Examen d’Electronique de Puissance – A2ES.

(1h – Pas de documents,

calculatrice autorisée).

QCM de cours.
Pour chaque question, entourer la ou les bonnes réponses. Attention : une bonne réponse rapporte
des points. Une mauvaise réponse en fait perdre. Pas de réponse = 0 point.

1 : La moyenne d’un signal x(t) périodique de période T

1 𝜃+𝑇
a) Est donné par la formule 〈𝑥〉 = ∙ ∫𝜃 𝑥(𝑡). 𝑑𝑡 avec θ un nombre réel quelconque.
𝑇
b) Est toujours positive.
c) Est telle que 〈𝐾. 𝑥〉 = 𝐾. 〈𝑥〉

2 : Dans la décomposition en série de Fourier du signal y(t) périodique de période T de la

forme : 𝑦 𝑡 ( ) = 𝐴0 + ∑+∞ [ ( ) (
𝑘=1 𝐴𝑘 . 𝑐𝑜𝑠 𝑘. 𝜔. 𝑡 + 𝐵𝑘 . 𝑠𝑖𝑛 𝑘. 𝜔. 𝑡
)]
a) Tous les Bk sont nuls si y est impaire.
b) A0 est la moyenne de y(t)
2 𝜏+𝑇
c) 𝐵𝑘 = 𝑇 ∙ ∫𝜏 𝑦(𝑡). sin(𝑘. 𝜔. 𝑡) . 𝑑𝑡 𝑝𝑜𝑢𝑟 𝑘 ∈ 𝑁 ∗ 𝑒𝑡 𝜏 ∈ 𝑅.
d) Les Ak et les Bk tendent vers 0 quand k tend vers +∞.

3 : Un convertisseur buck (=hacheur dévolteur/abaisseur) permet de produire une tension continue

plus basse à partir d’une tension continue d’entrée.
a) Vrai
b) Faux

4 Une diode à jonction PN qui conduisait précédemment un courant important a-t-elle un

recouvrement inverse lors de son blocage (mise OFF) ?
a) Oui
b) Non.

5 : Un thyristor est commandable à la mise ON (fermeture) et à la mise OFF

(ouverture) grâce à sa gâchette.
a) Vrai
b) Faux.

6 : Une diode Schottky a un recouvrement inverse lors de sa mise OFF (ouverture) après avoir
conduit un courant.
a) Vrai
b) Faux
7 : Pour mettre ON de manière normale un thyristor
a) Il faut que le thyristor soit polarisé en direct (c’est-à-dire que vT soit positive) et
envoyer une impulsion de courant suffisante sur la gâchette.
b) Il faut que le thyristor soit polarisé en inverse (c’est-à-dire que vT soit négative) et
envoyer une impulsion de courant suffisante sur la gâchette.
c) Il suffit d’envoyer une impulsion de courant suffisante sur la gâchette.

8 : Une commutation douce génère-t-elle une dissipation d’énergie ?

a) Oui
b) Non

9 : Un transistor MOSFET à enrichissement à canal N réel (=non idéal) :

a) Est bidirectionnel en courant de drain iD quand il est ON (=passant).
b) Est le siège de pertes par conduction quand il conduit un courant de drain iD non nul.
c) Est ON (=passant) quand on applique un VGS < VGSth (VGSth = tension de seuil).
d) Ne possède pas de capacités parasites.

10 : Un IGBT réel (=non idéal)

a) Est bidirectionnel en courant de collecteur iC quand il est ON (=passant)
b) Est commandable à la mise ON (fermeture) et à la mise OFF (ouverture).
c) Commute instantanément.
d) Entre en avalanche si on applique un VCE>0 trop élevé.
Questions de cours et applications (répondre sur le sujet si possible).

1) Dans l’alimentation suivante, indiquer dans les rectangles les noms des deux convertisseurs
utilisés :

2) Donner le symbole d’un transistor bipolaire NPN, en y plaçant les lettres de ses trois bornes.
Donner aussi les noms complets des trois bornes.

3) Soit les courbes suivantes issues du descriptif d’un IGBT :

On suppose que l’on a bien la température TC du boîtier de l’IGBT à 25°C.

On met en conduction l’IGBT en appliquant en permanence un VGS de 15V. On suppose qu’un courant
IC=30 A circule dans l’IGBT.
a) Quelle est la valeur de VCE qui apparaît alors aux bornes de l’IGBT ?

D’après les courbes : vCE≈2V (on parle souvent de VCEsat dans ce cas, car on est en saturation à ce
point de fonctionnement).
b) L’IGBT est-il en régime saturé ou désaturé ?
Il est en régime saturé (partie à gauche des « coudes » des courbes, là où les courbes iC=f(vCE) sont
des droites fortement croissantes).

c) Calculer la puissance moyenne Pcond dissipée dans l’IGBT dans ces conditions (pertes par
conduction)?

Pcond= VCE.IC = 2*30 = 60 W.

d) Soit la SOA suivante de cet IGBT :

Traduction :
DC : courant et tension continues
(statique).
Encart : « Impulsion unique non
répétitive. TC=25°C. Les courbes doivent
être adaptées linéairement pour toute
augmentation de température ».

a) Placer le point de fonctionnement précédent sur la SOA.

Voir SOA ci-dessus.

b) Ce point de fonctionnement pose-t-il problème (justifier et préciser laquelle des courbes de la SOA
est à considérer pour notre cas)?
Non pas de problème car on est à l’intérieur de la SOA en DC (qui est valable pour notre cas car on a
IC et VCE continus et TC=25°C).

4) a) Calculer la valeur moyenne 〈𝑣(𝑡)〉 de la tension suivante (donner les étapes du calcul):

𝑇 𝐷.𝑇
1 1 1 1
〈𝑣(𝑡)〉 = ∙ ∫ 𝑣(𝑡). 𝑑𝑡 = ∙ ∫ 𝑣(𝑡). 𝑑𝑡 = ∙ 𝑎𝑖𝑟𝑒𝑟𝑒𝑐𝑡𝑎𝑛𝑔𝑙𝑒 = ∙ 𝑉0 . 𝐷. 𝑇 = 𝐷. 𝑉0
𝑇 0 𝑇 0 𝑇 𝑇
b) Calculer la valeur efficace 𝐼𝑒𝑓𝑓 du courant i(t) suivant (donner les étapes du calcul):

2 𝐷.𝑇
1 𝑇
1 𝐷.𝑇
𝐼𝑚𝑎𝑥 𝐼𝑚𝑎𝑥 2 𝑡 3 𝐼𝑚𝑎𝑥 2 𝐷 3 . 𝑇 3
𝐼𝑒𝑓𝑓 = √ ∙ ∫ 𝑖²(𝑡). 𝑑𝑡 = √ ∙ ∫ ( ∙ 𝑡) . 𝑑𝑡 = √ 2 3 ∙ [ ] =√ 2 3∙
𝑇 0 𝑇 0 𝐷. 𝑇 𝐷 .𝑇 3 0 𝐷 .𝑇 3

𝐷. 𝐼𝑚𝑎𝑥 2 𝐷
𝐼𝑒𝑓𝑓 = √ = √ ∙ 𝐼𝑚𝑎𝑥
3 3

8) a) Soit les commutations suivantes d’un MOSFET, lors d’un découpage à f = 200 kHz.

On suppose que lors des commutations, le courant iD varie quasi-instantanément par rapport à la
vitesse de variation de la tension vDS.
On a donc ton = durée de la mise ON ≈ temps de chute de vDS.
On a donc toff = durée de la mise OFF ≈ temps de montée de vDS.
On négligera ainsi l’énergie dissipée lors des variations du courant.

On supposera pour les questions a) et b) que vDS est négligeable (≈0 V) quand le MOSFET est ON.

Données :

VDSoff = 50 V.
IDon1 = 20 A.
IDon2 = 30 A.
ton = 10 ns.
toff = 20 ns
f=200 kHz

a) Calculer l’énergie Eon dissipée lors d’une mise ON du MOSFET (donner les étapes du calcul littéral,
puis faire l’application numérique).

𝑡𝑜𝑛 𝑡𝑜𝑛 𝑡𝑜𝑛

𝐸𝑜𝑛 = ∫ 𝑣𝐷𝑆 . 𝑖𝐷 . 𝑑𝑡 = ∫ 𝑣𝐷𝑆 . 𝐼𝐷𝑜𝑛1 . 𝑑𝑡 = 𝐼𝐷𝑜𝑛1 . ∫ 𝑣𝐷𝑆 . 𝑑𝑡

0 0 ⏟
0
𝑎𝑖𝑟𝑒 𝑑𝑢 𝑡𝑟𝑖𝑎𝑛𝑔𝑙𝑒 𝑑𝑒 𝑣𝐷𝑆

𝑡𝑜𝑛 . 𝑉𝐷𝑆𝑜𝑓𝑓
𝐸𝑜𝑛 = 𝐼𝐷𝑜𝑛1 .
2

𝐸𝑜𝑛 = 5µ𝐽

b) Calculer l’énergie Eoff dissipée lors d’une mise OFF du MOSFET (donner les étapes du calcul littéral,
puis faire l’application numérique).

𝑡𝑜𝑓𝑓 𝑡𝑜𝑓𝑓 𝑡𝑜𝑓𝑓

𝐸𝑜𝑓𝑓 = ∫ 𝑣𝐷𝑆 . 𝑖𝐷 . 𝑑𝑡 = ∫ 𝑣𝐷𝑆 . 𝐼𝐷𝑜𝑛2 . 𝑑𝑡 = 𝐼𝐷𝑜𝑛2 . ∫ 𝑣𝐷𝑆 . 𝑑𝑡

0 0 ⏟
0
𝑎𝑖𝑟𝑒 𝑑𝑢 𝑡𝑟𝑖𝑎𝑛𝑔𝑙𝑒 𝑑𝑒 𝑣𝐷𝑆

𝑡𝑜𝑓𝑓 . 𝑉𝐷𝑆𝑜𝑓𝑓
𝐸𝑜𝑓𝑓 = 𝐼𝐷𝑜𝑛2 .
2

𝐸𝑜𝑓𝑓 = 15µ𝐽
c) Exprimer littéralement les pertes moyennes par commutation Pcom dans le MOSFET en fonction de
Eon, Eoff et f, puis calculer numériquement Pcom.
𝑃𝑐𝑜𝑚 = (𝐸𝑜𝑛 + 𝐸𝑜𝑓𝑓 ). 𝑓 = 4𝑊

d) Les commutations sont-elles dures ou douces (justifier) ?

Les commutations sont dures (on a iD et vDS simultanément non nuls lors des commutations).

e) Soit RDSon =10mΩ la résistance à l’état passant (ON) du MOSFET (le MOSFET est donc équivalent à
cette simple résistance quand il est ON). On suppose qu’après calcul on trouve que le courant de
drain efficace dans le MOSFET est IDeff =16 A.
Exprimer littéralement les pertes moyennes en conduction Pcond du MOSFET, puis faire l’application
numérique.
𝑃𝑐𝑜𝑛𝑑 = 𝑅𝐷𝑆𝑜𝑛 . 𝐼𝐷𝑒𝑓𝑓 2 ≈ 2.6𝑊
8)f) Calculer littéralement en fonction de Pcom et Pcond les pertes moyennes totales Ptot dans le
MOSFET, puis faire l’application numérique.

𝑃𝑡𝑜𝑡 = 𝑃𝑐𝑜𝑛𝑑 + 𝑃𝑐𝑜𝑚 ≈ 6.6𝑊