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Etabli par : Dr.

Aissiou 2ème Année CP 2020/2021

Chapitre2

Diodes à Jonction

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1. Définition
La diode est un composant électronique. C’est un dipôle non linéaire à base de semi-conducteur, c’est
tout simplement la jonction PN. Elle est caractérisée par deux grandeurs électriques qui sont le courant
qui la traverse et la tension à ses bornes.
Symbole :
D

A K

La diode est un dipôle ayant deux bornes ; l’entrée appelée Anode (A) et la sortie appelée cathode (K).

2. Jonction PN
La jonction PN est la juxtaposition de deux barreaux de semi-conducteur l’un de type N, l’autre de
type P.
2.1. Jonction PN à l’équilibre
En juxtaposant les deux barreaux de semi-conducteur l’un de type N, l’autre de type P, plusieurs
phénomènes électriques se produisent au voisinage de la jonction (frontière) chronologiquement
comme suit :

Jonction Barriere de potentielVS

Is + + ++ + + + - - - --- N - -- + I D
- +
+++++++++
++++++++++ - - - --- - --
- +
++ + +++
IC
Trous Electrons
Zone neutre
Ions accepteurs (anions) Ions donneurs (cations)

Figure 2.1 : Jonction PN à l’équilibre.

 Diffusion des porteurs de charge majoritaires qui se trouvent près de la jonction de part et
d’autre de cette frontière. Les trous de la zone P vont neutraliser les électrons libres de la zone
N créant une zone neutre appelée aussi zone de déplétion.
 Le mouvement des porteurs de charges majoritaires crée un courant qui s’appelle courant de
diffusion noté I D .

 Les ions positifs et négatifs créés par le phénomène de diffusion créent une bipolarisation de
part et d’autre de la jonction.

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 Ce phénomène de bipolarisation crée un champ interne noté Eint qui va s’opposer à la

diffusion des majoritaires.


 Ce champ interne crée une barrière de potentiel notée V0 au mouvement des majoritaires. Par

contre, ce même potentiel va favoriser le passage des porteurs minoritaires à travers la


jonction. Ce phénomène s’appelle la conduction électrique.
 Le mouvement des porteurs de charges minoritaires crée un courant qui s’appelle courant de
saturation noté I S .

A un instant t, il y’aura un équilibre entre le phénomène de diffusion des porteurs de charges


majoritaires et celui de conduction des minoritaire entrainant une neutralité électrique et donc un
équilibre électrique [8].
Donc, Lorsque le nombre de porteurs de charge majoritaires due à la diffusion est égale au nombre de
porteurs de charges minoritaires due à la conduction, on obtient l’équilibre naturel de la jonction PN.

Les deux courants antagonistes (diffusion des majoritaires et conduction des minoritaires) s'équilibrent
en s’annulant (la somme est nulle en régime permanent et en l'absence de champ électrique extérieur.
En effet la jonction est traversée par deux courants opposés qui s’annulent :
 Le courant de saturation notée I s correspondant à la conduction des porteurs de charge

minoritaires.
Le courant I D ayant pour origine la diffusion des porteurs libres majoritaires de N et de P,

très voisins de la Z.C.E., et dont l’énergie est suffisante pour sauter la hauteur de barrière V0 .

A l’équilibre on a :
  eV0 
 
I s  I D  I 0. e  KT 
4.1

K : Constante de Boltzmann ; Avec : I0=IS pour V0=0


V0 : bannière de potentiel. Avec : V0 =VS= 0,7 [Volts] pour l
V0= 0,3 [Volts] pour le germanium

2.2. Polarisation en directe de la jonction PN


Polariser une Jonction PN revient à appliquer une source de tension à ses bornes.
Si on applique un champ externe à l'aide d'un générateur en branchant le pôle (+) sur la zone P et le
pôle (-) sur la zone N, on peut annuler les effets du champ interne et permettre au courant de circuler;
La diode est alors polarisée dans le sens direct.
Quand la diode est polarisée en directe, il y a un rapport d’un grand champ 𝐸⃗ext qui va annuler les
champs internes 𝐸⃗ int ⇒favorise la diffusion des majoritaires.

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- Plus 𝑉⃗ ext et plus E ext et plus ID est important.

- Plus 𝑉⃗ ext et plus Eext et plus Is

La diode ou jonction polarisée dans le sens direct est dite conductrice ou passante.
V  V0 V ext I D  I S
La d.d.p (barrière de potentielle) résultante noté V est :

Le courant directe noté I d Id  ID I S


tel que :
  e V 0 V ext     e .V 0   e .V ext   e .V ext 
       
I D  I 0e  KT 
 I 0e  KT 
 e KT 
 I S .e  KT 
Comme
  e.Vext  
Ainsi : I d  I D  I S  I S   e KT   1 (4.2)
 
 
V0

Is Eint ID
PP+ N --
Eext

Électrons

Id +
Vext

Figure 2.2 : Schéma de polarisation en directe de la jonction PN.

2.3. Polarisation en inverse de la jonction PN


Considérons à présent la jonction polarisée en inverse, c’st-`a-dire, avec son anode porté à un potentiel
négatif par rapport à celui de la cathode. Les porteurs majoritaires des régions N et P n’ont pas
l’énergie nécessaire pour sauter cette barrière de potentiel. La jonction est alors traversée par le très
faible courant I D . Ce courant issu du phénomène d’ionisation thermique du silicium, dépend
uniquement de la température [8].

Par contre, la conduction des porteurs minoritaires (trous pour la zone N et électrons libres pour la
zone P) est accélérée : Le courant de saturation I s devient important. Un courant inverse noté I i

(Courant de fuite) qui dépend essentiellement de la température, se forme.

La diode ou jonction polarisée dans le sens inverse est dite bloquée ou non passante.
V  V0 V ext I S  I D
La d.d.p (barrière de potentielle) résultante noté V est :

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V0

IS Eint ID
P N

Eext
Électrons

- + Ii

Vext

Figure 2.3 : Schéma de polarisation en inverse de la jonction PN.

Le courant inverse notées I i est donné par : I i  I S  I D A

  e V0 Vext     e .V0    e.Vext    e.Vext 


       
I D  I 0e  KT 
 I 0e  KT 
e  KT 
 I S .e  KT 
Comme :

 
  e.Vext 

Alors : I i  I S  I D I S  1  e KT  

  (4.3)
 
Remarque: En polarisation directe la diode conduit, alors qu’en polarisation inverse la diode est
bloquée.

3. Caractéristiques de la diode
La caractéristique de la diode est le graphe de la fonction qui relie ses deux grandeurs électriques ; sa
tension et son courant.

3.1. Diode en polarisation directe


En polarisation directe, la diode conduit quand la tension appliquée à se bornes devient supérieure ou
égale à la tension seuil qui est la barrière de potentiel. Le courant qui traverse la diode est appelé
courant directe (Forward) noté Id. ou IF. Ce courant entre par l’anode (pôle positif) est sort par la
cathode (pôle négatif).
D

A
Id + - K

Vd

Figure 2.4 : Diode en polarisation directe.


On a : I d  I AK  I F , Vd  V AK  V F  V A  V K

Id : courant maximum admissible en polarisation directe.


Vd : Tension maximum admissible en polarisation directe.

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Idmax : courant maximum admissible en polarisation directe.


Vd max : Tension maximum admissible en polarisation directe.
Pd = Vd . Id : puissanceabsorbée par la diode en polarisation directe.
Pd max = Vdmax . Idmax : puissance maximale absorbée admissible en polarisation directe.
Vs = Vs0 = V0 : Tensionseuil ou Barriere de potentiel.

Id

IF=Idmax -------------------------

Id = f (VA)

-Vc VRmax Vd

VS Vdmax=VFmax
Phénomène
De claquage Ii = f (Vi)
----------------------IRmax

Diode bloquée Diodeconductrice

Polarisation inverse Polarisation directe

Figure 2.5 : Caractéristique de la diode.

La caractéristique de la diode est le graphe de l’équation suivante : Ii = f (Vi)

 Vs ≤ Vd ≤ Vdmax (Diode conduit en directe).


 Vc≤ Vi ≤ 0 (Diode en polarisation inverse).

3.2. Diode en polarisation inverse


En polarisation inverse, la diode ne conduit pas. Mais un très faible courant appelé courant inverse
(Reverse) noté II, ou IR circule. Ce courant entre par la cathode (pôle négatif) et est sort par l’anode
(pôle positif).
D

A
- + Ii K

Vi
Figure 2.6 : Diode en polarisation inverse.

On a : I i  I R ; Vd  V AK  V F  V A  V K

Ii : Courant inverse en polarisation inverse.

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Vi : Tension inverse en polarisation inverse.


Iimax : Courant inverse maximum admissible en polarisation inverse.
Vimax : Tension inverse maximum admissible en polarisation inverse.
Pi = Vi. Ii : Puissance absorbée par la diode en polarisation inverse.
Pi max : Vimax . Iimax : Puissance maximale absorbée admissible en polarisation inverse.
Vc : Tension de claquage.

Le phénomène de claquage
La tension de claquage d’une diode est la tension maximale inverse qu’on peut lui appliquer. Si la
tension de claquage est atteinte, un grand nombre de porteurs prioritaires apparaissent dans la zone
désertée et la diode conduit fortement. C’est l’association de deux phénomènes : Ceux sont l’effet
Zener et l’effet d’avalanche. La tension de claquage d’une diode dépend de son dopage.
Le phénomène de claquage entraine la détérioration de la diode [9].

4. Résistance statique et dynamique de la diode


On distingue deux types de résistances relatives à la diode, la Résistance statique notée Rs et la
résistance dynamique notée Rd.

4.1. Résistance statique


La résistance statique de la diode est la somme des résistances internes des deux semi-conducteurs de
type N et de type P qui la constitue puisque la diode est une jonction PN.

P N
RP RN RP RN
f

Rs = RP + RN

La résistance statique dépend de la taille, de la nature et de l’importance du dopage des différentes


régions.

4.2. Résistance dynamique


Au-delà de la tension de seuil V s 0 , le courant est limité par la résistance ohmique des régions P et N.

La résistance dynamique notée Rd est donnée par :


Vd Vd 2  Vd 1 1 (4.4)
Rd   
Id I d 2  I d 1 tan  

En général : Rd  RS

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5. Modélisation de la diode (approximation)


La diode est un composant non linéaire id ≠ a .vd + b
.
𝑖𝑑 = 𝐼𝑠 . ( 𝑒 . − 1 )(4.5)
K : Constante de Boltzmann

On va approximer le fonctionnement non linéaire de la diode par un fonctionnement linéaire et


représenter la fonction de la caractéristique par une équation linéaire qui est celle de la droite afin de
faciliter l’étude de la diode.

5.1. Diode idéale


La diode idéale est caractérisée par une résistance dynamique nulle .La tension seuil et la
résistance dynamiques sont nulles. Id
 Rd  0
Diode ideale  
Vs  0

Vd
Figure 2.7 : Allure de la caractéristique de la diode idéale.

5.2. Diode parfaite


La diode parfaite est caractérisée par une résistance dynamique nulle est une tension seuil non
nulle.
Id
 Rd  0
Diode parfaite  
La pente de la caractéristique est nulle
V s  0
Vd  VS
Vd
0 Vs
Figure 2.8 : Allure de la caractéristique de la diode parfaite.

Si : Vd  VS , id  0

Si : 0  Vd  VS , id  0 D
A K A Id + - K

Vd Vd=Vo

Figure 2.9 : Modèle électrique équivalent de la diode parfaite.

5.3. Diode réelle


La diode réelle est caractérisée par une résistance dynamique non nulle et une tension seuil non nulle.

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 Rd  0 Id
Diode réelle   La pente de la caractéristique est non nulle
V s  0

Si : Vd  VS , id  0

Si : 0  Vd  VS , id  0 Vd
0 Vs

Figure 2.10 : Allure de la caractéristique de la diode réelle.

D
Rd
A
d p A
Id + - K

Vd
Vd

Figure 2.11 : Modèle électrique équivalent de la diode réelle.

1 V
Vd  Rd .I d  VS  Id  .Vd  S  f Vd  (4.6)
Rd Rd

L’équation de la caractéristique est linéaire.

6. Fonctionnement de la diode
6.1. Fonctionnement statique de la diode (mode de polarisation)
C’est une méthode pour obtenir la valeur exacte du courant et de la tension d’une diode.

L'équation de la caractéristique est : I d  VS  V D  f Vd 


RS

On peut ainsi obtenir les tensions ou les courants en fonction des points qu’on a et de ceux qu’on doit
trouver. On remarque le point de fonctionnement statique (Q) qui est le point de repos du circuit.
Soit le montage suivant :
Rp
Id
+
E D Vd
-

Figure 2.12 : Montage de polarisation de la diode.


E : source de tension continue.
Rp : Résistance limitatrice du courant ou résistance protectrice.
Cette résistance sert à éviter d'envoyer un courant trop important dans une diode lorsqu'on la polarise
par une source de tension En pratique, il suffit de l'intercaler en série avec la diode et la source de
tension et donc protéger la diode [9].

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Droite de charge statique


La droite de charge statique est définie comme étant la droite dont l’équation s’obtient en appliquant la
loi des mailles à la maille de polarisation de la diode. L’expression de l’équation de la droite de charge
statique est donnée par :
E  Vd 1 E
Id   .V d   f V d  (4.7)
RP RP RP

Ao (0, E/Rp) et Bo (Eo, 0) sont deux point de cette droite.

Le point d’intersection de la caractéristique avec la droite de charge statique s’appelle point de repos
statique ou point de fonctionnement et est noté P0(Vd0,Id0). Ces coordonnées expriment le
fonctionnement optimal de la diode en mode de polarisation (régime continu).

Point dereposstatique : P0
Id

E/Rp A0

Droite de charge statique Caractéristique de la diode

I0 P0
B0
Vd
0 Vs Vd0 E0

Figure 2.13 : Schéma d'obtention du point de fonctionnement statique de la Diode.

6.2. Fonctionnement dynamique de la diode (Régime variable)


Soit le montage suivant en régime variable de la diode.
E : source de tension continue.
e(t) : Source de tension variable : et   E Max . cost . V 
id
Rp

e(t)
IDS
E D Vd
+
-

Figure 2.14 : Circuit du fonctionnement dynamique de la Diode.


En appliquant la loi des mailles, on a :
et   E  V d 1 et   E
Id   .V d   f V d 
RP RP RP

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Droite de charge dynamique


L’équation de la droite de charge dynamiques est donnée par :
1 E . cost   E
Id   .Vd  Max  f Vd  (4.8)
RP RP

Puisque :  1  cos  t   1   EMax  cost   EMax


Alors : on aura un faisceau (ensemble) de droites de charges dynamiques qui est délimité par DMin et
DMax .
DMin  Di  DD max Avec :

 E Max  E
L' équation de DMin : I d   1 .Vd   f Vd 
RP RP

Et : L' équation de DMax : I d   1 .V d  E Max  E  f V d 


RP RP

Les deux points choisis pour tracer la droite DMin sont : AMin  0,  E Max  E  et BMin  E Max  E ,0 .
 R P 

Les deux points choisis pour tracer la droite DMax sont : AMax  0, E Max  E  et BMax EMax  E,0
 R P 

Id Droite de charge dynamique


Amax Dmax

Caractéristique de la diode
Droite de charge dynamique
Amin
Dmin Pmax
P0

Pmin
Vd
0 Bmin Bmax

Figure 2.15 : Schéma d'obtention du point de fonctionnement dynamique de la Diode.

Le point de fonctionnement dynamique noté P oscille autour du point de repos P0 entre le point de
fonctionnement minimum noté Pmin et le point de fonctionnement maximum noté Pmax selon une
trajectoire non linéaire (sous forme d’un arc. Pour avoir un fonctionnement dynamique linéaire, il faut
que cette trajectoire soit une droite. Pour cela, il suffit de choisir l’amplitude Emax de la tension

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variable assez petite pour pouvoir approximer l’arc à une droite. On parle de fonctionnement de la
diode en petits signaux [10].

7. Association des diodes en parallèle


Dans une association à cathode commune, la diode susceptible de conduire est la diode qui a le
potentiel à l’anode le plus élevé.
Dans une association à anode commune, la diode susceptible dee conduire est la diode qui a le potentiel
à la cathode le moins élevé.
L’association en parallèle de deux diodes ne présente aucun intérêt pratique car tout le courant traverse
la diode dont la tension de seuil est la plus faible. Donc, pour que les deux diodes soient passantes en
même temps, ils doivent être identiques et donc avoir la même tension seuil.

8. Redressement des signaux électriques alternatifs


Une des principales applications de la diode est le redressement de la tension alternative du secteur
pour faire des générateurs de tension continue destinés à alimenter les montages électroniques (entre
autres).
Il y a deux types principaux de diodes de redressement : la diode standard pour le redressement secteur
classique, et la diode rapide pour les alimentations à découpage.

8.1. Redressement
essement simple alternance
C'est le redressement le plus simple qui soit : quand la tension aux bornes du transformateur notée Vt

dépasse la tension de seuil de la diode, celle


celle-ci
ci conduit, laissant passer le courant direct dans la charge.
La tension aux bornes de la charge notée V r est alors égale à la tension aux bornes du transformateur
moins la tension directe VF  Vd de la diode.

Figure 2.16
.16 : Montage du redressement simple alternance.

Quand la tension aux bornes du transformateur devient inférieure à la tension de seuil (coude), la diode
est bloquée ; il ne subsiste que le courant de fuite, qui est négligeable en comparaison au courant
direct. La tension aux bornes de la diode est alors égale à celle aux bornes du transformateur : il faudra
choisir une diode avec une tension de claquage V Z au minimum égale à la tension crête du secondaire
du transformateur. Pour la suite des calculs, O
On suppose que la diode est parfaite :Vd (t )  VS .

Soit : Vt (t )  Vmax . sin .t   tension entrée

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Tension aux bornes de la charge : Vr (t )  tension sortie


On applique la loi des mailles :
Vt ( t )  V d ( t )  V r ( t )  V r ( t )  V t ( t ) V S Vr (t )  tensionsortie

8.1.1. Calcul de la valeur moyenne de la tension simple alternance de sortie (redressée) notée Vr  moy :
T T
1 2
1 2 V d
Vr  moy 
T 0 Vt (t )  VS dt  T 0 Vmax . sin(.t ).dt  2S   .t  d  .dt  dt 

 
1 1 V max VS
V r  moy 
 .T  (V max . sin(  )  V S ). d  
0
2  V
0
max . sin    V S d  


2

Vmax VS V I V V I V
Vr  moy    I r  moy  r  moy  max  S I r  moy  r  moy  max  S
 2 R  2. R R  2.R
Remarque :
La plupart du temps nous avons VS (t )  Vt (t ) et on peut donc négliger la chute de tension due à la

tension de seuil de la diode. L’approximation de la diode idéale est donc valable et largement
suffisante pour cette application [10].

8.1.2. Calcul de la valeur efficace de la tension simple alternance de sortie (redressée) aux bornes de la
résistance
T
2
1 2 2 V V V I
  Vt (t )dt  max  Vr  eff  max  I r  eff  r  eff  max
2
Vr  eff
T 0 4 2 R 2
 Facteur de forme noté F :
Vmax
I r  eff Vr eff 2    1.57
F   sans unité (4.9)
I r  moy Vr eff Vmax 2

 Facteur de forme noté F :

  F 2  1  1.21 (4.10)

Avec  : le taux d'ondulation du signal

8.1.3.Parametres importants du redressement simple alternance


 Courant moyen de la diode parfaite :

I max VS
I d  moy  I r  moy  
 2R (4.11)

 Tension inverse de crête ou Peak Inverse Voltage (P.I.V) en Anglais :


C’est la tension inverse répétitif maximum ou la tension inverse maximale aux bornes de la
diode pour laquelle celle-ci demeure bloqué mais n’entre pas dans la région de cassure ou de
claquage) :

Tension inverse VR Vt inv VsortieVentréeVr Vt  0 Vt  Vt (4.12)

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(Diode bloquée : tension de sortie nulle et le courant est nul)


VRRM  P. I .V  Vr  Vt  0  Vt  Vt  Vmax (4.13)

 Courant maximum répétitif passant dans la diode parfaite : C’est la valeur maximum du
courant en polarisation directe que la diode peut supporter :

Vt crete  VS Vmax  VS
I FRM  I max  
R R (4.14)
 Fréquence de sortie :
1
f sortie  f entrée  50Hz  Tsortie   20ms 
f entrée
(4.15)
 Facteur de forme :
I sortie eff V
F  sortie eff sans unité
I sortie moy Vsortie moy
(4.16)

Remarque :
Le redressement simple alternance présente l'inconvénient de ne laisser passer que la moitié du
courant que peut délivrer le transformateur. Par conséquence, on préfère le redressement double
alternances.

8.2. Redressement double alternances


Le redressement double alternances permet de redresser les deux alternances positives et négatives du
signal alternatif. Ce type de redressement peut être obtenu de différentes manières :

8.2.1. Redressement avec transfo double enroulement ou transformateur à point milieu

Figure 2.17 : Montage du redressement double alternances avec transfo double sortie

Le montage précédent présente l'inconvénient de ne laisser passer que la moitié du courant que peut
délivrer le transformateur. Pour remédier à cela, on utilise un transformateur avec deux enroulements
secondaires que l'on connecte de manière à ce qu'ils délivrent des tensions en opposition de phase.

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Dans ce cas, tout se passe comme si on avait deux montages identiques à celui de la Figure (4.16) qui
fonctionnent l'un pour l'alternance positive, l'autre pour l'alternance négative. On vérifie bien (voire
Figure 4.18 et Figure 4.19) que le courant dans la charge est toujours orienté dans le même sens.

Soit : Vt (t )  Vmax . sin .t  ; on suppose que les diodes sont idéales.

On applique la loi des mailles : Vt (t )  Vd (t )  Vr (t )

Figure2.18 : Redressement de la Figure. 2.17 : Redressement de


l'alternance positive l'alternance négative.

a. Calcul de la valeur moyenne de la tension double alternances (tension moyenne de sortie)


T
2 2 2  Vmax V 2  I max
Vr  moy   Vt (t )dt   I r  moy  r  moy 
T 0  R 

b.Calcul de la valeur efficace de la tension double alternance (de sortie) aux bornes de la résistance
T
2
2 2 2 V V V I
  Vt (t )dt  max  Vr  eff  max  I r  eff  r  eff  max
2
Vr  eff
T 0 2 2 R 2
(4.17)
Vmax
F
I r  eff

Vr  eff
 2    1.11 sans unité
I r  moy Vr  moy 2  V 2 2
max
 (4.18)

  F 2  1  0.48
(4.19)
c.Parametres importants du redressement double alternances
 Courant maximum répétitif passant dans la diode parfaite :

I FRM  I max

 Tension inverse de crête est donnée par :

PIV  VRRM  2 Vmax V 


(4.20)
 Fréquence de sortie :

1
f sortie  2  f entrée  100 Hz   Tsortie   10 ms 2.21
f entrée
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8.2.2. Redressent double alternance avec pont de Graëtz (pont à diodes)


Il existe une autre manière de faire du redressement double alternance, ne nécessitant pas un
transformateur à double enroulement : on utilise 4 diodes montées en pont, dit « pont de Graëtz ». Des
ponts tous faits sont disponibles dans le commerce, permettant de réduire le nombre de composants du
montage.
Rp
I(t)

D1 D2
R Vr(t)
Vt(t)

D3 D4

Figure 2.19 : Montage du redressement double alternances avec pont à diodes.

Lorsque la tension aux bornes du transformateur est positive, D1 et D4 conduisent, et quand elle est
négative, D2 et D3 conduisent (Figure 4.21 et 4.22).

i(t) i(t)

Rp Rp D2
D1 D2 D1 R Vr(t)
R Vr(t) vt(t)
Vt(t)
Rp D3 D4
Rp D3 D4I2

Figure 2.20 : Redressement de la Figure. 2.19 : Redressement de l'alternance positive et de l’alternance


négative.

Soit : Vt (t )  Vmax . sin .t  .On suppose que toutes les diodes sont idéales.
T
2 2
2  V max V r  moy 2  I max
V r  moy 
T  V ( t )dt
0
t 

 I r  moy 
R

2
Vmax V V I
 Vr  eff  max  I r  eff  r  eff  max ;
2
Vr  eff 
2 2 R 2

I r  eff
F  1.11 Et  F 2  1  0.48
I r  moy

I r  moy I max
I d  moy   VRRM  Vmax
2 

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8.3. Filtrage
Les montages précédents délivrent des tensions redressées continues mais ondulées. Pour obtenir une
tension quasiment lisse, il suffit de mettre un gros condensateur en parallèle avec la charge.

8.3.1. Redressement simple alternance avec filtrage


En électronique, on ne recherche pas un signal simple alternance, mais une tension DC. Il faudra donc
filtrer ce signal simple alternance. Ici, la charge est absolument quelconque, et peut être un montage
électronique complexe ayant une consommation en courant aléatoire.

Figure
ure 2.21 : Schéma du redressement simple
alternance avec filtrage.

Le fonctionnement est simple : quand la tension aux bornes du transformateur est supérieure à la
tension aux bornes du condensateur additionnée de la tension directe de la diode, la diode conduit. Le
transformateur doit alors fournir
rnir le courant qui va alimenter la charge et le courant de recharge du
condensateur.
Quand la tension du transformateur devient inférieure à celle du condensateur plus la tension de coude
de la diode, la diode se bloque. L'ensemble condensateur
condensateur-charge forme
me alors une boucle isolée du
transformateur. Le condensateur se comporte comme un générateur de tension, et il restitue l'énergie
accumulée dans la phase précédente.

Calcul de la capacité du condensateur :


On considère que le condensateur C se décharge à courant I max constant pendant un temps  T et que

la chute de sa tension est inférieure à V .On a alors la relation :


C  V  I max  T (4.22)

Le temps  T choisi va être la période du secteur. Pour un redressement simple alternance, on aura un
T de 20ms, qui correspond à l'inverse de la fréquence secteur 50 Hz. La valeur la capacité du
condensateur est alors :
I max (4.23)
C
f . V

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8.3.2. Redressement double alternances avec filtrage


Les hypothèses seront les mêmes que précédemment. La seule différence viendra du temps T ; vu
qu'on a un redressement double alternance, la fréquence du courant redressé est double de celle du
secteur. La formule de calcul du condensateur devient donc :
I max
C 4.24 
2. f .V

Figure 2.22 : Schéma du redressement doublealternance avec filtrage.


filtrage

9. Diode Zener
9.1. Définition
La diode Zener est une diode à base de silicium que le constructeur a conçue pour travailler dans la
zone de claquage. Dans le sens direct, cette diode conduit comme une diode classique ; dans le sens
inverse, le courant reste nul jusqu’à la tension dite de claquage qui présente un coude de tension
inverse très net, suivi d’une croissance verticale du courant. La tension est presque constante, c’est la
tension Zener notée VZ .

9.2. Symbole de la diode Zener

Tension/Courant direct (Forward


Forward voltage/current) : Vak  Vd  V f Id  I f

Tension/Courant inverse (Reverse voltage/current) : Vak  Vi  VR Ii  I R  I Z

9.3. Rôle de la diode zener


La diode Zener est parfois appelée diode régulatrice de tension, car elle maintient à ses bornes une
tension presque constante en dépit des variations du courant qui la traverse [10].

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9.4. Approximation (modélisation) de la diode Zener réelle


La diode Zener réelle, en approximation, est présentée par le modèle ci-dessous.
 La tension directe est égale à la somme de la tension seuil et de la tension aux bornes de la
résistance série ou dynamique telle que :
Vd  VS  Vd  VS  Rd . I d (4.25)
 De même, dans la région du claquage, la tension inverse de la diode est égale à la tension de
claquage et de la tension aux bornes de la résistance série. En inverse la résistance série ou
dynamique est appelée résistance Zener.
VR  VZ  VR  VZ  RZ .I z (4.26)
La diode est bloquée (la diode est un circuit ouvert) dans l’intervalle de tension compris entre la

tension seuil est la tension Zener (claquage) :  VZ  V AK  VS  I ak  0

Id
IF=Idmax ---------------------------- Dz D
=
Id = f (VA)

-Vc VRmax
Vd
VS Vdmax=VFmax
Phénomène de Ii = f (Vi)
claquage
------------------------- IRmax
Diodeconductrice
Diode régulatrice

Polarisation inverse Polarisation directe

Figure 2.23 : Caractéristique de la diode Zener réelle.

9.5. Grandeurs électriques des diodes Zener


La caractéristique essentielle est la tension de la diode Zener dite tension Zener ou tension de claquage
notée VC  V Z 0 , mais il existe un certain nombre de caractéristiques limites qu'il est indispensable de

connaître pour utiliser ces diodes. En générale : 1.2V  VC  200V

a. Courant inverse maximal ou courant Zener max noté I ZM :


Le courant inverse n'est limité que par la résistance équivalente du circuit externe R.
b. Intensité du courant direct maximal non répétitif notée I FM :

Il est utile de connaître le courant I FM dans le cas où la diode est utilisée dans le sens passant.

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c. Température maximale de la jonction notée Tjmax :


Comme il s'agit de diodes au silicium, cette température est généralement fixée à 150°C ou à 175°C.
Quand la température ambiante évolue, la tension Zener change légèrement.
d. Résistance dynamique de Zener notée R Z  rz :
La résistance ou l'impédance dynamique est égale à l’inverse de la pente de la caractéristique dans la
région de claquage.
Vi (4.27)
RZ 
I i

e. Puissance Zener : c’est la puissance dissipée dans une diode Zener notée PZ est donnée par :

PZ  V z . I z (4.28)
La diode Zener fonctionne normalement en mode inverse à une tension V Z .

9.6. Polarisation de la diode Zener


9.6.1. Polarisation directe de la diode Zener
La diode Zener se comporte exactement comme une diode normale en polarisation directe.

Si : 0  VZ  Vs  I Z  I d  0 Alors la diode Zener est équivalente à un circuit ouvert.

Si : VZ  Vs  I Z  I d  0 Alors la diode conduit normalement.

Vd  VS  Vd  VS  Rd .I d

D
Rd
A K A
Id + - K

Vd
Vd
Figure 2.24 : Modèle électrique équivalent de la diode Zener réelle en polarisation directe.

9.6.2. Polarisation inverse de la diode Zener


La diode Zener conduit en polarisation inverse en maintenant une tension fixe à ses bornes

Si : 0  VZ  VC  I Z  I i  0 Alors la diode Zener conduit un courant de fuite très faible.

Si : VZ  VR  VC  VZ 0  I Z  I I  0 Alors la diode conduit normalement.

VZ  VR  VZ 0  RZ .I Z
D RZ
A
- + Ii K A
- + iR
K

Vi Vi=VR
Figure 2.25 : Modèle électrique équivalent de la diode Zener réelle en polarisation inverse.

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9.7. Applications de la diode Zener


Les applications des diodes Zener sont très nombreuses ; Mais la principale application de cette diode
est la régulation de tension.
Remarque :
De manière générale, polariser un composant, c'est l'amener dans une situation électrique donnée au
moyen d'un circuit extérieur (le plus souvent des sources continues). Cette notion est généralement
associée à des composants qui présentent plusieurs modes de fonctionnement différents comme la
diode (passante ou bloquante) ou le transistor.

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