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1. Description du transistor :
2. Manipulation :
2.1. Tableau 1 :
VBB (en V) 0 1 2 3 4 5 6
IB (en mA) 0
5.93 0.06815
0.1 0.2732
0.21 0.4829
0.3 0.39
0.6936 0.48
0.9049 0.57
1.117
IC (en mA) 0
43.7 10.83
29.6 25.61
34.18 32.63
35.29 28.15
42.96 31.39
49.46 55.2
29.09
VBE (en V) 0.000209
29.4 679.7
1.06 2.07
715.8 730.6
3.056 739.9 746.8
4.05 5.02 752.3
5.99
7 8 9 10 15
1.328
0.68 1.54
0.76 0.9
1.752 1.964
1.02 1.53
3.026
60.36
29.64 65.09
28.47 39.45
69.47 73.56
31.29 90.96
30.15
756.8
6.97 760.6
7.99 766.9 14.95
8.97 10.02 778.1
2.2. Tableau 2 :
VCE (en V) 0 0.5 1 1.5 2
IB = 0.9094
0.913mA (VBB = 5V) IC (en mA) 36.57
-0.9318 3.52
45.11 45.34
7 12.6
45.57 17.08
45.80
IB =1.95
3.026 mA (VBB = 15V) IC (en mA) -3.045
34.12 3.53
86.25 7.6
86.69 87.12
13.53 87.56
17.94
2,5
1,5
0,5
0
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900
IC = f(IB)
100 I_c = f(I_b)
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5
IC = f(VCE)
100,0000
80,0000
60,0000
40,0000
20,0000
0,0000
0 1 2 3 4 5 6
-20,0000
2.4. Les coordonnées du point de repos :
On a d’après la loi des mailles :
𝑉𝐵𝐵 = 𝑅𝐵 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 avec :
𝑉𝐵𝐵 = 5 𝑉 et 𝑅𝐵 = 4.7 Ω
IB = f(VBE)
3,5
2,5
1,5
0,5
0
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5
IC = f(VCE)
100,0000
80,0000
60,0000
40,0000
20,0000
0,0000
0 1 2 3 4 5 6
-20,0000