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NDIAYE
1. Montage
2. Fonctionnement du Montage
Dans ce cas, tout se passe comme si on avait deux montages identiques à celui de la simple
alternance qui fonctionnent l'un pour l'alternance positive, l'autre pour l'alternance négative. On
vérifie bien dans le montage que le courant dans la charge est toujours orienté dans le même
sens.
Les diodes sont plus sollicitées que pour le montage simple alternance : en effet, la diode qui
ne conduit pas devra supporter en plus de la tension aux bornes de son secondaire de
transformateur, la tension aux bornes de la résistance. Au total, elle devra supporter une tension
VR double de celle requise dans le montage à simple alternance, soit deux fois la tension crête
présente sur chacun des secondaires.
, avec
Le facteur de forme F
𝑉𝑒𝑓𝑓
𝑭=
𝑉𝑚𝑜𝑦
Le taux d’ondulation
𝝉 = √𝑭 − 𝟏
B. Débit dans une charge résistive et inductive
1. Montage
2. Fonctionnement du Montage
𝑹
𝑉𝑀 − 𝒕
𝑖 (𝑡) = √ (𝐿𝜔 )2 +𝑅 2 ( sin 𝜑 𝑒 𝑳 + 𝐬𝐢𝐧(𝝎𝒕 − 𝝋))
avec
3. Chronogrammes :
2.𝑉𝑚
=> 𝒖𝒎𝒐𝒚 = 𝝅
, avec
𝟐
1 T′ 𝑉𝑀
𝑹
𝒊𝒄𝒆𝒇𝒇 𝟐 = T ′ ∫𝟎 (
− 𝜽
2
( sin 𝜑 𝑒 𝑳𝝎 + 𝐬𝐢𝐧(𝜽 − 𝝋)) ) .dθ
√ (𝐿𝜔)2 +𝑅
Le facteur de forme F
𝑉𝑒𝑓𝑓
𝑭=
𝑉𝑚𝑜𝑦
Le taux d’ondulation
𝝉 = √𝑭 − 𝟏
𝑈𝐸 𝑈𝑠
2.𝑈𝐸𝑀𝑎𝑥
𝒖𝒔𝒎𝒐𝒚 = 𝝅
Le facteur de forme F
𝑈 𝑠𝑒𝑓𝑓
𝑭=
𝑈𝑠𝑚𝑜𝑦
Le taux d’ondulation
𝝉 = √𝑭 − 𝟏
B. Débit dans une charge résistive et inductive
BTS ELECTRONIQUE INDUSTRIELLE/G15 Electronique de puissance M. SARR & M.NDIAYE
𝑑𝑖
𝑉𝐷1 = 𝑉𝐷4 = 0, 𝑉𝐷2 = 𝑉𝐷3 = −𝑈𝐸 et 𝑈𝑠 = 𝑈𝐸 = 𝐿 𝑑𝑡 + 𝑅𝑖
0, la diode 𝐷2 est passante car présente un potentiel plus
élevé au borne de son anode et la diode 𝐷3 est bloquée
Entre les diodes 𝐷3 et 𝐷4, la diode 𝐷3est passante car présente un potentiel le
plus faible de cathode
𝑑𝑖
𝑉𝐷2 = 𝑉𝐷3 = 0, 𝑉𝐷1 = 𝑉𝐷4 = −𝑈𝐸 et 𝑈𝑠 = −𝑈𝐸 = 𝐿 𝑑𝑡 + 𝑅𝑖
𝑹
𝑈 𝐸𝑀𝑎𝑥 −𝑳 𝒕
𝑖 (𝑡 ) = √ ( 2 ( sin 𝜑 𝑒 + 𝐬𝐢𝐧(𝝎𝒕 − 𝝋))
𝐿𝜔 )2 +𝑅 avec
2.𝑈𝐸𝑀𝑎𝑥
𝒖𝒔𝒎𝒐𝒚 = 𝝅
Le facteur de forme F
𝑈 𝑠𝑒𝑓𝑓
𝑭=
𝑈𝑠𝑚𝑜𝑦
Le taux d’ondulation
𝝉 = √𝑭 − 𝟏
BTS ELECTRONIQUE INDUSTRIELLE/G15 Electronique de puissance M. SARR & M.NDIAYE
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