Travaux Dirigés d’Electronique Fondamentale

2éme Année Licence Télécommunications

Corrigé Série sur le Transistor Bipolaire

1
 Le transistor est constitué par la succession de trois couches de semi-conducteur de type
N-P-N (ou P-N-P). Des connexions métalliques sont respectivement fixées sur la partie
centrale appelée Base et sur les deux extrémités appelées Collecteur et Emetteur.

En fonctionnement normal la jonction base- émetteur est polarisée dans le sens

passant (VBE ~=0,7V) et la jonction base collecteur dans le sens bloquant (VC>VB)
Pour un dopage d'émetteur très supérieur à celui de la base, le courant Emetteur- Base est
essentiellement constitué par les porteurs négatifs passant de E vers B. La largeur de la
base étant très fine, la plus grande partie d'entre eux parvient dans la région de charge
d'espace de la jonction BC , polarisée en inverse, où ils sont capturés et atteignent le
collecteur.

C'est l'effet transistor qui se traduit par la relation simple I C   .I E  1 2

En introduisant : I E  IC  I B

On obtient la formule fondamentale du Transistor: I C   .I B


Ce qui donne  :Gain en courant du transistor
1

Conclusion: le transistor bipolaire se comporte donc comme une source de courant

commandé par un courant.

Pour étudier le régime de fonctionnement d’un transistor, il faut dissocier chaque

jonction. Cela conduit à l’étude de deux circuits :
•le montage sur la jonction BE : le circuit de commande
•le montage sur la jonction CE : le circuit commandé

3
Caractéristiques
Caractéristique IB=f(VBE)

On retrouve la caractéristique d’une diode puisque la jonction BE est une jonction PN.

4
Caractéristique IC=f(IB)

On retrouve :
- IC = IB en fonctionnement linéaire
- IC = ICsat en fonctionnement saturé

5
Caractéristique IC=f(VCE)

Chaque courbe correspond à une valeur différente de IB.

La droite de charge est obtenue en écrivant la loi des mailles côté jonction CE.
C’est la droite d’équation Ic=f(VCE)

Ainsi, en connaissant la valeur de IB, on peut trouver le point de

fonctionnement à l’intersection de la courbe correspondante et de la droite de
charge.
6
7
EXERCICE 1

8
Montage a calcul du courant Ic
Equation de la maille d’entrée donne

Sachant que Ou bien

On remplace dans l’équation d’en haut

Enfin

A.N

Rapport

9
 Montage b calcul du courant Ic

Equation de la maille d’entrée donne

Ou bien

Ic Sachant que
alors

Enfin

A.N

Rapport 10
Montage c calcul du courant Ic

Equation de la maille d’entrée donne

Ic et alors
On remplace dans l’équation d’en haut

Ce qui donne

A.N

Rapport

CONCLUSION Le montage b est le moins sensible aux variations de 

11
EXERCICE 2

12
 1. Calcul de Rc
I1 Equation de la maille du circuit commandé donne

IB Ic VCC  RC I C  VCE
VCE
VBE VCC  VCE
alors RC 
IC
Ip A.N VCC  VCE0 8  4.8
RC   3
 16
I C0 200.10

2. Sans négliger IB0 , les résistances R1 et R2 pour que le courant Ip=13mA

VBE  R2 I P VBE VBE 0

Equation de la maille de commande alors R2  
IP IP

Equation de la maille d’entrée VCC  R1I1  VBE  R1 ( I B  I P )  VBE car I1  I P  I B

VCC  VBE VCC  VBE0

alors R1  
IB  IP I B0  I P

8  0.65 0.65
A.N R1   490 R2   50
15.10 3 13.103 13
EXERCICE 4

14
1. Transformation du circuit de polarisation vu de la base du transistor en son
équivalent de Thévenin et calcule de E th et Rth

Calcul de Eth
La règle du diviseur de tension donne

A.N

15
 Calcul de Rth

Alors le circuit d’entrée peut etre remplacé par le générateur de Thévenin équivalent

16
2. Calcul de Ic pour =100 et =300. Conclusion

Equation de la maille d’entrée

Sachant que
alors

On remplace dans l’équation d’en haut

Enfin

A.N

Rapport CONCLUSION: Montage très stable

17
EXERCICE 5

18
 I. Etude statique
1. Schéma équivalent du montage

Régime statique veut dire fonctionnement en tension continue.

Sachant qu’en tension continue un condensateur est équivalent à un circuit ouvert. Alors le
circuit devient.

II.2 Equation de la droite de charge statique Ic=f(V CE) en négligeant IB devant IC

En négligeant IB devant IC Alors

Enfin

C’est l’équation de la droite de charge statique

19
1. Type de Montage et justifications?

Le montage est un Emetteur commun car

Entrée est sur la base
Sortie sur le collecteur
20
 2. Schéma équivalent du montage en petits signaux et fréquences moyennes
h 1    
22

Aux fréquences moyennes les condensateurs se comportent comme des courts circuits

de ce fait la résistance RE est court-circuitée

r = h11
En dynamique

3. Expression du gain en tension Av et du gain en tension à vide Av0

On a Ve  h11 .ib  r.ib
Av 
Vs R // RL  .ib    Rc // RL
 c
alors
Ve r.ib r
Maille de sortie Vs  Rc // RL  .ib 21
 Le gain en tension à vide Av0 est obtenu lorsque RL est remplacée par un cicuit ouvert

Rc // RL Rc
Av0    pour RL   Ce qui donne Av0   
r r

4. Résistance d’entrée Re et Résistance de sortie Rs

Re est définie par:

Ve
Re 
ie r = h11

Du schéma équivalent on peut écrire

Ve  R1 // R2 // r .ie

Ce qui donne Re  R1 // R2 // r 

22
 Vs
Rs est définie par: Rs  pour eg  0 et RL déconnectée
is

Le circuit devient alors

Dans ce cas et absence de source d’énergie
En entrée: ie  0

donc ib  0 et  .ib  0
alors Vs  Rc .is

Vs
enfin Rs   Rc
is

5. Schéma équivalent du montage comprenant Av0, Re et Rs

On a
Ve  Re .ie
Vs  Av0 .Ve pour RL  

Vs  Rs .is pour Ve  0 et RL  
23
6. En utilisant le schéma de la question 5:
a- Déterminer l’expression de Ve en fonction de rg, Rg et Re. On cherche à minimiser
l’influence de Rg sur Vs, quelle condition doit satisfaire Re?
b- Déterminer l’expression du gain en courant Ai en fonction de Re, R L et Av.

a- Expression de Ve
Re
Ve  eg
Re  R g

Puisque Vs= Av .Ve alors pour minimiser l’effet de Rg sur Vs, il faut que Re>>Rg

b- Expression du gain Ai

is
Ai  avec Ve  Re .ie et Vs   RL .is
ie
V  RL i s R Re
Sachant que Av  s    L .Ai alors Ai   .Av
Ve Re ie Re RL

24
7. On enléve le condensateur CE:
a- Schéma équivalent du montage sans le domaine des petits signaux et aux fréquences moyennes

25
b-Gain en tension Av2 ainsi que les résistances d’entrée Re2 et de sortie Rs2

Gain en tension Av2

Maille Ve, r, RE Ve  r .ib  RE .(   1 ).ib  r  RE .(   1 ).ib

Maille Vs, Rc//RL Vs  ( Rc // RL ). .ib alors Av  Vs   ( Rc // RL ).

2
Ve r  RE .(   1 )
Résistance d’entrée Re2
Ve Ve Ve
Re2  avec e i  i p  ib où i p  et ib 
ie R1 // R2 r  RE .(   1 )
alors i  Ve Ve V 1
e  enfin Re2  e 
R1 // R2 r  RE .(   1 ) ie 1 1

R1 // R2 r  RE .(   1 )

Remarque Re2  R1 // R2 //[ r  RE .(   1 )] 26

Résistance d’entrée Rs2
Vs
Rs est définie par: Rs  pour eg  0 et RL déconnectée
is
Le circuit devient alors
Dans ce cas et absence de source d’énergie
En entrée: ie  0

donc ib  0 et  .ib  0
alors Vs  Rc .is

Vs
Rs 2   Rc
enfin is

c- Conclusions
Le montage émetteur-commun non découplé (CE) déconnecté possède par rapport au
montage où la résistance RE est découplée par CE
-un gain en tension plus faible ( Av2  Av1 ) Inconvénient
- une résistance d’entrée plus grande (Re 2>Re1) Avantage
-une résistance de sortie pratiquement identique

27
EXERCICE 6

I. Etude statique
1. Schéma équivalent du montage
Régime statique veut dire fonctionnement en tension continue.

Sachant qu’en tension continue un condensateur est équivalent à un circuit ouvert. Alors le
circuit devient.

28
 2. Valeurs des résistances RE et RB
VCE0  6 Volts , I C0  3mA

VCC  RE .I E  VCE

  300 On néglige IB devant IC I E  IC  I B  IC

donc V V VCC  VCE0

RE  CC CE Enfin RE 
IC I C0
A.N: 15  6
RE  3
 3k
3.10 29
 Calcul de RB

VCC  RB .I B  VBE  RE .I E
I E  IC Donc VCC  RB .
IC
 VBE  RE .I C  .(VCC  RE .I C  VBE )
 alors RB 
IC IC
IB 


 .(VCC  RE .I C0  VBE0 ) 300.(15  3.103.3.103  0.6)

A.N: RB   3
 540 k
I C0 3.10

II. Etude Dynamique

1. Type de Montage. Justifications

Montage collecteur commun.

Entrée sur la base et sortie sur l’émetteur

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2. Schéma équivalent du montage en petits signaux et fréquences moyennes
Aux fréquences moyennes les condensateurs se comportent comme des courts circuits

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 On pose: h11  r et h22  
1

3. Expression du gain Av:

Maille Ve, r, [//RE//RL] Ve  [r  (   1).(  // RE // RL )].ib

Maille Vs, [//RE//RL] Vs  (  // RE // RL ).(   1)ib

Vs (  // RE // RL ).(  1)
Gain Av: Av  
Ve r  (   1).(  // RE // RL )

32
 Ve
4. Expression de la résistance d’entrée vue par le générateur (eg, Rg): Re 
Ie
ie  ib  iRB
Ve
Ve  [r  (   1).(  // RE // RL )].ib ib 
r  (   1).(  // RE // RL )

V Ve Ve
iRB  e ie  
RB RB r  (   1).(  // RE // RL )

La résistance d’entrée Re s’exprime alors par:

Ve 1 1
Re   
Ie RB r  (   1).(  // RE // RL )

Remarque:
Re  RB //[ r  (   1).(  // RE // RL )]

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5. Expression de la résistance de sortie vue par la charge de R L

Rs est définie par: Vs

Rs  pour eg  0 et RL déconnectée
is

is
R1  ( Rg // RB )  r
i2 R2  (  // RE )

R1 R2

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 Vs
Equation au nœud i1  is  (   1).ib is  (   1).ib  i1 avec i1 
R2
Vs
Equation de la maille externe Vs  R1.ib  0 ib  
R1

Vs V
On remplace dans l’équation  is  (   1). s
R2 R1

is 1 (   1) 1 1 1 1 (   1) 1 1
       
Vs R2 R1 R2 R1 Rs R2 R1 R2 R1
(   1) (   1)

R1
Rs  R2 //
(   1)

Sachant que
R1  ( Rg // RB )  r  ( R // RB )  r 
Rs  (  // RE ) //  g 
R2  (  // RE )  (   1) 

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