Groupe 10 : Mohamed Salhi

TP 3 : ETUDE DU TRANSISTOR BIPOLAIRE

1. Description du transistor :
2. Manipulation :
2.1. Tableau 1 :
VBB (en V) 0 1 2 3 4 5 6
IB (en mA) 0 0.06815 0.2732 0.4829 0.6936 0.9049 1.117
IC (en mA) 0 10.83 25.61 35.29 42.96 49.46 55.2
VBE (en V) 0.000209 679.7 715.8 730.6 739.9 746.8 752.3

7 8 9 10 15
1.328 1.54 1.752 1.964 3.026
60.36 65.09 69.47 73.56 90.96
756.8 760.6 763.9 766.9 778.1

2.2. Tableau 2 :
VCE (en V) 0 0.5 1 1.5 2
IB = 0.9094 mA (VBB = 5V) IC (en mA) -0.9318 45.11 45.34 45.57 45.80
IB = 3.026 mA (VBB = 15V) IC (en mA) -3.045 86.25 86.69 87.12 87.56

2.5 3 3.5 4 4.5 5

46.02 46.25 46.48 46.71 46.94 47.17
88.00 88.43 88.87 89.31 89.74 90.18
2.3. Les caractéristiques :

IB = f(VBE)
3,5

2,5

1,5

0,5

0
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900

IC = f(IB)
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5

IC = f(VCE)
100,0000

80,0000

60,0000

40,0000

20,0000

0,0000
0 1 2 3 4 5 6
-20,0000
 2.4. Les coordonnées du point de repos :
On a d’après la loi des mailles :
𝑉𝐵𝐵 = 𝑅𝐵 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 avec :
𝑉𝐵𝐵 = 5 𝑉 et 𝑅𝐵 = 4.7 Ω

On trace cette droite dans le même graphe avec la

caractéristique 𝐼𝐵 = 𝑓(𝑉𝐵 ) :

IB = f(VBE)
3,5

2,5

1,5

0,5

0
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900

L’intersection a pour ordonné : 𝐼𝐵0 = 0.9 𝑚𝐴

On cherche l’image de cette valeur par la caractéristique
𝐼𝐶 = 𝑓(𝐼𝐵 ) :
 IC = f(IB)
100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5

On trouve que 𝐼𝐶0 = 𝑓(𝐼𝐵0 ) = 49.5 𝑚𝐴

On cherche l’image de cette valeur par la caractéristique
𝐼𝐶 = 𝑓(𝑉𝐶 ) : (pour 𝑉𝐵𝐵 = 5 𝑉)

IC = f(VCE)
100,0000

80,0000

60,0000

40,0000

20,0000

0,0000
0 1 2 3 4 5 6

-20,0000

L’intersection a pour abscisse : 𝑉𝐶0 = 5.5 𝑉

Donc les coordonnées de P sont : 𝐼𝐶0 = 49.5 𝑚𝐴 et 𝑉𝐶0 = 5.5 𝑉