Fonctions Electroniques

Chapitre I Les amplificateurs de puissance
Cours : Fonctions électroniques
Présenté par : Dr Hanen BOUHADDA
Section : LCE-IOT 1
Année universitaire : 2022-2023

Table des matières

Chapitre 0 : Introduction et révision .......................................................................................... 1
I. Introduction .................................................................................................................... 1
II. Notions de base .............................................................................................................. 1
1. Eléments de base ...................................................................................................... 1
2. Eléments de circuit ................................................................................................... 2
3. Mesure de tensions et courants ................................................................................ 4
4. Les Diodes ............................................................................................................... 5
5. Les conventions en électronique .............................................................................. 6
6. Composants élémentaires de l’électronique ............................................................. 7
7. Eléments en série et éléments en parallèle ............................................................... 7
8. Lois de kirchhoff ...................................................................................................... 8
9. Théorème de THEVENIN et de NORTON ................................................................. 10
10. Structure du transistor bipolaire ............................................................................. 14
Chapitre 1 : Les amplificateurs de puissance ............................................................................. 1
I. Définition ....................................................................................................................... 1
II. Rappel............................................................................................................................. 1
1. Valeur moyenne d'un signal périodique ......................................................................... 1
2. Valeur moyenne d'un signal alternatif ............................................................................ 1
3. Puissance dissipée par un signal périodique quelconque ......................................... 2
III. Caractéristiques d'un amplificateur de puissance ........................................................ 3
1. Propriétés ........................................................................................................................ 3
2. Critères de sélection d'une classe d'amplificateur .......................................................... 5
3. Classe d’amplification de puissance ........................................................................ 5
a. Amplificateurs de puissance classe A .................................................................. 5
b. Amplificateurs de puissance classe B .................................................................. 5
c. Amplificateurs de puissance classe AB................................................................ 6

d. Amplificateurs de puissance classe C .................................................................. 6
e. Amplificateurs de puissance classe D .................................................................. 6
IV. Structure de base des amplificateurs de puissance ...................................................... 6
1. La classe A avec une charge résistive ............................................................................ 9
2. La classe B ................................................................................................................... 14
a. Principe de la classe B ............................................................................................. 14
b. Fonctionnement du push-pull ................................................................................... 15
c. Rendement en classe B ............................................................................................. 16
d. Distorsion de croisement .......................................................................................... 17
e. Correction de distorsion ..................................................................................... 18
3. La classe AB. ................................................................................................................ 18
a. Structure de base ....................................................................................................... 18
b. Puissance et rendement dans les amplificateurs de classe AB ................................. 19
4. Amplificateurs de classe C..................................................................................... 21
a. Principe. .................................................................................................................... 21
b. Fonctionnement. ....................................................................................................... 23
b. Puissance et rendement dans les amplificateurs classe C......................................... 25
Chapitre 2 : Le transistor en commutation ................................................................................. 1
I. Introduction ......................................................................................................................... 1
II. Le transistor bipolaire en commutation ............................................................................. 2
1. Le circuit de sortie ................................................................................................... 2
2. Le circuit de commande ........................................................................................... 4
a. Caractéristique d’entrée ........................................................................................ 4
b. Caractéristique de transfert................................................................................... 5
3. Caractéristiques générales ........................................................................................ 7
Chapitre 3 : Les filtres actifs analogiques .................................................................................. 1
I. Les filtres ............................................................................................................................ 1

II. Les amplificateurs opérationnels ....................................................................................... 1
1. Symbole ................................................................................................................... 1
2. Caractéristiques d’un AOP ...................................................................................... 2
3. AO réel ..................................................................................................................... 2
4. Constitution .............................................................................................................. 3
III. Etude du filtre en régime sinusoïdal ................................................................................. 4
IV. Action des différents filtres .............................................................................................. 5
1. Filtre passe-bas ......................................................................................................... 5
2. Filtre passe-haut ....................................................................................................... 6
3. Filtre passe tout ou déphaseur .................................................................................. 7
5. Filtre passe-bande .................................................................................................... 7
6. Filtre coupe-bande (ou réjecteur de bande) ............................................................. 8
V. Filtres réels ..................................................................................................................... 8
VI. Exemples ..................................................................................................................... 9
1. Exemple n°1 : filtre passe-bas passif ..................................................................... 10
VII. Filtre en régime non sinusoïdal ................................................................................. 13
Chapitre 4 : Les oscillateurs ....................................................................................................... 1
I. Introduction .................................................................................................................... 1
II. Oscillateurs a réactions................................................................................................... 1
1. Principe........................................................................................................................... 1
2. Principaux types d’oscillateurs ................................................................................ 2
a. Oscillateurs à pont de Wien.................................................................................. 2
b. Oscillateur déphaseur "Phase shift" ..................................................................... 3
c. Oscillateur Colpitts ............................................................................................... 4

Liste des figures

Figure 1: Eléments de circuit ..................................................................................................... 2
Figure 2: Source de courant ....................................................................................................... 2
Figure 3: Source de tension ........................................................................................................ 3
Figure 4: Exemple de résistance ................................................................................................. 3
Figure 5: Code couleur ............................................................................................................... 4
Figure 6: Voltmètre .................................................................................................................... 4
Figure 7: Ampèremètre .............................................................................................................. 5
Figure 8: Caractéristique courant- tension d’une diode idéale ................................................... 6
Figure 9: Les conventions en électronique ................................................................................. 6
Figure 10: Amplificateur classe A ............................................................................................. 2
Figure 11: Bilan de puissance .................................................................................................... 3
Figure 12: Réponse en fréquence d'un amplificateur ................................................................. 4
Figure 13: Point de fonctionnement ........................................................................................... 5
Figure 14: Régime total de fonctionnement ............................................................................. 10
Figure 15: Montage d’un amplificateur push-pull ................................................................... 14
Figure 16: Caractéristique uc = f(eG ) du push-pull ................................................................. 16
Figure 17: Distorsion de croisement ........................................................................................ 17
Figure 18: Correction de distorsion par diode .......................................................................... 18
Figure 19: Etage de sortie d'un amplificateur classe B ............................................................ 18
Figure 20: Répartition des puissances et rendement d'un amplificateur classe AB. ................ 21
Figure 21: Amplificateur classe C : schéma de principe .......................................................... 22
Figure 22: Amplificateur Classe C avec couplage inductif de la charge ................................. 23
Figure 23: Amplificateur Classe C : Principe de fonctionnement ........................................... 24
Figure 24: Amplificateur Classe C : rendement ....................................................................... 26
Figure 25: Caractéristiques générales ........................................................................................ 7
Figure 26: Structure de filtre ...................................................................................................... 1
Figure 27: Symboles d’un AOP ................................................................................................. 2
Figure 28: Variation de Vs en fonction de ε .............................................................................. 2
Figure 29: Montage suiveur ....................................................................................................... 3
Figure 30: Constitution d’un AO ............................................................................................... 4
Figure 31: Type de filtres ........................................................................................................... 5
Figure 32: Courbes de gain et de phase FPB ............................................................................. 6
Figure 33: Courbes de gain et de phase FPH ............................................................................. 6

Figure 34: Diagramme de bode .................................................................................................. 9
Figure 35: représentation temporelle ........................................................................................ 13
Figure 36: Représentation fréquentielle ................................................................................... 13
Figure 37: Système bouclé ......................................................................................................... 1
Figure 38: Oscillateurs à pont de Wien ...................................................................................... 2
Figure 39: Oscillateur déphaseur ................................................................................................ 3
Chapitre 0 Révision
Chapitre 0 : Introduction et révision
I. Introduction
L’électronique est une science de l’ingénieur, orientée vers la conception et analyse de
systèmes qui conditionnent des signaux électriques, sous la forme courants (faibles ou forts)
ou de tensions électriques, porteurs d’information ou d’énergie.
Deux types de signaux électriques sont à considérer :
• Les signaux analogiques (« Analog electronics »). L’information s(t) est véhiculée par
une grandeur continue dans le temps qui peut prendre une infinité de valeurs dans un
intervalle borné (fréquemment, la tension, plus rarement, le courant ou la puissance).
 Conceptuellement on localise les signaux analogiques d’un système en début ou en
fin de chaîne (respectivement capteurs ou actionneurs).
• Les signaux numériques (« digital electronics »). L’information s(t) est discrétisée
dans le temps, on la notera sk pour l’instant k de prise d’information, et est représentée
ou codée par un nombre fini de niveaux dont la valeur est représentée en base 2
(logique booléenne à base de 0 ou de 1).
II. Notions de base
1. Eléments de base
Electricité : produite par le mouvement d’électrons, généralement dans un conducteur.
Conducteur : matériau où les électrons sont libres de se déplacer.
Il y a deux caractéristiques de base aux circuits électriques :
- Tension v, dont l’unité est le Volt [V] : est l’énergie nécessaire pour déplacer des
charges q :
- Courant i, dont l’unité est l’Ampère [A] : Représente la quantité de charge qui se
déplace à travers une certaine surface dans un certain intervalle de temps :
1
- Puissance : Par définition, la puissance est la quantité d’énergie utilisée dans un lapse
de temps. L’unité de la puissance est le Watt [W]
On peut calculer la puissance électrique en notant que :
2. Eléments de circuit
Les éléments de base des circuits électriques sont :
Figure 1: Eléments de circuit
- Source : un dispositif qui convertit de l’énergie non électrique en énergie électrique.
Figure 2: Source de courant
2
Figure 3: Source de tension
- Résistances : L’unité de résistance est l’Ohm (Ω).
La tension et le courant dans une résistance sont reliés par la loi d’Ohm :
v = Ri
Figure 4: Exemple de résistance
La valeur de résistance est identifiée à l’aide des bandes de couleurs, selon un code bien
établi.
 Code de couleur
3
Figure 5: Code couleur
3. Mesure de tensions et courants

• Mesure de tension : Voltmètre : placé en parallèle avec l’élément
• Mesure de courant : Ampèremètre : placé en série avec l’élément
Souvent, ces deux instruments sont combinés en un seul, le multimètre.
Le voltmètre doit être utilisé en parallèle avec l’élément auquel on veut mesurer la tension.
Un exemple d’utilisation est donné à la figure suivante. Noter que les mesures sont prises aux
bornes de la résistance, de façon parallèle.
Figure 6: Voltmètre
Pour mesurer le courant, il faut placer l’ampèremètre en série avec l’élément auquel on veut
mesurer le courant, comme à la figure suivante. Remarquer qu’on a ouvert le circuit pour
brancher l’ampèremètre.
4
Figure 7: Ampèremètre
4. Les Diodes
C’est un composant utile pour réaliser des fonctions électroniques telles que le redressement
d’une tension, la mise en forme des signaux (écrêtage, …).
5
Figure 8: Caractéristique courant- tension d’une diode idéale
5. Les conventions en électronique

Les conventions sont à connaître par cœur
Figure 9: Les conventions en électronique
6
6. Composants élémentaires de l’électronique

Le tableau suivant récapitule pour les 3 composants de base, les expressions des relations
temporelles courant-tension en convention récepteur et convention générateur :
7. Eléments en série et éléments en parallèle
7
8. Lois de kirchhoff
Deux lois fondamentales sur l’analyse des circuits électriques qui portent le nom de loi des
nœuds de Kirchhoff et loi des mailles de Kirchhoff :
I : Courant entrant ou sortant à un nœud d’un circuit en ampère (A)
ΔV : Variation de potentiel produit par un composant électrique d’un circuit en volt (V)
Conventions sur le courant :
Un courant entrant sur un nœud est un courant positif ( 0 > I ).
Un courant sortant d’un nœud est un courant négatif ( 0 < I ).
Le courant est constant sur une branche et change à la rencontre d’un nœud.
Convention sur une maille :
8
➢ Application des lois de Kirchoff
Solution :
9
9. Théorème de THEVENIN et de NORTON

On peut montrer qu’un réseau électrique, constitué de sources de tension, de courant
et de résistances, vu de ses bornes A et B peut être modélisé par :
• Une source de tension ETH en série avec une résistance RTH : c’est de modèle de
Thévenin
• Une source de courant IN en parallèle avec une résistance 1/GN : c’est le modèle de
Norton.
ETH, est la tension obtenue en plaçant un voltmètre entre les bornes A et B : circuit
ouvert entre A et B, soit vco.
10
Pour obtenir la résistance Thévenin, il faut premièrement mesurer le courant entre les
bornes a et b. Si on place un ampèremètre entre a et b, c’est l’équivalent de placer un
court-circuit. On mesure (ou calcul) donc le courant de court-circuit, icc.
Exercice d’application :
Calculer l’équivalent Thévenin entre les bornes a et b.
Equivalent Norton :
Transformation de source de l’équivalent Thévenin : c’est une source de courant
en parallèle avec une résistance.
Correction :
On calcule en premier la tension de circuit ouvert, vco. C’est la tension aux bornes de a et b.
Méthode des tensions de noeud :
qu’on résout pour trouver v1 = 32V, et donc vab,co = 32V = vT H.
Pour calculer iab,cc, il faut appliquer un court-circuit entre a et b, ce qui donne le circuit
suivant.
11
Méthode des tensions de noeud :
ce qui donne v2 = 16V.
Courant de court-circuit :
La résistance Thévenin est :
Le circuit équivalent est :
Dans cet exemple, l’équivalent Norton serait une source de courant

de 4A en parallèle avec une résistance de 8Ω.
12
10.Théorème de MILLMAN
Exemple :
11.Ponts diviseurs
Ces règles découlent des lois de Kirchhoff. Bien que d'utilisation moins générale, ils
permettent de raccourcir de beaucoup les calculs lorsque l'on peut les appliquer. Lorsque l'on
connait la tension aux bornes de l'association série de deux impédances, ou le courant dans
l'association parallèle de deux impédances, on peut utiliser les formules relatives au pont
diviseur (de tension ou de courant).
13
12.Structure du transistor bipolaire

Un transistor bipolaire est formé d’une série de trois couches NPN ou PNP de matériel dopé
Semi-conducteur, tel qu'illustré sur le schéma ci-dessous. Chaque "zone" est reliée à
une électrode: base (B), émetteur (E), collecteur (C). La base est très mince et son épaisseur
est de l'ordre de quelques microns seulement.
Dans une première approche on peut donc voir ce composant comme deux diodes montées en
opposition (attention deux diodes ne pourront jamais faire un transistor, les jonctions
PN devant se trouver dans le même cristal). On distingue deux types de transistors bipolaires,
les transistors NPN et les transistors PNP.
14
Le transistor NPN (PNP) est constitué par :
- Une couche N (P) fortement dopée constituant l’émetteur.
- Une couche P (N) très mince et faiblement dopée constituant la base.
- Une couche N (P) peu dopée constituant le collecteur.
Le tableau ci-dessous donne une vue d’ensemble de ces composants.
Les transistors NPN sont plus utilisés que les transistors PNP. Ceci est essentiellement dû au
fait que le courant principal est un courant d’électrons. Ils seront donc ”plus rapides”, c’est-à-
dire qu’ils possèderont des fréquences de travail plus élevées.
15
Chapitre 1 Les amplificateurs de puissance
Chapitre 1 : Les amplificateurs de puissance
I. Définition
L’amplificateur de puissance est le dernier étage d’une chaine amplificatrice. Il permet de
fournir une puissance beaucoup plus grande que celle fournie par le signal de
commande, tout en gardant la même forme du signal. La finalité des amplificateurs est la
commande d’un actionneur (haut-parleur, moteur, inductance, résistance...) sans
déformation du signal appliqué en entrée. Dans la plupart des cas, l’amplification en
puissance est une amplification en courant. C’est pourquoi on utilise des transistors
bipolaires, ou des transistors MOS de puissance.
II. Rappel
1. Valeur moyenne d'un signal périodique

Un signal périodique est défini par la relation :
𝑥(𝑡) = 𝑥(𝑡 + 𝑇) = 𝑥(𝑡 + 𝑘. 𝑇)
̅̅̅̅
La valeur moyenne 𝑋 𝑇 sur la période T vaut
1 𝑇 1 𝑡1 +𝑇
̅̅̅𝑇̅ =
𝑋 ∫ 𝑥(𝑡). 𝑑𝑡 = ∫ 𝑥(𝑡). 𝑑𝑡
𝑇 0 𝑇 𝑡1
La valeur moyenne est indépendante du temps de référence à partir duquel on mesure T.
2. Valeur moyenne d'un signal alternatif

Par définition, un signal alternatif est un signal périodique particulier dont la valeur moyenne
est nulle
1
Figure 10: Amplificateur classe A
3. Puissance dissipée par un signal périodique quelconque

Sur la base des définitions précédentes, on voit que tout signal périodique x(t) peut être
décomposé en deux parties :
- une composante continue : X 0

- une composante alternative : ∆x(t)
de sorte que x(t) peut s'écrire :
𝑥(𝑡) = 𝑋0 + ∆𝑥(𝑡)
La puissance instantanée d'un signal périodique quelconque est définie par la relation
𝑝(𝑡) = 𝑢(𝑡)𝑖(𝑡) = (𝑈0 + ∆𝑢(𝑡)). (𝐼0 + ∆𝑖(𝑡))
et selon la définition de la valeur moyenne, on obtient pour la puissance moyenne
𝑥
1 𝑇 𝑡1 +𝑇
𝑃 = ∫ 𝑢(𝑡). 𝑖(𝑡)𝑑𝑡 = 1 ∫ (𝑈0 . 𝐼0 + ∆𝑢(𝑡). ∆𝑖(𝑡) + 𝑈0 . ∆𝑖(𝑡) + 𝐼0 . ∆𝑢(𝑡)). 𝑑𝑡
𝑇 0
𝑇 𝑡1
et sachant que la valeur moyenne d'un signal alternatif est nulle
1 𝑡+𝑇
𝑃 = 𝑈0 . 𝐼0 + ∫ ∆𝑢(𝑡). ∆𝑖(𝑡)𝑑𝑡 = 𝑃𝐷𝐶 + 𝑃𝐴𝐶
𝑇 𝑡
La puissance moyenne d'un signal périodique est donc donnée par la somme de la puissance
liée à la composante continue du signal PDC et la puissance moyenne de la composante
2
alternative de ce signal PAC. Les termes mixtes disparaissent. Cette propriété importante
simplifiera considérablement le calcul de la puissance dans les circuits à transistors où le petit
signal alternatif à amplifier est le plus souvent superposé à une polarisation continue qui fixe
le point de fonctionnement de l'élément actif.
III. Caractéristiques d'un amplificateur de puissance
1. Propriétés
Figure 11: Bilan de puissance
L’alimentation du montage fournie une puissance totale Pf qui se répartit entre la puissance
utile Pu dissipée dans la charge et la puissance Pd dissipée, en pure perte, dans
l’amplificateur. La puissance Pc fournit par le circuit de commande, est en général
négligeable devant celle provenant de l’alimentation.
La puissance de sortie, en général plus élevée que la puissance d’entrée, ne sort évidemment
pas du néant. Elle provient d’une source auxiliaire (pile, alimentation, etc.) appelée source de
polarisation.
On peut définir :
1 𝑇 1 𝑇
• La puissance moyenne utile : 𝑃𝑢 = 𝑇 ∫0 𝑝𝑢 (𝑡)𝑑𝑡 = 𝑇 ∫0 𝑣(𝑡). 𝑖(𝑡). 𝑑𝑡
𝑃𝑢
• Le gain en puissance : 𝐺𝑝 = 𝑃𝑐
𝑃
• 𝑢
Le rendement : 𝜂 = 𝑃 +𝑃
𝑐 𝑓
• Bande passante : Tout amplificateur possède une plage d’utilisation limitée en

fréquence appelée « bande passante ». On appelle fréquence de coupure haute, FCH ,
la fréquence au-dessus de laquelle l’amplificateur n’amplifie plus (ou amplifie moins)
et la fréquence de coupure basse, FCB , la fréquence au-dessous de laquelle il n’y a
plus d’amplification (Fig. 12). La fréquence de coupure basse peut être nulle dans
3
certaines applications. En pratique, on définit la fréquence de coupure lorsque

l’amplification chute de 3 dB.
Bande passante = FCH -FCB
Figure 12: Réponse en fréquence d'un amplificateur
• Distorsion : Lorsque l’amplificateur travaille en grands signaux, le signal de sortie

présente de la distorsions dus à la non-linéarité. Le signal de sortie est un signal
de même période que le signal d’entrée et, comme toute fonction périodique, il
peut être décomposé en série de Fourier. Soit T la période du signal d’entrée et f sa
fréquence. Le signal de sortie S peut se mettre sous la forme :
+∞
𝑣𝑠 (𝑡) = 𝑎0 + ∑ 𝑎𝑛 cos⁡(𝑛𝑤𝑡 + 𝜑𝑛 )
𝑛=1
On appelle distorsion d’harmonique notée dn le rapport entre l’amplitude Vsn de

l’harmonique de rang n et l’amplitude Vs1 du fondamental ; le taux de distorsion
harmonique d’un amplificateur est défini par :
𝑣𝑎𝑙𝑒𝑢𝑟⁡𝑒𝑓𝑓𝑖𝑐𝑎𝑐𝑒⁡𝑑𝑢⁡𝑓𝑜𝑛𝑑𝑎𝑚𝑒𝑛𝑡𝑎𝑙
𝑑 =⁡
𝑣𝑎𝑙𝑒𝑢𝑟⁡𝑒𝑓𝑓𝑖𝑐𝑎𝑐𝑒⁡𝑑𝑒𝑠⁡ℎ𝑎𝑟𝑚𝑜𝑛𝑖𝑞𝑢𝑒𝑠
𝑉𝑠𝑛
𝑑𝑛 =
𝑉𝑠1
4
2. Critères de sélection d'une classe d'amplificateur

De nombreux critères peuvent être pris en compte lors de la sélection d'un amplificateur. Les
points importants étant :
o La puissance de sortie ;
o Le rendement ;
o La puissance maximale que peut dissiper l'élément actif ;
o Le gain (en tension, en puissance) ;
o La distorsion ;
o La fréquence maximale de travail.
3. Classe d’amplification de puissance

Soit un transistor et sa droite de charge. Selon la position du point de repos, on définit des
classes de fonctionnement différentes.
Figure 13: Point de fonctionnement
a. Amplificateurs de puissance classe A

L'amplificateur est constitué d'un étage de sortie ne comportant qu'un seul transistor. Le point
de repos se situe approximativement au milieu de la droite de charge. En fonction du
signal à amplifier, il peut donc se déplacer de part et d'autre de ce point le long de la droite de
charge. Les composants actifs conduisent pendant toute la période du signal d’entrée.
b. Amplificateurs de puissance classe B

L'amplificateur est constitué d'un étage de sortie comportant deux transistors
complémentaires. Le point de repos se situe à la limite du blocage de chaque transistor. Pour
pouvoir amplifier les deux alternances d'un signal sinusoïdal, il faut que l'un des transistors
amplifie les alternances positives et le second les alternances négatives. Les composants actifs
conduisent durant une demi-période du signal d’entrée.
5
c. Amplificateurs de puissance classe AB

L'amplificateur est constitué d'un étage de sortie comportant deux transistors
complémentaires. C’est la structure de base de la sortie d’un amplificateur classe B,
modifiée au niveau de la polarisation.
Le point de repos se situe alors très proche de la limite du blocage des transistors. C'est-à-dire
entre la classe A est la classe B, mais plus proche de la classe B.
d. Amplificateurs de puissance classe C

L'étage de sortie est constitué d'un seul transistor. Le point de repos se situe largement dans la
région bloquée des caractéristiques de ce dernier. Seules les crêtes des alternances positives
du signal d'entrée feront apparaître un signal de sortie.
Les composants actifs conduisent durant moins d’une demi-période du signal d’entrée.
e. Amplificateurs de puissance classe D

L'étage de sortie fonctionne en commutation, c'est-à-dire entre deux niveaux de
tension. La fréquence de commutation est fixe mais le rapport cyclique de
commutation est variable. Le signal basse fréquence (BF) à amplifier est donc codé en
modulation de largeurs d'impulsions (MLI ou PWM). La fréquence de commutation est au
moins d'un ordre de grandeur supérieur à la fréquence maximum du signal BF. Ce signal est
reconstitué par filtrage passe bas à la sortie.
IV. Structure de base des amplificateurs de puissance

L’effet transistor :
Le fonctionnement du transistor bipolaire NPN ou PNP se base sur l’effet transistor. Pour
cela il faut polariser convenablement le transistor.
La figure suivante, présente le principe de fonctionnement de l’effet transistor dans le cas
d’un transistor NPN.
6
La jonction base - émetteur (BE) est polarisée en direct tan disque la jonction base -
collecteur (BC) est polarisée en inverse. L’effet transistor peut se résumer en trois points :
La région N fortement dopée de l’émetteur abondé en électrons
libres. Lorsque le potentiel V BE dépasse le seuil de conduction de
la jonction BE, ces électrons diffusent aisément à travers la jonction
BE jusqu’à la région de la base de type P d’où la naissance d’un
courant émetteur iE.
✓ Une fois arrivée dans la région P, les électrons venant de l’émetteur
deviennent des porteurs minoritaires. La région de la base,
faiblement dopée et très mince, possède un nombre très limité de
trous. Ainsi, seul un faible pourcentage des électrons peut se
recombiner avec les trous disponibles donnant naissance à un
courant de base iB.
✓ La majorité des électrons libres venant de l’émetteur ne se recombinent pas avec
les trous dans la base mais diffusent vers le collecteur. Ceci crée le courant du
collecteur iC.
Les transistors NPN sont plus utilisés que les transistors PNP. Ceci est essentiellement dû au
fait que le courant principal est un courant d’électrons. Ils seront donc ”plus rapides”, c’est-à-
dire qu’ils possèderont des fréquences de travail plus élevées.
➢ Gain statique en courant : β
Soit α (0 < α < 1) le pourcentage d’électrons venant de l’émetteur et qui ont atteint
le collecteur. Le pourcentage des électrons venant de l’émetteur et qui se sont
recombinés avec les trous dans la base est alors (1-α).
On peut alors facilement exprimer la relation entre les différents courants du
transistor : iE, iB et iC :
On montre alors que le courant de l’émetteur est la somme du courant de la base et du

courant du collecteur :
7
On peut de même exprimer le courant du collecteur en fonction du courant de la base. En

effet, à partir de l’équation (1) on a
3
En posant :
β est appelé : Gain statique en courant du transistor
Transistor NPN faible signaux
ce ci est valable uniquement pour les signaux faibles et elle n’est plus valable
pour les signaux forts, car dans ce cas les variations du courant ib à l’entrée sont très fortes.
Pour travailler en signaux forts, on procède comme suit:
Faire le schéma équivalent en alternatif normalement comme si c’était un transistor bipolaire

pour signaux faibles et remplacer‚ β par βcc et ℎ11 par βcc re’ tel que le montre la figure
suivante. re’ est la résistance d’entrée du transistor en régime de signaux forts.
8
βcc est le gain en courant pour signaux forts à la place de β‚ qui est pour signaux
faibles,
1. La classe A avec une charge résistive

On considère le cas d’un montage émetteur commun et une charge purement ohmique.
Lorsque le fonctionnement est idéal, le point de repos se situe au milieu de la droite de charge,
on aura :
Le courant de repos est IC = E/2 .RC et la tension de repos est VCE = E/2.
9
Amplificateur classe A Droite de charge et point de repos
Figure 14: Régime total de fonctionnement
Les signaux uC (t) et iC (t) sont constitués de la polarisation à laquelle se superpose le

signal alternatif à amplifier. En se référant à la Figure précédente, et en sachant que tout
signal périodique peut être décomposé en un signal continu constitué de la valeur moyenne et
d'un signal alternatif à valeur moyenne nulle, on peut écrire :
𝑢𝑐 (𝑡) = 𝑈𝑐0 + ∆𝑢𝑐 (𝑡)⁡𝑒𝑡⁡𝑖𝑐 (𝑡) = 𝐼𝑐0 + ∆𝑖𝑐 (𝑡)
10
En régime sinusoïdal et pour une charge purement résistive, on a :
∆𝑢𝑐 (𝑡) = 𝑈𝑐 . sin(𝜔𝑡) ⁡𝑒𝑡⁡∆𝑖𝑐 (𝑡) = 𝐼𝑐 . sin⁡(𝜔𝑡)
❖ Puissance utile dissipée dans la charge :
La puissance utile dissipée dans la charge se calcule ainsi :
Le terme (Uc0 .Ic0 ) représente la puissance due au courant de polarisation. Le terme

(Uc .Ic /2) représente la puissance utile due aux variations de tension et de courant aux bornes
de la charge.
❖ La puissance dissipée dans le transistor :
La puissance dissipée dans le transistor se calcule selon le même principe. Il est

cependant essentiel de remarquer que lorsque le courant augmente d’Ic dans le transistor, la
tension à ses bornes est réduite d’Uc en raison de l'augmentation de la tension aux bornes de la
charge. Uc et Ic sont donc en opposition de phase dans le transistor, ce qui donne un
signe négatif à leur produit : Pd (t)= vce (t).ic (t), et par conséquent la puissance moyenne :
11
C’est la différence entre la puissance fournie par le générateur et la puissance dissipée dans la
charge. La puissance dissipée dans le transistor est maximale en continu (Uc = 0) et
minimale pour l’excursion maximale de la tension de sortie (Ucmax ).
❖ La puissance fournie par l’alimentation :
La puissance totale dissipée peut se calculer comme la somme des puissances dissipées dans
le transistor et dans la charge : P f = P d + Pu.
On vérifie que ce résultat correspond bien à celui obtenu en calculant la puissance délivrée par
l'alimentation :
Pour le calcul du rendement on néglige la puissance du signal d'entrée, qui est

inférieure de plusieurs ordres de grandeurs aux autres termes. Deux cas sont à considérer :
* Dans le cas où l’ensemble de la puissance de sortie est admise, il vient :
* Dans le cas où seule la puissance en régime alternatif est acceptable, on a :
Le rendement est maximum lorsque Uc et Ic sont maximaux, c'est-à-dire pour :
Uc = Ucmax = E/2
et Ic = Icmax = Ic0. Dans ce cas, la puissance utile devient :
Pu = Ucmax .Icmax /2 = E.Ic0 /4 et le rendement maximum :
12
𝑃𝑢 1
𝜂𝑚𝑎𝑥 ≈ = = 25%
𝑃𝑓 4
La conception des amplificateurs classe A est simple et leurs performances sont

excellentes surtout au niveau de la linéarité et de la distorsion mais leur rendement est très
mauvais. L’utilisation d’un transformateur de sortie permet de doubler le rendement car il n’y
a plus de signal continu dans la charge mais introduit d’autres problèmes (bande passante,
saturation du transformateur). Le tableau ci-dessous permet la comparaison des
puissances de polarisation (repos) et à condition de rendement maximum 𝜂 max .
13
2. La classe B
a. Principe de la classe B
On utilise une paire de transistors complémentaires (NPN et PNP) de même gain. Les
deux transistors sont polarisés, pour obtenir un courant de repos nul (point B). Chaque
transistor est donc bloqué pendant une demi-période : T1 n’est conducteur que pendant
les alternances positives de la tension d’entrée. Il est donc nécessaire d’utiliser deux
transistors complémentaires avec deux alimentations continues symétriques par rapport
à la masse. Le courant qui circule dans la charge est fourni alternativement par les deux
transistors. Ce montage est connu sous le nom de "push-pull".
Figure 15: Montage d’un amplificateur push-pull
❖ Etude de T 1 : Le montage régit par les équations suivantes :

𝑢𝑐 = 𝑒𝑔 − 𝑅𝑔 𝑖𝐵1 − 𝑉𝐵𝐸1
𝑢𝑐 = 𝑅𝑐 𝑖𝐸1
𝑖𝐸1 = 𝑖𝐵1 + 𝑖𝐶1
- Si T 1 est bloqué :
𝑖𝐵1 = 𝑖𝐶1 = 𝑖𝐸1 et 𝑉𝐵𝐸1 < 0⁡ ==> 𝑒𝑔 = ⁡ 𝑉𝐵𝐸1 ⁡ et 𝑢𝑐 = 0

➔ T1 bloqué pour eg négative et uc nulle.
- T1 saturé : On suppose une tension de saturation nulle : VCEsat = 0. La condition de
saturation s’écrit :
14
Si le transistor est saturé, on a :
D’où la condition de saturation de T1 :
T1 est saturé pour tout eg positif supérieur ou égal à e0 et uc égale à E.
- T1 amplificateur : Lorsque 0 < eg < e0 , T1 est en fonctionnement normal. Si on

néglige la résistance ρ0 du transistor, on obtient la relation : ic1 = β1 .iB1 . On déduit donc
l’expression de la tension de sortie :
❖ Etude de T2 : L’étude de T2 est analogue à celui de T1. on aboutit à une caractéristique

de transfert uc = f(eg ) symétrique par rapport à l’origine avec celle de T1.
b. Fonctionnement du push-pull
Les deux émetteurs et les deux bases étant reliés, il vient que : vBE1 = vBE2. En conséquence, si
T1 conduit, T2 est bloqué et vice versa.
Par ailleurs, le courant dans la charge est donné par : ic = iE1 + iE2, Il en résulte :
- Pour eg > 0 (T1 conduit, T2 bloqué) : ic = iE1

- Pour eg < 0 (T1 est bloqué, T2 conduit) : ic = iE2
15
Les deux transistors doivent avoir le même gain en courant β (β1 = β2 ) pour que les
caractéristiques de transfert aient la même pente et que l’amplification des deux alternances
soit symétrique. Si cette condition est effectivement réalisée, le signal d’entrée est
reproduit sans distorsion. On obtient la caractéristique de transfert uc = f(eg ) du montage
push-pull
Figure 16: Caractéristique uc = f(eG ) du push-pull
c. Rendement en classe B
Soit Uc l’amplitude de la tension de sortie, l’amplitude du courant de sortie vaut Ic = Uc /Rc.
En régime sinusoïdal, la puissance utile vaut donc : Pu = Uc²/2.Rc.
* La puissance utile maximale s’obtient pour Uc = E, soit : P umax = E2/2.Rc.
* La source d’alimentation de T1 délivre le courant iE1, tandis que la source d’alimentation de

T2 délivre le courant (-iE2).
La puissance instantanée fournie par l’alimentation est : pf (t) = E.i E1 (t) – E.iE2 (t).
La puissance moyenne vaut :
Cette puissance est maximale pour Uc = E, soit : Pfmax = 2.E2 /π.Rc
* Puissance dissipée dans chaque transistor :
16
2𝐸𝑈𝑐 𝑈𝑐2
𝑃𝑑 = 𝑃𝑓 − 𝑃𝑢 = −
𝜋𝑅 2𝑅
Cette puissance est maximale pour Uc = 2.E/π, il vient alors : Pdmax = E2 /π 2.R = P umax /5.
* Le rendement est donc égal à :
𝜋𝑈𝑐
𝜂=
4𝐸
Il est maximal lorsque Uc atteint sa valeur maximale Uc = E.
Le rendement maximal en classe B est donc :
𝜋
𝜂𝑚𝑎𝑥 = ≈ 78.5%
4
A puissance de sortie égale, ce montage permet d’utiliser des transistors moins puissants que
ceux nécessités par un montage en classe A. Le rendement du montage en classe B est
beaucoup plus important que celui en classe A.
d. Distorsion de croisement
Les jonctions émetteur base ne sont passantes que si la tension d’entrée est supérieure
à leur tension de seuil notée U0.
En réalité, la caractéristique de transfert uc = f (eg) présente un palier (Figure 17).
Figure 17: Distorsion de croisement
17
La tension de sortie uc est nul pour : U0 < eg < U0. A la sortie, il y a une déformation
importante du signal. Ceci correspond à la distorsion de croisement. Compte tenu de la valeur
de la tension de seuil (≈ 0,7 V), la distorsion est très importante, ce qui interdit un
fonctionnement en classe B pure.
e. Correction de distorsion
➢ Montage à diodes : Pour supprimer ce type de distorsion, On utilise deux diodes dont
les tensions de seuil U0 sont égales à la tension de seuil VBE0 des transistors .
Les résistances R1 et R2 ont des valeurs assez petites pour que les diodes soient
polarisées par un courant important, ce qui place leur point de fonctionnement dans
la zone linéaire pour toute valeur de la tension d’entrée comprise entre +E et -E.
Figure 18: Correction de distorsion par diode
3. La classe AB.
a. Structure de base
La structure de base de la sortie de l'amplificateur B a été modifiée au niveau de la
polarisation. Au repos, un courant de polarisation, dont la valeur est fonction de la qualité de
linéarité exigée, est imposé à la paire de transistors complémentaires de sortie.
Figure 19: Etage de sortie d'un amplificateur classe B
18
b. Puissance et rendement dans les amplificateurs de classe AB

Dans ce paragraphe, nous allons calculer les puissances dissipées dans la charge et dans les
transistors de l'étage de sortie de l'amplificateur de classe AB. La puissance dans le circuit de
polarisation a été négligée afin de conduire à un raisonnement simplifié.
En régime sinusoïdal, la puissance dissipée dans la résistance de charge RL s'exprime par la

relation.
𝑈𝑐2
𝑃𝑢 = 𝑃𝑅𝐿 =
2𝑅𝐿
La puissance instantanée dissipée dans les transistors (l'alternance positive dans T1 et

l'alternance négative dans T2) vaut :
𝑝𝑑 (𝑡) = [𝑉𝑐𝑐 − 𝑢0 (𝑡)] ∗ 𝑖0 (𝑡)
Par conséquent, la puissance moyenne dissipée dans un transistor (système symétrique) durant
une demi-période prend la forme
𝑇
2
2
𝑃𝑑 = ∫[𝑉𝑐𝑐 − 𝑢0 (𝑡)] ∗ 𝑖0 (𝑡)𝑑𝑡
𝑇
0
𝑇
2
2 𝑢0 (𝑡)
= ∫[𝑉𝑐𝑐 − 𝑢0 (𝑡)] ∗ 𝑑𝑡
𝑇 𝑅𝐿
0
𝑇
𝑇 2
2 𝑉𝑐𝑐 ∗ 𝑈0 sin(𝑤𝑡)⁡⁡⁡⁡⁡⁡⁡⁡⁡⁡⁡ 𝑈 2 0 ∗ sin2 (𝑤𝑡)⁡⁡⁡⁡⁡⁡⁡⁡⁡⁡⁡
2 𝑑(𝑡) − ∫ 𝑑(𝑡)]
= [∫ 𝑅𝐿 𝑅𝐿
𝑇 0
0 2𝑉𝑐𝑐 ∗ 𝑈0 𝑈 2 0
=⁡ −
𝜋𝑅𝐿 2𝑅𝐿
La puissance moyenne dissipée dans un transistor, sur une alternance, passe par un maximum
lorsque:
𝑑𝑃𝑑 2𝑉𝑐𝑐 𝑈0
= − =0
𝑑𝑈0 𝜋𝑅𝐿 𝑅𝐿
Soit :
19
2𝑉𝑐𝑐
𝑈0 =
𝜋
Et par conséquent pour la puissance moyenne maximum :
2𝑉 2 𝑐𝑐
𝑃𝑑𝑚𝑎𝑥 =
𝜋 2 𝑅𝐿
En basse fréquence, vu la faible inertie de la pastille semi-conductrice du transistor de

puissance, c'est la puissance instantanée qui est le facteur de dimensionnement dominant.
Cette puissance instantanée passe aussi par un maximum.
𝑉𝑐𝑐
𝑢0 (𝑡) =
2
➔
𝑉 2 𝑐𝑐
𝑃𝑑𝑚𝑎𝑥 =
4𝑅𝐿
Cette puissance instantanée maximale est légèrement supérieure à la puissance

moyenne maximale. C'est donc à celle-ci que l'on se réfèrera pour le calcul des refroidisseurs.
La puissance délivrée par l'alimentation n'est rien d'autre que la somme des puissances
dissipées dans les transistors T1, T2 et dans la charge RL.
𝑃𝑓 = 𝑃𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙𝑒 = 𝑃𝑇1+𝑇2 + 𝑃𝑢
Cette puissance est maximale lors que 𝑈0 = 𝑉𝑐𝑐
2𝑉 2 𝑐𝑐
𝑃𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙𝑒𝑚𝑎𝑥 =
𝜋𝑅𝐿
Le rendement de l'amplificateur classe AB aura pour expression :
𝑃𝑢 𝜋𝑈0
𝜂= =
𝑃𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙𝑒 4𝑉𝑐𝑐
Dont on déduit le rendement maximum pour 𝑈0 = 𝑉𝑐𝑐
𝜋
𝜂= = 78.5%
4
20
La Figure suivante montre la répartition des puissances et le rendement pour l'étage de sortie
de l'amplificateur classe AB.
Figure 20: Répartition des puissances et rendement d'un amplificateur classe AB.
4. Amplificateurs de classe C
a. Principe.
Les amplificateurs de classe C sont des amplificateurs non-linéaires à très haut rendement. Ils
sont toutefois utilisables que dans les amplificateurs HF (émetteur radio) avec des porteuses
non modulées en amplitude. Ils génèrent un nombre considérable d'harmoniques qui doivent
être filtrées à la sortie à l'aide de circuits accordés appropriés.
La structure de principe d'un amplificateur classe C est illustrée à la Figure 21.
21
Figure 21: Amplificateur classe C : schéma de principe
Les amplificateurs de classe C sont utilisés comme étage de sortie dans les émetteurs
radiophoniques, comme multiplicateurs de fréquence du signal d'entrée (la fréquence d'accord
du circuit résonnant est alors un multiple de la fréquence du signal d'entrée), comme étage de
sortie dans les installations de chauffage haute fréquence, etc…
Le circuit d'entrée se comporte comme un redresseur dont la diode est la jonction base
émetteur du transistor. La polarisation négative UB0 de la base est due à la charge, par le
courant iB, du condensateur CB qui joue en même temps le rôle de condensateur de liaison
pour le signal d'entrée ui. La constante de temps RB CB doit être beaucoup plus grande que la
période du signal à amplifier pour que le condensateur CB n'ait pas le temps de se décharger
pendant les durées de blocage du transistor.
Dans une réalisation pratique, la charge est souvent couplée inductivement au circuit
résonnant dans le but de l'isoler de la tension d'alimentation VCC et de permettre une
adaptation d'impédances. La Figure suivante montre une telle réalisation avec en plus une
polarisation de la base du transistor.
22
Figure 22: Amplificateur Classe C avec couplage inductif de la charge
b. Fonctionnement.
Pour l'étude de fonctionnement, on admet que la caractéristique de transfert IC (UBE )
du transistor est linéaire par segment (deux segments, le premier est une droite passant par
l'origine, de pente nulle. Le second est une droite affine coupant l'axe UBE en UJ et de pente
gm dans sa partie active).
On admet que le signal d'entrée est sinusoïdal d'amplitude Ui, on trouve l'expression du
courant collecteur iC(t) par la relation :
𝐼𝐶𝑀 cos(𝜔𝑡)−cos(𝛿)
∗ ;𝑝𝑜𝑢𝑟−𝛿+2𝜋𝑛<𝜔𝑡<𝛿+2𝜋𝑛
𝑖𝑐 = { 1−cos(𝛿)
0; ⁡⁡⁡⁡⁡⁡⁡⁡⁡⁡⁡⁡⁡⁡⁡⁡⁡⁡⁡⁡⁡⁡⁡⁡⁡⁡⁡⁡⁡⁡⁡⁡⁡⁡⁡⁡⁡⁡⁡⁡⁡⁡⁡⁡⁡𝑝𝑎𝑟⁡𝑎𝑖𝑙𝑙𝑒𝑢𝑟𝑠
On appelle angle de conduction l'angle électrique 2δ pendant lequel le courant de collecteur

iC n'est pas nul.
La tension d'entrée Ui nécessaire à l'obtention d'une valeur donnée ICM du courant maximum
de collecteur est donnée par la relation :
𝐼𝐶𝑀
𝑈𝑖 = ∗ [1 − cos(𝛿)]
𝑔𝑚
23
Figure 23: Amplificateur Classe C : Principe de fonctionnement
On peut représenter les potentiels aux divers nœuds de l'amplificateur classe C de la Figure 22
ainsi que son courant de collecteur. L'amplitude U0 du signal de sortie est au plus égale à VCC
dans le cas idéal où la tension de saturation UCEsat du transistor est nulle. Comme pour le cas
des amplificateurs classe A et B, on rapporte cette amplitude à la tension d'alimentation par la
relation :
𝑈0 = 𝐾𝑉𝑐𝑐
La tension de sortie s'exprime par :
𝑢0 (𝑡) = 𝐾𝑉𝑐𝑐 cos⁡(𝜔𝑡)
Et la tension de collecteur par :
𝑢𝑐 (𝑡) = 𝑉𝑐𝑐 − 𝑢0 (𝑡) = 𝑉𝑐𝑐 [1 − 𝑘𝑐𝑜𝑠(𝜔𝑡)]
En résumé le fonctionnement de l'amplificateur classe C est caractérisé par les grandeurs VCC
et ICM ainsi que par les paramètres k et δ
24
b. Puissance et rendement dans les amplificateurs classe C.
L'alimentation fournit de la puissance pendant les périodes de conduction du transistor. La

puissance moyenne fournie PTOT a pour expression
La puissance utile dissipée dans la résistance de charge, le circuit résonnant étant supposé
idéal, s'exprime par la relation :
𝜋
1
∫ 𝑢𝑠 (𝜔𝑡) ∗ 𝑖𝑐 (𝜔𝑡) ∗ 𝑑(𝜔𝑡)
2𝜋
−𝜋
𝜋
𝑃𝑢 = = 𝑘𝑉𝑐𝑐 . 𝐼𝐶𝑀
. ∫ cos(𝜔𝑡) ∗ [𝑐𝑜𝑠(𝜔𝑡) − cos(𝛿)]. 𝑑(𝜔𝑡)
𝜋 ∗ [1 − cos⁡(𝛿)] 0
𝑘𝑉𝑐𝑐 . 𝐼𝐶𝑀 2𝛿 − sin⁡(2𝛿)
= .
4𝜋 1 − cos⁡(𝛿)
La puissance moyenne dissipée dans le transistor, Pd, est donnée par la différence entre la
puissance fournie par l'alimentation et la puissance utile
𝑃𝑑 = 𝑃𝑡𝑜𝑡 − 𝑃𝑢
𝑘
𝑉𝐶𝐶 𝐼𝐶𝑀 ∗ [sin(𝛿) − 𝛿 cos(𝛿) − ∗ [2𝛿 − sin(2𝛿)]]
𝑃𝑑 = 4
𝜋 ∗ [1 − cos⁡(𝛿)]
La puissance maximum fournie par l'alimentation est obtenue pour δ=π/2, elle vaut :
𝑉𝑐𝑐 . 𝐼𝐶𝑀
𝑃𝑡𝑜𝑡𝑚𝑎𝑥 =
𝜋
Dans ces conditions et pour k=1, la puissance utile est aussi maximum et vaut
𝑉𝑐𝑐 . 𝐼𝐶𝑀
𝑃𝑢𝑚𝑎𝑥 =
4
25
Le rendement η de l'amplificateur, quotient de la puissance utile par la puissance fournie par

l'alimentation, est donné par l'expression :
𝑘 2𝛿 − sin⁡(2𝛿)
𝜂= .
4 sin(𝛿) − 𝛿cos⁡(𝛿)
La Figure 24 montre l'intérêt qu'il y a à se rapprocher le plus possible de la valeur limite

idéale k=1. De plus, dans le cas où l'angle de conduction 2δ vaut π et k=1, on se retrouve dans
le cas de l'amplificateur classe B avec un rendement de π/4 qui était justement le rendement
maximum de l'amplificateur classe B.
Plus l'angle de conduction 2δ est petit, plus le rendement augmente, à la limite pour k=1 et
δ=0, on obtiendrait un rendement de 100%.
Figure 24: Amplificateur Classe C : rendement
26
Chapitre 2 Le transistor en commutation
Chapitre 2 : Le transistor en commutation
I. Introduction
Le transistor en commutation est utilisé afin d’ouvrir ou de fermer un circuit. Ainsi il peut
commander une LED, un relais, un moteur…etc... On assimile généralement le circuit de
sortie du transistor à un interrupteur qui est commandé soit par une tension, soit par
un courant suivant le type de transistor choisi.
Le montage d’un transistor en commutation

peut être décomposé en deux circuits :
- Circuit de commande ou Circuit d’entrée
- Circuit commuté ou circuit de sortie
Le transistor utilisé en commutation est soit saturé, soit bloqué.
• Condition de blocage: Ib = 0A
IB = 0A → IC → = β • IB = 0A
Le transistor se comporte comme un interrupteur OUVERT
→ I C = 0A
note: β est le paramètre d'amplification en courant du transistor. β est un nombre sans unité:
on trouve sa valeur dans les documentations constructeurs
• Condition de saturation: IB ≥ IBsat
IB ≥ IBsat → IC = Icsat
Le transistor se comporte comme un interrupteur FERME
→ Vce = Vce sat ≈ 0V
1
note: le courant Ic sat, dans un montage, est la valeur maximale que peut obtenir le courant Ic.
II. Le transistor bipolaire en commutation

Il existe deux types de transistor bipolaire : Transistors NPN et PNP
Soit le circuit de commutation suivant utilisant un transistor bipolaire de type NPN :
1. Le circuit de sortie
Le courant IC est fixé par la valeur de VCC, de RC et par la valeur de
VCE que l'utilisateur désire.
Exemple 1 : On désire un courant dans le collecteur IC= Ic1 = 10 mA et
VCE = VCE 1 = 4 V.
On dispose d'une source de tension VCC = 12 V.
Le calcul de la résistance RC donne RC = (VCC -VCE 1)/Ic1
RC = 800 Ohms (théorie).
2
Lorsque le circuit de sortie du transistor est polarisé dans le cas c) on dit que le transistor est
SATURE car son VCE = 0 V.
Lorsque le transistor est saturé : l’interrupteur est fermé donc la tension VCE est égale
à 0V (transistor parfait). Dans la réalité il est impossible de polariser un transistor
avec VCE = 0 V car par construction ce composant ne peut pas prendre pour VCE une valeur
inférieure à VCE sat qui est donnée par le constructeur du composant.
(EXP : pour le transistor 2N2222A VCE satmax = 0,3V pour IB =15mA et IC =150mA à 25°C)
(La tension VCE sat dépend en autre des courants IC et IB)
VCE sat varie de 0,1 V pour les transistors de faible puissance à quelques volts pour les
transistors de puissance. Dans les calculs on utilisera la valeur de VCE sat max ou min en
fonction du pire des cas à mettre en œuvre.
On en déduit alors soit le courant IC qui circule dans la résistance RC (si la valeur de RC est
connue), soit la valeur de la résistance RC (si la valeur du courant IC est connue).
Lorsque le transistor est bloqué : l’interrupteur est ouvert, le courant IC =0. Alors
la tension VCE est sensiblement égale à VCC.
VCE = VCC
En réalité un courant de fuite circule dans la jonction Collecteur – Base (ICB0 ) ce qui
implique VCE ≈VCC .
Le constructeur indique que la tension VCE doit être inférieure à V (BR)CE0 lorsque le
transistor est bloqué sous peine de détruire le composant.
(EXP : pour le transistor 2N2222A V(BR)CE0min = 40V pour IB =0 et IC =10mA à 25°C)
V(BR)CE0 :Valeur(minimum) de la tension VCE à partir de laquelle il y a destruction

du transistor lorsqu’il est bloqué.
3
2. Le circuit de commande
Les valeurs de Vcmde et Rb imposent le courant de base IB.
Le schéma équivalent d'un transistor N-P-N est le suivant.
On remarque que le schéma équivalent est en fait constitué

de deux jonctions ( deux diodes ).
Un transistor est convenablement polarisé dans l'état passant (ou

saturé) si la jonction Base-Emetteur est polarisée en sens direct et
la jonction Base-Collecteur est polarisée en sens inverse.
a. Caractéristique d’entrée
La jonction Base - Emetteur est équivalente à une diode dont la caractéristique est la
suivante :
Définitions : La jonction Base – Emetteur est dite passante

lorsque la tension VBE est supérieure à la tension de
conduction de la diode (VBE > 0,7V pour un transistor au
silicium à 0,4 Volts pour un transistor a l'Arséniure de
gallium.).
Dans ces conditions il y a présence d’un courant IB. La

jonction Base – Emetteur est considérée bloquée si la
tension VBE est inférieure à 0,7V.
4
Le courant IB est fixé par la valeur de Vcmde, de Rb et par la valeur de VBE qui est propre au
transistor utilisé et qui vaut 0,7 Volts pour les transistors au Silicium qui sont utilisés
couramment.
Lorsque le transistor est saturé, la jonction Base – Emetteur est passante. L’inverse
n’est pas réciproque car on peut avoir un fonctionnement linéaire. Le constructeur indique que
la tension VBEsat dépend en autre des valeurs de courants IB et IC.
(EXP : pour le transistor 2N2222A VBEsatmax =1,2V pour IC =150mA et IB =15mA à

25°C ou VBEsatmax =2V pour IC =500mA et IB =50mA à 25°C).
b. Caractéristique de transfert
On peut remarquer deux régions sur cette caractéristique : Une région de régime linéaire pour
laquelle IC = β.IB et une région de régime saturé où même si IB continue d'augmenter le
courant IC n'augmente plus (ou presque plus car il y a une légère pente).
IC = β.IB est la formule clef de la commande d'un transistor bipolaire. Cette formule n'est
valable que pour la région linéaire, c'est à dire tant que le transistor n'est pas saturé.
La constante β (qui est en fait la pente de la caractéristique de transfert en régime linéaire)

s'appelle le GAIN EN COURANT du transistor est-il est donné par le constructeur sous la
forme d'une plage de gain garantie pour un échantillon de composants.
 La valeur de ICsat dépend uniquement du circuit de sortie.
Pour le transistor NPN 2N2222A le constructeur donne : 100 < β < 300 (dans certaines
conditions de IC et VCE).
5
C'est à dire que le moins bon des transistors pris dans un échantillon de la série des
2N2222A garantira au moins un β de 100 et que le meilleur ne pourra pas dépasser un β de
300.
Il faudra donc tenir compte de cette dispersion des caractéristiques lors du calcul de
montages à transistors bipolaires car en cas de remplacement du transistor (Maintenance) une
autre pièce portant la même référence n'aura certainement pas le même gain
encourant. Dans la pratique, on calculera les montages en utilisant le β le plus faible de la
série pour être certain du bon fonctionnement de la structure même avec l'échantillon le plus
mauvais.
Lorsque le transistor est bloqué, la jonction Base – Emetteur n’est plus passante. La tension
VBE est inférieure à la tension de conduction (VBEsat =0,7V) la valeur du courant IB est nulle.
Ce qui implique que Vcmde < VBEsat
Le constructeur indique que la tension VBE ne doit pas atteindre la valeur de la

tension V(BR)EB0 sous peine de détruire le transistor.
La conduction de la jonction Base – Emetteur n’implique pas obligatoirement la saturation

du transistor. Il faut aussi que la tension VCE atteigne la valeur VCEsat. Pour saturer
correctement un transistor il faut impérativement respecter la condition :
IBréel > IBsat
La commande de ce circuit de commutation se fait par la présence ou non du courant IB dans

la jonction Base – Emetteur. Ce courant est généré par la tension Vcmde et la résistance Rb.
Pour déterminer l’état du transistor (bloqué ou saturé) par des mesures il suffit de mesurer les
tensions VBEsat et VCEsat ou de vérifier la condition IBréel > IBsat .
6
3. Caractéristiques générales
Figure 25: Caractéristiques générales
7
Chapitre 3 Les filtres actifs analogiques
Chapitre 3 : Les filtres actifs analogiques
I. Les filtres
La fonction filtrage de fréquence sert à assurer la suppression des signaux de fréquences
non désirée et conserver ou même amplifier, les signaux de fréquence désirée. Un filtre est un
circuit dont le comportement dépend de la fréquence.
Figure 26: Structure de filtre
Un filtre est un circuit linéaire.
⇒ si la tension d’entrée est sinusoïdale alors la tension de sortie est sinusoïdale de même
fréquence.
Remarque : une tension continue possède une fréquence nulle.
II. Les amplificateurs opérationnels
Les principaux inconvénients des montages amplificateur à base de transistor sont :

✓ Il ne transmet pas en continue
✓ Le gain en amplification est tributaire des caractéristiques du transistor, donc
imprécis.
L’avantage des amplificateurs opérationnels parfaits (AOP) est que le gain

en tension ne dépend que des composants du montage et ne dépend pas des
caractéristiques internes de l’AOP.
1. Symbole
Un AOP est composé de quatre entrées et d’une sortie. Deux symboles sont généralement
utilisés :
1
Figure 27: Symboles d’un AOP
Les entrées V+ et V- sont appelées respectivement entrée non inverseuse et entrée

inverseuse. Vcc+ et V-cc sont les alimentations de l’AOP. Vs est la tension de sortie de
l’AOP. La tension différentielle ε de l’AOP est définie par :
 = V+ − V−
2. Caractéristiques d’un AOP
On considère, tout d’abord, que l’impédance d’entrée Ze de l’AOP est infinie donc :
i+ = i- = 0.
La tension Vs, dépend de la tension d’entrée différentielle ε : Vs = Aε.
✓ Si ε = 0 : l’AOP fonctionne en amplificateur linéaire. Ainsi on a : V+ = V-.
✓ Si ε ≠ 0 : l’AOP fonctionne en mode de saturation. On distingue deux cas :
▪ Si ε > 0, alors Vs=Vcc+
▪ Si ε < 0, alors Vs= Vcc-
Ainsi, la caractéristique de transfert de l’AOP est donnée par la figure suivante :
Figure 28: Variation de Vs en fonction de ε
3. AO réel
On tient compte des imperfections de l’AO (A0, rd, rs) d’où le schéma équivalent :
2
Figure 29: Montage suiveur
Tous les potentiels sont mesurés par rapport à la même référence (masse commune). On
applique le théorème de MILLMAN au nœud A, ce qui donne :
Gain en tension : Av= Gv = Vs/Ve
▪ Résistance d’entrée : Re=Ve/ie
▪ Résistance de sortie : Rs = (Vs/is)Ve=0

On considère la charge RC comme source de tension et on court-circuite la tension
d’entrée Ve. La résistance interne du générateur de tension équivalente (rg) est
négligée ou confondue avec rd.
4. Constitution
On admet qu’un circuit intégré linéaire est constitué par la mise en cascade de trois
étages a liaison directe.
3
▪ L’étage d’entrée est un amplificateur de différence caractérisé par une grande

amplification différentielle et une très grande impédance d’entrée.
▪ L’étage intermédiaire fonctionne en amplificateur de tension à émetteur commun
pour augmenter le gain en tension.
▪ L’étage de sortie est un amplificateur de puissance à collecteur commun qui possède
une faible impédance de sortie.
Figure 30: Constitution d’un AO
III. Etude du filtre en régime sinusoïdal

La principale caractéristique d’un filtre est sa réponse en fréquence : AV(f)
AV désigne l’amplification en tension :
𝑢̂𝑠 𝑎𝑚𝑝𝑙𝑖𝑡𝑢𝑑𝑒⁡𝑑𝑒⁡𝑙𝑎⁡𝑡𝑒𝑛𝑠𝑖𝑜𝑛⁡𝑑𝑒⁡𝑠𝑜𝑟𝑡𝑖𝑒
𝐴𝑉 = =
𝑢̂𝐸 𝑎𝑚𝑝𝑙𝑖𝑡𝑢𝑑𝑒⁡𝑑𝑒⁡𝑙𝑎⁡𝑡𝑒𝑛𝑠𝑖𝑜𝑛⁡𝑑′𝑒𝑛𝑡𝑟é𝑒
Une autre caractéristique est sa réponse en phase : φus/ue(f)
Pour un signal périodique quelconque considéré comme somme d'une série de Fourier :
Filtrer ce signal, c'est choisir, parmi les harmoniques (les termes de la somme), ceux qu'on
désire transmettre et éliminer les autres. Les filtres se présentent sous différentes formes.
Lorsqu'il n'y a pas d'amplification de la puissance du signal d'entrée par un élément
actif (transistor ), il est passif ; dans le cas contraire il est actif.
4
Figure 31: Type de filtres
➢ filtre passif : on y trouve résistances, bobines et condensateurs.

➢ filtre actif : alimentation externe, transistors, A.O.
• La fonction de transfert d’un filtre ou gain complexe est le rapport du signal de sortie
et celui d’entrée.
• La fréquence de coupure est la fréquence pour laquelle le gain maximum est divisé
par la racine carrée de 2, ou bien c’est la fréquence qui correspond à un gain en dB
maximum à – 3dB
• La bande passante d’un filtre actif : La notion de la bande passante est très
déterminante dans l’étude d’un filtre. La bande passante correspond à l’intervalle
de fréquence dans lequel le gain est supérieure à Hmax – 3dB
IV. Action des différents filtres

Suivant le domaine de fréquences éliminées, on classe les filtres en quatre catégories : passe-
bas, passe-haut, passe-bande et coupe bande.
1. Filtre passe-bas
Ce filtre ne laisse passer que les basses fréquences du signal d’entrée. Les hautes fréquences
sont donc filtrées. La limite entre BF et HF est appelée fréquence de coupure fC.
La bande passante est la gamme de fréquence non filtrée :
BP = [0, fC]
5
A noter que les signaux continus (f = 0) ne sont pas filtrés.
𝑘
La fonction de transfert se met sous la forme : 𝐹(𝑗𝑤) = 𝑤 ou k est une constante réelle et
1+𝑗
𝑤0
w0 est la pulsation de coupure.
Diagramme de Bode
Figure 32: Courbes de gain et de phase FPB
2. Filtre passe-haut
𝑤
𝑗
𝑤0
La fonction de transfert se met sous la forme :𝐹(𝑗𝑤) = 𝑘 𝑤 ou k est une constante réelle
1+𝑗
𝑤0
et w0 est la pulsation de coupure.
Diagramme de Bode
Figure 33: Courbes de gain et de phase FPH
6
3. Filtre passe tout ou déphaseur

La fonction de transfert d'un filtre déphaseur prend les formes suivantes :
et soit τw0 = 1 où w0 est la pulsation de coupure du filtre.
✓ Diagramme de Bode
Le module de la fonction de transfert ne

dépend pas de la fréquence, il est constant,
alors ce filtre laisse passer tout signal sans
aucun affaiblissement d’où l'appellation filtre
passe tout. Le déphasage de la sortie par rapport à
l'entrée varie de 0 à π.
5. Filtre passe-bande
Ce filtre ne laisse passer qu’une bande de fréquences. Il possède deux fréquences de coupure :
- la fréquence de coupure basse
- et la fréquence de coupure haute BP = [f CB, fCH]
7
6. Filtre coupe-bande (ou réjecteur de bande)

Un filtre coupe-bande aussi appelé filtre réjecteur de bande est un filtre empêchant le passage
d'un intervalle de fréquences.
Il est composé d'un filtre passe-haut et d'un filtre passe-bas dont les fréquences de coupure
sont souvent proches mais différentes, la fréquence de coupure du filtre passe-bas est
systématiquement inférieure à la fréquence de coupure du filtre passe-haut.
V. Filtres réels
Prenons l’exemple d’un filtre passe-bande :
Les fréquences de coupure « à – 3 dB » sont définies de la manière suivante :
• ce sont les fréquences qui correspondent à l’amplification maximale divisée par √ 2.
8
• Diagramme de Bode du gain
Le diagramme de Bode donne le gain en fonction de la fréquence (ou de la pulsation).

L’échelle des fréquences est logarithmique :
Figure 34: Diagramme de bode
VI. Exemples
❖ Diviseur de tension
Méthode pour accélérer le calcul de tensions dans un circuit.
Il ne doit pas avoir une autre résistance en parallèle avec R1 ou R2.
Le circuit doit être de la forme donnée.
LKV à la boucle :
−vs + R1i + R2i = 0
vs = i(R1 + R2)
9
et on obtient
i =vs/(R1 + R2)
On obtient les équations suivantes : (diviseur de tension)
❖ Diviseur de courant
1. Exemple n°1 : filtre passe-bas passif

soit le filtre RC suivant :
Appliquons la formule du diviseur de tension :
10
• Nous en déduisons l’amplification en tension :
• Diagramme de Bode du gain
• Fréquence de coupure à –3 dB
La pulsation de coupure est solution de l’équation :
11
2. Exemple n°2 : filtre passe-haut actif
Considérons tout d'abord l'impédance globale Z, résultat de la mise en série de C et de R :
La fonction de transfert H(jw) :
Avec Z1=Z et Z2= R2
12
VII. Filtre en régime non sinusoïdal

Considérons un signal périodique, par exemple une tension rectangulaire de fréquence F = 1/T
Figure 35: représentation temporelle
La représentation fréquentielle (ou spectre de fréquence) de ce signal est :
Figure 36: Représentation fréquentielle
Tout signal périodique de fréquence F peut se décomposer de façon unique en la somme :
- d’une composante continue égale à la valeur moyenne
- d'une composante sinusoïdale de fréquence F appelée le fondamental
- de composantes sinusoïdales de fréquences multiples de F appelées harmoniques
Parmi les exemples d’applications on trouve :
13
❖ Filtre DC : sert à extraire la composante continue d’un signal. Il faut donc un filtre
passe-bas de fréquence de coupure fC << F :
❖ Filtre AC : Le rôle d’un filtre AC est d’extraire la composante alternative d’un signal,
ce qui revient à filtrer la composante continue. On utilise un filtre passe-haut de
fréquence de coupure fC << F
14
Chapitre 4 Les oscillateurs
Chapitre 4 : Les oscillateurs
I. Introduction
Dans certaines applications électroniques, un dispositif instable générant un signal périodique

à des fréquences bien définies est très utile. Un tel dispositif s’appelle oscillateur. Un
oscillateur est un montage électronique permettant d’obtenir un signal alternatif à partir de la
tension continue des sources qui servent à polariser les composants actifs du montage.
Suivant la nature des signaux fournis, les oscillateurs se divisent en deux grandes familles :
✓ Les oscillateurs sinusoïdaux (ou harmoniques) qui fournissent un signal quasi-

sinusoïdal.
✓ Les oscillateurs à relaxation qui produisent un signal non sinusoïdal
(créneaux, dents de scie…etc).
II. Oscillateurs a réactions
1. Principe
La structure d’un oscillateur peut se ramener à celle d’un système bouclé (ou en boucle
fermée) constitué par :
- Une chaîne directe ou d’action de fonction de transfert A(p).
- Une chaîne de retour ou de réaction de transmittance B(p).
- Un comparateur qui réalise la différence entre le signal d’entré et la partie du signal de sortie
réinjectée à l’entrée.
Figure 37: Système bouclé
1
La fonction de transfert s’écrit :
𝑆(𝑝) 𝐴(𝑝)
𝑇(𝑝) = 𝐸(𝑝) = 1+𝐴(𝑝)𝐵(𝑝)➔⁡𝐴(𝑝)⁡𝐸(𝑝) = [1 + 𝐴(𝑝)𝐵(𝑝)]𝑆(𝑝)
Lorsque le signal d’entrée e(t) est nul, on peut écrire que : [1+ A(p) B(p)]S(p)=0 et pour avoir
S(p)#0 il faut et il suffit que : 1+ A(p)B(p)=0 ➔ A(p)B(p)=-1d’où le critère de

BARKHAUSEN ou condition d’auto-oscillation.
Rque :
– L’amplitude des oscillateurs et limitée par la saturation des composants.
– Dans la pratique la condition d’accrochage est obtenue pour A(jw)B(jw) légèrement

supérieur à 1.
2. Principaux types d’oscillateurs
a. Oscillateurs à pont de Wien

La réaction étant de type tension-série. Le quadripôle de réaction (R,C) est appelé «
réseaux de Wien » ou « pont de Wien » .
Figure 38: Oscillateurs à pont de Wien
• Chaîne directe :
• Chaîne de retour :
2
• Condition d’oscillation : On ferme l’interrupteur K, alors V(p) = E(p).
On trouve à la sortie un signal s(t) quasi sinusoïdal (presque sinusoïdal), de

fréquence fosc , à condition que R2  2R1 .
b. Oscillateur déphaseur "Phase shift"

La réaction étant de type tension parallèle. Le quadripôle de réaction est un circuit à résistance
et capacité qui fournit un déphasage entre la sortie est l’entrée.
Figure 39: Oscillateur déphaseur
3
On trouve à la sortie un signal s(t) quasi sinusoïdal (presque sinusoïdal), de

fréquence fosc , à condition que : R2  29R1 .
c. Oscillateur Colpitts
La réaction est de type tension série.
Figure 40: Oscillateur colpitts
4

Fonctions Electroniques

Transféré par

Informations du document

Titre original

Copyright

Formats disponibles

Partager ce document

Partager ou intégrer le document

Options de partage

Avez-vous trouvé ce document utile ?

Ce contenu est-il inapproprié ?

Droits d'auteur :

Formats disponibles

Fonctions Electroniques

Transféré par

Droits d'auteur :

Formats disponibles

Chapitre I Les amplificateurs de puissance

Cours : Fonctions électroniques

Présenté par : Dr Hanen BOUHADDA

Année universitaire : 2022-2023

Table des matières

II. Notions de base .............................................................................................................. 1

1. Eléments de base ...................................................................................................... 1

2. Eléments de circuit ................................................................................................... 2

3. Mesure de tensions et courants ................................................................................ 4

4. Les Diodes ............................................................................................................... 5

5. Les conventions en électronique .............................................................................. 6

6. Composants élémentaires de l’électronique ............................................................. 7

7. Eléments en série et éléments en parallèle ............................................................... 7

8. Lois de kirchhoff ...................................................................................................... 8

9. Théorème de THEVENIN et de NORTON ................................................................. 10

10. Structure du transistor bipolaire ............................................................................. 14

Chapitre 1 : Les amplificateurs de puissance ............................................................................. 1

1. Valeur moyenne d'un signal périodique ......................................................................... 1

2. Valeur moyenne d'un signal alternatif ............................................................................ 1

3. Puissance dissipée par un signal périodique quelconque ......................................... 2

III. Caractéristiques d'un amplificateur de puissance ........................................................ 3

2. Critères de sélection d'une classe d'amplificateur .......................................................... 5

3. Classe d’amplification de puissance ........................................................................ 5

a. Amplificateurs de puissance classe A .................................................................. 5

b. Amplificateurs de puissance classe B .................................................................. 5

c. Amplificateurs de puissance classe AB................................................................ 6

d. Amplificateurs de puissance classe C .................................................................. 6

e. Amplificateurs de puissance classe D .................................................................. 6

IV. Structure de base des amplificateurs de puissance ...................................................... 6

1. La classe A avec une charge résistive ............................................................................ 9

a. Principe de la classe B ............................................................................................. 14

b. Fonctionnement du push-pull ................................................................................... 15

c. Rendement en classe B ............................................................................................. 16

d. Distorsion de croisement .......................................................................................... 17

e. Correction de distorsion ..................................................................................... 18

3. La classe AB. ................................................................................................................ 18

a. Structure de base ....................................................................................................... 18

b. Puissance et rendement dans les amplificateurs de classe AB ................................. 19

4. Amplificateurs de classe C..................................................................................... 21

b. Puissance et rendement dans les amplificateurs classe C......................................... 25

Chapitre 2 : Le transistor en commutation ................................................................................. 1

II. Le transistor bipolaire en commutation ............................................................................. 2

1. Le circuit de sortie ................................................................................................... 2

2. Le circuit de commande ........................................................................................... 4

a. Caractéristique d’entrée ........................................................................................ 4

3. Caractéristiques générales ........................................................................................ 7

Chapitre 3 : Les filtres actifs analogiques .................................................................................. 1

I. Les filtres ............................................................................................................................ 1

II. Les amplificateurs opérationnels ....................................................................................... 1

2. Caractéristiques d’un AOP ...................................................................................... 2

III. Etude du filtre en régime sinusoïdal ................................................................................. 4

IV. Action des différents filtres .............................................................................................. 5

1. Filtre passe-bas ......................................................................................................... 5

2. Filtre passe-haut ....................................................................................................... 6

3. Filtre passe tout ou déphaseur .................................................................................. 7

5. Filtre passe-bande .................................................................................................... 7

6. Filtre coupe-bande (ou réjecteur de bande) ............................................................. 8

V. Filtres réels ..................................................................................................................... 8

VI. Exemples ..................................................................................................................... 9

1. Exemple n°1 : filtre passe-bas passif ..................................................................... 10

VII. Filtre en régime non sinusoïdal ................................................................................. 13

Chapitre 4 : Les oscillateurs ....................................................................................................... 1

II. Oscillateurs a réactions................................................................................................... 1