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Musculation du signal
Amplificateurs à transistors bipolaires
Claude Chevassu
Introduction iii
0.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . iii
i
ii TABLE DES MATIÈRES
Introduction
0.1 Introduction
Copyleft : ce manuel est libre selon les termes de la Licence Libre :
http://cesarx.free.fr/gfdlf.html
Ce cours est sous « licence libre », c’est à dire qu’il peut être copié et qu’il
peut être diffusé à condition :
– d’indiquer qu’il est sous la Licence Libre ;
– d’indiquer le nom de l’auteur de l’original : Claude Chevassu et de ceux
qui auraient apporté des modifications ;
– d’indiquer que les sources peuvent être téléchargés sur http://mach.
elec.free.fr.
Enfin vous pouvez le modifier à condition :
– de respecter les conditions de diffusion énoncées ci-dessus ;
– d’indiquer qu’il s’agit d’une version modifiée et d’indiquer la nature et la
date de la modification ;
– de diffuser vos modifications sous la même licence.
1.1.1 Généralités
Polariser un transistor, c’est lui fixer un ensemble de valeurs caractérisant
son état de fonctionnement. Cela revient à fixer les valeurs des tensions de
polarisation des diodes VBE et VCE ainsi que le courant de commande IB et le
courant d’émetteur ou de collecteur.
Le transistor étant un composant à trois entrées, pour appliquer les résultats
vus sur les quadripôles, il faut prendre un des pôles communs à l’entrée et à
la sortie. Le montage le plus utilisé est le montage « émetteur commun », mais
il existe aussi les montages « base commune » et « collecteur commun » où ce
sont la base et le collecteur qui servent de pôle commun. Dans toute la suite du
chapitre, le transistor sera monté en émetteur commun.
Polariser un transistor va donc consister à insérer ce quadripôle entre un
réseau d’entrée, qui va fixer les valeurs VBE et IB , et un réseau de sortie qui va
fixer les valeurs VCE et IC .
Il a été vu que tout réseau linéaire et invariant dans le temps peut se mettre
sous forme de dipôle de Thévenin, on en déduit le schéma de principe général
d’un transistor polarisé montré à la figure 1.1.
VBB = RB IB + VBE
1
2 CHAPITRE 1. POLARISATION DES TRANSISTORS BIPOLAIRES
IC
RC
RB
IB
VCE
VCC
VBE
VBB
C’est l’équation d’une droite que l’on appellera la droite d’attaque. Cette droite
est représentée sur la caractéristique de base du transistor. Les valeurs de VBE
et de IB devant vérifier à la fois l’équation de fonctionnement du transistor et
celle du réseau d’entrée, elles seront déterminées par l’intersection entre la droite
d’attaque statique et la caractéristique de base du transistor comme le montre
la figure 1.2.
Il est évident que si le point P est tel que VBE0 < 0, 6V, alors le transistor
sera bloqué et IBE0 = 0.
1.1.3 Exemples
De façon générale, on n’utilisera pas deux sources de tension VCC et VBB
car cela serait trop coûteux et trop encombrant. La tension VBB sera égale à
VCC ou à une fraction de VCC .
D’autre part, l’étude de la polarisation sert non seulement à déterminer le
point de fonctionnement d’un transistor, mais aussi à choisir les valeurs de RC ,
RB , VCC et VBB pour obtenir un point de fonctionnement déterminé.
1.1.3.1 Exemple 1
et :
4 CHAPITRE 1. POLARISATION DES TRANSISTORS BIPOLAIRES
VCEblocage = VCC = 30 V
VBB − VBE 30 − 0, 7
IB = = = 75.1 mA
RB 390 · 103
Le courant collecteur est :
+30 V
RB 1.5 kW IC
20 mA
2N4401
6 mA
VCE
21 V 30 V
(a)
(b)
1.1.3.2 Exemple 2
25 V
220 W
RB
2N 4401
VCC 25
ICsat ≈ = = 114 mA
RC 220
ce qui est le courant collecteur maximum qu’on peut obtenir. Le courant de base
est :
VBB − VBE 25 − 0, 7
RB = = = 17 kW
IBsat 1, 43 · 10−3
VCC − VCEsat
ICsat =
RC
1.2.1 Principe
C’est le type de polarisation le plus utilisé. D’une part, les gains β d’une
même série de transistor peuvent être très différents les uns des autres, d’autre
part, un écart de température peut produire des changements de courant im-
portant. Donc, le point de polarisation calculé peut être très différent de celui
obtenu réellement. C’est pour cela qu’on a imaginé cette polarisation par divi-
seur de tension qui stabilise le montage en température et le rend indépendant
du gain β.
Dans le montage précédent, on avait IC = β · VBBR−V B
BE
donc IC suivait
les variations de β.
1.2.1.1 Équations
Vcc
Rc
R2
IC
IB
VCE
VBE
R1 V2
Re
IE
Or, IE = β · IB , donc :
1.2. POLARISATION PAR DIVISEUR DE TENSION 7
Vcc
Rc
IC
R1 //R2
VCE
IC
+ VBE
V2 = R2 ·VCC
R1 +R2
Re
IE
V2 = β · RE · IB + VBE (1.2.2)
VCC = RC · IC + VCE + RE · IE
(β+1)
Or, IE = β · IC , mais comme β est très grand, on peut écrire :
IE ≈ IC
VCC ·R2
R1 +R2 − VBE
IB =
β · RE
D’où :
8 CHAPITRE 1. POLARISATION DES TRANSISTORS BIPOLAIRES
VCC ·R2
β R1 +R2 − VBE VCC ·R2
− VBE
R1 +R2
IC = β · IB = =
β · RE RE
d’après 1.2.2. Pour les calculs, on peut prendre VCE ' 0.7 V, en utilisant la 2e
approximation de la diode base-émetteur.
1.2.2 Exemples
1.2.2.1 Exemple 1
+30 V
4 kW IC
20 kW
3.33 mA
2N 3904 Q
1.86 mA
β = 100
VCE
13.3 V 30 V
10 kW
5 kW (b)
(a)
Solution :
Lorsque le transistor fonctionne dans la région de blocage, toute la tension
d’alimentation apparaît entre les bornes collecteur-émetteur, on a donc :
VCE(blocage) = VCC = 30 V
1.2. POLARISATION PAR DIVISEUR DE TENSION 9
VCC 30
ICsat = = = 3.33 mA
RC + RE 9 · 103
V2 − VBE 9, 3
IE = = = 1.86 mA
RE 5 · 103
Du fait que β est grand, il vient :
IC ' IE = 1.86 mA
1.2.2.2 Exemple 2
4, 3
IE = = 2.15 mA
2000
15 V
1 kW 4 kW 470 W
10 kW
T1 T2
1 kW
5 kW
2 kW 220 W
2, 3
IC ≈ IE = = 10.5 mA
220
Ces 10.5 mA circulent dans les résistances de 470 et 220 W. Lorsqu’on sous-
trait la chute de tension aux bornes de ces résistances de la tension d’alimenta-
tion, on obtient la tension aux bornes du transistor, soit :
IC
VCB
IB
VCE
VBE
IE
1.3.2 Montages
1.3.3 Exemple
La figure 1.12 représente un circuit à deux étages avec une alimentation VCC
de +20 V. Les deux transistors possèdent un gain β = 100. Calculer le courant
IC et la tension VCE de chaque étage.
12 CHAPITRE 1. POLARISATION DES TRANSISTORS BIPOLAIRES
20 V
2 kW 3 kW
T1
T2
100 kW
560 W 8 kW
3 kW
1.3.4 Solution
VEE − VBE 20 − 0, 7
IB = = = 193 µA
RB 105
V2 − VBE 4 − 0, 7
Ic ' IE = = = 1.1 mA
RE 3000
1.4 Exercices
1. Calculer la tension VCE du premier étage du circuit de la figure 1.13 si
VCC = 25 V.
Réponse : VCE = 12.9 V
2. Calculer IC et VCE du troisième étage du circuit de la figure 1.13 si VCC =
20 V.
Réponse : IC = 19.3 mA et VCE = 10.4 V
3. Si VCC = 30 V, tracer la droite de charge statique de chaque étage.
Réponse : Courants de saturation de 3 mA, 12 mA et 60 mA. Tensions de
blocage de 30 V pour les trois étages.
VCC
10 kW 2 MW 2.5 kW 1 MW 500 W
1 MW
β = 50 β = 400 β = 1000
VCC
1 kW 3 kW 500 W 200 W 50 W
30 kW
T1 T2 T3
1 kW 100 W
5 kW
2 kW 1 kW 75 W
20 V
680 W 300 kW
V0
V1
33 kW
Le transistor en régime
dynamique
17
18 CHAPITRE 2. LE TRANSISTOR EN RÉGIME DYNAMIQUE
pourvu que l’impédance ZC du condensateur soit faible par rapport à celles des
résistances. Par contre, le courant continu ne pourra pas passer de A en B.
Vth RL
court-circuit en courant alternatif
100 W
10 Hz à 50 kHz
Vth 25 W
10 kW C
125 W
A
1. Réduire toutes les sources alternatives à zéro ; ouvrir tous les condensa-
teurs. Le circuit qui reste est tout ce qui nous intéresse pour les courants et
les tensions continus. On l’appelle le circuit équivalent en courant continu.
À partir de ce circuit, on calcule les courants et les tensions continus qui
nous intéressent.
2. Réduire toutes les sources continues à zéro. Court-circuiter tous les conden-
sateurs de couplage et de découplage. Le circuit qui reste est tout ce qui
nous intéresse pour les courants et les tensions alternatifs. On appelle ce
circuit le circuit équivalent en courant alternatif. C’est le circuit à utiliser
pour calculer les courants et tensions alternatifs.
3. Le courant total dans chaque branche est égal à la somme du courant
continu et du courant alternatif dans cette branche. De la même façon,
la tension totale entre les bornes d’une branche quelconque est égale à la
somme de la tension continue et de la tension alternative entre les bornes
de cette branche.
+VCC
RC couplage
R1
couplage
RS
RL
R2
RE
découplage
+VCC
RC
R1
R2
RE
RS
RC RL
R1 R2
Exemple 3 :
Dessiner les circuits équivalents en courant continu et en courant alternatif
de l’amplificateur à trois transistors du circuit de la figure 2.8.
VCC
R2 R3 R6 R7 R9
R1
RS
R4 R8
R5 R10 R1
Solution :
En continu (figure 2.9) , on ouvre chaque condensateur. Le deuxième étage
est constitué par un transistor N P N polarisé par pont diviseur de tension et
le troisième étage par un P N P polarisé par la même méthode, représenté avec
l’émetteur en haut. On peut alors, avec les méthodes vues au chapitre précédent,
calculer les courants et tensions continues.
2.2. MODÈLE DYNAMIQUE DU TRANSISTOR 23
VCC
R2 R3 R6 R7 R9
R1
R4 R8
R5 R10
R1
RS
R2 R3 R4 R6 R7 R8
R10 R11
R1
RS
R2 //R3 //R4 R6 //R7 //R8
R10 //R11
2.2.1.1 Rappels
On rappelle qu’un quadripôle comme celui de la figure 2.12 peut être décrit
de la façon suivante :
V1 h11 h12 I1
= (2.2.1)
I2 h21 h22 V2
I1 I2
V1 V2
I1
I2
h11
1
V1 h21 · I1 h22 V2
h12 · V2
I2 = IC
I1 = IB
V2 = VCE
V1 = VBE
tension alternative
VBE = +
z}|{
VBE0 vbe
| {z }
tension de polarisation
∂f1 ∂f1
VBE0 +vbe = f1 (IB0 , VCE0 )+ (IB0 , VCE0 ) ib + (IB0 , VCE0 ) vce (2.2.4)
∂IB ∂VCE
∂f2 ∂f2
IC0 + ic = f2 (IB0 , VCE0 ) + (IB0 , VCE0 ) ib + (IB0 , VCE0 ) vce (2.2.5)
∂IB ∂VCE
∂f1 ∂f1
vbe = (IB0 , VCE0 ) ib + (IB0 , VCE0 ) vce (2.2.6)
∂IB ∂VCE
∂f2 ∂f2
ic = (IB0 , VCE0 ) ib + (IB0 , VCE0 ) vce (2.2.7)
∂IB ∂VCE
L’analogie avec les équations 2.2.1 est évidente, d’où l’appellation de repré-
sentation en paramètres hybrides.
e·VBE
Évaluons les diverses dérivées partielles. On sait que IB = I0 · e kT car la
base et l’émetteur forment une diode polarisée en direct. D’où :
Donc :
kT 25 mV
h11 = ≈
e · IB0 IB0
h11 est homogène à une résistance.
kT
car, à 25 ◦C, est peu différent de 25 mV.
e
D’autre part, h12 = 0.
On sait que IC = β · IB , donc ∂f2
∂IB (IB0 , VCE0 ) = β = h21
D’autre part, des calculs complexes nous donneraient :
∂f2
(IB0 , VCE0 ) = h22
∂VCE
2.2. MODÈLE DYNAMIQUE DU TRANSISTOR 27
1
h22 est encore noté ρ. h122 est homogène à une résistance. Cette résistance
est en général de très forte valeur (0.1 MW) et par conséquent, mise en parallèle
avec une autre résistance, elle sera négligeable devant cette dernière.
En remplaçant les paramètres hybrides par leur valeurs dans la figure 2.13,
on obtient un schéma équivalent simple du transistor en régime dynamique,
comme le montre la figure 2.15.
ib
base collecteur
ic
émetteur
Figure 2.15 – Modèle du transistor en régime dynamique pour les petits si-
gnaux.
∆VBE
∆VBE = K · ∆IB ⇒ h11 =
∆IB VCE =cte
1
∂VBE kT
= ×
∂IB Q e IB0
kT 25 mV
K= =
e × IB0 IB0
On rappelle que kT
e = 25 mV à 25 ◦C.
Il apparaît donc que K est homogène à une résistance. Cette résistance
modélise la diode base-émetteur en petits signaux, elle est notée r ou h11 .
Pour obtenir la même valeur de h11 pour tout point situé entre A et B, il
faut que le signal soit de faible amplitude (petit). Comment définir « petit » ?
Théoriquement, le signal alternatif devrait être infinitésimal. Pratiquement, ce-
pendant, on accepte un signal comme petit lorsque la variation crête à crête du
courant émetteur est inférieure à 10 % du courant de repos. Si, par exemple,
le courant continu est de 10 mA, on considérera un signal alternatif « petit »
si la variation crête à crête du courant émetteur est inférieure à 1 mA. C’est
arbitraire, mais on a besoin d’une règle de base pour travailler jusqu’à ce qu’on
aborde la distorsion non linéaire.
2.3 Exercices
2.3.1 Couplage
La source alternative du circuit représenté à la figure 2.18 produit une ten-
sion de 100 Hz à 200 kHz. Calculer la capacité du condensateur de couplage C
assurant un fonctionnement adéquat dans cette gamme de fréquence.
C
1 kW
3 kW
2.3.2 Découplage
Calculer la capacité du condensateur de découplage C du circuit de la figure
2.19 afin que le point A soit à la masse en courant alternatif pour toutes les
fréquences à partir de 20 Hz.
30 CHAPITRE 2. LE TRANSISTOR EN RÉGIME DYNAMIQUE
500 W
A
3 kW C
20 V
1 kW
10 kW
10 kW
10 kW
5 kW
30 V
10 kW
20 kW
1 kW
10 kW
10 kW
10 kW
6V
1 kW
200 kW
3 kW
– vbe ;
– ic ;
– ib .
Voir la correction page 35.
10 V
1 kW
1 kW
100 W
4 kW
3 kW 6 kW
1 1
C= = = 2.5 µF
fmini · Rtotale 100 × 4 · 103
2.3. EXERCICES 33
10 V
100 W
900 W
1 kW
5 kW
200 W
−10 V
1 1
C= = = 16.7 µF
fmini · Rparallèle 20 × 3 · 103
10 − 0, 7 1
IB0 = × = 18.6 µA
5 · 10−3 100
et donc :
25 · 10−3
h11 = = 1.34 kW
18, 6 · 10−6
34 CHAPITRE 2. LE TRANSISTOR EN RÉGIME DYNAMIQUE
10 kW
1.34 kW 100 · ib ρ
10 kW 10 kW 1 kW
5 kW
30 V
10 kW
20 kW
10 kW
10 kW
1 kW
10 kW 20 kW 2.7 kW 100 · ib ρ 10 kW 10 kW
6 − 0, 7
IB0 = = 17.66 µA
100 × 1 · 103 + 200 · 103
D’où :
25 · 10−3
h11 = ' 1.42 kW
17, 66 · 10−6
Amplificateurs de signaux
faibles
RS
ie
RE Ai · i e RS ve RE Av · v e
(a) (b)
37
38 CHAPITRE 3. AMPLIFICATEURS DE SIGNAUX FAIBLES
RS
ve RE Av · v e RL
RL
v s = Av · v e ×
RL + RS
La valeur de l’amplification en tension, en présence de la résistance RL est
donc :
Av
A0v =
1+ R
RS
L
Cette formule importante nous guidera dorénavant pour le choix d’un ampli-
ficateur. En effet, en étudiant la formule donnant A0v , on constate que A0v est
maximisé en prenant RL RS .
XB = log10 P 1
P0
, On peut également exprimer X dans un sous multiple du bel, le décibel
P1
(dB) : XdB = 10 log10 P0
, un décibel étant égal à un dixième de bel. Si le rapport entre
les deux puissances est de 102 = 100, cela correspond à 2 bels ou 20 décibels(dB). À titre
d’exemple, la puissance double environ tous les 3 décibels et 130 décibels correspondent à
une puissance 1 000 fois plus importante que 100 décibels. Si l’on considère deux tensions
efficaces U1 et U0 , on conviendra d’écrire que leur rapport, exprimé en décibels, est celui des
puissances absorbés par une même résistance R, aux bornes de laquelle
ces tensions auraient
P1
U12 U1
été appliquées. Aussi on a : XdB = 10 log10 P2
= 10 log10 U02
= 20 log10 U0
.
3.1. GÉNÉRALITÉS SUR L’AMPLIFICATION 39
ve RE
Figure 3.3 – Amplificateur attaqué par un montage figuré par son générateur
de Thévenin équivalent.
i0s Av · V e RE Av · R E
A0i = = × ⇒ A0i =
ie RS + RL Ve RS + RL
Dans le but d’améliorer au maximum l’amplification, on peut remarquer que
la valeur A0i sera d’autant plus élevée que :
– RE sera grande ;
– RS sera faible.
Pour obtenir une bonne amplification en courant, il faudra choisir :
– une forte impédance d’entrée ;
– une faible impédance de sortie.
Remarque importante : L’amplification en courant n’apparaîtra pas dans
l’étude des montages fondamentaux. En effet, il est aisé, à l’aide de l’amplifi-
cation en tension, de l’impédance d’entrée, de l’impédance de sortie et de la
formule de Av , de déterminer l’amplification en courant pour une charge don-
née.
40 CHAPITRE 3. AMPLIFICATEURS DE SIGNAUX FAIBLES
Psortie
η=
ΣPfournie
3.1.7 Distorsion
Lorsque le signal d’entrée d’un amplificateur est un signal sinusoïdal, le signal
de sortie n’est pas forcément sinusoïdal. On parle de distorsion.
Le signal de sortie est un signal de même période que le signal d’entrée et,
comme toute fonction périodique, il peut être décomposé en série de Fourier.
Soit T la période du signal d’entrée et f sa fréquence. Le signal de sortie S
peut se mettre sous la forme :
Ainsi, après avoir trouvé le point Q, on annule toutes les sources continues,
on court-circuite les condensateurs de couplage et de découplage pour obtenir
un circuit équivalent en courant alternatif.
Malgré de nombreuses variantes possibles, la plupart des étages amplifica-
teurs se réduisent à une des deux formes fondamentales :
– Attaque par la base ;
– attaque par l’émetteur.
La figure 3.5(a) représente un circuit attaqué par la base ; on l’appelle ainsi
parce que la source VBB attaque la base du transistor à travers la résistance
RB . La figure 3.5(b) représente un circuit attaqué par l’émetteur.
RB
RC RC
VBB RB
RE RE
VBB
(a)
(b)
Par définition, l’amplification en tension est égale au rapport vves à vide (l’am-
plificateur étant chargé sur une impédance infinie). En pratique, RC ρ, ainsi
on a :
vs = −β · ib · RC
3.2. MONTAGES FONDAMENTAUX DU TRANSISTOR BIPOLAIRE 43
RC
RB
VCC
vs
Ve
RE
h11 β · ib ρ
ve RB RC vs
RE
ve = h11 · ib + (β + 1) · ib · RE
d’où :
−β · RC
Av =
h11 + (β + 1)RE
RC
RB1
VCC
vs
ve RB2
RE CE
β · RC
Av = −
h11
kT kT
h11 = e
=β× e
IB IC
d’où :
RC · IC
Av = − kT
≈ −40 · RC · IC pour T ≈ 20 ◦C
e
3.2. MONTAGES FONDAMENTAUX DU TRANSISTOR BIPOLAIRE 45
Ai = β
β · RC β 2 · RC
Ap = Av × Ai ≈ − ×β =−
h11 h11
ve
Ze =
ie
En se reportant à la figure 3.7, il vient :
ve = h11 · ib + (β + 1) · RE · ib
ve
ie = + ib
RB
d’où :
(β + 1)RE
h11
ie = + + 1 ib
RB RB
ce qui donne :
(h11 + (β + 1)RE ) RB
Ze =
h11 + (β + 1)RE + RB
Ze = RB // (h11 + (β + 1)RE )
Ze ≈ RB //h11
46 CHAPITRE 3. AMPLIFICATEURS DE SIGNAUX FAIBLES
Ze ≈ h11
RS
ve Ze Av · v e RL
– Méthode de Thévenin
On court-circuite le générateur ve . Le générateur contrôlé (Av ·ve ) est alors
nul, le circuit est celui de la figure 3.10.
Zs
Ze
Z s ≈ RC
3.2.2.6 Conclusion
RB
VCC
Ve
vs
RE
On a :
ve = h11 · ib + vs
En supposant RE ρ, il vient :
β · RE
Av =
h11 + β · RE
RB1
VCC
Ve RB2
RE vs
h11 β · ib ρ
ve RB
RE vs
Comme précédemment : Ze = ie ,
ve
ce qui donne :
Ze = RB // [h11 + (β + 1)RE ]
Le générateur d’entrée ayant une valeur nulle (il est court-circuité), le mon-
tage est alimenté par un générateur v0 . Calculons le courant i0 débité par cette
source. On sait que Zs = vi00 .
h11 β · ib ρ
RB
i0
RE v0
u0
RE −→
RE
u0
h11 −→
h11
u0
ρ −→
ρ
et de −β · iB
1 1 1
i 0 = u0 + + − β · ib
RE h11 ρ
avec iB = − hu11
0
.
En utilisant l’hypothèse ρ RE , on obtient :
50 CHAPITRE 3. AMPLIFICATEURS DE SIGNAUX FAIBLES
1 i0 1 β+1
= = +
Zs u0 RE h11
soit :
h11
Zs = RE //
β+1
3.2.3.4 Conclusion
RC
RB
VCC
vs
Ve RE
On a :
vs = −RC · ic
3.2. MONTAGES FONDAMENTAUX DU TRANSISTOR BIPOLAIRE 51
RC
RB1
VCC
vs
Ve RB2 RE
h11 β · ib ρ
iB
RB RC vs
RE ve
ve = − (h11 + RB ) · ib
d’où :
β · RC
Av =
h11 + RB
β · RC
Av =
h11
RB + h11
Ze = RE //
β+1
Dans le cas d’un circuit base commune avec résistance de base découplée,
l’expression ci-dessus devient :
h11
Ze = RE //
β+1
Z s ≈ RC
3.2.4.4 Conclusion
3.3 Résumé
EC CC BC
Av − β·R
h11
C
1 β·RC
h11
Ai β β 1
2
G − β h·R
11
C
β β·RC
h11
h11
Zs RC β RC
EC CC BC
Av 100 1 100
Ai 120 120 1
Ze 3 kW 50 kW 25 kW
Zs 125 kW 25 kW 15 MW
∆s
Av =
∆e
Au vu des variations sinusoïdales, on trouve l’inversion de phase, et, à l’échelle
3.5. PROBLÈMES 55
3.5 Problèmes
3.5.1 Amplificateur, extrait d’un sujet de troisième année
de 1991
On considère le montage de l’amplificateur de la figure 3.19.
VCC = +16 V
RC
R1
C2
C1
ie
rg
RU vs
vs R2
RE CE
eg is
Figure 3.19
RC = 5 kW ; RU = 5 kW ; RE = 10 kW ; rg = 600 W
56 CHAPITRE 3. AMPLIFICATEURS DE SIGNAUX FAIBLES
ie
rg
vs R1 R2 h11 β · ib ρ RC RU vs
eg
ib is
Figure 3.20
1 1
CE > = = 200 nF
RE × fmini 10 · 103 · 500
3. Ici, la résistance d’émetteur est découplée, donc :
Zs = RC = 5 kW
Zs = RC //ρ = 4 kW
4. Avec l’approximation selon laquelle la résistance R1 //R2 h11 , on peut
estimer que ie ≈ ib . Si on néglige ρ, le courant β · ib se partage également
entre RC et RU .
Le gain en courant Ai = iies est égal à β2 , en tenant compte du fait que le
courant is circulera de bas en haut, donc en sens inverse du courant is qui
apparaît sur la figure 3.20, il vient :
Ai = −25
Effectuons maintenant le calcul en tenant compte de ρ, on a :
vs
is = −
RU
or :
−1
1 1 1
vs = −β · ib × (ρ//RC //RU ) = β · ib × + +
ρ RC RU
et donc :
−1
1 1 1 1
is = −β · ib × + + ×
ρ RC RU RU
On en déduit :
h i−1
is β · ib × 1
ρ + 1
RC + 1
RU × 1
RU 1 1
1
−1
1
Ai = − = ⇒ Zs = β× + + ×
ie ib ρ RC RU RU
soit :
−1
1 1 1
Ai = −50 × 50 · 10−6 + + × = −22, 2
5 · 103 5 · 103 5 · 103
Ici, les formules sont « importantes ». Afin de détecter les erreurs gros-
sières, il est utile de déterminer la dimension physique du résultat et donc
ici de vérifier que les résistances du numérateur et du dénominateur « se
compensent bien ».
5.
vs −RU · is
Av = =
ve h11 · ib
On a déjà exprimer is en fonction de ib en résolvant la question précédente.
On obtient donc :
58 CHAPITRE 3. AMPLIFICATEURS DE SIGNAUX FAIBLES
h i−1 h i−1
−β · ib × 1
ρ + 1
RC + 1
RU × 1
RU × RU β× 1
ρ + 1
RC + 1
RU
Av = =
h11 · ib h11
RU · i2s
Ap =
h11 · i2e
À l’aide des expressions de ie et de is en fonction de ib déterminées pré-
cédemment, nous obtenons :
h i−1 2 h i−1 2
RU · β · ib × 1
ρ + 1
RC + 1
RU × 1
RU RU · β × ρ1 + 1
RC + 1
RU × 1
RU
Ap = =
h11 · i2b h11
Soit encore :
h i−1 2
1
RU · β × ρ1 + 1
RC + 1
RU
Ap =
h11
Là encore, une analyse dimensionnelle permet de vérifier la dimension
physique correcte de la formule littérale. L’application numérique donne :
h −1 i2
1
· 50 × 50 · 10−6 + 1
+ 1
5·103 5·103 5·103
Ap = = 1234, 5
2 · 103
Ce nombre est à comparer au produit des gains en tension et en intensité,
soit −22, 2 × −55, 5 = 1232.
Le gain en puissance est donc de :
Gp = 10 log Ap = 30, 9 ≈ 31 dB
Bibliographie
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