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1) Quelle transformation est-il alors possible de mettre en œuvre entre les résistances R1, R2
et R3 ?
La tension d’entrée du circuit représenté ci-contre est sinusoïdale et présente une valeur
efficace Ve=230 V à la fréquence f =50 Hz. Le récepteur, ou encore la « charge », correspond
à l’association d’une résistance et d’une inductance. On s’intéresse à la détermination de
toutes les grandeurs électriques en régime permanent sinusoïdal du circuit.
𝑖(𝑡)
L’objectif de cet exercice est de montrer que le courant 𝑖(𝑡) est aussi sinusoïdal qui s’écrit
sous la forme : 𝑖(𝑡) = √2𝐼𝑒𝑓𝑓 𝑠𝑖𝑛(𝜔𝑡 + 𝜑) de même pour 𝑢𝐴𝐵 (𝑡) = √2𝑈𝑒𝑓𝑓 𝑠𝑖𝑛(𝜔𝑡 + 𝜃).
1
On prend : 𝐿𝜔 = 2𝐶𝜔.
1. L’expression complexe de 𝑒(𝑡) est :
𝜋 𝜋 𝜋
𝐸𝑚
a) 𝐸(𝑡) = 𝐸𝑚 𝑒 𝑗𝜔𝑡 b) 𝐸(𝑡) = 𝐸𝑚 𝑒 𝑗(𝜔𝑡+ 2 ) c) 𝐸(𝑡) = 𝐸𝑚 𝑒 𝑗(𝜔𝑡− 2 ) d) 𝐸(𝑡) = 𝑒 𝑗(𝜔𝑡+ 2 )
√2
2. La puissance active consommée par le dipôle A et B est :
𝐼 2 𝐼𝑒𝑓𝑓 2
a) 𝑃𝑎 = 𝐿𝜔𝐼𝑒𝑓𝑓 2 b) 𝑃𝑎 = 𝑒𝑓𝑓 c) 𝑃𝑎 = 𝑅𝐼𝑒𝑓𝑓 2 d) 𝑃𝑎 =
𝑅 𝐶𝜔
3. La puissance réactive consommée par le dipôle A et B est :
2 2 2
𝐼 𝑈 𝐼
a) 𝑄𝑟 = −𝐿𝜔𝐼𝑒𝑓𝑓 2 b) 𝑄𝑟 = 𝑒𝑓𝑓 𝑒𝑓𝑓
c) 𝑄𝑟 = − 𝐿𝜔 d) 𝑄𝑟 = 𝑒𝑓𝑓
𝑅 𝐶𝜔
Pour déterminer le modèle de Thévenin, on met le dipôle A et B à vide.
4. La tension complexe 𝑈𝐴𝑀 (𝑡) est :
𝑗𝐿𝜔 𝑅 𝑅+𝑗𝐿𝜔
a) 𝑈𝐴𝑀 (𝑡) = 𝐸(𝑡) b) 𝑈𝐴𝑀 (𝑡) = 𝐸(𝑡) c) 𝑈𝐴𝑀 (𝑡) = 𝐸(𝑡)
𝑅+𝑗𝐿𝜔 𝑅+𝑗𝐿𝜔 𝑅
4. La tension complexe 𝑈𝐵𝑀 (𝑡) est :
𝑗𝐶𝜔 𝑅 1
a) 𝑈𝐵𝑀 (𝑡) = 𝐸(𝑡) 𝑅+𝑗𝐶𝜔
b) 𝑈𝐵𝑀 (𝑡) = 𝐸(𝑡) 𝑅+𝑗𝐶𝜔
c) 𝑈𝐵𝑀 (𝑡) = 𝐸(𝑡) 1+𝑗𝑅𝐶𝜔
5. L’impédance de Thévenin vue entre le dipôle A et B est :
1 1
a) 𝑍𝑡ℎ = (𝑅 + 𝑗𝐿𝜔)// (𝑅 + 𝑗𝐶𝜔) b) 𝑍𝑡ℎ = (𝑅 + 𝑗𝐿𝜔) + (𝑅 + 𝑗𝐶𝜔) c) 𝑍𝑡ℎ =
1
(𝑅//𝑗𝐿𝜔) + (𝑅// )
𝑗𝐶𝜔
Exercice 3 :
On considère le circuit représenté sur la figure ci-contre. L’objectif de l’exercice est de
calculer la valeur du courant i traversant la charge de valeur R.
1. Exprimer la résistance de Norton du montage vue entre les point A et B :
𝑅 𝑅 𝑅 𝑅
a) 𝑅𝑁 = 3−𝑅𝑔 b) 𝑅𝑁 = 3+𝑅𝑔 c) 𝑅𝑁 = 2+𝑔 d) 𝑅𝑁 = 1+𝑅𝑔
2) Donner l’expression du générateur de Norton de ce montage :
1+𝑅𝑔 1−𝑅𝑔 1+𝑅 2+𝑅𝑔
a) 𝐼𝑁 = 𝐸 b) 𝐼𝑁 = 𝐸 c) 𝐼𝑁 = 𝐸 d) 𝐼𝑁 = 𝐸
𝑅 𝑅 𝑅 𝑅