Manip 3 :

RELEVÉ DE
CARACTÉRISTIQUES D’UN
TRANSISTOR BIPOLAIRE
1. Introduction :

Le transistor bipolaire est un dispositif électronique à semi-conducteur qui se

compose de trois zones de dopage distinctes dans un monocristal. Son fonctionnement
repose sur deux jonctions PN, une en direct et une autre en inverse.

Le transistor bipolaire est généralement utilisé

comme un interrupteur commandable, ce qui
signifie qu'il peut être activé ou désactivé en
fonction du signal appliqué à sa troisième broche.
Il peut également être utilisé comme un
amplificateur.

Dans cette manipulation, nous avons cherché à tracer les caractéristiques statiques du
transistor bipolaire et à déterminer les coordonnées de son point de fonctionnement.

Objectif de la manipulation :
L'objectif de cette expérience est d'étudier le comportement statique du transistor
bipolaire.

2. Manipulation :

Le montage de la figure 3 :

3. Partie théorique :
On distingue alors deux types de transistors : NPN et PNP
Les trois électrodes d’un transistor bipolaire se nomment : (pour NPN)
● Un émetteur (zone N) : fortement dopé.
● Une base (zone P) : très mince et faiblement dopée.
● Un collecteur (zone N) : peu dopé.
Réseaux de caractéristique :
Pour tracer l’allure on trace les caractéristiques des réseaux suivants :
● Caractéristique de sortie : IC = f(VCE) à IB = Cte
● Caractéristique d’entré : VBE = f(IB) à VCE = Cte
● Caractéristique de transfert en courant : IC = f(IB) à VCE = Cte
● Caractéristique de transfert en tension : VBE = f(VCE) à IB = Cte

4. Partie expérimentale :

I. Réseau de sortie :
En premier lieu on donne à IB les valeurs suivantes :

IB = 0μA; IB = 10μA; IB = 15μA; et IB = 20μA, puis pour chaque valeur de IB on

relève les variations de IC = f(VCE)

Résultats :

IB= 0 μA IB= 10 μA IB= 15 μA IB= 20 μA

 IC β VCE V IC mA β VCE V IC mA β VCE V IC mA β
0 - 0,05 0,15 15 0,04 0,0047 0,31 0,02 0,0024 0,12
0,1 - 1 0,2 20 0,05 0,1 6,67 0,03 1,1 55
0,2 - 2,02 0,5 50 0,07 1 66,67 0,08 2 100
0,31 - 3,12 0,8 80 0,09 2 133,33 0,114 3 150
0,4 - 4,01 1,1 110 0,11 3 200,00 0,14 4 200
0,5 - 5,07 1,4 1400 0,12 4 266,67 0,18 5,3 265
0,6 - 6 1,7 170 0,127 4,2 280,00 0,19 6 300
0,71 - 7,17 1,9 190 0,13 4,7 313,33 0,747 6,15 307,5
0,81 - 8,17 2,1 210 0,146 4,8 320,00 2,11 6,3 315
0,92 - 9,26 2,4 240 0,15 4,9 326,67 3,09 6,4 320
1,02 - 1,024 2,8 280 0,18 5,03 335,33 4,3 6,5 325
1,4 - 14,07 3,03 303 0,38 5,11 340,67 5,31 6,6 330
1,54 - 15,42 3,1 310 2,96 5,2 346,67 6,9 6,7 335
3,2 320 4,56 5,3 353,33 7,8 6,8 340
3,25 325 5,19 5,4 360 9,6 6,9 345
3,27 327 5,35 7 350
3,3 330 6 7,15 357,5

II – Réseau d’entrée:

Résultats :
 VCE = 5V
IB VBE
0 0
-0,6 -0,5
-1,04 -0,6
-2,17 -0,613
-3,44 -0,625
-4,46 -0,627
-5,7 -0,632
-6 -0,634
-7,3 -0,639
-10,22 -0,647
-12 -0,651

III – Réseau de transfert en courant IC = f(IB)

Résultats :

VCE = 5V
IB IC
0 0,0006
1,827 0,606
2,645 0,88
3,35 1,13
4,23 1,43
6 2,04
11,32 3,87
12,1 4,15
22,64 7,71

Traçage du réseau de caractéristique

 Réseau de caractéristiques du transistor bipolaire

5. Conclusion :
En conclusion, nous pouvons observer que pour un transistor bipolaire correctement
polarisé (VE < VB < VC pour un NPN), il existe une relation entre les courants de
base et de collecteur : IC = βIB. Cette relation exprime le rapport entre le courant de
collecteur et le courant de base, où β représente le gain en courant du transistor.

Le gain (β) peut varier en fonction du courant collecteur et de la température. De plus,

la résistance d'entrée du transistor diminue à mesure que le courant collecteur
augmente. Pour les transistors utilisés dans les applications à signaux faibles, cette
résistance d'entrée est généralement de l'ordre de 1 kilo-ohm. En revanche, pour les
transistors de puissance destinés aux applications à haute puissance, la résistance
d'entrée peut être réduite à seulement quelques ohms.

En ce qui concerne la résistance de sortie, elle est généralement relativement élevée

par rapport à la résistance d'entrée. Dans de nombreux cas, cette résistance de sortie
peut être négligée lors des calculs sans introduire d'erreurs significatives.

En utilisant les relations IC = βIB et IB = Isat.exp(q.VBE/KT), il est possible de

déterminer la dépendance entre le courant collecteur et la tension d'entrée (VBE) du
transistor