ENSISA ELECTRONIQUE JM Freyburger

Les diodes LED

Historique :
Xavier Jr. (né en 1928) est le premier à avoir créé une diode à spectre visible en 1962.

Mécanisme d'émission :
C'est lors de la recombinaison d'un électron et d'un trou dans un semi-conducteur qu'il peut y
avoir émission d'un photon. En effet, la transition d'un électron entre la bande de conduction

et la bande de valence peut se faire avec la conservation du vecteur d'onde k . Elle est alors
radiative (émissive) et elle s'accompagne de l'émission d'un photon. Dans une transition
émissive, l'énergie du photon créé est donnée par la différence des niveaux d'énergie avant
(Ei) et après (Ef) la transition :
hν = Ei − Ef (eV)

Une diode électroluminescente est une jonction PN polarisée en direct dans laquelle la plupart
des recombinaisons sont radiatives. La face émettrice de la LED est la zone P car elle est la
plus radiative.

Symboles :

Les D.E.L (Diode ElectroLuminescente) ou en Anglais : L.E.D ( Light Emitting Diode)

éclairent lorsqu' elles sont parcourues par un courant de l'anode vers la cathode.

Techniques de fabrication :
La longueur d'onde du rayonnement émis et la tension de seuil sont déterminées par la largeur
de la bande interdite et dépendent donc du matériau utilisé. Toutes les valeurs du spectre
lumineux peuvent être atteintes avec les matériaux actuels.

Couleurs Tension de seuil If Longueur d'onde semi-conducteur utilisé

(V) (mA) (nm)

IR ΔV<1.63 λ>760 arséniure de gallium/aluminium (AlGaAs)

Rouge 1.63<ΔV<2.03 6à20 610<λ<760 arséniure de gallium/aluminium (AlGaAs)

arséniure/phosphure de gallium (GaAsP)
Orange 2.03<ΔV<2.10 6à20 590<λ<610 arséniure/phosphure de gallium (GaAsP)

Jaune 2.10<ΔV<2.18 6à20 570<λ<590 arséniure/phosphure de gallium (GaAsP)

Vert 2.18<ΔV<2.48 6à20 500<λ<570 nitrure de gallium (GaN)

phosphure de gallium (GaP)
Bleu 2.48<ΔV<2.76 450<λ<500 séléniure de zinc (SnSe)
nitrure de gallium/indium (InGaN)
carbure de silicium (SiC)
Violet 2.76<ΔV<3.1 400<λ<450

Ultraviolet ΔV>3.1 λ<400 diamant (C)

Blanc 3.5<ΔV<3.8 30
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Les diodes OLED

La diode électroluminescente organique (en anglais : Organic light-emitting diode, qui a
formé l'acronyme OLED) est une technologie d'affichage lumineux dont le premier brevet est
sorti en 1987 (société Kodak) et la première application commerciale est apparue vers 1997.

Cette technologie a vocation à remplacer peu à peu les affichages à cristaux liquides (LCD),
d'abord dans les applications de petites dimensions tels que téléphones mobiles, écran
d'appareils numériques. Quand le développement sera mieux maîtrisé, les OLED devraient se
substituer aux LCD et autres technologies plasma pour les écrans de grande taille.

La technologie OLED possède de nombreux avantages par rapport aux LCD :

 faible consommation électrique

 meilleur rendu des couleurs (100% du diagramme NTSC)
 meilleur contraste et angle de confort de vision plus étendu
 minceur et souplesse du support

Le seul point faible étant la durée de vie qui n'est pas encore optimale, aux alentours de 40
000 heures.

Principe de fonctionnement

Chaque diode, dont l'épaisseur ne dépasse pas le millimètre, est composée de trois couches
d'un semi-conducteur organique (des atomes de carbone, d'hydrogène, d'oxygène et d'azote)
entourées par une cathode métallique (une source de charges électriques négatives) et une
anode transparente (une source de charges positives).

Une Matrice Active OLED ou AMOLED (de l’anglais : Active-Matrix Organic Light-
Emitting Diode) qui signifie matrice active à diodes électroluminescentes organiques est un
type d’écran qui associe une technique de matrice active et une technologie OLED. Cette
technique permet la réalisation d’écrans de grandes dimensions, à forte résolution et à plus
faible consommation électrique par rapport aux écrans à matrices passives.

Une matrice active fait référence à une technique d’adressage des pixels, c’est-à-dire à la
façon dont est transportée l’information électrique vers chaque pixel élémentaire. Avec ce
type de configuration, chaque pixel est commandé indépendamment des autres. Le procédé de
fabrication de ces écrans commence par la réalisation des circuits pixels à base de transistors
couches minces (TFT) et qui vont permettre d’alimenter en courant les OLED. Ensuite, les
couches organiques sont déposées sur la matrice afin de former une diode organique sur
chaque pixel. Chaque pixel d'un écran OLED est constitué de trois diodes
électroluminescentes juxtaposées (une rouge, une verte et une bleue), produisant leur propre
lumière lorsqu'elles sont soumises à une tension électrique. L'ensemble repose sur un «
substrat » transparent (verre ou plastique).

Cette technique est similaire à celle utilisée sur les écrans plats à matrice active LCD
(AMLCD). Les écrans AMOLED représentent la principale alternative aux écrans LCD.