Objectif du TP :

 Relevé et interpolation des caractéristiques courant-tension.

 Détermination des paramètres caractéristiques
 Relevé de la caractéristique courant-puissance des LED.
 Transformation de la puissance lumineuse en signaux électriques.
 Relevé de la caractéristique de l’amplification trans impédance

Introduction
Suivant leur mode opératoire, on distingue deux types de composants optoélectroniques
:
Les photodétecteurs qui sont des composants qui convertissent le signal optique en un
signal électrique.
Les photoémetteurs qui convertissent le signale électrique en un signal optique.
Ces deux types de composants sont élaborés à partir de matériaux semi-conducteurs et
leurs principes de fonctionnement sont basés sur les interactions rayonnement- semi-
conducteur. Les trois processus d’interaction entre le rayonnement et le semi-conducteur
d’énergie de gap Eg (bande interdite) étant :
* L’absorption du photon par un électron de la bande de valence et son passage vers la
bande de conduction, entrainant l’apparition d’un trou dans la bande de valence (figure
1-a).
* L’émission spontanée d’un photon par retour de l’électron excité de la bande de
conduction vers la bande de valence et sa recombinaison avec le trou (figure 1-b), dans
le cas où l’énergie cédée par l’électron est de type radiatif.
* L’émission stimulée d’un photon avec retour de l’électron excité vers la bande de
valence et sa recombinaison avec un trou (figure 1-c). le photon émis est identique, en
longueur d’onde et en phase, au photon incident, il est dans le même état de polarisation.
Ce dernier processus est à la base de l’effet laser.

Diode électroluminescente
Une diode électroluminescente (DEL, en anglais : Light-Emitting Diode LED), est un
composant opto-électronique émettant de la lumière lorsqu’il est parcouru par un courant
électrique dans le sens direct. Ce rayonnement monochromatique ou polychromatique
non cohérent résulte de la conversion d’une partie de l'énergie électrique qui la traverse.
Lors de la recombinaison d’un électron et d’un trou dans un semiconducteur il y a
émission d’un photon si la transition d’un électron entre la bande de conduction et la
bande de valence se fait avec conservation du vecteur d’onde. Cette transition est alors
émissive et elle s’accompagne de l’émission d’un photon. Dans une transition émissive,
l’énergie du photon créé est donnée par la différence des niveaux d’énergie avant (Ei) et
après (Ef) la transition : hν = Ei − Ef .
La longueur d'onde du rayonnement émis est donc fonction de la largeur de la bande
interdite et elle dépend de la nature du matériau semiconducteur utilisé.
Un électron de la bande de valence peut passer dans la bande de conduction à condition
d'acquérir une énergie supplémentaire au moins égale à Delta E.
C'est l'effet photoelectrique.
Un électron de la bande de conduction peut passer dans une bande de valence. Dans ce
cas il libère une énergie au moins égale à Delta E.
Cette énergie peut être :
 Dissipée sous forme de chaleur (phonons),
 Émise sous forme de lumière (photons).
C'est l'effet électroluminescence (visible ou non).

Fonctionnement d’une LED

Selon la fabrication, la lumière peut être émise soit latéralement, soit perpendiculairement
à travers la mince couche N ou P.
La LED est constituée de cristaux semi-conducteurs disposés en plaques
appelées wafers puis découpés en chips, ou puces. Les diodes électroluminescentes se
composent d’un semi-conducteur de base négatif présentant un excédent d’électrons.
Puis s’ajoute une très fine couche semi-conductrice positive présentant un manque
d’électrons les «trous».
Mis sous tension, les électrons excédentaires et les «trous» se réunissent et se
combinent pour former la «couche barrière». L’énergie libérée est alors transformée en
lumière et en chaleur dans le cristal semi-conducteur.
Les éléments utilisés sont généralement le phosphore (P) ou I ‘arsenic (As). Dans le cas
du dopage B on incorpore un élément " accepteur " d'électrons. Celui-ci présente une
lacune (trou) en électrons. Les éléments mis en œuvre sont le bore (B), I ‘aluminium (Al),
le gallium (Ga) ou l'indium (ln).
II-Partie Expérimentale :
III-1-Pour réaliser cette expérience, on a besoin de :
Réglage de l’émetteur pour fibres optiques :
MODE : ondes porteuse (CW)
BIAS : potentiomètre Vf sur butée gauche
SOURCE :665/770/950 nm

Fig. montage expérimentale

 λ=665nm λ=770nm λ=950nm
Uf(V) If(A) Uf(mv) P(w) Uf(V) If(A) Uf(mv) p(w) Uf(V) If Uf(mv) p(w)
-0.0065 -0.000065 3.2 4.225E-07 -0.0059 -0.000059 3.1 3.481E-07 -0.0061 -0.000061 3.1 3.721E-07
0.1217 0.001217 4.7 0.00014811 0.1184 0.001184 4.6 0.00014019 0.1783 0.001783 5.3 0.00031791
0.1755 0.001755 5.3 0.000308 0.2106 0.002106 5.7 0.00044352 0.2885 0.002885 6.5 0.00083232
0.2715 0.002715 6.4 0.00073712 0.3517 0.003517 7.4 0.00123693 0.3385 0.003385 7.2 0.00114582
0.3678 0.003678 7.6 0.00135277 0.4151 0.004151 8.1 0.00172308 0.4154 0.004154 8.1 0.00172557
0.4207 0.004207 8.2 0.00176988 0.6425 0.006425 11.4 0.00412806 0.559 0.00559 9.6 0.00312481
0.5744 0.005744 9.2 0.00329935 0.7708 0.007708 14.7 0.00594133 0.6552 0.006552 11 0.00429287
0.6456 0.006456 10.9 0.00416799 1.8748 0.018748 21.3 0.03514875 0.7407 0.007407 12.1 0.00548636
0.7625 0.007625 12.2 0.00581406 1.911 0.01911 24.5 0.03651921 0.8387 0.008387 14.1 0.00703418
1.067 0.01067 15.8 0.01138489 1.998 0.01998 28 0.03992004 0.8874 0.008874 16.5 0.00787479
1.323 0.01323 19 0.01750329 2.01 0.0201 31.8 0.040401 0.9126 0.009126 18.7 0.00832839
1.439 0.01439 21.5 0.02070721 2.2 0.022 34 0.0484 0.93 0.0093 20.9 0.008649
1.472 0.01472 23.7 0.02166784 2.34 0.0234 36 0.054756 0.9435 0.009435 23.1 0.00890192
1.484 0.01484 25 0.02202256 2.45 0.0245 38.2 0.060025 0.9507 0.009507 25.9 0.0090383
1.502 0.01502 27.8 0.02256004 2.55 0.0255 40.1 0.065025 0.9612 0.009612 28 0.00923905
1.51 0.0151 29.6 0.022801 2.65 0.0265 42.8 0.070225 0.9725 0.009725 31.8 0.00945756
1.515 0.01515 31 0.02295225 2.7 0.027 45.1 0.0729 0.9771 0.009771 34 0.00954724
1.523 0.01523 33.8 0.02319529 2.82 0.0282 48.6 0.079524 0.983 0.00983 36 0.00966289
1.626 0.01626 35.3 0.02643876 2.97 0.0297 51.3 0.088209 0.9857 0.009857 38.2 0.00971604

Tableau 3.1 relevé de caractéristiques

 If(Uf) LED 665nm
18 If(Uf) LED 950nm
10
16

14 8

12
6

le courant If(mA)
10
le courant If

8 4

6
2

4
0
2

0
-2
-200 0 200 400 600 800 1000
-2 la tension Uf(mV)
-200 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800
la tension Uf
If(Uf) LED 779nm
30

25

20
le courant If(mA)

15

10

-5
-500 0 500 1000 1500 2000 2500 3000
la tension Uf(mw)

Les Commentaires :
On remarque que le courant de chacune LED(665,779,950 nm) est augmente en
fonction de la tension Uf
On remaque aussi l’expression analytique du courbe où :
𝑈(𝑓) = 𝑅 ∗ 𝐼𝑓 = 100 ∗ 𝐼𝑓 < − − −> 𝑅 = 100 𝑜ℎ𝑚

Nous avons aussi déterminer la tension de seuil de chacune des LEDs.

LED 665nm 779 nm 950nm
Tension de seuil 1.6 V 3V 1V

Caractéristiques de l’amplification transimpedance :

Pour réaliser cette expérience, on a besoin de :
Réglage de l’émetteur pour fibres optiques :
MODE : ondes porteuse (CW)
BIAS : potentiomètre Vf sur butée gauche
SOURCE :665nm
FIBRE OPTIQUE :10m
Réglage de récepteur pour fibres optiques :
Rc :100kohm
Sortie :DCV
Rc(kohm) Ucc(mV)
100 3.6
10 3.5
1 3.4

Les Commentaires :
Le tableau ci-dessus donne les résultats des valeurs de Rc ainsi que Ucc;
On remarque la Diminution de la valeur de Ucc (la tension a la sortie de l’amplificateur)
liée à la valeur de la risistance Rc.
Conclusion :
Nous avons conclu ce qui suit :
-D’après les caractéristiques courant-tension ( I -V ), puissance optique-courant ( P-I )
-On peut déterminer la valeur de la tension de seuil de chacune des LEDs.
-la Diminution de la valeur de Ucc (la tension a la sortie de l’amplificateur) liée à la
valeur de la risistance Rc.
-l’amplification transimpedance liée à la valeur de la risistance Rc.