Travaux Dirigés d’Électricité 2 Année Universitaire 2022/2023

UNIVERSITÉ IBN ZOHR

FACULTÉ DES SCIENCES
DÉPARTEMENT DE PHYSIQUE
AGADIR

Soit le circuit de la figure (1) ci-contre qu’on alimente par la tension alternative sinusoïdale
𝑢(𝑡) = 𝑈𝑚 cos(𝜔𝑡) et pour lequel on considère les valeurs numériques du tableau en bas.
1) Déterminer 𝑍1̅ l’impédance
complexe dans la branche 𝑨
(𝑅1 , 𝐶2 ). Donner le résultat lit-
𝑳
téralement puis numérique-
𝑪𝟏
ment.
2) Déterminer 𝑍̅2 l’impédance 𝑹𝟏
complexe dans la branche 𝒖(𝒕) 𝑹𝟐
(𝐿, 𝑅2 ). Donner le résultat litté-
ralement puis numériquement
3) En déduire l’expression en no- 𝑪𝟐
tation cartésienne de l’impé-
dance complexe équivalente 𝑍̅é𝑞
du circuit global. 𝑩 FIG. (1)
4) Exprimer en notation carté-
sienne l’admittance équivalente 𝑌̅é𝑞 du circuit. On l’exprimera ensuite en écriture exponen-
tielle.
5) En utilisant la méthode des complexes, trouver l’expression du courant électrique 𝑖(𝑡)
débité par le générateur.
6) En déduire le déphasage 𝜙 de la tension 𝑢(𝑡) par rapport au courant 𝑖(𝑡). Quelle est la
nature de ce circuit ?
7) Calculer la tension 𝑢𝐶 (𝑡) aux bornes du condensateur 𝐶1 par la méthode des complexes.
8) Utiliser la méthode de Fresnel pour déterminer la tension 𝑢1 (𝑡) aux bornes du dipôle 𝐴𝐵.
Valeurs numériques :
𝑈𝑚 = 12 𝑉 𝜔 = 50 𝑟𝑎𝑑/𝑠 𝐶1 = 2,0 𝑚𝐹 𝐶2 = 10 𝑚𝐹 𝑅1 = 3,0 𝛺Ω
𝑅2 = 8,0 𝛺 𝐿 = 0,2 𝐻

Soient les cinq circuits ci-après alimentés par une tension alternative sinusoïdale 𝑢(𝑡) =
𝑈√2 cos(𝜔𝑡). On admet que le courant est de forme 𝑖(𝑡) = 𝐼√2 cos(𝜔𝑡 + 𝜑𝑖 ).
1) Établir pour chaque circuit, en fonction des éléments de celui-ci, l’expression littérale de
l’impédance complexe 𝑍̅ (la mettre sous sa forme cartésienne). En déduire, pour chaque
cas, le module |𝑍̅| de l’impédance complexe, la phase 𝜑𝑖 du courant 𝑖(𝑡) puis le déphasage
𝜙 de 𝑢(𝑡) par rapport à 𝑖(𝑡). Conclure.

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2) a) Déterminer pour le circuit (5), l’amplitude 𝐼𝑚 du courant électrique 𝑖(𝑡) en fonction de

|𝑍̅| et 𝑈. En déduire 𝐼 la valeur efficace de 𝑖(𝑡).
2) b) En utilisant la méthode de Fresnel, trouver, pour ce circuit, l’expression littérale de
la tension 𝑢2 (𝑡) aux bornes du dipôle 𝑅𝐶 parallèle. On adopte pour cette tension l’expres-
sion 𝑢2 (𝑡) = 𝑈2 √2 cos(𝜔𝑡 + 𝜑2 ).

𝐶
1 − 𝑖(𝑡) 2− 𝑖(𝑡) 3− 𝑖(𝑡)
𝑅 𝑅

𝑢(𝑡) 𝐶 𝑢(𝑡) 𝐿 𝑢(𝑡) 𝐿 𝐶

𝐶1 𝐶
4− 𝑖(𝑡) 5− 𝑖(𝑡)
𝑅
𝐶
𝑢(𝑡) 𝐿 𝑢(𝑡) 𝑢1 (𝑡) 𝑅 𝑢2 (𝑡)
𝐶2

FIG. (2)
Valeurs numériques :
𝑈 = 10 𝑉 𝜔 = 1000 𝑟𝑎𝑑/𝑠 𝑅 = 1000 𝛺 𝐶 = 0,4 µ𝐹
𝐿 = 0,5 𝐻 𝐶1 = 2 𝜇𝐹 𝐶2 = 0.05 𝜇𝐹

On considère le circuit de la figure (3) alimenté par une source de tension sinusoïdale 𝑢(𝑡) =
𝑈𝑚 cos(𝜔𝑡).
1) Déterminer, en notation exponentielle, l’expression littérale de l’admittance complexe du
circuit de la figure (3).
2) Déterminer l’expression du courant électrique 𝑖(𝑡) par :
a) la méthode des complexes.
b) la méthode de Fresnel.
3) Étudier le signe du déphasage 𝜙 de la tension 𝑢(𝑡) par rapport au courant 𝑖(𝑡). Conclure.
4) En faisant varier la capacité du condensateur, l’intensité du courant électrique passe par la
même valeur pour deux valeurs de la capacité qu’on note 𝐶1 et 𝐶2 . Déterminer l’expression
du coefficient d’induction 𝐿 correspondant à cette intensité de courant. Faire l’application
numérique.
5) Trouver l’expression de la capacité 𝐶0 correspondant à une amplitude minimale du courant
𝑚𝑖𝑛
𝐼𝑚 . quelle est la valeur numérique de cette capacité ?

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𝒊(𝒕) 𝒊𝑹 (𝒕) 𝒊𝑪 (𝒕) 𝒊𝑳 (𝒕)

𝒖(𝒕) 𝑹 𝑪 𝑳

FIG. (3)
On utilise les mêmes composants du circuit étudié pour réaliser un second circuit schématisé
par la figure (4).
6) Calculer l’amplitude 𝐼𝑅𝑚 du courant sinusoïdal 𝑖𝑅 (𝑡) dans la branche résistive.
7) Déterminer le déphasage ∆𝜑 du courant 𝑖𝑅 (𝑡) par rapport à la tension 𝑢(𝑡).
8) Qelle serait la particularité de ce courant si celui-ci est en quadrature retard par rapport à
la tension du générateur ?

𝒊(𝒕) 𝑳 𝒊𝑹 (𝒕) 𝒊𝑪 (𝒕)

𝒖(𝒕) 𝑹 𝑪

FIG. (4)
Valeurs numériques :
𝑈𝑒𝑓𝑓 = 10 𝑉 𝑅 = 500 𝛺 𝜔 = 1000 𝑟𝑎𝑑/𝑠 𝑐 ≈ 3 × 108 𝑚 ∙ 𝑠 −1
𝐶1 = 3,2 𝜇𝐹 𝐶2 = 6,8 𝜇𝐹

Considérons un dipôle électrique schématisé par la figure (5) et constitué d’une bobine (in-
ductance 𝐿 et résistance interne 𝑟) montée en dérivation avec un condensateur de capacité 𝐶.
Le dipôle est alimenté par une tension sinusoïdale 𝑢(𝑡) de pulsation 𝜔 variable.

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1) Exprimer l’impédance complexe 𝑍̅𝑠 d’un dipôle où 𝑟, 𝐿 et 𝐶 seraient montés en série,

d’abord en fonction des composants puis de la résistance 𝑟, de la pulsation propre 𝜔0 =
1/√𝐿𝐶 et du facteur de qualité
𝑄 = 𝐿𝜔0 /𝑟.
𝒊(𝒕) 𝒊𝑪 (𝒕) 𝒊𝑳 (𝒕)
2) Exprimer l’impédance complexe
𝑍̅ du dipôle parallèle sous la
forme :
𝑟 𝑗𝑄𝜔 𝒓
𝑍̅ = (1 + )
𝑗𝐶𝜔𝑍𝑠̅ 𝜔0
3) Montrer que lorsque le facteur de 𝒖(𝒕) 𝑪
qualité est très élevé (𝑄 ≫ 1) et
la pulsation 𝜔 n’est pas trop faible
(𝜔 ≫ 𝜔0 /𝑄), l’impédance peut se 𝑳
mettre sous la forme approchée :
𝑄2𝑟 2
𝑍̅ ≃
𝑍𝑠̅

On se place dans ces conditions dans

la suite de cet exercice. FIG. (5)
4) Montrer que le module de l’impédance |𝑍̅| est maximal lorsque 𝜔 = 𝜔0 . Décrire dans ce
cas le comportement du circuit. Justifier sa dénomination « circuit bouchon ».
5) On se place dans le cas 𝜔 = 𝜔0 . Déterminer en fonction de 𝑈𝑚 , 𝑄 et 𝑟 les intensités réelles
𝑖𝐶 (𝑡) et 𝑖𝐿 (𝑡) qui traversent respectivement le condensateur et la bobine. Commenter les
résultats obtenus.

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