Université Sultan Moulay Slimane

Faculté Polydisciplinaire De Khouribga

Master Matière et Rayonnement

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RAPPORT DE TP
Théorie de la Fonctionnelle de la
Densité

Réalisé par : AMINE KLI

Responsable : Pr.A. Hassani
Encadré par : Dr.M. Maymoun
Dr.A. Etrini

Année universitaire : 2022-2023

 Table des matières

I. Introduction Générale .................................................................................... 4

II. Théorie de la Fonctionnelle de la Densité ................................................. 5
II.1 Introduction ........................................................................................................................................... 5
II.2 Approximations : physique .................................................................................................................... 5
II.3 Approximations : numériques ............................................................................................................... 5
II.4 La distribution Quantum ESPRESSO : .................................................................................................... 5
II.5 Que peut faire quantum espresso : ....................................................................................................... 6
II.6 Method Self-consistent field (SCF): ....................................................................................................... 6
II.7 Signification des principales variables ................................................................................................... 7

III. Tp 1 : Test de convergence ...................................................................... 8

III.1 Objectif du Tp-1 ..................................................................................................................................... 8
III.2 Convergence de l'énergie totale et de la coupure des ondes planes (E_cutoff) ................................... 8
III.3 Convergence de l'énergie totale et de l'échantillonnage BZ (K-Points)............................................... 10

IV. Tp2 : Paramètre de réseau d'équilibre ..................................................... 11

IV.1 Objectif du Tp-2 : ................................................................................................................................. 11
IV.1.1 1ère méthode : de l'auto-consistance (scf.in) ............................................................................... 11
IV.1.2 2ème méthode : utilisons le code ev.x .......................................................................................... 11
IV.1.3 3ème méthode : Convergence de la constante du réseau (vc-relax). ........................................... 12

V. Tp3 : Densité d’états (DOS) et structure des bandes ............................. 14

V.1 Objectif du Tp-3 : ................................................................................................................................. 14
V.1.1 Densité d’état DOS : .................................................................................................................... 14
V.1.2 Structure de bande : ................................................................................................................... 15

VI. Tp4 : La nature de liaison ........................................................................ 17

VI.1 Objectif du Tp-4 : ................................................................................................................................. 17
VI.2 Liaison : ................................................................................................................................................ 17
VI.2.1 Liaison covalente :....................................................................................................................... 17
VI.2.2 Liaison métallique : ..................................................................................................................... 17
VI.2.3 Liaison ionique : .......................................................................................................................... 17
VI.3 Le silicium ............................................................................................................................................ 18
VI.4 Le Lithium : .......................................................................................................................................... 21
VI.5 NaCl :.................................................................................................................................................... 22

VII. Conclusion générale .............................................................................. 23

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 Table des figures
Figure 1 : Logo du QUANTUM ESPRESSO ................................................................................................ 6
Figure 2 : Processus itératif "self-consistent" permettant de résoudre les équations de Kohn-Sham... 7
Figure 3 : Approximations et méthodes utilisées pour traiter les différents termes intervenant dans la
seconde équation de Kohn-Sham. .......................................................................................................... 7
Figure 4 : Fichier "Si.ecut.in ..................................................................................................................... 8
Figure 5 : Fichier "si.ecut.out" ................................................................................................................. 9
Figure 6 : Fichier Ecut.dat ...................................................................................................................... 10
Figure 7 : Variation de l'énergie totale en fonction de Ecutoff. ............................................................ 10
Figure 8 : Variation de l'énergie en fonction de K-Points...................................................................... 10
Figure 9 : Variation de l'énergie en fonction du paramètre a ............................................................... 11
Figure 10 : Fichier a.dat ......................................................................................................................... 11
Figure 11 : les commandes du code ev.x............................................................................................... 12
Figure 12 : Résultats du code ev.x ......................................................................................................... 12
Figure 13 : Fichier input du méthode (vc-relax) .................................................................................... 13
Figure 14 : Fichier output du méthode (vc-relax) ................................................................................. 13
Figure 15: Le code pour obtenir les résultats de densité d’états .......................................................... 14
Figure 16 : Densité d'états pour les différentes K-Points ...................................................................... 15
Figure 17 : Structure des bandes pour Si. ............................................................................................. 16
Figure 18 : Molécule de Cl2 ................................................................................................................... 17
Figure 19 : Matériaux formé par des liaison métallique. ...................................................................... 17
Figure 20 Molécule de NaCl. ................................................................................................................. 18
Figure 21 : Commandes pour générer le fichier Si.Cube ....................................................................... 18
Figure 22 : Vesta .................................................................................................................................... 19
Figure 23 : Étapes pour générer le résultat à VESTA. ............................................................................ 20
Figure 24 : Résultat de nature de liaison au cas du Si ........................................................................... 21
Figure 25 : Résultat de nature de liaison au cas du Li. .......................................................................... 21
Figure 26 : Résultat de nature de liaison au cas du NaCL...................................................................... 22

3
 I. Introduction Générale

La Théorie de la Fonctionnelle de la Densité (DFT)

est aujourd’hui l’une des méthodes les plus utilisées
en modélisation de systèmes moléculaires.
La raison de ce succès tient au fait qu’elle offre un
très bon compromis entre précision et temps de
calcul, permettant ainsi de traiter des systèmes de
taille moyenne à grande (de l’ordre de quelques
centaines d’atomes). La théorie de la fonctionnelle de
la densité est basée sur le postulat proposé en 1927
par Thomas et Fermi, selon lequel toute propriété
électronique d’un système peut être calculée à partir
de sa densité électronique. La théorie de la
fonctionnelle de la densité (DFT) s'est beaucoup
développée ces dernières années. Elle constitue
actuellement une vraie source de concepts chimiques
comme le potentiel chimique électronique,
l’électronégativité, la dureté, la mollesse, …etc.
Le logiciel Quantum ESPRESSO permet d’étudier
les propriétés physiques et chimiques des molécules,
en utilisant la chimie quantique. Quantum
ESPRESSO exécute des calculs de structure
électronique basé sur la≪ Density Functional
Theory≫.

4
 II. Théorie de la Fonctionnelle de la Densité
II.1 Introduction
La théorie de la fonctionnelle de la densité est une méthode basée sur la physique quantique et
l’électromagnétisme qui permet d’étudier les structures négatoniques des systèmes composés de
plusieurs atomes et d’en déduire leurs propriétés physico-chimiques. Combinée avec des méthodes
de physique numérique, elle constitue la base de plusieurs méthodes de calcul ab-initio les plus
efficaces et les plus utilisées pour déterminer les valeurs des paramètres qui définissent les
propriétés de divers matériaux et structures. Elle peut être en particulier appliquée dans l’étude des
nanomatériaux et des nanostructures. Depuis sa première formulation par Pierre Hohenberg,
Walter Kohn et Lu J. Sham dans les années 1964-65, la théorie et les méthodes numériques
associées ont bénéficié de diverses améliorations continues qui les ont rendues de plus en plus
efficaces et applicables dans des domaines très variés.
L'équation de Kohn–Sham désigne une forme de l'équation de Schrödinger associée à un système
mono-électronique fictif ayant la même densité électronique qu'un système réel d'électrons en
interactions :
ħ
(− ∇2 + 𝑣𝑒𝑓𝑓 (𝑟)) 𝜑𝑖 (𝑟) = 𝜀𝑖 𝜑𝑖 (𝑟) (1)
2𝑚
εi est l'énergie de la solution propre associée, dite orbitale de Kohn-Sham

- La densité (électronique) pour un système de N particules est :

𝜌(𝑟) = ∑𝑁𝑖 |𝜑𝑖 (𝑟)|
2
(2)
II.2 Approximations : physique
Il faut distinguer les approximations théoriques et les limites numériques. Principales
approximations théoriques :
➢ Born-Oppenheimer (adiabatique) approx., dynamique ionique Classique (accès à la dynamique
quantique possible mais pas simple).
➢ Fonctionnelles DFT : GGA est très souvent assez bon mais il a limitations sérieuses systèmes
faiblement liés et fortement corrélés (Mieux que les fonctionnalités GGA sont maintenant
disponibles, cependant) Approximation méthodologique (en partie théorique, en partie
numérique) :
➢ Pseudo-potentiels : devraient être presque équivalents au cœur gelé approximation (mais
parfois elles sont source de problèmes).
II.3 Approximations : numériques
Principales approximations numériques / limites :
➢ taille de supercellule finie / limitée - les exigences de calcul augmentent en 𝝑(N3) avec le
nombre d'atomes dans la supercellule
➢ ensemble de base fini - les exigences de calcul augmentent linéairement avec le non. de PW de
la base (déterminé par la coupure d'énergie cinétique).
➢ échantillonnage discret de Brillouin-Zone (nombre de k-points dans la grille).
II.4 La distribution Quantum ESPRESSO :
QUANTUM ESPRESSO signifie Quantum (Open-Source Package) pour la recherche en
structure électronique, simulation et optimisation quantum ESPRESSO est une suite logicielle
intégrée pour calculs atomistiques basés sur la structure électronique, utilisant la théorie de la
fonctionnelle de la densité, un ensemble de base d'ondes planes, des pseudo-potentiels.
Librement disponible selon les termes de la licence publique générale GNU.
Les principaux objectifs de Quantum ESPRESSO sont :
➢ Innovation dans les méthodes et les algorithmes.
➢ Efficacité sur les architectures informatiques modernes.

5
Un grand effort est également consacré à la convivialité et à la formation d’une communauté
d'utilisateurs et de développeurs

Figure 1 : Logo du QUANTUM ESPRESSO

II.5 Que peut faire quantum espresso :

Modélisation dynamique (dynamique moléculaire premiers principes) soit sur l'état fondamental
électronique (Born-Oppenheimer) ou avec des énergies cinétiques électronique (CAR-
PARRINELLO)
Fonctions de réponse linéaires (propriétés vibratoires et diélectriques),
plus quelques non-linéaires (constantes de force du troisième ordre et
diélectrique réponse, Raman non résonant).
II.6 Method Self-consistent field (SCF):
La solution pour obtenir la valeur d'énergie est atteinte à partir d'orbitales
moléculaires explicites qui ne peuvent être connues qu'après avoir résolu
les équations.
Le processus de calcul des énergies des molécules au moyen de cette
routine basée sur les considérations HARTREE-FOCK est appelé calcul
de champ auto-cohérent (SCF) car le champ créé par les électrons
devient stationnaire et stable lorsque l'énergie converge vers un
minimum.
𝑛𝑖𝑛 → (𝑣𝐻 + 𝑣𝑥𝑐 )[𝑛𝑖𝑛 ] → 𝜓𝑖 (𝑟) → 𝑛𝑜𝑢𝑡 (𝑟) = ∑𝑖 𝑓𝑖 |𝜓𝑖 (𝑟)|2 (3)

6
 Figure 2 : Processus itératif "self-consistent" permettant de résoudre les équations de Kohn-Sham.

Figure 3 : Approximations et méthodes utilisées pour traiter les différents termes intervenant dans la seconde équation de
Kohn-Sham.

II.7 Signification des principales variables

& CONTROL des variables d'entrée qui contrôlent le flux du calcul et la quantité d'E/S sur
disque et à l'écran.
& SYSTEM variables d'entrée qui spécifient le système étudié.
&ELECTRONS variables d'entrée variables qui contrôlent les algorithmes utilisés pour
atteindre la solution auto-cohérente des équations KS pour les électrons.
Ibrav : donne le type de treillis de bravais (SC ,FCC,Hex).
Celldm(i) : donner les longueurs des vecteurs de réseau a1, a2, a3.
Avec 1 bohr = 0.529177 Å
nat : nombre d'atomes dans la cellule unitaire.
ntyp :nombre de types d'atomes.
Ecutwfc : coupure d'énergie cinétique pour les fonctions d'onde.
conv_thr : compare (plaisir de la nouvelle et de l'ancienne vague, énergie).
Mixing_beta : Mélanger la nouvelle et l'ancienne densité :
0,7 = 70 % de la nouvelle densité et 30% de l'ancienne densité à la première étape.
Il y a trois INPUT CARDAS obligatoires dans PWscf
ATOMIC_SPECIES : nom, masse et pseudopotentiel utilisés pour chaque espèce atomique
présente dans le système.
ATOMIC_POSITIONS : type et coordonnées de chaque atome dans la cellule unitaire.
K_POINTS : coordonnées et poids des K_points utilisés pour l'intégration ZB.

7
 III. Tp 1 : Test de convergence
III.1 Objectif du Tp-1
L’objectif de ce TP est de résoudre l’équation de Kohn et Sham pour un système constitue
d’atome Silicone dans la structure CFC avec trois étapes :
➢ Calcul de base de l'auto-consistance (scf.in).
➢ Convergence de l'énergie totale et de la coupure des ondes planes (E_cutoff)
➢ Convergence de l'énergie totale et de l'échantillonnage l'échantillonnage BZ (K-point).
III.2 Convergence de l'énergie totale et de la coupure des ondes planes
(E_cutoff)
D’abord on fixe les paramètres de réseaux réciproques (k-point) et on change l’énergie de
coupure (E_cutoff) dans le code d’entré.

Varier l’énergie
= 20,
de cutoff

On fixe les
K-points
Figure 4 : Fichier "Si.ecut.in

8
On appliquant les étapes suivantes :

Ouvrir terminal Entrer la Cliquer :

dans le dossier Bin commande : Entrer
(Bouton Droit) Pwd

Copier le chemin

Maintenant on va entrer dans le dossier « Ecut » donner par nos encadrants et on va appliquer les
étapes suivantes :

Ouvrir terminal Colle le chemin Écrire la commande :

/pw.x
dans le dossier <Si.ecut.in>si.ecut.out
« Ecut »

Cliquer :
Entrer
Bon, après l’exécution du programme on obtient un fichier de nom < si.ecut.out > dans le
dossier « Ecut » on ouvre ce fichier et on clique sur (Ctrl+F) pour chercher « highest occupied level » et
on fait copier « total energy » qui se trouve directement après chercher « highest occupied level » comme le
montre la figure 5.

-15.56112907 Ry

Figure 5 : Fichier "si.ecut.out"

Après on va collier cette valeur d’énergie dans le fichier « Ecut.dat » et on va revenir au fichier
« Si.ecut.in » pour changer l’énergie de cutoff et faire les mêmes étapes précédentes. Et à chaque
fois on varie l’énergie de cutoff on extraire l’énergie associée jusqu’à E-cutoff = 100 comme le
montre la figure 6 :

9
 Maintenant pour trouver l’énergie de cutoff optimale on va tracer
l’énergie en fonction de E-cutoff on appliquons les résultats
suivants :
➢ Ouvrir un terminal dans le dossier « Ecut » et écrire cette
commande : ‘‘sudo apt install gnuplot’’ pour installer l’outil
de traçage des graphes
➢ On écrit cette commande : ‘‘gnuplot Ecut.gnu’’
➢ Finalement on obtient une image dans le même dossier
comme le montre la figure 7.
Figure 6 : Fichier Ecut.dat

Figure 7 : Variation de l'énergie totale en fonction de Ecutoff.

Après l’observation du diagramme on voit que la courbe devenue stable à partir Ecutoff = 50,
donc on va fixer cette valeur dans les prochains TP. Maintenant on va chercher les K-Points
optimales dans la partie suivantes.

III.3 Convergence de l'énergie totale et de l'échantillonnage BZ (K-Points)

Maintenant on doit fixer l’énergie de cutoff sur la valeur 50 (énergie optimale) et on change les
paramètres du réseaux réciproque, on applique les mêmes étapes qui nous avons déjà fait pour E
-cutoff, la différence c’est qu’on ouvre le terminal dans le dossier Kpoints et on utilise le nom du
fichier (Si.k-point.in) pour input et (si.ecut.out) pour output. Après le traçage des résultats, on
obtient l’image montrer dans la figure 8. On voit que la courbe devient stable à partir les K-
Points = 10 10 10

Figure 8 : Variation de l'énergie en fonction de K-Points.

10
 IV. Tp2 : Paramètre de réseau d'équilibre
IV.1 Objectif du Tp-2 :
➢ Calcul de base de l'auto-consistance (scf.in).
➢ Utilisez le code ev.x.
➢ Convergence de la constante du réseau (vc-relax).
IV.1.1 1ère méthode : de l'auto-consistance (scf.in)
On va fixer dans ce TP l’énergie de cutoff à 50 et les K-Points à 10 10 10 car ils sont les résultats
optimaux d’après le TP précèdent.
Donc maintenant on va entrer dans le dossier « cell parametre » et on va ouvrir un terminal, après
on va écrire le même chemin utiliser dans le Tp-1 mais en modifions le titre d’input et output par
<Si.in> et <Si.out> respectivement, après on va générer les énergies associées à chaque
paramètre de réseau (a), pratiquement on va suivre les mêmes étapes du Tp-1. Tout ça en varie le
(a) de a = 5,34 , 5,36… jusqu’à a = 5,60.

Traçons les résultats

obtenus en entrons
cette commande :
<gnuplot plot.dat>

Figure 9 : Variation de l'énergie en fonction du paramètre a

Figure 10 : Fichier a.dat

D’après le diagramme on voit qu’on a le minimum d’énergie presque associée au parametre

a=5,46 Å.
2. Utilisez le code ev.x.
Utilisez le code ev.x pour ajuster vos résultats à une EOS phénoménologique et pour obtenir des
valeurs précises pour le paramètre de réseau et pour Le module d'élasticité isostatique (Bo)
IV.1.2 2ème méthode : utilisons le code ev.x
Utilisez le code ev.x pour ajuster vos résultats à une EOS phénoménologique et pour obtenir des
valeurs précises pour le paramètre de réseau et pour Le module d'élasticité isostatique (Bo) :
𝑉 𝐵′ 0
0
𝐵0 𝑉 ( 𝑉 ) 𝐵 𝑉
𝐸(𝑉) = 𝐸(𝑉0 ) + [ + 1] − 𝐵′ 0−1 (4)
𝐵′ 0 𝐵′ 0 −1 0

Ce code (ev.x) déterminera la plus précise valeur de a.

On va utiliser le code ev.x en entrons les commandes suivantes :

11
 Figure 11 : les commandes du code ev.x

On obtient le fichier <A.out> dans le même dossier représenter dans la figure 12.

Figure 12 : Résultats du code ev.x

Alors on a a = 5,46596 Ang, c’est une valeur plus précise que la valeur du 1ère méthode.

IV.1.3 3ème méthode : Convergence de la constante du réseau (vc-relax).

Nous utilisons une méthode automatique pour calculer ce qui précède et le comparer avec ce que
nous avions
➢ Command :…/bin/pw.x <Si-vc-relax.in> Si-vc-relax.out
➢ L'algorithme de Broyden – Fletcher – Goldfarb – Shanno (BFGS) est une méthode
itérative pour résoudre des problèmes d'optimisation non linéaire sans contrainte

12
 Figure 13 : Fichier input du méthode (vc-relax)

On ouvre un terminal dans le dossier <relax> et on écrit le même du Et on clique sur entrer, ensuite on obtient le fichier output
Tp-1 après on entre cette commande : :…/bin/pw.x <Si-vc- montrer dans la figure 14
relax.in> Si-vc-relax.out

Figure 14 : Fichier output du méthode (vc-relax)

Donc on a selon le fichier output que :

a = (0,511789471*2*10,09113751)/1,8897259886 =5,465911946 Å

➢ Nous constatons que la comparaison entre la méthode automatique et la méthode de

traitement nous donne les mêmes résultats.
➢ Ainsi, nous concluons que nous pouvons utiliser la méthode automatique car elle est
facile.

13
 V. Tp3 : Densité d’états (DOS) et structure des
bandes
V.1 Objectif du Tp-3 :
➢ Calculer La densité d'état DOS
➢ Déterminer La structure de bande
Dans ce TP nous avons étudié les propriétés électroniques de SI
L’importance des propriétés électroniques d’un matériau réside dans le fait qu’elles nous
permettent d’analyser et de comprendre la nature des liaisons, qui se forment entre les différents
éléments du matériau.
V.1.1 Densité d’état DOS :
La densité d'états (DOS) est essentiellement le nombre d'états différents à un niveau d'énergie
particulier que les électrons sont autorisés à occuper, c'est-à-dire le nombre d'énergie particulier
que les électrons sont autorisés à occuper, c'est à dire le nombre d'états d'électrons par unité de
volume par unité d'énergie.
Les calculs DOS permettent de déterminer la distribution générale des états en fonction de
l'énergie et peuvent également déterminer l'espacement entre les bandes d'énergie dans les semi-
conducteurs.
Donc on va entrer au dossier <dos> et on va changer les K-points entre 101010-121212-141414-
161616-202020-242424 au fichier scf.in nscf.in et dos.in et dans le terminale on va entrer le même
chemin utiliser précédemment après on écrit cette commande : /pw.x<scf.in> scf.out on exécute
,on entre cette commande : / pw.x<nscf.in> nscf.out on éxcute et on entre cette commande :
dos.x<dos.in> dos.out et on exécute. À chaque fois on change les K-Points on suivre les mêmes
commandes. Comme la montre la figure ci-dessous :

Figure 15: Le code pour obtenir les résultats de densité d’états

Maintenant pour tracer les résultats on utilise cette commande : gnuplot tdos.gnu. On obtient la
figure ci-dessous :

14
 Eg

Figure 16 : Densité d'états pour les différentes K-Points

Nous voyons la densité d'états bien connue du silicium avec une bande interdite d'environ 0,6 Ev
avec différent valeur de K-points. On remarque que le Si est un semi-conducteur.
V.1.2 Structure de bande :
La théorie des bandes est un modèle quantique en physique des solides qui détermine les énergies
possibles des électrons dans un solide et permet de comprendre la notion de conductivité
électrique. Il est issu de la théorie des orbitales moléculaires.
Dans un solide, les niveaux d'énergie permis sont confinés dans une bande dont la largeur, de
l'ordre de l'électronvolt, dépend du cristal et du recouvrement des orbitales atomique.
Les solides ont une structure de bandes ; on distingue les bandes d'énergie permises, et les bandes
d'énergie interdites. Les bandes d'énergie se remplissent selon la loi statistique de Fermi : on
montre qu'à 0 K, les électrons occupent tous les niveaux d'énergie inférieure à l'énergie de Fermi,
ou niveau de Fermi. Sa valeur est caractéristique du cristal considéré.
On met alors en évidence la bande de valence et la bande de conduction.
Dans cette partie on va déterminer la structure des bandes du Si en varions les K-Points
(101010,121212,141414,161616,202020,242424), pour cela on utilise 3 fichiers : <scf.in>,
<bands.in> et <p-bands.in>. On va entrer dans le dossier <Bands>, on ouvre un terminal, après
on va écrire le chemin utilisé précédemment et on écrit ces commandes-là :
‘‘/pw.x <scf.in>scf.out’’ ;
‘‘/pw.x<bands.in>bands.out’’ ;
‘‘/bands.x <p-bands.in>p-bands.out’’;
À chaque fois on change les K-Points on suivre les mêmes commandes, après pour déterminer le
résultat final on écrit cette commande : ‘‘gnuplot band.gnu’’. on obtient la figure ci-dessous :

15
 Eg
Gap indirect

Figure 17 : Structure des bandes pour Si.

Nous remarquons que notre matériau est un semi-conducteur car il présente une bande interdite.
On peut dire aussi que le silicium est dit à « gap indirect » : la plus petite distance entre la bande
de valence et la bande de conduction correspondent à des valeurs différentes de K. une transition
proche de Eg devra impliquer un phonon du réseau (absorption ou émission).

On peut conclure que nos résultats obtenus sont en très bon accord avec le calcul
trouvé dans la littérature.

16
 VI. Tp4 : La nature de liaison
VI.1 Objectif du Tp-4 :
Dans ce Tp on va étudier la nature des liaisons entre les atomes des trois matériaux :
➢ Silicium
➢ Lithium
➢ NaCl

VI.2 Liaison :
Les liaisons sont classées en deux catégories : Liaison de forte énergie et liaison de faible énergie.
Les liaisons (covalente, métallique et ionique) sont de fortes énergies. Les liaisons (London, Van
der Walls, Debye, hydrogène etc..) sont de faibles énergies.
VI.2.1 Liaison covalente :
La liaison covalente entre 2 atomes A et B non métalliques est la mise en commun de deux
électrons. Chaque atome fournit un électron de valence. Si on étudie la probabilité d’existence
d’électron entre deux atomes dans un matériaux formée par des liaisons covalentes, on trouve
que la probabilité égale à 1

Figure 18 : Molécule de Cl2

VI.2.2 Liaison métallique :

C'est la mise en commun dans le métal de tous les électrons de valence. On obtient alors une
bande de conduction. C'est la raison pour laquelle, un métal est capable de transporter de
l'énergie électrique. Si on étudie la probabilité d’existence d’électron entre deux atomes dans un
matériaux formée par des liaisons covalentes, on trouve que la probabilité égale à 0.5.

Figure 19 : Matériaux formé par des liaison métallique.

VI.2.3 Liaison ionique :

Il n'y a pas de mise en commun d'électrons. Un atome (généralement un alcalin) cède son
électron s1 à l'autre atome.

17
 Figure 20 Molécule de NaCl.

Le sodium a cédé son électron 3s1 au chlore. Il devient Na+ et possède la configuration 2s2 2p6
(octet). Pour le chlore, sa configuration électronique était 3s2 3p5, en acceptant l'électron de Na, il
devient Cl- et acquiert la configuration 3s2 3p6 (octet). « Octet » (L’atome s’entoure de huit
électrons de valence). Ce sont les forces coulombiennes qui assurent la cohésion du cristal. Si on
étudie la probabilité d’existence d’électron entre deux atomes dans un matériaux formée par des
liaisons ioniques, on trouve que la probabilité égale à 0, mais la probabilité d’existence
d’électrons est plus dense autour de l’atome accepteur.

VI.3 Le silicium
Dans cette partie on va entrer dans le dossier <Silicon> et on ouvre le fichier <scf.in>, puis on
va entrer les informations manquantes telle que les cordonnées réduites, nombre d’atomes etc…
Et on ouvre un terminal après on écrit le chemin puis on va écrit cette commande :
‘‘/pw.x<scf.in>scf.out’’ et on clique sur entrer, lorsque le programme termine l’exécution on écrit
une autre commande après le chemin ‘‘/pp.x<pp.in>pp.out’’, telle qu’il est montré dans la figure
ci-dessous :

Figure 21 : Commandes pour générer le fichier Si.Cube

Par la suite on obtient un fichier <Si.cube> dans le dossier <Silicon>, maintenant on va prendre
ce fichier et on installe un programme qui s’appelle : (VESTA)

18
 Figure 22 : Vesta

On va entrer dans le logiciel VESTA et on va faire ouvrir le fichier Si.cube dans ce logiciel et on
va suivre les étapes suivantes :

Cliquer sur : File puis

sur Open…

On choisit le fichier :
Si.cube

19
 On clique sur cette
icone et on sélectionne
les atomes

On clique sur Edit puis

sur Lattice planes… On clique sur New puis
sur Calculate the best
plane for the selected
atoms

Finalement on obtient le
résultat. On peut faire
capture d’écran

Figure 23 : Étapes pour générer le résultat à VESTA.

20
 Probabilité = 1

Probabilité = 0.5

On a ici entre les deux

atomes de Si le rouge
Probabilité = 0

Figure 24 : Résultat de nature de liaison au cas du Si

Donc on peut dire qu’on a dans le cas du silicium des liaisons covalentes parce que la probabilité
égale à 1.

VI.4 Le Lithium :
On va suivre les mêmes étapes qu’on a déjà vue dans le cas du silicium, on obtient le résultat
montré ci-dessous :

Figure 25 : Résultat de nature de liaison au cas du Li.

On a ici entre les deux

atomes de Li on a le vert

21
 Donc on peut dire qu’on a dans le cas du Lithium des liaisons métalliques parce que la probabilité
égale à 0.5.

VI.5 NaCl :
Après que j’ai suivi les mêmes étapes j’ai obtenu le résultat ci-dessous :

On a ici entre les

deux atomes de NaCl
le bleu, et autour les
atomes on a une
probabilité
d’existence
Figure 26 : Résultat de nature de liaison au cas du NaCL
d’électrons
Donc on peut dire qu’on a dans le cas de NaCl des liaisons ioniques parce que la probabilité égale
à 0.

22
 VII. Conclusion générale
Nous avons donné un aperçu de la théorie de la
fonctionnelle de la densité : son formalisme, les
extensions, les implémentations numériques, les
logiciels associes, en particulier Quantum
EXPRESSO, et les applications dans le domaine
du physique de matériaux.
Dans notre travail on a étudié le comportement
de Si en volume en déterminant les paramètres
pertinents (paramètre de maille, énergie de
coupure, maillage de la ZB,) que nous utiliserons
pour la simulation des différents matériaux.
Pour toutes les simulations effectuées dans le
cadre de notre étude de Si, on a fixé deux
paramètres parmi les trois (paramètre a, Ecutoff,
K-points) en changeant le troisième, à fin
d’obtenir l’Energie totale minimale pour étudier
la stabilité du système. à fin de calcule la largeur
du gap et conclure le type du matériau. Dans le
dernier Tp on a étudier les différentes liaisons
du Si , Li et de NaCl.

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