Structures de guidage HF

Technologie et applications
par Marc HÉLIER
Ingénieur de l’École supérieure d’électricité
Docteur – Ingénieur
Professeur à l’université Pierre-et-Marie-Curie
Michel NEY
Professeur à l’ENST-Bretagne
Directeur du Laboratoire d’électronique et des systèmes de télécommunications
(LEST) à Brest
et Christian PICHOT
Directeur de Recherche au Centre national de recherche scientifique (CNRS)
Laboratoire d’Électronique, Antennes et Télécommunications

1. Technologie ................................................................................................ E 1 172 – 2

1.1 Substrats....................................................................................................... — 2
1.2 Techniques de fabrication des circuits micro-ondes en microlignes....... — 2
1.2.1 Circuits sur substrats Téflon............................................................... — 2
1.2.2 Circuits intégrés .................................................................................. — 3
1.2.3 Circuits hybrides multicouches.......................................................... — 3
1.2.4 Filière mousse ..................................................................................... — 5
1.2.5 Technologie membrane ...................................................................... — 6
1.3 Conception assistée par ordinateur (CAO) ................................................ — 7
2. Performances............................................................................................. — 9
2.1 Pertes ............................................................................................................ — 9
2.1.1 Pertes diélectriques et dans le conducteur ....................................... — 9
2.1.2 Pertes par rayonnement ..................................................................... — 12
2.2 Puissance transportable .............................................................................. — 12
2.2.1 Limitation de la puissance moyenne transportée ............................ — 12
2.2.2 Limitation due aux effets de claquage .............................................. — 12
3. Domaines d’applications. Perspectives ............................................. — 12
3.1 Domaines d’applications ............................................................................. — 12
3.1.1 Circuits passifs .................................................................................... — 12
3.1.2 Circuits actifs ....................................................................................... — 13
3.1.3 Microantennes..................................................................................... — 13
3.2 Perspectives ................................................................................................. — 13
Références bibliographiques ......................................................................... — 13

ans cet article, on aborde un point de vue fondamental qui justifie à lui seul
D le développement des techniques numériques déjà exposées en [E 1 171]
dont l’objectif, il faut le rappeler, est de conduire à la mise en œuvre effective
des microlignes micro-ondes et millimétriques. Dans une première étape seront
présentés les aspects matériels de la technologie (matériaux et techniques phy-
sico-chimiques de fabrication) et dans une seconde étape on s’intéressera aux
techniques d’aide à la conception des circuits.
Les performances, les domaines d’applications et les perspectives des circuits
micro-ondes et millimétriques seront ensuite exposés.

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Les structures de guidage pour circuits micro-ondes et millimétriques font l’objet de trois arti-
cles :
— [E 1 170] pour la propagation et la géométrie ;
— [E 1 171] pour la modélisation et les calculs ;
— [E 1 172] pour la technologie et les applications.

1. Technologie Les principales caractéristiques d’un substrat sont sa permitti-

1.1 Substrats
Les performances obtenues avec les circuits à microlignes sont
très dépendantes de la qualité des substrats diélectriques employés
pour leur réalisation. En effet, le matériau choisi sera déterminant
pour l’obtention de faibles pertes et d’une grande stabilité de la
constante de propagation, conditions indispensables pour assurer
le bon fonctionnement d’un circuit micro-ondes, même avec des
contraintes d’utilisation sévères (température, humidité, vibrations).
Divers matériaux ont été développés, avec des permittivités rela-
tives variant de 2 à 12 pour les plus courants [1] ainsi que le montre
le tableau 1.
(0)
Tableau 1 – Caractéristiques des substrats
vité relative ε r , son angle de pertes défini en général par sa tan-
gente ( tan δ ) , sa conductivité thermique K et le champ disruptif
E M au-delà duquel on observe la destruction du diélectrique. Pour
une permittivité relative donnée, il est intéressant d’utiliser un
substrat à faible angle de pertes (rendement du circuit), à forte
conductivité thermique (évacuation facilitée de la chaleur produite
par des composants actifs, par exemple, et bonne tenue en puis-
sance moyenne) et à fort champ disruptif (bonne tenue en puis-
sance de crête).
Parmi les caractéristiques des matériaux couramment employés,
on peut remarquer les particularités suivantes :
— le faible coût des assemblages fibre de verre/Téflon ;
— les très faibles pertes du quartz, de l’alumine et du saphir,
alliées à d’excellents états de surface, au prix cependant d’un coût
élevé ;
— la très bonne conductivité thermique de l’oxyde de béryllium,
matériau cependant toxique et difficile à usiner ;
— la forte permittivité relative de l’arséniure de gallium, qui
contribue à la miniaturisation des circuits intégrés.

K EM
Matériau εr tan δ
(W.cm–1. °C) (kV/ cm)
1.2 Techniques de fabrication des circuits
Air 1,0 0,0000 0,00024 30 micro-ondes en microlignes
Téflon/fibre de verre
tissée 2,17 à 2,55 0,0019 0,0015

Téflon/fibre de verre 1.2.1 Circuits sur substrats Téflon

non tissée 2,20 à 2,33 0,0019 0,0012

Téflon/fibre de verre L’utilisation de substrats Téflon permet une réalisation simple de

chargée 6,00 à 10,20 0,0019 0,002 circuits micro-ondes à l’aide des techniques traditionnelles de gra-
de céramique vure de circuits imprimés. En contrepartie, le niveau d’intégration
obtenu est minimal puisque résistances, capacités et éléments actifs
Polystyrène 2,53 0,0005 0,0015 280 doivent être montés une fois le circuit réalisé. Ces composants sont
Alumine en général soudés mais peuvent également être collés à l’aide de
(pure à 99,5 %) 9,80 0,0001 0,37 4 000
colles époxydiques conductrices.
Alumine Les principaux avantages de cette technologie sont les suivants :
(pure à 96 %) 9,40 0,001 0,35 4 000
— bas coût de fabrication ;
Ferrite 9 à 16 0,001 — usinage aisé ;
— mise en œuvre à l’aide de moyens limités ;
Tétratitanate — mise au point et réparation du circuit faciles ;
de baryum 37 0,0005 0,02
— faibles pertes conductrices en raison de la largeur des lignes à
Saphir 11,7 0,0001 0,4 4 000 microruban employées.
Quartz 3,8 0,0001 0,01 10 000 Ses inconvénients sont cependant nombreux :
— faible miniaturisation due aux petites valeurs de permittivité
Oxyde de béryllium 6,6 0,0001 2,5
obtenues ;
Arséniure — faible rigidité mécanique ;
de gallium (AsGa) 12,9 0,0016 0,46 350
— impossibilité de monter des éléments sans boîtier (chip) ;
Silicium (Si) 11,9 0,015 1,45 300 — fortes pertes diélectriques ;
— mauvaise conductivité thermique.
Céramique 5,5 à 9,5 < 0,0005
Mousse en imide 1.2.1.1 Métallisations
polyméthacrylique 1,07 0,0002

Polypropylène 2,18 0,0003 Dans la plupart des réalisations de circuits micro-ondes hybrides
sur substrat Téflon, le substrat est initialement métallisé sur ses
Phosphorure
13,1 68 deux faces puis gravé chimiquement pour obtenir les motifs dési-
d’indium (InP)
rés. La métallisation initiale du substrat joue un rôle important pour
Cuivre 1 371 la réalisation d’un circuit hybride.

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Rubans
Attaque de la étroits
base du ruban
Substrat Substrat
Métallisation Métallisation
épaisse mince
Figure 1 – Gravure d’un ruban étroit
L’épaisseur du métal déposé va influer sur la largeur des lignes
technologiquement réalisables ainsi que sur la valeur moyenne de
la puissance transportable sur ces lignes (figure 1). Une métallisa-
tion fine (épaisseur inférieure à 17 µm) facilite la gravure de lignes à
microruban étroites mais limite la puissance moyenne transportée :
en effet, l’attaque chimique s’effectue de façon préférentielle à la
base de l’interface métal-diélectrique. Ainsi, une épaisseur réduite
conduit à un temps global de gravure moins important et évite par
conséquent, pour les lignes étroites, la séparation totale du ruban et
du substrat en raison d’une surgravure due à une attaque trop
importante de la base du ruban par rapport à celle de ses côtés.
Cette « surgravure » est fréquente avec une métallisation épaisse et
une ligne étroite. Si, par contre, il importe de minimiser les pertes et
de transporter une puissance moyenne élevée, une métallisation
épaisse (épaisseur supérieure ou égale à 35 µm) s’impose.
Deux techniques sont couramment employées pour métalliser, en
général avec du cuivre, les substrats à base de Téflon [2] :
— le dépôt électrolytique ;
— le laminage (adhésion sur le substrat d’une feuille de cuivre
laminée par chauffage et pression).
La seconde méthode permet d’obtenir une excellente régularité
de surface, avec cependant un coût de fabrication plus important.
1.2.1.2 Gravure
■ Nettoyage des substrats avant la gravure : la réalisation de
microlignes micro-ondes par les techniques de circuit imprimé
nécessite l’emploi de substrats de haute qualité. Il est indispensable
de les préparer avant de pouvoir effectuer leur gravure [2]. Il s’agit
essentiellement de nettoyer la surface du substrat pour enlever tou-
tes les impuretés déposées après la fabrication (essentiellement des
graisses). Trois étapes sont nécessaires pour mener à bien la
préparation :
— un premier nettoyage de la surface à l’aide d’un solvant appro-
prié souvent complété par un processus physique ne détériorant
pas la métallisation (nettoyage par ultrasons, par exemple) ;
— le rinçage du substrat à l’aide de solutions plus spécialisées
(eau déionisée et méthanol pour enlever les résidus solubles dans
l’eau, fréon pour les résidus graisseux) ;
— l’étuvage au four, pour enlever les résidus apportés par les
deux premières étapes de préparation.
Des variantes peuvent intervenir dans ce processus avec certains
types de substrats (séchage des substrats d’alumine à l’azote, par
exemple). Dans tous les cas, il est important de noter qu’aucune
manipulation ne doit être effectuée à main nue, non seulement en
raison de la toxicité éventuelle des solvants utilisés mais aussi à
cause de la dégradation qui peut en résulter pour le substrat : en
effet, les graisses déposées par les doigts ont tendance à détériorer
la métallisation, rendant l’utilisation du substrat moins fiable.
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■ Sensibilisation des substrats : le dessin du circuit conduit à la
réalisation d’un cliché photographique contrasté reproduisant, en
positif ou en négatif, les motifs à reproduire sur le substrat métal-
lisé. Le résultat de la gravure dépend alors du type de résine photo-
sensible appliquée après le processus de nettoyage. On dispose de
deux types de résines pour cette opération, soit une résine positive
qui nécessite de disposer du dessin en positif du circuit à réaliser
(solution à préférer pour l’obtention de lignes très étroites), soit une
résine négative qui repose sur l’emploi d’un dessin en négatif,
autrefois plus couramment employée.
1.2.2 Circuits intégrés
Dans cette technologie, récente dans le domaine micro-onde,
sont réalisés sur un même substrat d’arséniure de gallium, microli-
gnes, éléments passifs (capacités, inductances) et éléments actifs
(transistors à effet de champ, diodes). C’est grâce à la maîtrise pro-
gressive de la filière de l’AsGa, qui a permis la production de tran-
ches de substrat de grande dimension et à faible perte, au
développement du transistor MESFET (Metal Semiconductor Field
Effect Transistor) et au débouché important créé par la multiplica-
tion des antennes réseaux à balayage électronique que les circuits
micro-ondes ont largement dépassé le stade de curiosité de labora-
toire pour devenir des produits industriels.
Les avantages de ces circuits résident dans leur miniaturisation
par rapport aux circuits hybrides (dimensions de l’ordre du millimè-
tre en bande X), leur plus faible coût unitaire, leur large bande pas-
sante potentielle en raison même de leurs petites dimensions, leur
fréquence de travail maximale élevée et la plus faible dispersion de
leurs performances en raison de l’absence de connexions perturba-
trices.
Les inconvénients sont à rechercher dans l’investissement considé-
rable en recherche et en équipements (physico-chimiques, informati-
ques, technologiques) que nécessite leur production, l’impossibilité
de régler le circuit achevé et la nécessité de disposer d’un vaste mar-
ché pour amortir les frais de développement, bien plus élevés qu’en
technologie hybride.
Actuellement, c’est principalement la ligne à microruban qui est
employée dans les circuits intégrés bien qu’on trouve aussi quel-
quefois des lignes coplanaires. L’épaisseur des substrats d’arsé-
niure de gallium étant faible pour des raisons de dissipation
thermique (de l’ordre de 100 à 300 µm), les lignes 50 Ω réalisées en
circuit intégré ont une largeur de l’ordre de 70 à 200 µm, valeurs fai-
bles mais cependant bien maîtrisées avec les techniques de photo-
lithographie employées dans cette technologie (résolution
meilleure que 1 µm).
1.2.3 Circuits hybrides multicouches
Avec l’augmentation des débits d’information et la demande de
nouveaux services d’une part et la congestion du spectre dans les
bandes radio-fréquence d’autre part, on assiste au développement
de systèmes et leurs composants dans les nouvelles bandes milli-
métriques rendues disponibles aux applications civiles.
Pour répondre aux exigences de coût, performances et compa-
cité, des nouveaux procédés technologiques ont été développés
pour les applications en bandes millimétriques. Ils permettent
l’association de fonctions diverses (amplifications, filtrage, multi-
plexage, rayonnement) sur une structure planaire faites en plusieurs
couches dans lesquelles les motifs conducteurs (filtres, connexions)
et éléments passifs (résistances, capacités, inductances) sont dépo-
sés par divers procédés (gravure, sérigraphie ou photo-image). On
peut y allier différentes technologies de type uniplanaire ou à micro-
ruban, disposées sur plusieurs niveaux qui peuvent être couplées
par champs électromagnétiques ou connectées par trous métallisés.
On parle alors de circuits multicouches, multitechnologies tridimen-
sionnelles.
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Plaques Perçage Métallisation

Ruban diélectriques des trous des trous
diélectrique

Cuisson (~850 °C) Laminage Alignement

Dépôt des éléments

passifs et lignes
Post-traitements :
– impressions
– cuisson
– ajustement
– test Figure 2 – Illustration schématique
d’un procédé typique LTCC

Les modules actifs intégrés sont montés en surface et les différen-
tes couches sont électriquement connectées par des trous métalli-
sés. Ce type d’arrangement fait référence aux circuits hybrides (par
opposition à monolithiques sur lesquelles les éléments transistors
sont aussi intégrés à même le substrat).
1.2.3.1 LTCC ou HTCC
Un procédé pour la fabrication de circuits multicouches est
apparu vers le début des années quatre-vingt-dix. Il consiste à
empiler des plaques diélectriques (céramique), préalablement
munis de motifs conducteurs, résistances, capacités, et de trous
métallisés pour les connexions entre plaques. Après laminage, elles
subissent un traitement thermique sous atmosphère raréfiée pour
la soudure aux interfaces (figure 2). Pour une température de cuis-
son au-dessous de 1000 °C (typiquement 850 °C), on parle de pro-
cédé céramique à basse température (Low Temperature Cofired
Ceramic LTCC) et de procédé céramique à haute température (High
Temperature Cofired Ceramic HTCC) pour des températures supé-
rieures à 1000 °C.
Les diélectriques utilisés sont généralement des céramiques avec
des permittivités relatives entre 5,5 et 9,5 (épaisseur 90 à 200 µm)
dont le facteur de pertes peut se situer au-dessous de 5 × 10
–4
jusqu’à 40 GHz [3]. Des circuits pouvant atteindre plus de 15 cou-
ches sont produits industriellement par cette technique maintenant
maîtrisée pour des applications jusqu’à 40 GHz [4]. La recherche
actuelle est tournée vers l’élaboration de substrats avec de meilleu-
res performances (pertes) et des procédés de fabrication permet-
tant une meilleure précision des éléments pour des applications au-
dessus de 40 GHz.
1.2.3.2 Sérigraphie
La sérigraphie est un procédé technologique qui comporte
notamment les avantages suivants :
— densité d'intégration ;
— souplesse d'utilisation ;
— reproductibilité ;
— fiabilité.
Les substrats de base typiquement utilisés sont :
— alumine (96 %) : ε r = 9, 6 , épaisseur 635 µm ;
— alumine (99 %) : ε r = 9, 9 , épaisseur 254 µm ou 635 µm (épais-
seurs standards) ;
— ferrites hyperfréquences ;
— céramiques à haute permittivité : ε r = 31, 40, 89 , épaisseur
635 µm, 1 mm ou 2 mm.
Le procédé est illustré à la figure 3. Des pâtes (ou encres) ayant des
propriétés soit diélectriques (substrats) ou conductrices (lignes ou
résistances) sont étalées mécaniquement sur un substrat de base à
travers un treillis métallique dont les pores situés en dehors de
l'emplacement des motifs à implanter (ou à reproduire) sont obs-
trués. La pâte est donc déposée à l'aide d'une raclette à travers les ori-
fices laissés libres en accord avec la géométrie des motifs que l'on
désire déposer. La procédure est répétée pour chaque couche supplé-
mentaire que l'on désire ajouter. Une étape de cuisson à 900 °C fixe
les encres et doit être appliquée après chaque dépôt de couche.
La résistivité des encres conductrices est comprise typiquement
entre 2 et 4 mΩ/mm2 et les épaisseurs après cuisson sont entre 8 et
15 ± 1 µm. Ces paramètres sont critiques vis-à-vis des contraintes de
pertes en hautes fréquences. On peut atteindre une résolution ligne
ou fente pour les circuits uniplanaires de 80 µm avec une précision
en largeur de ± 10 µm.
Les encres diélectriques ont des permittivités relatives situées
entre 4 et 10. La résolution des trous métallisés pour les connexions
électriques entre couches varie de 150 à 300 µm. Les épaisseurs sont
de l'ordre de 20 ± 1 µm par couche.
Les applications de ce type de technologie sont nombreuses et
s'étendent du GHz jusqu'aux fréquences millimétriques. Elles
comprennent les fonctions du type filtrage-amplification, les circuits à
fort couplage mais aussi des intégrations de systèmes en général [5].
1.2.3.3 Sérigravure
Plus récente, la technologie sérigravure tire à la fois profit de la
technique sérigraphie par son aspect multicouche et des avantages
de la photolithographie par sa précision et sa qualité de résolution.
La sérigravure est basée sur l'utilisation d'encres pouvant être gra-
vées ou photo-imagées. Par rapport à la sérigraphie, elle apporte

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— alignement entre couches ;

— réalisation de trous métallisés ponctuels grâce aux diélectri-
Raclette
Cadre Pâte ques photo-imageables.
Motifs
La procédure est illustrée à la figure 4. La sérigraphie est utilisée
pour étaler les différentes pâtes sur un substrat de base de type alu-
mine, céramique ou ferrite hyperfréquence. Dans le cas de couche
conductrices, les pâtes sont enduites d'une résine photosensible.
Cette étape est omise dans le cas de pâtes diélectriques car elles
Treillis sont directement photo-imageables (elles contiennent des éléments
Porte-substrat
Substrat photosensibles). Une insolation par rayons ultraviolets à travers un
masque contenant les motifs géométriques et une révélation par
solution aqueuse permettent la gravure des éléments. Comme dans
la sérigraphie, une cuisson est nécessaire pour fixer les encres.
Pour les encres conductrices, une épaisseur après cuisson entre
2,5 et 15 µm est obtenue, suivant le type. La résolution ligne ou fente
Figure peut atteindre 15 ± 1 µm. Les encres photo-imageables ont des per-
mittivités relatives disponibles de 3,9 à 9 (pour des applications
dans le domaine des hautes fréquences). Elles permettent une
épaisseur de couche de 10 ± 1 µm. Finalement, cette technique per-
met la réalisation de trous métallisés jusqu'à 40 µm.
La sérigravure est particulièrement bien adaptée pour la réalisa-
tion de circuits en techniques uniplanaires. Par exemple, elle permet
l'implantation directe de filtres à réjection de modes comme les
ponts requis pour supprimer le mode symétrique des lignes copla-
naires [6].

1.2.4 Filière mousse

Figure 3 – Illustration du procédé pour une sérigraphie
des solutions qui améliorent la possibilité d'intégration des fonc-
tions et des systèmes, particulièrement grâce aux aspects suivants :
— limites des dimensions accessibles et précision associée ;
La demande croissante d'applications pour le grand public,
comme les radios mobiles et les boucles locales, a fait émerger l'uti-
lisation de filières technologiques procurant des coûts réduits. Une
technologie à base de mousses faites d'imide polyméthacrylique a
été développée pour de nombreuses applications impliquant
notamment des circuits et antennes plaqués [7].

Résine photosensible
Substrat Pâte
Dépôt

Porte-substrat

Insolation UV

Masque
Motifs

Révélation

Solution aqueuse

Lavage

Figure 4 – Procédé de sérigravure de motifs

conducteurs

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Contrairement aux technologies vues précédemment, cette filière

s'appuie principalement sur le pressage à chaud de mousse en
–4
imide polyméthacrylique ( ε r = 1, 07 , tan δ ≈ 2 × 10 à 2 GHz) avec Pressage
des feuilles métalliques en cuivre et des films de scellement diélec- à chaud
–4
triques polypropylène ( ε r = 2, 18 , tan δ ≈ 3 × 10 à 2 GHz) de quel- Élément
ques dizaines de micromètres d'épaisseur. L'avantage d'utiliser de rayonnant
tels substrats est multiple. On peut citer les principaux : Ligne
— matière disponible à très faible coût ;
— possibilité de réaliser des substrats ayant les caractéristiques
de l'air ;
— réalisation de substrats conformes ;
— faibles pertes jusqu'en bande millimétrique.
Insert à haute
De plus, la mousse peut être facilement usinée et des surfaces à permittivité
profil arbitraire peuvent être obtenues par micro-usinage ou ther-
Films
moformage. polypropylène
Une procédure typique est illustrée à la figure 5. Elle montre la
possibilité d'obtenir facilement des substrats inhomogènes qui sont
utilisés pour faciliter la miniaturisation d'éléments rayonnants. Les
éléments conducteurs (lignes et éléments rayonnants) sont déposés
sur un film par les techniques décrites précédemment. Un pressage
à chaud permet l'assemblage de la structure. La métallisation peut
aussi s'effectuer simplement par sérigraphie. Le dépôt direct sur la Substrat mousse usiné Plan de base
mousse sans l'utilisation de film polypropylène est à l'étude. à faible permittivité conducteur

1.2.5 Technologie membrane Figure 5 – Exemple de réalisation par la filière mousse

Pour les applications en ondes millimétriques, le besoin de limiter

les pertes d'une part, et celui d'éviter l'apparition de modes parasi-
tes d'autre part conduit généralement le concepteur à utiliser des
substrats de faible épaisseur et présentant de faibles pertes diélec-
triques. Outre le surcoût relatif au choix d'un matériau plus perfor-
mant, il s'avère également que les filières technologiques dites
« classiques » – de type coplanaire ou microruban – peuvent être en
limite d'utilisation pour diverses raisons :
— la réduction de l'épaisseur du substrat tend à dégrader les
caractéristiques des structures rayonnantes (gain – bande pas-
sante), tout comme celles des structures passives (coefficients de
qualité faibles) ;
— la sensibilité technologique est accrue dans la mesure où l'aug-
mentation de la dispersion ou la dérive sur les dimensions des motifs
peuvent se traduire par un dysfonctionnement total de la fonction.
Des solutions d'intégration réellement adaptées au contexte milli-
métrique tendent à s’instaurer par la mise en œuvre d'une filière
technologique de type membrane. Elle consiste à déposer sur un
substrat en semi-conducteur Si, AsGa ou en InP un film diélectrique
(SiO2), typiquement de 1,4 µm d’épaisseur. Ensuite, les motifs pla-
naires sont déposés par des procédés lithographiques sur ce film
(membrane). Finalement, le substrat est évidé sous le film par un
procédé de gravure. La cavité sous la membrane est fermée par un
plan de base donnant ainsi un circuit en technologie microruban
quasiment immergé dans l’air [8]. La nouvelle structure réduit ainsi
la dispersion et les pertes de substrat.
Une solution alternative mais résolument à faible coût consiste à
utiliser des matériaux diélectriques à faibles pertes de type poly-
mère (benzocyclobutène ou polypropylène) et des procédés techno-
logiques standards (pressage – photolithographie). Le film
diélectrique (épaisseur 10 µm) est déposé sur une feuille de cuivre
(embase) puis est recouvert d’une autre feuille de cuivre dont
l’épaisseur peut varier de 9 à 35 µm. Le tout est laminé à chaud pour
obtenir une structure pouvant être gravée par les procédés stan-
dards pour circuits imprimés. Le caractère membrane est concédé
par l’obtention d'une cavité au niveau de la face inférieure de la
structure en y enlevant le cuivre par gravure. Un plan de base fixé
sur la face inférieure de l’embase en cuivre ferme la cavité (figure 6).
Cette approche évite d'une part le problème de report de masse par
trous métallisés et d'autre part produit des coûts moindres. Cepen-
dant, la résolution est inférieure à celle obtenue par les techniques
sur semi-conducteurs.
Film diélectrique
Motif conducteur gravé (épaisseur 10 µ m)
Cavité gravée
Embase en cuivre Plan de base
(épaisseur 127 à 254 µm) conducteur
Figure 6 – Exemple de structure membrane
La technologie membrane à partir de films de polypropylène
apporte une certaine flexibilité dans la conception de fonctions mil-
limétriques actives ou passives, avec une ouverture vers des filières
hybrides de type montage inverse de circuits intégrés (Flip-chip)
dont l'avantage est de minimiser les effets parasites générés par les
connexions. On peut noter les principaux avantages qui découlent
de l'utilisation de la technologie membrane en bande
millimétrique :
— le support cuivré, compte tenu de sa rigidité, assure d'emblée
une certaine robustesse de l'ensemble ;
— les problèmes de connectique et de mise en boîtier sont réso-
lus à cause de l'imbrication directe membrane – boîtier en cuivre ;
— les niveaux d'impédances caractéristiques peuvent être très
étendus, notamment vers les fortes valeurs (jusqu'à 200 Ω).
Finalement, la technologie membrane à partir de films de poly-
propylène s'avère particulièrement attractive puisqu'elle est directe-
ment compatible avec la filière mousse.
Les circuits en technologie membrane peuvent être connectés à
des technologie de type microruban ou coplanaire par des lignes sur
film fin diélectrique (Thin Film Micro-Strip TFMS) qui permettent la
transition de milieux d'impédance forte vers ceux d'impédance faible.

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Alumine
A – A’ : Carte mère (coplanaire)
Microbille hauteur 100 µm
BCB Embase cuivre
B – B’ : Section BCB
Microruban
Cavité
C – C’ : Section membrane
Figure 7 – Report de composants montés en surface type membrane sur une carte mère par procédé Flip Chip
Il est à noter que les filières monolithiques (circuits intégrés) ne
sont pas réellement adaptées pour assurer l'intégration de fonctions
sensibles, et particulièrement encombrantes, telles que les antennes,
les filtres ou les résonateurs pour la stabilisation des oscillateurs.
D'un autre côté, on peut aujourd'hui disposer de puces monolithi-
ques (amplificateurs, voire mélangeurs) à ces fréquences, avec accès
de type coplanaire ou microruban, qui peuvent être directement
montées par collage et câblage sur une embase appropriée. La tech-
nologie membrane est une solution appropriée pour l'intégration
hybride [9] de fonctions actives et passives sur une carte mère dans
laquelle une technique de report de type Flip-Chip (figure 7) est privi-
légiée de manière à minimiser les effets parasites inhérents à l'opé-
ration de report-câblage. Il semble donc que l’approche mono-
lithique et les technologies hybrides sont amenées à être complé-
mentaires pour les dispositifs en bandes millimétriques.
1.3 Conception assistée par ordinateur
(CAO)
La recherche de circuits micro-ondes hybrides ou intégrés de plus en
plus performants conduit à une complexité de plus en plus grande
pour le concepteur. En effet, le regroupement de fonctions multiples
sur un même circuit de petites dimensions rend indispensable l’étude
préalable des interactions entre éléments. Les mesures à l’intérieur
d’un circuit micro-onde étant difficiles, seule la simulation numérique
est susceptible d’apporter les informations nécessaires pour son
dimensionnement. Ces techniques de simulation numérique sont
regroupées sous l’appellation de CAO : elles comprennent des étapes
logiquement imbriquées qui sont les suivantes :
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Microbille
A B C hauteur 100 µm
Microruban
Circuit en technologie
A' B' C' membrane
Vue de dessus (sans blindage supérieur et BCB )
BCB benzocyclo-butène
— la définition initiale du circuit à partir du cahier des charges ;
— l’analyse de son fonctionnement à l’aide des modèles de ses
éléments et composants ;
— la comparaison entre les performances calculées et les perfor-
mances souhaitées ;
— l’analyse de la sensibilité des performances en fonction des
variations des valeurs des composants ;
— les modifications éventuelles pour obtenir le fonctionnement
nominal par optimisation ;
— les modifications éventuelles pour rendre le circuit moins sen-
sible à la dispersion.
Lorsqu’un circuit répond au cahier des charges et présente une
faible dispersion de ses performances en fonction de la dispersion
de ses éléments, sa fabrication est lancée. Grâce aux techniques de
CAO, le concepteur se dispense d’une expérimentation longue, coû-
teuse et parfois impossible, comme par exemple pour l’étude des
effets de la dispersion des valeurs des composants.
Les difficultés particulières de la CAO dans le domaine micro-
ondes sont liées à la complexité des problèmes d’électromagnétisme
qu’il faut résoudre pour obtenir le modèle d’un élément de circuit.
C’est pourquoi la CAO des circuits micro-ondes repose sur une ana-
lyse rigoureuse des phénomènes de propagation électromagnétique
dans les composants passifs (tronçon de microligne) dont les princi-
paux aspects ont été précédemment présentés [E 1 171]. Les résultats
de ces travaux, obtenus à l’aide de systèmes informatiques puissants,
permettent de définir des schémas équivalents ou des modèles
mathématiques simples, par identification ou par lissage et interpola-
tion de courbes, modèles utilisables dans des programmes d’analyse
de circuits destinés à de petits systèmes ou à des stations de travail
individuelles. La plupart des logiciels offrent le choix de multiples
structures de guidage (ligne à microruban, ligne à fente, rubans
E 1 172 − 7
STRUCTURES DE GUIDAGE HF ____________________________________________________________________________________________________________

coplanaires, guide d’ondes coplanaire et guide d’ondes rectangu-

laire). À cela s’ajoutent les modèles des composants actifs qui sont ( b i1 ) [ S1 ] 0 ... ..0 ( a i1 )
issus des résultats de la physique des matériaux semi-conducteurs.
( b i2 ) 0 [ S2 ] . . . ..0 ( a i2 )
L’emploi de la conception assistée par ordinateur repose sur des
analyses successives d’un circuit, modifié progressivement jusqu’à ⋅ = 0.. ... ... ..0 ⋅
obtenir les performances désirées. L’analyse proprement dite ⋅ 0.. ... [ Si ] . . 0 ⋅
consiste en la détermination des performances globales à partir de
⋅ 0.. ... ... ..0 ⋅
la donnée des modèles des éléments. C’est la mise en œuvre simul-
tanée de plusieurs éléments de circuit, représentés chacun par leur ( b im ) 0.. ... . . 0 [ Sm ] ( a im )
modèle, qui va être développée ici.
L’outil de base pour l’analyse des circuits micro-ondes est la avec ( a ij ) vecteur des ondes incidentes sur le module j,
matrice de répartition [S] qui permet de déterminer les ondes émer- ( b ij ) vecteur des ondes émergentes du module j,
gentes d’une jonction en fonction des ondes incidentes appliquées [ Sj ] matrice de répartition de ce même module.
[10].
On classe alors les accès du circuit en deux catégories :
Les modèles de composants élémentaires correspondent usuelle-
— les accès extérieurs permettant de relier le circuit à d’autres
ment à une structure de dipôle (un accès) ou à une structure de qua-
circuits ;
dripôle (deux accès). Un circuit micro-ondes est d’habitude un
— les connexions internes définies entre les différents modules
système multiaccès, que ces accès soient des accès externes, qui
qui composent le circuit.
permettent de relier le circuit à l’extérieur, ou qu’ils soient des accès
internes, qui assurent le passage d’un composant élémentaire à un On peut alors réécrire les relations précédentes sous la forme :
autre, en général par l’intermédiaire d’une microligne. Pour analy-
ser un circuit micro-ondes, il est donc nécessaire de décrire une ( bp ) [ S pp ] [ S pc ] ( ap )
structure multiaccès à partir de la donnée d’un ensemble de matri- =
ces de répartition de quadripôles ou de coefficients de réflexion de ( bc ) [ S cp ] [ S cc ] ( ac )
dipôles.
Dans les cas simples, on peut faire usage d’éventuelles symétries où l’indice p repère les accès extérieurs et où l’indice c repère les
que présente le circuit pour décomposer l’analyse en somme de connexions internes du circuit.
modes pair et impair. On ramène de cette façon l’analyse d’un qua- Il reste encore à décrire les liaisons internes entre modules. Par
dripôle à celle de deux dipôles et l’analyse d’un octopôle à celle de exemple, la connexion entre deux modules contigus (figure 10) se
deux quadripôles. C’est ainsi que l’on pourra analyser le fonctionne- traduit par la relation matricielle :
ment d’un quadripôle symétrique en introduisant des murs électri-
que et magnétique (figure 8). bk 0 1 ak
On en déduit facilement la matrice [ S ] du quadripôle par les =
bj 1 0 aj
relations :

 S 11e + S 11o
 S = S = -----------------------------
 11 22 2

 S 11e
– S 11o
S11 S12
 S 12 = S 21 = ----------------------------
2
-

S21 S22
Dans la plupart des cas d’intérêt pratique, cette décomposition
n’est pas possible et on doit recourir à une méthode d’analyse plus
générale.
Une première situation assez courante en micro-ondes corres-
pond à la mise en cascade de deux quadripôles, caractérisés chacun Mur Mur
par leur matrice de répartition (figure 9). magnétique électrique

Un calcul simple permet alors la détermination de la matrice [ S ]

résultante :
S11e S11o
A B A A B
A S 12 S 11 S 21 S 12 S 12
b 1A S 11 + --------------------------
A B
- --------------------------
A B
- a 1A
1 – S 22 S 11 1 – S 22 S 11
=
A B B A B
S 21 S 21 B S 21 S 22 S 12
b 2B --------------------------
- S 22 + --------------------------
- a 2B Figure 8 – Symétries électrique et magnétique
A B A B
1 – S 22 S 11 1 – S 22 S 11

Cependant, la topologie du circuit est rarement aussi simple, en

particulier dans les circuits intégrés micro-ondes. Une technique a1A a2A b1B a2B
d’analyse plus générale doit alors être employée. Dans ce cas, le cir-
cuit est un réseau constitué de modules élémentaires dont les matri- SA SB
ces de répartition sont connues. Il s’agit alors de déterminer la
matrice de répartition de ce réseau à partir de ces données. En sup-
b1A b2A a1B b2B
posant que le circuit est excité par des générateurs extérieurs et
qu’il est constitué de m modules élémentaires, on a la relation entre
ondes de répartition incidentes et émergentes : Figure 9 – Chaînage de deux quadripôles

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E 1 172 − 8 © Techniques de l’Ingénieur, traité Électronique
____________________________________________________________________________________________________________ STRUCTURES DE GUIDAGE HF
bj ak
j k
aj bk
Figure 10 – Connexions entre modules
Soit alors [ Γ ] la matrice de connexion globale du circuit (qui
regroupe l’ensemble des relations de connexion entre modules). On
peut écrire ainsi la relation supplémentaire entre ondes internes
[10] :
( b c ) = [ Γ ] ( a c ) et reporter cette égalité dans le système matriciel
général, d’où :
[ Γ ] ( a c ) = [ S cp ] ( a p ) + [ S cc ] ( a c )
soit encore :
–1
( a c ) = { [ Γ ] – [ S cc ] } [ S cp ] ( a p )
Par une dernière substitution, on obtient alors l’expression des
ondes émergentes extérieures en fonction des ondes incidentes
extérieures :
 –1 
( b p ) =  [ S pp ] + [ S pc ] ( [ Γ ] – [ S cc ] ) [ S cp ] ( a p )
 
ce qui permet d’exprimer la matrice de répartition du réseau
complet :
–1
[ S R ] = [ S pp ] + [ S pc ] { [ Γ ] – [ S cc ] } [ S cp ]
Cette approche n’est pas la seule possible, mais le principe d’ana-
lyse consiste toujours à partir de la donnée des matrices de réparti-
tion de modules élémentaires à calculer la matrice de répartition
globale du circuit.
La technique d’analyse étant précisée, il s’agit alors de l’employer
pour atteindre les performances imposées sur le cahier des charges.
Cette phase constitue la phase d’optimisation au cours de laquelle
sont recherchées les valeurs optimales des composants permettant
d’obtenir les meilleures performances possibles.
Dans ce but, on peut employer divers algorithmes dont l’efficacité
dépend de la configuration ou de la complexité du circuit :
— des algorithmes du type gradient conjugué qui nécessitent le
calcul de la sensibilité de la réponse du circuit en fonction des
valeurs des composants,
— des algorithmes directs tels que celui de Fletcher-Powell qui ne
nécessitent pas ce calcul.
Enfin, il reste à effectuer une analyse statistique de la sensibilité
des performances du circuit en fonction de la dispersion des valeurs
des composants, par exemple celle de l’impédance caractéristique
d’une microligne en fonction de sa largeur. Une approche de type
Monte-Carlo convient généralement et permet de s’assurer de la
possibilité effective de passer à la phase de production. Éventuelle-
ment, en cas d’échec de l’optimisation ou de l’analyse de sensibilité,
il peut être nécessaire de remettre en question la solution adoptée
(technologie et topologie).
On peut résumer le processus de mise au point généralement
adopté à l’aide de l’organigramme de la figure 11.
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W (z )
dz
W (z + d z )
Figure 11 – Tronçon de guide dissipatif élémentaire
2. Performances
2.1 Pertes
En général, les pertes dans les structures de guidage et les lignes
de transmission sont au nombre de quatre :
a) les pertes diélectriques,
b) les pertes dans le conducteur,
c) les pertes par rayonnement,
d) les pertes dues à la propagation d’ondes de surface.
Les deux premières ont des effets dissipatifs et résultent de l’imper-
fection des conducteurs et des diélectriques qui les constituent. Les
deux dernières résultent de phénomènes parasites, comme le cou-
plage par exemple. Nous allons nous intéresser principalement aux
deux premières et dans une moindre mesure à la troisième.
2.1.1 Pertes diélectriques et dans le conducteur
2.1.1.1 Rappels sur le calcul des pertes
Dans la plupart des cas, les pertes diélectriques et dans le conduc-
teur demeurent faibles. La propagation dans les structures réelles et
donc imparfaites diffère peu de la propagation dans une structure
idéale. Cette remarque facilite beaucoup le calcul effectif de ces per-
tes dans le cas d’une structure de guidage dont les modes sont bien
connus.
En effet, pour simplifier l’étude des modes d’un guide à pertes qui
atténue peu les signaux propagés, on pourra se ramener à l’étude
des modes d’un guide parfait. Tout en introduisant les imperfections
des matériaux, on substituera à la géométrie des modes réellement
propagés dans le guide réel et inconnus la géométrie des modes du
guide parfait, ce qui revient à mettre en œuvre une méthode de per-
turbation et à déterminer de façon approchée, mais en général suf-
fisante, les modes du guide imparfait. Dans un tel modèle, on ne
peut s’attendre à trouver des constantes de propagation réelles
pour ces modes approchés puisque l’introduction des pertes va se
traduire par l’apparition de parties imaginaires dans les constantes
des milieux de propagation.
Il s’agit ainsi de rechercher des solutions aux équations de propa-
gation sous la forme :
E 0 ( x 1, x 2, z ) = E ( x 1, x 2 ) exp [ – ( α + j β ) z ]
H 0 ( x 1, x 2, z ) = H ( x 1, x 2 ) exp [ – ( α + j β ) z ]
avec ( E, H ) champ électromagnétique du guide parfait, au
facteur de propagation près.
E 1 172 − 9
STRUCTURES DE GUIDAGE HF ____________________________________________________________________________________________________________

La puissance transportée par un mode donné à travers un plan de On en déduit :

section droite du guide se calcule à l’aide de la formule de Poynting :

∫∫
W ( z + dz ) – W ( z ) 1
------------------------------------------------ = Re – --- exp ( – 2 α z )E. J ∗ dΣ
dz 2

∫∫
1 Σ
W = --- Re ( E 0 × H 0∗ ) ⋅ n dΣ
2

∫
Σ 1 dW
– --- exp ( – 2 α z )E. J s∗ d = ---------
2 dz
avec dΣ = dx 1 dx 2 C

où Σ désigne la section droite du guide. On exprime alors a en appliquant cette relation pour z = 0 et en
supposant le diélectrique linéaire et isotrope de conductivité σ d :
On en déduit la relation simple :

∫∫ ∫
1 1
E. J s∗ d
2
W ( z ) = W ( 0 ) exp ( – 2 α z ) --- σ d E′ dΣ + --- Re
2 2
Σ C
α = -------------------------------------------------------------------------------------------------

∫∫
Considérons alors la variation de cette puissance transportée sur
une longueur dz de guide : Re ( E × H ∗ ) ⋅ n dΣ
Σ
dW = – 2 α W ( 0 ) exp ( – 2 α z ) dz = – 2 α W ( z ) dz avec E′ = E
Introduisons alors l’impédance de surface Z s du conducteur, telle
Cet élément différentiel représente la puissance dissipée au cours
que :
de la propagation sur une longueur dz de guide.
E tan = Z s υ × H tan
On en déduit :
Comme :
dW dW J s = υ × H = υ × H tan
– --------- ( z ) – --------- ( 0 )
dz dz
α = --------------------- = ---------------------- E. J s∗ = Z s H tan
′
2
2W ( z ) 2W ( 0 )
on aboutit à l’expression finale de la constante d’affaiblissement :
Il s’agit d’expliciter ce rapport.

∫∫ ∫
À partir de l’expression générale des champs, on exprime 1 2 1 2
--- σ d E′ dΣ + --- Re Z s H tan ′ d
aisément : 2 2
Σ C
α = -----------------------------------------------------------------------------------------------
- = αd + αc
1
W ( 0 ) = --- Re
2 ∫∫ Σ
( E 0 × H 0∗ ) ⋅ n dΣ
Re
∫∫ Σ
( E × H ∗ ) ⋅ n dΣ

Pour déterminer dW ⁄ dz , il suffit d’appliquer le théorème de
Poynting à un tronçon de guide de longueur dz (figure 11) en
remarquant que la densité de courant dans le guide est la somme
d’une densité de courant volumique J dans le diélectrique et d’une
densité de courant surfacique J s sur les conducteurs.
On en déduit les égalités entre puissances transportées et
dissipées :
avec ′ = H tan
H tan
On a finalement démontré que la constante d’affaiblissement
s’exprime comme la somme d’une constante d’affaiblissement α c
liée aux pertes dans les conducteurs et d’une constante d’affaiblis-
sement α d liée aux pertes dans les diélectriques. Cette relation ne
s’applique cependant qu’au cas d’un mode non dégénéré.
De manière réaliste, aux pertes dans le conducteur doivent être ajou-
tés les effets dus à la rugosité de surface [11]. Par exemple, dans le cas
des lignes à microruban, l’expression des pertes dans le conducteur en
tenant compte de la rugosité de surface αc′ est égale à :

∫∫∫
1
W ( z + dz ) – W ( z ) = – --- Re exp ( – 2 α z )E. ( J ∗ + J s∗ δ s ) dx
2, 8 ∆
αc′ = α c  1 + --------- -----
2
Ω
π ps

∫∫∫
1
= Re – --- exp ( – 2 α z )E. J ∗ dx avec ∆ (m) rugosité de surface,
2
Ω 1
p s = ----------- pénétration superficielle à la fréquence de
Rs σ

∫∫∫
1 travail.
– --- exp ( – 2 α z )E. J s∗ δ s dx
2 Dans certains cas pratiques, α c′ ⁄ α c est de l’ordre de 1,6 (exemple
Ω du saphir avec ∆ = 1 µm) ou même supérieur (exemple de l’alu-
mine avec ∆ = 10 µm), ce qui montre l’influence importante de la
∫∫∫
1
= Re – --- exp ( – 2 α z )E. J ∗ dx rugosité de surface.
2
Ω

∫∫
1 2.1.1.2 Constante d’affaiblissement dans le cas d’un guide
– --- exp ( – 2 α z )E. J s∗ d dx métallique non diélectrique
2
S
On considère ici le cas d’un guide métallique, rempli d’air ou vide,
avec d x = d x 1 dx 2 dz , sans diélectrique. Compte tenu de la forte conductivité des métaux,
qui entraîne une forte réfringence, on sait que, en réponse à une
δs distribution de Dirac surfacique. onde incidente, même d’incidence oblique, l’onde transmise à l’inté-
Dans cette dernière relation, S désigne la surface du cylindre rieur du métal se propagera suivant la direction de la normale à la
constituant le tronçon de guide de contour C décrit par d et Ω son surface (loi de la réfraction). On peut donc se limiter, pour simplifier,
volume. au cas d’une illumination par une onde d’incidence normale, bien

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que cette situation ne corresponde pas véritablement à la géométrie Finalement, pour des structures de guidage classiques, on pourra
des rayons réfléchis sur les parois du guide pour un mode usuel, appliquer la formule condensée :
sauf si l’on se place à la fréquence de coupure du guide.

∫
2
Dans ces conditions, en partant des équations de propagation H tan′ d
dans le métal : Rs C
α c = ------- -------------------------------
2Z
∫∫
2
 rot E = – j ωµ H ⇒ ∆ E – j ωµσ E = 0 H t′ dΣ
 Σ
 rot H = j ω ε E ⇒ ∆ H – j ωµσ H = 0

on sait que la composante tangentielle du champ électrique, non 2.1.1.3 Calcul des pertes dues au diélectrique dans un guide
d’ondes chargé
nulle ici puisque l’on prend en compte les pertes, s’exprime par la
relation, pour une propagation suivant la normale Oz :
Pour déterminer α d on peut soit employer l’expression générale
déjà développée, soit utiliser un calcul approché en remplaçant la
z permittivité ε par
E y ( z ) = E y ( 0 ) exp – ( 1 + j ) ---
p σ
ε C = ε – j ---- = ε ′ – j ε ″
ω
2 1
avec p = ------------ = ----------------- avec ε ″<< ε ′ ,
ωµσ π µσ f
le courant de déplacement étant prépondérant sur le courant de
p est l’épaisseur de peau dans le métal, encore appelée profondeur conduction dans le diélectrique
de pénétration, qui dépend en particulier de la fréquence de travail f.
σ
 tan δ = ------ ε″
- = ----- <<1
 ωε ε ′ 
On en déduit à l’aide de l’équation de Maxwell-Faraday :

–1 –( 1 + j ) z
Ainsi, pour calculer la constante d’affaiblissement diélectrique
H = ------------ rot E ⇒ H x ( z ) = --------------------- E y ( 0 ) exp – ( 1 + j ) --- d’une structure de guidage chargée de diélectrique, on peut intro-
j ωµ j p ωµ p duire une constante de propagation complexe, telle que k = k′ – jk″
avec :
Par définition : 2 2
k = ω ( ε ′ – j ε ″ ) µ0
E tan = Z s υ × H tan
Pour un guide d’ondes chargé de diélectrique, on aura :
avec υ = –ez 2 2 2 2 2 2
γ = kC – k = ( ωC – ω ) ε ′ µ0 + j ω ε ″ µ0
d’où : 2
2 2  j ω ε″ 
= ( ω C – ω ) ε ′ µ 0  1 + -----------------------------
-
jp ωµ p ωµ  ( ω C – ω ) ε ′
2 2
Z s = -------------- = ( 1 + j ) ------------
1+ j 2
2
= ( αd + j β )
p ωµ ωµ 1
R s = Re ( Z s ) = ------------ = -------- = -------
2 2σ σp Il vient, par un développement limité au premier ordre :

On aboutit de cette façon à une nouvelle expression de α c : 2 2  1 ω ε″ 

2
γ ≈ j ε ′ µ 0 ( ω – ω C )  1 + --- -----------------------------
2 2
- = α d + j β
 2 ε ′ ( ω C – ω )

∫ ∫
1 2 1 2
--- R s H tan ′ d --- R s H tan ′ d
2
C
2
C
avec ω > ωC
α c = ------------------------------------------------------------
- = --------------------------------------------------------------
en se plaçant en régime de propagation.
Re
∫∫ Σ
( E × H ∗ ) ⋅ n dΣ Re
∫∫ Σ
( E t × H t∗ ) ⋅ n dΣ En identifiant, on obtient immédiatement :

2 2
avec E t et H t composantes transversales du champ électro- β ≈ ε ′ µ0 ( ω – ωC )
magnétique ( E, H ) . 2 µ
1 ω ε″
α d ≈ --- ------------------------ -----0-
2 2 2 ε′
Pour les structures du guidage TE, TM ou TEM, on peut toujours ω – ωC
écrire les relations :

1 2.1.1.4 Calcul des pertes dues au diélectrique

H t = --- ( n × E t ) dans une ligne TEM
Z
Et = Z ( Ht × n ) Le calcul est analogue au calcul précédent, seule est modifiée
l’expression de la constante de propagation γ . On obtient alors
aisément :
 ωµ 2 2 2
 -------
β
- pour les modes TE γ = –k = –ω ( ε ′ – j ε ″ ) µ0

 β = ( αd + j β )
2
avec Z =  ------- pour les modes TM

ωε
 µ
 --- pour les modes TEM
 ε
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d’où, sans calcul (il suffit de faire tendre ω C vers zéro dans les
expressions précédentes), le résultat :
β ≈ ε ′ µ0
µ la ligne de transmission. Si Z c est l’impédance caractéristique de la
1
α d ≈ --- ωε ″ -----0-
2 ε′
2.1.2 Pertes par rayonnement
La présence de discontinuités (variations de largeur, coudes, etc.)
dans les lignes de transmission entraîne des pertes par rayonne-
ment. L’introduction de ces discontinuités est nécessaire lors de la
fabrication et de l’intégration des lignes de transmission dans le cir-
cuit micro-ondes ou millimétrique. Il n’est pas toujours facile de les
éviter. Cependant, il existe différentes techniques permettant de
réduire les inconvénients des pertes par rayonnement, parmi les-
quelles on peut citer :
a) l’introduction de petits éléments dissipatifs à proximité de
toute discontinuité source potentielle de pertes par rayonnement,
b) la mise en place de blindages.
2.2 Puissance transportable
Bien que l’ensemble des structures de guidage pour circuits
micro-ondes ou millimétriques, à l’exception du guide métallique et
de la ligne coaxiale, ne puissent pas convenir pour transporter de
fortes puissances, elles peuvent convenir pour transporter des puis-
sances moyennes. Ainsi, une ligne à microruban d’impédance 50 Ω
sur un substrat épais d’alumine peut transporter une puissance de
quelques kilowatts. La limite de puissance transportable d’une ligne
à microruban, comme n’importe quelle ligne de transmission rem-
plie partiellement de diélectrique, est déterminée par l’élévation en
température due aux pertes dans le conducteur et dans le diélectri-
que mais elle est aussi déterminée par les effets de claquage. On
peut dire qu’en général les pertes dans le conducteur et les pertes
diélectriques limitent la puissance moyenne transportée tandis que
les effets de claquage limitent la puissance crête admissible.
2.2.1 Limitation de la puissance moyenne
transportée
La puissance moyenne maximale pour une ligne de transmission
est donnée par l’expression :
( T max – T ext )
P moy = -------------------------------
-
∆T
avec ∆T augmentation de la température
transporté,
T max température maximale admissible,
T ext température extérieure.
Pour le polystyrène, T max est de l’ordre de 100 °C tandis que pour
les autres diélectriques T max est de beaucoup supérieur à 100 °C. La
température maximale admissible des différentes lignes de trans-
mission utilisant un ou plusieurs diélectriques est déterminée par :
— le changement des propriétés du diélectrique avec la
température ;
— la variation des dimensions physiques avec la température ;
— les connecteurs.
On peut prendre comme température maximale admissible la
température au-delà de laquelle les caractéristiques électriques et
physiques de la ligne de transmission changent. Des circuits sur
substrat d’alumine et de fibre de verre renforcé ont été testés à
150 °C pendant 2 000 heures sans que les propriétés physiques et
électriques aient changé.
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2.2.2 Limitation due aux effets de claquage
La tension crête qui peut être appliquée sans causer d’effets de
claquage du diélectrique détermine la puissance crête admissible de
ligne et V 0 max la tension maximale que la ligne peut supporter, la
puissance crête admissible est donnée par l’expression :
V 0 max
2
P ca = ---------------
-
2Z c
Il est à noter que les substrats épais peuvent supporter de plus
fortes tensions. Ainsi, les lignes de faibles impédances caractéristi-
ques et les lignes sur substrat épais ont des puissances crête admis-
sibles plus élevées.
Dans les applications pratiques, les signaux radars peuvent dété-
riorer les circuits micro-ondes ou millimétriques non protégés du
fait de la mise en jeu de puissances crête élevées.
3. Domaines d’applications.
Perspectives
Depuis la mise au point de substrats de qualité micro-onde et
l’apparition de logiciels de CAO incluant la modélisation des lignes
ouvertes, de plus en plus de réalisations en circuits micro-ondes
font appel à l’emploi de microlignes de transmission. En effet, bien
que les modes transportés par ces structures soient plus complexes
que les modes transportés par les structures de guidage homogè-
nes, les microlignes présentent des avantages manifestes sur le
plan :
— de l’encombrement et du poids ;
— de la facilité de réalisation dans le cas de lignes gravées ;
— de la miniaturisation ;
— de la facilité d’insertion des composants actifs ;
— du coût lorsqu’il s’agit de séries importantes.
3.1 Domaines d’applications
3.1.1 Circuits passifs
On va trouver dans cette catégorie des circuits réalisés soit sur
par watt substrat Téflon, soit sur substrat alumine essentiellement, soit en
technologie membrane. Les fonctions actuellement réalisées en
laboratoire ou commercialisées sont très variées et sont pour la plu-
part similaires à celles que l’on peut obtenir en guide d’ondes, par
exemple. On peut citer de façon non exhaustive :
— les transitions entre microlignes (transition microruban-ligne à
fente, par exemple) ;
— les diviseurs de puissance (Wilkinson) ;
— les filtres (à tronçons de lignes, à résonateurs) ;
— les coupleurs (branch-line, de Lange, directif) ;
— les circuits d’adaptation des antennes à large bande (balun) ;
— les circulateurs et isolateurs en microruban (sur substrat aniso-
trope en ferrite).
La plupart de ces circuits sont montés en boîtier métallique et
munis de connecteurs coaxiaux SMA (SubMiniature A) qui permet-
tent de les relier à d’autres dispositifs. Les réalisations de circuits
passifs en microlignes couvrent la bande 300 MHz à 40 GHz de
façon commerciale.
____________________________________________________________________________________________________________ STRUCTURES DE GUIDAGE HF

3.1.2 Circuits actifs
Les technologies employées ici sont soit la technologie hybride
(films minces sur alumine, quartz ou multicouche), soit la technolo-
gie du circuit intégré en arséniure de gallium. En général, les micro-
lignes utilisées sont des microlignes microrubans et les composants
actifs les plus fréquemment rencontrés sont le transistor MESFET
(Métal Semiconductor Field Effect Transistor)et les diodes PIN (Posi-
tive Intrinsec Negative) ou Schottky. Les microlignes ont pour cette
application une utilité essentielle puisque leur dimension est com-
patible avec les dimensions des composants actifs, ce qui n’est pas
le cas en guide d’ondes, sauf à des fréquences très élevées (94 GHz,
par exemple). Les fonctions disponibles sont de plus en plus com-
plètes et complexes.
On peut citer, parmi les circuits actifs en microlignes les plus cou-
ramment utilisés :
— les amplificateurs (bande étroite ou très large bande en circuit
intégré) ;
— les oscillateurs (à résonateur diélectrique, par exemple) ;
— les déphaseurs à commande numérique ;
— les atténuateurs à diodes PIN ;
— les commutateurs à commande numérique ;
— les mélangeurs ;
— les portes logiques en AsGa.
À cette liste s’ajoutent maintenant des circuits intégrés complexes
tels que :
— les têtes de réception des émissions transmises par satellite
(télévision à 12 GHz, par exemple) ;
— les modules de pilotage des éléments des antennes réseaux à
balayage électronique ;
— les récepteurs des systèmes de radionavigation (GPS [Global
Positioning System] par exemple) ;
— les circuits spécialisés d’instrumentation (convertisseur analo-
gique-numérique) ;
— les unités de calcul des ordinateurs réalisés en logique AsGa.
3.1.3 Microantennes
Enfin, parallèlement au développement des microlignes et des cir-
cuits associés passifs ou actifs, on a assisté à la mise au point d’anten-
nes imprimées qui sont réalisées sur les mêmes substrats que les
microlignes. On peut citer pour les structures rayonnantes à bande
étroite le cas des antennes microrubans, qui sont des résonateurs à
ligne microruban de grande largeur et pour les structures rayonnan-
tes à large bande le cas des antennes Vivaldi qui sont réalisées à par-
tir de la ligne à fente (ligne à fente rayonnante non uniforme).
La similitude de la technologie employée avec celle de la technolo-
gie des microlignes permet d’envisager la réalisation de dispositifs
rayonnants actifs regroupant sur un même substrat l’élément rayon-
nant et le circuit micro-ondes qui l’alimente ou qui traite le signal
reçu. Les avantages d’une telle intégration sont considérables pour
le développement des antennes réseaux à balayage électronique,
antennes qui mettent en jeu un nombre considérable d’éléments
identiques (jusqu’à plusieurs milliers dans certaines réalisations),
qu’il s’agisse de circuits micro-ondes (amplificateur, déphaseur) ou
d’éléments rayonnants associés à ces circuits. La possibilité de tout
regrouper sur un même circuit permettrait d’obtenir le faible coût, la
faible dispersion et la compacité indispensables dans ces réalisa-
tions. D’une façon générale, cette solution sera à rechercher chaque
fois que se posera le problème de la miniaturisation des modules
rayonnants regroupant antennes et circuits associés.
En bande millimétrique (à partir de 30 GHz), les microantennes sont
réalisées en technologie membrane avec accès en ligneTFMS (§
1.2.5).
3.2 Perspectives
Les avances les plus significatives dans le domaine des structures
de guidage pour circuits micro-ondes et millimétriques ont été, au
cours de ces dernières années :
— leur utilisation dans les circuits intégrés monolithiques micro-
ondes pour une gamme de fréquences allant de 2 à 40 GHz ;
— l’extension des performances vers le haut du spectre avec la
mise au point des structures de guidage pour ondes millimétriques
telles que les guides images, les lignes coplanaires ou TFMS.
C’est avec la mise au point de matériaux performants et de nou-
veaux procédés technologiques que leur application à des systèmes
de télécommunications civils ou militaires, travaillant à des fréquen-
ces de plus en plus élevées, a été rendue possible.
Aujourd’hui, de nouvelles structures ont été réalisées du point de
vue technologique. Des caractérisations rigoureuses de ces nouvel-
les lignes sont maintenant disponibles et ont été intégrées dans des
logiciels de CAO (parmi lesquels ADS de chez AGILENT Co. est un
des plus utilisés). Ils permettent ainsi la conception de système
micro-ondes jusqu’en bande millimétrique telle qu’il est possible
pour les circuits électroniques à basses fréquences (par exemple
SPICE). Cependant, plusieurs défis restent à rencontrer dans le
domaine technologique et de la modélisation. La fréquence d’opéra-
tion des systèmes, et d’une certaine manière la largeur de bande,
continue d’augmenter. Des dispositifs actifs hyperfréquences sont
maintenant disponibles au-delà de 100 GHz. Par conséquent, les
problèmes liés aux pertes et à la dispersion des lignes (et connex-
ions) deviennent encore plus aigus. Des recherches courantes con-
cernent l’utilisation de lignes supraconductrices et de nouvelles
structures guidantes.
Au niveau des circuits intégrés, les lignes de connexions (appe-
lées interconnects) étaient considérées comme de simples courts-
circuits pour la conception. Avec la venue de l’intégration de plu-
sieurs millions de transistors sur plusieurs couches et des fréquen-
ces d’horloges envisagées jusqu’à 10 GHz, ces lignes (pourtant très
courtes) ne peuvent plus être modélisées simplement. En effet, les
phénomènes de couplage (diaphonie), de retard et de dispersion ne
peuvent plus être négligés et les modèles simples utilisés par les
concepteurs de circuit produisent trop d’erreurs. Le défi est l’élabo-
ration de modèles simples prenant cependant le plus rigoureuse-
ment en compte ces phénomènes. Ils pourraient ensuite être insérés
dans les logiciels de conception de circuits intégrés à hautes den-
sité. Finalement, l’utilisation du guide onde reste la plus efficace et
est essentielle pour la transmission en puissance. Cependant, elle
reste peu propice à l’intégration de composants pour laquelle les
lignes de type planaire sont largement préférées. Ces dernières res-
tent donc utilisées lorsque le niveau de puissance reste limité
comme au niveau du filtrage et de la préamplification.

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