L'opto-lectronique

Electroluminescence
et photorception

L'opto-lectronique

Electronique

L'opto-lectronique.

L'opto-lectronique exploite essentiellement les phnomnes d'lectroluminescence

dans les semi-conducteurs pour les photo-metteurs et les phnomnes en quelque sorte
inverses pour les photo-rcepteurs.
L'lectroluminescence, phnomne par lequel une excitation lectrique donne lieu
l'mission d'une radiation lectromagntique, ft constate voil plus de 70 ans, mais son
explication donne bien plus tard sur la base d'une thorie des semi-conducteurs et par la
recombinaison radiative des porteurs de charges injects au voisinage d'une jonction PN.
Paralllement au dveloppement des metteurs, la technique des semi-conducteurs a
permis de raliser des photo-rcepteurs prsentant des caractristiques en parfaite concordance avec les metteurs et de concevoir des associations opto-lectroniques de qualit.

Analysez les documents figurant en annexe, sur "La lumire et son

mesurage" et sur "Les dfinitions des grandeurs optiques" (Document RTC).

L'lectroluminescence.
I. Principe physique et principales caractristiques.
Sous certaines conditions, la recombinaison de porteurs de charge provoque l'mission d'une radiation lumineuse. En opto-lectronique, le procd utilis est celui de l'injection de porteurs par polarisation en direct d'une jonction semi-conducteur. Afin d'obtenir
une mission lumineuse en quantit suffisante, le matriau de base dans lequel est forme
la jonction, est dop jusqu' la dgnrescence.

Les semi-conducteurs employs, pour raliser les diodes lectroluminescentes (D.E.L

ou LED en anglo-saxon), de type voyants ou metteurs infrarouge, utilisent des composs
intermtalliques (groupe III-V: arsniure de gallium GaAs, phospho-arsniure de gallium
GaAsP, phosphure de gallium GaP, ...), plutt que le silicium Si ou le germanium Ge
(groupe IV).

CLASSIFICATION PERIODIQUE DES ELEMENTS

I A IIA IIIA IVA VA VI A VIIA

VIII

I B IIB IIIB IVB VB VIB VII B O

Element 31 - Gallium (Ga) - Atomic Weight 69.735

Element 33 - Arsenic (As) - Atomic Weight 74.9216

7 Caractristiques lectro-optiques.
Les caractristiques lectro-optiques dpendent de la nature des matriaux semi-conducteurs employs:
v La longueur d'onde de la radiation mise:

= h.c/Eg

h: constant de Planck 4,136 10-15 (eV.s)

c: vitesse de la lumire dans le vide (2,99792 108 m/s) 3 108 m/s
Eg: largeur de bande interdite (eV), qui dpend du matriau semi-conducteur.
Exemple: Semi-conducteur Arsniure de gallium GaAs Eg 1,35 eV
soit 920 nm (Infrarouge proche)
v La barrire de potentiel Vo de la jonction ( tension de seuil)
Exemple typique:
Infrarouge
Rouge standard
Jaune

GaAs
GaAsP
GaPAs

= 930 nm
= 650 nm
= 590 nm
2

VF = 1,2 v @ IF = 20 mA
VF = 1,7 v @ IF = 20 mA
VF = 2,1 v @ IF = 10 mA

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Vert

GaP

= 565 nm

VF = 2,2 v @ IF = 10 mA

Attention: Les LED dites Ultra rouge, Hyper rouge et Super rouge utilisent
des composs semi-conducteurs plus complexes, et de ce fait la tension de seuil peut tre
suprieure la valeur indique ci-dessus. Ces LED, plus rcentes, apportent des nuances
dans les teintes de rouge et des rendements quantiques externes plus levs.

Longueur d'onde
(nm)

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Analysez le tableau de synthse du constructeur RTC, pour les diodes

lectroluminescentes, en mettant en vidence la diffrence des matriaux semi-conducteurs employs (cristal), la longueur d'onde de la radiation
mise, l'intensit lumineuse mise et l'ordre de grandeur de la tension de
seuil.

Conclusion: L'intrt des diodes lectroluminescentes (metteurs et voyants) rside

principalement dans les caractristiques suivantes: localisation de la source, luminescence
leve, tension d'alimentation faible, rapidit de rponse, encombrement rduit, grande
fiabilit et forme varie.
II. Les diodes lectroluminescentes infrarouges.
Les diodes lectroluminescentes infrarouges sont utilises dans les applications telles
que: transport de l'information en vis vis (utilisable mme dans les endroits dangereux
ou contamins), tlcommande, dtection de passage (barrire infrarouge)...

Diodes lectroluminescentes infrarouges

(document RTC)

Botier SOD63 (T-1)

Infrarouge GaAs et GaAlAs/GaAs

GaAlAs/GaAs

Analysez la documentation constructeur de la diode lectroluminescente

infrarouge CQY89A, en mettant en vidence les limites technologiques d'emploi et les caractristiques lectro-optiques.
Etudiez la rpartition spatiale d'mission de cette diode et justifiez-la au
regard de son domaine d'application principal.

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Remarque: Les diodes infrarouges utilises dans les applications de tlcommande
ne sont pas commandes de manire continue mais impulsionnellement, afin d'accrotre
leur porte et leur immunit aux rayonnements infrarouges parasites. De nombreux fabricants de matriels audiovisuels (grands consommateurs de tlcommandes) ont dfinis des
codes de transmission, bass sur une commande impulsionnelle des diodes infrarouges
(code RC5 de Philips, par exemple).

III. Les diodes lectroluminescentes visibles.

Les diodes lectroluminescentes visibles sont bien sr utilises dans les applications
de signalisation (Vumtre, Indicateur d'tat, ...). Elles se prsentent sous des formes
(ronde 5mm, 3mm, carre, rectangulaire, CMS ...) et des couleurs (rouge, jaune, vert,
bleu) varies, simples, doubles ou en rseaux.
Un indicateur d'tat utilise trois LED commandes, pour afficher le niveau d'eau dans un bassin: rouge (niveau maximum atteint), jaune (niveau
minimum atteint) et vert (fonctionnement normal: niveau d'eau entre le minimum et le maximum).
Dterminez la valeur des rsistances R1 R3 et choisissez leur valeur
normalise dans la srie E24, afin d'obtenir un affichage axial homogne
pour les trois couleurs et un courant dans la LED verte de 12,5 mA. Faites
l'tude en prenant en considration uniquement les valeurs typiques des diffrents paramtres que vous manipulerez.

Sensibilit spectrale de l'oeil

Schma structurel de l'indicateur
Vcc

T1

IV. Les afficheurs diodes lectroluminescentes.

R1

R2

R3

D1

D2

D3

VCEsat

V CEsat

VCEsat

T2
T3
Vcc = 5v
VCEsat = 0,2v
D1: HLMP-1302
D2: HLMP-1402
D3: HLMP-1502

0v

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Les afficheurs diodes lectroluminescentes sont utiliss pour afficher une valeur ou
un message court. Il en existe de nombreux types: afficheur numrique 7 segments, afficheur alphanumrique 14 segments, afficheur matrice de points 5x7; simple ou multiple;
avec ou sans circuit de commande et de diffrentes couleur et taille. L'afficheur diodes
lectroluminescentes le plus rpandu est l'afficheur 7 segments anode ou cathode commune, il possde en plus un point dcimal droit ou un point dcimal gauche, voire les
deux.
Afficheur LED
7 segments:

Afficheur anode commune

a
f

g
e
dp1

Afficheur cathode commune

a

dp

b
c

dp2

dp

La photorception.
Le slnium (Se) a t le premier lment photorsistant connu et utilis dans l'industrie (mise en vidence de l'effet photovoltaque du slnium en 1877). De nos jours, de
nombreux matriaux semi-conducteurs intrinsques (purs) ou extrinsques (dops) sont
employs dans la fabrication de photorcepteurs:
v le sulfure de cadmium (CdS) et le slniure de cadmium (CdSe), pour une dtection dans le spectre visible.
v le sulfure de plomb (PbS), avec une sensibilit spectrale maximale situe entre
1,8 m et 2,5 m est utilis principalement dans les dtecteurs de flamme.
v le silicium (Si) prsente la meilleur sensibilit spectrale aux longueurs d'onde
mises par l'arsniure de gallium (GaAs): infrarouge proche. Par consquent, c'est le semiconducteur qui entre le plus souvent dans la ralisation des photorcepteurs associs aux
metteurs infrarouges.
v le tellure de plomb (PbTe), le tellure de cadmium (CdTe) ...

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I. Les photorsistances ou cellules photoconductrices.

Ces composants passifs exploitent le principe de la photoconduction. La photoconduction est un effet photolectrique qui se manifeste par une diminution de la rsistivit
d'un matriau irradi: la libration dans le matriau de charges lectriques (paires lectron-trou) sous l'influence du rayonnement provoque une diminution de sa rsistivit.

Symbole d'une
photorsistance
I

Loi de variation de la rsistance R

R = Ro//Rp
Ro: Rsistance de la cellule dans l'obscurit
Rp: Rsistance dtermine par l'effet photolectrique
du flux incident
Rp = a E - E: Eclairement (flux incident)
a: constante dpendant du matriau
et de la temprature
: coefficient compris en gnral
entre 0,5 et 1

V
R

Conclusion: Une photorsistance est un capteur non linaire ayant une sensibilit
dcroissante lorsque le flux incident augmente, sauf dans le cas particulier o =1. Cependant, un fonctionnement quasi linaire demeure possible en "petits signaux", lorsque l'information est associe de faibles variations du flux incident, autour d'une valeur
constante trs suprieure.

Analysez la documentation constructeur de la photorsistance LDR720,

en mettant en vidence ses proprits photolectriques.
1 Foot Candle = 10,764 Lux

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II. Les photodiodes.
Le matriau de base pour la fabrication des photodiodes sensibles dans le domaine visible ou le proche infrarouge, est le silicium. La structure PIN est la plus rpandue. Elle
consiste intercaler entre la zone N et la zone P, d'une jonction PN classique, une zone
intrinsque "I" ou trs faiblement dope. L'intrt d'une telle structure rside, pour les fabricants, dans le fait qu'il est possible de rsoudre au mieux le compromis sensibilit-rapidit en jouant sur les caractristiques de cette zone I.

Coupe d'une photodiode PIN

au silicium, obtenue par pitaxie d'une
couche rsistive (N-) et diffusion localise d'une mince zone fortement dope
(P+), qui aprs les oprations de mtallisation, est recouverte d'une couche
anti-reflet.

En l'absence d'clairement, le courant qui traverse la jonction est uniquement d'origine

thermoonique. Il est appel courant d'obscurit ID (dark current).
Sous clairement, le bombardement photonique provoque la gnration de paires lectron-trou au voisinage de la jonction, qui conduisent l'accroissement du courant inverse
(IR = ID + IP), et ce proportionnellement l'intensit du flux incident. De tels dispositifs
peuvent donc tre utiliss pour la mesure quantitative de la lumire.

Caractristique I=f(V) d'une photodiode

Symbole d'une
photodiode
IR

VR

E=0

VF

ID

E=E1
VR

E=E2
E=E3
E3>E2>E1

IR

Les photodiodes se prsentent sous des botiers varis (rond 5mm, TO-92, TO-5
mtallique, CMS ...), qui permettent bien sr la traverse au flux incident vers la jonction.
Certains de ces botiers sont quips de filtres optiques, essentiellement des filtres infrarouges (parfois raliss par la nature mme de l'poxy du botier). Ces filtres infrarouges
augmentent la slectivit spectrale des photodiodes ddies aux applications utilisants des
diodes lectroluminescentes infrarouges.
8

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Une photodiode possde plusieurs modes de fonctionnement, suivant la structure du

circuit, dans lequel elle est place.
7 Mode photoconducteur (Photodiode mode).
La photodiode est polarise en inverse. Le courant inverse I R est alors proportionnel
au flux incident E, au courant d'obscurit ID prs. Les avantages de cette polarisation sont
l'obtention d'une bonne linarit, des temps de rponse courts et une bande passante
tendue.