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THESE DE MAGISTER
EN
prsente par :
Mr
Mr
Mr
Mr
Mr
N. CHABANE-SARI
B. BENYOUCEF
G. MERAD
K. GHAFFOUR
A. CHERMITTI
Prsident
Directeur de Thse
Examinateur
Examinateur
Examinateur
Remerciements
Je remercie ALLAH le Tout-puissant de mavoir donner le courage, la
volont et la patience de mener terme ce prsent travail.
Ce travail a t effectu dans lUnit de Recherche des Matriaux et des
Energies Renouvelables (URMER) de la facult des sciences, sous la direction de
monsieur B. BENYOUCEF, Professeur lUniversit Abou Bekr BelkadTlemcen. Je lui exprime particulirement toutes mes reconnaissances pour mavoir
fait bnficier de ces comptences scientifiques, ses qualits humaines et sa
constante disponibilit.
Introduction gnrale
INTRODUCTION
La conversion photovoltaque utilise le principe de la conversion directe de
lnergie lumineuse en une nergie lectrique, les cellules solaires sont capables deffectuer
cette transformation. La premire cellule solaire homojonction en silicium a t fabrique
en 1954 aux Laboratoires BELL avec un rendement voisin de 6%. En 1960, ce rendement a
t port une valeur suprieure 10% pour les cellules solaires base de silicium
monocristallin. De nombreux travaux de recherche sur lamlioration du rendement de
conversion ont t publis. Jusqu 1972, les applications des cellules solaires taient
rserves au seul usage cause de leurs prix de revient trs lev et leurs faibles
rendements.
Cependant, il est noter que laugmentation du rendement a t considre plus
dterminante que la rduction du cot, car toute amlioration des performances,
optimisation des paramtres, sapplique directement en pourcentage sur le prix de lnergie
produite.
Dans ce cas, lobjectif essentiel est laccroissement du rendement. Ceci explique et
justifie les recherches concernant ltude des programmes numriques de conception, de
modlisation et de simulation. Dans cet objectif, ce travail est abord selon les chapitres
suivants :
Dans un premier chapitre, nous rappelons quelques notions fondamentales
ncessaire des semi-conducteurs. Puis, nous montrons les diffrents types de
recombinaison dans la cellule localiss en surfaces et en volume.
Le deuxime chapitre est consacr ltude des diffrents types de silicium et les
tapes suivre pour obtenir du silicium de qualit lectronique. Puis, nous prsentons les
proprits physiques du silicium et du germanium que nous utilisons dans la simulation
numrique.
Dans le troisime chapitre, nous prsentons les proprits gnrales de lalliage Si1xGex.
Dans lequel nous prsentons quelques notions de base du Si1-xGex ainsi que sa
structure de bande.
Introduction gnrale
Enfin, dans le dernier chapitre, nous dcrivons les diffrentes tapes du logiciel
PC1D, utilis en simulation numrique, et nous donnons quelques exemples numriques de
simulation pour diffrents matriaux. Les rsultats obtenus ainsi sont comments et
Interprts grce aux notions de la caractristique courant tension et de la rponse
spectrale. La matrise du logiciel et des techniques de simulation, nous permettra
davantage dtudier nimporte quelle rgion de la cellule solaire et tous les paramtres
physiques.
Chapitre I
I.1. INTRODUCTION
Actuellement les technologies de circuits intgrs utilisent encore le silicium
comme matriau semiconducteur de base. Le silicium tant un matriau semiconducteur
de largeur de bande interdite moyenne s'adapte bien aux contraintes imposes par les
applications des tempratures normales, soit de 0 100C. A de plus hautes tempratures,
la performance des technologies sur le silicium se dgrade progressivement.
Le silicium fut dcouvert en 1824 par J.J. Berzelius Stockholm, en Sude. C'est,
aprs le carbone, l'lment le plus abondant de la terre, la rpartition tant de 277.000 ppm.
On le trouve gnralement sous forme de silicate dans de nombreuses roches, argiles et
terres. Le silicium est obtenu en rduisant la silice (le sable, SiO2) par le carbone. Une
fusion en zone subsquente donne un lment plus pur pour des applications ncessitant un
silicium de haute puret (par exemple les semi-conducteurs) [1].
Les semi-conducteurs (germanium et silicium) possdent 4 lectrons sur leur
couche priphrique car ils appartiennent la 4me colonne de la classification priodique
des lments. Il est possible de les produire avec un haut degr de puret (moins de 1 atome
tranger pour 1011 atomes de semi-conducteur): on parle alors de S.C. intrinsque [2].
Le germanium est dcouvert par le savant allemand Clemens Winkler le 6 fvrier
1886, il peut tre trouv beaucoup d'endroits, mais en concentrations faibles. Le
germanium a servi de substrat semi-conducteur jusqu'a ce que le silicium prenne sa place,
vers les annes 1970. Aujourd'hui il n'est plus utilis que dans le domaine des hautes
frquences, et pour la ralisation de diodes faible chute (0,3 V environ, application en
dtection) [3].
matire condense peut prendre deux tats solides diffrents, suivant les
conditions dans lesquelles elle s'est forme : un tat dit amorphe, dans lequel la disposition
des atomes est alatoire, ou un tat cristallis, caractris par un arrangement priodique
des atomes. Les solides amorphes sont gnralement appels des verres et considrs
comme des liquides de
Chapitre I
par TEM (Transmission Electron Microscopy), une vue de coupe du rseau cristallin du
silicium permet d'observer sa priodicit.
Le rsultat est un ensemble ordonn, ou localement ordonn, des noyaux d'atomes
et d'lectrons lis entre eux par des forces principalement coulombiennes. Ces forces sont
plus ou moins importantes suivant l'lectrongativit des lments intervenant dans les
liaisons, ce qui confre aussi des proprits mcaniques et lectriques au solide cristallis
rsultant. On distingue quatre familles de solides cristallins : les cristaux ioniques, les
cristaux covalents, les mtaux et les cristaux molculaires [4].
La structure diamant
Dans la structure diamant chaque atome est entour de 4 plus proches voisins, ce
qui permet de former des liaisons covalentes. Elle peut tre dcrite comme tant forme de
2 structures f.c.c. dplaces lune par rapport `a lautre le long de la diagonale principale.
La position de lorigine de la seconde structure f.c.c. par rapport `a lorigine de la premire
est (1/4, 1/4, 1/4). Le diamant cristallise dans cette structure, mais aussi le Silicium et le
Germanium.
Chapitre I
Chapitre I
Chapitre I
Chapitre I
Bande de
conduction
Ec
Energie
de Gap
Bande de
valence
Eg
Ev
Chapitre I
n'est
pas
suffisamment importante pour ioniser les atomes du rseau cristallin. A des tempratures
normales un bon nombre des atomes ioniss ont dj cd leurs lectrons la bande de
conduction, dans laquelle ils participent la conduction lectrique avec une charge
ngative.
La bande de valence, mme quasiment pleine, prsente un nombre de niveaux
inoccups (trous) gal au nombre d'lectrons dans la bande de conduction (dans le cas d'un
semiconducteur intrinsque); ces niveaux inoccups peuvent tre occups par un lectron
de valence d'un atome voisin et ainsi se dplacer dans le rseau cristallin, et participer la
conduction lectrique comme s'ils taient des particules charges positivement.
La taille Eg de la bande interdite donne des caractristiques lectriques importantes
chaque semi-conducteur. Ces variations peuvent tre dcrites approximativement par la
fonction universelle suivante [8] :
E g (T ) = E g (0 )
aT 2
(T + b )
(I.1)
N v ( E ) = K v (E v E )
(I.2)
(I.3)
Chapitre I
3
2
(2me kT ) 2 exp E F Ec = N c exp E F Ec
3
h
kT
kT
(I.4)
3
2
(2mh kT ) 2 exp Ev E F = N v exp Ev E F
3
h
kT
kT
(I.5)
O :
Nc et Nv sont respectivement la densit effective dtats des lectrons dans la bande de
conduction et la densit effective dtats des trous dans la bande de valence.
Un semi-conducteur intrinsque est un matriau dpourvu de toute impuret
susceptible de modifier la densit des porteurs. Les lectrons de la bande de conduction ne
pouvant rsulter que de l'excitation thermique des lectrons de la bande de valence, les
trous et les lectrons existent ncessairement par paires ( n = p = ni ), donc on obtient les
expressions suivantes, pour la concentration intrinsque des porteurs et le niveau de Fermi
intrinsque :
Eg
1
n i = [N c N v ] 2 exp
2 kT
EF =
(I.6)
1
[E v + E c ] + 3 kTLog m h
2
4
me
(I.7)
Il en rsulte que le niveau de Fermi intrinsque EF est toujours trs proche du centre
de la bande interdite.
1E15
1E13
-3
1E14
1E12
1E11
1E10
1E9
Si
Ge
1E8
1E7
1000000
100000
10000
200
300
400
500
T(K )
Figure I.8. Concentration intrinsque du silicium et du germanium
en fonction de la temprature
10
Chapitre I
E E
n0 = ni exp i F
kT
(I.8)
E E
p0 = ni exp i F
kT
(I.9)
ni (Ti ) = N d N a
(I.10)
11
Chapitre I
n = n0 + N d
(I.11)
p = p0 + N a
(I.12)
n + Na = p + Nd
(I.13)
Semi-conducteur dop n:
12
Chapitre I
N d+ =
Nd
E Ed
1 + 2 exp F
kT
(I.14)
Semi-conducteur dop p:
N a =
Na
1
E EF
1 + exp a
4
kT
(I.15)
n + N a = p + N d+
(I.16)
n. p = ni2
(I.17)
ni2
pn =
Nd
(I.18)
ni2
np =
Na
(I.19)
13
Chapitre I
J Cn = q.n. n .E
(I.20)
J C p = q. p. p .E
(I.21)
Ces relations sont valables pour des champs lectriques suffisamment faibles pour
que la vitesse des porteurs reste proportionnelle au champ. Le courant total s'crit alors [8]:
Jtot = q(nn + pp ) E = E
(I.22)
(T ) = q (n n (T ) + p p (T ))
(I.23)
(T ) =
1
(I.24)
q (n n (T ) + p p (T ))
Considrons un semi-conducteur dop dont la concentration en trous varie suivant
J Dp = qD p
dp ( x)
dx
o D p = p
kT
q
(I.25)
J D n = qD n
kT
dn ( x )
o D n = n
dx
q
(I.26)
14
Chapitre I
J n = q.n. n .E + q.Dn
dn
dx
(I.27)
J p = q. p. p .E q.D p
dp
dx
(I.28)
Ces relations sont valables pour des champs lectriques suffisamment faibles pour
que la vitesse des porteurs reste proportionnelle au champ. Le courant total s'crit alors [4]:
J tot = J n + J p
(I.29)
Dp
Dn
kT
= VT
q
(I.30)
.E g = h.c
(I.31)
Soit :
(m ) =
1.24
E g (eV )
(I.32)
15
Chapitre I
U n = Dn n
U p = D p p
(I.33)
Avec :
_
n
U n = n
_ n
n =
t
(I.34)
R = B p n ni2
(I.35)
Avec :
B est le coefficient de recombinaison radiative, sa valeur est gale 9,5.10-5 cm3/s.
16
Chapitre I
B.C
h
B.V
(I.36)
C p = 9,9.10 32 cm 6 / s
Energie cintique
B.C
B.V
Figure I.10. Schma descriptif du processus de recombinaison de type Auger
17
Chapitre I
B.C
Niveau pige
B.V
Figure I.11. Schma descriptif du processus de recombinaison par pige
R RSH =
pn n i2
ET
ET
KT
KT
p + n ie e
+ p n + n ie e
(I.37)
O :
ET reprsente lnergie du niveau pige proche du milieu de la bande interdite, n et p ont
une valeur gale 103s.
nie est la concentration intrinsque effective donne par la relation suivante :
Eg n + Eg p
nie2 = pn exp
KT
(I.38)
18
Chapitre I
b. Recombinaison en surface
La surface dun semi-conducteur est un lieu o les recombinaisons sont
particulirement nombreuses, en raison des liaisons non satisfaites des atomes de surface
et autres dfauts caractristiques temprature constante (T=300K). Les recombinaisons
en surface avant et arrire inhrentes aux densits de dopages selon la relation suivante :
N
S = S 0
N set
(I.39)
I .8. CONCLUSION
Dans ce chapitre nous avons donn les notions fondamentales des semiconducteurs, dans lequel nous avons prsent la structure de bande des deux principaux
semi-conducteurs. Puis nous avons donn les diffrents types de recombinaison en surface
et en volume dans la cellule solaire. Dans le chapitre suivant nous prsenterons les
diffrents types du silicium de qualit lectroniques ainsi les proprits physiques du
silicium st du germanium.
19
ChapitreII
II.1. INTRODUCTION
Les semi-conducteurs sont les matriaux utiliss pour la fabrication des dispositifs
lectroniques et optolectroniques. Parmi diffrents types de ces derniers le diamant qui se
distingue des autres semi-conducteurs, notamment le Silicium et le Germanium, par sa
capacit supporter des environnements extrmes en pression, temprature et puissance
dissipe. La plus grande partie des composants (transistors, diodes et puce en gnral) sont
raliss en Silicium.
Le silicium est le matriau de base de 90% de lindustrie micro-lectronique [12].
En effet, il est possible de raliser des plaques de Silicium monocristallin de trs grande
puret et faible cot.
ChapitreII
doivent tre eux aussi coups en tranches de 200 400 mm, grce cette fois-ci une scie
fil.
II.2.3. Le silicium amorphe
Le silicium amorphe a une structure atomique dsordonne, non cristallise,
vitreuse, mais il possde un coefficient dabsorption de la lumire environ 1000 fois
suprieur au silicium cristallin. Une fine couche de 0,3 mm est donc suffisante pour
absorber lessentiel du spectre visible.
Dans cette technologie, le silicium est produit directement sur une plaque de verre
partir du gaz silane SiH4. En fait, les plaques de verre sont places dans une enceinte
chauffe o lon fait le vide, puis du silane est inject et dcompos par une dcharge
radiofrquence; le silicium libr se dpose alors sur les plaques. La prsence dhydrogne
est galement ncessaire pour la qualit du matriau (il limite le nombre de dfauts en
saturant les liaisons pendantes de silicium prsentes cause de la structure dsordonne).
Ladjonction des dopants est ralise par ajout de gaz PH 3 ou B2 H 6 au silane.
Avec ce type de matriau peu coteux par rapport aux autres formes de silicium, on
a de faibles rendements: 5 6 % et des problmes de stabilit apparaissent rapidement
quand on lexpose au soleil et aux intempries (quelques centaines dheures) [15].
21
Types
ChapitreII
Rendement
de
Rendement
en
Rendement
silicium
thorique
laboratoire
commercial
Domaine dapplication
27,0%
24,7%
14,0-16,0%
monocristallin
Silicium
polycristallin
19,8%
12,0-14,0%
Silicium
amorphe
13,0%
6,0-8,0%
(II.1)
22
ChapitreII
Le silicium obtenu a une puret de 98%, il faut encore le purifier pour obtenir un matriau
de qualit lectronique.
II.3.2. Purification du silicium
On va effectuer une purification chimique, une des mthodes consiste faire une
distillation partir de SiHCl3 (trichlorosilane) liquide temprature ambiante.
Si(solide)+ 3Hcl SiHcl3 +H2 (gaz)
(II.2)
(II.3)
23
ChapitreII
par la mthode de
Czochralski contiennent des impurets puisque le creuset qui contient la fonte se dissout.
Pour certains dispositifs lectroniques, en particulier ceux exigs pour des applications de
puissance leve, le silicium dvelopp par la mthode de Czochralski n'est pas assez pur.
Pour ces applications, le silicium de flotter-zone (FZ-Si) peut tre employ la place.
24
ChapitreII
inducteur-
25
ChapitreII
26
ChapitreII
enleves du lot pour subir des testes et des mesures, savoir, le diamtre, la planit et
lpaisseur; on vrifie aussi lhomognit de la rsistance.
Aprs le sciage, les plaquettes sont nettoyes leau dsionise. On leur meule les
artes vives pour les adoucir. Elles subissent ensuite un rodage mcanique la poudre
dalumine. On les charge dans une machine action orbitale o elles tournent entre deux
surfaces lubrifies avec de la poudre dalumine. Aprs ce rodage, les irrgularits la
surface sont infrieures 3 microns.
II.3.6. Dfauts cristallins dans le Silicium
Dans un lingot monocristallin plusieurs dfauts peuvent tre prsents, la localisation
de ces dfauts sur lemplacement du circuit intgr peut entraner son rejet et baisser ainsi
le rendement de fabrication. Les dfauts les plus importants sont les dislocations, ce sont
les imperfections dans la structure locale du cristal qui sont causes par des dformations
plastiques lors dun traitement thermique ou qui sont dues la prsence de certaines
impurets.
Les dfauts intrinsques et les dopants induisent l'existence de niveaux localiss
dans la bande interdite. Les transitions lectroniques qui impliquent un de ces niveaux et
une des deux bandes donnent naissance la photoconductivit. Les ions prsents dans le
cristal, possdent galement des bandes internes trs caractristiques de leur valence et du
site qu'ils occupent [16].
Semi- conducteur
Eg(0) (eV)
a (eV/K)
b (K)
Si
1.170
4.73 .10-4
636
Ge
0.7437
5.405 .10-4
235
ChapitreII
1,2
1,1
Si
Ge
1,0
0,9
0,8
0,7
0,6
0,5
0,4
0,3
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
Temperature (K)
Figure II.8. Variation de la bande interdite du Si et Ge en fonction
de la temprature
28
ChapitreII
Proprit 300K
Si
Ge
1,12
0,67
5. 1022
4,42.1022
1,45. 1010
2,4. 1013
Mobilits intrinsques
1350
3900
(cm2/V.s)
480
1900
11,7
16,3
-30. 106
-8. 106
29
ChapitreII
atomes dans un cm3) sont excits thermiquement depuis la bande de valence vers la bande
de conduction, et les lectrons libres et les trous positifs ainsi cres contribuent ensemble
la conductivit du matriau, mais celle-ci reste assez faible.
Le courant dans un semiconducteur tant en gnral la somme de celui d au
dplacement des lectrons libres, et de celui d au dplacement des trous, la conductivit
est relie la densit des porteurs n et p, et leur mobilit par la relation :
(T ) = q (nn (T ) + pp (T ))
(II.4)
O :
q est la charge de llectron.
n et p sont les densits des lectrons et des trous, et est le coefficient qui, une
temprature donne, relie la vitesse de drive moyenne du porteur au champ lectrique
appliqu.
II.4.3. Les masses effectives
Les surfaces de lnergie sont des ellipsodes. Et on donne :
Pour le silicium [20] [21]:
ml=0.98m0
mt=0.19m0
m-=0.32m0
Pour le germanium [22] :
ml=1.59m0
mt=0.0815m0
m-=0.22m0
Avec :
m-=(9mlmt2)1/3
O :
ml : est la masse effective longitudinale.
mt : est la masse effective transversale.
m- : est la masse effective de la densit dtat (masse rduite).
m0 : est la masse de llectron. Avec m0=9.1.10-31 kg
30
ChapitreII
Silicium
Germanium
Structure
Diamant
Diamant
Densit (g /cm3)
2,328
5,3267
Constante dilectrique
11,9
16,0
Nc (cm-3)
2,8.1019
1,04.1019
Nv (cm-3)
1,04.1019
6,0.1018
Affinit dlectron
4,05
4,0
1,12
0,66
1,45.1010
2,4.1013
2,5.10-3
10-3
1500
3900
450
1900
3,44
3,97
(eV)
Concentration intrinsque
des porteurs (cm-3)
(cm2.V-1.s-1)
Mobilit des trous
2
-1 -1
(cm .V .s )
Indice de rfraction
II .5. C0NCLUSION
Dans ce chapitre, nous avons prsent en premier lieu les diffrents types du
silicium et les tapes suivre pour obtenir un silicium de qualit lectronique ainsi les
technique pour lesquelles on peut avoir des monocristaux de silicium. Enfin nous avons
donn les proprits physiques du silicium et du germanium.
Le silicium a de nombreuses applications dans diverses industries. Le silicium ultrapur est utilis, par exemple, dans l'industrie semi-conductrice du fait de ses caractristiques
semi-conductrices. Le silicium est galement utilis comme lment d'alliage, do nous
allons prsenter quelques proprits physiques de lalliage SiGe dans le chapitre suivant.
31
Chapitre III
III.1. INTRODUCTION
La technologie Silicium-Germanium (SiGe), dont les dveloppements prliminaires
datent du milieu des annes 1980 et dont larrive sur le march est rcente, rpond ce
besoin conjoint de lconomie et des performances. Des transistors bipolaires
htrojonction ou des transistors effet de champ, aux dispositifs quantiques, un nombre
important de fonctions sont alors permises. Seules certaines russissent le pari de
lintgration moindre cot, mais les fonctions fondamentales tendent dj bouleverser
les habitudes du concepteur de circuits micro-ondes qui voit une technologie nouvelle se
prsenter lui, face aux technologies III-V pour un moindre cot. De plus, de nombreuses
tudes restent galement mener pour valuer lensemble des possibilits offertes par
lalliage SiGe. Lune de ces possibilits a encore t peu tudie : il sagit de lutilisation
du transistor bipolaire SiGe comme phototransistor [24] [25].
Lindustrie lectronique mondiale a acquis de nos jours un formidable savoir-faire
dans le traitement du Silicium. Les avantages naturels: mcaniques, thermiques et
chimiques, du Silicium ont tenu une grande part dans la russite de sa matrise
technologique, dans la diminution des cots de fabrication, et ainsi dans sa gnralisation.
Cependant, le Silicium ne profite pas du mme enthousiasme quant ses proprits
lectriques, au point de pouvoir tre considr comme un semi-conducteur lent.
Lavantage, bien que le cot soit plus lev, revient alors nettement aux diffrents
composs III-V lorsquil sagit de monter des frquences suprieures quelques GHz.
Ladjonction de Germanium prsente en partie une alternative ce problme en
permettant de retravailler les bandes dnergies du Silicium en vue den amliorer les
performances. Cest en ce sens que cette ide de raliser des transistors bipolaires SiGe, qui
remonte aux annes 1960, est exploite depuis le milieu des annes 1980 [26].
Les proprits optiques du SiGe ont t tudies depuis les dbuts de ce matriau,
laissant entrevoir un potentiel important en dtection proche infrarouge (0,8m 1,55m),
en supports guides dondes, mais galement en mission au travers de modulateurs [27],
[28]. Les dispositifs exploitant ces proprits sont en phase active de recherche plus
particulirement depuis le dbut des annes 1990, bien que leur intrt ait t dcel depuis
la ralisation des premires htrostructures SiGe.
32
Chapitre III
33
Chapitre III
Les atomes sont reprsents par des sphres de petite taille (14 lectrons) pour le
Silicium et de plus grande taille (32 lectrons) pour les atomes de Germanium. Les traits
matrialisent les limites des structures cubiques faces centres.
Bien que la reprsentation des atomes par des sphres de diamtre donn soit
sommaire, elle permet de comprendre aisment la notion de paramtre de maille dans un
cristal. En ce sens, si les atomes sont gros, le paramtre de maille devra slargir afin de
prserver lquilibre. A linverse, si les atomes sont petits, le paramtre de maille sera plus
faible. Le matriau est dit relaxer lorsque aucune contrainte de pression ne sexerce sur
lune ou lautre des liaisons et que le paramtre de maille est laiss libre.
Les donnes pour le cristal de Silicium et le cristal de Germanium sont prsentes
dans le Tableau III.1. Le diamtre de latome de Germanium tant plus grand que celui de
latome de
34
Chapitre III
Ceci est une extrapolation extrmement courante et utile. La mesure ne montre quune
infime dviation autour de cette loi, Figure III.2, [31].
Silicium
Germanium
1,46
1,52
5,43
5,66
Tableau III.1. Paramtres des atomes des cristaux de Silicium et de Germanium massifs
35
Chapitre III
dispositifs o les interfaces sont nombreuses, comme au sein des super-rseaux, [30] [32]
[33].
III.2.1.2. Bandes dnergies
Lalliage SiGe massif, ou relax, prsente de manire gnrale un intermdiaire
entre le cristal de Silicium et le cristal de Germanium. Ainsi, laugmentation progressive de
la fraction de Germanium dessine une modification continue des proprits du cristal de
Silicium vers celles du Germanium.
Les bandes dnergies des deux extrmes sont reprsentes en espace rciproque sur
la Figure III.3 300K. Le Germanium et le Silicium sont tous les deux des matriaux gap
indirect. Le sommet de la bande de valence est situ en k=0 (rgion ) alors que le bas de
la bande de conduction du Germanium se situe en valle L, tandis que celui du Silicium se
situe en valle X. Ces bandes dnergies dfinissent des valeurs de bande interdite,
indirectes ou directes, qui sont donc diffrentes. Leurs valeurs temprature ambiante sont
donnes par le Tableau III.2.
Silicium
Germanium
>2,50
0,90
1,10
0,65
Les valeurs de ce tableau sont donnes volontairement 0,05eV. Cet cart est
couramment rencontr dans la littrature et est suffisant pour une prsentation gnrale. Il
traduit, outre les imprcisions, les variations impliques par les diffrences de mthodes de
mesure.
36
Chapitre III
Figure III.3. Schma des bandes dnergies dans lespace rciproque 300K, pour
a) le Silicium ; b) le Germanium [8]
Les mesures ralises sur la valeur de la bande interdite indirecte, Eg, ont exploit
les spectres dabsorption optique du SiGe massif. La comparaison des modles
labsorption indirecte a permis lextraction prcise de cette largeur de bande. Les mesures
ralises en 1958 par Braunstein [29], sont prsentes sur la figure suivante :
Chapitre III
La position de gauche sur laxe horizontal repre le cas du Germanium pur tandis que celle
de droite repre celui du Silicium.
Les variations en fonction de la composition de Germanium de la largeur de bande
interdite suivent une volution de la position des minima de la bande de conduction du
Silicium vers celle des minima du Germanium. Deux seules valles rentrent en jeu. Le
minimum de la bande de conduction du Si1-xGex se trouve dabord dans la valle X qui est
celle du minimum du Silicium pur, puis dans la valle L qui est celle du Germanium pur,
au-del de 85% de Ge.
Avant que ce dernier ne se positionne dans la valle L, il a fallu que lnergie de la
bande de conduction du Silicium saffaisse lgrement dans cette valle et quelle
augmente lgrement dans la valle X. Ceci se produit depuis le silicium pur jusqu
x=0,85. Au-del, le minimum de la valle L prvaut alors sur la largeur de bande interdite
indirecte [34].
Braunstein et al.[29] ont mesur les spectres dabsorption optique de lalliage SiGe
ds 1958 en fonction de la temprature et de la composition. La dpendance de lnergie de
bande interdite avec la concentration en Ge est directement lie la structure de bande de
conduction.
Ainsi, on observe une transition assez brutale du gap lorsque lon passe du matriau
de type Si au matriau de type Ge. Krishnamurly et al [35] ont dduit une expression du
gap optique 300K pour chaque rgime de variation saccordant bien avec ltude
exprimentale de Braunstein et al.[6]. Les expressions du SiGe sont :
(III.1)
38
Chapitre III
entre lnergie et longueur donde. La limite dabsorption directe du Silicium est donc
infrieure 0,5m, dans le visible vers le bleu. Celle du Germanium est en revanche de
1,38m.
Cependant, il existe galement une absorption indirecte qui se produit entre deux
extrema des bandes de conduction et de valence, et qui prolonge labsorption en longueur
donde. Ceux-ci sont dcals dans lespace des vecteurs donde, aussi, pour expliquer ce
phnomne, il est ncessaire de faire intervenir un mcanisme permettant la conservation
de la quantit de mouvement.
Cette conservation, que ne saurait faire respecter un photon lors dune transition
indirecte, fait essentiellement appel aux proprits vibratoires du rseau, concentres dans
une particule appele phonon : ainsi, durant labsorption indirecte dun photon, un phonon,
dont la quantit de mouvement est gale celle qui spare lextremum de la bande de
valence avec le minimum de la bande de conduction, sera gnr ou absorb. Ce
mcanisme est schmatis par la Figure III.5.
Chapitre III
li au fait que la largeur de bande interdite nvolue que faiblement pour cette composition.
En premire approximation, le matriau se comporte comme le Silicium. Au-del, dans le
cas des alliages SiGe riches en Germanium, le spectre dabsorption volue rapidement avec
la composition pour se rapprocher du spectre du Germanium pur.
40
Chapitre III
41
Chapitre III
42
Chapitre III
Les flches noires traduisent de manire symbolique la contrainte sur les liaisons Si - Ge,
induite par laccord de maille forc du SiGe sur le Si.
La largeur de bande interdite et lensemble de la structure de bande du matriau se
retrouvent affects par cette mise sous contrainte, mais la quasi-totalit de linfluence de
cette compression de lalliage SiGe se rpercute intgralement dans la bande de valence
[38].
III.3. CONCLUSION
Lalliage SiGe est devenu au profil des ans lun des matriaux les plus intressants
pour lindustrie de la microlectronique. Les chercheurs utilisent maintenant une technique
de dpt de pointe dpitaxie en phase vapeur sous vide pouss (UHV-CVD) afin
dlaborer des couches minces de SiGe utilises tant par lindustrie de la
microlectronique, pour le dveloppement de nouveaux produits, que par les universits,
pour de nouvelles initiatives de recherche.
43
Chapitre IV
IV.1. INTRODUCTION
Une faon dexploiter lnergie solaire est dutiliser des cellules photovoltaques
qui convertissent lnergie vhicule par le rayonnement incident en un courant lectrique
continu. Cette conversion est base sur leffet photovoltaque engendr par labsorption de
photons. Une partie des photons absorbs gnre des paires lectron-trou dans lesquelles un
champ lectrique cr dans la zone de charge despace dune jonction p-n.
Un tel dispositif est appel diode p-n. Une autre faon damplifier ce courant est de
rduire lpaisseur de la premire zone qui absorbe une partie de la lumire incidente.[39].
Energie
EF
Ec
Ev
Rgion P
Figure.IV.1.a.
Diagramme
de
bande
Rgion N
dune
cellule
44
Lp
Chapitre IV
ZCE Ln
Rayonnement
P
solaire incident
Rc
V
Figure IV.1.b. Jonction PN claire et charge dune rsistance Rc
Lorsquon relie les deux cots de la jonction une charge Rc le courant I la parcourt et une
d.d.p V apparat ses bornes : V=VP VN =RI , le courant traverse la jonction de N vers
P, il est donc ngatif.
I = I cc I d (V
(IV.1)
Avec :
Icc : courant de court circuit.
Id (V) : courant dobscurit de la diode.
Eclairer la jonction revient la polariser en direct, ce qui se traduit par une injection
de porteurs minoritaires, tandis que la concentration des porteurs majoritaires nest pas
modifie. Le courant I est d la diffusion des porteurs minoritaires par rapport
lquilibre. La jonction p-n claire est un convertisseur dnergie lectromagntique en
nergie lectrique (Figure IV.1).
IV.2.2. Paramtres essentiels caractrisant une cellule solaire
IV.2.2.1. Courant de court-circuit
Si les deus lectrodes sont en court-circuit travers un ampremtre, les lectrons
drains par un champ interne de la jonction vont donner naissance un courant de courtcircuit Icc qui correspond au photocourant Iph gnr par le rayonnement.
Pour une
45
Chapitre IV
lectron trou gnre G qui traverse la jonction sans recombinaison entre les longueurs de
diffusion Ln et Lp , donn par la relation:
ph
= q G
(L
+ L
(IV.2)
Vco = (k T q ) ln [(I cc I 0 ) + 1]
(IV.3)
FF
Vm I
V co I
(IV.4)
cc
m =
Vm Im
V I
= FF co cc
P0
P0
(IV.5)
46
Chapitre IV
Son utilisation est trs pratique, il permet de simuler nimporte quelle structure
photovoltaque, selon les matriaux disponibles en fichiers data, en jouant sur les
paramtres variables (largeur, surface, dopage, etc). Les rsultats de la simulation, sont
trs proches des rsultats exprimentaux, donc cest un gain de temps et dargent.
La fentre du logiciel PC1D est prsenter sur la Figure IV.2, ce logiciel se divise en
quatre parties, les trois premires sont pour la programmation ; o il faut introduire les
paramtres du dispositif, des rgions et de lexcitation. La quatrime partie concerne les
rsultats de la simulation.
Aire du dispositif (Device) : la surface du dispositif est trs importante car elle
influe sur le photocourant dune manire apprciable. Dans notre simulation, nous
avons choisi une surface de 4cm2.
47
Chapitre IV
Surface texture : les surfaces textures utilises dans toutes les structures tudies
sont composes de micro pyramides inverses de profondeur (depth) 3m et
dangle facial 54,74. La texturisation est trs importante, car elle permet de
diminuer les pertes par rflexion du rayonnement incident. Nous avons textur
seulement la face avant, car lautre face est considre lobscurit.
Les deux faces sont considres comme neutres, du fait quil ny a pratiquement pas
de charges aux interfaces, cd quil ny a pas de barrire de potentielle aux surfaces.
Nous navons pas introduit de couches antireflets, car elle est remplace par la
texturation. Cette couche est gnralement de la silice (SiO2), elle peut tre
remplace par dautres matriaux qui sont transparent au spectre solaire et qui sont
donne dans le logiciel sous forme de fichiers.
Rflectance optique interne : elle est nglige dans notre simulation, nous
considrons que les surfaces sont spculaires et non diffuses cd non rugueuses.
Par dfaut, lmetteur et la base sont connects au circuit, tandis que le collecteur
est dconnect.
Quatre rsistances shunt peuvent tres introduits, chacune delle peut tre
conducteur, diode ou condensateur. Dans notre cas nous considrons quil ny a pas
dlment qui peut shunter le circuit.
Lpaisseur de lmetteur est relativement mince par rapport la base. Dans le cas
du silicium elle varie sur un intervalle compris entre 0,1m et 2,5m.
Le matriau utilis: les paramtres qui le dcrivent, sont stocks dans des fichiers
dextension (*.mat), ils sont fournit avec le logiciel dans une diskette. Les
paramtres stocks dans ce fichier sont :
-La mobilit : le modle utilis est le modle de Thuber et al 1981.
-La constante dilectrique.
-Lnergie de gap (eV).
-La concentration intrinsque (cm-3).
-Lindice de rfraction.
48
Chapitre IV
) (
Les recombinaisons en volume : le modle utilis est bas sur la statistique de Read
Shockley-Hall dcrivant les recombinaisons par piges, situes dans la bande de
valence.
Seulement la face avant est claire (cot n), par un flux lumineux dune intensit
de 0,1 W/cm2. Pour avoir la rponse spectrale, le logiciel fait un balayage sur
lintervalle de longueurs donde compris entre [300, 1200] nm. Pour avoir la
caractristique, il utilise directement le fichier daire masse am 15g.spc .
La seconde source est dsactive, car la face arrire nest pas claire dans notre cas
[40].
49
Chapitre IV
Xm (p Si)
50
Chapitre IV
I cc = 138.5 mA
Vco = 692,4 mV
P = 80,8 mW
max
0,02
F.F = 84,25 %
m = 20,20 %
Et par consquence :
I (A)
P (W)
0,00
-0,02
-0,04
-0,06
-0,08
-0,10
-0,12
-0,14
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
Tension (V)
51
Chapitre IV
q.(1 R )
h. .RQI
(IV.6)
100
80
60
40
20
0
400
600
800
1000
1200
Figure IV.5. Variation du rendement quantique pour une cellule solaire base de silicium
52
Chapitre IV
20,5
20,0
Rendement (%)
19,5
19,0
18,5
18,0
17,5
17,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
Chapitre IV
21,0
Rendement (%)
20,5
20,0
19,5
50
100
150
200
250
12 5 m
20m
100
RQI (%)
80
60
40
20
0
400
600
800
1000
1200
54
100 m
250 m
150 m
200 m
1200 m
150
200
Chapitre IV
21,0
20,5
Rendement (%)
20,0
19,5
19,0
18,5
18,0
17,5
17,0
16,5
16,0
50
100
250
Epaisseur (m)
55
21
0.3 m
Chapitre IV
10 m
20
Rendement (%)
19
18
17
16
15
14
200
400
600
800
1000
1200
Longueur de diffusion ( m)
0.3m
140
10m
138
136
Icc (mA)
134
132
130
128
126
124
122
200
400
600
800
1000
1200
56
700
0.3m
Chapitre IV
10m
680
Vco (mV)
660
640
620
600
580
560
200
400
600
800
1000
1200
57
20
600m
400m
200m
19
Rendement (%)
Chapitre IV
18
17
1E15
1E16
1E17
1E18
1E19
1E20
-3
600m
400m
200m
138
Icc (mA)
136
134
132
1E15
1E16
1E17
1E18
1E19
1E20
-3
58
Chapitre IV
600m
400m
200m
680
670
Vco (mV)
660
650
640
630
620
610
600
1E15
1E16
1E17
1E18
1E19
1E20
-3
59
Chapitre IV
20,0
19,5
Rendement (%)
19,0
18,5
18,0
17,5
600m
400m
200m
17,0
16,5
16,0
1E18
1E19
1E20
-3
138
Icc (mA)
136
134
600m
400m
200m
132
130
128
1E18
1E19
1E20
-3
60
Chapitre IV
680
670
Vco (mV)
660
650
640
630
620
600m
400m
200m
610
600
1E18
1E19
1E20
-3
61
Chapitre IV
20,4
20,2
Rendement (%)
20,0
face avant
face arrire
19,8
19,6
19,4
19,2
19,0
18,8
1
10
100
1000
10000
145
face avant
face arrire
Icc(mA)
140
135
130
125
10
100
1000
10000
62
Chapitre IV
700
690
face avant
face arrire
Vco (mV)
680
670
660
650
10
100
1000
10000
Epaisseur de lmetteur
0,15m
Epaisseur de la base
100 m
Epaisseur du substrat
0, 3 m
Dopage de lmetteur
1019 cm-3
Dopage de la base
1016 cm-3
Dopage du substrat
1019 cm-3
Vitesse de recombinaison
1000 cm/s
Chapitre IV
avons
analys
une
cellule
solaire
base
de
SiGe
de
type
n+(Si)/p(Si) /p(SiGe)/p+(Si), prsente sur la figure IV.22, avec un taux de germanium gal
25% pour diffrentes paisseurs de la base Si1-xGex en utilisant le PC1D.
0,3m (n+ Si)
2,0m (p Si)
Xm (p Si1-xGex)
64
Chapitre IV
Les valeurs des diffrentes couches utilises dans la simulation sont donnes par le
tableau suivant :
Si (n+)
Si (p)
Si1-xGex (p)
Si (p+)
0,3
2,0
100,0
2,0
1019
1016
2.1016
1019
Epaisseurs (m)
Concentration
du dopage (cm-3)
Les rsultats obtenus montre que lpaisseur de la cellule solaire est un paramtre
important pour labsorption des photons. Ainsi, quil est pas ncessaire de fabriquer des
cellules solaires avec des paisseurs trop grandes car les rponses spectrales commencent
sentasser.
1m
50m
100
5m
100m
10m
200m
20m
400m
900
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
-10
300
400
500
600
700
800
65
Chapitre IV
100
80
60
0.1m
0.5m
1.0m
2.5m
40
20
0
400
600
800
1000
1200
Si1-xGex
augmente avec le taux de germanium dans lalliage, mais il reste toujours infrieur celui
dune cellule solaire base de silicium tudie dans la premire partie du chapitre, car il
ny a pas de dsaccord de maille aux interfaces pour cette dernire.
66
Chapitre IV
22
20
Rendement (%)
18
16
14
x=0
x=0.135
12
x=0.25
x=0.04
10
8
0
50
100
150
200
250
300
IV.6. CONCLUSION
Quelque soit la structure dune cellule solaire, une optimisation de ses paramtres
est ncessaire pour avoir un bon rendement. Habituellement, les paramtres optimiser
sont lpaisseur de la cellule, les niveaux et les profils de dopage, la configuration des
contacts et le confinement optique. Les valeurs des paramtres optimaux dpendent, bien
sr, de la structure de la cellule solaire, de la qualit du matriau, de la vitesse de
recombinaison en surface (faces avant et arrire), etc Loptimisation de la cellule solaire
comprend donc ltude de linfluence de ces paramtres sur le rendement afin dobtenir une
structure conduisant au rendement maximum.
Le taux de germanium a un effet apprciable sur le rendement de la cellule solaire
base de lalliage Si1-xGex , qui est d la grande valeur du coefficient dabsorption du
germanium par rapport au silicium donc plus lalliage contient du germanium plus il a un
grand coefficient dabsorption.
67
Conclusion gnrale
CONCLUSION
En pratique, la conversion dnergie lumineuse en nergie lectrique nest pas
totale. Diffrentes pertes viennent influencer le rendement dune cellule. Elles sont dans la
plus part des cas dues la nature du matriau et la technologie utilise. Tous les photons
possdant une longueur donde suprieure celle associe au gap du semi-conducteur ne
peuvent gnrer de paire lectron-trou, et sont donc perdus. Le rendement dune cellule
dpend aussi la base du nombre de photons y pntrant.
Lindustrie photovoltaque est constitue plus de 90% sur lutilisation du silicium
comme matriau de base. Le silicium reste cependant le matriau le plus utilis dans le
photovoltaque, il bnficie dune implantation importante et durable dans lindustrie de la
microlectronique. Celle-ci utilise du silicium monocristallin de trs haute puret, obtenu
par des mthodes telles que le tirage CZ (Czockralski). Ce type de matriau, qui prsente
dexcellentes qualits lectroniques, est trs coteux. La part de silicium monocristallin y
est plus importante, puisque les modules produits selon cette technologie ont un rendement
plus lev que ceux en silicium multicristallin.
La simulation a t largement utilise dans le cadre de ce travail afin dtudier les
paramtres les plus importants pour le fonctionnement des cellules solaires base de
silicium, dans le but de diminuer les pertes et doptimiser les paramtres physiques et
gomtriques de la cellule en vue dobtenir un rendement maximum.
En point de vu technologique, une cellule solaire base de silicium a un rendement
plus lev et cote moins cher car il faut uniquement du silane (SiH4) comme gaz source
pour lpitaxie. Par contre pour le SiGe, il faut du silane et du germane (GeH4) qui est plus
cher, pour lpitaxie.
Lutilisation des alliages SiGe dans les cellules solaires prend une nouvelle
dimensions lorsquils sont utiliss en couches minces, car le rapport performance / cot
atteint avec de telles cellules est suprieur celui dune cellule au silicium pour la mme
paisseur, mais les rendements atteints sont encore faibles par rapport ce que lon attend
dune cellule solaire, cause de la faible paisseur de la couche.
68
Conclusion gnrale
Les alliages semi-conducteurs, avec la richesse de leurs structures lectroniques et
autre proprits, ont trouv une large application dans les dispositifs optiques et
lectroniques. La littrature sur les proprits fondamentales
de ces matriaux a
69
A. Perspective
A.1. INTRODUCTION
Un monochromateur est un dispositif utilis en optique pour slectionner une
gamme la plus troite possible de longueurs d'onde partir d'un faisceau lumineux de
gamme de longueurs d'onde plus large. Le nom monochromateur est issu du grec mono
(seul) et chroma (couleur) [41].
Cest un dispositif permettant dobtenir un faisceau lumineux monochromatique a
beaucoup dintrt en sciences, que ce soit en chimie, en physique ou en optique, car de
nombreux phnomnes dpendent de la longueur donde de la lumire. Parmi les diffrents
appareils utilisant des monochromateurs, on peut notamment citer les spectromtres utiliss
pour des dosages ou de lanalyse chimique ou structurale. Alors quil existe de nombreuses
manires de produire de la lumire monochromatique (par exemple les sources laser), il
nest pas si facile de slectionner une gamme de longueurs donde dans un faisceau
polychromatique.
70
A. Perspective
de l'nergie du faisceau issue de la source lumineuse traversant la fente, et d'autre part de la
largeur du faisceau divergent qui se rflchie sur le miroir.
Le faisceau parallle polychromatique est alors dispers par le prisme ou diffract
par le rseau ou le cristal (D), puis est collect par un autre miroir (E) qui le focalise sur la
fente de sortie (F). Dans le cas du prisme ou du rseau, les diffrentes longueurs d'onde
sont spares au niveau de la fente de sortie (si le faisceau est dans le visible, les diffrents
couleurs sont spares), chacune arrivant un point diffrent de la fente. Dans le cas d'un
cristal, une seule longueur d'onde diffracte, suivant la valeur de l'angle incident.
Le faisceau lumineux issu de la fente (G) n'est donc plus constitu que d'une seule
longueur d'onde (et d'une faible proportion des longueurs d'onde voisines). Une rotation de
D (prisme, rseau ou cristal) entrane un dplacement du faisceau au niveau du miroir E et
de la fente de sortie F, ce qui permet de slectionner la longueur d'onde dsire en la
centrant sur la fente [42].
C
B
A
D
G
D
Figure A.1. Monochromateur de Czerny- turner
71
A. Perspective
A.3.1. Montage gnral
Le M300 est un monochromateur rseau, la slection de la longueur d'onde est
effetue par un systme de moteur pas pas qui nous permet d'orienter le rseau plac
l'intrieur du monochromateur. Il a deux fentes :
1- fente dentre (lumire blanche polychromatique ex : lampe Xe ou Tungstne).
2- fente de sortie lumire monochromatique selon lorientation du rseau et lambda
dsire.
-
Le M300 peut tre pilot par un PC li au monochromateur par le IEEE (voir Figure
A.1).
-
Le rseau peut tre remplac par un autre selon la gamme spectrale choisie (300, 600,
72
A. Perspective
M1
S1
M1
M2
M2
S2
Le faisceau incident, issu de la fente d'entre S1, rflchi par les miroirs M1 et M'1
est dirig vers le rseau holographique sous forme de rayons parallles. Le rseau
transforme ce faisceau en une srie de faisceaux monochromatiques de lumire parallle
envoys tour de rle, par rotation du rseau et aprs rflexion sur les miroirs M'2 et M2,
sur la fente de sortie o ils sont focaliss.
La rotation du rseau est ralise par un moteur asservi par un microprocesseur, ce
qui permet d'obtenir un dfilement linaire en longueur d'onde. Les longueurs d'onde sont
affiches directement en nanomtres sur un compteur numrique.
Lchantillon est fix sur la fentre de sortie du monochromateur. Les tensions
correspondant aux diffrentes radiations sont utilises pour fournir sur l'cran de
l'ordinateur le spectre de la lampe tudie (analyse spectrale).
A.3.3. Source lumineuse
Cest une source d'halogne du quartz 100W avec l'objectif sphrique.
L'IL1 est
une source lumineuse universelle utilise dans les rgions spectrales UV, visible et
infrarouges de 350nm au de 2,5 m.
73
A. Perspective
Une lampe d'halogne du quartz 100W commande par une alimentation d'nergie
stabilise, courante utilise. Un condensateur simple de quartz est utilis pour remplir la
taille et la largeur de la fente et pour s'assortir au systme optique f/4.2 du
monochromateur.
Pour le systme de Bentham, la stabilit optique est assure par la source IL1
lumineuse, qui utilise une lampe d'halogne du quartz 100W command par une
alimentation d'nergie fortement stabilise de courant constant [44].
A.3.4. Alimentation d'nergie 605
Lalimentation
605
est
une
alimentation
d'nergie
de
courant
constant
spcifiquement conue pour l'usage avec les sources lumineuses stabilises et les sources
standard de calibrage (par exemple halogne de quartz, xnon, lment de Nernst, etc.)
[45].
A. Perspective
A.3.5. Position de lchantillon
Les spectromtres classiques comprennent les mmes lments, quils soient
utiliss dans le domaine UV-VIS que dans le domaine IR: une source, un porte
chantillons, un monochromateur, un dtecteur, un appareil de lecture.
Toutefois, la disposition de ces lments diffre selon les deux domaines spectraux.
En UV-VIS, lchantillon est plac la sortie du monochromateur, et non pas juste aprs la
source. En IR, on place lchantillon entre la source et le monochromateur.
A.4. APPAREILLAGE
La lampe halogne, est aliment par la source stabilise, gnre une lumire blanche
flux constant. Cette lumire est dcompose par un monochromateur rseau, le spectre
obtenu stale de 400 800nm. La rsolution spectrale est dtermine par les fentes places
lentre et la sortie du monochromateur.
La lumire monochromatique est obtenue en faisant passer de la lumire blanche
travers un monochromateur rseau, ce rseau limine les ordres suprieurs de la
diffraction. Le rayon de la lumire de longueur donde donne traverse ensuite lchantillon
et la partie transmise sera dtecte.
Le monochromateur est utilis pour la dispersion de la lumire en longueurs
dondes spectrales spcifiques que lon peut slectionner pour lanalyse avec les fentes de
largeurs rglables.
Le monochromateur doit tre pourvu de fentes pouvant tre slectionnes ou rgles
de manires choisir la largeur de bande voulue pour la longueur donde de llment
dterminer.
A.5. C0NCLUSION
Dans notre Laboratoire URMER nous avons un monochromateur de type Bentham
M300 que nous pouvons lutiliser dans des travaux de recherche pour caractriser les
cellules photovoltaques. Cette exprience est extrmement importante dans ltude et
lanalyse des cellules solaires.
75
Bibliographie
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[38]
R.
People,
Physics
and
Applications
of
GexSi1-x/Si
Strained-Layer
72
Annexe. A
Nous prsentons quelques proprits de lalliage Si1-xGex 300K, utilises dans la
simulation des cellule solaire base de Si1-xGex, sur le tableau suivant:
Si1-xGex
1396-4315.x
pour 0x0,3
450-865.x
pour 0x0,3
Constante dilectrique
11,7+4,5.x
1,12-0,14.x+0,008.x2
pour x<0,85
1,86-1,2.x
pour x>0,85
Indice de rfraction
(5,00-0,58.x).1022
50
0,92.m0
pour x<0,85
0,159.m0
pour x>0,85
0,19.m0
pour x<0,85
0,08.m0
pour x>0,85
pour 0x0,3
12-22.x
pour 0x0,3
2,4.105
pour x<0,85
1.105
pour x>0,85
73
Annexe. B
B.1. INTRODUCTION
Un monochromateur est un dispositif utilis en optique pour slectionner une
gamme la plus troite possible de longueurs d'onde partir d'un faisceau lumineux de
gamme de longueurs d'onde plus large. Le nom monochromateur est issu du grec mono
(seul) et chroma (couleur) [43].
Cest un dispositif permettant dobtenir un faisceau lumineux monochromatique a
beaucoup dintrt en sciences, que ce soit en chimie, en physique ou en optique, car de
nombreux phnomnes dpendent de la longueur donde de la lumire. Parmi les diffrents
appareils utilisant des monochromateurs, on peut notamment citer les spectromtres utiliss
pour des dosages ou de lanalyse chimique ou structurale. Alors quil existe de nombreuses
manires de produire de la lumire monochromatique (par exemple les sources laser), il
nest pas si facile de slectionner une gamme de longueurs donde dans un faisceau
polychromatique.
74
Annexe. B
de l'nergie du faisceau issue de la source lumineuse traversant la fente, et d'autre part de la
largeur du faisceau divergent qui se rflchie sur le miroir.
Le faisceau parallle polychromatique est alors dispers par le prisme ou diffract
par le rseau ou le cristal (D), puis est collect par un autre miroir (E) qui le focalise sur la
fente de sortie (F). Dans le cas du prisme ou du rseau, les diffrentes longueurs d'onde
sont spares au niveau de la fente de sortie (si le faisceau est dans le visible, les diffrents
couleurs sont spares), chacune arrivant un point diffrent de la fente. Dans le cas d'un
cristal, une seule longueur d'onde diffracte, suivant la valeur de l'angle incident.
Le faisceau lumineux issu de la fente (G) n'est donc plus constitu que d'une seule
longueur d'onde (et d'une faible proportion des longueurs d'onde voisines). Une rotation de
D (prisme, rseau ou cristal) entrane un dplacement du faisceau au niveau du miroir E et
de la fente de sortie F, ce qui permet de slectionner la longueur d'onde dsire en la
centrant sur la fente [44].
C
B
A
D
G
D
Figure B.1. Monochromateur de Czerny- turner
Annexe. B
B.3.1. Montage gnral
Le M300 est un monochromateur rseau, la slection de la longueur d'onde est
effetue par un systme de moteur pas pas qui nous permet d'orienter le rseau plac
l'intrieur du monochromateur. Il a deux fentes :
1- fente dentre (lumire blanche polychromatique ex : lampe Xe ou Tungstne).
2- fente de sortie lumire monochromatique selon lorientation du rseau et lambda
dsire.
- Le M300 peut tre pilot par un PC li au monochromateur par le IEEE (voir Figure B.2).
- Laffichage des longueurs donde est en nm.
- Le rseau peut tre remplac par un autre selon la gamme spectrale choisie (300, 600,
1200, 1800, .) lignes/mm.
Les monochromateurs sont utiliss dans les banc de mesure spectral, la ou fait des
mesures en fonction de la longueur d'onde.
76
Annexe. B
M1
S1
M1
M2
M2
S2
Le faisceau incident, issu de la fente d'entre S1, rflchi par les miroirs M1 et M'1
est dirig vers le rseau holographique sous forme de rayons parallles. Le rseau
transforme ce faisceau en une srie de faisceaux monochromatiques de lumire parallle
envoys tour de rle, par rotation du rseau et aprs rflexion sur les miroirs M'2 et M2,
sur la fente de sortie o ils sont focaliss.
La rotation du rseau est ralise par un moteur asservi par un microprocesseur, ce
qui permet d'obtenir un dfilement linaire en longueur d'onde. Les longueurs d'onde sont
affiches directement en nanomtres sur un compteur numrique.
Lchantillon est fix sur la fentre de sortie du monochromateur. Les tensions
correspondant aux diffrentes radiations sont utilises pour fournir sur l'cran de
l'ordinateur le spectre de la lampe tudie (analyse spectrale).
B.3.3. Source lumineuse
Cest une source d'halogne du quartz 100W avec l'objectif sphrique.
L'IL1 est
une source lumineuse universelle utilise dans les rgions spectrales UV, visible et
infrarouges de 350nm au de 2,5 m.
77
Annexe. B
Une lampe d'halogne du quartz 100W commande par une alimentation d'nergie
stabilise, courante utilise. Un condensateur simple de quartz est utilis pour remplir la
taille et la largeur de la fente et pour s'assortir au systme optique f/4.2 du
monochromateur.
Pour le systme de Bentham, la stabilit optique est assure par la source IL1
lumineuse, qui utilise une lampe d'halogne du quartz 100W command par une
alimentation d'nergie fortement stabilise de courant constant [46].
B.3.4. Alimentation d'nergie 605
Lalimentation
605
est
une
alimentation
d'nergie
de
courant
constant
spcifiquement conue pour l'usage avec les sources lumineuses stabilises et les sources
standard de calibrage (par exemple halogne de quartz, xnon, etc.) [47].
78
Annexe. B
B.3.5. Position de lchantillon
Les spectromtres classiques comprennent les mmes lments, quils soient
utiliss dans le domaine UV-VIS que dans le domaine IR: une source, un porte
chantillons, un monochromateur, un dtecteur, un appareil de lecture.
Toutefois, la disposition de ces lments diffre selon les deux domaines spectraux.
En UV-VIS, lchantillon est plac la sortie du monochromateur, et non pas juste aprs la
source. En IR, on place lchantillon entre la source et le monochromateur.
B.4. APPAREILLAGE
La lampe halogne, est aliment par la source stabilise, gnre une lumire blanche
flux constant. Cette lumire est dcompose par un monochromateur rseau, le spectre
obtenu stale de 400 800nm. La rsolution spectrale est dtermine par les fentes places
lentre et la sortie du monochromateur.
La lumire monochromatique est obtenue en faisant passer de la lumire blanche
travers un monochromateur rseau, ce rseau limine les ordres suprieurs de la
diffraction. Le rayon de la lumire de longueur donde donne traverse ensuite lchantillon
et la partie transmise sera dtecte.
Le monochromateur est utilis pour la dispersion de la lumire en longueurs
dondes spectrales spcifiques que lon peut slectionner pour lanalyse avec les fentes de
largeurs rglables.
Le monochromateur doit tre pourvu de fentes pouvant tre slectionnes ou rgles
de manires choisir la largeur de bande voulue pour la longueur donde de llment
dterminer.
B.5. C0NCLUSION
Dans notre Laboratoire URMER nous avons un monochromateur de type
Bentham M300 que nous utiliserons
caractriser les cellules photovoltaques. Cette exprience est extrmement importante dans
ltude et lanalyse des cellules solaires.
79
Symbole
Dn
Dp
Dfinition
Coefficient de diffusion des lectrons (cm2.s-1)
Coefficient de diffusion des trous (cm2.s-1)
E
Ec
ED
EF
Eg
EV
FF
h
I
I0
Icc
Im
k
Ln
Lp
Champ lectrique
Niveau infrieur de la bande de conduction (eV)
Niveau nergtique des impurets donneurs (eV)
Niveau de Fermi (eV)
Largeur de la bande interdite (eV)
Niveau suprieur de la bande interdite (eV)
Facteur de forme
Constante de Planck
Courant lectrique (A)
Courant de saturation de la jonction (A)
Courant de court circuit (A)
Valeur maximale du courant (A)
Constante de Boltzmann
Longueur de diffusion des lectrons (cm)
Longueur de diffusion des trous (cm)
ni
nie
NA
ND
Pm
q
R
T
U
Vm
X
n
p
80
Sommaire
Introduction Gnrale.1
Chapitre I : Thorie Gnrale des Semi-conducteurs
I.1. Introduction3
I.2. Structures Cristallines...3
I.3. Bandes dEnergie...8
I.4. Semi-conducteur intrinsque9
I.4.1. Concentration intrinsque...9
I.4.2. Temprature intrinsque11
I.5. Diffrents Types de Dopage11
I.5.1. Semi-conducteur dop 11
I.5.2. Semi-conducteur dop 12
I.5.3. Densit de charges dans un Semi-conducteur...12
I.5.4. Loi daction de masse13
I.6. Courant dans les Semi-conducteurs...14
I.7. Gnration et Recombinaison des Porteurs..15
I.7.1. Recombinaison en volume de type Radiatives.16
I.7.2. Recombinaison en volume de type Auger17
I.7.3. Recombinaison par Pige..18
I.8. Conclusion19
Sommaire
II.3.4. La fusion de zone.25
II.3.5. Prparation des plaquettes...26
II.3.6. Dfauts cristallins dans le Silicium.27
II.4. Proprits Physiques du Silicium et du Germanium..27
II.4.1. Hauteur de la bande interdite...27
II.4.2. La conductivit29
II.4.3. Les masses effectives...30
II.4.4. Tableau des proprits physiques du Si et Ge 31
II.5. Conclusion...31
III.3. Conclusion.43
Sommaire
IV.4. Simulation des Cellules Solaires base de Silicium...50
IV.4.1. Paramtres de simulation...50
IV.4.2. Rsultats de la simulation..51
IV.4.2.1. Caractristique I-V...51
IV.4.2.2. Rponse pectrale52
IV.4.2.3. Influence de lpaisseur de lmetteur n+ sur le rendement....53
IV.4.2.4. Influence de lpaisseur de la cellule solaire sur le rendement...53
IV.4.2.5. Influence de la longueur de diffusion sur le rendement, Icc et Vco..........54
IV.4.2.6. Influence du dopage du substrat p+ sur le rendement, Icc et Vco......57
IV.4.2.7. Influence du dopage de lmetteur n+ sur le rendement, Icc et Vco.59
IV.4.2.8. Influence de la recombinaison en surface sur le rendement, Icc et Vco61
IV.5. Simulation des Cellules solaires base de SiGe.63
IV.5.1. Influence de lpaisseur sur le RQI...64
IV.5.2. Influence du taux de germanium sur le rendement66
IV.6. Conclusion.67
Conclusion Gnrale..68
Bibliographie70
Annexe. A..73
Annexe. B..74
Liste de symboles...80