Le photovoltaïque.

Histoire, développement et
options des cellules solaires
Prof. Dr.-Ing. H.G.Wagemann
Technique des Semiconducteur Technische
Universität Berlin

Présenté par: Dr.-Ing. Hichem Bencherif

Higher National School of Renewable Energy,
Environment &
Sustainable Development RE2=SD, Batna, Algeria.
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Table de matières

1. L´histoire de la technique photovoltaïque

2. Les cellules solaires standards de silicium
3. Autres solutions technologiques
4. Les cellules solaires de la 3ième génération.
5. Applications de l´énergie photovoltaïque
6. Point de vue économique
7. Résumé

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Table de matières

1. L´histoire de la technique photovoltaïque

2. Les cellules solaires standards de silicium
3. Les autres solutions technologiques
4. Les cellules solaires de la 3ème génération.
5. Applications de l´énergie photovoltaïque
6. Point de vue économique
7. Résumé

3
 Le silicium, une des matières premières de l´humanité

Depuis l´aube de l´humanité

les hommes se sont déjà
occupés du silicium.
Les premiers dans la
préhistoire avec le silex / SiO2,
les „pierres à feu“.
On les a utilisé comme outil,
mais aussi comme arme.

4
 Le silicium, la matière la plus moderne de nos jours

L´appréciation du silicium
n´a pas changée à notre époche.
Mais aujourd´hui, on utilise
du silicium extrémement purifié.
Les possibilités d´application
ont énormement augmenté
à l´ère des ordinateurs:
pour l´usage de la science,
de la médicine, de la circulation,
de la communication,
mais aussi pour la guerre.

Une des meilleures utilisations

du silicium,
c´est pour les cellules solaires....

5
Cellule solaire (15x15 cm2) de silicium multicristallin (mc-Si) à partir de lingots
coulés, qui constituent la matière première pour ~ 90% des échantillons.6
(origine: q-cells)
 La préshistoire des recherches
modernes des cellules solaires
Les alchimistes au moyen âge avaient découvert, que des cristaux de
baryte (BaSO4), après avoir été exposés au soleil, luisaient pendant la nuit.
Les „phosphores“ étaient nécessaires pour les transformations du matériel
sans valeur en or....
Au 18ième siècle, les savants commençaient à s´intéresser à ces minéraux, comme
J.W.Goethe (1806) pendant son voyage en Italie. Il emportait un sac de baryte
de Paderno/Bologna à Weimar, où les pierres sont présents à nos jours …

Alexandre Edmond Becquerel (1820 – 91) menait à Paris

les premières recherches scientifiques sur l´éffet de la
lumière de différentes couleurs sur des sels mineraux
et sur des électrodes des „métaux“ dans des électrolytes.
Pendant ses travaux, it découvrit, que la conductivité
électrique du sélénium change avec l´exposition
à la lumière. De la classification moderne le sélénium
compte parmi les semiconducteurs.
7
 La naissance de la science des
semiconducteurs
Ferdinand Braun en 1874, en tant que
professeur d´école à Leipzig, réussit à
decouvrir le redressement du courant par
des tôles métalliques couverts d´oxide ou
de sulfide. Pour les émetteurs à ètincelles
de la nouvelle télégraphie de G. Marconi
les <diodes de Braun> servaient comme
démodulateur. En 1909, les deux chercheurs
ont reçu ensemble le prix Nobel de la
physique pour ces travaux.

Les combinaisons des matériaux utilisées

étaient les premiers diodes de type
semi-conducteur / métal (p.e. Cu2O/Cu). Ferdinand Braun
(1850 – 1918)
On s`aperçut bientôt de la sensibilité des
8
<diodes de Braun> à la lumière.
La jonction Schottky et la diode pn
Walter Schottky découvrit en 1938 à Berlin
la zone de la charge d´espace (SCR) dans ses recherches
sur l´oxide de cuivre en contact avec le métal Cu (CuO2/Cu).

SCR
- +
cuivre - + oxide de cuivre
- + - + - +
- +
En 1947 à Murray Hills / NJ, USA, William Shockley
transféra le concept de la zone avec charge d´espace
à la jonction pn de germanium constituée de deux types
du même semiconducteur avec conductivité différente.
SCR
p-Ge - - + n-Ge
+
+ -
- - + - - + + +
+ -
9
charge immobile charge mobile
 50 ans cellules solaires de silicium
2003
3. World
Conference
on
Solar Energy
Conversion
Osaka / Japan
2003

Aujourd´hui
>90% de
toutes les
cellules solaires
sont
en silicium

( au premier plan d.g.à d.: les inventeurs D.M.Chapin, C.S.Fuller, P.L.Pearson

10
Bell Labs., Murray Hill, NJ, 1953 )
Table de matières

1. L´histoire de la technique photovoltaïque

2. Les cellules solaires standards de silicium
3. Les autres solutions technologiques
4. Les cellules solaires de la 3ième génération.
5. Applications de l´énergie photovoltaïque
6. Point de vue économique
7. Résumé

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 Principe d´une cellule solaire de silicium

La lumière du soleil

couche anti
réfléchissante
/ARC

n-émetteur SCR Charge

p-base

Iphoto
contacts métalliques

La conversion de l´énergie solaire en énergie électrique se déroule en 3 étapes:

1. absorption de la lumière avec génération de paires électron-trou dans la base p;
2. séparation des paires électron-trou dans la zone avec charge d´espace / SCR;
3. récombinaison, après que le courant Iphoto ait parcouru le consommateur;
12
(ARC ~ anti-reflective coating; SCR ~ space charge region)
Paramètres de la capacité technique des
cellules solaires
caractéristique du générateur I(U)
rendement η = (Um*Im)/ Esolar
tension U / V
courant J / A
Cellules solaires de l´industrie
c-Silizium η = 18…20%
mc-Silizium η = 14…17%
Ge/GaAs/InP η = 26…28%
sensibilité spectrale S(λ) = jk(λ)/E(λ)
de la puissance d´irradiation E(λ)
Δλ
sensibilité spectrale S / A/W
Sem
αfenêtre
longueur d´onde λ / nm
une région Δλ large avec
rendement quantique externe Qext ~ 1
est le but; on atteint des
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largeurs de Δλ ~ 400…600 nm
Cellule solaire „153“ de forte puissance
de Q-Cells S.A., Thalheim / Allemagne

Face: Arrière:
mesure 15 x 15 cm2 Contacts de 2 bandes
rendement η = 15 % avec passivation par Si3N4
14
 Le pic d´excédent des porteurs de
charge
émetteur n base p

SCR

- la densité des porteurs en marge de la charge d´espace → la tension

/ SCR
- la pente (le gradient) de la densité des porteurs → le courant
en marge de la charge d´espace / SCR
( l´illustration d´après A. Schmidt, Berlin 1998 ) 15
Réduction des pertes de réflexion
par des couches diélectriques
Pertes de réflexion à cause d´indices de
réfraction différents nair et nsilicium
nair (nsilicium = 3,45)
nsilicium

Interférence déstructive des rayons E1 et E2

pour une couche mince ARC de diélectrique
nair
(p.e. TiO2, SiO2 etc. sur Si; nSiO2 = 3,9)
nARC avec indice de réfraction nARC bien choisi
et épaisseur adaptée.
nsilicium

(illustration d´après A. Schmidt, Berlin 1998) 16

 Réduction des pertes de réflexion par
attaque chimique anisotrope de Si

1 entrée oblique des rayons de

lumière par les côtés des pyramides
structurés par attaque chimique,

2 deuxième chance d´entrer pour les

rayons après une réflexion au côté
d´une pyramide,

3 plusieurs transitions des rayons

à travers du silicium et réflexions
internes de la lumière,

(l´attaque chimique par KOH etc.)

(illustration d´après A.Schmidt, Berlin 1998) 17

 Le début des dispositifs modernes:
Cellule solaire PERL (M.A.Green et.al. 1990)

ARC des pyramides

invertées régulières
par une masque
additionnelle.
Contacts ponctuels
avec passivation de
SiO2 ou Si3N4 en
arrière.
.
Rendement η =24%

PERL ~ Passivated Emitter Rear Locally diffused cell

(avec passivation d´émetteur
et diffusion locale en arrière)
(J.Zhao, A.Wang, M.A.Green, Proc. 21th IEEE Spec. Conf.,
Orlando 1990, p.333 u.f.) 18
 La cellule solaire standard de l‘année 2006
La cellule solaire standard pour des applications terrestres consiste d´une
diode np de silicium multicristallin (mc-Si), coulé en lingot, avec une épaisseur de
(200 - 300) μm, dont seulement < 1 μm revient à l´émetteur, le reste forme la base.
L´émetteur est nécessaire pour établir sa partie de la région avec charge d´espace.

Presque toute l´épaisseur du dispositif composé de la base avec conductivité p.

La base absorbe les photons, qui engendrent des pairs d´électrons et de trous.
A cause de la faible densité de l´énergie solaire (~ 100 mW/cm2), le disposif
travaille en régime d´injection faible, et c´est le courant de diffusion des électrons,
qui produit la puissance phovoltaïque.

Pour garder les photons dans le dispositif, les deux surfaces extérieures sont
optimisées en régard de leur réflectivité (optical confinement).
Pour conduire la plupart des pairs de porteurs de charge à l´espace de charge,
la base dispose d´un champ électrique du côté arrière par dopage augmenté:
(BSF ~ back surface field). Le BSF fournit l´inclusion des porteurs de charge
créés par la lumière solaire (electrical confinement).

Aujourd´hui le rendement des cellules solaires industrielles de mc-Si

s´élève à η = (15...17)%. 19
La production des lingots de silicium multicristallin massif (mc-Si)
(source A.Claverie ADEME)

20
Fabrication de plaques de silicium pour cellules solaires terrestres
(source: A.Claverie ADEME)
21
 EFG-Ruban de silicium multicristallin
( EFG = edge defined film fed growth )
0.28 mm

principe:

(12.5 …15) cm
capillarité

longueur d´octogone ≤ 7 m
de graphite

plaques de silicium sont

Si-masse fondue sciées au bord par laser.

Tirage continu d´un ruban de silicium multicristallin en

forme d´un octogone à partir d´un bain en fusion.
On évite des pertes par sciage. La vitesse de tirage est
lente: 1...10 cm/min (longueur ≤ 7m, épaisseur = 0,28 mm). 22

(source: RWE Schott Solar, Allemagne)