NUCLEAR INSTRUMENTS A N D M E T H O D S 44 (I966) 3 9 - 4 4 ; © NORTH-HOLLAND PUBLISHING CO.

E T U D E DE LA R E S O L U T I O N D ' U N P R E A M P L I F I C A T E U R D E C H A R G E S
G. LIBS et G. DE ROSNY
Service d'Instrumentation Nucldaire, Ddpartement d'Electronique G~n~rale, Saclay, France

Re~u le 9 Mars 1966

Two spectrometric experiments for accurately measuring the over the noise of valve, two-pole and field-effect transistor pre-
noise performance of a hybrid preamplifier are described. More- amplifier is studied with respect to detector leakage current.

1. Introduction - Gain en boucle ouverte:

Le pr6sent article d6crit deux exp6riences de spe~ro-
m(~trie utilisant un pr(.~amplificateur de charges hybride.
Ces exp6riences ont pour objet la mesure des 6nergies
des 61ectrons de conversions internes de l'or 195Au et
de l'6tain 113Sn; elles permettent de d6terminer de
facon pr6cise la r(~solution 61ectronique 6quivalente du
pr6amplificateur.
Une annexe est consacr6e & une 6tude comparative
entre le bruit de fond du tube d'entr6e et celui des
transistors bipolaires et des transistors & effet de c h a m p
pour diff6rents courants de fuite de d6tecteurs.
2. Caraet6ristiques du pr6araplitieateur
L'appareil (figs. 1 et 2) est transistoris6 & l'exception
de l'6tage d'entr6e qui est constitu6 par un tube ESIOF.
Les principales caract6ristiques du pr6amplificateur
sorit:
- Sensibilit6:25 mV/MeV (pour une jonction au sili-
cium, la capacit6 de contre-r(~action 6tant r~gl6e &2 pF).
A=2xl0 a pourCj_~300pF
A = 15 x l0 a pour 300 pF < Cj ~_ 1000 pF,
C; 6tant la capacit6 du d6tecteur.
- Polarit6 des signaux & l'entr6e: positive ou n6gative.
- T e n s i o n de sortie: + l V pour une non-lin6arit6
diff6rentielle de + 1%.
- Imp6dance de charge: 100 g2.
- Temps de r6ponse: 2 x 10 -a s < z < l0 -7 s,
dans les conditions sp6cifides ci-dessus pour le gain en
boucle ouverte.
- R6solution 61ectronique 6quivalente: comprise entre
2 et 3 keV (la mesure de cette r6solution correspond &
des signaux mis en forme par des circuits de diff6ren-
tiation et d'int6gration de valeur commune 6gale &
0.7 #s, la r6sistance Rg plac6e dans la grille du tube L
ayant pour valeur l0 s t2 et le d6tecteur &jonction et sa
r6sistance de polarisation 6tant d6connect6s).
- Variation de la r6solution en fonction de la capacit6
du d6tecteur: 0.065 keV/pF.

- 15ov

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Fig. 1. Preamplificateur de charges.

39
40 G. L I B S ET G. D E R O S N Y

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Fig. 2. Vue d'ensemble du preamplificateur.

- Variation de la sensibilit6 relative en fonction de la 3. I. MESURES DES I~NERGIES DES I~LECTRONS DE CONVER =

SIONS INTERNES DE L'OR

capacit6 du d6tecteur: 0.06% par pF. 1 9 5 A u

- Stabilit6 en temperature: 5 x 1 0 - * / ° C . - Caract6ristiques de la jonction utilis~e:

Remarque: Une impulsion tr~s br~ve marquant avec
precision l'instant d'arriv~ de la particule sur le d6tec-
teur peut &re pr61ev~e dans la cathode du tube L, on
associe alors un ampliticateur rapide au pr6amplifica-
teur de charge. Ce mode de pr61~vement de l'informa-
tion "temps" a l'avantage de rendre pratiquement
n6gligeable la r6injection du bruit de l'amplificateur
rapide vers la chaine d'analyse en amplitude.
3. R~sultats ex#rimentaux
Ces r6sultats ont 6t6 r6alis6s au cours de deux exp6-
riences de spectrom6trie utilisant cet appareil.
Type: 8.2.0.5 (quartz et silice).
Nature: barri~re de surface (Si).
Surface: 20 m m 2.
C a p a c i t 6 : 8 pF pour une tension de polarisation de
100V.
Epaisseur de la zone de charge d'espace: 1.5 mm]kV.
- Activit6 de la source: 0.5 #Ci.
- Conditions de mesure:
Temp6rature de la jonction : - 7 ° C.
Tension de polarisation: + 100 V.
R6sistance de polarisation de la jonction: 10 M ~ .
R6sistance de fuite de grille du tube L: 100 M ~ .
 R E S O L U T I O N D ' U N P R E A M P L I F I C A T E U R DE CHARGES 41

Constante de temps de raise en forme: 0.5 #s (valeur
commune des constantes de temps de diff6rentiation
et d'int~gration).
La fig. 3 repr6sente le spectre de t95Au. On observe
6 pies prineipaux P~,P2...P6 dont les sommets corre-
spondent aux ~nergies des ~lectrons de conversion.
Le pie P2 correspond aux 61ectrons de conversion sur
la touche K du rayonnement d'6nergie 129 keV auquel
se superpose un rayonnement dO ~t l'effet Auger.
Le pic P3 est dfi essentiellement ~ l'effet Auger. On
voit apparaitre b. droite du pic P6 un pie d'~nergie
125.7 keV qui correspond aux ~lectrons de conversion
sur la touche M du rayonnement d'6nergie 129 keV.
On remarque sur le flane droit du picpl la raie dfie aux
~lectrons de conversion sur la couche M du rayonne-
ment d'6nergie 30.8 keV.
On lit sur la fig. 3 une r6solution de 5.7 keV pour
le pie p~ et une r6solution de 7.2 keV pour le pic P4.
3.2. MESURES DES I~NERGIES DES I~LECTRONS DE CONVER-
SIONS INTERNES DE I t 3Sn
- Caract6ristiques de la jonction utilis6e.
Type: RCA (20000 f2.cm).
Surface: 20 mm 2.
C a p a c i t 6 : 3 pF pour une tension de polarisation de
400V.
- Conditions de mesure:
Temp6rature de la jonction: - 2 0 ° C.
R6sistance de polarisation de la jonction: 22 M~.
R6sistance de fuite de grille du tube L: 100 M ~ .
Constante de temps d'int6gration: 10 -6 s.
Constante de temps de diff6rentiation: 3 x 10 -6 s.
l X3Sn permet d'obtenir deux pies de conversion dont
la diff6rence d'6nergie est connue de fac~on tr~s praise.
r e , ;
La fig. 4 repr6sente le spectre qui a 6t6 mesur6.
Le pic Pt correspond h des impulsions issues d'un
g6n6rateur envoy6es ~t l'entr6e " T E S T " du pr6amplifi-
cateur. Les pies P2 et P3 correspondent aux 61ectrons de
conversion sur les couches K et L du rayonnement
d'6nergie 393 keV.
On lit sur la fig. 4 une r6solution de 5.8 keV pour le
pic P2 et une r6solution de 5 keV pour le pic P3.
Compte tenu de l'6talonnage en 6nergie d6duit des
exp6riences pr6ckdentes, la r6solution 61ectronique
6quivalente mesur6e avec un g6n6rateur d'impulsions a
6t6 trouv6 6gale h 3.7 keV + 0.1 keV (en maintenant
branch6e la r6sistance de polarisation de la jonction).
Ce r6sultat exp6rimental est compatible avec le
r6sultat th6orique 6tabli en appendice.
Les auteurs tiennent ~ exprimer leurs remerciements
~t Messieurs J. Legrand et R. Vatin (Laboratoire de
mesures de radio616ments-CEN Saclay) et Monsieur
G. Moreau (Institut National des Sciences et Techni-
ques nucl6aires de Saclay) pour les r6sultats des mesures
spectrales relatives b. 195Au et ~t ltaSn qu'ils leur ont
communiqu6s et pour les pr~ieux enseignements qu'ils
en ont re~us.
Annexe
Cette annexe a pour but de comparer le bruit de fond
de l'appareil dont on a indiqu6 p r ~ d e m m e n t les
caract6ristiques avec le bruit des pr6amplificateurs
transistors bipolaires et ~ effet de champ pour diff6rents
courants de fuite des d6tecteurs.
On analyse en particulier le cas d'un pr6amplificateur
~t transistors bipolaires en consid6rant la contribution
du bruit due ~t la corr61ation entre la tension de bruit
° j

%-3 me ell

I
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I
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I

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P,
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5 P3 P4 P~,
Energme er~ keV,O.77keV pQr cQnGI

Fig. 3. Spectre de 195Au.

9
j
~
i/, 3
Ener'cjie e n k.eV , 0 . 7 5 KeV p a r c o n o l

Fig. 4. Spectre du generateur at de 113Sn.

i
-- 7. J7. =
 42 G. LIBS ET G. DE ROSNY
due aux fluctuations du courant de base et la tension de
bruit due /l l'effet Sehottky. On 6tudie l'influence de
l'imp6dance d'entr6e sur le bruit de ce pr6amplificateur.
PRI~AMPLIFICATEUR A TRANSISTORS BIPOLAIRES
On suppose que le bruit provient exclusivement du
d6tecteur et du transistor d'entr6e.
Bruit du ddtecteur pour use bands de frdquence df.
On admet que les effets du courant de surface ont 6t6
rendus n6gligeables.
Le d6tecteur intervient par le bruit dfi h son courant
de fuite iL. Les fluctuations de ce courant peuvent 8tre
repr6sent6es par une source de tension de bruit eL aux
bornes de l'imp6dance d'entr6e Z du pr6amplificateur
qui est constitu6e par la capacit6 totals d'entr6e C et la
r6sistance R~. On a:
C = C~+Cj, R, = R R s / ( R + R s ) ,
C~: Capacit6 d'entr6e du pr6amplificateur comprenant
la capacit6 de r6action C,.
Cj: Capacit6 du d6tecteur.
R: R6sistance d'entr6e du pr6amplificateur.
Rs: R6sistance de polarisation de base du transistor
d'entr6e.
Rs &ant beaucoup plus grand que R, on a d'apr~st):
e~ = ]Z I~qiL d t o = [R z / {n(1 + R2C2c02)} ] qiL dco, (A1)
q: charge de l'61ectron.
Bruit du transistor d'entrde pour une bande de
fr~quenee dr.
Ce bruit provient essentiellement des quatre sources
suivantes: effet de scintillation, effet Schottky, effet
thermique dans la r6sistance de polarisation de base,
fluctuation du courant de base.
- Tension de bruit eF dfie/t l'effet de scintillation:
e 2 = A dtolco,
A :constante d6pendant du transistor.
- Tension de bruit es due b. l'effet Schottky.
On a, d'apr/;s2):
e~ = (kT/rO(1/%) [(gm + gb,e) - t + 2 r b b , q"
+ r~b' {(gin+ gb',)lflo} {Ct0+ flO(m2/tO~)}] dco, (A3)
k: constante de Boltzmann,
T: temp6rature absolue,
cto: gain en courant continu du transistor, la base
&ant/l la masse et la sortie en court-circuit,
Po: gain en courant continu du transistor, l'6met-
teur 6tant /t la masse et la sortie en court-
circuit,
rbb, : r6sistance existant entre la base id6ale situ6e
l'int6rieur du transistor et l'dectrode de
sortie de la base,
gm +gb'c : conductance d'entr6e 6metteur-base du tran-
sistor la sortie 6tant en court-circuit,
co~: 2nf~ o/l f , est la fr6quence pour laquelle
I~l = 0 . 7 ~o.
Les param6tres des transistors qui pr6sentent un
faible bruit ont en g6n&al des valeurs telles que ron
peut n6gliger: rbZb, {(g,, + gb'c)/fl0 } {% +/~0(CO2/CO2) },
devant: (g= + gb'.)- 1 + 2rbb,.
L'expression (A3) devient alors, en supposant que %
soit peu diff6rent de 1 :
e2 = (kTln) (g~l + 2rbb,) dto. (A4)
de bruit due b. l'effet thermique dans la
- T e n s i o n
r6sistance RB:
e~¢,, = { 2 k T / ( n R Q } (R2/(1+R2C2c02)} do9. (A5)
- Tension de bruit e a due aux fluctuations du courant
de base is. On a, d'apr6s2):
e 2 = ( k r / n ) ((gin + gb',)/(%flO) } x
x {% +flo(CO2/O~)} {R/(1 +R2C2co 2) }dco. (A6)
Dans le cas des transistors/l faible bruit l'expression
(A6) devient:
e~ = [g2/{n(l+RZC2co2)}]qisdco. (A7)
- Tension de bruit ec due ~t la corr61ation entre es et is.
l es + Zis 12 = es2 + IZ[2i 2 + 2Re(Ze~is),
Re: partie r6elle de Ze~i s
e~': valeur complexe conjugu6e de es.
On a, d'apr6s3):
es ~s = (kT/n) [_fig 1 + rbb, {(gin + gb,.)/(%[30) } X
(A2)
x {% + flo(tO2/m~)} +j(1/%) (to/og~)] dto,
d'o~:
e~ = (2kT/n) { RI(1 + R2C2co2) } x
x [flo'+rbb, {(gm+gb'~)l(%130)} X
x + po(J/co ) }+ (RCcol o) (o,lco,)] dw.
(A8)
Dans le cas des transistors b. faible bruit l'expression
(A8) devient:
e c2 = {(2kT)/(nflo) } (1 + rbb'gm) {R/(1 + R2C2tv 2) }dto.
(A9)
Rdsolution dlectronique ~quivalente du prdamplificateur.
La tension 6quivalente de bruit eE /t l'entr6e du
pr6amplificateur pour une bande de fr6quence d f a pour
valeur quadratique moyenne:
 RESOLUTION D'UN PREAMPLIFICATEUR DE CHARGES 43

e: base des logarithmes n@eriens.

e2 eL
2 + e r2 + e s2 e2B+ 2
= + eB+ ec2 z: valeur commune des constantes de temps des circuits
soit: diff~rentiateurs et int~grateurs.
En supposant que RC est tr~s sup~rieur 5, T et que
e-~= { (gin'+2rbb')(kT/~)+(A/c°) + est choisi de mani~re 5, rendre le bruit minimal
+ [Rq(is+ iL)+(2kTlflo)(1 + rbb,g=) + (x = Zo), l'expression ( A l l ) devient:

+ 2kTR/Ra] [R / {lt(1 + R2C2c02) }] } dco. (A10) E2 = 5 x [

10a2e2C 2 ½A+C-' {¼kT(g~ t + 2 r b b , ) X

Comme pour le calcul du bruit d'un pr6amplificateur x [q(iB + ~,.) + { 2kT/(/~oR) } x

5, tubes, on peut ais6ment connattre, 5, partir de l'ex-
x(l+rbb,gm)+2kT/R,]}*] . (A12)
pression (A10) la valeur quadratique moyenne F / du
bruit ramen6 au niveau du d&ecteur. En supposant que la jonction du d6tccteur soit au
Le r6sultat des calculs en (keV) 2 donne: silicium et que le ph6nom~ne d'ionisation ob6isse 5, la
E 2 = 5 x 1032 e2C 2 {(¼kT/Q (g~ t + 2rbV) + ½A + loi de Poisson, la r6solution 61ectronique 6quivalente
ER se d6duit de l'expression du bruit ramen6 au d(~tec-
+ [¼,R I(RC + ~)~] [Rq(is + iL) + (2kT/flo) x teur par la relation suivante:
x (1 + rbb,gm)+2kTR/gs] }, (All)
lOO o
JL=1 0 0 nA z =t o i L =10 n A ~'~o

>~
v

~1o

2-
I i i i
4 lO 30 10o lOOO
c (pF) 1 I ! I I
Fig. 5. 4 lO 30 1oo 10oo
100 C(pF)
Fig. 6.

iL=lO00 nA

A.

v 10
W
-/ /
lO
4
7
1
4
I
10
I
30
I
1oo
I
1OOO
41
2
4
1
10
I
30
I
100
I
1 OOO
C (pF) C (pF')
Fig. 7. Fig. 8.
Fig. 5-8. R~olution ~lectronique ~luivalente Er en fonction de la capacit6 totale d'entr~e C pour un courant de fuite IL donn6 du
d6tecteur.
 44 G. LIBS ET G. DE ROSNY

ER = 2.36(E2) +. Les r6sultats des calculs et l'examen des figs. 5, 6, 7

PRI~AMPLIFICATUER ~, TUBES et 8 permettent d'orienter, en fonction de la capacit6
et du courant de fuite du d6tecteur, le choix des
Le calcul du bruit d'un pr6amplificateur b. tubes l)
616ments composant l'6tage d'entr6e d'un pr6amplifi-
donne: cateur de charges.
-eo2 = 5 x 1032e2C 2 [ ½A+C-t {(1.25kT/gm)x Un transistor b. effet de champ tel que le FSP 401
convient aux d6tecteurs dont la capacit6 et le courant
de fuite sont tr~s faibles (Cj < 5 pF; ir < 10 nA). La
x [ q ( i , + i L ) + ( 2 k T / R , ) ] } ~ ] . (A13)
valeur limit6e de la transconductance de ce type de
Les notations employ6es sont analogues A celles dejb. transistor (0.2 mA/V) et l'accroissement rapide du bruit
utilis6es avec: avec la capacit~ de la jonction r6duisent son domaine
i,: courant de grille, d'utilisation aux d6teeteurs de faible capacit6.
Rg: r6sistance de polarisation de grille. Un transistor b. effet de champ tel que le 2 N 2500
dont la pente est relativement 61ev~ (2 mA/V) convient
PR,~IPLIFICATEUR .~ TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP ~t une gamme plus 6tendue de capacit6 des d~tecteurs
Dans le cas d'un transistor A effet de champ3), la (5 pF < Cj < 100 pF). Cependant sa pente est trop faible
formule pr~..~dente devient: pour des d6tecteurs de fortes capacit~s (Cj > 100 pF):
- [ une valeur n6cessairement plus ~lev~e du gain du pr~-
Eo2 = 5 x l032 e2C 2 ½A + C -~ {(0.35kr/gm) x amplificateur en boucle ouverte ne pourrait ~tre obtenue
que par un accroissement du nombre d'6tages du pr~-
x [q(iG + iL) + (2kT/RG)] } ~r] , (A14) amplificateur et on serait limit~ dans cette voie par une
instabilit~ de la boucle.
i~: courant de Gate.
Pour des d6tecteurs de grande capacit6 (Cj > 100 pF)
RG: r6sistance de polarisation de Gate.
on est conduit b. utiliser des transistors bipolaires de
COMPARAISON ENTRE LES RI~SOLUTIONS I~LECTRONIQUES pente 6levee (gin = 16 mA/V pour le 2 N 2482). Dans
EQUIVALENTES DES TROIS TYPES DE PRI~AMPLIFIGATEUR le cas particulier d'un d6tecteur A courant de fuite
Les familles de courbes des figs. 5, 6, 7, 8 donnent la 6levee (ir = 1 pA), ce type de transistor peut pr6senter
r6solution 61ectronique 6quivalente des pr6amplifica- un bruit inf6rieur aux transistors A effet de champ. On
teurs de charges en fonction de leur capacit6 d'entr6e remarque que, comparativement aux tubes et aux tran-
C ( = Ce + Cj) dans le cas o/l z = z o et pour diff(~rents sistors b. effet de champ, le bruit de ces transistors
courants de fuite du d6tecteur. bipolaires croit moins rapidement avec le courant de
Plusieurs cas sont envisag6s: fuite de la jonction.
- transistor bipolaire 2N 2484 (Fairchild) Le bruit du tube E 810 F, dans le cas des d~tecteurs
- transistor b. effet de champ FSP 401 (Fairchild) de faible capacit6 est ~t peine sup~rieur b. celui des
- transistor ~t effet de champ 2N 2500 (Texas) meilleurs transistors ~t effet de champ. La pente 61ev6e
- tube E 810 F (Radiotechnique) de ce tube (35 mA/V) permet 6galement d'associer le
Les courbes ont 6t6 trac~es avec les donn~es num6riques pr6amplificateur correspondant b. des jonctions de
suivantes: C~ = 5 pF, k T = 0.4 x 10 -20 J. grande capacit6.
Transistor bipolaire 2 N 2482: Les constants progr~s r~alis6s dans la technologie
A = 2 x 10 -13 V2; flo = 4 0 0 ;
des semi-conducteurs permettent de penser que des
transistors b. effet de champ b. pente ~lev~ et A capacit6
RB = 500 kI2; rbb, = 200 f2; gin= 16 X 10-3 A/V;
I B = 10-6 A; Ce = 25 pF. d'entr6e faible seront prochainement disponibles. Le
Transistor/~ effet de champ FSP 401 : pr6amplificateur pourra alors convenir A une gamme de
d6tecteurs 6tendue et presenter le minimum de bruit.
A = 1.35x 10-t~ V2; I G = 10-tl A; C, = 2 p F .
R6sistance 6quivalente de bruit 3 500 ~. R~f~rences
Transistor b. effet de champ 2 N 2500: 1) F. Goulding and W. L. Hansen, Nucl. Instr. and Meth. 12
A = 10-13V2; I~ = 5 x 1 0 - ~ A; C~ = 2 5 pF. (1961) 249.
R6sistance 6quivalente de bruit 500 f2. 2) j. p. Vasseur, Propri6t~ et applications des transistors (Soc.
Tube E 810 F: Fr. de Doc. l~iectr., 1958).
A = 10-~3V2; gm= 30 mA/V; lg = 2 x 10-9 A. 3) V. Radeka, Field-effect transistors in charge sensitive amplifiers
R6sistance 6quivalente de bruit 80 O. (Brookhaven national laboratory, BNL 6953).