Chapitre

2
Jonction p-n
*****

2.1 Condition d’équilibre et Zone de déplétion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

2.1.1 Tension Vbi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
2.1.2 Champ électrique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
2.1.3 Largeur de la ZCE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
2.1.4 Cas de la jonction unilatérale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
2.1.5 Jonction polarisée . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
2.2 Caractéristique Courant-Tension (I–V) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
2.2.1 Courant idéal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
2.2.2 Courant de G-R . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
2.2.3 Résitances parasites . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
2.3 Capacité de déplétion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
2.4 Capacité de diffusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

La jonction pn est un composant très important dans l’électronique. D’une part, elle est très
utilisée dans beaucoup d’applications électroniques comme le redressement et la commutation, et
d’autre part, on la retrouve comme bloc de base dans la construction d’autres composants tel que
le transistor bipolaire ou le transistor MOS.
La caractéristique la plus importante d’une jonction pn est qu’elle redresse les signaux ; elle
laisse passer plus aisément le courant dans une direction que dans l’autre. La figure 2.1 (p. 13)
en illustre la caractéristique courant-tension (I–V) typique. Dans le sens direct, lorsque la tension
positive est appliquée au coté-p, le courant augmente rapidement lorsque la tension augmente. Dans
le sens inverse, l’augmentation du courant est très insignifiante avant la tension critique de claquage
(breakdown voltage 𝑉𝐵 ) où l’augmentation devient très importante. Cette dernière caractéristique
est utilisée dans la diode zener pour concevoir des tensions de référence.

2.1 Condition d’équilibre et Zone de déplétion

La jonction pn se forme par la mise en contact d’un semiconducteur de type-p et d’un
semiconducteur de type-n. La figure 2.2 (p. 14) montre les diagrammes des bandes d’énergie avant

Physique des Composants SC 2 (Pr A. FERHAT HAMIDA) 12

Chapitre–2 Jonction p-n 2.1 Condition d’équilibre et Zone de déplétion

ℰ ℰ
ℰ
p n p n
−𝑊𝑝 0 𝑊𝑛

𝐸𝐶 𝐸𝐶 𝐸𝐶
𝐸𝐹
𝐸𝐶
𝐸𝐹 𝐸𝐹 𝐸𝐹
𝐸𝑉 𝐸𝑉 𝐸𝑉

𝐸𝑉

(𝐚) (𝐛)

Figure 2.2 – Diagramme des bandes d’énergie d’une jonction pn. (a) Avant la mise en contact les
bandes sont plates et (b) après la mise en contact, il y a apparition du champ, 𝓔, et formation de la ZCE.
Les zones n et p restent neutres.

région–n. En migrant de leurs régions, les électrons et les trous laissent respectivement des atomes
donneurs et des atomes accepteurs dont les charges électriques ne sont plus compensées ; l’équation
d’équilibre n’est plus vérifiée (l’équation 2-1). Une zone de charge d’espace (ZCE ou en anglais
SCR : space charge region) positive se crée dans la région–n et une autre négative se crée dans
la région–p. Un champ électrique interne (built-in), 𝓔, s’établit alors dans la ZCE dans le sens
montré par la figure 2.2–b (p. 14). Il crée une force de dérive qui agit dans le sens opposé de la
diffusion ; elle s’oppose à la migration des électrons et des trous de leurs régions respectives. Plus
des électrons et des trous diffusent, plus le champ devient intense et moins de charges migrent. Le
nombre de charges qui migrent diminue et ce phénomène se poursuit jusqu’à l’équilibre des deux
phénomènes :
courant de diffusion = courant de dérive

Cet équilibre est marqué par un niveau de Fermi constant (plat) dans toute la structure (la figure 2.2–
b) ∗ et l’établissement d’une tension interne 𝑉𝑏𝑖 qui maintient cette équilibre et s’oppose à la
diffusion. On l’appelle parfois tension de diffusion. Loin de la ZCE, les zones–n et –p restent
neutres et en équilibre.
La figure 2.3 (p. 18) montre de façon détaillée les bandes d’énergie et le champ électrique à
l’équilibre. Cette figure est obtenue en supposant l’approximation de dépletion :
— dans la ZCE, il n’y a aucun électron et aucun trou libre.
— dans la région–n la concentration des électron est 𝑛𝑛𝑜 = 𝑁𝐷 et celle des trous est 𝑝𝑛𝑜 .
— dans la région–p la concentration des trous est 𝑝𝑝𝑜 = 𝑁𝐴 et celle des électrons est 𝑛𝑝𝑜 .
La ZCE s’étend sur une largeur 𝑊𝑝 dans la zone–p et sur une largeur 𝑊𝑛 dans la zone–n, soit
une largeur totale 𝑊 = 𝑊𝑛 + 𝑊𝑝 . Ceci nous permet d’écrire la relation de neutralité suivante :

𝑁𝐴 𝑊𝑝 = 𝑁𝐷 𝑊𝑛 [𝟐 − 𝟐]

∗. À titre d’exercice, montrer que 𝐸𝐹 est constant à l’équilibre.

Physique des Composants SC 2 (Pr A. FERHAT HAMIDA) 14

Chapitre–2 Jonction p-n 2.1 Condition d’équilibre et Zone de déplétion

Cette relation indique clairement que la ZCE s’étend plus dans la région la moins dopée. Par
exemple si 𝑁𝐴 > 𝑁𝐷 , on aura 𝑊𝑛 > 𝑊𝑝 .
2.1.1 Tension Vbi
D’après la figure 2.3–b (p. 18), 𝑉𝑏𝑖 est la somme des deux quantité 𝜙𝑝 et 𝜙𝑛 qui re-
lient les concentrations des charges dans les régions–n et –p à la concentration intrinsèque 𝑛𝑖 ,
( ))
(𝑛𝑛𝑜 = 𝑛𝑖 exp (𝑞𝜙𝑛 ∕𝑘𝐵 𝑇) et 𝑝𝑝𝑜 = 𝑛𝑖 exp 𝑞𝜙𝑝 ∕𝑘𝐵 𝑇 †

𝑘𝐵 𝑇 𝑛𝑛𝑜 𝑘𝐵 𝑇 𝑁
𝜙𝑛 = log ( )= log ( 𝐷 ) [𝟐 − 𝟑𝐚]
𝑞 𝑛𝑖 𝑞 𝑛𝑖
𝑘 𝑇 𝑝𝑝𝑜 𝑘𝐵 𝑇 𝑁
𝜙𝑝 = 𝐵 log ( )= log ( 𝐴 ) [𝟐 − 𝟑𝐛]
𝑞 𝑛𝑖 𝑞 𝑛𝑖
𝑘 𝑇 𝑛𝑛𝑜 𝑝𝑝𝑜 𝑘𝐵 𝑇 𝑁𝐴 𝑁𝐷
𝑉𝑏𝑖 = 𝜙𝑝 + 𝜙𝑛 = 𝐵 log ( ) = log ( ) [𝟐 − 𝟑𝐜]
𝑞 𝑛𝑖2 𝑞 𝑛𝑖2
𝑘𝐵 𝑇 𝑛𝑛𝑜 𝑘𝐵 𝑇 𝑝𝑝𝑜
𝑉𝑏𝑖 = log ( )= log ( ) [𝟐 − 𝟑𝐝]
𝑞 𝑛𝑝𝑜 𝑞 𝑝𝑛𝑜

Cette dernière relation est très importante (l’équation 2-3d) ; elle relie les concentrations aux
frontières de la ZCE. Elle est déduite en utilisant la relation d’équilibre 𝑛𝑛𝑜 𝑝𝑛𝑜 = 𝑛𝑝𝑜 𝑝𝑝𝑜 = 𝑛𝑖2 et
sera utilisée pour la détermination du courant.
2.1.2 Champ électrique
La densité de charge 𝜚(𝑥), dans l’approximation de déplétion, est donnée par

⎧−𝑞𝑁 pour −𝑊𝑝 ≤ 𝑥 ≤ 0

⎪ 𝐴

𝜚(𝑥) = 𝑞𝑁𝐷 pour 0 ≤ 𝑥 ≤ 𝑊𝑛 [𝟐 − 𝟒]

⎨
⎪ 0 ailleurs
⎩
La résolution de l’équation de Poisson

𝑑ℰ 𝑑2 Ψ 𝜚𝑠 (𝑥)
=− 2 = [𝟐 − 𝟓]
𝑑𝑥 𝑑𝑥 𝜀𝑠

permet alors de trouver facilement le champ électrique 𝓔. Comme le montre la figure 2.3–a (p. 18),
il est donné par l’expression

⎧ 𝑞𝑁𝐴 ( )
⎪− 𝜀 𝑊𝑝 + 𝑥 pour −𝑊𝑝 ≤ 𝑥 ≤ 0
⎪ 𝑠
𝓔(𝑥) = 𝑞𝑁 𝐷 [𝟐 − 𝟔]
⎨ 𝜀 (𝑊𝑛 − 𝑥) pour 0 ≤ 𝑥 ≤ 𝑊𝑛
⎪ 𝑠
⎪ 0 ailleurs
⎩
†. Voir le cours Physique des Composants Semiconducteurs 1.

Physique des Composants SC 2 (Pr A. FERHAT HAMIDA) 15

Chapitre–2 Jonction p-n 2.1 Condition d’équilibre et Zone de déplétion

Les conditions aux limites étant que 𝓔 s’annule à l’extérieur de la ZCE. Il admet une valeur
maximum à l’origine
||ℰ || = 𝑞𝑁𝐴 𝑊𝑝 = 𝑞𝑁𝐷 𝑊𝑛 [𝟐 − 𝟕]
| 𝑚| 𝜀 𝜀 𝑠 𝑠
Les potentiels dans les différentes régions peuvent être déduits de la façon suivante

0 𝑞𝑁𝐴 𝑊2𝑝
𝜓𝑝 = − ∫ ℰ(𝑥)𝑑𝑥 = [𝟐 − 𝟖𝐚]
−𝑊𝑝
2𝜀𝑠
𝑊𝑛
𝑞𝑁𝐷 𝑊2𝑛
𝜓𝑛 = − ∫ ℰ(𝑥)𝑑𝑥 = [𝟐 − 𝟖𝐛]
0
2𝜀𝑠
𝑊𝑛
1
𝑉𝑏𝑖 = 𝜓𝑝 + 𝜓𝑛 = − ∫ ℰ(𝑥)𝑑𝑥 = ℰ𝑚 𝑊 [𝟐 − 𝟖𝐜]
−𝑊𝑝
2

Une deuxième intégration de l’équation de Poisson donne le potentiel et il est clair qu’il aura
une forme parabolique dans la ZCE comme le montre la figure 2.3–b (p. 18). On note qu’on peut
aussi déduire les relations de l’équation 2-8 à partie des courbes de potentiel ‡ .
2.1.3 Largeur de la ZCE
Avec quelques manipulations algébriques § , on peut trouver les expressions des différentes
largeurs suivantes de la ZCE

√
2𝜀𝑠 𝑉𝑏𝑖 𝑁𝐴
𝑊𝑛 = [𝟐 − 𝟗𝐚]
𝑞 𝑁𝐷 (𝑁𝐴 + 𝑁𝐷 )
√
2𝜀𝑠 𝑉𝑏𝑖 𝑁𝐷
𝑊𝑝 = [𝟐 − 𝟗𝐛]
𝑞 𝑁𝐴 (𝑁𝐴 + 𝑁𝐷 )
√ √
2𝜀𝑠 𝑉𝑏𝑖 (𝑁𝐴 + 𝑁𝐷 ) 2𝜀𝑠 𝑉𝑏𝑖 1 1
𝑊= = ( + ) [𝟐 − 𝟗𝐜]
𝑞 (𝑁𝐴 𝑁𝐷 ) 𝑞 𝑁𝐴 𝑁𝐷

et celle du champ maximum ℰ𝑚

√
2𝑞𝑉𝑏𝑖 (𝑁𝐴 𝑁𝐷 )
ℰ𝑚 = [𝟐 − 𝟏𝟎𝐚]
𝜀𝑠 (𝑁𝐴 + 𝑁𝐷 )
√
2𝑞𝑁𝐴 𝜓𝑝
= [𝟐 − 𝟏𝟎𝐛]
𝜀𝑠
√
2𝑞𝑁𝐷 𝜓𝑛
= [𝟐 − 𝟏𝟎𝐜]
𝜀𝑠

‡. À titre d’exercice trouver l’allure exacte du potentiel.

§. Essayer de les retrouver.

Physique des Composants SC 2 (Pr A. FERHAT HAMIDA) 16

Chapitre–2 Jonction p-n 2.2. CARACTÉRISTIQUE COURANT-TENSION (I–V)

2.1.4 Cas de la jonction unilatérale

Le cas le plus pratique est lorsque l’un dopage 𝑁𝐴 ou 𝑁𝐷 est beaucoup plus grand que l’autre,
la diode est dite unilatérale (en anglais one-sided) et notée n+ – p ou p+ – n selon le cas (le + pour
dire très dopé). La largeur de la ZCE dans la région la plus dopée est négligeable devant l’autre ;
la ZCE s’étend essentiellement dans la région la moins dopée. Par exemple si on a 𝑁𝐴 ≫ 𝑁𝐷 , on
aura 𝑊 ≈ 𝑊𝑛 ≫ 𝑊𝑝 et la jonction est dite p+ – n. La largeur de la ZCE 𝑊, le champ ℰ(𝑥) et le
champ maximum ℰ𝑚 se simplifient aux relations suivantes
√
2𝜀𝑠 𝑉𝑏𝑖
𝑊= [𝟐 − 𝟏𝟏𝐚]
𝑞𝑁
( 𝑥)
ℰ(𝑥) = −ℰ𝑚 1 − [𝟐 − 𝟏𝟏𝐛]
√𝑊
𝑞𝑁𝑊 2𝑞𝑉𝑏𝑖 𝑁
ℰ𝑚 = = [𝟐 − 𝟏𝟏𝐜]
𝜀𝑠 𝜀𝑠

𝑁 étant le minimum entre 𝑁𝐴 et 𝑁𝐷 (𝑁 = min (𝑁𝐴 , 𝑁𝐷 ))

2.1.5 Jonction polarisée
À l’équilibre, le potentiel électrostatique totale est égal à 𝑉𝑏𝑖 . Lorsqu’on applique une tension
positive 𝑉 = 𝑉𝐹 à la région–p par rapport à la région–n, la jonction sera polarisée en directe
et le potentiel électrostatique totale décroîtra d’une quantité 𝑉𝐹 comme le montre la figure 2.4–a
(p. 19). Cependant, si on applique une tension positive 𝑉𝑅 (𝑉 = −𝑉𝑅 ) à la région–n par rapport à la
région–p, la jonction sera polarisée en inverse et le potentiel électrostatique totale accroîtra d’une
quantité 𝑉𝑅 comme le montre la figure 2.4–b (p. 19).
Pour retrouver les expressions des différentes quantité vues jusqu’ici on remplace 𝑉𝑏𝑖 par
(𝑉𝑏𝑖 − 𝑉), notamment dans l’équation 2-12 pour retrouver 𝑊 et ℰ𝑚

√
2𝜀𝑠 (𝑉𝑏𝑖 − 𝑉)
𝑊= [𝟐 − 𝟏𝟐𝐚]
𝑞𝑁
√
𝑞𝑁𝑊 2𝑞 (𝑉𝑏𝑖 − 𝑉) 𝑁
ℰ𝑚 = = [𝟐 − 𝟏𝟐𝐛]
𝜀𝑠 𝜀𝑠

Ces deux relations montrent que 𝑊 et ℰ𝑚 varient avec la racine carrée de la tension appliquée 𝑉.

2.2 Caractéristique Courant-Tension (I–V)

2.2.1 Courant idéal
La caractéristique courant-tension (I-V) idéale d’une jonction pn est établie avec les hypo-
thèses suivantes :
— Approximation de la zone de déplétion et hors ZCE, le semiconducteur est neutre,
— Les densités de charges aux frontières de la ZCE sont reliées par le potentiel électrosta-
tique,

Physique des Composants SC 2 (Pr A. FERHAT HAMIDA) 17

Chapitre–2 Jonction p-n 2.2 Caractéristique Courant-Tension (I–V)

−𝑊𝑝 ℰ 𝑊𝑛
𝑥

−ℰ𝓂
(𝐚) Champ électrique à l’équilibre

𝑥 = 𝑊𝑝 𝑥=0 𝑥 = 𝑊𝑛
𝐸𝐶

𝑞𝑉𝑏𝑖
𝐸𝑖
𝑞𝜙𝑝 𝑞𝜓𝑝 𝐸𝐶
𝑞𝑉𝑛
𝐸𝐹 𝐸𝐹
𝑞𝑉𝑝 𝑞𝜓𝑛
𝐸𝑉 𝑞𝜙𝑛
𝐸𝑖

𝐸𝑉

𝑥 = 𝑊𝑝 𝑥=0 𝑥 = 𝑊𝑛

(𝐛) Bandes d’énergie à l’équilibre

Figure 2.3 – Champ électrique (a) et bandes d’énergie (b) d’une jonction pn à l’équilibre.

— Faible Injection,
— et pas de G-R dans la ZCE.
De l’équation 2-3–d (p. 15), on tire

𝑞𝑉𝑏𝑖
𝑛𝑛𝑜 = 𝑛𝑝𝑜 exp ( ) [𝟐 − 𝟏𝟑𝐚]
𝑘𝐵 𝑇
𝑞𝑉𝑏𝑖
𝑝𝑝𝑜 = 𝑝𝑛𝑜 exp ( ) [𝟐 − 𝟏𝟑𝐛]
𝑘𝐵 𝑇

Lorsqu’on applique une tension 𝑉, on n’aura plus d’équilibre. Les densités de charges aux
frontières de la ZCE (𝑥 = −𝑊𝑝 et 𝑥 = 𝑊𝑛 ), comme dicté par la deuxième hypothèse, seront
reliées par

𝑞 (𝑉𝑏𝑖 − 𝑉)
𝑛𝑛 = 𝑛𝑝 exp ( ) [𝟐 − 𝟏𝟒𝐚]
𝑘𝐵 𝑇
𝑞 (𝑉𝑏𝑖 − 𝑉)
𝑝𝑝 = 𝑝𝑛 exp ( ) [𝟐 − 𝟏𝟒𝐛]
𝑘𝐵 𝑇

𝑛𝑛 , 𝑛𝑝 , 𝑝𝑝 et 𝑝𝑛 sont les densités de charges des électrons et des trous aux frontières de la ZCE.
L’hypothèse de la faible injection, impose que la densité des porteurs majoritaires ne varie pas
𝑛𝑛𝑜 ≈ 𝑛𝑛 et 𝑝𝑝𝑜 ≈ 𝑝𝑝 . La substitution de ces relations et de l’équation 2-13 dans l’équation 2-14

Physique des Composants SC 2 (Pr A. FERHAT HAMIDA) 18

Chapitre–2 Jonction p-n 2.2 Caractéristique Courant-Tension (I–V)

𝑥 = 𝑊𝑝 𝑥=0 𝑥 = 𝑊𝑛
𝐸𝐶

𝑞(𝑉𝑏𝑖 − 𝑉𝐹 )

𝐸𝐶
𝐸𝑖 𝑞𝑉𝑛
𝑞𝜓𝑝 𝐸𝐹𝑛
𝑞𝜙𝑝
𝐸𝐹𝑝 𝑞𝜓𝑛 𝑞𝜙𝑛
𝑞𝑉𝑝 𝐸𝑖
𝐸𝑉

𝐸𝑉

𝑥 = 𝑊𝑝 𝑥=0 𝑥 = 𝑊𝑛
(𝐚) Bandes d’énergie en polarisation directe

𝑥 = 𝑊𝑝 𝑥=0 𝑥 = 𝑊𝑛
𝐸𝐶

𝐸𝑖
𝑞𝜙𝑝
𝐸𝐹𝑝 𝑞𝜓𝑝 𝑞(𝑉𝑏𝑖 + 𝑉𝑅 )
𝑞𝑉𝑝
𝐸𝑉

𝑞𝜓𝑛 𝐸𝐶
𝑞𝑉𝑛
𝐸𝐹𝑛
𝑞𝜙𝑛
𝐸𝑖

𝐸𝑉

𝑥 = 𝑊𝑝 𝑥=0 𝑥 = 𝑊𝑛
(𝐛) Bandes d’énergie en polarisation inverse

Figure 2.4 – Bandes d’énergie d’une jonction pn en polarisation directe 𝑉𝐹 (a) et en polarisation inverse
𝑉𝑅 .

permet de relier les densités de charges à la frontière d’une même région : les électrons dans la
région–p à 𝑥 = −𝑊𝑝 et les trous dans la région–n à 𝑥 = 𝑊𝑛 . Ces relations sont comme suit

𝑞𝑉
𝑛𝑝 = 𝑛𝑝𝑜 exp ( ) [𝟐 − 𝟏𝟓𝐚]
𝑘𝐵 𝑇
𝑞𝑉
𝑛𝑝 − 𝑛𝑝𝑜 = 𝑛𝑝𝑜 (exp ( ) − 1) [𝟐 − 𝟏𝟓𝐛]
𝑘𝐵 𝑇
𝑞𝑉
𝑝𝑛 = 𝑝𝑛0 exp ( ) [𝟐 − 𝟏𝟓𝐜]
𝑘𝐵 𝑇
𝑞𝑉
𝑝𝑛 − 𝑝𝑛𝑜 = 𝑝𝑛𝑜 (exp ( ) − 1) [𝟐 − 𝟏𝟓𝐝]
𝑘𝐵 𝑇

Dans les régions neutre, il n’y a aucun champ électrique, En substituant le courant de
l’équation 1-32 (p. 10) dans l’équation de continuité à l’état stationnaire (l’équation 1-33 (p. 10))

Physique des Composants SC 2 (Pr A. FERHAT HAMIDA) 19

Chapitre–2 Jonction p-n 2.2 Caractéristique Courant-Tension (I–V)

stationnaire, on obtient les équations différentielles à résoudre dans les régions–n et –p

𝑑2 𝑝𝑛 𝑝𝑛 − 𝑝𝑛𝑜
− =0 [𝟐 − 𝟏𝟔𝐚]
𝑑𝑥 2 𝐷𝑝 𝜏𝑝
𝑑2 𝑛𝑝 𝑛𝑝 − 𝑛𝑝𝑜
− =0 [𝟐 − 𝟏𝟔𝐛]
𝑑𝑥 2 𝐷𝑛 𝜏𝑛

Les conditions aux limites étant l’équation 2-41 (p. 25) et 𝑛𝑝 (𝑥 = −∞) = 𝑛𝑝𝑜 et 𝑝𝑛 (𝑥 = ∞) = 𝑝𝑛𝑜 .
On trouve les solutions

𝑞𝑉 𝑥 + 𝑊𝑝
𝑛𝑝 − 𝑛𝑝𝑜 = 𝑛𝑝𝑜 (exp ( ) − 1) exp ( ) [𝟐 − 𝟏𝟕𝐚]
𝑘𝐵 𝑇 𝐿𝑛
𝑞𝑉 𝑥 − 𝑊𝑛
𝑝𝑛 − 𝑝𝑛𝑜 = 𝑝𝑛𝑜 (exp ( ) − 1) exp (− ) [𝟐 − 𝟏𝟕𝐛]
𝑘𝐵 𝑇 𝐿𝑝
√ √
𝐿𝑛 = 𝐷𝑛 𝜏𝑛 et 𝐿𝑝 = 𝐷𝑝 𝜏𝑝 sont appelées les longueurs de diffusion des charges minoritaires
respectivement des électrons dans la région–p et des trous dans la région–n. En dérivant ces
expressions par rapport à 𝑥 et en utilisant l’équation 1-32 (p. 10), on trouve les courant aux
frontières de ZCE

( ) 𝑑𝑛𝑝 ||| 𝑞𝐷𝑛 𝑛𝑝𝑜 𝑞𝑉

𝐽𝑛 −𝑊𝑝 = 𝑞𝐷𝑛 || = (exp ( ) − 1) [𝟐 − 𝟏𝟖𝐚]
|
𝑑𝑥 ||𝑥=−𝑥 𝐿𝑛 𝑘𝐵 𝑇
𝑝

𝑑𝑝𝑛 ||| 𝑞𝐷𝑝 𝑝𝑛𝑜 𝑞𝑉

𝐽𝑝 (𝑊𝑛 ) = −𝑞𝐷𝑝 || = (exp ( ) − 1) [𝟐 − 𝟏𝟖𝐛]
𝑑𝑥 ||𝑥=𝑥𝑛 𝐿𝑝 𝑘𝐵 𝑇

D’après la quatrième hypothèse, il n’y a pas de G-R dans la ZCE. Donc d’après l’équation de
continuité (l’équation 1-33 (p. 10)), les courant 𝐽𝑛 et 𝐽𝑝 restent constant dans la ZCE. Le courant
total sera donc

𝑞𝑉
𝐽 = 𝐽𝑛 (−𝑊𝑝 ) + 𝐽𝑝 (𝑊𝑛 ) = 𝐽𝑠 (exp ( ) − 1) [𝟐 − 𝟏𝟗𝐚]
𝑘𝐵 𝑇
𝑞𝐷𝑛 𝑛𝑝𝑜 𝑞𝐷𝑝 𝑝𝑛𝑜 𝑞𝐷𝑛 𝑛𝑖2 𝑞𝐷𝑝 𝑛𝑖2
𝐽𝑠 = + = + [𝟐 − 𝟏𝟗𝐛]
𝐿𝑛 𝐿𝑝 𝐿 𝑛 𝑁𝐴 𝐿𝑝 𝑁𝐷

Ce sont les expressions du courant idéal qu’on appelle aussi courant de diffusion. Dans les cas réels,
les caractéristiques 𝐼 − 𝑉 dévient du cas idéal pour plusieurs raisons dont
— la G-R dans la ZCE,
— la résistance parasite ou résistance série, qui a pour origine principale le caractère ohmique

Physique des Composants SC 2 (Pr A. FERHAT HAMIDA) 20

Chapitre–2 Jonction p-n 2.2 Caractéristique Courant-Tension (I–V)

des régions neutres et résistances de contact,

— et la résistance de fuite ou résistance parallèle, qui a pour origine les fuites périphériques
de la jonction.
2.2.2 Courant de G-R
L’équation 2-19 (p. 20) décrit parfaitement les jonctions au Ge et non celles au Si et au GaAs.
Ceci est dû aux phénomènes de G-R qui ont lieu dans la ZCE.
En polarisation inverse, les concentrations des charges sont très inférieures à la valeur d’équi-
libre. Comme on a vu au chapitre précédent, le phénomène de génération rentre en jeu pour rétablir
l’équilibre. Rappelons que le taux de Génération est donné par l’équation 1.5 (p. 8) que nous
rappelons ici ( )
𝑣𝑡ℎ 𝜎𝑛 𝜎𝑝 𝑁𝑡 𝑝𝑛 𝑛𝑛 − 𝑛𝑖2
𝑈= ( ) ( )
𝜎𝑝 𝑝𝑛 + 𝑛𝑖 e(𝐸𝑖 −𝐸𝑡 )∕𝑘𝐵 𝑇 + 𝜎𝑛 𝑛𝑛 + 𝑛𝑖 e(𝐸𝑡 −𝐸𝑖 )∕𝑘𝐵 𝑇
En polarisation inverse, 𝑛𝑖 est très grand devant 𝑛𝑛 et 𝑝𝑛 . Le taux de génération 𝐺 se simplifie à

𝑣𝑡ℎ 𝜎𝑛 𝜎𝑝 𝑁𝑡 𝑛𝑖
𝐺 = −𝑈 = ( ) ( ) 𝑛𝑖 = [𝟐 − 𝟐𝟎]
𝜎𝑝 (𝐸 −𝐸 )∕𝑘 𝑇
e 𝑖 𝑡 𝐵 + 𝜎𝑛 e 𝑡 𝑖 𝐵 (𝐸 −𝐸 )∕𝑘 𝑇 𝜏𝑔

𝑣𝑡ℎ 𝜎0 𝑁𝑡 𝑛𝑖 𝑛𝑖
𝐺≈ = [𝟐 − 𝟐𝟏]
𝐸𝑡 − 𝐸𝑖 𝜏𝑔
2 cosh ( )
𝑘𝐵 𝑇
La génération atteint son maximum lorsque 𝐸𝑡 = 𝐸𝑖 , c’est à dire pour les centres de recombinaison
situés au milieu du gap et uniquement il n’y a que ces centres qui contribuent efficacement à la
génération. C’est dû à la nature exponentielle du cosinus hyperbolique.
Le courant de Génération dans la ZCE est

𝑊
𝑞𝑛𝑖 𝑊
𝐽𝐺𝑒𝑛 = ∫ 𝑞𝐺𝑑𝑥 = [𝟐 − 𝟐𝟐]
0
𝜏𝑔
Le courant total en polarisation inverse pour une jonction p+ – n est

𝑞𝐷𝑝 𝑛𝑖2 𝑞𝑛𝑖 𝑊

𝐽𝑅 = + [𝟐 − 𝟐𝟑]
𝐿𝑝 𝑁𝐷 𝜏𝑔
Pour les semiconducteurs à large 𝑛𝑖 , c’est à dire à gap réduit comme le germanium, le courant
de diffusion domine et le courant inverse est parfaitement décrit par l’équation idéale. Pour les
semiconducteurs à faible 𝑛𝑖 , c’est à dire à large gap comme le silicium, le GaAs ou le SiC, c’est le
courant de génération qui domine et l’équation idéale du courant ne décrit pas le courant inverse.
En polarisation directe, les concentrations des charges sont très grandes par rapport à leurs
valeurs d’équilibre. Le phénomène de recombinaison rentre en jeu pour rétablir l’équilibre. De
l’équation 2-41 (p. 25), on trouve

𝑞𝑉
𝑛𝑛 𝑝𝑛 = 𝑛𝑖2 exp ( ) [𝟐 − 𝟐𝟒]
𝑘𝐵 𝑇

Physique des Composants SC 2 (Pr A. FERHAT HAMIDA) 21

Chapitre–2 Jonction p-n 2.2 Caractéristique Courant-Tension (I–V)

qu’on substitue dans l’équation 2-20 pour trouver

𝑞𝑉
𝑣𝑡ℎ 𝜎0 𝑁𝑡 𝑛𝑖2 (exp () − 1)
𝑘𝐵 𝑇
𝑈≈ [𝟐 − 𝟐𝟓]
𝐸𝑡 − 𝐸𝑖
𝑛𝑛 + 𝑝𝑛 + 2𝑛𝑖 cosh ( )
𝑘𝐵 𝑇

Comme pour la polarisation inverse, les centres les plus efficaces sont ceux situés au milieu du gap.
L’équation se simplifie à

𝑞𝑉
𝑣𝑡ℎ 𝜎0 𝑁𝑡 𝑛𝑖2 (exp ( ) − 1)
𝑘𝐵 𝑇
𝑈≈ [𝟐 − 𝟐𝟔]
𝑛𝑛 + 𝑝𝑛 + 2𝑛𝑖
𝑈 atteint son maximum en un point dans la ZCE où 𝑛𝑛 = 𝑝𝑛 = 𝑛𝑖 exp (𝑞𝑉∕2𝑘𝐵 𝑇). On
obtient le taux de recombinaison maximum

𝑞𝑉
𝑣𝑡ℎ 𝜎0 𝑁𝑡 𝑛𝑖2 (exp ( ) − 1)
𝑘𝐵 𝑇
𝑈𝑚𝑎𝑥 = [𝟐 − 𝟐𝟕]
𝑞𝑉
2𝑛𝑖 (exp ( ) − 1)
2𝑘𝐵 𝑇
pour 𝑉 > 3𝑘𝐵 𝑇∕𝑞, elle se simplifie en

1 𝑞𝑉
𝑈𝑚𝑎𝑥 = 𝑣𝑡ℎ 𝜎0 𝑁𝑡 𝑛𝑖 (exp ( ) − 1) [𝟐 − 𝟐𝟖]
2 2𝑘𝐵 𝑇

Le courant de recombinaison sera finalement donné par

𝑊
𝑞𝑊 𝑞𝑉 𝑞𝑛𝑖 𝑊 𝑞𝑉
𝐽𝑅𝑒𝑐 = ∫ 𝑞𝑈𝑚𝑎𝑥 𝑑𝑥 = 𝑣𝑡ℎ 𝜎0 𝑁𝑡 𝑛𝑖 exp ( )= exp ( ) [𝟐 − 𝟐𝟗]
0
2 2𝑘𝐵 𝑇 2𝜏𝑟 2𝑘𝐵 𝑇

Le courant direct sera donné par la relation

𝑞𝐷𝑝 𝑛𝑖2 𝑞𝑉 𝑞𝑛𝑖 𝑊 𝑞𝑉

𝐽𝐹 = exp ( )+ exp ( ) [𝟐 − 𝟑𝟎]
𝐿𝑝 𝑁𝐷 𝑘𝐵 𝑇 2𝜏𝑟 2𝑘𝐵 𝑇

Les deux phénomènes coexistent. Les résultats expérimentaux sont généralement décrit par
la relation
𝑞𝑉
𝐽𝐹 = 𝐽𝑠 exp ( ) [𝟐 − 𝟑𝟏]
𝑛𝑘𝐵 𝑇
𝑛 est le facteur d’idéalité. Lorsque le courant de diffusion idéal domine, on a 𝑛 = 1 et lorsque la
recombinaison domine, on a 𝑛 = 2 et lorsque les deux phénomènes coexistent, on a 𝑛 entre 1 et 2.
2.2.3 Résitances parasites
La prise en compte de la résistances série, 𝑅𝑠 dans l’équation 2-31 donne l’équation la plus
utilisée pour décrire les jonctions 𝑝𝑛

Physique des Composants SC 2 (Pr A. FERHAT HAMIDA) 22

Chapitre–2 Jonction p-n 2.3. CAPACITÉ DE DÉPLÉTION

𝑞(𝑉 − 𝑅𝑠 𝐽)
𝐽 = 𝐽𝑠 (exp ( ) − 1) [𝟐 − 𝟑𝟐]
𝑛𝑘𝐵 𝑇
La prise en compte de la la résistance parallèle, 𝑅𝑝 , donne le modèle plus générale suivant

𝑞(𝑉 − 𝑅𝑠 𝐽) 𝑉 − 𝑅𝑠 𝐽
𝐽 = 𝐽𝑠 (exp ( ) − 1) + [𝟐 − 𝟑𝟑]
𝑛𝑘𝐵 𝑇 𝑅𝑝

C’est le modèle qu’on rencontre souvent dans les cellules solaires.

2.3 Capacité de déplétion

La ZCE en ayant une charge positive 𝑄+ s’étendant sur une largeur 𝑊𝑛 d’un coté et une
charge négative 𝑄− s’étendant sur une largeur 𝑊𝑝 de l’autre, et avec le semiconducteur comme
diélectrique est un condensateur. la neutralité globale impose 𝑄+ = |𝑄− | = 𝑄. La capacité de ce
condensateur est appelée capacité de diffusion.
Par définition la capacité de déplétion par unité de surface est
|| 𝑑𝑄 ||
𝐶𝑗 = ||| || [𝟐 − 𝟑𝟒]
|| 𝑑𝑉 |||

𝑑𝑄 est le changement incrémental de la charge dans la ZCE dû à un changement incrémental 𝑑𝑉

de la tension. La charge 𝑄 est
𝑄 = 𝑞𝑁𝐴 𝑊𝑝 = 𝑞𝑁𝐷 𝑊𝑛 [𝟐 − 𝟑𝟓]

La dérivation de cette relation par rapport à 𝑉, avec quelques manipulation algébriques, donne la
relation suivante pour 𝐶𝑗

𝜀𝑠 [ ]
𝐶𝑗 = F∕cm2 [𝟐 − 𝟑𝟔]
𝑊
Pour établir cette relation, on a supposé que seule la variation de la charge dans la ZCE
contribue à la capacité. Ceci est vrai dans la polarisation inverse où le courant est très faible et son
apport à la variation de la charge est négligeable. En polarisation directe un courant très intense peut
circuler à travers la jonction correspondant à un grand nombre de charge présent dans les régions
neutres. Le changement incrémental de ces charges dû à un changement incrémental de la tension
contribue un terme additionnel appelé capacité de diffusion. On le verra à la section suivante.
Pour une jonction unilatérale, 𝐶𝑗 s’écrit
√
𝜀𝑠 𝑞𝜀𝑠 𝑁
𝐶𝑗 = = [𝟐 − 𝟑𝟕]
𝑊 2 (𝑉𝑏𝑖 − 𝑉)

ou

Physique des Composants SC 2 (Pr A. FERHAT HAMIDA) 23

Chapitre–2 Jonction p-n 2.4. CAPACITÉ DE DIFFUSION

1∕C2

pente ∝ 1∕𝑁

V
𝑉𝑏𝑖

Figure 2.5 – Caractéristique C–V typique d’une jonction pn. 𝑁 et 𝑉𝑏𝑖 sont déterminés respectivement
à partir de la pente et de l’intersection avec l’axe 𝑉.

1 2 (𝑉𝑏𝑖 − 𝑉)
=
𝐶𝑗2 𝑞𝜀𝑠 𝑁
[𝟐 − 𝟑𝟖]
1 2 (𝑉𝑏𝑖 + 𝑉𝑅 )
= en inverse
2
𝐶𝑗 𝑞𝜀𝑠 𝑁

Il est clair que le tracé de 1∕𝐶𝑗2 en fonction de 𝑉 est une droite comme le montre la figure 2.5. On
utilise souvent ce tracé pour déterminer le dopage 𝑁 et le potetiel 𝑉𝑏𝑖 respectivement à partir de la
pente et de l’intersection avec l’axe 𝑉.

2.4 Capacité de diffusion

En polarisation directe, les électrons sont injectés de région–n vers la région–p et les trous
sont injectés dans le sens inverse. Cet injection de porteurs minoritaires produit le passage d’un
courant électrique et d’un stockage de charges dans la jonction. La charge stockée dans la région–n
peut être trouvée en intégrant l’excès de trous dan cette région (l’équation 2-41 (p. 25))
∞ ∞
𝑄𝑝 = 𝑞 ∫ (𝑝𝑛 − 𝑝𝑛𝑜 ) 𝑑𝑥 = 𝑞 ∫ (𝑝𝑛 − 𝑝𝑛𝑜 ) 𝑑𝑥 [𝟐 − 𝟑𝟗]
𝑊𝑛 𝑊𝑛

Physique des Composants SC 2 (Pr A. FERHAT HAMIDA) 24

Chapitre–2 Jonction p-n 2.4 Capacité de diffusion

∞
𝑄𝑝 = 𝑞 ∫ (𝑝𝑛 − 𝑝𝑛𝑜 ) 𝑑𝑥 [𝟐 − 𝟒𝟎𝐚]
𝑊𝑛
∞
𝑞𝑉 𝑥 − 𝑊𝑛
= 𝑞∫ 𝑝𝑛𝑜 (exp ( ) − 1) exp (− ) [𝟐 − 𝟒𝟎𝐛]
𝑊𝑛 𝑘𝐵 𝑇 𝐿𝑝
𝑞𝑉
= 𝑞𝐿𝑝 𝑝𝑛𝑜 (exp ( ) − 1) [𝟐 − 𝟒𝟎𝐜]
𝑘𝐵 𝑇

Une relation similaire peut être trouvé pour les électrons dans la région–p.

𝑞𝑉
𝑄𝑛 = 𝑞𝐿𝑛 𝑛𝑝𝑜 (exp ( ) − 1) [𝟐 − 𝟒𝟏]
𝑘𝐵 𝑇

La charge stockée dépend de la longueur de diffusion et de la densité des charges à la frontière de

la ZCE. On peut exprimer la charge stockée en fonction du courant en utilisant l’équation 2-18
(p. 20), on trouve

𝐿𝑝2
𝑄𝑝 = 𝐽𝑝 (𝑊𝑛 ) = 𝜏𝑝 𝐽𝑝 (𝑊𝑛 ) [𝟐 − 𝟒𝟐𝐚]
𝐷𝑝
𝐿𝑛2
𝑄𝑛 = 𝐽 (−𝑊𝑝 ) = 𝜏𝑛 𝐽𝑛 (−𝑊𝑝 ) [𝟐 − 𝟒𝟐𝐛]
𝐷𝑛 𝑝
𝑄𝐷 = 𝑄𝑝 + 𝑄𝑛 = 𝜏𝑝 𝐽𝑝 (𝑊𝑛 ) + 𝜏𝑛 𝐽𝑛 (−𝑊𝑝 ) = 𝜏𝑇 𝐽𝑇𝑜𝑡 [𝟐 − 𝟒𝟐𝐜]

La charge 𝑄𝑝 (𝑄𝑛 ) est le produit du courant par la durée de vie des porteurs minoritaires 𝜏𝑝 (𝜏𝑛 ).
Plus celle-ci est grande, plus loin les charges vont diffuser et plus il va y avoir de charges stockées.
On préfère exprimer la charge totale 𝑄𝐷 par le produit du courant total 𝐽𝑇𝑜𝑡 et d’une quantité 𝜏𝑇
appelée le temps moyen de transit. 𝜏𝑇 coïncide avec la durée de vie des porteurs dans jonction
unilatérale.
La capacité de diffusion peut être trouvée en dérivant 𝑄𝐷 par rapport à 𝑉.

𝑑𝑄𝐷 𝑞2 ( ) 𝑞𝑉
𝐶𝑑 = = 𝐿𝑝 𝑝𝑛𝑜 + 𝐿𝑛 𝑛𝑝𝑜 exp ( ) [𝟐 − 𝟒𝟑𝐚]
𝑑𝑉 𝑘𝐵 𝑇 𝑘𝐵 𝑇
𝑑𝐽𝑇𝑜𝑡 𝑞𝐽𝑇𝑜𝑡
𝐶𝑑 = 𝜏𝑇 ≈ 𝜏𝑇 = 𝜏𝑇 𝐺𝑑 [𝟐 − 𝟒𝟑𝐛]
𝑑𝑉 𝑘𝐵 𝑇

𝐺𝑑 est la conductance de la jonction donnée par

𝑑𝐽𝑇𝑜𝑡 𝑞𝐽𝑇𝑜𝑡
𝐺𝑑 = ≈ [𝟐 − 𝟒𝟒]
𝑑𝑉 𝑘𝐵 𝑇
Lorsque la jonction fonctionne en commutation rapide, la charge 𝑄𝐷 doit être évacuée rapidement

Physique des Composants SC 2 (Pr A. FERHAT HAMIDA) 25

Chapitre–2 Jonction p-n 2.4 Capacité de diffusion

𝑉 𝐷 ≡ 𝑉 𝐺𝑑 𝐶𝑑 𝐶𝑗

Figure 2.6 – Circuit équivalent de la jonction pn.

quand la diode passe de l’état haut à l’état bas. Ceci exige que 𝜏𝑇 doit être le plus petit possible.
En polarisation directe, 𝐶𝑑 est beaucoup plus grande que 𝐶𝑗 alors que l’inverse est vrai en
poarisation inverse. La figure 2.6 montre le circuit équivalent de la jonction pn dans les deux
régimes. Il s’agit de la mise en parallèle des deux capacités 𝐶𝑑 et 𝐶𝑗 avec la conductance 𝐺𝑑 .

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