TP1: Fonctions et Système Electronique

Contre réaction sur les amplificateurs à

Base d’un transistor bipolaire :

Réalisé par :
hazem bouazza
Chebbi Montassar

Professeur :
Sabeur JEMMALI
But :

Ce TP a pour objectif d’étudier l’effet de la contre réaction sur les Amplificateurs à base d’un
transistor bipolaire NPN 2N3904 en faire varier la fréquence de la tension alternative
sinusoïdale de l’entrée. Et en étudiant les comportements des formes d’ondes de la tension
sortie dans 4 cas suivants :
Avec Capacité et Résistance
CE = 0
RL = 0.
 Avec CE et RL : Le schéma fonctionnel du système dans ce cas.
Les formes d’ondes de Ve et Vs pour f = 10kHz :

Le tableau suivant figue les variations des tensions Ve et Vs selon les variations des
fréquences :

La fréquence Ve(uV) Vs(mV) G = Vs /Ve GdB =20log(Vs /Ve) (dB)

f(kHz):

1 -987 93.2 94.42 39.5

10 -754 135 179.04 45.05
50 -994 88.1 88.63 38.94
100 -994 88.1 88.63 38.94

La valeur unitiale du gain GdB

  CE=0 : Le schéma fonctionnel du système dans ce cas.

Le tableau suivant figue les variations des tensions Ve et Vs selon les variations des
fréquences :
La fréquence Ve(uV) Vs(mV) G = Vs /Ve GdB =20log(Vs /Ve)
f(kHz): (dB)

1 -993 4.3 4.33 12.73

10 -993 4.26 4.29 12.6
50 -994 4.23 4.45 12.9
100 -994 4.24 4.26 12.5

Dans ce cas le gain GdB est réduit ↓ par rapport à sa valeur initiale.
 On constate que le condensateur agit négativement sur le gain par sa réduction (l’effet de
contre réaction), mais il augmente la longueur de la bande passante de filtre.
 RL=0 : Le schéma fonctionnel du système dans ce cas.
 E

R1 RC
15.7k 4.5k vs

C1S
RL
10uF 4.5k

C1E Q1 +88.8
2N3904 Volts
ve
10uF

R4
1m

C2
100uF

R2
2.2k RE
0.5k

Le tableau suivant figue les variations des tensions Ve et Vs selon les variations des
fréquences :

La fréquence Ve(uV) Vs(mV) G = Vs /Ve GdB =20log(Vs /Ve)

f(kHz): (dB)

1 994 -175 176.05 44.91

10 994 -176 177.06 44.96
50 994 -172 17303 44.76
100 994 -171 172.03 44.71

Dans ce cas le gain GdB s’augmente ↑ par rapport à sa valeur initiale.