Master 2 EEA – Année 2020 – 2021

Unité d’Enseignement HMEE316

Examen – Session 2

Mardi 16 février 2021 – durée conseillée : 30 min

La qualité de la rédaction et de la présentation sera prise en compte. Justifiez vos résultats, vos réponses.

Lasers à semi-conducteurs

1.1. Un doctorant a trouvé un laser inconnu sur un banc optique. Il a enregistré son spectre
d’émission au-dessus du seuil et a obtenu le spectre donné sur la figure 1 ci-dessous.
Quel est le taux de suppression des modes latéraux (SMSR)?
Le taux de suppression des modes latéraux (SMSR) est une mesure de la suppression du mode
principal par rapport aux modes secondaires :

SMSR= 10 log (Puissance mode princip /puissance mode secondaire) = 5,48dB

1.2. A votre avis, quel est ce type de laser : émission par la tranche, par la surface, DFB,
…? Pourquoi ? Pourrait-on le rendre monomode ?
Le spectre montré dans l'image indique un pic d'émission principal très prononcé avec quelques
modes secondaires mineurs sur les côtés, ce qui est caractéristique d'un laser à émission par la
tranche (Edge Emitting Laser). Les lasers DFB (Distributed Feedback) et VCSEL (Vertical Cavity Surface
Emitting Laser) ont tendance à avoir des spectres plus uniformes ou des modes uniques sans ces pics
secondaires distincts.
Pour rendre ce laser monomode, on pourrait utiliser diverses techniques telles que :
 Intégrer un réseau de Bragg (pour un laser DFB) / ou cavité Fabry Perrot qui renforce
un seul mode de résonance.
 Ajuster la géométrie de la cavité pour favoriser l'émission sur un seul mode
longitudinal.

E. Tournié
 1.3. Ce même doctorant a "clivé" un wafer comme sur la figure 2. Est-ce qu’il peut observer
l’effet laser ? Si oui, où est la cavité ?
La Fig. 2 illustre un wafer avec des faces clivées qui agissent comme des miroirs. Si ce wafer est
pompé ou injecté avec un courant suffisant, il pourrait observer l'effet laser en raison de la réflexion
sur ces faces clivées, ce qui forme une cavité optique.

1.4.Les caractéristiques électriques d’une diode laser sont données sur la figure ci-
dessous. Commenter.
 On observe que la tension augmente lentement pour les faibles courants puis plus
rapidement après le seuil de l'émission laser. Cela indique que le laser commence à
émettre de la lumière au seuil et que l'efficacité de la conversion de l'énergie électrique
en énergie lumineuse augmente.
 Pour La courbe inférieure La pointe observée correspond au seuil laser, où la pente de la
courbe I-V change, ce qui signifie une modification des propriétés électriques de la
diode en raison de l'initiation de l'émission de lumière.

E. Tournié
 1.3. Quelles sont les « briques de base » nécessaires pour réaliser un laser à semi-conducteurs
complet ?
Substrat :
 Propriété : Matériau de base qui sert de fondation pour les différentes couches du
dispositif semi-conducteur. Le substrat doit avoir une bonne conductivité thermique pour
dissiper la chaleur et une bonne adéquation de la grille cristalline avec les couches épitaxiales
pour minimiser les défauts.
 Fonction : Supporter structurellement l'ensemble du dispositif semi-conducteur et permettre
l'intégration des autres couches fonctionnelles du laser.

Couche de contact :
 Propriété : Hautement conductrice, souvent dopée pour optimiser l'injection de porteurs de
charge. Elle peut être conçue pour être transparente à la longueur d'onde émise si elle se
trouve au-dessus de la zone active.
 Fonction : Fournir une voie électrique pour injecter les électrons dans la zone active et
collecter les trous, tout en permettant une distribution uniforme du courant sur toute la zone
active.

Couche de Confinement :
 Propriété : Généralement composée de matériaux avec une large bande interdite (gap
énergétique plus grand) par rapport à la zone active.
 Fonction : Confiner les porteurs de charge (électrons et trous) et les photons dans la zone
active, améliorant ainsi l'efficacité du laser en réduisant les pertes.

Zone Active :
 Propriété : Composée d'un matériau à semiconducteur avec un gap énergétique approprié
pour la longueur d'onde de la lumière émise.
 Fonction : Région où se produit la recombinaison radiative des électrons et des trous,
générant ainsi les photons qui constituent le faisceau laser.

Guide d’Onde :
 Propriété : Structure stratifiée avec un indice de réfraction différent de celui des couches
environnantes, souvent intégrée avec la zone active.
 Fonction : Confiner et guider la lumière le long de l'axe du laser, permettant une émission
de lumière efficace et directionnelle.

1- Pour réaliser un laser à semiconducteurs, on commence par analyser quelques propriétés des
semiconducteurs. Donner deux de ces propriétés fondamentales et cruciales pour le laser.
 Bande interdite (Gap énergétique) : La bande interdite est l'écart d'énergie entre la bande
de valence et la bande de conduction. Elle est cruciale car elle détermine la longueur d'onde
de la lumière émise par le laser.
 Recombinaison radiative : Dans les semiconducteurs, les électrons peuvent passer de la
bande de conduction à la bande de valence en émettant de la lumière (photon). Ce processus
est essentiel pour la génération de lumière dans les lasers à semiconducteurs.

E. Tournié
2- Comment utiliser la figure 1 ci-dessous ?
 Permet de déterminer la longueur d’onde d’émission et le paramètre de mail pour les
différents alliages de semi-conducteur afin de déterminer les combinaisons possibles pour
une application particulière
 Pour utiliser la figure 1, vous devez tracer une ligne verticale à partir de la constante de
réseau souhaitée jusqu'à ce qu'elle croise la courbe de bande de gap du matériau choisi, puis
horizontalement vers la droite pour déterminer l'énergie de bande gap correspondante, qui
peut être convertie en longueur d'onde d'émission via la relation E=hc/λ.

3- Commenter et exploiter la figure 4 ci-dessous tirées de Belahsène et al., IEEE Photon. Technol.
Lett. 22, 1084 (2010).
 Courbes P-I: Les courbes montrent la relation entre la puissance optique émise et le courant
injecté dans la diode laser DFB à différentes températures.
 Puissance de sortie: Pour un même courant, la puissance de sortie diminue lorsque la
température augmente, ce qui est typique des diodes laser en raison de l'efficacité interne
diminuant avec la température.
 Seuil de lasing: Le courant de seuil, où la diode commence à émettre de la lumière laser,
augmente avec la température. Cela peut être dû à une augmentation des recombinaisons
non radiatives à des températures plus élevées.
 Efficacité différentielle: La pente de la courbe P-I au-dessus du seuil indique l'efficacité
différentielle, qui diminue avec la température. Ceci est dû à l'élargissement de la bande
d'énergie et à une séparation plus grande des porteurs de charge avec l'augmentation de la
température, ce qui réduit la probabilité de recombinaisons radiatives.
 Implications pratiques: La gestion de la température est cruciale pour maintenir la
performance optimale de la diode laser, en particulier pour les applications qui nécessitent
une sortie de puissance stable.

E. Tournié
 1. Quels sont les différents types de lasers à semi-conducteurs ?
 Edge-Emitting Lasers (EEL) : Émettent la lumière par la tranche du semi-conducteur.
 Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers (VCSEL) : Émettent la lumière
perpendiculairement à la surface du semi-conducteur.
 Distributed Feedback Lasers (DFB) : Utilisent un réseau de diffraction intégré pour
sélectionner la longueur d'onde du mode laser.
 Distributed Bragg Reflector Lasers (DBR) : Semblables aux DFB, mais avec un réseau de
Bragg séparé de la zone active.
 Quantum Cascade Lasers (QCL) : Utilisent des transitions entre des niveaux d'énergie dans
des structures en puits quantiques.
 Quantum Dot Lasers (QDL) : Utilisent des points quantiques comme zone active pour le
gain.
2. Quelles sont les différences de principe de fonctionnement entre ces lasers ?
 Les lasers à diode fonctionnent en exploitant la recombinaison de porteurs de charge
dans une jonction PN.
 Les lasers à point quantique utilisent des nanostructures appelées points quantiques
pour générer l'émission laser.
 Les lasers à cascade quantique ont des couches minces de matériaux qui forment des
étapes électroniques, augmentant l'efficacité du transfert d'énergie.
 Les lasers DFB et DBR utilisent une rétroaction optique périodique pour sélectionner
la longueur d'onde spécifique de l'émission laser.
3. Qu’apporte un alliage ternaire par rapport à un composé binaire, un alliage quaternaire
par rapport à un alliage ternaire, et un alliage pentanaire par rapport à un alliage
quaternaire ?

Un alliage ternaire ajoute un troisième élément à un composé binaire, améliorant souvent

les propriétés du matériau. De même, un alliage quaternaire ajoute un quatrième élément,
offrant davantage de possibilités de synergie. Un alliage pentanaire, de même, introduit un
cinquième élément, augmentant encore les options de réglage des propriétés du matériau.

E. Tournié
 Quels sont les principaux champs d’application des lasers en technologies GaN, GaAs,
InP, GaSb ?

 Lasers GaN : Éclairage LED, dispositifs d'affichage, applications médicales,

communications optiques.
 Lasers GaAs : Communication optique, capteurs, lasers de pompage pour les
amplificateurs à fibre.
 Lasers InP : Télécommunications, lasers à cascade quantique, sources de lumière
pour la spectroscopie.
 Lasers GaSb : Applications dans l'infrarouge moyen et lointain, télédétection,
détection de gaz.

4 - Décrire les divers types de recombinaisons de porteurs qui peuvent exister dans un semi-
conducteur, et leur origine.
 Recombinaison de recombinaison directe (ou radiative) :
Origine : Les porteurs de charge (électrons et trous) se recombinent directement, émettant de
l'énergie sous forme de lumière (photons).
 Recombinaison mono moléculaire (ou recombinaison de Shockley-Read-Hall) : (NR)
Origine : La recombinaison mono moléculaire se produit via des centres de piège individuels dans
la bande interdite du semi-conducteur. Les porteurs de charge sont piégés par ces centres avant
de se recombiner, généralement sans émission de lumière. Cette recombinaison peut être
influencée par la présence d'impuretés et de défauts dans le matériau.
 Recombinaison Auger :
Origine : La recombinaison Auger implique l'interaction entre trois porteurs de charge, où
l'énergie d'un porteur est transférée à un autre sans émission de lumière. Ce processus est
influencé par la densité des porteurs et peut contribuer aux pertes d'énergie dans les dispositifs
semi-conducteurs.

5 - Quelles sont les recombinaisons intéressantes pour réaliser des composants

optoélectroniques ?
 Pour réaliser des composants optoélectroniques, la recombinaison la plus intéressante est la
recombinaison radiative. Voici pourquoi :

 Mécanisme de Recombinaison Radiative : Dans ce processus, un électron de la bande de

conduction recombine avec un trou dans la bande de valence. Cette recombinaison libère de
l'énergie sous forme de photons, c'est-à-dire de la lumière.

E. Tournié
6 - On considère la cavité Fabry-Pérot ci-dessous de longueur L et fermée par deux miroirs de
pouvoir réflecteurs R1 et R2. Le milieu semiconducteur compris entre ses miroirs présente un
gain g et des pertes internes i. Etablir l’équation du gain au seuil.

7 - Quels types de sources de lumière à semi-conducteurs connaissez-vous ? Qu’est-ce qui

différencie ces deux types de sources ?
Diodes Électroluminescentes (LED) :
 Mécanisme d'Émission : Émission spontanée. Les électrons et les trous se recombinent
spontanément, émettant des photons.
 Caractéristiques de la Lumière : Lumière incohérente et dispersée dans différentes
directions (lumière non-collimatée).
 Largeur Spectrale : Large, produisant une lumière qui peut être perçue comme moins
pure ou moins monochromatique.
 Applications : Éclairage général, écrans, indicateurs.
Diodes Laser (Lasers à Semi-Conducteurs) :
 Mécanisme d'Émission : Émission stimulée. Les photons déjà émis stimulent la
libération d'autres photons, créant une cascade amplifiée.
 Caractéristiques de la Lumière : Lumière cohérente, collimatée (directionnelle) et
monochromatique.
 Largeur Spectrale : Très étroite, ce qui donne une lumière de couleur très pure.
 Applications : Lecteurs de codes-barres, lecteurs optiques, communications par fibre
optique, chirurgie laser.

E. Tournié
8 - Donnez, en justifiant votre choix, deux exemples d’applications pour chaque type de source.
 LED :
1. Éclairage à LED : Les LED sont largement utilisées pour l'éclairage domestique et
industriel en raison de leur efficacité énergétique et de leur longue durée de vie.
2. Écrans à LED : Les écrans LED sont utilisés dans les téléviseurs, les panneaux
d'affichage et les dispositifs électroniques pour leur capacité à produire une lumière
vive et colorée.
 Laser à semi-conducteurs :
1. Lecteurs de DVD/Blu-ray : Les lasers à semi-conducteurs sont utilisés dans les
lecteurs optiques pour lire les données sur les disques DVD et Blu-ray en raison de
leur capacité à générer une lumière cohérente de courte longueur d'onde.
2. Télémétrie laser : Les lasers à semi-conducteurs sont utilisés dans les applications de
télémétrie pour mesurer des distances avec précision, par exemple dans les
instruments de mesure laser.

Que sont le rendement quantique interne i et le rendement quantique différentiel externe d

d’une diode laser ?

 Rendement Quantique Interne (ηi) : Il représente la fraction des porteurs injectés dans la
zone active qui participent à la recombinaison radiative. Idéalement, il devrait être proche de
100%, signifiant que presque tous les électrons et trous recombinaient pour émettre des
photons.
 Rendement Quantique Différentiel Externe (ηd) : C'est la variation du nombre de photons
émis par la variation du courant d'entrée, à l'extérieur de la diode. Il est défini par la
pente de la partie linéaire de la courbe de lumière sortie vs courant d'entrée (L-I).

9 - Quelles sont les mesures que l’on doit faire et les courbes que l’on doit tracer pour obtenir les
valeurs de d, i et i ? Expliquer comment on obtient ces valeurs à partir des courbes.

Pour mesurer ηd, ηi et αi (le coefficient d'absorption interne), les expériences suivantes peuvent être
effectuées :
 Pour ηd : (nd= Psopt/Ie) , Tracez la courbe de la puissance de sortie optique (L) en fonction
du courant d'entrée (I). La pente de la partie linéaire de cette courbe donne ηd.
 Pour ηi et αi** : Pour obtenir la valeur de nd, on mesure la puissance émise en sortie de la
diode pour un certain courant d'entrée, et on utilise la relation nd = Pout / Pin, où Pout est la
puissance émise en sortie et Pin est la puissance émise en entrée.
 Pour obtenir la valeur de ai, on peut utiliser la relation ai = 1- (nd*ni), c'est-à-dire la
différence entre 1 et le produit de nd et ni.
10 - Comment peut-on jouer sur le poids de chaque type de recombinaison ?
 Jouant sur la qualité du matériau : Améliorer la pureté et la structure cristalline
réduit les recombinaisons non radiatives. Utiliser des techniques avancées de
fabrication et de traitement minimise les défauts.

E. Tournié
  Jouant sur la structure de la bande : Choisir des matériaux avec une bande interdite
directe favorise les recombinaisons radiatives. Utiliser des hétérostructures, comme
des puits quantiques, pour confiner les porteurs de charge et modifier la dynamique de
recombinaison.

11 - Pour réaliser un laser à semiconducteurs, on commence par analyser quelques propriétés des
semiconducteurs. Donner deux de ces propriétés fondamentales et cruciales pour le laser.
 Coefficient de recombinaison radiative : La capacité des électrons et des trous à se
recombiner dans la zone active pour générer des photons. Une efficacité élevée de
recombinaison radiative est préférable pour un laser efficace
 Bande interdite : La différence d'énergie entre la bande de conduction et la bande de
valence, qui détermine la longueur d'onde de la lumière émise par le laser.
 Propriétés des alliages (paramètre de maille)

12 - Comment peut-on diminuer (en tout cas essayer !) le courant de seuil d’un laser à
semi-conducteurs ?
 Optimisation de la conception de la cavité : Améliorer les miroirs pour augmenter la
réflectivité et réduire les pertes internes, optimiser la longueur de la cavité pour une
meilleure amplification.

 Choix judicieux du matériau semi-conducteur : Utiliser des matériaux avec une efficacité de
recombinaison radiative plus élevée et un gap direct pour améliorer l'efficacité lumineuse.

 Optimisation de la distribution de porteurs : Améliorer le confinement des porteurs de

charge dans la zone active pour augmenter l'efficacité de la génération de lumière et réduire
le courant nécessaire pour l'inversion de population.

 Contrôle de la Température : Les performances des lasers à semi-conducteurs sont

fortement influencées par la température. Refroidir le dispositif peut réduire le courant de
seuil car la densité de porteurs nécessaires pour atteindre l'inversion de population est plus
faible à basses températures. De plus, les pertes non radiatives, qui augmentent avec la
température, sont également réduites, améliorant ainsi l'efficacité globale du laser.

13 - Commentez et exploitez les figures 3 et 4 ci-dessous tirées de Belahsène et al., IEEE Photon.
Technol. Lett. 22, 1084 (2010).

E. Tournié
La figure montre le spectre d'un laser à semi-conducteurs en mode continu (CW mode) pour
un laser DFB (Distributed Feedback) de 1200 µm de longueur. Le spectre est enregistré à une
température de 15 °C avec des courants d'opération variant de 100 mA à 200 mA par
incréments de 20 mA.
Voici les points clés à noter :
 Modes de Résonance : Les pics nets et étroits représentent les modes de résonance du
laser. Chaque pic correspond à une longueur d'onde différente où le gain est suffisant
pour soutenir l'oscillation laser.
 Effet du Courant sur la Longueur d'Onde : L'augmentation du courant de
pompage déplace les pics vers des longueurs d'onde plus courtes. Cela peut être
dû à l'effet de chauffage ou à l'augmentation de l'indice de réfraction du
matériau semi-conducteur à des densités de courant plus élevées.
 Intensité Relative : L'intensité relative des pics diminue avec l'augmentation de la
longueur d'onde. Ceci est typique des lasers DFB, où la structure périodique intégrée
favorise l'émission à une longueur d'onde spécifique.
 Utilisation des Données : Ces données peuvent être utilisées pour calibrer le laser
pour des applications spécifiques, en ajustant le courant d'injection pour obtenir la
longueur d'onde désirée avec l'intensité maximale.

14 - Donner la loi de Bernard et Durrafourg et la commenter.

To reach amplification, the distance between the quasi Fermilevel must be larger than
the gap (Bernard & Duraffourg condition).
In a semiconductor, the photons with an energy in between the gap and the quasi Fermi-level
distance are amplified

15 - Quelles différences y-a-t-il entre un laser interbande et un laser à cascade quantique ?

 Laser interbande : Opère sur le principe de la recombinaison électron-trou entre la bande de
conduction et la bande de valence. La longueur d'onde émise est déterminée par la bande
interdite du matériau.

 Laser à cascade quantique : Utilise des transitions électroniques entre des niveaux d'énergie
sub-bandes dans des puits quantiques. Cela permet d'obtenir des longueurs d'onde plus
longues et ajustables indépendamment du gap énergétique du matériau.
16 - Quelles différences y-a-t-il entre VCSEL et un laser émettant par la tranche ?
 VCSEL : Émet la lumière perpendiculairement à la surface de la puce semi-
conductrice, a une cavité plus courte, et est souvent utilisé dans des applications
nécessitant un couplage efficace avec des fibres optiques.

E. Tournié
  Laser émettant par la tranche : Émet la lumière parallèlement à la surface de la
puce, nécessite généralement des éléments optiques externes pour le couplage de la
fibre, et est utilisé pour des puissances de sortie plus élevées.

E. Tournié