N° d’ordre 20 /L3/TCO Année Universitaire : 2005-2006

UNIVERSITE D’ANTANANARIVO
…………………………...
ECOLE SUPERIEURE POLYTECHNIQUE
……………………………
DEPARTEMENT TELECOMMUNICATION

MEMOIRE DE FIN D’ETUDES

En vue de l’obtention

Du DIPLOME de LICENCE ES SCIENCES

TECHNIQUES

Option : Télécommunication
Par : RANDRIANASOLO Herinjaka

ALIMENTATION SYMETRIQUE STABILISEE

COMPLEMENTAIRE

Soutenu le 26 Février 2007 devant la commission d’examen composée de :

Président:
M.RANDRIAMITANTSOA Paul Auguste

Examinateurs :

M.RATSIHOARANA Constant

M.RATSIMBAZAFY Andriamanga

M.RASAMOELINA Jacques

Directeur de mémoire : M.RADONAMANDIMBY Edmond Jean Pierre.

N° d’ordre 20 /L3/TCO Année Universitaire : 2005-2006

UNIVERSITE D’ANTANANARIVO
…………………………...
ECOLE SUPERIEURE POLYTECHNIQUE
……………………………
DEPARTEMENT TELECOMMUNICATION

MEMOIRE DE FIN D’ETUDES

En vue de l’obtention

Du DIPLOME de LICENCE ES SCIENCES

TECHNIQUES

Option : Télécommunication
Par : RANDRIANASOLO Herinjaka

ALIMENTATION SYMETRIQUE STABILISEE

COMPLEMENTAIRE

Soutenu le 26 Février 2007 devant la commission d’examen composée de :

Président:
M.RANDRIAMITANTSOA Paul Auguste

Examinateurs :

M.RATSIHOARANA Constant

M.RATSIMBAZAFY Andriamanga

M.RASAMOELINA Jacques

Directeur de mémoire : M.RADONAMANDIMBY Edmond Jean Pierre.

REMERCIEMENTS

Je rends grâce à Dieu pour son amour et sa bénédiction qui m’ont permis de mener à terme
ce travail de mémoire de fin d’étude.
J’exprime ma gratitude à tous ceux qui m’ont aidé, de près ou de loin, à la réalisation de ce
mémoire, ainsi que la contribution des personnes suivantes auxquelles j’adresse mes vifs
remerciements les plus profonds :
♦Monsieur RAMANATSIZEHENA Pascal, Directeur de l’Ecole Supérieure Polytechnique
d’Antananarivo, de bien vouloir m’accueillir durant mes trois années d’études.
♦Monsieur RANDRIAMITANTSOA Paul Auguste, Professeur et Chef du département
Télécommunications à l’E.S.P.A, pour m’avoir permis de soutenir et qui me fait l’honneur de
présider ce mémoire.
♦Monsieur RADONAMANDIMBY Edmond Jean Pierre, directeur de ce mémoire, qui n’a pas
ménagé son temps, ses précieux conseils et ses critiques constructifs durant l’élaboration de
ce travail, la patience et l’estime dont il a su faire preuve tout au long de l’année ont été une

aide précieuse dans l’élaboration de ce Mémoire.

♦Messieurs les membres du jury, enseignant chercheur au sein du Département

Télécommunications qui ont accepté de juger mon travail à sa juste valeur :
-Monsieur RATSIHOARANA Constant
-Monsieur RATSIMBAZAFY Andriamanga.
-Monsieur RASAMOELINA Jacques.
J’adresse également mes sincères remerciements :

Aux enseignants à l’Ecole Supérieure Polytechnique d’Antananarivo qui ont fait plus
que leurs travaux pour m’inculquer mes connaissances et mes savoirs notamment,
ceux du Département Télécommunication. Sans leurs efforts notre formation n’aurait
pas pu atteindre cette étape.

A mes familles respectives qui m’ont aidé moralement et matériellement pour cette
mémoire.

Plus particulièrement, à ma mère pour ses sacrifices durant ces longues années afin
que je puisse arriver à ce niveau.

A mes amis qui m’ont épaulé à l’élaboration de ce travail.
 TABLES DES MATIERES

REMERCIEMENTS
TABLE DES MATIERES………………………………………………………………………………………...i
LISTES DES FIGURES……………………………………………………………………...………………….iv
LISTES DES TABLEAUX……………………….……………………………………………………………...vi
ABREVIATIONS………………………….…………………………………………………………………….vii
AVANT PROPOS
PARTIE I : ETUDES THEORIQUES
INTRODUCTION…………………………………………………………………………………….…………..1
CHAPITRE I : FONCTIONNEMENT DE L’ALIMENTATION SYMETRIQUE STABILISEE
I.1 généralité………………………………………………………………………………………………..……..2
I.2 schéma de base……………………………………………………………………………………………...…2
I.3 description……………………………………………………………………………………………………..2
I.4 principales caractéristiques………………………………………………………………………………..…3
I.4.1 A faible débit…………………….………………….…………………………...……………………....3
I.4.2 A moyen débit………………………………………..……………………………………………....…..3
I.4.3 A haut débit……………………………..…………………………………………...………………...…3
I.5 Application d’une alimentation Symétrique d’une alimentation Stabilisée………………………….…....3
CHAPITRE I : NOTION SUR LES COMPOSANTS ALIMENTATION SYMETRIQUE STABILISEE
COMPLEMENTAIRE
II.1 Introduction………………………..………………………………………………………………………...5
II.2 Schéma de montage…………………………………………………………………………...……………..5
II.3 Transistor bipolaire……………………………………………………………...…....…………………….5
II.3.1 Définition ………………………………………………………...………………………......…….....5
II.3.2 Structure et Symbole d’un transistor ……………………….…………………..................................6
II.3.3 Description……………………………………………....………………………….………...…...…..6
II.3.4 Vérification d’un transistor…………………………………………………………………...………7
II.3.5 Utilité des transistors ………………………………………………………………………..…….…8
II.3.6 Fonctionnement d’un transistor…………………………………………..…………………..…...…8
II.3.7 Caractéristiques des transistors bipolaires……………………………………………………..……9
II.3.7.1 La caractéristique d'entrée……………………..…………………………………………10
1I.3.7.2 La caractéristique de transfert…………….…………………………………………...…10
1I.3.7.3 La caractéristique de sortie………..………………………………………………..……11
II.3.8 Transistors de puissance Darlington ………………………………………………………......……12
II.3.9 Norme des transistors ……………………………………………………………………......………14
II.3.10 Principaux paramètres des transistors bipolaires…………………………………………………15
II.4 Semi-conducteur ……………………………………………………………………….………..…………15
II.4.1 Généralité ………………………………………………………………………………….…………15
II.4.2 Rappel et Définition …………………………………………………………………………….……15
II.4.2.1 Semi-conducteur intrinsèque ………………………………………………………..…16
II.4.2.2 Semi-conducteur extrinsèque ………………………………………………………..…17
II.4.2.2.1 Semi-conducteur extrinsèque de type n……………………………………………………………17
II.4.2.2.2 Semi-conducteur extrinsèque de type p……………………………………………………………18
II.4.3 Notes ……………………………………………………………………………………………...…19
II.4.4 Inconvénient …………………………………………………………………...……………………21
II.5 Les diodes à jonction …………………………………………………………………………….…………21
II.5.1 Symbole ………………………………………………………………………….………...…………21

i
 II.5.2 Définition …………………………………………………………………………………...……..…21
II.5.3 Description ………………………………………………………………………………..….………21
II.5.3.1 Le plus à la zone p…………………………………………………………..…..………22
II.5.3.2 Le plus à la zone n…………………………………………………………..…..………23
II.5.4 Fonctionnement d’une diode jonction ………………………………………………………………24
II.5.5 Caractéristiques………………………………………………………………………………………24
II.5.6 Principales utilisations d’une diode…………………………………………….……………………25
II.5.6 a Exemple d’utilisation de diode………………………………………….………………25
II.5.6. a.1 Redressement : Par pont de graetz ……………………………………………….………………25
II.5.6. a.2 Logique : Exemple : Fonction OU……………………………………………………..…………26
II.5.7 Technologie…………………………………………………………………………………………..26
II.5.8 Méthode de contrôle…………………………………………………………………….……………26
II.5.9 Caractéristiques courant tension d’une diode…………………………………………….…………27
II.5.10 Diode idéale…………………………………………………………………………………..……..29
II.5.11 Les diodes stabilisatrices ou diodes zener…………………………………………….……………30
II.5.12 Caractéristiques……………………………………………………………….……………………30
II.5.12.a La caractéristique tension-courant ……………………………………………………30
II.5.12.b Valeurs pratiques des tensions zener …………………………………………………31
II.5.12.c Principales caractéristiques des diodes zener……………………………………... …32
II.5.12.d Diode zener idéale………………………………….…………………………………32
II.6 La résistance électrique…………………………………………………………………………….………33
II.6.1. Symbole ……………………………………………………………………....…….………………33
II.6.2. Généralité ……………………………………………………………...…..……….………………33
II.6.3. Définition ………………………………………………………………….……….………………34
II.6.4. Exemples types des résistances……………………………………………..……….…...…………34
II.6.5. Valeur théorique d'une résistance………………………………………….…..…….……………35
II.6.6. Méthode pour connaître la valeur d’une résistance à l’aide des couleurs.…………..……...……35
II.6.7. Fonction d’une résistance ………………………………………………….……….….….………36
II.6.8 La résistivité ……………………………………………………………..….……….….....…….…36
II.6.9. Associations des résistances…………………………………………..…………..….….…………37
II.7 Les transformateurs ……………………………………………………….………..………….…….….…38
II.7.1 Rappel et Définition……………………………………………………….................…..….…...….38
II.7.2 Transformateur : modélisation simple ………………..……………………………..….…..…...…38
II.7.3. Exemple d'utilisation transformation ………...……………………………….………….…….…39
II.7.4 Avantage d’un transformateur ………………………...…………………………...……...…….....39
II.7.5 Le transformateur alimenté et chargé………………………………………………..….……....….40
II.7.6 Modèle de transformateur plus élaboré…………………...……………………………………......41
II.8 Condensateur ………………..……………………………………………………….…………..……..…..42
II.8.1 Définition ……………………………………………………………………...…………….….…...42
II.8.2 Description ……………………………………………………………………...…………………...42
II.8.3 Type de condensateurs …………………………………………………………...……………........42
II.8.4 Caractéristiques …………………………………………………………………....……..…..….....42
II.8.5 Application…………………………………………………………………………...…………........43
PARTIE II : ETUDES PRATIQUES
CHAPITRE III : CONCEPTION D’UNE ALIMENTATION SYMETRIQUE STABILISEE REGULIEE
III.1 Schéma du montage……………………………………………………………….…………………….…44
III.2 Rôle de chaque composant dans l’installation …………………………………………………………..44
III.2.1 Transformateur TR…………………………………………………………………………………….44
III.2.2 Les diodes D1 et D2…………………………………………………………...……………………….45
III.2.3 Les condensateurs……………………………………………………………..………………………45
III.3 Modes de calcule des paramètres…………………………………………………………………..……..47
III.4 Observation……………………………………………………………………………………………...…51
CHAPITRE IV : ETUDES FINANCIERE

ii
IV.1 Liste de matériels…………………………………………………………………………………………..53
IV.2 Economie du montage……………………………………………………………………………………..54
IV.3 Prix de vente………………………………………………………………………………………………..54
IV.4 Amélioration………………………………………………………………………………..………………54
IV.5 Avantages et inconvénients du montages…………………………………………………….……...……55
CONCLUSION……………………………………………………………………….…………….……………55
ANNEXE 1……………………………………………………………………………………………….………56
ANNEXE 2……………………………………………………………………………………………...………..57
BIBLIOGRAPHIE…………………………………………………………………………………………..…..58
RENSEIGNEMENT
RESUME
ABSTRACT

iii
 LISTE DES FIGURES

Figure 1.01: alimentation symétrique complémentaire stabilisée ……………………..….……………..…2

Figure 2.01 : alimentation symétrique complémentaire stabilisée …………………….….………………..5
Figure 2.02 Structure et symbole d’un transistor pnp ou npn…………………….…………...….…….…..6
Figure 2.03 (a) montage transistor NPN ; (b) montage transistor PNP……………………………………6
Figure 2.04 vérification d’un transistor…………………………………………………………..……...……..7
Figure 2.05 type de boîtier de transistor……………………………………………………..…………..….....7
Figure 2.06 Fonctionnement d’un transistor……………………………………………..……………..……..8
Figure 2.07 transistor monté en émetteur commun……………………………………..……………..………9
Figure 2.08 (a): caractéristique d’entrée ; (b): transfert d’un transistor …………………..……..……..10
Figure 2.09 caractéristique de sortie d’un transistor…………………………………………….….………11
Figure 2.10 caractéristique d’un transistor bipolaire…………………………………………….…..……..11
Figure 2.11 montage transistor de puissance Darlington…………………………………….….…..…….13
Figure 2.12 : Réseau de cristal semi-conducteur intrinsèque……………………………...…….……..….16
Figure 2.13 réseau de cristal de semi-conducteurs extrinsèque de type n…………………….….…..…..17
Figure 2.14 : modèle semi-conducteur extrinsèque de type n (modèle)………………...…………….......18
Figure 2.15 : réseau cristal semi-conducteur extrinsèque de type p…………………...….………….…...19
Figure 2.16: modèle semi-conducteur extrinsèque de type p………………………………...……….……19
Figure 2.17 : grandeurs spécifiques dans une jonction p n………………………………………….……...20
Figure 2.18 : symbole des diodes……………………………………………………………………………….21
Figure 2.19 : zone de dopage d’une diode…………………………………………………………….………22
Figure 2.20 : polarité d’une diode (zone p)…………………………………………………………………...22
Figure 2.21 : circulation du courant électrique (zone p)……………………………………………….…...22
Figure 2.22 : polarité d’une diode (zone n)…………………………………………………………...………23
Figure 2.23 : circulation du courant électrique (zone n)…………………………………………….……...23
Figure 2.24 : Diode monté en sens direct…………………………………………………………...…..…….24
Figure 2.25 : Diode monté en sens inverse……………………………………………………………..……..24
Figure 2.26 caractéristique d’une diode…………………………………………………………………...….25
Figure 2.27 a : redressement en pont de graetz et diagramme correspondant……………………...…...26
Figure 2.27 b :diodes de redressement montée en fonction OU……………………………………………26
Figure 2.28 : vérification d’une diode ……………………………………………...……............................27
Figure 2.29 caractéristique courant tension d’une diode……………………………………………….…..28
Figure 2.30 : 1er approximation d’une diode idéale ………………………………………..………..…..….29
Figure 2.31 : 2ème approximation d’une diode idéale………………………………………...…...29
Figure 2.32 : Caractéristique tension courant d’une diode zener…………………………..….………….31
Figure 2.33 : Coefficient de température d’une diode zener………………………………..………..…….31

iv
Figure 2.34 : 1er approximation d’une diode zener…………………………………..……………......…....32
Figure 2.35 : 2ème approximation d’une diode zener…………………………………………………..……33
Figure 2.36 : symbole d’une résistance électrique………………………………………………………...…33
Figure 2.37 (a): résistance en forte puissance ; (b) résistances variables ……………….………………34
Figure 2.38 : Lecture d’un résistance …………………………………………………………………….......36
Figure 2.39 : Symbole d’un transformateur…………………………………………………………………..39
Figure 2.40 : Chaîne d’utilisation d’un transformateur…………………………………………………….39
Figure 2.41 : Modélisation d’un transformateur………………………………………………………..…...40
Figure 2.42 : Amélioration d’un transformateur………………………………………………………….....41
Figure 3.01 : Schéma de base d’une alimentation symétrique stabilisée………………………………....44
Figure 3.02 : Allure de U = f(i) d’un condensateur……………………………………………...................45
Figure 3.03 : Symétrique d’une alimentation symétrique stabilisée……………………………………….46
Figure 3.04 : Schéma du circuit imprimé……………………………………………………………………..51
Figure 3.04 : Photo de la plaquette en vue de dessus……………………………………………………….52
Figure A1.01 :Principe du montage Darlington…………….………………………….....…………..56
Figure A2.01 : Principe du montage Push pull………………………………………...…..………….57

v
 LISTE DES TABLEAUX

Tableau 2.01 :tableau récapitulatif des trois montages transistor …………………..……………...........12

Tableau 2.02 : tableau récapitulatif simplifié des transistors…………………………….…………....…14
Tableau 2.03 : Paramètres des transistors bipolaires……………………………………………...…..……15
Tableau 2.04 : Récapitulation d’une diode Zener………………………………………..…..................…30
Tableau 2.05 :Codes couleurs des résistances………………………………………………………………..35
Tableau 2.06 : Résistivité……………………………………………………………….…….…….………...…36
Tableau 2.07 : Exemples de résistivités…………………………………………………………..….………..37
Tableau 2.08 : Associations de résistances (a) : Série………………………………………….…..…….…37
Tableau 2.09 : Associations de résistances (b) : Parallèle………………………………….………………38
Tableau 3.01 : Catalogue des transistors……………………………………………………………………..47
Tableau3.02 : Brochage des transistors………………………………………………………………….……47
Tableau 3.03 Mesures en charges……………………………………………………………………….……..51
Tableau 4.01 : Liste de matériels……………………………………………………………….…………..….53
Tableau 4.02 : Economie du montage……………………………………………………………………..…..54
Tableau A.01 :Principaux paramètre des transistors utilisées…………………………………………….56

vi
 NOTATIONS ET ABREVIATIONS

AMG, ALH, AHH Fonctionnement d’un transistor, dans lequel le code donnés

BC Base-collecteur

BE Base-Emetteur

BFX Euro (proelectron) Standard, silicium, faible puissance, hf,

Industriel

BD… Norme Européen (Proelectron), Standard, Silicium, Puissance,

Fi, Grand public

BC… Norme Européen (Proelectron), Standard, Silicium, faible

Puissance,

COB Adresse des fabricants

EM Emetteur

FET Field Effet Transistor

FT Fréquence de coupure minimale à laquelle le gain Bêta

Repasse à l’unité.

F Fusible

FAB Fabrication (SG1.. : code donné par les fabrications)

FCT Fonction

GBF Générateur à Basse Fréquence

hFE Gain en courant, en émetteur commun, normalement en

courant continu

ICEO Générateur d’un courant commandé par un pilote ; courant de

fuite Dont l’origine de la droite ne passe pas par 0.

IDIR Courant Direct du redressement

vii
IF Courant Direct Maximal

IZMAX Courant Zener Maximale

JFET Jonction Field Effect Transistor

NS Polarité et matériau d’un Transistor, Equivalence d’un NPN

Silicium (Code utilisé par les fabricants)

PTOT Puissance Totale.

PS Polarisation d’un Transistor, Equivalence d’un PNP (codes utilisés

par les fabricants)

PNOM Puissance Normale

PZNOM Puissance Zener Nominale

Tj Température de jonction

UJT Unit Jonction Transistor

UINV Tension Inverse

UINV.MAX Tension Inverse Maximale

USEUIL Tension de seuil

UZ Tension Zener

VCEO Tension Collecteur-Emetteur, avec circuit de base ouvert

VCBO Tension Collecteur-Base, avec circuit d’Emetteur ouvert

VBE Tension Base-Emetteur.

2N2905A Code utilisés par les fabricants (2N…; norme USA (EIA6Jedec)

Standard

viii
 AVANT PROPOS

L’électricité et l’électronique sont deux choses inséparables, qu’on parle beaucoup dans le
domaine de Télécommunication. Les applications pratiques de l’électricité, électronique et les
mouvements des particules chargées électriquement sont très importantes dans ce domaine.
L’élaboration et la fabrication de systèmes et de dispositifs utilisant l’énergie électrique et les
signaux électriques. Ce secteur englobe donc les conversions d’électricité, les applications de
l’électromagnétisme, de l’électronique, les systèmes de traitement de l’information et les
télécommunications. Parmi les branches les plus importantes, on peut citer la production et le
transport de l’énergie électrique, la construction de machines électrotechniques, la conception
des circuits électroniques, des systèmes de commande, des ordinateurs et des systèmes
informatiques, les supraconducteurs, l’électronique des semi-conducteurs, les systèmes
d’imagerie médicale, la robotique, les lasers, les radars, les appareils électroniques et les
fibres optiques.
0
 INTRODUCTION

La plupart des équipements électroniques nécessitent un courant continu, pouvant s'obtenir au

moyen d'une pile ou grâce au circuit d'alimentation interne à l'équipement, qui convertit alors
en courant continu le courant alternatif fourni par la prise de courant du secteur. Ce type de
circuit utilise peut être un transformateur ou une diode de redressement ou appareil qui
stabilise la tension d'entrée à une valeur adaptée au fonctionnement d’un dispositif
électronique. Ce transformateur est monté en série avec un redresseur, généralement constitué
d'une ou de plusieurs diodes. Autrefois, la plupart des redresseurs de faible puissance étaient
composés de tubes à vide et de matériaux tels que le germanium cristallin ou le sulfure de
cadmium, mais aujourd'hui, on utilise presque exclusivement des redresseurs à base de
silicium, qui sont peu coûteux et très fiables. Les possibilités sont vastes. Mais peu importe la
façon de transformer le courant ou la tension d’entrée, le plus important c’est d’avoir un
courant continu stable au final sans courir un danger. C’est pour cette raison qu’on a réalisé
un schéma type d’alimentation symétrique stabilisée complémentaire qui peut être à la porté
des bons praticiens.

1
CHAPITRE I : FONCTIONNEMENT DE L’ALIMENTATION SYMETRIQUE
SRABILISEE

I.1 : Généralité

Une alimentation symétrique stabilisée est une source opposée de courant continu par rapport
à la masse 0, obtenu à l’aide de transformation d’un courant alternatif par un transformateur
suivit d’un redressement grâce à un pont de diodes ou point milieu, le lissent grâce à un
condensateur et le régulent pour fournir du 9 ou 12 V continu par exemple.

I.2 : Schéma de base [5] :

Figure 1.01: Alimentation Symétrique Stabilisée Complémentaire

I.3 Description :
L’Alimentation est Symétrique Stabilisée par les deux diodes de Zener. Dans ce cas, la
complémentarité est obligatoire, pour assurer la symétrie de l’alimentation [(-9, 0, +9) V].
Les quatre transistors complémentaire : T1, T2, T3 et T4 de jonction NPN et PNP aux
paramètre analogues assurent cette symétrie de l’alimentation.
Le transformateur abaisseur de tension fournit à partir de la tension du secteur à 220V/50Hz la
tension de 12V/50Hz.
Les deux diodes de redressement transforment cette tension en tension continue.
Les résistances polarisent et protègent les semi-conducteurs.
2
Les condensateurs aident à établir une tension asymptotiquement continue en éliminant les
harmoniques parasites.
La protection contre les courts-circuits involontaires est garantie par les deux fusibles
La précision est au voisinage de 10%, tolérance due aux imprécisions des composants et des
matériels utilisées.

I.4 Principales caractéristiques :

Dans une alimentation symétrique stabilisée, on parle autant du débit de l’énergie. Puisque
c’est toujours en fonction de ce dernier que le constructeur envisage la charge nécessaire pour
le circuit en question.

Trois types de débit sont nécessaires pour le montage d’une alimentation symétrique stabilisée

I.4.1 A faible débit

On dit qu’une alimentation stabilisée est à faible débit si est seulement si le courant absorbé
par le transformateur varie environ de 1mA à 1A pour un transistor qui consomme de 3A.

I.4.2 A moyen débit :

On dit qu’une alimentation stabilisée est à moyen débit si est seulement si le courant absorbé
par le transformateur varie environ de 1A à 5A pour un transistor qui consomme un courant
plus de 3A à 5A.

I.4.3 A haut débit :

On dit qu’une alimentation stabilisée est à haut débit si est seulement si le courant absorbé
par le transformateur est supérieur à 5A pour un transistor qui consomme un courant supérieur
ou égale à 7A.

I.5 Application d’une alimentation symétrique stabilisée :

On utilise parfois une alimentation symétrique stabilisée dans les équipements électroniques
suivants :

Amplificateur différentiel
Amplificateur à basse fréquence.
Amplificateur de puissance.
3
Générateur à haute fréquence et de forte puissance à l’ordre de nW (puissance
générateur).
Circuit logique.
Montage Push pull.

4
CHAITRE II : NOTIONS SUR LES COMPOSANTS ALIMENTATION
SYMETRIQUE STABILISEE COPLEMENTATAIRE

II.1 Introduction :
Ce chapitre traite les propriétés des composants existants dans une Alimentation Symétrique
Complémentaire Stabilisée. En premier lieu, un bref rappel sur les transistors est donné,
puisque la performance d’un circuit électronique dépend principalement à celle du transistor.

II.2 Schéma de montage [5] :

Figure 2.01: alimentation symétrique stabilisée complémentaire

II.3 Transistor bipolaire [8] :

Le terme transistor est l’acronyme de transfert résistor. Les premiers transistors ont vu
le jour en 1948. Inventé par les Américains J. Bardeen, W. Brattain et W. Shockley. Un
transistor peut être du type «n p n » ou du type « p n p ».
Le transistor bipolaire est l'un des dispositifs à semi-conducteur les plus utilisés à
l'heure actuelle dans les rôles d'amplificateur et d'interrupteur.

II.3.1 Définition :
Un transistor est un élément actif à trois électrodes nommées : E (émetteurs), C (collecteurs),
B (bases) comportant deux jonctions P N très proches l’une de l’autre. Chacun des jonctions
peut être polarisée en direct ou en inverse.

5
II.3.2 Structure et Symbole d’un transistor :

Figure : 2.02 Structure et symbole d’un transistor pnp et npn.

II.3.3 Description :
La couche médiane est appelée base. Leur géométrie et leur nombre volumique en impuretés
distinguent les deux couches externes: émetteur et collecteur. Par extension, on appelle
également base, émetteur et collecteur les trois électrodes qui donnent accès aux trois couches
correspondantes.
Les deux jonctions qui apparaissent dans le transistor sont désignées par le nom des deux
régions entre lesquelles elles assurent la transition; on trouve, par conséquent, la jonction
base-émetteur (BE) également dénommée jonction de commande et la jonction base-
collecteur (BC). Dans les symboles de la figure 2.02, la flèche désigne la jonction de
commande.
Il existe deux manières de disposer les jonctions P-N pour fabriquer un transistor :
 une zone N, une zone P et une zone N: on a alors un transistor NPN (c’est le modèle le
plus répandu)
 une zone P, une zone N et une zone P: on a dans ce cas un transistor PNP.

Figure 2.03.a: montage transistor NPN Figure 2.03.b: montage transistor PNP
6
Dans le montage dit "à émetteur commun", le transistor apparaît comme un quadripôle dont
deux des connexions sont branchées à l'émetteur du transistor bipolaire.
Dans un transistor NPN, les courants de base Ib et de collecteur Ic sont rentrants et le courant
d'émetteur Ie est sortant (Exemple : BC337B).
Dans un transistor PNP, les courants de bases Ib et de collecteur Ic sont sortants, et le courant
d’émetteur Ie est rentrant (Exemple : BC327B).

II.3.4 vérification d’un transistor :

La méthode la plus facile pour singulariser le type d’un transistor (npn ou pnp) est de prendre
un multimètre et mesurer la tension entre chaque deux bornes (ex : collecteur-base,
collecteur-émetteur). Puisque de l'extérieur, rien ne permet de distinguer un transistor NPN ou
d'un transistor PNP. Sachant que la tension maximale collecteur-émetteur à IB > 0, peut
dépasser 1kV (IB <0, PNP).

Figure 2.04 vérification d’un transistor.

Voici quelques exemples de boîtier qui sont codifiées suivant leurs formes [1].

Figure 2.05 type de boîtier de transistor

7
I1.3.5 Utilité des transistors :
Le transistor est un composant à semi-conducteur qui remplit deux fonctions vitales en
électronique: celles d'amplificateur (c'est un générateur de fort courant en sortie commandé
par un faible courant en entrée) et de commutateur (à la manière d'un interrupteur
marche/arrêt).
Il existe en outre plusieurs familles technologiques de transistors :
Transistor bipolaire, transistor unipolaire (FET, JFET, JUGFET, IGFET), transistor uni
jonction (UJT, anciennement appelé transistor filamentaire). Tous ont des caractéristiques qui
leur sont propres, et sont capables de travailler sur des plage de puissances très variées (de
quelque milliwatts à plusieurs certaines de watts), et aussi sur des plages de fréquences très
variées (de quelques hertz à plusieurs gigahertz), selon de modèle.

I1.3.6 Fonctionnement d’un transistor [1][2][10] :

Les divers cas de fonctionnement du transistor dépendent des valeurs des tensions aux
jonctions BE et BC. Si l'on considère l'état passant et l'état bloqué de chaque jonction, on
dénombre quatre cas de fonctionnement possibles (voir la figure ci-dessous)

Figure 2.06 Fonctionnement d’un transistor.

1. Le transistor est bloqué lorsque ses deux jonctions sont en polarisation inverse, cela
veut dire qu’aucun courant ne circule dans un transistor. Dans ce cas, ce dernier est alors se
comporter comme un circuit ouvert de telle sorte que le collecteur est isolé de l’émetteur.

2. Le transistor est en fonctionnement normal direct lorsque la jonction de commande

BE est en polarisation directe, celle là qui détermine le débit des électrons. La jonction BC est
en polarisation inverse n’influence d’aucune manière sur le débit des électrons. On peut donc
dire que, dans ce cas de fonctionnement, le courant de collecteur est indépendant de la tension
UBC (£ 0).

8
 3. Le transistor est en fonctionnement inverse lorsque la jonction de commande
BE est en polarisation inverse et que la jonction BC est en polarisation directe. La jonction
BC permet de déterminer l’injection des électrons dans la base puis dans l’émetteur,
indépendamment de la jonction BE. Les électrons de l'émetteur ne peuvent franchir la barrière
de potentiel qui a pour siège la jonction BE et n’ont pas aucune influence sur la tension UBE.
Dans ce cas de fonctionnement, le courant d'émetteur est indépendant de la tension UBE ( £ 0)

4. Le transistor est saturé lorsque les deux jonctions du transistor sont en

polarisation directe. C'est donc le modèle EM complet qu'il faut utiliser pour décrire ce cas de
fonctionnement.

Il est intéressant de remarquer que le courant qui circule du collecteur à l'émetteur est
inférieur au courant qui circulerait si seule l'une ou l'autre jonction était polarisée en sens
direct sous même tension.

I1.3.7 Caractéristiques des transistors bipolaires :

Considérons le montage ci-dessous, appelé en "émetteur commun", car la patte commune est
l'émetteur du transistor NPN. L'entrée du montage est la base et le collecteur pour la sortie.

Figure 2.07 transistor monté en émetteur commun

Remarque :
Dans ce montage, la base est polarisée par la résistance désignée Rb. Le potentiel de la base
est d'environ 0,7 V, car l'émetteur est à la masse et la jonction base-émetteur est équivaut à
une diode passante. Le collecteur est polarisé par la résistance désignée Rc, de telle manière
que la tension du collecteur soit supérieure à la tension de la base (VCE > VBE): la jonction
base-collecteur est alors polarisée en inverse.
9
L'entrée est caractérisée par IB=f(VBE), et la sortie par IC=f(VCE), voire la figure ci-dessous.

Figure 2.08 a: caractéristique d’entrée Figure 2.08 b: transfert d’un transistor

La figure (2.08) montre les caractéristiques d'entrée et de transfert du transistor.

II.3.7.1 La caractéristique d'entrée:

Elle correspond à la relation IB = f (VBE), VCE étant constante. Cette caractéristique, on le
constate, ressemble beaucoup, et pour cause, à celle d'une diode: en effet, la jonction base-
émetteur du transistor équivaut à une jonction de diode.

II.3.7.2 La caractéristique de transfert :

Elle est définie par la relation IC = f (IB), VCE étant constante. La caractéristique de transfert
est une droite de pente positive, le courant de collecteur Ic est proportionnel au courant de
base Ib, le facteur ß (béta) étant appelé gain en courant. On peut donc dire que le transistor se
comporte comme un générateur de courant commandé (ou "piloté") par un courant.
On notera que l'origine de la droite ne passe pas par 0, mais par une valeur notée ICEO, qui
correspond au courant de fuite (leakage current, en anglais), courant circulant dans le
collecteur. Cette valeur étant généralement très faible, on pourra le plus souvent la négliger.

10
II.3.7.3 La caractéristique de sortie :

Figure 2.09 caractéristique de sortie d’un transistor.

Cette caractéristique de sortie correspond à la relation IC = f (VCE), IB étant constant. Dans
la pratique, on trace plusieurs caractéristiques pour différentes valeurs de IB.
La zone « grisée » que l’on voit dans cette figure, correspond à la zone de saturation: c’est à
dire que : quand la tension VCE diminue pour devenir très faible, la jonction collecteur-base
cesse d'être polarisée en inverse, et l'effet transistor décroît alors très rapidement. L'autre
partie du graphe montre que le courant de collecteur IC dépend très peu de la tension VCE.

Il est possible de regrouper sur un graphique les trois caractéristique que nous venons
de voir (entrée, transfert, sortie) comme celui de la figure ci-contre.

Figure 2.10 caractéristique d’un transistor bipolaire.

Ce graphique nous permet de calculer facilement la valeur des résistances de base Rb et de

collecteur Rc, nécessaires à la polarisation du transistor.

11
Quelques types de montage à transistor:

Montage Emetteur commun Base commune Collecteur Commun

Schéma de base

Gain en tension Plusieurs centaines Plusieurs centaines ou 1 environ

milliers
Gain en courant Β=∆Ic/∆Ib=20à200 Α=∆Ic/∆Ie<à1 y=∆Ic/∆Ib=20à200
Gain ne puissance Plusieurs, milliers Plusieurs, centaines Plusieurs, dizaines
Résistance ∆V/∆Ib= 200à2000Ω ∆Ve/∆Ie=30à1500Ω ∆Vb/∆Ib=0.2à1MΩ
d’entrée
Résistance de ∆Vc/∆Ic=10à100kΩ ∆Vc/∆Ic=30à2MΩ ∆Ve/∆Ie=50à500Ω
sortie
Phase de la
tension de sortie Opposition En phase En phase
par rapport à la
tension d’entrée
-Entre haute Pour attaquer une
Utilisations Universelle fréquence impédance faible
-Pour attaquer une
impédance élevée

Tableau2.01 : tableau récapitulatif des trois montages transistor

II.3.8 Transistors de puissance « ex : Darlington » [1][2][4][5][6] :

Il est nécessaire de donner quelques explications aux sujets des transistors « Darlington » qui
ont été cités lors de la description de la technologie à base épitaxiée. Ils existent en version
complémentaire n p n et p n p ; ils répondent aux schémas de la figure suivant :

12
 Figure 2.11 : montage des transistors de puissance Darlington

Ces deux figures nous montrent les montages des transistors de puissance « Darlington »
complémentaire n p n et p n p.

Description :

Sur une même pastille de silicium on construit selon la technologie à base épitaxiée :

-Un transistor à faible puissance et à gain élevé ;

-Un transistor de puissance à gain réduit ;

-Deux résistances de polarisation ;

-Une diode de protection montée en inverse ;

-Un circuit évaporé en aluminium qui relie ces deux dispositifs selon le montage en
Darlington.

L’ensemble est monté, soit dans un boîtier plastique TO126 ou T220, soit dans un boîtier
métallique TO3, selon la puissance délivrée.

On obtient ainsi un dispositif de puissance à gain élevé et protégé contre les surtensions par la
diode montée en inverse, aussi bien en n p n qu’en p n p. On peut donc monter des
amplificateurs de puissance à symétrie complémentaire comme dans notre cas, avec un seul
« driver classe A ».

13
II.3.9 Norme des transistors :

Il existe au moins trois normes de codage transistor

1. la norme américaine JEDEC (Joint Electron Devsice Engineering Council).

2. la norme européenne Pro Electron et la norme japonaise JIS (Japanese Industrial
Standards).
3. La norme JEDEC affecte le préfixe 1N aux diodes, le préfixe 2N aux transistors,
thyristors et triacs. Vient ensuite un numéro de série à quatre chiffres, puis
éventuellement un suffixe, facultatif. Le suffixe A signifie "faible gain", B signifie
"gain moyen", C signifie "gain élevé".

Exemples: la 1N4148 est une diode, le 2N2222A est un transistor à faible gain.

La norme Pro Electron impose un codage comportant trois informations: une première lettre
désigne le matériau semi-conducteur utilisé, une deuxième lettre renseigne sur la nature du
composant, puis vient un groupe de trois chiffres (pour les produits "grand public") ou deux
chiffres et une lettre (produits industriels). Voici un tableau récapitulatif simplifié:

A: diode, signal
C: transistor, low power, audio frequency
D: transistor, power, audio frequency 100 à 999
B: silicium F: transistor, low power, high frequency
ou
R: switching device, low power (ex: thyristor)
U: transistor, power switching 10 à 99 + lettre
Y: diode, rectifier

Tableau 2.02.tableau récapitulatif simplifié des transistors

Exemples: la BA159 est un diode signal, le BC547 est un transistor faible puissance, le
BD135 est un transistor de puissance.

14
II.3.10 Principaux paramètres des transistors bipolaires :

En réalité, tous les paramètres ne présentent pas le même intérêt. Bien souvent, dans la
pratique, le choix d'un modèle de transistor ne dépendra que de quelques paramètres.

Voici un tableau récapitulatif :

Tension collecteur-émetteur maxi, ou tension de claquage. Au delà de cette

VCEMax tension, le courant de collecteur IC croît très rapidement s'il n'est pas limité à
l'extérieur du transistor
IC Max Courant de collecteur maxi. A partir de cette valeur, le gain en courant va
fortement chuter et le transistor risque d'être détruit.
hFE (ß) Gain en courant (paramètre essentiel en amplification).
PTotMax Puissance maxi que le transistor pourra dissiper, donnée par la formule: VCE x Ic.
Attention, un transistor, ça chauffe!
VCESat Tension de saturation (utile en commutation).

Tableau 2.03 : paramètres des transistors bipolaires

II.4 Semi-conducteur [1] :

II.4.1 Généralité :
Les semi-conducteurs sont des conducteurs électriques qui sont presque isolants. A la
différence des métaux, dans des semi-conducteurs, seules quelques électrons arrivent à se
libérer alors que les autre sautent d’un atome à l’autre, laissant des espaces vide ou « trous».
Ces trous agissent comme des charges positives et se déplacent en sens inverse de celui des
électrons. Le silicium est le semi-conducteur le plus répandu.
Si le diagramme énergétique d’un semi-conducteur semble identique à celle d’un isolant, on
peut toutefois remarquer une différence importante. Alors que la bande interdite est très
élevée pour un isolant.

II.4.2 Rappel et Définition :

Le terme semi-conducteur est employer pour désigner des solides dont la résistivité (ρ
en Ω.cm) est très supérieur à celle d’un bon conducteur (soit ρ = quelques µΩ-cm) et très

15
inférieur à celle d’un bon isolant (ρ = 108 à 1017 Ω-cm) varie sous l’influence de facteur tels
que la température, l’éclairement et le champ électrique.
Les semi-conducteurs sont des matériaux présentant une conductivité électrique
intermédiaire entre les métaux et les isolants.
Les semi-conducteurs sont des matériaux possédant une bande interdite, ni purement
isolant ni purement conducteur à la température non nulle .Certain de ses électrons sont très
faiblement liés à leurs atomes et peuvent devenir des électrons de conduction. Un semi-
conducteur est de type n (électrons porteurs de charges majoritaires) ou de type p (trous
porteurs de charge majoritaires) selon les dopants utilisés.
Les semi-conducteurs sont des groupes de matériaux qui, à l’état pur, présentent une
conductivité faible mais croissant exponentiellement avec la température. Elle peut être
fortement accrue par incorporation de dopant : ex : silicium, germanium, arséniure de gallium,
phosphure d’indium. La plupart des matériaux semi-conducteurs sont fabriqués à partir du
Germanium et du Silicium. Mais leurs propriétés sont identiques.
Un semi-conducteur peut avoir deux modèles bien distinguer : semi-conducteurs
intrinsèques et extrinsèques de type n ou de type p. La connaissance de ces modèles permet,
par la suite, de rendre compte du comportement des dispositifs à semi-conducteurs tels que
diode, transistor bipolaire, transistors à effet de champ, etc.

II.4.2.1 Semi-conducteur intrinsèque :

Un cristal de semi-conducteur intrinsèque est un solide dont les noyaux atomiques sont
disposés aux noeuds d'un réseau géométrique régulier. La cohésion de cet édifice est assurée
par les liens de valence qui résultent de la mise en commun de deux électrons appartenant
chacun à deux atomes voisins de la maille cristalline. Les atomes de semi-conducteur sont
tétravalents et le cristal peut être représenté par le réseau de la figure ci-après :

Figure 2.12 : Réseau de cristal de semi-conducteurs intrinsèque.

16
On dit qu’un cristal semi-conducteur est intrinsèque si et seulement si le cristal est
parfaitement pur. Etant donnée que dans un cristal semi-conducteur pur, non relié à un circuit
extérieur, l’agitation thermique libère un certain nombre d’électrons et, évidemment autant de
lacunes (trous). Alors, pour une température donnée, un état d’équilibre « électrons-lacunes »
se forme et la résistivité ou la conductibilité du cristal ne varient pas. C’est pourquoi dans la
pratique, on dit qu’un semi-conducteur non dopé est intrinsèque.

II.4.2.2 Semi-conducteur extrinsèque :

L'action qui consiste à rendre un semi-conducteur extrinsèque c’est le dopage (dopage de type
n ou dopage de type p). Par extension, ce terme qualifie également l'existence d'une
concentration d'atomes étrangers.

Un semi-conducteur extrinsèque est un matériau dopé contient un excès de donneurs (n) ou

d’accepteurs (p), qu’un état d’équilibre ne peut s’établir.

Il existe alors deux types de semi-conducteur extrinsèque : celui de type n et celle de type p.

II.4.2.2.1 Semi-conducteur extrinsèque de type n

Si on parle de dopage de type n. On donne le nom d'impuretés aux atomes étrangers introduits
dans la maille cristalline. Dans le cas d'un semi-conducteur extrinsèque de type n, les
impuretés sont appelées donneurs car chacune d'entre elles donne un électron libre. Ce sont
les donneurs qui forment avec le Germanium ou le silicium de semi-conducteurs de type n à
condition électronique : il est alors un semi-conducteur extrinsèque de type n. Dans lequel on
aurait substitué à quelques atomes tétravalents des atomes pentavalents.

Figure 2.13 : Réseau de cristal semi-conducteur extrinsèque de type n

17
Quatre électrons de la couche périphérique de l'atome pentavalent prennent part aux liens de
valence alors que le cinquième, sans attache, est libre de se mouvoir dans le cristal. L'électron
libre ainsi créé et neutralise la charge positive, solidaire du réseau cristallin, qu'est l'atome
pentavalent ionisé.

Technologie (modèle) :

Les dopages courants sont environ de 1016 à 1018 atomes par cm3. On peut admettre que le
nombre volumique des électrons libres est égal au nombre volumique des impuretés et que le
nombre volumique des trous (charges libres positives) est négligeable. Etant données ces
considérations, on établit le modèle de semi-conducteur représenté à la figure ci dessous dans
lequel n'apparaissent que les charges essentielles, à savoir: les électrons libres et les donneurs
ionisés. Les charges fixes sont entourées d'un cercle.

Figure 2.14 : modèle semi-conducteur extrinsèque de type n (modèle).

I1.4.2.2.2 Semi-conducteur extrinsèque de type p

Les impuretés, dans un semi-conducteur extrinsèque de type p. sont appelées accepteurs au vu

de leur propriété d'accepter un électron situé dans un lien de valence.

Ce sont des accepteurs qui forment avec le Germanium ou le silicium des semi-conducteurs
du type p à conduction lacunaire.

Si l'on introduit des atomes trivalents dans le réseau cristallin du semi-conducteur, les trois
électrons de la couche périphérique de l'impureté prennent part aux liens de valence, laissant
une place libre. Ce trou peut être occupé par un électron d'un autre lien de valence qui laisse, à
son tour, un trou derrière lui. L'atome trivalent est alors ionisé et sa charge négative est
neutralisée par le trou (voir fig. 2.15). Le semi-conducteur est alors extrinsèque de type p.

18
 Figure 2.15 : réseau cristal semi-conducteur extrinsèque de type p

Technologie (modèle)[1] :

On peut faire les mêmes considérations qu'au paragraphe précédent concernant le nombre
volumique des trous: il est approximativement égale au nombre volumique des impuretés. Le
nombre volumique des électrons libres est alors considéré comme négligeable. Il s'ensuit un
modèle, représenté à la figure précédent, dans lequel n'apparaissent que les charges
prépondérantes: les trous et les accepteurs ionisés.

Figure 2.16: modèle semi-conducteur extrinsèque de type p

II.4.3 Notes :

• Il existe, entre la région p et la région n, une barrière de potentiel énergétique pour les
charges mobiles. L'existence de cette barrière se traduit par une différence de potentiel
électrique liée au champ de rétention de la diffusion.
Preuve : L'existence de la barrière de potentiel est mise en évidence par le travail Wp qu'il faut
fournir pour faire passer un trou de la région neutre p à la région neutre n ou pour faire passer
un électron en sens contraire.

19
 Figure 2.17 : grandeurs spécifiques dans une jonction p n

(2.01)

Où F' est la force opposée à la force de Coulomb donnée, dans le cas du trou de charge +e,
par l'expression:

(2.02)

En introduisant (1.02) dans (1.01), on fait apparaître la notion de potentiel électrique:

(2.03)

On désigne par UB0 la hauteur de la barrière de potentiel dans une jonction à l'équilibre (voir
fig.2.17).
• Le semi-conducteur extrinsèque, type p ou type n, est globalement neutre. On peut donc le
comparer à un réseau géométrique dont certains noeuds sont chargés et dans lequel stagne un
gaz de charges mobiles qui neutralise les charges fixes du réseau. On élargit, par la suite, la
20
notion de semi-conducteur de type n à un semi-conducteur dont le nombre volumique des
donneurs l'emporte sur celui des accepteurs et celle de semi-conducteur de type p à un semi-
conducteur dans lequel le nombre volumique des accepteurs est prépondérant.

II.4.4 Inconvénient :

La résistivité d’un matériau peut d’ailleurs dans de large limites sous l’influence de certaines
facteurs comme : la température, la lumière, les courants interne ou encore par l’addition de
certaines impuretés. Ainsi peuvent-ils passer constamment et de façon réversible de l’état
isolant à celui du conducteur.

II.5. Les diodes à jonction :

II.5.1 Symbole : les diodes semi-conductrices peuvent être représentées dans des boîtiers
différents

Figure 2.18 : symbole des diodes

II.5.2 Définition :

La diode est une composante électronique autorisant le passage d’un courant électrique dans
un seul sens. Elle est utilisée pour le redressement et la détection d’un courant.

II.5.3 Description :
Une diode est constituée d'une plaquette de silicium dans laquelle deux zones de dopages,
appelés dopage P et dopage N, ont été réalisées

21
 Figure 2.19 : zone de dopage d’une diode

A la jonction (réunion) des deux zones P et N, les porteurs de charges mobiles se combinent
et il apparaît une zone d'espace vide de porteurs de charges mobiles, donc une zone isolante.
Les propriétés physiques qui résultent de cet espace donnent naissance aux phénomènes de
conduction électrique particulière, comme la conduction dans un seul sens du courant
électrique.

Lorsque l'on alimente une diode, donc une jonction PN, l'effet change selon la polarité de la
tension appliquée. Une diode ne laisse passer le courant que dans un seul sens. Essayons de
comprendre les phénomènes suivants

II.5.3.1 Le plus à la zone p

Figure 2.20 : polarité d’une diode (zone p)

Si l'alimentation (V+) est supérieure à 0,6 volts, les porteurs de charges mobiles ont
suffisamment d'énergie pour "traverser" la zone isolante.

Figure 2.21 : circulation du courant électrique (zone p)

22
La jonction est conductrice en présentant une différence de potentiel de 0,6 - 0,7 volts à ses
bornes. Uj = 0,6 - 0,7V

La diode conduit et nous pouvons idéaliser ce fonctionnement en remplaçant la diode par un

générateur DC et un interrupteur fermer.

Nous parlons de: polarisation dans le sens passant, ou sens direct; courant direct; en anglais
"forward".

II.5.3.2 Le plus à la zone n

Figure 2.22 : polarité d’une diode (zone n)

Les porteurs de charges mobiles sont attirés vers les connexions extérieures par la présence
des charges électriques de l'alimentation

Nous constatons l'élargissement de la zone vide de porteurs de charges. La jonction est

isolante.

La diode est bloquée et nous pouvons représenter cet état par un interrupteur ouvert.

Nous parlons ici de: polarisation dans le sens bloquant, ou dans le sens inverse; en anglais
"reverse"

Figure 2.23 : circulation du courant électrique (zone n)

La tension aux bornes de la diode est égale à la tension de la jonction

23
 Udiode = Uj = Ugénérateur et URig = 0V (2.04)

II.5.4 Fonctionnement d’une diode jonction [4][6][7][8] :

La fonction "générique" d'une diode est de laisser passer le courant dans un sens, nous disons
qu'elle est conductrice (dans le sens passant ou sens direct) et de bloquer le courant dans
l'autre sens. Nous disons alors qu'elle est bloquée (dans le sens bloquant ou inverse).

Figure 2.24 : Diode monté en sens direct

Figure 2.25 : Diode monté en sens inverse

II.5.5 Caractéristiques
If : courant direct maxi
VRRM : tension inverse maximale
Vf : chute de tension en direct (on considèrera Vf=0,7v pour une diode classique)

24
 Figure 2.26 caractéristique d’une diode.

II.5.6 Principales utilisations d’une diode :

Les diodes sont principalement utilisées dans les deux signaux suivants selon les groupes de
fonction des circuits différents:

1. Petits signaux: Commutations de commandes, petites protections, limitation,

démodulation.

2. Grands signaux : Redressements, protections d'électroaimants.

Les circuits de redressement : permettent la conversion d'une tension alternative en une

tension continue.

Les circuits d'écrêtage, ou circuits de limitation : qui permettent d'empêcher un signal de

dépasser une valeur (amplitude) choisie.

Les circuits de commutation : permettent la commande ou le changement de normes, ou

encore pour circuits logiques.

II.5.6 a Exemple d’utilisation d’une diode:

II.5.6. a.1 Redressement : Par pont de graetz (Double alternance) [3][6][8]

25
II.5.6. a.2 Logique: Exemple : fonction OU

Figure 2.27 b : Redressement monté en fonction ou

Spécifications : Puissance normale PNOM.[W]

Tension inverse UINV.[V] et
Courant direct IDIR.[A].

II.5.7 Technologie :
A l’heure actuelles pratiquement toutes les diodes sont réalisées à l’aide de silicium. Leur
aspect diffère essentiellement en fonction des limites qu’elles peuvent supporter, à savoir le
courant direct maximum et la tension inverse maximale.

II.5.8 Méthode de contrôle :

Ohmiquement, il n’y a généralement aucune disposition particulière. Pour mesurer les valeurs
principales de sa caractéristique tension-courant, il faut veiller à limiter le courant maximum
admissible.

26
Vérification d’une diode :
Pour tester valablement une diode ; on utilise un ohmmètre et on mesure la résistance entre
ces deux bornes en inversant les pointes rouge et noire, on doit trouver deux valeurs nettement
différentes (par exemple une dizaine d’ohms et quelque milliers).

Sachant q’une diode en bon état laisse passer un courant dans un sens.

a) la diode est dans le b) la diode est dans le

sens « passant »l’aiguille dévie. sens « bloqué » l’aiguille ne dévie pas.
Figure 2.28 : Vérification d’une diode à l’aide d’un ohmmètre

II .5.9 Caractéristique courant-tension d’une diode [10] :

Le comportement de même que la fonction d'une diode peut se déduire de sa caractéristique
graphique courant-tension

ID = f (UD).

27
 Figure 2.29 caractéristique courant-tension d’une diode

La courbe obtenue n'étant pas une droite, nous parlons d'un élément non linéaire. Ce qui
signifie que le courant qui circule dans l'élément n'est pas proportionnel à la tension qui lui est
appliquée, donc ne dépend pas uniquement de la loi d'ohm.

Dans le sens direct, la tension de seuil est la tension nécessaire à appliquer à la diode pour
qu'elle devienne conductrice. USEUIL 0,6V pour le Si (0,3V pour le Ge).

Au delà de la tension de seuil, le courant ne dépend pratiquement que de la résistance totale

du circuit, et la tension aux bornes de la diode reste autour de 0,6V à 0,7V.

Le courant inverse est très faible (de l'ordre du nA). Il augmente très fortement au delà d'une
certaine tension inverse, appelée tension de claquage. La tension inverse de claquage varie
entre 10 et 1000 volts suivant le type de diode. L'emballement thermique qu'entraîne la
tension de claquage détruit la diode dans la plupart des cas.

Ces caractéristiques varient considérablement avec la température et les concepteurs de

circuits doivent en tenir compte. Nous n'entrerons pas ici dans plus de précisions concernant
ces caractéristiques, car pour le dépanneur, de plus amples détails sont fournis dans les livres
de correspondances (data book) auxquels nous pouvons ici qu’encourager la lecture.

28
Par contre, et avant d'analyser les divers circuits d'utilisations des diodes, voici quelques
grandeurs que nous pouvons considérer comme importantes et qu'il nous faut garder en
mémoire :

Courant direct maximum : IF

Courant direct maximum de crête : IFM
Tension inverse maximum : UR

II.5.10. Diode idéale [7]:

1ère approximation

Figure 2.30 : 1er approximation d’une diode idéal

Deuxième approximation:

Figure 2.31 : 2ème approximation d’une diode idéale

(2.05)

29
II.5.11. La diode stabilisatrice ou diode zener :

Anode Cathode
SYMBOLE
Selon l'extrait d'un data book, on peut constater qu'il est
possible de rencontrer des divers symboles pour la diode
zener.
La fonction principale d'une diode zener est de maintenir
une tension constante à ses bornes. Ce sont des diodes
FONCTION
stabilisatrices de tension.
Une diode zener est une composante électronique
permettent d'obtenir une tension de sortie constante
DEFINITION
malgré une variation de la consommation ou de la tension
d'entrée. C’est pourquoi elle est utilisée comme
stabilisateur de tension
Puissance nominale PZ NOM. [W],
Tension inverse nominale UZ [V] et
SPECIFICATIONS TYPES
Courant zener maximal IZ MAX. [A].
TECHNOLOGIE Toutes les diodes zener sont réalisées à l'aide de silicium.
Les zener les plus courantes ont une PZ NOM. = 450mW
La grosse majorité des zener sont utilisées dans des
circuits de commande à peu de consommation. Egalement
UTILISATIONS
comme circuit de limitation ou écrêtage
Ohmiquement, on mesure uniquement l'état de la jonction
PN (ouvert ou court-circuit).
Pour mesurer les valeurs principales de sa caractéristique
METHODE DE CONTRÔLE
tension-courant, il faut veiller à limiter le courant
maximum admissible.

Tableau 2.04 : Récapitulation d’une diode zener.

II.5.12. Caractéristiques :

III.5.12.a La caractéristique tension-courant IZ = f (UZ) d’une diode zener :

30
 Figure 2.32 : Caractéristique tension courant d’une diode zener.

II.5.12. b Valeurs pratiques des tensions zener :

En pratique, pour les diodes dont la tension zener dépasse 10V, seul l'effet d'avalanche est
possible. Ce qui à pour conséquence que la caractéristique de la diode est moins franche (la
pente est plus grande), et le coefficient de température est positif.

Les diodes dont la tension zener est inférieure à 5V ont une jonction très mince et seul l'effet
zener peut avoir lieu, ce qui entraîne que la caractéristique de la diode est très raide et, de
plus, ces diodes ont un coefficient de température négatif.

Figure 2.33 : Coefficient de température d’une diode zener.

31
Entre 5V et 10V, les deux effets peuvent se combiner, et la caractéristique est la plus raide
ainsi que le coefficient de température qui peut être proche de zéro. Ce qui signifie que les
diodes zener prévues pour un fonctionnement inverse compris entre 5V et 10V seront utilisées
pour un fonctionnement très stable.

II.5.12. c Principales caractéristiques des diodes zener :

La diode zener est considérée comme une stabilisatrice de tension, mais avec une très légère
variation de tension à ces bornes. Sa résistance interne n'étant plus tout à fait nulle, la tension
(inverse) aux bornes de la diode varie légèrement. Plus le courant qui la traverse est grand,
plus la tension (inverse) à ses bornes augmente très légèrement.

En technique de dépannage, il peut être suffisant de considérer la diode zener dans un circuit
comme une diode zener idéale. Par contre, dans la conception et le calcul de circuits
électroniques, il est souvent nécessaire de prendre en compte la valeur de la résistance interne
« RIZ » .

II.5.12.d Diode zener idéale:

Figure 2.34 : 1er approximation d’une diode zener

La diode zener idéal est à considérer comme un générateur de tension fixe, à la valeur zener
nominale, avec une résistance interne nulle.

32
 Figure 2.35 : 2ème approximation d’une diode zener.

II.6 La résistance électrique [8]:

II.6.1. Symbole :

Figure 2.36 : symbole d’une résistance électrique

II.6.2. Généralité [13]:

La résistance électrique notée en général R, est le quotient de la tension U aux bornes d'un
conducteur quelconque sur l'intensité I du courant qui traverse le conducteur : R = U/I (loi
d'Ohm). La résistance électrique s'exprime en ohms (symbole Ω). Un ohm correspond à la
résistance d'un conducteur traversé par un courant de 1A, la tension à ces bornes étant de 1V.
On utilise parfois l'expression inverse de la résistance, ou conductance G (G = 1/R), exprimée
en siemens (de symbole S). La résistance électrique d'un fil conducteur est le produit de sa
résistivité par sa longueur divisée par la section du fil. La résistivité dépend de la température.
Pour les métaux, la résistivité est de l'ordre de 10-8 Ω.m à température ambiante. La résistance
équivalente à un ensemble de résistances mises en série est la somme des résistances. Si les
résistances R1, R2, ..., Rn sont mises en parallèle, la résistance équivalente Req est telle que :
1/Req = 1/R1 + 1/R2 + ... + 1/Rn.

33
II.6.3. Définition :
Par définition Les résistances sont des composantes électroniques à deux pattes (dipôle).
L'effet principal d'une résistance est son opposition au courant électrique ce qui entraîne
obligatoirement une chute de tension à ses bornes. Nous pouvons dire que la résistance est un
bipôle pour lequel la relation entre la tension et le courant est du type : u(t) = R x i(t) où u(t)
est la valeur instantanée de la tension aux bornes du composant et i(t) est la valeur instantanée
du courant traversant le composant.

Il existe différente sorte de résistances en fonction de leur puissance

II.6.4. Exemples types des résistances

Figure 2.37.a : résistance à forte puissance

Figure 2.37.b : résistances variables

34
II.6.5. Valeur théorique d'une résistance:

La valeur d’une résistance s’exprime toujours en Ohm (Ω).

Voici les multiples de l'Ohm.

o Le kilo-Ohm. 1 kΩ = 1 000 Ω = 103 Ω

o Le Méga-Ohm. 1 MΩ = 1 000 000 Ω = 106 Ω
o Le Giga-Ohm. 1 GΩ = 1 000 000 000 Ω = 109 Ω

Les résistances portent 4, 5 ou 6 anneaux de couleurs. Ces anneaux nous permettent de

connaître la valeur théorique de la résistance. Mais le plus répandu c’est le quatre anneaux.

II.6.6. Méthode pour connaître la valeur d’une résistance à l’aide des couleurs [5][6][8]

Il nous faut donc connaître le code des couleurs pour faciliter la lecture vu que chaque couleur
a une signification.

Le code des couleurs

Tableau.2.05 : Code des couleurs des résistances

La dernière ligne du tableau contient la phrase qui permet de retrouver facilement les
couleurs dans l'ordre. Cela nous évitera de les apprendre par coeur ce qui ne sert à rien.

35
Comment lire alors une résistance à l’aide de ces couleurs ?

On prend la résistance dans le bon sens (le trait or ou argent doit être à notre droite).

Figure 2.38 : Lecture d’une résistance

Les2 premiers anneaux donnent les 2 premiers chiffres.

Le 3ème anneau indique le nombre de zéro à ajouter.
Le 4ème anneau indique la tolérance de fabrication.

I.6.7. Fonction d’une résistance :

La fonction dominante d'une résistance est de s'opposer au passage des électrons, donc au
passage du courant. Une résistance obéit en général assez fidèlement à la loi d'ohm, ce qui
signifie que la tension aux bornes varie proportionnellement au courant qui la traverse, soit
u(t) = f ( i(t) ).
II.6.8 La résistivité :

Tous les fils conducteurs présentent une résistance

au passage du courant. Cela se traduit par un
dégagement de chaleur (effet Joule).
On appelle:
L la longueur du fil. R = ρ L / S Avec R en Ω
S la section de ce fil L en m
ρ la résistivité du fil. S en m2 et ρ (ro) en Ω.m.
R la résistance du fil.

Tableau 2.06 Résistivité

36
Quelques exemples de résistivité :

Matériau Résistivité [Ohm] Coefficient thermique (°C)-1

Argent 1,59.10-8 3,80.10-3
Cuivre 1,70.10-8 3,90.10-3
Or 2,44.10-8 3,40.10-3
-8
Aluminium 2,82.10 3,90.10-3
Tungstène 5,60.10-8 4,50. 10-3
-8
Fer 10.10 5,0. 10-3
Platine 11. 10-8 3,92. 10-3
Plomb 22.10-8 3,90. 10-3
Carbone 150.10-8 0,40.10-3
Carbone 3,50.10-5 -0,50.10-3
Germanium 0,46 -48.10-3
Silicium 640 -75.10-3
Tableau 2.07 Exemples de résistivités

II.6.9. Associations de résistances.

En série :

L'intensité qui traverse les 2 résistances est la

même (I)
U = U1 + U2
En appliquant la loi d'Ohm, on a:
RI = R1I + R2I = (R1 + R2)I
En simplifiant par I on a: R = R1 + R2 + ...

Tableau2.08 : Associations des résistances (a) : Série

37
En parallèle :

On appelle U, la tension appliquée à cette

association et Req, la résistance équivalente
à ces 2 résistances associées en parallèle.
L'intensité I se partage en I1 et I3
I = I1 + I2
En appliquant la loi d'Ohm, on peut écrire:
U/Req = U/R1 + U/R2
Si on simplifie par U, on a:

1/Req=1/R1+1/R2+...
Pour trouver Req, il suffit de prendre l'inverse
du résultat trouvé.

Tableau2.09 : Associations de résistances (b) : Parallèle

II.7 Les transformateurs [8] :

II.7.1 Rappel et Définition :
Un transformateur est un instrument électrique qui convertit un système de tensions et de
courants en un autre, sans changer la fréquence. Un transformateur se compose d'une bobine
de fil placée à proximité d'une ou de plusieurs autres bobines et, utilisée pour coupler des
circuits de courant alternatif, au moyen d'une induction entre les bobines. La « bobine
primaire » est la bobine connectée à la source d'énergie et les autres bobines sont des «
bobines secondaires ». Le transformateur élévateur de tension, ou survolteur, est un
transformateur dans lequel la tension secondaire est supérieure à la tension primaire. Dans le
cas contraire, il s'agit d'un transformateur abaisseur de tension. À tout instant, le produit des
tensions est constant dans chaque jeu de bobines. Ainsi, dans un survolteur, une augmentation
de la tension secondaire s'accompagne toujours d'une diminution correspondante de la tension
primaire.

II.7.2 Transformateur : modélisation simple :

Le transformateur électrique est un système à induction mutuelle. Il est constitué de deux

enroulements électriques : l'un est le siège de la production d'un flux d'induction magnétique,
l'autre est le siège de la captation de ce flux, ou du moins d'une partie de ce flux.

38
On représente un transformateur de la sorte :

Figure2.39 : symbole d’un transformateur

De la loi d'induction, on sait que l'amplification est donnée par :

(2.06)

I.7.3. Exemple d'utilisation transformation :

Utilisation dans un réseau électrique. Typiquement, on utilise un transformateur pour

convertir des niveaux de tensions :

Figure 2.40 : chaîne d’utilisation d’un transformateur

Des unités de taille importante sont utilisées dans les systèmes électriques, et de très petites
unités sont employées dans les instruments électroniques. Les transformateurs industriels et
privés fonctionnant à la fréquence de ligne (50 Hz en France) sont conçus pour traiter des
tensions et des courants élevés.

II.7.4 Avantage d’un transformateur :

Le transformateur permet aussi de découpler (galvaniquement) les masses, grâce au couplage

magnétique assurant la transmission de la puissance électrique. La masse du réseau est une

39
masse de puissance, peu précise, subissant des parasites, alors que celle qu'on emploie en
électronique doit être aussi propre, stable que possible, d'où un autre avantage du
transformateur. Ce dernier est parfois même utilisé uniquement pour cette raison : deux
circuits doivent se transmettre de l'information, mais les masses doivent rester découplées.

II.7.5 Le transformateur alimenté et chargé :

Plaçons le transformateur en situation, c'est à dire alimenté par une source affine et chargé par
un dipôle réel. Pour la modélisation la plus simple, on obtient :

FigureI1.41 : Modélisation d’un transformateur

Avec:

La résistance R à l'entrée du quadripôle équivalent exprime le fait que le transformateur doit

soutirer de la puissance à la source pour pouvoir en fournir à la charge.

40
 Les puissances mises en jeu dépendent de la charge placée en bout du transformateur :

(2.07) (2.08)

Par identification de R dans les expressions des puissances entrantes et sortantes, on obtient
une valeur de la résistance d'entrée :

(2.09)

Notons encore que le transformateur, dans ce modèle, ne dissipe pas d'énergie. La résistance
d'entrée n'est donc que l'image du transfert de puissance vers la partie droite du système.

II.7.6 Modèle de transformateur plus élaboré :

On peut aussi tenir compte, dans la modélisation du transformateur, des résistances des
bobinages, de leurs inductances parasites :

Figure 2.42 : Amélioration d’un transformateur

Ce modèle amélioré de transformateur peut servir de base à la théorie des moteurs alternatifs,
en vertu du possible modélisation électrique de phénomènes mécaniques. Dans ce cas, la

41
résistance de sortie modélise des frottements mécaniques, l'inductance de sortie une charge
d'inertie sur l'arbre moteur. On consultera au sujet des moteurs " : Transducteurs
électromécaniques".

II.8 Condensateur [1][13] :

II.8.1Définition :

Condensateur, composant électronique capable d’emmagasiner une charge électrique. Un

condensateur se compose de deux armatures conductrices, séparées par une couche isolante,
le diélectrique. Lorsque l’une des armatures est chargée à l’aide d’un courant continu ou
d’une source électrostatique, une charge induite de signe contraire apparaît alors sur l’autre
armature.

II.8.2 Description :

Un condensateur est caractérisé par sa capacité, c’est-à-dire la faculté de stocker sur ses
armatures des charges électriques de signes opposés. La capacité C d’un condensateur est le
rapport de sa charge Q à la différence de potentiel entre les armatures V1 - V2. On peut donc
écrire C = Q / (V1 - V2). Lorsque Q est en coulombs et V en volts, C s’exprime en farads, de
symbole F. Toutefois, cette unité s’avérant très grande (la Terre a une capacité de
0,000 708 F), on préfère utiliser le microfarad (10-6 F), le nanofarad (10-9 F) ou le picofarad
(10-12 F). La capacité d’un condensateur plan s’exprime par la formule : C = eS / d, où S est la
surface en regard des armatures, d la distance entre les deux armatures et e la permittivité du
milieu situé entre les armatures.

II.8.3 Type de condensateurs :

Les condensateurs se présentent sous des formes très variées. Selon l’utilisation envisagée, le
diélectrique peut être constitué d’air, de mica, de céramique, de papier ou encore de vide.
Parmi les condensateurs les plus courants, on peut citer le condensateur plan, la bouteille de
Leyde ou encore le condensateur à capacité variable, constitué d’armatures fixes et mobiles,
faisant ainsi varier la surface en regard des armatures.

II.8.4 Caractéristiques :

42
Un circuit électrique comporte deux types de conducteurs : des éléments actifs et des éléments
passifs. Les éléments actifs peuvent être des générateurs, définis par leur force électromotrice
(f.é.m.) et l’intensité du courant qu’ils délivrent, ou bien des récepteurs, tels que les moteurs,
caractérisés par une force contre-électromotrice (f.c.é.m.) et par l’intensité du courant qu’ils
consomment. Parmi les éléments passifs, on peut mentionner les résistances, définies par leur
résistance R (sachant que tout conducteur oppose au passage d’un courant une résistance qui
dépend du matériau constitutif et de ses dimensions), les bobines d’induction, définies par leur
inductance L, et les condensateurs, définis par leur capacité C. Lorsque ces différentes
grandeurs sont constantes, le circuit est dit linéaire, car, pour décrire son comportement, on
manipule des équations différentielles linéaires à coefficients constants.

II.8.5 Application :

Un condensateur se comporte comme un conducteur dans un circuit traversé par un courant

alternatif, mais ne peut conduire le courant continu qu’à un instant donné. Cette propriété le
rend utile dans les cas où l’on doit empêcher le passage d’un courant continu dans une partie
d’un circuit électrique. Les condensateurs à capacité variable sont associés à des inductances
pour réaliser les circuits à résonance utilisés dans les radios et dans d’autres équipements
électroniques. Les condensateurs à grande capacité sont utilisés dans les lignes de haute
tension pour faire résonner la charge et permettre à la ligne de transporter davantage
d’énergie.

43
CHAPITRE III : CONCEPTION D’UNE ALIMENTATION SYMETRIQUE
STABILISEE REGULEE

III.1 Schéma du montage [5] :

Figure 3.01: Alimentation symétrique stabilisée complémentaire

III.2 Rôle de chaque composant dans l’installation :

III.2.1 Transformateur TR :
TR est un transformateur qui sert à diminuer la valeur efficace de la tension alternative
(primaire). Il a donc pour rôle « abaisseur de tension ».

Ce transformateur délivre une tension U20 = 12V (tension à vide) à la sortie de la bobine
secondaire lorsque l’entrée est soumise à 220V (tension primaire). Mais dès que le courant
passe dans la bobine, on constate une chute de tension ∆U.

(3.01)
∆U = U20 - U2
∆U : Chute de tension

U20 : tension secondaire à vide.

U2 : tension secondaire en charge.

Choix du transformateur :

44
On a choisi un transformateur de puissance le plus classique du type à colonne (forme des
bobinages cylindriques), un transformateur abaisseur de tension : U1 >>U2.

L’objectif c’est d’avoir une tension ±9V à la fin du circuit, appelée ±V3. Il nous faut donc une
tension secondaire du transformateur V2>9V afin d’accomplir la condition de transformation
selon la caractéristique de notre d’installation.

III.2.2 Les diodes D1 et D2 :

Dans ce montage, D1 et D2 sont deux diodes de redressement monophasée monoalternance à

faible puissance (admettant une tension de 50 à 800V et fournissant un courant jusqu’à 4A
pour les tensions moyennes). Elles redressent la valeur obtenue par le secondaire du
transformateur pour avoir une tension presque continue.

D1 et D2 sont complémentaires : 1N4004

III.2.3 Les condensateurs

C1 et C2 : deux condensateurs polarisées qui nous permettent de réduire ou de filtrer ou de

bloquer le passage du courant pour avoir un facteur de forme proche de 1. Avec un critère de
1A↔1000µF, mais pour notre cas Imax = 2A alors C1 = C2 ≈ 2000 µF. Ils sont
complémentaires.

C3 et C4 : deux condensateurs non polarisées qui nous permettent d’éviter les parasites due à
la tension de sortie. Ils ont une très forte valeur [nF].C3 et C4 sont des filtrage harmonique
supérieur.

Figure 3.02 : Allure de U = f(i) d’un condensateur

45
Dans la partie 1, on ne voit que des courbes monoalternance positive. Mesure se fait en
absence des C, on constate que, le facteur de forme est encore médiocre.

Dans la partie 2, mesure se fait en présence des C. On voit que l’allure s’évolue bien, le
facteur de forme est sensiblement égal à 1. Cela veut dire que le courant est presque continu.

Résistances :

R1 associée par DZ1 permettent d’assurer la polarisation du transistor T1, de même pour R2 et
DZ2. R1 et R2 sont symétriques et identiques. On sait que la tension VR1 qui circule dans R1
est inférieure à celle de VZ1 mais VR1 + VZ1 =V2’ avec V2’= constante et IR1 très petite ; par
conséquent R1 doit avoir une très forte valeur.

Figure 3.03 : Symétrique d’une alimentation stabilisée

R3 et R4 permettent de stabiliser la tension de la base des transistors T3 et T4.

Les transistors :

T1, T2 : deux transistors complémentaires qui ont pour rôles d’améliorer notablement les
valeurs de l’intensité du courant qui circulent dans DZ et R

T3 et T4 : deux transistors de puissances complémentaires (mêmes caractéristiques). Ils ont

pour « amplificateur de courant »

Choix des transistors :

On fait le choix des transistors à partir du débit. Prenons notre cas : Ic=2A et V2=12V. En
effet, il nous faut des transistors de puissance pour le final pour l’amélioration de
l’installation, des transistors ont de IC> Imax et VC>12V

46
Caractéristiques de ces quatre transistors :

Type poL boî broch VCB VCE VEB IC Tj PTOT Ft COB hFE IC FCT FAB

max MAX MAX max MAX min max hFE

max max

2N2905A PS T05 L04 60V 60V 5V 600MA 200C 600MWF 200M 8P 100MN 150MA AMG BFX30

BC117 NS T0105 L04 120V 120v 5v 50MA 125C 300MWF 60M 9P 30MN 30MA ALH ATB

BD911 PS T0P66 L32 100V 100V 5V 15A 150C 90WC 3M 15/150 5A AHH SGI

BD912 NS TOP66 L32 100V 100V 5V 15A 150C 90WC 3M 15/150 5A AHH SGI

Tableau 3.01 : catalogue des transistors

Brochage :

T1 :2N2905 T2 :BC117 T3 :BD911 T4 :BD912

Tableau 3.02 : Brochage des transistors

III.3 Modes de calcules des paramètres :

 Le transformateur TR

Comme nous souhaitons à avoir une tension de ±9V au final, posons V3 cette tension. Il vaut
mieux alors que la tension secondaire V2 du transformateur doit être strictement supérieure à
celle là pour accomplir la condition du redressement.

V1>V2>V3

→ 220V>12V>9V

47
Choix des diodes zener :

(3.01)

Imax= 2A ; β1 = 50 et β2 = 30

PZ= (VZ=9)*(IZ=13) (3.02)

PZ = 9*13=117mW

Calcule des résistances :

• R1 et R2 : deux résistances symétriques et identiques; donc R1 = R2 = ?

On sait que VZ = V3 = 9V

Soient : IR1 = 10IB ; Imax = 2A

R1= (V2’ – Vz)/ IR1 avec Vz≈V3,

V2’= (R1*IR1) +Vz
IR1=10IB
IB=(Ic)/ β

Et β=β1*β3

(3.03)

Avec β = β1β3 : β1, β3 étant les gains respectifs des transistors T1 et T3

(3.04)

48
Ou IC et β sont données par le catalogue ci-dessus (IC = 5A =5000mA ; β1 = 100; β3=150).

Donc

Par hypothèse : V2’ = (R1 * IR1) +VZ (3.05)

(3.06)

D’où :

• R3 et R4 : ces deux résistances sont équivalentes et symétrique ayant des valeurs

identiques. C'est-à-dire R3 = R4.

Par hypothèse : VBT1 ≈ VZ

VCT1 ≈ VZ

VCT1 = VBT3 ≈ VZ

V2’ = VCB +VR3 (3.07)

V2’= 12 2 =VR3 + VZ (3.08)

VR3 = R3 * IR3 (3.09)

VR3 = V2’- VZ = 16.97-9.2=7.77V

49
 IR3 = ICT1 - IBT3 (3.10)

IBT3 = 0.001mA

Soit VBT = 0.6V ; valeur fictif

IR3 = 0.15 – 0.001

IR3 = 0,149mA

 Condensateurs

Comme nous avons déjà vu au paragraphe précédent que ces quatre condensateurs ont
pour rôles de filtrage et découplage. Dans ce cas, ils nécessitent donc des capacités C ≥
2000µF pour chacun pour Imax = 2A.

C1 = C2 = 2200µF

C3 = C4 = 470Nf

50
Essais et Mesures en charges

CHARGES

+9V 32V 1K 2K 3K 4K

9,08V 9,23V 9,14V 9,30V 9,30V

RESULTATS
-9V 9,26V 9,30V 9,34V 9,35V 9,35V

+9V 10% 10% 10% 10% 10%

-9V 10% 10% 10% 10% 10%

PRECISIONS

Tableau 3.03 : mesures en charges

On constate que la précision est au voisinage de 10%, c’est la tolérance due aux imprécisions
des composants et des matériels utilisés

III.4 Observation :
Ces deux circuits sont vraiment semblables, même caractéristique. Alors, il est inutile de
refaire le calcul pour le deuxième circuit, étant donnée que les valeurs obtenues par le premier
circuit sont identiques à ces symétries
Voici le Schéma du circuit imprimé :

Figure 3.04 : Schéma multifilaire (Circuit imprimé)

A ; B : Secondaire du transformateur
K : interrupteur
D1 ; D2 : Diodes redresseurs

51
C1 ; C2 : Condensateurs polarisés
C3 ; C4 : Condensateurs non polarisés
R1 ; R2 : Résistances
R3 ; R4 : Résistances ajustable
T1 ; T3 : Transistors NPN
T2 ; T4 : Transistors PNP
DZ1 ; DZ2 : Diodes zener
±9V : Tension de sortie de l’alimentation

Figure 3.05 : Photo de la plaquette en vue de dessus

52
 CHAPITRE IV : ETUDE FINANCIERE

IV.1 liste de matériels :

N° Désignation Référence Nombre Observation

01 Transformateur V1=220V ~ 50HZ ; 2A 01 Bon état

« TR 1~ » V2=12V

02 Diodes redressements 1N4004 02 Bon état

U=1000V ; tension
périodique

03 C1 et C2 polarisées
2200 µF-60V C1 et C2 en µF
Condensateurs C3 et C4 non polarisées 04 C3 et C4 en nF

470nF

04 Résistances 2.418KΩ (R1, R2) 02 (R1,R2) différents de

52.147KΩ (R3, R4) 02 (R3,R4)

05 Diodes Zener Д818B ;Pmax=0.33W 02 •Bon état

06 2N2905A PS 01
•Bon état
BD911 PS
Transistors 01

BD912 NS 01
Bon état

BC117 NS
01

07 Refroidisseur 3/4 02 Bon état

08 Multimètre Digital/analogique 02 Bon état

09 plaquette 5/15cm 01 Neuve

10 Etain 30cm ; Ø=0.02mm ……

11 Boîtier 6/16cm ; h=6cm En bois

Tableau 4.01 : Liste de matériels

53
IV.2 Economie du montage :

Désignation Prix Unité (en Ar) Nombre Prix Total (en Ar)

Transformateur 15.000.00 01 15.000.00

Diode Redresseur 500.00 02 1.000.00

Diode Zener 1.200.00 02 2.400.00

Condensateur 1.500.00 04 6.000.00

Résistance 400.00 04 1.600.00

Transistor 4.700.00 04 18.800.00

Refroidisseurs 4.000.00 02 8.000.00

Plaquette 3.000.00 01 3.000.00

Coût d’oeuvre 10.000.00 01 10.000.00

Prix de revient 57.800.00 01 57.800.00

Tableau 4.02 : Economie du montage

IV.3 Prix de vente : Pv

Pv=Prix de revient + Coût d’œuvre (4.01)
Pv=47.800.00 + 10.000.00
Pv=57.800.00Ar

IV.4 Amélioration :
 Mieux on utilise un transformateur à point milieu du secondaire pour permettre la
disposition de deux tensions en opposition de phase. Afin que les diodes sont
conductrices l’une après l’autre.
 Mieux on rajoute 3 transistors avec un ajustable pour remplacer les diodes zener et
assurer la polarisation du Darlington. Mais eu point de vu financière ceux-ci n’est pas
très économique pour un usage personnel.

54
IV.5 Avantages et inconvénients du montage :
Ce montage est plus fiable par rapport à un redressement à diode. On prouve ça à la valeur
obtenue de la sortie du circuit.
On ne trouve pas encore cette alimentation symétrique stabilisée dans les boutiques ou
magasins qui distribuent des équipements électroniques.
On peut dire aussi que ce montage est facile à réaliser surtout pour les apprenants.
La durée de vie de cette d’alimentation symétrique est intéressant par rapport à une
alimentation symétrique stabilisée intégrée, mais la taille de la plaquette est plus large.

CONCLUSION :
Il existe d'innombrables possibilités pour réaliser une alimentation symétrique stabilisée avec
toutes les variantes possibles et imaginables, selon les sentiments du concepteur. Chacune a
ses avantages, ses inconvénients, ses limitations, sa complexité, son coût, son domaine de
prédilection, etc. Mais ce qu’on a réalisé ici c’est celle qui est le plus pratique et la plus
intéressante.
On a fait cette étude dans le but expérimentale et pédagogique, elle explique bien le
fonctionnement et la méthode de conception d’une alimentation symétrique complémentaire
stabilisée. Il est logique d’illustrer la technique et la technologie des composant semi-
conducteurs pour bien assurer la compréhension de ce montage.
Ce montage est à base transistors pour bien avoir pratiquer la théorie concernant les
composants semi-conducteurs.
La réalisation de ce montage permet bien de donner la notion de bricolage et de maîtriser des
différents cas des pannes afin de pouvoir faire la création ceux qui nous mènent vers la
professionnalisation. Puisque les appareils obsolètes sont encore nombreux chez nous.

55
ANNEXE 1 : Le montage "Darlington"[10][11][12]
Le montage Darlington associe deux transistors, l'émetteur de l'un étant relié à la base de
l'autre, les collecteurs étant directement raccordés à la tension d'alimentation, comme indiqué
sur la figure ci-dessous:

FigureA1.01 : principe du montage Darlington.

Ces deux transistors ainsi montés se comportent comme un seul transistor, dont le gain ß est
égal au produit des gains des deux transistors. On se doute qu'il s'agit, grâce à ce montage,
d'obtenir une forte amplification. L'impédance d'entrée d'un tel montage est très grande et son
impédance de sortie très faible.
A noter qu'il existe dans le commerce des transistors appelés "Darlington", qui remplacent le
montage du même nom. A titre d'exemple, voici les principaux paramètres de l'un d'eux:

Type de Boîtier VCES IC max PTOT hFE min hFE max PNP
n° max
(mA) (mW) compl.r
(V)
BC875 TO-92 45 1000 830 1000 >1000 BC878

Tableau .A1.01 : Principaux paramètres

VCES signifie tension collecteur émetteur, avec VBE = 0. Le modèle référencé BC875 est un
NPN moyenne puissance (presque 1 watt); son PNP "complémentaire" est le BC878.

56
ANNEXE 2 : Le montage "push-pull"[10][11][12]

Le montage push-pull (push, en anglais, signifie pousser, pull signifie tirer), encore appelé
montage symétrique, est un grand classique en amplification de puissance des signaux
alternatifs. Voici, brièvement, son principe:

Figure A2.01 : principe du montage push pull

Ce montage est construit autour de deux transistors, un NPN noté T1 et son PNP
complémentaire, noté T2. Les deux transistors conduisent le courant de collecteur tour à tour,
pendant une alternance du cycle alternatif. Ce qui revient à dire que chaque transistor est
bloqué pendant une demi période du signal alternatif et passant durant l'autre.

Pour obtenir une amplification correcte, il est ici nécessaire d'employer deux transistors
complémentaires (mêmes paramètres, seule la polarité, NPN ou PNP, diffère) et une
alimentation symétrique.

57
 BIBLIOGRAPHIE
Livre et publication

[1] N.Schreiber, « Guide mondial des semi-conducteurs », Edition Radio- Paris 1983
[2] J.C.Potiron ; W.Sorhine, « Montages Eléctroniques-transistors », Edition Radio- Paris
1977
[3] P.Lambrechts, « Le cours technique-Conception et calcul des circuits de base à semi-
conducteurs », Publitronis Sarl 1999
[4] L.Dericone, « Pratique des transistors », Edition Perlor 1988
[5] R.A.Mato, « Basse fréquence –Calcul et Schémas», Edition Radio 1988
[6] Y.Soelberg; Wosorokine, « Pratiquez l’électronique », Edition Radio 1989
[7] S.Valkov, « Eléctronique analogique », Edition Casteilla-Paris 1994
[8] J.M.Poetevin, « Eléctronique-Composants discret et methodes de calcul », Edition
Dunod-Paris 1995
[9] R.Berson, « Technologie des composants éléctroniques »Tome 2, Edition Radio-Paris
1978.

Site Web

[10] http://www.perso.elect.fr/electronique_theorie.html

[11] http://www.prof.guedon.org/article.php3?id_article=147

[12] http://www.forum.futura-sciences.com/thread34419.html

[13] Encyclopédie Microsoft ® Encarta ® 2005. © 1993-2004 Microsoft Corporation.

58
 RENSEIGNEMENTS

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Prénom : Herinjaka
Tél. : 020.24.815.61
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Anatihazo II -101-Antananarivo.

Titre du mémoire : « ALIMENTATION SYMETRIQUE STABILISEE

COMPLEMENTAIRE »

Nombre de pages : 58
Nombre de tableau : 15
Nombre des figures : 52

Mots clés : Darlington, Push Pull, Dopage.

Directeur de mémoire : Monsieur RADONAMANDIMBY Edmond Jean Pierre.

 RESUME

Tous les dispositifs électroniques nécessitent une tension symétrique plus ou moins 9V et
absorbent un courant inférieure ou égale 2A répond à ce travail de mémoire. On a choisi
comme thème "l'alimentation symétrique stabilisée complémentaire" dans le but de
l'application de l'électronique en Télécommunication. Une alimentation est un élément
majeur, très important et inséparable pour l'électronique appliqué. Le schéma qu'on a donné
n'est pas le seule pour pouvoir réalisé cette alimentation. On peut l'améliorer, c'est à dire, on
peut trouver autre type de schéma mais l'objectif reste la même, c'est avoir deux source de
courant continues en opposés de phase par rapport à la masse 0.
Ce montage est utilisable au laboratoire pour assurer les travaux pratiques sur l’électronique
analogique et numérique.
Il a un débit moyen de 2A qui est très nécessaire en électronique, surtout si on veut alimenter
un appareil de 9V exigeant un débit de courant I≤2A

ABSTRACT

All electronic devices require a symmetrical tension more or less 9V and absorb a lower or
equal current 2A answers to this work of memory. One chose like theme "the symmetrical
food consolidated complementary" in the goal of the application of electronics in
Telecommunication. A food is a major element, very important and inseparable for the
applied electronics. The diagram that one gave is not the only one to can achieved this food.
One can improve it, that is to say, one can find other type of diagram but the objective
remained the same, it is to have two source of current continue in contrary of phase in relation
to the mass 0.
This installation is usable to the laboratory to assure practical work on the analogical and
numeric electronics.
It has a middle debit of 2A that is very necessary in electronics, especially if one wants to
nourish a device of 9V demanding a debit of I≤2A current.