REPUBLIQUE ALGERIENNE DEMOCRATIQUE ET POPULAIRE

UNIVERSITE ABDELHAMID IBN BADIS DE MOSTAGANEM

FACULTE DES SCIENCES EXACTES ET INFORMATIQUE
DEPARTEMENT DE PHYSIQUE

Master 1 : physique des matériaux

Travaux Pratique

TP 1 : CELLULES SOLAIRES EN SILICIUM.

A. OBJECTIF

En utilisant le logiciel SCAPS(Solar Cell Capacitance Simulator), une étude de l'effet de la

puissance d’illumination et de la température sur les caractéristiques électriques :le champ
électrique, la tension de circuit ouvert Vco, le courant de court-circuit Jcc, le facteur de forme
FF et le rendement de conversion η.En étufier également l'effet de l’épaisseur des couches n
et p et du dopage.

Paramètres significatifs

Jcc : Le courant de court-circuit exprimé en mA/cm 2 c’est le courant qui circule dans la cellule
sous éclairement et en court-circuitant les bornes de la cellule. C’est à dire que : Jsc= J(V = 0).

Vco : La tension de circuit ouvert exprimée en, est la tension mesurée lorsqu’aucun courantne
circule dans la cellule. C’est à dire : Vco= V(I = 0).

La puissance fourniepar la cellule solaire est donnée par : P=V ∙ I

La puissance maximale est donnée par : Pm=V m ∙ I m

Avec V mest la tension correspondante à la puissance maximale fournie et I m est le courant

correspondant à la puissance maximale fournie.

FF: Facteur de forme. C’est le rapport entre la puissance maximale fournie par la cellule sur
le produit JscVco.

η: Rendement : c’est le rapport entre l’énergie fournie et la puissance lumineuse incidente.

Les cellules de première génération sont basées sur une seule jonction p-n et
utilisentgénéralement le silicium sous forme cristalline comme matériau semi-conducteur.
Une jonction PN est la juxtaposition de deux régions de types différents d’un même
monocristal de semi-conducteur.

1
 B. STRUCTURE N-P (émetteurs de type N)

 Paramètres de la Cellule :
1. Cliquer sur le bouton Set problem dans le panneau d’action puis cliquer sur load.
2. Sélectionner « simple pn ».
3. Cliquer sur le bouton p-layer puis load material et sélectionner « Si.material » (modifier les
paramètres suivants comme indiquer sur la figure.
a. Modifier le nom de la couche
b. Modifier l’épaisseur.
c. Modifier le dopage.
d. Cliquer sur Accept.

2
4. Cliquer sur le bouton n-layer puis load material et sélectionner « Si.material » (modifier les
paramètres de la même manière que 3).

5. Cliquer sur le bouton p-layer puis load material et sélectionner « Si.material ».

6. Enregister la structure en cliquant sur « save ».
7. Définir le point de fonctionnement (la température T, L’illumination).
8. Sélection des caractéristiques à simuler( I-V, C-V, C-f et QE).
9. Lancer le calcule « Calculate : single shot »
 Simulation de la cellule
 Influence de l’éclairement

Eclairement (W/m²) Jcc(mA/cm2) Voc (V) FF % η%

AM1_5D 1 sun : 1000

AM1_5D : 767.17
- Interpréter.
 Influence de la température

Température (K) Jcc(mA/cm2) Voc (V) FF % η%

- Interpréter.
 Influence de l’épaisseur de la région n (la région P)

Epaisseur (µm) Jcc(mA/cm2) Voc (V) FF % η%

3
 - Interpréter.
 Influence du dopage de l'émetteur
2
Dopage (m-3) Jcc(mA/cm ) Voc (V) FF % η%

- Interpréter.
 Influence du dopage de la base
2
Dopage (m-3) Jcc(mA/cm ) Voc (V) FF % η%

- Interpréter.
- Tracer la variation du champ électrique E(x) pour trois valeurs différentes du dopage.
Qu’est-ce que vous remarquez.

Conclusion

Les meilleures performancesphotovoltaïques ont été obtenues pour :

Epaisseurs

Concentrations de dopage

Eclairement

Température

 Caractéristiques courant/tension et puissance/tension

En utilisant les paramètres obtenus :

Tracer la caractéristique courant – tension J = f(V).

Tracer la caractéristique puissance – tension P = f(V).

C. STRUCTURE P-N (émetteurs de type P)

- Modifier la face éclairée.

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 - Optimiser les paramètres de la cellule (épaisseurs, dopages) pour avoir le meilleur

rendement

- Regroupés les résultats dans le tableau suivant :

Jcc(mA/cm2) Voc (V) FF % η%

Emetteurs de type N
Emetteurs de type P
- Comparer les deux structures (structure n-p et structure p-n).
D. STRUCTURE N-P-P

Paramètres de départ de la Cellule :

Couche N (l’émetteur):

5
Couche P (la base):

Couche P (substrat) :

6
- Optimiser les paramètresde la cellule (épaisseurs, dopages) pour avoir le meilleur
rendement.

1. Rappelez la définition de la bande de conduction et la bande de valence.

2. Quelle est la largeur de la bande interdite du Silicium.
3. Donner une définition du niveau de Fermi EF et donner sa position dans un semi-
conducteur intrinsèque.
4. Que signifie « doper » un matériau ? Quel est l’intérêt de doper un semi-conducteur ?
5. Qu'est-ce qu'un semi-conducteur? Que sont les semi-conducteurs de type P et N?
Donnez un exemple de chacun.
6. Quels sont les avantages d'utiliser des semi-conducteurs dopés plutôt que des semi-
conducteurs purs?
7. Expliquez la formation de la zone de charge d’espace (zone de déplétion) dans la
jonction PN.
8. Discuter le comportement de la jonction PN lorsque la polarisation est : directe,
inverse.
9. Dessiner la caractéristique I-V d’une jonction PN et expliquer.

7
 TP 2 : LAME QUART D'ONDE ET DEMI-ONDE.
A. Objets de l'expérience
 Mesure de l'intensité lumineuse en fonction de la position de l'analyseur.
 Utilisation de la lame quart d'onde pour produire une lumière polarisée circulairement

Principes

Une lame d'onde ou un retardateur est un dispositif optique qui modifie l'état de
polarisation d'un faisceau lumineux qui le traverse. Une lame d'onde typique est simplement
un cristal biréfringent ou une feuille de plastique à double réfraction avec une épaisseur
soigneusement choisie.

Si un faisceau de lumière parallèle frappe perpendiculairement une lame d'onde, le faisceau

lumineux est divisé en deux composants en raison de ses propriétés de double réfraction. Les
deux composants ont des plans d'oscillation perpendiculaires l'un à l'autre et des vitesses de
phase légèrement différentes. Pour une lame quart d'onde, l'épaisseur de la feuille est choisie
de manière à ce que la composante lumineuse dont le vecteur champ électrique oscille
parallèlement au levier de rotation soit en retard de λ/4 sur l'autre composante lumineuse
oscillant perpendiculairement. Pour une lame demi-onde, l'épaisseur est choisie de sorte que
la différence de phase créée ait la valeur de λ/2.

Dans cette expérience, la lumière monochromatique tombe sur une lame quart d'onde et
demi-onde. La polarisation de la lumière émergente est étudiée à différents angles entre l'axe
optique des lames d'onde et la direction de la lumière incidente.

Fig. 1 : Schéma d'une lame demi-onde.

Appareillage

Lame quart d'onde.

Lame demi-onde.
Filtre de polarisation.
Filtre lumière jaune.
Si Photocellule STE.
Support pour éléments enfichables.
Multimètre
8
Installation

La configuration expérimentale est représentée schématiquement sur la figure 2.

Remarque : Pour la configuration optique, il est également possible d'utiliser le petit banc
optique (460 43) ou le profil du banc optique S1 (460 310).

Fig. 2 : Montage expérimental pour étudier le type de polarisation de la lumière émergente

(schématique).

(a) lampe halogène

(b) curseur d'image avec filtres
(c) filtre de protection thermique
(d) polariseur
(e) plaque d'onde λ/4 ou λ/2
(f) analyseur
(g) cellule photoélectrique Si
(h) écran translucide

Ajustement optique :

 Installez la lampe halogène (a) avec le miroir réfléchissant et placez le condenseur et le

curseur d'image dans le boîtier de la lampe.
 Insérez le filtre lumière jaune devant le filtre chaleur dans le curseur de l'image.
 Installer le polariseur, la lame λ/4 ondes et l'analyseur comme indiqué sur la Fig. 2 sur le
banc optique. La distance entre le polariseur et la lampe halogène est d'environ 20 cm à 30
cm.
 Installez la cellule Si-photo derrière l'analyseur et ajustez le chemin du rayon lumineux
pour que la cellule photo soit bien éclairée.
 En tournant l'insert de la lampe dans le boîtier de la lampe halogène, l'éclairage peut être
ajusté. Produisez une image nette de la bobine de la lampe sur une petite feuille de papier
positionnée au centre de la cellule photoélectrique Si (g).

Remarque : L'écran translucide représenté sur la figure 2 est utilisé pour effectuer l'expérience
qualitativement.

9
Consignes de sécurité

Il faut veiller à ce que les différents filtres ne soient pas endommagés par une surchauffe.

 Ne placez pas le filtre polarisant directement devant la source lumineuse. Utilisez un filtre
de protection contre la chaleur pour éviter d'endommager le film plastique diachronique en
cas de surchauffe.
 Ne placez pas de plaque quart d'onde ou de plaque demi-onde directement devant une
source de lumière chaude pour éviter que la feuille à double réfraction ne surchauffe.

Pour mesurer le photo courant, connectez la cellule Si-photo via la paire de câbles rouge/bleu
au multimètre.

Remarque : Le photo courant est proportionnel à l'intensité lumineuse.

L'intensité lumineuse est proportionnelle au vecteur champ électrique au carré : I ~ E 2

Réalisation de l'expérience

a) Lame quart d'onde

 Retirez la lame quart d'onde et réglez le polariseur sur la position zéro.
 Mesurer l'intensité lumineuse en fonction de la position de l'analyseur sur la plage –90° à
90°.
 Fixez la lame quart d'onde dans le cavalier optique entre le polariseur et l'analyseur.
 Mesurer l'intensité lumineuse en fonction de la position de l'analyseur (i.e. angles 0°, 30°,
45° et 60°) sur la plage −90° à 90°.
b) Plaque demi-onde
 Réglez le polariseur sur la position zéro.
 Fixez la lame demi-onde dans le cavalier optique entre le polariseur et l'analyseur.
 Mesurer l'intensité lumineuse en fonction de la position de l'analyseur (i.e. angles 0°, 30°,
45°) sur la plage –90° à 90°.

Remarque : La plaque demi-onde peut également être remplacée par deux plaques quart
d'onde avec la même orientation.

10
 TP 2 : PHOTOCONDUCTIVITE

1. Objectifs de l'expérience
 Mesure du courant photoélectrique IPh en fonction de la tension U pour une intensité
de rayonnement constante.
 Mesure du courant photoélectrique IPh en fonction de l’intensité de rayonnement pour
une tension U constante.
2. La théorie :

On appelle photoconduction l’augmentation de la conductivitéélectrique dans un solide

par absorption de lumière. Dans le cas dudit effet photoélectrique interne, l’énergie
absorbéepermet le passage d’électrons activateurs dans la bande deconduction et l’échange de
charge de pièges avec formationde trous dans la bande de valence. Le nombre de porteurs de
charges dans le réseau cristallin est donc accru et par conséquent aussi la conductivité:

∆ σ=∆ p ∙ e ∙ μ p +∆ n∙ e ∙ μn (1)

e : charge élémentaire.

∆ p :changement de la concentration de trous

∆ n: changement de la concentration d’électrons

μ p : mobilité des trous

μn: mobilité des électrons

Le courant photoélectrique circule à l’application d’une tension U :

A
I Ph= ∙ ∆ σ ∙ U (2)
d

A: section transversale de la voie du courant

d: écartement des électrodes

Les résistances semi-conductrices photosensibles (photorésistances) se basent sur ce

principe. Elles ont conquis un vaste domaine d’applications et sont utilisées entre autres dans
les interrupteurs crépusculaires et les posemètres. Les composés au cadmium – notamment le
sulfure de cadmium – sont employés comme matériaux semi-conducteurs.

Dans l’expérience, une photorésistance au CdS est éclairée avec une ampoule
incandescente, l’intensité de rayonnement étant modifiée à l’endroit de la photorésistance à
l’aide de deux filtres polarisants situés l’un derrière l’autre. Si les deux filtres polarisants sont
tournés l’un par rapport à l’autre de l’angle α, on a
2
Φ=Φ 0 ∙ D∙ cos α (3)

Φ 0: intensité de rayonnement sans filtres polarisants.

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D : perméabilité pour un positionnement en parallèle.

On étudie la subordination du courant photoélectrique à la tension appliquée à la

photorésistance pour une intensité de rayonnement constante (caractéristique courant-tension)
et à l’intensité de rayonnement pour une tension constante (caractéristique courant-intensité
de rayonnement).

3. Montage

Le montage expérimental est représenté sur la fig. 1; comme point de référence, la

position du bord gauche des cavaliers sur le banc d’optique est indiquée en cm. Les tiges des
éléments d’optique ne devraient pas être complètement enfoncées dans les cavaliers pour ainsi
permettre un ajustage de précision en hauteur et un alignement des éléments sur un même axe
optique.

Figure. 1 Montage expérimental pour le relevé de caractéristiques courant-tension

d’une photorésistance au CdS

a Lampe
b fente réglable
c, d filtres polarisants
e lentille, f = + 150 mm
f support avec photorésistance STE
N.B.:

La photorésistance est détruite en cas de surcharge: ne pas dépasser la puissance

dissipée maximale P = 0,2 W, donc par ex. I = 10 mA pour U = 20 V.

La photorésistance est aussi influencée par la faible luminosité résiduelle qui règne
dans la salle d’expérimentation: assombrir la salle d’expérimentation de telle sorte qu’il soit
juste possible de lire les instruments de mesure et veiller à ce que la luminosité soit constante .

12
 4. Procédure :
a) Mesure du courant photoélectrique IPh en fonction de la tension U pour une intensité
de rayonnement constante :
 Interrompre la marche des rayons entre la lampe et la photorésistance et déterminer le
courant photoélectrique I0 suscité par la luminosité résiduelle.
 Pour α = 0°, Réduire la tension U de 20 V à 0 V par pas de 2 V, mesurer à chaque fois
le courant photoélectrique IPh.
 Recommencer les séries de mesures avec α = 30°, 45°, 60° et90°.
 Tracer les courbes IPh = f(U). discuter ces courbes.
 Pour α = 90° entre les plans de polarisation des filtres, un photocourant circule.
Pourquoi ?.
 Les caractéristiques courant-tension de la photorésistance CdS coïncident ils avec
l’équation (2).

IPh (mA) IPh (mA) IPh (mA) IPh (mA) IPh (mA)
U (V)
α = 0° α = 30° α = 45° α = 60° α = 90°
20
18
…

b) Mesure du courant photoélectrique IPh en fonction de l’intensité de rayonnement

pour une tension U constante:
 Régler une tension U = 20 V, interrompre la marche desrayons entre la lampe et la
photorésistance et déterminer à nouveau le courant photoélectrique I0 suscité par la
luminosité résiduelle.
 Pour la variation de l’intensité de rayonnement, augmenter l’angle entre les filtres
polarisants par pas de 10° de 0° à 90°, mesurer à chaque fois le courant
photoélectrique IPh.
 Répéter la série de mesures avec U = 15 V, 10 V et 5 V.
 Tracer les courbes IPh = f(cos2α). discuter ces courbes.
 Les caractéristiques courant-intensité de rayonnement de la photorésistance CdS
coïncident ils avec l’équation (3).

IPh (mA) IPh (mA) IPh (mA) IPh (mA)

α cos2α
U= 20V U= 15V U= 10V U= 5V
0°
10°
…

90°

5. Conclusion :

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  La photorésistance se comporte-t-elle comme une résistance ohmique ?

Interférence sur le miroir de Fresnel avec un laser He-Ne

Objectifs expérimentaux

 Génération de deux sources lumineuses virtuelles, cohérentes par réflexion d’une

source lumineuse ponctuelle sur un miroir de Fresnel.
 Observation de l’interférence des deux sources lumineuses virtuelles.
 Mesure de la distance entre les franges d’interférences.
 Génération des images projetées des sources lumineuses virtuelles.
 Mesure de l’écartement des images projetées.
 Détermination de la longueur d’onde de la lumière du laser He-Ne à partir de la
distance entre les franges d’interférences, de l’écartement des images projetées des
sources lumineuses virtuelles et des dimensions géométriques du montage.

ATTENTION : Pour les expériences suivantes, nous allons utiliser un faisceau laser. La
puissance de ce faisceau est faible mais le faisceau est très fin, ce qui le rend
dangereux en particulier pour les yeux.

Partie I : Miroirs de Fresnel :

Ce sont deux miroirs plans M et M formant un dièdre d’arête O et d’angle π-α proche de
π. Tout plan normal à l’arête est un plan de symétrie, il est possible d’utiliser une fente-source
parallèle à cette arête. Les sources S1 et S2 sont les images de la source S par M 1 et M2
respectivement. Le champ d’interférence est la région commune aux deux faisceaux réfléchis.
La frange centrale est une frange brillante. Les données expérimentales sont : l’angle α, la
distance source arête R = SO et la distance écran- arête l = OH.

On appelle interfrange la distance qui sépare les milieux de deux franges brillantes
consécutives ou de deux franges sombres consécutives. L’interfrange est noté «i». Il est
simple de monter que l’interfrange observé s’écrit : i = λD/d, avec λ la longueur d’onde de la
source S, D la distance entre l’écran et les sources virtuelles, d la distance entre S 1 et S2.

Pour voir les franges clairement on utilise une lentille divergente entre la source et les
deux miroirs (il faut prendre en considération le changement de la position de S 1 et S2
lorsqu’on introduit la lentille divergente).

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 Figure : Dispositif expérimental.

Figure : Les miroirs de Fresnel.

Figure :

Travail à effectuer :

 Définir en quelque ligne le phénomène d’interférence. Quelles sont les conditions

d'interférences.
 Montrer que S1S2 = 2αR.

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  Réaliser le montage de la figure. Ajuster convenablement les réglages optiques de
manière à obtenir une figure d’interférences sur l’écran.
 Mesurer l’interfrange i et son incertitude Δi. Mesurer la distance l.
 Déterminer la position de S1 et S2.
 Calculer la distance entre S1 et S2 en utilisant une lentille convergente.
 Déduire alors l’angle α entre les deux miroirs. Que vaut Δα?
 Déterminer la longueur d’onde du laser.

Partie II : les fentes de Young

Soit une source ponctuelle S éclairant deux fentes S 1 et S2 séparées d’une distance « d »,
la source S étant équidistante de S1 et S2. Celles-ci reçoivent deux ondes lumineuses en phase,
et se comportent comme deux sources fictives réémettant de la lumière dans toutes les
directions. On peut donc considérer les deux sources S 1 et S2 comme étant cohérentes, donc
susceptibles de produire des interférences sur un écran E d’observation placé à une distance d
de S1 et S2. Soient D1 et D2 respectivement, les distances de S1 et S2 à un point P de l’écran.
On veut étudier l’état de l’onde résultante en P en se plaçant dans le cas où la distance S 1S2 =
d est très petite devant D1 et D2

D1

D2
d

Travail à effectuer :

 Définir en quelque ligne le phénomène de diffraction.

 Mesurer l’interfrange i.
 Calculer la distance d en utilisant une lentille convergente.
 Déterminer la longueur d’onde du laser.

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 Spectroscope à réseau
Un réseau est constitué de N traits semblables et parallèles, distants de L, le pas du réseau. Il
existe deux types de réseaux :

- Les réseaux par réflexion : la lumière incidente se réfléchit sur le réseau.

- Les réseaux par transmission : la lumière incidente traverse le réseau. C’est ce type de
réseau que nous allons utiliser au cours de la séance de T.P.

On rappelle la loi des réseaux en incidence normale: Lsinϴ = nλ

Elle montre que le faisceau incident est dévié sous un angle qui dépend de :

— de l’ordre d’observation n

— de la longueur d’onde λ

A l’ordre 0 il n’y a pas de déviation et la longueur d’onde n’intervient pas. Pour n différent de
zéro, la déviation augmente avec l’ordre d’observation et avec la longueur d’onde. Lorsque le
faisceau incident est monochromatique seule l’influence de l’ordre peut être observée.
Lorsque la lumière est polychromatique, toutes les longueurs d’onde sont regroupées à l’ordre
zéro. Aux ordres supérieurs, les différentes longueurs d’ondes qui composent la lumière sont
d’autant plus déviées qu’elles sont élevées, le phénomène observé est appelé phénomène de
dispersion de la lumière polychromatique.

Manipulations

Détermination des longueurs d’onde

 Repérer l’angle θ0, qui correspond à l’ordre 0 (raie non dispersée), la lunette est ainsi
alignée avec le collimateur.
 Placer le réseau perpendiculairement au faisceau lumineux
 Pour chaque raie λ et les ordres de n -2,-1,1 et 2, relever sur le goniomètre les angles θ
correspondants.
 Calculer la longueur d’onde de chaque raie.

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  Trouver dθ/dλ le pouvoir de dispersion du réseau.

Détermination de la largeur d’une fente inconnue

Si on éclaire une fente fine, de largeur a, avec une onde plane monochromatique de longueur
d’onde λ, les lois de l’optique géométrique sont mises en défaut. On observe un éclairement
non nul dans une direction θ différente de la direction de propagation rectiligne de la lumière
(θ = 0).

Les minimums nuls vérifient la relation : sinϴ ≈ ϴrad = nλ/a, avec : n = ±1 ; ±2, ±3,…

Les positions des maximums vérifient :

n=0 n=1 n=2 n=3

ϴrad = 0 ϴrad = 1.43λ/a ϴrad = 2.46λ/a ϴrad = 3.47λ/a

2 ϴ2

1 ϴ1

-1 ϴ-1

-2 ϴ-2

 Remplir le tableau pour les minimums nuls et les maximums secondaires.

 Déterminer la valeur moyenne de largeur de la fente.
 Déterminer a graphiquement.
 Répéter les mesures en utilisant les fentes A, B, C. Qu'observez-vous ? Comparer la
longueur d'onde λ avec la largeur de la fente. Décrire l’effet de la largeur de la fente.

n ϴn ϴ-n ϴ = (ϴn - ϴ-n)/2 ϴrad a (mm)

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