Chapitre 1 : Interaction lumière-semi-conducteur

1.1 Introduction

La lumière est omniprésente dans notre vie. C’est grâce à elle que la vie est possible sur notre
planète. La vie n’aurait pu se développer sans la lumière du Soleil. Encore de nos jours, les plantes
et les animaux ont besoin de lumière pour leur survie.

La lumière est aussi notre principal moyen de découvrir le monde qui nous entoure. On estime que
la grande majorité des informations reçues par notre cerveau sur notre environnement sont fournies
par nos yeux. L’œil est d’ailleurs l’instrument optique le plus perfectionné que nous connaissons.

Au fil des siècles, les hommes ont découvert les propriétés de la lumière pour ensuite concevoir de
nombreux instruments qui utilisent ses propriétés. Certains, comme le télescope ou le microscope,
nous ont permis de découvrir des mondes jusque-là inconnus. D’autres, comme les lunettes ou les
lasers chirurgicaux, ont amélioré notre qualité de vie.

Nous verrons par la suite les principales caractéristiques de la lumière.

1.2 Qu’est-ce que la lumière?

La lumière est une forme d’énergie, tout comme l’électricité ou la chaleur. Elle est composée de
minuscules particules que l’on appelle photons et se déplace sous forme d’onde. La lumière est en
fait générée par les vibrations des électrons dans les atomes. Il s’agit donc d’un mélange d’ondes
électriques et magnétiques : on dit que la lumière est une onde électromagnétique.

Il existe plusieurs formes de lumière. Celle que nous connaissons est la lumière visible. Il existe
cependant plusieurs autres formes d’ondes lumineuses : les infrarouges, les ultraviolets, les rayons
X, etc. Ce qui différencie ces types de lumière est la longueur d’onde ou encore la quantité
d’énergie qu’elles transportent. Prenons un exemple. On peut créer une onde en attachant une
longue corde à un mur. En agitant l’autre extrémité de haut en bas, on crée des ondulations qui se
propagent dans la corde. La distance entre deux ondulations voisines est la longueur d’onde ( λ ).
Plus la longueur d’onde de la lumière est grande, moins le photon possède d’énergie. Dans la
lumière visible, le rouge a la plus grande longueur d’onde, mais possède le moins d’énergie. En
contrepartie, la lumière bleue a la plus courte longueur d’onde et possède le plus d’énergie.

1
 Figure 1.1 : Longueur d’onde, fréquence et amplitude.

Les différentes formes de lumière sont classées dans ce qu’on appelle le spectre électromagnétique.
La lumière visible n’occupe qu’une toute petite portion de ce spectre. À des longueurs d’ondes un
peu plus grandes, on retrouve les infrarouges qui nous procurent la sensation de chaleur. Ensuite se
sont les micro-ondes utilisées dans les fours et les radars. Enfin, les ondes radio, qui transportent les
signaux de la radio et de la télévision, possèdent les plus grandes longueurs d’ondes : elles peuvent
atteindre jusqu’à quelques kilomètres.

Au-delà de la lumière visible, vers les régions de plus courtes longueurs d’ondes, on retrouve les
rayons ultraviolets, qui nous font bronzer et les rayons X. Ce type de lumière a la propriété de
traverser les tissus mous du corps humain et d’être absorbée par les os et les dents. Les rayons X
sont utilisés, entre autres, pour produire les radiographies. Enfin les photons dont la longueur
d’onde est la plus courte et qui sont les plus énergétiques sont les rayons gamma.

Dans le vide, la lumière se déplace en ligne droite à une vitesse de près de 300 000 km/s. À cette
vitesse, nous pourrions faire sept fois et demie le tour de la Terre en une seconde ! Ceci est
d’ailleurs la vitesse limite universelle. Rien dans l’Univers ne peut aller plus vite que la lumière.

2
1.3 Le visible

Seuls la lumière visible et l’infrarouge sont sensibles. U.V., Gammas et rayons X ont cependant des
effets biologiques, quelque fois très graves.

Le visible est la partie du rayonnement électromagnétique que nous voyons, autrement dit celle à
laquelle nos yeux se sont adaptés au cours de l’évolution. C’est une toute petite fenêtre, dans les
rayonnements électromagnétiques, dont les longueurs d’onde vont de 0,4 à 0,8 µm. Nos yeux sont
cependant capables de discerner dans ce faible intervalle toutes les couleurs que nous connaissons,
et de voir toutes les merveilles que la nature nous offre. Quelles beautés nous seraient accessibles si
notre spectre était plus large ?

Pour répondre à cette question, il faut d’abord s’interroger sur notre environnement immédiat. Nous
vivons à la surface de la Terre, et sommes baignés par son atmosphère. La source de lumière est le
Soleil, qui émet tous les rayonnements, mais dans des proportions diverses. En fonction de sa
température superficielle de 6.000°, son maximum d’énergie se situe dans le visible, dans la partie
jaune-verte. C’est donc tout naturellement que nos yeux, comme ceux des animaux, se sont adaptés
à cette partie où l’énergie est à profusion. Mais il y a une autre explication : l’atmosphère absorbe
certains rayonnements. Fort heureusement pour nous, car ils ont des effets biologiques destructeurs,
les rayons ultra-violets et gamma ne passent pas la barrière. En fait, seuls le visible, le proche infra-
rouge, et certaines ondes radio traversent l’atmosphère.

Figure 1.2 : Spectre visible seul (le reste ne peut être vu)

1.4 Les autres rayonnements

Si tous les rayonnements cités au début sont semblables, pourquoi leurs effets sont-ils si différents?
Parce qu’ils ne transportent pas la même énergie.

Ils se classent de la manière suivante :

Plus les ondes sont serrées (haute fréquence = courte longueur d’onde) plus elles transportent
d’énergie.

3
Vous voyez sur le schéma que les rayons gamma sont beaucoup plus énergétiques que les ondes
radio par exemple. Le Tableau suivant montre les fréquences et longueur d’onde des divers
rayonnements :

λ < 5 10-12 m
rayons gamma
ν > 6 1019 Hz

λ de 5 10-12 m à 5 10-9 m
rayons X
ν de 6 1019 Hz à 6 1016 Hz

λ de 5 10-9 m à 8 10-7 m (= 0,8 µm)

ultra-violet
ν de 6 1016 Hz à 7,5 1014 Hz

λ de 4 10-7 m = 0,4 µm à 8 10-7 m = 0,8 µm

Visible
ν de 7,5 1014 Hz à 3,75 1014 Hz

λ de 8 10-7 m = 0,8 µm à 10-3 m

infra-rouge
ν de 3,75 1014 Hz à 3 1011 Hz

λ de 10-3 m à 1 m
micro-ondes
ν de 3 1011 Hz à 3 108 Hz

λ de 1 m à 105 m
ondes radio
ν de 3 108 Hz à 3.000 Hz

λ > 105 m
ondes longues
ν < 3.000 Hz

Remarque : Les ondes hertziennes, les micro-ondes, les radiations infrarouges, la lumière, les
rayons ultraviolets, les rayons X, les rayons  sont toutes des ondes électromagnétiques.

Les ondes radio et radar n’ont pas d’effets biologiques connus (excepté peut-être de cuire les
poulets dans les fours à micro-onde).

4
1.4.1. Domaine visible

Pour le domaine des ondes visibles, l’intervalle de longueurs d’onde est souvent donné avec des
valeurs arrondies [400 nm ; 800 nm] plus faciles à retenir.

1.4.2. Rayonnement infrarouge

D’une façon générale, tous les corps chauffés émettent de l’énergie sous forme d’infrarouge, même
s’ils ne sont pas lumineux.

1.4.3. Rayonnement ultraviolet

Les sources d’ultraviolets, sont, avant tout, naturelles : le Soleil et les étoiles produisent des
ultraviolets.

Les ultraviolets (UV) sont des ondes électromagnétiques dont les longueurs d’onde sont comprises
entre 10 et environ 400 nm.

1.4.4. Rayonnement du corps noir

Le rayonnement thermique émis par un corps chauffé correspond à l’émission d’ondes

électromagnétiques.

Lorsqu’un corps reçoit un rayonnement, il en absorbe une partie et diffuse le reste.

Le cas idéal d’un corps qui absorbe tous les rayonnements (quelle que soit la longueur d’onde) et
qui ne diffuse rien est appelé « corps noir ».

Remarque : Un corps noir peut être très lumineux (cas du Soleil) car il absorbe les rayonnements
qu’il reçoit de l’extérieur mais il émet des radiations du fait de son activité propre.

1.5 Sources de rayonnement fabriquées par l’Homme

L’homme sait également fabriquer des sources de rayonnement sur l’ensemble du spectre
électromagnétique.

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➜Les rayonnements gamma et X

L’homme sait fabriquer des rayons gamma et X à partir d’éléments radioactifs. Ils sont utilisés en
médecine et dans l’industrie.

Rechercher quels sont les deux premiers scientifiques qui ont permis la fabrication d’une source de
rayons X. Expliquer rapidement le principe du premier tube à rayons X.

➜Le rayonnement UV

On utilise des lampes à vapeur (gaz) ; une décharge électrique dans les gaz à basse pression excite
les électrons qui, en se réorganisant, produisent des UV.

La lampe à vapeur de mercure (rayonnement UV de 0,2 à 0,4 μm).

➜Le rayonnement visible

Tout corps solide porté à haute température émet un spectre continu de radiations. Plus la
température est élevée et plus le spectre s’enrichit en radiations de courtes longueurs d’onde (vers le
violet).

A faible pression, de nombreux gaz, subissant par exemple une décharge électrique, émettent des
radiations distinctes ; on obtient un spectre de raies.

Les filaments chauffes à haute température, les tubes à gaz sous faible pression, les lasers sont des
sources de lumière.

➜Le rayonnement IR

En 1800, W. Herschel observe que, suivant la couleur du filtre optique qu’il utilise dans ses
télescopes, sa sensation de chaleur a l’œil varie avec la sensation de lumière. En décomposant la
lumière a l’aide d’un prisme, il s’est aperçu qu’un thermomètre place au-delà du rouge mesurait une
température plus grande que celle de l’air ambiant.

Une ampoule émet de la lumière parce que le filament est chauffe par le passage du courant ; le
filament chauffe rayonne de la lumière visible et des IR. D’une façon générale, tous les corps
chauffent émettent de l’énergie sous forme d’infrarouges même s’ils ne sont pas lumineux.

➜Les ondes radio

Une onde radio peut être produite par les vibrations des électrons libres présents dans un circuit
électrique sous l’influence d’une tension électrique variable (oscillations électriques). Les
oscillations électriques sont transférées à une antenne radioélectrique qui permet d’émettre l’onde
radio électromagnétique.
Exemple : Emetteur radio FM, téléphone portable…
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1.6 Lumière et énergie

Pour émettre de la lumière, une lampe de poche consomme de l’énergie électrique fournie par les
piles. Inversement lorsque la lumière est absorbée par des panneaux photovoltaïques celle-ci est
transformée en énergie électrique. La lumière transporte de l’énergie.

La radiation lumineuse peut être caractérisée par sa fréquence ou par sa longueur d’onde dans le
vide. La longueur d’onde dépend du milieu de propagation alors que la fréquence est une grandeur
invariable quel que soit le milieu de propagation.

La fréquence ν (en hertz Hz) est une grandeur invariable et est liée à la longueur d’onde (en mètres)

dans le vide avec la relation ou C est la célérité /// vélocité la lumière dans le vide (m.s-1).

1.7 La lumière : onde ou particule ?

1.7.1. Insuffisance du modèle ondulatoire

Un modèle ondulatoire de la lumière est indispensable pour expliquer la propagation de la lumière

et certaines de ses propriétés telles que la diffraction et les interférences, mais il est insuffisant pour
décrire les échanges d’énergie avec la matière.

1.7.2. Le photon

Les transferts d’énergie entre matière et lumière sont discontinus ou quantifiés. Ils ne peuvent se
faire que par «paquets d’énergie» contenant chacun une énergie bien déterminée. Un «paquet
d’énergie» est appelé un quantum (au pluriel : des quanta).

Un quantum d’énergie lumineuse est appelé photon.

1.7.3. L’énergie du photon

À toute onde électromagnétique on peut donc associer un corpuscule énergétique se propageant à la

vitesse de la lumière, le photon. On admettra qu’une onde électromagnétique peut s’interpréter
comme un « flux » de photons.

L’énergie E d’un photon (en J) est liée à la fréquence ν du rayonnement par la relation : E = hν avec
h une constante universelle appelée constante de Planck (h=6,63 x 10-34J.s).

1.7.4. La lumière : onde et particules

On peut modéliser la lumière par un déplacement de particules de masse nulle : on dit pour cela que
la lumière a une nature corpusculaire. La nature de la lumière est à la fois ondulatoire et
corpusculaire : ces deux aspects sont nécessaires pour une description complète des propriétés de la
lumière.
7
 Définition corpusculaire

En physique, la dualité onde-corpuscule ou dualité onde-particule est un principe selon lequel tous
les objets de l'univers microscopique présentent simultanément des propriétés d'ondes et de
particules. Ce concept fait partie des fondements de la mécanique quantique. L'exemple le plus
connu est sûrement celui de la lumière, qui présente deux aspects complémentaires selon la façon
dont on l’étudie : la lumière est à la fois un phénomène ondulatoire, d’où le concept de longueur
d’onde, et un phénomène corpusculaire, comme en témoignent les photons. Cette dualité tente de
rendre compte de l'inadéquation des concepts conventionnels de « corpuscules » ou d'« ondes », pris
isolément, à décrire le comportement des objets quantiques. L'idée de la dualité prend ses racines
dans un débat remontant aussi loin que le XVII siècle, quand s'affrontaient les théories concurrentes
de Christiaan Huygens, qui considérait que la lumière était composée d'ondes, et celle de Isaac
Newton, qui considérait la lumière comme un flot de corpuscules. À la suite des travaux d'Albert
Einstein, de Louis de Broglie et de bien d'autres, les théories scientifiques modernes accordent à
tous les objets une double nature d'onde et de corpuscule, bien que ce phénomène ne soit
perceptible qu'à l'échelle de l'atome.

Onde ou corpuscule, c'est l'absence de représentation plus adéquate de la réalité des phénomènes
qui nous oblige, selon le cas, à adopter un des deux modèles.

1.8. Quantification des niveaux d’énergie de la matière

La découverte du photon et l’étude des spectres de raies atomiques ont permis aux physiciens de
comprendre la structure des atomes.

L’atome ne peut exister que dans certains états d’énergie bien définis caractéristiques de l’élément;
chaque- état est caractérisé par un niveau d’énergie.

La perte d’énergie d’un atome excité passant du niveau d’énergie Ep vers un niveau inférieur En
s’accompagne de l’émission d’un photon d’énergie tel que :

ΔE =Ep −En = h ν.

L’absorption d’énergie lumineuse par un atome ne peut se faire que si l’énergie du photon permet
une transition d’un niveau En à un niveau supérieur Ep tel que :

ΔE =Ep −En =h ν.

8
1.8.1. Quantification des énergies de l’atome

À chaque répartition des électrons sur les couches électroniques correspond un niveau d’énergie de
l’atome. Pour qu’un électron passe d’une couche électronique à une couche électronique supérieure,
l’atome doit recevoir une certaine quantité d’énergie : cette quantité d’énergie est égale à la
différence d’énergie entre les deux niveaux. Lors de la transition inverse, l’atome cède la même
quantité d’énergie.

1.8.1.1. Niveaux d’énergie

Les énergies pouvant être échangées par un atome au repos sont quantifiées : elles ne peuvent
prendre que des valeurs discrètes. Par conséquent, l’énergie de l’atome est quantifiée et ne peut
prendre que des valeurs discrètes correspondant aux différents niveaux d’énergie.

1.8.1.2. État fondamental - état excité

Lorsque l’atome est à son niveau d’énergie le plus bas, on dit qu’il est dans son état fondamental.
Sinon il est dans son état dit exciter.

1.8.1.3. Transition électronique

Un changement de niveau s’appelle une transition ; on symbolise une transition par une flèche
verticale sur le diagramme d’énergie de l’atome.

Figure : Diagramme d’énergie de l’atome

9
1.8.2. Interprétation des spectres atomiques

1.8.2.1. Spectre de raies d’émission : émission d’un photon

Si l’atome passe d’un niveau d’énergie initiale Ei vers un niveau d’énergie finale Ef inférieur alors
l’atome cède de l’énergie et cette transition s’accompagne de l’émission d’un photon. Si ce photon
correspond à une radiation visible alors on observe une raie d’émission dans le spectre de l’atome.

1.8.2.2. Spectre d’absorption : absorption de photon

Si l’atome passe d’un niveau d’énergie initiale Ei vers un niveau d’énergie finale Ef supérieur alors
l’atome absorbe de l’énergie, la transition s’accompagne de l’absorption d’un photon. Si ce photon
correspond à une radiation visible alors on observe une raie d’absorption noire dans le spectre
d’absorption.

1.8.2.3. Signature de l’atome

Pour chaque atome, les niveaux d’énergie ont des valeurs particulières et par conséquent les raies
d’émission ou d’absorption ont des valeurs caractéristiques de l’atome : les spectre d’émission est la
signature de l’atome.

1.8.3. De l’atome aux étoiles : le spectre solaire

Le spectre solaire est constitué par le spectre de la lumière blanche, appelé fond continu, auquel se
superpose un spectre de raies d’absorption constitué d’environ vingt mille raies sombres.

Figure : État de la lumière à différents stades entre son émission et sa réception sur Terre
10
Le fond continu du spectre solaire est dû au rayonnement thermique de la photosphère.

Le spectre de raies d’absorption caractérise les éléments présents dans la chromosphère.

Remarque : le spectre solaire observé depuis le sol terrestre contient en plus quelques raies
d’absorption dues à l’atmosphère terrestre.

1.9 Grandeurs & Unités de mesures

1.9.1. Le flux lumineux

Quantité d’énergie lumineuse émise par unité de temps

Unité = lumen [lm]

Incandescence Décharge

75 watts 70 watts

1055 lumens 5600 lumens

1.9.2. L’éclairement

Quantité d’énergie lumineuse reçue par unité de temps

Unité: lumen/m2 (lux)

11
Exemple :

 Une surface d’1 m2 bénéficiant d’un éclairement uniforme de 100 lux reçoit un flux de :

100 lumens

(100 lumens x 1 m2 = 100 lm/ m2 = 100 lux)

 Une surface de 20 cm2 bénéficiant d’un éclairement uniforme de 1000 lux reçoit un flux de :

200 lumens

(1000 lm. m-22 x 0.2 m2 = 200 lm)

 Une surface de 5 m2recevant un flux de 2000 lumens bénéficie d’un éclairement moyen de :

400 lux

(2000 lumens / 5 m2 = 400 lux)

Valeurs typiques

Pleine lune Ciel couvert Plein soleil

0.01 lux 2000 lux 100000 lux

Niveaux recommandés
12
 Exigence Eclairement

Très Elevées 750-1000lux

Elevées 500 lux

Moyennes 300 lux

Grossières 200 lux

Faibles 150 lux

Très Faibles 100 lux

 L’éclairement décroît proportionnellement au carré de la distance

 L’éclairement décroît en fonction de l’angle d’incidence des rayons

13
1.9.3. L’intensité lumineuse

Flux lumineux émis dans une direction donnée

Unité: candela

Intensité d’une bougie = 1 candela

Perceptible (par temps clair) à 27 km

1.10 Interactions rayonnement matière

Entre le moment où le rayonnement électromagnétique est émis et le moment où il est analysé

par le capteur, le signal va être perturbé par les interactions avec l’environnement dans lequel il
se propage. Dans le cas des planètes, il va d’abord s’agir de l’atmosphère composée notamment
de gaz et d’aérosols. La seconde interaction est liée à la surface planétaire elle-même. Le signal
contient alors l’information qui nous intéresse, à savoir la composition minéralogique de la
portion de surface observée. La perturbation due à l’atmosphère peut être gênante car elle
masque une partie du signal provenant de la surface. Il faut donc distinguer les différents
processus à l’origine des variations spectrales.

14
 1.10.1 Rayonnement électromagnétique et changement de milieu

Lorsqu’un rayonnement électromagnétique rencontre une transition entre deux milieux, trois
types d’effets vont intervenir suivant la nature de la surface de transition (Fig. 5). A plus petite
échelle, l’extinction particulaire définit la perturbation subie par le rayonnement lorsqu’il
interagit avec une particule. Elle comprend les phénomènes d’absorption et de diffusion et peut
être vue comme la somme des sections efficaces, se rapportant à ces deux phénomènes. Une
section efficace, est une surface quantifiant l’effet d’une perturbation sur un objet, ou la
probabilité qu’une réaction se produise en fonction de la surface

Figure 5 : Les types d’interactions possibles entre un rayonnement incident et une transition entre
deux milieux de natures différentes : réflexion et/ou réfraction, diffusion et absorption

1.10.2. Réflexion et réfraction

Lorsque la surface est plane par rapport à la longueur d’onde du rayonnement incident, le
rayonnement est réfléchi selon les lois de l’optique géométrique. La réflexion est dite de type
spéculaire si l’angle d’incidence est égal à l’angle de réflexion. Dans ce premier cas, le
rayonnement est totalement réfléchi vers l’observateur mais il ne contient aucune information sur la
nature de la surface.

Si le second milieu (Fig. 5) est plus ou moins transparent aux ondes, le rayonnement peut aussi être
transmis au travers de celui-ci. Il pénètre le second milieu où il est réfracté et le traverse avec une
direction de propagation différente. Cette fraction du rayonnement initial n’est pas observée puisque
non renvoyée vers l’observateur, sauf si le rayonnement interagit de nouveau avec un milieu de
nature différente et que la nouvelle direction de propagation coïncide avec l’observateur.

1.10.3. Diffusion

A petite échelle, dans un milieu dilué, le rayonnement électromagnétique peut interagir avec les
particules en suspension. Dans le cas de la diffusion simple, une partie de ce rayonnement est
redistribué dans l’espace après la rencontre avec une particule. Celle-ci joue alors le rôle de
discontinuité optique et la redistribution dans l’espace est fonction d’une loi angulaire propre à la
particule. Dans le cas d’interactions consécutives avec plusieurs particules, le terme diffusion
15
multiple est employé. A plus grande échelle, dans le cas de milieux granulaires compacts tel que le
régolite planétaire, la diffusion peut intervenir si la surface est rugueuse au regard de la longueur
d’onde. Dans ce cas, la réflexion diffuse correspond à une rediffusion de l’énergie dans toutes les
directions dans l’hémisphère d’où provient le rayonnement. De plus, la diffusion multiple provenant
des particules avoisinantes est à prendre en compte, tout comme les effets d’ombrage induits.

Les caractéristiques de la diffusion vont donc être dépendantes à la fois de la taille des particules et
de la longueur d’onde du rayonnement incident. On peut distinguer trois types de diffusion :

• Si les particules sont de tailles grandement inférieures à la longueur d’onde il s’agit de la diffusion
de Rayleigh. Dans la gamme de longueurs d’onde utilisées, les molécules (taille autour de 0.1 nm)
et petites particules de poussières sont donc concernées par ce type de comportement. La diffusion
de Rayleigh disperse et dévie de façon plus importante les courtes longueurs d’onde que les grandes
: elle est proportionnelle à λ-4. La diffusion est d’autant plus marquée que les éléments diffusants
sont nombreux.

• Si les particules sont de tailles grandement supérieures à la longueur d’onde il s’agit de la

diffusion non-sélective. Ce régime de diffusion est régi par les lois de l’optique géométrique et
affecte toutes les longueurs d’onde.

• Si les particules sont de tailles proches de la longueur d’onde il s’agit de la diffusion de Mie. Ce
type de diffusion s’applique aux aérosols et gouttelettes d’eau dans les nuages et affecte les plus
grandes longueurs d’onde (proportionnelle à λ-1). La théorie de Mie permet toutefois de prendre en
compte la diffusion due à une particule sphérique isolée quelle que soit sa taille. Il est alors possible
de faire la relation entre les indices optiques des matériaux et les sections efficaces de diffusion et
d’absorption.

On voit ici que les phénomènes de diffusion sont prépondérants dans les couches gazeuses et les
milieux granulaires de surface.

1.10.4 Absorption

L’absorption désigne un processus qui dissipe l’énergie électromagnétique dans un milieu, c’est-à-
dire le phénomène par lequel l’énergie d’un photon est transmise à une autre particule. La loi de
Beer-Lambert est une relation empirique qui décrit ce phénomène. Pour une longueur d’onde
donnée, la relation s’écrit :

Où I est l’intensité du rayonnement en sortie, l’intensité du rayonnement en entrée, α le

coefficient d’absorption du milieu et X la longueur du trajet optique. Le coefficient α dépend à la

16
fois de la longueur d’onde et de l’indice de réfraction k de la matière traversé. La relation qui les
unit est la suivante :

α=

L’absorption sur un spectre est liée à deux composantes : le continuum et les absorptions
particulières, comme celles liées à la minéralogie. Le continuum correspond à l’absorption de fond,
c’est-à-dire le niveau moyen de réflectance du spectre, sur lequel les absorptions spécifiques vont se
superposer. Clark et Roush (1984) définissent donc le continuum comme étant l’enveloppe du
spectre de réflectance. La profondeur d’une bande d’absorption D se définit alors par rapport au
continuum :

Avec la valeur de réflectance du continuum et celle du spectre à la même longueur d’onde

(Clark et Roush, 1984, Clark, 1995). La profondeur de l’absorption va dépendre de l’abondance de
l’absorbant et de la taille des grains.

Étant donné que la spectroscopie de réflectance se base sur l’étude des absorptions présentes dans
un spectre, l’origine des absorptions sera développée plus en détail dans les parties suivantes.

1.11 Photoconductivité

La photoconductivité survient chaque fois que la résistance électrique d'un corps varie lorsqu'on
l'éclaire avec un rayonnement électromagnétique appartenant à tous les domaines du spectre
lumineux (domaine visible, ultra-violet et infrarouge).

Principe

Ce phénomène s'observe sur les matériaux semi-conducteurs hautement résistifs. Une lumière avec
une fréquence (donc une énergie) suffisante va restituer suffisamment d'énergie aux électrons de la
bande de valence pour atteindre la bande de conduction. Les électrons résultants et leurs trous
associés vont permettre la conductivité électrique, donc la diminution de la résistance.

Un matériau photoélectrique peut l'être de manière intrinsèque ou extrinsèque. Dans le 1ercas, seuls
les électrons dans la bande de valence du matériau pourront être excités, et un photon doit avoir
suffisamment d'énergie pour exciter les électrons à travers la bande interdite. Dans le 2ème cas, des
impuretés sont ajoutées au matériau, celles-ci possédant un état énergétique proche de celui de la
bande de conduction. Cela a pour effet de faciliter le transfert des électrons, et le matériau a besoin
de photons moins énergétiques, donc une longueur d'onde plus grande, et une plage d'utilisation
plus importante.
17
Le sulfure de cadmium est généralement utilisé de par ses propriétés. Sa plage de résistivité peut
atteindre 600  en pleine lumière à 1 M dans l'obscurité. Il est sensible à un large spectre de
fréquence, allant de l'infrarouge à l'ultraviolet.

1.12 Détecteur par photo-ionisation

Un détecteur par photo-ionisation (en anglais, Photon Ionisation Detector : PID) permet de
connaître la composition d’un gaz. Cet instrument mesure les COV (composés organiques volatils)
et les autres gaz pour des concentrations allant de 1 ppb (partie par milliard) à 10 000 ppm (partie
par million). Il permet de connaître la composition d'un gaz immédiatement et de le contrôler en
continu. Les détecteurs par photo-ionisation sont largement employés dans l'industrie et l'armée. En
2011, ce détecteur de gaz le plus efficace et le moins cher.

Il est notamment utilisé pour :

 La mesure de niveaux minimum d'exposition ;
 La détection de l'ammoniac ;
 La manutention (influence) de matériaux dangereux ;
 Les enquêtes sur les incendies d'origine criminelle ;
 L'hygiène et la sécurité industrielle ;
 La qualité de l'air intérieur (QAI) ;
 L'identification de sols pollués (dépollution) ;
 L'entretien des salles blanches.

Figure : Un détecteur par photo-ionisation (la sonde apparaît devant l'appareil qui mesure et affiche
les concentrations de gaz).

1.12.1 Principe

Un détecteur par photo-ionisation est un détecteur d'ions utilisant des photons énergétiques (par
exemple dans la gamme des ultraviolets) pour ioniser les molécules de gaz. Le gaz est bombardé
par des photons, ce qui permet d'arracher des électrons aux molécules du gaz, les transformant ainsi
18
en cations (un cation est un ion qui, ayant cédé un ou plusieurs électrons, porte une ou plusieurs
charges électriques positives). Le gaz est alors ionisé (on parle de plasma), ce qui permet
l'établissement d'un courant électrique, qui est le signal de sortie. Ce courant est alors amplifié et
affiché sur un ampèremètre.

1.12.2 Applications

Un détecteur par photo-ionisation ne détecte que les composants qui ont une énergie d'ionisation
inférieure ou égale à l'énergie des photons émis par le détecteur. Cette sélectivité peut être utile pour
rechercher un composant spécifique dans un mélange gazeux.

Ce type de détecteur est non destructif, car il ne modifie pas les composés qu'il détecte. Il peut par
conséquent être utilisé en amont d'autres détecteurs.

1.13. Spectrométrie photo-électronique X

La spectrométrie photo-électronique X, ou spectrométrie de photoélectrons induits par rayons X (en

anglais, X-Ray photoélectron-spectrometry : XPS) est une méthode de spectrométrie photo-
électronique qui implique la mesure des spectres de photoélectrons induits par des photons de rayon
X.

Elle a été mise au point à l'université d'Uppsala (Suède) dans les années 1960, sous la direction de
Kai Siegbahn, ce qui lui a valu le prix Nobel en 1981. La méthode était anciennement nommée
ESCA (Electron-Spectroscopy for Chemical Analysis : spectroscopie d'électron pour l'analyse
chimique).

L'échantillon est irradié par des rayons X monochromatiques qui provoquent l'ionisation de ses
atomes par effet photoélectrique (voir l'article Interaction rayonnement-matière). L'énergie
cinétique Ec de ces photoélectrons est mesurée, ce qui donne le spectre de l'intensité des électrons
en fonction de l'énergie mesurée.

1.13.1 Principe

Chaque photon X incident a la même énergie h.ν, puisque le faisceau est monochromatique (h étant
la constante de Planck et ν la fréquence de l'onde lumineuse incidente). Lors de l'interaction avec
l'atome, une partie de cette énergie sert à rompre la liaison, c'est l'énergie de liaison, E L ; le reste est
transféré à l'électron sous la forme d'énergie cinétique.

Le spectre en énergie cinétique présente donc des pics, et l'on peut déterminer l'énergie de liaison
correspondant à chaque pic par la relation d'Einstein :

19
 EL = Énergie de liaison [J]
Ec = Énergie cinétique électronique [J]
h = Constante de Planck [J s] (~6,626 0 755×10−34)
v = Fréquence de radiation [s−1]

L'énergie du photon X incident est de l'ordre de grandeur de l'énergie d'ionisation des électrons de
cœur : leur émission donne les pics XPS essentiellement caractéristiques, donc, de la nature de
l'atome ; alors que l'information chimique (surtout le degré d'oxydation) est tirée des petits
déplacements du pic XPS correspondant à la variation d'énergie entre couches de valence, cette
dernière (correspondant aux domaine de l'UV/visible/proche IR en général) est faible devant celle
des rayons X.

On a finalement accès à la composition chimique de la surface du matériau analysé sur une

profondeur de 10 nanomètres environ, par comparaison avec des spectres connus. Des analyses
semi-quantitatives peuvent être également extraites des spectres XPS normalisés en se basant sur
l'intégrale des pics.

Figure : Principe de la spectrométrie photo-électronique par rayons X.

1.14 Effet photoélectrique

L’effet photoélectrique (EPE) désigne en premier lieu l'émission d'électrons par un matériau
soumis à l'action de la lumière. Par extension, il regroupe parfois l'ensemble des phénomènes
électriques d'un matériau provoqués par l'action de la lumière. On distinguera alors deux effets : des
électrons sont éjectés du matériau (émission photoélectrique) et une modification de la conductivité
du matériau (photoconductivité, effet photovoltaïque lorsqu'il est en œuvre au sein d'une cellule
photovoltaïque, effet photo-électrochimique, effet photo-résistif).

20
Lorsque l'EPE se manifeste, toute l'énergie du photon incident se transmet à l'électron périphérique.
Une quantité d'énergie minimale est nécessaire pour extraire l'électron de l'atome, l'énergie
excédentaire est transmise à l'électron sous forme d'énergie cinétique. Une absorption partielle est
caractérisée par la diffusion Compton.

Figure :Un schéma montrant l'émission d'électrons depuis une plaque métallique. L'émission de
chaque électron (ligne bleue) requiert une quantité minimale d'énergie, laquelle est apportée par un
photon (ligne rouge).

1.14.1 Histoire

En 1839, Antoine Becquerel et son fils Alexandre Edmond présentent pour la première fois un effet
photoélectrique. Leur expérience permet d'observer le comportement électrique d'électrodes
immergées dans un liquide, modifié par un éclairage.

Il a été compris et présenté en 1887 par Heinrich Rudolf Hertz qui en publia les résultats dans la
revue scientifique Annal en des Physik.

Albert Einstein fut le premier, en 1905, à en proposer une explication, en utilisant le concept de
particule de lumière, appelé aujourd'hui photon, et celle du quantum d'énergie initialement
introduits par Max Planck en 1900 dans le cadre de l'explication qu'il proposa lui-même pour
l'émission du corps noir. Einstein a expliqué que ce phénomène était provoqué par l'absorption de
photons, les quanta de lumière, lors de l'interaction du matériau avec la lumière. Cette explication
lui valut le prix Nobel de physique en 1921.

1.14.2 Définition

L'effet photoélectrique est l'émission d'électrons par un matériau, généralement métallique lorsque
celui-ci est exposé à la lumière ou un rayonnement électromagnétique de fréquence suffisamment
élevée, qui dépend du matériau.

Dans l'effet photoélectrique, on éclaire une plaque de métal et celle-ci émet des électrons.

21
1.14.3 Constatations expérimentales de l'émission photoélectrique

1. Les électrons ne sont émis que si la fréquence de la lumière est suffisamment élevée et
dépasse une fréquence limite appelée fréquence seuil.

2. Cette fréquence seuil dépend du matériau et est directement liée à l'énergie de liaison des
électrons qui peuvent être émis.

3. Le nombre d'électrons émis lors de l'exposition à la lumière, qui détermine l'intensité du

courant électrique, est proportionnel à l'intensité de la source lumineuse.

4. La vitesse des électrons émis ne dépend pas de l'intensité de la source lumineuse.

5. L'énergie cinétique des électrons émis dépend linéairement de la fréquence de la lumière

incidente.

6. Le phénomène d'émission photoélectrique se produit dans un délai extrêmement petit

inférieur à 10-9 s après l'éclairage, ce qui rend le phénomène quasi instantané.

1.14.4 Interprétation et explication

Cet effet ne peut pas être expliqué de manière satisfaisante lorsque l'on considère que la lumière est
une onde, la théorie acceptée à l'époque, qui permet d'expliquer la plupart des phénomènes dans
lesquels la lumière intervient, tel l'optique, et qui était traduite mathématiquement par la théorie de
James Clerk Maxwell.

En effet, si l'on considère la lumière comme une onde, en augmentant son intensité et en attendant
suffisamment longtemps, on devrait pouvoir fournir suffisamment d'énergie au matériau pour en
libérer les électrons. L'expérience montre que l'intensité lumineuse n'est pas le seul paramètre, et
que le transfert d'énergie provoquant la libération des électrons ne peut se faire qu'à partir d'une
certaine fréquence.

L'interprétation d’Einstein, l'absorption d'un photon, permettait d'expliquer parfaitement toutes les
caractéristiques de ce phénomène. Les photons de la source lumineuse possèdent une énergie
caractéristique déterminée par la fréquence de la lumière. Lorsqu'un électron du matériau absorbe
un photon et que l'énergie de celui-ci est suffisante, l'électron est éjecté; sinon l'électron ne peut
s'échapper du matériau. Comme augmenter l'intensité de la source lumineuse ne change pas
l'énergie des photons mais seulement leur nombre, on comprend aisément que l'énergie des
électrons émis par le matériau ne dépend pas de l'intensité de la source lumineuse.

Après l'absorption du photon par l'atome, le photoélectron émis à une énergie

22
où est l'énergie de liaison du photoélectron.

L'effet photoélectrique domine aux faibles énergies, mais la section efficace croît rapidement avec
le numéro atomique Z :

Où varie de 4 à 5.

À des énergies et des numéros atomiques où ce processus est important, l'électron émis est absorbé
sur une distance très courte de telle manière que toute son énergie est enregistrée dans le détecteur.
Les rayons X qui sont émis dans la réorganisation du cortège électronique à la suite de l'émission de
l'électron sont également absorbés dans le milieu.

Dans la littérature, "Radiation Oncology Physics : A Handbook for Teachers and Students. E.B.

Podgorsak", il est également possible de trouver cette équation :

1.14.5 Applications

Effet photoélectrique externe : un tube photomultiplicateur (PMT en anglais) est une

application directe de cet effet. L'électron créé par le rayonnement incident est ensuite
multiplié grâce à un système de dynodes, à tension progressive.
Effet photoélectrique interne : il se déroule dans un semi-conducteur. C'est l'excitation
d'un électron dans la bande de conduction qui donne en général lieu à un courant. Celui-ci
peut être mesuré pour servir de détecteurs (photodiode, cellule photoélectrique) ou récolté
pour fournir de l'électricité (cellule photovoltaïque).

1.15. Énergie solaire photovoltaïque

L’énergie solaire photovoltaïque est une énergie électrique produite à partir du rayonnement solaire.
L'énergie produite par une centrale solaire photovoltaïque est dite renouvelable, car sa source est
considérée comme inépuisable à l'échelle de temps humaine.

Cette énergie n'est cependant pas totalement renouvelable, car la fabrication des panneaux
photovoltaïques, leur installation et leur exploitation consomment de l'énergie issue en grande partie
de sources non renouvelables ; mais un système photovoltaïque produit entre 20 et 40 fois plus
d'énergie que ce qui a été utilisé pour le fabriquer.

La cellule photovoltaïque est le composant électronique de base. Elle utilise l'effet photoélectrique
pour convertir les ondes électromagnétiques émises par le soleil en électricité. Plusieurs cellules

23
reliées entre elles forment un module solaire photovoltaïque. Plusieurs modules regroupés forment
une installation solaire. L'électricité est soit consommée ou stockée sur place, soit transportée par le
réseau de distribution et le réseau de transport.

En Novembre 2015 a été lancée l'Alliance internationale pour l'énergie solaire (ou ISA pour «
International solar alliance »), projet porté par Narendra Modi (Premier ministre indien, visant à
réunir les états riches en ressource solaire pour coordonner les politiques de développement du
solaire thermique et photovoltaïque (formation, développement de standards communs, partage
d'expériences, co-entreprises...). La cérémonie de lancement, organisée par l'Inde et la France, a eu
lieu lors de la COP21 à Paris, avec le soutien du secteur privé selon Engie.

1.15.1. Cellule photovoltaïque

Une cellule photovoltaïque également dénommée cellule solaire est un composant électronique qui,
exposé à la lumière (photons), produit de l’électricité grâce à l’effet photovoltaïque qui est à
l’origine du phénomène. Le courant obtenu est proportionnel à la puissance lumineuse incidente. La
cellule photovoltaïque délivre une tension continue.

Les cellules photovoltaïques les plus répandues sont constituées de semi-conducteurs,

principalement à base de silicium (Si) et plus rarement d’autres semi-conducteurs : séléniure de
cuivre et séléniure d'indium (CuIn(Se)2 ou CuInGa(Se)2), tellurure de cadmium (CdTe), etc. Elles se
présentent généralement sous la forme de fines plaques d’une dizaine de centimètres de côté.

Les cellules sont souvent réunies dans des modules solaires photovoltaïques ou panneaux solaires,
en fonction de la puissance recherchée.

Figure : Cellule photovoltaïque en silicium monocristallin & cellule photovoltaïque 4 pouces en

silicium poly-cristallin.
24
1.15.2. Histoire

La fabrication de la première cellule solaire en matériaux à l'état solide (solidsate) est attribuée à
Charles Fritts en 1883.

Plus tard, le sélénium puis le silicium (qui a finalement pour des raisons de coût supplanté le
cadmium-tellure ou le cadmium-indium-sélénium également testés) se sont montrés aptes à la
production des premières cellules photovoltaïques : posemètres pour la photographie dès 1914, et
surtout grâce au rêve de Hassan Kamel Al-Sabbah qui voulait faire du Moyen-Orient un Sahara
Vert, ainsi qu'à ses nombreux travaux arrêtés prématurément à sa mort. Enfin, les travaux de Gerald
Pearson 40 ans plus tard (en 1954) pour la production électrique permirent d'enfin aboutir. La
recherche porte également aujourd’hui sur des polymères et matériaux organiques (éventuellement
souples) susceptibles de remplacer le silicium.

1.15.3. Principe de fonctionnement

Dans un semi-conducteur exposé à la lumière, un photon d'énergie suffisante arrache un électron à

la matrice, créant au passage un « trou ». Normalement, l'électron trouve rapidement un trou pour se
recombiner, et l'énergie apportée par le photon est ainsi dissipée. Le principe d'une cellule
photovoltaïque est de forcer les électrons et les trous à se diriger chacun vers une face opposée du
matériau au lieu de se recombiner en son sein : ainsi, il apparaîtra une différence de potentiel et
donc une tension entre les deux faces, comme dans une pile.

L'une des solutions, couramment utilisée, pour extraire sélectivement les électrons et les trous
utilise un champ électrique au moyen d'une jonction PN, entre deux couches dopées respectivement
P et N :

25
 La couche supérieure de la cellule est composée d'un semi-conducteur dopé N. Dans cette
couche, il existe une quantité d'électrons libres supérieure à celle du matériau intrinsèque (i.e.
non dopé), d'où l'appellation de dopage N, comme négatif (charge de l'électron). Le matériau
reste électriquement neutre : c'est le réseau cristallin qui supporte globalement une charge
négative.

 La couche inférieure de la cellule est composée d'un semi-conducteur dopé P. Cette couche
possédera donc en moyenne une quantité d'électrons libres inférieure à celle du matériau
intrinsèque (i.e. non dopé), les électrons sont liés au réseau cristallin qui, en conséquence, est
chargé positivement. La conduction électrique est assurée par des trous, positifs (P).

Figure : Structure d'une cellule photovoltaïque.

Au moment de la création de la jonction P-N, les électrons libres de la région N diffusent dans la
couche P et se recombinent avec les trous de la région P. Il existera ainsi, pendant toute la vie de la
jonction, une charge positive de la région N au bord de la jonction (parce que les électrons en sont
partis) et une charge négative dans la région P au bord de la jonction (parce que les trous en ont
disparu) ; l'ensemble forme la Zone de Charge d'Espace (ZCE) et il existe un champ électrique entre
les deux, de N vers P. Ce champ électrique fait de la ZCE une diode, qui ne permet le passage du
courant que dans un sens : les électrons peuvent passer de la région P vers la région N, mais pas en
sens inverse ; inversement les trous ne passent que de N vers P.

En fonctionnement, un photon arrache un électron à la matrice, créant un électron libre et un trou.

Ces porteurs de charges diffusent jusqu'à la zone de charge d'espace, là sous l'effet du champ
électrique ils partent chacun à l'opposé : les électrons s'accumulent dans la région N (qui devient le
pôle négatif), tandis que les trous s'accumulent dans la couche dopée P (qui devient le pôle positif).
Ce phénomène est plus efficace dans la ZCE, les porteurs de charges (électrons ou trous) étant
séparés immédiatement par le champ électrique, ou à proximité immédiate de la ZCE : lorsqu'un
photon y crée une paire électron-trou, ils se séparent et ont peu de chance de rencontrer leur opposé,
alors que si la création a lieu plus loin de la jonction, l'électron (resp. le trou) nouveau conserve une

26
grande chance de se recombiner avant d'atteindre la zone N (resp. la zone P). Mais la ZCE est très
mince, aussi n'est-il pas utile de donner une grande épaisseur à la cellule 7.

D'un point de vue électrique, une cellule photovoltaïque est l'équivalent d'un générateur de courant
auquel on a adjoint une diode. Il faut ajouter des contacts électriques (qui laissent passer la lumière
en face éclairée : en pratique, on utilise un contact par une grille), une couche antireflet pour assurer
une bonne transmission des photons vers l'absorbeur.

Pour que la cellule fonctionne, et produise le maximum de courant, on ajuste le gap du semi-
conducteur au niveau d'énergie des photons. On peut éventuellement empiler les jonctions, de façon
à exploiter au mieux le spectre d'énergie des photons, ce qui donne les cellules multi-jonctions.

1.15.4. Cellule photovoltaïque en silicium amorphe

Les cellules photovoltaïques en silicium amorphe sont fabriquées par dépôts sous vide, à partir de
plusieurs gaz, une des techniques les plus utilisées étant la PECVD. La cellule est gris très foncé.
C'est la cellule des calculatrices et des montres dites « solaires ».

Avantage :

 Fonctionne avec un éclairement faible ou diffus (même par temps couvert, y compris sous
éclairage artificiel de 20 à 3000 lux),
 Un peu moins chère que les autres techniques,
 intégration sur supports souples ou rigides.

Inconvénients :

 Rendement faible en plein soleil, de 5 % à 7 %,

 Nécessité de couvrir des surfaces plus importantes que lors de l’utilisation de silicium
cristallin (ratio Wc/m² plus faible, environ 60 Wc/m2),
 Performances qui diminuent avec le temps dans les premiers temps d'exposition à la lumière
naturelle (3-6 mois), pour se stabiliser ensuite (-10 à 20 % selon la structure de la jonction).

1.15.5. Cellule photovoltaïque en silicium monocristallin

Lors du refroidissement, le silicium fondu se solidifie en ne formant qu'un seul cristal de grande
dimension. On découpe ensuite le cristal en fines tranches qui donneront les cellules. Ces cellules
sont en général d'un bleu uniforme.

Avantage :

 bon rendement, de 14 % à 16 % (~150 Wc/m2);

 nombre de fabricants élevé.

27
Inconvénient :

 coût élevé ;
 rendement plus faible sous un faible éclairement ou un éclairement diffus;
 baisse du rendement quand la température augmente.
1.15.6. Cellule photovoltaïque en silicium polycristallin

Pendant le refroidissement du silicium dans une lingotière, il se forme plusieurs cristaux. La cellule
photovoltaïque est d'aspect bleuté, mais pas uniforme, on distingue des motifs créés par les
différents cristaux.

Avantage :

 cellule carrée (à coins arrondis dans le cas du Si monocristallin) permettant un meilleur

foisonnement dans un module,
 bon rendement de conversion, environ 100 Wc/m2 (voire plus)11, mais cependant un peu
moins bon que pour le monocristallin,
 rendement de 9 à 11 %
 lingot moins cher à produire que le monocristallin.
Inconvénient :

 rendement faible sous un faible éclairement ou soleil diffus

Polycristallin ou multicristallin ? On parlera ici de silicium multicristallin (réf. IEC TS 61836,

vocabulaire international photovoltaïque). Le terme polycristallin est utilisé pour les couches
déposées sur un substrat (petits grains).

28
 Chapitre 2 : Propriétés électronique et optique des semi-conducteurs
2.1 Introduction

Les semi-conducteurs sont des matériaux qui ont une résistivité qui varie en fonction de la
température : ρ diminue si T augmente, On peut avoir deux catégories :

• Semi-conducteurs élémentaires :

– Simples : Si, Ge, (colonne IV).

– Complexes : Se (colonne VI).

• Semi-conducteurs composés :

– Binaires : GaAs (meilleur émetteur de lumière que le Si), GaN, SiGe . . .

– Alliages ternaires : Al x Ga 1−x As (dispositifs optoélectroniques comme les diodes lasers,

transistors particuliers).

– Alliages quaternaires : Ga In As P (diodes lasers).

Le graphène (Prix Nobel 2010) : structure de bandes.

1
 Groupe GAZ
1A RARES
1 1,008 2 4,003

H He
1s 1 1s2

1 Hydrogène 2A numéro atomique masse atomique 3A 4A 5A 6A 7A Hélium

3 6,939 4 9,012 4 9,012 5 10,81 6 12,01 7 14,01 8 15,99 9 18,99 10 20,18

Li Be Be B C N O F Ne
1s 22s 1 1s 22s 2 structure électronique 1s 22s 2 symbole solide artificiel 1s 22s 22p1 1s 22s 22p2 1s 22s 22p3 1s 22s 22p4 1s 22s 22p5 1s 22s 22p6

Lithium Beryllium Beryllium liquide Bore Carbone Azote Oxygène Fluor Néon
2 11 23,00 12 24,31 nom gaz 13 26,98 14 28,09 15 30,97 16 32,06 17 36,45 18 39,95

Na Mg Al Si P S Cl Ar
(Ne)3s 1 (Ne)3s 2 (Ne)3s 23p1 (Ne)3s 23p2 (Ne)3s 23p3 (Ne)3s 23p4 (Ne)3s 23p5 (Ne)3s 23p6

3 Sodium Magnésium 3B 4B 5B 6B 7B /------------------------8------------------------\ 1B 2B Aluminium Silicium Phosphore Soufre Chlore Argon

19 39,10 20 40,08 21 44,96 22 47,90 23 50,94 24 52,00 25 54,94 26 55,85 27 58,93 28 58,71 29 63,55 30 65,38 31 69,72 32 72,59 33 74,92 34 78,96 35 79,91 36 83,80

K Ca Sc Ti V Cr Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga Ge As Se Br Kr
(A r)4s 1 (A r)4s 2 (A r)3d14s 2 (A r)3d24s 2 (A r)3d34s 2 (A r)3d54s 1 (A r)3d54s 2 (A r)3d64s 2 (A r)3d74s 2 (A r)3d84s 2 (A r)3d104s 1 (A r)3d104s 2 (A r)3d104s 24p1 (A r)3d104s 24p2 (A r)3d104s 24p3 (A r)3d104s 24p4 (A r)3d104s 24p5 (A r)3d104s 24p6

4 Potassium Calcium Scandium Titane Vanadium Chrome Maganèse Fer Cobalt Nickel Cuivre Zinc Gallium Germanium Arsenic Sélénium Brome Krypton
37 85,47 38 87,62 39 88,91 40 91,22 41 92,91 42 95,94 43 98,91 44 101,1 45 102,9 46 106,4 47 107,9 48 112,4 49 114,8 50 118,7 51 121,8 52 127,6 53 126,9 54 131,3

Rb Sr Y Zr Nb Mo Tc Ru Rh Pd Ag Cd In Sn Sb Te I Xe
(Kr)5s 1 (Kr)5s 2 (Kr)4d15s 2 (Kr)4d25s 2 (Kr)4d45s 1 (Kr)4d55s 1 (Kr)4d55s 2 (Kr)4d75s 1 (Kr)4d85s 1 (Kr)4d105s 0 (Kr)4d105s 1 (Kr)4d105s 2 (Kr)4d105s 25p1 (Kr)4d105s 25p2 (Kr)4d105s 25p3 (Kr)4d105s 25p4 (Kr)4d105s 25p5 (Kr)4d105s 25p6

5 Rubidium Strontium Yttrium Zirconium Niobium Molybdène Technétium Ruthénium Rhodium Palladium Argent Cadmium Indium Étain Antimoine Tellure Iode Xénon
55 132,9 56 137,3 57 198,9 72 178,5 73 180,9 74 183,9 75 186,2 76 190,2 77 192,2 78 195,1 79 197,0 80 200,6 81 204,4 82 207,2 83 209,0 84 210 85 210 86 222

Cs Ba La* Hf Ta W Re Os Ir Pt Au Hg Tl Pb Bi Po At Rn
(Xe)6s 1 (Xe)6s 2 (Xe)5d16s 2 (Xe)4f 145d26s 2 (Xe)4f 145d36s 2 (Xe)4f 145d46s 2 (Xe)4f 145d56s 2 (Xe)4f 145d66s 2 (Xe)4f 145d76s 2 (Xe)4f 145d106s 0 (Xe)4f 145d106s 1 (Xe)4f 145d106s 2 (Xe)4f 145d106s 26p1 (Xe)4f 145d106s 26p2 (Xe)4f 145d106s 26p3 (Xe)4f 145d106s 26p4 (Xe)4f 145d106s 26p5 (Xe)4f 145d106s 26p6

6 Césium Barium Lanthane Tantale Tungstène Rhénium Osmium Iridium Platine Or Mercure Thalium Plomb Bismuth Polonium Astate Radon
87 223 88 226 89 227

Fr Ra Ac**
(Rn)7s 1 (Rn)7s 2 (Rn)6d17s 2

7 Francium Radium Actinium

* 58 140,1 59 140,9 60 144,24 61 145 62 150,35 63 152,0 64 157,3 65 158,9 66 162,5 67 164,9 68 167,3 69 168,9 70 173,0 71 175,0

Ce Pr Nd Pm Sm Eu Gd Tb Dy Ho Er Tm Yb Lu
Lanthanides (Xe)4f 25d06s 2 (Xe)4f 35d06s 2 (Xe)4f 45d06s 2 (Xe)4f 55d06s 2 (Xe)4f 65d06s 2 (Xe)4f 75d06s 2 (Xe)4f 75d16s 2 (Xe)4f 95d06s 2 (Xe)4f 105d06s 2 (Xe)4f 115d06s 2 (Xe)4f 125d06s 2 (Xe)4f 135d06s 2 (Xe)4f 145d06s 2 (Xe)4f 145d16s 2

6 Cérium Praséodyme Néodyme Prométhium Samarium Europium Gadolinium Terbium Dysprosium Holmium Erbium Thulium Ytterbium Lutétium

** 90 232,0 91 231 92 238,0 93 237,1 94 244 95 243 96 247 97 247 98 251 99 254 100 257 101 256 102 254 103 257

Th Pa U Np Pu Am Cm Bk Cf Es Fm Md No (Lw)
Actinides (Rn)5f 06d27s 2 (Rn)5f 26d17s 2 (Rn)5f 36d17s 2 (Rn)5f 56d07s 2 (Rn)5f 66d07s 2 (Rn)5f 76d07s 2 (Rn)5f 76d17s 2 (Rn)5f 76d27s 2 (Rn)5f 96d17s 2

7 Thorium Protactinium Uranium Neptunium Plutonium Américium Curium Berkélium Californium Einsteinium Fermium Mendéléviuml Nobélium Laurencium

Tableau Périodique

2
 Figure 2.1 : Diagramme des longueurs d’onde absorbé par les semi-conducteurs.

2.2 Définir... La théorie des bandes d'énergie

Les semi-conducteurs appartiennent à la classe plus générale des matériaux électroniques. La

conductivité électrique des semi-conducteurs est comprise entre celle des métaux conducteurs et
celle des céramiques isolantes, soit approximativement entre 10-6 et 103mho/cm (mho =1/ = Ʊ).
La majorité des semi-conducteurs est à base de silicium et de germanium. C'est ces matériaux qui
sont à l'origine de l'âge du numérique et de l'informatique, et donc des nombreuses technologies qui
aujourd'hui font partie intégrale de notre vie quotidienne.

Les propriétés électriques particulières de ces matériaux solides, mais aussi des autres matériaux
électroniques, sont expliquées actuellement par la théorie des bandes d'énergie.

Dans un atome isolé, les électrons occupent des niveaux d'énergie particuliers et distincts. Quand
des atomes se rapprochent pour former un solide, le principe d'exclusion de Pauli indique que pas
plus de deux électrons dans le solide peuvent avoir la même énergie. Quand deux atomes se
réunissent pour former une liaison covalente, le même principe de Pauli serait violé si les niveaux
énergétiques des deux électrons de la liaison étaient les mêmes. Par conséquent les niveaux
énergétiques de ces électrons se divisent en deux niveaux d'énergie différents.

Si le nombre d'atomes augmente, ces deux niveaux se subdivisent eux-mêmes en d'autres niveaux
d'énergie très voisins ce qui donne finalement des bandes d'énergie (figure ci-dessous).

3
 Figure 2.2 : Élargissement des niveaux énergétiques des électrons de valence lorsque le nombre
d'atomes rassemblés augmente (schéma simplifié).

• Pour les conducteurs, la bande de valence et la bande de conduction se chevauchent. Les électrons
peuvent donc passer directement dans la bande de conduction et circule dans tout le solide. La
conductivité est bonne.

• Pour les isolants, la bande de valence et la bande de conduction sont séparées par un gap (bande
interdite) de l'ordre de 6 eV.
Cette valeur est trop élevée pour que les électrons passent dans la bande de conduction.

• Pour les semi-conducteurs, la bande de valence et la bande de conduction sont séparées par un gap
plus faible, compris entre 0,5 et 4 eV, mais le plus souvent voisin de 1 eV. Si on apporte cette
énergie aux électrons, certains pourront passer dans la bande de conduction et circuler dans le
matériau. L'apport d'énergie peut se faire par chauffage, par application d'un champ
électromagnétique ou par illumination. A température ambiante la conduction est faible, elle
augmente rapidement avec la température.

4
 Figure 2.3 : Structure en bande dans un isolant, un semi-conducteur et un conducteur.
Les bandes d'énergie correspondent donc aux niveaux d'énergie qui sont permis, ou interdits, aux
électrons, des éléments ou des composés formant le matériau solide. La dernière bande remplie est
appelée bande de valence, la bande immédiatement supérieure bande de conduction. La bande
d'énergie comprise entre ces deux bandes est appelée bande interdite ou plus simplement "gap".

C'est la valeur de l'énergie de cette bande qui va fixer les propriétés électriques du matériau (Figure
ci-dessous).

2.3 Le silicium

Le silicium est un élément chimique de la famille des cristallogènes, de symbole Si et de numéro

atomique 14. C'est l'élément le plus abondant dans la croûte terrestre après l'oxygène, soit 25,7 %
de sa masse, mais il est quasiment absent dans la matière constituant le vivant. Il n'existe pas à l'état
libre, mais sous forme de composés : sous forme de dioxyde de silicium (SiO2), la silice (dans le
sable, le quartz, la cristobalite, etc.), ou d'autres silicates (dans les feldspaths, la kaolinite...). Il est
utilisé depuis très longtemps sous forme d'oxyde de silicium amorphe comme composant essentiel
du verre. Il a depuis le milieu XXe (21ème) siècle de nouveaux usages en électronique (transistor),
pour la production de matériaux tels que les silicones ou, pour fabriquer des panneaux solaires
photovoltaïques.

5
 Tableau 2.1 : information général sur le silicium
2.3.1 Les propriétés physiques

A. Hauteur de la bande interdite (BI)

Tableau 2.2 : Paramètres de la variation de la bande interdite en fonction de la température Eg(0)

est la hauteur de la BI à 0°K, T température en °K, a et b sont des constantes.

2.3.2-Les propriétés électriques

Les propriétés électriques du matériau dépendent des populations électroniques des différentes
bandes permises de la structure électronique. En effet, la conduction électrique résulte du
déplacement des électrons et des trous à l’intérieur de chaque bande. Dans le cas d’un semi-
conducteur, la bande interdite (gap d’énergie entre le dernier niveau occupé de la bande de valence
et le premier niveau vide de la bande de conduction, Figure 2.4) est plus faible que pour les isolants
(Eg<100 kT).

Figure 2.4 : Diagramme de bande du Silicium (Si) à gap indirect.

6
Ainsi, des électrons peuvent être excités depuis la bande de valence dans la bande de conduction par
agitation thermique, ce qui rend le matériau un peu plus conducteur. Sa configuration de bandes
d’énergie est de type indirect (Eg = 1.12 eV à température ambiante et 1.17 eV à 0 K, Figure 2.5),
le silicium étant à gap indirect, le maximum de la bande de valence situé au centre de la zone de
Brillouin (au point Γ) et le bas de la bande de conduction ne coïncident pas dans l’espace k du
vecteur d’onde (Figure 2.5).

Figure 2.5 : structure de bandes d’énergie du silicium.

La bande de conduction du Si présente six minima équivalents (semi-conducteur multi-
vallées) situés dans la direction (001) au point d’abscisse (000.85k 0 ), où k 0 représente
l’abscisse du point X, limite de la première zone de Brillouin dans la direction Δ . Ce sont
malheureusement ces caractéristiques qui rendent le silicium massif peu efficace dans le domaine
de l’émission optique.

En revanche, les propriétés du silicium massif sont assez fortement modifiées lorsque la
taille de la structure cristalline diminue. En effet, de manière générale, en diminuant la taille
des particules les propriétés vont se rapprocher de celles de l’atome dont les niveaux d’énergies sont
discrets, plutôt que de celles du solide massif, où les niveaux se recouvrent en bandes d’énergie.

2.3.3Les propriétés optiques Si

La photoluminescence (PL) du silicium poreux a lieu dans le proche infrarouge et dans le visible.
Elle change de position en fonction de la porosité du matériau, Pour le silicium massif elle est de
l’infrarouge jusqu’au bleu (pour les matériaux les plus poreux). Lorsqu’elle est dans le visible cette
PL est très intense puisque, sous l’illumination UV, elle est facilement visible à l’œil nu. Si
l’origine exacte de cette PL est encore soumise à débat, il est clair que les dimensions
nanométriques et, comme on le verra par la suite, le caractère cristallin de ce matériau, sont
fondamentaux pour expliquer la PL. La figure 2.6 montre les premiers spectres de luminescence
7
observés sur du silicium poreux. Cette émission, observable à l’œil nu et à température ambiante,
présente une largeur spectrale importante de 0.3 eV centrée dans le rouge. La structure poreuse
luminescente a été obtenue par dissolution électrochimique d’un substrat de type p faiblement
dopé suivie d’une dissolution chimique en milieu HF (acide fluorhydrique) fortement concentré
(40 %) pendant 1, 2 et 6 heures, dans le noir.

Figure 2.6 : Premiers spectres de photoluminescence d’un échantillon de silicium poreux de type p
(10-15 Ωcm) de porosité initiale de 70 %, qui a séjourné dans une solution aqueuse de HF (40%)
durant 1, 2 ou 6h.

Sachant que le silicium cristallin présente une largeur de bande interdite de 1.1 eV et de
surcroît de nature indirecte ce résultat a de quoi surprendre. Canham invoque un effet de
confinement des porteurs dans les colonnes nanométriques constituant la structure poreuse.
En effet, plus le temps de dissolution augmente et plus la porosité augmente. Le rétrécissement de la
taille des cristallites peut expliquer le déplacement vers le bleu observé. Précisons que la
luminescence pour des porosités élevées de l’ordre de 85 % est également observée directement
après la formation de la couche poreuse. Depuis, la luminescence du silicium poreux a donné lieu à
de nombreuses études et polémiques sur son origine.

A. Spectroscopie de la photoluminescence

La figure 2.7 montre les spectres de photoluminescence obtenus pour les deux échantillons de
silicium poreux avec des porosités de 70 % et 80 %. Les maximums de PL sont situés
respectivement en 700 et 760 nm. Les largeurs à mi-hauteur des pics valent 170 et 150 nm
respectivement c’est à dire que les pics sont plus fins que les valeurs trouvées pour les matériaux
carbonés.

8
Figure 2.7 : Photoluminescence de deux échantillons de silicium poreux de porosité 70 % et 80 %
sous excitation UV (λexc = 266 nm)

La forme des pics est assez proche d’une gaussienne avec des ailes plus prononcées en
particulier dans le cas de l’échantillon à 70 % de porosité. Malgré l’absence d’une partie
du spectre dans l’infrarouge, les bandes de PL semblent assez symétriques en échelle d’énergie. Les
rendements associés sont de l’ordre de 3 % et 1.5 %. La forme des spectres ainsi que les
rendements trouvés sont tout à fait semblables à ceux trouvés dans la littérature.

B. Comportement temporel

Le comportement temporel de la PL du silicium poreux est tout à fait caractéristique. La figure 2.8
présente celui-ci pour quatre longueurs d’onde et pour le silicium poreux de porosité 80 %. Il
apparaît clairement que plus la lumière et bleue, plus la PL est rapide.

Figure 2.8 : Evolution temporelle de la PL d’un silicium poreux de porosité 80% pour quatre
longueurs d’onde
D’autre part, ces décroissances ne peuvent être expliquées par une simple durée de vie
qui donnerait une décroissance exponentielle. Ces courbes ne sont correctement reproduites que par
une distribution de durées de vies qui donnent une décroissance non exponentielle.

C. Influence de la température

La spectroscopie de PL du silicium poreux est assez sensible aux variations de température. Par
exemple, sur la figure 2.9, l’évolution du pic de PL pour l’échantillon de porosité 80 % entre 110 et

9
480 K a été reportée. Dans cette gamme de température, la position du maximum varie
d’environ 70 nm. Dans le même temps le rendement varie assez peu jusqu’à 400 K puis diminue
fortement au-delà. Le rendement a un maximum autour de 150 K.

Figure 2.9: Evolution du maximum de PL et du rendement en fonction de la température pour un

échantillon de Silicium poreux de porosité 80 %

2.3.4 Structure cristalline

En dépit des excellentes propriétés électroniques du silicium massif, sa structure de bandes

électroniques est responsable, en revanche, du piètre rendement de recombinaison radiative de ses
porteurs, comparé à celui qui prévaut pour les composés III-V utilisés en optoélectronique. En effet,
dans le silicium, le maximum de la bande de valence se situe au point Γ de la première zone de
Brillouin alors que le minimum de la bande de conduction se situe près du point X (figure 2.5). La
recombinaison d’un électron de la bande de conduction et d’un trou de la bande de valence doit
donc se faire à l’aide d’une troisième particule, le phonon, pour pouvoir répondre à la conservation
du moment cinétique. L’absorption ou l’émission du phonon rend le processus de recombinaison
indirect puisqu’il nécessite l’interaction de trois particules (électron, trou, phonon). Il s’agit donc
d’un processus de second ordre beaucoup moins probable que le processus direct dans l’arséniure
de gallium (GaAs), par exemple, lequel est du premier ordre. La transition est donc assez peu
probable avec des temps de décroissance de l’ordre de quelques ms.

10
 Figure 2.10 : Structure cristalline de silicium

Figure 2.11 : Structure de bande du silicium massif cristallin

Dans ce cas, d’autres phénomènes entrent en compétition. En particulier, comme la paire

électron-trou a une forte mobilité dans le silicium (l’exciton dans le silicium à une vitesse de 10 m/s
à 11 K), elle va explorer une zone importante du cristal avant de se recombiner. Même avec un
cristal de très grande pureté, la probabilité de trouver un défaut non-radiatif est extrêmement élevé.
Il en résulte que les rendements de luminescence sont directement proportionnels à la pureté du
matériau (absence d’atomes étrangers à la matrice et absence d’autres défauts comme les
dislocations, les joints de grains et surtout les liaisons pendantes qui "tuent" la luminescence). Les
rendements de luminescence typique pour le silicium sont de l’ordre de 10 -5 – 10-7 et ils peuvent
monter à 10-3 dans le cas du silicium pyurie obtenu par la méthode de la zone flottante.

2.4 Le germanium

Le germanium (Ge) est le 32° élément du Tableau de Mendeleïev. C’est un métalloïde peu dense,
gris-blanc, fondant à moins de 1000°C. Ses propriétés physiques sont intéressantes : c’est un semi-
conducteur intrinsèque, qui a servi de base à l’électronique à la fin des années 40 (effet transistor).
Le germanium est également transparent aux rayons infrarouges. Le germanium pur et certains de

11
ses composés (dioxyde GeO2, tétrachlorure GeCl4) apportent des propriétés très performantes en
optique (fibres optiques, optique infrarouge, objectifs de microscopes, d’appareils photo).

Tableau 2.3 : Propriété général sur le germanium

2.4.1 Structure cristalline

Cette structure est typique des éléments de la colonne IV du tableau périodique, mais aussi
des composés III – V dans lesquels les sites (0, 0, 0) et (1/4, 1/4, 1/4) sont occupés par
différents types d’atomes. On parle dans ce cas de structure Zinc blende. La structure de bande est
la relation entre l'énergie de la particule et son vecteur k : E(k). On représente l'évolution de
l'énergie de l'électron par la courbe E(k) en forçant le vecteur d'onde k à demeurer dans une
direction remarquable de l'espace des k, c'est à dire une direction cristallographique du réseau
réciproque.

12
 Figure2.12 : Structure de bande schématique d'un semi-conducteur direct et indirect.
Le germanium, le minimum de la bande de conduction à lieu dans les directions correspondant aux
diagonales du cube, donc nous sommes en présence de 8 minima.

Figure 2.13 : Représentation des minima de la bande de conduction du Ge.

2.4.2 Les propriétés physiques

A. Hauteur de la bande interdite

La taille Eg de la bande interdite donne des caractéristiques électriques importantes à chaque semi-
conducteur. Ces variations peuvent être décrites approximativement par la fonction universelle

Semi-conducteur Eg(0) (eV) a(Ev/K) b(k)

Ge 0.7437 5.405. 235
Tableau2.4 : Paramètres de la variation de la bande interdite en fonction de la température.
Eg(0) est la hauteur de la BI à 0°K, T température en ° K, a et b sont des constantes.
Propriétés Germanium
Structure Diamant
densité (g/cm3) 5,3267
Constante diélectrique 16,0
Nc(cm-3) 1,04.1019
Nv(cm-3) 6,0.1018
Affinité d’électron 4,0
13
 Energie de Gap a 3000K (eV) 0,66
Concentration intrinsèque 2,4.1013
des porteurs (cm-3)
Duré de vie minoritaire (s) 10-3
Mobilité des électrons (cm2.V-1.S-1) 3900
Mobilité des trous (cm2.V-1.S-1) 1900
Indice de réfraction 3,97
Tableau 2.5 : Propriétés physiques du Germanium

2.4.3 Les propriétés optiques du Ge

////

A laissé aux Etudiant pour chercher cette partie.

/////

2.5 Le Nitrure de Gallium

2.5.1 Structure cristalline

Les nitrures peuvent cristalliser en phase hexagonale (wurtzite) qui est thermodynamiquement la
plus stable, ou en phase cubique (blende de zinc). Le type de structure dépend de l’orientation du
substrat et des conditions de croissance. La phase hexagonale peut être obtenue à partir de
l’orientation [0001] d’un substrat hexagonal (Al2O3, SiC) ou de l’orientation [111] d’un substrat
cubique (Si), tandis que la croissance sur un substrat cubique (GaAs, SiC, Si) orienté [001] permet
d’obtenir une phase cubique. Les deux types de structure sont représentés.

Figure 2.14 : Arrangement des atomes de Ga (cercle vide) et N (cercle plein) de la maille cristalline
des structures hexagonale et cubique.

La structure de type wurtzite est constituée de deux sous-réseaux hexagonaux compacts, l’un
contenant les atomes de gallium et l’autre les atomes d’azote. Ces deux sous-réseaux sont

14
interpénétrés et décalés suivant l’axe [0001] (axe c) d’une distance correspondant à la longueur de
la liaison Ga−N. Les paramètres de maille à température ambiante sont a = 0,31878 nm et c =
0,5185 nm et le rapport c/a (1,627) est très proche de la valeur théorique attendue dans une structure
wurtzite (p8/3 ≈ 1, 633). La structure de type cubique thermodynamiquement métastable est
constituée de deux sous-réseaux cubiques à faces centrées d’atomes de gallium et d’azote décalés
d’un quart de la diagonale de la maille.

2.5.2Propriétés physiques

Le nitrure de gallium est composé d’un élément des colonnes III (le gallium) et V (l’azote) du
Tableau de Mendeleïev. Cet alliage binaire appartient à la famille des semi-conducteurs III-V qui
comprend notamment l’arséniure de gallium GaAs et le phosphure d’indium InP. Contrairement à
ces deux derniers le GaN est un matériau à grand gap (∼3,4 eV). Comme dans le cas du GaAs,il est
possible de créer des alliages ternaires : en ajoutant de l’indium au matériau binaire GaNon obtient
le composé In GaN et l’addition d’aluminium conduit au ternaire Al GaN. Comme beaucoup de
matériaux III-V, le GaN est un semi-conducteur à gap direct, et est donc très adapté pour les
applications optoélectroniques. Sur la Figure 2.15 les énergies de bande interdite de quelques semi-
conducteurs dont les nitrures sont reportées en fonction de leur paramètre de maille .Les nitrures
permettent de couvrir une large gamme en énergie : du très proche infrarouge à l’ultra-violet , en
passant notamment par le bleu qui est "inaccessible" aux autres semi-conducteurs III-V. Hormis les
difficultés de croissance des hétéros structures nitrurées, ils sontprincipalement utilisés pour réaliser
des diodes électroluminescentes (DEL) bleues à base de GaN, était de maîtriser le dopage p.

Figure2.15 : Semi-conducteurs III-V à gap direct et indirect.

Après plusieurs années de recherche, c’est au Japon, au début des années 90 que l’équipe de
I.Akasaki a publié une méthode pour fabriquer des couches de GaN dopé p . S. Nakamura et la
compagnie Nichia ont ensuite amélioré le dopage p et les premières diodes bleues furent
commercialisées en 1993. Dans les années suivantes, l’utilisation de l’alliage In GaN a permis de
réaliser des diodes vertes qui ont de nombreuses applications pour la signalétique, ainsi que des
15
diodes blanches qui possèdent un fort potentiel pour l’éclairage. Plus récemment, le nitrure de
gallium a permis aussi de réaliser les premières diodes laser (DL) bleues qui sont actuellement
utilisées pour le stockage de données optiques sur Blue-Ray ou HD-DVD. Avec sa longueur d’onde
plus courte (405 nm) que celles utilisées pour les CD (780 nm) et les DVD (orange, 635 nm), la
lumière bleue repousse les limites dues au phénomène de diffraction et permet donc de stocker une
plus grande quantité d’informations. La potentialité de réaliser des composants fonctionnant en
régime de couplage fort à base de GaN ouvre de nouvelles perspectives très intéressantes. Ces
futurs composants, comme le laser à polarité, permettraient d’atteindre des courants de seuils très
bas, donc un niveau de consommation d’énergie plus faible que celui des dispositifs actuels. De
plus, la faible puissance dissipée permettrait par exemple l’évolution des circuits électroniques vers
les toutes optiques, soit une meilleure intégration. Enfin, retenons la possibilité d’augmenter les
stockages optiques, la longueur d’onde d’émission de GaN étant plus courte (350 nm) que celle
utilisée actuellement pour les DVD hautes densités.

2.5.3Propriété électrique

2.5.3.1 Largeur bande interdite

- L’évolution en température de la largeur de la bande interdite suit la loi empirique de

Varshni :

( )

-Où Eg(0) est la largeur de bande interdite à température (T0=0 K), a et b des constantes, b
dépend de la température de Debye. Ces valeurs sont données à titre indicatif pour l'AIN et
le GaN dans le Tableau suivant :

-Le gap du ternaire Al m Ga 1-m N en fonction du paramètre de la fraction molaire m et de la

température peut être représenté simplement par la loi classique:

EgALGaN=mEgALN(T)+(1-m)EgGaN(T) – bm(1-m)

16
 Avec b : paramètre de courbure de bande (bowing) par la valeur obtenue par Van
Schilfgar de b = 0.6.

2.5.3.1 Constants diélectriques

- La constante diélectrique du GaN à 300 K reportée dans la littérature est de ƐrGan = 9,5 Cette
constante varie de 7% dans une plage de température de 700 K.

ƐrALGaN(m)=Ɛr(300K)[1+10-4(T-300)]

- La valeur de la permittivité diélectrique en fonction de la fraction molaire d'aluminium m suit

une loi linéaire:

ƐrALGaN=ƐrGaN - 0,5m

2.5.3.3-Polarisation spontanée

- Dans une structure cristalline GaN de type wurtzite, les électrons de la bande de valence sont plus
attirés par l'azote que par l'aluminium ou le gallium à cause de sa forte électronégativité. Cette
attraction entraîne la déformation de la structure tétraédrique et le rapport des paramètres de maille
(c/a) devient plus faible que la valeur attendue (c/a=1.633). La non concordance des
barycentres des charges positives et négatives entraîne donc la création d'une polarisation
appelée polarisation spontanée.

Figure 2.16 : Distribution des électrons de la bande de valence d'un atome GaN.

-En effet, parmi les quatre atomes d'azote qui entourent l'atome de gallium, trois se trouvent
dans le même plan cristallographique et le quatrième se trouve sur l'axe "c" . La somme
vectorielle des moments dipolaires entre chaque atome d'azote et l'atome de gallium forme un
moment dipolaire parallèle à l'axe "c" qui est à l'origine d'une polarisation macroscopique
spontanée en l'absence de toute contrainte extérieure.

17
 Figure 2.17 :(a). Structure GaN wurtzite (b) Polarisation spontanée.

-L'effet de cette polarisation spontanée dans le GaNwurtzite en volume, se traduit par la

création d'une succession de dipôles électriques qui sont à l'origine de la création d'un
champ électrique

Figure 2.18 : Charges en surface du GaN hexagonal

- En volume, le gradient de cette polarisation est nul ainsi que la densité de charges volumique. Par
contre la discontinuité de cette polarisation spontanée va créer des charges surfaciques de part et
d’autre de la couche GaN. En effet, la relation de continuité du vecteur de déplacement à la surface
libre du GaN s'écrit :

∂=ƐrƐ0(Eint)-Ɛ0(Eext)

-Ou EintEext sont respectivement le champ électrique à l'intérieur et à l'extérieur du GaN auniveau
de la surface libre. En absence d'un champ extérieur.

2.5.4Propriétés mécaniques

- Les performances des composants optoélectroniques dépendent fortement de la techniquede

croissance des couches épitaxies et du choix d’un substrat. La création et l’influence
descontraintes bi axiales ainsi que la dilatation thermique sont expliquées dans la suite.

18
2.5.4.1 Contrainte bi-axiale

-Il apparaît une première contrainte mécanique au cours de la croissance de la couche due à la
déformation de la maille du matériau hétéro épitaxie. En effet, la couche déposée doit s'adapter en
maille avec le matériau qui lui sert de support.

- Au-delà d'une certaine épaisseur critique, il y a relaxation des contraintes, le matériau retrouve
ses propres paramètres de maille ce qui engendre des défauts qui sont généralement des
dislocations travers antes à l'interface.

-En dessous de l'épaisseur critique, on parle de croissance pseudo morphique. Le substrat et la

couche ont le même paramètre de maille dans le plan de croissance, il n'y a pas de relaxation des
contraintes. Plus le désaccord de maille est faible, plus l'épaisseur critique est grande. En ce qui
concerne les hétérojonctions de GaN/Al m Ga 1-m N avec de faibles compositions elle vaut
quelques centaines de nanomètres.

- L'utilisation d'une couche de nucléation déposée entre le substrat et les couches épitaxies
permet de relaxer le désaccord de maille. Ceci permet ainsi d'augmenter la valeur de
l'épaisseur critique pour assurer une croissance pseudo morphique pour toute la structure.
Les couches présentant un intérêt pour le composant (couches actives) s'adaptent pour avoir
le même paramètre de maille que celui de la couche de nucléation: elles sont parfaitement
contraintes. Le nombre de défauts est ainsi limité dans la zone active et les performances de la
structure sont améliorées.

-L'utilisation de substrat GaN (homo épitaxie) réduit presque complètement le désaccord

de maille entre les couches actives et le substrat. Ceci contribue à diminuer le nombre de
défauts et améliore ainsi les propriétés optiques.

2.5.5Propriété chimique

-Dans les semi-conducteurs; les principales grandeurs physiques qui déterminent les
propriétés thermiques sont la conductivité thermique, la dilatation thermique, la chaleur
spécifique, la température de debye.

2.5.5.1 Conductivité thermique

-La conductivité thermique d’un matériau traduit sa capacité à dissiper la chaleur. Or, la
résistance thermique (notée Rth) est inversement proportionnelle à la conductivité thermique
Rth(K.WI).

19
 - Où ∆T est l’élévation la température en K, P dis est la puissance dissipée en W. On voit donc
que la résistance thermique est directement liée à la puissance dissipée. Cela signifie qu’une
forte conductivité thermique du matériau permet l’évacuation de la puissance dissipée (sous
forme de chaleur) sans échauffement important de celui-ci. Dans le cas de l’amplification
de puissance où les puissances délivrées sont importantes, l’élévation de température
pour une puissance dissipée donnée sera bien plus faible dans des transistors à grand gap.

2.5.5.2Chaleur spécifique

- Dans un composant semi-conducteur, l'augmentation de la température entraîne une

augmentation du nombre de phonons. La chaleur spécifique est le paramètre physique qui permet de
relier les variations de la température du réseau au nombre de phonons présents dans le semi-
conducteur, sa valeurs peut être calculée à partir de la relation de debye :

( ) ( )3

Avec R = 8.344 l/mol.K., TD : température de Debye.

2.5.5.3 Dilatation thermique

-En plus de la contrainte due au substrat, il apparaît une deuxième contrainte et par
conséquent une deuxième déformation thermo-élastique au cours du refroidissement après
l'hétéro épitaxie. Cette contrainte est due à la différence entre les coefficients d'expansion
thermiques linéaires des différentes couches déposées et du substrat. La croissance à lieu à haute
température, elle dépend du substrat choisi pour l’hétéro épitaxie. Suivant les substrats, la couche
épitaxie peut se trouver en compression ou en tension bi axiale dans son plan de
croissance.Pour le GaN de type wurtzite, le coefficient de dilatation thermique a été mesuré en
fonction de la température sur monocristaux. Selon l'axe "a", le coefficient de dilatation
thermique est constant sur toute la gamme de température. Par contre suivant l'axe "c", le
coefficient de dilatation augmente en fonction de la température avec un changement brutal de la
pente à 700K.

Tableau 2.6 : Coefficients de dilatation thermique pour le GaNwurtzite sur les substrats les plus
utilisés.

20
 -Le coefficient de dilatation thermique est un paramètre à prendre en considération lors
d'une épitaxie, car si le coefficient de dilatation thermique du substrat est différent de celui
du GaN, il peut se créer des contraintes résiduelles induisant des fissures dans le GaN. Les
coefficients de dilatation thermique pour le GaNwurtzite comparés aux substrats les plus utilisés
sont répertoriés dans le Tableau 2.6. Dans ce domaine, le carbure de silicium 6H-SiC est le
plus adapté en terme de dilatation thermique pour les températures de fonctionnement.

2.5.5.4Température de debye

-La température de Debye définie la valeur maximale des énergies des vibrations. Cette
grandeur physique peut être déterminée à partir de la chaleur spécifique ou bien à partir des
coefficients élastiques. Les valeurs les plus souvent données dans la littérature sont 700 K ou 650K
suivant les méthodes de calcul.

2.5.6 Les propriétés optiques

-L'interaction d'un électron avec un photon se fait, comme toute interaction, avec conservation de
l'énergie et du vecteur d'onde. Le vecteur d'onde du photon étant très inférieur à celui des
électrons, les transitions optiques directes entre la bande de valence et la bande de
conduction apparaissent verticales dans le diagramme de bande des électrons. Dans le cas d’un
semi-conducteur à bande interdite indirecte, les transitions optiques à travers le gap ne peuvent
avoir lieu que grâce à une interaction supplémentaire, par exemple celle d’un phonon.

-Un semi-conducteur à bande interdite indirecte comme le GaP, est un très mauvais émetteur de
lumière et c’est pourquoi le Silicium qui a eu tant de succès en microélectronique n’est pas un bon
matériau pour l’optoélectronique.

-En revanche, un matériau à bande directe comme le GaAs, pour lequel électrons et trous
se retrouvent sur les maxima de leurs bandes respectives qui sont tous les deux au point k = 0 . La
21
Caractérisation des propriétés diélectriques de wurtziteGaN a été développée dans les
années 1960. Généralement, les mesures de l'indice de réfraction (ñ= n+ik) ont été réalisées dans le
visible et l'infrarouge (370-2000 nm), c'est-à-dire en dessous du bord de bande du nitrure non dopé.
Dans cette gamme de longueur d'onde, la partie imaginaire de la fonction diélectrique (k) est
négligeable et est généralement ignoré.

Tableau2.7 :Valeur de l’indice de réfraction du GaN dans le visible

-L'indice de réfraction de photons énergies ci-dessus du bord de bande de GaN a été calculé en
utilisant l’ellipso métrée spectroscopique (longueur d’onde incidente entre 250 et 600nm).De
même, le coefficient d'absorption (Tableau 2.7) a également été évalué à partir de données
ellipso métrique afin de permettre une détermination de l'indice de réfraction.

2.5.6.1 L’énergie de gap

-La valeur du gap est généralement admise autour de 3.4eV à températureambiante. Elle a été
évaluée par des mesures de transmission optique, en fonction de la température. Son expression
en fonction de la température T, est donnée par l'expression de Varshni.

Eg(eV)=3.556-[9.9x10-4T2] /(T+600)

22
-Les premiers travaux;ont donnée avec précision, l'énergie du gap direct du GaN, soit
3.39e V. Ces derniers ont rapporté un spectre de photoluminescence à basse température (1.6 K).
Ils ont observé une forte émission à 3.477eV. D’autres travaux ont analysé avec détail le
spectre optique à basse température (2K) sur des échantillons de haute qualité. Ils ont observé
trois excitons à 3.474±0.002eV, 3.480±0.002eV et 3.49±0.01eV Monemar a trouvé que le gap
fondamental est de 3.503±0.0005eV à 1.6K, et a ajusté la dépendance du gap sur la température
par la relation empirique :

Eg (eV) = 3.503 + (5.08 x l 0-4xT2)/(T-996).

- Camphausen and Connell ont étudié la dépendance du gap sur la température et sur la pression
jusqu'à 10kbar ; ils ont trouvé : dEg/dP = 4.2±0.4meV/kbar à la température ambiante, et dEg/dT =
-6.7. 104eV/K. Matsumoto and Aoki ont rapporté : dEg/dT = -3.5x 10-4 eV/K jusqu'à 150K, et
Eg/dT = -6x104eV/K de 150 à 300K. Des mesures de transmission optique ont aussi permis
d'étudier son évolution en fonction de la pression. Eg (eV) = Eg (P=0) + 0.47P + 0.0018P2.

2.5.6.2. Indice de réfraction

-La connaissance de l'indice de réfraction est utile lorsque l'on étudie des structures laser car
le confinement optique, et donc la propagation des photons dans le guide d'onde, en
dépendent. Les propriétés optiques des nitrures en phase hexagonale sont anisotropes, ce qui se
traduit par une biréfringence uni-axiale. II y a donc deux indices de réfraction : un indice
ordinaire correspondant à une polarisation parallèle à l'axe [0001] et un indice dit
"extraordinaire" correspondant à une polarisation dans le plan (0001). Toutefois ; on
pourrait, en première approximation, négliger l'anisotropie et ne considérer que l'indice
ordinaire . La variation de l'indice de réfraction ordinaire n en fonction de la longueur
d'onde λ, dans la gamme de transparence, est décrite par une loi de type Sellmeier :

n(X) = [a + b.λ2/ (λ2-c2)] ½

23
 Tableau 2.8 :Coefficients de Sellerie pour l'indice de réfraction ordinaire, dans h -GaN et h-AIN

-L'indice de réfraction a été mesuré parellipsométriespectroscopique, ainsi que la réflectivité, la

transmission ou encore la luminescence dans le visible et l'infrarouge. Dans cette dernière, sa
partie imaginaire est négligeable. La valeur de sa partie réelle s'exprime de la manière suivante, en
fonction de l'énergie E de la source lumineuse :

n = 1+A/ (E02-E2) Où A = 385(eV)2 E0 = 9eV

-Par des mesures de transmission et d'absorption, on obtient n=2.67 a 3.38eV et n=2.33 à

1.0eV.De manière générale ; l'indice de réfraction varie de 2.1 (à une épaisseur de 1900nm)
à 2.5 (à une épaisseur de 480nm), pour un film cristallin de GaN de bonne qualité .La réflectivité
optique nous permet de mesurer la constante diélectrique statique. Matsubara and Takagi, l’ont
trouvé de l’ordre de 8.9;d’autre travaux l’ont évaluée à 9.5.

2.5.6.3 Coefficient d'absorption

- Le coefficient d'absorption α, lui aussi, fait l'objet de nombreuses études. Au cours des 25
dernières années, un certain nombre d'études ont été menées concernant l'absorption visible et
ultraviolette dans les deux structures wurtzite et zinc blende de GaN en films minces. La plupart de
ces recherches ont employé un spectrophotomètre de rayonnement visible et ultraviolet standard
pour la mesure d'absorption. Des études expérimentales utilisant des matériaux intrinsèques non
dopé, à température ambiante ont montré que l’énergie gap de la structure wurtzite est observé au
environ de 3.4eV, avec une valeur légèrement en dessous de - 3,2 eV pour la structure zinc blende.

-Ces derniers travaux ont trouvé que le carré du Coefficient d’absorption pour les structures
wurtzite et zinc blende est une fonction linéaire de l'énergie des photons pour des énergies au-
dessus de Eg (E = Eg + 0,5 eV), qui confirme la transition d'énergie de gap directe dans le
GaN. La figure suivante montre la dépendance du carré du Coefficient d'absorption en fonction de
l'énergie des photons.

24
Figure 2.19 : Le carrée du coefficient d’absorption en fonction de l’énergie de photon pour le GaN

-L’équation utilisée pour générer la courbe ‘en traits gras’ est:

α2= (α0 )2. (E - Eg) Avec : α0 = 1.08 x105cm-1

-Ceci a confirmé que le gap de GaN est direct. Les mesures du coefficient d'absorption de
GaN de type wurtzite, au gap excitonique, donnent des valeurs variant de 3.10-4 à 1.5x10-5cm-1.

2.6.1 Le Carbure de Silicium

2.6.1 Structure Cristalline

-Le carbure de silicium (SiC) fait partie de la catégorie des matériaux semi-conducteurs à grand
gap. En microélectronique, ce matériau suscite de l’intérêt pour ses propriétés intrinsèques
telles que son énergie de bande interdite (3.2 eV pour le poly type 4H), la vitesse de saturation de
ses électrons (2 10 7 cm.s -1 ), son fort champ de claquage (2.5 10 6 V.cm-1 ), et sa conductivité
thermique (4.9W.cm -1 ). Ces propriétés lui confèrent des qualités nettement supérieures aux
semi-conducteurs classiquement utilisés en microélectronique (Si,GaAs) pour des applications
dans des conditions extrêmes telles que des applications à haute température, pour l’électronique
de puissance et pour les hyperfréquences.

25
 Figure 2.20 :Tétraèdre de base du SiC. Un atome de carbone est lié à quatre atomes de
silicium premiers voisins (a=0.308nm ; C-Si=0.194 nm).

- Le carbure de silicium ne se forme pas spontanément dans la nature mais peut cependant être
synthétisé. Il est alors capable de se cristalliser selon plusieurs structures appelées Poly types.

-Le carbone et le silicium, étant des éléments de la colonne IV du tableau périodique,

forment entre eux des liaisons covalentes sous forme de tétraèdres (figure 2.20).

-Les poly types diffèrent les uns des autres par les séquences d’empilement des tétraèdres de base
qui peuvent se superposer de façon symétrique ou antisymétrique (Figure 2.21 et 2.22). La séquence
d’empilement des doubles couches peut donc varier considérablement et créer une infinité de
combinaisons. Jusqu'à présent, plus de 250 poly types ont été observés.

26
 Figure 2.21:Structure tétragonale du SiC.

- Le diagramme de diffraction des rayons X du solide après synthèse est présenté sur la Figure et
montre la présence des raies de diffraction correspondant à la phase β-SiC cristallisée dans le réseau
cubique faces centrées. Aucune autre phase comme la silice ou le silicium n’est détectée par
diffraction des rayons X, indiquant soit leur absence, soit leur présence en très faible quantité ou
sous forme amorphe.

27
 Figure 2.22 :Diagramme de diffraction des rayons X du carbure de silicium obtenu selon la
méthode de synthèse à mémoire de forme.

2.6.2 Propriétés physiques

-La nature des liaisons Si-C est essentiellement covalente avec une contribution ionique de 12 %.
En effet, le carbone est l´égerment polarisé négativement. L’iconicité peut être mise en évidence par
la piézoélectricité. Le SiC étant un composé polaire, la constante de couplage piézoélectrique est
relativement importante. Le carbure de silicium fait partie des matériaux réfractaires à grand gap.
De ce fait, il est très peu influence par la température et peut opérer au-delà de 500˚C alors que le
silicium reste limité a 300˚C. Il ne fond pas en-dessous de 35 atmosphères mais se sublime à haute
température. Bozack et al ont étudié les décompositions de surface selon la température de recuit et
observent un enrichissement de la surface en carbone d`es 800˚C. Une excellente conductivité
thermique caractérise le carbure de silicium. Proche de celle du cuivre, elle vaut quatre fois celle du
silicium ce qui permet, par exemple, une évacuation rapide de la chaleur produite dans un dispositif.
De plus, SiC est chimiquement inerte, seules quelques bases concentrées portées à haute
température, tel que KOH en fusion, peuvent l’attaquer. Il est peu sensible aux radiations et possède
une dureté trois fois supérieure à celle du silicium. La mobilité relativement restreinte des porteurs
de charge présente un inconvénient évident pour les applications `a la microélectronique. En
revanche, les valeurs assez élevées de champ de claquage et de vitesse de dérive limite des électrons
sont à l’avantage du carbure de silicium. Au vu de ces arguments, la miniaturisation des composants
en SiC devrait se dérouler correctement. Employé dans des microstructures, il pourrait donc
rapidement occuper une place prépondérante dans l’aéronautique, l’aérospatiale, les industries
nucléaire et automobile.
28
Les caractéristiques du SiC sont les suivantes :
- Large bande interdite.
- Bonne conductivité et stabilité thermique.
- Mobilité des porteurs importants.
- Bonne résistance mécanique.
- Bonne résistance aux rayonnements.

Tableau 2.9 :Comparaisons des caractéristiques de Si et de SiC.

Le SiC peut résister à des champs électriques importants or le taux de dopage maximum,
pour une tension de claquage donnée, est proportionnel au carré du champ de claquage donc
les dopages vont pouvoir être multiplié par 100 par rapport au Si classique et les MOSFET (R
canal faible) pourront conduire de forts courants avec une faible perte de puissances car R
canal est inversement proportionnel au cube du champ électrique de claquage. De plus, grâce à sa
large bande interdite, le SiC peut travailler à de hautes températures (>600°C) alors que les
composants en Si sont limités à 150°C.

Pour des champs électriques importants (> 105 V/cm), la vitesse de saturation des porteurs
est deux fois supérieure à celle de l’As Ga. Par conséquent, la mobilité est plus forte, on arrive donc
à des transconductances plus fortes et des fréquences de coupure plus importantes.

29
2.6.3 Propriété optique

- Tout les poly types de SiC son des matériaux a bande interdites indirecte, c’est à dire que les
transitions des électrons de la bande de valence a la bande de conductions son accompagné d’un
changement de vecteur d’onde et donc de perte énergétique par phonon, ce qui ne fait pas un
candidat intéressant pour les applications optronique.

-La permittivité diélectrique du SiC et plus faible que celle du Silicium. On trouve les valeurs
relatives de 6.52 de haute fréquence et de 9.66-10à base fréquence selon le poly type.
-le SiC chimiquement pur est incolore .des traces d’azotes donnent la couleur verte alors que la
présence de l’aluminium change la couleur vers le gris ou bleu noir.

- Son indice de réfraction et de 2.71-2.62 (pour des longueur d’ondes 467-691nm)il est 10% plus
brillant que le diamant(indice de réfraction 2.4) .l’indice de réfraction varie en fonction de la
longueur d’onde de la manière suivante : ( )

-Elle ne varie pas beaucoup avec le poly-type

-Enfin la figure représente les différentes courbes de l’évolution du coefficient d’absorption avec la
longueur d’onde pour les trois poly type 3C-SiC,4H-SiC et 6H-SiC.

Figure 2.23 : Photon d’énergie.

30
a)Coefficient d’absorbation√ en fonction de la longueur d’onde pour les trois poly-type3C-
SiC,4H-SiC et 6H-SiC.

b) Un zoom sur le coefficient d’absorption (α) de SiC cubique en fonction de l’longueur d’onde
pour deux valeurs de dopage n (5 et 7x1016cm-3).

2.6.4 Les propriété électriques

Les propriétés électriques sont fortement liées au poly type et spécialement à la structure de bande :

- Le champ de claquage dans le SiC et très important, ce qui lui permet de supporter des haute
tensions, il est estimait 1.2-2.4x106V/cm selon le poly type (tableau),soit environ huit fois plus
élevés que le silicium. La vitesse de saturation est de l’ordre 2x107cm/s.

- La mobilité est relativement faible dans le SiC malgré une valeur de la vitesse de saturation est
ceci est dû à la masse effective élevée, sur tout dans le poly type 6H,pour une densité de dopant n de
1016/cm3,elle varie entre 400 et 1000 cm2/V.S selon le poly type(Tableau 2.12).

- Les coefficients de diffusion de la plupart des imputés dans le SiC en général faibles, les dopants
classiques comme l’aluminium et l’azote diffuse très peu dans le SiC, ils ont respectivement des
coefficients des diffusions de 0.2cm2/s(mesuré entre 1800et 22500C)et5x10-4cm2/s (mesuré entre
2000 et 22500C). Le bore qui semble diffusés parles lacunes de carbone, a un coefficient de
diffusion de 160cm2/s mesuré entre 1800et 22500C.

Tableau 2.12 :Récapitulatif des propriétés physiques des principaux poly types des carbure de
silicium ainsi pour le silicium de comparaison HF=haut fréquence.

31
2.7 Arsenic de gallium

Le GaAs est un semi-conducteur III-V complexe composé de l'élément le gallium (Ga) de la

colonne III et l'élément de l'arsenic (As) de la colonne V du tableau périodique des éléments. Le
GaAs a d'abord été créé par la société Goldschmidt en 1929, mais les premières propriétés
électroniques de ce semi-conducteur ne furent démontrées qu'en 1952.

2.7.1Propriété cristalline
Le cristal GaAs est composé de deux sous-réseaux, chacun cubique à faces centrées (CFC) et décalé
par rapport à l'autre par la moitié de la diagonale du cube. Cette configuration cristalline est connue
sous le nom blende de zinc et est représentée sur la Figure :

Figure 2.24 : Réseau cristallin du GaAs (zinc de blende).

Tableau 2.13 : Propriétés du GaAs à température ambiante (300 K).

2.7.2 Structure des bandes d’énergie

Les bandes d'énergie donnent les états d'énergie possibles pour les électrons en fonction de leur
vecteur d'onde. On les représente donne dans un espace réciproque, et, pour simplifier, dans les
directions de plus hautes symétries de la première zone de Brillouin décrites ci-dessus. Elles se
32
décomposent en bandes de valence et bandes de conduction (Figure 2.25). Ce sont la bande
de valence la plus haute, la bande de conduction la plus basse, et la bande interdite qui les
sépare qui déterminent principalement les propriétés de transport du semi-conducteur, et ce sont
celles-ci que nous considérerons par la suite. L’allure générale des bandes est la même pour tous
les composes III-V considère, dont la structure de bande est directe, c'est-à-dire pour lesquels le
maximum de la bande de valence et le minimum de la bande de conduction sont situés au centre de
la zone de Brillouin, en k=0. Le minimum central de la bande de conduction correspond £ des
61ectrons de faible masse effective, donne très mobiles. II existe par Physique des semi-
conducteurs III-V.

Figure 2.25 :Structure de bandes de GaAs.

2.7.3 Propriétés optiques

Dans les semi-conducteurs amorphes, l'absorption optique fait intervenir en plus des états
délocalisés (bande de valence et de conduction), les Pattes localisés des queues de bandes et
de la bande interdite. Les spectres d'absorption présentent alors, en fonction de l'énergie,3
régions :

- Une queue de faible absorption3basse énergie.

- Une queue exponentiel le à moyenne énergie.
- Une composante de forte absorption à haute énergie.

33
a) Queue de faible absorption

Cette absorption résiduelle est en général directement Associée à 1a présence de défauts localises
(impuretés)qui interviendraient par leur absorption ou leur vibration. Certains auteurs considèrent
si gaiement la contribution due à la présence d’une inhomogénéité macroscopique qui induirait des
pertes de lumière par diffusion.

b) Queue exponentielle

Cette variation exponentielle de l'absorption a été signalée pour la première fois par URBACH
1961.Elle aurait pour origine des transitions qui impliquent les états localisés des queues de bandes
et il y aurait donc corrélation étroite avec la forme exponentielle de ces queues de bandes.
L'absorption est alors donnée par la relation empirique α = cst X exp β ou β-1 est la largeur de la
queue exponentielle. Dans les semi-conducteurs amorphes, une composante due au désordre
structural s'ajoute à celle du désordre thermique pour contribuer à cette queue dt Urbach.

c) Absorption a haut énergie

Pour les valeurs de a supérieures à environ 10-4 cm-1 la variation de l'absorption avec une énergie
suit une loi en puissance de la forme :

α=β(hw-Eg)2/hw

Où Eg est la différence d'énergie entre le seuil de mobilité de la bande de conduction et celui de la

bande de valence. Ce comportement est expérimentalement observé dans le cas de bandes para,
bloques et pour des transitons indirectes 1981. DAVIS et MOTT ont montré que l'absorption avait
la même forme dans le cas de transitions entre le seuil de mobilité de la bande de valence et la
queue de la bande de conduction. Dans ce cas, Eg est remplacé par E0 et il est alors possible de tirer
la valeur d'un pseudo-gap, appelé gap optique E0, en extrapolant la partie linéaire de l'expression.
(αxhw)1/2= β1/2(hw-E0).

34
2.7.4 Propriétés électriques

Les propriétés électriques élémentaires des Silicium et GaAs sont regroupées dans le tableau 2.14.
Ces grandeurs dépendent de la température, des méthodes de tests utilisées, de la qualité du
matériau mais également de la concentration en atomes dopants. Les propriétés du Si sont données
en référence dans le même tableau. Il existe trois caractéristiques physiques qui font de ce semi-
conducteur un candidat intéressant, notamment pour des applications à hautes températures. Il s’agit
de :

- la largeur de bande interdite,

- la vitesse de saturation,

- la conductivité thermique.

GRANDEURS PHYSIQUES GaAs

Eg(eV) 1.43
Electrique (MV.cm-1)à 3000K 0.4
Ni (cm-3) à 3000K 10X1010
Vsat(cm.s-1) 1.0X10
µn(cm2.V-1.s-1) 8500
µp(cm2.V-1.s-1) 400
Ɛr 12.5
ɵK(W.cm-1 .S-1) 0.54
Tableau 2.14 : Propriété physique de GaAs

2.7.5 Propriétés optiques

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A laissé aux Etudiant pour chercher cette partie.

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35