du SiC pur.

III.2.1 Détails de Calcul.
Dans cette partie de travail, les propriétés structurales et électroniques du
semiconducteur SiC ont été étudiées, dans le cadre de la théorie de la fonctionnelle de la
densité, en utilisant la méthode FP-LPAW implémentée dans le code Wien2K. L’énergie
d’échange et de corrélation est décrite dans l’approximation WC-GGA.
La méthode FP-LPAW est basée sur des ondes planes augmentées avec linéarisation,
associées avec des orbitales locales, pour permettre le calcul des structures de bandes
électroniques, des densités d’états électroniques, des densités de charges électroniques...etc
Dans cette approche, la maille est divisée en deux régions :
 la région représentée par des sphères atomiques (dites sphères muffin-tin) centrées sur
les noyaux,
 la région interstitielle située entre les sphères.
Dans les sphères muffin-tin la fonction d’onde est remplacée par une fonction atomique, alors
que dans les interstices, elle est décrite par des ondes planes. D’un point de vue physique, ceci
veut dire que tous les électrons (de coeur et de valence) sont pris en compte dans le calcul et
qu’aucune approximation n’est faite sur le potentiel autour des noyaux. Il s’agit donc d’une
méthode dite tous électron et à potentiel total, et c’est pour cette raison que cette approche est
l’une des méthodes les plus exactes disponibles actuellement.
Les fonctions de bases, les densités électroniques et les potentiels sont développés en
combinaison d’harmoniques sphériques à l’intérieur des sphères non chevauchées entourant
les sites atomiques jusqu’à lmax= 10, et en série de Fourrier dans la région interstitielle avec
un paramètre de coupure RMT*Kmax= 8 (RMT est le rayon moyen des sphères muffin-tin et
le Kmax est la valeur maximum du vecteur d’onde K=k+G). Le paramètre RMT*Kmax
détermine la taille de la base dans la région interstitielle où RMT est le plus petit rayon
muffin-tin et Kmax la norme du plus grand vecteur d’onde utilisé pour le développement en
ondes planes des fonctions propres. La norme du plus grand vecteur d’onde utilisé pour le
développement en ondes planes de la densité de charge est Gmax = (12 Ryd)1/2.
46
Les calculs se feront en deux étapes :
 Premièrement, nous allons déterminer à l’aide de GGA le paramètre de maille

correspond au minimum de l’énergie dans la structure sphalérite de SiC.
 deuxièment nous intéressons à la détermination de la densité d’états électronique de
SiC pur .
L’étude des propriétés du composé SiC a été faite dans sa phase cubique type Zinc Blende
(B3) (Figure III-1), vu l’intérêt technologique de cette phase.
La structure Zinc blende :

La structure Zinc blende dite SiC est cubique de paramètre « a » constitué de deux cubes faces
centrées décalés l’un par rapport à l’autre d’un quatre de diagonale, les atomes de Si sont
disposés sur l’un des réseaux cfc et les atomes de C sur l’autre. La maille conventionnelle est
cubique a faces centrées, les positions atomiques par noeud sont définies comme :
 Les coordonnées des atomes du premier type sont (0,0,0)
 Les coordonnées des atomes du deuxième type sont (1/4,1/4,1/4) .
Le réseau est cfc avec 4 molécules de SiC par maille conventionnelle. Autour de chaque
atome, on trouve 4 atomes équidistants de l’espèce opposée, disposés aux sommets d’un
tétraèdre régulier.
̅̅̅̅𝑚(𝑇𝑑2 ) . Cette structure possède un seul paramètre de réseau :

Le groupe d’espace est 43
« a » le paramètre de maille du cristal et correspond à la longueur d’une arrête du cube. Les
vecteurs fondamentaux sont donnés par :
𝑎 𝑎 𝑎 𝑎 𝑎 𝑎
𝑎1 = 𝑗 + 𝑘 𝑎2 = 𝑖 + 𝑘 𝑎3 = 𝑗 + 𝑗
2 2 2 2 2 2
Structure Réseau Paramètre

a b c 𝛼(°) 𝛽(°) 𝜸(°)
ZB Cubique(CfC) a a a 90 90 90
Tableau III.1 Caractéristiques de structure cristalline utilisé.
47
A B
Fig III.1 – (A) Structure cristalline du SiC.
(B) Positions atomiques dans la maille du SiC par projection sur une face[2].
La liaison de type tétraédrique de cette structure est représentée sur la Figure III-1(A).
La Figure III-1(B) est le résultat de la projection de la maille du cristal sur un plan constituant
une des faces du cube .
Pour étudier les propriétés physiques d’un cristal

périodique il faut connaitre la première
zone de Brillouin cette dérniére est
définie de maniére unique comme la
maille primitive dans l’espace
réciproque. Le réseau réciproque du
réseau de Bravais correspondant à la
structure blende de zinc est un réseau
cubique centré. La première zone de
Brillouin du réseau réciproque a la
forme d’un octaèdre tronqué (figure III-
2) par les six faces d’un cube. Elle présente
un centre de
symétrie à l’origine noté Γ et des axes
de symétrie Δ , Λ et Σ Fig III.2 – Première zone de Brillouin de la structure
Les points de croisement de chacun de ces axes zinc blende avec la représentation des points et lignes
avec les frontières de la zone de Brillouin sont de hautes symétrie[2]
les points de haute symétrie , ils jouent un rôle primordial dans la structure de bande .
48
Elément Série chimique Numéro Configuration RMT(Bohr)

chimique Atomique électronique
Si Métalloïde 14 [Ne] 3s2 3p2 1.89
C Non-métal 6 [He] 2s2 2p2 1.47
Tableau III-2 Configurations électroniques et paramètres physiques des éléments.
Nous avons traité les états Si (3s2 3p2) et C (2s2 2p2) comme étant des états de valence.
L’énergie de coupure, qui définit l’énergie de séparation entre les états de cœur et les états de
valence, est choisie égale à ( - 6 Ry ).
Les rayons muffin-Tin RMT sont choisis de telle sorte qu’il n’y aura aucun
recouvrement des sphères muffin-tin et que l’intégration de la majorité des électrons de cœur
dans la sphère (Muffin-Tin) soit assurer.
Nous avons utilisées les valeurs des rayons muffin-Tin suivantes :

Atome les valeurs des rayons muffin-Tin(a.u)
Si 1.89
C 1.47
Tableau III-3 Les valeurs des rayons muffin-Tin utilisées
Le calcul auto-cohérent est répété jusqu’à ce que l’énergie totale converge à moins de 10−4 Ry
et avec un critère de convergence sur la charge de l’ordre de 10−4 e.
III.2.2 Propriétés Structurales
Nous avons étudié les propriétés structurales du matériau SiC, les résultats trouvés
sont comparés avec les résultats théoriques et les valeurs expérimentales existantes.
Les paramètres de réseau à l’équilibre sont calculés en ajustant l’énergie totale en fonction du
Volume (à la température T = 0K), en utilisant l’équation de Murnaghan [5] donnée par :
′
𝑩𝑽 ′ 𝑽𝟎 𝑽𝟎 𝑩
𝑬 = 𝑬𝟎 (𝑽) + (𝑩 (𝟏 − )+(𝑽) − 𝟏) III.1
𝑩′ (𝑩′ −𝟏) 𝑽
Les paramètres, E0, V0, B et B′ sont définis par :

E0 : L’énergie totale de l’état fondamental d’une structure cristalline donnée,
V0 : Le volume à l’équilibre,
B : Le module de compression,
B′ : La dérivée du module de rigidité par rapport à la pression à l’équilibre.
Le module de compressibilité mesure la rigidité du cristal, plus ce module est grand,

plus ce cristal est rigide .Il est donné au zéro absolu par la relation :
49
𝝏𝑷
𝑩 = −𝑽 ( ) III.2
𝝏𝑽 𝑻
Ou :
𝜕𝐸
𝑃 = −( )
𝜕𝑥 𝑆
𝜕𝐵
𝐵′ = ( )
𝜕𝑃
La détermination des paramètres de la structure d’équilibre pour entamer le calcul à

partir d’une structure correcte et de pouvoir les comparer aux paramètres issus de l’expérience
ou d’un autre modèle constitue la première étape dans l’étude structurale. Pour cela, Nous
avons utilisé la maille élémentaire du SiC de paramètre a=4.3596Å [1] et nous avons employé
l’approximation du gradient généralisé sous sa nouvelle forme proposée par Wu et Cohen
(WC-GGA) pour approximer le terme d’échange et de corrélation.
La courbe de variation de l’énergie totale en fonction du volume du SiC pur, calculée

par l’approximation WC-GGA dans la phase zinc blende est illustré sur la figure III.3.
WC-GGA
Energie(RY)
Fig III.3 La courbe de variations de l’énergie totale du composé binaire SiC en fonction du
volume dans la phase zinc blende.
La comparaison des différentes valeurs des propriétés structurales ( Paramètre du

réseau a0 (Å), du module de compression B(GPa),de sa dérivée B′ et de l’énergie totale
50
minimale Emin (Ry)) du SiC dans la phase zinc blende calculées par la GGA-WC avec des
valeurs calculées par d’autres travaux utilisant différentes méthodes DFT, montre un très bon
accord avec celles disponibles dans la littérature. Afin de juger et d’évaluer la qualité des
résultats obtenus, ces valeurs expérimentales et théoriques correspondantes sont reportées
dans le tableau III.4.
Résultats Méthode de 𝒂𝟎 (Å) B(GPa) 𝑩′ 𝑬𝒎𝒊𝒏 (𝑹𝒚 )

travail
Notre calculs WC 4.3649 220.3586 4.2010 -655.716033
Résultats LDA 4.3150c 235c 2.400c //

théoriques PBE 4.3852a 213a 3.9681a //
Résultats photoémission 4.3596d 224d // //

expérimentaux Rayon-X 4.36e
Table III.4 – Valeurs du Paramètre du réseau a0 (Å), du module de compression B(GPa),

de sa dérivée B′ et de l’énergie totale minimale Emin (Ry) du SiC dans la phase zincblende,
calculées par différents proximations 𝒂 Référence[2] , c Référence[4] , d Référence[1],e
Référence[6],
Nos résultats concordent mieux avec l’expérience réalisée par Madelung O et al [1]
et que ce obtenus théoriquement par Salah Norelhouda[2] en utilisant la même méthode FP-
LAPW. Ce constat est dû au fait que nous avons utilisé dans nos calculs l’approximation
GGA-WC alors que Salah Norelhouda [2] est utilisé la GGA-PBE.
 La comparaison de nos valeur paramètre de maille d’équilibre (4.3649 Å ) avec les

valeurs expérimentales[1] révèle que la GGA-WC sur-estime de (0.12 %) le paramètre
de maille expérimental (4.3596 Å) [6] (Voir tableau III.4).
 Pour le module de compression, il est sous-estimé (de 1.625 %) par la GGA-WC, par
comparaison avec la valeur expérimentale de ce module (B= 224 GPa[1]).
En conclusion, nous pouvons dire que nos résultats que nous avons obtenus sont en très
bon accord avec les mesures expérimentales et les calculs théoriques.
III.2.3 Propriétés électroniques

L’importance des propriétés électroniques (c’est-à-dire structures de bandes et densité
d'états) demeure dans le fait qu'elles nous permettent d'analyser et de comprendre la nature
des liaisons qui se forment entre les différents éléments du matériau étudié.
III.2.3.1 Structure de bandes d’énergie.

Tout d’abord, nous avons calculé la structures de bande du SiC le long des directions de
haute symétrie dans la première zone de Brillouin en utilisant le paramètre du réseau optimisé.
51
Les calculs ont été réalisés pour déterminer la nature et la valeur de gap énergétique de ce
matériau.
A partir de la figure III.5 qui représente la structures de bande du matériau binaire SiC on peut
observer que :
 notre composé binaire est un semiconducteur à gap indirect où le maximum de la
bande de valence est situé au point Γ tandis que le minimum de la bande de
conduction est situé au point X.
 Le niveau de Fermi est pris comme origine des énergies (EF = 0).
 les bandes de valence présentent moins de dispersion que les bandes de conduction, du
fait que les électrons dans la bande de conduction sont plus libres et donc moins
localisés.
Fig III.4 Transitions électroniques entre les extrémums

des bandes de valence et de conduction:
a) Semiconducteur à gap direct, (les transitions sont verticales radiatives).
b) Semiconducteur à gap indirect, les transitions sont obliques (non radiatives).
52
Fig III.5 – Structure de bandes d’énergie du SiC dans la phase zinc-blende, calculée
par WC-GGA .
La valeur de la bande interdite du SiC pur ainsi que d’autres valeurs théoriques disponibles
dans la littérature sont listées dans le tableau III.4.
Résultats Méthode Eg
de travail (eV)
Notre calculs GGA-WC 1.38
Résultats théoriques LDA 1.3a

GGA-PBE 1.68b
Table III.5 – Valeurs du gap énergétique Eg du SiC

a Référence [7], b Référence [2].
III.2.3.2 Densité d’états électronique (DOS) .

La densité d'états électroniques qui décrit la distribution des états électroniques du
système en fonction de l’énergie est parmi les propriétés électroniques les plus importantes,
puisque elle nous informe sur le comportement et la nature électronique du système.
53
Les densités d’état partielles ne donnent donc accès qu’à une information qualitative car les
projections de la densité d’état totale dépendent des rayons des sphères sur lesquelles sont
projetées Ces densités d’état totales et partielles peuvent être calculée dès lors que la relation
de dispersion est connue.
La figure III.6 représente les courbes des densités d’états totales et partielles du SiC
obtenus par l’approximation WC-GGA dans la phase Zinc Blende.
Les courbes liées à la densité d'états électroniques que nous avons obtenues nous montrent le
découpage de la bande de valence en plusieurs parties, où chaque partie à des propriétés
distinctes .Où l'on trouve que la première partie est limitée à la gamme [-15 , -10 ] (ev) qui se
compose principalement d’états atomiques localisés C-s en grande proportion avec un petit
mélange d’états (Si-s et Si-p) . Alors que la seconde partie s’étend de -8,5 (ev) jusqu’à
l’énergie de Fermi qui se compose principalement d’états atomiques localisés Si-s et Si-p et
C-p.
 Le niveau de Fermi est situé dans une zone nulle de la DOS, ce qui caractérise
l’aspect semi-conducteur de la structure.
 les courbes DOS font principalement intervenir les contributions des états s et p
de Si et p de C.
Energie (eV)
54
Energie (eV)
Energie (eV)
Fig III.6 – Courbes de densités d’états électroniques totale et partielle du SiC dans
la phase zinc-blende, obtenues par GGA-WC
III.3 Etude des semiconducteurs magnétiques dilués 𝑆𝑖0.75 𝑀𝑇0.25 𝐶

(MT = V et Ni)
III.3.1 Détails de calcul
Dans cette partie, nous présentons les résultats de calcul des propriétés structurales,
électroniques et magnétiques des composés 𝑆𝑖0.75 𝑀𝑇0.25 𝐶
Nos calculs sont effectués dans le cadre de la théorie de la fonctionnelle de densité polarisée
en spin (SDFT) en utilisant la méthode FP-LAPW en conjonction avec l’approche de la super
cellule .
Notre objectif principal est de voir l’influence de changement du dopant à savoir les deux
métaux de transitions MT V et Ni avec la concentration 25% sur les propriétés structurales,
électroniques et magnétiques du composé binaire SiC.
55
Les composés 𝑆𝑖0.75 𝑀𝑇0.25 𝐶 sont des cristaux de structure cubique appartenant au
groupe spatial P̅̅̅̅(N0 215). Tandis que Le SiC a une structure zinc de blende avec un groupe
43
d’espace F ̅̅
43̅̅(N0= 216)
Nous avons considéré une super cellule standard 1×1×1 de huit atomes de SiC dans la phase
zinc de blende à symétrie cubique, pour simuler chaque composition de semi-conducteurs
magnétiques dilués SiC à base de métaux de transition (MT). La concentration 25% est
obtenu en substituant un atome de Si sur le site vertex par un atome de V où Ni sans changer
les positions des 3 autres atomes de Si ni celles de C afin d’obtenir les alliages 𝑆𝑖0.75 𝑉0.25 𝐶 et
𝑆𝑖0.75 𝑁𝑖0.25 𝐶 respectivement.
Dans cette étude, nous nous sommes appuyés uniquement sur l’approximation du gradient
généralisé (WC-GGA) pour calculer les propriétés structurales, électroniques et magnétiques
de nos alliages en utilisant le code WIEN2K.
Dans nos calculs, les états 4s23d3 de V et les états 4s2 3d8 de Ni, sont traités comme des états
de valence. Le paramètre RMT*Kmax est pris égal à 8.
Pour que les sphères MT ne chevauchent pas, les valeurs des RMT sont choisies V = 2.04 (a.
u), Ni = 1.9 (a. u), Si=1.89 (a.u) et C=1.47 (a.u). L’échantillonnage de la zone de Brillouin
est effectuée avec 12 × 12 × 12 K points. Le critère de convergence pour l’énergie totale est
choisi égal à 10−4Ry.
III.3.2 Propriétés structurales

Le remplacement d’un atome de Si par un atome MT dans une supercellule de SiC,
provoque un changement dans les paramètres de réseau ainsi que les propriétés structurales.
Figure III.7 – Structures cristallines des composés : 𝑆𝑖0.75 𝑉0.25 𝐶 et

𝑆𝑖0.75 𝑁𝑖0.25 𝐶
56
Energie( RY)
WC-GGA
Energie( RY)
WC-GGA
𝑆𝑖0.75 𝑁𝑖0.25 𝐶
Figure III.8 – Variation de l’énergie totale en fonction du volume du composé 𝑆𝑖0.75 𝑉0.25 𝐶 et
𝑆𝑖0.75 𝑁𝑖0.25 𝐶
Les valeurs du paramètre de réseau (a) et du module de compressibilité (B) des alliages
𝑆𝑖0.75 𝑀𝑇0.25 𝐶 (MT = V et Ni) sont présentés dans le tableau III.6.
57
Paramétre de Module de 𝑩′
Composé réseau a (Å) compressibilité B(GPa)
𝑺𝒊𝟎.𝟕𝟓 𝑽𝟎.𝟐𝟓 𝑪 4,4286 212,1071 4,3567
𝑺𝒊𝟎.𝟕𝟓 𝑵𝒊𝟎.𝟐𝟓 𝑪 4,3747 220,3637 4,6330
Table III.6 –Les valeurs du paramètre de réseau (a) et du module de compressibilité (B) de sa
dérivée B′ des alliages 𝑆𝑖0.75 𝑀𝑇0.25 𝐶(MT = V et Ni) calculées par WC-GGA
III.3.3 Propriétés électroniques

III.3.3.1 Structure de bandes d’énergie
L’introduction d’une impureté magnétique TM peut donner naissance à des interactions

magnétiques ce qui peut modifier la structure de bande et la densité d’états du semi-
conducteur
Nous avons effectués les calculs à spins polarisés sur les semi-conducteurs magnétiques
dilués 𝑆𝑖0.75 𝑀𝑇0.25𝐶 (MT = V et Ni) en utilisant le concept des électrons à spin up et spin
down séparément.
Nous avons étudié les structures de bande électroniques polarisées en spin des
composés 𝑆𝑖0.75 𝑀𝑇0.25 𝐶 dans la phase ferromagnétique le long des directions de plus haute
symétrie dans la zone de Brillouin par l’approximation WC-GGA en utilisant nos constantes
de réseau prédites à l’équilibre
Les courbes de structures de bande électroniques polarisées en spin sont représentées sur les
Figures III.10, et III.11.
58
Fig III.9 – Structure de bandes d’énergies polarisées en spin du composé. 𝑆𝑖0.75 𝑉0.25 𝐶
Fig III.10 – Structure de bandes d’énergies polarisées en spin du composé 𝑆𝑖0.75 𝑁𝑖0.25 𝐶 .
59
Les courbes ( III.9 et III.10) montrent que :

 Le composé 𝑆𝑖0.75 𝑉0.25 𝐶 présente un comportement métallique pour le canal spin up
et un comportement semi-conducteur pour le canal spin down indiquant son caractère
demi-métallique .
 Le composé 𝑆𝑖0.75 𝑁𝑖0.25 𝐶 à un comportement métallique pour les deux canaux de spin
(up et down).
 Selon les structures de bandes électroniques polarisées en spin, on définit le gap (Eg)
comme étant la différence énergétique entre le minimum de la bande de conduction et
le maximum de la bande de valence. Ainsi, on peut calculer la valeur de Eg dans la
direction de spin down pour l’alliage 𝑆𝑖0.75 𝑉0.25 𝐶.
.
Les valeurs du gap Eg des deux alliages dans la direction de spin down sont rapportées dans le
tableau III.7.
𝑺𝒊𝟎.𝟕𝟓 𝑴𝑻𝟎.𝟐𝟓 𝑪 𝑬𝒈 (𝒆𝑽)

𝑺𝒊𝟎.𝟕𝟓 𝑽𝟎.𝟐𝟓 𝑪 2,78
𝑺𝒊𝟎.𝟕𝟓 𝑵𝒊𝟎.𝟐𝟓 𝑪 /
Table III.7 – Les valeurs calculées du gap (Eg) dans la direction spin down pour les deux
alliages 𝑆𝑖0.75 𝑀𝑇0.25 𝐶 (MT = V et Ni).
III.3.4 Propriétés magnétiques .

Connaissant le moment de spin magnétique défini par, le nombre total d'occupation
pour les orbites de spin majoritaire (spin-up) moins le nombre total d'occupation pour les
orbites de spin minoritaire (spin-down), est un facteur très important dans l'étude des
propriétés magnétiques de un matériau et différent d'un matériau à l'autre où il est déterminé
Propriétés magnétiques du semi- conducteur dopé par moment magnétique.
Pour cela il est primordial d’étudier le comportement des moments magnétiques des
spin dans les semi-conducteurs magnétiques dilués 𝑆𝑖0.75 𝑀𝑇0.25 𝐶 (MT = V et Ni).
Les valeurs des moments magnétiques totaux et partiels par unité de Bohr (μB ) calculés par
la méthode FP-LAPW en utilisant l’approximation WC-GGA avec spin polarisé pour les
DMS, 𝑆𝑖0.75 𝑀𝑇0.25 𝐶 (MT = V et Ni) sont présentées dans le tableau III.7.
𝑺𝒊𝟎.𝟕𝟓 𝑴𝑻𝟎.𝟐𝟓 𝑪 MMT MMI mMT mSi mC

𝑺𝒊𝟎.𝟕𝟓 𝑽𝟎.𝟐𝟓 𝑪 1.00 -0.348 0,365 0,057 0.209
𝑺𝒊𝟎.𝟕𝟓 𝑵𝒊𝟎.𝟐𝟓 𝑪 0.00 a,b 0.000 0,000 0.122 -0.021
Table III.8 – Valeurs calculées des moments magnétiques totaux et locaux des composés
𝑆𝑖0.75 𝑀𝑇0.25 𝐶 (MT = V et Ni).
60
La différence significative entre le moment magnétique total (MMT) de la cellule

unitaire et le moment magnétique interstitiel (MMI) est due au fait que dans les calculs
FPLAPW, la charge est localisée aux sites atomiques mais une partie de celle-ci est située
dans la région interstitielle. On constate que les moments magnétiques de ces composés
proviennent principalement de l’atome MT et les atomes C environnants, ce qui indique que
le moment magnétique des SiC dopés V sont locaux et extensibles.
Lorsqu’un atome de Ni est utilisé en tant que dopant, une solution non magnétique se produit
et le moment magnétique total et local égale a zéro.
Les demi-métaux ferromagnétiques leurs valeurs des moments magnétiques sont des nombres
entiers, ce qui lui confère la caractéristique typique , A partir des signes des moments
magnétiques locaux localisés sur Si et sur C, on peut dire que les éléments V provoque des
interactions ferromagnétiques entre Si et C.
Lorsqu’on compare nos valeurs des moments magnétiques locaux avec celles publiées on note
un bon accord avec eux, mais concernant les moments magnétiques totaux, toutes les valeurs
sont identiques pour les composes 𝑆𝑖0.75 𝑉0.25 𝐶 . 𝑆𝑖0.75 𝑁𝑖0.25 𝐶
III.4 Conclusion .
Dans ce travail, en utilisant une méthode ab-initio dite méthode des ondes planes
linéairement augmentées (FP-LAPW) implémentée par le code Wien2k dans le cadre de la
théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT), nous avons étudié les propriétés structurales,
électroniques et magnétiques des semi-conducteurs magnétiques dilués 𝑆𝑖0.75 𝑀𝑇0.25 𝐶 en
phase cubique.
Dans un premier temps, nous avons tout d’abord calculé les propriétés structurales à
l’équilibre où nous avons déterminé le paramètre du réseau (a) et le module de
compressibilité (B) en utilisant l’approximation GGA.
Par la suite on a étudié les propriétés électroniques : densités d’états nous avons mis en
évidence les points suivants :
 Un caractère semiconducteur pour SiC et un caractère métallique dans le canal spin up

et semiconducteur dans le canal spin down pour le composé 𝑆𝑖0.75 𝑉0.25 𝐶 et le
composé 𝑆𝑖0.75 𝑁𝑖0.25 𝐶, il est métallique dans les deux canaux de spin up et down.
61
Références
[1] Madelung O et al (ed) 1982 Physics of Group IV Elements and III ?V Compounds
(Landolt-Bornstein New Series Group III, vol 17a) (Berlin : Springer) .
[2] Salah Norelhouda" Le Magnétisme dans les semi-conducteurs magnétiques dilués à base
de Carbure de Silicium SiC : Etude ab-initio"",Université du guelma, laboratoire de physique
L2PM , Algérie, (2020)
[3] G. L. Zhao and D Bagayoko,"Electronic structure and charge transfer in 3C and and 4H-
SiC",New Journal of Physics 2 (2000) 16.1-16.12
[4] A.Zaoui,"Etude des propriétés structurales et optiques dtune variété de composês IV-IV :
SiC, SiSn et GeSn",Université d’Oran Es-SéniaL, aboratoired d’Optique,3 l100 Es-Sénia
Algérie, (1996)
[5] Ma Peiting, L Tianmin, Z Yuming, L Jiajia and Z Zhiyong,"First-principle study on

magnetic properties of TM-doped 6H-SiC",Advanced Materials Research Vol. 709 (2013) pp
197-200.
[6] Landolt-Bornstein New Series III 1987 Zahlenwerte und Funktionen aus
Naturwissenschaften und Technik ed O Madelung vol 22a (New York : Springer).
[7] Engel E and Vosko S H 1993 Phys. Rev. B 47 13164-74.
[8] J. Su, Y. Yang, X. Zhang, P. Guo, Magnetic Properties of 3C-SiC Nanowires Doped by
Transition Metal and Vacancy, Chemical Physics Letters (2020).
[9] P. Dev, Y. Xue, P.H. Zhang, "Defect-Induced Intrinsic Magnetism in Wide-Gap III
Nitrides",Physical Review Letters. 100 (2008) 117204.
[10] Masoud BeziJavan,"Electronic and magnetic properties of monolayer SiC sheet doped
with 3d-transition metals",Journal of Magnetism and Magnetic Materials 401 (2016) 656
?661.
[11] Y. S. Kim, H. Kim. D. Yu, D. K. Choi and Y. C. Chung,"Ab Initio Study of Magnetic
Properties of SiC-Based Diluted Magnetic Semiconductors" Key Engineering Materials Vols
264-268 (2004) pp 1237-1240.
[12] M. E. Ghazi,"Effects of Mn Substitution on Magnetic and Electronic Properties of β-SiC

Semiconductor",Applied Physics Research Vol. 2, No. 2 ; (2010).
[13] Stoner E C (1948) Rep. Prog. Phys. 11 43
62
Conclusion générale
Dans ce travail, Nous avons étudié des propriétés structurales, électroniques et

magnétiques des composés SiC et 𝑆𝑖0.75 𝑀𝑇0.25 𝐶 (MT= V et Ni )dans la phase cubique, en
utilisant une méthode ab-initio dite méthode des ondes planes augmentées et linéarisées (FP-
LAPW) implémentée par le code Wien2k dans le cadre de la théorie de la fonctionnelle de la
densité (DFT).
Dans un premier temps, nous nous sommes intéressés à l’étude des propriétés
structurales à l’équilibre où nous avons déterminé le paramètre du réseau (a) et le module de
compressibilité (B) et sa dérivée (B’) en utilisant l’approximation WC-GGA. Les valeurs des
paramètres d’équilibre sont en accord avec les résultats expérimentaux et théoriques
disponibles (pour SiC).
A partir des résultats obtenus de l’étude des propriétés électroniques, structure de bande
et densités d’états totale et partielle et densités de charge, nous avons mis en évidence les
points suivants :
 Le composé SiC présente un caractère semi-conducteur.
 Le composé 𝑆𝑖0.75 𝑉0.25 𝐶 est un matériau demi- métallique.
Un autre point important que nous avons abordé dans ce travail a été de calculer les moments
magnétiques totaux et locaux dans les sphères muffin-tin et dans les sites interstitiels pour le
composé𝑆𝑖0.75 𝑉0.25 𝐶 . Le moment magnétique total obtenu est un nombre entier ce qui
confirme le caractère demi- métallique.
Les résultats obtenus concordent bien avec les données théoriques et expérimentales
disponibles dans la littérature.
 L’étude de la structure de bandes pour le composé binaire a montré que ce matériau

adopte un gap indirect où le maximum de la bande de valence est situé au point Γ et
le minimum de la bande de conduction est situé au point X.
 L’étude des propriétés électroniques et magnétiques des alliages 𝑆𝑖0.75 𝑀𝑇0.25 𝐶 , a

monté que les composés, 𝑆𝑖0.75 𝑉0.25 𝐶 présentent un comportement demi-métallique,
quant au composé 𝑆𝑖0.75 𝑁𝑖0.25 𝐶, il est métallique dans les deux canaux de spin up et
down.
Enfin, les composés 𝑆𝑖0.75 𝑉0.25 𝐶 à cause de leur demimétallicité peuvent être considérés
comme de bons candidats pour des applications dans les dispositifs spintroniques.
62

ALGUERROUI - SARA - F5 - Sciences de La Matière - Physique de La Matière Condensée

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République Algérienne Démocratique et Populaire

Ministére de l’Enseignement Supérieur et de la Recherche Scientifique

Faculté des Mathématique, d’Informatique et des Sciences de la Matiére

Présenté et soutenu par

Présenté et soutenu devant la commission d’examen

Je tiens tout d’abord à remercier particulièrement mon encadreur le Dr

Je tiens à remercier les membres du jury de thème pour le temps consacré à la

‫الكلمات المفتاحية ‪:‬‬

Introduction générale……………………….…………… ..…………………………………01

Chapitre I : Spintronique et semi-conducteurs magnétiques

I.1.1. Une brève histoire des magnétorésistances……………………….……………………02

I.3.3.2 Semi-conducteurs où les éléments magnétiques substituent aléatoirement les cations

Chapitre II : Formalismes et méthodes de calculs.

II.2 Equation de Schrödinger…………………………………………………….…………...29

II.7.2 Approximation du gradient généralisé (GGA)…………………………..……………..35

CHAPITRE III : Résultats et Discussions.

III.2.3 Propriétés électroniques…..………………………………………………………..….51

(a) Magnétisation parallèle et (b) Magnétisation antiparallèle.

Fig I.8 Diagramme des bandes d'énergie des semiconducteurs.

Fig I.18 : Structure des phases FeSi, FeSi2 et Fe3Si

Fig II.3 Organigramme du programme WIEN2K.

Tab III.3 : les valeurs des rayons muffin-tin utilisées

L’objectif de notre travail est l’étude des propriétés structurales, électroniques et

La rédaction de ce mémoire s’articule autour de trois chapitres :

I.1. L’électronique de spin......................................................................................................02

I.1.1. Une brève histoire des magnétorésistances……………………….……………………02

I.3.3.2 Semi-conducteurs où les éléments magnétiques substituent aléatoirement les cations

I.1. L’électronique de spin ( La spintronique) .

Dans un matériau non magnétique, qu’il soit métallique, isolant ou semi-conducteur, le

La magnétorésistance géante (Giant Magneto-Resistance ou GMR) découverte par Albert Fert

Aujourd'hui, l'électronique de spin est à la recherche de nouveaux matériaux permettant

I .1.Une brève histoire des magnétorésistances .

I.1.1.1. La magnétorésistance géante (GMR).

Fig. I.1 – Premières observations de la magnétorésistance géante.

Afin d’illustrer le principe de fonctionnement de l’effet GMR, on considère deux

Fig I.2 : Principe de fonctionnement de la magnétorésistance géante.

I.1.1.2. La magnétorésistance tunnel (TMR).

Fig. I.3 – Evolution, au cours du temps, de la magnétorésistance tunnel rapportée par

Dans une configuration parallèle des aimantations des deux matériaux

importante dans l’électrode émettrice F1 et dans l’électrode réceptrice F2. La résistance

Dans la configuration d’aimantations antiparallèles, la densité d’état au niveau de Fermi des

La magnétorésistance tunnel est définie comme la variation relative de la résistance du

Où G est la conduction électrique de la jonction (GP : configuration d’aimantations

I.1.1.3. Mémoires Magnétiques à Accès Aléatoires (MRAM).

à la configuration parallèle (résistance faible) et état « 1 » correspond à la configuration

I.2. L’intégration de semi-conducteurs dans la spintronique .

La spintronique dans les semi-conducteurs a plusieurs intérêts :

Fig I.6 :A- Représentation schématique du SpinFET.

B- Représentation schématique du SpinFET (Spin Field Effect Transistor), [6]

Le transistor à spin, quoiqu’assez intéressant sur le plan théorique, pose de nombreux

I.3. Les semi-conducteurs magnétiques dilués (DMS) à base de Carbure de

Les semiconducteurs sont principalement les éléments de la colonne IV du tableau de

I.3.2 Bandes d’énergie .

Les niveaux d'énergie des électrons de valence et le niveau d'énergie d'ionisation

Fig I.8 Diagramme des bandes d'énergie des semiconducteurs.

I. 3.2 Familles de semi-conducteurs magnétiques

I.3.2.1 Semi-conducteurs où les éléments magnétiques forment un réseau périodique .

Fig I.9 : a. Semiconducteurs où les éléments magnétiques forment un réseau périodique.

I.3.2.2 Semi-conducteurs où les éléments magnétiques substituent aléatoirement les

avec les propriétés magnétiques d’un matériau ferromagnétique donne naissance à la

I.3.2.3. Les avantages des DMSs à base de semi-conducteurs III-V et II-VI

 Ces matériaux ont également quelques propriétés magnétiques intéressantes :

I.4.Generalites sur SiC .