C o u r s d e Modélisation des composants

Chapitre II: Jonction PN

Pr. Anass Bakour École Hassania de Travaux Publics

 Sommaire

I. Généralités
II. Jonction PN à l’équilibre
III.Jonction PN Hors équilibre
 I. Généralités
La jonction pn
C’est la jonction la plus simple et la plus
importante.
La jonction p-n est le premier composant à
semiconducteur découvert « par hasard »
(Russel Ohl, 1940)
Russel Ohl fabriqua en 1939
…un pas crucial vers le transistor du silicium pur à 99,8% et
le hasard permit qu'une
craquelure dans le matériau
Type d’applications: induise une contrainte avec
Diodes, redresseurs, LED, Laser apparition d'une zone très
riche en électrons et une
zone très riche en trous.
La première diode à jonction
Constituants: PN était née.
- Transistors bipolaires, pnp ou npn
-Transistors EFFET, FET ou MOSFET
- les mémoires

-3-
 I. Généralités

Une jonction PN est formée par la juxtaposition d’un semi-

conducteur dopé type P (appelé anode) et d’un semi-conducteur dopé
type N (appelé cathode)

Jonction PN abrupte: la concentration en

impuretés varie brutalement de la région dopée
type P à la région dopée type N.

Jonction graduelle: le passage de la région

"P" à la région "N" s'effectue selon une loi
linéaire.
 I. Généralités

- Si la jonction est réalisée dans un même semiconducteur.

On l’appelle Homojonction

-Si la jonction est réalisée dans différents matériaux, c.a.d. la

région n et la région p sont constitués de semiconducteurs
différents: On l’appelle Heterojonction

Le dopage de la jonction est réalisé par diffusion ou

Implantation ionique

-5-
Jonction à l’équilibre
thermodynamique
 Jonction Abrupte
Diagramme de bandes d’énergie
Niveau du vide
E0

Affinité électronique
qχ
énergie

EC
Travail de sortie
qp
Ei
EFp
q χSi = q χ GaAs = 4.05 eV
EV
type-p

-7-
 Jonction abrupte avant connexion
- - - - - - - - - + + + + + + + + + + + +
+ + + + + + + + + + + +
- - - - - - - - -
+ + + + + + + + + + + +
- - - - - - - - - + + + + + + + + + + + +
type-p :NA type-n :ND
E0 E0

qp qχ qn qχ
énergie

EC EC
Eg EFno
Ei Ei
EFpo
EV EV

q p  q χ  Eg  E E  q n  q χ  E g EV  E Fno 
Fpo V
-8-
 Jonction abrupte

Qu’arrive-t-il lorsqu’on fusionne un

monocristal de silicium de type P avec un
autre de type N ?

-9-
 Jonction PN à l'équilibre thermique
p:NA n:ND

- - - - - - - - - + + + + + + + + + + + +
+ + + + + + + + + + + +
- - - - - - - - -
+ + + + + + + + + + + +
- - - - - - - - - + + + + + + + + + + + +

Ec
EFn

Ei

EFp
EV
Une grande quantité de trous se retrouve à coté d’une grande quantité
d’électrons, il y a diffusion des porteurs majoritaires:
- électrons de n vers p
- trous de p vers n
Les porteurs diffusés se recombinent
-
 La jonction PN au niveau atomique
Que se passe t'il au niveau de la jonction ?

Diffusion simultanée : Flux de diffusion des électrons

de N vers P
dn
Fdn  Dn
dx
- - + +
Flux de diffusion des trous
- - + + de P vers N

dp
- - + +
Fdp  Dp
- - + + dx
Une fois la jonction traversée
les porteurs diffusés se
Création d’une Zone de Charge d’Espace recombinent. Cette
interdiffusion crée une zone de
charge d’espace
-9-
 La jonction PN au niveau atomique
La ZCE grandit elle sur toute la jonction ?
Dans la zone de charge d’espace apparaît un champ électrique E
et une barrière de potentiel définie par la relation: E=-dV/dx
Fip Fin Le champs E entraîne un flux
inverse Fi des porteurs
minoritaires

- - + +
Fip  μ p pE
- - + +
F=-qE F=qE
- - E + +
Fin  μnnE
- - + +
V
La taille de la ZCE devient stable

-12-
 Quand la taille de la ZCE devient stable?
A l’équilibre thermodynamique , E est telle que le flux de
porteurs majoritaires (Diffusion) Fd est égale au flux inverse Fi
des porteurs minoritaires entraînés par E.

Fin  Fdn Fip  Fdp

Coté n Coté p

La diffusion s’arrête donc lorsque E, devient assez fort pour

repousser toute particule libre hors de la zone désertée

Zone de charge d’espace= Zone désertée :

c’est la région de la jonction où il n’y a plus de porteurs
libres.

-13-
 Nécessité d’un équilibre
thermodynamique

dEF
Pour l’équilibre thermodynamique 0
dx
conséquence:
Les niveaux de Fermi des semiconducteurs
type-n et -p doivent être égaux
EFn= EFp = EF

-14-
 Avant connexion
E0 E0

qp qχ qn qχ

EC EC
énergie

EFn
Ei Ei
EFp
EV EV

dEF
Il faut aligner les niveaux de fermi!!! 0
dx
-15-
 Après connexion
E0

qp qχ E0

EC qn qχ
énergie

Ei EC
EFp EFn
EV Ei

EV

-16-
 Après connexion
E0

qp qχ E0

EC qn qχ
énergie

Ei EC

N
EFp D
EFn
N A
EV Ei

EV

-17-
 Après connexion
E0 Barrière de potentiel
qVd (potentiel de diffusion)
Built-in potential
qp qχ E0

EC qn qχ
énergie

Ei EC

N
EFp D
EFn
N A
EV Ei

EV
qVd =qVbi  q p  qn  EFno  EFpo
-18-
 Champ électrique induit dans la région de
déplétion
type-p Ex type-n
- - - - - - - - - + + + + + + + + + + + +
+ + + + + + + + + + + +
- - - - - - - - -
+ + + + + + + + + + + +
- - - - - - - - - + + + + + + + + + + + +

région neutre région neutre

Contact-P Contact-N
Ions accepteurs Ions Donneurs
région de
déplétion
W
x
-xpc -xp 0 xn xnc
-19-
 Région de déplétion
jonction métallurgique
qN D
densité de
charge

 qN A
EC

Ei EC
énergie

EF EF
EV Ei

EV
région neutre région neutre
région de déplétion
-20-
 Région de déplétion
qN D
Densité de
charge

 qN A
champs
potentiel

Vd
x=-xp x=xn
x=0

-21-
 Condition d’équilibre thermodynamique
A l’équilibre le courant de conduction due au champ électrique
doit exactement annuler le courant de diffusion due au Gradient
de concentration

dn
J n  qμnnE  qDn 0
dx
dp
J p  qμ p pE  qD p 0
dx
• Apparition d’une zone de déplétion (zone de charge d’espace)
• Charges positives et négatives portées par les donneurs et les
accepteurs sont fixes
• Pas de courant à l’équilibre
-23-
 Champs électrique dans la ZCE

Le champs électrique au point (x,y,z) est relié à la

densité de charge : =q(ND-NA+p-n) par

l’équation de Poisson:

   E
 E  , ou ,   E   x
  x
 est la permitivité   or ,
avec  o  8.8510-14 , Fd/cm, et

 r  11.7 pour le silicium

-24-
 Equation de Poisson à 1D

d 2V(x) dE(x) ρ(x)

    
dx 2 dx ε
  N D (x)  N A (x)  p(x)  n(x)
q
ε
V - Potentiel électrostatique
ρ - Densité de charge d’espace

εs - Permittivité du semiconducteur

-25-
 Equation de Poisson pour une jonction abrupte

d 2 V(x) dE(x) qN A
    pour  xp  x  0
dx 2
dx ε
2
d V(x) dE(x) qND
   pour 0  x  xn
dx2 dx ε
2
d V(x) dE(x) x  x p et x
   0 pour xn
dx 2 dx
-26-
 Potentiel de la jonction


 xp qN D Dans les zones Quasi Neutres

de la jonction, le champs
xn x électrique reste constant à
l’équilibre
 qN A
E
x dE(x)
0
dx
V
Vd
x
-27-
 Distribution du champ électrique


Dans la zone P de la ZCE (-xp< x <0)
 xp qN D
x dE(x)  qN A
xn 
 qN A
dx 
E qN A
x E(x)   x E 1

Condition de continuité en x= -xp
V
E 1   qN A x p
Vd 
x
E(x)  
qN A
x  x 
-28-
 p
 Distribution du champ électrique


qN D Dans la zone N de la ZCE (0 < x < xn)
dE(x) qN D
x 
 qN A
dx 
 xp E xn qN D
x E(x)  x E 2

Condition de continuité en x=x n

qN D
V E2   xn

Vd
qN D
x E(x)  x  xn 

-29-
 Champ électrique maximum
 xp xn
x

qN A qN D
E max  E(0)   xp   xn
 

consequence: N A xp  ND xn

-30-
 Potentiel de diffusion

Quelque soit le modèle de jonction utilisé, et sans avoir la

connaissance exacte des variations des bandes on peut calculer
la barrière de potentiel par deux méthodes

Calcul de Vd par les densités Calcul de Vd par les densités

de courant. de porteurs.
 1. Vd par densités de courant
(Distribution du potentiel)

1 1 1
E  V  EC  EV  Ei
q q q
Ei  qV

dV (x)
E(x)  
dx

V (x)    E(x)dx

-32-
 Distribution du potentiel (–xp < x < 0)


 xp qN D V (x)  
qN A
x  xp dx

x 
xn qN A x 2

 qN A    x p x  V1
E  2 
x
avec V ( x p )  0
2
qN A x p
V V1 
 2
Vd
V (x)  qN A x p  x 2
x 2

-33-
 Distribution du potentiel (0 < x < xn)

 qN D
qN D V (x)   xn  xdx

x x 2

 qN  xn x   V 2
D
 qN A   2
 xp E xn
x avec V (xn )  Vd
2
qN D xn
V 2  Vd 
V  2

Vd V (x)  V d 
qN D
xn  x2
2
x
-34-
 Barrière de potentiel/Potentiel de Diffusion

Pour x  0 Les deux expressions de V dans la ZCE données par:

V (x)  V d  qN D xn  x  2 V (x)  qN A x p  x 2

2 2
Deviennent au voisinage de la jonction x=0:

qN D 2 qN A 2
V (0)  V d - xn  xp
2 2

Vd 
q

N D xn  N A x p
2 2

2

-35-
 2. Vd par les densités de porteurs

V n  V (x n ) EF  Ei
qV
n V (x) 
nn  ni exp( kT ) q
qV n
pn  ni exp( ) V
kT Vn

Vd
V p V (x p )
Vp
x
qVp ) kT  nn  kT  pp 
Vd  V n V p  ln   ln 
np  ni exp( q  ni  q  ni 
kT
qV p ) kT ln N D N A 
pp  ni exp( Vd  
kT q  ni  2

-36-
 Barrière de potentiel
(Potentiel de diffusion):

kT ln N D N A 
Vd  V n  V p  2

q  ni 

-37-
 Largeur de déplétion
• La largeur de la ZCE est: W  xn  x p
Et nous avons
Vd 
q

N xn  N A x p
2 2

2
D

En utilisant la relation suivante N A x p  N D xn on obtient:

Vd 

Vd 

On en conclue les positions des extrémités de la ZCE (Largeur de la zone de

déplétion):
2 NA 2 ND
xn  V xp 
q ND NA  N D 2 d 2 Vd
q ND NA  NA
-38-
 Largeur de déplétion
2 NA 2 ND
xn  V xp 
q ND NA  N D 2 d 2 Vd
q ND NA  NA

2  2
W  xn  x p 
2 NA ND
2
 V V
q ND N A  N D 2 d
q N AND  N A 2 d

2 NA 2 ND
2 V  V 
q ND N A  N D 2 d
q N AND  N A 2 d

2 N A  2N D N A  N D 2  N A  N D 
2 2

Vd  Vd
q N A  N D  N D N A q ND N A

Donc la largeur de la ZCE est donnée 2  N A  N D 

par W Vd
q ND N A
-39-
Exemple : Jonction abrupte P+ N

2  N A  N D 
W Vd
q ND N A

si x p  xn

2εVd
W  xn 
qN D
- La partie la moins dopée s’appelle
base
- La partie la plus dopée s’appelle
émetteur

-40-
 Résumé de la jonction à l’équilibre
ni2
Zone N nn  N D et pn 
ND
ni2
Zone P pp  N A et np 
NA
Zone quasi-neutre
 (x)  0 pour x  x p et x  x n
Zone de charge d’espace
 (x)  qNA pour x P  x 0
 (x)  qND pour 0  x  xn
Tension de diffusion
kT  ND NA 
VD  Vn  Vp  Ln
 n i 
2
q
Champ et potentiel dans la ZCE
d 2 V qN A d 2V qN D
 (zone P)   (zone N)
dx 2  dx 2 
(x  xp) 2  Vx (zone P) v(x)   D (x  x n ) 2  V x n  (zoneN)
qN A qN
v(x) 
2 2
qN A qN D
E(x)   (x  x p ) (zone P) E(x)   (x  x n ) (zone N)
 
Jonction PN Hors
équilibre
 Jonction PN hors équilibre
(Sous polarisation)
• Lorsque l’on applique une différence de potentiel, la
jonction n’est plus à l’équilibre

• Cette polarisation va rompre l’équilibre entre les

forces de diffusion et de conduction: => apparition
d’un courant ?

Hypothèses simplificatrices:

 ZCE vide de porteurs

 Faible injection
 Approximation de Boltzmann
 Toute la tension V appliquée sur la jonction
 Pas de phénomènes de Génération ‐ Recombinaison
Jonction polarisée

-44-
 Comportement de la diode à l’équilibre

Voltage = 0 DÉRIVE = DIFFUSION p W n

conduction Diffusion

Côte-P
Beaucoup de trous Bande de
Peu d’électrons conduction
Region de
Depletion Côte-N
Bande de Beaucoup
Valence d’électrons
Peu de trous

Diffusion Conduction

La barrière de potentiel empêche les porteurs majoritaires de quitter la

zone
-45-
 Comportement en polarisation directe
La tension abaisse la barrière de potentiel.
Le courant inverse lié à l’action du champ électrique
sur les minoritaires existe toujours, créant un courant
dans le circuit extérieur, car la tension est fixée aux
bornes de la jonction.
Conduction

Diffusion ZCE réduite

Côte-P
Beaucoup de trous Bande de
Peu d’électrons conduction
Region de
Depletion
Côte-N
Bande de Beaucoup
Valence d’électrons
Peu de trous
Condution
Diffusion
Les électrons et trous en provenance des dopages (majoritaires) traversent la barrière
par diffusion et se recombinent, créant un courant beaucoup plus important.
-46-
 Comportement en polarisation inverse
Conduction

Diffusion

Region de ZCE élargie

Depletion La tension élève la
barrière de potentiel

Seuls les porteurs

minoritaires (d’origine
Diffusion thermique) traversent la
barrière
conduction
Faible courant inverse
Le courant résultant (des porteurs (diffusion) dans le
minoritaires) est appelé courant circuit extérieur
Inverse ou Courant de Saturation
-47-
Répartition des porteurs hors équilibre

∆𝐩𝐧 = 𝟎

-48-
 Largeur de la ZCE Hors équilibre

On remplace le potentiel de diffusion par Vd-V

2  N A  N D  N AND
W (Vd V ) ; Posons N B 
q ND N A ND  N A

2ε Vd V 
W
qNB

NB – concentration volumique Légèrement dopé

V- positive pour polarisation directe,

négative pour polarisation inverse
-49-
 Densité de courant totale

 Densité de courant total d’électrons dans un semi-conducteur :

dn(x)
J n  J n,deriv  J n,Dif  q n nE  qDn
dx
 Densité de courant total de trous dans un semi-conducteur :

dp(x)
J p  J p,deriv  J p,Dif  q p pE  qDp
dx
En introduisant la relation d’Einstein :

qD n   J  qD ( qn E   n )
μn 
kT  
n n
kT x
  
μp 
q Dp  J  qD ( qp E   p )
kT   p p
kT x
-50-
 Equations Fondamentales
 J  qD ( qn E   n )
Courants : 
n n
kT x

 J  qD ( qp E   p )
 p p
kT x
Continuité :
  n  1  Jn n n0
 t q  x  G -

n
n

 p   1  Jp  G p  p0
p 
 t qx p

Électrostatique
V
– Champ : E 
x
 2V   q
– Poisson (p  n  N 
 N 
)
x 2
 D A

-51-
Distribution des porteurs
Sous polarisation
 Distribution des porteurs
Sous polarisation

1. Densités de porteurs aux limites de la zone de charge d'espace

Densités de porteurs aux limites de la zone de charge
d'espace

Equilibre : courant total nul, deux très grands courants

s’opposent, dérive et diffusion.

Sous polarisation directe : le courant qui circule résulte

d’un faible déséquilibre entre ces composantes !

n q n(x)  Cte exp(

q
 V  V (x))
n kT kT
Densités de porteurs aux limites de la zone de charge d'espace

n  x p   C exp   V  x p 
 q
 kT 

n xn   C exp   V xn 

q
 kT 
n  xp   q 
 exp   V  xp 
q
V xn 
n  xn   kT kT 

 exp   (Vd V ) 
q
 kT 

n  x p   N D exp   (Vd V ) 
q
 kT 
-55-
Densités de porteurs aux limites de la zone de charge d'espace

n  x p   N D exp   (Vd V ) 
q
 kT 
n p0  (Vd ) 
q
or :  exp  
nn0  kT 
n x p  n p0 exp  V 
 q 
 kT 

- Si V>0 : Polarisation directe ;

- Si V<0 : Polarisation inverse;

-56-
 Densité des trous minoritaires à la limite de
déplétion ‘équilibre ’


x qN D
 q 
p
pn0 x
 exp   Vd  xn
p p0  kT   qN A

 qVd 
p x   N exp 
N n0 n A  kT 
A
V
p n
Vd

xp xn x
-57-
 Densité des électrons minoritaires à la limite de déplétion
‘équilibre ’


qN D
n p0  q  xp
 exp   (Vd )  xn x
nn0  kT 
 qN A

n  x  N D xn exp 
 qVd 
p0 p  kT  ND
V
p n
Vd

xp xn x
-58-
 Concentrations des trous minoritaires à la limite de ZCE
(Hors équilibre)


xp qN D

xn x
 qN A pn xn   N A  x p exp   q Vd Va 
 kT 
N  x 
A p
V
p n
Vd Va
xp xn x
-59-
 Faible injection

 qVd Va 
pn xn   N A  x p exp  
 kT

pn xn N A  x p exp 
 qVd  exp qVa 
 kT   kT 

 qVa 
pn xn p n0 xn exp 
 kT 
Analogie pour les électrons minoritaires :

 qVa 
n p  x p n p0  xp exp  kT 
-60-
 Augmentation de concentration
des porteurs intrinsèques

 qVa 
nn  xn   nn0  xn pn xn x
pn0 n exp
 kT 

 qVa   2  qVa 
nn xnpn xn nn0 xnpn0 xn exp  ni exp 
 kT   kT 

-61-
 Distribution des porteurs
Sous polarisation

2. Distribution des porteurs dans les régions neutres

 Distribution des porteurs dans les
régions neutres

• Les distributions des porteurs minoritaires sont régies par les

équations de continuité

p 1  Jp pp
  Gp  0
t qx p

• Le courant Jp(x) est essentiellement un courant de diffusion :

𝜕𝑝
𝑗𝑝 𝑥 = −𝑞𝐷𝑝
𝜕𝑥

Donc :

Si la polarisation de la jonction est constante:

Diffusion des trous minoritaires dans la zone neutre N

d 2 pn pn  p n0
Dp  0
dx 2
p

…..
 n 
solution: pn x   pn xn  pn0 exp 
 x  x

 pn0
 L p 
  qVa    x  xn 
pnx  p n0  exp  1 exp    pn0 pour x  xn
  kT    L p 

-64-
 Diffusion des électrons minoritaires dans la zone neutre P

d 2 np n p  n p0
Dn  0
dx 2
n
2 np np n p0
or:  
x 2
Dn n Dn n
…..
xx 
solution: n p x n  x  n exp
p p p0
p
 n p0
 Ln 
 p qVa    x xp 
n p x  n p0  ex 1 exp   n p0 pour x  x p
  kT    Ln 

-65-
Distribution des porteurs minoritaires dans
les zones neutres

Ln  Dn n Lp  Dp p

-66-
Courants de porteurs minoritaire
 Courant de diffusion des trous minoritaires

  qVa    x  xn 
pn x  pn0  pn0 exp  1 exp 
J p x qDp
dp L p 
  kT   
n
dx

qD pn 2i   qVa    x  xn 
J pn x    exp  1 exp  
L p N d   kT   L 
 p 

qD p ni2   qVa  
pour x  xn J pn xn   exp  1
L p N d   kT  

-68-
 Courant de diffusion des électrons minoritaires

  qVa    x  xp 
dn n p x  n p0 exp  1 exp  n p0
J n p x qDn   kT    Ln 
dx

qDn ni2   qVa    x  xp 

J n p x  exp kT  1 exp L 
Ln N a      n 

x p 
  qVa  
pour x  -x p J n  qDn ni2
 exp kT   1
Ln N a    
p

-69-
Densité de courant dans la région neutre

-70-
 Courant de diffusion total

 D p ni2 Dn ni2    qVa  

J t  q    exp  1
 L p N d Ln N a    kT  

-71-
 Caractéristique d’une diode idéale

 D p ni2 Dn ni2    qVa  

J t  q    exp  1
 L p N d Ln N a    kT  
Avec une densité de courant de saturation:
 Dpni2 Dnn 2i 
Js  q  
 L p N d Ln N a 

   
I d  J t S  J s S ex p a  1  I sd  exp a 1
qV qV
  kT     kT  

-72-
Densité des porteurs majoritaires

-73-
Distribution Totale de courant dans une jonction p-n

Jtotal

Jp(x)

Jn(x)

Jp(dérive) Jnp(x)
Jpn(x) Jn(dérive)

xp 0 xn

-74-
 Caractéristique I-V de la Diode

Densité de
 qV 
J  J s  e 1
Courant kT

 
Croissance exponentielle

Voltage

Polarisation Polarisation directe

inverse

-75-
Caractéristique de la jonction PN

Conduction

Bloquée V

Claquage: Seuil 0,6 v

Zéner, avalanche
Caractéristique I-V directe

  qV  
J  J s  exp a  1
  nkT  

n - facteur d’idéalité

due à la recombinaison dans

La zone de charge d’espace
 Autres notations
Diode Equation

  qv D     vD  
i D  I S exp   1  I S exp    1
  nkT     nVT  

Où IS = Courant de saturation inverse (A)

vD = Tension appliquée à la diode (V)
n = facteur d’idéalité ≈ 1
VT = kT/q = Tension thermique
(V) (25 mV at room temp.)

IS est typiquement entre 10-18 et 10-9 A, et dépend fortement de la température

 Calcul du courant et de la tension
d’une diode (Exemple)
Problème: Trouver la tension de la diode pour une diode avec les
caractéristiques suivantes: IS = 0.1 fA, ID = 300 A
Hypothèses: fonctionnement à courant continu et
température ambiante avec VT = 0,025 V
Solution:
 ID  310 -4 A
Avec IS = 0.1 fA VD  nVT ln 1  1(0.025V)ln(1

 ) 0.718 V

IS  -16
10 A

Avec IS = 10 fA VD 0.603V

Avec ID = 1 mA, IS = 0.1 fA VD 0.748V

Courant de diffusion en polarisation
inverse

 D p ni2 Dnn 2i 
I (Va )  qS    I s
Lp N d Ln N a 
Dépendance de la caractéristiques I-V d’une
diode de Si en fonction de la température

Polarisation directe Polarisation inverse

 Capacité de transition
CT (polarisation inverse)
En polarisation inverse on a : Vn - Vp  VD  Va

C   , W : Largeur de la ZCE, S : Section

Il apparaît une capacité due aux S
charges fixes de la ZCE : W

kT  N D N A 
Dans le cas d’une jonction abrupte (dopage uniforme) on a : VD  Vn  Vp  Ln 2

q  ni 

Et la largeur de la zone de charge d’espace est 2 N A  N D

donnée par : W  q NA ND
VD  Va

D’où la capacité de transition :

S 2q NA ND S
CT  
2 (VD  VA ) (N A  N D ) W
 Charge stockée et capacité de
stockage CS (polarisation directe)

Dans la région N, par exemple, les porteurs en excès venant de la

région P (trous) sont compensés par un apport équivalent
d’électrons venant des contacts de façon à maintenir la quasi-
neutralité, ceci donne une charge stockée QS.

Q Sp  S e( p'(x)  pn)dx
XC

xn
QSp   P J P
Densité de trous excédentaires
QSn   n J n dans la région neutre N
 
 
dn 1
QSp  e( p'(0)  p n )L P coth( )  
 LP dn 
 sh( ) 
 LP 
 Capacité de stockage

• L’expression précédente peut se mettre sous la

forme:
 
 
1 
QSp   J P (xN ) avec    
P 1
dn 
 ch( ) 
 LP 
 L’expression du temps peut être simplifiée en
fonction de la « géométrie » de la diode:
d n2
 Diode courte: t   temps de transit
2D P
 Diode longue :   P  durée de vie
 Capacité de stockage

• Cette étude dans la région N est valable dans

la région P, et en final on obtient:
QS  QSn  QSp   (n) J n (WP )   ( p) J p (WN )
dQS
Soit à partir de : CS 
dV
e
C S  C Sn  C Sp  K ( (n) J n   ( p) J p )
kT
Facteur qui dépend de la géométrie
(2/3  courte)
(1/2  longue)
 Jonctions Courtes / Longues

 (pn )  2 (pn ) pn  2 (pn )  pn  0

 Dp  0 
t x 2
p  x2 Lp

Jonction courte : Jonction longue :

Lp >> dN Lp << dN

Profil linéaire Profil exponentiel

LP  Dp P
 xxN
xx
pn(x)  c pn (xn ) pn0  pn (x)  pn (xn )  pn0 .e
LP
dN
 xxN

pn(x) 
pn0 qV / kT
(e 1).(xc x) p (x)  p (eqV / kT 1).e LP
n n0
dN
 Distribution des porteurs

Zone quasi neutre Zone quasi neutre

ZCE
P longue N courte

pp  pp 0  NA
nn  nn0  N D

n p (x p )  p p0 exp(qV / kT)
pn (x n )  pn0 exp(qV / kT )

pn (x)
n p (x)

pn0  ni2 / N
n p0  n / N A
2
i
D

P N
xc’ x x xc
 Courants de minoritaires
Zones quasi-neutres (E=0) : Courants de diffusion uniquement
dp
x  xN Jp  qDp région N
dx
dn
x  xP J N  qDn région P
dx

Jonction longue Jonction courte

xx N
 qn2i D p  qV / kT 
qn Dp  qV / kT  JP  e 1
2
LP
x  xN JP  i
 e  1.e ND d N 
N D Lp  


qn Dn qni2Dn  qV / kT 
e
2
x  xP JN  i
e qV / kT
1 .e JN  1 .
NALn  N AdP  

 Courant Total
Système conservatif ==> Jtot(x) = Jn(x) + Jp(x) = cte = J
En particulier :
 J = Jn(xN) + Jp(xN)
courants de majoritaires ????
 J = Jn(xP) + Jp(xP)
Jonction « idéale » (pas de G/R dans ZCE)
– Jn(xN) = Jn(xP)
J = Jn(xP) + Jp(xN)
– Jp(x P) = Jp(xN )

 qni2Dp qni2Dn   qV / kT 
J   . e 1
ND min(Lp , dN ) NA min(Ln , dP )  

J  J s  eqV / kT 1
 
 Répartition des Courants

Zone quasi neutre Zone quasi neutre

ZCE
P longue N courte

Jtot

Jn
Jp
Les courants de
majoritaires
s’ajustent pour assurer
Jtot = Jn + Jp = Cte

Jp
Jn

xc’ xP xN xc
 Jonction Réelle : Courants de G/R
Jonctions réelles : impuretés et défauts dans Z.C.E.
– Centres de génération ou recombinaison thermique
– Non conservation de Jn et Jp dans Z.C.E.
– Faible injection : Théorie de Schockley, Read et Hall (SRH)

Dans ZCE : (G  R)   1 n.p n 2

. i
m = K.[XG/R]-1
th
 m 2ni  p n
Polarisation inverse Polarisation directe
n=p=0 n et p ≠ 0
Courant de génération Courant de recombinaison
qni
Ji  J s  W Jd  Js .exp(
qV
)
qni qV
2 m kT 2m
Weff .exp(
2kT
)

Ji  J s  K Vi
Dominant à V faible
>> JS
Effets de Forte Polarisation Directe
Forte injection (exemple P+/N) :
2kT N 
V  Log  D   pN (xN )  ND
q  ni 
– Neutralité de la zone N nécessite l’apport d’électrons depuis le contact
– Très forte injection : pN = nN (>> Nd)

2qni qV
Jd  exp( )
min(Lp ,d N ) 2kT

Résistance série
 q(V  RsI) 
– Vj = V - RsI : I  Is exp   avec Is  S.Js
 kT

– Pour V > V* tel que Vd - (V*-RsI) ≈ kT/q :

• disparition de la barrière
• WZCE = Wmin , Rjct << Rs
• Dominance de la résistance série : V ≈ RsI
 Forte Polarisation Inverse : Claquage
Effet d’Avalanche (ionisation par impact)

 Soumis à un champ électrique important (VR ≈ 300 E

kV/cm) sur une distance ≥ 100 Å électron ou trou
atteint la ZCE avec une vitesse importante « hot
2
carriers » (Fe- > Fliaison).
 Lors d’une collision avec un atome du réseau, il EFp 3
peut l’ioniser en créant une paire électron- trou
(choc ionisant). 1
 Cette paire est discriminée par le champ
(déplacement opposé) et les nouveaux électrons et EFn
trous sont aussi accélérés par le champ et peuvent 3
à leur tour créer une nouvelle paire et ainsi de
suite.
 L’effet est donc cumulatif. Les courants 1) : génération thermique
d’électrons et de trous peuvent devenir 2) : accélération par E
importants. Ce phénomène est appelé 3) : ionisation par impact
avalanche par multiplication par impact.
 Forte Polarisation Inverse : Claquage
Effet d’Avalanche
 L’effet est donc cumulatif. Les courants d’électrons et de trous peuvent
devenir importants. Ce phénomène est appelé avalanche par multiplication
par impact. Il peut être contrôlé en ajustant les dopages et donc la valeur du
champ électrique dans la zone de charge d’espace

VR : tension inverse
Vcl : tension de claquage (Vcl >7 V)
3<n<6 selon la jonction

Le courant va être multiplié par cette constante M

 La tension d’avalanche augmente en valeur absolue avec la température.
C’est un paramètre qui expérimentalement permet de distinguer si le claquage
est dû à l’effet Zener ou à l’effet d’avalanche.
 Forte Polarisation Inverse : Claquage
Effet Tunnel
En polarisation inverse, un électron de la BV
du côte P à une probabilité de traverser la
ZCE et de se retrouver du côté N par effet
tunnel. E

Physiquement le champ électrique de ZCE

suffisamment fort pour arracher un é d’une EFp
Collecte par E
liaison de valence et de le transformer en
électron de conduction.
Tunnel
L’effet tunnel est responsable du E
Fn
claquage de la diode lorsque la tension de
claquage est inférieure à 4Eg/q.
Pour des tensions de claquage supérieures
à 6Eg/q c’est l’effet d’avalanche qui est Ionisation directe par effet
responsable. tunnel bande à bande assisté
Pour les cas intermédiaires, les deux
par E
phénomènes précédents coexistent
-96-