Les Composants - EP2

LES COMPOSANTS D’ELECTRONIQUE DE PUISSANCE ENSETP/DTI
ET
A/ Introduction à l’électronique de puissance

I/ Généralités
I.1/ Historique
Les principales dates relatives à la mise en forme de l’énergie électrique sont rappelées dans le tableau ci-
dessous :
Tableau 1 : Principales dates liées à la conversion de l’énergie électrique
Dates Inventions
1831 Principes du transformateur (Faraday)
1868 Invention de la première machine à courant continu (Gramme)
1881 Mise en œuvre du transformateur (Gaulard)
1882 Invention de l’alternateur polyphasé (Tesla)
1882 Premières lignes de transport en DC à New-York (Edison)
1883 Premier transport en AC sur 40 km sous 2000 V (Gaulard et Gibbs)
1956 Premières diodes en silicium
1961 Premiers thyristors
1985 Premiers IGBTs
L’évolution des réseaux électriques au cours du temps met en lumière le rôle croissant de l’électronique
de puissance.
Historiquement les premiers réseaux électriques ont été envisagés en courant continu en raison de
l’invention des premiers générateurs à courant continu. Cependant, l’invention quasiment simultanée des
générateurs alternatifs et du transformateur a rapidement imposé les réseaux alternatifs. Le principal
avantage résidait dans l’opportunité offerte par les transformateurs de transporter le courant à haute
tension et donc, à même puissance, de diminuer les pertes en ligne.
Un siècle plus tard, le développement de l’électronique de puissance au début des années 1950 a permis
d’envisager différents moyens de mettre en forme l’énergie électrique. L’essor des applications liées à
l’électronique de puissance est telle que des réseaux électriques en courant continu sont à nouveau
envisagés (HVDC « High Voltage Direct Current »), et ce principalement pour les raisons suivantes :
 Minimisation du coût lié aux câbles,
 Excellent rendement des semi-conducteurs de puissance,
 Pas de puissance réactive en continu.
I.2/ Mise en forme de l’énergie électrique

L’électronique de puissance (ENI) est une branche du génie électrique destinée à l’étude et à la réalisation
des convertisseurs permettant d’agir sur la forme de l’énergie électrique.
Electronique de puissance 1
ET
Ce domaine a rapidement essaimé à tous les niveaux de puissance et de fréquence et se retrouve

désormais dans quasiment toutes les applications liées à l’énergie électrique.
I.2.1/ Exemples
a) Exemple 1 : Alimentation de PC alimentée par le réseau 230 V/50 Hz
Prenons le cas d’une alimentation de PC, celle-ci est alimentée par le réseau et doit délivrer des tensions
continues aux différents éléments électroniques de l’ordinateur.
Figure 1 : Alimentation de PC format ATX
Le synoptique simplifié d’une alimentation de PC est représenté à la figure 2 ci-dessous. Après un

premier étage de filtrage, un convertisseur permet de réaliser la conversion AC/DC, il s’agit de la fonction
redresseur. L’étage suivant ce redresseur monophasé est un étage de conversion DC/DC de façon à
abaisser le niveau de tension pour aboutir aux spécifications de tensions de sortie (notons que l’isolation
galvanique est réalisée par cet étage).
Figure 2 : Synoptique d’une alimentation de PC
ET
b) Exemple 1 : Variateur de Machine Asynchrone

Ce second exemple concerne un variateur de vitesse en U/f constant pour machine asynchrone triphasée :
l’Altivar. La figure 3 ci-dessous représente l’Altivar 12, variateur pour MAS. Là encore la mise en forme
de l’énergie électrique du réseau est nécessaire.
Figure 3 : variateur de vitesse pour MAS
Le synoptique simplifié du variateur de vitesse est spécifié figure 4 ci-dessous :
Figure 4 : synoptique d’un variateur de vitesse à U/f
De même que pour l’alimentation de PC, le premier étage est composé d’un redresseur de façon à passer
d’une tension alternative 50 Hz à une tension la plus continue possible. Après quoi, un onduleur de
tensions triphasées va permettre de produire un système de tensions triphasées (d’amplitude et de
fréquence réglable) à partir du bus DC.
I/ L’électronique de puissance aujourd’hui
De façon à se donner une idée des domaines d’application de l’électronique de puissance, ceux-ci ont été
référencés (liste non exhaustive !) sur la figure 5 dans le plan puissance apparente/fréquence.
Les domaines d’utilisation s’étendent de la dizaine de Hz pour les applications fonctionnant à la
fréquence du réseau à plusieurs centaines de kHz pour les applications utilisant les transistors MOS les
plus rapides. De même, on peut s’apercevoir que l’intervalle de puissance va du VA jusqu’à la centaine
de MVA pour les applications les plus puissantes (par exemple les fours à arc électriques). La figure 6
présente quant à elle les semi-conducteurs utilisés toujours dans le plan puissance/fréquence.
ET
Figure 5 : différentes domaines d’application d’électronique de puissance dans le plan puissance/fréquence.
ET
Figure 6 : Zones approximatives (Puissance/Fréquence) d’utilisation des principaux semi-conducteurs de

puissance.
II/ Les convertisseurs statiques d’énergie électrique

Historiquement, les mises en forme d’énergie électrique étaient réalisées à l’aide de montages complexes à base
de machines tournantes (convertisseurs dynamiques). L’essor des semi-conducteurs de puissance au début des
années 60 a permis le rapide développement des convertisseurs statiques d’énergie électrique (par opposition
aux convertisseurs dynamiques).
Les convertisseurs statiques sont des dispositifs à composants électroniques capables de modifier la
tension (ou le courant) et/ou la fréquence de l’onde électrique. Ils sont donc désormais utilisés pour
mettre en forme l’énergie électrique et permettre ainsi d’adapter les différentes sources d’énergies aux
différentes charges. Ils sont constitués d’interrupteurs électroniques à base de semi-conducteurs et d’éléments
passifs. On a l’habitude de distinguer deux sortes de sources de tension (ou courant) :
 source de tension (ou courant) continue, caractérisées par la valeur U de la tension (ou I du courant) ;
 source de tension (ou courant) alternative définie par les valeurs de la fréquence f et de la tension Veff (ou du
courant efficace Ieff) ;
On différencie donc quatre types de convertisseurs physiquement possibles (figure 8) de la page suivante :
o convertisseurs alternatif – continu : ce sont des redresseurs (ou convertisseurs de courant) ;
o convertisseurs alternatif – alternatif : ce sont : des gradateurs (ou variateurs de courant alternatif) lorsque f1
= f2 ; sinon ce sont des cyclo-convertisseurs (ou convertisseurs de fréquence) ;
o convertisseurs continu – continu : ce sont des hacheurs (ou variateurs de courant continu) ;
o Convertisseurs continu – alternatif : ce sont des onduleurs de tension ou onduleurs de courant (appelé
également commutateurs de courant).
ET
Figure 7 : les différents types de convertisseurs
III/ La commutation
Les semi-conducteurs sont utilisés en régime de commutation de façon à mettre en forme l’énergie électrique.
III.1/ Processus de transfert par commutation
Il met en jeu les circuits et interrupteurs de deux voies. La complexité du mécanisme de la commutation est liée
à la nécessité d’assurer plus ou moins simultanément, la fermeture et l’ouverture de circuits généralement
inductifs.
La commutation présente deux aspects distincts bien que très liés l’un à l’autre :
 Un aspect local qui concerne le changement d’état des interrupteurs (fermeture et ouverture).
 Un aspect système relatif au passage d’une séquence de fonctionnement du circuit convertisseur à une autre
séquence.
Ces passages s’effectuent soit par commande des interrupteurs, soit spontanément ce qui définit deux modes
de commutation : la commutation par les sources et l’auto-commutation.
III.1.1/ La commutation par les sources
Ce mode est dit aussi commutation naturelle. Ce sont les conditions extérieures au convertisseur qui
contraignent les interrupteurs au blocage et/ou à la saturation.
III.1.2/ L’auto-commutation
Ce mode est appelé commutation forcée. Il se produit lorsque le convertisseur statique provoque le
déclenchement d’un interrupteur statique commandé quelles que soient les conditions externes (sources).
Pour une question de rendement, la caractéristique de l’interrupteur réel devra se rapprocher le plus possible de
la caractéristique idéale dans le plan I = f(V) suivant :
ET
Elle est telle que la puissance consommée par cet élément soit nulle. Ce qui permet de définir deux états :
o interrupteur ouvert : courant au sein de l’interrupteur nul;
o interrupteur fermé : tension aux bornes de l’interrupteur nulle.
Les interrupteurs électroniques permettent donc le transfert d’énergie tout en garantissant un rendement correct.
Figure 8: Etat passant et bloqué d'un interrupteur
Dans la pratique les éléments utilisés actuellement sont des semi-conducteurs qui utilisent les propriétés de
conduction unidirectionnelle de la jonction PN. Il s’agit de les caractériser, pour cela il est nécessaire de définir
les caractéristiques statiques et dynamiques de l’interrupteur :
 la caractéristique statique comporte 2, 3 ou 4 branches de la caractéristique idéale précédente.
 la caractéristique dynamique est déterminée par la façon dont se font les transitions d’une branche à l’autre.
Ces transitions peuvent être soit spontanées, soit commandées.
III/ Tableau de classification des interrupteurs statiques
ET
Si on néglige les phénomènes secondaires (courants inverses, tension directe résiduelle), on peut dire
qu’une commutation spontanée se déroule sur la caractéristique statique, donc suivant les axes, avec
un minimum de pertes.
En revanche une commutation commandée oblige le point de fonctionnement à sauter d’un axe à
l’autre, ce qui est à l’origine de contraintes importantes donnant naissance à des pertes importantes
lorsque le temps de commutation augmente et/ou la fréquence de commutation.
La commutation d’un semi-conducteur, amorçage ou blocage, ne peut être que spontanée ou
commandée
Remarque
Certains convertisseurs peuvent avoir des fonctionnements complexes qui imposent des cycles
différents aux interrupteurs (onduleur en Modulation de largeur d’impulsions, par exemple). Ces
fonctionnement peuvent conduire à utiliser des interrupteurs qui ont globalement une caractéristique
statique à trois segments et des commutations d’amorçage et de blocage commandées (ex : transistor
en antiparallèle avec une diode).
IV/ Rappels sur les caractéristiques des signaux délivrés par une source périodique non sinusoïdale
IV.1/ Valeur moyenne
[∫ () ]
IV.2/ Valeur redressée moyenne

̅ [∫ | ( )| ]
IV.3/ Valeur efficace
[∫ () ] √ [∫ () ]
IV.4/ Facteur de forme
Le facteur de forme donne une idée de la forme d’onde d’une grandeur. C’est le quotient de la valeur efficace
par la valeur redressée moyenne.
IV.5/ Puissances
IV.5.1/ Puissance active
La puissance active (Pact) en watt (W), absorbée par un récepteur parcouru par un courant i(t) sous l’effet d’une
tension u(t) à ses bornes, est la valeur moyenne de la puissance instantanée : [ () ( )]
IV.5.2/ Puissance apparente
La puissance apparente (Pap) en volt ampère (V.A), est le produit des valeurs efficaces de la tension et du
courant.
IV.6/ Développement en série de Fourier :
ET
Toute fonction périodique de période T, donc telle que : V (t) = V (t+T), peut être décomposée en une
somme comprenant
( ) ( ) ( ) ( ) ( )
( ) ( )
Avec : [∫ () ]
[∫ ( ) ( ) ] [∫ ( ) ( ) ]
Remarques
 Symétrie « de glissement » : ( ) ()
o le terme V0 est nul ;

o le développement en série ne contient pas d’harmoniques de rang pair.
 Symétrie par rapport au zéro : () ( )
o le terme V0 est nul ;
o tous les termes en cosinus disparaissent.
 Symétrie par rapport au milieu d’alternance: () ( )
o tous les termes en sinus disparaissent.
ET
Exercice
Définir les convertisseurs nécessaires pour les systèmes suivants :
1) Rappeler l’expression de la puissance instantanée absorbée par un dipôle d’impédance : ̅ et

soumise à une tension sinusoïdale ( ) √ ( )
2) Tracer l’évolution de la puissance instantanée absorbée pours les deux cas suivants :
a) le dipôle est purement résistif,
b) le dipôle est une inductance pure.
3) A quoi correspond l’aire sous la courbe de la puissance instantanée ? Conclure pour chacun des cas sur
les transferts énergétiques.
4) Rappeler l’expression de la puissance active
5) Déterminer alors dans les 3 cas ci-dessous l’expression de la puissance active.
ET
B/ Composants et interrupteurs de puissance

I/ Interrupteurs réel de puissance
I.1/ Présentation
A l’exception de la diode, les interrupteurs concrétisés par des composants à semi-conducteurs possèdent une
commande et l’action de cette commande s’effectue par une tension.
Ainsi, les caractéristiques dynamiques d’un tel interrupteur « réel» peuvent être schématisées comme l’indique
la figure ci-dessous :
Figure 9 : caractéristiques dynamiques de l’interrupteur réel
A l’état ouvert, le composant est soumis à la tension VM

A L’état fermé, il est traversé par le courant IM.
On désigne par :
o ( ) : la durée de montée du courant entre l’état bloqué et l’état conducteur (fermeture de
l’interrupteur).
o ( ) : la durée de descente du courant (ouverture de l’interrupteur).
Les niveaux standards de référence sont 10 % et 90 % de la variation totale IM du courant.
En notant :
ET
o ( ) : le temps de retard à la montée, entre le début de la commande, caractérisée par le passage de
, et l’obtention du début de la montée du courant ;

o ( ) : le temps de retard à la descente, entre le début de la commande, caractérisée par le passage de
, et l’obtention du début de la descente du courant ;

On obtient les relations :
( )
( )
On appelle ton la durée totale de la commutation entre le début de la commande du composant à la fermeture et
l’obtention à 90 % du courant IM à l’état conducteur de l’interrupteur.
De même on appelle toff la durée totale de la commutation entre le début de la commande du composant à
l’ouverture et l’obtention à 10 % du courant à l’état conducteur de l’interrupteur.
On cherchera généralement un composant ayant des valeurs de ton et toff faibles (inférieures à la microseconde si
possible) ;
En électronique de puissance, les qualités recherchées pour un composant de puissance sont :
 le courant quasi nul à l’état bloqué (interrupteur ouvert) ;
 la tension quasi nulle à l’état passant (interrupteur fermé) ;
 Une durée très courte de commutation, c'est-à-dire de passage entre les deux états.
 Des « temps de retard » ( ) et ( ) très court afin de permettre (avec ton et toff faibles) une
commande à « haute fréquence » des convertisseurs de puissance (par exemple supérieure à 10 kHz).
Si la commande de l’interrupteur est périodique de période T (ou Te), on peut déterminer la puissance moyenne
dissipée par commutation, à la fermeture et à l’ouverture.
Si l’on prend l’origine des temps au début d’une fermeture, l’expression du courant est :
( )
L’énergie dissipée dans le composant lors de la montée du courant est donnée par :
∫ ∫
De même, pour la descente du courant on trouve :
∫ ∫
Les pertes de puissance moyenne par commutation valent donc :
La chute de tension dans le composant réel à l’état de fermeture est notée . Aux pertes par commutation,
s’ajoutent les pertes de puissance à l’état de conduction. Elles dépendent de la durée de conduction du composant
par rapport à la période.
En valeur maximale elles valent :
ET
I.2/ Les composants électroniques réels

I.2.1/ Diode de puissance
a) Présentation
La diode de puissance est un composant électronique à base de semi-conducteur unidirectionnel non
commandable (ni à la fermeture ni à l’ouverture). Il est constitué d’une seule jonction PN.
Elle n’est pas réversible en courant et ne supporte qu’un courant dans le sens anode-cathode positif à l’état
passant ( ).
Elle n’est pas réversible en tension et ne supporte qu’une tension anode-cathode négative ( ) à l’état
bloqué.
b) Structure, symbole et aspect physique d’une diode de puissance
Figure 10 : diode de puissance
c) Fonctionnement et caractéristique de la diode parfaite

Le fonctionnement de la diode s’opère suivant deux modes
Figure 11 : Fonctionnement et caractéristique de la diode parfaite

NB : On dit que la diode est un interrupteur de puissance à deux segments.
d) Diode réelle et ses imperfections
ET
Figure 12 : caractéristique de la diode réelle
Valeurs données dans les catalogues des constructeurs.
Les caractéristiques limites usuellement décrites sont :
( )
( )
( )
( )
( )
( )
IFSM en fonctionnement passant est lié aux problèmes d’échauffement.
VRSM en fonctionnement bloqué est lié aux problèmes de claquage des jonctions semi-conductrices.
La contrainte thermique ( )
Le type de boiter
Les résistances thermiques.
ET
e) Critère de choix d’une diode
Avant tout dimensionnement en vue de choisir les composants, on se base principalement sur les valeurs
extrêmes de ces grandeurs qui sont prises en considération :
 tension inverse de à l’état bloqué
 le courant moyen de à l’état passant
 éventuellement le courant maximal répétitif (sans durée prolongée)
Remarque : Par sécurité de dimensionnement, on applique un coefficient de sécurité (de 1,2 à 2) à ces
grandeurs.
f) Protection de la diode
f.1) Protection contre les surintensités
Cette protection est assurée par un fusible ultra rapide (UR) dont la contrainte thermique ( )est plus faible
que celle de la diode. (Si bien qu’il « fond » avant la diode.).
Figure 13 : fusible ultra rapide
f.2) Protection contre les surtensions

Les surtensions peuvent être atténuées en insérant un circuit RC-série en parallèle avec le commutateur.
Figure 14 : protection avec circuit RC
f.1) Protection en dv/dt et di/dt

Les semi-conducteurs sont très sensibles aux variations brutales de tension et de courant qui apparaissent lors
des commutations.
Contre les variations de courant, on utilise une inductance L qui « retarde » le courant tandis que le
condensateur C « retarde » la tension (Figure 15).
ET
Pour amortir les oscillations induites par le circuit LC, les circuits d’aide à la commutation (CALC ou snubber)
ou adoucisseurs sont insérés (Figure 16).
g) Protection thermique
g.1) Refroidissement naturelle
En fonctionnement normal, la jonction PN soumis le risque d’atteindre une température trop élevée
(θjmax donnée par le constructeur). Pour pallier cet inconvénient, le composant est monté sur un
dissipateur thermique ou « radiateur » pour assurer l’évacuation de l’énergie thermique.
g.2) Refroidissement par ventilation forcée
Il est utilisé pour les composants de moyennes puissances.
Refroidissement à eau ou à huile
Il est réservé aux composants de forte puissances, le liquide circulant dans le radiateur pour évacuer la
chaleur.
Pour choisir un dissipateur deux critères de choix sont à prendre en compte :
 La forme du dissipateur : Il existe des dissipateurs adaptés à chaque forme de boitier
 Sa résistance thermique : Elle s’exprime en degrés par Watt et définie les performances thermiques du
dissipateur. Plus elle est petite, meilleur est le dissipateur.
Figure 14 : Exemple de dissipateur thermique
ET
g.3 Loi d’ohm thermique et calcul des refroidisseurs

Loi d’ohm thermique
𝜃𝑀 𝜃𝑁
𝑃
𝑅𝑇𝐻
𝑅𝑇𝐻 𝑟 𝑠𝑖𝑠𝑡𝑎𝑛𝑐𝑒 𝑡 𝑒𝑟𝑚𝑖𝑞𝑢𝑒 𝑒𝑛 °𝐶/𝑊
 Modèle thermique d’une diode monté sur un radiateur
Avec : 𝜃𝑗 𝜃𝑏 𝜃𝑟 𝜃𝑎
𝜃𝑗 𝜃𝑎
𝑅𝑇𝐻𝑗 𝑎
𝑃
𝜃𝑗 𝜃𝑎 𝜃𝑗 𝜃𝑏 (𝜃𝑏 𝜃𝑟 ) (𝜃𝑟 𝜃𝑎 )
𝜃𝑗 𝜃𝑎 𝑃 𝑅𝑇𝐻𝑗 𝑏 𝑃𝑅𝑇𝐻𝑏 𝑟 𝑃 𝑅𝑇𝐻𝑟 𝑎 𝑃 𝑅𝑇𝐻𝑗 𝑎
𝑅𝑇𝐻𝑗 𝑎 𝑅𝑇𝐻𝑗 𝑏 𝑅𝑇𝐻𝑏 𝑟 𝑅𝑇𝐻𝑟 𝑎
Exercice d’application
Une diode au silicium dissipe une puissance électrique 𝑃 𝑊. Il est tel que :
H b 5 °C/W ; θ °C °C θ °C ;
Hb r 5 °C/W
1) Calculer la résistance thermique du radiateur sur lequel il faut monter la

diode.
2) En déduire les températures maximales au niveau du boitier et du radiateur.
ET
Solution
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I.2.2) Diode de roue libre
Hormis les applications de redressement, les montages d’électronique de puissance sont souvent équipés de
diodes dites de « roue libre ». Le but de ces diodes est d’empêcher l’apparition de surtensions
dues aux brusques variations d’intensité (essentiellement à la coupure) dans les charges inductives
(moteurs, transformateurs). Les surtensions qui apparaîtraient en l’absence de DRL (diode de roue libre)
auraient tôt fait de détruire les composants de puissance du montage. On peut illustrer le phénomène de la
coupure de l’intensité dans un récepteur inductif à l’aide de l’analogie hydraulique :
o circuit électrique = canalisation où circule un liquide,
o tension = différence de pression entre deux point du circuit,
o intensité électrique = débit de liquide.
L’analogue hydraulique d’un circuit inductif est une canalisation où circule plus ou moins rapidement le liquide.
Imaginons la longue partie rectiligne d’un terminal pétrolier où le pipeline qui va remplir les citernes peut faire
quelques centaines de mètres de long pour un diamètre de l’ordre du mètre. La vitesse de la veine liquide atteint
quelques kilomètres à l’heure. Il n’est pas question de fermer brusquement la vanne se trouvant juste avant le
pétrolier. L’énergie cinétique du pétrole circulant dans le pipe provoquerait une montée très brusque et très
rapide de la pression (la d.d.p) et la canalisation se romprait, exploserait au niveau de la vanne. De même que
lorsque qu’un véhicule automobile rentre dans un mur, les dégâts sont considérables, même à vitesse réduite.
Dans un autre ordre d’idée, imaginons un cycliste dont les pieds seraient attachés aux pédales d’un vélo sans
roue libre. Lancé à vive allure, le cycliste arrête brusquement de pédaler. L’énergie cinétique va faire basculer
cycliste et vélo cul par-dessus tête. Tout change si on muni la bicyclette d’une roue libre. L’engin va continuer
‘’sur son erre’’ lorsque le cycliste arrête de pédaler et rien de fâcheux ne lui arrivera. La diode de roue libre
remplit cet office pour les circuits électriques. Elle permet à l’énergie accumulée dans les inductances ( ∫ )
de se dissiper sans occasionner de dommages.
Ces diodes doivent être promptes à commuter, on emploie souvent pour ce faire des diodes de types Schottky.
ET
I.2.3 Thyristor
a) Présentation
L’ancêtre des thyristors était un tube à gaz : le thyratron. Le terme thyristor est la contraction de THYRatron et
de transISTOR. Il est commandé à l’ouverture mais pas à la fermeture.
Il est réversible en tension et supporte des tensions VAK aussi bien positives que négatives lorsqu’il est bloqué.
Il n’est pas réversible en courant et ne permet que des courants IAK positifs, c'est-à-dire dans le sens anode-
cathode, à l’état passant.
b) Constitution
Un thyristor est un dispositif à quatre (4) couches et trois (3) jonctions ; il possède trois (3) connexions
externes : l’anode, la cathode et la gâchette. C’est un composant bistable (passant/bloqué).
Figure 15 : Analogie classique expliquant le fonctionnement du thyristor.
Le courant de gâchette (égale au courant base émetteur) sature le transistor NPN qui extrait un courant émetteur
base du transistor PNP qui est saturé à son tour. Le PNP injecte un courant base émetteur dans le NPN, qui
extrait un courant émetteur base du PNP. Dès lors, le courant de gâchette peut s’annuler, le phénomène s’auto-
entretient.
c) Symbole et aspect physique d’un thyristor
ET
Figure 16 : Symbole et aspect physique d’un thyristor.

d) fonctionnement du thyristor parfait
Le fonctionnement du thyristor s’opère suivant deux états : l’état passant « ON » et l’état bloqué « OFF ».
Figure 17 : fonctionnement et caractéristique du thyristor parfait.
Le thyristor est bloqué (OFF) si le courant est nul (quel que soit la tension VAK).
Si la tension VAK est positive, le thyristor est amorçable.
L’amorçage (A) du thyristor est obtenu par un courant de gâchette positif d’amplitude suffisante alors que la
tension est positive.
 L’état passant (ON) est caractérisé par une tension nulle et un courant positif.
 Le blocage (B) apparait dés annulation du courant . On ne peut pas commander ce changement, mais on
en distingue deux types :
o blocage par commutation naturelle par annulation du courant ,
o ou blocage par commutation forcée par inversion de la tension tension .
On peut remarquer que le thyristor, à la différence de la diode, a une caractéristique à trois segments, c'est-à-dire
qu’une des grandeurs est bidirectionnelle (ici la tension).
ET
 Blocage par commutation naturelle

Ce blocage intervient par extinction naturelle du courant anode-cathode ( )
Figure 18 : chronogramme illustrant une commutation naturelle.
 Blocage par commutation forcée

Ce blocage est imposé par la mise en conduction d’un autre composant, qui applique une tension négative aux
bornes du thyristor, provoquant donc son extinction.
Figure 19 : montage avec circuit d’extinction.
Les deux thyristors sont initialement bloqués.

Dès que ThP est amorcé, il conduit et assure le courant dans la charge.
Dès l’amorçage de ThE, la tension – est négative et donc bloque ThP.
ET
Figure 20 : chronogramme issue d’une commutation forcée
e) Composant réel
 Caractéristique et limites de fonctionnement
Le fonctionnement réel est, comme pour une diode, caractérisé par ses deux états :
o à l’état passant, le courant direct est limité par le courant direct maximal.
o à l’état bloqué, , la tension inverse est limitée (phénomène de claquage par avalanche) par la
tension inverse maximale.
Figure 21 : caractéristique d'un thyristor réel.
 Amorçage
Pour assurer l’amorçage du composant, l’impulsion de gâchette doit se maintenir tant que le courant d’anode n’a
pas atteint le courant de maintien ( ).
ET
La largeur de l’impulsion de gâchette dépend donc du type de la charge alimentée par le thyristor. Sa durée sera
d’autant plus importante que la charge sera inductive
Figure 22 : Evolution du courant 𝒊𝑨𝑲

à l’amorçage
 Blocage
Après annulation du courant , la tension doit devenir négative pendant un temps au moins égal au
temps d’application de tension inverse ( )
Si ce temps n’est pas respecté, le thyristor risque de se réamorcer spontanément dès que tend à redevenir
positive, même durant un court instant (figure 23).
Figure 23 : Evolution du courant 𝒊𝑨𝑲

au blocage
f) Choix d’un thyristor

Après avoir établi les chronogrammes de fonctionnement du thyristor ( ) dans le système envisagé,
on calcule les valeurs extrêmes prises par :
o la tension inverse ou directe maximale de (à l’état bloqué) ;
o le courant moyen ( ̅ à l’état passant) ;
o le courant efficace (à l’état passant).
De la même manière que la diode, on applique un coefficient de sécurité (de 1,2 à 2) à ces grandeurs. C’est avec
ces valeurs que le choix du composant est réalisé.
g) Protection du composant
Protection contre les surintensités, les surtensions, les variations brusques et thermiques
Pas de différence avec celles d’une diode. Le dimensionnement sera traité comme si le thyristor était dans
les pires conditions de conduction, lorsqu’il est passant, donc équivalent à une diode.
ET
e) Circuits de commande de la gâchette

e.1) Modélisation et commande de la gâchette
La gâchette peut être assimilée à une diode de grande résistance dynamique : tension de seuil (proche de
0,7 V) et résistance (Figure 24).
Pour provoquer l’amorçage, on doit établir dans la gâchette un courant de quelques centaines de mA tant que
le courant d’anode n’a pas atteint
Pour amorcer, on peut utiliser une impulsion simple ; mais une rafale d’impulsions chacune susceptible
d’amorcer le composant (largeur suffisante) est préférable pour pallier les "ratés"
Figure 24 : Modèle équivalent

de la gâchette.
e.2) Mode de commande et précautions

Les signaux de commande opèrent à des niveaux de puissance faibles. Pour assurer un courant suffisant dans la
gâchette, un étage amplificateur adapte les signaux issus de la commande.
D’autre part, les niveaux de tension de la partie puissance sont élevés : la séparation par une isolation
galvanique s’impose afin de protéger la partie commande.
Enfin, dans les structures élaborées, la disposition des composants ne leur permet pas les mêmes références de
potentiel.
Toutes ces fonctions s’intègrent dans l’ensemble entre la commande et les gâchettes (avant la puissance) pour
constituer un circuit d’interfaçage qui a pour but d’isoler galvaniquement le circuit de commande du circuit
puissance (Figure 25).
Figure 25 : pont redresseur mixte monophasé et sa commande.
ET
e.2.1) Isolement galvanique magnétique par transformateur d’impulsions (T.I.)

Un transformateur d’impulsions permet de commander des interrupteurs statique par train d’impulsion, en
assurant une isolation galvanique entre les circuits de commande et de puissance.
 Constitution
Le circuit magnétique est constitué d’un tore de ferrite (pour minimiser les pertes fer) sur lequel sont bobinés les
enroulements. Son rapport de transformation est généralement égal à 1 (Figure 26).
La tension d’isolement entre les enroulements est supérieure à 1 kV.
Son utilisation normale a lieu dans la zone linéaire du matériau magnétique.
Figure 26 : Commande par TI.
 Fonctionnement en charge
On néglige les éléments du transformateur (résistances des enroulements primaires et secondaires) qui ont très
peu d'influence sur son comportement électrique et magnétique.
1ère séquence :
;
On peut écrire :
Cette constante représente le courant secondaire ramené au primaire soit
( )
Le transformateur est en régime de flux variable : ( )

permet de créer un courant susceptible de commander l’interrupteur statique. est limité par la résistance, R
A l’instant : ; . Le flux ne pouvant subir de discontinuité, la diode
D1 permet d’assurer la continuité des ampèretours se reboucle dans D1
2ème séquence : : la diode est polarisée en inverse ;
décroit et s’annule au temps

A l’instant : , un nouveau cycle recommence
ET
Remarque : le signal de commande permet au transistor T d’être alternativement passant puis bloqué
pendant chaque séquence.
 Amélioration de la démagnétisation
Lors de la démagnétisation (α ), le
transistor est bloqué et on impose aux bornes
du primaire une tension négative à l’aide
d’une diode Zéner Z.
On augmente le coefficient directeur de 𝑖 (𝑡).
On réduit ainsi le temps de démagnétisation :
le flux doit être nul avant la nouvelle
impulsion.
𝑡𝑑 𝑡 𝛼𝑇
𝐸𝛼𝑇
On démontre que : 𝑡𝑑 𝑉𝐷 𝑉𝑍
Remarque : si 𝑉𝑍 𝐸 𝑒𝑡 𝑠𝑖 𝑉𝐷 𝑒𝑠𝑡 𝑛 𝑔𝑙𝑖𝑔
𝑡𝑑 𝛼𝑇 𝛼
ET
Conclusion
Pendant l’application d’une impulsion de commande à la base de T, la tension apparait au
secondaire du TI pour créer le courant d’amorçage : c’est la phase de magnétisation.
Au blocage de T, les diodes D et Dz sont transitoirement passantes pour imposer une tension négative au
primaire du TI. Ceci provoque la décroissance puis l’annulation du flux : c’est la phase de démagnétisation.
ET
e.2.2) Exemple de carte de commande industrielle : la commande arccosinus

Dans le cas de la commande d’un redresseur, il faut assurer une évolution linéaire de la tension moyenne de sortie du pont. L’expression de celle-ci est
proportionnelle au cosinus de l’angle d’amorçage. Si la commande d’amorçage varie suivant une fonction arccosinus, la relation entre la tension moyenne et la
tension de commande externe sera linéaire.
Le schéma de la figure suivante représente une carte de commande de thyristor utilisée dans un pont redresseur commandé. Le potentiomètre P1 permet de
régler l’angle d’amorçage tandis que et P2 contrôle la largeur des impulsions de commande.
Figure 27 : commande arccosinus
ET
e) Isolement optique par opto-coupleur ou fibre optique

L’isolement galvanique de l’impulsion de gâchette peut être obtenu par un intermédiaire optique : un opto-
coupleur et/ou une fibre optique par exemple.
 Le transistor de sortie du composant est saturé lorsque la diode émissive envoie une énergie
lumineuse suffisante.
 Il est bloqué sinon.
L’inconvénient majeur de cette solution est la nécessité d’une alimentation isolée E2 référencée par rapport à
la cathode du thyristor Th pour fournir l’énergie nécessaire au déblocage (donc une alimentation par
composant si les cathodes ne sont pas communes). Par contre, ce système possède l’avantage de pouvoir
transmettre des impulsions longues, et il est insensible aux perturbations électromagnétiques.
Remarque
Pour les systèmes fonctionnant dans un environnement perturbé sur le plan électromagnétique, ou lorsque la
distance entre la carte de commande et le dispositif de puissance est importante, l’isolation par fibre optique
offre d’excellentes performances. Le principe de fonctionnement est le même.
Figure 28 : Isolation galvanique par opto-coupleur.
f) Circuits intégrés de commande
Avant l’interfaçage, le circuit de commande de gâchette peut être réalisé à l’aide de composants discrets.
Mais ces structures sont aujourd’hui totalement supplantées par des circuits intégrés spécialisés qui peuvent
même parfois être pilotés par un microprocesseur ou un microcontrôleur. La figure 29 montre un exemple de
composant très répandu, le TCA785 de Siemens.
g) Utilisations typiques des thyristors

 Convertisseurs alternatif-continu controlés complets
 Convertisseurs alternatif-continu semi-controlés (ponts mixtes)
ET
Figure 29 : TCA785 de Siemens
ET
Exercice d’application
On considère le circuit de la figure 30 cidssous.
1) Noter sur un papier les caractéristiques du thyristor type 2N4171.
2) Dans le montage de la figure 30, une tension 5 peut elle convenir ?
3) On prend , quelle est la valeur minima de ?
4) Quelle doit être la tension minima fournie par le générateur de gachette pour qu’on puisse espérer un
déclenchement ?
5) On choisit , calculer la valeur maximale que l’on doit donner à pour que l’intensité de la
gachette soit suffisante pour déclencher le thyristor quand on ferme l’interrupteur K.
6) Quelle est la valeur qu’il faut donner à pour que le thyristor se désarmorçe avec ?
7) A quelle valeur doit-on baisser pour que le thyristor se désamorce alors que ..
8) On remplace la source par un générateur sinusoïdal de . Le thyristor va-t-il pouvoir
s’amorcer ?
9) Quelles sont alors l’intensité directe et inverse de pointe ? .
10) Quelles sont alors les puissances instantanées dissipées dans le tyristor lors des pointes directe et inverse ?
11) La f.e.m. de la source sinusoïdale est ramenée à 100 V efficaces. calculer la fréquence maximale de travail
au-delà de la quelle on risque un claquage en .
On donne
Figure 30
ET
Figure 31 : Caractéristiques de quelques thyristors du commerce (Doc. MOTOROLA).
ET
Réponse
……………………………………………………………………………………………………………..
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ET
I.2.4 Transistor bipolaire de puissance

a) Présentation
Le premier transistor fut créé en 1947 par une équipe de trois inventeurs des laboratoires Bell. De plus en
plus complexes les systèmes et composantes électroniques d’aujourd’hui sont le produit d’une expansion des
premiers développements du transistor à semi-conducteur.
Le transistor est un composant totalement commandé : à la fermeture et à l’ouverture.
Il n’est pas réversible en courant, ne laissant passer que des courants de collecteur ic positifs.
Il n’est pas réversible en tension, n’acceptant que des tensions VCE positives lorsqu’il est bloqué.
b) Constitution
Un transistor bipolaire est constitué par un cristal de semi-conducteur comportant trois zones dopées
différemment de façon à former :
 deux zones dopées N séparées par une zone dopée P : transistor NPN.
 ou deux zones dopées P séparées par une zone dopée N : transistor PNP.
c) Structure Symbole et aspect physique d’une diode de puissance
Figure 32 : transistor NPN de puissance.
d) fonctionnement du transistor parfait

d.1) modes de fonctionnement
Le transistor possède deux types de fonctionnement :
 le mode en commutation (ou non linéaire) est employé en électronique de puissance ;
 et le fonctionnement linéaire plutôt utilisé en amplification de signaux.
Dans son mode de fonctionnement linéaire, le transistor se comporte comme une source de courant iC
commandée par le courant iB. Dans ce cas, la tension vCE est imposée par le circuit extérieur.
La Figure 31 nous renseigne sur l’évolution des grandeurs entre le blocage, le fonctionnement linéaire et la
saturation.
ET
Figure 33 : mode de fonctionnement
d.2) Fonctionnement et état du transistor

 Transistor bloqué (B) ou OFF : état obtenu en annulant le courant iB de commande, ce qui induit un
courant de collecteur nul et une tension vCE non fixée. L’équivalent est un commutateur ouvert : état
logique « 0 ».
 Transistor saturé (S) ou ON : ici, le courant iB est tel que le transistor impose une tension vCE nulle
tandis que le courant iC atteint une valeur limite dite de saturation, iCsat. L’équivalent est un
commutateur fermé : état logique «1».
Le transistor est un composant « deux segments » en raison de la forme de sa caractéristique.
e) Composant réel et limites de fonctionnement

Le composant réel subit quelques différences par rapport à l’élément parfait.
 A l’état saturé
 le transistor est limité en puissance : courbe limite dans le plan (vCE, iC), l’hyperbole de dissipation
maximale ;
ET
 le courant maximal moyen de collecteur est donc lui aussi limité (ICmax) ;
 la tension vCE n’est pas tout à fait nulle (VCEsat ≠ 0).
 A l’état bloqué
 la tension vCE ne peut dépasser une tension (VCE0) qui provoquerait de claquage de la jonction ;
 un courant résiduel dû aux porteurs minoritaires circule dans le collecteur (ICB0).
f) Choix d’un transistor
Après avoir établi les chronogrammes de fonctionnement (vCE et iC), on calcule les valeurs extrêmes prises par :
o la tension vCE (à l’état bloqué) ;
o le courant maxi iC (à l’état saturé).
Par sécurité de dimensionnement, on applique un coefficient de sécurité (1,2 à 2) à ces valeurs. Elles doivent
être supportées par le composant choisi.
On doit ensuite déterminer le courant iB (> iC/β) que doit délivrer la commande.
g) Protection du composant
g.1) Protection contre les court-circuits
Les fusibles ne sont pas suffisamment rapides pour protéger les transistors. En effet ceux-ci « claquent » très
rapidement lorsque le courant dépasse I0.
La protection est donc assurée par l’intermédiaire d’un circuit électronique qui mesure iC ou iE et interrompt
la commande en cas de danger.
Figure 34 : protection du transistor.
g.2) Protection thermique

La puissance dissipée, évacuée par un radiateur, a deux origines :
 pertes en conduction, <vCE.iC> à l’état saturé car ces grandeurs ne sont pas nulles ;
 pertes en commutation, <vCE.iC> car pendant les commutations courants et tensions coexistent.
h) Commutation du transistor
Le passage de l’état saturé à l’état bloqué (ou inversement) ne s’effectue pas instantanément. Ce phénomène
doit être systématiquement étudié si les commutations sont fréquentes (fonctionnement en haute fréquence),
car il engendre des pertes qui sont souvent prépondérantes.
ET
À la fermeture : un retard de croissance de iC apparaît à la saturation. Le constructeur indique le temps de

retard (delay time) noté td et le temps de croissance (rise time) noté tr (Figure 35).
La tension vCE est alors imposée par le circuit extérieur (charge, alimentation) et par l’allure de iC.
À l’ouverture : le courant de collecteur iC ne s’annule pas instantanément. Le constructeur indique le temps
de stockage (storage time), noté ts, correspondant à l’évacuation des charges stockées (ce temps dépend du
coefficient de saturation β.iB/iCsat) et le temps de descente (fall time) noté tf (Figure 35).
Remarque : dans la pratique, les courants évoluent de manière plutôt « arrondie ». Pour en tenir compte, les
temps sont référencés par rapport à 10% et 90% du maximum.
Figure 35 : durées relatives à la commutation du transistor bipolaire.

i) Les pertes dans le transistor
L’allure des tensions et courant permettent de déduire la forme de la puissance dissipée par le transistor.
Durant les périodes de conduction, la puissance dissipée est constante. Elle participe aux pertes en
conduction qui sont sensiblement constantes. Les légères pentes de la puissance durant td et ts ne sont que
rarement prises en compte, on considère alors que cette puissance participe aux pertes en conduction.
Pendant les commutations la puissance est une succession de paraboles. Cela constitue les pertes en
commutation qui sont d’autant plus importantes que la fréquence est élevée.
j) Interfaces de commande
La réalisation d’interfaces de commande doit satisfaire plusieurs exigences, liées aux caractéristiques des
transistors bipolaires :
 le gain en courant des transistors bipolaires étant faible, un courant de base important est souvent
nécessaire, d’où la nécessité d’un étage amplificateur de courant à transistors, pouvant comporter
plusieurs transistors en cascade ;
ET
 pour assurer une désaturation rapide du transistor de puissance (diminution de ts), le circuit d’interface
doit être capable d’extraire les charges stockées dans sa base en faisant circuler un courant ib négatif à
l’instant du blocage (polarisation négative) ;
Remarque
Il existe d’autres circuits ayant les mêmes buts et rassemblés sous l’appellation « circuit d’aide à la
commutation » ou CALC.
 dans le cas de circuits de puissances en pont, il arrive fréquemment que les potentiels de la base
de plusieurs transistors soient « flottants » (les références de tension sont différentes). Le remède
à cette situation est l’isolement galvanique entre la commande et l’interface. Les solutions les
plus souvent rencontrées sont les opto-coupleurs car les temps de commande plutôt faibles sont
incompatible avec le produit des transformateurs d’impulsions ;
 en outre, la plupart du temps, les circuits d’interface comportent certains composants permettant
au transistor principal une saturation limitée (en empêchant son vCE de devenir trop faible). Ceci
assure un blocage rapide du composant. On y retrouve également des systèmes de protection en
courant.
 On trouve maintenant des circuits intégrés qui assurent toutes les fonctions décrites.
Exercice
On souhaite se servir d’un transistor type BSX46 dans une application òu la tension VCE ne
dépasse pas 40 V.
1) Quelles seront la puissance Pth, l’intensité IC et la température TC du boitier maximales pour
un travail en courant continu
2) On suppose que la résistance thermique boitier radiateur est négligeable et que la
température ambiante n’excédera pas 40 °C.
ET
I.2.5 Les transistors à effet de champ

La dénomination transistors à effet de champ, abrégée en français par les initiales TEC qui deviennent FET
(Field Effect Transistors) en américain, recouvre en réalité deux types de dispositifs assez différents
basés sur un principe analogue :
 les TEC à jonction (JFET)
 les TEC à grille isolée : tantôt désignés par les initiales IGFET (Insulated Gate FET), ou par
MOSFET (Metal-Oxyde Semi-conducator FET).
Le principe de base commun est de faire varier dans de grandes proportions la résistance d’un semi-
conducteur par application d’un champ électrique de commande
I.2.5.1 Le transistor à effet de champ à grille isolée : IGFET, MOSFET
a) Présentation :
Le transistor MOS est un composant totalement commandé : à la fermeture et à l’ouverture. Il est rendu
passant grâce à une tension VGS positive (de l’ordre de quelques volts). La grille est isolée du reste du
transistor, ce qui procure une impédance grille-source très élevée. La grille n’absorbe donc aucun courant en
régime permanent. La jonction drain-source est alors assimilable à une résistance très faible (interrupteur
fermée). On le bloque en annulant la tension VGS. RDS devient donc très élevée.
b) Symbole du transistor MOS
Figure 36 : symbole du transistor MOS
c) Fonctionnement et caractéristique du composant parfait

 Transistor bloqué ou OFF : L’équivalent est un interrupteur ouvert : VGS = 0 ID = 0, RDS très élevée
 Transistor saturé ou ON : L’équivalent est un interrupteur fermé : VGS > 0 ID >0, RDS très faible
Figure 37 : Caractéristique du transistor MOS parfait.
ET
d) Limites de fonctionnement
Comparables à celles des transistors bipolaires
De par sa technologie, le transistor MOS est entaché de moins de défauts que le bipolaire. Les grandes
différences sont :
 Une commande en tension plus aisée à réaliser. En régime statique, le courant de grille est quasi nul. Il
n’apparaît que durant les commutations car la capacité de la jonction Grille-source impose des charges
dans le circuit de grille ;
 Peu de charges stockées car la technologie n’est pas bipolaire. En conséquence, en régime de
commutations, seules les durées tr et tf sont influentes ;
e) Circuits de puissance à transistors MOS
Les interfaces sont beaucoup plus simples que pour les transistors bipolaires, car les transistors MOS sont
commandés en tension (le courant de grille très faible est sans influence). Ils peuvent donc être directement
commandés par un simple circuit numérique en logique TTL ou CMOS.
Les seuls problèmes qui apparaissent sont liés aux potentiels de source élevés ou flottants. Les solutions
adoptées sont les mêmes que pour les transistors bipolaires (opto-coupleurs).
I.2.5.2 Transistor IGBT
Le transistor bipolaire à grille isolée est le mariage du bipolaire et du MOS, Le transistor bipolaire assure une
chute de tension à l’état passant (VCE) plus favorable que le MOS. Par contre, c’est le MOS qui est plus
avantageux en raison de sa commande en tension. Un transistor hybride, commande MOS en tension et
circuit de puissance bipolaire, permet de meilleures performances : c’est le transistor IGBT (Insulated Gate
Bipolar Transistor). Ses caractéristiques sont reprises de celles du transistor bipolaire : VCEsat et iCsat.
a) Symbole du transistor IGBT
I.2.6 Réversibilité en courant des transistors

a) Représentation par segments
Les états d’un composant parfait fonctionnant en commutation sont représentés par des demi-droites
coïncidant avec un axe (puisque soit le courant, soit la tension, sont nuls). La caractéristique tension-courant
du composant se résume à un ensemble des segments représentatifs du nombre d’états. On distingue deux
états au minimum et quatre au maximum.
Cette représentation procure l’avantage de décrire la réversibilité en tension et en courant en fournissant une
indication claire de la « fonction » réalisée par le composant. De plus, suivant le nombre de segments, on
ET
peut réaliser une classification des commutateurs. Enfin, elle aide à la recherche de la fonction « hybride »
obtenue par assemblage de composants élémentaires.
Les trois types de composants étudiés précédemment peuvent être représentés par les caractéristiques de la
Figure 38. On voit alors très bien la réversibilité des grandeurs : aucune pour la diode et le transistor (courant
et tension unidirectionnels) et une réversibilité en tension pour le thyristor. i
Figure 38 : Représentation des caractéristiques tension-courant à l’aide de segments.
b) Recherche de la réversibilité en courant

Les transistors bipolaires et MOS sont des composants deux segments que l’on pourrait aussi qualifier de «
un quadrant » : La tension et le courant sont exclusivement positifs. On cherche à étendre leurs
caractéristiques en les associant à d’autres éléments pour en faire des commutateurs réversibles en
courant.
L’usage des caractéristiques par segments aide à cette recherche. Sur la Figure 39, l’assemblage réversible
en courant contient le transistor (à gauche) et un élément (au centre) qui se trouve être par inversion du sens
des grandeurs une diode placée en parallèle inverse (antiparallèle). Le schéma résultant est indiqué à la
Figure 40 pour le bipolaire et à la Figure 41 pour le MOSFET.
Il est à noter que le groupement résultant n’est pas réversible en tension.
Figure 39 : construction de l'assemblag.
ET
Figure 40 : transistor bipolaire rendu réversible en courant.
Figure 41 : transistor MOSFET rendu réversible en courant.
c) Cas du thyristor
Un raisonnement similaire avec le thyristor (Figure 42) est illustré par les caractéristiques de la Figure 43.
On notera qu’il s’agit bien d’un interrupteur à trois segments bidirectionnel en courant et pas en tension car
la diode impose une tension nulle lorsque le courant est négatif : le segment vcom < 0 ne peut apparaître (pour
ajouter ce segment, il faudrait placer une diode en série avec le thyristor)
Figure 42 : thyristor-diode antiparallèle
Figure 43 : Association des caractéristiques par segments.
ET
1.2.6 Le triac
Le triac (triode alternatif current) est un semi-conducteur bistable bidirectionnel contrôlable par un circuit
d’amorçage pour la mise en conduction, le blocage s’effectuant lors de la disparition du courant direct. Il est
équivalent à deux thyristors montés en opposition. Il n’existe qu’une gâchette G et deux anodes A1 et A2
non identiques
a) Symbole
b) Caractéristique courant-tension
c) Triac standard
Un triac standard est caractérisé par les mêmes données techniques que pour une diode de redressement
et un thyristor standard. La caractéristique nouvelle est le signe du courant de gâchette :
ET
Le circuit du courant de gâchette peut amorcer le triac dans les quatre quadrants de fonctionnement
suivant une polarité définie ci-dessous. Suivant le quadrant d’amorçage, la commande du triac devra
satisfaire aux données sur le courant IGT et au rapport IL/IH.
d) Triac rapide HCT

Triac rapide (High Commutation Technology) sont réservés pour les applications à fréquence de
commutation élevée et peuvent supporter sur charge inductive :
Une vitesse de croissance de la tension à la commutation élevée ( ⁄ ) ;
Une vitesse de décroissance du courant à la commutation élevée. ( ⁄ )
Figure 44 : fonctionnement sur charge inductive.
e) Triac sensible
Les valeurs très faibles du courant de gachette permettent d’utiliser ce semi-conducteur par des circuit
intégrés sans interfaçage.
f) Triac à niveau logique HCT
Ce triac allie les caractéristiques des triacs HCT au niveau des ( ⁄ ) et des triacs sensibles
pour lecircuit de commande.
ET
Choix d’un triac

Il dépend principalement :
De la spéifité de la charge,
Du courant efficace dans le semi-conducteur,
Du courant de pointe répétitif,
De la tension directe maximale répétitive
Des vitesse critiques des tensions et courants.
Utilisation

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LES COMPOSANTS D’ELECTRONIQUE DE PUISSANCE ENSETP/DTI

A/ Introduction à l’électronique de puissance

I.2/ Mise en forme de l’énergie électrique

Ce domaine a rapidement essaimé à tous les niveaux de puissance et de fréquence et se retrouve

Figure 1 : Alimentation de PC format ATX

Le synoptique simplifié d’une alimentation de PC est représenté à la figure 2 ci-dessous. Après un

Figure 2 : Synoptique d’une alimentation de PC

b) Exemple 1 : Variateur de Machine Asynchrone

Figure 3 : variateur de vitesse pour MAS

Le synoptique simplifié du variateur de vitesse est spécifié figure 4 ci-dessous :

Figure 4 : synoptique d’un variateur de vitesse à U/f

Figure 5 : différentes domaines d’application d’électronique de puissance dans le plan puissance/fréquence.

Figure 6 : Zones approximatives (Puissance/Fréquence) d’utilisation des principaux semi-conducteurs de

II/ Les convertisseurs statiques d’énergie électrique

Figure 7 : les différents types de convertisseurs

Figure 8: Etat passant et bloqué d'un interrupteur

III/ Tableau de classification des interrupteurs statiques

IV.2/ Valeur redressée moyenne

IV.3/ Valeur efficace

IV.4/ Facteur de forme

o le terme V0 est nul ;

1) Rappeler l’expression de la puissance instantanée absorbée par un dipôle d’impédance : ̅ et

B/ Composants et interrupteurs de puissance

Figure 9 : caractéristiques dynamiques de l’interrupteur réel

A l’état ouvert, le composant est soumis à la tension VM

o ( ) : le temps de retard à la montée, entre le début de la commande, caractérisée par le passage de

, et l’obtention du début de la montée du courant ;

, et l’obtention du début de la descente du courant ;

De même, pour la descente du courant on trouve :

Les pertes de puissance moyenne par commutation valent donc :

I.2/ Les composants électroniques réels

Figure 10 : diode de puissance

c) Fonctionnement et caractéristique de la diode parfaite

Figure 11 : Fonctionnement et caractéristique de la diode parfaite

Figure 12 : caractéristique de la diode réelle

Valeurs données dans les catalogues des constructeurs.

Les caractéristiques limites usuellement décrites sont :

IFSM en fonctionnement passant est lié aux problèmes d’échauffement.

Les résistances thermiques.

e) Critère de choix d’une diode

Figure 13 : fusible ultra rapide

f.2) Protection contre les surtensions

Figure 14 : protection avec circuit RC

f.1) Protection en dv/dt et di/dt

Figure 14 : Exemple de dissipateur thermique

g.3 Loi d’ohm thermique et calcul des refroidisseurs

 Modèle thermique d’une diode monté sur un radiateur

𝑅𝑇𝐻𝑗 𝑎 𝑅𝑇𝐻𝑗 𝑏 𝑅𝑇𝐻𝑏 𝑟 𝑅𝑇𝐻𝑟 𝑎

1) Calculer la résistance thermique du radiateur sur lequel il faut monter la

Figure 15 : Analogie classique expliquant le fonctionnement du thyristor.

Figure 16 : Symbole et aspect physique d’un thyristor.

Figure 17 : fonctionnement et caractéristique du thyristor parfait.

 Blocage par commutation naturelle

Figure 18 : chronogramme illustrant une commutation naturelle.

 Blocage par commutation forcée

Figure 19 : montage avec circuit d’extinction.

Les deux thyristors sont initialement bloqués.

Figure 20 : chronogramme issue d’une commutation forcée

Figure 21 : caractéristique d'un thyristor réel.

Figure 22 : Evolution du courant 𝒊𝑨𝑲

Figure 23 : Evolution du courant 𝒊𝑨𝑲

f) Choix d’un thyristor

e) Circuits de commande de la gâchette