Université

Hassan 1er
Ecole Nationale des Sciences Appliquées - Berrechid

Principes de conception des systèmes

électroniques
Travaux dirig s n°4

Exercice 1 :
On consid re le circuit suivant :

On donne : VBE=0,7V; RB =10KΩ; RC =120Ω; VBB = 5V;

VCC = 12V; β = 100.

1.Calculer IB.
2.Calculer IC et VCE (point de repos).
3.D terminer la droite de charge.

Exercice 2 :
On consid re le circuit suivant :

On donne : VBE=0,7V; RB =120 KΩ; RC =250 Ω; VCC = 12V;

β = 80.

1.Calculer IB.
2.IC et VCE (point de repos).
3.D terminer la droite de charge.

Principes de conception des syst mes lectroniques

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Exercice 3 :
On consid re le circuit suivant :

1.Calculer IB.
2.IC et VCE (point de repos).
3.D terminer la droite de charge.

On donne β = 100.

Exercice 4 :
On consid re le circuit suivant :

On donne β = 100.
1.Calculer RB pour un courant IC = 10 mA.
2.Calculer VCE.

Exercice 5 :
On consid re les circuits suivants :

1.Calculer les ré sistances né cessaires à la

polarisation d’un transistor NPN au silicium
pour VCE0=5V, et IC0 = 1mA.

On donne β = 100 , Vcc =10V et VBE0 = 0.7V.

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Exercice 6 :
On consid re les circuits suivants :

1.Calculer les l ments de polarisation.

On donne : β = 100 ; Vcc =10V ; VBE0 = 0.7V ;

VCE0=5V ; et IC0 = 1mA

Exercice 7 :
On consid re le circuit suivant :

1.Dé terminer le courant de saturation ICsat .

2.Quelle est la valeur de IBs né cessaire pour produire la
saturation.
3.Quelle est la valeur minimale de Ve né cessaire pour produire
la saturation.

On donne : β=150, Vcc=5V,RB =1MΩ,RC=10kΩ VBE0 =0.7V.

Exercice 8 :
On consid re le circuit suivant :

On donne : β1 = 100,β2 = 50, Vcc = 12V, RB =

100kΩ,VBE = 0.7V.

1.Etablir une relation entre IB1 et IC2 .

2.Calculer la tension VB1M .
3.Si IC2 = 50mA , calculer la tension EB.

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