Licence Profesionnelle

Instrumentation Optique et Visualisation

Dtecteurs Optiques et
Introduction aux systmes optroniques
 Table des matires

A-La dtection: au coeur du systme optronique ...................................... Page4

B-Les diffrents types de dtecteurs ........................................................... Page5

1-Dtecteurs thermiques ............................................................................................................Page5
2-Dtecteurs photoniques ..........................................................................................................Page6

C-Paramtres de signal d'une photodiode ............................................... Page10

1- Le diple "Photodiode": un rseau de caractristiques ..........................................................Page13
2-Courant d'obscurit ..............................................................................................................Page14
3-Deux modes de fonctionnement ............................................................................................Page14
4-Dtection de trs faibles flux .................................................................................................Page15
5-L'utilisation en mode photoconducteur ..................................................................................Page16
6-Comportement dynamique:bande passante ............................................................................Page18

D-Bruits de photodtection ........................................................................ Page19

1-Qu'est-ce que le bruit? .........................................................................................................Page19
2-Comment caractriser le bruit? .............................................................................................Page20
3-Les diffrentes sources de bruit .............................................................................................Page21
4-De la NEP la dtectivit spcifique .....................................................................................Page21
6-NEP dtecteur et NEP systme ............................................................................................Page23

E-Dtecteurs IR: une introduction aux systmes optroniques ............... Page23

1-Dtecteurs BLIP et Dtectivit spcifique ..............................................................................Page23
2-Signal IR et Temprature quivalente de bruit ........................................................................Page25
3-La conception d'un systme optronique IR: TD-cours ...........................................................Page25

Annexe: Quelques rfrences bibliographiques et sites internet ........... Page28

2
 Optique

Dtec teur

Elec tronique
Filtrage
(spec tral ou spatial)

Sources: Dtection Tra itement

Objet et Fond Exploita tion

Figure 1-Une chane optronique. Le bloc de dtection qui englobe optique, filtrage spectral ou
spatial, dtecteur et lectronique de proximit (convertisseur courant-tension, gain...) est au
coeur du systme et requiert la plus grande attention. Une dtection doit tre adapte la scne
observe et la nature de l'information extraire.

3
 A-La dtection: au coeur du systme optronique

Emise par un corps, rflchie par une surface, rtrodiffuse ou encore module diverses frquences,
la lumire vhicule de l'information. Pour l'exploiter plus facilement, les photons doivent tre convertis en
signaux lectriques: la lumire est ainsi "dtecte". La premire partie de ce cours est consacre l'tude
des processus physiques l'oeuvre dans cette conversion. Diffrents types de dtecteurs optolectroniques
utilisent ces processus: on distinguera les dtecteurs thermiques et les dtecteurs photoniques.

La dtection est au coeur de la conception d'un systme (Figure 1). A l'interface Optique-Traitement
lectronique, c'est elle qui permet d'exploiter de manire optimale le signal optique provenant de la scne
observe. Une dtection mal pense ou mal optimise se traduit par une perte dfinitive d'information.
Aucun traitement -aussi performant soit-il- ne permettra de retrouver de l'information si cette dernire n'a
pas t dtecte. Par exemple, si l'objectif est de rechercher la prsence d'un corps mettant dans l'infrarouge
lointain (vision nocturne, dtection de tumeurs en imagerie mdicale,...), le dtecteur doit tre adapt ce
domaine de longueur d'onde spcifique. Si l'information est porte par une modulation rapide de la lumire,
la bande passante devra tre suffisamment large pour ne pas perdre ce signal. La seconde partie de ce
polycopi se concentre sur les photodiodes et prsente leurs modes de fonctionnement et mise en oeuvre
pratique. Cette section doit vous permettre de lire une notice commerciale et d'en extraire les caractristiques
principales d'une photodiode afin de rpondre l'application souhaite.

Mme si les choix prcdents ont t convenablement raliss, un signal peut s'avrer difficile
exploiter en raison du bruit de dtection. Ce bruit est une limite au bon fonctionnement du systme. Un
signal faible "noy" dans le bruit ne pourra tre extrait et l'information sera donc dfinitivement perdue.
Imaginons galement un systme qui met une alarme lorsqu'un niveau de signal prdfini est atteint: le
bruit peut provoquer de fausses alertes en s'ajoutant un signal plus faible que le niveau requis. Il est donc
ncessaire de le quantifier et d'en connatre l'origine. Aprs avoir prsent la notion de densit spectrale de
bruit, la troisime partie du cours dcrit les sources de bruit et explique comment dfinir et caractriser les
"paramtres de bruit" d'un dtecteur afin de pouvoir les comparer entre eux.

Une dernire partie s'intresse au cas

particulier des dtecteurs travaillant dans l'infrarouge
moyen et lointain (3-30 m). En effet, l'environnement
temprature ambiante met dans cette gamme de
longueur d'onde (mission corps noir) et devient la
source principale de bruit. De plus, les systmes
travaillant dans l'infrarouge ont connu un trs fort
dveloppement dans le domaine de la dfense, du
spatial, de l'industrie ou encore du mdical. Cette
partie sera l'occasion de prsenter les grandes lignes
de la conception d'un systme optronique infrarouge Figure 2- Un LIDAR (LIght Detection And Ranging) permet de
localiser en temps rel les formations nuageuses et les tranes
en partant d'un cahier des charges. Si le terme d'avions situs plusieurs kilomtres. Un lidar est un systme
"OptoElectronique" dsigne des composants tels que dit actif: un faisceau laser est mis et la rtro-diffusion de ce
dtecteurs, fibres, modulateurs ou amplificateurs de faisceau est dtecte et analyse. Les lidars sont galement utiliss
pour dtecter et analyser les polluants atmosphriques.
lumire, le terme "Optronique" -longtemps rserv
aux militaires et qui a diffus dans le domaine civil partir des annes 90- a plutt une signification "systme".
Un systme optronique associe optique, optolectronique, lectronique, informatique, visualisation... Derrire
ce mot se cache l'ide d'une architecture, d'une chane aux multiples composants dpendant les uns des
4
 autres. Des exemples typiques de produits optroniques sont le lidar (radar
optique-Figure 2), la camra vido (Figure 3) ou le lecteur CD.

Figure 3- Une camra vido est un produit

optronique typique, multidisciplinaire.

B-Les diffrents types de dtecteurs

Un dtecteur convertit un rayonnement optique en signaux lectriques plus faciles exploiter. La

conversion photon-lectron peut tre indirecte: l'absorption de lumire se traduit par une lvation de
temprature d'un matriau absorbant qui est ensuite convertie en signal lectrique. Les dtecteurs thermiques
fonctionnent sur ce principe. Par contre, les dtecteurs photoniques (ou quantiques) mettent en jeu une
cration directe de charges lectriques.

1-Dtecteurs thermiques

Trois types sont couramment utiliss: thermopiles, bolomtres et dtecteurs pyrolectriques. Les
deux premiers ont un temps de rponse de quelques ms alors que les pyrolectriques peuvent atteindre
quelques centaines de s: ils sont donc dans l'ensemble relativement lents. Cependant, une caractristique
avantageuse est que les variations spectrales du facteur de rponse ne dpent que du facteur d'absorption
du revtement absorbant qui, pour certains, varie peu sur une grande plage de longueur d'onde (la suie
d'or a par exemple un facteur d'absorption proche de 1 depuis l'ultraviolet jusqu' l'infrarouge moyen).
Ces dtecteurs seront donc utiliss lorsque le temps de rponse n'est pas un paramtre critique et qu'une
rponse uniforme sur une grande plage de frquence est ncessaire. Leur longvit et leur robustesse en
font de bons candidats pour des applications spatiales par exemple.

Une thermopile est constitue d'une srie de

thermocouples connects en srie. Un thermocouple est form
de deux conducteurs diffrents souds en V (Figure 4). Une
couche absorbante dpose sur les jonctions "chaudes"
convertit le rayonnement incident en chaleur. Les points de
jonctions "chauds" sont isols thermiquement des points de
jonction "froids" (module Peltier par exemple). Une tension
proportionnelle au flux est alors gnre par effet
thermolectrique (effet Seebek). Ce dtecteur ne ncessite Figure 4 - Principe de l'effet thermolectrique. 2
conducteurs diffrents sont souds. Une diffrence
pas de tension de polarisation extrieure. de temprature (flamme ou par l'intermdiaire
d'une matriau absorbant pour dtecter un
Les bolomtres utilisent la variation de rsistivit d'un faisceau) engendre une ddp mesurable. (Doc
Perkin-Elmer)
matriau (Oxydes de Ni, Mn, Co...) induite par la variation
de sa temprature conscutive l'absorption du rayonnement. Une polarisation extrieure est ncessaire
pour mettre en vidence cette variation. De nombreuses applications militaires et astronomiques pour l' IR
lointain utilisent des bolomtres cryogniques (dtecteurs en Germanium dop au Ga et maintenus 4K)
en raison d'une trs grande sensibilit et d'une trs bonne reproductibilit.

Un dtecteur pyrolectrique est constitu d'un cristal isolant dont la maille ne prsente pas de
centre de symtrie. De tels cristaux (LiNbO3, cristaux ferrolectriques) possdent la proprit de se
5
 polariser spontanment. Deux lectrodes permettent de mesurer cette diffrence
de potentiel. Cependant, temprature constante, la distribution de charge
interne est neutralise par les lectrons libres et les potentiels de surface de
telle sorte qu'aucune ddp ne peut tre mesure. Par contre un changement de
temprature se traduit par une tension transitoire qui elle peut tre
dtecte. Leur emploi ncessite donc une modulation de la lumire.
Figure 5- Les dtecteurs pyrolectriques
sont utiliss par exemple dans les
Ces dtecteurs peuvent tre utiliss pour mesurer par exemple l'nergie
systmes infrarouges passifs de dtection d'une impulsion lumineuse de quelques s quelques centaines de s
d'intrusion. maximum ou encore dtecter une intrusion (Figure 5).

2-Dtecteurs photoniques

Les dtecteurs quantiques convertissent directement les photons incidents en lectrons. Ces lectrons
peuvent alors tre soit jects (effet photomissif) soit librs au sein du matriau photosensible (matriaux
semiconducteurs).

Effet photomissif: le photomultiplicateur

Le photomultiplicateur (PM) est bas sur deux phnomnes physiques mis en oeuvre successivement:
l'effet photomissif et la gnration d'lectrons secondaires par bombardement lectronique. Un PM est
constitu d'un tube vide contenant une photocathode, une succession de dynodes et enfin une anode. Un
photon incident sur la photocathode engendre -si son nergie est suprieure une valeur seuil dpendant
du matriau- l'jection d'un lectron. Cet lectron pourrait tre collect directement: c'est le principe des
diodes photomissives mais le signal de dtection est faible. Le principe du PM permet d'accrotre le
nombre d'lectrons rcuprs par photon
incident (Figure 6). Une haute tension (~100
200V) impose entre la photocathode et la
premire dynode dirige et acclre l'lectron
primaire vers cette seconde surface. L'nergie
de l'lectron est suffisante pour engendrer
usuellement jusqu' une dizaine d'lectrons
secondaires. A nouveau acclrs, ces
lectrons secondaires frappent une seconde
dynode. Le phnomne se rpte en cascade
jusqu' la dernire dynode et les lectrons sont
finalement collects sur l'anode. Une dizaine de
dynodes permet d'atteindre des gains de l'ordre Figure 6- Principe d'un photomultiplicateur
du million: la sensibilit d'un PM est
exceptionnellement leve. Un PM est irrversiblement endommag
par des flux lumineux aussi faibles que ceux obtenus lors de l'clairement
de la photocathode par la lumire d'un ciel nocturne toil sans lune.
Le photon incident doit avoir une nergie suprieure un seuil
fix par la nature de la cathode ou de la substance dpose sur cette
dernire. L'existence d'une valeur minimale pour l'nergie signifie qu'il
existe une longueur d'onde maximale au-del de laquelle les photons ne
sont plus dtects. Les cathodes photomissives disponibles
Figure 7- PM commercial couramment sur le march (Figure 7) sont sensibles dans l'ultraviolet, le
visible et l'infrarouge proche.

6
Dtecteurs semi-conducteurs

Semi-Conducteurs

Un semi-conducteur intrinsque (Silicium, Germanium) est

un solide cristallis liaisons de covalence, de structure
ordonne et priodique. Trs faible basse temprature, la
conductivit augmente avec elle. C'est une diffrence
essentielle avec les mtaux qui eux sont conducteurs ds le
zro absolu.

Pour amliorer cette conductivit, des impurets peuvent tre introduites dans le
rseau cristallin. Cette opration est appele "dopage" et donne des semi-
conducteurs dits extrinsques. Un dopage de type N (impurets donnatrices)
augmente la densit de charges ngatives alors qu'un dopage de type P (impurets
acceptrices) augmente la densit de charges positives.

Energie
La structure cristalline d'un semi-conducteur implique que
Bande de conduc tion
les niveaux d'nergie que peuvent occuper les lectrons
se rpartissent en bandes. Une bande interdite de largeur
Eg
Eg (nergie de gap) spare ainsi deux bandes dites de
Bande de valence conduction et de valence. La valeur de Eg dpend de la
nature du matriau.

Un photon permet un lectron de la bande de valence de Energie

passer dans la bande conduction (laissant une place vacante

appele trou). Cette transition ne se produit que si l'nergie Bande de c onduc tion

du photon est suprieure l'nergie de gap, donc si sa E> Eg

Eg

longueur d'onde est infrieure une valeur de coupure

Bande de valence
(l'nergie d'un photon est inversement proportionnelle sa
longueur d'onde).

Photorsistances
Les photorsistances (ou LDR: Light Dependant Resistor) sont
constitues d'un matriau semi-conducteur gnralement dpos en
serpentin sur une plaquette de cramique (Figure 8). Ce sont des
rsistances qui ont la proprit de varier en fonction de l'intensit lumineuse
reue. En l'absence de lumire incidente, la conductivit du matriau est
trs faible: la "rsistance d'obscurit" peut atteindre plusieurs M. Sous
l'effet d'un clairement, des lectrons sont librs dans le semi-conducteur
augmentant ainsi la densit de charge libre et donc la conduction (cf Figure 8- Photorsistance. Le semi-
encadr). La rsistance diminue lorsque le flux augmente. Il est important conducteur est dpos en serpentin.
de noter que cette variation n'est pas linaire avec le flux.
L'nergie des photons incidents doit tre suprieure l'nergie de gap du semi-conducteur (cf
encadr prcdent): la longueur d'onde incidente doit donc tre infrieure une valeur limite. Cette valeur
est impose par la nature du matriau. Le sulfure de cadmium CdS couvre la plage visible avec un maximum
600nm. Sa rponse est trs proche de celle de l'oeil humain. Avec le slniure de cadmium CdSe, le
maximum est dplac vers 750nm. Le PbS permet de travailler dans le proche infrarouge et certains semi-
conducteurs permettent d'accder aux longueurs d'onde suprieure 5 m. La bande passante est
gnralement modeste, au mieux de quelques centaines de kHz. Les photorsistances sont souvent
employes dans des montages permettant de dtecter des seuils d'clairement: allumage de l'clairage
public (encadr ci-dessous), flash automatique des appareils photos, surveillance de flamme dans les
installations de chauffage, dtection d'intrusion...

Commande automatique d'un clairage

On souhaite contrler automatiquement un clairage

public. L'clairage doit s'allumer le soir lorsque la lumire
ambiante devient faible et s'teindre le matin lorsque le jour
s'est lev. Le problme consiste donc dtecter des seuils
d'clairement. Une photorsistance est bien adapte ce type
de cahier des charges. L'obscurit correspond une rsistance
grande alors qu'un clairement plus important s'accompagne d'une diminution de
la rsistance. Une solution peut tre de commander directement un relais l'aide
d'une photorsistance. Un relais est constitu d'une bobine qui lorsqu'elle est
sous tension attire une armature ferromagntique qui dplace des contacts
permettant ainsi de fermer un circuit adjacent. On peut par exemple utiliser un
relais ayant un courant d'enclenchement Ie: au dessus de Vcc

cette valeur, le circuit adjacent se ferme et l'clairage

s'allume. Sachant que la bobine a pour rsistance Rb, il est
possible de calculer la valeur de la photorsistance
enclenchant le relais. Une rsistance variable en srie avec
la photorsitance permet d'ajuster le seuil d'allumage. La Rp
diode place en parallle de la bobine est une prcaution
permettant de s'affranchir du courant de rupture de la
bobine.
Vcc
L'intensit dans la bobine est : i R R
b p

Vcc
La valeur de la photorsistance enclenchant le relais est donc: R Rb
Ie

Photodiodes
Une photodiode est une diode jonction qui produit un courant fonction de
l'clairement reu. Elle est constitue d'un semiconducteur dop P d'un ct et N
de l'autre (jonction dit PN). La figure 10 donne le diagramme d'nergie des
lectrons dans une telle configuration. Les photons incidents d'nergie suprieure
l'nergie de gap sont absorbs et induisent le passage d'un lectron dans la
bande de conduction, laissant un trou dans la bande de valence. Dans la zone N
Figure 9- Photodiode
ou la zone P, zones o l'nergie est constante, les lectrons produits restent "quasi-
immobiles" (en ralit, ils diffusent crant un courant dit de diffusion) . Par contre, comme un champ
lectrique lev rgne dans la zone intermdiaire, les lectrons produits dans cette zone migrent vers la
zone N. Il apparat alors un photocourant mesurable. La zone P est gnralement mince pour permettre au
plus grand nombre de photons d'atteindre la zone active. Ce schma est parfois amlior par l'ajout entre
les deux zones d'une couche non-dope (Intrinsque): on parle de photodiodes PIN. Ces photodiodes
sont plus rapides et moins bruyantes.
8
 Figure 10- Jonction PN polarise. Le graphe donne
le diagramme d'nergie des lectrons dans cette
jonction. Un photon incident dans la zone
intermdiaire engendre une paire lectron-trou
l'origine du photocourant (courant inverse). (Graphe
P. May-Dunod)

Matriau et rponse spectrale

Nous avons dj vu plusieurs reprises que dans le cas des matriaux semiconducteurs l'nergie de
gap -et donc la nature du matriau- impose une valeur limite aux longueurs d'onde pouvant tre dtectes.
Cette valeur limite se calcule facilement partir de l'nergie de gap:
1,24
E Eg ( m)
E g (eV )
Chaque photon incident de longueur d'onde plus faible donne naissance un lectron avec une
probabilit . Cette probabilit appele efficacit quantique est plus petite que 1 car des photons sont
parfois absorbs sans donner d'lectrons. Considrons un flux nergtique Fe parvenant sur la surface du
dtecteur. Le flux de photons Fp est alors le rapport du flux nergtique par l'nergie d'un photon. Cette
dernire est relie la longueur d'onde du photon: E = h. Le flux Fp s'exprime donc:
Fe
Fp Fe
h hc
Chaque photon donne naissance un lectron au rendement quantique prs. Un flux nergtique Fe
cre donc en sortie du dtecteur un photocourant:

i Fe R ( ) Fe
hc

R() est appel facteur de rponse spectral en courant Sensibilit

ou "sensibilit" de la photodiode. Il se mesure en A/W. (A/W)
Cette grandeur augmente linairement avec jusqu' la
longueur d'onde de coupure du matriau (Figure 11).
Notons que cette rponse est fondamentalement diffrente
de celle d'un dtecteur thermique pour lequel le facteur
de rponse tait constant sur une large plage de longueur
d'onde. c

Figure 11- Allure thorique de la sensibilit d'une

photodiode. c est la longeur d'onde de coupure.

9
 La rponse relle diffre de l'allure thorique car le rendement quantique n'est pas constant sur toute
la plage de longueur d'onde et la coupure est moins franche. Le graphe suivant prsente le facteur de
rponse spectral rel de diffrents semiconducteurs couramment employs.

Figure 12 - Rponse spectrale

de divers matriaux

Conditionnement d'une photodiode

La surface sensible est dpose sur un "plot" qui sert de cathode et conditionne dans un botier
hermtique standardis (TO-5,TO-8, TO-18, cramique...) Trois connexions sortent du botier (Figures
13-14). L'une correspond la masse (connecte au botier), les deux autres
la cathode et l'anode. L'anode est visible sur le dessus du botier: une jonction
est apparente entre la partie suprieure de la surface
sensible et un plot adjacent (Figure 14). La surface
sensible est protge par une fentre traite anti-
reflet la longueur d'onde de travail afin d'viter les
rflexions de Fresnel sur l'interface air-verre qui
engendreraient des pertes non ngligeables. Dans Figure 14- Photodiode
certaines rares applications o l'on cherche rduire deux quadrants
le plus possible les pertes de dtection (en recherche principalement), il peut
tre utile de retirer cette protection ("dcapsulage"). La photodiode devient
trs fragile et sa dure de vie est rduite. Cette solution est vivement dconseille
Figure 13- Schma constructeur
du "package" et du cblage pour toutes applications courantes.

C-Paramtres de signal d'une photodiode

Cette partie prsente les diffrents modes de fonctionnement et mise en oeuvre pratique d'une
photodiode. La notice ("data-sheet") qui sert d'exemple est celle d'une srie de photodiodes PIN en
InGaAs (domaine proche infrarouge-4 modles) du fabricant Hamamatsu. Vous n'aurez probablement
jamais l'occasion d'utiliser exactement cette srie! Cependant, la plupart des documentations commerciales
se ressemblent et prsentent de manire similaire les mmes donnes aux valeurs numriques prs. L'objectif
est de mettre en vidence les caractristiques cls, de comprendre leurs volutions qualitatives selon les
diffrents paramtres physiques intervenant et leurs consquences pratiques sur les montages de dtection.
Pour chaque paramtre voqu, l'information est extraite du data-sheet et prsente.

10
PHOTODIODE

InGaAs PIN photodiode

G8376 series
Standard type
InGaAs PIN photodiodes are NIR (near infrared) detectors that feature high-speed response and low noise. Various active area sizes are
provided to meet wide applications.

Features Applications
Low noise, low dark current NIR (near infrared) photometry
Low terminal capacitance Optical communication
3-pin TO-18 package

Specifications / Absolute maximum ratings

Absolute maximum ratings
Active area Reverse Operating Storage
Type No. Window material Package voltage temperature temperature
VR Topr Tstg
(mm) (V) (C) (C)
G8376-01 B orosilicate glass 0.04
G8376-02 with anti-reflective 0.08
TO-18 20 -40 to +85 -55 to +125
G8376-03 coating (optimized 0.3
G8376-05 for 1.55 m peak) 0.5

Electrical and optical characteristics (Typ. Ta=25 C, unless otherwise noted)

Cut-off T er minal
Peak Dark Shunt
Spectral Photo frequency capacitance
sensitivity current resistance D NEP
response sensitivity fc Ct
wavelength ID Rsh =p =p
Type No. range S VR=2 V VR=5 V
p VR=5 V VR=10 mV
RL=50 f=1 MHz
1.3 m =p Typ. Max. -3 dB
(m) (m) (A/W) (A/W) (nA) (nA) (MHz) (pF) (M) (c m Hz 1/2 / W) (W/Hz1/2)
G8376-01 0.06 0.3 3000 0.5 10000 2 10-15
G8376-02 0.08 0.4 2000 1 8000 2 10-15
0.9 to 1.7 1.55 0.9 0.95 5 1012
G8376-03 0.3 1.5 400 * 5 1000 4 10-15
G8376-05 0.5 2.5 200 * 12 300 8 10-15
* VR=5 V

1
 InGaAs PIN photodiode G8376 series
Spectral response Photo sensitivity temperature Dark current vs. reverse voltage
characteristic
(Typ. Ta=25 C) (Typ. Ta=25 C) (Typ. Ta=25 C)
1 2 10 nA

TEMPERATURE COEFFICIENT (%/C)

G8376-05
PHOTO SENSITIVITY (A/W)

G8376-03
1 nA

DARK CURRENT
1

G8376-02
0.5 100 pA

G8376-01
0

10 pA

0 -1 1 pA
0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 0.01 0.1 1 10 100

WAVELENGTH (m) WAVELENGTH (m) REVERSE VOLTAGE (V)

KIRDB0002EB KIRDB0042EA KIRDB0249EA

Terminal capacitance vs. Shunt resistance vs. ambient

reverse voltage temperature
(Typ. Ta=25 C, f=1 MHz) (Typ. VR=10 mV)
1 nF 100 G
G8376-01
G8376-02
10 G
TERMINAL CAPACITANCE

100 pF
SHUNT RESISTANCE

G8376-05

G8376-03
1 G

10 pF

100 M G8376-03
G8376-02 G8376-05
1 pF
10 M

G8376-01

100 fF 1 M
0.01 0.1 1 10 100 -40 -20 0 20 40 60 80 100

REVERSE VOLTAGE (V) AMBIENT TEMPERATURE (C)

KIRDB0250EA KIRDB0251EA

Dimensional outline (unit: mm)

5.4 0.2
4.7 0.1
WINDOW
2.6 0.2
3.7 0.2

3.0 0.1

PHOTOSENSITIVE
SURFACE
13 MIN.

0.45
LEAD

2.5 0.2

CASE
KIRDA0150EB

Information furnished by HAMAMATSU is believed to be reliable. However, no responsibility is assumed for possible inaccuracies or omissions.
Specifications are subject to change without notice. No patent rights are granted to any of the circuits described herein. 2002 Hamamatsu Photonics K.K.
HAMAMATSU PHOTONICS K.K., Solid State Division
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Feb. 2002 DN
2
1- Le diple "Photodiode": un rseau de caractristiques

Un diple lectrique (rsistance, diode,...) se caractrise par une courbe donnant l'intensit I qui
le traverse en fonction de la tension V ses bornes. La particularit d'une photodiode est que sa
caractristique courant/tension dpend du flux lumineux qu'elle reoit (Figure 15). Notez les conventions
de signe choisies.

V I Diode classique

V
Flux Figure 15- Rseau de caractristiques d'une
photodiode

En l'absence d'clairement, la caractristique est celle d'une diode jonction classique (trac noir).
Lorsque le flux augmente, la caractristique conserve la mme forme mais se
I
translate verticalement, vers les intensits ngatives. Le flux incident est donc
l'origine d'un courant inverse (ngatif-cf figure 10) prenant des valeurs d'autant I d

plus grandes que le flux augmente et qui s'ajoute au courant d'une diode classique. V I ph

Il est ainsi possible dans un premier temps de modliser la photodiode partir

d'une diode classique en ajoutant en parallle une source de courant. Cette
dernire produit un courant Iph augmentant linairement avec le flux et qui a
pour effet de translater verticalement la caractristique: c'est le photocourant Figure 16-Schma quivalent
not Iph et vrifiant Iph=R o R est la sensibilit de la photodiode en A/W (cf
partie prcdente). On a donc: I = Id-Iph o Id est le courant d'une diode classique.

La sensibilit R est voque plusieurs reprises dans la notice. La colonne "Spectral response
range" donne la plage de longueur d'onde o la photodiode peut dtecter un flux incident. Mais attention!
La sensibilit n'est pas homogne sur toute cette plage. La colonne "Photosensitivity" en donne deux
valeurs des longueurs d'onde spcifiques dont, en particulier, celle qui correspond la valeur maximale
(obtenue p:"Peak sensitivity wavelength"). Le graphe "Spectral response" est plus gnral et donne la
rponse spectrale en fonction de la longueur d'onde.

13
 2-Courant d'obscurit I
V
I
En l'absence de lumire, la caractristique est
celle d'une diode jonction classique. Cela signifie donc Courant
V
d obscurit Io
que mme sans flux incident il existe un courant inverse
Figure 17- Caractristique
Io. Ce courant est appel "courant d'obscurit". dans l'obscurit

Ce courant est d'autant plus grand que la tension inverse ("Reverse Voltage") applique est leve.
Il s'annule pour une tension nulle. Le graphe "Dark current vs. reverse voltage" donne la valeur de ce
courant en fonction de la tension inverse. Les deux valeurs (typique et maxi) donnes dans la colonne
"Dark current" correspondent donc une valeur du courant d'obscurit pour une tension de polarisation
donne (VR=5V dans cette notice).

Il est galement trs important de noter que le constructeur a pris soin d'indiquer que les
caractristiques donnes en colonne ou dans certains graphes (le prcdent par exemple) correspondent
une temprature typique de 25C. La plupart des paramtres sont en effet trs sensibles la temprature.
Le courant d'obscurit peut doubler tous les 10C.

3-Deux modes de fonctionnement

D'aprs les conventions choisies pour l'orientation de I et V (convention rcepteur), si le produit

I*V est positif, le diple reoit de l'nergie et fonctionne donc en rcepteur. Si le produit est ngatif alors
le diple fournit de l'nergie: il se comporte comme un gnrateur.
I
Sans intert
Courbes c onfondues

Figure 18- Les diffrents quadrants de

Quadrant Rc epteur Quadrant Gnrateur
fonctionnement d'une photodiode. Le
Mode Photoconduc teur Mode Photovoltaque quadrant "rcepteur" est le domaine des
opticiens.
14
 Le quadrant gnrateur est appel domaine photovoltaque. Ce mode de fonctionnement est exploit
pour raliser des "photopiles" aux applications diverses. La plus connue est bien sr l'installation de panneaux
solaires sur une maison pour fournir une partie de l'nergie domestique. Les satellites sont galement
quips de grands bras tlescopiques recouverts de cellules photovoltaques afin de leur assurer leur
autonomie nergtique. Une autre application concerne la protection des structures en mtal contre la
corrosion. Une petite tension applique sur une structure en mtal l'empche de s'oxyder ou de se rouiller.
Des photopiles permettent de fournir cette tension et de protger ainsi dans des lieux loigns lignes
ferroviaires, rservoirs ou canalisations... Un travail important est men pour amliorer le rendement des
photopiles et en faire peut tre demain une source d'nergie renouvelable largement employe.
Le mode photoconducteur est celui des "opticiens". Dans ce quadrant, les caractristiques sont trs
bien spares les unes des autres et permettent des mesures quantitatives de flux. Ce mode de
fonctionnement est tudi dans la suite du cours.

4-Dtection de trs faibles flux

L'utilisation d'une photodiode dans le mode photoconducteur ncessite d'appliquer une tension
inverse ("polarisation"). Comme nous l'avons vu prcdemment, une telle polarisation se traduit par un
courant d'obscurit qui augmente avec elle. Ce courant est bien sr nfaste la mesure prcise d'un trs
faible flux puisqu'il s'ajoute au photocourant. De plus, il fluctue beaucoup avec la temprature et il est donc
trs difficile contrler. La solution est alors d'utiliser la photodiode en court-circuit: la tension ses
bornes est toujours nulle et il n'y a donc pas de courant d'obscurit. Ce fonctionnement est la limite du
mode photovoltaque et du mode photoconducteur. Mme pour des valeurs trs faibles du flux incident, le
courant lui est proportionnel. La figure 19 permet de visualiser les diffrents points de fonctionnement en
fonction du flux.
Comment exploiter ce courant de court-circuit? Un simple montage convertisseur Courant-Tension
AO (figure 20) permet de visualiser une tension image de ce courant. La photodiode est bien en court-
circuit car l'entre - de l'AO est une masse virtuelle.

I R

I _

Vs
V
Sans lum ire

Points de fonctionnem ent

avec flux inc ident

Figure 19- Fonctionnement en court-circuit Figure 20- Convertisseur courant-tension.

pour les trs faibles flux. V est toujours nul. La photodiode est en court-circuit.

Pour aller plus avant dans la description de ce mode, il faut ajouter au schma
I
quivalent d'une photodiode une rsistance parallle de court-circuit dite "Shunt
Rsistance Rsh" gnralement de grande valeur et qui dpend de la fabrication
V
Rshunt de la diode. Cette rsistance serait infinie pour une photodiode idale. Plus cette
rsistance est grande, plus la photodiode sera sensible aux faibles signaux. C'est
donc le paramtre important lors du choix d'une photodiode pour travailler dans
ce rgime.
Figure 21- Une photodiode prsente en
parallle une rsistance de grande valeur dite
shunt resistance 15
 Cette rsistance dpend trs fortement de la temprature. Le data-sheet donne donc en colonne
cette rsistance pour une temprature typique de 25C et prsente ensuite un graphe donnant sa dpendance
avec la temprature. Il n'est pas utile de connatre la rsistance pour diverses tensions de polarisations car
c'est un paramtre important uniquement dans ce mode de fonctionnement (court-circuit).

Pourquoi une rsistance leve est-elle le meilleur choix? Esquissons une explication, les paramtres
de bruit tant traits plus longuement dans la partie suivante. Le courant d'obscurit est nul et ne gnre
donc pas de bruit. De plus, le flux tant faible, le bruit qu'il induit l'est galement. Dans ce rgime de faible
flux, le bruit de dtection est donc principalement d au bruit thermique dans la rsistance de court-circuit.
Ce bruit tant inversement proportionnel la rsistance, plus la rsistance est grande moins le bruit est
important.
Pour des flux plus importants, le fonctionnement en court-circuit n'est pas adapt. La saturation de
la photodiode se produit rapidement et le courant n'est donc plus linaire avec le flux. De plus, ce montage
est lent. Cette dernire caractristique sera explique par la suite.

5-L'utilisation en mode photoconducteur

Comportement statique V
L'utilisation d'une photodiode dans le mode photoconducteur E I
ncessite d'appliquer une polarisation, une tension inverse. Un
montage typique est de placer en srie de la photodiode polarise R VS
une rsistance (dite rsistance de charge) qui convertit le courant en
tension.

Figure 22- Montage typique avec polarisation

et rsistance de charge.

La tension Vs (=-RI) est directement proportionelle au photocourant gnr par la photodiode.

Pour trouver les points de fonctionnement (I,V) du montage, il faut superposer au rseau de caractristique
de la photodiode la "droite de charge". Cette dernire est obtenue en crivant la loi des mailles:
V E
E Vs V RI V I
R

Les points de fonctionnement sont donns par les intersections de la droite de charge avec les
caractristiques de la photodiode. On constate sur le schma suivant (Figure 23) que, tant que le flux n'est
pas trop grand, les points de fonctionnement sont bien distincts pour des flux diffrents. Le courant varie
linairement avec le flux: une mesure quantitative est donc possible. Par contre, pour des flux plus importants,
16
les points de fonctionnement se rapprochent jusqu' se confondre. Ce phnomne est appel "saturation".
Le courant n'est plus linaire avec le flux et tend vers une valeur limite. Une mesure dans ce rgime
conduirait des valeurs totalement errones.

V I
I VS
Saturation

-E
V
Flux Domaine linaire

Saturation
-E/R

Figure 23- Mode photoconducteur. Un phnomne

de saturation se produit aux forts flux

Les deux paramtres libres que sont la rsistance de charge et la tension de polarisation ont des
effets trs importants sur ce comportement et ne doivent donc pas tre choisis au hasard.

I
~~ Augmenter la rsistance peut tre intressant puisque
pour un photocourant donn la tension de sortie sera
d'autant plus grande que la rsistance de charge sera grande -E
V
(cela revient augmenter le gain). Un flux faible sera ainsi
plus facile dtecter. Cependant, augmenter R acclre le Flux
phnomne de saturation: la plage o le courant est linaire -E/R

avec le flux est rduite. Le schma ci-contre illustre

l'influence de la valeur de la rsistance sur la saturation. R R
impose la pente de la droite de charge: plus R est grand,
plus la pente est petite. Les points de fonctionnement se
Figure 24- Augmenter R acclre la saturation.
confondent ainsi d'autant plus vite que R est grand.

~~ De la mme manire, la tension de polarisation de la photodiode influe sur le phnomne de saturation.

Plus la polarisation est grande, plus la saturation est retarde. Le schma ci-dessous illustre cette dpendance.
Les droites de charge sont parallles (mme valeur de R, donc mme pente) mais l'abscisse l'origine est
diffrente. Attention! La tension de polarisation ne peut pas tre indfiniment augmenter. Le data-sheet
prcise la valeur maximale appliquer (20V dans l'exemple choisi)
I
VS
Saturation

-E1 -E2 -E3

V E

Flux

Figure 25- Augmenter la polarisation retarde la saturation.

L'tude de la photodiode a port jusqu' prsent sur son comportement statique, c'est--dire flux
constant. Comment ragit-elle une modulation de la lumire?
17
 6-Comportement dynamique: bande passante

L'information dtecter peut tre porte par une modulation de la lumire. Les rseaux Tlecom
reposent par exemple sur des modulations trs rapides (plusieurs GHz). Quels paramtres influent sur le
temps de rponse (ou bande passante si l'on se place dans le domaine frquentiel) d'une photodiode?

Pour rpondre cette question, il faut ajouter au schma quivalent

d'une photodiode une capacit parasite Ct entre ses bornes. Le schma Ct Rsh R

quivalent avec une rsistance de charge est alors le suivant:

Figure 26- Schma quivalent avec

rsistance de charge, rsistance
parallle et capacit parasite

La rsistance de court-circuit, gnralement trs grande devant la rsistance de charge, peut tre
nglige. Le circuit est donc quivalent un filtre passe-bas du premier ordre de frquence de coupure:
2
Fc
RCt
Pour une photodiode donne, la rsistance de charge impose la bande passante. Les constructeurs
indiquent gnralement les valeurs de bande passante pour une rsistance de charge de 50. Une grande
rsistance (grand gain) va l'encontre de la rapidit de la photodiode.

Deux paramtres interviennent sur la valeur de la capacit parasite.

~~ La dimension de la surface active: plus la surface est petite, plus la capacit est petite et donc la
photodiode rapide. Une grande surface active est donc contradictoire avec une grande bande passante.
Le data-sheet donne la valeur de la capacit ("Terminal Capacitance") et la valeur de la frquence de
coupure ("Cut-off frequency"). Vous pouvez constater la dpendance avec la taille de la surface active.

~~ La tension de polarisation: augmenter la tension de polarisation a

pour effet de diminuer la capacit parasite. Cette dernire est donc
maximale en absence de polarisation. C'est pour cela qu'il a t dit plus
haut que le montage de la photodiode en court circuit a pour dfaut
d'tre lent. Le graphe "Terminal capacitance vs. reverse voltage" donne
la capacit parasite en fonction de la polarisation applique la
photodiode.

18
 Malheuresement, la bande passante du montage de dtection n'est pas uniquement limite par cette
capacit parasite. D'autres capacits parasites s'ajoutent (en parallle): BNC, cablges divers, pattes de
diples... S'il est relativement simple de raliser des montages permettant de travailler quelques centaines
de MHz , le domaine du GHz est beaucoup plus difficile atteindre (et il n'est pas question d'utiliser des
AO dont la bande passante est gnralement faible si le gain est important). A ces frquences, les circuits
doivent tre extrmement compacts: par exemple, deux pattes de rsistance forment une capacit parasite
qui peut empcher d'atteindre le GHz. Il est donc ncessaire d'employer d'autres techniques de cblages:
cblage compact, rsistance CMS (pas de pattes), pattes de la photodiode raccourcies le plus possible,....
Malgr toutes ces prcautions, il est difficile d'atteindre exprimentalement le GHz. Ces difficults sont
bien sr lies la manire de raliser le cblage. Les techniques " la main" dont on dispose au quotidien
conduisent ces limitations. Des techniques plus modernes de micro-lectronique permettent de travailler
plusieurs GHz.

D-Bruits de photodtection

1-Qu'est ce que le bruit?

Envoyons sur un dtecteur un faisceau lumineux dont la valeur moyenne reste constante au cours du
temps. La tension image mesure par exemple aux bornes d'une rsistance est visualise l'oscilloscope.
C'est une droite horizontale. Cependant, une observation plus attentive rvle de lgres fluctuations autour
de cette valeur moyenne: en augmentant le calibre de l'oscilloscope, ces fluctuations deviennent trs visibles.

Calibre

Figure 27- En augmentant le calibre, le bruit de dtection

apparat clairement.

Le bruit peut ainsi se dfinir comme une fluctuation imprvisible se superposant au signal utile.
L'information extraire sera d'autant plus difficile dchiffrer que ces variations alatoires ne seront pas
ngligeables devant le signal utile. Sans outil de traitement, ce bruit rend impossible la dtection d'un signal
plus petit que les fluctuations. L'image que l'on peut en donner est celle d'une conversation dans un
environnement bruyant. Le message peut ne plus tre compris si le bruit ambiant l'emporte.

2-Comment caractriser le bruit?

La valeur moyenne du bruit n'est pas un bon critre pour le caractriser: le bruit tant une fluctuation
alatoire, sa valeur moyenne est nulle. Il faut donc trouver un autre critre. Reprenons l'exemple prcdent:
un flux constant sur un dtecteur. Du fait du bruit sur la tension , la mesure de cette dernire deux instants
distincts donne deux valeurs lgrement diffrentes. Un critre pertinent serait donc une grandeur qui
permettrait d'estimer l'amplitude de l'erreur commise lors de la mesure d'un signal. On donnerait alors le
rsultat sous la forme d'une valeur moyenne plus ou moins une certaine erreur. Cette grandeur est appele
Ecart-Type. Mathmatiquement, l'cart-type d'un bruit est la racine carre de sa variance, c'est--dire de
la moyenne de son carr. En traitement du signal, cette grandeur sera souvent dnomme "valeur efficace
2
de bruit". La variance d'une tension de bruit (ou "puissance de bruit") s'crit: . v V2
19
 Le graphe ci-dessous est la simulation informatique du bruit de dtection d'un faisceau laser. La
distribution de bruit est gaussienne: la probabilit de trouver une valeur proche de la valeur moyenne est
plus grande que de trouver une valeur trs loigne et la dcroissance de cette probabilit est gaussienne.
L'cart type correspond la largeur mi-hauteur de cette gaussienne. Pour une telle distribution, la probabilit
lors d'une mesure de se trouver plus de 3 carts-types de la valeur moyenne est infrieure 3/1000.
L'cart-type est donc bien un critre pertinent pour quantifier l'erreur commise.

Proba bilit
Figure 28- Bruit gaussien. L'cart-type fournit une
mesure du bruit appele valeur efficace du bruit.

Quel est l'effet d'un filtre passe-bas sur le signal prcdent? Un filtre passe-bas a pour effet de
couper les hautes frquences. Une partie du bruit est ainsi limin et l'cart-type est alors plus faible:
l'erreur commise lors d'une mesure sera moins importante. Les bruits de dtection sont gnralement des
bruits "blancs": chaque frquence apporte une contribution quivalente (ce qui justifie l'appellation "blanc"
par analogie avec la lumire blanche). Le spectre d'un bruit blanc est "plat". Selon la bande passante de
l'lectronique place la suite du dtecteur, le bruit mesur ne sera donc pas le mme. Cette notion est
fondamentale: parler de bruit de dtecteur sans parler de bande passante d'analyse n'a pas de
sens. C'est pour cela que dans les documentations techniques le bruit d'un dtecteur est donn non pas
par un cart-type mais par sa "densit spectrale" ou encore plus gnralement par la racine carre de sa
densit spectrale. Cette dernire s'exprime en unit toujours surprenante au premier abord: le V/Hz ou
A/Hz. La valeur efficace de bruit peut s'en dduire en multipliant ce paramtre par la racine carre de la
bande passante ( un facteur multiplicatif prs selon l'ordre du filtre). Pour un mme dtecteur, une bande
passante d'analyse 100 fois plus grande se traduit par un cart-type 10 fois plus grand.

BP = 1nV/ Hz* BP
1nV/ Hz

100.BP = 1nV/ Hz* BP

= 10
Figure 29- "Parler de bruit sans parler de bande
passante d'analyse n'a pas de sens."

3-Les diffrentes sources de bruit

Trois sources de bruit peuvent tre principalement distingues.

~~ Bruit de scintillation (ou Flicker noise): Ce bruit est li aux fluctuations lentes des porteurs de charges
dans une photodiode. Ce bruit d'origine technologique se manifeste principalement aux basses frquences
et dcrot rapidement (pas du tout un bruit blanc!!). C'est pour cela qu'il est souvent appel bruit en 1/f. Ce
bruit ne sera pas pris en compte dans la suite de l'expos car il est souvent ngligeable au-del de quelques
kHz.

20
~~ Bruit thermique (ou Johnson): L'agitation thermique des porteurs de charge dans une rsistance R
gnre un courant de bruit de densit spectrale uniforme (bruit blanc)
4kT
Si (A/Hz) o k est la constante de Boltzmann et T la
R R R i
4kT f
R
temprature d'utilisation (en Kelvins). Dans un circuit de bande
passante f, l'cart-type du courant de bruit rsultant s'crit Tem prature T R sans bruit

4kT f
i . A 300K, une rsistance de 1M dans un circuit Figure 30- Une rsistance la temprature T
R est quivalente une rsistance sans bruit
d'1MHz de bande passante engendre une tension de bruit d'cart- laquelle on ajoute une source de courant de
valeur efficace .
type gal 130 V. La rsistance de charge ainsi que la rsistance
de shunt seront donc sources de bruit thermique. Dans le visible ou
le proche infrarouge, le bruit thermique l'emporte sur les autres
sources

~~ Bruit de grenaille (ou Shot noise): Ce bruit a pour origine le caractre discret
Distribution alatoire
des lectrons des porteurs de charges dans un circuit. Une image simple en terme de corpuscules
permet de comprendre l'origine de ces fluctuations. On peut se reprsenter le courant
form non d'lectrons rgulirement rpartis mais plutt d'lectrons alatoirement
R rpartis, se propageant de manire indpendante. Les variations alatoires de courant
que l'on observe sont donc dues la dispersion temporelle des lectrons. Le bruit
de grenaille est le bruit que ferait un jet de grain de sable frappant alatoirement une
paroi. Tout courant lectrique de valeur moyenne I s'accompagne ainsi de fluctuations
Figure 31- Distribution
dont la densit spectrale est uniforme (bruit blanc) et s'crit S i 2eI . Tous les
alatoire des lectrons
courants mis en jeu dans un systme de dtection seront sources de bruit: courant
d'obscurit, courant de signal (celui que l'on veut dtecter) ou courant de fond (sujet de la dernire partie
pour les dtecteurs IR lointains et que l'on ne prend pas en compte ici).

4-De la NEP la dtectivit spcifique

Imaginons que nous ayons construit une lectronique de dtection et que nous souhaitions comparer
deux photodiodes entre elles afin de dterminer laquelle permet de dtecter au mieux des signaux faibles.
On recherche donc la photodiode qui prsente le moins de bruit propre, indpendamment du circuit
lectronique ou du flux incident. Que sont ces bruits de fond engendrs par le dtecteur? On peut citer
principalement le bruit thermique dans la rsistance de shunt et le bruit de grenaille du courant d'obscurit.
D'autres bruits plus faibles lis la technologie du dtecteur s'y ajoutent. En l'absence de flux incident, la
photodiode est donc l'origine d'un courant de bruit qui lui est propre et de densit spectrale Sb (en A/
Hz).

Cette grandeur est peu parlante. Imaginons maintenant qu'un flux faible soit envoy sur la photodiode.
Quel est le flux minimal dtectable, c'est--dire quel flux engendre un courant de signal qui serait du mme
ordre de grandeur que les fluctuations engendres en propre par la photodiode? Ce flux minimal est
appel NEP: "Noise Equivalent Power" (ou FEB pour flux quivalent au bruit). Il est dfini comme tant le
flux donnant un signal juste gal la valeur efficace de bruit (gal au produit de la racine de Sb par la racine
de la bande passante). Il dpend de la longueur d'onde puisque la sensibilit de la photodiode en dpend.

Le courant du signal ainsi dfini s'crit:

I R ( ) NEP ( ) o R() est la sensibilit en A/W.

21
La NEP (en W) sera donc dfinie par:

Sb f
I( ) Sb f NEP ( )
R( )

Cette grandeur dpend de la bande passante du montage. Pour obtenir une caractristique propre
la photodiode et donc indpendante du circuit lectronique que vous choisissez, les constructeurs fournissent
gnralement une NEP ramene l'unit de racine de bande passante (comme pour les bruits). Elle s'exprime
donc en W/Hz et s'crit:
Sb
.
R( )

Le data-sheet donn en exemple fournit la NEP pour la longueur d'onde "pic". Il

faut noter que cette caractristique est estime une temprature typique de 25C. Les
fluctuations tant principalement dues au bruit thermique, cette information est bien sr
capitale. Prenons un exemple. Si la photodiode n1 est associe un circuit de bande
passante 1MHz, le flux quivalent au bruit propre de la photodiode s'crit:
2 10 15
10 6 2 pW . Cette valeur est trs faible.

Dtectivit spcifique D*
Les constructeurs ont introduit une grandeur plus commerciale pour caractriser leurs dtecteurs.
La dtectivit est dfinie comme l'inverse de la NEP: ce paramtre est donc d'autant plus grand que la
NEP est petite. Cependant, la dtectivit dpend gnralement de la racine carre de la surface du dtecteur
(en particulier pour les dtecteurs dans l'IR lointain qui seront traits dans la dernire partie). Par souci de
normalisation et de comparaison quitable, une dernire grandeur est gnralement utilise: la dtectivit
spcifique D*. Elle s'exprime en cm.Hz/W (ou Jones). D* est donc la dtectivit pour une surface de 1
cm dans un circuit de bande passante 1Hz.

A f
D* ( )
NEP ( )

o A est l'aire de la surface en cm et f la bande passante.

La connaissance de la dtectivit spcifique, de la surface de la photodiode et de la bande passante

du montage permettent donc de remonter facilement la NEP:

A f
NEP( )
D* ( )

6-NEP dtecteur et NEP systme

Les paramtres voqus dans les paragraphes prcdents ont permis de choisir une photodiode
indpendamment d'un circuit. Vous pouvez consulter ainsi plusieurs data-sheets et comparer les performances
de diverses photodiodes entre elles. Cependant, une fois le dtecteur choisi et mis en place, votre systme
22
de dtection prsente un bruit dans l'obscurit qui n'est pas uniquement celui de la photodiode. Les bruits
dans les circuits lectroniques associs sont souvent prpondrants. Par exemple, une rsistance de charge
induit un bruit thermique d'autant plus important que cette rsistance est petite. Un amplificateur oprationnel
apporte lui aussi une contribution importante. Raliser un montage complet trs bas bruit est un exercice
trs difficile.
Etant donn que ce sont les performances finales du systme qui importent, on introduit une NEP
systme de manire quivalente la NEP dtecteur. La NEP systme est dfinie comme le flux minimal qui
engendre en sortie du systme un signal gal la valeur efficace du bruit dans l'obscurit. La NEP systme
est ncessairement moins bonne que la NEP dtecteur. La NEP systme donne la rsolution ultime du
montage, la plus petite variation de flux que vous serez en mesure de dceler.
Il est facile exprimentalement d'avoir une ide de la NEP du systme ralis. C'est grosso-modo le
flux pour lequel vous pouvez commencer distinguer l'oscilloscope une diffrence entre la tension dlivre
par le systme dans l'obscurit et celle fournie par le systme clair.

E-Dtecteurs IR: une introduction aux systmes optroniques

Le domaine de l'infrarouge moyen et lointain (3-30 m) prsente de nombreuses spcificits. En

particulier, ces longueurs d'onde, le signal utile peut souvent se rsumer un contraste de temprature et
le rayonnement thermique ambiant devient la source principale de bruit.
Cette partie revient dans un premier temps sur la notion de dtectivit
applique au cas des dtecteurs idaux dits "BLIP". Une dernire notion
similaire mais spcifique au domaine IR est introduite: la temprature
quivalente de bruit.
Les systmes IR ont connu depuis les annes 90 un trs fort
dveloppement et sont sans nul doute appels dans les annes venir
connatre une diversification et une diffusion toujours plus importantes.
La fin de ce cours prsente les grandes lignes de la conception d'un
systme optronique travers un TD-cours. L'objectif n'est pas de Figure 32- Luminance spectrique
raliser une tude trs dtaille d'un systme mais plutt de comprendre d'un corps noir
qu'un systme fiable repose sur une architecture multidisciplinaire.

1-Dtecteurs BLIP et Dtectivit spcifique

Parmi les sources de bruit prsentes dans la partie prcdente, l'une d'entre elle n'a pas t prise en
compte: le courant de fond. Dans le visible ou le proche infrarouge la contribution de ce courant est trs
faible temprature ambiante. Par contre, dans l'infrarouge compris entre 3 et 30 m, l'mission corps noir
du fond environnant est trs importante et devient la source principale de bruit. A 300K, le rayonnement
thermique est centr autour de 10 m (Figure 32). Il n'y a pas d'obscurit pour les dtecteurs fonctionnant
dans cette gamme de longueur d'onde! La monture elle-mme est source de parasites (elle est donc
gnralement refroidie)!
Les dtecteurs pour lesquelles la source principale de bruit est le bruit d'environnement sont dnomms
BLIP: "Background Limited Infrared Photodetector". Si l'on note IF le courant de fond, la densit spectrale
de bruit s'crit:
S 2eI F
La NEP prend alors la forme suivante:
2eI F f
NEP ( )
R( ) 23
Comment calculer le courant IF? Ce calcul se mne en deux tapes (cf cours de photomtrie):

~~ Si l'on note EP l'clairement photonique (nombre de photons par lment de surface) du dtecteur du
l'environnement et prenant en compte tous les photons jusqu' la longueur d'onde de coupure du dtecteur,
le courant s'crit:
IF eEP A
o A est la surface du dtecteur et le rendement quantique.

~~ Pour un systme observant une scne de luminance photonique LP sous un cne de demi-angle au
sommet , l'clairement photonique est donn par:
EP LP sin( ) 2

La dtectivit, inverse de la NEP, peut donc finalement s'crire sous la forme:

1/ 2
1 1
D( )
hc sin( ) 2 LP A f

La dpendance de la dtectivit avec la racine carre de la surface sensible apparait dsormais

explicitement. Ceci justifie la notion de dtectivit spcifique D* introduite rapidement dans la partie
prcdente. Le dtecteur BLIP est un cas idal de dtecteur puisque le bruit d'environnement est le bruit
minimal auquel tout dtecteur est ncessairement soumis, de manire plus ou moins importante selon la
longueur d'onde de travail (que l'on nglige dans
le visible ou dans l'IR proche). La dtectivit
spcifique BLIP donne donc une valeur
maximale de la dtectivit spcifique que peut
atteindre un dtecteur. Toute dtectivit sera 2 steradians field of view
295K Background Temperature
ncessairement infrieure la valeur BLIP. La
figure ci-contre donne D* pour diffrents
matriaux usuels. En pointill figure le cas idal
BLIP calcul la longueur d'onde pic. Deux
informations indispensables sont prcises sur
ce graphe: "2 steradians field of view-295K
background temperature". L'ouverture du cne
de rception et la temprature de fond sont
bien sr deux paramtres cls. Un cne plus
petit permet d'augmenter la dtectivit
(diminuer le bruit) puisque la surface sensible
voit alors moins de fond (ce paramtre sera un
paramtre de conception trs important). Quant
la temprature, elle fixe la valeur de la
luminance photonique. Il est intressant de noter
que les dtecteurs pyrolectriques, les
thermopiles ou les bolomtres ont une
dtectivit spcifique gnralement beaucoup Figure 33- Dtectivit spectrale spcifique de dtecteurs
IR. Les indications "field of view" et "background
plus faible que les photodiodes usuelles. temperature" sont indispensables.

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 2-Signal IR et Temprature quivalente de bruit

Un systme IR a souvent pour fonction de dtecter sur un fond

Fond de temprature
temprature uniforme (la mer par exemple) la prsence d'un objet ou de uniforme

dtecter des variations de temprature d'un objet lui-mme (contrle de

process industriel, imagerie thermique...). Le signal utile peut se rsumer Zone de contraste
un contraste ou une variation de temprature. Cette notion est thermique

fondamentale pour comprendre le fonctionnement des systmes IR: ces

Figure 34- Le signal utile rsulte
longueurs d'onde, une diffrence de flux est quivalente une diffrence d'un contraste thermique
de temprature.
Il est donc intressant de pouvoir quantifier la plus petite diffrence
de temprature que le systme est capable de dtecter. Cette grandeur est appele Temprature Equivalente
de Bruit (ou NETD pour "Noise Equivalent Temperature Difference"). La NEP systme quantifie le plus
petit FLUX dtectable. A partir de la NEP, on peut remonter la NETD partir des caractristiques de
rception et de la pente de la luminance. Un exemple de calcul est pouss plus avant dans le TD.

3-La conception d'un systme optronique IR:TD-cours

L'exemple choisi est la ralisation d'un quipement infrarouge pour la dtection de naufrag en mer
partir d'un hlicoptre. Comment se conoit un projet, de cette ide succincte jusqu'aux premiers essais
grandeur nature? Mme si chaque projet a bien sr ses spcificits, le cheminement est quant lui semblable.
Aprs avoir dfini (ou que le client ait fourni) un cahier des charges aussi prcis que possible, une architecture
est propose. Il faut ensuite modliser les performances potentielles avant de procder aux premiers
essais. Ce TD reprend ces principales tapes ( l'exception de la dernire!) et investit quelques notions
importantes tudies tout au long de ce polycopi et du cours de photomtrie. La confrence de Laurent
Mazuray (Systmes Optroniques Spatiaux - Astrium - Toulouse) viendra complter ce TD en dtaillant la
dmarche industrielle de conception d'un systme et la coordination des diffrents partenaires mis en jeu.

Cahier des Charges

Il sert dfinir les missions et les contraintes du systme. Il est important qu'il soit le
plus dtaill et le plus prcis possible. Dans le cas de notre projet, de nombreuses questions
sont se poser: la dtection se fait elle de jour ou de nuit, questions sur l'hlicoptre,etc...?
Dtailler les diffrentes informations ncessaires la ralisation d'un cahier des
charges prcis dans le cadre de ce projet.

Architecture et Bloc-Diagramme
Une fois le cahier des charges proprement dfini, une ou plusieurs architectures peuvent
tre proposes. Cette tape permet de choisir un principe de fonctionnement susceptible de
rpondre au cahier des charges (systme actif ou passif, bande spectrale de dtection,...) et
d'en faire ressortir les caractristiques essentielles. En particulier, l'accent sera mis sur les
sous-systmes et les paramtres extrieurs influant leur fonctionnement. Un bloc-diagramme
mettant en vidence les diffrents composants (letronique, optique, mcanique,
environnementale,...) et relations entre eux traduit de manire synthtique l'ensemble de ces
donnes.

La mission du systme est de dtecter un homme la mer. Sur quel principe

physique peut s'appuyer cet quipement? Quelle bande spectrale est la mieux
adapte ce systme? Choissisez-vous un systme actif ou passif? Donner un
nom ce systme qui rsume l'ensemble de ces choix (mission, principe physique,
bande spectrale, actif ou passif).
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 De la scne observe jusqu'au traitement final (qui peut tre ralis par un
oprateur), la chane est constitue de nombreux lements. Quels sont dans le
cadre de notre projet ces diffrents lments?
Une question est reste en suspens. Comment observer efficacement la scne?
Pouvez vous proposer une technique opto-mcanique efficace? Cette technique
est un bloc supplmentaire ajouter la question prcdente.

Dessiner le bloc-diagramme.

Une fois les blocs identifis, il est possible de prciser pour chacun d'entre eux les
spcifications techniques qui seront importantes de dfinir ultrieurement(bande
passante, distance focale, ouverture, conditions de travail...). Ajouter au
diagramme prcdent les spcifications techniques prendre en compte.

A cette tape, un nonc plus technique du TD vous sera fourni.

Dfinition Technique et Etudes des Performances Potentielles

L'architecture tant dsormais clairement dfinie, l'tape suivante consiste optimiser
les spcifications techniques et valuer (ou simuler) les performances potentielles du systme.
Quelle focale choisir pour la partie optique, cette focale devant tre adapte la scne observe
et au dtecteur choisi? Comment adapter la bande passante de l'lectronique?

Partie Optique: Choix d'une focale adapte afin de maximiser le signal

La taille de la surface sensible est fixe (seul dtecteur disponible sur le march
par exemple). Quelle focale choisir pour le systme optique? Quels paramtres
guident ce choix? On pourra considrer que la surface typique occupe par le
naufrag est de 1x1m.

Partie Electronique: Choix d'une BP adapte pour limiter le bruit

Quelle est la vitesse de balayage angulaire de la bande de mer analyse chaque

ligne? Quelle est la forme temporelle du signal? Combien de temps le systme
"voit"-t-il le naufrag? En dduire la bande passante lectronique adapte au
signal.

Performances potentielles: de la NEP la NETD

Rappeler la signification physique du flux quivalent au bruit. Quel est le flux

quivalent au bruit (FEB ou NEP) du sytme (on ne prend en compte que le
bruit de dtection)?

Quelle relation photomtrique relie un flux et une tendue gomtrique dans le

cas d'une luminance uniforme? Calculer l'tendue gomtrique dfinie par le
dtecteur et l'optique du systme. Sachant que la drive partielle de la luminance
dans cette bande spectrale est L/T=0,6 W.m-2.sr-1.K-1, dduire de la NEP la
valeur de la NETD.

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Vers une tude plus approfondie du systme
D'autres sous-ensembles du systme seraient tudier en dtail. L'laboration de la
partie automatise de dtection ncessiterait par exemple un travail important de traitement
du signal et d'informatique. Des questions fondamentales n'ont pas encore t souleves. La
rflexion de la tuyre de l'hlicoptre (source chaude) sur la mer pourrait tre une source
rdhibitoire de fausses alarmes. Il faudrait alors abandonner l'architecture prcdente et choisir
un systme actif: un laser claire la scne et la dtection peut se faire dans une bande spectrale
trs troite, ce qui permet de rejeter cette source de fausses alarmes.
Ce TD-cours avait pour objectif de vous convaincre de la multidisciplinarit qu'exige la
conception d'un systme optronique (mcanique, opto-mcanique, lectronique, opto-
lectronique, informatique, optique physiologique...) tout en soulignant l'importance du bloc
de dtection et de son optimisation. Ce bloc est une position charnire du systme et ncessite
une attention toute particulire qui dcidera des performances ultimes du systme.

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 Quelques rfrences bibliographiques

"Bases de radiomtrie optique" (J.L. Meyzonnette, T. Lpine, Cpadus Edition ): un ouvrage issu
du cours de radiomtrie qui est enseign l'Ecole Suprieure d'Optique.

"Rayonnements optiques" (F. Desvignes, Masson): dcrit les phnomnes lis la propagation des
signaux optiques et aux proprits radiomtriques des matriaux, des milieux, des sources et des
rcepteurs.

"Optolectronique industrielle: conception et applications" (P. May, Dunod): fait le point des
connaissances ncessaires pour aborder l'optolectronique. Dtecteurs divers, convertisseurs, photo-
coupleurs, fibres, cristaux liquides, CCD... De nombreux montages pratiques. Le montage
"Commande automatique d'un clairage" prsent dans ce polycopi est extrait de cet ouvrage.

"Acquisition et Visualisation des images" (A. Marion, Eyrolles): traite des notions thoriques et des
aspects fondamentaux du traitement d'image. Formation des images, capteurs d'image, colorimtrie,
aspects neurophysiologiques de la vision...

Quelques sites internet de distributeurs opto-lectroniques

usa.hamamatsu.com/hcpdf/catsandguides/ Compound_semiconductor.pdf: une notice trs complte

sur les composants semiconducteurs.
usa.hamamatsu.com/detectors.htm :Photodiodes , CCDs , MOS Linear Image Sensors, Photo ICs...
www.sel.sony.com/semi/pdctguid.html: CCD Area Sensor ICs,CCD Linear Sensor ICs...

www.mellesgriot.com
www.optonlaser.com
www.newfocus.com

Quelques sites prsentant des systmes optroniques

www.riegl.co.at/lasertape/f_fg21lr.htm : Tlmtre laser longue porte

lmdx.lmd.polytechnique.fr/~Lidar/LVT/lvt.html: Lidar atmosphrique du laboratoire de mtorologie
dynamique de l'X
http://www.ineris.fr/connaitre/domaines/chroniques/lidar/lidar1.htm: Lidar d'analyse de qualit de l'air
http://wwwrc.obs-azur.fr/cerga/laser/laslune/instrum.htm: L'instrumentation de la station de tlmtrie
Laser-Lune
http://perso.wanadoo.fr/csom/rla500.htm: Contrleur de linarit pour systme robotis
http://www.ssco.asso.fr/symposiums/1996/applications_militaires.htm: Les applications militaires des
lasers
http://www.onera.fr/cahierdelabo/lexique/fr/camera_infrarouge.htm: Contrle non destructif par
thermographie (ONERA)

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