Chapitre deux

LA JONCTION
SEMI CONDUCTRICE

1 ÉTUDE DE LA JONCTION PN
Considérons deux barreaux de S.C.: l’un dopé P, l’autre dopé N. Le bilan des porteurs libres à une
température fixée est indiqué ci-dessous:
e- minoritaires e- majoritaires

𝑝 = 𝑁𝑎 𝑛𝑖2
𝑝=
𝑁𝑑
𝑛𝑖2
𝑛= 𝑛 = 𝑁𝑑
𝑁𝑎
S.C. P S.C. N
Trous majoritaires Trous minoritaires

1.1 FORMATION DE LA JONCTION

Imaginons que l’on rapproche ces deux barreaux, considérés de même nature au sens chimique, de
manière à réaliser leur contact physique au niveau d’une jonction. On a affaire à une homojonction. On
assisterait alors à deux phénomènes se manifestant de part et d’autre de l’interface PN (cf Figure 2.2):
Transitoire de durée très brève, à savoir diffusion des trous de la région P vers la région N, ils vont
avoir tendance à diffuser pour rétablir l’équilibre (idem pour les e- qui diffusent de la région N vers la
région P).
Chapitre 2. La jonction Semi Conductrice

Ions Ei
Diffusion de trous vers S.C. N S.C. P VP VN S.C. N
S.C. P S.C. - - - - - - + + + + + +
Trou
- - - - - + + + + +
- - + + + + + +
- - - - - - + +
- - - - - + + + + +
- - - - - - + + + + + +
- - + +
e- libre - - - - - + + + + +
- - - - - - + + + + + +
-xp 0 xN
Diffusion des e- libres vers S.C. P
W
x
Figure 2.2 Formation de la jonction: diffusion des porteurs et établissement de la barrière de potentiel
Permanent, les trous qui ont envahi la région N (où ils ont disparu par recombinaison avec les e-
majoritaires dans cette région) ont laissé derrière eux des ions fixes d’atomes accepteurs ionisés
négativement. De même, les e- de la région N qui sont passés du côté P ont laissé derrière eux des
ions fixes d’atomes donneurs ionisés positivement.
Ces nombreuses recombinaisons conduisent à une disparition totale des porteurs libres dans une
zone donnée, il ne reste que des ions fixes chargés. Cette zone est appelée zone de charge d’espace
(ZCE), zone déserte, zone de déplétion ou encore zone de transition. Une barrière de potentiel V 0 est
créée, qui provoque l’apparition d’un champ électrique interne E i . Ce champ va s’opposer au passage
des porteurs majoritaires (de courant I D ). La diffusion est fortement ralentie sauf pour certains porteurs
qui possèdent une énergie cinétique suffisante. Par contre, ce champ favorise le passage des porteurs
minoritaires correspondant à un courant I s (dans le sens inverse de I D ). Le courant résultant est ainsi
nul.
Quelle est l’allure du champ E i (x) et du potentiel V(x) dans la ZCE?

1.2 DÉTERMINATION DU CHAMP INTERNE DANS LA ZONE DE CHARGE D’ESPACE

Nous considérons les régions x≥x N et x≤-x P comme des régions équipotentielles.
Soit:
𝑥 ≥ 𝑥𝑁 & 𝑥 ≤ −𝑥𝑃 : 𝐸𝑖 (𝑥) = 0; 𝑉(𝑥) = 𝐶𝑡𝑒 [eq. 2.1]
et
𝑥 ≥ 𝑥𝑁 ⟹ 𝑉 = 𝑉𝑁
� [eq. 2.2]
𝑥 ≤ −𝑥𝑃 ⟹ 𝑉 = 𝑉𝑃
La loi de Poisson établit:
𝜌
∇2 𝑉 = − [eq. 2.3]
𝜀

Soit alors :
𝜕2𝑉 𝜌
= −
𝜕𝑥 2 𝜀
𝜕𝑉 𝜌 𝜕𝑉 𝜌
= − ∙ 𝑥 + 𝐶1 ⇒ 𝐸 = − = ∙ 𝑥 − 𝐶1
𝜕𝑥 𝜀 𝜕𝑥 𝜀

On a:
𝜌 𝜌
𝐸(𝑥 = 𝑥𝑁 ) = 0 = ∙ 𝑥𝑁 − 𝐶1 ⇒ 𝐶1 = ∙ 𝑥𝑁
𝜀 𝜀
𝜌
D’où: 𝐸𝑖𝑁 (𝑥) = ∙ (𝑥 − 𝑥𝑁 )
𝜀
Dans la région N et dans un cas de dopage homogène: 𝜌 = 𝑒𝑁𝑑

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On obtient donc:
𝑒𝑁𝑑
𝐸𝑖𝑁 (𝑥) = ∙ (𝑥 − 𝑥𝑁 ) [eq. 2.4]
𝜀

On fait de même pour E iP (x) côté P.

 Tracé de E i (x)
Ei
W
x
-xP xN

𝑒𝑁𝑎 𝑥𝑃 𝑒𝑁𝑑 𝑥𝑁
− −
𝜀 𝜀

Figure 2.3 Tracé du champ électrique interne

Au niveau de la jonction, on considère que le champ et le potentiel sont continus:
𝐸 (0) = 𝐸𝑖𝑃 (0)
� 𝑖𝑁 [eq. 2.5]
𝑉𝑁 (0) = 𝑉𝑃 (0)
𝑒𝑁𝑑 𝑥𝑁 𝑒𝑁𝑎 𝑥𝑃
⇔ − =−
𝜀 𝜀

𝑁𝑑 ∙ 𝑥𝑁 = 𝑁𝑎 ∙ 𝑥𝑃 [eq. 2.6]

1.3 DÉTERMINATION DU POTENTIEL DANS LA ZONE DE CHARGE D’ESPACE

On a:
𝑉(𝑥) = − ∫ 𝐸(𝑥) ∙ 𝑑𝑥 [eq. 2.7]
 Calcul de V N (x), potentiel dans la région N
𝑒𝑁𝑑
𝑉𝑛 (𝑥) = − � 𝐸𝑖𝑛 (𝑥) ∙ 𝑑𝑥 = − � ∙ (𝑥 − 𝑥𝑛 ) ∙ 𝑑𝑥
𝜀
Soit:
𝑒𝑁𝑑 𝑥 2
𝑉𝑛 (𝑥) = − ∙ � − 𝑥𝑛 ∙ 𝑥� + 𝐶3
𝜀 2
Appliquons la condition aux limites:
𝑒𝑁𝑑 𝑥𝑛2
𝑉𝑛 (𝑥 = 𝑥𝑛 ) = 𝑉𝑛 = − ∙ � − 𝑥𝑛2 � + 𝐶3
𝜀 2
𝑒𝑁𝑑
⇒ 𝐶3 = 𝑉𝑛 − ∙ 𝑥𝑛2
2𝜀

D’où:
𝑒𝑁𝑑 𝑥2 𝑒𝑁𝑑
𝑉𝑛 (𝑥) = − ∙� − 𝑥𝑛 ∙ 𝑥� + 𝑉𝑛 − ∙ 𝑥𝑛2 [eq. 2.8]
𝜀 2 2𝜀

Aussi, on fait de même pour V P (x).

1.4 DÉTERMINATION DE LA BARRIÈRE DE POTENTIEL

On a: 𝑉0 = 𝑉𝑁 − 𝑉𝑃 sachant que: 𝑉𝑁 (0) = 𝑉𝑃 (0) selon l’équation 2.5.
Soit alors:
𝑒𝑁𝑑 2 𝑒𝑁𝑎 2
𝑉𝑛 − ∙ 𝑥𝑛 = 𝑉𝑝 − ∙ 𝑥𝑝
2𝜀 2𝜀
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V
VN

x
-xP BP xN

VP
ZCE

Figure 2.4 Tracé du potentiel

Après calculs:
𝑒 𝑁𝑎 𝑁𝑑
𝑉0 = ∙ ∙ 𝑊2 [eq. 2.9]
2𝜀 𝑁𝑎 +𝑁𝑑

1.5 DIAGRAMME DES ÉNERGIES

Une des propriétés du niveau de Fermi est qu’il est le même à l’équilibre thermique pour une jonction
PN non soumise à une ddp, en d’autres termes, quel que soit les dopages P et N les niveaux d’énergie
associés E Fp et E Fn sont alignés (on a: 𝐸𝑐𝑝 − 𝐸𝑐𝑛 = 𝑒𝑉0 ). C’est-à-dire qu’il faut une énergie au moins
égale à eV 0 pour que les majoritaires des deux zones (N et P) puissent passer (traverser la barrière).

ECP
e.V0=ECP-ECN
ECN
EF
EVP

EVN
(P) (N)
Figure 2.5 Diagramme des énergies d’une jonction PN, le niveau de fermi est aligné

 Calcul de V 0 à partir des niveaux d’énergie

Soient:
𝐸𝑐𝑛 −𝐸𝐹
𝑛𝑛 = 𝑁𝑑 = 𝑁𝑐 ∙ 𝑒𝑥𝑝 �− �; densité des e- dans la région N
𝑘𝑇
𝑛𝑖2 𝐸𝑐𝑝 −𝐸𝐹
𝑛𝑝 = = 𝑁𝑐 ∙ 𝑒𝑥𝑝 �− �; densité des e- dans la région P
𝑁𝑎 𝑘𝑇
𝑁𝑎 ∙𝑁𝑑 𝐸𝑐𝑝 −𝐸𝑐𝑛
⇒ = 𝑒𝑥𝑝 � �
𝑛𝑖2 𝑘𝑇

D’où:
𝐸𝑐𝑝 −𝐸𝑐𝑛 𝑘𝑇 𝑁𝑎 ∙𝑁𝑑
𝑉0 = = ∙ ln � � [eq. 2.10]
𝑒 𝑒 𝑛𝑖2

1.6 CAPACITÉ DE LA JONCTION

La ZCE d’une jonction rappelle les armatures d’un condensateur, une jonction PN est caractérisée par
sa capacité, dont l’expression est la suivante:
𝜀∙𝑆
𝐶= [eq. 2.11]
𝑊

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2 JONCTION PN POLARISÉE
La jonction PN peut être dans trois (3) situations: en plus du cas non polarisé, on peut citer les
polarisations directe et inverse.

2.1 POLARISATION DIRECTE

La jonction est soumise à un champ résultant E i -E, comme le montre la figure 2.6. En terme de
potentiel, la B.P. diminue en hauteur et devient égale à V 0 -V. Cela veut dire que le nombre de porteurs
majoritaires qui passent va considérablement augmenter, on parle de courant de diffusion.
E
S.C. P Ei S.C. N
- +
- +
- +
- +
- +
- +

Id V
Figure 2.6 Jonction PN polarisée en direct
Remarque: Le courant des porteurs minoritaires I s ne change pas avec une éventuelle modification de
la B.P. sous l’effet de la polarisation.
On a:

𝑒 ∙ (𝑉0 − 𝑉) 𝑒𝑉0 𝑒𝑉
𝐼𝐷 = 𝐼0 ∙ 𝑒𝑥𝑝 �− � = 𝐼0 ∙ 𝑒𝑥𝑝 �− � ∙ 𝑒𝑥𝑝 � �
𝑘𝑇 𝑘𝑇 𝑘𝑇

Is
Le courant de diffusion du au déplacement des porteurs majoritaires, s’exprime comme suit:
𝑒𝑉
𝐼𝐷 = 𝐼𝑠 ∙ 𝑒𝑥𝑝 � � [eq. 2.12]
𝑘𝑇
Le courant résultant dit direct sera alors la différence:
𝑒𝑉
𝐼𝑑 = 𝐼𝐷 − 𝐼𝑠 = 𝐼𝑠 ∙ �𝑒𝑥𝑝 � � − 1� [eq. 2.13]
𝑘𝑇

2.2 POLARISATION INVERSE

Les champs électriques externe et interne respectivement E et E i sont dans le même sens, la jonction
est donc soumise à un champ électrique résultant plus intense, le potentiel est plus élevé et sa valeur
vaut V 0 +V (cf Figure 2.7).
Les porteurs majoritaires voient leur passage freiné, alors que les porteurs minoritaires peuvent
traverser facilement sous l’effet de la B.P., la zone de transition s’élargit.
E
S.C. P Ei S.C. N
- - - + + +
- - - + + +
- - - + + +
- - - + + +
- - - + + +
- - - + + +

Ii V
Figure 2.7 Jonction PN polarisée en inverse

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L’expression du courant de diffusion dans ce cas s’écrit:

𝑒𝑉
𝐼𝐷 = 𝐼𝑠 ∙ 𝑒𝑥𝑝 �− �
𝑘𝑇
On en déduit le courant résultant:
𝑒𝑉
𝐼𝑖 = 𝐼𝑠 − 𝐼𝐷 = 𝐼𝑠 ∙ �1 − 𝑒𝑥𝑝 �− �� [eq. 2.14]
𝑘𝑇

2.3 CAPACITÉ D’UNE JONCTION POLARISÉE

𝑒 𝑁𝑎 ∙𝑁𝑑
Pour une jonction non polarisée: 𝑉0 = ∙ ∙ 𝑊2
2𝜀 𝑁𝑎 +𝑁𝑑
𝑒 𝑁𝑎 ∙𝑁𝑑
Pour une jonction polarisée par une tension V: 𝑉0 ± 𝑉 = ∙ ∙ 𝑊 ′2
2𝜀 𝑁𝑎 +𝑁𝑑
soit:
1
2𝜀 𝑁𝑎 + 𝑁𝑑 2
𝑊′ = � ∙ (𝑉0 ± 𝑉)�
𝑒 𝑁𝑎 ∙ 𝑁𝑑
Qui représente la nouvelle largeur de la B.P.
𝜀∙𝑆
Comme: 𝐶 = ′ ; alors:
𝑊
1
𝑒∙𝜀∙𝑁 ∙𝑁 2 1
𝐶=𝑆 ∙ � ( 𝑎 𝑑)� ∙ 1 [eq. 2.15]
2 𝑁𝑎 +𝑁𝑑 (𝑉0 ±𝑉) �2

3 EXPRESSION DU COURANT DE SATURATION EN FONCTION

DE LA CONCENTRATION DES PORTEURS MINORITAIRES
Soient:
𝑛𝑖2
p 0 minoritaires dans la région N:
𝑁𝑑
𝑛𝑖2
n 0 minoritaires dans la région P:
𝑁𝑎
La courbe de variation de la concentration des porteurs minoritaires (e- et trous) est illustrée à la figure
suivante.

p(0)
n(0)

p0
n0

Ln Lp
Figure 2.8 Variation de la densité des minoritaires lors de la diffusion
La densité de courant s’exprime:
𝐼𝑠 𝐷𝑛 𝐷𝑝
𝐽𝑠 = = 𝑒 ∙ �𝑛0 ∙ + 𝑝0 ∙ � [eq. 2.16]
𝑆 𝐿𝑛 𝐿𝑝
D n , D p , L n et L p représentent dans l’ordre le coefficient de diffusion des e-, le coefficient de diffusion
des trous, la longueur de diffusion des e- et la longueur de diffusion des trous.
Aussi, 𝐿2𝑛 = 𝐷𝑛 ∙ 𝜏𝑛 et 𝐿2𝑝 = 𝐷𝑝 ∙ 𝜏𝑝
τ n et τ p sont définis comme étant les durées de vie respectives des e- et des trous. Il représente le
temps mis par le porteur e- et trou pour parcourir L n et L p .
𝑘𝑇 𝑘𝑇
𝐷𝑛 = 𝜇𝑛 ∙ et 𝐷𝑝 = 𝜇𝑝 ∙
𝑒 𝑒

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Finalement:
𝐷𝑛 𝐷𝑝
𝐼𝑠 = 𝑒 ∙ 𝑛𝑖2 ∙ 𝑆 ∙ � + � [eq. 2.17]
𝐿𝑛 𝑁𝑎 𝐿𝑝 𝑁𝑑
 INFLUENCE DE LA TEMPÉRATURE
Étudions l’influence du facteur température sur les variations du courant de saturation.
La B.P. s’oppose au mouvement des porteurs majoritaires de part et d’autre de la jonction. Cependant,
ces porteurs de charge disposent d’une certaine énergie, ce qui permet à certains d’entre eux de
franchir cette barrière.
En l’absence de polarisation, le courant des porteurs majoritaires vaut:
𝑒𝑉0
𝐼𝐷 = 𝐼0 ∙ 𝑒𝑥𝑝 �− � [eq. 2.18]
𝑘𝑇
I 0 étant le courant que l’on aurait en l’absence de B.P.
Dans ce cas: 𝐼𝑠 = 𝐼𝐷
Le courant I 0 est lui-même fonction de la température, il varie en fonction de cette dernière de la
manière suivante: 𝐼0 ~𝐶 ∙ 𝑇 3 où C est une constante.
On a:
𝑒𝑉0
ln(𝐼𝑠 ) = ln(𝐶) + 3 ∙ ln(𝑇) + �− �
𝑘𝑇
Différencions les deux membres, il vient:
∆𝐼𝑠 ∆𝑇 𝑒𝑉0
= ∙ �3 + � [eq. 2.19]
𝐼𝑠 𝑇 𝑘𝑇
Pour le Si (V 0 =1.12V), le courant de saturation double quand la température augmente de 6 degrés.
Dans le cas du Ge (V 0 =0.72V), ce courant double tous les 10 degrés.
Cette augmentation importante du courant de saturation empêche l’emploi de ces matériaux à des
températures élevées.

4 EFFET TRANSISTOR BIPOLAIRE

On considère un transistor bipolaire de type NPN, polarisé selon la figure 2.9.

VCE IC
C
N
IB
B B P

N++
E
VBE IE

E
Figure 2.9 Transistor bipolaire NPN polarisé
La tension V BE positive polarise la jonction base-émetteur du transistor en direct, alors que la tension
V CB polarise la jonction collecteur-base en inverse.
La jonction BE fonctionnant en mode direct est donc le siège des phénomènes jonction passante vus
précédemment. En effet, des e- sont injectés de la région d’émetteur N++ très dopée dans la base P où
ils subissent le phénomène habituel de recombinaison avec les trous, qui font ici figure de porteurs
majoritaires. La surpopulation des e- injectés dans le S.C. P disparaît selon la loi déjà donnée:
Cependant, le transistor est caractérisé par une épaisseur de base W B (de l’ordre de 0.5 à 2μm) très
inférieure à la longueur de diffusion des e- L n (10 à 20μm). Dans ces conditions, tous les e - injectés

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Chapitre 2. La jonction Semi Conductrice

dans la base ne subissent pas le phénomène de recombinaison avec les trous. Aussi, les e-
ʺchanceuxʺ qui ont pu traverser la base sans se faire recombiner, parviennent à la frontière de la ZCE
de la jonction bloquée base-collecteur. Ils sont alors pris en charge par le champ électrique qui y règne
et se retrouvent dans le collecteur N où ils sont de nouveau majoritaires et ne risquent plus la
recombinaison.
Ainsi, un courant peut traverser la jonction bloquée: c’est l’effet transistor.
Physiquement, on dit que les e- qui ont été recombinés dans la base créaient le courant faible de la
base, ce qui assure un courant de collecteur I C voisin du courant d’émetteur I E .
On peut exprimer le courant de collecteur selon l’expression ci-après:
𝐼𝐶 = 𝛼 ∙ 𝐼𝐸 + 𝐼𝑆𝐵𝐶 [eq. 2.20]
avec:
α>1: coefficient de transfert en courant
I SBC : courant inverse de saturation de la jonction base-collecteur
Sachant que le transistor est un nœud de courant, soit: 𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 . Ce qui conduit à:
𝛼 𝐼𝑆𝐵𝐶
𝐼𝐶 = ∙ 𝐼𝐵 +
� 1−𝛼 1−𝛼 [eq. 2.21]
𝐼𝐶 = 𝛽 ∙ 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶𝐸0
Pour la plupart des transistors, le gain en courant β (ou bien h 21 ) est compris entre 50 et 500, alors que
le courant de fuite de collecteur I CE0 est en général négligeable à la température ambiante.

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