Exercice 0-1 Rappels de l’an passé

L’objectif de cet exercice est de réaliser la caractéristique I(V) d’une diode à l’aide d’une carte DAQ.
Vous aurez donc besoin du matériel suivant :
1. PC muni d’une carte DAQ et d’un bornier BNC-2111
2. 2 câbles BNC
3. Plaque de test d’électronique
4. Diode BD 4007
5. Résistance 10 ohm
Cet exercice vous permettra de revoir les notions suivantes
o Boucles
o Registres à décalages
o Tunnels auto-indexés
o Tableaux
o Clusters
o Graphes
o DAQ
Connectez la diode comme le montre la Figure 1.

AO 0

AI
0

Figure 1

1. Construisez la face-avant de votre VI.

1.1. Placez un graphe XY et renommez ses axes en Tension (V) et Intensité (mA).
1.2. Placez deux commandes numériques Tension min et Tension max et forcez l’utilisateur à
entrer des données comprises entre -10 et 10 V.
1.3. Créer une commande numérique Nb points au format entier 32 bits et définissez sa valeur
par défaut à 50.
Votre face avant ressemble à la Figure 2.
 Figure 2

2. Générez le tableau des tensions

2.1. Créez une boucle For et câblez Nb points à son terminal de décompte.
2.2. Placez un VI Express de Formule et saisissez la formule min+(max-min)*i/(N-1).
2.3. Câblez les terminaux des commandes de la face-avant au VI Express de Formule.
2.4. Reliez le résultat du calcul au bord de la boucle For afin de créer un tunnel auto-indexé.

3. Générez et mesurez les tensions avec des tâches DAQmx

3.1. Dans la palette de fonctions DAQmx (E/S de mesures puis DAQmx), sélectionnez
Nom de tâche DAQmx, puis placez-le sur le diagramme.
3.2. Dans le menu contextuel de la tâche ainsi créée, sélectionnez Nouvelle tâche NI-DAQmx
puis MAX.
3.3. Sélectionnez Générer un signal (Tension) sur la voie AO0, puis le mode de génération 1
échantillon (horloge matérielle). Conserver la fréquence d’échantillonnage de 1kHz.

3.4. Placez le nœud d’écriture DAQmx – Écrire, et dans le sélecteur de VI polymorphe,

sélectionnez 1Voie 1Échant.

3.5. Enfin, terminez l’acquisition avec le nœud DAQmx – Supprimer une tâche.
3.6. Faites de même pour mesurer la tension aux bornes de la résistance de 10 Ohm. On
sélectionnera le mode d’acquisition 1 Échantillon (horloge matérielle), la gamme -5 à 5 et la
configuration du terminal Asymétrique référencée. Une mesure différentielle utiliserait
également la voie AI8.

4. Mettre vos mesures dans une boucle

4.1. Placez vos VIs de génération et de mesure de tension dans une structure séquence déroulée
en laissant un temps d’attente de 100 ms entre la génération et la mesure, comme sur la
Figure 3.
 Figure 3

4.2. Créez une deuxième boucle For autour de la structure séquence pour faire varier la tension
d’alimentation de la diode.
4.3. Câblez le tableau des tensions créé dans la première boucle For à l’entrée de données du
nœud DAQmx – Écrire 1Voie 1Échant.
4.4. Remarquez que le tunnel d’entrée de la deuxième boucle For est auto-indexé et qu’il n’est
pas nécessaire de câbler le terminal de décompte de la boucle.
4.5. Convertissez les tensions générées et mesurées pour en déduire la tension aux bornes de la
diode et le courant à travers la diode.

5. Affichez les données mesurées sur le graphique

5.1. Nous allons construire deux tableaux qui vont grandir au fur et à mesure que des données
sont acquises. Placez la fonction Construire un tableau à l’aide de la barre de placement
rapide (Ctrl+Espace). Agrandissez la fonction pour lui faire afficher deux terminaux d’entrée
et câblez la tension de la diode à son deuxième terminal.
5.2. Câblez le tableau en sortie de la fonction Construire un tableau à la droite de la boucle For
et changez le tunnel auto-indexé en un registre à décalage. Initialisez le registre à décalage
par un tableau vide et câblez le registre à décalage à la première entrée de la fonction
Construire un tableau.
5.3. Faire de même pour le courant à travers la diode.
5.4. Sur un graphe XY, une courbe est représentée par un cluster dont les deux éléments sont les
deux tableaux créés ci-dessus. Trouvez le nœud Assembler de la palette Clusters et créer la
courbe I(V).
5.5. Câblez la courbe au graphe XY.
5.6. Testez votre VI et tentez de réduire l’intervalle de temps entre la génération et la mesure de
tension pour accélérer les mesures.

Figure 4