CONVERSION PHOTOVOLTAÏQUE

Pr. Kh. Bouabid

Master EER
MODULE: CONVERSION PHOTOVOLTAÏQUE .
1
Année universitaire 2022/23
 ÉNERGIES RENOUVELABLES

2
 ❑ Les différentes sources d’énergie

✓ Sources d’énergie fossiles et fissiles:

• Pétrole (53 ans), gaz naturel (56 ans), charbon(110
ans)…épuisables et polluantes.
• Nucléaire (épuisable(+100ans) , présente des risques)
✓ Les énergies renouvelables (elles prennent origine du soleil):
• Hydraulique L’énergie solaire comble, en 1
• Solaire thermique (CSP): Electricité, chauffage… journée, la demande
énergétique mondiale de 8
• Eolien (vent): Electricité années (Bernardo, 2011)
• Géothermique : Electricité, chauffage…
• Force des marrés: Electricité
• Transfert d’énergie par pompage (STEP): Electricité
• Solaire Photovoltaïque (PV)
• Biocarburants, biogaz…etc

Champ PV Champ d’éoliens Noor I ouarzazate: CSP

 Part des Energies renouvelables dans la production mondiale

Part des EnRs dans la production énergétique dans le monde en 2016. (source REN21. 2017)
 C’est quoi le photovoltaïque?

L’énergie photovoltaïque (PV) permet la conversion directe de l’énergie des rayons

solaires en énergie électrique à l’aide de capteurs fabriqués avec des matériaux

sensibles aux longueurs d’ondes du visible (Silicium…).

La cellule solaire présente deux roles :

1. Absorption de la lumière: génération d’un excès de charges libres, (photo-courant Iph)

2. Séparation des charges: séparation/extraction des excès d’électrons et de trous (

photo tension V). D’où :

P= I x V
 Utilisation du photovoltaïque

❑ Cellules et modules de puissance inférieures à 1Wc: calculettes, montres,

horloges, jouets…,
❑ Applications professionnelles isolés ( P<50 Wc): alimentation de systèmes de
télécommunication, navigations maritimes, aériennes, alimentation de satellites en
énergie,
❑ Habitations isolés: 100 Wc à 10 kWc (pompage agricole),
❑ Bâtiments et sites industriels connectés au réseau électrique,
❑ Centrales solaires de plusieurs MWc de puissance.

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 Avantages et inconvénients du PV
Avantages
❑ La source d’énergie utilisée est gratuite : le soleil ,
❑ Le silicium, matériau de base, très abonde sur la croute terrestre, c’est un dérivé du sable
et sa mise en œuvre est inoffensive ,
❑ Les installations sont silencieuses et non polluantes et demandent peu de maintenance,
❑ Les modules PVs ont de très longue durée de vie (plus que 25 ans),
❑ Les systèmes photovoltaïques offrent la flexibilité de sources d'énergie décentralisées où
la production peut se faire sur le site d'utilisation, de quelques dizaines de watts à quelques
dizaines de MW;
❑ Industrie créative d'emplois en aval dans l'installation et de service, proportionnellement
à la puissance installée.
Inconvénients
▪ Source diluée (50 à 150 W/m2) ,
▪ Energivore à la fabrication
▪ Périodique et intermittente,
▪ Stockage pas facilement et couteux.
 Brève historique du photovoltaïque
❑ 1839: Edmond Becquerel découvrit l’effet PV à travers une jonction entre une

électrode et une électrolyte.

❑ En 1873, Smith mit en évidence la photoconductivité du Se ce qui permit par la suite à Adam et Day de

démontrer, pour la première fois, l'effet photovoltaïque dans un solide (Se) en 1877,

❑ 1912: Einstein donna une explication scientifique au mécanisme de l’effet PV.

❑ 1950: fabrication de la première cellule au silicium cristallin de rendement 4%.

❑ A partir de 1958 : Les programmes spatiaux donnèrent aux PVs ses premières

applications commerciales.

❑ 1980: regain de l’intérêt du PV en raison de la crise pétrolière et du réchauffement

climatique de la planète.

❑ Le développement des cellules solaires a largement bénéficié de l’industrie des SCs.

8
Système photovoltaïque pour la production d’électricité (injection dans le réseau
électrique)

installation = module (0,14) x onduleur (0,90) x câbles (0,99) = 0,12.

 Les différentes filières Photovoltaïques
➢ Les cellules solaires à base du silicium sont les plus utilisées
(module):
• Si monocristallin rendement le plus élevé: 25% (15%)
• Si polycristallin; 20%((12%)
• Si amorphe: 13.5% (7%)
➢ Les cellules solaires à base des composés III-V et II-VI:
• GaAs (monocristallin)
• InP
➢ Les cellules solaires à base de couches minces polycristallines:
• CdS/CdTe : 16.5 %
• CuInSe2/CdS/ZnO (21%- 11%) (I-III-VI2 et II-IV-V2)

➢ Les cellules solaires organiques, les perovskites hybrides et les

cellules de Gratzel (cellules solaire à pigment photosensible)

➢ Les cellules solaires à multi jonctions ou Tandem

10
11
12
 • L’énergie solaire thermique à concentration(CSP)

13
❑ Les sous-systèmes composant une centrale solaire:
▪ Concentration des rayons solaires par des miroirs et lentilles,
▪ Absorbeurs d’énergie par un fluide caloporteur,
▪ Possibilité de stockage de la chaleur et d’utilisation de combustibles,
▪ Production de l’électricité par des turbine,
▪ Nécessité d’une source de refroidissement.

14
❑ Les différents types deconcentrateurs solaires:
Fresnel Cylindro-paraboliques
Centrales à tour , Paraboliques à moteur.

15
 PARTIE II:
MATÉRIAUX POUR LE PHOTOVOLTAÏQUE

16
 Chapitre I: Rappels sur les semiconducteurs
I- Rappels sur les solides
Un solide est un empilement d’atomes, ou de molécules, ou d’ions qui ne peuvent amorphe
glisser les uns sur les autres. Ils présentent deux types d’assemblages et
d’arrangement:
• Un arrangement désordonné et aléatoire: les amorphes ( ou verres).
• Un arrangement ordonné aux nœuds d’un réseau périodique: état cristallin
cristallin

Les cristaux sont classés en fonction de la nature des liaisons entre atomes, molécules ou ions assurant la
stabilité de celui-ci. On distingue essentiellement quatre familles de solides cristallisés :

1- Les cristaux ioniques :

Association d’éléments fortement électropositif (métaux Alcalins : Li, Na, K, Rb, Cs) et d’éléments
fortement électronégatif (Halogènes : F, Cl, Br, I). Exemples de structures ioniques :
❑ Structure type CsCl . Réseau cubique simple. Exemples: CsCl, CsBr, CsI…
❑ Structure type NaCl. Réseau cubique faces centrées(CFC).ex: NaCl, KCl, MgO, CaO, FeO, MnO…
❑ Structure type blende . CFC. Ex: ZnS, ZnO, MgS…
17
L’électron libéré par l’alcalin est fortement lié sur l’halogène. Aucun électron n’est libéré dans le réseau du
matériau ; ces cristaux sont des isolants et généralement très durs.

2- Les cristaux covalents :

Assemblage d’atomes neutres mettant en commun des électrons pour former des liaisons fortes dirigées
dans l’espace. C’est le cas des éléments de la colonne IV du tableau périodique (C, Si, Ge, Sn). Ces
éléments ont quatre électrons périphériques qu’ils mettent en commun avec ceux de quatre atomes
voisins pour établir des liaisons covalentes.
❑ L’énergie de liaison El importante dans le carbone diamant  isolant
❑ L’énergie de liaison El nulle dans l’étain (Sn)  conducteur
Dans le Si et le Ge, cette énergie est intermédiaire, ce qui fait de ces matériaux des semiconducteurs (SCs).

I II III IV V VI
B C N O
Al Si P S
Cu Zn Ga Ge As Se
Ag Cd In Sn Sb Te
18
3- Les cristaux métalliques :
Ils sont construits avec des éléments identiques électropositifs, c.à.d., ayant un électron périphérique
(bande de valence) . Cet électron est facilement libéré dans le cristal, ce qui fait que ces matériaux sont de
bons conducteurs d’électricité. L’énergie de liaison métallique est plus forte que celle de Van der Waals
mais plus faible que celle d’un cristal covalent.
Exemple de cristaux métalliques:
Cu, Ag, Fe, Al, Ca (cfc), Be, Mg, Zn, Cd, Ca (hexagonale compacte), Cr…
Ils ont des températures de fusion qui s’étalent sur un large domaine dépendant de l’énergie de liaison
métallique: basses pour Hg et les alcalins, élevé pour le tungstène (W) et le molybdène (Mo) .

4- Les cristaux moléculaires :

L’unité de base n’est pas l’atome mais la moléculaire. Les forces de liaison sont fortes à l’intérieur de la
molécule (covalentes) mais de type Van der Waals entre molécules et par conséquent faibles. Ces
matériaux sont peu résistants et fondent à basse température.

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II Bande d’énergie des semiconducteurs
Rappels :
▪ Energie des électrons dans H2

Énergie correspondant aux orbitales ψσ et ψσ* en fonction de la distance interatomique

▪ Structure électronique de Silicium

Atome
Hybridation sp3 du Si

1s22s22p63s23p2
Transformations successives des états atomiques en états cristallins

Les électrons du cristal disposent de deux niveaux d’énergie El et Ea chacun étant dégénéré
deux fois pour chaque liaison, ce qui induit, en raison du principe de Pauli, qu’un cristal qui
contient N atomes/ cm3 est au total 2N fois dégénéré.
 Conducteur

Diagrammes d’énergie relatifs à la nature des matériaux.

▪ La résistivité électrique des matériaux (r) à température ambiante est:

10-6 10-2 109 1014 1014

Bons conducteurs Semiconducteurs isolants r(Wcm)=1/s

22
Si Ge GaAs

Emission d’un
rayt hv

Gap indirect Gap direct

Structures de bandes d’énergie de : Si , Ge et GaAS 23

III. Semiconducteurs intrinsèques
Un semiconducteur intrinsèque est un sc dépourvu de toutes impuretés
susceptibles de modifier la densité des porteurs. Les électrons de la BC
ne peuvent résulter que de l’excitation thermique des électrons liés de
la BV. Ainsi, les électrons et les trous existent par paires et donc :

n = p = ni
ni est appelé densité de porteurs intrinsèques, c’est une caractéristique
du sc à une T donnée.
P(E)

Nv(E) NC(E)

p(E) n(E)

EFi E
24
▪ Schéma simplifié du diagramme d’énergie d’un Sc
E - - - - - - - Bande de conduction (BC)
Energie de gap Eg
Niveau de Fermi EF

+ + + + + + + Bande de valence (BV)

Si T augmente, des électrons de la BV acquièrent de l’énergie et transite vers la BC
laissant à leurs places des trous.
Dans un Sc, il existe deux types de porteurs : les électrons et les trous.
Ainsi, la conductivité électrique serait la somme de la conductivité des deux porteurs:

Droite de pente
-Eg/2k
ln (s)

1/T

25
 Eg (eV) mn (cm2.V-1.S-1) mp(cm2.V-1.S-1) Nc (1019cm-3) Nv (1019cm-3) ni (cm-3)

Si 1,12 (ind.) 1600 400 2,7 1,1 1010

Ge 0,66 (ind.) 3600 1800 1 0,5 2.1013
GaAs 1,43 (d) 8000 300 0,04 1,3 3.106
InP 1,27 (d) 4500 1000 0,05 2 3.107
Cu 30

Paramètres physiques de certains semiconducteurs

26
Effet de la température
IV Semiconducteur extrinsèque
Si Si Semiconducteurs extrinsèques
Si
Si Ga Électron excédentaire
Si As
Si Si Si
Si Si Liaison déficitaire en électron Si Si
Si
Semiconducteur intrinsèque Sc type p : Ga élément accepteur Sc type n : As élément donneur

type "p" type " n"

p augmente n augmente

Introduction d'atomes de type Introduction d'atomes de type

accepteur en substitution donneur en substitution
d'atomes du réseau de départ d'atomes du réseau de départ
de valence inférieure à celle de valence supérieure à celle
des atomes du réseau. des atomes du réseau.
Pour Si et Ge
Ga, B, In P, Sb, As
27
Les incorporations des impuretés sont de types: interstitiels (impuretés métalliques) ou substitutionnels
(B, P, Al, III, V). L’introduction des impuretés provoquent une distorsion du réseau cristallin avec
perturbation locale de la périodicité, alors que les impuretés interstitielle sont généralement de de petite
dimension (rayon atomique petit).

Les défauts cristallographiques:

- Les défauts intra-granulaires: dus aux impuretés (C, O ) lors de la croissance du SC , influencent peu sur
les propriétés électroniques des SCs
- Les défauts inter-granulaires: liés au joints de grains, sont source importante de recombinaisons des
porteurs. 28
 29

Sc type n
Niveaux d’énergie introduits dans la bande interdite pour différentes impuretés dans le Si et le GaAs
30

Rqs: - Les défauts dans le cristal introduisent aussi des niveaux d’énergie dans la bande interdite.
- Les niveaux situés au voisinage du milieu de Eg dégradent les propriétés du composant Sc.
- Certaines impuretés introduisent plusieurs niveaux d’énergie.

- - - - - BC - - - BC - - -- - - - - - BC
- - ED
EFi EFi EF
EF EFi
+ + EA
+ + + + + BV + + ++ + + + BV + + + BV
Sc intrinsèque Sc type p Sc type n
1. Densité de porteurs libres
a- Occupation des niveaux d'impuretés à l'équilibre
Pour un niveau de type donneur
Concentration des électrons "quasi-libres« qui peuplent le niveau 𝐸𝑑 , ou
concentration d'impuretés de type donneur non ionisées :
𝑛𝑑 = 𝑁𝑑 𝑓𝑑 (𝐸𝑑 , 𝑇 )
1 𝟎 1
𝑓𝑑 𝐸𝑑 , 𝑇 = 𝐸 −𝐸 ; ( 𝑁𝑑 𝐸 𝑑 , 𝑇 = 𝑁𝑑 𝐸 −𝐸 )
1 𝑑 𝐹 1 𝑑 𝐹
1 + 𝑒 𝑘𝑇 1 + 𝑒 𝑘𝑇
2 2
𝑁𝑑 𝟎 donneurs neutres
Si 𝐸𝑑 − 𝐸𝐹 >> kT, alors 𝑛𝑑 << 𝑁𝑑
On dit que toutes les impuretés sont ionisées (charge +)
On parle de régime d'épuisement des impuretés.
Ceci a lieu typiquement pour T>50-100 K environ.
Même raisonnement pour les accepteurs
31
Soit un Sc contenant les densités d’accepteurs Na et de donneurs Nd . Soient Nd+ et
Na- le nombre de donneurs et d’accepteurs ionisés. La condition de neutralité des
charge donne:

A température ambiante, on suppose que tous les atomes dopants sont ionisés :
kT  EA  ED donc
eq.1

La condition Nd ou Na =0 n’est jamais réalisée du fait que lors de la croissance cristalline le sc

est toujours contaminé par des impuretés résiduelles.

b- Semiconducteurs compensés: semi-isolant

Pour compenser les impuretés résiduelles on dope le sc de façon à se rapprocher de
la condition Nd = Na n = p

32
 c- Semiconducteurs de type n

Soit un sc tel que Nd>Na  n>p on dit que le sc est de type n. les électrons sont des
porteurs majoritaires et les trous des porteurs minoritaires.

L’équation (1) associée à np=ni2 (relation générale) permet d’écrire :

La racine positive donne:

En réalité Nd, Na et Nd-Na sont toujours très supérieures à ni :

33
d- Semiconducteurs de type p
Si le dopage tel que Na>Nd, les porteurs majoritaires sont les trous et les porteurs
minoritaires sont les électrons.

2- Niveau de Fermi
Dans la mesure où le Sc n’est pas dégénéré, la densité des porteurs est donnée par :
(𝑬𝒄 −𝑬𝑭 ) (𝑬𝑭 −𝑬𝑽 )
− −
𝒏 = 𝑵𝒄 𝒆 𝒌𝑻 𝒆𝒕 𝒑 = 𝑵𝑽 𝒆 𝒌𝑻

Soit un sc de type n= Nd – Na
𝑵𝑽
Soit un sc de type p= Na – Nd 𝑬𝑭𝒑 = 𝑬𝑽 + 𝒌𝑻𝒍𝒏
𝑵𝒂 − 𝑵 𝒅

Dans chaque type de semiconducteur, le niveau de fermi se rapproche d’autant plus

de la bande de porteurs majoritaires.
Le type de Sc et la densité de porteurs majoritaires sont obtenus expérimentalement
par la mesure du coefficient de Hall. 34
3- Evolution de la densité des porteurs avec la température
Afin de simplifier le calcul, nous pouvons définir différents régimes de température.
Dans la gamme des températures élevées les donneurs ne jouent aucun rôle, on est
dans le régime intrinsèque.
▪ A basse température la densité des électrons est conditionnée par la population
du niveau donneur, la densité des trous est négligeable.
𝟏 𝟏 −(𝑬𝒄 −𝑬𝒅 )
𝒏 = ( (𝑵𝒄 𝑵𝒅 )𝟐 𝒆 𝟐𝒌𝑻
𝟐
▪ Lorsque T tend vers zéro n0, c’est le régime de gel des électrons.
▪ En augmentant T les donneurs s’ionisent progressivement, la densité d’e- devient
de l’ordre de Nd et la densité des trous ni2/Nd.
La courbe de variation de n en fonction de 1/T est la suivante :

35
V Courants dans les semiconducteurs
Ils résultent du déplacement des porteurs de charges sous l’action d’une force due à
un champ électrique ou à un gradient de concentration.
1. Courant de conduction (drift)
En présence d’un champ extérieur E, un porteur de charge q à une vitesse de dérive
ou de drift (déduite du PFD):

Les densités de courants de conduction des électrons et des trous sont:

D’où la densité de conduction est:

36
2. Courant de diffusion
Les porteurs dans un Sc peuvent aussi se déplacer par diffusion si leur distribution est
non uniforme. D’après la loi de Fick, le flux des porteurs est proportionnel à leur
gradient de concentration.
Diffusion des électrons: diffusion des trous:
Relation d’Einstein:

37
VI. Génération et recombinaison dans un semiconducteur
1. Interaction de la lumière avec un semiconducteur
Soit un rayonnement incident monochromatique perpendiculaire à une large section d’un Sc. La
fraction de lumière réfléchie est donnée par :

Où n et k sont respectivement les indexes de réfraction et d’atténuation.

Rappel: l’indice de réfraction complexe est:
La lumière transmise est atténuée à la traversée du Sc. Le taux d’absorption de la lumière est
proportionnel à l’intensité du flux de photons pour une longueur d’onde donnée, soit :
𝑑𝐼 𝑥 I(x) I(x+dx)
𝐼 𝑥 + 𝑑𝑥 − 𝐼 𝑥 = 𝑑𝑥 = 𝛼𝐼 𝑥 𝑑𝑥
𝑑𝑥
dx
a(l) est le coefficient d’absorption. Loi de Baer Lambert
Relation entre a(l) et k:
La vitesse dans le Sc est: soit
ainsi :
38
ෛ
fact. d′ atténuation
Le dernier terme est le facteur d’atténuation. La puissance de la lumière (I) s’atténuerait comme
le carré de l’intensité du champ E. La comparaison de l’équation 1 et 2 donne la relation:

2. Absorption de la lumière
a. Semiconducteur à gap direct
L’absorption de photons contribue à l’excitation d’un électron de la bande de valence vers la
bande de conduction avec conservation de l’énergie et du vecteur d’onde (momentum) p.

1 𝜕2 𝐸 𝑝 2 𝑝2 1 𝜕2 𝐸 𝑝 2 𝑝2
𝐸𝑓 − 𝐸𝑐 ≈ 𝑝 = et 𝐸𝑖 − 𝐸𝑉 ≈ 𝑝 = ∗
2 𝜕𝑝2 2𝑚𝑒∗ 2 𝜕𝑝2 2𝑚ℎ

La valeur spécifique du la quantité de mouvement à laquelle la transition a lieu est donnée par :

L’augmentation de l’énergie hv provoque celle de p. La probabilité d’absorption d ’un photon

dépend de la densité d’états existant à l’énergie initiale et la densité des états vides à l’énergie
finale. Il s’ensuit que augmente rapidement avec l’augmentation de l’énergie des photons
au delà de . On montre que le coefficient d’absorption est donné par :
39
A est une constante de valeur numérique 2.104
Rq: L’intensité de la lumière dans un Sc à gap direct chute de 1/e
pour x=1/a. Donc les photons E > Eg sont absorbés dans une
épaisseur très faible, de quelques mm de la surface d’un Sc.
b. Semiconducteur à gap indirect
La transition entre la BV et la BC se produit par deux processus impliquant en plus du photon et
de l’électron d’une troisième particule : le phonon lié à la vibration cristalline et qui a une faible
énergie comparée au photon mais relativement une valeur importante de la quantité de
mouvement (p).
est l’énergie du phonon absorbé au vecteur d’onde p.
Transition avec absorption de phonon ; Transition avec émission de phonon

l’absorption de photon et de phonon est possible si:

Ainsi le coefficient d’absorption est:
Pour des énergies d’excitation importantes les absorptions directes s’ajoutent à celles indirectes.
40
c. Autres processus d’absorption
L’absorption de la lumière peut être effectuée par excitation de porteurs entre les bandes
permises (Ev ou Ec) et des niveaux d’énergie à l’intérieur de la bande interdite
Ev
Et
Ev
Les processus suivants produisent des effets de second ordre dans les cellules solaires:
i- L’effet Franz-Keldysh survient en présence d’un champ électrique important tel que
celui existant dans certaines zones de la cellule PV (ZCE). Cet effet réduit l’absorption limite à
des faibles énergies (hv<Eg), et ayant le même rôle que de réduire l’énergie de gap.
ii- Le fort dopage en impureté affecte aussi la limite d’absorption, ceci provoque la
réduction de la largeur de la bande gap (Eg).

3. Processus de génération – recombinaison

Soient g’ et r’ les nombres de porteurs crées et recombinés par cm-3s-1.

génération thermique, génération extérieure ( Optique, électrique…)

La variation du nombre de porteur par cm-3s-1 , est:

41
g et r sont appelés: taux de génération et taux de recombinaison.
Il existe 3 mécanismes de recombinaison.
a. Recombinaison radiative ou directe
C’est une transition d’un état de haut niveau d’énergie (BC) à un niveau plus bas (BV) avec
émission d’un rayonnement d’énergie: E = hv = Ef - Ei
le nombre de recombinaison est proportionnel au nombre d’électrons et de trous:

Le taux de recombinaison est:

À l’équilibre thermodynamique, en l’absence d’excitation extérieure:

Ainsi:

a- Recombinaison dans un sc à gap direct

b- recombinaison dans un sc à gap indirect.

42
a- b-
Pour un Sc sous excitation extérieure, on a:
En raison de la neutralité électrique:

: durée de vie des porteurs dans le Sc excité :

En régime de faible injection, cas des cellules PV, on a:

-Pour un Sc type N:

- Pour un Sc type P:

: sont les temps de relaxation des électrons et trous (ou durée de vie des porteurs
minoritaires). Ils sont plus courtes dans les Scs à gap direct que dans ceux à gap indirect.
43
- Pour le Silicium k est de l’ordre de 2.10-15 cm3/s
b- Recombinaison Auger
L’excès d’énergie du à la recombinaison d’un électron avec un trou est donné à un second
électron, au lieu de l’émission d’un rayonnement. Celui-ci revient à son état initial par relaxation
en émettant des phonons. Les temps de relaxation pour les scs N et P sont:
pour Sc type N (a)
pour Sc type P (b)

• Taux de recombinaison pour le processus à 2

électrons et 1 trou :
r= Ap (n2p − n02p0)
• Taux de recombinaison pour le processus
à 2 trous et 1 électron 2 électrons et 1 trou 2 trous et 1 électron
r= An (np2 − n0p02)
• Pour un SC de type n, avec une concentration Nd, la durée de vie Auger en régime de
faible injection sera donnée par : 𝟏
= 𝑨𝒑 𝑵𝟐𝒅
𝝉𝒑,𝒂𝒖
• Pour un SC de type p, avec une concentration Na, la durée de vie Auger en régime de
faible injection sera donnée par 𝟏
= 𝑨𝒏 𝑵𝟐𝒂 44
𝝉𝒏,𝒂𝒖
c- Recombinaison indirecte par pièges dans la bande interdite: théorie de Shockley-Read-Hall
i- Recombinaison en volume : Les impuretés et défauts dans un Sc donnent lieu à des niveaux
d’énergie dans la bande interdite.Le taux de recombinaison dû à ces pièges est:

et sont les durées de vie dont les valeurs dépendent du type de

piège et de la densité en volume des défauts.
et
avec:
Dans la pratique les centres qui jouent un rôle important dans les processus de recombinaison
introduisent des niveaux d'énergies voisins du milieu du gap du semiconducteur.
;
Le taux de recombinaison est donné par la relation simplifiée:

Cas Sc type n:
Cas Sc type p:
Cas Sc dépeuplé:
45
ii- Recombinaisons en surface
La surface présente plus de défauts dans une structure cristalline et
contribue à plus d’états permis dans la bande Eg.
Le taux de recombinaison par unité de surface UA (cm2/s) est:

Où Se0 et Sh0 sont les vitesses de recombinaison en surface. De même,

les centres situés au centre de Eg contribuent à plus de recombinaison.

Pour des états de surface proches du milieu de la bande interdite,

et pour un SC de type n, en régime de faible injection :

𝑟𝑠 = 𝑈𝑠 = 𝑆𝑝 (𝑝 − 𝑝0 )

Avec 𝑆𝑝 la vitesse de recombinaison en surface (cm/s)

46
 Chapitre II: Jonction pn idéale
Jonction la plus simple : juxtaposition de deux régions de types de dopage différents
d’un même monocristal de semiconducteur (homojonction) ou différents Scs
(Hétérojonction).
I- Jonction abrupte à l’équilibre thermodynamique
Dans une jonction abrupte, Nd-Na passe brutalement dans le plan x=0 d’une valeur
négative dans la région p à une valeur positive dans la région n.
+ + + + + - - - - -
Avant diffusion + + + + +
- - - - -
+ + + + +

+ + + + + - - - - -
+ + + + +
+ + + + + - - - - -

Ei
+ + + + + - - - - -
Après diffusion + + + + +
- - - - -
+ + + + +

Sc type n Sc type p 47
Nd-Na>0 Nd-Na<0
Les trous majoritaires dans la région de type p, diffusent vers la région n où ils se
recombinent avec les électrons. Il en est de même pour les électrons. En conséquence, de
part et d’autre de la jonction, il se crée une mince zone de transition appelée aussi zone de
déplétion ou zone de charge d’espace (ZCE) pratiquement dépourvue de porteurs libres
mais contenant toujours des ions fixes provenant des atomes dopants. Il s’établit alors un
champ électrique qui s’oppose à la diffusion des porteurs majoritaires.

L’équilibre thermodynamique est atteint lorsque la force électrique résultant de

l’apparition de champ, équilibre celle de diffusion due aux gradients de concentration de
porteurs libres. Autrement, le niveau de Fermi est le même dans tout le dispositif.

La zone de charge d’espace d’une jonction pn varie entre 0,1 et 1 mm en fonction du taux et
du profil de dopage.

48
 Quelle que soit la structure du matériau (homogène ou non ), le niveau de Fermi
est le même partout à l’équilibre thermodynamique (pas de flux de charges).
Evide E

Travail de sortie qfn qX qfp qX Affinité électronique

Ec
EFn
EFp
Ev
Sc type n qfn=qX+Eg-(EFn-Ev) Sc type p qfp=qX+Eg-(EFp -Ev)
Après formation de la jonction, à l’équilibre thermodynamique, les niveaux de Fermi
des semiconducteurs n et p (homogènes ou non) sont égaux: EFp=EFn=EF

Barrière de potentiel
Ou potentiel de diffusion qVd
Ec
Ec qVd
EF
Ev
Ev Junction n-p
49
La barrière de potentiel est: qVd=q(fp-fn)=(EFn-EFp)
1- Charge d’espace
Les densités de porteurs libres dans chacune des deux régions sont données par :
p=pp0=NA
Dans la région p: p=Na et n=nn0=ND

Dans la région n : n=Nd et

n=np0=ni2/NA p=pn0=ni2/ND
En supposant que tous les donneurs et les accepteurs x
sont ionisés, la charge d’espace dans chacune des
régions n et p de la jonction s’écrit :

2- Tension de diffusion
La tension de diffusion appelée aussi barrière de potentiel (ou Vbi ,Built-in) est due à
la présence de charge d’espace, elle est donnée par la relation:
Vd= Vn-Vp
Vd peut être déterminée de deux manières, en considérant que:
1. le courant (jn et jp) de chaque type de porteur est nul,
2. le niveau de Fermi est le même dans toute la structure.
50
Ainsi pour le cas 1,

Et

Rappel: Le courant de conduction est dû à un champ électrique alors que celui de

diffusion , il est du à un gradient de concentration
Ce qui permet d’écrire :

En intégrant dans toute la zone d’espace de xp à xn on obtient :

Les valeurs de Vd à température ambiante sont respectivement de l’ordre de 0,7 V et

0,35 V dans les jonctions au silicium et au germanium.

L’application d’un potentiel Va , provoque un potentiel entre la zone de transition de

Vd-Va : si Va>0 diminution de la barrière de potentiel; pour l’inverse (Va<0)
51
augmentation de la barrière de potentiel.
3- Potentiel et champ électrique dans la zone de charge d’espace
Soit l’équation de Poisson :

avec
Pour xp<x<0 l’équation s’écrit pour une jonction p-n:
ZCE: W

xp 0 xn x
en intégrant deux fois avec les conditions E=0 et V=Vp pour x=xp, on obtient :

Et

De même pour 0<x< xn:

Le champ électrique est dirigé suivant x et donné par soit:

52
Pour xp<x<0

pour 0<x< xn

4- Largeur de la zone de charge d’espace

La continuité en x=0 du vecteur déplacement D=eE permet d’établir la relation entre xp et xn.
Ecrivons eEO+= eEO-, soit :

En posant la relation s’écrit :

(1)
On obtient l’expression de la largeur de la ZCE , en écrivant la continuité du potentiel au point
x=0 :

Ce qui donne pour Wn et Wp les expressions : et

D’où l’expression de W est:

53
En explicitant Vd, W peut s’écrire sous la forme :

Avec : et

sont les longueurs de Debye dans les régions n et p. Ils représentent la profondeur
de pénétration des électrons et des trous respectivement dans les zones Wn et Wp.
Autrement, 2LDn est la longueur sur laquelle la densité d'électrons libres passe de Nd à Nd /e.

2𝜀 (𝑁𝑎 + 𝑁𝑑 )
On montre que : 𝑊= 𝑉𝑑
𝑒 𝑁𝑎 𝑁𝑑

Si la jonction est dissymétrique avec par exemple Nd<Na, la zone de charge d’espace se
développe essentiellement dans la région la moins dopée : Wn

2𝜀 1
𝑊 ≈ 𝑊𝑛 = 𝑉
𝑒 𝑁𝑑 𝑑
54
 Ei
- -- - - + + ++ +
- -- - -
- - -- - + + ++ +
p n
r(x)
eNd
+
x
-
-eNa
V(x) Vn

Vd

Vp x
E(x)

x
xp xn

ECp

ECn
EF

EVp

55
EVn